KR102080044B1 - Organic Light Emitting Device and Method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 기판 상에 형성된 제1 화소, 제2 화소, 및 제3 화소를 포함하여 이루어지고, 상기 제1 화소는 양극과 음극 사이에 차례로 형성된 제1 발광층, 전하 생성층, 및 공통 발광층을 포함하여 이루어지고, 상기 제1 발광층과 상기 공통 발광층은 동일한 파장 범위의 광을 발광하고, 상기 공통 발광층은 상기 제2 화소 및 제3 화소에도 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention includes a first pixel, a second pixel, and a third pixel formed on a substrate, and the first pixel includes a first light emitting layer, a charge generating layer, and a common light emitting layer sequentially formed between an anode and a cathode. And the first light emitting layer and the common light emitting layer emit light having the same wavelength range, and the common light emitting layer is also formed in the second pixel and the third pixel. will be.

Description

유기 발광 소자 및 그 제조방법{Organic Light Emitting Device and Method of manufacturing the same}Organic Light Emitting Device and Method of manufacturing the same

본 발명은 유기 발광 소자에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 대면적화가 용이한 유기 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting device, and more particularly, to an organic light emitting device having a large area and easy to manufacture.

유기 발광 소자는 전자(electron)를 주입하는 음극(cathode)과 정공(hole)을 주입하는 양극(anode) 사이에 발광층이 형성된 구조를 가지며, 음극에서 발생된 전자 및 양극에서 발생된 정공이 발광층 내부로 주입되면 주입된 전자 및 정공이 결합하여 액시톤(exciton)이 생성되고, 생성된 액시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 떨어지면서 발광을 하는 소자이다. The organic light emitting device has a structure in which a light emitting layer is formed between a cathode for injecting electrons and an anode for injecting holes, and electrons generated from the cathode and holes generated in the anode are inside the light emitting layer. When injected into, the injected electrons and holes combine to generate excitons, and the generated excitons fall from the excited state to the ground state and emit light.

이하, 도면을 참조로 종래 유기 발광 소자에 대해서 설명하기로 한다. Hereinafter, a conventional organic light emitting diode will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode according to a conventional embodiment.

도 1에서 알 수 있듯이, 종래의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자는, 기판(1), 및 상기 기판(1) 상에 형성된 적색(R) 화소, 녹색(G) 화소 및 청색(B) 화소를 포함하여 이루어진다. As shown in FIG. 1, an organic light emitting diode according to an exemplary embodiment includes a substrate 1 and a red (R) pixel, a green (G) pixel, and a blue (B) pixel formed on the substrate 1. It is made, including.

상기 적색(R) 화소, 녹색(G) 화소 및 청색(B) 화소 각각은 양극(Anode)(10)과 음극(Cathode)(70) 사이에 적층된 복수의 유기층을 포함하여 이루어지는데, 구체적으로 양극(Anode)(10), 정공 주입층(Hole Injecting Layer:HIL)(20), 정공 수송층(Hole Transporting Layer:HTL)(30), 발광층(Emitting Layer: EML)(40), 전자 수송층(Electron Transporting Layer: ETL)(50), 전자 주입층(Electron Injecting Layer: EIL)(60), 및 음극(Cathode)(70)을 포함하여 이루어진다. Each of the red (R) pixel, the green (G) pixel, and the blue (B) pixel includes a plurality of organic layers stacked between an anode 10 and a cathode 70. Anode 10, Hole Injecting Layer (HIL) 20, Hole Transporting Layer (HTL) 30, Emitting Layer (EML) 40, Electron Transport Layer (Electron) A transporting layer (ETL) 50, an electron injecting layer (EIL) 60, and a cathode 70 are included.

상기 정공 주입층(HIL)(20)은 상기 양극(10) 상에 형성되어 있고, 상기 정공수송층(HTL)(30)은 상기 정공 주입층(HIL)(20) 상에 형성되어 있다. The hole injection layer (HIL) 20 is formed on the anode 10, and the hole transport layer (HTL) 30 is formed on the hole injection layer (HIL) 20.

상기 발광층(EML)(40)은 상기 정공 수송층(HTL)(30) 상에 형성되어 있으며, 각각의 화소별로 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B) 광을 발광하는 유기물질로 이루어져 있다. The emission layer (EML) 40 is formed on the hole transport layer (HTL) 30, and is an organic material that emits red (R), green (G), and blue (B) light for each pixel. consist of.

상기 전자 수송층(ETL)(50)은 상기 발광층(EML)(40) 상에 형성되어 있고, 상기 전자 주입층(EIL)(60)은 상기 전자 수송층(ETL)(50) 상에 형성되어 있고, 상기 음극(70)은 상기 전자 주입층(EIL)(60) 상에 형성되어 있다. The electron transport layer (ETL) 50 is formed on the light emitting layer (EML) 40, the electron injection layer (EIL) 60 is formed on the electron transport layer (ETL) 50, The cathode 70 is formed on the electron injection layer (EIL) 60.

이와 같은 종래의 유기 발광 소자는 상기 적색(R) 화소, 녹색(G) 화소 및 청색(B) 화소 별로 진공 증착 공정(Vacuum evaporation process)을 통해 복수의 유기층을 적층하여 제조된다. 이때, 진공 증착 공정으로 유기층을 적층함에 있어서 각각의 화소 별로 패턴화된 유기층을 적층할 필요가 있고, 따라서 새도우 마스크를 이용하여 진공 증착 공정을 수행하게 된다. Such a conventional organic light emitting device is manufactured by stacking a plurality of organic layers through a vacuum evaporation process for each of the red (R), green (G), and blue (B) pixels. In this case, when the organic layer is stacked by the vacuum deposition process, it is necessary to stack the patterned organic layer for each pixel. Therefore, the vacuum deposition process is performed by using the shadow mask.

그러나, 이와 같은 새도우 마스크를 이용하여 진공 증착 공정을 통해 제조되는 종래의 유기 발광 소자의 경우 상기 새도우 마스크의 크기를 증가시키면 새도우 마스크와 기판 사이의 균일한 간격유지가 용이하지 않아서 대면적 적용이 어려운 단점이 있다. However, in the case of the conventional organic light emitting device manufactured by the vacuum deposition process using such a shadow mask, increasing the size of the shadow mask is difficult to maintain a uniform gap between the shadow mask and the substrate is difficult to apply a large area There are disadvantages.

본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 새도우 마스크를 적용하지 않아 대면적 적용이 용이한 유기 발광 소자 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention has been devised to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide an organic light emitting device and a method of manufacturing the same, which are easy to apply to a large area without applying a shadow mask.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 기판 상에 형성된 제1 화소, 제2 화소, 및 제3 화소를 포함하여 이루어지고, 상기 제1 화소는 양극과 음극 사이에 차례로 형성된 제1 발광층, 전하 생성층, 및 공통 발광층을 포함하여 이루어지고, 상기 제1 발광층과 상기 공통 발광층은 동일한 파장 범위의 광을 발광하고, 상기 공통 발광층은 상기 제2 화소 및 제3 화소에도 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자를 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention includes a first pixel, a second pixel, and a third pixel formed on a substrate, wherein the first pixel is a first light emitting layer formed between an anode and a cathode, and a charge is generated. And a common light emitting layer, wherein the first light emitting layer and the common light emitting layer emit light having the same wavelength range, and the common light emitting layer is also formed in the second pixel and the third pixel. To provide.

본 발명은 또한, 기판 상의 제1 화소에 양극을 패턴 형성하는 공정; 상기 양극 상에 용액 상태의 패턴화 공정으로 제1 발광층을 패턴 형성하는 공정; 상기 제1 발광층 상에 용액 상태의 패턴화 공정으로 전하 생성층을 패턴 형성하는 공정; 및 상기 전하 생성층을 포함한 기판 전체면 상에 진공 증착 공정으로 공통 발광층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지고, 상기 제1 발광층과 상기 공통 발광층은 동일한 파장 범위의 광을 발광하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법을 제공한다. The present invention also provides a process for forming an anode in a first pixel on a substrate; Patterning a first light emitting layer on the anode by a patterning process in a solution state; Patterning a charge generating layer on the first light emitting layer by a patterning process in a solution state; And forming a common light emitting layer on the entire surface of the substrate including the charge generating layer by a vacuum deposition process, wherein the first light emitting layer and the common light emitting layer emit light having the same wavelength range. Provided is a method of manufacturing a light emitting device.

