KR102059429B1 - Integrated circuit - Google Patents

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Abstract

집적회로의 온도를 측정하기 위한 회로에 관한 것으로서, 소스 클록을 입력받아 온도의 변동에 따라 비선형적인 지연량으로 변동시켜 지연 클록으로서 출력하는 클록 지연부와, 지연 클록에 응답하여 그와 동일한 주파수를 갖는 발진 클록을 발진시키되, 온도의 변동에 따라 클록 지연부의 비선형성을 보상하는 방향으로 그 발진 지연량이 변동하는 클록 발진부, 및 소스 클록과 발진 클록의 위상 차이에 따라 온도의 변동을 검출하는 온도 검출부를 구비하는 집적회로를 제공한다.A circuit for measuring the temperature of an integrated circuit, the circuit comprising: a clock delay unit that receives a source clock, varies a nonlinear delay amount according to a change in temperature, and outputs the delay clock; A oscillation clock oscillating, having a oscillation delay in which oscillation delays fluctuate in a direction for compensating for nonlinearity of the clock delay portion in response to a change in temperature, and a temperature detection portion detecting a change in temperature according to a phase difference between the source clock and the oscillation clock It provides an integrated circuit having a.

Figure R1020130036706
Figure R1020130036706

Description

집적회로{INTEGRATED CIRCUIT}Integrated Circuits {INTEGRATED CIRCUIT}

본 발명은 반도체 설계 기술에 관한 것으로서, 구체적으로 집적회로의 온도를 측정하기 위한 회로에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor design techniques and, more particularly, to circuitry for measuring the temperature of integrated circuits.

집적회로 내에서 온도의 변화를 감지하는 온도 감지 회로는, 현재 매우 중요한 역할을 하는 회로 중 하나로 자리 잡고 있다. 온도 감지 회로는, 고온에서 회로를 보호하는 회로, 일정 온도에서 동작 특성이 변하는 회로, 그리고 온도계 등과 같은 회로에서 매우 중요한 역할을 하고 있다. 온도에 따라서 집적회로의 동작속도, 내부저항값 등이 변화한다. 특히 집적회로의 집적도가 높아질수록 온도 변화가 집적회로의 프로세스(process)에 미치는 영향이 크므로 정확한 온도 변화를 감지하는 것이 점점 중요해 지고 있다.
Temperature sensing circuits, which sense temperature changes within integrated circuits, are now one of the most important circuits. Temperature sensing circuits play a very important role in circuits that protect circuits at high temperatures, circuits whose operating characteristics change at constant temperatures, and circuits such as thermometers. The operating speed, internal resistance, and the like of the integrated circuit change with temperature. In particular, as the degree of integration of integrated circuits increases, it is increasingly important to detect accurate temperature changes because the change in temperature has a greater effect on the process of integrated circuits.

도 1은 종래 기술에 해당하는 집적회로의 온도센서이다. 1 is a temperature sensor of an integrated circuit corresponding to the prior art.

종래기술에 따른 집적회로의 온도센서(On-chip Thermal Sensor)의 경우 바이폴라 트랜지스터(Bipolar transistor)의 밴드-갭(Band-gap) 특성을 이용한 밴드-갭 레퍼런스(Band-gap Reference) 방식을 사용해 오던 것이 가장 좋은 성능을 내고, 가장 일반적인 방법이었다.In the case of an on-chip thermal sensor of an integrated circuit according to the prior art, a band-gap reference method using a band-gap characteristic of a bipolar transistor has been used. Was the best performance and the most common method.

구체적으로, 도 1을 참조하면, 동일하게 다이오드 형태로 접속된(diode-connected)된 두 개의 바이폴라 트랜지스터(Q1, Q2)에 서로 다른 전류(이때, P는 Q1, Q2에 인가되는 전류의 크기 비율)를 공급하게 되면 온도에 비례하여 감소하는 전압인 VBE와 온도에 비례하여 증가하는 전압인 ΔVBE를 얻을 수 있다. 이와 같은 특성으로 바이폴라 트랜지스터(Q1, Q2)는 온도에 비례하는 전압을 만들어 낼 수 있다. 최종적으로, ΔVBE를 증폭시킨 VPTAT와 기준전압(VREF)을 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 적용하면, 온도에 대응되는 디지털 값(Dout)을 얻을 수 있으며, 이때, 디지털 컨버터(ADC)에서 출력되는 값(DOUT)이 온도에 따라 선형적 특성을 지니고 있어 높은 정확도를 나타낼 수 있다. Specifically, referring to FIG. 1, different currents are applied to two bipolar transistors Q1 and Q2 that are diode-connected in the same diode form, wherein P is a ratio of the magnitudes of currents applied to Q1 and Q2. ), You can get VBE, which decreases in proportion to temperature, and ΔVBE, which increases in proportion to temperature. With this characteristic, the bipolar transistors Q1 and Q2 can generate a voltage proportional to temperature. Finally, by applying the VPTAT amplified ΔVBE and the reference voltage (VREF) to the analog-to-digital converter (ADC), it is possible to obtain a digital value (Dout) corresponding to the temperature, at this time, the value output from the digital converter (ADC) Since (DOUT) is linear with temperature, it can show high accuracy.

하지만, 최근 반도체 칩 상에 다수의 온도센서가 장착 되어야 하는 상황에서 바이폴라 트랜지스터를 활용한 온도센서의 넓은 면적 때문에 문제가 되고 있다. 더군다나 대부분의 반도체 공정이 시모스(CMOS)에 최적화 되어 있어, 같은 공정에서 바이폴라 트랜지스터(BJT)를 제작하게 되면, 면적이 더욱 더 커져서 사용하기에 매우 부담스러워지게 된다.However, recently, in a situation where a plurality of temperature sensors are to be mounted on a semiconductor chip, a problem arises due to the large area of the temperature sensor using a bipolar transistor. In addition, most semiconductor processes are optimized for CMOS, which makes bipolar transistors (BJTs) in the same process, making them larger and more burdensome to use.

또한, 트랜지스터의 크기가 점점 작아지고, 이에 따라, 구동 전압도 점점 낮아지는 상황에서, 전압 변화를 이용하여 온도를 측정하게 될 경우, 전압이 변할 수 있는 크기(voltage headroom)가 작아지기 때문에 측정 가능한 온도 변동폭에 한계가 생기게 되고, 노이즈(noise)에도 취약하게 된다. 측정 가능한 온도 변동폭을 높이기 위해서는 고성능의 아날로그 디지털 컨버터(High-performance ADC)가 필요하기 때문에, 이 또한 면적 증가로 이어지고, 디자인 타임(design time)도 증가하게 된다.
In addition, when the size of the transistor becomes smaller and accordingly, the driving voltage is also lowered, when the temperature is measured by using the voltage change, the voltage headroom that the voltage can change becomes small. There is a limit to the temperature fluctuation range, and also becomes vulnerable to noise. Because high-performance analog-to-digital converters (High-Performance ADCs) are required to increase the measurable temperature fluctuations, this also leads to an increase in area and design time.

본 발명의 실시예는 차지하는 면적을 최소화하면서도 선형적인 특성으로 온도 정보를 측정할 수 있는 온도 측정 장치를 포함하는 집적회로를 제공한다.
Embodiments of the present invention provide an integrated circuit including a temperature measuring device capable of measuring temperature information with a linear characteristic while minimizing an occupying area.

본 발명의 실시예에 따른 집적회로는, 소스 클록을 입력받아 온도의 변동에 따라 비선형적인 지연량으로 변동시켜 지연 클록으로서 출력하는 클록 지연부; 상기 지연 클록에 응답하여 그와 동일한 주파수를 갖는 발진 클록을 발진시키되, 온도의 변동에 따라 상기 클록 지연부의 비선형성을 보상하는 방향으로 그 발진 지연량이 변동하는 클록 발진부; 및 상기 소스 클록과 상기 발진 클록의 위상 차이에 따라 온도의 변동을 검출하는 온도 검출부를 포함할 수 있다.An integrated circuit according to an exemplary embodiment of the present invention includes a clock delay unit which receives a source clock and changes it as a nonlinear delay amount according to a change in temperature and outputs it as a delay clock; A clock oscillation unit oscillating an oscillation clock having the same frequency in response to the delay clock, the oscillation delay of which fluctuates in a direction for compensating for nonlinearity of the clock delay unit according to a change in temperature; And a temperature detector configured to detect a change in temperature according to a phase difference between the source clock and the oscillation clock.

본 발명의 다른 실시예에 따른 집적회로는, 소스 클록을 입력받아 온도의 변동과 상관없이 항상 일정한 지연량으로 변동시켜 제1 지연 클록으로서 출력하는 제1 클록 지연부; 상기 소스 클록을 입력받아 온도의 변동에 따라 비선형적인 지연량으로 변동시켜 제2 지연 클록으로서 출력하는 제2 클록 지연부; 상기 제2 지연 클록에 응답하여 그와 동일한 주파수를 갖는 발진 클록을 발진시키되, 온도의 변동에 따라 상기 제2 클록 지연부의 비선형성을 보상하는 방향으로 그 발진 지연량이 변동하는 클록 발진부; 및 상기 제1 지연 클록과 상기 발진 클록의 위상 차이에 따라 온도 변동을 검출하는 온도 검출부를 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, an integrated circuit may include: a first clock delay unit receiving a source clock and constantly changing a constant delay amount as a first delay clock regardless of a change in temperature; A second clock delay unit which receives the source clock and changes it as a non-linear delay amount according to a change in temperature and outputs it as a second delay clock; A clock oscillator configured to oscillate an oscillation clock having the same frequency in response to the second delay clock, the oscillation delay of which fluctuates in a direction compensating for nonlinearity of the second clock delay unit in response to a change in temperature; And a temperature detector configured to detect a temperature change according to a phase difference between the first delay clock and the oscillation clock.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 집적회로는, 소스 클록을 입력받아 온도의 변동과 상관없이 항상 일정한 지연량으로 변동시켜 제1 지연 클록으로서 출력하는 제1 클록 지연부; 상기 소스 클록의 주파수를 설정된 비율로 분배하여 분배 클록을 생성하기 위한 주파수 분배부; 상기 분배 클록을 입력받아 온도의 변동에 따라 비선형적인 지연량으로 변동시켜 제2 지연 클록으로서 출력하는 제2 클록 지연부; 상기 제2 지연 클록에 응답하여 그와 동일한 주파수를 갖는 발진 클록을 발진시키되, 온도의 변동에 따라 상기 제2 클록 지연부의 비선형성을 보상하는 방향으로 그 발진 지연량이 변동하는 클록 발진부; 및 온도의 변동에 따른 상기 발진 클록의 위상 변동 폭을 상기 제1 지연 클록을 기준으로 카운팅하여 온도 변동 코드를 생성하는 온도 변동 코드 생성부를 포함할 수 있다.
In accordance with still another aspect of the present invention, an integrated circuit includes a first clock delay unit receiving a source clock and outputting a constant delay amount as a first delay clock regardless of temperature fluctuations; A frequency divider for distributing a frequency of the source clock at a set ratio to generate a divided clock; A second clock delay unit which receives the distribution clock and changes the non-linear delay amount according to the temperature change and outputs the second delay clock as a second delay clock; A clock oscillator configured to oscillate an oscillation clock having the same frequency in response to the second delay clock, the oscillation delay of which fluctuates in a direction compensating for nonlinearity of the second clock delay unit in response to a change in temperature; And a temperature variation code generator configured to generate a temperature variation code by counting a phase variation width of the oscillation clock based on the first delay clock based on a change in temperature.

온도의 변동에 대해 선형적인 특성이 적용될 수 있는 시간-지연 방식을 사용하여 온도 측정을 함으로써, 차지하는 면적을 최소화하면서도 온도 측정 정확도를 증가시키는 효과가 있다.
By measuring the temperature using a time-delay method in which a linear characteristic can be applied to a change in temperature, there is an effect of increasing the temperature measurement accuracy while minimizing the occupied area.

도 1은 종래 기술에 해당하는 집적회로의 온도센서이다.
도 2a 내지 도 2d는 시간-지연 방식의 온도측정회로를 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 온도측정회로를 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 온도측정회로를 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 온도측정회로를 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 6은 도 5에 개시된 본 발명의 제3 실시예에 따른 온도측정회로의 동작을 설명하기 위해 도시한 타이밍 다이어그램.
도 7은 도 3 내지 도 5에 개시된 본 발명의 제1 내지 제3 실시예에 따른 온도측정회로에서 온도 변동에 따른 선형적인 동작 특성의 발생 과정을 설명하기 위해 도시한 도면.
1 is a temperature sensor of an integrated circuit corresponding to the prior art.
2A to 2D are diagrams for explaining a time-delay type temperature measuring circuit.
3 is a view for explaining a temperature measuring circuit according to a first embodiment of the present invention.
4 is a view for explaining a temperature measuring circuit according to a second embodiment of the present invention.
5 is a diagram for explaining a temperature measuring circuit according to a third embodiment of the present invention.
6 is a timing diagram for explaining the operation of the temperature measuring circuit according to the third embodiment of the present invention disclosed in FIG.
FIG. 7 is a view for explaining a process of generating a linear operating characteristic according to temperature variation in the temperature measuring circuit according to the first to third embodiments of the present invention disclosed in FIGS. 3 to 5.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구성될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록하며 통상의 지식을 가진자에게 본 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described a preferred embodiment of the present invention. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be configured in various different forms, only this embodiment is intended to complete the disclosure of the present invention and to those skilled in the art the scope of the present invention It is provided to inform you completely.

도 2a 내지 도 2d는 시간-지연 방식의 온도측정회로를 설명하기 위해 도시한 도면이다.2A to 2D are diagrams for explaining a time-delay type temperature measuring circuit.

먼저, 도 2a 내지 도 2d에 도시된 온도측정회로는 씨모드(CMOS)를 기반으로 하여 인버터(inverter)의 지연량(delay)이 온도에 따라 변하는 현상을 이용한다. 즉, 온도의 변동에 따라 지연량이 달라지는 것을 시간을 기준으로 측정할 수 있는 회로들이다.First, the temperature measuring circuit shown in FIGS. 2A to 2D uses a phenomenon in which a delay of an inverter varies with temperature based on a CMOS. That is, the circuits that can measure the amount of delay according to the change in temperature based on time.

이와 같이 시간-지연(Time-delay) 방식을 온도 측정에 이용할 경우, 전압(voltage)을 이용하는 것과는 다르게, 온도에 따라 변하는 범위에 제한이 없기 때문에, 적당한 시간-디지털 컨버터(Time-to-Digital Converter, TDC)만 있다면, 측정 가능한 온도 변동폭을 얼마든지 키울 수 있다. 또한 바이폴라 트랜지스터(BJT)를 사용한 것보다 훨씬 더 적은 면적에 구현 할 수 있으며, 동작에 사용하는 기준 클록을 생성할 때 집적회로의 내부에 이미 존재하는 지연고정루프(DLL) 이나 위상고정루프(PLL)를 공유하여 사용하면, 차지하는 면적은 더욱 더 줄일 수 있다.When the time-delay method is used for temperature measurement, there is no limit on the range that varies with temperature, unlike voltage, which is a suitable time-to-digital converter. , TDC), you can increase the range of measurable temperature fluctuations. It can also be implemented in a much smaller area than using a bipolar transistor (BJT), and the delay locked loop (DLL) or phase locked loop (PLL) already exists inside the integrated circuit when generating a reference clock for operation. ) Can be shared to reduce the footprint.

도 2a는 순환 시간-디지털 컨버터(Cyclic TDC) 방식을 사용한 온도측정회로이며, 온도의 변동에 따라 그 지연량이 변동하는 인버터 지연 라인(Temperature Dependent Delay Line)을 통과한 신호(TDDL)와 온도의 변동에 따라 그 지연량이 변동하지 않는 인버터 지연 라인(Temperature Independent Delay Line)을 통과한 신호(TIDL)의 지연량 차이를 순환-디지털 컨버터(cyclic TDC)와 카운터(Counter)를 이용하여 최종 디지털 값으로 변환하게 된다.FIG. 2A is a temperature measurement circuit using a cyclic time-to-digital converter (Cyclic TDC) method, and a signal TDDL and a temperature fluctuation passing through a Temperature Dependent Delay Line whose delay is changed according to temperature fluctuation. Variation of the delay amount of the signal (TIDL) passing through the Independent Delay Line, which is not changed according to the delay, is converted into a final digital value by using a cyclic TDC and a counter. Done.

도 2b는 링 오실레이터(Ring Oscillator) 방식을 사용한 온도측정회로이며, 온도의 변동에 따라 그 발진주기가 변동하도록 제어(Bias current generator - linear to temperature)되는 링 오실레이터(Current-Controlled Ring Oscillator)에서 출력되는 발진클록(OSC1)을 온도의 변동에 따라 그 발진주기가 변동하지 않도록 제어(Bias current generator - Independent of temperature)되는 링 오실레이터(Current-Controlled Ring Oscillator)에서 출력되는 발진클록(OSC2)을 이용하여 카운팅하여 디지털 값으로 변환하게 된다.FIG. 2B is a temperature measuring circuit using a ring oscillator method and an output from a current-controlled ring oscillator controlled by a bias current generator-linear to temperature according to a temperature change By using the oscillation clock (OSC2) output from the current-controlled ring oscillator (Bias current generator-Independent of temperature) is controlled so that the oscillation clock (OSC1) does not fluctuate according to the temperature fluctuation It counts and converts them into digital values.

