KR102091673B1 - 플라즈마 전력 공급 장치 - Google Patents

플라즈마 전력 공급 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플라즈마 전력 공급장치에 관한 것으로, 복수의 반응공간 상에 플라즈마를 분배하여 공급하기 위한 플라즈마 전력 공급장치에 있어서, 플라즈마를 생성시키기 위한 전력을 생성하는 플라즈마 전원 공급부; 상기 플라즈마 전원 공급부에서 생성된 플라즈마 전력을 공급받아 상기 반응공간의 개수에 대응하도록 분배출력하는 분배 회로부; 상기 분배 회로부에서 출력된 플라즈마 분배 전력을 임피던스 매칭하여 상기 반응공간에 제공하는 임피던스 정합기; 및 상기 분배 회로부와 상기 임피던스 정합기 사이에 위치하며, 상기 복수의 반응공간 중 플라즈마 처리가 진행되는 반응공간에 제공하도록 상기 분배회로부에서 출력된 플라즈마 분배 전력을 상기 임피던스 정합기에 제공하는 안정화 회로부;를 포함하고, 복수의 반응 공간에 플라즈마 전력을 안정적으로 공급하여 박막의 증착 제어를 용이하게 할 수 있다.

Description

플라즈마 전력 공급 장치{Apparatus for supplying plasma power}
본 발명은 플라즈마 전력 공급 장치로서, 복수 개의 챔버에 플라즈마 전력을 분배하여 공급하는 플라즈마 전력 공급 장치에 관한 것이다.
반도체 집적 기술이 발전함에 따라, 전도성 또는 비전도성 박막을 균일하고 정확하게 증착하는 공정 기술에 대한 중요성이 높아지고 있다.
반도체장치의 제조 공정시, 박막을 균일하게 증착하기 위해 박막 증착 방법은 크게 화학적 기상 증착법(chemical vapor deposition, CVD), 물리적 기상 증착법(physical vapor deposition, PVD), 그리고 원자층 증착(ALD)으로 나눌 수 있으며, 이러한 증착법에는 플라즈마가 이용될 수 있다.
한편, 박막 증착 속도를 높이기 위해, 여러 장의 기판을 동시에 처리할 수 있는 다중 웨이퍼 시스템에 대한 요구가 높아지고 있다. 이러한 다중 웨이퍼 원자층 증착 시스템에서, 공간 분할 방식을 이용하는 경우, 플라즈마 강화 증착법에서 각 반응 공간들 내에 간단한 장치를 이용하여 균일한 플라즈마를 발생하는 것이 중요하다.
균일한 플라즈마를 발생하기 위해서는 각 반응 공간에 공급되는 플라즈마 전력이 균일하여야 한다. 각 반응 공간에 균일한 플라즈마를 발생하기 위해, 각 챔버의 반응 공간을 각기 다른 플라즈마 전원에 연결하고, 동일한 플라즈마 전력을 인가할 수 있으나, 이러한 경우 장비가 복잡해지고 비용이 높아지게 된다.
이에 도 1에 도시한 바와 같이 플라즈마 전원 공급부의 후단에 분배 회로부(splitter)를 두어 플라즈마 전력을 분배하여 각각의 챔버에 분배된 플라즈마 전력을 인가할 수 있으나, 이러한 경우 플라즈마 전력이 분배 회로부의 특성상 각 챔버에 정확히 2분배되어 공급되지 않기 때문에 막 증착 제어에 영향을 미치게 된다. 나아가 어느 한쪽의 챔버만 공정이 진행되는 경우에 공정이 진행되지 않는 나머지 챔버에도 분배 회로부를 통과하여 전력이 공급되는 비효율성의 문제가 있다.
한국공개특허 10-2013-0106022
본 발명의 기술적 과제는 하나의 플라즈마 전원 공급부를 이용하여 복수의 반응 공간 중에서 택일적으로 또는 모든 반응 공간에 플라즈마 전력을 공급하는데 있다. 또한 본 발명이 기술적 과제는 분배된 플라즈마 전력이 각 반응 공간에 안정적으로 공급되도록 하는데 있다.