이상과 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다. According to the present invention as described above has the following effects.

본 발명에 따른 유기 발광 소자는 양극과 음극 사이에 형성되는 다수의 유기층들이 새도우 마스크 없이 형성될 수 있기 때문에, 새도우 마스크의 크기 제약을 받지 않아 대면적 적용이 용이한 장점이 있다.Since the organic light emitting device according to the present invention can be formed without a shadow mask, a plurality of organic layers formed between the anode and the cathode, there is an advantage that the large area can be easily applied without being limited by the size of the shadow mask.

특히, 본 발명에 따르면, 제1 화소가 전하 생성층을 사이에 두고 서로 동일한 파장 범위의 광을 발광하는 제1 발광층 및 공통 발광층을 포함함으로써, 탠덤(Tandem) 구조의 발광층을 구비하게 되어 휘도가 증진되는 효과가 있다. Particularly, according to the present invention, since the first pixel includes a first light emitting layer and a common light emitting layer that emit light having the same wavelength range with the charge generating layer therebetween, the light emitting layer having a tandem structure is provided, so that the luminance is high. It has an enhanced effect.

도 1은 종래의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법을 도시한 제조 공정도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode according to a conventional embodiment.
2 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention.
4 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention.
5A to 5D are manufacturing process diagrams illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
6 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

본 명세서에서 기술되는 "상에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 표면에 형성되는 경우뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다. The term " on " as used herein means to include not only when a certain configuration is formed on the immediate surface of another configuration, but also when a third configuration is interposed between these configurations.

본 명세서에서 기술되는 "제1" 및 "제2" 등의 수식어는 해당하는 구성들의 순서를 의미하는 것이 아니라 해당하는 구성들을 서로 구분하기 위한 것이다. Modifiers such as "first" and "second" described herein are not intended to mean the order of the corresponding components, but to distinguish the corresponding components from each other.

이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 단면도이다. 2 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

도 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자는, 기판(1), 및 상기 기판(1) 상에 형성된 적색(R) 화소, 녹색(G) 화소 및 청색(B) 화소를 포함하여 이루어진다. As can be seen in Figure 2, the organic light emitting device according to an embodiment of the present invention, the substrate (1), the red (R) pixels, green (G) pixels and blue (B) formed on the substrate (1) It consists of pixels.

상기 적색(R) 화소 및 녹색(G) 화소는 서로 동일한 패턴으로 형성되어 있고, 상기 청색(B) 화소는 상기 적색(R) 화소 및 녹색(G) 화소와 상이한 패턴으로 형성되어 있다. The red (R) pixel and the green (G) pixel are formed in the same pattern, and the blue (B) pixel is formed in a different pattern from the red (R) pixel and the green (G) pixel.

구체적으로, 상기 적색(R) 화소 및 녹색(G) 화소는 차례로 적층된 양극(Anode)(100), 정공 주입층(HIL)(200), 정공 수송층(HTL)(300), 발광층(EML)(400), 공통 발광층(Common Layer: CL)(B)(500), 전자 수송층(ETL)(600), 전자 주입층(EIL)(700), 및 음극(Cathode)(800)을 포함하여 이루어진다. In detail, the red (R) pixel and the green (G) pixel are sequentially stacked on an anode 100, a hole injection layer (HIL) 200, a hole transport layer (HTL) 300, and an emission layer (EML). 400, a common light emitting layer (CL) (B) 500, an electron transport layer (ETL) 600, an electron injection layer (EIL) 700, and a cathode 800. .

반면에, 상기 청색(B) 화소는 차례로 적층된 양극(Anode)(100), 정공 주입층(HIL)(200), 정공 수송층(HTL)(300), 공통 발광층(Common Layer: CL)(B)(500), 전자 수송층(ETL)(600), 전자 주입층(EIL)(700), 및 음극(Cathode)(800)을 포함하여 이루어진다. On the other hand, the blue (B) pixels include an anode (100), a hole injection layer (HIL) 200, a hole transport layer (HTL) 300, and a common light emitting layer (CL) B, which are sequentially stacked. ) 500, an electron transport layer (ETL) 600, an electron injection layer (EIL) 700, and a cathode 800.

상기 양극(100)은 상기 적색(R) 화소, 녹색(G) 화소 및 청색(B) 화소에서 상기 기판(1) 상에 각각 패턴 형성되어 있다. 상기 양극(100)은 전도성 및 일함수(work function)가 높은 투명한 도전물질, 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), SnO2 또는 ZnO 등으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. The anode 100 is patterned on the substrate 1 in the red (R) pixel, the green (G) pixel, and the blue (B) pixel, respectively. The anode 100 may be made of a transparent conductive material having high conductivity and work function, such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), SnO 2, or ZnO, but is not limited thereto. no.

이와 같은 양극(100)은 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 공정 및 포토리소그라피(Photolithography) 공정의 조합에 의해서 각각의 화소 별로 패턴 형성될 수 있다. The anode 100 may be patterned for each pixel by a combination of a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) process and a photolithography process.

상기 정공 주입층(HIL)(200)은 상기 적색(R) 화소, 녹색(G) 화소 및 청색(B) 화소에서 상기 양극(100) 상에 각각 패턴 형성되어 있다. 상기 정공 주입층(HIL)(200)은 MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine), CuPc(copper phthalocyanine) 또는 PEDOT/PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiphene, polystyrene sulfonate) 등으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. The hole injection layer (HIL) 200 is patterned on the anode 100 in the red (R) pixel, the green (G) pixel, and the blue (B) pixel, respectively. The hole injection layer (HIL) 200 is MTDATA (4,4 ', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine), CuPc (copper phthalocyanine) or PEDOT / PSS (poly (3,4-ethylenedioxythiphene, polystyrene sulfonate) ), Etc., but is not necessarily limited thereto.

이와 같은 정공 주입층(HIL)(200)은 용액 상태의 패턴화 공정, 예로서 용액 상태의 정공 주입층 조성물을 준비한 후 잉크젯(ink-jet) 공정을 통해서 각각의 화소 별로 패턴 형성될 수 있다. The hole injection layer (HIL) 200 may be patterned for each pixel through an ink-jet process after preparing a hole injection layer composition in a solution state, for example, in a solution state.

상기 정공 수송층(HTL)(300)은 상기 적색(R) 화소, 녹색(G) 화소 및 청색(B) 화소에서 상기 정공 주입층(HIL)(200) 상에 각각 패턴 형성되어 있다. 상기 정공 수송층(HTL)(300)은 TPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-bi-phenyl-4,4'-diamine) 또는 NPB(N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine) 등으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. The hole transport layer (HTL) 300 is patterned on the hole injection layer (HIL) 200 in the red (R) pixel, the green (G) pixel, and the blue (B) pixel, respectively. The hole transport layer (HTL) 300 is TPD (N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-methylphenyl) -1,1'-bi-phenyl-4,4'-diamine) or NPB ( N, N'-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine) and the like, but is not necessarily limited thereto.

이와 같은 정공 수송층(HTL)(300)은 용액 상태의 패턴화 공정, 예로서 용액 상태의 정공 수송층 조성물을 준비한 후 잉크젯(ink-jet) 공정을 통해서 각각의 화소 별로 패턴 형성될 수 있다. The hole transport layer (HTL) 300 may be patterned for each pixel through an ink-jet process after preparing a hole transport layer composition in a solution state, for example, in a solution state.

상기 발광층(EML)(400)은 상기 적색(R) 화소 및 녹색(G) 화소에서 상기 정공 수송층(HTL)(300) 상에 각각 패턴 형성되어 있다. 상기 적색(R) 화소에 패턴 형성된 발광층(EML)은 호스트 물질에 적색(R) 도펀트가 도핑된 인광물질로 이루어질 수 있고, 상기 녹색(G) 화소에 패턴 형성된 발광층(EML)은 호스트 물질에 녹색(G) 도펀트가 도핑된 인광물질로 이루어질 수 있다. 상기 적색(R) 화소 및 녹색(G) 화소의 발광층(EML)에 사용되는 호스트 물질은 카바졸계 화합물 또는 금속 착물으로 이루어진 인광 호스트 물질로 이루어질 수 있다. 상기 카바졸계 화합물은 CBP(4,4-N,N'-dicarbazole-biphenyl), CBP 유도체, mCP(N,N'-dicarbazolyl-3,5-benzene) 또는 mCP 유도체 등을 포함할 수 있고, 상기 금속 착물은 ZnPBO(phenyloxazole) 금속 착물 또는 ZnPBT(phenylthiazole) 금속 착물 등을 포함할 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. The emission layer (EML) 400 is patterned on the hole transport layer (HTL) 300 in the red (R) pixel and the green (G) pixel, respectively. The light emitting layer EML patterned on the red (R) pixel may be formed of a phosphor material doped with a red (R) dopant on a host material, and the light emitting layer EML patterned on the green (G) pixel may be green on a host material (G) The dopant may be made of a doped phosphor. The host material used in the emission layer EML of the red (R) pixel and the green (G) pixel may be formed of a phosphorescent host material including a carbazole compound or a metal complex. The carbazole compound may include CBP (4,4-N, N'-dicarbazole-biphenyl), CBP derivative, mCP (N, N'-dicarbazolyl-3,5-benzene) or mCP derivative, and the like. The metal complex may include, but is not necessarily limited to, a ZnPBO (phenyloxazole) metal complex or a ZnPBT (phenylthiazole) metal complex.

