KR102080231B1 - Susceptor - Google Patents

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KR102080231B1
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(주)티티에스
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    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber

Abstract

본 발명은 유리 기판 지지용 서셉터에 관한 것으로서, 서셉터에 축열영역이 형성되어 유리 기판의 온도 균일도를 향상시키면서도 아킹 발생이나 공정 파티클이 발생되지 않도록 한 유리 기판 지지용 서셉터에 관한 것이다. 이를 위해 지지부, 지지부의 상부면에 형성되며, 유리 기판이 놓이는 유리 기판 접촉부와 유리 기판이 놓이지 않는 유리 기판 비접촉부를 구비하는 탑부를 포함하며, 유리 기판을 기준으로 상대적으로 탑부의 크기를 기 설정된 범위까지 증가시켜 탑부에 축열영역이 형성되도록 함으로써 유리 기판 비접촉부의 면적이 상대적으로 증가되어 유리 기판의 외곽부의 열 손실이 최소화되는 것을 특징으로 하는 유리 기판 지지용 서셉터가 개시된다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a susceptor for supporting a glass substrate. The present invention relates to a susceptor for supporting a glass substrate, in which a heat storage region is formed in the susceptor to improve the temperature uniformity of the glass substrate while preventing arcing or process particles from occurring. To this end, the support portion is formed on the upper surface of the support portion, and includes a top portion having a glass substrate contact portion on which the glass substrate is placed and a non-contact portion of the glass substrate on which the glass substrate is not placed, and a predetermined range of the top portion relative to the glass substrate. The susceptor for supporting a glass substrate is disclosed, wherein the area of the non-contact portion of the glass substrate is relatively increased by increasing the heat storage area to the top, thereby minimizing heat loss of the outer portion of the glass substrate.

Description

유리 기판 지지용 서셉터{Susceptor}Susceptor for Glass Substrate Support

본 발명은 유리 기판 지지용 서셉터에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 서셉터에 축열영역이 형성되어 유리 기판의 온도 균일도를 향상시키면서도 아킹 발생이나 공정 파티클이 발생되지 않도록 한 유리 기판 지지용 서셉터에 관한 것이다.The present invention relates to a susceptor for supporting a glass substrate, and more particularly, to a susceptor for supporting a glass substrate, in which a heat storage region is formed in the susceptor to improve the temperature uniformity of the glass substrate while preventing arcing or process particles. It is about.

도 1에 도시된 바와 같이 유리 기판(10)을 재취하는 종래의 서셉터(30)는 서셉터(30)의 외곽부로 갈수록 온도가 낮아지는 경향을 보인다. 외곽부는 상대적으로 온도가 낮은 챔버 외벽과의 거리가 가깝고, 가스의 유동 등에 의한 열손실 또한 발생하기 때문이다. 이러한 열 손실을 최소화 하기 위해 서셉터(30)의 크기 또는 면적을 증가시키면 유리 기판의 온도에 영향을 미치는 열 손실을 최소화 할 수 있으나, 이에 따라 유리 기판 비접촉부(32b)의 면적이 상대적으로 커지게 되는데, 공정 중 유리 기판에 의해 가려지지 않고 공정환경에 노출되는 비접촉부가 증가하면 비접촉부에 형성된 아노다이징 산화 피막의 크랙에 의한 공정 파티클이 증가하게 되거나 아킹이 상대적으로 많이 발생되는 문제가 있다.As shown in FIG. 1, the conventional susceptor 30 that retakes the glass substrate 10 tends to have a lower temperature toward the outer portion of the susceptor 30. This is because the outer part is close to the chamber outer wall having a relatively low temperature, and heat loss also occurs due to the flow of gas. In order to minimize the heat loss, increasing the size or area of the susceptor 30 may minimize heat loss affecting the temperature of the glass substrate. However, the area of the glass substrate non-contact portion 32b is relatively large. If the non-contact portion exposed to the process environment without being covered by the glass substrate during the process increases, there is a problem that the process particles due to cracks of the anodizing oxide film formed in the non-contact portion increases or arcing is relatively generated.