도 2c는 듀얼 지연 고정 루프(Dual-DLL) 방식을 사용한 온도측정회로이며, 온도의 변동에 따라 그 지연량이 변동하는 지연라인(Temperature Dependent Delay Line)과 지연고정루프(DLL)을 포함하여 구성된 온도의 변동에 따라 그 지연량이 변하지 않는 지연라인(Temperature Independent Delay Line)의 위상 차이를 유한상태머신(FSM)을 통해 검색하여, 온도 값으로 변환해 주는 방법이다.FIG. 2C is a temperature measurement circuit using a dual delay locked loop (Dual-DLL) method, and includes a delay dependent loop and a delay locked loop DLL in which a delay amount fluctuates with temperature variation. The phase difference of the delay line (Temperature Independent Delay Line) does not change according to the change of the circuit through the finite state machine (FSM) to convert the temperature value.

전술한 도 2a 내지 도 2c를 통해 개시된 온도측정회로들은 공통적으로 온도의 변동에 따라 그 지연량이 변동하는 인버터를 사용한 지연 라인(Temperature Dependent Delay Line)을 사용한다는 특징이 있다. 그런데, 인버터를 사용하여 온도의 변동에 따라 그 지연량이 변동하는 지연 라인(Temperature Dependent Delay Line)은 인버터 자체의 특성으로 인해 온도의 변동에 따른 지연량의 변동이 비선형적이라는 특성을 갖는다. 즉, 온도의 변동에 대해 일정한 비율로 그 지연량이 변동하지 못한다. 이렇게, 온도의 변동에 대해 비선형적인 특징으로 갖게 되면, 이를 디지털 값으로 변환할 때도 정확한 값을 찾기 어렵다는 문제점이 존재한다.2A to 2C described above, the temperature measuring circuits described above commonly use a delay line (Temperature Dependent Delay Line) using an inverter whose delay amount varies according to temperature variation. By the way, the delay line (Temperature Dependent Delay Line) in which the delay amount fluctuates according to the temperature change using the inverter has a characteristic that the variation of the delay amount due to the temperature change is nonlinear due to the characteristics of the inverter itself. In other words, the delay amount does not change at a constant rate with respect to the change in temperature. As such, when the nonlinear characteristic of the temperature fluctuations is obtained, there is a problem that it is difficult to find the correct value even when the digital value is converted.

또한, 온도의 변동에 따라 그 지연량이 변동하는 인버터를 사용한 지연 라인(Temperature Dependent Delay Line)에 사용되는 인버터의 개수는 일반적으로 100개 이상이 될 정도로 많은 개수의 인버터가 사용되어야 한다. 즉, 온도의 변동에 따라 그 지연량의 변동이 변동하는 폭이 측정 가능한 수준이 되기 위해서는 그만큼 많은 개수의 인버터가 필요하다. 그런데, 인버터의 개수가 많아진다는 것은 그만큼 파워 공급 노이즈(power supply noise)가 발생할 수 있다는 것을 뜻하고, 실제로 노이즈로 인해 온도 측정 결과에 오류가 발생하는 문제점이 발생한다.In addition, as many inverters as the number of inverters used in a delay line (Temperature Dependent Delay Line) using an inverter whose delay amount varies with temperature fluctuation should generally be used. That is, a large number of inverters are required in order to achieve a measurable level in which the variation in the delay amount varies with the temperature variation. However, an increase in the number of inverters means that power supply noise may occur, and an error occurs in the temperature measurement result due to the noise.

이러한 문제점을 해결하기 위해 도 2d에서와 같이 축차 비교형 레지스터(Successive Approximation Register, SAR) 제어로직을 사용하여 온도의 변동에 대해 선형적인 특성을 갖는 온도측정회로가 제시되었다. 구체적으로, 축차 비교형 레지스터(SAR)을 사용한 제어를 통해 온도의 변동에 따라 그 지연량이 비선형적으로 변동하는 지연라인(Temperature Dependent Delay Line)에 지연량을 보상(Adjustable Reference Delay Line : ARDL)함으로써 최종적으로는 온도의 변동에 다라 그 지연량이 선형적으로 변동하도록 하는 방법이다.In order to solve this problem, as shown in FIG. 2D, a temperature measuring circuit having a linear characteristic with respect to temperature fluctuation is proposed using a successive Approximation Register (SAR) control logic. Specifically, by controlling the difference comparison register (SAR) by compensating for the delay amount (Adjustable Reference Delay Line (ARDL)) to the delay line (Temperature Dependent Delay Line) that the delay amount is non-linearly changed according to the temperature change Finally, the delay amount varies linearly with temperature fluctuations.

이렇게 도 2d에 개시된 바와 같이 축차 비교형 레지스터(SAR)의 제어를 사용하면 온도의 변동에 따라 지연량이 비선형적으로 변동하는 것을 방지하는 것은 가능하다. 하지만, 많은 개수의 인버터로 인해 길어지는 지연라인으로부터 들어오는 파워 공급 노이즈(power supply noise)의 문제는 여전히 많이 존재하며, 축차 비교형 레지스터(SAR)가 차지하는 면적이 상대적으로 큰 편이기 때문에 바이폴라 트랜지스터(BJT)를 사용하지 않았다는 장점이 줄어들게 된다.By using the control of the sequential comparison type register SAR as described in FIG. 2D, it is possible to prevent the delay amount from non-linearly fluctuating with the change in temperature. However, there are still many problems of power supply noise coming from the delay lines due to the large number of inverters, and since the area occupied by the SAR is relatively large, the bipolar transistor ( The advantage of not using BJT) is reduced.

정리해 보면, 도 1의 종래기술에서 제시된 바이폴라 트랜지스터(BJT)를 활용한 온도측정회로가 너무 큰 면적을 차지하기 때문에, 면적 문제를 해결하기 위해 도 2a 내지 도 2c에 제시된 바와 같이 온도의 변동에 따라 그 지연량이 변동하는 인버터를 포함하는 지연라인(Temperature Dependent Delay Line)을 통해 시간-지연(time-delay)을 이용한 온도측정회로가 제안 되었지만, 온도의 변동에 대해 지연량의 변동이 비선형성이라는 특성을 갖고 있으며, 다수의 인버터를 포함하여 길이가 길어진 지연라인으로부터 들어오는 파워 공급 노이즈(power supply noise)에 의해 정확성이 바이폴라 트랜지스터(BJT)을 활용한 온도측정회로에 비해 떨어지게 되는 문제가 있었다. 따라서, 도 2d에 제시된 바와 같이 축차 비교형 레지스터(SAR) 제어로직을 사용하여 온도의 변동에 따라 지연량의 변동이 선형성을 갖도록 하는 방안이 제안되었지만, 축차 비교형 레지스터(SAR) 제어로직으로 인해 그 면적이 크게 늘어나는 문제가 발생하며, 파워 공급 노이즈(power supply noise)에 의한 문제는 해결되지 못하였다.
In summary, since the temperature measuring circuit using the bipolar transistor (BJT) shown in the prior art of FIG. 1 occupies a very large area, in order to solve the area problem, as shown in FIGS. Although a temperature measurement circuit using a time-delay has been proposed through a delay-dependent delay line including an inverter in which the delay amount fluctuates, the characteristic that the variation in the delay amount is nonlinear with respect to temperature fluctuations is proposed. In addition, there is a problem that accuracy is lowered compared to a temperature measuring circuit using a bipolar transistor (BJT) due to power supply noise coming from a long delay line including a plurality of inverters. Therefore, as shown in FIG. 2D, a method of using the SAR control logic to have a linear variation in the delay amount according to the temperature change has been proposed. However, due to the SAR control logic, The problem is that the area is greatly increased, and the problem due to power supply noise has not been solved.

<제1 실시예><First Embodiment>

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 온도측정회로를 설명하기 위해 도시한 도면이다.3 is a view for explaining a temperature measuring circuit according to a first embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 온도측정회로는, 클록 지연부(300)와, 클록 발진부(320), 및 온도 검출부(340)를 구비한다. 여기서, 클록 발진부(320)는, 링 오실레이터(322), 및 보상 조절부(324)를 구비한다.Referring to FIG. 3, the temperature measuring circuit according to the first embodiment of the present invention includes a clock delay unit 300, a clock oscillator 320, and a temperature detector 340. Here, the clock oscillator 320 includes a ring oscillator 322 and a compensation adjuster 324.

구체적으로, 클록 지연부(300)는, 소스 클록(REF_CLK)을 입력받아 온도의 변동에 따라 비선형적인 지연량으로 변동시켜 지연 클록(DLY_CLK)으로서 출력한다. 즉, 클록 지연부(300)는 소스 클록(REF_CLK)을 입력받아 미리 설정된 지연량만큼 지연시켜 지연 클록(DLY_CLK)으로서 출력한다. 그런데, 온도의 변동이 발생함에 따라 설정된 지연량이 비선형적인 특성을 갖는 상태로 변동한다.Specifically, the clock delay unit 300 receives the source clock REF_CLK, changes the non-linear delay amount according to the change in temperature, and outputs the delayed clock DLY_CLK. That is, the clock delay unit 300 receives the source clock REF_CLK and delays it by a predetermined delay amount and outputs the delayed clock DLY_CLK. However, as the temperature fluctuations occur, the set delay amount fluctuates in a state having nonlinear characteristics.

이때, 온도의 변동에 따라 클록 지연부(300)의 지연량이 비선형적인 특성을 갖는다는 것은, 온도가 상대적으로 낮은 구간에서 변동할 때 그에 대응하여 클록 지연부(300)의 지연량이 변동하는 폭과 온도가 상대적으로 높은 구간에서 변동할 때 그에 대응하여 클록 지연부(300)의 지연량이 변동하는 폭이 서로 다르다는 것을 의미한다. 예컨대, 온도가 상대적으로 낮은 구간에 속하는 0도 내지 20도 구간에서는 온도가 1도 변동할 때마다 클록 지연부(300)의 지연량이 0.2퍼센트씩 변동하지만, 온도가 상대적으로 높은 구간에 속하는 21도 내지 40도 구간에서는 온도가 1도 변동할 때마다 클록 지연부(300)의 지연량이 0.15퍼센트씩 변동하는 경우를 의미한다.In this case, the delay amount of the clock delay unit 300 having a non-linear characteristic according to the change in temperature means that the width of the delay amount of the clock delay unit 300 changes correspondingly when the temperature fluctuates in a relatively low section. When the temperature fluctuates in a relatively high section, it means that the widths of the delays of the clock delay unit 300 vary accordingly. For example, in the 0 degree to 20 degree range belonging to the section where the temperature is relatively low, the delay amount of the clock delay unit 300 fluctuates by 0.2 percent every time the temperature changes by 1 degree, but 21 degrees belonging to the section where the temperature is relatively high. In the 40 to 40 degrees section, the delay amount of the clock delay unit 300 varies by 0.15 percent every time the temperature changes by 1 degree.

그리고, 클록 발진부(320)는, 지연 클록(DLY_CLK)에 응답하여 그와 동일한 주파수를 갖는 발진 클록(OSCLK)을 발진시키되, 온도의 변동에 따라 클록 지연부(300)의 비선형성을 보상하는 방향으로 그 발진 지연량이 변동한다. 이때, 클록 발진부(320)에서 발진 지연량이 변동한다는 것은 발진 클록(OSCLK)의 발진 주파수를 변동시킨다는 것을 의미한다.In addition, the clock oscillator 320 oscillates the oscillation clock OSCLK having the same frequency in response to the delay clock DLY_CLK, but compensates for the non-linearity of the clock delay unit 300 according to a change in temperature. The oscillation delay amount fluctuates. In this case, the variation in the oscillation delay amount in the clock oscillator 320 means that the oscillation frequency of the oscillation clock OSCLK is changed.

구체적으로, 클록 발진부(320)의 구성요소 중 링 오실레이터(322)는, 제1 인에이블 모드에서 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수와 설정된 범위 이내의 주파수 차이를 갖는 발진 클록(OSCLK)을 발진시키고, 제2 인에이블 모드에서 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수에 발진 클록(OSCLK)의 주파수를 일치시키는 방향으로 발진 지연량이 변동된다.Specifically, the ring oscillator 322 of the components of the clock oscillator 320 oscillates the oscillation clock (OSCLK) having a frequency difference within the set range and the frequency of the delay clock (DLY_CLK) in the first enable mode, In the second enable mode, the amount of oscillation delay varies in a direction in which the frequency of the oscillation clock OSCLK coincides with the frequency of the delay clock DLY_CLK.

이때, 링 오실레이터(322)가 제1 인에이블 모드와 제2 인에이블 모드에서 서로 다르게 동작하는 이유는 클록 발진부(320)에서 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수를 기준으로 발진 클록(OSCLK)의 주파수를 조절하는 방식으로 인젝션 락킹(injection locking) 방식을 사용하기 때문이다.In this case, the reason why the ring oscillator 322 operates differently in the first enable mode and the second enable mode is that the frequency of the oscillation clock OSCLK is determined based on the frequency of the delayed clock DLY_CLK in the clock oscillator 320. This is because injection locking is used as a control method.

여기서, 인젝션 락킹(injection locking) 방식은 예컨대 마스터(master) 발진기에서 출력되는 마스터 발진 클록을 슬레이브(slave) 발진기에 주입(injection)하는 방법으로, 슬레이브 발진기에서 출력되는 슬레이브 발진 클록이 마스터 발진기에서 출력되는 마스터 발진 클록에 동기화된다. 참고로, 도 3에서는 마스터 발진기에 대한 구성이 따로 포함되지 않았으므로 마스터 발진 클록이 지연 클록(DLY_CLK)이며, 슬레이브 발진기는 클록 발진부(320)이고 슬레이브 발진 클록이 발진 클록(OSCLK)이라고 할 수 있다.Here, injection locking is a method of injecting a master oscillation clock output from a master oscillator into a slave oscillator, and a slave oscillation clock output from a slave oscillator is output from a master oscillator. Are synchronized to the master oscillation clock. For reference, in FIG. 3, since the configuration of the master oscillator is not included separately, the master oscillation clock may be a delay clock DLY_CLK, the slave oscillator may be a clock oscillator 320, and the slave oscillation clock may be an oscillation clock OSCLK. .

이렇게, 인젝션 락킹 방식을 사용한 클록 발진부(320)는 전력 소모를 줄일 수 있으며 지터에 대한 동작 성능이 향상된다는 측면에서 매우 효율적인 회로이다. 하지만, 인젝션 락킹이 일어나기 위해서는 주입되는 마스터 발진 클록 즉, 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수와 슬레이브 발진 클록, 즉, 발진 클록(OSCLK)의 자유 발진 주파수(free running frequency)가 설정된 주파수 범위 안에 포함되어 있어야 한다. 이때, 발진 클록(OSCLK)의 자유 발진 주파수(free running frequency)는 링 오실레이터(322)에 인에이블 동작을 제외한 어떠한 제어도 가하지 않았을 때, 발진 클록(OSCLK)의 주파수를 의미한다.As such, the clock oscillator 320 using the injection locking method can reduce power consumption and is a very efficient circuit in terms of improving operating performance on jitter. However, in order for injection locking to occur, the frequency of the injected master oscillation clock, that is, the delay clock DLY_CLK and the slave oscillation clock, that is, the free running frequency of the oscillation clock OSCLK, must be included in the set frequency range. do. In this case, the free running frequency of the oscillation clock OSCLK refers to the frequency of the oscillation clock OSCLK when no control other than an enable operation is applied to the ring oscillator 322.

따라서, 링 오실레이터(322)는, 인에이블 동작을 제외한 어떠한 제어도 가하지 않았을 때를 의미하는 제1 인에이블 모드에서 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수와 비교하여 발진 클록(OSCLK)의 주파수가 설정된 주파수 범위 내에 속하도록 동작한다. 참고로, 설계 당시에 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수는 미리 알 수 있으므로 발진 클록(OSCLK)의 자유 발진 주파수(free running frequency)를 설정하는 것은 크게 어려운 일이 아니다. 다만, 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수가 변동될 수 있는 것을 감안하여 발진 클록(OSCLK)의 자유 발진 주파수(free running frequency)도 조절할 수 있도록 추가의 제어신호를 사용하는 방식이 필요할 수 있다. 즉, 도 3에 개시된 링 오실레이터(322)에는 도시되지 않았지만, 링 오실레이터(322)에 추가적인 제어신호가 가해져서 발진 클록(OSCLK)의 자유 발진 주파수(free running frequency)도 조절하는 구성이 포함될 수도 있다.Accordingly, the ring oscillator 322 has a frequency range in which the frequency of the oscillation clock OSCLK is set in comparison with the frequency of the delay clock DLY_CLK in the first enable mode, which means when no control except for the enable operation is applied. Operate to belong to. For reference, since the frequency of the delay clock DLY_CLK is known in advance at the time of design, it is not difficult to set the free running frequency of the oscillation clock OSCLK. However, in view of the fact that the frequency of the delay clock DLY_CLK may vary, a method of using an additional control signal to adjust the free running frequency of the oscillation clock OSCLK may be required. That is, although not shown in the ring oscillator 322 disclosed in FIG. 3, an additional control signal may be applied to the ring oscillator 322 to adjust the free running frequency of the oscillation clock OSCLK. .

