KR102071297B1 - 비불산계 치과용 세라믹 재료 에칭조성물 및 치과용 세라믹 재료의 표면 처리 방법 - Google Patents

비불산계 치과용 세라믹 재료 에칭조성물 및 치과용 세라믹 재료의 표면 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 비불산계 치과용 세라믹 재료 에칭조성물 및 치과용 세라믹 재료의 표면 처리 방법에 관한 것으로, 본 발명의 실시 예를 따르는 비불산계 치과용 세라믹 재료 에칭조성물은, 황산 5 내지 15 wt%, 불화물염 15 내지 30 wt% 및 잔부 물을 포함한다.

Description

비불산계 치과용 세라믹 재료 에칭조성물 및 치과용 세라믹 재료의 표면 처리 방법{Non-fluorinated etching composition for dental ceramic and method for treating surface of dental ceramic}
본 발명은 비불산계 치과용 세라믹 재료 에칭조성물 및 치과용 세라믹 재료의 표면 처리 방법에 관한 것이다.
내구성 및 강도가 우수한 3Y-TZP(3mol% Yittirium Tetragonal Zirconia Polycrystal)를 치아수복물로 사용시, 지르코니아의 탁한 표면 색상으로 인한 심미적 측면의 한계 때문에 표면에 레진 또는 세라믹을 코팅하여 보철물을 부착하게 된다. 이 때 접착시킨 레진 또는 세라믹이 박리되거나 보철물에 접합시킨 지르코니아가 분리되어 떨어져 나가는 현상이 시술 건수의 약 30%에 이르는 것으로 알려져 있다. 따라서 치아수복물의 안정적인 제작과 사용을 위하여 지르코니아와 레진 또는 세라믹 간의 접합강도를 증가시킬 필요성이 있다.
한국 특허등록공보 제10-1763573호을 참조하면, 기존의 세라믹 산 부식제는 체내에 유입될 경우 치명적인 위험을 가지고 있는 불산을 포함하고 있다. 불산은 끓는점이 19도이므로 상온에서 기화되고 인체에 용액이나 증기가 직접 닿으면 피부와 점막이 심하게 부식될 수 있으며, 고농도 가스나 증기를 흡입하면 강한 독성 때문에 신경조직이 손상된다. 또한 폐에 체액이 과도하게 쌓이면 호흡이 곤란해지는 질환인 폐부종이 생겨 사망에 이를 수 있는 맹독 물질이다. 따라서 불산을 포함한 에칭액의 제조 및 사용시 발생하는 불산 증기(vapor) 및 불산 연기(fume)로 인해 제조자 및 사용자의 안전에 위험이 있을 수 있다.
한국 특허등록공보 제10-1763573호
본 발명은 인체에 유해한 비불산계 치과용 세라믹 재료 에칭조성물 및 이를 이용한 치과용 세라믹 재료의 표면 처리 방법을 제공함을 목적으로 한다.
또한, 치과용 세라믹을 높은 효율로 에칭할 수 있고 균일하게 에칭할 수 있는 비불산계 치과용 세라믹 재료 에칭조성물 및 이를 이용한 치과용 세라믹 재료의 표면 처리 방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 실시 예를 따르는 비불산계 치과용 세라믹 재료 에칭조성물은, 황산 5 내지 15 wt%, 불화물염 15 내지 30 wt% 및 잔부 물을 포함한다.
상기 황산의 함량은 상기 불화물염의 함량보다 적을 수 있다.
상기 황산의 함량은 8 내지 11wt%일 수 있다.
상기 불화물염의 함량은 19 내지 26wt%일 수 있다.
상기 불화물염은 산성불화암모늄(NH4HF2), 불화암모늄(NH4F), 불화나트륨(NaF), 산성불화칼륨(KHF2), 산성불화나트륨(NaHF2), 불화바륨(BaF2), 불화칼륨(KF) 및 붕불화암모늄(NH4BF4) 중 적어도 어느 하나일 수 있다.