한편, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 종래의 서셉터(30)는 유리 기판(10)이 놓이는(접촉하는) 유리 기판 접촉부(32a)와 유리 기판이 접촉하지 않는 유리 기판 비접촉부(32b)를 구비한다. 이때, 유리 기판은 점차 대면적화 되고 있으며, 대면적으로 갈수록 성막 균일도를 확보하기 위해 표면 거칠기를 높게 형성할 필요가 있다. 표면 거칠기의 증가는 곧 아노다이징 피막의 결함 증가로 인식되어 유리 기판 접촉부(32a)와 유리 기판 비접촉부(32b)의 표면 거칠기를 서로 다르게 형성한다. 일예로서, 유리 기판 접촉부(32a)의 표면 거칠기는 Ra 20으로 하고, 유리 기판 비접촉부(32b)의 표면 거칠기는 Ra 1.6으로 한다. 이렇게 유리 기판 비접촉부(32b)의 표면 거칠기를 유리 기판 접촉부(32a)의 표면 걸치기 보다 낮게 형성하여 아노다이징 피막의 두께를 일정하게 확보함으로써 아킹 발생을 예방할 수 있다. 그러나 아킹 발생을 예방할 수는 있지만 유리 기판 접촉부와 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기 차이로 인한 단차가(32c)가 필연적으로 발생할 수 밖에 없으며, 이때 단차(또는 유리 기판 비접촉부)에 형성된 아노다이징 산화 피막의 경우 상대적으로 불안정하게 성장하게 된다. 이에 따라 공정 중에 서셉터가 가열되면 열팽창으로 인해 정상 피막보다 쉽게 크랙(깨짐)이 발생되고, 크랙된 산화 피막은 공정 파티클로 되어 공정 오염을 일으키는 문제가 있다. 한편, 지지부(31)의 일영역에는 새도우 프레임(20)이 지지되며, 유리 기판 비접촉부(32b)의 일영역에는 새도우 프레임(20)이 접촉 거치될 수 있다.Meanwhile, as shown in FIGS. 1 and 2, the conventional susceptor 30 has a glass substrate non-contact portion 32b in which the glass substrate contact portion 32a on which the glass substrate 10 is placed (contacts) and the glass substrate do not contact. ). At this time, the glass substrate is gradually becoming large, and it is necessary to form a high surface roughness in order to ensure film-forming uniformity toward a large area. An increase in the surface roughness is immediately recognized as an increase in defects in the anodizing film to form different surface roughnesses of the glass substrate contact portion 32a and the glass substrate non-contact portion 32b. As an example, the surface roughness of the glass substrate contact portion 32a is Ra 20, and the surface roughness of the glass substrate noncontact portion 32b is Ra 1.6. Thus, arcing can be prevented by forming the surface roughness of the glass substrate non-contact portion 32b lower than that of the glass substrate contact portion 32a so as to ensure the thickness of the anodizing film uniformly. However, although arcing can be prevented, a step difference 32c inevitably occurs due to a difference in surface roughness between the glass substrate contact portion and the non-glass substrate contact portion. It grows relatively unstable. Accordingly, when the susceptor is heated during the process, cracking occurs more easily than the normal film due to thermal expansion, and the cracked oxide film becomes a process particle and causes process contamination. Meanwhile, the shadow frame 20 may be supported in one region of the support part 31, and the shadow frame 20 may be contact-mounted in one region of the glass substrate non-contact portion 32b.

이때, 상기 제시된 온도 균일도 향상을 위해 서셉터의 탑부의 면적을 증가시킴과 동시에 유리 기판 접촉부와 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기를 동일하게 할 경우 방전 현상 발생율을 높이는 문제점이 있으며, 이를 개선하기 위해 유리 기판 접촉부와 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기를 달리하여 이중 거칠기를 적용하는 경우 이중 거칠기에 의해 형성되는 단차부에 성장한 피막의 열 안정성이 떨어져 공정 파티클이 발생되는 문제가 있다.In this case, when the surface roughness of the glass substrate contacting portion and the glass substrate non-contacting portion are increased at the same time as the area of the top portion of the susceptor is increased to improve the temperature uniformity, there is a problem of increasing the discharge occurrence rate. When applying the double roughness by different surface roughness of the contact portion and the non-contact portion of the glass substrate, there is a problem in that the thermal stability of the film grown on the stepped portion formed by the double roughness is reduced, resulting in process particles.

대한민국 공개특허공보 KR 10-2013-0058312(발명의 명칭 : 서셉터와 섀도우 프레임 간의 아크 발생 방지 장치)Republic of Korea Patent Application Publication No. KR 10-2013-0058312 (Invention name: Arc generation prevention device between the susceptor and the shadow frame) 대한민국 등록특허공보 KR 10-0938874(공개번호 KR 10-2009-0010625)(발명의 명칭 : 유리기판 지지용 서셉터 및 그 제조방법, 그리고 그 유리기판 지지용 서셉터를 구비한 화학 기상 증착장치)Republic of Korea Patent Publication KR 10-0938874 (Publication No. KR 10-2009-0010625) (Invention name: Chemical vapor deposition apparatus having a susceptor for supporting a glass substrate and its manufacturing method, and a susceptor for supporting the glass substrate) 대한민국 등록특허공보 KR 10-1441858(공개번호 KR 10-2007-0009450) (발명의 명칭 : 서셉터를 러프닝함으로써 정전하를 감소시키는 장치)Republic of Korea Patent Publication KR 10-1441858 (Publication KR 10-2007-0009450) (Name of the invention: a device for reducing the electrostatic charge by roughing the susceptor) 대한민국 공개특허공보 KR 10-2014-0020429(발명의 명칭 : 기판 셔틀 장치, 이를 포함하는 기상 증착 장치 및 기판 셔틀 장치의 제조방법)Republic of Korea Patent Application Publication No. KR 10-2014-0020429 (Invention name: substrate shuttle device, vapor deposition apparatus and a method for manufacturing the substrate shuttle device comprising the same) 대한민국 등록특허공보 KR 10-1513584(공개번호 KR 10-2015-0015347) (발명의 명칭 : 기판 처리 장치)Republic of Korea Patent Publication KR 10-1513584 (Publication KR 10-2015-0015347) (Invention name: substrate processing apparatus)

따라서, 본 발명은 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 열 손실을 최소화 하기 위해 서셉터의 탑부의 면적을 증가시키면서도 유리 기판 비접촉부에서 발생되는 공정 파티클이 증가하지 않도록 하고 동시에 유리 기판 비접촉부에서 발생되는 아킹을 최소화 하는 발명을 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention was created to solve the above problems, while increasing the area of the top portion of the susceptor to minimize heat loss, while not increasing the process particles generated in the non-contact portion of the glass substrate and at the same time. It is an object of the present invention to provide an invention for minimizing arcing generated in the non-contact portion.