상기 적색(R) 화소의 발광층(EML)(400)은 550nm 내지 730nm의 피크(peak) 파장 범위의 적색 광을 발광할 수 있고, 상기 녹색(G) 화소의 발광층(EML)(400)은 490nm 내지 600nm의 피크(peak) 파장 범위의 녹색 광을 발광할 수 있다. The emission layer (EML) 400 of the red (R) pixel may emit red light having a peak wavelength range of 550 nm to 730 nm, and the emission layer (EML) 400 of the green (G) pixel is 490 nm. Green light of a peak wavelength range of 600 nm to 600 nm may be emitted.

이와 같은 발광층(EML)(400)은 용액 상태의 패턴화 공정, 예로서 용액 상태의 발광층 조성물을 준비한 후 잉크젯(ink-jet) 공정을 통해서 상기 적색(R) 화소 및 녹색(G) 화소 별로 패턴 형성될 수 있다. The light emitting layer (EML) 400 may have a patterning process in a solution state, for example, preparing a light emitting layer composition in a solution state and then patterning the red (R) pixel and the green (G) pixel through an ink-jet process. Can be formed.

상기 공통 발광층(CL)(B)(500)은 상기 적색(R) 화소, 녹색(G) 화소 및 청색(B) 화소를 포함한 기판(1)의 전체면 상에 형성되어 있다. 이와 같은 공통 발광층(CL)(B)(500)은 기판(1)의 전체면 상에 형성되므로 별도의 새도우 마스크 없이 진공 증착 공정(Vacuum evaporation process)으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 공통 발광층(CL)(B)(500)은 상기 적색(R) 화소 및 녹색(G) 화소에서는 상기 발광층(EML)(400)의 상면에 형성되어 있고, 상기 청색(B) 화소에서는 상기 정공 수송층(HTL)(300)의 상면에 형성되어 있다. The common emission layer CL (B) 500 is formed on the entire surface of the substrate 1 including the red (R) pixel, the green (G) pixel, and the blue (B) pixel. Since the common light emitting layer (CL) (B) 500 is formed on the entire surface of the substrate 1, it may be formed by a vacuum evaporation process without a separate shadow mask. Specifically, the common light emitting layer (CL) (B) 500 is formed on the upper surface of the light emitting layer (EML) 400 in the red (R) pixel and the green (G) pixel, and the blue (B) pixel. Is formed on the upper surface of the hole transport layer (HTL) (300).

상기 공통 발광층(Common Layer: CL)(B)(500)은 청색(B) 화소에서 청색광을 발광하는 발광층으로 기능한다. 따라서, 상기 공통 발광층(CL)(B)(500)은 청색광 발광을 위한 호스트 물질 및 도펀트를 포함하여 이루어진다. 보다 구체적으로, 상기 공통 발광층(CL)(B)(500)은 안트라센(anthracene) 유도체, 카바졸 유도체, 파이렌(pyrene) 유도체 및 페릴렌(perylene) 유도체로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 형광의 호스트 물질 및 형광의 청색(B) 도펀트를 포함하여 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상기 청색(B) 화소의 공통 발광층(CL)(B)(500)은 450nm 내지 480nm의 피크(peak) 파장 범위의 청색 광을 발광할 수 있다. The common layer CL (B) 500 functions as a light emitting layer that emits blue light from the blue (B) pixel. Therefore, the common light emitting layer (CL) (B) 500 includes a host material and a dopant for emitting blue light. More specifically, the common light emitting layer (CL) (B) 500 is at least one fluorescence selected from the group consisting of anthracene derivative, carbazole derivative, pyrene derivative and perylene derivative It may include, but is not limited to, a host material and a fluorescent blue (B) dopant. The common emission layer (CL) (B) 500 of the blue (B) pixel may emit blue light having a peak wavelength range of 450 nm to 480 nm.

상기 전자 수송층(ETL)(600)은 상기 적색(R) 화소, 녹색(G) 화소, 및 청색(B) 화소에서 상기 공통 발광층(CL)(B)(500) 상에 형성되어 있다. 상기 전자 수송층(ETL)(600)은 옥사디아졸(oxadiazole), 트리아졸(triazole), 페난트롤린(phenanthroline), 벤족사졸(benzoxazole) 또는 벤즈티아졸(benzthiazole) 등으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. The electron transport layer (ETL) 600 is formed on the common emission layer (CL) (B) 500 in the red (R) pixel, the green (G) pixel, and the blue (B) pixel. The electron transport layer (ETL) 600 may be made of oxadiazole, triazole, phenanthroline, benzoxazole, benzthiazole, or the like. It is not limited.

이와 같은 전자 수송층(ETL)(600)은 상기 공통 발광층(CL)(B)(500)과 마찬가지로, 기판(1)의 전체면 상에 형성되어 있고, 따라서, 별도의 새도우 마스크 없이 진공 증착 공정(Vacuum evaporation process)으로 형성될 수 있다. Such an electron transport layer (ETL) 600 is formed on the entire surface of the substrate 1 similarly to the common light emitting layer (CL) (B) 500, and thus, a vacuum deposition process (without a separate shadow mask) Vacuum evaporation process).

상기 전자 주입층(EIL)(700)은 상기 적색(R) 화소, 녹색(G) 화소, 및 청색(B) 화소에서 상기 전자 수송층(ETL)(600) 상에 형성되어 있다. 상기 전자 주입층(EIL)(700)은 LIF 또는 LiQ(lithium quinolate) 등으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. The electron injection layer (EIL) 700 is formed on the electron transport layer (ETL) 600 in the red (R) pixel, the green (G) pixel, and the blue (B) pixel. The electron injection layer (EIL) 700 may be made of LIF or lithium quinolate (LiQ), but is not necessarily limited thereto.

이와 같은 전자 주입층(EIL)(700)도 기판(1)의 전체면 상에 형성되어 있고, 따라서, 별도의 새도우 마스크 없이 진공 증착 공정(Vacuum evaporation process)으로 형성될 수 있다. Such an electron injection layer (EIL) 700 is also formed on the entire surface of the substrate 1 and, thus, may be formed by a vacuum evaporation process without a separate shadow mask.

상기 음극(800)은 낮은 일함수를 가지는 금속, 예로서, 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 리튬(Li) 또는 칼슘(Ca) 등으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. The cathode 800 may be made of a metal having a low work function, for example, aluminum (Al), silver (Ag), magnesium (Mg), lithium (Li), or calcium (Ca), but is not limited thereto. It is not.