본 발명의 실시 예를 따르는 치과용 세라믹 재료의 표면 처리 방법은, 치과용 세라믹 재료를 가공하는 단계; 비불산계 치과용 지르코니아 에칭조성물을 이용하여 상기 치과용 세라믹 재료의 표면을 처리하는 단계; 및 상기 표면 처리된 상기 치과용 세라믹 재료를 세정하는 단계;를 포함하고, 상기 비불산계 치과용 세라믹 재료 에칭조성물은 황산 5 내지 15 wt%, 불화물염 15 내지 30 wt% 및 잔부 물을 포함한다.
상기 치과용 세라믹 재료의 표면을 처리하는 단계에서, 상기 에칭조성물의 온도는 45 내지 65 ℃일 수 있다.
상기 치과용 세라믹 재료의 표면을 처리하는 단계에서, 상기 에칭조성물로 상기 치과용 세라믹 재료의 표면을 처리하는 시간은 10 내지 40분일 수 있다.
상기 치과용 세라믹 재료의 표면을 처리하는 단계에서, 상기 치과용 세라믹 재료의 표면에 초음파를 인가할 수 있다.
본 발명의 실시 예를 따르는 비불산계 치과용 세라믹 재료 에칭조성물 및 이를 이용한 치과용 세라믹 재료의 표면 처리 방법은 인체에 유해한 불산을 포함하지 않는다.
또한, 치과용 세라믹을 높은 효율로 에칭할 수 있고 균일하게 에칭할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예를 따르는 치과용 세라믹 재료의 표면 처리 방법을 도시한 순서도이다.
도 2 내지 도 6은 실험 예1 내지 5의 에칭 실험 결과물의 SEM 분석 사진이다.
도 7 내지 도 11은 실험 예6 내지 10의 에칭 실험 결과물의 AFM 분석 사진이다.
도 12 내지 도 14는 실험 예11 내지 13의 에칭 실험 결과물의 SEM 분석 사진이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 다음과 같이 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.　 또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.　
비불산계 치과용 세라믹 재료 에칭조성물
본 발명의 실시 예를 따르는 비불산계 치과용 세라믹 재료 에칭조성물은, 황산 5 내지 15 wt%, 불화물염(fluoride salt) 15 내지 30 wt% 및 잔부 물을 포함한다.
본 발명의 실시 예는 황산을 포함하기 때문에 불화물염의 식각 속도를 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 황산은 휘발성이 낮기 때문에 보관, 운반 및 식각 공정 중 조성이 변하는 것을 방지할 수 있다. 상기 불화물염은 산성불화암모늄(NH4HF2), 불화암모늄(NH4F), 불화나트륨(NaF), 산성불화칼륨(KHF2), 산성불화나트륨(NaHF2), 불화바륨(BaF2), 불화칼륨(KF) 및 붕불화암모늄(NH4BF4) 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 또한, 상기 불화물염은 바람직하게는 산성불화암모늄일 수 있다.
질량을 기준으로 할 때, 상기 황산의 함량은 상기 불화물염의 함량보다 적을 수 있다. 바람직하게, 질량을 기준으로 황산:불화물염의 함량은 1:1.5 내지 1: 2.5일 수 있다. 황산의 함량이 상기 함량비보다 낮은 경우 세라믹 재료의 표면이 충분히 에칭되지 않는 문제가 발생할 수 있다. 황산의 함량이 상기 함량비보다 높은 경우, 특히 황산의 함량이 불화물염의 함량에 근접하는 경우에는 세라믹 재료의 표면에 불순물이 부착되는 현상이 발생할 수 있다.
상기 불화물염의 함량은 에칭조성물 전체에 대하여 15 내지 30 wt%, 바람직하게는 19 내지 26wt%일 수 있다. 불화물염의 함량이 낮은 경우에는 세라믹 재료의 표면이 충분히 에칭되지 않아 에칭된 세라믹 재료의 표면 거칠기가 낮은 문제점이 있다. 이 경우에는 상기 세라믹 재료 및 상기 세라믹 재료의 표면에 부착되는 레진과의 접착력이 저하되어 박리되거나 분리되는 문제가 발생할 수 있다. 불화물염의 함량이 높은 경우에는 세라믹 재료가 과도하게 에칭되어 세라믹 재료의 표면 강도가 저하되는 문제가 있으며, 가공성이 저하될 수 있다.