그러나, 본 발명의 목적들은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

전술한 본 발명의 목적은, 지지부, 지지부의 상부면에 형성되며, 유리 기판이 놓이는 유리 기판 접촉부와 유리 기판이 놓이지 않는 유리 기판 비접촉부를 구비하는 탑부를 포함하며, 유리 기판을 기준으로 상대적으로 탑부의 크기를 기 설정된 범위까지 증가시켜 탑부에 축열영역이 형성되도록 함으로써 유리 기판 비접촉부의 면적이 상대적으로 증가되어 유리 기판의 외곽부의 열 손실이 최소화되는 것을 특징으로 하는 유리 기판 지지용 서셉터를 제공함으로써 달성될 수 있다.The above object of the present invention includes a top portion formed on a support portion, an upper surface of the support portion, the top portion having a glass substrate contact portion on which the glass substrate is placed and a non-contact portion of the glass substrate on which the glass substrate is not placed, and relative to the glass substrate. By increasing the size of the portion to a predetermined range to form a heat storage region in the top portion by providing a susceptor for supporting a glass substrate, characterized in that the area of the non-contact portion of the glass substrate is relatively increased to minimize the heat loss of the outer portion of the glass substrate Can be achieved.

또한, 축열영역이 형성되도록 유리 기판의 일측 단부를 기준으로 지지부 크기까지의 범위내에서 탑부의 크기를 증가시킨다.In addition, the size of the top portion is increased within a range up to the size of the support portion based on one end of the glass substrate so that the heat storage region is formed.

또한, 유리 기판 접촉부와 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기를 동일하게 함으로써 단차가 형성되지 않아 서셉터의 가열에 따른 열팽창으로 인한 아노다이징된 탑부의 산화 피막을 보호한다.Further, by making the surface roughness of the glass substrate contact portion and the glass substrate non-contact portion the same, no step is formed, thereby protecting the oxide film of the anodized top portion due to thermal expansion due to the heating of the susceptor.

또한, 유리 기판 접촉부와 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기는 Ra 13 내지 Ra 20[um]이다. 이때, 표면 거칠기가 Ra 12 이하로 되면 성막 균일도를 개선하기 어려운 문제점이 있고, Ra 20이 초과되면 아노다이징 피막의 결함에 의한 아킹을 예방하기 힘든 문제점이 있다.In addition, the surface roughness of a glass substrate contact part and a glass substrate non-contact part is Ra13-Ra20 [um]. At this time, when the surface roughness is Ra 12 or less, there is a problem that it is difficult to improve the film uniformity, and when Ra 20 is exceeded, there is a problem that it is difficult to prevent arcing due to defects in the anodizing film.

또한, 유리 기판 비접촉부에 형성되는 좁은 내각을 이루는 피크를 연마함으로써 피크 연마 전에 비해 상대적으로 표면 거칠기 값이 감소하거나 동일할 수 있고, 또한 피크 밀도가 줄도록 한다.In addition, by polishing the peak forming the narrow cabinet formed in the non-contact portion of the glass substrate, the surface roughness value can be reduced or the same as compared to before the peak polishing, and also the peak density is reduced.

또한, 기 설정된 범위의 피크 값을 초과하는 피크가 제거되도록 연마한다.Further, polishing is performed so that peaks exceeding peak values in a preset range are removed.

한편, 본 발명의 목적은 유리 기판 접촉부와 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기가 서로 다른 거칠기일 때의 유리 기판 비접촉부의 일측 단부를 기준으로 상대적으로 서셉터의 탑부의 크기를 기 설정된 범위까지 증가시켜 준비하는 단계, 유리 기판 접촉부와 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기를 Ra 13 내지 Ra 20의 범위내에서 동일하게 형성하는 단계, 및 유리 기판 비접촉부에 형성되는 좁은 내각을 이루는 피크를 연마함으로써 형태 안정성이 떨어지는 피크를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 기판 지지용 서셉터 제조 방법을 제공함으로써 달성될 수 있다.Meanwhile, an object of the present invention is to prepare by increasing the size of the top portion of the susceptor to a predetermined range relative to one end of the glass substrate non-contact portion when the surface roughness of the glass substrate non-contact portion and the glass substrate non-contact portion are different from each other. Step, forming the surface roughness of the glass substrate non-contact portion and the glass substrate non-contact portion equally within the range of Ra 13 to Ra 20, and by polishing the peak forming a narrow cabinet formed in the glass substrate non-contact portion, the peak of poor shape stability It can be achieved by providing a method for producing a susceptor for supporting a glass substrate, characterized in that it comprises a step of removing.

전술한 바와 같은 본 발명에 의하면 유리 기판의 외곽부의 열 손실을 최소화하면서도 유리 기판 비접촉 영역에 공정 파티클이 발생하거나 또는 아킹이 발생하는 현상을 최소화시킬 수 있는 효과가 있다.According to the present invention as described above, while minimizing the heat loss of the outer portion of the glass substrate there is an effect that can minimize the phenomenon that the process particles or arcing occurs in the non-contact area of the glass substrate.

