KR102062103B1 - Space transfomer fabricating method - Google Patents

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KR102062103B1
KR102062103B1 KR1020180112812A KR20180112812A KR102062103B1 KR 102062103 B1 KR102062103 B1 KR 102062103B1 KR 1020180112812 A KR1020180112812 A KR 1020180112812A KR 20180112812 A KR20180112812 A KR 20180112812A KR 102062103 B1 KR102062103 B1 KR 102062103B1
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space transformer
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heating
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류두형
정덕근
이동원
김용남
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주식회사 우진더블유티피
한국산업기술시험원
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Abstract

The present invention relates to a method of manufacturing a space transformer, in which a plurality of conductive terminals are prepared in advance so that a user can change a connection position of a signal line or an interposer connected to a probe or an inspection device according to a need. According to the present invention, the method for manufacturing a space transformer comprises: a molded body forming process of pressing granular ceramic powder to form a molded body; a first sintering process of heating the molded body; a via hole forming process of forming a plurality of via holes penetrating the molded body so as to connect first and second surfaces of the molded body; a second sintering process of reheating the molded body in which the via hole is formed; a via hole filling process of filling the via hole with a conductive filling material to form a conductive path; and a plane grinding process of performing plane grinding of the molded body after the first sintering process or after the via hole filling process.

Description

스페이스 트랜스포머의 제조방법{Space transfomer fabricating method}Space transfomer fabricating method

본 발명은 스페이스 트랜스포머의 제조방법에 관한 것으로 특히, 사용자가 필요에 따라 프로브 또는 검사장치와 연결되는 신호선 또는 인터포저의 연결위치를 변경할 수 있도록 복수의 도전단자가 미리 준비되는 스페이스 트랜스포머의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a space transformer, and more particularly, to a method of manufacturing a space transformer in which a plurality of conductive terminals are prepared in advance so that a user can change a connection position of a signal line or an interposer connected to a probe or an inspection apparatus as necessary. It is about.

알려진 바와 같이 일반적으로 반도체라 부르는 집적회로들은 웨이퍼에 회로를 구성한 칩을 몰딩하여 제조된다. 이러한 칩은 웨이퍼에 복수로 동시에 형성되고, 웨이퍼를 다이싱하여 칩들을 분리한 후 몰딩을 진행하게 된다. 이를 위해, 칩은 검사를 수행하여 정상인지 불량인지를 판별하고, 정상인 칩만을 반도체 제조에 이용하게 된다. As is known, integrated circuits, commonly referred to as semiconductors, are manufactured by molding the chips that make up the circuit on a wafer. A plurality of such chips are formed on the wafer at the same time, dicing the wafer to separate the chips and then molding. To this end, the chip performs an inspection to determine whether it is normal or bad, and only the normal chip is used for semiconductor manufacturing.

때문에, 일반적으로 칩의 검사는 다이싱하기 전 즉, 웨이퍼 상태에서 수행되고, 검사결과 정상인 칩만을 다이싱 후 선별하여 반도체 제작에 사용하게 된다.Therefore, the inspection of the chip is generally performed before dicing, that is, in a wafer state, and only the chips that are normal as a result of the inspection are sorted after dicing to be used for semiconductor fabrication.

이러한 웨이퍼 레벨의 칩을 검사하기 위해 일반적으로 프로브 카드를 사용하게 된다. Probe cards are commonly used to inspect these wafer-level chips.

프로브 카드는 칩과 접촉하여 테스트를 위한 신호를 전달하는 프로브와, 프로브에 테스트를 위한 신호를 공급하는 장치를 인터포저, PCB, 스페이스 트랜스포머와 같은 수단을 위해 연결하는 것이 일반적인다. 이러한 수단은 좁은 공간에 집약되는 니들을 외부 장치와 연결하기 쉽도록 연결을 중계하는 역할을 한다.Probe cards typically connect a probe that contacts the chip to deliver a signal for testing, and a device that supplies the signal for testing to the probe for such means as interposers, PCBs, and space transformers. This means serves to relay the connection so that it is easy to connect the needle concentrated in a narrow space with an external device.

일반적으로 이러한 프로브 카드는 테스트하고자 하는 칩에 따라 개별적으로 제작되어 이용되며, 이로 인해 중계수단인 스페이스 트랜스포머도 각 프로브 카드별로 제작되어 이용되고 있다.In general, such a probe card is manufactured and used individually according to a chip to be tested, and thus a space transformer, which is a relay means, is also manufactured and used for each probe card.

이로 인해, 칩의 설계가 일부 변경되거나, 다른 칩을 테스트 해야하는 경우 프로브카드 또는 스페이스 트랜스포머를 새로 제작해서 사용해야 하는 불편함이 발생한다.As a result, if the design of the chip is partially changed or if another chip needs to be tested, it is inconvenient to manufacture a new probe card or a space transformer.

일반적으로 종래에는 이러한 스페이스 트랜스포머의 제조를 위해 다층의 필름을 합착하고, 합착된 필름에 회로패턴 또는 비아홀을 형성하는 방법이 일반적이었다. 그러나, 이러한 종래의 방법은 불량 발생이 높고, 제조가 용이하지 않아 제조비용이 상승하는 문제점이 있다.In general, a method of bonding a multilayer film and forming a circuit pattern or via holes in the bonded film has been common for the production of such a space transformer. However, such a conventional method has a problem in that defects are high and manufacturing is not easy and manufacturing cost is increased.

대한민국 공개특허 공보 제10-2011-0023343호Republic of Korea Patent Publication No. 10-2011-0023343

따라서, 본 발명의 목적은 사용자가 필요에 따라 프로브 또는 검사장치와 연결되는 신호선 또는 인터포저의 연결위치를 변경할 수 있도록 복수의 도전단자가 미리 준비되는 스페이스 트랜스포머의 제조방법을 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a space transformer in which a plurality of conductive terminals are prepared in advance so that a user can change a connection position of a signal line or an interposer connected to a probe or an inspection apparatus as necessary.

또한, 본 발명의 다른 목적은 기존의 필름적층형에 비해 기계적 내구성이 우수하고 및 제조가 용이한 세라믹 재질의 스페이스 트랜스포머의 제조방법을 제공하는 것이다.In addition, another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a space transformer of a ceramic material which is superior in mechanical durability and easy to manufacture compared to a conventional film laminated type.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 스페이스 트랜스포머의 제조방법은 과립 형태의 세라믹 분말을 가압하여 성형체를 형성하는 성형체 형성 과정; 상기 성형체를 가열하는 제1소결 과정; 상기 성형체의 제1면과 제2면을 연결하도록 상기 성형체를 관통하는 복수의 비아홀을 형성하는 비아홀 형성 과정; 상기 비아홀이 형성된 상기 성형체를 재가열하는 제2소결 과정; 상기 비아홀에 도전성 충전물질을 충전하여 도전로를 형성하는 비아홀 충진 과정; 및 상기 제1소결 과정 이후 또는 상기 비아홀 충진 과정 이후 상기 성형체를 평면연삭하는 평면연삭 과정;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Method for producing a space transformer according to the present invention to achieve the above object is a molded body forming process of forming a molded body by pressing the ceramic powder in the form of granules; A first sintering process of heating the molded body; A via hole forming process of forming a plurality of via holes penetrating the molded body so as to connect the first and second surfaces of the molded body; A second sintering process of reheating the molded body in which the via hole is formed; A via hole filling process of filling a conductive hole in the via hole to form a conductive path; And a planar grinding process of plane grinding the molded body after the first sintering process or after the via hole filling process.