또한, 링 오실레이터(322)의 제2 인에이블 모드는, 전술한 제1 인에이블 모드와 구별되기 위한 인에이블 동작으로서, 인젝션 락킹 동작이 수행되는 과정에서 보상 조절부(324)의 제어에 의해 링 오실레이터(322)에서 발진되는 발진 클록(OSCLK)의 주파수가 변동되는 동작을 의미한다. 이때, 인젝션 락킹 동작은 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수를 기준으로 발진 클록(OSCLK)의 주파수를 조절하게 되므로, 제2 인에이블 모드에서 링 오실레이터(322)는 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수에 발진 클록(OSCLK)의 주파수를 일치시키는 방향으로 발진 클록(OSCLK)의 주파수를 조절하게 된다.In addition, the second enable mode of the ring oscillator 322 is an enable operation to be distinguished from the above-described first enable mode, and is controlled by the compensation adjusting unit 324 during the injection locking operation. This refers to an operation in which the frequency of the oscillation clock OSCLK oscillated in the oscillator 322 is changed. In this case, since the injection locking operation adjusts the frequency of the oscillation clock OSCLK based on the frequency of the delay clock DLY_CLK, in the second enable mode, the ring oscillator 322 oscillates at the frequency of the delay clock DLY_CLK. The frequency of the oscillation clock OSCLK is adjusted in a direction to match the frequency of the OSCLK.

그리고, 도 3에 그 제어신호가 직접적으로 도시되진 않았지만, 링 오실레이터(322)의 동작을 디스에이블 시키는 제어동작도 가능하다. 즉, 지연 클록(DLY_CLK)의 입력 및 보상 조절부(324)의 동작과 상관없이 발진 클록(OSCLK)을 발진시키지 않는 디스에이블 제어동작도 가능하다.Although the control signal is not directly shown in FIG. 3, a control operation for disabling the operation of the ring oscillator 322 is also possible. That is, a disable control operation without oscillating the oscillation clock OSCLK may be performed regardless of the operation of the delay clock DLY_CLK and the compensation controller 324.

그리고, 클록 발진부(320)의 구성요소 중 보상 조절부(324)는, 제2 인에이블 모드에서 지연 클록(DLY_CLK)과 보상 제어 전압(INJECT_STR) 및 온도의 변동에 대응하여 링 오실레이터(322)의 동작 전류량을 조절한다. 이때, 전술한 설명과 같이 보상 조절부(324)는, 링 오실레이터(322)의 제2 인에이블 모드에서 발진 클록(OSCLK)의 주파수를 변경시키게 되는데, 그 방법은 링 오실레이터(322)의 동작 전류량을 조절하는 방식이 될 수 있다.The compensator 324 among the components of the clock oscillator 320 of the clock oscillator 320 of the ring oscillator 322 responds to variations in the delayed clock DLY_CLK, the compensation control voltage INJECT_STR, and the temperature in the second enable mode. Adjust the amount of operating current. At this time, as described above, the compensation adjusting unit 324 changes the frequency of the oscillation clock OSCLK in the second enable mode of the ring oscillator 322, and the method includes the amount of operating current of the ring oscillator 322. It can be a way to control.

구체적으로, 보상 조절부(324)에서 링 오실레이터(322)의 동작 전류량을 조절하는 요소들을 하나씩 분리해보면, 고정적인 요소로서 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수와 보상 제어 전압(INJECT_STR)의 전압레벨이 있고, 변동적인 요소로서 온도의 변동이 있을 수 있다. 참고로, 고정적인 요소가 의미하는 바는 보상 조절부(324)를 포함하는 클록 발진부(320)의 동작이 시작된 이후 더 이상 변동될 여지가 없는 요소를 의미하고, 변동적인 요소는 고정적인 요소의 반대의미로서 클록 발진부(320)의 동작이 시작된 이후 변동될 여지가 있는 요소를 의미한다. 즉, 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수와 보상 제어 전압(INJECT_STR)의 전압레벨은 동작 이전에 그 값이 설정되면 이후 클록 발진부(320)의 동작구간에서는 그 값이 변동되지 않는다. 하지만, 온도는 클록 발진부(320)의 동작구간에서 어떻게 변동할지 예측할 수 없는 상태로 변동하게 된다.Specifically, when the elements for adjusting the operating current amount of the ring oscillator 322 are separated one by one from the compensation controller 324, the frequency of the delay clock DLY_CLK and the voltage level of the compensation control voltage INJECT_STR are fixed. However, there may be temperature fluctuations as a variable factor. For reference, the fixed element means an element that can no longer be changed after the operation of the clock oscillator 320 including the compensation adjusting unit 324 is started, and the variable element is the opposite of the fixed element. As a meaning, it means an element that may be changed after the operation of the clock oscillator 320 starts. That is, the value of the frequency of the delay clock DLY_CLK and the voltage level of the compensation control voltage INJECT_STR are not changed in the operation section of the clock oscillator 320 after the value is set before the operation. However, the temperature fluctuates in an unpredictable state in which the fluctuation of the clock oscillator 320 operates.

먼저, 보상 조절부(324)에서 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수에 대응하여 링 오실레이터(322)의 동작 전류량을 조절하는 동작을 살펴보면, 예컨대 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수가 링 오실레이터(322)에서 발진되는 발진 클록(OSCLK)의 주파수보다 높은 경우 링 오실레이터(322)의 동작 전류량을 감소시킴으로써 링 오실레이터(322)의 발진 지연량을 감소시키게 되고 그에 따라 발진 클록(OSCLK)의 주파수가 빨라지게 되어 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수에 맞춰지게 된다. 하지만, 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수가 링 오실레이터(322)에서 발진되는 발진 클록(OSCLK)의 주파수보다 낮은 경우 링 오실레이터(322)의 동작 전류량을 증가시킴으로써 링 오실레이터(322)의 발진 지연량을 증가시키게 되고 그에 따라 발진 클록(OSCLK)의 주파수가 느려지면서 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수에 맞춰지게 될 것이다.First, the operation of adjusting the amount of operating current of the ring oscillator 322 in response to the frequency of the delay clock DLY_CLK in the compensation controller 324, for example, the frequency of the delay clock DLY_CLK oscillates in the ring oscillator 322. When the oscillation clock OSCLK is higher than the frequency of the oscillation clock OSCLK, the oscillation delay amount of the ring oscillator 322 is reduced by reducing the amount of operating current of the ring oscillator 322, and thus the frequency of the oscillation clock OSCLK is increased, thereby delaying the clock. It is set to the frequency of (DLY_CLK). However, when the frequency of the delay clock DLY_CLK is lower than the frequency of the oscillation clock OSCLK oscillated by the ring oscillator 322, the oscillation delay amount of the ring oscillator 322 is increased by increasing the amount of operating current of the ring oscillator 322. As a result, the frequency of the oscillation clock OSCLK is slowed down to match the frequency of the delay clock DLY_CLK.

그리고, 보상 제어 전압(INJECT_STR)의 전압레벨에 따라 보상 조절부(324)의 동작 전류량 크기가 직접적으로 변동되는 것이 아니라 보상 제어 전압(INJECT_STR)의 전압레벨에 따라 보상 조절부(324)에서 링 오실레이터(322)의 동작 전류량 조절 가능 폭을 결정하게 된다. 즉, 보상 제어 전압(INJECT_STR)의 전압레벨이 변동되는 것에 응답하여 보상 조절부(324)에서 링 오실레이터(322)의 동작 전류량을 증가시킬 수 있는 최대치와 감소시킬 수 있는 최소치가 달라질 수 있다.In addition, the ring oscillator of the compensation control unit 324 does not directly change the magnitude of the operation current amount of the compensation control unit 324 according to the voltage level of the compensation control voltage INJECT_STR, but according to the voltage level of the compensation control voltage INJECT_STR. The operating current amount adjustable width of 322 is determined. That is, in response to a change in the voltage level of the compensation control voltage INJECT_STR, a maximum value that can increase and a minimum value that can decrease the amount of operating current of the ring oscillator 322 in the compensation adjusting unit 324 may vary.

예컨대, 보상 제어 전압(INJECT_STR)의 전압레벨이 높으면 높을수록 보상 조절부(324)에서 링 오실레이터(322)의 동작 전류량을 증가시킬 수 있는 최대치와 감소시킬 수 있는 최소치의 범위가 넓어질 수 있다. 물론, 보상 조절부(324)에서 링 오실레이터(322)의 동작 전류량을 증가시킬 수 있는 최대치와 감소시킬 수 있는 최소치의 범위가 넓어짐에 따라 보상 조절부(324)의 제어에 따라 링 오실레이터(322)의 동작 전류량이 상대적으로 더 많이씩 변동될 것이므로 클록 발진부(320)로 인가되는 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수와 클록 발진부(320)에서 출력되는 발진 클록(OSCLK) 간의 주파수 락킹 정확도는 감소하게 될 것이다.For example, as the voltage level of the compensation control voltage INJECT_STR is higher, the range of the maximum value that can increase and the minimum value that can decrease the amount of operating current of the ring oscillator 322 in the compensation control unit 324 can be widened. Of course, as the range of the maximum value that can increase and the minimum value that can decrease the operating current of the ring oscillator 322 in the compensation adjusting unit 324 is widened, the ring oscillator 322 is controlled by the control of the compensation adjusting unit 324. Since the amount of the operating current of Rc is relatively more fluctuated, the frequency locking accuracy between the frequency of the delayed clock DLY_CLK applied to the clock oscillator 320 and the oscillation clock OSCLK output from the clock oscillator 320 will decrease.

반대로, 보상 제어 전압(INJECT_STR)의 전압레벨이 낮으면 낮을수록 보상 조절부(324)에서 링 오실레이터(322)의 동작 전류량을 증가시킬 수 있는 최대치와 감소시킬 수 있는 최소치의 범위가 좁아질 수 있다. 물론, 보상 조절부(324)에서 링 오실레이터(322)의 동작 전류량을 증가시킬 수 있는 최대치와 감소시킬 수 있는 최소치의 범위가 좁아짐에 따라 보상 조절부(324)의 제어에 따라 링 오실레이터(322)의 동작 전류량은 상대적으로 조금씩 변동될 것이므로 클록 발진부(320)로 인가되는 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수와 클록 발진부(320)에서 출력되는 발진 클록(OSCLK) 간의 주파수 락킹 정확도는 증가하게 될 것이다.On the contrary, as the voltage level of the compensation control voltage INJECT_STR is lower, the range of the maximum value that can increase and the minimum value that can decrease the operating current amount of the ring oscillator 322 in the compensation control unit 324 can be narrowed. . Of course, as the range of the maximum value that can increase and decrease the minimum value that can decrease the operating current amount of the ring oscillator 322 in the compensation adjusting unit 324 becomes narrower, the ring oscillator 322 under the control of the compensation adjusting unit 324. Since the amount of the operating current of Rc varies relatively little by little, the frequency locking accuracy between the frequency of the delayed clock DLY_CLK applied to the clock oscillator 320 and the oscillation clock OSCLK output from the clock oscillator 320 will increase.

그리고, 보상 조절부(324)에서 온도 변동에 대응하여 링 오실레이터(322)의 동작 전류량을 조절하는 동작을 설명하기 위해 보상 조절부(324)의 구체적인 구성을 살펴보면, 제1 NMOS 트랜지스터(N1) 및 제2 NMOS 트랜지스터(N2)를 포함한다. 즉, 보상 조절부(324)는, 링 오실레이터(322)와 동작 노드(MND) 사이에서 지연 클록(DLY_CLK)에 응답하여 온/오프 제어되는 제1 NMOS 트랜지스터(N1), 및 보상 제어 전압(INJECT_STR)의 레벨에 따라 동작 노드(MND)와 접지전압(VSS)단 사이에 흐르는 전류량을 조절하는 제2 NMOS 트랜지스터(N2)를 포함하는 구성이다.In order to explain an operation of adjusting the amount of operating current of the ring oscillator 322 in response to a temperature change in the compensation controller 324, the specific configuration of the compensation controller 324 will be described. A second NMOS transistor N2 is included. That is, the compensation adjusting unit 324 may include the first NMOS transistor N1 controlled on / off in response to the delay clock DLY_CLK between the ring oscillator 322 and the operation node MND, and the compensation control voltage INJECT_STR. The second NMOS transistor N2 adjusts the amount of current flowing between the operation node MND and the ground voltage VSS terminal in accordance with the level of VIII.

이렇게, 보상 조절부(324)는, 내부에 NMOS 트랜지스터(N1, N2)를 포함하며, 각각의 NMOS 트랜지스터(N1, N2)가 지연 클록(DLY_CLK)과 보상 제어 전압(INJECT_STR)에 의해 제어되어 링 오실레이터(322)에서 어느 정도의 크기의 전류를 싱킹(sinking)하는 지에 따라 전술한 보상 조절부(324)의 동작이 이루어지게 되는 것을 알 수 있다. 즉, 지연 클록(DLY_CLK)과 보상 제어 전압(INJECT_STR)에 의해 제어에 의해 NMOS 트랜지스터(N1, N2)의 드레인과 소스 사이에 흐르는 전류량이 증가한다는 것은 링 오실레이터(322)에서 접지전압(VSS)단으로 싱킹되는 전류의 크기가 증가한다는 것을 의미하고, 이는 링 오실레이터(322)의 동작 전류량이 감소한다는 것을 의미한다. 반대로, 지연 클록(DLY_CLK)과 보상 제어 전압(INJECT_STR)에 의해 제어에 의해 NMOS 트랜지스터(N1, N2)의 드레인과 소스 사이에 흐르는 전류량이 감소한다는 것은 링 오실레이터(322)에서 접지전압(VSS)단으로 싱킹되는 전류의 크기가 감소한다는 것을 의미하고, 이는 링 오실레이터(322)의 동작 전류량이 증가한다는 것을 의미한다.As such, the compensation adjusting unit 324 includes NMOS transistors N1 and N2 therein, and each of the NMOS transistors N1 and N2 is controlled by the delay clock DLY_CLK and the compensation control voltage INJECT_STR to ring. It can be seen that the operation of the compensation adjusting unit 324 described above is made according to how much the current of the oscillator 322 sinks. That is, the increase in the amount of current flowing between the drain and the source of the NMOS transistors N1 and N2 by the control of the delay clock DLY_CLK and the compensation control voltage INJECT_STR increases the ground voltage VSS at the ring oscillator 322. This means that the amount of current sinking into is increased, which means that the amount of operating current of the ring oscillator 322 is reduced. On the contrary, the decrease in the amount of current flowing between the drain and the source of the NMOS transistors N1 and N2 by the control by the delay clock DLY_CLK and the compensation control voltage INJECT_STR means that the ground voltage VSS terminal of the ring oscillator 322 is reduced. This means that the magnitude of the sinked current decreases, which means that the amount of operating current in the ring oscillator 322 increases.

한편, 보상 조절부(324)의 구성요소인 NMOS 트랜지스터(N1, N2)는 일반적으로, 게이트로 인가되는 전압의 레벨과 상관없이 온도의 변동에 대해 저항값이 비선형적으로 변동하게 되어 드레인과 소스 사이에 흐르는 전류의 크기가 비선형적으로 변동하게 된다. 즉, 온도가 증가함에 따라 지연 클록(DLY_CLK)과 보상 제어 전압(INJECT_STR)에 의한 제어와 상관없이 NMOS 트랜지스터(N1, N2)의 저항값이 비선형적으로 증가하게 되고, 그에 따라 NMOS 트랜지스터(N1, N2)의 드레인과 소스 사이에 흐르는 전류의 크기는 비선형적으로 감소하게 된다. 반대로, 온도가 감소함에 따라 지연 클록(DLY_CLK)과 보상 제어 전압(INJECT_STR)에 의한 제어와 상관없이 NMOS 트랜지스터(N1, N2)의 저항값이 비선형적으로 감소하게 되고, 그에 따라 NMOS 트랜지스터(N1, N2)의 드레인과 소스 사이에 흐르는 전류의 크기는 비선형적으로 증가하게 된다.On the other hand, the NMOS transistors N1 and N2, which are components of the compensation control unit 324, generally have a non-linear variation in resistance value with respect to temperature variations, regardless of the level of the voltage applied to the gate. The magnitude of the current flowing between them varies nonlinearly. That is, as the temperature increases, the resistance values of the NMOS transistors N1 and N2 increase nonlinearly regardless of the control by the delay clock DLY_CLK and the compensation control voltage INJECT_STR. The magnitude of the current flowing between the drain and the source of N2) decreases nonlinearly. On the contrary, as the temperature decreases, the resistance values of the NMOS transistors N1 and N2 decrease nonlinearly regardless of the control by the delay clock DLY_CLK and the compensation control voltage INJECT_STR, and thus the NMOS transistors N1, The magnitude of the current flowing between the drain and the source of N2) increases nonlinearly.

이와 같이, 보상 조절부(324)가 NMOS 트랜지스터(N1, N2)를 포함하는 구성이기 때문에, 지연 클록(DLY_CLK)과 보상 제어 전압(INJECT_STR)에 의한 제어와 상관없이 온도의 변동에 따라 링 오실레이터(322)에서 싱킹되는 전류의 크기를 비선형적으로 변동시키게 되며, 그에 따라, 링 오실레이터(322)의 동작 전류량이 비선형적으로 변동하게 된다.As described above, since the compensation adjusting unit 324 includes the NMOS transistors N1 and N2, the ring oscillator () may be changed according to a change in temperature regardless of the control by the delay clock DLY_CLK and the compensation control voltage INJECT_STR. The amount of current sinking in 322 is varied non-linearly, and thus the amount of operating current of the ring oscillator 322 is non-linearly varied.