본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 일실시예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석 되어서는 아니 된다.
도 1은 유리 기판의 외곽부에 열 손실이 발생하여 온도 균일도가 좋지 못한 종래의 서셉터를 나타낸 도면이고,
도 2는 유리 기판 접촉부와 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기가 서로 달라 단차가 형성되는 것을 도시한 종래의 서셉터이고,
도 3은 본 발명의 일실시예로서 온도 균일도가 향상된 것을 도시한 도면이고,
도 4는 본 발명의 일실시예로서 유리 기판 접촉부와 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기가 동일하여 단차가 발생하지 않음을 나타낸 도면이고,
도 5는 유리 기판 비접촉부에 피크 연마 공정을 수행하지 않은 도면이고,
도 6은 유리 기판 비접촉부에 피크 연마 공정을 수행한 도면이고,
도 7은 6세대 유리 기판을 기준으로 탑부(120)의 크기를 키울 수 있는 범위를 일예로서 나타낸 도면이고,
도 8은 유리 기판의 외곽부와 중심부의 온도 편차를 탑부의 상대적인 크기를 기준으로 나타낸 도면이다.The following drawings, which are attached to this specification, illustrate one preferred embodiment of the present invention, and together with the detailed description thereof, serve to further understand the technical idea of the present invention. It should not be construed as limited.
1 is a view showing a conventional susceptor having a poor temperature uniformity due to heat loss in the outer portion of the glass substrate,
2 is a conventional susceptor illustrating that a step is formed in which the surface roughnesses of the glass substrate contact portion and the glass substrate non-contact portion are different from each other,
3 is a view showing that the temperature uniformity is improved as an embodiment of the present invention,
4 is a view showing that the surface roughness of the glass substrate contact portion and the glass substrate non-contact portion is the same as one embodiment of the present invention so that no step occurs.
5 is a view in which the peak polishing process is not performed on the non-contact portion of the glass substrate,
6 is a view of performing a peak polishing process on the non-contact portion of the glass substrate,
FIG. 7 is a diagram illustrating an example in which the size of the top portion 120 may be increased based on the sixth generation glass substrate.
8 is a view showing the temperature deviation of the outer portion and the central portion of the glass substrate based on the relative size of the top portion.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예에 대해서 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 일실시예는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 내용을 부당하게 한정하지 않으며, 본 실시 형태에서 설명되는 구성 전체가 본 발명의 해결 수단으로서 필수적이라고는 할 수 없다. 또한, 종래 기술 및 당업자에게 자명한 사항은 설명을 생략할 수도 있으며, 이러한 생략된 구성요소(방법) 및 기능의 설명은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위내에서 충분히 참조될 수 있을 것이다.Hereinafter, with reference to the drawings will be described a preferred embodiment of the present invention. In addition, one Example described below does not unduly limit the content of this invention described in the Claim, and the whole structure described in this Embodiment is not necessarily required as a solution of this invention. In addition, the matters obvious to those skilled in the art and the art may be omitted, and description of the omitted elements (methods) and functions may be sufficiently referred to without departing from the technical spirit of the present invention.

본 발명의 일실시예에 따른 유리 기판 지지용 서셉터(100)는 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 지지부(110)와 탑부(120)를 포함한다. 지지부(110)는 새도우 프레임이 지지될 수 있다. 지지부(110)의 상부면에는 탑부(120)가 형성된다. 도 1 및 도 3을 참고하면, 도 1의 종래의 서셉터(30)의 탑부(32)의 크기는 a1 x b1이다. 탑부(32)에 놓여지는 유리 기판(10)의 외곽부에 열 손실이 발생함을 알 수 있다. 이때, 탑부(32)는 도 2와 같이 유리 기판 접촉부(32a)와 유리 기판 비접촉부(32b)의 표면 거칠기가 서로 다르다. The susceptor 100 for supporting a glass substrate according to an embodiment of the present invention includes a support 110 and a top 120 as shown in FIGS. 3 and 4. The support 110 may be supported by a shadow frame. The top portion 120 is formed on the upper surface of the support 110. 1 and 3, the size of the top portion 32 of the conventional susceptor 30 of FIG. 1 is a 1 xb 1 . It can be seen that heat loss occurs in the outer portion of the glass substrate 10 placed on the top portion 32. At this time, the top part 32 differs from the surface roughness of the glass substrate contact part 32a and the glass substrate non-contact part 32b like FIG.

한편, 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 서셉터(100)의 탑부(120)의 크기는 a2 x b2이다. 이에 따라 종래의 서셉터의 탑부(32)의 크기보다 더 크게 함으로써 탑부에 축열영역이 형성되어 유리 기판의 열 손실을 최소화할 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이 a 지점에서 b 지점의 탑부의 크기는 유리 기판(10)을 기준으로 축열구간이 형성되면서도 지지부(110)의 크기까지의 범위 내에서 탑부(120)의 크기를 크게 한다. 탑부(120)의 크기가 종래에 비해 커지게 됨에 따라 유리 기판 접촉부(121)의 면적은 종래에 비해 동일하나 유리 기판 비접촉부(122a,122b)의 면적은 커지게 된다. Meanwhile, as illustrated in FIGS. 2 and 4, the size of the top portion 120 of the susceptor 100 according to the present invention is a 2 xb 2 . Accordingly, the heat storage region is formed in the top portion by increasing the size of the top portion 32 of the conventional susceptor, thereby minimizing heat loss of the glass substrate. As shown in FIG. 4, the size of the top portion at the point a at the point b increases the size of the top portion 120 within the range up to the size of the support 110 while the heat storage section is formed based on the glass substrate 10. . As the size of the top portion 120 becomes larger than that of the related art, the area of the glass substrate contact portion 121 is the same as in the related art, but the area of the glass substrate non-contact portions 122a and 122b becomes larger.

