KR20200035905A - Novel compound and organic light emitting device comprising the same - Google Patents

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KR20200035905A
KR20200035905A KR1020190120106A KR20190120106A KR20200035905A KR 20200035905 A KR20200035905 A KR 20200035905A KR 1020190120106 A KR1020190120106 A KR 1020190120106A KR 20190120106 A KR20190120106 A KR 20190120106A KR 20200035905 A KR20200035905 A KR 20200035905A
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Abstract

The present invention provides a novel compound and an organic light emitting device using the same. The compound represented by chemical formula 1 can be used as a material for an organic material layer of the organic light emitting device, and can improve efficiency, lower driving voltage, and/or improve lifespan characteristics in the organic light emitting device.

Description

신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자{Novel compound and organic light emitting device comprising the same}Novel compound and organic light emitting device comprising the same}

본 발명은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다. The present invention relates to a novel compound and an organic light emitting device comprising the same.

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 넓은 시야각, 우수한 콘트라스트, 빠른 응답 시간을 가지며, 휘도, 구동 전압 및 응답 속도 특성이 우수하여 많은 연구가 진행되고 있다. In general, the organic light emitting phenomenon refers to a phenomenon that converts electrical energy into light energy using an organic material. The organic light emitting device using the organic light emitting phenomenon has a wide viewing angle, excellent contrast, and fast response time, and has excellent luminance, driving voltage, and response speed characteristics, and thus many studies have been conducted.

유기 발광 소자는 일반적으로 양극과 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 유기물 층을 포함하는 구조를 가진다. 상기 유기물 층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. The organic light emitting device generally has a structure including an anode and a cathode and an organic material layer between the anode and the cathode. In order to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, the organic material layer is often formed of a multi-layered structure composed of different materials, for example, may be formed of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like. When a voltage is applied between two electrodes in the structure of the organic light emitting device, holes are injected at the anode and electrons are injected at the cathode, and excitons are formed when the injected holes meet the electrons. When it falls to the ground again, it will shine.

상기와 같은 유기 발광 소자에 사용되는 유기물에 대하여 새로운 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.The development of new materials for organic materials used in the organic light emitting device as described above is continuously required.

한국특허공개 제10-2000-0051826호Korean Patent Publication No. 10-2000-0051826

본 발명은 신규한 유기발광 재료 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a novel organic light emitting material and an organic light emitting device comprising the same.

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다:The present invention provides a compound represented by Formula 1:

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에서,In Chemical Formula 1,

A는 치환 또는 비치환된 C10-60 아릴이고,A is substituted or unsubstituted C 10-60 aryl,

X1, X2 및 X3는 각각 독립적으로, CH 또는 N이고, 단 X1, X2 및 X3 중 적어도 둘은 N이고,X 1 , X 2 and X 3 are each independently CH or N, provided that at least two of X 1, X 2 and X 3 are N,

Y는 O 또는 S이고,Y is O or S,

L은 단일결합; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S 중 하나 이상을 포함하는 C2-60 헤테로아릴렌이고,L is a single bond; Substituted or unsubstituted C 6-60 arylene; Or substituted or unsubstituted C 2-60 heteroarylene comprising one or more of N, O and S,

Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S 중 하나 이상을 포함하는 C2-60 헤테로아릴이다.Ar 1 and Ar 2 are each independently, substituted or unsubstituted C 6-60 aryl; Or substituted or unsubstituted C 2-60 heteroaryl comprising one or more of N, O and S.

또한, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물 층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자를 제공한다.In addition, the present invention is a first electrode; A second electrode provided to face the first electrode; And an organic light emitting device including at least one layer of an organic material provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one layer of the organic material layer includes a compound represented by Chemical Formula 1, and provides an organic light emitting device. do.

상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 유기물 층의 재료로서 사용될 수 있으며, 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 특히, 상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공주입, 정공수송, 정공주입, 정공억제 및 수송, 발광, 전자수송, 또는 전자주입 재료로 사용될 수 있다.The compound represented by Chemical Formula 1 may be used as a material of an organic material layer of an organic light emitting device, and may improve efficiency, low driving voltage, and / or life characteristics in the organic light emitting device. In particular, the compound represented by Formula 1 may be used as a hole injection, hole transport, hole injection, hole suppression and transport, light emission, electron transport, or electron injection material.

도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(3), 정공저지층(7), 전자수송층(8), 전자주입층(9) 및 음극(4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
FIG. 1 shows an example of an organic light emitting device including a substrate 1, an anode 2, a light emitting layer 3, and a cathode 4.
2 is a substrate (1), anode (2), hole injection layer (5), hole transport layer (6), light emitting layer (3), hole blocking layer (7), electron transport layer (8), electron injection layer (9) And an example of an organic light-emitting device comprising the cathode 4.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail to help understanding.

본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다. The present invention provides a compound represented by Formula 1 above.

본 명세서에서,

Figure pat00002
는 다른 치환기에 연결되는 결합을 의미한다. In this specification,
Figure pat00002
Means a linkage to another substituent.

본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 사이클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 또는 N, O 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 비페닐기일 수 있다. 즉, 비페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.The term "substituted or unsubstituted" as used herein refers to deuterium; Halogen group; Nitrile group; Nitro group; Hydroxy group; Carbonyl group; Ester groups; Imide group; Amino group; Phosphine oxide group; Alkoxy groups; Aryloxy group; Alkyl thioxy group; Arylthioxy group; Alkyl sulfoxy group; Aryl sulfoxyl group; Silyl group; Boron group; Alkyl groups; Cycloalkyl group; Alkenyl group; Aryl group; Aralkyl group; An alkenyl group; Alkyl aryl groups; Alkylamine groups; Aralkylamine group; Heteroarylamine group; Arylamine group; Arylphosphine group; Or substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of heterocyclic groups containing one or more of N, O and S atoms, or substituted or unsubstituted with two or more substituents among the exemplified substituents above . For example, "a substituent having two or more substituents" may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group or may be interpreted as a substituent to which two phenyl groups are connected.

본 명세서에서 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms of the carbonyl group is not particularly limited, but is preferably 1 to 40 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.

Figure pat00003
Figure pat00003

본 명세서에 있어서, 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 25의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the oxygen of the ester group may be substituted with a straight chain, branched or cyclic alkyl group having 1 to 25 carbon atoms or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Specifically, it may be a compound of the following structural formula, but is not limited thereto.

Figure pat00004
Figure pat00004

본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In this specification, the number of carbon atoms of the imide group is not particularly limited, but is preferably 1 to 25 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.

Figure pat00005
Figure pat00005

본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the silyl group is specifically trimethylsilyl group, triethylsilyl group, t-butyldimethylsilyl group, vinyldimethylsilyl group, propyldimethylsilyl group, triphenylsilyl group, diphenylsilyl group, phenylsilyl group, etc. However, it is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the boron group is specifically a trimethyl boron group, a triethyl boron group, a t-butyldimethyl boron group, a triphenyl boron group, a phenyl boron group, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.In the present specification, examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine or iodine.

본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 사이클로펜틸메틸, 사이클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be straight chain or branched chain, and carbon number is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. According to an exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 6 carbon atoms. Specific examples of the alkyl group are methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, pentyl, n -Pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl , n-heptyl, 1-methylhexyl, cyclopentylmethyl, cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2 -Dimethylheptyl, 1-ethyl-propyl, 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, 2-methylpentyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkenyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 40. According to one embodiment, the carbon number of the alkenyl group is 2 to 20. According to another exemplary embodiment, the alkenyl group has 2 to 10 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkenyl group has 2 to 6 carbon atoms. Specific examples include vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, 2-pentenyl, 3-pentenyl, 3-methyl-1- Butenyl, 1,3-butadienyl, allyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, 2,2-diphenylvinyl-1-yl, 2-phenyl-2- ( Naphthyl-1-yl) vinyl-1-yl, 2,2-bis (diphenyl-1-yl) vinyl-1-yl, steelbenyl group, styrenyl group, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 사이클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 3-메틸사이클로펜틸, 2,3-디메틸사이클로펜틸, 사이클로헥실, 3-메틸사이클로헥실, 4-메틸사이클로헥실, 2,3-디메틸사이클로헥실, 3,4,5-트리메틸사이클로헥실, 4-tert-부틸사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms, and according to an exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 30 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 20 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 6 carbon atoms. Specifically, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3-dimethylcyclohexyl, 3, 4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert-butylcyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 10 내지 60이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group is not particularly limited, but is preferably 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to one embodiment, the carbon number of the aryl group is 10 to 60. According to one embodiment, the carbon number of the aryl group is 6 to 30. According to one embodiment, the carbon number of the aryl group is 6 to 20. The aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, etc., as a monocyclic aryl group, but is not limited thereto. The polycyclic aryl group may be a naphthyl group, anthracenyl group, phenanthryl group, pyrenyl group, perylenyl group, chrysenyl group, fluorenyl group, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다. 상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,

Figure pat00006
등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the fluorenyl group may be substituted, and two substituents may combine with each other to form a spiro structure. When the fluorenyl group is substituted,
Figure pat00006
It can be back. However, it is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종 원소로 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 이소옥사졸릴기, 티아디아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heterocyclic group is a heterocyclic group containing one or more of O, N, Si, and S as heterogeneous elements, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 60 carbon atoms. Examples of the heterocyclic group include thiophene group, furan group, pyrrol group, imidazole group, thiazole group, oxazole group, oxadiazole group, triazole group, pyridyl group, bipyridyl group, pyrimidyl group, triazine group, acridil group , Pyridazine group, pyrazinyl group, quinolinyl group, quinazolinyl group, quinoxalinyl group, phthalazinyl group, pyridopyrimidinyl group, pyrido pyrazinyl group, pyrazino pyrazinyl group, isoquinoline group, indole group , Carbazole group, benzoxazole group, benzoimidazole group, benzothiazole group, benzocarbazole group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, benzofuranyl group, phenanthroline group, isooxazolyl group, tiadiia A sleepy group, a phenothiazinyl group and a dibenzofuranyl group, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 아르알케닐기, 알킬아릴기, 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 알킬아릴기, 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민 중 헤테로아릴은 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 탄화수소 고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 아릴기 또는 사이클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 헤테로고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, an aryl group in an aralkyl group, an alkenyl group, an alkylaryl group, and an arylamine group is the same as the exemplified aryl group described above. In the present specification, the alkyl group among the aralkyl group, alkylaryl group, and alkylamine group is the same as the above-described alkyl group. In the present specification, the description of the heteroaryl group among heteroarylamines may be applied. In the present specification, the alkenyl group in the alkenyl group is the same as the exemplified alkenyl group. In the present specification, the description of the aryl group described above may be applied, except that the arylene is a divalent group. In the present specification, the description of the heterocyclic group described above may be applied, except that the heteroarylene is a divalent group. In the present specification, the hydrocarbon ring is not a monovalent group, and a description of the aryl group or cycloalkyl group described above may be applied, except that two substituents are formed by bonding. In the present specification, the heterocycle is not a monovalent group, and the description of the aforementioned heterocyclic group may be applied, except that two substituents are formed by bonding.