구체적으로, 보상 조절부(324)의 전류량 변동은 상대적으로 온도가 낮은 구간에서는 상대적으로 작게 감소하고, 온도가 높은 구간에서는 상대적으로 크게 감소한다. 예컨대, 상대적으로 온도가 낮은 구간인 0도에서 20도 사이에서는 온도가 1도 증가할 때마다 보상 조절부(324)의 전류량이 0.1퍼센트씩 감소하였다면, 상대적으로 온도가 높은 구간인 21도에서 40도 사이에서는 온도가 1도 증가할 때마다 보상 조절부(324)의 전류량이 0.15퍼센트씩 감소하게 된다.In detail, the variation in the amount of current of the compensation controller 324 is relatively reduced in a section where the temperature is relatively low, and relatively large in the section where the temperature is high. For example, if the current amount of the compensation control unit 324 decreases by 0.1 percent every time the temperature is increased by 1 degree between 0 degrees and 20 degrees, which is a relatively low temperature section, the temperature is increased by 40 degrees at 21 degrees which is a relatively high temperature section. Between degrees, each time the temperature increases by 1 degree, the current amount of the compensation adjusting unit 324 decreases by 0.15 percent.

따라서, 링 오실레이터(322)의 동작 전류량 변동은 상대적으로 온도가 낮은 구간에서는 상대적으로 작게 증가하고, 온도가 높은 구간에서는 상대적으로 크게 증가한다. 예컨대, 상대적으로 온도가 낮은 구간인 0도에서 20도 사이에서는 온도가 1도 증가할 때마다 링 오실레이터(322)의 동작 전류량이 0.1퍼센트씩 증가하였다면, 상대적으로 온도가 높은 구간인 21도에서 40도 사이에서는 온도가 1도 증가할 때마다 링 오실레이터(322)의 동작 전류량이 0.15퍼센트씩 증가하게 된다.Accordingly, the variation of the operating current amount of the ring oscillator 322 increases relatively in a section where the temperature is relatively low, and increases relatively in a section where the temperature is high. For example, if the operating current of the ring oscillator 322 increases by 0.1 percent every time the temperature is increased by 1 degree between 0 degrees and 20 degrees, which is a relatively low temperature section, the operating temperature of the ring oscillator 322 increases by 0.1 percent. Between the figures, each time the temperature increases by 1 degree, the operating current amount of the ring oscillator 322 increases by 0.15 percent.

전술한 바와 같이 링 오실레이터(322)의 동작 전류량이 온도의 증가에 따라 비선형적으로 증가할 뿐만 아니라 온도가 증가하면 할수록 더 많이 증가하는 특성을 갖는 것을 알 수 있으며, 그에 따라 링 오실레이터(322)의 발진 지연량도 온도의 변동에 따라 비선형적으로 증가하게 되고, 그 비선형적인 증가 방향까지도 온도가 증가하면 할수록 더 많이 증가하는 특성을 갖게 된다.As described above, it can be seen that the amount of operating current of the ring oscillator 322 not only increases nonlinearly with increasing temperature, but also increases as the temperature increases. The oscillation delay amount also increases non-linearly with temperature fluctuations, and the non-linear increase direction increases as the temperature increases.

즉, 온도의 증가에 따라 비선형적으로 증가하되, 온도가 증가하면 할수록 더 조금씩 증가하는 특성을 갖는 클록 지연부(300)의 비선형적인 지연량 증가 특성을 보상할 수 있는 방향으로 링 오실레이터(322)의 발진 지연량이 결정되는 것을 알 수 있다.
That is, the ring oscillator 322 increases in a nonlinear manner as the temperature increases, but compensates for the non-linear delay increase characteristic of the clock delay unit 300 having a characteristic of increasing slightly as the temperature increases. It can be seen that the oscillation delay amount of is determined.

도 7을 참조하여 도 3에 개시된 본 발명의 제1 실시예에 따른 온도측정회로의 동작을 정리하면 다음과 같다.Referring to FIG. 7, the operation of the temperature measuring circuit according to the first embodiment of the present invention disclosed in FIG. 3 is summarized as follows.

먼저, 클록 지연부(300, TDDL)의 지연량은 온도의 증가에 따라 비선형적으로 증가하되, 온도가 상대적으로 낮은 구간에서는 상대적으로 높은 비율로 증가하고, 온도가 상대적으로 높은 구간에서는 상대적으로 낮은 비율로 증가한다.First, the delay of the clock delay unit 300 (TDDL) increases nonlinearly with increasing temperature, but increases at a relatively high rate in a section where the temperature is relatively low, and relatively low in a section where the temperature is relatively high. Increases in proportion.

그리고, 클록 발진부(320, ILO)의 발진 지연량은 온도의 증가에 따라 비선형적으로 증가하되, 온도가 상대적으로 낮은 구간에서는 상대적으로 낮은 비율로 증가하고, 온도가 상대적으로 높은 구간에서는 상대적으로 높은 비율로 증가한다.In addition, the oscillation delay amount of the clock oscillator 320 (ILO) increases nonlinearly with increasing temperature, but increases at a relatively low rate in a section where the temperature is relatively low, and relatively high in a section where the temperature is relatively high. Increases in proportion.

따라서, 인젝션 락킹(injection locking) 동작을 통해 클록 지연부(300)의 지연량과 클록 발진부(320)의 지연량이 결합될 때(TDDL + ILO), 최종으로 출력되는 클록(OSCLK)에 가해지는 지연량은 온도의 변동에 따라 선형적인 특성을 갖는 상태가 된다.Therefore, when the delay amount of the clock delay unit 300 and the delay amount of the clock oscillator 320 are combined (TDDL + ILO) through an injection locking operation, a delay applied to the finally outputted clock OSCLK. The amount becomes a state having a linear characteristic according to the change of temperature.

그리고, 온도 검출부(340)는, 소스 클록(REF_CLK)과 발진 클록(OSCLK)의 위상 차이에 따라 온도의 변동을 검출한다.The temperature detector 340 detects a change in temperature in accordance with the phase difference between the source clock REF_CLK and the oscillation clock OSCLK.

즉, 소스 클록(REF_CLK)은 온도의 변동과 상관없이 항상 일정한 위상을 갖는 클록이고, 발진 클록(OSCLK)은 온도의 변동에 대해 선형적인 특성을 갖는 클록이므로, 두 클록의 위상 차이에 따라 온도의 변동이 얼마만큼 발생하였는지를 쉽게 알 수 있다.That is, the source clock REF_CLK is a clock that has a constant phase at all times regardless of temperature fluctuations, and the oscillation clock OSCLK is a clock having a linear characteristic with respect to temperature fluctuations. It is easy to see how much variation has occurred.

예컨대, 온도 검출부(340)에서는 소스 클록(REF_CLK)의 위상에 비해 발진 클록(OSCLK)의 위상이 상대적으로 조금 지연된 경우라면 온도가 상대적으로 조금 증가한 것이고, 소스 클록(REF_CLK)의 위상에 비해 발진 클록(OSCLK)의 위상이 상대적으로 많이 지연된 경우라면 온도가 상대적으로 많이 증가한 것이라고 판단할 수 있다.For example, if the phase of the oscillation clock OSCLK is slightly delayed in comparison with the phase of the source clock REF_CLK, the temperature detector 340 may increase the temperature relatively little, and compare the phase of the oscillation clock with the phase of the source clock REF_CLK. If the phase of (OSCLK) is relatively delayed, it can be determined that the temperature has increased relatively.

또한, 온도 검출부(340)에서, 소스 클록(REF_CLK)과 발진 클록(OSCLK)의 위상 차이가 발생한 방향까지 알 수 있다면, 온도의 증가/감소까지도 판단할 수 있다.
In addition, if the temperature detector 340 knows the direction in which the phase difference between the source clock REF_CLK and the oscillation clock OSCLK occurs, the temperature increase / decrease may be determined.

<제2 실시예>Second Embodiment

도 4은 본 발명의 제2 실시예에 따른 온도측정회로를 설명하기 위해 도시한 도면이다.4 is a view for explaining a temperature measuring circuit according to a second embodiment of the present invention.

도 4을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 온도측정회로는, 제1 클록 지연부(460)와, 제2 클록 지연부(400), 클록 발진부(420), 및 온도 검출부(440)를 구비한다. 여기서, 클록 발진부(420)는, 링 오실레이터(422), 및 보상 조절부(424)를 구비한다. 또한, 제1 클록 지연부(460)는, 지연라인(462), 및 지연 고정 동작부(464)를 구비한다.Referring to FIG. 4, the temperature measuring circuit according to the second embodiment of the present invention includes a first clock delay unit 460, a second clock delay unit 400, a clock oscillator 420, and a temperature detector 440. ). Here, the clock oscillator 420 includes a ring oscillator 422 and a compensation adjuster 424. In addition, the first clock delay unit 460 includes a delay line 462 and a delay lock operation unit 464.

구체적으로, 제1 클록 지연부(460)는, 소스 클록(REF_CLK)을 입력받아 온도의 변동과 상관없이 항상 일정한 지연량으로 변동시켜 제1 지연 클록(DLL_CLK)으로서 출력한다. 즉, 제1 클록 지연부(460)는, 소스 클록(REF_CLK)과 제1 지연 클록(DLL_CLK)이 온도의 변동과 상관없이 항상 일정한 지연량을 갖도록 동작한다.In detail, the first clock delay unit 460 receives the source clock REF_CLK and always changes it with a constant delay regardless of the temperature change, and outputs it as the first delay clock DLL_CLK. That is, the first clock delay unit 460 operates so that the source clock REF_CLK and the first delay clock DLL_CLK always have a constant delay amount regardless of temperature fluctuations.

또한, 제1 클록 지연부(460)의 구성요소 중 지연라인(462)은, 온도의 변동 및 지연 조절 신호(DLY_CON)에 응답하여 그 지연량이 조절되며, 소스 클록(REF_CLK)을 지연시켜 제1 지연 클록(DLL_CLK)으로서 출력한다.In addition, the delay line 462 of the components of the first clock delay unit 460 adjusts the delay amount in response to the change in temperature and the delay control signal DLY_CON, and delays the source clock REF_CLK to delay the first clock. Output as a delay clock DLL_CLK.

또한, 제1 클록 지연부(460)의 구성요소 중 지연 고정 동작부(464)는, 지연 고정 동작을 위해 소스 클록(REF_CLK)과 제1 지연 클록(DLL_CLK)의 위상을 비교하고, 비교결과에 따라 지연 조절 신호(DLY_CON)의 값을 조절한다.Also, among the components of the first clock delay unit 460, the delay lock operation unit 464 compares the phases of the source clock REF_CLK and the first delay clock DLL_CLK for the delay lock operation. Accordingly, the value of the delay control signal DLY_CON is adjusted.

이때, 지연라인(462)의 지연량은 온도의 변동에 따라 조절되기도 하고, 동시에 지연 조절 신호(DLY_CON)에 따라 조절되기도 한다. 예컨대, 온도의 증가에 따라 지연라인(462)의 지연량이 처음 설정량보다 증가하거나 감소할 경우, 이를 지연 고정 동작부(464)에서 검출하고, 검출결과 지연 조절 신호(DLY_CON)의 값이 달라지면서 지연라인(462)의 지연량을 처음 설정량으로 되돌리게 된다. 따라서, 소스 클록(REF_CLK)과 제1 지연 클록(DLL_CLK)은 항상 일정한 위상 차이를 유지할 수 있게 되고, 이는 지연라인(462)의 지연량이 항상 일정한 상태를 유지한다는 것을 의미한다.In this case, the delay amount of the delay line 462 may be adjusted according to the change in temperature, and at the same time, it may be adjusted according to the delay control signal DLY_CON. For example, when the delay amount of the delay line 462 increases or decreases as the initial set amount according to the increase in temperature, the delay lock operation unit 464 detects the delay amount and the value of the delay control signal DLY_CON is changed. The delay amount of the delay line 462 is returned to the initial set amount. Therefore, the source clock REF_CLK and the first delay clock DLL_CLK can always maintain a constant phase difference, which means that the delay amount of the delay line 462 is always kept constant.

그리고, 제2 클록 지연부(400)는, 소스 클록(REF_CLK)을 입력받아 온도의 변동에 따라 비선형적인 지연량으로 변동시켜 제2 지연 클록(DLY_CLK)으로서 출력한다. 즉, 제2 클록 지연부(400)은 소스 클록(REF_CLK)을 입력받아 미리 설정된 지연량만큼 지연시켜 제2 지연 클록(DLY_CLK)으로서 출력한다. 그런데, 온도의 변동이 발생함에 따라 설정된 지연량이 비선형적인 특성을 갖는 상태로 변동한다.The second clock delay unit 400 receives the source clock REF_CLK, changes the non-linear delay amount according to the change in temperature, and outputs the second clock delay as the second delay clock DLY_CLK. That is, the second clock delay unit 400 receives the source clock REF_CLK and delays it by a predetermined delay amount and outputs it as the second delay clock DLY_CLK. However, as the temperature fluctuations occur, the set delay amount fluctuates in a state having nonlinear characteristics.

이때, 온도의 변동에 따라 제2 클록 지연부(400)의 지연량이 비선형적인 특성을 갖는다는 것은, 온도가 상대적으로 낮은 구간에서 변동할 때 그에 대응하여 제2 클록 지연부(400)의 지연량이 변동하는 폭과 온도가 상대적으로 높은 구간에서 변동할 때 그에 대응하여 제2 클록 지연부(400)의 지연량이 변동하는 폭이 서로 다르다는 것을 의미한다. 예컨대, 온도가 상대적으로 낮은 구간에 속하는 0도 내지 20도 구간에서는 온도가 1도 변동할 때마다 제2 클록 지연부(400)의 지연량이 0.2퍼센트씩 변동하지만, 온도가 상대적으로 높은 구간에 속하는 21도 내지 40도 구간에서는 온도가 1도 변동할 때마다 제2 클록 지연부(400)의 지연량이 0.15퍼센트씩 변동하는 경우를 의미한다.In this case, the delay amount of the second clock delay unit 400 having a non-linear characteristic according to the change in temperature means that the delay amount of the second clock delay unit 400 corresponding to the change in the temperature range is relatively low. When the fluctuating width and the temperature fluctuate in a relatively high period, it means that the width in which the delay amount of the second clock delay unit 400 fluctuates correspondingly is different. For example, in the 0 degrees to 20 degrees section where the temperature is relatively low, the delay amount of the second clock delay unit 400 fluctuates by 0.2 percent every time the temperature fluctuates by 1 degree, but it belongs to the section where the temperature is relatively high. In the period of 21 degrees to 40 degrees, it means a case in which the delay amount of the second clock delay unit 400 fluctuates by 0.15 percent every time the temperature fluctuates by 1 degree.

그리고, 클록 발진부(420)는, 제2 지연 클록(DLY_CLK)에 응답하여 그와 동일한 주파수를 갖는 발진 클록(OSCLK)을 발진시키되, 온도의 변동에 따라 제2 클록 지연부(400)의 비선형성을 보상하는 방향으로 그 발진 지연량이 변동한다. 이때, 클록 발진부(420)에서 발진 지연량이 변동한다는 것은 발진 클록(OSCLK)의 발진 주파수를 변동시킨다는 것을 의미한다.In addition, the clock oscillator 420 oscillates the oscillation clock OSCLK having the same frequency in response to the second delay clock DLY_CLK, but the non-linearity of the second clock delay unit 400 is changed in response to a change in temperature. The oscillation delay amount fluctuates in a direction to compensate for the loss. In this case, the variation in the oscillation delay amount in the clock oscillator 420 means that the oscillation frequency of the oscillation clock OSCLK is changed.

구체적으로, 클록 발진부(420)의 구성요소 중 링 오실레이터(422)는, 제1 인에이블 모드에서 제2 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수와 설정된 범위 이내의 주파수 차이를 갖는 발진 클록(OSCLK)을 발진시키고, 제2 인에이블 모드에서 제2 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수에 발진 클록(OSCLK)의 주파수를 일치시키는 방향으로 발진 지연량이 변동된다.In detail, among the components of the clock oscillator 420, the ring oscillator 422 oscillates the oscillation clock OSCLK having a frequency difference within a set range from a frequency of the second delayed clock DLY_CLK in the first enable mode. In the second enable mode, the amount of oscillation delay varies in a direction in which the frequency of the oscillation clock OSCLK matches the frequency of the second delay clock DLY_CLK.

이때, 링 오실레이터(422)가 제1 인에이블 모드와 제2 인에이블 모드에서 서로 다르게 동작하는 이유는 클록 발진부(420)에서 제2 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수를 기준으로 발진 클록(OSCLK)의 주파수를 조절하는 방식으로 인젝션 락킹(injection locking) 방식을 사용하기 때문이다.In this case, the reason why the ring oscillator 422 operates differently in the first enable mode and the second enable mode is that the clock oscillator 420 of the oscillation clock OSCLK is based on the frequency of the second delayed clock DLY_CLK. This is because injection locking is used to adjust the frequency.