탑부(120)의 크기가 종래의 서셉터에 비해 커져 축열영역이 형성됨으로써 유리 기판(10)의 외곽부의 열 손실이 최소화(이에 따라 온도 균일도 향상)된다. 다만, 유리 기판 비접촉부(122a, 122b)의 표면 거칠기가 종래 서셉터(30)와 같이 Ra 1.6으로 이루어지는 경우 유리 기판 비접촉부(122a,122b)의 면적이 커짐에 따라 아노다이징에 의한 산화 피막의 크랙에 따라 공정 파티클이 더 많이 발생하게 된다. 따라서 공정 파티클의 발생을 최소화하기 위해 유리 기판 접촉부(121)와 유리 기판 비접촉부(122a,122b)의 표면 거칠기를 Ra 13 ~ Ra 20의 범위 내에서 동일하게 한다. 유리 기판 접촉부(121)와 유리 기판 비접촉부(122a,122b)의 표면 거칠기가 동일하므로 이중 표면 거칠기를 가지는 종래의 서셉터에 나타나는 단차가 제거되고, 단차가 형성되지 않아 더 나아가 공정 파티클이 발생되지 않는 장점이 있다.Since the size of the top portion 120 is larger than that of the conventional susceptor to form a heat storage region, heat loss of the outer portion of the glass substrate 10 is minimized (thus, temperature uniformity is improved). However, when the surface roughness of the glass substrate non-contact portions 122a and 122b is made of Ra 1.6 as in the conventional susceptor 30, as the area of the glass substrate non-contact portions 122a and 122b increases, the crack of the oxide film due to anodizing This will result in more process particles. Therefore, in order to minimize the generation of process particles, the surface roughness of the glass substrate contact portion 121 and the glass substrate non-contact portions 122a and 122b are equalized within the range of Ra 13 to Ra 20. Since the surface roughnesses of the glass substrate contact portion 121 and the glass substrate non-contact portions 122a and 122b are the same, a step that appears in a conventional susceptor having a double surface roughness is eliminated, and a step is not formed so that process particles are not generated. There is no advantage.

다만, 표면 거칠기가 종래에 비해 상대적으로 높아짐으로써(즉, 종래의 유리 기판 비접촉부(32b)의 표면 거칠기에 비해) 도 5에 도시된 바와 같이 좁은 내각을 이루는 피크가 생성되게 된다. 이때, 공정 중에 플라즈마 전하가 좁은 내각을 이루는 피크에 집중되어(즉, 피크에 플라즈마 전하의 밀도가 증가하여) 아킹 현상을 초래한다. 더 나아가 본 발명에서는 유리 기판 비접촉부(122a,122b)의 면적이 종래에 비해 더 커지게 되어 아킹 발생이 더욱 증가할 우려가 있다. However, as the surface roughness becomes relatively higher than that of the conventional (that is, compared to the surface roughness of the conventional glass substrate non-contact portion 32b), a peak having a narrow inner angle is generated as shown in FIG. 5. At this time, the plasma charge is concentrated at a peak forming a narrow cabinet during the process (that is, the density of the plasma charge increases at the peak), thereby causing an arcing phenomenon. Furthermore, in the present invention, the area of the glass substrate non-contacting portions 122a and 122b may be larger than in the related art, and there is a concern that the occurrence of arcing may increase.

이에 따라, 본 발명에서는 유리 기판 비접촉부에 형성되는 좁은 내각을 이루는 피크를 연마하여 피크 연마 전에 비해 상대적으로 피크 밀도가 줄도록 함으로써 아킹 현상을 예방하도록 한다. 따라서 유리 기판 접촉부(121)와 유리 기판 비접촉부(122a,122b)의 표면 거칠기를 동일하게 하도록 함과 동시에 유리 기판 비접촉부(122a,122b)에 형성되는 좁은 내각을 이루는 피크를 도 6과 같이 연마하도록 함으로써 아킹을 줄일 수 있다. 본 발명의 유리 기판 비접촉부(122a,122b)는 유리 기판 접촉부(121)와 대비하여 피크 연마를 필수적으로 수행하며, 유리 기판 접촉부(121)는 필요에 따라 피크 연마를 수행하지 않을 수 있다. 따라서 유리 기판 비접촉부(122a,122b)는 피크 연마된 영역이고, 유리 기판 접촉부(121)는 피크 연마가 안 된 영역이다. 피크 연마는 피크의 날카로움을 감소시키도록 연마하며, 기 설정된 값을 기준으로 초과되는 피크를 연마하도록 한다. 다만, 필요에 따라 유리 기판 접촉부(121)도 피크 연마를 수행할 수 있다.Accordingly, in the present invention, the peak forming a narrow cabinet formed in the non-contact portion of the glass substrate is polished so that the peak density is relatively reduced compared to before the peak polishing, thereby preventing the arcing phenomenon. Therefore, the surface roughness of the glass substrate contact portion 121 and the glass substrate non-contact portions 122a and 122b are made the same, and at the same time, the peaks forming the narrow cabinets formed in the glass substrate non-contact portions 122a and 122b are polished as shown in FIG. 6. By doing so, arcing can be reduced. The glass substrate non-contact portions 122a and 122b of the present invention essentially perform peak polishing in contrast to the glass substrate contact portion 121, and the glass substrate contact portion 121 may not perform peak polishing as necessary. Therefore, the glass substrate non-contact portions 122a and 122b are the peak polished areas, and the glass substrate contact portions 121 are the areas that are not peak polished. Peak grinding polishes to reduce the sharpness of the peaks and allows to polish peaks that are exceeded based on a predetermined value. However, if necessary, the glass substrate contact portion 121 may also perform peak polishing.