바람직하게는, A는 비페닐릴, 터페닐릴, 나프틸, 페난쓰레닐, 크라이세닐, 트리페닐레닐, 디메틸플루오레닐, 디페닐플루오레닐, 페닐-디메틸플루오레닐, 스피로비플루오레닐, 페닐-트리페닐레닐, 나프틸-페닐, 페난쓰레닐-페닐, 디메틸플루오레닐-페닐, 트리페닐레닐-페닐, 또는 하기의 치환기일 수 있다:Preferably, A is biphenylyl, terphenylyl, naphthyl, phenanthrenyl, chrysenyl, triphenylenyl, dimethylfluorenyl, diphenylfluorenyl, phenyl-dimethylfluorenyl, spirobifluor Neil, phenyl-triphenylenyl, naphthyl-phenyl, phenanthrenyl-phenyl, dimethylfluorenyl-phenyl, triphenylenyl-phenyl, or the following substituents:

Figure pat00007
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보다 바람직하게는, A는 비페닐릴, 터페닐릴, 나프틸, 페난쓰레닐, 크라이세닐, 트리페닐레닐, 디메틸플루오레닐, 디페닐플루오레닐, 페닐-디메틸플루오레닐, 스피로비플루오레닐, 나프틸-페닐, 페난쓰레닐-페닐, 디메틸플루오레닐-페닐, 트리페닐레닐-페닐, 또는 하기의 치환기일 수 있다:More preferably, A is biphenylyl, terphenylyl, naphthyl, phenanthrenyl, chrysenyl, triphenylenyl, dimethylfluorenyl, diphenylfluorenyl, phenyl-dimethylfluorenyl, spirobiflu Orenyl, naphthyl-phenyl, phenanthrenyl-phenyl, dimethylfluorenyl-phenyl, triphenylenyl-phenyl, or the following substituents:

Figure pat00008
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가장 바람직하게는, A는 비페닐릴, 터페닐릴, 나프틸, 페난쓰레닐, 크라이세닐, 트리페닐레닐, 9,9-디메틸-9H-플루오레닐, 9,9-디페닐-9H-플루오레닐, 9,9-디메틸-2-페닐-9H-플루오레닐, 9,9'-스피로비플루오레닐, 나프틸-페닐, 페난쓰레닐-페닐, 9,9-디메틸-9H-플루오레닐-페닐, 트리페닐레닐-페닐, 또는 하기의 치환기이다: Most preferably, A is biphenylyl, terphenylyl, naphthyl, phenanthrenyl, chrysenyl, triphenylenyl, 9,9-dimethyl-9H-fluorenyl, 9,9-diphenyl-9H- Fluorenyl, 9,9-dimethyl-2-phenyl-9H-fluorenyl, 9,9'-spirobifluorenyl, naphthyl-phenyl, phenanthrenyl-phenyl, 9,9-dimethyl-9H- Fluorenyl-phenyl, triphenylenyl-phenyl, or the following substituents:

Figure pat00009
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바람직하게는, X1, X2 및 X3는 모두 N일 수 있다.Preferably, X 1, X 2 and X 3 may all be N.

바람직하게는, L은 단일결합; 치환 또는 비치환된 C6-20 아릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S 중 하나 이상을 포함하는 C6-20 헤테로아릴렌일 수 있고,Preferably, L is a single bond; Substituted or unsubstituted C 6-20 arylene; Or a substituted or unsubstituted C 6-20 heteroarylene comprising one or more of N, O and S,

보다 바람직하게는, L은 단일결합, 페닐렌, 비페닐릴렌, 또는 터페닐릴렌일 수 있고,More preferably, L may be a single bond, phenylene, biphenylylene, or terphenylylene,

가장 바람직하게는, 상기 L은 단일결합 또는 페닐렌일 수 있다. Most preferably, L may be a single bond or phenylene.

바람직하게는, Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴일 수 있고,Preferably, at least one of Ar 1 and Ar 2 may be substituted or unsubstituted C 6-60 aryl,

보다 바람직하게는, Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6-20 아릴일 수 있다.More preferably, at least one of Ar 1 and Ar 2 may be substituted or unsubstituted C 6-20 aryl.

바람직하게는, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6-20 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S 중 하나 이상을 포함하는 C6-20 헤테로아릴일 수 있고,Preferably, Ar 1 and Ar 2 are each independently, substituted or unsubstituted C 6-20 aryl; Or C 6-20 heteroaryl including one or more of substituted or unsubstituted N, O, and S,

보다 바람직하게는, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 페닐, 비페닐릴, 터페닐릴, 디벤조퓨라닐, 디벤조티오페닐, 카바졸일, 또는 페닐로 치환된 카바졸일일 수 있고,More preferably, Ar 1 and Ar 2 may each independently be phenyl, biphenylyl, terphenylyl, dibenzofuranyl, dibenzothiophenyl, carbazolyl, or carbazoleyl substituted with phenyl,

가장 바람직하게는, 상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 페닐, 비페닐릴, 터페닐릴, 디벤조퓨라닐, 디벤조티오페닐, 카바졸일, 또는 9-페닐-9H-카바졸일일 수 있다.Most preferably, Ar 1 and Ar 2 may each independently be phenyl, biphenylyl, terphenylyl, dibenzofuranyl, dibenzothiophenyl, carbazolyl, or 9-phenyl-9H-carbazolyl have.

바람직하게는, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-4 중 어느 하나로 표시될 수 있다:Preferably, the formula 1 may be represented by any one of the following formulas 1-1 to 1-4:

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure pat00010
Figure pat00010

[화학식 1-2][Formula 1-2]

Figure pat00011
Figure pat00011

[화학식 1-3][Formula 1-3]

Figure pat00012
Figure pat00012

[화학식 1-4][Formula 1-4]

Figure pat00013
Figure pat00013

상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-4에서 A, X1, X2, X3, Y, L, Ar1 및 Ar2는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.In Formula 1-1 to Formula 1-4, A, X 1 , X 2 , X 3 , Y, L, Ar 1 and Ar 2 are as defined in Formula 1 above.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 대표적인 예는 다음과 같다:Representative examples of the compound represented by Formula 1 are as follows:

Figure pat00014
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상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 일례로 하기 반응식 1과 같은 제조 방법으로 제조할 수 있으며, 그 외 나머지 화합물도 유사하게 제조할 수 있다.The compound represented by Chemical Formula 1 may be prepared, for example, by the same method as in Scheme 1 below, and other compounds may be similarly prepared.

[반응식 1][Scheme 1]

Figure pat00089
Figure pat00089

상기 반응식 1에서, A, X1, X2, X3, Y, L, Ar1 및 Ar2는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같으며, X는 할로겐이고, 바람직하게는 X는 클로로 또는 브로모이다.In Reaction Scheme 1, A, X 1 , X 2 , X 3 , Y, L, Ar 1 and Ar 2 are as defined in Chemical Formula 1, X is halogen, and preferably X is chloro or bromo.

상기 반응식 1은 스즈키 커플링 반응으로서, 팔라듐 촉매와 염기 존재 하에 수행하는 것이 바람직하며, 스즈키 커플링 반응을 위한 반응기는 당업계에 알려진 바에 따라 변경이 가능하다. 상기 제조 방법은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있다.Reaction Scheme 1 is a Suzuki coupling reaction, preferably performed in the presence of a palladium catalyst and a base, and the reactor for the Suzuki coupling reaction can be modified as known in the art. The manufacturing method may be more specific in the manufacturing examples to be described later.

또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 일례로, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물 층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자를 제공한다. In addition, the present invention provides an organic light emitting device comprising the compound represented by the formula (1). In one example, the present invention is a first electrode; A second electrode provided to face the first electrode; And an organic light emitting device including at least one layer of an organic material provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one layer of the organic material layer includes a compound represented by Chemical Formula 1, and provides an organic light emitting device. do.

본 발명의 유기 발광 소자의 유기물 층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물 층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present invention may have a single-layer structure, but may have a multi-layer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic light emitting device of the present invention may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer as an organic material layer. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto, and may include a smaller number of organic layers.

또한, 상기 유기물 층은 발광층을 포함할 수 있고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 특히, 본 발명에 따른 화합물은 발광층의 호스트로 사용할 수 있다. In addition, the organic material layer may include a light emitting layer, and the light emitting layer may include a compound represented by Chemical Formula 1. In particular, the compound according to the present invention can be used as a host for a light emitting layer.