본 발명에 따른 스페이스 트랜스포머의 제조방법은 복수의 도전단자기 미리 준비되어, 사용자가 필요에 따라 프로브 또는 검사장치와 연결되는 신호선 또는 인터포저의 연결위치를 선택하여 이용하는 것이 가능하며, 이를 통해 검사대상 칩에 따라 프로브카드를 용이하게 구성하도록 하는 것이 가능해진다.Method for manufacturing a space transformer according to the present invention is prepared in advance a plurality of conductive terminals, the user can select and use the connection position of the signal line or interposer to be connected to the probe or the inspection apparatus, if necessary, through this It is possible to easily configure the probe card according to the chip.

또한, 본 발명에 따른 스페이스 트랜스포머의 제조방법은 세라믹을 이용하여 형성됨으로써 기존의 필름 적층형에 비해 기계적 내구성이 우수하고, 제조가 용이하다.In addition, the manufacturing method of the space transformer according to the present invention is excellent in mechanical durability and easy to manufacture compared to the conventional film laminated type by being formed using a ceramic.

도 1은 프로브카드와 스페이스 트랜스포머를 설명하기 위한 예시도.
도 2는 본 발명에 따른 스페이스 트랜스포머의 일례를 나타낸 예시도.
도 3은 도 2의 스페이스 트랜스포머에 형성되는 비아홀의 형태적 특성을 설명하기 위한 예시도.
도 4는 본 발명에 따른 스페이스 트랜스포머의 제조방법을 설명하기 위한 순서도.1 is an exemplary diagram for explaining a probe card and a space transformer.
2 is an exemplary view showing an example of a space transformer according to the present invention.
3 is an exemplary view for explaining the morphological characteristics of the via holes formed in the space transformer of FIG.
Figure 4 is a flow chart for explaining the manufacturing method of the space transformer according to the present invention.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 설명하기로 한다. 첨부된 도면들에서 구성에 표기된 도면번호는 다른 도면에서도 동일한 구성을 표기할 때에 가능한 한 동일한 도면번호를 사용하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지의 기능 또는 공지의 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 그리고 도면에 제시된 어떤 특징들은 설명의 용이함을 위해 확대 또는 축소 또는 단순화된 것이고, 도면 및 그 구성요소들이 반드시 적절한 비율로 도시되어 있지는 않다. 그러나 당업자라면 이러한 상세 사항들을 쉽게 이해할 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. In the accompanying drawings, it should be noted that the same reference numerals are used in the drawings to designate the same configuration in other drawings as much as possible. In addition, in describing the present invention, when it is determined that a detailed description of a related known function or known configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. And certain features shown in the drawings are enlarged or reduced or simplified for ease of description, the drawings and their components are not necessarily drawn to scale. However, those skilled in the art will readily understand these details.

도 1은 프로브카드와 스페이스 트랜스포머를 설명하기 위한 예시도이다.1 is an exemplary diagram for explaining a probe card and a space transformer.

도 1을 참조하면, 프로브카드(1)는 판(plate) 형태의 형상으로 형성된다. 이 프로브카드(1)는 검사장치(미도시)와 전기적으로 접속하는 기판(11), 기판(11)의 일면에 장착되어 기판(11)을 보강하는 보강부재(12), 기판(11)으로부터의 배선을 중계하는 인터포저(13), 인터포저(13)에 의해 중계된 배선의 간격을 바꾸어 재중계하는 스페이스 트랜스포머(100)와, 기판(11)보다 지름이 작은 판 형태로 형성되어 스페이스 트랜스포머(100)에 적층되고, 검사대상의 배선 패턴에 대응하여 복수의 프로브(2)를 유지하는 프로브헤드(15)를 구비한다.Referring to FIG. 1, the probe card 1 is formed in a plate shape. The probe card 1 includes a substrate 11 electrically connected to an inspection apparatus (not shown), a reinforcing member 12 mounted on one surface of the substrate 11, and a reinforcement member 12 and a substrate 11 that reinforce the substrate 11. The interposer 13 for relaying the wiring of the wires, the space transformer 100 for re-relaying by changing the spacing of the wires relayed by the interposer 13, and the space transformer having a smaller diameter than the substrate 11 are formed. The probe head 15 is stacked on the substrate 100 and holds the plurality of probes 2 corresponding to the wiring pattern to be inspected.

또한, 프로브카드(1)는 기판(11)에 결합되고 인터포저(13) 및 스페이스 트랜스포머(100)를 적층된 상태로 유지하는 유지부재(16)를 더 포함하여 구성된다.In addition, the probe card 1 further includes a holding member 16 coupled to the substrate 11 and holding the interposer 13 and the space transformer 100 in a stacked state.

기판(11)은 절연성 물질을 이용하여 형성되고, 프로브(2)와 검사장치를 전기적으로 접속하는 역할을 한다.The substrate 11 is formed using an insulating material, and serves to electrically connect the probe 2 and the inspection apparatus.

보강부재(12)는 기판(11)의 기계적 강도를 보충하며, 기판(11)을 포함하는 프로브카드(1)를 지지하는 역할을 한다. 이를 위해, 보강부재(12)는 알루미늄, 스테인리스, 두랄루민과 같은 금속 및 금속합금을 이용하여 형성된다. 이러한 보강부재(12)는 기판(11)과 검사장치의 연결을 저해하지 않는 형태로 마련되어 기판(11)에 결합될 수 있다.The reinforcing member 12 supplements the mechanical strength of the substrate 11 and serves to support the probe card 1 including the substrate 11. To this end, the reinforcing member 12 is formed using a metal such as aluminum, stainless steel, duralumin and metal alloys. The reinforcing member 12 may be provided in a form that does not inhibit the connection between the substrate 11 and the inspection apparatus and may be coupled to the substrate 11.

인터포저(13)는 박판형상으로 형성되며, 스페이스 트랜스포머(100)와 동상으로 형성될 수 있다. 이 인터포저(13)는 절연성재료로 형성되는 베이스와, 이 베이스의 양면에 미리 설정된 패턴으로 복수의 접속단자가 형성될 수 있다. 이를 통해, 인터포저(13)의 한쪽 면에 설치된 접속단자가 스페이스 트랜스포머(100)의 전극 패드에 접촉하고, 다른 면에 설치된 접속단자가 기판(11)의 전극 패드에 접촉함으로써 스페이스 트랜스포머(100)와 기판(11)의 전기적 접속을 중계하게 된다.The interposer 13 may be formed in a thin plate shape and may be formed in phase with the space transformer 100. The interposer 13 may be formed of a base formed of an insulating material and a plurality of connection terminals in a predetermined pattern on both sides of the base. As a result, the connection terminal provided on one surface of the interposer 13 contacts the electrode pad of the space transformer 100, and the connection terminal provided on the other surface contacts the electrode pad of the substrate 11, thereby allowing the space transformer 100 to contact the electrode pad of the substrate 11. And the electrical connection between the substrate 11 and the substrate 11.