여기서, 인젝션 락킹(injection locking) 방식은 예컨대 마스터(master) 발진기에서 출력되는 마스터 발진 클록을 슬레이브(slave) 발진기에 주입(injection)하는 방법으로, 슬레이브 발진기에서 출력되는 슬레이브 발진 클록이 마스터 발진기에서 출력되는 마스터 발진 클록에 동기화된다. 참고로, 도 4에서는 마스터 발진기에 대한 구성이 따로 포함되지 않았으므로 마스터 발진 클록이 제2 지연 클록(DLY_CLK)이며, 슬레이브 발진기는 클록 발진부(420)이고 슬레이브 발진 클록이 발진 클록(OSCLK)이라고 할 수 있다.Here, injection locking is a method of injecting a master oscillation clock output from a master oscillator into a slave oscillator, and a slave oscillation clock output from a slave oscillator is output from a master oscillator. Are synchronized to the master oscillation clock. For reference, in FIG. 4, since the configuration of the master oscillator is not included, the master oscillation clock is the second delay clock DLY_CLK, the slave oscillator is the clock oscillator 420, and the slave oscillation clock is the oscillation clock OSCLK. Can be.

이렇게, 인젝션 락킹 방식을 사용한 클록 발진부(420)는 전력 소모를 줄일 수 있으며 지터에 대한 동작 성능이 향상된다는 측면에서 매우 효율적인 회로이다. 하지만, 인젝션 락킹이 일어나기 위해서는 주입되는 마스터 발진 클록 즉, 제2 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수와 슬레이브 발진 클록, 즉, 발진 클록(OSCLK)의 자유 발진 주파수(free running frequency)가 설정된 주파수 범위 안에 포함되어 있어야 한다. 이때, 발진 클록(OSCLK)의 자유 발진 주파수(free running frequency)는 링 오실레이터(422)에 인에이블 동작을 제외한 어떠한 제어도 가하지 않았을 때, 발진 클록(OSCLK)의 주파수를 의미한다.As such, the clock oscillator 420 using the injection locking method can reduce power consumption and is a very efficient circuit in terms of improved operation performance for jitter. However, in order for injection locking to occur, the frequency of the injected master oscillation clock, that is, the second delayed clock DLY_CLK and the slave oscillation clock, that is, the free running frequency of the oscillation clock OSCLK, are included in the set frequency range. Should be. In this case, the free running frequency of the oscillation clock OSCLK refers to the frequency of the oscillation clock OSCLK when no control other than an enable operation is applied to the ring oscillator 422.

따라서, 링 오실레이터(422)는, 인에이블 동작을 제외한 어떠한 제어도 가하지 않았을 때를 의미하는 제1 인에이블 모드에서 제2 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수와 비교하여 발진 클록(OSCLK)의 주파수가 설정된 주파수 범위 내에 속하도록 동작한다. 참고로, 설계 당시에 제2 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수는 미리 알 수 있으므로 발진 클록(OSCLK)의 자유 발진 주파수(free running frequency)를 설정하는 것은 크게 어려운 일이 아니다. 다만, 제2 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수가 변동될 수 있는 것을 감안하여 발진 클록(OSCLK)의 자유 발진 주파수(free running frequency)도 조절할 수 있도록 추가의 제어신호를 사용하는 방식이 필요할 수 있다. 즉, 도 4에 개시된 링 오실레이터(422)에는 도시되지 않았지만, 링 오실레이터(422)에 추가적인 제어신호가 가해져서 발진 클록(OSCLK)의 자유 발진 주파수(free running frequency)도 조절하는 구성이 포함될 수도 있다.Accordingly, the ring oscillator 422 sets the frequency of the oscillation clock OSCLK in comparison with the frequency of the second delayed clock DLY_CLK in the first enable mode, which means when no control is applied except for the enable operation. Operate to fall within the frequency range. For reference, since the frequency of the second delayed clock DLY_CLK is known in advance at the time of design, it is not difficult to set a free running frequency of the oscillation clock OSCLK. However, in view of the fact that the frequency of the second delayed clock DLY_CLK may vary, a method of using an additional control signal may be needed to adjust the free running frequency of the oscillation clock OSCLK. That is, although not shown in the ring oscillator 422 disclosed in FIG. 4, an additional control signal may be applied to the ring oscillator 422 to adjust the free running frequency of the oscillation clock OSCLK. .

또한, 링 오실레이터(422)의 제2 인에이블 모드는, 전술한 제1 인에이블 모드와 구별되기 위한 인에이블 동작으로서, 인젝션 락킹 동작이 수행되는 과정에서 보상 조절부(424)의 제어에 의해 링 오실레이터(422)에서 발진되는 발진 클록(OSCLK)의 주파수가 변동되는 동작을 의미한다. 이때, 인젝션 락킹 동작은 제2 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수를 기준으로 발진 클록(OSCLK)의 주파수를 조절하게 되므로, 제2 인에이블 모드에서 링 오실레이터(422)는 제2 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수에 발진 클록(OSCLK)의 주파수를 일치시키는 방향으로 발진 클록(OSCLK)의 주파수를 조절하게 된다.In addition, the second enable mode of the ring oscillator 422 is an enable operation to be distinguished from the above-described first enable mode, and is controlled by the compensation adjusting unit 424 during the injection locking operation. Means an operation in which the frequency of the oscillation clock OSCLK oscillated in the oscillator 422 is changed. In this case, since the injection locking operation adjusts the frequency of the oscillation clock OSCLK based on the frequency of the second delay clock DLY_CLK, the ring oscillator 422 in the second enable mode performs the second delay clock DLY_CLK. The frequency of the oscillation clock OSCLK is adjusted to match the frequency of the oscillation clock OSCLK.

그리고, 도 4에 그 제어신호가 직접적으로 도시되진 않았지만, 링 오실레이터(422)의 동작을 디스에이블 시키는 제어동작도 가능하다. 즉, 제2 지연 클록(DLY_CLK)의 입력 및 보상 조절부(424)의 동작과 상관없이 발진 클록(OSCLK)을 발진시키지 않는 디스에이블 제어동작도 가능하다.Although the control signal is not directly shown in FIG. 4, a control operation for disabling the operation of the ring oscillator 422 is also possible. That is, a disable control operation without oscillating the oscillation clock OSCLK is possible regardless of the operation of the input delay compensation unit 424 and the second delayed clock DLY_CLK.

그리고, 클록 발진부(420)의 구성요소 중 보상 조절부(424)는, 제2 인에이블 모드에서 제2 지연 클록(DLY_CLK)과 보상 제어 전압(INJECT_STR) 및 온도의 변동에 대응하여 링 오실레이터(422)의 동작 전류량을 조절한다. 이때, 전술한 설명과 같이 보상 조절부(424)는, 링 오실레이터(422)의 제2 인에이블 모드에서 발진 클록(OSCLK)의 주파수를 변경시키게 되는데, 그 방법은 링 오실레이터(422)의 동작 전류량을 조절하는 방식이 될 수 있다.The compensator 424 of the clock oscillator 420 may perform the ring oscillator 422 in response to variations in the second delayed clock DLY_CLK, the compensation control voltage INJECT_STR, and the temperature in the second enable mode. Adjust the amount of operating current. At this time, as described above, the compensation adjusting unit 424 changes the frequency of the oscillation clock OSCLK in the second enable mode of the ring oscillator 422, and the method includes the amount of operating current of the ring oscillator 422. It can be a way to control.

구체적으로, 보상 조절부(424)에서 링 오실레이터(422)의 동작 전류량을 조절하는 요소들을 하나씩 분리해보면, 고정적인 요소로서 제2 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수와 보상 제어 전압(INJECT_STR)의 전압레벨이 있고, 변동적인 요소로서 온도의 변동이 있을 수 있다. 참고로, 고정적인 요소가 의미하는 바는 보상 조절부(424)를 포함하는 클록 발진부(420)의 동작이 시작된 이후 더 이상 변동될 여지가 없는 요소를 의미하고, 변동적인 요소는 고정적인 요소의 반대의미로서 클록 발진부(420)의 동작이 시작된 이후 변동될 여지가 있는 요소를 의미한다. 즉, 제2 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수와 보상 제어 전압(INJECT_STR)의 전압레벨은 동작 이전에 그 값이 설정되면 이후 클록 발진부(420)의 동작구간에서는 그 값이 변동되지 않는다. 하지만, 온도는 클록 발진부(420)의 동작구간에서 어떻게 변동할지 예측할 수 없는 상태로 변동하게 된다.Specifically, when the elements for adjusting the operating current amount of the ring oscillator 422 are separated one by one from the compensation controller 424, the frequency of the second delayed clock DLY_CLK and the voltage level of the compensation control voltage INJECT_STR are fixed elements. There may be a change in temperature as a variable factor. For reference, the fixed element means an element that can no longer be changed after the operation of the clock oscillator 420 including the compensation control unit 424 is started, and the variable element is the opposite of the fixed element. As a meaning, it means an element that may be changed after the operation of the clock oscillator 420 starts. That is, when the value of the frequency of the second delayed clock DLY_CLK and the voltage level of the compensation control voltage INJECT_STR are set before the operation, the value does not change in the operation section of the clock oscillator 420 thereafter. However, the temperature fluctuates in an unpredictable manner in how the clock oscillator 420 fluctuates in the operation section.

먼저, 보상 조절부(424)에서 제2 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수에 대응하여 링 오실레이터(422)의 동작 전류량을 조절하는 동작을 살펴보면, 예컨대 제2 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수가 링 오실레이터(422)에서 발진되는 발진 클록(OSCLK)의 주파수보다 높은 경우 링 오실레이터(422)의 동작 전류량을 감소시킴으로써 링 오실레이터(422)의 발진 지연량을 감소시키게 되고 그에 따라 발진 클록(OSCLK)의 주파수가 빨라지게 되어 제2 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수에 맞춰지게 된다. 하지만, 제2 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수가 링 오실레이터(422)에서 발진되는 발진 클록(OSCLK)의 주파수보다 낮은 경우 링 오실레이터(422)의 동작 전류량을 증가시킴으로써 링 오실레이터(422)의 발진 지연량을 증가시키게 되고 그에 따라 발진 클록(OSCLK)의 주파수가 느려지면서 제2 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수에 맞춰지게 될 것이다.First, an operation of adjusting the amount of operating current of the ring oscillator 422 corresponding to the frequency of the second delayed clock DLY_CLK by the compensation controller 424 may be described. For example, the frequency of the second delayed clock DLY_CLK is determined by the ring oscillator ( When the oscillation clock (OSCLK) oscillation is higher than the frequency of the oscillation clock (OSCLK), the oscillation delay of the ring oscillator 422 is reduced by reducing the amount of operating current of the ring oscillator 422 and thus the frequency of the oscillation clock (OSCLK) is faster. In this case, the frequency of the second delay clock DLY_CLK is adjusted. However, when the frequency of the second delay clock DLY_CLK is lower than the frequency of the oscillation clock OSCLK oscillated by the ring oscillator 422, the oscillation delay amount of the ring oscillator 422 is increased by increasing the amount of operating current of the ring oscillator 422. In this case, the frequency of the oscillation clock OSCLK will be slowed down to match the frequency of the second delayed clock DLY_CLK.

그리고, 보상 제어 전압(INJECT_STR)의 전압레벨에 따라 보상 조절부(424)의 동작 전류량 크기가 직접적으로 변동되는 것이 아니라 보상 제어 전압(INJECT_STR)의 전압레벨에 따라 보상 조절부(424)에서 링 오실레이터(422)의 동작 전류량 조절 가능 폭을 결정하게 된다. 즉, 보상 제어 전압(INJECT_STR)의 전압레벨이 변동되는 것에 응답하여 보상 조절부(424)에서 링 오실레이터(422)의 동작 전류량을 증가시킬 수 있는 최대치와 감소시킬 수 있는 최소치가 달라질 수 있다.In addition, the magnitude of the operating current of the compensation adjusting unit 424 does not directly change according to the voltage level of the compensation control voltage INJECT_STR, but the ring oscillator in the compensation adjusting unit 424 according to the voltage level of the compensation control voltage INJECT_STR. The operating current amount adjustable width of 422 is determined. That is, in response to a change in the voltage level of the compensation control voltage INJECT_STR, a maximum value that can increase and a minimum value that can decrease the amount of operating current of the ring oscillator 422 may be changed by the compensation adjusting unit 424.

예컨대, 보상 제어 전압(INJECT_STR)의 전압레벨이 높으면 높을수록 보상 조절부(424)에서 링 오실레이터(422)의 동작 전류량을 증가시킬 수 있는 최대치와 감소시킬 수 있는 최소치의 범위가 넓어질 수 있다. 물론, 보상 조절부(424)에서 링 오실레이터(422)의 동작 전류량을 증가시킬 수 있는 최대치와 감소시킬 수 있는 최소치의 범위가 넓어짐에 따라 보상 조절부(424)의 제어에 따라 링 오실레이터(422)의 동작 전류량이 상대적으로 더 많이씩 변동될 것이므로 클록 발진부(420)로 인가되는 제2 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수와 클록 발진부(420)에서 출력되는 발진 클록(OSCLK) 간의 주파수 락킹 정확도는 감소하게 될 것이다.For example, as the voltage level of the compensation control voltage INJECT_STR is higher, the range of the maximum value that can increase and the minimum value that can decrease the operating current amount of the ring oscillator 422 in the compensation control unit 424 may be widened. Of course, as the range of the maximum value that can increase and the minimum value that can decrease the operating current of the ring oscillator 422 in the compensation adjusting unit 424 is widened, the ring oscillator 422 is controlled by the control of the compensation adjusting unit 424. Since the amount of operating current of V is fluctuated relatively more, the frequency locking accuracy between the frequency of the second delayed clock DLY_CLK applied to the clock oscillator 420 and the oscillation clock OSCLK output from the clock oscillator 420 will decrease. will be.

반대로, 보상 제어 전압(INJECT_STR)의 전압레벨이 낮으면 낮을수록 보상 조절부(424)에서 링 오실레이터(422)의 동작 전류량을 증가시킬 수 있는 최대치와 감소시킬 수 있는 최소치의 범위가 좁아질 수 있다. 물론, 보상 조절부(424)에서 링 오실레이터(422)의 동작 전류량을 증가시킬 수 있는 최대치와 감소시킬 수 있는 최소치의 범위가 좁아짐에 따라 보상 조절부(424)의 제어에 따라 링 오실레이터(422)의 동작 전류량은 상대적으로 조금씩 변동될 것이므로 클록 발진부(420)로 인가되는 제2 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수와 클록 발진부(420)에서 출력되는 발진 클록(OSCLK) 간의 주파수 락킹 정확도는 증가하게 될 것이다.On the contrary, as the voltage level of the compensation control voltage INJECT_STR is lower, the range of the maximum value that can increase and the minimum value that can decrease the operation current amount of the ring oscillator 422 in the compensation control unit 424 can be narrowed. . Of course, as the range of the maximum value that can increase and the minimum value that can decrease the operating current of the ring oscillator 422 in the compensation adjusting unit 424 is narrowed, the ring oscillator 422 is controlled under the control of the compensation adjusting unit 424. Since the amount of the operating current of Rk is relatively little changed, the frequency locking accuracy between the frequency of the second delayed clock DLY_CLK applied to the clock oscillator 420 and the oscillation clock OSCLK output from the clock oscillator 420 will be increased.

그리고, 보상 조절부(424)에서 온도 변동에 대응하여 링 오실레이터(422)의 동작 전류량을 조절하는 동작을 설명하기 위해 보상 조절부(424)의 구체적인 구성을 살펴보면, 제1 NMOS 트랜지스터(N1) 및 제2 NMOS 트랜지스터(N2)를 포함한다. 즉, 보상 조절부(424)는, 링 오실레이터(422)와 동작 노드(MND) 사이에서 제2 지연 클록(DLY_CLK)에 응답하여 온/오프 제어되는 제1 NMOS 트랜지스터(N1), 및 보상 제어 전압(INJECT_STR)의 레벨에 따라 동작 노드(MND)와 접지전압(VSS)단 사이에 흐르는 전류량을 조절하는 제2 NMOS 트랜지스터(N2)를 포함하는 구성이다.In order to explain an operation of adjusting the amount of operating current of the ring oscillator 422 in response to a temperature change in the compensation controller 424, a specific configuration of the compensation controller 424 will be described. A second NMOS transistor N2 is included. That is, the compensation controller 424 may include the first NMOS transistor N1 and the compensation control voltage controlled on / off in response to the second delay clock DLY_CLK between the ring oscillator 422 and the operation node MND. The second NMOS transistor N2 adjusts the amount of current flowing between the operation node MND and the ground voltage VSS terminal according to the level of INJECT_STR.