또한, 상기 유기물 층은 상기 전자수송층, 전자주입층, 또는 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층을 포함할 수 있고, 상기 전자수송층, 전자주입층, 또는 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. Further, the organic material layer may include the electron transport layer, the electron injection layer, or a layer that simultaneously performs electron transport and electron injection, and the electron transport layer, the electron injection layer, or the layer that simultaneously performs electron transport and electron injection may include the It may include a compound represented by the formula (1).

또한, 상기 유기물 층은 발광층 및 전자수송층을 포함할 수 있고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. In addition, the organic material layer may include a light emitting layer and an electron transport layer, and the light emitting layer may include a compound represented by Chemical Formula 1.

또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물 층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물 층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 예시되어 있다.Further, the organic light emitting device according to the present invention may be an organic light emitting device having a structure in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate. Further, the organic light emitting device according to the present invention may be an organic light emitting device of an inverted type in which a cathode, one or more organic material layers, and an anode are sequentially stacked on a substrate. For example, the structure of the organic light emitting device according to an embodiment of the present invention is illustrated in FIGS. 1 and 2.

도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다. FIG. 1 shows an example of an organic light emitting device including a substrate 1, an anode 2, a light emitting layer 3, and a cathode 4. In such a structure, the compound represented by Chemical Formula 1 may be included in the light emitting layer.

도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(3), 정공저지층(7), 전자수송층(8), 전자주입층(9) 및 음극(4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 정공저지층 및 전자수송층 중 1층 이상에 포함될 수 있다. 2 is a substrate (1), an anode (2), a hole injection layer (5), a hole transport layer (6), a light emitting layer (3), a hole blocking layer (7), an electron transport layer (8), an electron injection layer (9) And an example of an organic light-emitting device comprising the cathode 4. In such a structure, the compound represented by Chemical Formula 1 may be included in one or more of the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the hole blocking layer, and the electron transport layer.

본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 상기 유기물 층 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. The organic light emitting device according to the present invention may be manufactured by materials and methods known in the art, except that at least one layer of the organic material layer includes the compound represented by Chemical Formula 1. In addition, when the organic light emitting device includes a plurality of organic material layers, the organic material layers may be formed of the same material or different materials.

예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시켜 제조할 수 있다. 이때, 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물 층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시켜 제조할 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. For example, the organic light emitting device according to the present invention may be manufactured by sequentially stacking a first electrode, an organic material layer, and a second electrode on a substrate. At this time, a positive electrode is formed by depositing a metal or conductive metal oxide or an alloy thereof on a substrate using a physical vapor deposition (PVD) method such as sputtering or e-beam evaporation. Then, an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer is formed thereon, and a material that can be used as a cathode is deposited thereon. In addition to this method, an organic light emitting device may be formed by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and a cathode material on a substrate.

또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물 층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.In addition, the compound represented by Chemical Formula 1 may be formed as an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method when manufacturing an organic light emitting device. Here, the solution application method means spin coating, dip coating, doctor blading, inkjet printing, screen printing, spraying, roll coating, and the like, but is not limited to these.

이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다(WO 2003/012890). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다. In addition to this method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing an organic material layer and a cathode material from a cathode material on a substrate (WO 2003/012890). However, the manufacturing method is not limited thereto.

일례로, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이거나, 또는 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다.In one example, the first electrode is an anode, the second electrode is a cathode, or the first electrode is a cathode, and the second electrode is an anode.

상기 양극 물질로는 통상 유기물 층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The positive electrode material is preferably a material having a large work function so that hole injection into the organic material layer is smooth. Specific examples of the positive electrode material include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc and gold or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); A combination of metal and oxide such as ZnO: Al or SnO 2 : Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDOT), polypyrrole and polyaniline, but are not limited thereto.

상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 상기 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The cathode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead, or alloys thereof; There is a multilayer structure material such as LiF / Al or LiO 2 / Al, but is not limited thereto.

상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물 층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다. The hole injection layer is a layer for injecting holes from an electrode, and has the ability to transport holes as a hole injection material, and thus has a hole injection effect at an anode, an excellent hole injection effect for a light emitting layer or a light emitting material, and is produced in the light emitting layer. A compound which prevents migration of the excitons to the electron injection layer or the electron injection material, and which has excellent thin film formation ability is preferable. It is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is between the work function of the positive electrode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of the hole injection material include metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic matter, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic matter, quinacridone-based organic matter, and perylene-based Organic materials, anthraquinones, and polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited thereto.

상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The hole transport layer is a layer that transports holes from the hole injection layer to the light emitting layer by receiving holes, and is a material that can transport holes to the light emitting layer by receiving holes from the anode or the hole injection layer as a hole transport material and has a high mobility for holes. This is suitable. Specific examples include arylamine-based organic materials, conductive polymers, and block copolymers having a conjugated portion and a non-conjugated portion, but are not limited thereto.

상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. As the light-emitting material, a material capable of emitting light in the visible light region by receiving and bonding holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, is preferably a material having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole-based compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzo quinoline-metal compound; Benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole compounds; Poly (p-phenylenevinylene) (PPV) polymers; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene, and the like, but are not limited to these.

상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 바람직하게는, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 호스트 재료로 포함할 수 있다.The light emitting layer may include a host material and a dopant material. The host material may be a condensed aromatic ring derivative or a heterocyclic compound. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, fluoranthene compounds, etc., and heterocyclic compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, and ladder types Furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto. Preferably, the compound represented by Formula 1 may be included as a host material.

도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 사이클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the dopant material include aromatic amine derivatives, strylamine compounds, boron complexes, fluoranthene compounds, and metal complexes. Specifically, the aromatic amine derivative is a condensed aromatic ring derivative having a substituted or unsubstituted arylamino group, and includes arylamino groups such as pyrene, anthracene, chrysene, periplanten, and the substituted or unsubstituted styrylamine compound. A compound in which at least one arylvinyl group is substituted with the arylamine, a substituent selected from 1 or 2 or more from the group consisting of an aryl group, a silyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, and an arylamino group is substituted or unsubstituted. Specifically, styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, styryltetraamine, and the like, but are not limited thereto. In addition, examples of the metal complex include an iridium complex and a platinum complex, but are not limited thereto.

상기 정공저지층은 양극에서 주입된 정공이 발광층에서 재결합되지 않고 전자수송층으로 넘어가는 것을 방지하기 위해 전자수송층과 발광층의 사이에 두는 층으로, 정공억제층 또는 정공차단층으로 불리기도 한다. 정공억제층에는 이온화에너지가 큰 물질이 바람직하다.The hole blocking layer is a layer interposed between the electron transport layer and the light emitting layer to prevent holes injected from the anode from being recombined in the light emitting layer and passing into the electron transport layer, and is also referred to as a hole blocking layer or a hole blocking layer. A material having a large ionization energy is preferable for the hole suppressing layer.

상기 전자수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.The electron transport layer is a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports electrons to the light emitting layer. As the electron transport material, a material capable of receiving electrons from the cathode and transferring them to the light emitting layer is suitable. Do. Specific examples include the Al complex of 8-hydroxyquinoline; Complexes including Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited to these. The electron transport layer can be used with any desired cathode material as used according to the prior art. In particular, examples of suitable cathode materials are those that have a low work function and are followed by an aluminum or silver layer. Specifically, cesium, barium, calcium, ytterbium and samarium, each case followed by an aluminum layer or a silver layer.

상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자 주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 질소 함유 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The electron injection layer is a layer that injects electrons from an electrode, has the ability to transport electrons, has an electron injection effect from a cathode, has an excellent electron injection effect on a light emitting layer or a light emitting material, and hole injection of excitons generated in the light emitting layer A compound that prevents migration to the layer and has excellent thin film forming ability is preferred. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone and the like and their derivatives, metal Complex compounds, nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, and the like, but are not limited thereto.

상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis (8-hydroxyquinolinato) zinc, bis (8-hydroxyquinolinato) copper, bis (8-hydroxyquinolinato) manganese, Tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (8-hydroxyquinolinato) gallium, bis (10-hydroxybenzo [h] Quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) ( There are o-cresolato) gallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) (1-naphtholato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinato) (2-naphtholato) gallium, It is not limited to this.

본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a front emission type, a back emission type, or a double-sided emission type depending on the material used.

또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.In addition, the compound represented by Chemical Formula 1 may be included in an organic solar cell or an organic transistor in addition to the organic light emitting device.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조는 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.The preparation of the compound represented by Chemical Formula 1 and the organic light emitting device including the same will be described in detail in the following Examples. However, the following examples are intended to illustrate the invention, and the scope of the invention is not limited by them.

[제조예][Production example]

제조예 1: 화합물 1의 제조Preparation Example 1 Preparation of Compound 1

Figure pat00090
Figure pat00090

1) 중간체 A1의 제조1) Preparation of intermediate A1

질소 분위기에서 2,7-디클로로벤조싸이아졸(10.0 g, 49.0 mmol)와 [1,1'-비페닐]-3-일보론산(16.6 g, 51.5 mmol)를 다이옥세인 100 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 세슘카보네이트(31.9 g, 98.0 mmol)를 물 50 ml에 녹여 투입한 충분히 교반 후 비스(트리-t-부틸포스핀)팔라듐(0)(0.25 g, 0.49 mmol)을 투입하였다. 5 시간 반응 후 상온으로 온도를 낮추고 여과하였다. 여과액을 클로로포름과 물로 추출한 후 유기층을 황산마그네슘을 이용해 건조하였다. 이후 유기층을 감압증류 후 클로로포름과 에틸아세테이트 혼합용액을 이용해 재결정하였다. 생성된 고체를 여과 후 건조하여 중간체 A1(11.3 g, 수율 72 %)을 제조하였다.In a nitrogen atmosphere, 2,7-dichlorobenzothiazole (10.0 g, 49.0 mmol) and [1,1'-biphenyl] -3-ylboronic acid (16.6 g, 51.5 mmol) were added to 100 ml of dioxane and stirred and refluxed. Did. Thereafter, cesium carbonate (31.9 g, 98.0 mmol) was dissolved in 50 ml of water, stirred sufficiently, and bis (tri- t -butylphosphine) palladium (0) (0.25 g, 0.49 mmol) was added. After the reaction for 5 hours, the temperature was reduced to room temperature and filtered. The filtrate was extracted with chloroform and water, and then the organic layer was dried using magnesium sulfate. Thereafter, the organic layer was distilled under reduced pressure and recrystallized using a mixed solution of chloroform and ethyl acetate. The resulting solid was filtered and dried to prepare intermediate A1 (11.3 g, yield 72%).