이와 같은 음극(800)도 기판(1)의 전체면 상에 형성되어 있고, 따라서, 별도의 새도우 마스크 없이 진공 증착 공정(Vacuum evaporation process)으로 형성될 수 있다. The cathode 800 is also formed on the entire surface of the substrate 1 and, thus, may be formed by a vacuum evaporation process without a separate shadow mask.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 정공 주입층(HIL)(200), 정공 수송층(HTL)(300), 및 발광층(EML)(400)은 용액 상태의 패턴화 공정, 예로서 용액 상태의 조성물을 이용하여 잉크젯(ink-jet) 공정을 통해서 각각의 화소 별로 패턴 형성될 수 있고, 상기 공통 발광층(CL)(B)(500), 전자 수송층(ETL)(600), 및 전자 주입층(EIL)(700)은 별도의 새도우 마스크 없이 기판의 전체면 상에 진공 증착 공정(Vacuum evaporation process)으로 형성될 수 있다. As described above, according to one embodiment of the present invention, the hole injection layer (HIL) 200, the hole transport layer (HTL) 300, and the light emitting layer (EML) 400 is a solution patterning process, For example, a pattern may be formed for each pixel through an ink-jet process using a composition in a solution state, and the common light emitting layer (CL) (B) 500, the electron transport layer (ETL) 600, The electron injection layer (EIL) 700 may be formed by a vacuum evaporation process on the entire surface of the substrate without a separate shadow mask.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 양극(Anode)(100)과 음극(Cathode)(800) 사이에 형성되는 다수의 유기층들이 새도우 마스크 없이 형성될 수 있기 때문에, 새도우 마스크의 크기 제약을 받지 않아 대면적 적용이 용이한 장점이 있다.Therefore, according to an embodiment of the present invention, since a plurality of organic layers formed between the anode 100 and the cathode 800 may be formed without the shadow mask, the shadow mask is not limited in size. There is an advantage that the large area is easy to apply.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 단면도로서, 이는 청색(B) 화소의 구조가 변경된 것을 제외하고 전술한 도 2에 따른 유기 발광 소자와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 동일한 구성에 대한 반복 설명은 생략하기로 한다. 3 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention, which is the same as the organic light emitting diode according to FIG. 2 except that the structure of the blue (B) pixel is changed. Therefore, like reference numerals refer to like elements, and repeated descriptions of the same elements will be omitted.

도 3에서 알 수 있듯이, 적색(R) 화소 및 녹색(G) 화소는 차례로 적층된 양극(Anode)(100), 정공 주입층(HIL)(200), 정공 수송층(HTL)(300), 발광층(EML)(R,G)(400), 공통 발광층(CL)(B)(500), 전자 수송층(ETL)(600), 전자 주입층(EIL)(700), 및 음극(Cathode)(800)을 포함하여 이루어진다. As can be seen in FIG. 3, the red (R) pixel and the green (G) pixel are an anode (100), a hole injection layer (HIL) 200, a hole transport layer (HTL) 300, and a light emitting layer that are sequentially stacked. (EML) (R, G) 400, Common Emission Layer (CL) (B) 500, Electron Transport Layer (ETL) 600, Electron Injection Layer (EIL) 700, and Cathode 800 )

반면에, 청색(B) 화소는 차례로 적층된 양극(Anode)(100), 정공 주입층(HIL)(200), 정공 수송층(HTL)(300), 발광층(EML)(B)(400), 전하 생성층(Charge Generating Layer: CGL)(450), 공통 발광층(CL)(B)(500), 전자 수송층(ETL)(600), 전자 주입층(EIL)(700), 및 음극(Cathode)(800)을 포함하여 이루어진다. On the other hand, the blue (B) pixels are sequentially stacked on the anode 100, the hole injection layer (HIL) 200, the hole transport layer (HTL) 300, the light emitting layer (EML) (B) 400, Charge Generating Layer (CGL) 450, Common Emission Layer (CL) (B) 500, Electron Transport Layer (ETL) 600, Electron Injection Layer (EIL) 700, and Cathode 800 is made.

즉, 도 3에 따른 유기 발광 소자는 전술한 도 2에 따른 유기 발광 소자에 발광층(EML)(B)(400) 및 전하 생성층(Charge Generating Layer: CGL)(450)이 추가로 형성된 것이다. That is, in the organic light emitting diode according to FIG. 3, an emission layer (EML) (B) 400 and a charge generating layer (CGL) 450 are additionally formed in the organic light emitting diode according to FIG. 2.

상기 청색(B) 화소의 발광층(EML)(B)(400)은 상기 정공 수송층(HTL)(300) 상에 패턴 형성되어 있다. 상기 청색(B) 화소에 패턴 형성된 발광층(EML)(B)은 호스트 물질에 청색(B) 도펀트가 도핑된 인광물질 또는 형광물질로 이루어질 수 있다. 이와 같은 청색(B) 화소의 발광층(EML)(B)(400)은 용액 상태의 패턴화 공정, 예로서 용액 상태의 발광층 조성물을 준비한 후 잉크젯(ink-jet) 공정을 통해서 상기 청색(B) 화소에 패턴 형성될 수 있다. The light emitting layer (EML) (B) 400 of the blue (B) pixel is patterned on the hole transport layer (HTL) 300. The light emitting layer (EML) (B) patterned on the blue (B) pixel may be formed of a phosphor or a fluorescent material doped with a blue (B) dopant in a host material. The light emitting layer (EML) (B) 400 of the blue (B) pixel is prepared through a patterning process in a solution state, for example, a solution light emitting layer composition, and then prepared through the ink-jet process. Patterns may be formed on the pixels.

상기 청색(B) 화소의 발광층(EML)(B)(400)은 청색(B) 화소의 공통 발광층(CL)(B)(500)과 동일한 파장 범위, 즉, 450nm 내지 480nm의 피크(peak) 파장 범위의 청색 광을 발광할 수 있다. 여기서, 동일한 파장 범위의 청색 광을 발광한다는 것은 청색(B) 화소의 발광층(EML)(B)(400)과 청색(B) 화소의 공통 발광층(CL)(B)(500)이 서로 완전히 동일한 청색의 광을 발광하는 것만을 의미하는 것이 아니라 청색(B) 화소의 발광층(EML)(B)(400)과 청색(B) 화소의 공통 발광층(CL)(B)(500)이 동일한 청색 계열의 광을 발광한다는 것을 의미하는 것이다.The emission layer (EML) (B) 400 of the blue (B) pixel has the same wavelength range as that of the common emission layer (CL) (B) 500 of the blue (B) pixel, that is, a peak of 450 nm to 480 nm. It can emit blue light in the wavelength range. Here, emitting blue light having the same wavelength range means that the emission layer (EML) (B) 400 of the blue (B) pixel and the common emission layer (CL) (B) 500 of the blue (B) pixel are exactly the same. It is not only meant to emit blue light, but also a blue-based light emitting layer (EML) (B) 400 of a blue (B) pixel and a common light emitting layer (CL) (B) 500 of a blue (B) pixel. It means to emit light.

상기 전하 생성층(Charge Generating Layer: CGL)(450)은 상기 발광층(EML)(B)(400) 및 공통 발광층(CL)(B)(500) 사이에 패턴 형성되어 있다. The charge generating layer CGL 450 is patterned between the light emitting layer EML (B) 400 and the common light emitting layer CL (B) 500.

상기 전하 생성층(450)은 N타입 전하 생성층(N-CGL)(451) 및 P타입 전하 생성층(P-CGL)(452)으로 이루어진다. The charge generation layer 450 includes an N-type charge generation layer (N-CGL) 451 and a P-type charge generation layer (P-CGL) 452.

상기 N타입 전하 생성층(N-CGL)(451)은 상기 청색(B) 화소의 발광층(EML)(B)(400)의 상면에 형성되어 상기 청색(B) 화소의 발광층(EML)(B)(400)에 전자(elelctron)를 주입해준다. 상기 N타입 전하 생성층(N-CGL)(451)은 Li, Na, K, 또는 Cs와 같은 알칼리 금속, 또는 Mg, Sr, Ba, 또는 Ra와 같은 알칼리 토금속으로 도핑된 유기층으로 이루어질 수 있다The N-type charge generating layer (N-CGL) 451 is formed on the top surface of the light emitting layer (EML) (B) 400 of the blue (B) pixel to form the light emitting layer (EML) (B) of the blue (B) pixel. Inject electrons (elelctron) in the (400). The N-type charge generating layer (N-CGL) 451 may be formed of an organic layer doped with an alkali metal such as Li, Na, K, or Cs, or an alkaline earth metal such as Mg, Sr, Ba, or Ra.

상기 P타입 전하 생성층(P-CGL)(452)은 상기 N타입 전하 생성층(N-CGL)(451)의 상면, 다시 말하면, 상기 공통 발광층(CL)(B)(500)의 하면에 형성되어 상기 공통 발광층(CL)(B)(500)에 정공(hole)을 주입해준다. 상기 P타입 전하 생성층(P-CGL)(452)은 P형 유기층으로 이루어질 수 있다. The P-type charge generating layer (P-CGL) 452 may be disposed on an upper surface of the N-type charge generating layer (N-CGL) 451, that is, a lower surface of the common emission layer (CL) (B) 500. It is formed to inject holes to the common light emitting layer (CL) (B) 500. The P-type charge generating layer (P-CGL) 452 may be formed of a P-type organic layer.