스페이스 트랜스포머(100)는 내부의 비아홀에 의해 프로브(2)와 인터포저(13)에 의해 중계되는 배선(18)과의 연결을 재중계한다. 특히, 스페이스 트랜포머(100)는 인터포저(13)와 배선(18)의 간격을 프로브(2)의 간격에 맞게 조절하는 역할을 한다. 이 스페이스 트랜스포머(100)는 인터포저(13)와 동상으로 형성된다. 즉, 인터포저(13)가 다각 판상 또는 원형 판상으로 형성되면, 스페이스 트랜스포머(100)도 다각 판상 또는 원형 판상으로 형성될 수 있다. 본 발명의 스페이스 트랜스포머(100)는 하기에서 다른 도면을 참조하여 설명될 제조방법에 의해 제조되며, 세라믹 재질로 형성될 수 있다.The space transformer 100 relays the connection between the probe 2 and the wiring 18 relayed by the interposer 13 by internal via holes. In particular, the space transformer 100 serves to adjust the distance between the interposer 13 and the wiring 18 according to the distance between the probes 2. The space transformer 100 is formed in phase with the interposer 13. That is, when the interposer 13 is formed in a polygonal plate shape or a circular plate shape, the space transformer 100 may also be formed in a polygonal plate shape or a circular plate shape. The space transformer 100 of the present invention is manufactured by a manufacturing method which will be described with reference to other drawings below, and may be formed of a ceramic material.

프로브 헤드(15)는 원반형상으로 형성될 수 있다. 이 프로브 헤드(15)는 프로브(2)가 일측으로 돌출유지된다. 프로브 헤드(15)에 마련되는 프로브(2)의 수나 배치 형태는 테스트하고자 하는 반도체웨이퍼(14)에 마련되는 반도체 칩의 수나, 전극의 배치 패턴에 따라 가변된다. 프로브(2)는 도시된 바와 같이 프로브 헤드(15)를 관통하도록 프로브 헤드(15)에 결합되어, 프로브 헤드(15)의 일측으로 돌출되고, 타측은 스페이스 트랜스포머(100)에 마련되는 접속단자에 연결된다. The probe head 15 may be formed in a disk shape. The probe head 15 has the probe 2 protruded to one side. The number and arrangement of the probes 2 provided on the probe head 15 vary depending on the number of semiconductor chips provided on the semiconductor wafer 14 to be tested and the arrangement pattern of the electrodes. The probe 2 is coupled to the probe head 15 to penetrate the probe head 15 as shown in the drawing, protrudes to one side of the probe head 15, and the other side is connected to a connection terminal provided in the space transformer 100. Connected.

이를 통해 검사과정에서 프로브헤드(15)가 웨이퍼 지지수단(4)에 고정된 웨이퍼(14)에 접촉하여, 배선(18)을 통해 전달되는 검사신호를 웨이퍼(14)에 전달하게 된다.As a result, the probe head 15 contacts the wafer 14 fixed to the wafer support means 4 during the inspection process, and transmits the inspection signal transmitted through the wiring 18 to the wafer 14.

유지부재(16)는 보강부재(12)와 유사한 재질에 의해 구성될 수 있다. 이 유지부재(16)는 인터포저(13)와 스페이스 트랜스포머(100)를 적층하여 유지가능하도록 스페이스 트랜스포머(100)의 형태에 대응되는 중공부가 형성된다. 이 유지부재(16)는 인터포저(13) 및 스페이스 트랜스포머(100)를 기판(11)에 대해 가압하여 유지함으로써, 기판(11), 스페이스 트랜스포머(100) 및 인터포저(13)가 긴밀하게 접촉하도록 하는 역할을 한다.The holding member 16 may be made of a material similar to that of the reinforcing member 12. The holding member 16 has a hollow part corresponding to the shape of the space transformer 100 so that the interposer 13 and the space transformer 100 can be stacked and held. The holding member 16 presses and holds the interposer 13 and the space transformer 100 against the substrate 11, whereby the substrate 11, the space transformer 100, and the interposer 13 come into close contact with each other. It plays a role.

도 2는 본 발명에 따른 스페이스 트랜스포머의 일례를 나타낸 예시도이고, 도 3은 도 2의 스페이스 트랜스포머에 형성되는 비아홀의 형태적 특성을 설명하기 위한 예시도이다. 2 is an exemplary view showing an example of a space transformer according to the present invention, Figure 3 is an exemplary view for explaining the morphological characteristics of the via hole formed in the space transformer of FIG.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 스페이스 트랜스포머(100)는 세라믹을 소결하여 판상으로 형성한다. 특히 본 발명의 스페이스 트랜스포머(100)는 다양한 종류의 칩을 검사할 수 있도록 하기 위해 제1면 및 이와 나란한 제2면을 관통하여 연결하는 복수의 비아홀이 형성된다. 이 비아홀은 도전성물질로 충진되고, 제1면과 제2면에는 도전성 물질과 전기적으로 연결되는 회로패턴이 형성된다.2 and 3, the space transformer 100 according to the present invention is sintered ceramic to form a plate. In particular, the space transformer 100 of the present invention is formed with a plurality of via holes connecting through a first surface and a second surface parallel to each other to enable inspection of various types of chips. The via hole is filled with a conductive material, and circuit patterns electrically connected to the conductive material are formed on the first and second surfaces.

본 발명의 스페이스 트랜스포머(100)는 검사를 수행하는 사용자가 검사하고자하는 칩에 따라 프로브(2)의 배치를 조절할 수 있도록 복수의 비아홀이 마련된다. The space transformer 100 of the present invention is provided with a plurality of via holes so that the user performing the inspection may adjust the arrangement of the probe 2 according to the chip to be inspected.

종래에는 검사하고자 하는 대상 칩이 정해지면, 칩의 검사에 적합한 위치에만 비아홀을 형성하고, 비아홀에 충전되는 도전성 물질과 프로브(2)를 전기적으로 연결하여 검사에 이용하는 것이 일반적이었다. 이 경우 검사 대상 칩이 변경되면, 스페이스 트랜스포머(100)를 포함한 프로브카드(1)를 새로 제작하여 사용하였다.Conventionally, when a target chip to be inspected is determined, it is common to form a via hole only at a position suitable for inspection of the chip, and electrically connect the conductive material and the probe 2 filled in the via hole to be used for the inspection. In this case, when the inspection target chip is changed, a new probe card 1 including the space transformer 100 is manufactured and used.