상기 황산의 함량은 에칭조성물 전체에 대하여 5 내지 15 wt%, 바람직하게는 8 내지 11wt%일 수 있다. 황산은 불화물염의 식각 속도를 향상시킬 수 있지만, 전체 조성물 함량 중에서 불화물염에 비하여 낮은 함량으로 포함되어야 한다. 황산의 함량이 상기 함량보다 높은 경우에는 과도하게 에칭되어 세라믹 재료의 표면 강도가 저하되는 문제가 있으며, 특히 불화물염에 비하여 높은 함량일 경우 세라믹 재료의 표면에 이물질이 부착되어 별도의 세정 공정이 추가로 필요할 수 있어 가공성이 저하될 수 있다. 황산의 함량이 상기 함량보다 낮은 경우에는 세라믹 재료의 표면이 충분히 에칭되지 않아 에칭된 세라믹 재료의 표면 거칠기가 낮은 문제점이 있다
상기 물의 함량은 에칭조성물 전체에 대하여 55 내지 80 wt%일 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다.
치과용 세라믹 재료의 표면 처리 방법
도 1은 본 발명의 실시 예를 따르는 치과용 세라믹 재료의 표면 처리 방법을 도시한 순서도이다.
본 발명의 실시 예를 따르는 치과용 세라믹 재료의 표면 처리 방법은, 치과용 세라믹 재료를 가공하는 단계; 비불산계 치과용 지르코니아 에칭조성물을 이용하여 상기 치과용 세라믹 재료의 표면을 처리하는 단계; 및 상기 표면 처리된 상기 치과용 세라믹 재료를 세정하는 단계;를 포함하고, 상기 비불산계 치과용 세라믹 재료 에칭조성물은 황산 5 내지 15 wt%, 불화물염 15 내지 30 wt% 및 잔부 물을 포함한다.
치과용 세라믹 재료를 가공하는 단계는 세라믹 블록을 일정한 크기 및 형태로 가공하는 것일 수 있으며, 물리적 가공 및 화학적 가공을 포함할 수 있다. 일 예로, 세라믹 블록을 치아의 형태로 절삭기구를 이용하여 절단한 후 표면을 연마하여 가공할 수 있다. 다른 예로, 세라믹 분말을 틀에 부어 소결한 후 표면을 연마하여 가공할 수 있다. 또한, 일반적으로 널리 사용되고 있는 CAD/CAM(computer-aided design /computer-aided manufacturing) 방법을 이용하여 설계 및 가공할 수 있다.
상기 세라믹 재료는 지르코니아(ZrO2), 리튬 디실리케이트(LS2), 포세린, 고분자-세라믹 하이브리드 레진 등일 수 있다.
비불산계 치과용 지르코니아 에칭조성물을 이용하여 상기 치과용 세라믹 재료의 표면을 처리하는 단계는 치과용 세라믹 재료의 표면에 에칭조성물을 접촉하여 수행될 수 있다. 일 예로 액상의 에칭조성물에 치과용 세라믹 재료를 담지하여 수행할 수 있고, 다른 예로 치과용 세라믹 재료의 표면에 에칭조성물을 분사하는 방법을 통해 수행될 수 있다. 공정 조건의 제어 편의성 및 에칭량의 제어 편의성을 고려하면 에칭조성물에 치과용 세라믹 재료를 담지하여 수행하는 방법이 보다 바람직할 수 있다.
본 단계에서, 에칭조성물은 앞서 설명한 비불산계 치과용 세라믹 재료 에칭조성물로서, 황산 5 내지 15 wt%, 불화물염 15 내지 30 wt% 및 잔부 물을 포함한다. 각 성분 및 함량에 대한 설명은 앞서 설명한 것과 동일하므로 생략한다.
본 단계에서 상기 에칭조성물의 온도는 45 내지 65 ℃, 바람직하게는 55 내지 65 ℃ 일 수 있다. 에칭조성물의 온도가 낮은 경우에는 에칭이 충분히 이루어지지 않는 문제가 있고, 온도가 높은 경우에는 에칭조성물을 담지하는 용기가 파손되는 안전상의 문제뿐 아니라, 세라믹 재료가 과도하게 에칭되는 문제가 발생할 수 있다.