본 발명의 실시 형태에 따른 플라즈마 전력 공급장치는, 복수의 반응공간 상에 플라즈마를 분배하여 공급하기 위한 플라즈마 전력 공급장치에 있어서, 플라즈마를 생성시키기 위한 전력을 생성하는 플라즈마 전원 공급부; 상기 플라즈마 전원 공급부에서 생성된 플라즈마 전력을 공급받아 상기 반응공간의 개수에 대응하도록 분배출력하는 분배 회로부; 상기 분배 회로부에서 출력된 플라즈마 분배 전력을 임피던스 매칭하여 상기 반응공간에 제공하는 임피던스 정합기; 및 상기 분배 회로부와 상기 임피던스 정합기 사이에 위치하며, 상기 복수의 반응공간 중 플라즈마 처리가 진행되는 반응공간에 제공하도록 상기 분배회로부에서 출력된 플라즈마 분배 전력을 상기 임피던스 정합기에 제공하는 안정화 회로부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 안정화 회로부는 임피던스 안정화부; 및 상기 복수의 반응공간에서의 플라즈마 처리 여부에 따라 상기 분배회로부에서 출력된 분배 전력을 임피던스 안정화부 또는 상기 임피던스 정합기로 스위칭하는 스위칭부;를 포함할 수 있다.
상기 스위칭부는 상기 복수의 반응공간 중 적어도 하나 이상의 반응공간에서 플라즈마 처리가 진행되는 경우, 상기 플라즈마 처리가 진행되는 반응공간에 대응하는 분배회로부의 분배 전력은 해당 임피던스 정합기로 공급하도록 스위칭하고, 나머지 반응공간에 대응하는 분배회로부의 분배 전력은 상기 임피던스 안정화부로 공급하도록 스위칭할 수 있다.
상기 임피던스 안정화부의 임피던스는 상기 나머지 반응공간의 임피던스에 대응되는 임피던스일 수 있다.
본 발명의 실시 형태에 따르면 하나의 플라즈마 전원 공급부를 이용하여 복수의 반응 공간 중에서 택일적으로 또는 모든 반응 공간에 플라즈마 전력을 공급할 수 있어, 장비의 구조를 단순화할 수 있다. 또한 본 발명의 실시 형태에 따르면 분배된 플라즈마 전력이 각 반응 공간에 안정적으로 공급될 수 있어, 용이한 막 증착 제어가 가능하다.
도 1은 플라즈마 전원을 분배하여 전원을 공급하는 전원 공급 장치의 블록도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 전력을 복수의 챔버에 공급하는 전원 공급 장치의 블록도.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 전력을 복수의 챔버에 택일적으로 공급하는 전력을 안정화하는 전원 공급 장치의 회로도.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따라 안정화 회로부에서 플라즈마 전력의 안정화를 이루며 스위칭이 이루어지는 모습을 도시한 그림.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 전력을 복수의 챔버에 공급하는 전원 공급 장치의 블록도이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 전력을 복수의 챔버에 택일적으로 공급하는 전력을 안정화하는 전원 공급 장치의 회로도이고, 도 4는 본 발명의 실시 예에 따라 안정화 회로부에서 플라즈마 전력의 안정화를 이루며 스위칭이 이루어지는 모습을 도시한 그림이다.
이하 설명에서는 물리적으로 분리된 복수의 챔버(510,520)의 각 반응 공간에 임피던스 정합기(410,420)이 각각 연결된 구조를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 실시 예는 이에 한정되지 않고 단일의 챔버 내에 마련된 복수개의 반응 공간에 임피던스 정합기가 각각 연결된 구조에서도 적용 가능함은 자명할 것이다.
챔버(500)는 소정의 반응 영역을 마련하고, 이를 기밀하게 유지시켜 기판상에 단일 박막, 또는 동종의 복수 박막, 또는 이종의 복합막 등을 증착시킨다. 챔버(500)는 대략 원형의 평면부 및 평면부로부터 상향 연장된 측벽부를 포함하여 소정의 공간을 가지는 반응부와, 대략 원형으로 반응부 상에 위치하여 챔버(500)를 기밀하게 유지하는 덮개를 포함할 수 있다. 챔버(500) 내의 반응 영역에는, 기판 지지대와 대향되는 가스 분사기가 설치되어 원료 가스를 챔버(500)의 하측으로 분사한다. 가스 분사기는 상부가 원료 가스원과 연결되고, 하부는 기판에 원료 가스를 분사하기 위한 복수의 분사홀이 형성된다. 가스 분사기는 대략 원형으로 제작되지만, 기판의 형상으로 제작될 수도 있다. 또한, 가스 분사기는 기판 지지대와 동일 크기로 제작될 수 있다. 또한, 가스 분사기는 샤워헤드 형태, 노즐 형태 등과 같이 다양한 형태를 가질 수 있다. 가스 분사기에서 분사된 원료 가스는 활성화되어 기판에 증착되는데, 이러한 활성화를 위하여 플라즈마 전원 공급부(100)에서 제공되는 RF 형태로 전력이 가스 분사기에 인가된다. 가스 분사기에 인가되는 RF 형태의 전력에 의하여 가스 분사기와 기판 지지대 사이의 원료 가스가 플라즈마 활성화되어, 기판에 막이 증착된다.
