KR102088506B1 - Organic light emitting device - Google Patents

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KR102088506B1
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곽지원
김진주
이성재
한수진
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Abstract

본 발명은 유기 발광 소자를 제공한다. The present invention provides an organic light emitting device.

Description

유기 발광 소자{ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE}Organic light emitting device {ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE}

본 발명은 유기 발광 소자에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting device.

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 넓은 시야각, 우수한 콘트라스트, 빠른 응답 시간을 가지며, 휘도, 구동 전압 및 응답 속도 특성이 우수하여 많은 연구가 진행되고 있다. In general, the organic light emitting phenomenon refers to a phenomenon that converts electrical energy into light energy using an organic material. The organic light emitting device using the organic light emitting phenomenon has a wide viewing angle, excellent contrast, and fast response time, and has excellent luminance, driving voltage, and response speed characteristics, and thus many studies have been conducted.

유기 발광 소자는 일반적으로 양극과 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 유기물 층을 포함하는 구조를 가진다. 상기 유기물 층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물 층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. The organic light emitting device generally has a structure including an anode and a cathode and an organic material layer between the anode and the cathode. In order to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, the organic material layer is often composed of a multi-layer structure composed of different materials, and may be formed of, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, or an electron injection layer. When a voltage is applied between two electrodes in the structure of the organic light emitting device, holes are injected at the anode and electrons are injected at the cathode, and excitons are formed when the injected holes meet the electrons. When it falls to the ground again, it glows.

상기와 같은 유기 발광 소자에 사용되는 유기물에 대하여 새로운 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.The development of new materials for organic materials used in the organic light emitting device as described above is continuously required.

한국특허 공개번호 제10-2000-0051826호Korean Patent Publication No. 10-2000-0051826

본 발명은 유기 발광 소자를 제공한다. The present invention provides an organic light emitting device.

본 발명은 양극; 상기 양극과 대향하여 구비된 음극; 및 상기 양극과 음극 사이에 구비된 1 층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층은 양극에 인접하는 정공 주입층, 상기 정공 주입층 상에 구비된 정공 수송층 및 상기 정공 수송층 상에 구비된 발광층을 포함하고, 상기 정공 주입층은 하기 화학식 1-1 내지 1-2로 표시되는 화합물로 구성된 군에서 선택된 화합물을 포함하고, 상기 정공 수송층은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.The present invention is an anode; A cathode provided opposite the anode; And one or more organic material layers provided between the anode and the cathode, wherein the organic material layer includes a hole injection layer adjacent to the anode, a hole transport layer provided on the hole injection layer, and a hole transport layer provided on the hole transport layer. An organic light-emitting device comprising a light emitting layer, the hole injection layer includes a compound selected from the group consisting of compounds represented by the following Chemical Formulas 1-1 to 1-2, and the hole transport layer includes a compound represented by the following Chemical Formula 2 Provides

[화학식 1-1] [화학식 1-2][Formula 1-1] [Formula 1-2]

Figure 112018032584612-pat00001
Figure 112018032584612-pat00002
Figure 112018032584612-pat00001
Figure 112018032584612-pat00002

상기 화학식 1-1에서, In Chemical Formula 1-1,

R1 내지 R5는 각각 독립적으로 시아노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴기이고,R 1 to R 5 are each independently a cyano group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted O, N, Si and S containing at least one of 2 to 60 carbon atoms. Heteroaryl group,

상기 화학식 1-2에서, In Chemical Formula 1-2,

R15 내지 R18은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 시아노기, 탄소수 1 내지 40의 알킬기, 탄소수 1 내지 40의 할로알킬기, 탄소수 1 내지 40의 할로알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴기이고,R 15 to R 18 are each independently hydrogen, halogen, cyano group, alkyl group having 1 to 40 carbon atoms, haloalkyl group having 1 to 40 carbon atoms, haloalkoxy group having 1 to 40 carbon atoms, substituted or unsubstituted 6 to 60 carbon atoms. An aryl group, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 60 carbon atoms containing at least one of O, N, Si and S,

Y3 및 Y4는 각각 독립적으로 C-R19 또는 N이고,Y 3 and Y 4 are each independently CR 19 or N,

*R19는 각각 독립적으로 시아노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴기이고, * R 19 each independently represents a cyano group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl having 2 to 60 carbon atoms containing at least one of O, N, Si and S Ki,

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112018032584612-pat00003
Figure 112018032584612-pat00003

상기 화학식 2에서, In Chemical Formula 2,

Ar1은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴렌기이고,Ar 1 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 60 carbon atoms including one or more of O, N, Si and S,

X1은 비결합, 단일결합, 탄소수 1 내지 3의 알킬렌기, O 또는 S이고, X 1 is a non-bonding, single-bonding, alkylene group having 1 to 3 carbon atoms, O or S,

L1 및 L2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기, 혹은 치환 또는 비치환된 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴렌기이고, L 1 and L 2 are each independently a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 60 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 60 carbon atoms including one or more of O, N, Si and S. ego,

Ar2 및 Ar3는 각각 독립적으로 하기 치환기로 구성된 군으로부터 선택된 치환기이고, Ar 2 and Ar 3 are each independently a substituent selected from the group consisting of the following substituents,

Figure 112018032584612-pat00004
Figure 112018032584612-pat00004

Ar4 내지 Ar6는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴기이고,Ar 4 to Ar 6 are each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 60 carbon atoms containing at least one of O, N, Si and S ego,

X2 및 X3는 각각 독립적으로 단일결합, O 또는 S이다.X 2 and X 3 are each independently a single bond, O or S.

상술한 화학식 1-1 내지 1-2로 표시되는 화합물로 구성된 군에서 선택된 화합물은 정공 주입층의 재료로 사용되고, 상술한 화학식 2로 표시되는 화합물은 정공 수송층의 재료로 사용되어 유기 발광 소자의 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. Compounds selected from the group consisting of the compounds represented by Formulas 1-1 to 1-2 described above are used as a material for the hole injection layer, and the compounds represented by Formula 2 described above are used as a material for the hole transport layer, so that the organic light emitting device is low Driving voltage and / or life characteristics can be improved.

도 1은 기판 (1), 양극(2), 정공 주입층(5), 정공 수송층(6), 발광층(7), 전자 수송층(8) 및 음극(4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.1 shows an example of an organic light-emitting device comprising a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 5, a hole transport layer 6, a light emitting layer 7, an electron transport layer 8 and a cathode 4 It is done.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail to help understanding.

본 발명은 정공 주입층이 상기 화학식 1-1 내지 1-2로 표시되는 화합물로 구성된 군에서 선택된 화합물을 포함하고, 정공 수송층이 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.The present invention provides an organic light emitting device in which the hole injection layer includes a compound selected from the group consisting of compounds represented by Formulas 1-1 to 1-2, and the hole transport layer includes a compound represented by Formula 2 above.

본 명세서에서, 비결합은 X1으로 표시되는 부분에 화학적 결합이 없는 경우를 의미한다. 예컨대, 화학식 2에서 X1이 비결합이면 하기와 같이 표시된다. In the present specification, non-bonding means a case in which there is no chemical bond in a portion represented by X 1 . For example, if X 1 in Formula 2 is unbound, it is represented as follows.

Figure 112018032584612-pat00005
Figure 112018032584612-pat00005

또한, 단일 결합은 X1 내지 X3로 표시되는 부분에 별도의 원자가 존재하지 않은 경우를 의미한다. 예컨대, 화학식 2의 X1이 단일 결합이면 하기와 같이 표시된다. In addition, a single bond means a case where a separate atom does not exist in a portion represented by X 1 to X 3 . For example, if X 1 in Formula 2 is a single bond, it is represented as follows.

Figure 112018032584612-pat00006
Figure 112018032584612-pat00006

본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 Ra로 치환 또는 비치환된 것을 의미할 수 있고, Ra는 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 탄소수 1 내지 40의 알킬기, 탄소수 1 내지 40의 할로알킬기, 치환 또는 비치환된 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 1 내지 40의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 1 내지 40의 헤테로할로알킬기, 혹은 탄소수 2 내지 40의 알케닐기일 수 있다. In this specification the term "substituted or unsubstituted" may be substituted or means a unsubstituted by R a, R a is heavy hydrogen, a halogen, a cyano group, a nitro group, an amino group, an alkyl group having 1 to 40 carbon atoms, 1 to 40 haloalkyl groups, substituted or unsubstituted O, N, Si and one or more of C 1 to 40 carbon atoms including one or more of substituted, unsubstituted O, N, Si and S It may be a hetero haloalkyl group having 1 to 40 carbon atoms, or an alkenyl group having 2 to 40 carbon atoms.

본 명세서에서 할로겐은 불소, 염소, 브롬 또는 요오드일 수 있다. Halogen herein may be fluorine, chlorine, bromine or iodine.

본 명세서에서 탄소수 1 내지 40의 알킬기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리형 알킬기일 수 있다. 구체적으로, 탄소수 1 내지 40의 알킬기는 탄소수 1 내지 40의 직쇄 알킬기; 탄소수 1 내지 20의 직쇄 알킬기; 탄소수 1 내지 10의 직쇄 알킬기; 탄소수 3 내지 40의 분지쇄 또는 고리형 알킬기; 탄소수 3 내지 20의 분지쇄 또는 고리형 알킬기; 또는 탄소수 3 내지 10의 분지쇄 또는 고리형 알킬기일 수 있다. 보다 구체적으로, 탄소수 1 내지 40의 알킬기는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, iso-프로필기, n-부틸기, iso-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, iso-펜틸기, neo-펜틸기 또는 사이클로헥실기 등일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkyl group having 1 to 40 carbon atoms may be a straight chain, branched chain, or cyclic alkyl group. Specifically, the alkyl group having 1 to 40 carbon atoms is a straight chain alkyl group having 1 to 40 carbon atoms; A straight-chain alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; A straight-chain alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; A branched or cyclic alkyl group having 3 to 40 carbon atoms; A branched or cyclic alkyl group having 3 to 20 carbon atoms; Or it may be a branched or cyclic alkyl group having 3 to 10 carbon atoms. More specifically, the alkyl group having 1 to 40 carbon atoms is a methyl group, ethyl group, n-propyl group, iso-propyl group, n-butyl group, iso-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, iso-pentyl group, neo-pentyl group or cyclohexyl group. However, it is not limited thereto.