본 단계에서 상기 에칭조성물로 상기 치과용 세라믹 재료의 표면을 처리하는 시간은 10 내지 40분, 바람직하게는 10분 내지 30분, 보다 바람직하게는 20분 내지 30분 일 수 있다. 표면 처리 시간이 짧으면 표면이 충분히 에칭되지 않을 수 있고, 너무 긴 경우에는 에칭이 많이 되어 표면 강도가 감소할 수 있다.
상기 치과용 세라믹 재료의 표면을 처리하는 단계에서, 상기 치과용 세라믹 재료의 표면에 초음파를 인가할 수 있다. 이 경우, 상기 에칭조성물을 초음파 발생기의 용기 내에 충진하여 상기 에칭조성물에 초음파를 인가하여 본 단계를 수행할 수 있다. 상기 초음파는 특별히 제한되지 않지만 10 내지 50 kHz로 인가될 수 있다. 초음파를 인가함으로써 세라믹 재료의 표면에 이물질이 붙는 것을 방지할 수 있다.
다음으로, 상기 표면 처리된 상기 치과용 세라믹 재료를 세정하는 단계를 수행할 수 있다. 에칭된 세라믹 재료를 흐르는 물로 세척할 수 있다. 또한 본 단계에서의 세정은 초음파 발생기를 이용하여 수행할 수 있다.
실시 예 및 비교 예
실시 예1
산성불화암모늄, 황산 및 정제수를 질량비로 26:11:63으로 혼합하여 에칭조성물을 제조하였다.
실시 예2
산성불화암모늄, 황산 및 정제수를 질량비로 19:8:73으로 혼합하여 에칭조성물을 제조하였다.
비교 예1
산성불화암모늄, 황산 및 정제수를 질량비로 21.1:27.8:51.1로 혼합하여 에칭조성물을 제조하였다.
비교 예2
산성불화암모늄, 황산 및 정제수를 질량비로 19:8:73로 혼합하여 에칭조성물을 제조하였다.
지르코니아 시편
실험에 사용된 시편은 치아(어금니)모양의 이트리아 안정화 지르코니아 시편(제조사: 하이덴탈코리아, 제품명: 지르코쟌블럭)을 반응로에서 1500 ℃ 조건에서 열처리한 것이다.
표면 이물질 확인 실험
실험 예1
실시 예1의 에칭조성물을 초음파 발생기에 충진하고, 상기 에칭조성물에 지르코니아 시편을 담지하고, 55℃에서 30분동안 에칭을 수행하였다. 에칭 공정 동안 초음파는 출력 100W 및 주파수 40kHz의 조건으로 방출하였다.
실험 예2
실시 예1의 에칭조성물을 초음파 발생기에 충진하고, 상기 에칭조성물에 지르코니아 시편을 담지하고, 실온(24℃)에서 15분동안 에칭을 수행하였다.
실험 예3
비교 예1의 에칭조성물을 초음파 발생기에 충진하고, 상기 에칭조성물에 지르코니아 시편을 담지하고, 실온(24℃)에서 15분동안 에칭을 수행하였다.
실험 예4
비교 예1의 에칭조성물을 초음파 발생기에 충진하고, 상기 에칭조성물에 지르코니아 시편을 담지하고, 40℃에서 30분동안 에칭을 수행하였다.
실험 예5
비교 예1의 에칭조성물을 용기에 충진하고, 상기 에칭조성물에 지르코니아 시편을 담지하고, 60℃에서 30분동안 에칭을 수행하였다. 에칭 공정 동안 초음파는 출력 100W 및 주파수 40kHz의 조건으로 방출하였다.
상기 실험 예1 내지 5의 에칭 후 세정 및 건조한 후 지르코니아 시편의 표면을 관찰하였다. 도 2 내지 도 6은 실험 예1 내지 5의 에칭 실험 결과물의 SEM 분석 사진이다. 이를 참조하면, 실험 예1 및 2에서는 에칭이 표면 전체에 고르게 잘 되었으며, 원형 파티클이 존재하지 않는다. 그러나, 실험 예3 내지 5에서는 원형 파티클이 존재함을 알 수 있다.