MS: [M+H]+ = 322MS: [M + H] + = 322

2) 중간체 A2의 제조2) Preparation of intermediate A2

질소 분위기에서 중간체 A1(11.3 g, 27.3 mmol), 비스(피나콜라토)다이보론(7.6 g, 30.1 mmol) 및 아세트산칼륨(8.05 g, 82.0 mmol)을 섞고, 다이옥세인 150 ml에 첨가하고 교반하면서 가열하였다. 환류되는 상태에서 비스(디벤질리딘아세톤)팔라듐(0.47 g, 0.82 mmol)과 트리사이클로헥실포스핀(0.46 g, 1.6 mmol)을 넣고 6 시간 동안 가열 및 교반하였다. 반응 종료 후, 상온으로 온도를 낮춘 후 여과하였다. 여과액에 물을 붓고 클로로포름으로 추출하고, 유기층을 무수황산마그네슘으로 건조하였다. 감압 증류 후 에틸아세테이트로 재결정하여 중간체 A2(8.7 g, 수율 77 %)를 제조하였다. Intermediate A1 (11.3 g, 27.3 mmol), bis (pinacolato) diboron (7.6 g, 30.1 mmol) and potassium acetate (8.05 g, 82.0 mmol) were mixed in a nitrogen atmosphere, added to 150 ml of dioxane and stirred. Heated. In reflux, bis (dibenzylidineacetone) palladium (0.47 g, 0.82 mmol) and tricyclohexylphosphine (0.46 g, 1.6 mmol) were added and heated and stirred for 6 hours. After the reaction was completed, the temperature was reduced to room temperature and filtered. Water was poured into the filtrate, extracted with chloroform, and the organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate. After distillation under reduced pressure, the mixture was recrystallized with ethyl acetate to prepare intermediate A2 (8.7 g, yield 77%).

MS: [M+H]+ = 414MS: [M + H] + = 414

3) 화합물 1의 제조3) Preparation of compound 1

질소 분위기에서 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 중간체 A2(8.7 g, 21.0 mmol)와 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진(7.23 g, 21.0 mmol)을 테트라하이드로퓨란 100 mL에 녹인 후 1.5 M 탄산칼륨수용액(65 mL)을 첨가하고, 비스(트리-t-부틸포스핀)팔라듐(0)(0.11 g, 0.2 mmol)을 넣은 후 7 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 분리하여 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란과 에틸아세테이트를 이용하여 재결정화시켜 건조하여 상기 화합물 1(7.1 g, 수율 57 %)을 제조하였다.Intermediate A2 (8.7 g, 21.0 mmol) and 2-([1,1'-biphenyl] -4-yl) -4-chloro-6-phenyl-1,3,5 in a 250 mL round bottom flask in a nitrogen atmosphere. -Triazine (7.23 g, 21.0 mmol) was dissolved in 100 mL of tetrahydrofuran, and then 1.5 M aqueous potassium carbonate solution (65 mL) was added, bis (tri- t -butylphosphine) palladium (0) (0.11 g, 0.2 mmol) and stirred for 7 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was separated and removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, recrystallized using tetrahydrofuran and ethyl acetate, and dried to prepare Compound 1 (7.1 g, yield 57%).

MS: [M+H]+= 595MS: [M + H] + = 595

제조예 2: 화합물 2의 제조Preparation Example 2: Preparation of compound 2

Figure pat00091
Figure pat00091

1) 중간체 A3의 제조1) Preparation of intermediate A3

[1,1'-비페닐]-3-일보론산 대신 (9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)보론산을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 A3(12.6 g, 수율 71 %)를 제조하였다The intermediate was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A1, except that (9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl) boronic acid was used instead of [1,1'-biphenyl] -3-ylboronic acid. A3 (12.6 g, yield 71%) was prepared.

MS: [M+H]+= 362MS: [M + H] + = 362

2) 중간체 A4의 제조2) Preparation of intermediate A4

중간체 A1 대신 중간체 A3를 사용한 것을 제외하고 중간체 A2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 A4(11.7 g, 수율 74 %)를 제조하였다.The intermediate A4 (11.7 g, yield 74%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A2, except that intermediate A3 was used instead of intermediate A1.

MS: [M+H]+= 454MS: [M + H] + = 454

3) 화합물 2의 제조3) Preparation of compound 2

중간체 A2와 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 중간체 A4와 2-(4-브로모페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 2(10.5 g, 수율 64 %)를 제조하였다.Intermediates A4 and 2- (4-bromophenyl) instead of intermediates A2 and 2-([1,1'-biphenyl] -4-yl) -4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine Compound 2 (10.5 g, yield 64%) was prepared by the same method as the method of preparing compound 1, except that -4,6-diphenyl-1,3,5-triazine was used.

MS: [M+H]+= 635MS: [M + H] + = 635

제조예 3: 화합물 3의 제조Preparation Example 3: Preparation of compound 3

Figure pat00092
Figure pat00092

1) 중간체 A5의 제조1) Preparation of Intermediate A5

[1,1'-비페닐]-3-일보론산 대신 페난스렌-3-일보론산을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 A5(13.0 g, 수율 77 %)를 제조하였다. The intermediate A5 (13.0 g, yield 77%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A1, except that phenanthrene-3-ylboronic acid was used instead of [1,1'-biphenyl] -3-ylboronic acid. Did.

MS: [M+H]+= 346MS: [M + H] + = 346

2) 중간체 A6의 제조2) Preparation of Intermediate A6

중간체 A1 대신 중간체 A5를 사용한 것을 제외하고 중간체 A2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 A6(13.6 g, 수율 83 %)를 제조하였다 The intermediate A6 (13.6 g, yield 83%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A2, except that intermediate A5 was used instead of intermediate A1.

MS: [M+H]+= 438MS: [M + H] + = 438

3) 화합물 3의 제조3) Preparation of compound 3

중간체 A2와 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 중간체 A6와 9-(4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-9H-카바졸을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 3(12.7 g, 수율 65 %)을 제조하였다.Intermediates A2 and 2-([1,1'-biphenyl] -4-yl) -4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine instead of intermediates A6 and 9- (4-chloro-6- Compound 3 (12.7 g, yield 65%) was prepared by the same method as the method of preparing compound 1, except that phenyl-1,3,5-triazin-2-yl) -9H-carbazole was used.

MS: [M+H]+= 632MS: [M + H] + = 632

제조예 4: 화합물 4의 제조Preparation Example 4 Preparation of Compound 4

Figure pat00093
Figure pat00093

1) 중간체 B1의 제조1) Preparation of intermediate B1

2,7-디클로로벤조싸이아졸과 [1,1'-비페닐]-3-일보론산 대신 2,7-디클로로벤조옥사졸과 [1,1':4',1''-터페닐]-3-일보론산을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 B1(13.1 g, 수율 65 %)을 제조하였다.2,7-dichlorobenzothiazole and 2,7-dichlorobenzoxazole and [1,1 ': 4', 1 ''-terphenyl] instead of [1,1'-biphenyl] -3-ylboronic acid The intermediate B1 (13.1 g, yield 65%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A1, except that 3-ylboronic acid was used.

MS: [M+H]+= 275MS: [M + H] + = 275

2) 중간체 B2의 제조2) Preparation of intermediate B2

중간체 A1 대신 중간체 B1를 사용한 것을 제외하고 중간체 A2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 B2(10.6 g, 수율 65 %)를 제조하였다The intermediate B2 (10.6 g, yield 65%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A2, except that intermediate B1 was used instead of intermediate A1.

MS: [M+H]+= 382MS: [M + H] + = 382

3) 화합물 4의 제조3) Preparation of compound 4

중간체 A2와 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 중간체 B2와 2-클로로-4-(디벤조퓨란-4-일)-6-페닐-1,3,5-트리아진를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 4(9.9 g, 수율 66 %)를 제조하였다Intermediates A2 and 2-([1,1'-biphenyl] -4-yl) -4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine instead of intermediates B2 and 2-chloro-4- (dibenzo The compound 4 (9.9 g, yield 66%) was prepared by the same method as the method of preparing compound 1, except that furan-4-yl) -6-phenyl-1,3,5-triazine was used.

MS: [M+H]+= 669MS: [M + H] + = 669

제조예 5: 화합물 5의 제조Preparation Example 5: Preparation of compound 5

Figure pat00094
Figure pat00094

1) 중간체 B3의 제조1) Preparation of intermediate B3

2,7-디클로로벤조싸이아졸과 [1,1'-비페닐]-3-일보론산 대신 2,7-디클로로벤조옥사졸과 나프탈렌-1일보론산을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 B3(11.6 g, 수율 78 %)를 제조하였다.Method of preparing intermediate A1 except that 2,7-dichlorobenzoxazole and naphthalene-1ylboronic acid were used instead of 2,7-dichlorobenzothiazole and [1,1'-biphenyl] -3-ylboronic acid. In the same manner, the intermediate B3 (11.6 g, yield 78%) was prepared.

MS: [M+H]+= 280MS: [M + H] + = 280

2) 중간체 B4의 제조2) Preparation of intermediate B4

중간체 A1 대신 중간체 B3를 사용한 것을 제외하고 중간체 A2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 B4(9.7 g, 수율 77 %)를 제조하였다.The intermediate B4 (9.7 g, yield 77%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A2, except that intermediate B3 was used instead of intermediate A1.