이러한 단점을 개선하고자, 본 발명에서는 임의의 예비 비아홀을 도 2에 도시된 바와 같이 다수 형성한다. 그리고, 사용자가 스페이스 트랜스포머(100)를 통해 프로브카드(1)를 구성하는 경우 필요한 위치에 프로브(2)를 연결하여 이용할 수 있게 비아홀이 마련된다. 특히, 검사 대상 칩이 변경되는 경우 프로브(2)가 연결되는 비아홀을 변경하여 접속하도록 함으로써 칩별로 스페이스 트랜스포머(100)를 설계 및 제작하지 않고도 이용할 수 있게 한다. In order to improve this disadvantage, in the present invention, a plurality of optional via holes are formed as shown in FIG. 2. When the user configures the probe card 1 through the space transformer 100, a via hole is provided to connect and use the probe 2 at a required position. In particular, when the inspection target chip is changed, the via hole to which the probe 2 is connected is changed and connected so that the space transformer 100 can be used without designing and manufacturing the space transformer 100 for each chip.

이러한 본 발명의 스페이스 트랜스포머(100)는 세라믹 재료물질을 압축한 상태에서 수 차례 소결하여 형성된다. 그리고, 소결된 세라믹 플레이트에 초음파 절삭 방법을 적용하여 미세한 비아홀을 미리 정해진 간격, 미리 정해진 갯수만큼 형성하게 된다.The space transformer 100 of the present invention is formed by sintering several times in a compressed state of the ceramic material material. In addition, an ultrasonic cutting method is applied to the sintered ceramic plate to form fine via holes at a predetermined interval and a predetermined number.

이러한 비아홀의 다양한 단면형태의 예가 도 3에 도시되어 있다. 여기서, 도 3에서는 비아홀의 형태적 특징을 이해하기 쉽도록 과장된 형태로 형성되어 있으나, 도면에 도시된 비율에 의해 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 본 발명의 스페이스 트랜스포머(100)에 형성되는 비아홀은 단면형상이 제1면 또는 제2면에 연접하는 부분의 직경이 다른 부분보다 크게 형성되어 깔때기 또는 모래시계 형태로 형성될 수 있다.Examples of various cross-sectional shapes of such via holes are shown in FIG. 3. Here, in FIG. 3, the shape of the via hole is exaggerated to make it easier to understand, but the present invention is not limited by the ratio shown in the drawings. The via hole formed in the space transformer 100 of the present invention may be formed in a funnel or hourglass shape by having a cross-sectional shape larger in diameter than another portion of the portion that is connected to the first surface or the second surface.

이를 통해, 비아홀에 도전성 물질의 충전을 용이하게 함과 아울러, 비아홀에 형성된 도전성물질과 패드를 연결하는 경우, 도전성물질과 패드의 접촉성을 향상시키는 것이 가능해진다. As a result, the conductive material can be easily filled in the via hole, and when the conductive material formed in the via hole and the pad are connected, the contact between the conductive material and the pad can be improved.

구체적으로 도 3의 (a)와 같이 제1면과 연접하는 입구부분, 제2면과 연접하는 입구부분의 직경이 비아홀의 입구를 연결하는 중간 부분의 직경과 거의 같은 원기둥 형상으로 형성되는 것이 일반적일 수 있다.Specifically, as shown in (a) of FIG. 3, it is generally formed that the diameter of the inlet part connected to the first surface and the inlet part connected to the second surface is substantially the same as the diameter of the middle part connecting the inlet of the via hole. Can be.

이에 반해 (b)와 같이 제1면 또는 제2면과 연접하는 입구부분의 직경이 다른 부분의 직경에 비해 크게 형성되거나, 일측으로 갈수록 원뿔 형태로 직경이 커지는 형태로 형성할 수도 있다. On the other hand, as shown in (b), the diameter of the inlet portion connected to the first surface or the second surface may be larger than the diameter of the other portion, or may be formed in the form of a larger cone in the form of a cone toward one side.

또는 (c)에서와 같이 제1면과 제2면에 연접하는 입구부분의 직경은 크게 형성하고, 입구부분을 연결하는 중간부분의 직경을 작게하여, 모래시계 또는 장구형으로 형성하는 것도 가능하다. Alternatively, as shown in (c), the diameter of the inlet portion connected to the first and second surfaces may be large, and the diameter of the intermediate portion connecting the inlet may be reduced to form an hourglass or an oblong shape. .

이러한 직경이 다른 형태의 비아홀은 절삭부에 공급되는 주파수를 절삭과정에서 변경하여 공급함으로써 용이하게 실현될 수 있다. 구체적으로 넓은 직경부분에서는 낮은 주파수로 절삭부가 진동하게 하고, 좁은 직경부분에서는 높은 주파수로 절삭부가 진동하게 하여 비아홀의 직경을 위치에 따라 달라지도록 절삭하는 것이 가능하다. 이외에도 직경이 위치에 따라 다른 형태의 비아홀은 절삭부에 마련되는 절삭팁의 길이 또는 굵기를 변경하여 제작할 수도 있다.Via holes of different diameters can be easily realized by changing the frequency supplied to the cutting part in the cutting process. Specifically, the cutting part may vibrate at a low frequency in the wide diameter part and the cutting part vibrate at a high frequency in the narrow diameter part so that the diameter of the via hole may be changed according to the position. In addition, via holes of different shapes depending on the position of the diameter may be manufactured by changing the length or thickness of the cutting tip provided in the cutting portion.

도 4는 본 발명에 따른 스페이스 트랜스포머의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a space transformer according to the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 스페이스 트랜스포머의 제조방법은 성형체를 형성하는 성형체 형성 단계(S20), 제1소결 단계(S30), 비아홀 형성단계(S40), 제2소결 단계(S50), 비아홀 충진단계(S43) 및 연삭단계(S31, S53)를 포함하여 구성된다. 좀 더 구체적으로 본 발명에 따른 스페이스 트랜스포머(100)의 제조방법은 세라믹 분말 준비 단계(S10), 번 아웃 단계(S25), 외곽가공단계(S33), 검사 단계(S55) 및 패턴 형성 단계(S57)을 더 포함하여 구성된다. 여기서, 단계라는 용어는 불변의 순서를 의미하는 것은 아니다. 이러한 단계는 제조 현장의 환경, 제조 과정의 효율과 같은 사항에 의해 제시된 순서와는 다른 순서로 진행될 수 있으며, 본 발명에서는 설명의 편의를 위해 단계라는 용어를 사용하기로 한다.Referring to Figure 4, the manufacturing method of the space transformer according to the present invention is a molded article forming step (S20), the first sintering step (S30), the via hole forming step (S40), the second sintering step (S50), It comprises a via hole filling step (S43) and grinding step (S31, S53). More specifically, the manufacturing method of the space transformer 100 according to the present invention includes a ceramic powder preparation step (S10), a burnout step (S25), an outer machining step (S33), an inspection step (S55), and a pattern forming step (S57). It is configured to include more. Here, the term step does not mean an invariant order. These steps may be performed in a different order from the order suggested by the environment of the manufacturing site, the efficiency of the manufacturing process, and in the present invention, the term step is used for convenience of description.