AFM 분석
AFM 분석은 Park Systems XE-100를 이용하여 비접촉식 모드로 측정하였다. Scan size 5㎛ × 5 ㎛ 및 Scan rate 0.50Hz 조건으로 측정하였다. 측정을 위해 상기 실험 예에서 사용된 시편을 가로7mm, 세로7mm, 높이 1mm의 얇은 정사각형 판 모양으로 가공하였다.
실험 예6
에칭을 실시하지 않은 지르코니아 시편의 표면을 AFM으로 분석하였다.
실험 예7
실시 예1의 에칭조성물을 초음파 발생기에 충진하고, 상기 에칭조성물에 지르코니아 시편을 담지하고, 55℃에서 30분동안 에칭을 수행하였다. 에칭 공정 동안 초음파는 출력 100W 및 주파수 40kHz의 조건으로 방출하였다.
실험 예8
비교 예2의 에칭조성물을 초음파 발생기에 충진하고, 상기 에칭조성물에 지르코니아 시편을 담지하고, 55℃에서 30분동안 에칭을 수행하였다. 에칭 공정 동안 초음파는 출력 100W 및 주파수 40kHz의 조건으로 방출하였다.
실험 예9
실시 예1의 에칭조성물을 초음파 발생기에 충진하고, 상기 에칭조성물에 지르코니아 시편을 담지하고, 실온(24℃)에서 30분동안 에칭을 수행하였다.
실험 예10
비교 예2의 에칭조성물을 초음파 발생기에 충진하고, 상기 에칭조성물에 지르코니아 시편을 담지하고, 실온(24℃)에서 30분동안 에칭을 수행하였다.
상기 실험 예6 내지 10의 에칭 후 세정 및 건조한 후 지르코니아 시편의 표면의 AFM 분석을 실시하였다. 도 7 내지 도 11은 실험 예6 내지 10의 에칭 실험 결과물의 AFM 분석 사진이고, 표 1은 지르코니아 표면의 3점의 거칠기(Ra, the average surface roughness)를 측정한 후 표면 거칠기의 평균 값을 기재한 것이다. 이를 참조하면, 실시 예1의 에칭조성물로 에칭한 지르코니아 시편의 표면 거칠기가 비교 예2의 에칭조성물로 에칭한 경우의 거칠기보다 더 큼을 알 수 있다. 또한, 동일한 에칭조성물의 경우에는 24℃ 보다 55℃에서 에칭하는 경우 표면 거칠기가 더 큼을 알 수 있다.
번호 AFM분석 결과 (nm)
실험 예6 거칠기 평균 82.62
실험 예7 거칠기 평균 160.14
실험 예8 거칠기 평균 110.34
실험 예9 거칠기 평균 68.72
실험 예10 거칠기 평균 62.08
시간에 따른 에칭량 분석
실험 예11
실시 예1의 에칭조성물을 초음파 발생기에 충진하고, 상기 에칭조성물에 지르코니아 시편을 담지하고, 55℃에서 15분동안 에칭을 수행하였다. 에칭 공정 동안 초음파는 출력 100W 및 주파수 40kHz의 조건으로 방출하였다.
실험 예12
실시 예1의 에칭조성물을 초음파 발생기에 충진하고, 상기 에칭조성물에 지르코니아 시편을 담지하고, 55℃에서 30분동안 에칭을 수행하였다. 에칭 공정 동안 초음파는 출력 100W 및 주파수 40kHz의 조건으로 방출하였다.
실험 예13
실시 예1의 에칭조성물을 초음파 발생기에 충진하고, 상기 에칭조성물에 지르코니아 시편을 담지하고, 55℃에서 50분동안 에칭을 수행하였다. 에칭 공정 동안 초음파는 출력 100W 및 주파수 40kHz의 조건으로 방출하였다.