플라즈마 전원 공급부(100)는 챔버(500)의 플라즈마를 발생시키는 전력을 생성한다. 플라즈마 전원은 플라즈마를 이용하여 원료 가스를 플라즈마 상태로 여기시키기 위해 설치된다. 플라즈마 전원 공급부(100)는 한 개의 RF 전원으로 된 단일 모드로 구현되거나 또는 두 개의 RF 전원으로 인가되는 듀얼 모드로 구현될 수 있다. 플라즈마 전원 공급부(100)는 챔버(500)의 기판 상부의 가스 분사기와 기판 지지대 사이의 기판의 증착 공간인 반응 공간에 플라즈마 발생 전압을 공급하여, 플라즈마 상태로 여기시키는 축전결합플라즈마(CCP;Capacitively Coupled Plasma) 방식으로 구동될 수 있다. 본 발명의 실시 예 설명에서는 축전결합플라즈마(CCP) 방식을 예로 들었으나, 이에 한정되지 않고 유도결합플라즈마(ICP; Inductively Coupled Plasma) 방식으로도 구현 가능하다.
분배 회로부(200;splitter)는 플라즈마 전원 공급부(100)에서 공급되는 플라즈마 전력을 분배하여 복수의 플라즈마 분배 전력으로 출력한다. 분배 회로부(200)는 입력되는 플라즈마 전원, 예를 들어 RF 전원을 동일한 크기로 분배하도록 구성된 전원 분배 회로를 포함하여, 입력되는 플라즈마 전원을 2분배로 분배하여 출력한다. 이하 설명에서, 두 개의 챔버(500), 예컨대 제1챔버(510) 및 제2챔버(520)에 전력을 2분배하여 두 개의 챔버(500)에 출력하는 분배 회로부(200)를 예로 들어 실시 예를 설명하겠으나, 본 발명의 실시 예는 2분배뿐만 아니라 세 개의 챔버(500)에 출력하기 위해 3분배하는 분배 회로부(200), 그 이상의 분배를 하는 분배 회로부(200)도 적용 가능할 것이다.
분배 회로부(200)는 플라즈마 전원 공급부(100)에서 공급되는 플라즈마 전력(Pin)을 2분배한 플라즈마 제1분배 전력(P1) 및 플라즈마 제2분배 전력(P2)을 출력한다. 이를 위해 분배 회로부(200)는 플라즈마 전원 공급부(100)에서 공급되는 플라즈마 전력이 분기되어 입력되는 분배 제1입력단(211)과 분배 제2입력단(212)을 포함하며, 플라즈마 제1분배 전력(P1)을 출력하는 분배 제1출력단(221)과, 플라즈마 제2분배 전력(P2)을 출력하는 분배 제2출력단(222)을 포함한다.
플라즈마 분배 제1입력단(211)과 플라즈마 분배 제1출력단(221) 사이에는 여러 축전(C), 유도(L) 성분 및 밸런스 저항을 포함하는 정합망이 마련되고, 이러한 성분들은 정확한 분배를 위한 임피던스 정합용 구조를 가진다. 마찬가지로 플라즈마 분배 제2입력단(212)과 플라즈마 분배 제2출력단(222) 사이에도 여러 축전(C) 및 유도(L) 성분을 포함하는 정합망이 마련되고, 이러한 성분들은 정확한 분배를 위한 임피던스 정합용 구조를 가진다.
안정화 회로부(300)는 분배 회로부(200)에서 분배 출련된 복수의 플라즈마 분배 전력을 안정화시켜 복수의 챔버(500) 모두에 제공하거나, 또는 택일적으로 제공할 수 있다. 분배 회로부(200)에서 분배되어 출력되는 플라즈마 제1분배 전력(P1) 및 플라즈마 제2분배 전력(P2)을 각각에 할당된 챔버(500)로 제공할 수 있는데, 챔버(500) 모두에 공급하거나 또는 어느 하나의 챔버(500)만 택일적으로 제공할 수 있다.