한편, 아래 표 1과 같이 피크 연마 전에 비해 피크 연마 후의 피크 밀도(Pc)가 21에서 15로 줄어들었음을 알 수 있다. 다만, 표 1에서의 표시된 Ra 값은 약간의 측정오차가 발생할 수 있다.On the other hand, as shown in Table 1 below it can be seen that the peak density (Pc) after the peak polishing reduced from 21 to 15 compared to before the peak polishing. However, the Ra value shown in Table 1 may cause some measurement error.

RaRa Pc(Peak Count)Peak Count 피크 연마 전Before Peak Polishing 19.7419.74 2121 피크 연마 후After peak polishing 19.7519.75 1515

이때, 피크 밀도(Pc)는 단위 길이 당 피크의 수를 나타낸다.At this time, the peak density Pc represents the number of peaks per unit length.

한편, 본 발명의 유리 기판 지지용 서셉터의 제조 방법은 다음과 같다. 먼저, 서셉터(100)의 탑부(120)의 크기를 종래의 서셉터(30)의 탑부(32)의 크기에 비해 유리 기판을 기준으로 상대적으로 크게 제작한다. 이때, 유리 기판을 기준으로 상대적으로 11mm 이상 ~ 지지부(110) 사이즈까지 크기를 크게 할 수 있다. 이때 10mm는 종래의 서셉터의 탑부(32)의 크기이고, 양쪽 사이즈가 아닌 한쪽 사이즈를 가정한 것이다.In addition, the manufacturing method of the susceptor for supporting the glass substrate of this invention is as follows. First, the size of the top portion 120 of the susceptor 100 is relatively large based on the glass substrate as compared to the size of the top portion 32 of the conventional susceptor 30. At this time, the size can be increased to 11 mm or more to the support 110 size relative to the glass substrate. At this time, 10mm is the size of the top portion 32 of the conventional susceptor, and assumes one size rather than both sizes.

도 7에 도시된 바와 같이 일예로서 6세대 유리 기판(10)의 크기가 1500mm x 1850mm이라 하면 종래의 서셉터의 탑부(32)의 크기는 1520mm x 1870mm로서 한쪽 사이즈가 유리 기판(10)에 비해 10mm씩 크다. 이때, 종래의 서셉터의 탑부(32)의 한정된 크기로 인해 유리 기판(10)의 외곽부의 열 손실이 발생하여 온도 균일도가 좋지 않게 된다. 따라서 본 발명의 서셉터의 탑부(120)는 유리 기판(10)을 기준으로 상대적으로 11mm 이상 ~ 지지부(110) 사이즈까지의 범위 내에서 크기를 키움으로써 축열구간의 형성이 가능하여 유리 기판의 외곽부의 열 손실을 최소화하고 온도 균일도를 높일 수 있다. 이때, 지지부(110) 사이즈까지의 범위는 도 8에 도시된 바와 같이 120mm까지 상대적인 크기를 가질 수 있다.As shown in FIG. 7, when the size of the sixth generation glass substrate 10 is 1500 mm x 1850 mm, the size of the top part 32 of the conventional susceptor is 1520 mm x 1870 mm, and one size thereof is larger than the glass substrate 10. It is big by 10mm. At this time, due to the limited size of the top portion 32 of the conventional susceptor, heat loss of the outer portion of the glass substrate 10 occurs, resulting in poor temperature uniformity. Therefore, the top portion 120 of the susceptor of the present invention can form a heat storage section by increasing the size within a range of 11 mm or more to the support 110 size relative to the glass substrate 10 to the outside of the glass substrate Negative heat loss can be minimized and temperature uniformity can be increased. At this time, the range up to the size of the support 110 may have a relative size up to 120 mm as shown in FIG. 8.

또한, 도 8에 도시된 바와 같이 유리 기판(10)을 기준으로 탑부(120)의 상대적인 크기가 11mm를 넘어설수록 유리 기판의 외곽부와 중심부의 온도 편차가 점점 줄어들게 되며, 상대적인 크기가 대략 40mm를 넘어서면 온도 편차가 2~3도씨 내로 일정하게 된다. 따라서 상대적인 크기가 11mm를 넘어서는 경우에 공정상에서 서셉터의 온도 불균일로 인한 공정불량이 발생하지 않는 온도편차 값을 가진다. In addition, as shown in FIG. 8, as the relative size of the top portion 120 exceeds 11 mm with respect to the glass substrate 10, the temperature deviation between the outer portion and the central portion of the glass substrate is gradually reduced, and the relative size is approximately 40 mm. Beyond this, the temperature range is constant within 2 to 3 degrees Celsius. Therefore, when the relative size exceeds 11mm, it has a temperature deviation value that does not cause a process defect due to the temperature unevenness of the susceptor in the process.