이와 같은 N타입 전하 생성층(N-CGL)(451) 및 P타입 전하 생성층(P-CGL)(452)은 각각 용액 상태의 패턴화 공정, 예로서 용액 상태의 전하 생성층 조성물을 준비한 후 잉크젯(ink-jet) 공정을 통해서 상기 청색(B) 화소에 패턴 형성될 수 있다. The N-type charge generating layer (N-CGL) 451 and the P-type charge generating layer (P-CGL) 452 are each prepared in a solution patterning process, for example, after preparing a charge generating layer composition in solution. A pattern may be formed on the blue (B) pixel through an ink-jet process.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 정공 주입층(HIL)(200), 정공 수송층(HTL)(300), 발광층(EML)(400), 및 전하 생성층(CGL)(450)은 용액 상태의 패턴화 공정, 예로서 용액 상태의 조성물을 이용하여 잉크젯(ink-jet) 공정을 통해서 각각의 화소 별로 패턴 형성될 수 있고, 상기 공통 발광층(CL)(B)(500), 전자 수송층(ETL)(600), 및 전자 주입층(EIL)(700)은 별도의 새도우 마스크 없이 기판의 전체면 상에 진공 증착 공정(Vacuum evaporation process)으로 형성될 수 있다. 따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 양극(Anode)(100)과 음극(Cathode)(800) 사이에 형성되는 다수의 유기층들이 새도우 마스크 없이 형성될 수 있기 때문에, 새도우 마스크의 크기 제약을 받지 않아 대면적 적용이 용이한 장점이 있다.As described above, according to another embodiment of the present invention, the hole injection layer (HIL) 200, the hole transport layer (HTL) 300, the light emitting layer (EML) 400, and the charge generation layer (CGL) ( 450 may be patterned for each pixel through an ink-jet process using a solution patterning process, for example, a composition in solution, and the common light emitting layer (CL) (B) 500. The electron transport layer (ETL) 600 and the electron injection layer (EIL) 700 may be formed by a vacuum evaporation process on the entire surface of the substrate without a separate shadow mask. Therefore, according to another embodiment of the present invention, since a plurality of organic layers formed between the anode 100 and the cathode 800 may be formed without the shadow mask, the shadow mask is not limited in size. There is an advantage that the large area is easy to apply.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 청색(B) 화소가 전하 생성층(CGL)(450)의 아래에 청색의 발광층(EML)(B)(400)을 포함함과 더불어 전하 생성층(CGL)(450)의 위에 공통 발광층(CL)(B)(500)을 포함함으로써, 탠덤(Tandem) 구조의 발광층을 구비하게 되어 청색(B) 화소에서의 휘도가 증진되는 효과가 있다. In addition, according to another embodiment of the present invention, the blue (B) pixel includes a blue light emitting layer (EML) (B) 400 under the charge generating layer (CGL) 450 and the charge generating layer ( By including the common light emitting layer (CL) (B) 500 on the CGL) 450, the light emitting layer having a tandem structure is provided, thereby improving luminance in the blue (B) pixel.

한편, 도시하지는 않았지만, 청색(B) 화소가 아니라 적색(R) 화소가 발광층(EML)(R), 전하 생성층(CGL) 및 공통 발광층(Common Layer)(R)의 탠덤 구조의 발광층을 구비하도록 구성할 수도 있고, 청색(B) 화소가 아니라 녹색(G) 화소가 발광층(EML)(G), 전하 생성층(CGL) 및 공통 발광층(Common Layer)(G)의 탠덤 구조의 발광층을 구비하도록 구성할 수도 있다. Although not shown, a red (R) pixel, not a blue (B) pixel, includes a light emitting layer having a tandem structure of an emission layer (EML), a charge generation layer (CGL), and a common layer (R). The green (G) pixel, not the blue (B) pixel, may have a light emitting layer having a tandem structure of the light emitting layer (EML) (G), the charge generating layer (CGL), and the common layer (G). It can also be configured to.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 단면도로서, 이는 청색(B) 화소에 반투과 도전층(150)이 추가로 형성된 것을 제외하고 전술한 도 3에 따른 유기 발광 소자와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 동일한 구성에 대한 반복 설명은 생략하기로 한다. 4 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode according to another exemplary embodiment of the present invention, which is an organic light emitting diode according to FIG. 3 except that a semi-transmissive conductive layer 150 is further formed in a blue (B) pixel. Same as the device. Therefore, like reference numerals refer to like elements, and repeated descriptions of the same elements will be omitted.

도 4에서 알 수 있듯이, 적색(R) 화소 및 녹색(G) 화소는 차례로 적층된 양극(Anode)(100), 정공 주입층(HIL)(200), 정공 수송층(HTL)(300), 발광층(EML)(R, G)(400), 공통 발광층(CL)(B)(500), 전자 수송층(ETL)(600), 전자 주입층(EIL)(700), 및 음극(Cathode)(800)을 포함하여 이루어진다. As can be seen in FIG. 4, the red (R) pixel and the green (G) pixel are formed of an anode 100, a hole injection layer (HIL) 200, a hole transport layer (HTL) 300, and an emission layer, which are sequentially stacked. (EML) (R, G) 400, common emission layer (CL) (B) 500, electron transport layer (ETL) 600, electron injection layer (EIL) 700, and cathode 800 )

반면에, 청색(B) 화소는 차례로 적층된 양극(Anode)(100), 반투과 도전층(150), 정공 주입층(HIL)(200), 정공 수송층(HTL)(300), 발광층(EML)(B)(400), 전하 생성층(CGL)(450), 공통 발광층(CL)(B)(500), 전자 수송층(ETL)(600), 전자 주입층(EIL)(700), 및 음극(Cathode)(800)을 포함하여 이루어진다. On the other hand, the blue (B) pixels include an anode (100), a semi-transmissive conductive layer (150), a hole injection layer (HIL) 200, a hole transport layer (HTL) 300, and an emission layer (EML) sequentially stacked. ) (B) 400, charge generation layer (CGL) 450, common emission layer (CL) (B) 500, electron transport layer (ETL) 600, electron injection layer (EIL) 700, and It comprises a cathode (Cathode) (800).

상기 반투과 도전층(150)은 광이 방출되는 방향의 전극에 해당하는 양극(Anode)(100) 상에, 보다 구체적으로는 상기 양극(Anode)(100)과 정공 주입층(HIL)(200) 상에 패턴 형성되어 있다. The transflective conductive layer 150 is on an anode 100 corresponding to an electrode in a direction in which light is emitted, and more specifically, the anode 100 and the hole injection layer HIL 200. ) Is formed on the pattern.

상기 반투과 도전층(150)은 Ag 박막으로 이루어질 수 있으며, 이와 같은 반투과 도전층(150)을 적용함으로써 마이크로캐버티(Microcavity) 효과를 통해서 휘도 향상, 효율 향상, 및 색재연률 향상 효과를 얻을 수 있다. 상기 반투과 도전층(150)은 반사율이 30% 내지 70% 범위의 도전층을 의미한다. The transflective conductive layer 150 may be formed of an Ag thin film, and by applying the transflective conductive layer 150 as described above, luminance, efficiency, and color reproduction rate may be improved through a microcavity effect. You can get it. The transflective conductive layer 150 refers to a conductive layer having a reflectance of 30% to 70%.

이와 같은 반투과 도전층(150)은 용액 상태의 패턴화 공정, 예로서 용액 상태의 발광층 조성물을 준비한 후 잉크젯(ink-jet) 공정을 통해서 상기 청색(B) 화소에 패턴 형성될 수 있다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 반투과 도전층(150), 정공 주입층(HIL)(200), 정공 수송층(HTL)(300), 발광층(EML)(400), 및 전하 생성층(CGL)(450)은 용액 상태의 패턴화 공정, 예로서 용액 상태의 조성물을 이용하여 잉크젯(ink-jet) 공정을 통해서 각각의 화소 별로 패턴 형성될 수 있고, 상기 공통 발광층(CL)(B)(500), 전자 수송층(ETL)(600), 및 전자 주입층(EIL)(700)은 별도의 새도우 마스크 없이 기판의 전체면 상에 진공 증착 공정(Vacuum evaporation process)으로 형성될 수 있다. The semi-transmissive conductive layer 150 may be patterned on the blue (B) pixel through an ink-jet process after preparing a light emitting layer composition in a solution state, for example, a solution state. Therefore, according to another embodiment of the present invention, the transflective conductive layer 150, the hole injection layer (HIL) 200, the hole transport layer (HTL) 300, the light emitting layer (EML) 400, and the charge The generation layer (CGL) 450 may be patterned for each pixel through an ink-jet process using a solution patterning process, for example, a solution composition, and the common emission layer CL. (B) 500, electron transport layer (ETL) 600, and electron injection layer (EIL) 700 may be formed in a vacuum evaporation process on the entire surface of the substrate without a separate shadow mask. have.