본 명세서에서 탄소수 1 내지 40의 헤테로알킬기는 알킬기의 1개 이상의 탄소가 각각 독립적으로 O, N, Si 또는 S로 치환된 것일 수 있다. 예컨대, 직쇄 알킬기의 예로 n-부틸기의 1번 탄소가 O로 치환된 헤테로알킬기는 n-프로폭시기이고, N으로 치환된 헤테로알킬기는 n-프로필아미노기이며, Si로 치환된 헤테로알킬기는 n-프로필실릴기이고, S로 치환된 헤테로알킬기는 n-프로필티오기이다. 그리고, 분지쇄 알킬기의 예로 neo-펜틸기의 1번 탄소가 O로 치환된 헤테로알킬기는 t-부톡시기이고, N으로 치환된 헤테로알킬기는 t-부틸아미노기이며, Si로 치환된 헤테로알킬기는 t-부틸실릴기이고, S로 치환된 헤테로알킬기는 t-부틸티오기이다. 또한, 고리형 알킬기의 예로 사이클로헥실기의 2번 탄소가 O로 치환된 헤테로알킬기는 2-테트라히드로피라닐(2-tetrahydropyranyl)기이고, N으로 치환된 헤테로알킬기는 2-피페리디닐기이며, Si로 치환된 헤테로알킬기는 1-실라-사이클로헥실(1-sila-cyclohexyl)기이고, S로 치환된 헤테로알킬기는 2-테트라히드로티오피라닐(2-tetrahydrothiopyranyl)기이다. 구체적으로, 탄소수 1 내지 40의 헤테로알킬기는 탄소수 1 내지 40의 직쇄, 분지쇄 또는 고리형 히드록시알킬기; 탄소수 1 내지 40의 직쇄, 분지쇄 또는 고리형 알콕시기; 탄소수 2 내지 40의 직쇄, 분지쇄 또는 고리형 알콕시알킬기; 탄소수 1 내지 40의 직쇄, 분지쇄 또는 고리형 아미노알킬기; 탄소수 1 내지 40의 직쇄, 분지쇄 또는 고리형 알킬아미노기; 탄소수 1 내지 40의 직쇄, 분지쇄 또는 고리형 알킬아미노알킬기; 탄소수 1 내지 40의 직쇄, 분지쇄 또는 고리형 실릴알킬(옥시)기; 탄소수 1 내지 40의 직쇄, 분지쇄 또는 고리형 알킬(옥시)실릴기; 탄소수 1 내지 40의 직쇄, 분지쇄 또는 고리형 알킬(옥시)실릴알킬(옥시)기; 탄소수 1 내지 40의 직쇄, 분지쇄 또는 고리형 머캅토알킬기; 탄소수 1 내지 40의 직쇄, 분지쇄 또는 고리형 알킬티오기; 혹은 탄소수 2 내지 40의 직쇄, 분지쇄 또는 고리형 알킬티오알킬기일 수 있다. 보다 구체적으로, 탄소수 1 내지 40의 헤테로알킬기는 히드록시메틸기, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, t-부톡시기, 사이클로헥톡시기, 메톡시메틸기, iso-프로폭시메틸기, 사이클로헥톡시메틸기, 2-테트라히드로피라닐(2-tetrahydropyranyl)기, 아미노메틸기, 메틸아미노기, n-프로필아미노기, t-부틸아미노기, 메틸아미노프로필기, 2-피페리디닐기, n-프로필실릴기, 트리메틸실릴기, 디메틸메톡시실릴기, t-부틸실릴기, 1-실라-사이클로헥실(1-sila-cyclohexyl)기, n-프로필티오기, t-부틸티오기 또는 2-테트라히드로티오피라닐(2-tetrahydrothiopyranyl)기 등을 들 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, a heteroalkyl group having 1 to 40 carbon atoms may be one or more carbons of the alkyl group, each independently substituted with O, N, Si or S. For example, as an example of a straight chain alkyl group, a heteroalkyl group in which 1 carbon of n-butyl group is substituted with O is an n-propoxy group, a heteroalkyl group substituted with N is an n-propylamino group, and a heteroalkyl group substituted with Si is n -It is a propyl silyl group, and the heteroalkyl group substituted by S is an n-propylthio group. And, as an example of a branched chain alkyl group, the heteroalkyl group in which the first carbon of the neo-pentyl group is substituted with O is a t-butoxy group, the heteroalkyl group substituted with N is a t-butylamino group, and the heteroalkyl group substituted with Si is t -Butylsilyl group, and the heteroalkyl group substituted with S is a t-butylthio group. In addition, as an example of the cyclic alkyl group, the heteroalkyl group in which the second carbon of the cyclohexyl group is substituted with O is a 2-tetrahydropyranyl group, and the heteroalkyl group substituted with N is a 2-piperidinyl group, The heteroalkyl group substituted with Si is a 1-sila-cyclohexyl group, and the heteroalkyl group substituted with S is a 2-tetrahydrothiopyranyl group. Specifically, a heteroalkyl group having 1 to 40 carbon atoms is a straight chain, branched chain or cyclic hydroxyalkyl group having 1 to 40 carbon atoms; A straight chain, branched chain or cyclic alkoxy group having 1 to 40 carbon atoms; A straight chain, branched chain or cyclic alkoxyalkyl group having 2 to 40 carbon atoms; A straight chain, branched chain or cyclic aminoalkyl group having 1 to 40 carbon atoms; A straight chain, branched chain or cyclic alkylamino group having 1 to 40 carbon atoms; A straight chain, branched chain or cyclic alkylaminoalkyl group having 1 to 40 carbon atoms; A straight chain, branched chain or cyclic silylalkyl (oxy) group having 1 to 40 carbon atoms; A straight chain, branched chain or cyclic alkyl (oxy) silyl group having 1 to 40 carbon atoms; A straight chain, branched chain or cyclic alkyl (oxy) silylalkyl (oxy) group having 1 to 40 carbon atoms; A straight chain, branched chain or cyclic mercaptoalkyl group having 1 to 40 carbon atoms; A straight chain, branched chain or cyclic alkylthio group having 1 to 40 carbon atoms; Or it may be a straight chain, branched chain, or cyclic alkylthioalkyl group having 2 to 40 carbon atoms. More specifically, the heteroalkyl group having 1 to 40 carbon atoms is hydroxymethyl group, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, t-butoxy group, cyclohexoxy group, methoxymethyl group, iso-pro Foxymethyl group, cyclohexoxymethyl group, 2-tetrahydropyranyl group, aminomethyl group, methylamino group, n-propylamino group, t-butylamino group, methylaminopropyl group, 2-piperidinyl group, n- Propylsilyl group, trimethylsilyl group, dimethylmethoxysilyl group, t-butylsilyl group, 1-sila-cyclohexyl group, n-propylthio group, t-butylthio group or 2-tetra And hydrothiopyranyl (2-tetrahydrothiopyranyl) groups. However, it is not limited thereto.

본 명세서에서 탄소수 2 내지 40의 알케닐기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리형 알케닐기일 수 있다. 구체적으로, 탄소수 2 내지 40의 알케닐기는 탄소수 2 내지 40의 직쇄 알케닐기; 탄소수 2 내지 20의 직쇄 알케닐기; 탄소수 2 내지 10의 직쇄 알케닐기; 탄소수 3 내지 40의 분지쇄 알케닐기; 탄소수 3 내지 20의 분지쇄 알케닐기; 탄소수 3 내지 10의 분지쇄 알케닐기; 탄소수 5 내지 40의 고리형 알케닐기; 탄소수 5 내지 20의 고리형 알케닐기; 또는 탄소수 5 내지 10의 고리형 알케닐기일 수 있다. 보다 구체적으로, 탄소수 2 내지 40의 알케닐기는 에테닐기, 프로페닐기, 부테닐기, 펜테닐기 또는 사이클로헥세닐기 등일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, an alkenyl group having 2 to 40 carbon atoms may be a straight chain, branched chain, or cyclic alkenyl group. Specifically, an alkenyl group having 2 to 40 carbon atoms is a straight chain alkenyl group having 2 to 40 carbon atoms; A straight-chain alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms; A straight-chain alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms; A branched alkenyl group having 3 to 40 carbon atoms; A branched alkenyl group having 3 to 20 carbon atoms; A branched alkenyl group having 3 to 10 carbon atoms; A cyclic alkenyl group having 5 to 40 carbon atoms; A cyclic alkenyl group having 5 to 20 carbon atoms; Or it may be a cyclic alkenyl group having 5 to 10 carbon atoms. More specifically, the alkenyl group having 2 to 40 carbon atoms may be an ethenyl group, a propenyl group, a butenyl group, a pentenyl group, or a cyclohexenyl group. However, it is not limited thereto.

본 명세서에서 탄소수 6 내지 60의 아릴기는 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 구체적으로, 탄소수 6 내지 60의 아릴기는 탄소수 6 내지 30의 단환식 또는 다환식 아릴기; 또는 탄소수 6 내지 20의 단환식 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 보다 구체적으로, 탄소수 6 내지 60의 아릴기는 단환식 아릴기로서 페닐기, 바이페닐기 또는 터페닐기 등일 수 있고, 다환식 아릴기로서 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기 또는 플루오레닐기 등일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. In this specification, the aryl group having 6 to 60 carbon atoms may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. Specifically, an aryl group having 6 to 60 carbon atoms is a monocyclic or polycyclic aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or it may be a monocyclic or polycyclic aryl group having 6 to 20 carbon atoms. More specifically, the aryl group having 6 to 60 carbon atoms may be a phenyl group, a biphenyl group or a terphenyl group as a monocyclic aryl group, and a naphthyl group, anthracenyl group, phenanthryl group, triphenylenyl group, pyre as a polycyclic aryl group. It may be a nil group, perylenyl group, chrysenyl group or fluorenyl group. However, it is not limited thereto.

본 명세서에서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다. 상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,

Figure 112018032584612-pat00007
등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the fluorenyl group may be substituted, and two substituents may combine with each other to form a spiro structure. When the fluorenyl group is substituted,
Figure 112018032584612-pat00007
It can be back. However, it is not limited thereto.

본 명세서에서 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴기는 아릴기의 1개 이상의 탄소가 각각 독립적으로 O, N, Si 또는 S로 치환된 것일 수 있다. 예컨대, 플루오레닐기의 9번 탄소가 O로 치환된 헤테로아릴기는 디벤조퓨라닐기이고, N으로 치환된 헤테로아릴기는 카바졸리기이며, Si로 치환된 헤테로아릴기는 9-실라-플로오레닐기이고, S로 치환된 헤테로아릴기는 디벤조티오페닐기이다. 구체적으로, 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴기는 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기; 또는 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기일 수 있다. 보다 구체적으로, 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴기는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. In the present specification, the heteroaryl group having 2 to 60 carbon atoms may be one or more carbons of the aryl group, each independently substituted with O, N, Si or S. For example, the heteroaryl group in which the 9th carbon of the fluorenyl group is substituted with O is a dibenzofuranyl group, the heteroaryl group substituted with N is a carbazoli group, and the heteroaryl group substituted with Si is a 9-sila-floorenyl group , S-substituted heteroaryl group is a dibenzothiophenyl group. Specifically, a heteroaryl group having 2 to 60 carbon atoms is a heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms; Or it may be a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms. More specifically, a heteroaryl group having 2 to 60 carbon atoms is a thiophene group, a furan group, a pyrrol group, an imidazole group, a thiazole group, an oxazole group, an oxadiazole group, a triazole group, a pyridyl group, a bipyridyl group, a pyrimidyl group, Triazine group, triazole group, acridil group, pyridazine group, pyrazinyl group, quinolinyl group, quinazolinyl group, quinoxalinyl group, phthalazinyl group, pyrido pyrimidinyl group, pyrido pyrazinyl group, pyrazino pyra Genyl group, isoquinoline group, indole group, carbazole group, benzoxazole group, benzoimidazole group, benzothiazole group, benzocarbazole group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, benzofuranyl group, phenanthroline group (phenanthroline ), A thiazolyl group, an isooxazolyl group, an oxadiazolyl group, a thiadiazolyl group, a benzothiazolyl group, a phenothiazinyl group, and a dibenzofuranyl group, but is not limited thereto.