세라믹 분말 준비 단계(S10)는 스페이스 트랜스포머(100)의 재료물질을 과립(또는 그래뉼, granule)형태 형성하여 준비하는 단계이다. 이 세라믹 분말 준비단계(S10)에서 코디어라이트(cordierite 2MgO-2Al2O3-5SiO2), 뮬라이트(mullite 3Al2O3-2SiO2), 알루미나(Alumina Al2O3), 탄화규소(Silicon Carbide, CSi) 및 질화알루미늄(Aluminum nitride, AlN) 중 어느 하나 이상을 포함하는 분말이 마련된다. 세라믹 분말은 이러한 재료 물질 중 어느 하나 또는 이들을 혼합하여 과립형태로 형성한 것을 의미한다. 또한, 이 과립에는 성형을 위한 유기물이 바인더 역할을 위해 혼합될 수 있다. 이러한 세라믹 분말은 과립의 형태가 원형으로 형성될 수 있으며, 크기는 대략 지름이 0.5mm 이상 내지 1mm 이하 크기로 형성될 수 있다.Ceramic powder preparation step (S10) is a step of preparing by forming the material material of the space transformer 100 in the form of granules (or granules, granules). In the ceramic powder preparation step (S10), cordierite (cordierite 2MgO-2Al 2 O 3 -5SiO 2 ), mullite (mullite 3Al 2 O 3 -2SiO 2 ), alumina (Alumina Al 2 O 3 ), silicon carbide (Silicon) A powder comprising at least one of Carbide, CSi) and aluminum nitride (AlN) is provided. Ceramic powder means any one of these material materials or a mixture thereof to form granules. In addition, the granules may be mixed with an organic material for molding to serve as a binder. The ceramic powder may be formed in the form of granules in a circular shape, and the size may be formed in a size of about 0.5 mm or more to 1 mm or less in diameter.

또한, 세라믹 분말 준비 단계(S10)에서 세라믹 분말에는 소결조제와 같은 첨가제가 첨가될 수 있다. 일례로 첨가제는 이산화티타늄(TiO2), 산화이트륨(Y2O3), 산화철, 탄산칼슘, 탄산칼륨, 탄산나트륨과 같은 소결조제일 수 있으나, 제시된 바에 의해서만 본 발명을 한정하는 것은 아니다. In addition, in the ceramic powder preparation step (S10), an additive such as a sintering aid may be added to the ceramic powder. In one example, the additive may be a sintering aid such as titanium dioxide (TiO 2 ), yttrium oxide (Y 2 O 3 ), iron oxide, calcium carbonate, potassium carbonate, sodium carbonate, but the present invention is not limited only to the present invention.

성형체 형성 단계(S20)는 과립형태로 마련된 세라믹 분말을 가압하여 성형하는 단계이다. 이 성형체 형성 단계(S20)에서 과립형태로 마련된 분말을 프레스 성형 장치에 투입한 후 가압하여 필요로 하는 스페이스 트랜스포머(100)의 형태의 성형체를 형성하게 된다. 즉, 성형체 형성 단계(S20)에서 원형 판상 또는 다각 판상의 성형체가 형성된다.Forming body forming step (S20) is a step of pressing by pressing the ceramic powder provided in the form of granules. In the forming body forming step (S20), the powder prepared in the form of granules is put into a press molding apparatus and pressurized to form a shaped body in the form of a space transformer 100 required. That is, in the molded body forming step (S20), a circular plate-like or polygonal plate-shaped molded body is formed.

제1소결 단계(S30)는 성형체를 가열하여 가소결하는 단계이다. 이 제1소결 단계(S30)는 번 아웃 단계(S25)를 더 포함하여 구성된다.The first sintering step (S30) is a step of pre-sintering the molded body by heating. This first sintering step S30 further comprises a burnout step S25.

이 제1소결 단계(S30)는 성형체를 가소결하여 굳히는 단계이다. 성형체 형성 단계(S20)에서 형성된 성형체는 형태적으로 스페이스 트랜스포머의 형태를 가지지만 기계적 강도가 부족한 상태이다. 이를 가열하여 가소결함으로써 기계적 강도와 경도를 향상시키는 단계이다. 성형체 상태에서 비아홀을 형성하는 경우 비아홀의 형태가 정확하게 형성되지 않으며, 소결 단계에서 비아홀이 막히는 등의 문제가 발생할 수 있다. 특히, 소결 단계에서 수축이나 확장이 발생할 수 있다. 때문에 제1소결 단계(S30)에서 이후의 공정 진행을 위한 최소한의 강도와 경도를 가지도록 소결시키게 된다. This first sintering step (S30) is a step of pre-sintering and solidifying the molded body. The molded article formed in the molded article forming step S20 has a form of a space transformer in shape but lacks mechanical strength. It is a step of improving mechanical strength and hardness by heating and sintering it. When the via hole is formed in the molded state, the shape of the via hole is not accurately formed, and a problem such as clogging of the via hole may occur in the sintering step. In particular, shrinkage or expansion may occur in the sintering step. Therefore, in the first sintering step (S30) it is sintered to have a minimum strength and hardness for subsequent process progress.

이러한 제1소결 단계(S30)는 이후에 진행될 제2소결 단계의 가열 온도보다 낮은 온도로 진행된다. 좀 더 구체적으로 제1소결 단계(S30)는 성형체를 제1가열온도로 1시간 이상 4시간 이하로 가열하여 이루어진다. 제1가열온도는 제2소결 단계의 소결온도인 제2가열온도의 70%이상 내지 90%미만의 온도이며, 섭씨 1300도 전후의 온도이다. 이를 통해 제1소결 단계(S30)에서는 성형체는 이후의 공정 진행에 적합한 최소한의 강도와 경도를 가지게 된다.This first sintering step (S30) proceeds to a temperature lower than the heating temperature of the second sintering step to be carried out later. More specifically, the first sintering step S30 is performed by heating the molded body to the first heating temperature for 1 hour or more and 4 hours or less. The first heating temperature is at least 70% to less than 90% of the second heating temperature, which is the sintering temperature of the second sintering step, and is about 1300 degrees Celsius. Through this, in the first sintering step (S30), the molded body has a minimum strength and hardness suitable for subsequent process progress.