도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법을 도시한 제조 공정도로서, 이는 전술한 도 4에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 이하에서는, 구성요소의 재료 등과 같이 전술한 바와 동일한 구성에 대한 반복 설명은 생략하기로 한다. 5A to 5D are manufacturing process diagrams illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention, which relates to the method of manufacturing the organic light emitting diode according to FIG. 4. In the following, repeated description of the same configuration as described above, such as the material of the component will be omitted.

우선, 도 5a에서 알 수 있듯이, 기판(1) 상의 적색(R) 화소, 녹색(G) 화소 및 청색(B) 화소 각각에 양극(Anode)(100)을 패턴 형성한 후, 상기 청색(B) 화소의 양극(Anode)(100) 상에 반투과 도전층(150)을 패턴 형성한다. First, as shown in FIG. 5A, an anode 100 is patterned on each of a red (R) pixel, a green (G) pixel, and a blue (B) pixel on the substrate 1, and then the blue (B) pattern is formed. A semi-transmissive conductive layer 150 is patterned on the anode 100 of the pixel.

구체적으로는, 상기 기판(1) 상에 MOCVD 공정 및 포토리소그라피 공정의 조합에 의해서 상기 양극(Anode)(100)을 패턴 형성하고, 상기 양극(Anode)(100) 상에 용액 상태의 패턴화 공정, 예로서 잉크젯(ink-jet) 공정을 통해서 반투과 도전층(150)을 패턴 형성한다. 상기 반투과 도전층(150)은 생략할 수 있으며, 이 경우, 전술한 도 3에 따른 유기 발광 소자를 얻을 수 있다. Specifically, the anode 100 is patterned by a combination of a MOCVD process and a photolithography process on the substrate 1, and a patterning process of a solution state on the anode 100 is performed. For example, the semi-transmissive conductive layer 150 is patterned through an ink-jet process. The transflective conductive layer 150 may be omitted. In this case, the organic light emitting diode according to FIG. 3 may be obtained.

다음, 도 5b에서 알 수 있듯이, 기판(1) 상의 적색(R) 화소, 녹색(G) 화소 및 청색(B) 화소 각각에 정공 주입층(HIL)(200), 정공 수송층(HTL)(300), 및 발광층(EML)(R,G,B)(400)을 차례로 패턴 형성한다. Next, as shown in FIG. 5B, a hole injection layer (HIL) 200 and a hole transport layer (HTL) 300 may be formed in each of the red (R), green (G), and blue (B) pixels on the substrate 1. ) And the light emitting layer (EML) (R, G, B) 400 are patterned in sequence.

구체적으로는, 상기 적색(R) 및 녹색(G) 화소의 양극(Anode)(100) 상면 및 상기 청색(B) 화소의 반투과 도전층(150) 상면에 용액 상태의 패턴화 공정, 예로서 잉크젯(ink-jet) 공정을 통해서 정공 주입층(HIL)(200)을 패턴 형성하고, 상기 정공 주입층(HIL)(200) 상에 용액 상태의 패턴화 공정, 예로서 잉크젯 공정을 통해서 정공 수송층(HTL)(300)을 패턴 형성하고, 정공 수송층(HTL)(300) 상에 용액 상태의 패턴화 공정, 예로서 잉크젯 공정을 통해서 발광층(EML)(R,G,B)(400)을 각각 패턴 형성한다. Specifically, a patterning process of a solution state on an upper surface of the anode 100 of the red (R) and green (G) pixels and an upper surface of the transflective conductive layer 150 of the blue (B) pixels, for example. A hole injection layer (HIL) 200 is patterned through an ink-jet process, and a hole transport layer is formed on the hole injection layer (HIL) 200 through a patterning process in a solution state, for example, an inkjet process. (HTL) 300 is patterned, and the light emitting layers (EML) (R, G, B) 400 are respectively formed on the hole transport layer (HTL) 300 by a patterning process in a solution state, for example, an inkjet process. Pattern forms.

다음, 도 5c에서 알 수 있듯이, 기판(1) 상의 청색(B) 화소에 전하 생성층(CGL)(450)을 패턴 형성한다. Next, as shown in FIG. 5C, the charge generation layer (CGL) 450 is patterned on the blue (B) pixel on the substrate 1.

상기 전하 생성층(CGL)(450)은 상기 청색(B) 화소의 발광층(EML)(B)(400) 상에 용액 상태의 패턴화 공정, 예로서 잉크젯 공정을 통해서 N타입 전하 생성층(N-CGL)(451)을 패턴 형성하고, 상기 N타입 전하 생성층(N-CGL)(451) 상에 용액 상태의 패턴화 공정, 예로서 잉크젯 공정을 통해서 P타입 전하 생성층(P-CGL)(452)을 패턴 형성하는 공정을 통해서 형성한다. The charge generation layer (CGL) 450 is an N-type charge generation layer (N) through a patterning process, for example, an inkjet process, on a light emitting layer (EML) (B) 400 of the blue (B) pixel. Pattern-forming a P-type charge generating layer (P-CGL) through a patterning process in a solution state, for example, an inkjet process, on the N-type charge generating layer (N-CGL) 451. 452 is formed through a pattern forming process.

다음, 도 5d에서 알 수 있듯이, 적색(R) 화소, 녹색(G) 화소 및 청색(B) 화소를 포함한 기판(1)의 전체면 상에 공통 발광층(CL)(B)(500), 전자 수송층(ETL)(600), 전자 주입층(EIL)(700) 및 음극(Cathode)(800)을 차례로 형성한다. Next, as shown in FIG. 5D, the common light emitting layer (CL) (B) 500 and the electrons are formed on the entire surface of the substrate 1 including the red (R) pixel, the green (G) pixel, and the blue (B) pixel. A transport layer (ETL) 600, an electron injection layer (EIL) 700, and a cathode 800 are sequentially formed.

상기 공통 발광층(CL)(B)(500)은 상기 적색(R) 화소 및 녹색(G) 화소의 발광층(EML)(400)의 상면 및 상기 청색(B) 화소의 전하 생성층(CGL)(450) 상면에 새도우 마스크 없이 진공 증착 공정(Vacuum evaporation process)을 통해 형성한다. The common light emitting layer (CL) (B) 500 includes an upper surface of the light emitting layer (EML) 400 of the red (R) pixel and the green (G) pixel and a charge generation layer (CGL) of the blue (B) pixel ( 450) formed through a vacuum evaporation process without a shadow mask on the upper surface.

상기 전자 수송층(ETL)(600)은 상기 공통 발광층(CL)(B)(500) 상에 새도우 마스크 없이 진공 증착 공정으로 형성한다. The electron transport layer (ETL) 600 is formed on the common light emitting layer (CL) (B) 500 by a vacuum deposition process without a shadow mask.

상기 전자 주입층(EIL)(700)은 상기 전자 수송층(ETL)(600) 상에 새도우 마스크 없이 진공 증착 공정으로 형성한다. The electron injection layer (EIL) 700 is formed on the electron transport layer (ETL) 600 by a vacuum deposition process without a shadow mask.