본 명세서에서 아릴렌기는 상술한 아릴기의 어느 하나의 수소 라디칼이 제거된 2가의 유기기를 의미하고, 헤테로아릴렌기는 상술한 헤테로아릴기의 어느 하나의 수소 라디칼이 제거된 2가의 유기기를 의미한다. In the present specification, the arylene group means a divalent organic group from which any one hydrogen radical of the above-described aryl group is removed, and the heteroarylene group means a divalent organic group from which any hydrogen radical of the above-described heteroaryl group is removed. .

상기 화학식 1-1에서 R2 및 R3 중 하나와 R4 및 R5 중 하나는 시아노기이고, R1; R2 및 R3 중 다른 하나; 그리고 R4 및 R5 중 다른 하나는 각각 독립적으로 시아노기; 할로겐 및 시아노기로 구성된 군에서 선택된 1종 이상으로 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 혹은 할로겐 및 시아노기로 구성된 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환된 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기일 수 있다. In Formula 1-1, one of R 2 and R 3 and one of R 4 and R 5 are cyano groups, and R 1 ; The other of R 2 and R 3 ; And the other of R 4 and R 5 are each independently a cyano group; An aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted with one or more selected from the group consisting of halogen and cyano groups; Or it may be a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms including one or more of O, N, Si and S substituted with one or more substituents selected from the group consisting of halogen and cyano groups.

구체적으로, 상기 화학식 1-1에서 R2 및 R4는 시아노기이고, R1, R3 및 R5는 각각 독립적으로 할로겐 및 시아노기로 구성된 군에서 선택된 1종 이상으로 치환된 페닐기일 수 있다. Specifically, in Formula 1-1, R 2 and R 4 are cyano groups, and R 1 , R 3 and R 5 may each independently be a phenyl group substituted with one or more selected from the group consisting of halogen and cyano groups. .

보다 구체적으로, 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물은 하기 화합물일 수 있다. More specifically, the compound represented by Formula 1-1 may be the following compound.

Figure 112018032584612-pat00008
Figure 112018032584612-pat00008

상기 화학식 1-2에서 R15 및 R16 중 하나와 R17 및 R18 중 하나는 각각 독립적으로 할로겐, 시아노기, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 탄소수 1 내지 5의 할로알킬기 및 탄소수 1 내지 5의 할로알콕시기로 구성된 군에서 선택된 1종 이상으로 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 혹은 할로겐, 시아노기, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 탄소수 1 내지 5의 할로알킬기 및 탄소수 1 내지 5의 할로알콕시기로 구성된 군에서 선택된 1종 이상으로 치환된 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기이고, R15 및 R16 중 다른 하나와 R17 및 R18 중 다른 하나는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 또는 탄소수 1 내지 5의 할로알킬기일 수 있다. In Formula 1-2, one of R 15 and R 16 and one of R 17 and R 18 are each independently a halogen, a cyano group, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or 1 to 5 carbon atoms. An aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted with at least one member selected from the group consisting of haloalkoxy groups; Or one or more of O, N, Si and S substituted with one or more selected from the group consisting of halogen, cyano group, alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, haloalkyl group having 1 to 5 carbon atoms and haloalkoxy group having 1 to 5 carbon atoms. It is a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms, and the other of R 15 and R 16 and the other of R 17 and R 18 may each independently be hydrogen, halogen, or a haloalkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

상기 화학식 1-2에서 Y3 및 Y4는 C-R19이고, R19는 각각 독립적으로 시아노기; 할로겐 및 시아노기로 구성된 군에서 선택된 1종 이상으로 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 혹은 할로겐 및 시아노기로 구성된 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환된 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기일 수 있다. In Formula 1-2, Y 3 and Y 4 are CR 19 , and R 19 are each independently a cyano group; An aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted with one or more selected from the group consisting of halogen and cyano groups; Or it may be a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms including one or more of O, N, Si and S substituted with one or more substituents selected from the group consisting of halogen and cyano groups.

상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물은 하기 화합물로 구성되는 군으로부터 선택될 수 있다. The compound represented by Chemical Formula 1-2 may be selected from the group consisting of the following compounds.

Figure 112018032584612-pat00009
Figure 112018032584612-pat00009

Figure 112018032584612-pat00010
Figure 112018032584612-pat00010

Figure 112018032584612-pat00011
Figure 112018032584612-pat00011

Figure 112018032584612-pat00012
Figure 112018032584612-pat00012

Figure 112018032584612-pat00013
Figure 112018032584612-pat00013

Figure 112018032584612-pat00014
Figure 112018032584612-pat00014

상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물은 하기 반응식 A와 같은 제조 방법으로 제조할 수 있다. 상기 제조 방법은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있다. The compound represented by Chemical Formula 1-2 may be prepared by the same method as in Scheme A below. The manufacturing method may be more specific in the manufacturing examples to be described later.

[반응식 A][Scheme A]

Figure 112018032584612-pat00015
Figure 112018032584612-pat00015

상기 반응식 A에서, R15, R16, R17 및 R18은 전술한 바와 같고, 추가적인 치환기가 더 포함될 수 있다.In Reaction Scheme A, R 15 , R 16 , R 17 and R 18 are as described above, and additional substituents may be further included.

상기 반응은 말로노니트릴(malononitrile)을 도입하는 반응으로서, 팔라듐 촉매와 염기 존재하에 수행하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 반응식에 사용된 반응기 및 촉매의 종류는 적절하게 변경 가능하다. 상기 제조 방법은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있다.The reaction is a reaction for introducing malononitrile, and is preferably performed in the presence of a palladium catalyst and a base. In addition, the type of reactor and catalyst used in the above reaction formula can be appropriately changed. The manufacturing method may be more specific in the manufacturing examples to be described later.

상기 화학식 2에서 Ar1은 벤젠, 나프탈렌, 바이페닐, 터페닐, 트리페닐렌, 페닐나프탈렌, 9,9-디메틸플루오렌, 9,9-디페닐플루오렌 및 스피로[플루오렌-9,9'-플루오렌]으로 구성된 군에서 선택된 아렌 유래의 1가 잔기일 수 있다. In Formula 2, Ar 1 is benzene, naphthalene, biphenyl, terphenyl, triphenylene, phenylnaphthalene, 9,9-dimethylfluorene, 9,9-diphenylfluorene and spiro [fluorene-9,9 ' -Fluorene] may be a monovalent residue derived from arenes selected from the group consisting of.

상기 화학식 2에서 L1 및 L2는 각각 독립적으로, 벤젠, 나프탈렌, 바이페닐 및 터페닐로 구성된 군에서 선택된 아렌 유래의 2가 잔기일 수 있다. In Formula 2, L 1 and L 2 may each independently be a divalent residue derived from arenes selected from the group consisting of benzene, naphthalene, biphenyl, and terphenyl.

상기 화학식 2에서 Ar2 및/또는 Ar3

Figure 112018032584612-pat00016
일 때, Ar4 및 Ar5는 각각 독립적으로 벤젠, 나프탈렌, 바이페닐 및 터페닐로 구성된 군에서 선택된 아렌 유래의 1가 잔기일 수 있다. In Formula 2, Ar 2 and / or Ar 3 is
Figure 112018032584612-pat00016
In this case, Ar 4 and Ar 5 may each independently be a monovalent residue derived from arenes selected from the group consisting of benzene, naphthalene, biphenyl and terphenyl.

상기 화학식 2에서 Ar2 및/또는 Ar3

Figure 112018032584612-pat00017
일 때, Ar6는 페닐일 수 있다. In Formula 2, Ar 2 and / or Ar 3 is
Figure 112018032584612-pat00017
, Ar 6 may be phenyl.

상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2-1로 표시되는 화합물일 수 있다. The compound represented by Chemical Formula 2 may be a compound represented by Chemical Formula 2-1.

[화학식 2-1][Formula 2-1]

Figure 112018032584612-pat00018
Figure 112018032584612-pat00018

상기 화학식 2-1에서, In Chemical Formula 2-1,

Ar1 내지 Ar3 및 X1은 상기 화학식 2와 동일하며,Ar 1 to Ar 3 and X 1 are the same as in Chemical Formula 2,

L3 내지 L6은 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기, 혹은 치환 또는 비치환된 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴렌기이다. L 3 to L 6 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 50 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted O, N, Si and S containing at least one of 2 to 50 carbon atoms. It is a heteroarylene group.

상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화합물로 구성되는 군으로부터 선택될 수 있다. The compound represented by Chemical Formula 2 may be selected from the group consisting of the following compounds.

Figure 112018032584612-pat00019
Figure 112018032584612-pat00019

Figure 112018032584612-pat00020
Figure 112018032584612-pat00020

Figure 112018032584612-pat00021
Figure 112018032584612-pat00021

Figure 112018032584612-pat00022
Figure 112018032584612-pat00022

Figure 112018032584612-pat00023
Figure 112018032584612-pat00023

Figure 112018032584612-pat00024
Figure 112018032584612-pat00024

Figure 112018032584612-pat00025
Figure 112018032584612-pat00025

Figure 112018032584612-pat00026
Figure 112018032584612-pat00026

Figure 112018032584612-pat00027
Figure 112018032584612-pat00027

상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 반응식 B와 같은 제조 방법으로 제조할 수 있다. 상기 제조 방법은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있다. The compound represented by Chemical Formula 2 may be prepared by the same method as in Scheme B below. The manufacturing method may be more specific in the manufacturing examples to be described later.

[반응식 B][Scheme B]

Figure 112018032584612-pat00028
Figure 112018032584612-pat00028

상기 반응식 B에서, X1, L1, L2, Ar1 및 Ar2는 전술한 바와 같고, 추가적인 치환기가 더 포함될 수 있다.In Scheme B, X 1 , L 1 , L 2 , Ar 1 and Ar 2 are as described above, and additional substituents may be further included.