이렇게, 보상 조절부(424)는, 내부에 NMOS 트랜지스터(N1, N2)를 포함하며, 각각의 NMOS 트랜지스터(N1, N2)가 제2 지연 클록(DLY_CLK)과 보상 제어 전압(INJECT_STR)에 의해 제어되어 링 오실레이터(422)에서 어느 정도의 크기의 전류를 싱킹(sinking)하는 지에 따라 전술한 보상 조절부(424)의 동작이 이루어지게 되는 것을 알 수 있다. 즉, 제2 지연 클록(DLY_CLK)과 보상 제어 전압(INJECT_STR)에 의해 제어에 의해 NMOS 트랜지스터(N1, N2)의 드레인과 소스 사이에 흐르는 전류량이 증가한다는 것은 링 오실레이터(422)에서 접지전압(VSS)단으로 싱킹되는 전류의 크기가 증가한다는 것을 의미하고, 이는 링 오실레이터(422)의 동작 전류량이 감소한다는 것을 의미한다. 반대로, 제2 지연 클록(DLY_CLK)과 보상 제어 전압(INJECT_STR)에 의해 제어에 의해 NMOS 트랜지스터(N1, N2)의 드레인과 소스 사이에 흐르는 전류량이 감소한다는 것은 링 오실레이터(422)에서 접지전압(VSS)단으로 싱킹되는 전류의 크기가 감소한다는 것을 의미하고, 이는 링 오실레이터(422)의 동작 전류량이 증가한다는 것을 의미한다.As such, the compensation adjusting unit 424 includes NMOS transistors N1 and N2 therein, and each of the NMOS transistors N1 and N2 is controlled by the second delayed clock DLY_CLK and the compensation control voltage INJECT_STR. Therefore, it can be seen that the operation of the compensation adjusting unit 424 described above is performed according to how much current is sinked in the ring oscillator 422. That is, the increase in the amount of current flowing between the drain and the source of the NMOS transistors N1 and N2 by the control by the second delayed clock DLY_CLK and the compensation control voltage INJECT_STR indicates that the ground voltage VSS in the ring oscillator 422 is increased. This means that the magnitude of the current sinking increases, which means that the amount of operating current of the ring oscillator 422 decreases. On the contrary, the decrease in the amount of current flowing between the drain and the source of the NMOS transistors N1 and N2 by the control by the second delayed clock DLY_CLK and the compensation control voltage INJECT_STR indicates that the ground voltage VSS in the ring oscillator 422 is reduced. This means that the amount of current sinking in step 3 decreases, which means that the amount of operating current of the ring oscillator 422 increases.

한편, 보상 조절부(424)의 구성요소인 NMOS 트랜지스터(N1, N2)는 일반적으로, 게이트로 인가되는 전압의 레벨과 상관없이 온도의 변동에 대해 저항값이 비선형적으로 변동하게 되어 드레인과 소스 사이에 흐르는 전류의 크기가 비선형적으로 변동하게 된다. 즉, 온도가 증가함에 따라 제2 지연 클록(DLY_CLK)과 보상 제어 전압(INJECT_STR)에 의한 제어와 상관없이 NMOS 트랜지스터(N1, N2)의 저항값이 비선형적으로 증가하게 되고, 그에 따라 NMOS 트랜지스터(N1, N2)의 드레인과 소스 사이에 흐르는 전류의 크기는 비선형적으로 감소하게 된다. 반대로, 온도가 감소함에 따라 제2 지연 클록(DLY_CLK)과 보상 제어 전압(INJECT_STR)에 의한 제어와 상관없이 NMOS 트랜지스터(N1, N2)의 저항값이 비선형적으로 감소하게 되고, 그에 따라 NMOS 트랜지스터(N1, N2)의 드레인과 소스 사이에 흐르는 전류의 크기는 비선형적으로 증가하게 된다.On the other hand, the NMOS transistors N1 and N2, which are components of the compensation control unit 424, generally have non-linear resistance values with respect to temperature variations regardless of the level of the voltage applied to the gate. The magnitude of the current flowing between them varies nonlinearly. That is, as the temperature increases, the resistance values of the NMOS transistors N1 and N2 increase nonlinearly regardless of the control by the second delayed clock DLY_CLK and the compensation control voltage INJECT_STR. The magnitude of the current flowing between the drain and the source of N1 and N2 decreases nonlinearly. On the contrary, as the temperature decreases, the resistance values of the NMOS transistors N1 and N2 decrease nonlinearly regardless of the control by the second delayed clock DLY_CLK and the compensation control voltage INJECT_STR. The magnitude of the current flowing between the drain and the source of N1 and N2 increases nonlinearly.

이와 같이, 보상 조절부(424)가 NMOS 트랜지스터(N1, N2)를 포함하는 구성이기 때문에, 제2 지연 클록(DLY_CLK)과 보상 제어 전압(INJECT_STR)에 의한 제어와 상관없이 온도의 변동에 따라 링 오실레이터(422)에서 싱킹되는 전류의 크기를 비선형적으로 변동시키게 되며, 그에 따라, 링 오실레이터(422)의 동작 전류량이 비선형적으로 변동하게 된다.As described above, since the compensation adjusting unit 424 includes the NMOS transistors N1 and N2, the ring according to the change in temperature regardless of the control by the second delayed clock DLY_CLK and the compensation control voltage INJECT_STR may be used. The amount of current sinking in the oscillator 422 is varied non-linearly, and thus the amount of operating current of the ring oscillator 422 is non-linearly varied.

구체적으로, 보상 조절부(424)의 전류량 변동은 상대적으로 온도가 낮은 구간에서는 상대적으로 작게 감소하고, 온도가 높은 구간에서는 상대적으로 크게 감소한다. 예컨대, 상대적으로 온도가 낮은 구간인 0도에서 20도 사이에서는 온도가 1도 증가할 때마다 보상 조절부(424)의 전류량이 0.1퍼센트씩 감소하였다면, 상대적으로 온도가 높은 구간인 21도에서 40도 사이에서는 온도가 1도 증가할 때마다 보상 조절부(424)의 전류량이 0.15퍼센트씩 감소하게 된다.Specifically, the variation in the amount of current of the compensation control unit 424 decreases relatively small in the section where the temperature is relatively low and relatively large in the section where the temperature is high. For example, if the current amount of the compensation control unit 424 decreases by 0.1 percent every time the temperature increases by 1 degree between 0 degrees and 20 degrees, which is a relatively low temperature section, the temperature is increased from 40 degrees to 21 degrees which is a relatively high temperature section. Between degrees, each time the temperature increases by 1 degree, the current amount of the compensation control unit 424 decreases by 0.15 percent.

따라서, 링 오실레이터(422)의 동작 전류량 변동은 상대적으로 온도가 낮은 구간에서는 상대적으로 작게 증가하고, 온도가 높은 구간에서는 상대적으로 크게 증가한다. 예컨대, 상대적으로 온도가 낮은 구간인 0도에서 20도 사이에서는 온도가 1도 증가할 때마다 링 오실레이터(422)의 동작 전류량이 0.1퍼센트씩 증가하였다면, 상대적으로 온도가 높은 구간인 21도에서 40도 사이에서는 온도가 1도 증가할 때마다 링 오실레이터(422)의 동작 전류량이 0.15퍼센트씩 증가하게 된다.Accordingly, the variation of the operating current amount of the ring oscillator 422 increases relatively small in the section where the temperature is relatively low, and increases relatively in the section where the temperature is high. For example, if the operating current of the ring oscillator 422 increases by 0.1 percent every time the temperature is increased by 1 degree between 0 degrees and 20 degrees, which is a relatively low temperature section, the operating temperature of the ring oscillator 422 increases by 0.1 percent. Between the figures, each time the temperature increases by 1 degree, the operating current amount of the ring oscillator 422 increases by 0.15 percent.

전술한 바와 같이 링 오실레이터(422)의 동작 전류량이 온도의 증가에 따라 비선형적으로 증가할 뿐만 아니라 온도가 증가하면 할수록 더 많이 증가하는 특성을 갖는 것을 알 수 있으며, 그에 따라 링 오실레이터(422)의 발진 지연량도 온도의 변동에 따라 비선형적으로 증가하게 되고, 그 비선형적인 증가 방향까지도 온도가 증가하면 할수록 더 많이 증가하는 특성을 갖게 된다.As described above, it can be seen that the operating current of the ring oscillator 422 not only increases nonlinearly with increasing temperature, but also increases with increasing temperature. The oscillation delay amount also increases non-linearly with temperature fluctuations, and the non-linear increase direction increases as the temperature increases.

즉, 온도의 증가에 따라 비선형적으로 증가하되, 온도가 증가하면 할수록 더 조금씩 증가하는 특성을 갖는 제2 클록 지연부(400)의 비선형적인 지연량 증가 특성을 보상할 수 있는 방향으로 링 오실레이터(422)의 발진 지연량이 결정되는 것을 알 수 있다.
That is, the ring oscillator may increase in a nonlinear manner with an increase in temperature, and may compensate for the nonlinear delay increase characteristic of the second clock delay unit 400 having a characteristic of increasing slightly as the temperature increases. It can be seen that the oscillation delay amount of 422 is determined.

도 7을 참조하여 도 4에 개시된 본 발명의 제2 실시예에 따른 온도측정회로의 동작을 정리하면 다음과 같다.The operation of the temperature measuring circuit according to the second embodiment of the present invention disclosed in FIG. 4 will be described with reference to FIG. 7 as follows.

먼저, 제2 클록 지연부(400, TDDL)의 지연량은 온도의 증가에 따라 비선형적으로 증가하되, 온도가 상대적으로 낮은 구간에서는 상대적으로 높은 비율로 증가하고, 온도가 상대적으로 높은 구간에서는 상대적으로 낮은 비율로 증가한다.First, the delay amount of the second clock delay unit 400 (TDDL) increases nonlinearly with increasing temperature, but increases at a relatively high rate in a section where the temperature is relatively low, and relatively in a section where the temperature is relatively high. Increases at a lower rate.

그리고, 클록 발진부(420, ILO)의 발진 지연량은 온도의 증가에 따라 비선형적으로 증가하되, 온도가 상대적으로 낮은 구간에서는 상대적으로 낮은 비율로 증가하고, 온도가 상대적으로 높은 구간에서는 상대적으로 높은 비율로 증가한다.In addition, the oscillation delay amount of the clock oscillator 420 (ILO) increases nonlinearly with increasing temperature, but increases at a relatively low rate in a section where the temperature is relatively low, and relatively high in a section where the temperature is relatively high. Increases in proportion.

따라서, 인젝션 락킹(injection locking) 동작을 통해 제2 클록 지연부(400)의 지연량과 클록 발진부(420)의 지연량이 결합될 때(TDDL + ILO), 최종으로 출력되는 클록(OSCLK)에 가해지는 지연량은 온도의 변동에 따라 선형적인 특성을 갖는 상태가 된다.Therefore, when the delay amount of the second clock delay unit 400 and the delay amount of the clock oscillator 420 are combined (TDDL + ILO) through an injection locking operation, it is applied to the finally outputted clock OSCLK. The amount of delay that is lost is in a state of having a linear characteristic as the temperature fluctuates.

그리고, 온도 검출부(440)는, 제1 지연 클록(DLL_CLK)과 발진 클록(OSCLK)의 위상 차이에 따라 온도의 변동을 검출한다.The temperature detector 440 detects a change in temperature according to the phase difference between the first delayed clock DLL_CLK and the oscillation clock OSCLK.

즉, 온도 검출부(440)는, 온도의 변동과 상관없이 항상 일정한 지연량으로 소스 클록(REF_CLK)을 지연시켜 생성된 제1 지연 클록(DLL_CLK)의 위상과 온도의 변동에 따라 선형적인 특성을 갖는 발진 클록(OSCLK)의 위상 차이에 따라 온도의 변동 여부 및 변동 폭을 쉽게 측정할 수 있다.That is, the temperature detector 440 may have a linear characteristic according to a change in phase and temperature of the first delayed clock DLL_CLK generated by delaying the source clock REF_CLK with a constant delay amount regardless of temperature fluctuations. Depending on the phase difference of the oscillation clock (OSCLK), it is easy to measure whether or not the temperature fluctuates.

특히, 설정된 온도에서 제2 클록 지연부(400)의 지연량과 클록 발진부(420)의 지연량을 합한 지연량을 제1 클록 지연부(460)의 지연량과 서로 같은 상태로 설정한 후, 온도 검출부(440)가 제1 지연 클록(DLL_CLK)의 설정된 에지에서 동작을 시작하고, 높은 주파수를 갖는 설정된 카운팅 주파수 - 도면에 도시되지 않음 - 을 기준으로 발진 클록(OSCLK)의 설정된 에지를 카운팅하는 아날로그-디지털 컨버팅 동작을 포함하게 될 경우, 온도 정보를 매우 빠르고 간단하게 디지털화하여 출력하는 것이 가능하다.In particular, after setting the delay amount of the delay amount of the second clock delay unit 400 and the delay amount of the clock oscillator 420 at the set temperature to the same state as the delay amount of the first clock delay unit 460, The temperature detector 440 starts operation at the set edge of the first delayed clock DLL_CLK, and counts the set edge of the oscillation clock OSCLK based on a set counting frequency having a high frequency (not shown). Including an analog-to-digital converting operation, it is possible to digitize and output temperature information very quickly and simply.

또한, 온도 검출부(440)에서, 제1 지연 클록(DLL_CLK)의 설정된 에지를 기준으로 발진 클록(OSCLK)의 설정된 에지가 어떠한 방향에 있는지까지 알 수 있다면, 온도의 증가/감소까지도 판단할 수 있다.
In addition, if the temperature detector 440 knows in which direction the set edge of the oscillation clock OSCLK is based on the set edge of the first delayed clock DLL_CLK, the temperature detector 440 may determine whether the temperature is increased or decreased. .

<제3 실시예>Third Embodiment

도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 온도측정회로를 설명하기 위해 도시한 도면이다.5 is a diagram for explaining a temperature measuring circuit according to a third embodiment of the present invention.

도 5을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 온도측정회로는, 제1 클록 지연부(560)와, 주파수 분배부(580)와, 제2 클록 지연부(500), 클록 발진부(520), 및 온도 변동 코드 생성부(540)를 구비한다. 또한, 온도 변동 미세코드 생성부(590)를 더 구비한다. 여기서, 클록 발진부(520)는, 링 오실레이터(522), 및 보상 조절부(524)를 구비한다. 또한, 제1 클록 지연부(560)는, 지연라인(562), 및 지연 고정 동작부(564)를 구비한다.Referring to FIG. 5, the temperature measuring circuit according to the third embodiment of the present invention includes a first clock delay unit 560, a frequency divider 580, a second clock delay unit 500, and a clock oscillator ( 520, and a temperature change code generator 540. In addition, the temperature fluctuation fine code generating unit 590 is further provided. Here, the clock oscillator 520 includes a ring oscillator 522 and a compensation adjuster 524. In addition, the first clock delay unit 560 includes a delay line 562 and a delay lock operation unit 564.

참고로, 제1 클록 지연부(560)와 제2 클록 지연부(500)와, 클록 발진부(520)는 전술한 본 발명의 제2 실시예에 따른 온도측정회로에서 개시된 제1 클록 지연부(460)와 제2 클록 지연부(400)와, 클록 발진부(420)와 완전히 동일한 구성요소 이다. 따라서, 이후 개시될 본 발명의 제3 실시예에 따른 온도측정회로에 대한 설명에서 제1 클록 지연부(560)와 제2 클록 지연부(500) 및 클록 발진부(520)의 상세한 동작은 전술한 제2 실시예를 참고할 수 있다.For reference, the first clock delay unit 560, the second clock delay unit 500, and the clock oscillator 520 may include the first clock delay unit disclosed in the temperature measuring circuit according to the second embodiment of the present invention. 460, the second clock delay unit 400, and the clock oscillator 420 are exactly the same components. Therefore, detailed descriptions of the first clock delay unit 560, the second clock delay unit 500, and the clock oscillator 520 in the description of the temperature measuring circuit according to the third embodiment of the present invention will be described later. Reference may be made to the second embodiment.

다만, 전술한 본 발명의 제2 실시예에 따른 온도측정회로에서는 제1 클록 지연부(460)와 제2 클록 지연부(400) 사이에 주파수 분배부(580)가 개시되어 있지 않다는 차이점이 있으며, 이에 관한 동작의 차이점에 대한 설명은 하기에서 개시될 것이다.However, in the temperature measuring circuit according to the second embodiment of the present invention, there is a difference that the frequency divider 580 is not disclosed between the first clock delay unit 460 and the second clock delay unit 400. In this regard, a description of the difference in operation will be given below.

구체적으로, 제1 클록 지연부(560)는, 소스 클록(REF_CLK)을 입력받아 온도의 변동과 상관없이 항상 일정한 지연량으로 변동시켜 제1 지연 클록(DLL_CLK)으로서 출력한다. 즉, 제1 클록 지연부(560)는, 소스 클록(REF_CLK)과 제1 지연 클록(DLL_CLK)이 온도의 변동과 상관없이 항상 일정한 지연량을 갖도록 동작한다.In detail, the first clock delay unit 560 receives the source clock REF_CLK and always changes it with a constant delay amount regardless of the temperature variation, and outputs it as the first delay clock DLL_CLK. That is, the first clock delay unit 560 operates so that the source clock REF_CLK and the first delay clock DLL_CLK always have a constant delay amount regardless of temperature fluctuations.

그리고, 주파수 분배부(580)는, 소스 클록(REF_CLK)의 주파수를 설정된 비율로 분배하여 분배 클록(DIV_CLK)으로서 출력한다. 즉, 제1 클록 지연부(460)와 제2 클록 지연부(400)로 인가되는 클록의 주파수가 서로 다르게 하기 위한 구성요소이며, 주파수 분배부(580)의 필요 이유 및 자세한 동작은 하기의 온도 변동 코드 생성부(540)의 구성 및 동작을 설명할 때 다시 다루도록 하겠다.The frequency divider 580 divides the frequency of the source clock REF_CLK at a set ratio and outputs it as the divided clock DIV_CLK. That is, the frequency of the clocks applied to the first clock delay unit 460 and the second clock delay unit 400 are different from each other. The reason and the detailed operation of the frequency divider 580 are described below. The configuration and operation of the variation code generator 540 will be described later.