MS: [M+H]+= 372MS: [M + H] + = 372

3) 화합물 5의 제조3) Preparation of compound 5

중간체 A2와 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 중간체 B4와 2-(4-클로로페닐)-4-(디벤조퓨란-3-일)-6-페닐-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 5(10.0 g, 수율 59 %)를 제조하였다.Intermediates A2 and 2-([1,1'-biphenyl] -4-yl) -4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine instead of intermediates B4 and 2- (4-chlorophenyl)- Compound 5 (10.0 g, yield 59%) in the same manner as in the method of preparing compound 1, except that 4- (dibenzofuran-3-yl) -6-phenyl-1,3,5-triazine was used. Was prepared.

MS: [M+H]+= 643MS: [M + H] + = 643

제조예 6: 화합물 6의 제조Preparation Example 6: Preparation of compound 6

Figure pat00095
Figure pat00095

1) 중간체 C1의 제조1) Preparation of intermediate C1

2,7-디클로로벤조싸이아졸과 [1,1'-비페닐]-3-일보론산 대신 2,6-디클로로벤조싸이아졸과 [1,1'-비페닐]-4-일보론산을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C1(10.9 g, 수율 69 %)을 제조하였다.Using 2,6-dichlorobenzothiazole and [1,1'-biphenyl] -4-ylboronic acid instead of 2,7-dichlorobenzothiazole and [1,1'-biphenyl] -3-ylboronic acid The intermediate C1 (10.9 g, yield 69%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A1.

MS: [M+H]+= 322MS: [M + H] + = 322

2) 중간체 C2의 제조2) Preparation of intermediate C2

중간체 A1 대신 중간체 C1를 사용한 것을 제외하고 중간체 A2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C2(10.5 g, 수율 75 %)를 제조하였다.The intermediate C2 (10.5 g, yield 75%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A2, except that intermediate C1 was used instead of intermediate A1.

MS: [M+H]+= 414MS: [M + H] + = 414

3) 화합물 6의 제조3) Preparation of compound 6

중간체 A2와 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 중간체 C2와 (4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진-2일)-9-페닐-9H-카바졸을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 6(10.7 g, 수율 62 %)을 제조하였다.Intermediates C2 and (4-chloro-6-phenyl-) instead of intermediates A2 and 2-([1,1'-biphenyl] -4-yl) -4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine 1,3,5-triazine-2 days) Compound 6 (10.7 g, yield 62%) was prepared by the same method as the method of preparing compound 1, except that 9-phenyl-9H-carbazole was used. .

MS: [M+H]+= 684MS: [M + H] + = 684

제조예 7: 화합물 7의 제조Preparation Example 7: Preparation of compound 7

Figure pat00096
Figure pat00096

1) 중간체 C3의 제조1) Preparation of intermediate C3

2,7-디클로로벤조싸이아졸과 [1,1'-비페닐]-3-일보론산 대신 2,6-디클로로벤조싸이아졸과 [1,1':4',1''-터페닐]-4-일보론산을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C3(13.6 g, 수율 70 %)를 제조하였다.2,7-dichlorobenzothiazole and [1,1'-biphenyl] -3-ylboronic acid instead of 2,6-dichlorobenzothiazole and [1,1 ': 4', 1 ''-terphenyl]- The intermediate C3 (13.6 g, yield 70%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A1 except that 4-ylboronic acid was used.

MS: [M+H]+= 398MS: [M + H] + = 398

2) 중간체 C4의 제조2) Preparation of intermediate C4

중간체 A1 대신 중간체 C2를 사용한 것을 제외하고 중간체 A2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C4(12.7 g, 수율 76 %)를 제조하였다.The intermediate C4 (12.7 g, yield 76%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A2, except that intermediate C2 was used instead of intermediate A1.

MS: [M+H]+=490MS: [M + H] + = 490

3) 화합물 7의 제조3) Preparation of compound 7

중간체 A2와 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 중간체 C4와 2-클로로-4(디벤조퓨란-1일)-6-페닐-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 7(12.9 g, 수율 73 %)을 제조하였다.Intermediates C4 and 2-chloro-4 (dibenzofuran) instead of intermediates A2 and 2-([1,1'-biphenyl] -4-yl) -4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine -1 day) Compound 7 (12.9 g, yield 73%) was prepared by the same method as the method of preparing compound 1, except that 6-phenyl-1,3,5-triazine was used.

MS: [M+H]+= 685MS: [M + H] + = 685

제조예 8: 화합물 8의 제조Preparation Example 8: Preparation of compound 8

Figure pat00097
Figure pat00097

1) 중간체 C5의 제조1) Preparation of intermediate C5

2,7-디클로로벤조싸이아졸과 [1,1'-비페닐]-3-일보론산 대신 2,6-디클로로벤조싸이아졸과 페난스렌-3일보론산을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C5(12.4 g, 수율 73 %)를 제조하였다.Method for preparing intermediate A1 except that 2,6-dichlorobenzothiazole and phenanthrene-3ylboronic acid were used instead of 2,7-dichlorobenzothiazole and [1,1'-biphenyl] -3-ylboronic acid In the same manner as the intermediate C5 (12.4 g, yield 73%) was prepared.

MS: [M+H]+= 346MS: [M + H] + = 346

2) 중간체 C6의 제조2) Preparation of Intermediate C6

중간체 A1 대신 중간체 C5를 사용한 것을 제외하고 중간체 A2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 C6(11.5 g, 수율 73 %)를 제조하였다.The intermediate C6 (11.5 g, yield 73%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A2, except that intermediate C5 was used instead of intermediate A1.

MS: [M+H]+=438MS: [M + H] + = 438

3) 화합물 8의 제조3) Preparation of compound 8

중간체 A2와 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 중간체 C6와 9-(4-(4-클로로페닐)-6-페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-9H-카바졸 을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 8(13.0 g, 수율 70 %)을 제조하였다.Intermediates C2 and 9- (4- (4-chloro) instead of intermediates A2 and 2-([1,1'-biphenyl] -4-yl) -4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine Phenyl) -6-phenyl-1,3,5-triazin-2-yl) -9H-carbazole except for using Compound 8 (13.0 g, yield 70%). ).

MS: [M+H]+= 708MS: [M + H] + = 708

제조예 9: 화합물 9의 제조Preparation Example 9: Preparation of compound 9

Figure pat00098
Figure pat00098

1) 중간체 D1의 제조1) Preparation of intermediate D1

2,7-디클로로벤조싸이아졸과 [1,1'-비페닐]-3-일보론산 대신 2,6-디클로로벤조옥사졸과 (4-(9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)페닐)보론산을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D1(12.9 g, 수율 58 %)을 제조하였다.2,7-dichlorobenzothiazole and 2,6-dichlorobenzoxazole instead of [1,1'-biphenyl] -3-ylboronic acid (4- (9,9-dimethyl-9H-fluorene-2- 1) The intermediate D1 (12.9 g, yield 58%) was prepared in the same manner as in the method for preparing intermediate A1, except that phenyl) boronic acid was used.

MS: [M+H]+= 422MS: [M + H] + = 422

2) 중간체 D2의 제조2) Preparation of intermediate D2

중간체 A1 대신 중간체 D1를 사용한 것을 제외하고 중간체 A2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D2(9.9 g, 수율 63 %)를 제조하였다.The intermediate D2 (9.9 g, yield 63%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A2, except that intermediate D1 was used instead of intermediate A1.

MS: [M+H]+=514MS: [M + H] + = 514

3) 화합물 9의 제조3) Preparation of compound 9

중간체 A2와 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 중간체 D2와 2-클로로-4-(디벤조퓨란-3-일)-6-페닐-1,3,5-트리아진 을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 9(9.2 g, 수율 67 %)를 제조하였다.Intermediates A2 and 2-([1,1'-biphenyl] -4-yl) -4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine instead of intermediates D2 and 2-chloro-4- (dibenzo Compound 9 (9.2 g, yield 67%) was prepared by the same method as the method of preparing compound 1, except that furan-3-yl) -6-phenyl-1,3,5-triazine was used.

MS: [M+H]+= 709MS: [M + H] + = 709

제조예 10: 화합물 10의 제조Preparation Example 10 Preparation of Compound 10

Figure pat00099
Figure pat00099

1) 중간체 D3의 제조1) Preparation of intermediate D3

2,7-디클로로벤조싸이아졸과 [1,1'-비페닐]-3-일보론산 대신 2,6-디클로로벤조옥사졸과 (3-(트리페닐렌-2-일)페닐)보론산을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D3(15.0 g, 수율 62 %)를 제조하였다.2,6-dichlorobenzoxazole and (3- (triphenylen-2-yl) phenyl) boronic acid instead of 2,7-dichlorobenzothiazole and [1,1'-biphenyl] -3-ylboronic acid The intermediate D3 (15.0 g, yield 62%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A1, except that it was used.

MS: [M+H]+= 456MS: [M + H] + = 456

2) 중간체 D4의 제조2) Preparation of intermediate D4

중간체 A1 대신 중간체 D3를 사용한 것을 제외하고 중간체 A2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D4(11.8 g, 수율 65 %)를 제조하였다.The intermediate D4 (11.8 g, yield 65%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A2, except that intermediate D3 was used instead of intermediate A1.

MS: [M+H]+=548MS: [M + H] + = 548

3) 화합물 10의 제조3) Preparation of compound 10

중간체 A2와 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 중간체 D2와 2-클로로-4,6-페닐-1,3,5-트리아진 을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 10(10.0 g, 수율 71 %)을 제조하였다.Intermediates D2 and 2-chloro-4,6-phenyl instead of intermediates A2 and 2-([1,1'-biphenyl] -4-yl) -4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine The compound 10 (10.0 g, yield 71%) was prepared by the same method as the method of preparing compound 1, except that -1,3,5-triazine was used.