상기 반응은 스즈키 커플링 반응으로서, 팔라듐 촉매와 염기 존재하에 수행하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 반응식에 사용된 반응기 및 촉매의 종류는 적절하게 변경 가능하다. 상기 제조 방법은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있다.The reaction is a Suzuki coupling reaction, and is preferably performed in the presence of a palladium catalyst and a base. In addition, the type of reactor and catalyst used in the above reaction formula can be appropriately changed. The manufacturing method may be more specific in the manufacturing examples to be described later.

본 발명의 유기 발광 소자는 양극; 상기 양극과 대향하여 구비된 음극; 및 상기 양극과 음극 사이에 구비된 1 층 이상의 유기물층을 포함한다. 상기 유기물층은 3층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어진다. 구체적으로, 상기 유기물층은 양극에 인접하는 정공 주입층, 상기 정공 주입층 상에 구비된 정공 수송층 및 상기 정공 수송층 상에 구비된 발광층을 포함한다. The organic light emitting device of the present invention includes an anode; A cathode provided opposite the anode; And one or more organic material layers provided between the anode and the cathode. The organic material layer has a multilayer structure in which three or more organic material layers are stacked. Specifically, the organic material layer includes a hole injection layer adjacent to the anode, a hole transport layer provided on the hole injection layer, and a light emitting layer provided on the hole transport layer.

본 명세서에서, 정공 주입층은 유기 발광 소자의 양극에 접하는 유기물층으로 양극으로부터 정공을 주입 받아 다른 유기물층에 전달하는 층을 의미한다. 이에 따라, 상기 정공 주입층은 전하 발생층으로도 호칭될 수 있다. 정공 수송층은 유기 발광 소자의 정공 주입층 상에 구비된 유기물층으로 정공 주입층에서 전달된 정공을 발광층에 전달하고, 발광층에서 전달된 전자가 정공 주입층에 전달되지 못하도록 억제하는 층을 의미한다. 이에 따라, 상기 정공 수송층은 전자 억제층으로도 호칭될 수 있다.In the present specification, the hole injection layer refers to a layer that receives holes from the anode and transfers them to other organic material layers as an organic material layer contacting the anode of the organic light emitting device. Accordingly, the hole injection layer may also be referred to as a charge generating layer. The hole transport layer is an organic material layer provided on the hole injection layer of the organic light emitting device, and refers to a layer that transmits holes transferred from the hole injection layer to the light emitting layer and prevents electrons transmitted from the light emitting layer from being transmitted to the hole injection layer. Accordingly, the hole transport layer may also be referred to as an electron suppressing layer.

이외, 상기 유기 발광 소자는 상기 발광층과 음극 사이에 전자 수송층 및 전자 주입층 등을 포함할 수 있다. 그러나, 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물층을 포함할 수 있다. In addition, the organic light emitting device may include an electron transport layer and an electron injection layer between the light emitting layer and the cathode. However, the structure of the organic light emitting device is not limited to this, and may include fewer organic material layers.

본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물 층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물 층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1에 예시되어 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be an organic light emitting device having a structure in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate (normal type). Further, the organic light emitting device according to the present invention may be an organic light emitting device of an inverted type in which a cathode, one or more organic material layers, and an anode are sequentially stacked on a substrate. For example, the structure of the organic light emitting device according to an embodiment of the present invention is illustrated in FIG. 1.

도 1은 기판 (1), 양극(2), 정공 주입층(5), 정공 수송층(6), 발광층(7), 전자 수송층(8) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1-1 내지 1-2로 표시되는 화합물로 구성된 군에서 선택된 화합물은 상기 정공 주입층(5)에 포함되고, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 정공 수송층(6)에 포함되어 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 1 shows an example of an organic light-emitting device comprising a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 5, a hole transport layer 6, a light emitting layer 7, an electron transport layer 8, and a cathode 4 It is done. In this structure, the compound selected from the group consisting of compounds represented by Formulas 1-1 to 1-2 is included in the hole injection layer 5, and the compound represented by Formula 2 is a hole transport layer 6 It can be included to improve the low driving voltage and / or life characteristics.

본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 상기 정공 주입층에 상기 화학식 1-1 내지 1-2로 표시되는 화합물로 구성된 군에서 선택된 화합물을 포함하고, 상기 정공 수송층에 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. 또한, 상기 복수개의 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. The organic light emitting device according to the present invention includes a compound selected from the group consisting of compounds represented by Formulas 1-1 to 1-2 in the hole injection layer, and a compound represented by Formula 2 in the hole transport layer. It can be made of materials and methods known in the art, except as noted. Further, the plurality of organic material layers may be formed of the same material or different materials.

예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 양극 및 음극 중 어느 하나의 전극, 유기물층 및 상기 양극 및 음극 중 다른 하나의 전극을 순차적으로 적층시켜 제조할 수 있다. 이때, 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD (physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 도전성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물 층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시켜 제조할 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물 층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다(WO 2003/012890). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다. For example, the organic light emitting device according to the present invention may be manufactured by sequentially stacking one electrode of an anode and a cathode, an organic material layer, and another electrode of the anode and a cathode on a substrate. At this time, a positive electrode is formed by depositing a metal or conductive metal oxide or an alloy of these on a substrate using a physical vapor deposition (PVD) method such as sputtering or e-beam evaporation. Then, an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer is formed thereon, and a material that can be used as a cathode is deposited thereon. In addition to this method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and a cathode material on a substrate (WO 2003/012890). However, the manufacturing method is not limited thereto.

또한, 상기 화학식 1-1 내지 1-2로 표시되는 화합물과, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.In addition, the compounds represented by Chemical Formulas 1-1 to 1-2 and the compounds represented by Chemical Formula 2 may be formed as an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method when manufacturing an organic light emitting device. Here, the solution application method means spin coating, dip coating, doctor blading, inkjet printing, screen printing, spraying, roll coating, and the like, but is not limited to these.

상기 양극 물질로는 통상 유기물 층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SNO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The positive electrode material is preferably a material having a large work function so that hole injection into the organic material layer is smooth. Specific examples of the positive electrode material include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc and gold or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); A combination of metal and oxide such as ZnO: Al or SNO 2 : Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDOT), polypyrrole, and polyaniline, but are not limited thereto.

상기 음극 물질로는 통상 유기물 층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 상기 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The negative electrode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into an organic material layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead, or alloys thereof; There is a multilayer structure material such as LiF / Al or LiO 2 / Al, but is not limited thereto.

상기 정공 주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 이러한 정공 주입층을 형성하는 재료로 상기 화학식 1-1 내지 1-2로 표시되는 화합물로 구성된 군에서 선택된 화합물이 사용된다. 상기 화학식 1-1 내지 1-2로 표시되는 화합물에 대해서는 앞서 구체적으로 설명하였으므로 여기서는 자세한 설명을 생략한다. The hole injection layer is a layer for injecting holes from an electrode, and a compound selected from the group consisting of compounds represented by Chemical Formulas 1-1 to 1-2 is used as a material for forming the hole injection layer. Since the compounds represented by Chemical Formulas 1-1 to 1-2 have been described above in detail, detailed descriptions thereof will be omitted.

상기 화학식 1-1 내지 1-2로 표시되는 화합물은 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자 주입층 또는 전자 주입 재료의 이동을 방지할 수 있다. 또한, 상기 화학식 1-1 내지 1-2의 화합물은 박막 형성 능력이 우수하다.The compounds represented by Chemical Formulas 1-1 to 1-2 have the ability to transport holes and thus have a hole injection effect at an anode, an excellent hole injection effect for a light emitting layer or a light emitting material, and an electron injection layer of exciton generated in the light emitting layer Alternatively, the movement of the electron injection material can be prevented. In addition, the compounds of Formulas 1-1 to 1-2 are excellent in thin film forming ability.

한편, 상기 정공 주입층에는 상기 화학식 1-1 내지 1-2의 화합물 외에도 본 발명이 속한 기술분야에 알려진 정공 주입 물질이 추가로 포함될 수 있다. 이러한 정공 주입 물질로는 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 이러한 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다. Meanwhile, the hole injection layer may further include a hole injection material known in the art to which the present invention pertains, in addition to the compounds of Formulas 1-1 to 1-2. As such a hole injection material, it is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) is between the work function of the positive electrode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of the hole injection material include metal porphyrins, oligothiophenes, arylamine-based organic substances, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic substances, quinacridone-based organic substances, and perylene. There are organic-based organic materials, anthraquinones, polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited thereto.

상기 정공 수송층은 정공 주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 이러한 정공 수송층을 형성하는 재료로는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물이 사용된다. 상기 화학식 2로 표시되는 화합물에 대해서는 앞서 구체적으로 설명하였으므로 여기서는 자세한 설명을 생략한다. The hole transport layer is a layer that receives holes from the hole injection layer and transports holes to the light emitting layer. As a material for forming the hole transport layer, a compound represented by Chemical Formula 2 is used. Since the compound represented by Chemical Formula 2 has been described in detail above, a detailed description is omitted here.

상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 정공에 대한 이동성이 크기 때문에 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송 받아 발광층으로 옮겨주기에 적합하다. The compound represented by Chemical Formula 2 is suitable for transporting holes from the anode or the hole injection layer and transferring them to the light emitting layer because the mobility of the holes is large.

한편, 상기 정공 수송층에는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 외에도 본 발명이 속한 기술분야에 알려진 정공 수송 물질이 추가로 포함될 수 있다. 이러한 정공 수송 물질의 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. Meanwhile, the hole transport layer may further include a hole transport material known in the art to which the present invention pertains, in addition to the compound represented by Chemical Formula 2. Specific examples of the hole transport material include arylamine-based organic materials, conductive polymers, and block copolymers having a conjugated portion and a non-conjugated portion, but are not limited thereto.

상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송 받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. As the light-emitting material, a material capable of emitting light in the visible region by receiving and bonding holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, is preferably a material having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole-based compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzo quinoline-metal compound; Benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole compounds; Poly (p-phenylenevinylene) (PPV) polymers; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene, and the like, but are not limited to these.

상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The light emitting layer may include a host material and a dopant material. The host material may be a condensed aromatic ring derivative or a heterocyclic compound. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, fluoranthene compounds, etc., and heterocyclic compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, and ladder types Furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.

도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the dopant material include aromatic amine derivatives, strylamine compounds, boron complexes, fluoranthene compounds, and metal complexes. Specifically, the aromatic amine derivative is a condensed aromatic ring derivative having a substituted or unsubstituted arylamino group, and includes arylamino groups such as pyrene, anthracene, chrysene, periplanten, and the substituted or unsubstituted styrylamine compound. A compound in which at least one arylvinyl group is substituted with the arylamine, a substituent selected from 1 or 2 or more from the group consisting of an aryl group, a silyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, and an arylamino group is substituted or unsubstituted. Specifically, styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, styryltetraamine, and the like, but are not limited thereto. In addition, examples of the metal complex include an iridium complex and a platinum complex, but are not limited thereto.