다음으로, 제작된 서셉터(100)를 세정한 후에 유리 기판 접촉부와 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기를 Ra 13 내지 Ra 20의 범위내에서 동일하게 블라스팅 공정을 통해 형성한다. 한편, 유리 기판 비접촉부에는 피크 연마 공정을 더 수행함으로써 피크의 날카로움을 감소시켜 아킹 발생을 최소화하도록 한다.Next, after cleaning the produced susceptor 100, the surface roughness of the glass substrate contacting portion and the glass substrate non-contacting portion is formed in the same manner as in Ra 13 to Ra 20 through a blasting process. On the other hand, the non-contact portion of the glass substrate by performing a peak polishing process to reduce the sharpness of the peak to minimize the occurrence of arcing.

피크 연마 이후에 아노다이징 처리 공정을 통해 서셉터의 표면에 산화 피막을 만들어 서셉터를 부식으로부터 보호하도록 한다. 아노다이징 처리 공정 후에는 린스 및 건조 과정을 거쳐 제조 공정을 마무리 하게 된다.After peak polishing, an anodizing process creates an oxide film on the susceptor's surface to protect the susceptor from corrosion. After the anodizing process, the manufacturing process is completed by rinsing and drying.

본 발명을 설명함에 있어 종래 기술 및 당업자에게 자명한 사항은 설명을 생략할 수도 있으며, 이러한 생략된 구성요소(방법) 및 기능의 설명은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위내에서 충분히 참조될 수 있을 것이다.In the following description of the present invention, those skilled in the art and those skilled in the art may omit descriptions, and descriptions of such omitted components (methods) and functions may be sufficiently referred to without departing from the technical spirit of the present invention. Could be.

상술한 각부의 구성 및 기능에 대한 설명은 설명의 편의를 위하여 서로 분리하여 설명하였을 뿐 필요에 따라 어느 한 구성 및 기능이 다른 구성요소로 통합되어 구현되거나, 또는 더 세분화되어 구현될 수도 있다.The description of the configuration and functions of the above-described parts have been described separately for convenience of description, and any configuration and function may be implemented by being integrated into other components, or may be further subdivided as necessary.

이상, 본 발명의 일실시예를 참조하여 설명했지만, 본 발명이 이것에 한정되지는 않으며, 다양한 변형 및 응용이 가능하다. 즉, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 많은 변형이 가능한 것을 당업자는 용이하게 이해할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명과 관련된 공지 기능 및 그 구성 또는 본 발명의 각 구성에 대한 결합관계에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는, 그 구체적인 설명을 생략하였음에 유의해야 할 것이다.As mentioned above, although demonstrated with reference to one Embodiment of this invention, this invention is not limited to this, A various deformation | transformation and an application are possible. That is, those skilled in the art will readily appreciate that many modifications are possible without departing from the spirit of the invention. In addition, when it is determined that the detailed description of the known function and its configuration or the coupling relationship for each configuration of the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, it should be noted that the detailed description is omitted. something to do.

10 : 유리 기판
20 : 새도우 프레임
30 : 서셉터
31 : 지지부(새도우 프레임 지지됨)
32 : 탑부
32a : 유리 기판 접촉부
32b : 유리 기판 비접촉부(일부 영역 새도우 프레임 거치됨)
32c : 단차부(Ra 값에 따른)
100 : 서셉터
110 : 지지부
120 : 탑부
121 : 유리 기판 접촉부
122a : 제1 유리 기판 비접촉부
122b : 제2 유리 기판 비접촉부10: glass substrate
20: shadow frame
30: susceptor
31 support part (shadow frame supported)
32: top
32a: glass substrate contacts
32b: glass substrate non-contact portion (mounted area shadow frame)
32c: stepped portion (according to Ra value)
100: susceptor
110: support
120: top part
121: glass substrate contact portion
122a: first glass substrate non-contact portion
122b: second glass substrate non-contact portion

Claims (8)