그리고, 제2 클록 지연부(500)는, 분배 클록(DIV_CLK)을 입력받아 온도의 변동에 따라 비선형적인 지연량으로 변동시켜 제2 지연 클록(DLY_CLK)으로서 출력한다. 즉, 제2 클록 지연부(500)은 분배 클록(DIV_CLK)을 입력받아 미리 설정된 지연량만큼 지연시켜 제2 지연 클록(DLY_CLK)으로서 출력한다. 이때, 온도의 변동이 발생함에 따라 설정된 지연량이 비선형적인 특성을 갖는 상태로 변동한다.The second clock delay unit 500 receives the distribution clock DIV_CLK, changes the non-linear delay amount according to the temperature variation, and outputs it as the second delay clock DLY_CLK. That is, the second clock delay unit 500 receives the divided clock DIV_CLK and delays it by a predetermined delay amount and outputs it as the second delayed clock DLY_CLK. At this time, as the temperature fluctuation occurs, the set delay amount fluctuates in a state having a non-linear characteristic.

그리고, 클록 발진부(520)는, 제2 지연 클록(DLY_CLK)에 응답하여 그와 동일한 주파수를 갖는 발진 클록(OSCLK)을 발진시키되, 온도의 변동에 따라 제2 클록 지연부(500)의 비선형성을 보상하는 방향으로 그 발진 지연량이 변동한다. 이때, 클록 발진부(520)에서 발진 지연량이 변동한다는 것은 발진 클록(OSCLK)의 발진 주파수를 변동시킨다는 것을 의미한다.In addition, the clock oscillator 520 oscillates the oscillation clock OSCLK having the same frequency in response to the second delayed clock DLY_CLK, but the non-linearity of the second clock delay unit 500 according to the change in temperature. The oscillation delay amount fluctuates in a direction to compensate for the loss. At this time, the variation in the oscillation delay amount in the clock oscillator 520 means that the oscillation frequency of the oscillation clock OSCLK is changed.

구체적으로, 클록 발진부(520)의 구성요소 중 링 오실레이터(522)는, 제1 인에이블 모드에서 제2 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수와 설정된 범위 이내의 주파수 차이를 갖는 발진 클록(OSCLK)을 발진시키고, 제2 인에이블 모드에서 제2 지연 클록(DLY_CLK)의 주파수에 발진 클록(OSCLK)의 주파수를 일치시키는 방향으로 발진 지연량이 변동된다.In detail, among the components of the clock oscillator 520, the ring oscillator 522 oscillates the oscillation clock OSCLK having a frequency difference within a set range from a frequency of the second delayed clock DLY_CLK in the first enable mode. In the second enable mode, the amount of oscillation delay varies in a direction in which the frequency of the oscillation clock OSCLK matches the frequency of the second delay clock DLY_CLK.

그리고, 클록 발진부(520)의 구성요소 중 보상 조절부(524)는, 제2 인에이블 모드에서 제2 지연 클록(DLY_CLK)과 보상 제어 전압(INJECT_STR) 및 온도의 변동에 대응하여 링 오실레이터(522)의 동작 전류량을 조절한다. 이때, 전술한 설명과 같이 보상 조절부(524)는, 링 오실레이터(522)의 제2 인에이블 모드에서 발진 클록(OSCLK)의 주파수를 변경시키게 되는데, 그 방법은 링 오실레이터(522)의 동작 전류량을 조절하는 방식이 될 수 있다.The compensator 524 among the components of the clock oscillator 520 may perform a ring oscillator 522 in response to a change in the second delayed clock DLY_CLK, the compensation control voltage INJECT_STR, and the temperature in the second enable mode. Adjust the amount of operating current. At this time, as described above, the compensation adjusting unit 524 changes the frequency of the oscillation clock OSCLK in the second enable mode of the ring oscillator 522, and the method includes the amount of operating current of the ring oscillator 522. It can be a way to control.

그리고, 온도 변동 코드 생성부(540)는, 온도의 변동에 따른 발진 클록(OSCLK)의 위상 변동 폭을 제1 지연 클록(DLL_CLK)을 기준으로 카운팅하여 온도 변동 코드(TEMP_CCODE<3:7>)를 생성한다. 이때, 발진 클록(OSCLK)의 위상 변동 폭을 제1 지연 클록(DLL_CLK)을 기준으로 카운팅하는 동작이 가능한 이유는 주파수 분배부(580)에 의해 발진 클록(OSCLK)의 주파수와 제1 지연 클록(DLL_CLK)의 주파수가 서로 다르게 설정되기 때문이다.The temperature variation code generation unit 540 counts the phase variation width of the oscillation clock OSCLK according to the temperature variation based on the first delay clock DLL_CLK, and thus the temperature variation code TEMP_CCODE <3: 7>. Create At this time, the reason for counting the phase variation width of the oscillation clock OSCLK based on the first delay clock DLL_CLK is possible. The frequency divider 580 allows the frequency of the oscillation clock OSCLK and the first delay clock ( This is because the frequency of DLL_CLK) is set differently.

구체적으로, 주파수 분배부(580)는, 소스 클록(REF_CLK)의 주파수를 설정된 비율로 분배하여 분배 클록(DIV_CLK)으로서 함으로써, 분배 클록(DIV_CLK)의 주파수가 소스 클록(REF_CLK)의 주파수보다 설정된 비율 차이만큼 낮아지도록 동작한다. 또한, 제1 클록 지연부(460)는 소스 클록(REF_CLK)을 인가받아 동작하므로 제1 지연 클록(DLL_CLK)의 주파수는 소스 클록(REF_CLK)의 주파수와 동일하다. 반면, 제2 클록 지연부(400)와 클록 발진부(420)는 분배 클록(DIV_CLK)을 인가받아 동작하므로, 클록 발진부(420)에서 발진하는 발진 클록(OSCLK)의 주파수는 설정된 비율 차이만큼 소스 클록(REF_CLK)의 주파수보다 낮다.Specifically, the frequency divider 580 divides the frequency of the source clock REF_CLK by a set ratio and divides it into the divided clock DIV_CLK, whereby the frequency of the divided clock DIV_CLK is set to be higher than the frequency of the source clock REF_CLK. It works to be as low as the difference. In addition, since the first clock delay unit 460 operates by receiving the source clock REF_CLK, the frequency of the first delay clock DLL_CLK is the same as that of the source clock REF_CLK. On the other hand, since the second clock delay unit 400 and the clock oscillator 420 operate by receiving the divided clock DIV_CLK, the frequency of the oscillation clock OSCLK oscillated by the clock oscillator 420 is set by the set ratio difference. It is lower than the frequency of (REF_CLK).

이렇게, 주파수 분배부(580)를 통해 제1 지연 클록(DLL_CLK)의 주파수가 발진 클록(OSCLK)의 주파수보다 설정된 비율만큼 더 높은 상태이고, 제1 클록 지연부(560)에 의해 제1 지연 클록(DLL_CLK)은 온도의 변동에 대해 아무런 영향도 받지 않는 반면, 제2 클록 지연부(500) 및 클록 발진부(520)에 의해 발진 클록(OSCLK)은 온도의 변동에 대해 선형적인 위상 변동을 갖는 상태이므로, 온도 변동 코드 생성부(540)는, 내부에 별도의 아날로그-디지털 컨버터를 포함하지 않고도, 발진 클록(OSCLK)의 디지털 값을 제1 지연 클록(DLL_CLK)의 카운팅하여 연산하고, 그 결과에 따라 온도 변동 코드(TEMP_CCODE<3:7>)를 생성하는 것이 가능하다.As such, the frequency of the first delayed clock DLL_CLK is higher than the frequency of the oscillation clock OSCLK by the frequency divider 580 and is set by the first clock delayed unit 560. (DLL_CLK) is not affected by the temperature fluctuation, while the oscillation clock OSCLK by the second clock delay unit 500 and the clock oscillator 520 has a linear phase change with respect to the temperature fluctuation. Therefore, the temperature change code generator 540 calculates the digital value of the oscillation clock OSCLK by counting the first delayed clock DLL_CLK without including a separate analog-to-digital converter therein, and calculates the result. It is thus possible to generate a temperature variation code TEMP_CCODE <3: 7>.

그리고, 제1 클록 지연부(560)의 구성요소 중 지연라인(462)의 구성을 좀 더 구체적으로 살펴보면, 체인 형태로 접속되고 온도의 변동 및 지연 조절 신호(DLY_CON)에 응답하여 그 지연량이 각각 조절되는 다수의 인버터(INV[0:3])를 포함하는 것을 알 수 있다. 이때, 지연라인(462)은 소스 클록(REF_CLK)이 인가받아 제1 지연 클록(DLL_CLK)으로서 출력하므로, 지연라인(462)에 포함된 다수의 인버터(INV[0:3]) 각각에서 출력되는 클록의 위상은 소스 클록(REF_CLK)의 위상과 제1 지연 클록(DLL_CLK)의 위상 사이의 어느 한 위상을 가질 것이다.In more detail, the configuration of the delay line 462 among the components of the first clock delay unit 560 is connected in a chain form, and the delay amount in response to the change in temperature and the delay control signal DLY_CON, respectively. It can be seen that it includes a plurality of inverters INV [0: 3] that are regulated. At this time, the delay line 462 is output from each of the plurality of inverters INV [0: 3] included in the delay line 462 since the source clock REF_CLK is applied and output as the first delay clock DLL_CLK. The phase of the clock may have either phase between the phase of the source clock REF_CLK and the phase of the first delayed clock DLL_CLK.

따라서, 다수의 인버터(INV[0:3]) 각각에서 출력되는 다수의 클록 각각의 위상을 기준으로 발진 클록(OSCLK)의 위상을 검출할 경우, 온도 변동 코드 생성부(540)에서 출력되는 온도 변동 코드(TEMP_CCODE<3:7>)에 의해 카운팅되지 못한 제1 지연 클록(DLL_CLK)의 1주기보다 작은 단위의 코드 값, 즉, 온도 변동 미세코드(TEMP_FCOND<0:2>)의 값을 검출하는 것이 가능하다.Therefore, when the phase of the oscillation clock OSCLK is detected based on the phase of each of the plurality of clocks output from each of the plurality of inverters INV [0: 3], the temperature output from the temperature variation code generator 540. Detects code values in units smaller than one period of the first delayed clock DLL_CLK that are not counted by the change code TEMP_CCODE <3: 7>, that is, the value of the temperature change fine code TEMP_FCOND <0: 2>. It is possible to do

이와 같이, 다수의 인버터(INV[0:3]) 각각에서 출력되는 다수의 클록과 발진 클록(OSCLK)의 위상을 비교하여 온도 변동 미세코드(TEMP_FCOND<0:2>)의 값을 결정하기 위한 구성요소가 바로 온도 변동 미세코드 생성부(590)이다.
As such, the phases of the oscillation clock OSCLK and the clocks output from each of the plurality of inverters INV [0: 3] are compared to determine the value of the temperature fluctuation fine code TEMP_FCOND <0: 2>. The component is the temperature fluctuation fine code generator 590.

도 6 및 도 7을 참조하여 도 5에 개시된 본 발명의 제3 실시예에 따른 온도측정회로의 동작을 정리하면 다음과 같다.The operation of the temperature measuring circuit according to the third embodiment of the present invention disclosed in FIG. 5 with reference to FIGS. 6 and 7 is as follows.

먼저, 도 7을 참조하면, 제2 클록 지연부(500, TDDL)의 지연량은 온도의 증가에 따라 비선형적으로 증가하되, 온도가 상대적으로 낮은 구간에서는 상대적으로 높은 비율로 증가하고, 온도가 상대적으로 높은 구간에서는 상대적으로 낮은 비율로 증가한다.First, referring to FIG. 7, the delay amount of the second clock delay unit 500 (TDDL) increases nonlinearly with increasing temperature, but increases at a relatively high rate in a section where the temperature is relatively low. In relatively high intervals it increases at a relatively low rate.

그리고, 클록 발진부(520, ILO)의 발진 지연량은 온도의 증가에 따라 비선형적으로 증가하되, 온도가 상대적으로 낮은 구간에서는 상대적으로 낮은 비율로 증가하고, 온도가 상대적으로 높은 구간에서는 상대적으로 높은 비율로 증가한다.In addition, the oscillation delay of the clock oscillator 520 (ILO) increases nonlinearly with increasing temperature, but increases at a relatively low rate in a section where the temperature is relatively low, and relatively high in a section where the temperature is relatively high. Increases in proportion.

따라서, 인젝션 락킹(injection locking) 동작을 통해 제2 클록 지연부(500)의 지연량과 클록 발진부(520)의 지연량이 결합될 때(TDDL + ILO), 최종으로 출력되는 클록(OSCLK)에 가해지는 지연량은 온도의 변동에 따라 선형적인 특성을 갖는 상태가 된다. 즉, 발진 클록(OSCLK)은 분배 클록(DIV_CLK)에 비해 온도의 변동에 따라 선형적으로 그 위상이 달라질 것이다.Therefore, when the delay amount of the second clock delay unit 500 and the delay amount of the clock oscillator 520 are combined (TDDL + ILO) through an injection locking operation, it is applied to the finally outputted clock OSCLK. The amount of delay that is lost is in a state of having a linear characteristic as the temperature fluctuates. That is, the phase of the oscillation clock OSCLK may be linearly changed in accordance with temperature variation compared to the distribution clock DIV_CLK.

이어서, 도 6을 참조하면, 제1 지연 클록(DLL_CLK)의 주파수는 분배 클록(DIV_CLK) 및 발진 클록(OSCLK)에 비해 매우 높은 상태이므로, 제1 지연 클록(DLL_CLK)의 카운팅 값을 기준으로 발진 클록(OSCLK)의 위상 변동을 측정하는 과정을 통해 온도를 측정하는 것을 알 수 있다.Subsequently, referring to FIG. 6, since the frequency of the first delayed clock DLL_CLK is very high compared to the distribution clock DIV_CLK and the oscillation clock OSCLK, the oscillation is based on the counting value of the first delayed clock DLL_CLK. It can be seen that the temperature is measured by measuring the phase shift of the clock OSCLK.

구체적으로 예를 들어 설명하면, 제1 지연 클록(DLL_CLK)은 1Ghz이고, 분배 클록(DIV_CLK) 및 발진 클록(OSCLK)은 31.25Mhz이다. 즉, 제1 지연 클록(DLL_CLK)의 주파수는 분배 클록(DIV_CLK) 및 발진 클록(OSCLK)의 주파수에 비해 32배 높은 주파수를 갖는다.Specifically, for example, the first delay clock DLL_CLK is 1 Ghz, and the distribution clock DIV_CLK and the oscillation clock OSCLK are 31.25 Mhz. That is, the frequency of the first delayed clock DLL_CLK has a frequency 32 times higher than that of the distribution clock DIV_CLK and the oscillation clock OSCLK.

또한, 제1 지연 클록(DLL_CLK)은 지연 고정 동작을 수행하는 제1 클록 지연부(560)에 의해 소스 클록(REF_CLK)과 위상이 동기화되고, 분배 클록(DIV_CLK)은 소스 클록(REF_CLK)을 주파수 분배한 클록일 뿐이므로, 제1 지연 클록(DLL_CLK)과 분배 클록(DIV_CLK)의 위상은 동기화된 상태가 된다.In addition, the first delay clock DLL_CLK is in phase with the source clock REF_CLK by a first clock delay unit 560 performing a delay lock operation, and the distribution clock DIV_CLK sets the frequency of the source clock REF_CLK. Since it is only a divided clock, the phases of the first delayed clock DLL_CLK and the distributed clock DIV_CLK are in a synchronized state.

이렇게, 제1 지연 클록(DLL_CLK)과 분배 클록(DIV_CLK)의 위상이 동기화된 시점부터 제1 지연 클록(DLL_CLK)의 토글링 횟수를 카운팅하기 시작하여 발진 클록(OSCLK)의 에지에 대응하는 시점까지 카운팅 된 값이 첫 번째 온도(TEMP1)에서는 10이 되는 것을 알 수 있다.As such, when the phases of the first delayed clock DLL_CLK and the distribution clock DIV_CLK are synchronized, the counting count of the first delayed clock DLL_CLK starts counting to correspond to the edge of the oscillation clock OSCLK. Notice that the counted value is 10 at the first temperature (TEMP1).

하지만, 제1 지연 클록(DLL_CLK)과 분배 클록(DIV_CLK)의 위상이 동기화된 시점부터 제1 지연 클록(DLL_CLK)의 토글링 횟수를 카운팅하기 시작하여 발진 클록(OSCLK)의 에지에 대응하는 시점까지 카운팅 된 값이 첫 번째 온도(TEMP1)에서는 22가 되는 것을 알 수 있다.However, from the time when the phases of the first delayed clock DLL_CLK and the distribution clock DIV_CLK are synchronized, the counting count of the first delayed clock DLL_CLK starts counting to correspond to the edge of the oscillation clock OSCLK. Notice that the counted value is 22 at the first temperature (TEMP1).