MS: [M+H]+= 653MS: [M + H] + = 653

제조예 11: 화합물 11의 제조Preparation Example 11 Preparation of Compound 11

Figure pat00100
Figure pat00100

1) 중간체 E1의 제조1) Preparation of intermediate E1

2,7-디클로로벤조싸이아졸 대신 2,5-디클로로벤조싸이아졸 를 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 E1(12.0 g, 수율 76 %)을 제조하였다.The intermediate E1 (12.0 g, yield 76%) was prepared in the same manner as in the method for preparing intermediate A1, except that 2,5-dichlorobenzothiazole was used instead of 2,7-dichlorobenzothiazole.

MS: [M+H]+= 322MS: [M + H] + = 322

2) 중간체 E2의 제조2) Preparation of intermediate E2

중간체 A1 대신 중간체 E1를 사용한 것을 제외하고 중간체 A2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 E2(9.8 g, 수율 63 %)를 제조하였다.The intermediate E2 (9.8 g, yield 63%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A2, except that intermediate E1 was used instead of intermediate A1.

MS: [M+H]+=414MS: [M + H] + = 414

3) 화합물 11의 제조3) Preparation of compound 11

중간체 A2와 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 중간체 E2와 2-([1,1'-비페닐]-3-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 11(9.5 g, 수율 67 %)을 제조하였다.Intermediates A2 and 2-([1,1'-biphenyl] -4-yl) -4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine instead of intermediates E2 and 2-([1,1'- Biphenyl] -3-yl) -4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine, except that Compound 1 was prepared in the same manner as in Compound 1 (9.5 g, yield 67%) ).

MS: [M+H]+= 595MS: [M + H] + = 595

제조예 12: 화합물 12의 제조Preparation Example 12 Preparation of Compound 12

Figure pat00101
Figure pat00101

1) 중간체 E3의 제조1) Preparation of intermediate E3

2,7-디클로로벤조싸이아졸과 [1,1'-비페닐]-3-일보론산 대신 2,5-디클로로벤조싸이아졸과 페난스렌-9-일보론산 을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 E3(11.7 g, 수율 69 %)를 제조하였다.Preparation of intermediate A1 except that 2,5-dichlorobenzothiazole and phenanthrene-9-ylboronic acid were used instead of 2,7-dichlorobenzothiazole and [1,1'-biphenyl] -3-ylboronic acid The intermediate E3 (11.7 g, yield 69%) was prepared in the same manner as the method.

MS: [M+H]+= 346MS: [M + H] + = 346

2) 중간체 E4의 제조2) Preparation of intermediate E4

중간체 A1 대신 중간체 E3를 사용한 것을 제외하고 중간체 A2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 E4(11.0 g, 수율 74 %)를 제조하였다.The intermediate E4 (11.0 g, yield 74%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A2, except that intermediate E3 was used instead of intermediate A1.

MS: [M+H]+=438MS: [M + H] + = 438

3) 화합물 12의 제조3) Preparation of compound 12

중간체 A2와 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 중간체 E4와 2-클로로-4-(디벤조퓨란-4-일)-6-페닐-1,3,5-트리아진 을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 12 (10.6 g, 수율 67 %)를 제조하였다.Intermediates A2 and 2-([1,1'-biphenyl] -4-yl) -4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine instead of intermediates E4 and 2-chloro-4- (dibenzo Compound 12 (10.6 g, yield 67%) was prepared by the same method as the method of preparing compound 1, except that furan-4-yl) -6-phenyl-1,3,5-triazine was used.

MS: [M+H]+= 633MS: [M + H] + = 633

제조예 13: 화합물 13의 제조Preparation 13: Preparation of compound 13

Figure pat00102
Figure pat00102

1) 중간체 E5의 제조1) Preparation of Intermediate E5

2,7-디클로로벤조싸이아졸과 [1,1'-비페닐]-3-일보론산 대신 2,5-디클로로벤조싸이아졸과 (9,9-디페닐-9H-플루오렌-2-일)보론산을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 E5(14.7 g, 수율 59 %)를 제조하였다.2,7-dichlorobenzothiazole and 2,5-dichlorobenzothiazole (9,9-diphenyl-9H-fluoren-2-yl) instead of [1,1'-biphenyl] -3-ylboronic acid The intermediate E5 (14.7 g, yield 59%) was prepared in the same manner as in the method for preparing intermediate A1, except that boronic acid was used.

MS: [M+H]+= 486MS: [M + H] + = 486

2) 중간체 E6의 제조2) Preparation of intermediate E6

중간체 A1 대신 중간체 E5를 사용한 것을 제외하고 중간체 A2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 E6(11.9 g, 수율 71 %)를 제조하였다.The intermediate E6 (11.9 g, yield 71%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A2, except that intermediate E5 was used instead of intermediate A1.

MS: [M+H]+=578MS: [M + H] + = 578

3) 화합물 13의 제조3) Preparation of compound 13

중간체 A2와 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 중간체 E6와 4-(4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-9-페닐-9H-카바졸 을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 13(11.2 g, 수율 64 %)을 제조하였다.Intermediates A2 and 2-([1,1'-biphenyl] -4-yl) -4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine instead of intermediates E6 and 4- (4-chloro-6- Compound 13 (11.2 g, yield 64%) in the same manner as in the method for preparing compound 1, except that phenyl-1,3,5-triazin-2-yl) -9-phenyl-9H-carbazole was used. Was prepared.

MS: [M+H]+= 848MS: [M + H] + = 848

제조예 14: 화합물 14의 제조Preparation 14: Preparation of compound 14

Figure pat00103
Figure pat00103

1) 중간체 F1의 제조1) Preparation of intermediate F1

2,7-디클로로벤조싸이아졸과 [1,1'-비페닐]-3-일보론산 대신 2,5-디클로로벤조옥사졸과 [1,1'-비페닐]-4-일보론산 을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 F1(10.4 g, 수율 62 %)을 제조하였다.Using 2,5-dichlorobenzoxazole and [1,1'-biphenyl] -4-ylboronic acid instead of 2,7-dichlorobenzothiazole and [1,1'-biphenyl] -3-ylboronic acid The intermediate F1 (10.4 g, yield 62%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A1.

MS: [M+H]+= 306MS: [M + H] + = 306

2) 중간체 F2의 제조2) Preparation of intermediate F2

중간체 A1 대신 중간체 F1를 사용한 것을 제외하고 중간체 A2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 F2(8.9 g, 수율 68 %)를 제조하였다.The intermediate F2 (8.9 g, yield 68%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A2, except that intermediate F1 was used instead of intermediate A1.

MS: [M+H]+=398MS: [M + H] + = 398

3) 화합물 14의 제조3) Preparation of compound 14

중간체 A2와 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 중간체 F2와 9-(4-(3-클로로페닐)-6-페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-9H-카바졸을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 14(9.5 g, 수율 64 %)를 제조하였다.Intermediates F2 and 9- (4- (3-chloro) instead of intermediates A2 and 2-([1,1'-biphenyl] -4-yl) -4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine Phenyl) -6-phenyl-1,3,5-triazin-2-yl) -9H-carbazole, except that Compound 1 was prepared in the same manner as in Compound 1 (9.5 g, yield 64%) ).

MS: [M+H]+= 668MS: [M + H] + = 668

제조예 15: 화합물 15의 제조Preparation 15: Preparation of compound 15

Figure pat00104
Figure pat00104

1) 중간체 F3의 제조1) Preparation of intermediate F3

2,7-디클로로벤조싸이아졸과 [1,1'-비페닐]-3-일보론산 대신 2,5-디클로로벤조옥사졸과 [1,1':3',1''-터페닐]-5'-일보론산 을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 F3(12.3 g, 수율 61 %)를 제조하였다.2,7-dichlorobenzothiazole and 2,5-dichlorobenzoxazole instead of [1,1'-biphenyl] -3-ylboronic acid [1,1 ': 3', 1 ''-terphenyl]- The intermediate F3 (12.3 g, yield 61%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A1 except that 5'-ylboronic acid was used.

MS: [M+H]+= 382MS: [M + H] + = 382

2) 중간체 F4의 제조2) Preparation of intermediate F4

중간체 A1 대신 중간체 F3를 사용한 것을 제외하고 중간체 A2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 F4(10.8 g, 71 %)를 제조하였다.The intermediate F4 (10.8 g, 71%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A2, except that intermediate F3 was used instead of intermediate A1.

MS: [M+H]+=474MS: [M + H] + = 474

3) 화합물 15의 제조3) Preparation of compound 15

중간체 A2와 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 중간체 F4와 2-클로로-4-(디벤조싸이오펜-4-일)-6-페닐-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 15(10.6 g, 수율 68 %)를 제조하였다.Intermediates F2 and 2-chloro-4- (dibenzo) instead of intermediates A2 and 2-([1,1'-biphenyl] -4-yl) -4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine The compound 15 (10.6 g, yield 68%) was prepared by the same method as the method of preparing compound 1, except that thiophen-4-yl) -6-phenyl-1,3,5-triazine was used.

MS: [M+H]+= 685MS: [M + H] + = 685

제조예 16: 화합물 16의 제조Preparation Example 16 Preparation of Compound 16

Figure pat00105
Figure pat00105

1) 중간체 G1의 제조1) Preparation of intermediate G1

2,7-디클로로벤조싸이아졸과 [1,1'-비페닐]-3-일보론산 대신 2,4-디클로로싸이아졸과 나프탈렌-1-일보론산 을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 G1(8.9 g, 수율 62 %)을 제조하였다.Method for preparing intermediate A1 except that 2,7-dichlorobenzothiazole and 2,4-dichlorothiazole and naphthalene-1-ylboronic acid were used instead of [1,1'-biphenyl] -3-ylboronic acid. In the same manner, the intermediate G1 (8.9 g, yield 62%) was prepared.