지지부,
상기 지지부의 상부면에 형성되며, 유리 기판이 놓이는 유리 기판 접촉부와 상기 유리 기판이 놓이지 않는 유리 기판 비접촉부를 구비하는 탑부를 포함하며,
상기 유리 기판의 일측 단부를 기준으로 지지부 크기까지의 범위내에서 상기 탑부의 크기를 증가시켜 상기 탑부에 축열영역이 형성되도록 함으로써 상기 유리 기판 비접촉부의 면적이 상대적으로 증가되어 상기 유리 기판의 외곽부의 열 손실이 최소화되며,
상기 유리 기판 접촉부와 상기 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기를 동일하게 함으로써 단차가 형성되지 않아 서셉터의 가열에 따른 열팽창으로 인한 아노다이징 처리된 상기 탑부의 산화 피막을 보호하며,
상기 유리 기판 접촉부와 상기 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기는 Ra 13 내지 Ra 20[um]이며,
상기 유리 기판 비접촉부에 형성되는 플라즈마 전하가 집중되는 피크를 연마함으로써 피크 연마 전에 비해 피크 밀도가 줄도록 하는 것을 특징으로 하는 유리 기판 지지용 서셉터.
Support,
A top portion formed on an upper surface of the support portion and having a glass substrate contact portion on which a glass substrate is placed and a glass substrate non-contact portion on which the glass substrate is not placed,
The area of the non-contact portion of the glass substrate is relatively increased by increasing the size of the top portion within a range up to the size of the support portion based on one end of the glass substrate so that a heat storage region is formed in the top portion. Loss is minimal
By making the surface roughness of the glass substrate contact portion and the glass substrate non-contact portion the same, a step is not formed to protect the oxide film of the anodized top portion due to thermal expansion due to the heating of the susceptor,
The surface roughness of the glass substrate contact portion and the glass substrate non-contact portion is Ra 13 to Ra 20 [um],
Susceptor for supporting a glass substrate, characterized in that to reduce the peak density compared to before the peak polishing by grinding the peak where the plasma charge formed in the non-contact portion of the glass substrate is concentrated.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 플라즈마 전하가 집중되는 피크에 대해 날카로움이 감소되도록 연마 하는 것을 특징으로 하는 유리 기판 지지용 서셉터.
The method of claim 1,
Susceptor for supporting a glass substrate, characterized in that the polishing to reduce the sharpness to the peak where the plasma charge is concentrated.
제 1 항에 있어서,
유리 기판을 기준으로 상대적으로 11mm ~ 120mm 까지의 범위 내에서 상기 탑부의 크기를 키움으로써 상기 탑부에 축열구간이 형성되어 상기 탑부의 온도 균일도가 향상되고,
상기 탑부의 크기가 커짐에 따라 유리 기판 비접촉부의 면적이 유리 기판 접촉부의 면적에 비해 증가됨으로써 상기 유리 기판 접촉부와 상기 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기를 동일하게 하여 아노다이징 처리된 상기 탑부의 산화 피막을 보호하는 것을 특징으로 하는 유리 기판 지지용 서셉터.
The method of claim 1,
By increasing the size of the top portion within a range of 11 mm to 120 mm relative to a glass substrate, a heat storage section is formed in the top portion to improve temperature uniformity of the top portion.
As the size of the tower increases, the area of the glass substrate non-contact portion increases with respect to the area of the glass substrate contact portion, thereby making the surface roughness of the glass substrate contact portion and the glass substrate non-contact portion the same, thereby protecting the anodized top portion of the oxide film. Susceptor for supporting a glass substrate, characterized in that.
유리 기판 접촉부와 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기가 서로 다른 거칠기일 때의 상기 유리 기판 비접촉부의 일측 단부를 기준으로 지지부 크기까지의 범위내에서 탑부의 크기를 증가시켜 준비하는 단계,
상기 유리 기판 접촉부와 유리 기판 비접촉부의 표면 거칠기를 Ra 13 내지 Ra 20[um]의 범위내에서 동일하게 형성하는 단계, 및
상기 유리 기판 비접촉부에 형성되는 플라즈마 전하가 집중되는 피크를 연마함으로써 피크의 날카로움이 감소되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 기판 지지용 서셉터 제조 방법.Preparing by increasing the size of the top portion within a range up to the size of the support portion based on one end of the glass substrate non-contact portion when the surface roughness of the glass substrate non-contact portion and the glass substrate non-contact portion are different from each other;
Forming the same surface roughness of the glass substrate contact portion and the glass substrate non-contact portion within the range of Ra 13 to Ra 20 [um], and
And sharpening peaks at which plasma charges are formed in the non-contact portion of the glass substrate, thereby reducing sharpness of the peaks.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102426173B1 (en) * 2020-09-13 2022-07-28 (주)티티에스 Suceptor

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004052098A (en) 2002-05-31 2004-02-19 Tokyo Electron Ltd Substrate treatment apparatus and susceptor used for it
JP3584864B2 (en) 2000-08-25 2004-11-04 三菱住友シリコン株式会社 Wafer susceptor and wafer heat treatment apparatus having the same
WO2012056914A1 (en) * 2010-10-25 2012-05-03 日本碍子株式会社 Heating device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI375295B (en) 2005-07-15 2012-10-21 Applied Materials Inc Reducing electrostatic charge by roughening the susceptor
KR100938874B1 (en) * 2007-07-24 2010-01-27 주식회사 에스에프에이 Susceptor for Supporting Flat Display and Method for Manufacturing Thereof, and Chemical Vapor Deposition Apparatus Having the Same
KR20130058312A (en) 2011-11-25 2013-06-04 (주)위지트 Structure for preventing from arcing between susceptor and shadow frame
KR101876522B1 (en) 2012-08-08 2018-07-09 주식회사 원익아이피에스 Substrate shuttle device, vapor deposition apparatus including the same and method of fabricating the same
KR101513584B1 (en) 2013-07-31 2015-04-21 세메스 주식회사 Substrate treating apparatus
KR20170129501A (en) * 2016-05-17 2017-11-27 (주)티티에스 Substrate supporting device, substrate treating apparatus having the same and method thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3584864B2 (en) 2000-08-25 2004-11-04 三菱住友シリコン株式会社 Wafer susceptor and wafer heat treatment apparatus having the same
JP2004052098A (en) 2002-05-31 2004-02-19 Tokyo Electron Ltd Substrate treatment apparatus and susceptor used for it
WO2012056914A1 (en) * 2010-10-25 2012-05-03 日本碍子株式会社 Heating device

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