예를 들어, 플라즈마 제1분배 전력(P1)이 제1챔버(510)에 제공되며 플라즈마 제2분배 전력(P2)이 제2챔버(520)에 제공될 수 있다. 또한 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이 플라즈마 제1분배 전력(P1)이 제1챔버(510)에 제공되지만 플라즈마 제2분배 전력(P2)은 제2챔버(520)에 공급되지 않을 수 있다. 또한 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이 플라즈마 제1분배 전력(P1)이 제1챔버(510)에 제공되지 않지만 플라즈마 제2분배 전력(P2)은 제2챔버(520)에 공급될 수 있다. 즉, 안정화 회로부(300)는 플라즈마 분배 전력을 각 챔버(500) 모두에 제공하거나, 또는 택일적으로 제공할 수 있도록 한다.
이를 위하여 안정화 회로부(300)는, 임피던스 안정화부와, 복수의 챔버(500), 즉 복수의 반응공간에서의 플라즈마 처리 여부에 따라 분배 회로부(200)에서 출력된 분배 전력을 임피던스 안정화부 또는 임피던스 정합기(400)로 스위칭하는 스위칭부를 포함할 수 있다.
먼저, 안정화 회로부(300)를 구성하는 스위칭부는 복수의 챔버(500)에서 플라즈마 처리 여부에 따라 분배 회로부(200)에서 출력된 분배 전력을 임피던스 안정화부(330) 또는 임피던스 정합기(400)로 스위칭한다. 스위칭부는 분배 제1출력단(221)과 연결된 안정화 제1입력단(311)과, 분배 제2출력단(222)과 연결된 안정화 제2입력단(312)과, 제1챔버(510)에 연결된 안정화 제1출력단(321)과, 제2챔버(520)에 연결된 안정화 제2출력단(322)과, 안정화 제1입력단(311)과 안정화 제1출력단(321)간의 온/오프 스위칭을 수행하는 제1스위치(SW1)와, 안정화 제2입력단(312)과 안정화 제2출력단(322)간의 온/오프 스위칭을 수행하는 제2스위치(SW2)를 포함한다.
따라서 플라즈마 제1분배 전력(P1)이 제1챔버(510)에 제공되며 플라즈마 제2분배 전력(P2)이 제2챔버(520)에 제공되는 경우에는, 제1스위치(SW1)는 안정화 제1입력단(311)과 안정화 제1출력단(321)을 연결시키는 스위칭 온(swithcing on) 동작을 수행하며, 제2스위치(SW2)는 안정화 제2입력단(312)과 안정화 제2출력단(322)을 연결시키는 스위칭 온(switching on) 동작을 수행한다.
또한, 플라즈마 제1분배 전력(P1)이 제1챔버(510)에 제공되지만 플라즈마 제2분배 전력(P2)은 제2챔버(520)에 공급되지 않는 경우에는, 도 4의 a)에 도시된 바와 같이 제1스위치(SW1)는 안정화 제1입력단(311)과 안정화 제1출력단(321)을 연결시키는 스위칭 온(switching on) 동작을 수행하며, 제2스위치(SW2)는 안정화 제2입력단(312)과 안정화 제2출력단(322)의 연결을 해제시키는 스위칭 오프(switching off) 동작을 수행한다.
그리고 플라즈마 제1분배 전력(P1)이 제1챔버(510)에 제공되지 않지만 플라즈마 제2분배 전력(P2)은 제2챔버(520)에 공급되지 않는 경우에는, 도 4의 b)에 도시된 바와 같이 제1스위치(SW1)는 안정화 제1입력단(311)과 안정화 제1출력단(321)의 연결을 해제시키는 스위칭 오프(switching off) 동작을 수행하며, 제2스위치(SW2)는 안정화 제2입력단(312)과 안정화 제2출력단(322)을 연결시키는 스위칭 온(switching on) 동작을 수행한다.
한편, 상기에서 설명한 바와 같이 제1스위치(SW1) 및 제2스위치(SW2)를 추가하여 전체 또는 택일적으로 온/오프 스위칭 제어를 할 경우, 전력이 챔버(500)로 일정하게 제공되지 않아 증착 제어가 어려워질 수 있다. 스위치 없이 2분기했을 때와 비교할 때, 스위치가 구비되는 경우 스위칭되는 플라즈마 분배 전력이 높아지거나 낮아지는 경우가 발생할 수 있다. 이는 스위칭으로 인하여 플라즈마 분배 전력이 불안정해지기 때문이다. 예를 들어, 제1스위치(SW1)를 온(ON)시키고 제2스위치(SW2)를 오프(OFF)시키는 경우, 제1스위치(SW1)를 통하여 제1챔버(510)로 플라즈마 제1분배 전력(P1)이 공급되지만, 제2스위치(SW2)는 오프되어 플라즈마 제2분배 전력(P2)은 접지로 수렴하지 못하고 불안정한 전력 상태를 가지게 된다.