제1소결 단계(S30)의 진행을 위해 번아웃단계(S25)가 진행된다. 번아웃단계(S25)는 성형체를 상온에서 제1소결 단계(S30)로 가열하는 중간단계로 마련된다. 이 번아웃 단계(S25)는 성형체를 급격한 고온에 노출하기 전에 가열하여 열에 적응시킴과 동시에 성형체에 포함된 바인더와 같은 첨가제를 제거하는 단계이다. 이를 위해 번아웃단계(S25)는 성형체를 가열하여 섭씨 200도 이상 250도 이하의 온도에서 한 시간 이상 10시간 미만으로 유지시키게 된다. 이후, 전술한 제1가열온도까지 온도를 상승시켜 제1소결 단계(S30)를 진행하게 된다.A burnout step S25 is performed to proceed with the first sintering step S30. Burnout step (S25) is provided as an intermediate step of heating the molded body to the first sintering step (S30) at room temperature. This burnout step (S25) is a step in which the molded body is heated before being exposed to a sudden high temperature to adapt to heat and at the same time removes an additive such as a binder contained in the molded body. To this end, the burnout step (S25) is to heat the molded body to maintain less than 10 hours or more than one hour at a temperature of 200 degrees Celsius or more and 250 degrees or less. Thereafter, the first sintering step S30 is performed by increasing the temperature to the first heating temperature.

제1연삭 단계(S31)는 1차 소결된 성형체의 표면을 연마하는 단계이다. 이 제1연삭 단계(S31)에서 표면 연마를 통해 가열과정에서 발생된 표면의 불균일을 해소하게 된다. The first grinding step S31 is a step of polishing the surface of the primary sintered molded body. In the first grinding step S31, surface irregularities are eliminated through surface polishing.

외곽가공 단계(S33)에서는 성형체의 형태를 가공하는 과정이 이루어진다. 구체적으로, 외곽가공 단계(S33)에서 스페이스 트랜스포머(100)의 형태를 프로브카드에 적용하기 위한 형태로 가공하며, 이를 위해 절삭과정이 수행될 수 있다. 일례로, 스페이스 트랜스포머(100)의 가장자리 경계에서 유지부재(16)와의 결합을 위한 단턱부가 형성될 수 있으며, 이를 위한 절삭가공이 외곽가공 단계(S33)에서 수행될 수 있다. In the outer machining step (S33) is a process of processing the shape of the molded body is made. Specifically, in the outer processing step (S33) to process the shape of the space transformer 100 to apply to the probe card, a cutting process may be performed for this. For example, a stepped portion for coupling with the holding member 16 may be formed at an edge boundary of the space transformer 100, and cutting for this may be performed in the outer machining step (S33).

이러한 절삭가공은 제2소결 단계(S50) 이후에 진행될 수도 있으나, 제2소결 단계(S50)를 거친 후에는 성형체의 경도와 강도가 증가하게 된다. 때문에 절삭공정의 진행을 위한 비용이 증가하고, 오랜시간이 소요되며, 원하는 형태의 결과물을 생성하기 용이하지 않게 된다. 따라서, 상대적으로 경도와 강도가 낮은 상태에서 절삭공정을 수행하게 되며, 이를 위해 제1소결 단계(S30) 직후인 외곽가공 단계(S33)에서 절삭과 같이 스페이스 트랜스포머(100)의 외형을 가다듬는 작업이 수행된다. 이러한 외곽가공 단계(S33)는 제1연삭 단계(S31) 직전에 수행될 수도 있는 것으로 제시된 바에 의해서만 본 발명을 한정하는 것은 아니다.Such cutting may be performed after the second sintering step S50, but after the second sintering step S50, the hardness and strength of the molded body are increased. This increases the cost for the cutting process, takes a long time, and is not easy to produce the desired type of result. Therefore, the cutting process is performed in a state in which the hardness and the strength are relatively low, and for this purpose, the work of trimming the outer shape of the space transformer 100 such as cutting is performed in the outer machining step S33 immediately after the first sintering step S30. Is performed. This outer processing step (S33) is not limited to the present invention only by the bar as shown that may be performed immediately before the first grinding step (S31).

홀 형성 단계(S40)는 1차 소결된 성형체에 비아홀을 복수로 형성하는 단계이다. 이 홀 형성 단계(S40)에서는 초음파를 이용한 절삭장치를 이용하여 성형체에 비아홀이 형성된다.The hole forming step S40 is a step of forming a plurality of via holes in the primary sintered molded body. In this hole forming step (S40), via holes are formed in the molded body using a cutting device using ultrasonic waves.

홀 형성 단계(S40)에서 형성되는 비아홀은 미리 정해진 직경, 간격, 갯수로 성형체에 형성된다. 홀 형성 단계(S40)에서 형성되는 비아홀은 판상으로 형성되는 성형체를 관통하여, 제1면과 제2면을 연통하도록 형성된다. 여기서, 제1면과 제2면은 판상으로 형성되는 성형체의 나란한 두 면을 의미한다.The via holes formed in the hole forming step S40 are formed in the molded body at predetermined diameters, intervals, and numbers. The via hole formed in the hole forming step S40 passes through the molded body formed in a plate shape and is formed to communicate the first surface and the second surface. Here, the first surface and the second surface means two parallel surfaces of the molded body formed in a plate shape.

전술한 바와 같이 본 발명의 스페이스 트랜스포머(100)는 검사장치를 구성하는 사용자가 검사대상 칩의 종류와 형태에 따라 프로브(2)를 스페이스 트랜스포머(100)의 임의의 위치에 결합시켜 사용할 수 있게 한다. 이를 위해, 홀 형성 단계(S40)에서는 사용자가 용도에 따라 프로브(2)를 원하는 위치에 연결할 수 있도록 하기 위해 조밀한 간격으로 복수의 비아홀을 형성하게 된다. 일례로 도 2에 도시된 바와 같이 비아홀이 등간격으로 형성될 수 있다. 이러한 비아홀의 수는 성형체의 크기, 비아홀의 간격, 비아홀의 직경에 따라 달라질 수 있으며, 수 천개 내지 수 만개의 홀이 하나의 성형체에 형성될 수 있다. 이러한 비아홀은 유지부재(16)와 같이 스페이스 트랜스포머(100)를 프로브카드(1)에 설치하기 위한 기계적 구성과 접촉 또는 결합되는 부분을 제외한 전 부분에 형성될 수 있다. As described above, the space transformer 100 of the present invention allows a user configuring the inspection apparatus to couple the probe 2 to an arbitrary position of the space transformer 100 according to the type and shape of the chip to be inspected. . To this end, in the hole forming step (S40), a plurality of via holes are formed at close intervals so that the user can connect the probe 2 to a desired position according to the purpose. For example, as illustrated in FIG. 2, the via holes may be formed at equal intervals. The number of such via holes may vary depending on the size of the molded body, the distance between the via holes, and the diameter of the via holes, and thousands to tens of thousands of holes may be formed in one molded body. Such via holes may be formed in all parts except for a part contacting or coupled with a mechanical configuration for installing the space transformer 100 on the probe card 1, such as the holding member 16.