MS: [M+H]+= 296MS: [M + H] + = 296

2) 중간체 G2의 제조2) Preparation of intermediate G2

중간체 A1 대신 중간체 G1를 사용한 것을 제외하고 중간체 A2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 G2(8.1 g, 수율 70 %)를 제조하였다The intermediate G2 (8.1 g, yield 70%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A2, except that intermediate G1 was used instead of intermediate A1.

MS: [M+H]+=388MS: [M + H] + = 388

3) 화합물 16의 제조3) Preparation of compound 16

중간체 A2와 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 중간체 G2와 2-클로로-4-(디벤조퓨란-2-일)-6-페닐-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 16(8.6 g, 수율 71 %)을 제조하였다.Intermediates A2 and 2-([1,1'-biphenyl] -4-yl) -4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine instead of intermediates G2 and 2-chloro-4- (dibenzo Compound 16 (8.6 g, yield 71%) was prepared by the same method as the method of preparing compound 1, except that furan-2-yl) -6-phenyl-1,3,5-triazine was used.

MS: [M+H]+=583MS: [M + H] + = 583

제조예 17: 화합물 17의 제조Preparation Example 17 Preparation of Compound 17

Figure pat00106
Figure pat00106

1) 중간체 G3의 제조1) Preparation of intermediate G3

2,7-디클로로벤조싸이아졸과 [1,1'-비페닐]-3-일보론산 대신 2,4-디클로로싸이아졸과 [1,1':4',1''-터페닐]-3-일보론산을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 G3(12.6 g, 수율 65 %)를 제조하였다.2,7-dichlorobenzothiazole and [1,1'-biphenyl] -3-ylboronic acid instead of 2,4-dichlorothiazole and [1,1 ': 4', 1 ''-terphenyl] -3 -The intermediate G3 (12.6 g, yield 65%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A1, except that ilboronic acid was used.

MS: [M+H]+= 398MS: [M + H] + = 398

2) 중간체 G4의 제조2) Preparation of intermediate G4

중간체 A1 대신 중간체 G3를 사용한 것을 제외하고 중간체 A2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 G4(10.9 g, 수율 70 %)를 제조하였다The intermediate G4 (10.9 g, yield 70%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A2, except that intermediate G3 was used instead of intermediate A1.

MS: [M+H]+=490MS: [M + H] + = 490

3) 화합물 17의 제조3) Preparation of compound 17

중간체 A2와 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 중간체 G4와 2-(3-클로로페닐)-4-(디벤조싸이오펜-4-일)-6-페닐-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 17(12.1 g, 수율 70 %)을 제조하였다.Intermediates A2 and 2-([1,1'-biphenyl] -4-yl) -4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine instead of intermediates G4 and 2- (3-chlorophenyl)- Compound 17 (12.1 g, yield 70%) in the same manner as in the method of preparing compound 1, except that 4- (dibenzothiophen-4-yl) -6-phenyl-1,3,5-triazine was used. ).

MS: [M+H]+=777MS: [M + H] + = 777

제조예 18: 화합물 18의 제조Preparation Example 18 Preparation of Compound 18

Figure pat00107
Figure pat00107

1) 중간체 G5의 제조1) Preparation of Intermediate G5

2,7-디클로로벤조싸이아졸과 [1,1'-비페닐]-3-일보론산 대신 2,4-디클로로싸이아졸과 (9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)보론산을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 G5(10.8 g, 수율 61 %)를 제조하였다.2,7-dichlorobenzothiazole and 2,4-dichlorothiazole and (9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl) boronic acid instead of [1,1'-biphenyl] -3-ylboronic acid The intermediate G5 (10.8 g, yield 61%) was prepared in the same manner as in the method for preparing intermediate A1 except for using.

MS: [M+H]+= 362MS: [M + H] + = 362

2) 중간체 G6의 제조2) Preparation of intermediate G6

중간체 A1 대신 중간체 G3를 사용한 것을 제외하고 중간체 A2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 G4(8.6 g, 63 %)를 제조하였다.The intermediate G4 (8.6 g, 63%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A2, except that intermediate G3 was used instead of intermediate A1.

MS: [M+H]+=454MS: [M + H] + = 454

3) 화합물 18의 제조3) Preparation of compound 18

중간체 A2와 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 중간체 G6와 2-클로로-4,6-페닐-1,3,5-트리아진 을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 18(7.2 g, 수율 68 %)을 제조하였다.Intermediates G2 and 2-chloro-4,6-phenyl instead of intermediates A2 and 2-([1,1'-biphenyl] -4-yl) -4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine The compound 18 (7.2 g, yield 68%) was prepared by the same method as the method of preparing compound 1, except that -1,3,5-triazine was used.

MS: [M+H]+=559MS: [M + H] + = 559

제조예 19: 화합물 19의 제조Preparation 19: Preparation of compound 19

Figure pat00108
Figure pat00108

1) 중간체 H1의 제조1) Preparation of intermediate H1

2,7-디클로로벤조싸이아졸과 [1,1'-비페닐]-3-일보론산 대신 2,4-디클로로옥사졸과 [1,1':3',1''-터페닐]-5'-일보론산 을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 H1(12.8 g, 수율 63 %)을 제조하였다.2,7-dichlorobenzothiazole and [1,1'-biphenyl] -3-ylboronic acid instead of 2,4-dichlorooxazole and [1,1 ': 3', 1 ''-terphenyl] -5 '-Intermediate H1 (12.8 g, yield 63%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A1, except that ilboronic acid was used.

MS: [M+H]+= 382MS: [M + H] + = 382

2) 중간체 H2의 제조2) Preparation of intermediate H2

중간체 A1 대신 중간체 H1를 사용한 것을 제외하고 중간체 A2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 H2(11.2 g, 수율 70 %)를 제조하였다.The intermediate H2 (11.2 g, yield 70%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A2, except that intermediate H1 was used instead of intermediate A1.

MS: [M+H]+=474MS: [M + H] + = 474

3) 화합물 19의 제조3) Preparation of compound 19

중간체 A2와 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 중간체 H2와 2-(4-클로로페닐)-4-(디벤조퓨란-3-일)-6-페닐-1,3,5-트리아진 을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 19(12.6 g, 수율 69 %)를 제조하였다.Intermediates A2 and 2-([1,1'-biphenyl] -4-yl) -4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine instead of intermediates H2 and 2- (4-chlorophenyl)- The compound 19 (12.6 g, yield 69%) in the same manner as in the method of preparing compound 1, except that 4- (dibenzofuran-3-yl) -6-phenyl-1,3,5-triazine was used. Was prepared.

MS: [M+H]+=745MS: [M + H] + = 745

제조예 20: 화합물 20의 제조Preparation Example 20: Preparation of compound 20

Figure pat00109
Figure pat00109

1) 중간체 H3의 제조1) Preparation of intermediate H3

2,7-디클로로벤조싸이아졸과 [1,1'-비페닐]-3-일보론산 대신 2,4-디클로로옥사졸과 트리페닐렌-2-일보론산 을 사용한 것을 제외하고 중간체 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 H3(14.0 g, 수율 69 %)을 제조하였다.The intermediate A1 was prepared except that 2,7-dichlorobenzothiazole and [2,4-dichlorooxazole and triphenylene-2-ylboronic acid were used instead of [1,1'-biphenyl] -3-ylboronic acid. The intermediate H3 (14.0 g, yield 69%) was prepared in the same manner as the method.

MS: [M+H]+= 380MS: [M + H] + = 380

2) 중간체 H4의 제조2) Preparation of intermediate H4

중간체 A1 대신 중간체 H3를 사용한 것을 제외하고 중간체 A2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 H4(13.1 g, 수율 75 %)를 제조하였다.The intermediate H4 (13.1 g, yield 75%) was prepared in the same manner as the method for preparing intermediate A2, except that intermediate H3 was used instead of intermediate A1.

MS: [M+H]+=472MS: [M + H] + = 472

3) 화합물 20의 제조3) Preparation of compound 20

중간체 A2와 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 중간체 H4와 2-(3-브로모페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 20(12.7 g, 수율 70 %)을 제조하였다.Intermediates H2 and 2- (3-bromophenyl) instead of intermediates A2 and 2-([1,1'-biphenyl] -4-yl) -4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine Compound 20 (12.7 g, yield 70%) was prepared by the same method as the method of preparing compound 1, except that -4,6-diphenyl-1,3,5-triazine was used.

MS: [M+H]+=653MS: [M + H] + = 653

[실시예][Example]

실시예 1Example 1

ITO(Indium Tin Oxide)가 1,300 Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30 분간 세척한 후 증류수로 2 회 반복하여 초음파 세척을 10 분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5 분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.The glass substrate coated with ITO (Indium Tin Oxide) with a thickness of 1,300 Å was placed in distilled water in which detergent was dissolved and washed with ultrasonic waves. At this time, Fischer (Fischer Co.) was used as a detergent, and distilled water filtered secondarily by a filter of Millipore Co. was used as distilled water. After washing the ITO for 30 minutes, ultrasonic washing was repeated for 2 minutes with distilled water twice. After washing with distilled water, ultrasonic cleaning was performed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, followed by drying and transporting to a plasma cleaner. In addition, the substrate was washed for 5 minutes using oxygen plasma, and then transferred to a vacuum evaporator.