상기 전자 수송층은 전자 주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로, 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.The electron transport layer is a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports electrons to the light emitting layer. As the electron transport material, a material capable of receiving electrons from the cathode and transferring them to the light emitting layer, a material having high mobility for electrons Suitable. Specific examples include the Al complex of 8-hydroxyquinoline; Complexes including Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited to these. The electron transport layer can be used with any desired cathode material as used according to the prior art. In particular, examples of suitable cathode materials are those that have a low work function and are followed by an aluminum or silver layer. Specifically, cesium, barium, calcium, ytterbium and samarium, each case followed by an aluminum layer or a silver layer.

상기 전자 주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자 주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자 주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층으로의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 질소 함유 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The electron injection layer is a layer that injects electrons from an electrode, has the ability to transport electrons, has an electron injection effect from a cathode, an excellent electron injection effect on a light emitting layer or a light emitting material, and injects holes of excitons generated in the light emitting layer A compound that prevents migration to the layer and has excellent thin film forming ability is preferred. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone and the like and their derivatives, metal Complex compounds, nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, and the like, but are not limited thereto.

상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis (8-hydroxyquinolinato) zinc, bis (8-hydroxyquinolinato) copper, bis (8-hydroxyquinolinato) manganese, Tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (8-hydroxyquinolinato) gallium, bis (10-hydroxybenzo [h] Quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) ( There are o-cresolato) gallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) (1-naphtholato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinato) (2-naphtholato) gallium, It is not limited to this.

본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a front emission type, a back emission type, or a double-sided emission type depending on the material used.

상술한 화학식 1-1 내지 1-2로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 그리고 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조는 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.Preparation of the compounds represented by Formulas 1-1 to 1-2, the compounds represented by Formula 2, and the organic light emitting device including the same will be described in detail in the Examples below. However, the following examples are intended to illustrate the invention, and the scope of the invention is not limited by them.

제조예Manufacturing example

제조예Manufacturing example 1: 화합물 1-2-1의 합성 1: Synthesis of Compound 1-2-1

(1) 중간체 A의 합성(1) Synthesis of Intermediate A

[반응식 1-1][Scheme 1-1]

Figure 112018032584612-pat00029
Figure 112018032584612-pat00029

화합물 a 중간체 ACompound a Intermediate A

1,4-다이브로모-2,5-다이요오도벤젠 18.5g (0.038mol)을 (4-트리플루오로메톡시)페닐보론산 16.0g (0.078mol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0) 2.2g, 2M 탄산 칼륨 114ml, 테트라하이드로퓨란 360ml와 혼합하고, 질소 조건에서 8시간 환류 교반을 행하였다. 냉각 후, 물과 디클로로메탄으로 추출하고, 추가로 실리카겔 컬럼(전개 용매: 에틸아세테이트/헥산 = 10/1)으로 분리하여, 백색 고체(화합물 a)를 8.0g (38.0%) 얻었다. 다음으로, 이 백색 고체(화합물 a) 8.5g (15.3mmol), 니켈 파우더 9.0g (76.6mmol), 포타슘아이오다이드 5.0g (30.4mmol), 아이오딘 0.19g (0.77mmol)을 디메틸포름알데히드 20ml와 혼합하고, 아르곤 조건에서 24시간 환류 교반을 행하였다. 반응 종료후, 100ml의 3% 묽은 염산과 40ml의 디에틸 에테르을 투입하였다. 니켈 고형물을 제거하고, 물과 디에틸 에테르로 추출하고, 실리카겔 컬럼(전개 용매: 에틸아세테이트/헥산 = 10/1)으로 분리하여, 백색 고체(중간체 A)를 5.4g (54.0%) 얻었다.18.5 g (0.038 mol) of 1,4-dibromo-2,5-diiodobenzene (4-trifluoromethoxy) phenylboronic acid 16.0 g (0.078 mol), tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0 ) 2.2 g, 2M potassium carbonate 114 ml, tetrahydrofuran 360 ml, and reflux stirring for 8 hours under nitrogen. After cooling, it was extracted with water and dichloromethane, and further separated by a silica gel column (developing solvent: ethyl acetate / hexane = 10/1) to obtain 8.0 g (38.0%) of a white solid (Compound a). Next, 8.5 g (15.3 mmol) of this white solid (compound a), 9.0 g (76.6 mmol) of nickel powder, 5.0 g (30.4 mmol) of potassium iodide, and 0.19 g (0.77 mmol) of iodine 20 ml of dimethylformaldehyde The mixture was mixed with and refluxed and stirred under argon conditions for 24 hours. After completion of the reaction, 100 ml of 3% dilute hydrochloric acid and 40 ml of diethyl ether were added. The nickel solid was removed, extracted with water and diethyl ether, and separated by a silica gel column (developing solvent: ethyl acetate / hexane = 10/1) to obtain 5.4 g (54.0%) of a white solid (Intermediate A).

(2) 화합물 1-2-1의 합성(2) Synthesis of Compound 1-2-1

[반응식 1-2][Scheme 1-2]

Figure 112018032584612-pat00030
Figure 112018032584612-pat00030

중간체 A 화합물 1-2-1Intermediate A Compound 1-2-1

말로노나이트릴 1.7g을 1,2-다이메톡시에탄 60ml에 녹인 후 질소조건에서 -10 °C로 냉각하였다. 소듐 하이드라이드 (1.3g)을 4회로 나누어 적하하고, 상온에서 20분간 교반한 뒤 0 ℃로 재냉각하였다. 2',5'-다이요오도-4,4''- 비스(트라이플루오르메톡시)-1,1':4',1''-터페닐(중간체 A) 3.60g (5.54mmol)과 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 0.64g (0.55mmol)을 투입하고, 환류 조건에서 8시간 교반하였다. 그 후, 묽은 염산과 에틸아세테이트로 분리하고, 무수황산나트륨으로 건조 및 여과하였다. 에틸아세테이트를 감압증류한 후, 실리카겔 컬럼(전개 용매: 에틸아세테이트)으로 분리하여, 고체를 1.8g (62.0%) 얻었다.After dissolving 1.7 g of malononitrile in 60 ml of 1,2-dimethoxyethane, it was cooled to -10 ° C under nitrogen conditions. Sodium hydride (1.3 g) was added dropwise in 4 portions, stirred at room temperature for 20 minutes, and then cooled to 0 ° C. 2 ', 5'-diiodo-4,4' '-bis (trifluoromethoxy) -1,1': 4 ', 1' '-terphenyl (Intermediate A) 3.60g (5.54mmol) and tetrakis (Triphenylphosphine) Palladium 0.64g (0.55mmol) was added and stirred for 8 hours under reflux conditions. Then, it was separated with dilute hydrochloric acid and ethyl acetate, dried over anhydrous sodium sulfate, and filtered. After distilling ethyl acetate under reduced pressure, it was separated by a silica gel column (developing solvent: ethyl acetate) to obtain 1.8 g (62.0%) of a solid.

다음으로, 상기 고체 1.8g을 아세토니트릴 30ml에 녹인 후, 희석한 브롬수 20ml를 투입하였다. 20분 교반 후, 과량의 증류수를 투입하여 석출된 고체를 여과하고, 증류수로 세정하였다. 그 후, 아세토니트릴로 재결정하여 1.20g의 고체(화합물 1-2-1)을 얻었다. Next, 1.8 g of the solid was dissolved in 30 ml of acetonitrile, and then 20 ml of diluted bromine water was added. After stirring for 20 minutes, excess distilled water was added to filter the precipitated solid and washed with distilled water. Then, it was recrystallized with acetonitrile to obtain 1.20 g of solid (Compound 1-2-1).

제조예Manufacturing example 2: 화합물 1-2-2의 합성 2: Synthesis of Compound 1-2-2

(1) 중간체 B의 합성(1) Synthesis of Intermediate B

[반응식 1-3][Scheme 1-3]

Figure 112018032584612-pat00031
Figure 112018032584612-pat00031

화합물 b-1 화합물 b-2 화합물 b-3 중간체 BCompound b-1 Compound b-2 Compound b-3 Intermediate B

2,2,6,6-테트라메틸피페리다이드화 리튬 (100mmol)을 테트라하이드로퓨란 120ml에 녹인 후 질소조건에서 -78 ℃로 냉각하였다. 1,4-디브로모-2,5-디플루오르벤젠 27.2g (100mmol)을 테트라하이드로퓨란 60ml에 녹여, 질소조건, -78 °C 에서 삽관 투입하고, 상온으로 승온하였다. 그 후, 소듐 티오 설페이트 수용액으로 반응을 종료하고, 에틸아세테이트로 분리하여, 무수황산나트륨으로 건조 및 여과하였다. 실리카겔 컬럼(전개 용매: 에틸아세테이트/헥산 = 10/1)으로 분리하여, 고체(화합물 b-1) 26.3g (66.0%) 얻었다.Lithium 2,2,6,6-tetramethylpiperidide (100mmol) was dissolved in 120ml of tetrahydrofuran, and then cooled to -78 ° C under nitrogen. 27.2 g (100 mmol) of 1,4-dibromo-2,5-difluorobenzene was dissolved in 60 ml of tetrahydrofuran, and intubated under nitrogen conditions at -78 ° C, and the temperature was raised to room temperature. Then, the reaction was terminated with an aqueous sodium thiosulfate solution, separated with ethyl acetate, dried over anhydrous sodium sulfate, and filtered. Separated by silica gel column (developing solvent: ethyl acetate / hexane = 10/1) to obtain 26.3 g (66.0%) of a solid (Compound b-1).

다음으로, 2,2,6,6-테트라메틸피페리다이드화 리튬 (100mmol)을 테트라하이드로퓨란 120ml에 녹인 후 질소조건에서 -78 ℃로 냉각하였다. 1,4- 디브로모-2,5-디플루오르-3-요오도벤젠(화합물 b-1) 39.8g (100mmol)을 테트라하이드로퓨란 60ml에 녹여, 질소조건, -78 °C 에서 삽관 투입하고, 상온으로 승온하였다. 그 후, 소듐 티오 설페이트 수용액으로 반응을 종료하고, 에틸아세테이트로 분리하여, 무수황산나트륨으로 건조 및 여과하였다. 실리카겔 컬럼(전개 용매: 에틸아세테이트/헥산 = 10/1)으로 분리하여, 고체(화합물 b-2) 30.3g (58.0%) 얻었다.Next, 2,2,6,6-tetramethylpiperidide lithium (100mmol) was dissolved in 120ml of tetrahydrofuran, and then cooled to -78 ° C under nitrogen conditions. Dissolve 39.8 g (100 mmol) of 1,4-dibromo-2,5-difluoro-3-iodobenzene (Compound b-1) in 60 ml of tetrahydrofuran, intubate at -78 ° C under nitrogen conditions. , The temperature was raised to room temperature. Then, the reaction was terminated with an aqueous sodium thiosulfate solution, separated with ethyl acetate, dried over anhydrous sodium sulfate, and filtered. Separated by silica gel column (developing solvent: ethyl acetate / hexane = 10/1) to obtain 30.3 g (58.0%) of a solid (Compound b-2).