이를 위해, 홀 형성 단계(S40)에서는 초음파를 이용한 절삭 장치를 이용하여 성형체에 비아홀을 형성할 수 있다. 절삭장치는 성형체에 접촉하여 니들 또는 와이어를 구비하고, 니들 또는 와이어를 초음파의 주파수에 따라 진동시켜 표면을 갉아냄으로써 절삭이 이루어지도록 할 수 있다. 이를 위해, 니들 또는 와이어에 성형체를 절삭하기 위한 연마제가 포함되거나, 별도의 연마제를 성형체 상에 도포하면서 절삭이 이루어지도록 할 수도 있다.To this end, in the hole forming step (S40), via holes may be formed in the molded body by using a cutting apparatus using ultrasonic waves. The cutting device may have a needle or wire in contact with the molded body, and the cutting may be performed by vibrating the surface of the needle or the wire by vibrating the needle or the wire according to the frequency of ultrasonic waves. To this end, the needle or wire may include an abrasive for cutting the molded body, or may be cut while applying a separate abrasive on the molded body.

홀 형성 단계(S40)에서 형성되는 비아홀의 형태는 도 3에서와 같이 용도에 따라 다양한 형태로 형성될 수 있다. 즉, 비아홀과 제1면 또는 제2면이 연결되는 입구 부분으로 갈수록 직경이 커지는 형태로 비아홀을 형성할 수 있다. 이를 위해 절삭장치에 공급되는 초음파의 주파수는 가변될 수 있다. 이러한 절삭장치에 공급되는 초음파의 주파수 범위는 18kHz 이상 23kHz 이하일 수 있으나, 이는 성형체의 물성, 절삭장치의 종류와 절삭방법에 따라 달라질 수 있는 것으로 제시된 바에 의해서만 본 발명을 한정하는 것은 아니다.The via hole formed in the hole forming step S40 may be formed in various shapes according to the use as shown in FIG. 3. That is, the via hole may be formed in a shape in which the diameter increases toward the inlet portion where the via hole and the first surface or the second surface are connected. To this end, the frequency of the ultrasonic waves supplied to the cutting device may be varied. The frequency range of the ultrasonic wave supplied to the cutting device may be 18 kHz or more and 23 kHz or less, but the present invention is not limited only to the present invention, which can be varied according to the physical properties of the molded body, the type of cutting device, and the cutting method.

제2소결 단계(S50)는 비아홀이 충전된 성형체를 2차 가열하는 단계이다. 이 제2소결 단계(S50)에서는 제2가열온도로 1시간 이상 4시간 미만 동안 가열하게 된다. 이를 통해 제2소결 단계(S50)에서는 스페이스 트랜스포머(100)를 사용상태의 강도와 경도를 가지도록 열에 의해 가공하게 된다. 여기서, 제2가열온도는 섭씨 1300도 이상 섭씨 1700도 이하의 온도일 수 있다. 이러한 제2가열온도는 세라믹 재료물질과 스페이스 트랜스포머(100)에 요구되는 경도와 강도에 의해 조절될 수 있는 것으로 제시된 바에 의해서만 본 발명을 한정하는 것은 아니다.The second sintering step (S50) is a step of secondary heating the molded body filled with the via hole. In this second sintering step (S50) it is heated to the second heating temperature for more than 1 hour and less than 4 hours. As a result, in the second sintering step (S50), the space transformer 100 is processed by heat to have strength and hardness of the use state. Here, the second heating temperature may be a temperature of 1300 degrees Celsius or more and 1700 degrees Celsius or less. This second heating temperature is not limited to the present invention only by being presented as being controllable by the hardness and strength required for the ceramic material and the space transformer 100.

이에 대해서 하기의 표를 통해 제1소결온도와 제2소결온도를 확인할 수 있다.In this regard, the first and second sintering temperatures can be confirmed through the following table.

코디어라이트Cordierite 뮬라이트Mullite 알루미나Alumina 제1소결온도(℃)First sintering temperature (℃) 900~1200900-1200 1100~15001100-1500 1100~15001100-1500 제2소결온도(℃)Second sintering temperature (℃) 1300~13501300-1350 1600~16501600-1650 1600~16501600-1650

표1에 기재된 바와 같이 소결온도는 세라믹을 구성하는 재료물질과 이들의 혼합정도에 따라 달라지며, 스페이스 트랜스포머에 요구되는 강도와 경도에 따라 가열시간과 온도가 결정된다.As shown in Table 1, the sintering temperature depends on the material materials constituting the ceramic and the degree of mixing thereof, and the heating time and temperature are determined by the strength and hardness required for the space transformer.

홀 충전 단계(S51)는 홀 내부에 도전성 물질을 충전하는 단계이다. 전술한 바와 같이 비아홀은 프로브(2)와 배선(18)을 연결하는 연결도선의 역할을 한다. 이를 위해 홀 충전 단계(S51)에서는 비아홀 내부에 도전성 물질이 충전되는 단계이다. 충전 단계(S51)에서 홀 내부에는 실버 에폭시(Ag-epoxy)가 충전되어 경화된다. 실버 에폭시는 에폭시 수지에 은 입자를 혼합한 것으로 열과 전기에 대한 전도성을 갖는다. 이러한 실버 에폭시는 스크리닝과 같은 방법에 의해 비아홀 내부에 충전되고, 큐어링 과정을 거쳐 경화된다. 실버 에폭시는 상온에서 큐어할 수도 있으나 이 경우, 수 시간 정도의 시간이 소요되므로 수 분 내지 수 십분동안 가열하여 빠르게 경화시키게 된다. 여기서, 홀 충전 단계(S51)는 제2연삭 단계(S53) 이후에 진행될 수도 있다. 가열과정에서 비아홀에 막힘이 발생하거나, 비아홀 내부의 이물질 부착, 형태 변형과 같은 사항이 발생할 수 있으며, 이러한 경우 제2연삭 단계(S53)를 거쳐 이러한 불량을 해소한 후 진행될 수도 있다.In the hole filling step S51, a conductive material is filled in the hole. As described above, the via hole serves as a connection lead connecting the probe 2 and the wiring 18. To this end, in the hole filling step S51, a conductive material is filled in the via hole. In the filling step (S51) the inside of the hole is filled with silver epoxy (Ag-epoxy) is cured. Silver epoxy is a mixture of silver particles in an epoxy resin and has conductivity to heat and electricity. This silver epoxy is filled into the via hole by a method such as screening, and cured by curing. The silver epoxy may be cured at room temperature, but in this case, it takes several hours to harden by heating for several minutes to several ten minutes. Here, the hole filling step S51 may be performed after the second grinding step S53. In the heating process, clogging may occur in the via hole, or foreign matters may be attached to the via hole, or deformation may occur. In this case, the second grinding step S53 may be used to resolve such defects.

제2연삭 단계(S53)는 제2소결 단계(S50)에 의해 소결된 세라믹의 표면을 연마하는 단계이다. 이 제2연삭 단계(S53)에서는 소결 과정에서 흡착된 이물질의 제거, 표면의 불균일을 해소함과 아울러, 도전성 패턴의 형성을 위한 표면 가공을 수행한다. 즉, 제2연삭 단계(S53)에서는 성형체의 표면에 유리질과 같이 표면 흡착효율을 저해하는 요소를 배제하고, 성형체의 표면을 고르게 가공하게 된다.The second grinding step S53 is a step of polishing the surface of the ceramic sintered by the second sintering step S50. In the second grinding step S53, the foreign matter adsorbed in the sintering process and the surface unevenness are eliminated, and the surface processing for forming the conductive pattern is performed. That is, in the second grinding step (S53), the surface of the molded body is removed and the surface of the molded body is evenly processed, excluding elements that inhibit surface adsorption efficiency, such as glass.