상기 음극(Cathode)(800)은 상기 전자 주입층(EIL)(700) 상에 새도우 마스크 없이 진공 증착 공정으로 형성한다. The cathode 800 is formed on the electron injection layer EIL 700 by a vacuum deposition process without a shadow mask.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 단면도이다. 6 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

도 6에서 알 수 있듯이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 기판(1) 상에 박막 트랜지스터층(900)이 형성되어 있고, 상기 박막 트랜지스터층(900) 상에 뱅크층(980)과 더불어 전술한 도 4에서 도시한 양극(Anode)(100), 반투과 도전층(150), 정공 주입층(HIL)(200), 정공 수송층(HTL)(300), 발광층(EML)(400), 전하 생성층(CGL)(450), 공통 발광층(CL)(B)(500), 전자 수송층(ETL)(600), 전자 주입층(EIL)(700), 및 음극(Cathode)(800)이 형성되어 있다. 이하에서는, 구성요소의 재료 등과 같이 전술한 바와 동일한 구성에 대한 반복 설명은 생략하기로 한다. 한편, 도시하지는 않았지만, 상기 박막 트랜지스터층(900) 상에 뱅크층(980)과 더불어 전술한 도 2 또는 도 3에서 도시한 구조가 형성될 수도 있다. As can be seen in FIG. 6, according to another embodiment of the present invention, a thin film transistor layer 900 is formed on the substrate 1, and along with the bank layer 980 on the thin film transistor layer 900. 4, the anode 100, the semi-transmissive conductive layer 150, the hole injection layer (HIL) 200, the hole transport layer (HTL) 300, the emission layer (EML) 400, The charge generation layer (CGL) 450, the common emission layer (CL) (B) 500, the electron transport layer (ETL) 600, the electron injection layer (EIL) 700, and the cathode (800) Formed. In the following, repeated description of the same configuration as described above, such as the material of the component will be omitted. Although not shown, a structure shown in FIG. 2 or 3 may be formed on the thin film transistor layer 900 together with the bank layer 980.

상기 박막 트랜지스터층(900)은 게이트 전극(910), 게이트 절연막(920), 액티브층(930), 소스 전극(940a), 드레인 전극(940b), 및 보호막(950)을 포함하여 이루어진다. The thin film transistor layer 900 includes a gate electrode 910, a gate insulating film 920, an active layer 930, a source electrode 940a, a drain electrode 940b, and a passivation layer 950.

상기 게이트 전극(910)은 적색(R) 화소, 녹색(G) 화소 및 청색(B) 화소 각각에서 상기 기판(1) 상에 패턴 형성되어 있고, 상기 게이트 절연막(920)은 상기 게이트 전극(910)을 포함한 기판 전체면 상에 형성되어 있다. The gate electrode 910 is formed on the substrate 1 in a red (R) pixel, a green (G) pixel, and a blue (B) pixel, and the gate insulating film 920 is formed on the gate electrode 910. It is formed on the board | substrate whole surface containing ().

상기 액티브층(930)은 적색(R) 화소, 녹색(G) 화소 및 청색(B) 화소 각각에서 상기 게이트 절연막(920) 상에 패턴 형성되어 있고, 상기 소스 전극(940a) 및 드레인 전극(940b)은 상기 액티브층(930) 상에 서로 마주하면서 패턴 형성되어 있다. The active layer 930 is patterned on the gate insulating layer 920 in each of a red (R) pixel, a green (G) pixel, and a blue (B) pixel, and the source electrode 940a and the drain electrode 940b. ) Are patterned on the active layer 930 while facing each other.

상기 보호막(950)은 상기 소스 전극(940a) 및 드레인 전극(940b)을 포함한 기판 전체면 상에 형성되어 있다. The passivation layer 950 is formed on the entire surface of the substrate including the source electrode 940a and the drain electrode 940b.

이상과 같은 박막 트랜지스터층(900)은 당업계에 공지된 다양한 형태로 변경될 수 있다. 예로서, 상기 박막 트랜지스터층(900)은 게이트 전극(910)이 액티브층(930)의 아래에 형성된 보텀 게이트(Bottom Gate) 구조뿐만 아니라 게이트 전극(910)이 액티브층(930)의 위에 형성되는 탑 게이트(Top gate) 구조로 이루어질 수도 있다. The thin film transistor layer 900 as described above may be changed in various forms known in the art. For example, the thin film transistor layer 900 may include a bottom gate structure in which a gate electrode 910 is formed below the active layer 930, and a gate electrode 910 is formed on the active layer 930. It may be made of a top gate structure.

상기 뱅크층(980)은 상기 보호막(950) 상에 형성되어 있다. 구체적으로, 상기 뱅크층(980)은 상기 게이트 전극(910), 액티브층(930), 소스 전극(940a) 및 드레인 전극(940b)과 오버랩되도록 패턴 형성되어 있으며, 이와 같은 뱅크층(980)에 의해서 발광 영역이 정의된다. The bank layer 980 is formed on the passivation layer 950. In detail, the bank layer 980 is patterned to overlap the gate electrode 910, the active layer 930, the source electrode 940a, and the drain electrode 940b. The light emitting area is defined by this.

상기 양극(Anode)(100)은 상기 보호막(950)에 형성된 콘택홀을 통해서 상기 박막트랜지스터층(900)의 드레인 전극(940b)과 연결되어 있다. 이와 같은 양극(100)은 상기 적색(R) 화소, 녹색(G) 화소 및 청색(B) 화소에서 상기 보호막(950) 상에 각각 패턴 형성되어 있다. The anode 100 is connected to the drain electrode 940b of the thin film transistor layer 900 through a contact hole formed in the passivation layer 950. The anode 100 is patterned on the passivation layer 950 in the red (R) pixel, the green (G) pixel, and the blue (B) pixel, respectively.

상기 반투과 도전층(150)은 상기 청색(B) 화소에서 상기 양극(100) 상에 패턴 형성되어 있다.The transflective conductive layer 150 is patterned on the anode 100 in the blue (B) pixel.

상기 정공 주입층(HIL)(200)은 상기 적색(R) 화소 및 녹색(G) 화소의 양극(100) 상면 및 상기 청색(B) 화소의 반투과 도전층(150) 상면에 각각 패턴 형성되어 있다.The hole injection layer (HIL) 200 is patterned on the upper surface of the anode 100 of the red (R) pixel and the green (G) pixel and the upper surface of the transflective conductive layer 150 of the blue (B) pixel, respectively. have.

상기 정공 수송층(HTL)(300)은 상기 적색(R) 화소, 녹색(G) 화소 및 청색(B) 화소에서 상기 정공 주입층(HIL)(200) 상에 각각 패턴 형성되어 있다. The hole transport layer (HTL) 300 is patterned on the hole injection layer (HIL) 200 in the red (R) pixel, the green (G) pixel, and the blue (B) pixel, respectively.

상기 발광층(EML)(R, G, B)(400)은 상기 적색(R) 화소, 녹색(G) 화소 및 청색(B) 화소에서 상기 정공 수송층(HTL)(300) 상에 각각 패턴 형성되어 있다. The emission layer EML (R, G, B) 400 is patterned on the hole transport layer HTL 300 in the red (R) pixel, the green (G) pixel, and the blue (B) pixel, respectively. have.

상기 전하 생성층(CGL)(450)은 상기 청색(B) 화소에서 상기 발광층(EML)(B)(400) 상에 패턴 형성되어 있다. The charge generation layer (CGL) 450 is patterned on the emission layer (EML) (B) 400 in the blue (B) pixel.

이상과 같은 상기 반투과 도전층(150), 정공 주입층(HIL)(200), 정공 수송층(HTL)(300), 발광층(EML)(400), 및 전하 생성층(CGL)(450)은 잉크젯(ink-jet) 공정을 통해서 상기 뱅크층(980)에 의해서 정의된 발광 영역 내에 패턴 형성되어 있다. The transflective conductive layer 150, the hole injection layer (HIL) 200, the hole transport layer (HTL) 300, the light emitting layer (EML) 400, and the charge generation layer (CGL) 450 as described above are A pattern is formed in the light emitting region defined by the bank layer 980 through an ink-jet process.

상기 공통 발광층(CL)(B)(500)은 상기 적색(R) 화소, 녹색(G) 화소 및 청색(B) 화소를 포함한 기판(1)의 전체면 상에 형성되어 있다. 즉, 상기 공통 발광층(CL)(B)(500)은 별도의 새도우 마스크 없이 진공 증착 공정(Vacuum evaporation process)으로 상기 적색(R) 화소 및 녹색(G) 화소 내의 상기 발광층(EML)(400)의 상면, 상기 청색(B) 화소 내의 상기 전하 생성층(CGL)(450)의 상면, 및 상기 뱅크층(980)의 상면에 형성되어 있다. The common emission layer CL (B) 500 is formed on the entire surface of the substrate 1 including the red (R) pixel, the green (G) pixel, and the blue (B) pixel. That is, the common light emitting layer (CL) (B) 500 is a light emitting layer (EML) 400 in the red (R) and green (G) pixels in a vacuum evaporation process without a separate shadow mask. Are formed on the top surface of the top surface, the top surface of the charge generating layer (CGL) 450 in the blue (B) pixel, and the top surface of the bank layer 980.