이러한 전력 불안정을 해결하기 위하여, 안정화 회로부(300)는 임피던스 안정화부(330)를 구비하여, 복수의 플라즈마 분배 전력을 각각 동일한 크기의 전력으로 안정화시켜 각 챔버(500)에 제공한다.
따라서 임피던스 안정화부(330)는 입력을 받는 입력 노드점(331)과 출력단인 접지(GND) 사이에 저항(R)을 포함하며, 제1스위치(SW1) 및 제2스위치(SW2) 중에서 어느 하나의 스위치가 온 스위칭되어 챔버(500)에 플라즈마 분배 전력을 공급하는 경우, 나머지 다른 하나의 스위치는 오프 스위칭되어 다른 챔버(500)에 플라즈마 분배 전력을 공급하지 않으면, 오프 스위칭된 스위치는 입력 노드점(331)으로 스위칭되어 플라즈마 분배 전력을 상기 저항을 거쳐 접지로 흘려 보낸다. 따라서 오프되는 스위치에 연결되는 플라즈마 분배 전력은 저항을 거쳐 접지로 흘러가게 되어 안정적인 회로를 이루게 된다.
예를 들어, 플라즈마 제1분배 전력(P1)이 제1챔버(510)에 제공되며 플라즈마 제2분배 전력(P2)이 제2챔버(520)에 제공되는 경우에는, 제1스위치(SW1)는 안정화 제1입력단(311)과 안정화 제1출력단(321)을 연결시키는 스위칭 온(swithcing on) 동작을 수행하여 제1챔버(510)로 플라즈마 제1분배 전력(P1)을 공급하며, 제2스위치(SW2)는 안정화 제2입력단(312)과 안정화 제2출력단(322)을 연결시키는 스위칭 온(switching on) 동작을 수행하며 제2챔버(520)로 플라즈마 제2분배 전력(P2)을 공급한다. 참고로, 이때 안정화 신호 라인(330)의 입력 노드점(331)에는 어떠한 스위치도 연결되지 않는다.
도 4의 a)에 도시한 바와 같이 플라즈마 제1분배 전력(P1)이 제1챔버(510)에 제공되지만 플라즈마 제2분배 전력(P2)은 제2챔버(520)에 공급되지 않는 경우에는, 제1스위치(SW1)는 안정화 제1입력단(311)과 안정화 제1출력단(321)을 연결시키는 스위칭 온(switching on) 동작을 수행하여 제1챔버(510)로 플라즈마 제1분배 전력(P1)을 공급하지만, 제2스위치(SW2)는 제2스위치(SW2)를 안정화 신호 라인(330)의 입력 노드점(331)으로 스위칭하여 안정화 제2입력단(312)과 안정화 제2출력단(322)의 연결을 해제함과 동시에 플라즈마 제2분배 전력(P2)이 제2스위치(SW2)를 거쳐서 안정화 신호 라인(330)을 따라 저항(R)을 거쳐 접지(GND)로 흘러가도록 할 수 있다.
또한, 도 4의 b)에 도시한 바와 같이 플라즈마 제1분배 전력(P1)이 제1챔버(510)에 제공되지 않지만 플라즈마 제2분배 전력(P2)은 제2챔버(520)에 공급되지 않는 경우에는, 제2스위치(SW2)는 안정화 제2입력단(312)과 안정화 제2출력단(322)을 연결시키는 스위칭 온(switching on) 동작을 수행하여 제2챔버(520)로 플라즈마 제2분배 전력(P2)을 공급하지만, 제1스위치(SW1)는 제1스위치(SW1)를 안정화 신호 라인(330)의 입력 노드점(331)으로 스위칭하여 안정화 제1입력단(311)과 안정화 제1출력단(321)의 연결을 해제함과 동시에 플라즈마 제1분배 전력(P1)이 제1스위치(SW1)를 거쳐서 임피던스 안정화부(300)를 따라 저항(R)을 거쳐 접지(GND)로 흘러가도록 할 수 있다.