이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화합물 HI-A를 100 Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다. 이어서 화합물 HT-A만 800 Å의 두께로 열 진공증착하고, 순차적으로 화합물 HT-B를 500 Å 두께로 진공 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 이어서 발광층에는 앞서 제조한 화합물 1과 하기 화합물 H1을 50:50의 중량비로, 두 호스트 중량 합의 6 중량%의 화합물 GD를 350 Å 의 두께로 진공 증착하였다. 이어서, 정공저지층으로 하기 화합물 ET-A를 50 Å의 두께로 진공 증착하였다. 이어서 전자 수송 및 주입층으로 하기 화합물 ET-B와 Liq를 1:1의 비율로 250 Å의 두께로 열 진공 증착하고 이어서 LiF를 30 Å의 두께로 진공 증착하였다. 상기 전자주입층 위에 1000 Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하여, 유기 발광 소자를 제조하였다.The following compound HI-A was thermally vacuum-deposited to a thickness of 100 증착 on the prepared ITO transparent electrode to form a hole injection layer. Subsequently, only the compound HT-A was thermally vacuum-deposited to a thickness of 800 ,, and the compound HT-B was subsequently vacuum-deposited to a thickness of 500 Å to form a hole transport layer. Subsequently, Compound 1 and the following Compound H1 prepared above were vacuum-deposited on the light emitting layer at a weight ratio of 50:50 and 6 wt% of the compound GD of the two host weights at a thickness of 350 MPa. Subsequently, the following compound ET-A was vacuum-deposited to a thickness of 50 MPa as a hole blocking layer. Subsequently, the following compounds ET-B and Liq as an electron transport and injection layer were thermally vacuum-deposited to a thickness of 250 Pa at a ratio of 1: 1, and then LiF was vacuum-deposited to a thickness of 30 Pa. Aluminum was deposited on the electron injection layer to a thickness of 1000 Å to form a cathode, thereby manufacturing an organic light emitting device.

Figure pat00110
Figure pat00110

실시예 2 내지 실시예 16Examples 2 to 16

호스트 물질을 하기 표 1과 같이 변경하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 실시예 2 내지 실시예 16의 유기 발광 소자를 각각 제작하였다. Each of the organic light emitting devices of Examples 2 to 16 was manufactured using the same method as in Example 1, except that the host material was changed as shown in Table 1 below.

비교예 1 내지 비교예 3Comparative Examples 1 to 3

호스트 물질을 하기 표 1과 같이 변경하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 비교예 1 내지 비교예 3의 유기 발광 소자를 각각 제작하였다. 하기 표 1의 화합물 C1 내지 C3는 아래와 같다.Each of the organic light emitting devices of Comparative Examples 1 to 3 was manufactured using the same method as in Example 1, except that the host material was changed as shown in Table 1 below. Compounds C1 to C3 of Table 1 below are as follows.

Figure pat00111
Figure pat00111

[실험예][Experimental Example]

상기 실시예 1 내지 실시예 16 및 비교예 1 내지 비교예 3에서 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하여, 전압, 효율, 수명(T95)을 측정하고 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. 이때, 전압, 효율은 10 mA/cm2의 전류 밀도를 인가하여 측정되었으며, T95은 전류 밀도 50 mA/cm2에서 초기휘도가 95%로 저하할 때까지의 시간을 의미한다.By applying a current to the organic light-emitting device prepared in Examples 1 to 16 and Comparative Examples 1 to 3, voltage, efficiency, and lifetime (T95) were measured and the results are shown in Table 1 below. At this time, the voltage and efficiency were measured by applying a current density of 10 mA / cm 2 , and T95 means the time until the initial luminance decreased to 95% at the current density of 50 mA / cm 2 .

호스트물질Host material @ 10mA/cm2 @ 10mA / cm 2 @ 50mA/cm2 @ 50mA / cm 2 전압(V)Voltage (V) 효율(cd/A)Efficiency (cd / A) 수명(T95, hr)Life (T95, hr) 실시예 1Example 1 화합물 1Compound 1 4.24.2 63.563.5 9090 실시예 2Example 2 화합물 2Compound 2 4.14.1 62.462.4 8888 실시예 3Example 3 화합물 3Compound 3 4.34.3 63.063.0 105105 실시예 4Example 4 화합물 4Compound 4 4.24.2 62.962.9 9595 실시예 5Example 5 화합물 6Compound 6 4.24.2 62.662.6 9393 실시예 6Example 6 화합물 7Compound 7 4.34.3 62.862.8 8585 실시예 7Example 7 화합물 9Compound 9 4.14.1 64.064.0 8080 실시예 8Example 8 화합물 10Compound 10 4.24.2 63.763.7 8282 실시예 9Example 9 화합물 11Compound 11 4.24.2 63.963.9 9191 실시예 10Example 10 화합물 13Compound 13 4.24.2 63.063.0 8080 실시예 11Example 11 화합물 14Compound 14 4.24.2 62.862.8 8181 실시예 12Example 12 화합물 15Compound 15 4.24.2 63.463.4 8080 실시예 13Example 13 화합물 17Compound 17 4.14.1 63.663.6 8686 실시예 14Example 14 화합물 18Compound 18 4.24.2 63.063.0 9090 실시예 15Example 15 화합물 19Compound 19 4.24.2 62.562.5 9292 실시예 16Example 16 화합물 20Compound 20 4.24.2 62.662.6 8585 비교예 1Comparative Example 1 화합물 C1Compound C1 4.24.2 5555 5555 비교예 2Comparative Example 2 화합물 C2Compound C2 4.94.9 50.650.6 2525 비교예 3Comparative Example 3 화합물 C3Compound C3 5.45.4 20.420.4 2020

상기 표 1에서 보는 바와 같이 본 발명에 따른 화합물을 발광층의 호스트로 사용하여 제조된 유기 발광 소자의 경우에 비교예의 유기 발광 소자에 비하여 효율 및 수명 측면에서 우수한 성능을 나타냄을 알 수 있다. As shown in Table 1, it can be seen that, in the case of the organic light emitting device manufactured by using the compound according to the present invention as a host of the light emitting layer, it shows superior performance in terms of efficiency and lifespan compared to the organic light emitting device of the comparative example.

1: 기판 2: 양극
3: 발광층 4: 음극
5: 정공주입층 6: 정공수송층
7: 정공저지층 8: 전자수송층
9: 전자주입층
1: substrate 2: anode
3: light emitting layer 4: cathode
5: hole injection layer 6: hole transport layer
7: hole blocking layer 8: electron transport layer
9: Electronic injection layer

Claims (8)

하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
[화학식 1]
Figure pat00112

상기 화학식 1에서,
A는 치환 또는 비치환된 C10-60 아릴이고,
X1, X2 및 X3는 각각 독립적으로, CH 또는 N이고, 단 X1, X2 및 X3 중 적어도 둘은 N이고,
Y는 O 또는 S이고,
L은 단일결합; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S 중 하나 이상을 포함하는 C2-60 헤테로아릴렌이고,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S 중 하나 이상을 포함하는 C2-60 헤테로아릴이다.
Compound represented by the formula (1):
[Formula 1]
Figure pat00112

In Chemical Formula 1,
A is substituted or unsubstituted C 10-60 aryl,
X 1 , X 2 and X 3 are each independently CH or N, provided that at least two of X 1, X 2 and X 3 are N,
Y is O or S,
L is a single bond; Substituted or unsubstituted C 6-60 arylene; Or substituted or unsubstituted C 2-60 heteroarylene comprising one or more of N, O and S,
Ar 1 and Ar 2 are each independently, substituted or unsubstituted C 6-60 aryl; Or substituted or unsubstituted C 2-60 heteroaryl comprising one or more of N, O and S.
제1항에 있어서,
A는 비페닐릴, 터페닐릴, 나프틸, 페난쓰레닐, 크라이세닐, 트리페닐레닐, 디메틸플루오레닐, 디페닐플루오레닐, 페닐-디메틸플루오레닐, 스피로비플루오레닐, 페닐-트리페닐레닐, 나프틸-페닐, 페난쓰레닐-페닐, 디메틸플루오레닐-페닐, 트리페닐레닐-페닐, 또는 하기의 치환기인,
화합물:
Figure pat00113
.
According to claim 1,
A is biphenylyl, terphenylyl, naphthyl, phenanthrenyl, chrysenyl, triphenylenyl, dimethylfluorenyl, diphenylfluorenyl, phenyl-dimethylfluorenyl, spirobifluorenyl, phenyl- Triphenylenyl, naphthyl-phenyl, phenanthrenyl-phenyl, dimethylfluorenyl-phenyl, triphenylenyl-phenyl, or the following substituents,
compound:
Figure pat00113
.
제1항에 있어서,
X1, X2 및 X3는 모두 N인,
화합물.
According to claim 1,
X 1, X 2 and X 3 are all N,
compound.
제1항에 있어서,
L은 단일결합, 페닐렌, 비페닐릴렌, 또는 터페닐릴렌인,
화합물.
According to claim 1,
L is a single bond, phenylene, biphenylylene, or terphenylylene,
compound.
제1항에 있어서,
Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴인,
화합물.
According to claim 1,
At least one of Ar 1 and Ar 2 is substituted or unsubstituted C 6-60 aryl,
compound.
제1항에 있어서,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 페닐, 비페닐릴, 터페닐릴, 디벤조퓨라닐, 디벤조티오페닐, 카바졸일, 또는 페닐로 치환된 카바졸일인,
화합물.
According to claim 1,
Ar 1 and Ar 2 are each independently phenyl, biphenylyl, terphenylyl, dibenzofuranyl, dibenzothiophenyl, carbazolyl, or carbazolyl substituted with phenyl,
compound.
제1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인,
화합물:

Figure pat00114

Figure pat00115

Figure pat00116

Figure pat00117

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According to claim 1,
The compound represented by Formula 1 is any one selected from the group consisting of,
compound:

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제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 제1항 내지 제7항 중 어느 하나의 항에 따른 화합물을 포함하는 것인,
유기 발광 소자.
A first electrode; A second electrode provided to face the first electrode; And at least one layer of an organic material provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one layer of the organic material layer includes the compound according to any one of claims 1 to 7. To do,
Organic light emitting device.
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