상기 전자 수송층(ETL)(600), 상기 전자 주입층(EIL)(700), 및 상기 음극(Cathode)(800)은 상기 적색(R) 화소, 녹색(G) 화소 및 청색(B) 화소를 포함한 기판(1)의 전체면 상에 차례로 형성되어 있다.The electron transport layer (ETL) 600, the electron injection layer (EIL) 700, and the cathode 800 may include the red (R), green (G), and blue (B) pixels. It is formed in order on the whole surface of the board | substrate 1 which contained.

구체적으로, 상기 전자 수송층(ETL)(600)은 별도의 새도우 마스크 없이 진공 증착 공정으로 상기 공통 발광층(CL)(B)(500) 상에 형성되어 있고, 상기 전자 주입층(EIL)(700)은 별도의 새도우 마스크 없이 진공 증착 공정으로 상기 전자 수송층(ETL)(600) 상에 형성되어 있고, 상기 음극(Cathode)(800)은 별도의 새도우 마스크 없이 진공 증착 공정으로 상기 전자 주입층(EIL)(700) 상에 형성되어 있다. Specifically, the electron transport layer (ETL) 600 is formed on the common light emitting layer (CL) (B) 500 by a vacuum deposition process without a separate shadow mask, and the electron injection layer (EIL) 700. Is formed on the electron transport layer (ETL) 600 by a vacuum deposition process without a separate shadow mask, and the cathode 800 is a vacuum deposition process without a separate shadow mask to the electron injection layer (EIL) It is formed on 700.

이상과 같은 상기 공통 발광층(CL)(B)(500), 전자 수송층(ETL)(600), 상기 전자 주입층(EIL)(700), 및 상기 음극(Cathode)(800)은 별도의 새도우 마스크 없이 진공 증착 공정으로 상기 뱅크층(980)에 의해서 정의된 발광 영역뿐만 아니라 상기 뱅크층(980) 상에도 형성되어 있다. The common light emitting layer (CL) (B) 500, the electron transport layer (ETL) 600, the electron injection layer (EIL) 700, and the cathode 800 are separate shadow masks. The vacuum deposition process is performed on the bank layer 980 as well as the light emitting region defined by the bank layer 980.

1: 기판 100: 양극
150: 반투과 도전층 200: 정공 주입층
300: 정공 수송층 400: 발광층
450: 전하 생성층 500: 공통 발광층
600: 전자 수송층 700: 전자 주입층
800: 음극 900: 박막트랜지스터층
980: 뱅크층1: substrate 100: anode
150: semi-transmissive conductive layer 200: hole injection layer
300: hole transport layer 400: light emitting layer
450: charge generating layer 500: common emission layer
600: electron transport layer 700: electron injection layer
800: cathode 900: thin film transistor layer
980: bank layer

Claims (10)

기판 상에 형성된 제1 화소, 제2 화소, 및 제3 화소를 포함하여 이루어지고,
상기 제1 화소는 양극과 음극 사이에 차례로 형성된 제1 발광층, 전하 생성층, 및 공통 발광층을 포함하여 이루어지고,
상기 제1 발광층과 상기 공통 발광층은 동일한 파장 범위의 광을 발광하고, 상기 공통 발광층은 상기 제2 화소 및 제3 화소에도 형성되며,
상기 전하 생성층은 상기 제1 발광층과 상기 공통 발광층 사이에만 배치된 유기 발광 소자. It comprises a first pixel, a second pixel, and a third pixel formed on the substrate,
The first pixel includes a first light emitting layer, a charge generating layer, and a common light emitting layer, which are sequentially formed between an anode and a cathode,
The first light emitting layer and the common light emitting layer emit light of the same wavelength range, and the common light emitting layer is formed on the second pixel and the third pixel,
And the charge generating layer is disposed only between the first light emitting layer and the common light emitting layer. 제1항에 있어서,
상기 전하 생성층은 상기 제1 발광층 상면에 형성된 N타입 전하 생성층 및 상기 공통 발광층 하면에 형성된 P타입 전하 생성층으로 이루어진 유기 발광 소자. The method of claim 1,
The charge generating layer is an organic light emitting device comprising an N-type charge generating layer formed on the upper surface of the first light emitting layer and a P-type charge generating layer formed on the lower surface of the common light emitting layer. 제1항에 있어서,
상기 양극 상에 반투과 도전층이 추가로 형성된 유기 발광 소자. The method of claim 1,
An organic light emitting device further formed with a transflective conductive layer on the anode. 제1항에 있어서,
상기 양극과 상기 제1 발광층 사이에 정공 주입층 및 정공 수송층이 추가로 형성되어 있고, 상기 공통 발광층과 상기 음극 사이에 전자 수송층 및 전자 주입층이 추가로 형성되어 있으며,
상기 전자 수송층 및 전자 주입층은 상기 기판 전체면 상에 형성되어 있는 유기 발광 소자. The method of claim 1,
A hole injection layer and a hole transport layer are further formed between the anode and the first light emitting layer, and an electron transport layer and an electron injection layer are further formed between the common light emitting layer and the cathode.
The electron transport layer and the electron injection layer is formed on the entire surface of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 제2 화소는 상기 공통 발광층 아래에 상기 공통 발광층과 상이한 파장 범위의 광을 발광하는 제2 발광층을 포함하여 이루어진 유기 발광 소자. The method of claim 1,
The second pixel includes a second light emitting layer emitting light of a wavelength range different from that of the common light emitting layer under the common light emitting layer. 제1항에 있어서,
상기 제1 화소는 청색 화소로 이루어진 유기 발광 소자. The method of claim 1,
The first pixel is an organic light emitting element consisting of blue pixels. 기판 상의 제1 화소에 양극을 패턴 형성하는 공정;
상기 양극 상에 용액 상태의 패턴화 공정으로 제1 발광층을 패턴 형성하는 공정;
상기 제1 발광층 상에 용액 상태의 패턴화 공정으로 전하 생성층을 패턴 형성하는 공정; 및
상기 전하 생성층을 포함한 기판 전체면 상에 진공 증착 공정으로 공통 발광층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지고,
상기 제1 발광층과 상기 공통 발광층은 동일한 파장 범위의 광을 발광하며,
상기 전하 생성층은 상기 제1 발광층과 상기 공통 발광층 사이에만 배치된 유기 발광 소자의 제조방법. Patterning an anode on the first pixel on the substrate;
Patterning a first light emitting layer on the anode by a patterning process in a solution state;
Patterning a charge generating layer on the first light emitting layer by a patterning process in a solution state; And
It comprises a step of forming a common light emitting layer by a vacuum deposition process on the entire surface of the substrate including the charge generating layer,
The first light emitting layer and the common light emitting layer emits light of the same wavelength range,
And the charge generation layer is disposed only between the first light emitting layer and the common light emitting layer. 제7항에 있어서,
상기 제1 발광층을 패턴 형성하는 공정 이전에 상기 양극 상에 용액 상태의 패턴화 공정으로 반투과 도전층을 형성하는 공정을 추가로 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법. The method of claim 7, wherein
And forming a transflective conductive layer in a solution patterning process on the anode prior to the step of patterning the first light emitting layer. 제7항에 있어서,
상기 제1 발광층을 패턴 형성하는 공정 이전에 상기 양극 상에 정공 주입층 및 정공 수송층을 용액 상태의 패턴화 공정으로 차례로 패턴 형성하는 공정; 및
상기 공통 발광층을 형성하는 공정 이후에 상기 공통 발광층 상에 전자 수송층 및 전자 주입층을 진공 증착 공정으로 차례로 형성하는 공정을 추가로 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법. The method of claim 7, wherein
Prior to forming the pattern of the first light emitting layer, sequentially forming a hole injection layer and a hole transporting layer on the anode in a solution patterning process; And
And forming an electron transport layer and an electron injection layer on the common light emitting layer in a vacuum deposition process after the step of forming the common light emitting layer. 제7항에 있어서,
상기 공통 발광층을 형성하는 공정 이전에, 상기 기판 상의 제2 화소에 상기 공통 발광층과 상이한 파장 범위의 광을 발광하는 제2 발광층을 용액 상태의 패턴화 공정으로 패턴형성하는 공정을 추가로 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법. The method of claim 7, wherein
Prior to the forming of the common light emitting layer, the organic light emitting method further comprises a step of patterning a second light emitting layer for emitting light having a wavelength range different from that of the common light emitting layer to a second pixel on the substrate by a patterning process in a solution state. Method of manufacturing a light emitting device.
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