다음으로, 1,4-다이브로모-2,5-다이플루오로-3,6-다이요오도벤젠(화합물 b-2) 19.9g (0.038mol)을 (2-플루오르-4-트리플루오로메톡시)페닐보론산 17.5g (0.078mol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0) 2.2g, 2M 탄산 칼륨 114ml, 테트라하이드로퓨란 360ml와 혼합하고, 질소 조건에서 12시간 환류 교반을 행하였다. 냉각 후, 물과 디클로로메탄으로 추출하고, 추가로 실리카겔 컬럼(전개 용매: 에틸아세테이트/헥산 = 10/1)으로 분리하여, 백색 고체(화합물 b-3)를 7.8g (34.7%) 얻었다.Next, 19.9 g (0.038 mol) of 1,4-dibromo-2,5-difluoro-3,6-diiodobenzene (compound b-2) (2-fluoro-4-trifluoromethoxy) The mixture was mixed with 17.5 g of phenylboronic acid (0.078 mol), 2.2 g of tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0), 114 ml of 2M potassium carbonate, and 360 ml of tetrahydrofuran, and refluxed and stirred under nitrogen conditions for 12 hours. After cooling, it was extracted with water and dichloromethane, and further separated by a silica gel column (developing solvent: ethyl acetate / hexane = 10/1) to obtain 7.8 g (34.7%) of a white solid (Compound b-3).

다음으로, 이 백색 고체(화합물 b-3) 9.06g (15.3mmol), 니켈 파우더 9.0g (76.6mmol), 포타슘아이오다이드 5.0g (30.4mmol), 아이오딘 0.19g (0.77mmol)을 디메틸포름알데히드 20ml와 혼합하고, 아르곤 조건에서 24시간 환류 교반을 행하였다. 반응 종료후, 100ml의 3% 묽은 염산과 40ml의 디에틸 에테르을 투입하였다. 니켈 고형물을 제거하고, 물과 디에틸 에테르로 추출하고, 실리카겔 컬럼(전개 용매: 에틸아세테이트/헥산 = 10/1)으로 분리하여, 백색 고체(중간체 B)를 3.2g(30.4%) 얻었다. Next, 9.06 g (15.3 mmol) of this white solid (compound b-3), 9.0 g (76.6 mmol) of nickel powder, 5.0 g (30.4 mmol) of potassium iodide, and 0.19 g (0.77 mmol) of iodine in dimethylform The mixture was mixed with 20 ml of aldehyde and refluxed and stirred under argon conditions for 24 hours. After completion of the reaction, 100 ml of 3% dilute hydrochloric acid and 40 ml of diethyl ether were added. The nickel solid was removed, extracted with water and diethyl ether, and separated by a silica gel column (developing solvent: ethyl acetate / hexane = 10/1) to obtain 3.2 g (30.4%) of a white solid (Intermediate B).

(2) 화합물 1-2-2의 합성(2) Synthesis of Compound 1-2-2

[반응식 1-4][Scheme 1-4]

Figure 112018032584612-pat00032
Figure 112018032584612-pat00032

중간체 B 화합물 1-2-2Intermediate B compound 1-2-2

화합물 1-2-1의 합성에서 2',5'-다이요오도-4,4''- 비스(트라이플루오르메톡시)-1,1':4',1''-터페닐(중간체 A) 3.60g을 2',5'-다이플루오르-3',6'- 다이요오도-4,4''-비스(트라이플루오르메톡시)-1,1':4',1''-터페닐(중간체 B) 3.8g으로 변경한 것 이외에는 동일하게 반응, 정제를 행하여 고체(화합물 1-2-2) 0.84g을 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정 결과, M/Z=560에서 피크가 확인되었다.2 ', 5'-diiodo-4,4' '-bis (trifluoromethoxy) -1,1': 4 ', 1' '-terphenyl in the synthesis of compound 1-2-1 (Intermediate A) 3.60 g of 2 ', 5'-difluoro-3', 6'-diiodo-4,4 ''-bis (trifluoromethoxy) -1,1 ': 4', 1 ''-terphenyl ( Intermediate B) 0.84 g of solid (Compound 1-2-2) was obtained by reacting and purifying in the same manner except that 3.8 g was changed. As a result of the mass spectrum measurement of the obtained solid, a peak was confirmed at M / Z = 560.

제조예Manufacturing example 3: 화합물 1-2-3의 합성 3: Synthesis of Compound 1-2-3

[반응식 1-5][Scheme 1-5]

Figure 112018032584612-pat00033
Figure 112018032584612-pat00033

중간체 C 화합물 1-2-3Intermediate C compound 1-2-3

화합물 1-2-1의 합성에서 2',5'-다이요오도-4,4''- 비스(트라이플루오르메톡시)-1,1':4',1''-터페닐(중간체 A) 3.60g을 2,2'-(4,4''-비스(트라이플루오로메톡시)-[1,1':4',1''-터페닐]-2',5'-디일)비스(2- (펜타플루오로페닐)아세토니트릴)(중간체 C) 2.2g으로 변경한 것 이외에는 동일하게 반응, 정제를 행하여 고체(화합물 1-2-3) 0.8g을 얻었다. 얻어진 고체의 질량 스펙트럼 측정 결과, M/Z=806에서 피크가 확인되었다.2 ', 5'-diiodo-4,4' '-bis (trifluoromethoxy) -1,1': 4 ', 1' '-terphenyl in the synthesis of compound 1-2-1 (Intermediate A) 3.60 g of 2,2 '-(4,4' '-bis (trifluoromethoxy)-[1,1': 4 ', 1' '-terphenyl] -2', 5'-diyl) bis ( 2- (pentafluorophenyl) acetonitrile) (Intermediate C) 0.8 g of solid (Compound 1-2-3) was obtained by reaction and purification in the same manner, except that it was changed to 2.2 g. As a result of the mass spectrum measurement of the obtained solid, a peak was confirmed at M / Z = 806.

제조예Manufacturing example 4: 화합물 2-1의 합성 4: Synthesis of Compound 2-1

[반응식 2-1][Scheme 2-1]

Figure 112018032584612-pat00034
Figure 112018032584612-pat00034

질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 3,6-dibromo-9-phenyl-9H-carbazole (5.67 g, 14.21 mmol), 및 화합물 a1(8.94 g, 31.26 mmol)을 테트라하이드로퓨란 240 mL에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(120 mL)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.49 g, 0.43 mmol)을 넣은 후 3시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 260 mL로 재결정하여 화합물 2-1(6.69 g, 64%)를 제조하였다.Compound 3,6-dibromo-9-phenyl-9H-carbazole (5.67 g, 14.21 mmol), and compound a1 (8.94 g, 31.26 mmol) were completely dissolved in 240 mL of tetrahydrofuran in a 500 mL round-bottom flask in a nitrogen atmosphere. Then, 2M potassium carbonate aqueous solution (120 mL) was added, tetrakis- (triphenylphosphine) palladium (0.49 g, 0.43 mmol) was added, followed by heating and stirring for 3 hours. The temperature was reduced to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 260 mL of ethyl acetate to prepare compound 2-1 (6.69 g, 64%).

MS[M+H]+= 730MS [M + H] + = 730

제조예Manufacturing example 5: 화합물 2-2의 합성 5: Synthesis of Compound 2-2

[반응식 2-2][Scheme 2-2]

Figure 112018032584612-pat00035
Figure 112018032584612-pat00035

질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 3,6-dibromo-9-(naphthalen-2-yl)-9H-carbazole (5.32 g, 11.85 mmol), 및 화합물 a1(7.46 g, 26.07 mmol)을 테트라하이드로퓨란 240 mL에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(120 mL)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.41 g, 0.36 mmol)을 넣은 후 3시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 230 mL로 재결정하여 화합물 2-2(5.57 g, 60%)를 제조하였다.Compound 3,6-dibromo-9- (naphthalen-2-yl) -9H-carbazole (5.32 g, 11.85 mmol), and compound a1 (7.46 g, 26.07 mmol) are tetrahydro in a 500 mL round-bottom flask in a nitrogen atmosphere. After completely dissolving in 240 mL of furan, 2M aqueous potassium carbonate solution (120 mL) was added, tetrakis- (triphenylphosphine) palladium (0.41 g, 0.36 mmol) was added, and the mixture was heated and stirred for 3 hours. The temperature was reduced to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized from ethyl acetate 230 mL to prepare compound 2-2 (5.57 g, 60%).

MS[M+H]+= 780MS [M + H] + = 780

실시예 및 비교예Examples and comparative examples

(1) 비교예 1-1의 제조(1) Preparation of Comparative Example 1-1

ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.A glass substrate coated with a thin film of ITO (indium tin oxide) at a thickness of 1,000 에 was placed in distilled water in which detergent was dissolved and washed with ultrasonic waves. At this time, Fischer (Fischer Co.) was used as a detergent, and distilled water filtered secondarily by a filter of Millipore Co. was used as distilled water. After washing the ITO for 30 minutes, ultrasonic cleaning was repeated twice for 10 minutes with distilled water. After washing with distilled water, ultrasonic cleaning was performed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, followed by drying and transporting to a plasma cleaner. In addition, after the substrate was cleaned for 5 minutes using oxygen plasma, the substrate was transferred to a vacuum evaporator.

이렇게 준비된 양극인 ITO 투명 전극 위에 하기 화합물 [HI1] 및 하기 화합물 1-1-1의 화합물을 98:2(몰비)의 비가 되도록 100Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다(p-doping matrix).A hole injection layer was formed by thermally vacuum-depositing a compound of the following compound [HI1] and the following compound 1-1-1 to a ratio of 98: 2 (molar ratio) to a thickness of 100 MPa on the prepared ITO transparent electrode, which was prepared in this way (p- doping matrix).

Figure 112018032584612-pat00036
Figure 112018032584612-pat00036

Figure 112018032584612-pat00037
Figure 112018032584612-pat00037

상기 정공주입층 위에 정공을 수송하는 물질인 하기 화합물 [HT1] (1150Å)를 진공 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공수송층 위에 막 두께 50Å으로 하기 화합물 [EB1]을 진공 증착하여 전자차단층을 형성하였다.A hole transport layer was formed by vacuum-depositing the following compound [HT1] (1150Å), which is a material for transporting holes on the hole injection layer. Subsequently, an electron blocking layer was formed by vacuum-depositing the following compound [EB1] with a thickness of 50 mm 2 on the hole transport layer.