한편, 임피던스 안정화부(330)에 마련된 저항(R)은 플라즈마가 발생한 챔버(500)의 반응공간과 동일한 저항값을 가지도록 설정된다. 제1챔버(510)와 제2챔버(520)는 동일한 저항값을 가진다고 할 때, 저항은 챔버(500)의 반응공간의 저항값과 동일한 값을 가지도록 설정된다. 다시 말해서 임피던스 안정화부(330)의 임피던스가 챔버(500)의 임피던스에 대응되는 임피던스를 가지는 것을 의미한다. 이는 플라즈마 분배 전력이 챔버(500)로 제공되든지, 아니면 안정화 신호 라인(330)의 저항으로 제공되든지 동일한 전력 소비가 이루어져 분배 전력의 균등한 전력의 분배가 방해 받지 않기 위함이다.
한편, 각 챔버(500)에는 임피던스 정합기(400)가 마련되어 있어, 안정화 회로부(300)에서 제공하는 플라즈마 분배 전력을 각 임피던스 정합기(400)에 제공할 수 있다. 각 임피던스 정합기(400)는 플라즈마 전력의 반사 손실을 제거하기 위한 임피던스 정합을 시키는 회로로서, 안정화 회로부(300)와 챔버(500) 사이에 위치한다.
예를 들어, 제1챔버(510)의 전단에는 임피던스 제1정합기(410)가 마련되어, 안정화 회로부(300)에서 제공하는 플라즈마 제1분배 전력(P1)이 임피던스 제1정합기(410)를 거쳐서 제1챔버(510)로 제공된다. 마찬가지로 제2챔버(520)의 전단에는 임피던스 제2정합기(420)가 마련되어, 안정화 회로부(300)에서 제공하는 플라즈마 제2분배 전력(P2)이 임피던스 제2정합기(420)를 거쳐서 제2챔버(520)로 제공된다. 참고로, 임피던스 정합은, 전원과 부하의 회로를 접속할 경우, 반사 손실이 없도록 양자의 임피던스를 같도록 임피던스 설계하는 것을 말한다.
본 발명을 첨부 도면과 전술된 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 그에 한정되지 않으며, 후술되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술되는 특허청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 및 수정할 수 있다.
100:플라즈마 전원 공급부 200:분배 회로부
300:안정화 회로부 330:임피던스 안정화부
331:입력 노드점

Claims (4)

  1. 복수의 반응공간 상에 플라즈마를 분배하여 공급하기 위한 플라즈마 전력 공급장치에 있어서,
    플라즈마를 생성시키기 위한 전력을 생성하는 플라즈마 전원 공급부;
    상기 플라즈마 전원 공급부에서 생성된 플라즈마 전력을 공급받아 상기 반응공간의 개수에 대응하도록 분배출력하는 분배 회로부;
    상기 분배 회로부에서 출력된 플라즈마 분배 전력을 임피던스 매칭하여 상기 반응공간에 제공하는 임피던스 정합기; 및
    상기 분배 회로부와 상기 임피던스 정합기 사이에 위치하며, 상기 복수의 반응공간 중 플라즈마 처리가 진행되는 반응공간에 제공하도록 상기 분배회로부에서 출력된 플라즈마 분배 전력을 상기 임피던스 정합기에 제공하는 안정화 회로부;를 포함하고,
    상기 안정화 회로부는, 임피던스 안정화부, 및 상기 복수의 반응공간에서의 플라즈마 처리 여부에 따라 상기 분배회로부에서 출력된 분배 전력을 임피던스 안정화부 또는 상기 임피던스 정합기로 스위칭하는 스위칭부를 포함하는 플라즈마 전력 공급 장치.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 스위칭부는
    상기 복수의 반응공간 중 적어도 하나 이상의 반응공간에서 플라즈마 처리가 진행되는 경우,
    상기 플라즈마 처리가 진행되는 반응공간에 대응하는 분배회로부의 분배 전력은 해당 임피던스 정합기로 공급하도록 스위칭하고,
    나머지 반응공간에 대응하는 분배회로부의 분배 전력은 상기 임피던스 안정화부로 공급하도록 스위칭하는 플라즈마 전력 공급 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 임피던스 안정화부의 임피던스는 플라즈마 처리가 진행되는 반응공간의 저항값에 대응되는 임피던스인 것을 특징으로 하는 플라즈마 전력 공급 장치.
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