검사 단계(S55)는 제2소결이 이루어진 성형체를 검사하는 단계이다. 이 검사 단계(S55)는 장치를 이용하거나 검사자에 의해 진행될 수 있으며, 크랙, 이물질의 혼입여부, 비아홀 및 충전제 상태와 같은 다양한 사항을 검사하게 된다.The inspection step (S55) is a step of inspecting the molded body made of the second sintering. This inspection step (S55) can be carried out by using the device or by the inspector, and inspects various matters such as cracks, foreign matters, via holes and fillers.

패턴 형성 단계(S57)는 비아홀과 연결되는 회로 패턴을 제1면 또는 제2면에 형성하는 단계이다. 이 패턴 형성 단계(S57)에서는 배선(18) 또는 프로프(2)와 비아홀을 연결하기 위한 접속 패드, 도전선을 성형체의 표면에 형성하게 된다. 이러한 패턴은 스크리닝, 인쇄와 같은 방법을 이용하여 이루어질 수 있으나, 이외에도 공지의 다양한 방법을 이용하여 수행될 수 있다. 이 패턴형성 단계(S57)는 스페이스 트랜스포머(100)의 성형체를 제조하는 업체뿐만 아니라, 프로브카드를 생산하는 업체 또는 프로브카드를 이용하여 검사대상 칩을 검사하는 업체에 이루어질 수 있는 것으로 본 발명의 제조방법에 반드시 포함되어야 하는 것은 아니다.The pattern forming step S57 is a step of forming a circuit pattern connected to the via hole on the first surface or the second surface. In this pattern formation step S57, connection pads and conductive lines for connecting the wirings 18 or the props 2 and the via holes are formed on the surface of the molded body. Such a pattern may be formed using a method such as screening or printing, but may be performed using various known methods. This pattern forming step (S57) can be made not only for the manufacturer of the molded body of the space transformer 100, but also for the company that produces the probe card or the company that inspects the inspection target chip using the probe card production of the present invention It does not have to be included in the method.

이상에서 본 발명의 기술적 사상을 예시하기 위해 구체적인 예로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기와 같이 구체적인 실시 예와 동일한 구성 및 작용에만 국한되지 않고, 여려가지 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 실시될 수 있다. 따라서, 그와 같은 변형도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주해야 하며, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의해 결정되어야 한다.Although illustrated and described as a specific example in order to illustrate the technical idea of the present invention, the present invention is not limited to the same configuration and operation as the specific embodiment as described above, within the limits that various modifications do not depart from the scope of the invention It can be carried out in. Accordingly, such modifications should also be considered to be within the scope of the present invention, the scope of the invention should be determined by the claims that follow.

1: 프로브카드 2: 프로브
11: 기판 12: 보강부재
13: 인터포저 15: 프로브헤드
16: 유지부재 18: 배선
100: 스페이스 트랜스포머1: probe card 2: probe
11: substrate 12: reinforcing member
13: interposer 15: probehead
16: holding member 18: wiring
100: space transformer

Claims (5)

과립 형태의 세라믹 분말을 가압하여 성형체를 형성하는 성형체 형성 과정;
상기 성형체를 가열하는 제1소결 과정;
상기 성형체의 제1면과 제2면을 연결하도록 상기 성형체를 관통하는 복수의 비아홀을 형성하는 비아홀 형성 과정;
상기 비아홀이 형성된 상기 성형체를 재가열하는 제2소결 과정;
상기 비아홀에 도전성 충전물질을 충전하여 도전로를 형성하는 비아홀 충진과정; 및
상기 제1소결 과정 이후 또는 상기 비아홀 충진 과정 이후 상기 성형체를 평면연삭하는 평면연삭 과정;을 포함하고,
상기 비아홀 형성과정은
예비 비아홀을 형성하는 단계;를 더 포함하고,
절삭팁에 초음파를 공급하여 홀을 형성하는 초음파가공을 이용하여 상기 비아홀 및 상기 예비 비아홀이 형성되며, 상기 초음파는 상기 제1면과 상기 제2면에 연접하는 입구부분의 직경은 크게 형성되고, 상기 입구부분을 연결하는 부분의 직경이 작아지도록 상기 초음파의 주파수를 가변하는 것을 특징으로 하는 스페이스 트랜스포머의 제조방법.A molded article forming process of pressing the granular ceramic powder to form a molded article;
A first sintering process of heating the molded body;
A via hole forming process of forming a plurality of via holes penetrating the molded body so as to connect the first and second surfaces of the molded body;
A second sintering process of reheating the molded body in which the via hole is formed;
A via hole filling process for filling a conductive hole in the via hole to form a conductive path; And
And, after the first sintering process or after the via-hole filling process, a planar grinding process of grinding the molded body in a planar manner.
The via hole forming process is
Forming a preliminary via hole;
The via hole and the preliminary via hole are formed by using ultrasonic processing to supply an ultrasonic wave to a cutting tip, and the ultrasonic wave has a large diameter of an inlet portion connected to the first surface and the second surface. The method of manufacturing a space transformer, characterized in that for changing the frequency of the ultrasonic wave so that the diameter of the portion connecting the inlet portion. 제 1 항에 있어서,
상기 제1소결 과정은
상기 제2소결 과정의 70% 이상 90% 미만의 온도범위인 제1가열온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 스페이스 트랜스포머의 제조방법The method of claim 1,
The first sintering process
Method of manufacturing a space transformer, characterized in that the heating to the first heating temperature range of 70% or more and less than 90% of the second sintering process 제 2 항에 있어서,
상기 제1소결 과정은
상온과 상기 제1가열온도 사이의 온도인 번아웃 온도로 지정된 시간동안 1차가열한 후 상기 제1가열온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 스페이스 트랜스포머의 제조방법.The method of claim 2,
The first sintering process
The method of manufacturing a space transformer, characterized in that the heating to the first heating temperature after the first heating for a time specified by the burnout temperature which is a temperature between the room temperature and the first heating temperature. 제 1 항에 있어서,
상기 비아홀 형성 과정은
상기 초음파는 18kHz 이상 내지 23kHz 이하의 주파수인 것을 특징으로 하는 스페이스 트랜스포머의 제조방법.The method of claim 1,
The via hole forming process is
The ultrasonic wave is a method of manufacturing a space transformer, characterized in that the frequency of more than 18kHz to 23kHz. 제 1 항에 있어서,
상기 세라믹분말은
코디어라이트, 뮬라이트, 알루미나, 탄화규소 및 질화알루미늄 어느 하나 이상을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 스페이스 트랜스포머의 제조방법.
The method of claim 1,
The ceramic powder
A method for producing a space transformer, comprising at least one of cordierite, mullite, alumina, silicon carbide, and aluminum nitride.
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