Figure 112018032584612-pat00038
Figure 112018032584612-pat00038

Figure 112018032584612-pat00039
Figure 112018032584612-pat00039

이어서, 상기 전자차단층 위에 막 두께 200Å으로 아래와 같은 화합물 [BH]와 화합물 [BD]를 50:1의 중량비로 진공증착하여 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 상기 정공 수송층 위에 막 두께 50Å으로 상기 화합물 [HB 1]를 진공 증착하여 정공 차단층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공 차단층 위에 화합물 [ET1]과 상기 화합물 [LiQ](Lithium Quinolate)를 1:1의 중량비로 진공증착하여 310Å의 두께로 전자 주입 및 수송을 동시에 하는 층을 형성하였다.Subsequently, a light emitting layer was formed by vacuum-depositing the following compound [BH] and compound [BD] at a weight ratio of 50: 1 with a thickness of 200 mm 2 on the electron blocking layer. On the light emitting layer, the compound [HB 1] was vacuum-deposited with a thickness of 50 mm 2 on the hole transport layer to form a hole blocking layer. Subsequently, on the hole blocking layer, the compound [ET1] and the compound [LiQ] (Lithium Quinolate) were vacuum-deposited at a weight ratio of 1: 1 to form a layer that simultaneously injected and transported electrons to a thickness of 310 MPa.

Figure 112018032584612-pat00040
Figure 112018032584612-pat00040

상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å두께로 리튬플로라이드(LiF)와 2,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다. 상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4~ 0.7Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 ⅹ10-7 ~5 ⅹ10-6 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.On the electron injection and transport layer, lithium fluoride (LiF) with a thickness of 12 Å and aluminum with a thickness of 2,000 순차적 were sequentially deposited to form a negative electrode. In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 to 0.7 Å / sec, the lithium fluoride of the negative electrode was maintained at a deposition rate of 0.3 Å / sec and aluminum at 2 Å / sec, and the vacuum degree during deposition was 2 진공 10-7. An organic light emitting device was manufactured by maintaining ~ 5 ⅹ10-6 torr.

Figure 112018032584612-pat00041
Figure 112018032584612-pat00041

(2) 비교예 1-2 내지 1-16 및 실시예 1-1 내지 1-8의 제조(2) Preparation of Comparative Examples 1-2 to 1-16 and Examples 1-1 to 1-8

상기 비교예 1-1에서, 전공주입층 및 정공수송층의 성분을 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용한 것을 제외하고는, 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.In Comparative Example 1-1, an organic light emitting device was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1-1, except that the components shown in Table 1 were used as components of the hole injection layer and the hole transport layer.

구분division 정공주입층Hole injection layer 정공수송층Hole transport layer 전압
(V)
Voltage
(V)
효율
(cd/A)
efficiency
(cd / A)
T95
(hr)
T95
(hr)
비교예 1-1Comparative Example 1-1 [HI1]:1-1-1:=98:2[HI1]: 1-1-1: = 98: 2 HT1HT1 4.264.26 5.855.85 115115 비교예 1-2Comparative Example 1-2 [HI1]:1-1-1:=98:2[HI1]: 1-1-1: = 98: 2 HT2HT2 4.384.38 5.715.71 100100 비교예 1-3Comparative Example 1-3 [HI1]:1-1-1:=98:2[HI1]: 1-1-1: = 98: 2 HT3HT3 4.254.25 5.825.82 115115 비교예 1-4Comparative Example 1-4 [HI1]:1-1-1:=98:2[HI1]: 1-1-1: = 98: 2 HT4HT4 4.244.24 5.815.81 125125 비교예 1-5Comparative Example 1-5 1-2-11-2-1 HT1HT1 4.404.40 5.635.63 130130 비교예 1-6Comparative Example 1-6 1-2-21-2-2 HT1HT1 4.454.45 5.645.64 135135 비교예 1-7Comparative Example 1-7 1-2-31-2-3 HT1HT1 4.484.48 5.595.59 140140 비교예 1-8Comparative Example 1-8 1-2-11-2-1 HT2HT2 4.564.56 5.425.42 130130 비교예 1-9Comparative Example 1-9 1-2-11-2-1 HT3HT3 4.424.42 5.655.65 140140 비교예 1-10Comparative Example 1-10 1-2-11-2-1 HT4HT4 4.394.39 5.685.68 140140 비교예 1-11Comparative Example 1-11 1-2-21-2-2 HT2HT2 4.584.58 5.455.45 135135 비교예 1-12Comparative Example 1-12 1-2-21-2-2 HT3HT3 4.444.44 5.655.65 130130 비교예 1-13Comparative Example 1-13 1-2-21-2-2 HT4HT4 4.384.38 5.635.63 145145 비교예 1-14Comparative Example 1-14 1-2-31-2-3 HT2HT2 4.524.52 5.475.47 135135 비교예 1-15Comparative Example 1-15 1-2-31-2-3 HT3HT3 4.484.48 5.575.57 145145 비교예 1-16Comparative Example 1-16 1-2-31-2-3 HT4HT4 4.394.39 5.565.56 145145 실시예 1-1Example 1-1 [HI1]:1-1-1:=98:2[HI1]: 1-1-1: = 98: 2 화합물 2-1Compound 2-1 3.823.82 6.256.25 155155 실시예 1-2Example 1-2 [HI1]:1-1-1:=98:2[HI1]: 1-1-1: = 98: 2 화합물 2-2Compound 2-2 3.823.82 6.276.27 150150 실시예 1-3Example 1-3 1-2-11-2-1 화합물 2-1Compound 2-1 4.084.08 6.066.06 160160 실시예 1-4Example 1-4 1-2-21-2-2 화합물 2-1Compound 2-1 4.024.02 6.046.04 170170 실시예 1-5Example 1-5 1-2-31-2-3 화합물 2-1Compound 2-1 4.054.05 6.036.03 165165 실시예 1-6Example 1-6 1-2-11-2-1 화합물 2-2Compound 2-2 4.014.01 6.096.09 165165 실시예 1-7Example 1-7 1-2-21-2-2 화합물 2-2Compound 2-2 4.064.06 6.076.07 175175 실시예 1-8Example 1-8 1-2-31-2-3 화합물 2-2Compound 2-2 4.0034.003 6.366.36 165165

비교예 1-1 내지 1-4의 청색 유기 발광 소자는 [HI1]:1-1-1:=98:2(몰비)로 정공주입층을 사용하고, 화합물 HT1 내지 HT4의 화합물을 정공수송층으로 사용하는 소자구조로 기본적인 p-doping 소자의 특성을 나타내고 있다.The blue organic light emitting devices of Comparative Examples 1-1 to 1-4 use a hole injection layer with [HI1]: 1-1-1: = 98: 2 (molar ratio), and the compounds of compounds HT1 to HT4 are used as the hole transport layer. It shows the characteristics of the basic p-doping device with the device structure used.

비교예 1-5 내지 1-16의 청색 유기 발광 소자는 1-2-1 내지 1-2-3의 화합물을 정공주입층으로 사용하고, 화합물 HT1 내지 HT4의 화합물을 정공수송층으로 사용하여 기본적인 Layer type 소자의 특성을 나타내고 있다.In the blue organic light emitting diodes of Comparative Examples 1-5 to 1-16, a compound of 1-2-1 to 1-2-3 was used as a hole injection layer, and a compound of compounds HT1 to HT4 was used as a hole transport layer to form a basic layer. It shows the characteristics of the type device.

실시예 1-1 및 1-2는 기본적인 p-doping 소자에서 HT-1 내지 HT-4의 화합물 대신 2-1 및 2-2의 화합물을 정공수송층으로 사용하였을 때 유기 발광 소자의 발광효율, 구동전압 및 수명을 개선할 수 있다는 것을 확인할 수 있다.In Examples 1-1 and 1-2, when the compounds of 2-1 and 2-2 were used as the hole transport layer instead of the compounds of HT-1 to HT-4 in the basic p-doping device, the luminous efficiency and driving of the organic light emitting device were driven. It can be seen that the voltage and life can be improved.

실시예 1-3 내지 1-8는 1-2-1 내지 1-2-3의 화합물을 정공주입층으로 사용하는 Layer type 소자에서 HT-1 내지 HT-4의 화합물 대신 2-1 및 2-2의 화합물을 정공수송층으로 사용하였을 때 유기 발광 소자의 발광효율, 구동전압 및 수명을 개선할 수 있다는 것을 확인할 수 있다.Examples 1-3 to 1-8 are 2-1 and 2- instead of the compounds of HT-1 to HT-4 in the layer type device using the compound of 1-2-1 to 1-2-3 as the hole injection layer. It can be seen that when the compound of 2 is used as the hole transport layer, it is possible to improve the luminous efficiency, driving voltage, and lifetime of the organic light emitting device.

Homo값이 5.2eV 정도인 HT1 및 5.8eV 정도인 HT-3은 인접한 층에 대한 barrier가 커서 전압이 크게 상승하는 결과를 얻었다. 카바졸의 3, 6번위치에 직접 아민기가 연결된 HT2의 물질을 사용한 비교예는 소자의 특성이 가장 저조하게 측정되었다. HT4는 청구항 1의 화학식 2와는 달리 meta로 연결된 구조이며, 상대적으로 효율이 낮게 측정되었다.HT1 having a Homo value of about 5.2eV and HT-3 having a degree of 5.8eV have a large barrier to adjacent layers, resulting in a large voltage increase. In the comparative example using a material of HT2 in which an amine group is directly connected to positions 3 and 6 of carbazole, the characteristics of the device were most poorly measured. Unlike Formula 2 of claim 1, HT4 is a meta-linked structure, and its efficiency is relatively low.

이를 통하여 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1-2(Tetracyanoquinodimethane:TCNQ 코어 및 이의 유도체를 코어로 포함)의 화합물을 Layer type 정공주입층 재료로 사용하거나, 상기 화학식 1-1의 화합물을 p-doping 정공주입층 재료로 사용한 소자구조에서 화학식 2의 화합물을 정공수송층으로 조합하여 만들어지는 청색 유기 발광 소자의 구동전압, 발광효율 및 수명 특성을 개선할 수 있다는 것을 확인할 수 있다.Through this, a compound of Formula 1-2 (including Tetracyanoquinodimethane: TCNQ core and derivatives thereof as a core) according to one embodiment of the present specification is used as a layer type hole injection layer material, or the compound of Formula 1-1 is p- It can be seen that in the device structure used as the doping hole injection layer material, the driving voltage, luminous efficiency, and lifetime characteristics of the blue organic light emitting device formed by combining the compound of Formula 2 as the hole transport layer can be improved.