상기 실험 예11 내지 13의 에칭 후 세정 및 건조한 후 지르코니아 시편의 표면을 분석을 실시하였다. 도 12 내지 도 14는 실험 예11 내지 13의 에칭 실험 결과물의 SEM 분석 사진이다. 실험 예 11의 경우 에칭량이 부족하였고, 실험 예13의 경우 과도한 에칭이 발생하였다.
굴곡강도 분석
ISO 6872의 굴곡강도 시험법에 따라 각 시편의 굴곡강도를 측정하였다.
실험 예14
에칭을 실시하지 않은 지르코니아 시편을 이용하였다.
실험 예15
실시 예2의 에칭조성물에 지르코니아 시편을 담지하고, 55℃에서 15분동안 에칭을 수행하였다. 에칭 공정 동안 초음파는 출력 100W 및 주파수 40kHz의 조건으로 방출하였다.
실험 예16
실시 예2의 에칭조성물에 지르코니아 시편을 담지하고, 55℃에서 30분동안 에칭을 수행하였다. 에칭 공정 동안 초음파는 출력 100W 및 주파수 40kHz의 조건으로 방출하였다.
표 2는 굴곡강도 분석 결과를 기재한 것이다. 표 2를 참조하면, 에칭 시간이 15분인 실험 예15의 경우 굴곡강도가 증가하였으며, 에칭 시간이 30분인 실험 예16의 경우에는 에칭 하지 않은 실험 예14에 비하여 다소 감소한 것을 알 수 있다. 이를 통해 본 발명의 실시 예를 따르는 에칭조성물을 이용한 에칭 시에도 재료의 강도가 일정 수준 이상을 유지하여 치과용 재료로서 적용이 가능함을 알 수 있다.
번호 굴곡강도 (MPa)
실험 예14 479.53
실험 예15 539.27
실험 예16 439.20
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.

Claims (9)

  1. 황산 8 내지 11 wt%,
    불화물염 15 내지 30 wt% 및
    잔부 물을 포함하며,
    치과용 지르코니아를 에칭하는,
    비불산계 치과용 세라믹 재료 에칭조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 황산의 함량은 상기 불화물염의 함량보다 적은,
    비불산계 치과용 세라믹 재료 에칭조성물.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 불화물염의 함량은 19 내지 26wt%인,
    비불산계 치과용 세라믹 재료 에칭조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 불화물염은 산성불화암모늄(NH4HF2), 불화암모늄(NH4F), 불화나트륨(NaF), 산성불화칼륨(KHF2), 산성불화나트륨(NaHF2), 불화바륨(BaF2), 불화칼륨(KF) 및 붕불화암모늄(NH4BF4) 중 적어도 어느 하나인,
    비불산계 치과용 세라믹 재료 에칭조성물.
  6. 치과용 세라믹 재료를 가공하는 단계;
    비불산계 치과용 세라믹 재료 에칭조성물을 이용하여 45 내지 65 ℃의 온도에서 상기 치과용 세라믹 재료의 표면을 처리하는 단계; 및
    상기 표면 처리된 상기 치과용 세라믹 재료를 세정하는 단계;를 포함하고,
    상기 비불산계 치과용 세라믹 재료 에칭조성물은 황산 8 내지 11 wt%, 불화물염 15 내지 30 wt% 및 잔부 물을 포함하며,
    상기 치과용 세라믹 재료는 치과용 지르코니아인,
    치과용 세라믹 재료의 표면 처리 방법.
  7. 삭제
  8. 제6항에 있어서,
    상기 치과용 세라믹 재료의 표면을 처리하는 단계에서, 상기 에칭조성물로 상기 치과용 세라믹 재료의 표면을 처리하는 시간은 10 내지 40분인,
    치과용 세라믹 재료의 표면 처리 방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 치과용 세라믹 재료의 표면을 처리하는 단계에서, 상기 치과용 세라믹 재료의 표면에 초음파를 인가하는,
    치과용 세라믹 재료의 표면 처리 방법.
KR1020190011552A 2019-01-30 2019-01-30 비불산계 치과용 세라믹 재료 에칭조성물 및 치과용 세라믹 재료의 표면 처리 방법 KR102071297B1 (ko)

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