1: 기판
2: 양극
4: 음극
5: 정공 주입층
6: 정공 수송층
7: 발광층
8: 전자 수송층
1: Substrate
2: anode
4: Cathode
5: hole injection layer
6: hole transport layer
7: emitting layer
8: electron transport layer

Claims (13)

양극; 상기 양극과 대향하여 구비된 음극; 및 상기 양극과 음극 사이에 구비된 1 층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서,
상기 유기물층은 양극에 인접하는 정공 주입층, 상기 정공 주입층 상에 구비된 정공 수송층 및 상기 정공 수송층 상에 구비된 발광층을 포함하고,
상기 정공 주입층은 하기 화학식 1-1 내지 1-2로 표시되는 화합물로 구성된 군에서 선택된 화합물을 포함하고,
상기 정공 수송층은 하기 화학식 2-1로 표시되는 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자:
[화학식 1-1] [화학식 1-2]
Figure 112019108034583-pat00042
Figure 112019108034583-pat00043

상기 화학식 1-1에서,
R1 내지 R5는 각각 독립적으로 시아노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴기이고,
상기 화학식 1-2에서,
R15 내지 R18은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 시아노기, 탄소수 1 내지 40의 알킬기, 탄소수 1 내지 40의 할로알킬기, 탄소수 1 내지 40의 할로알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴기이고,
Y3 및 Y4는 각각 독립적으로 C-R19 또는 N이고,
R19는 각각 독립적으로 시아노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴기이고,
[화학식 2-1]
Figure 112019108034583-pat00064

상기 화학식 2-1에서,
Ar1은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴렌기이고,
X1은 비결합, 단일결합, 탄소수 1 내지 3의 알킬렌기, O 또는 S이고,
L3 내지 L6은 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기, 혹은 치환 또는 비치환된 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴렌기이고,
Ar2 및 Ar3는 각각 독립적으로 하기 치환기로 구성된 군으로부터 선택된 치환기이고,
Figure 112019108034583-pat00045

Ar4 내지 Ar6는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴기이고,
X2 및 X3는 각각 독립적으로 단일결합, O 또는 S이다.
anode; A cathode provided opposite the anode; And one or more organic material layers provided between the anode and the cathode,
The organic material layer includes a hole injection layer adjacent to the anode, a hole transport layer provided on the hole injection layer, and a light emitting layer provided on the hole transport layer,
The hole injection layer includes a compound selected from the group consisting of compounds represented by the following Chemical Formulas 1-1 to 1-2,
The hole transport layer comprises a compound represented by the following formula 2-1, an organic light emitting device:
[Formula 1-1] [Formula 1-2]
Figure 112019108034583-pat00042
Figure 112019108034583-pat00043

In Chemical Formula 1-1,
R 1 to R 5 are each independently a cyano group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted O, N, Si and S containing at least one of 2 to 60 carbon atoms. Heteroaryl group,
In Chemical Formula 1-2,
R 15 to R 18 are each independently hydrogen, halogen, cyano group, alkyl group having 1 to 40 carbon atoms, haloalkyl group having 1 to 40 carbon atoms, haloalkoxy group having 1 to 40 carbon atoms, substituted or unsubstituted 6 to 60 carbon atoms. An aryl group, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 60 carbon atoms containing at least one of O, N, Si and S,
Y 3 and Y 4 are each independently CR 19 or N,
R 19 are each independently a cyano group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 60 carbon atoms including one or more of O, N, Si and S. ego,
[Formula 2-1]
Figure 112019108034583-pat00064

In Chemical Formula 2-1,
Ar 1 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 60 carbon atoms including one or more of O, N, Si and S,
X 1 is a non-bonding, single-bonding, alkylene group having 1 to 3 carbon atoms, O or S,
L 3 to L 6 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 50 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted O, N, Si and S containing at least one of 2 to 50 carbon atoms. A heteroarylene group,
Ar 2 and Ar 3 are each independently a substituent selected from the group consisting of the following substituents,
Figure 112019108034583-pat00045

Ar 4 to Ar 6 are each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 60 carbon atoms containing at least one of O, N, Si and S ego,
X 2 and X 3 are each independently a single bond, O or S.
제 1 항에 있어서, R2 및 R3 중 하나와 R4 및 R5 중 하나는 시아노기이고,
R1; R2 및 R3 중 다른 하나; 그리고 R4 및 R5 중 다른 하나는 각각 독립적으로 시아노기; 할로겐 및 시아노기로 구성된 군에서 선택된 1종 이상으로 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 혹은 할로겐 및 시아노기로 구성된 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환된 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기인, 유기 발광 소자.
The method of claim 1, wherein one of R 2 and R 3 and one of R 4 and R 5 is a cyano group,
R 1 ; The other of R 2 and R 3 ; And the other of R 4 and R 5 are each independently a cyano group; An aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted with one or more selected from the group consisting of halogen and cyano groups; Or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms containing at least one of O, N, Si and S substituted with one or more substituents selected from the group consisting of halogen and cyano groups, an organic light emitting device.
제 1 항에 있어서, R2 및 R4는 시아노기이고,
R1, R3 및 R5는 각각 독립적으로 할로겐 및 시아노기로 구성된 군에서 선택된 1종 이상으로 치환된 페닐기인, 유기 발광 소자.
The method according to claim 1, wherein R 2 and R 4 are cyano groups,
R 1 , R 3 and R 5 are each independently an phenyl group substituted with one or more selected from the group consisting of halogen and cyano groups, an organic light-emitting device.
제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물은 하기 화합물인, 유기 발광 소자:
Figure 112018032584612-pat00046
.
The organic light emitting device of claim 1, wherein the compound represented by Chemical Formula 1-1 is the following compound:
Figure 112018032584612-pat00046
.
제 1 항에 있어서, R15 및 R16 중 하나와 R17 및 R18 중 하나는 각각 독립적으로 할로겐, 시아노기, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 탄소수 1 내지 5의 할로알킬기 및 탄소수 1 내지 5의 할로알콕시기로 구성된 군에서 선택된 1종 이상으로 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 혹은 할로겐, 시아노기, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 탄소수 1 내지 5의 할로알킬기 및 탄소수 1 내지 5의 할로알콕시기로 구성된 군에서 선택된 1종 이상으로 치환된 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기이고,
R15 및 R16 중 다른 하나와 R17 및 R18 중 다른 하나는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 또는 탄소수 1 내지 5의 할로알킬기인, 유기 발광 소자.
The method of claim 1, wherein one of R 15 and R 16 and one of R 17 and R 18 are each independently a halogen, cyano group, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or 1 to 5 carbon atoms. An aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted with at least one member selected from the group consisting of haloalkoxy groups; Or one or more of O, N, Si and S substituted with one or more selected from the group consisting of halogen, cyano group, alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, haloalkyl group having 1 to 5 carbon atoms and haloalkoxy group having 1 to 5 carbon atoms. Heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms containing,
The other of R 15 and R 16 and the other of R 17 and R 18 are each independently hydrogen, halogen or a haloalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an organic light-emitting device.
제 1 항에 있어서, Y3 및 Y4는 C-R19이고,
R19는 각각 독립적으로 시아노기; 할로겐 및 시아노기로 구성된 군에서 선택된 1종 이상으로 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 혹은 할로겐 및 시아노기로 구성된 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환된 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기인, 유기 발광 소자.
The method according to claim 1, Y 3 and Y 4 is CR 19 ,
R 19 are each independently a cyano group; An aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted with one or more selected from the group consisting of halogen and cyano groups; Or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms containing at least one of O, N, Si and S substituted with one or more substituents selected from the group consisting of halogen and cyano groups, an organic light emitting device.
제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물은 하기 화합물로 구성되는 군으로부터 선택되는, 유기 발광 소자:
Figure 112018032584612-pat00047

Figure 112018032584612-pat00048

Figure 112018032584612-pat00049

Figure 112018032584612-pat00050

Figure 112018032584612-pat00051

Figure 112018032584612-pat00052
.
The organic light emitting device of claim 1, wherein the compound represented by Chemical Formula 1-2 is selected from the group consisting of the following compounds:
Figure 112018032584612-pat00047

Figure 112018032584612-pat00048

Figure 112018032584612-pat00049

Figure 112018032584612-pat00050

Figure 112018032584612-pat00051

Figure 112018032584612-pat00052
.
제 1 항에 있어서, Ar1은 벤젠, 나프탈렌, 바이페닐, 터페닐, 트리페닐렌, 페닐나프탈렌, 9,9-디메틸플루오렌, 9,9-디페닐플루오렌 및 스피로[플루오렌-9,9'-플루오렌]으로 구성된 군에서 선택된 아렌 유래의 1가 잔기인, 유기 발광 소자.
The method of claim 1, wherein Ar 1 is benzene, naphthalene, biphenyl, terphenyl, triphenylene, phenylnaphthalene, 9,9-dimethylfluorene, 9,9-diphenylfluorene and spiro [fluorene-9, 9'-fluorene] is an organic light-emitting device, which is a monovalent residue derived from arenes selected from the group consisting of.
◈청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈◈ Claim 9 was abandoned when payment of the set registration fee was made.◈ 제 1 항에 있어서, L1 및 L2는 각각 독립적으로, 벤젠, 나프탈렌, 바이페닐 및 터페닐로 구성된 군에서 선택된 아렌 유래의 2가 잔기인, 유기 발광 소자.
The organic light emitting device according to claim 1, wherein L 1 and L 2 are each independently a divalent residue derived from arenes selected from the group consisting of benzene, naphthalene, biphenyl and terphenyl.
제 1 항에 있어서, Ar4 및 Ar5는 각각 독립적으로 벤젠, 나프탈렌, 바이페닐 및 터페닐로 구성된 군에서 선택된 아렌 유래의 1가 잔기인, 유기 발광 소자.
The organic light emitting device according to claim 1, wherein Ar 4 and Ar 5 are each independently a monovalent residue derived from arenes selected from the group consisting of benzene, naphthalene, biphenyl and terphenyl.
제 1 항에 있어서, Ar6는 페닐인, 유기 발광 소자.
The organic light emitting device according to claim 1, wherein Ar 6 is phenyl.
삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 화학식 2-1로 표시되는 화합물은 하기 화합물로 구성되는 군으로부터 선택되는, 유기 발광 소자:
Figure 112020500749315-pat00054

Figure 112020500749315-pat00055

Figure 112020500749315-pat00056

Figure 112020500749315-pat00057

Figure 112020500749315-pat00058

Figure 112020500749315-pat00059

Figure 112020500749315-pat00060

Figure 112020500749315-pat00061

Figure 112020500749315-pat00062
The organic light emitting device of claim 1, wherein the compound represented by Chemical Formula 2-1 is selected from the group consisting of the following compounds:
Figure 112020500749315-pat00054

Figure 112020500749315-pat00055

Figure 112020500749315-pat00056

Figure 112020500749315-pat00057

Figure 112020500749315-pat00058

Figure 112020500749315-pat00059

Figure 112020500749315-pat00060

Figure 112020500749315-pat00061

Figure 112020500749315-pat00062
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