즉, 온도가 첫 번째 온도(TEMP1)인지 아니면 두 번째 온도(TEMP2)인지에 따라 발진 클록(OSCLK)의 위상은 큰 차이를 갖게 되며, 이를 제1 지연 클록(DLL_CLK)을 기준으로 카운팅하는 동작만으로도 별도의 연산 없이 디지털 값인 온도 변동 코드(TEMP_CCODE<3:7>)를 생성하는 것이 가능하다.That is, the phase of the oscillation clock (OSCLK) has a large difference depending on whether the temperature is the first temperature (TEMP1) or the second temperature (TEMP2), even by counting this based on the first delay clock (DLL_CLK). It is possible to generate the temperature variation code (TEMP_CCODE <3: 7>), which is a digital value, without any calculation.

또한, 온도 변동 미세코드 생성부(590)를 통해 제1 지연 클록(DLL_CLK)의 1주기(1tck)를 분할하여 발진 클록(OSCLK)의 위상과 비교한 뒤, 온도 변동 미세코드(TEMP_FCOND<0:2>)를 생성하는 것이 가능하므로, 온도 변동에 따른 디지털 값을 매우 정밀하게 측정하는 것이 가능하다.
In addition, the temperature fluctuation fine code generation unit 590 divides one cycle (1 tck) of the first delayed clock DLL_CLK and compares it with the phase of the oscillation clock OSCLK, and then the temperature fluctuation fine code TEMP_FCOND <0: 2>), it is possible to measure the digital value with temperature fluctuation very precisely.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명의 실시예를 적용하면, 온도의 변동에 대해 서로 반대로 비선형적인 특성을 갖는 두 개의 시간-지연 방식을 결합시켜 온도의 변동에 대해 선형적인 특성이 적용될 수 있는 시간-지연 방식을 사용하여 온도 측정을 함으로써, 온도 측정의 정확도를 크게 향상시킬 수 있다.As described above, when the embodiment of the present invention is applied, a time-delay in which a linear characteristic can be applied to a change in temperature by combining two time-delay schemes having non-linear characteristics opposite to the change in temperature is mutually different. By measuring the temperature using the method, the accuracy of the temperature measurement can be greatly improved.

또한, 온도의 변동에 대해 서로 반대되는 특성을 갖는 두 개의 시간-지연 방식을 구현함에 있어서, 추가되는 회로의 크기를 최소화할 수 있다.
In addition, in implementing two time-delay schemes having opposite characteristics with respect to the change in temperature, the size of the added circuit can be minimized.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes are possible in the art without departing from the technical spirit of the present invention. It will be apparent to those of ordinary skill.

예컨대, 전술한 실시예에서 예시한 논리 게이트 및 트랜지스터는 입력되는 신호의 극성에 따라 그 위치 및 종류가 다르게 구현되어야 할 것이다.
For example, the logic gate and the transistor illustrated in the above-described embodiment should be implemented in different positions and types depending on the polarity of the input signal.

300 : 클록 지연부 320, 420, 520 : 클록 발진부
340, 440 : 온도 검출부 322 : 링 오실레이터
324 : 보상 조절부 460 : 제1 클록 지연부
400 : 제2 클록 지연부 462, 562 : 지연라인
464, 564 : 지연고정 동작부 580 : 주파수 분배부
540 : 온도 변동 코드 생성부 590 : 온도 변동 미세코드 생성부
300: clock delay unit 320, 420, 520: clock oscillation unit
340, 440: temperature detector 322: ring oscillator
324: compensation controller 460: first clock delay unit
400: second clock delay unit 462, 562: delay line
464, 564: delay lock operation unit 580: frequency divider
540: temperature variation code generation unit 590: temperature variation fine code generation unit

Claims (20)

소스 클록을 입력받아 온도의 변동에 따라 비선형적인 지연량으로 변동시켜 지연 클록으로서 출력하는 클록 지연부;
상기 지연 클록에 응답하여 그와 동일한 주파수를 갖는 발진 클록을 발진시키되, 온도의 변동에 따라 상기 클록 지연부의 비선형성을 보상하는 방향으로 그 발진 지연량이 변동하는 클록 발진부; 및
상기 소스 클록과 상기 발진 클록의 위상 차이에 따라 온도의 변동을 검출하는 온도 검출부를 구비하며,
상기 클록 발진부는, 제1 인에이블 모드에서 상기 지연 클록의 주파수와 설정된 범위 이내의 주파수 차이를 갖는 상기 발진 클록을 발진시키고, 제2 인에이블 모드에서 상기 지연 클록의 주파수에 상기 발진 클록의 주파수를 일치시키는 방향으로 발진 지연량이 변동되는 링 오실레이터, 및 상기 제2 인에이블 모드에서 상기 지연 클록과 보상 제어 전압 및 온도의 변동에 대응하여 상기 링 오실레이터의 동작 전류량을 조절하는 보상 조절부를 구비하는 집적회로.
A clock delay unit which receives the source clock and changes the non-linear delay amount according to the temperature change and outputs the delayed clock as a delay clock;
A clock oscillation unit oscillating an oscillation clock having the same frequency in response to the delay clock, the oscillation delay of which fluctuates in a direction for compensating for nonlinearity of the clock delay unit according to a change in temperature; And
A temperature detector configured to detect a change in temperature according to a phase difference between the source clock and the oscillation clock,
The clock oscillator oscillates the oscillation clock having a frequency difference within a set range from a frequency of the delay clock in a first enable mode, and sets the frequency of the oscillation clock to the frequency of the delay clock in a second enable mode. A ring oscillator having an oscillation delay varying in a matching direction, and an integrated circuit including a compensation adjusting unit configured to adjust an operating current amount of the ring oscillator in response to variations in the delay clock, compensation control voltage, and temperature in the second enable mode. .
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 보상 조절부는,
온도의 변동에 따라 상기 클록 지연부의 비선형성을 보상하는 방향으로 상기 링 오실레이터의 동작 전류량을 감소시키거나 증가시킴으로써, 상기 링 오실레이터의 발진 지연량을 조절하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
The method of claim 1,
The compensation control unit,
And controlling the oscillation delay amount of the ring oscillator by decreasing or increasing the operation current amount of the ring oscillator in a direction to compensate for the nonlinearity of the clock delay unit in response to a change in temperature.
제3항에 있어서,
상기 보상 조절부는,
상기 보상 제어 전압의 레벨에 응답하여 상기 링 오실레이터의 동작 전류량 조절 가능 폭이 결정되는 것을 특징으로 하는 집적회로.
The method of claim 3,
The compensation control unit,
And an adjustable width of an operating current amount of the ring oscillator is determined in response to the level of the compensation control voltage.
제4항에 있어서,
상기 보상 조절부는,
상기 링 오실레이터와 동작 노드 사이에서 상기 지연 클록에 응답하여 온/오프 제어되는 제1 NMOS 트랜지스터; 및
상기 보상 제어 전압의 레벨에 따라 상기 동작 노드와 접지전압단 사이에 흐르는 전류량을 조절하는 제2 NMOS 트랜지스터를 구비하는 집적회로.
The method of claim 4, wherein
The compensation control unit,
A first NMOS transistor controlled on / off in response to the delay clock between the ring oscillator and an operating node; And
And a second NMOS transistor configured to adjust an amount of current flowing between the operation node and a ground voltage terminal according to the level of the compensation control voltage.
소스 클록을 입력받아 온도의 변동과 상관없이 항상 일정한 지연량으로 변동시켜 제1 지연 클록으로서 출력하는 제1 클록 지연부;
상기 소스 클록을 입력받아 온도의 변동에 따라 비선형적인 지연량으로 변동시켜 제2 지연 클록으로서 출력하는 제2 클록 지연부;
상기 제2 지연 클록에 응답하여 그와 동일한 주파수를 갖는 발진 클록을 발진시키되, 온도의 변동에 따라 상기 제2 클록 지연부의 비선형성을 보상하는 방향으로 그 발진 지연량이 변동하는 클록 발진부; 및
상기 제1 지연 클록과 상기 발진 클록의 위상 차이에 따라 온도 변동을 검출하는 온도 검출부를 구비하며,
상기 클록 발진부는, 제1 인에이블 모드에서 상기 제2 지연 클록의 주파수와 설정된 범위 이내의 주파수 차이를 갖는 상기 발진 클록을 발진시키고, 제2 인에이블 모드에서 상기 제2 지연 클록의 주파수에 상기 발진 클록의 주파수를 일치시키는 방향으로 발진 지연량이 변동되는 링 오실레이터, 및 상기 제2 인에이블 모드에서 상기 제2 지연 클록과 보상 제어 전압 및 온도의 변동에 대응하여 상기 링 오실레이터의 동작 전류량을 조절하는 보상 조절부를 구비하는 집적회로.
A first clock delay unit which receives the source clock and always changes the constant delay amount as a first delay clock regardless of a change in temperature;
A second clock delay unit which receives the source clock and changes it as a non-linear delay amount according to a change in temperature and outputs it as a second delay clock;
A clock oscillation unit oscillating an oscillation clock having the same frequency in response to the second delay clock, the oscillation delay of which fluctuates in a direction compensating for nonlinearity of the second clock delay unit in response to a change in temperature; And
A temperature detector configured to detect a temperature change according to a phase difference between the first delayed clock and the oscillation clock,
The clock oscillator oscillates the oscillation clock having a frequency difference within a set range from a frequency of the second delay clock in a first enable mode, and oscillates at a frequency of the second delay clock in a second enable mode. A ring oscillator whose oscillation delay is varied in a direction of matching a clock frequency, and a compensation for adjusting an operating current amount of the ring oscillator in response to a change in the compensation voltage and temperature with the second delay clock in the second enable mode. Integrated circuit having a control unit.
제6항에 있어서,
상기 제1 클록 지연부는,
온도의 변동 및 지연 조절 신호에 응답하여 그 지연량이 조절되며, 상기 소스 클록을 지연시켜 상기 제1 지연 클록으로서 출력하는 지연라인; 및
지연 고정 동작을 위해 상기 소스 클록과 상기 제1 지연 클록의 위상을 비교하고, 비교결과에 따라 상기 지연 조절 신호의 값을 조절하는 지연 고정 동작부를 구비하는 집적회로.
The method of claim 6,
The first clock delay unit,
A delay line adjusted in response to a change in temperature and a delay control signal, the delay line delaying the source clock and outputting the first delay clock; And
And a delay lock operation unit configured to compare a phase of the source clock and the first delay clock for a delay lock operation and to adjust a value of the delay control signal according to a comparison result.
삭제delete 제6항에 있어서,
상기 보상 조절부는,
온도의 변동에 따라 상기 제2 클록 지연부의 비선형성을 보상하는 방향으로 상기 링 오실레이터의 동작 전류량을 감소시키거나 증가시킴으로써, 상기 링 오실레이터의 발진 지연량을 조절하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
The method of claim 6,
The compensation control unit,
And controlling the oscillation delay amount of the ring oscillator by decreasing or increasing the amount of operating current of the ring oscillator in a direction to compensate for nonlinearity of the second clock delay portion in response to a change in temperature.
제9항에 있어서,
상기 보상 조절부는,
상기 보상 제어 전압의 레벨에 응답하여 상기 링 오실레이터의 동작 전류량 조절 가능 폭이 결정되는 것을 특징으로 하는 집적회로.
The method of claim 9,
The compensation control unit,
And an adjustable width of an operating current amount of the ring oscillator is determined in response to the level of the compensation control voltage.
제10항에 있어서,
상기 보상 조절부는,
상기 링 오실레이터와 동작 노드 사이에서 상기 제2 지연 클록에 응답하여 온/오프 제어되는 제1 NMOS 트랜지스터; 및
상기 보상 제어 전압의 레벨에 따라 상기 동작 노드와 접지전압단 사이에 흐르는 전류량을 조절하는 제2 NMOS 트랜지스터를 구비하는 집적회로.
The method of claim 10,
The compensation control unit,
A first NMOS transistor controlled on / off in response to the second delay clock between the ring oscillator and an operating node; And
And a second NMOS transistor configured to adjust an amount of current flowing between the operation node and a ground voltage terminal according to the level of the compensation control voltage.
제6항에 있어서,
설정된 온도에서 상기 제2 클록 지연부의 지연량과 클록 발진부의 지연량을 합한 지연량은 상기 제1 클록 지연부의 지연량과 서로 같은 것을 특징으로 하는 집적회로.
The method of claim 6,
And the delay amount obtained by adding the delay amount of the second clock delay unit and the delay amount of the clock oscillation unit at the set temperature is equal to the delay amount of the first clock delay unit.
소스 클록을 입력받아 온도의 변동과 상관없이 항상 일정한 지연량으로 변동시켜 제1 지연 클록으로서 출력하는 제1 클록 지연부;
상기 소스 클록의 주파수를 설정된 비율로 분배하여 분배 클록을 생성하기 위한 주파수 분배부;
상기 분배 클록을 입력받아 온도의 변동에 따라 비선형적인 지연량으로 변동시켜 제2 지연 클록으로서 출력하는 제2 클록 지연부;
상기 제2 지연 클록에 응답하여 그와 동일한 주파수를 갖는 발진 클록을 발진시키되, 온도의 변동에 따라 상기 제2 클록 지연부의 비선형성을 보상하는 방향으로 그 발진 지연량이 변동하는 클록 발진부; 및
온도의 변동에 따른 상기 발진 클록의 위상 변동 폭을 상기 제1 지연 클록을 기준으로 카운팅하여 온도 변동 코드를 생성하는 온도 변동 코드 생성부
를 구비하는 집적회로.
A first clock delay unit which receives the source clock and always changes the constant delay amount as a first delay clock regardless of a change in temperature;
A frequency divider for distributing a frequency of the source clock at a set ratio to generate a divided clock;
A second clock delay unit which receives the distribution clock and changes the non-linear delay amount according to the temperature change and outputs the second delay clock as a second delay clock;
A clock oscillator configured to oscillate an oscillation clock having the same frequency in response to the second delay clock, the oscillation delay of which fluctuates in a direction compensating for nonlinearity of the second clock delay unit in response to a change in temperature; And
A temperature variation code generator configured to generate a temperature variation code by counting a phase variation width of the oscillation clock based on the first delay clock based on a temperature variation
Integrated circuit comprising a.
제13항에 있어서,
상기 제1 클록 지연부는,
온도의 변동 및 지연 조절 신호에 응답하여 그 지연량이 조절되며, 상기 소스 클록을 지연시켜 상기 제1 지연 클록으로서 출력하는 지연라인; 및
지연 고정 동작을 위해 상기 소스 클록과 상기 제1 지연 클록의 위상을 비교하고, 비교결과에 따라 상기 지연 조절 신호의 값을 조절하는 지연 고정 동작부를 구비하는 집적회로.
The method of claim 13,
The first clock delay unit,
A delay line adjusted in response to a change in temperature and a delay control signal, the delay line delaying the source clock and outputting the first delay clock; And
And a delay lock operation unit configured to compare phases of the source clock and the first delay clock for a delay lock operation, and adjust a value of the delay control signal according to a comparison result.
제14항에 있어서,
상기 지연라인은, 체인 형태로 접속되고 온도의 변동 및 지연 조절 신호에 응답하여 그 지연량이 각각 조절되는 다수의 인버터를 포함하며,
상기 발진 클록과 상기 다수의 인버터 각각에서 출력되는 다수의 클록의 위상을 각각 비교하고, 비교결과에 따라 온도 변동 미세코드를 생성하기 위한 온도 변동 미세코드 생성부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
The method of claim 14,
The delay line includes a plurality of inverters connected in a chain form and whose delay amounts are respectively adjusted in response to a change in temperature and a delay control signal,
And a temperature fluctuation fine code generator for comparing the phases of the oscillation clock and the plurality of clocks output from each of the plurality of inverters and generating a temperature fluctuation fine code according to a comparison result.
제13항에 있어서,
상기 클록 발진부는,
제1 인에이블 모드에서 상기 제2 지연 클록의 주파수와 설정된 범위 이내의 주파수 차이를 갖는 상기 발진 클록을 발진시키고, 제2 인에이블 모드에서 상기 제2 지연 클록의 주파수에 상기 발진 클록의 주파수를 일치시키는 방향으로 발진 지연량이 변동되는 링 오실레이터; 및
상기 제2 인에이블 모드에서 상기 제2 지연 클록과 보상 제어 전압 및 온도의 변동에 대응하여 상기 링 오실레이터의 동작 전류량을 조절하는 보상 조절부를 구비하는 집적회로.
The method of claim 13,
The clock oscillator,
Oscillate the oscillation clock having a frequency difference within a set range from a frequency of the second delay clock in a first enable mode, and match a frequency of the oscillation clock to a frequency of the second delay clock in a second enable mode A ring oscillator in which oscillation delay amount is changed in a direction to make it oscillate; And
And a compensation controller configured to adjust an operating current amount of the ring oscillator in response to a change in the second delay clock, compensation control voltage, and temperature in the second enable mode.
제16항에 있어서,
상기 보상 조절부는,
온도의 변동에 따라 상기 제2 클록 지연부의 비선형성을 보상하는 방향으로 상기 링 오실레이터의 동작 전류량을 감소시키거나 증가시킴으로써, 상기 링 오실레이터의 발진 지연량을 조절하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
The method of claim 16,
The compensation control unit,
And controlling the oscillation delay amount of the ring oscillator by decreasing or increasing the amount of operating current of the ring oscillator in a direction to compensate for nonlinearity of the second clock delay portion in response to a change in temperature.
제17항에 있어서,
상기 보상 조절부는,
상기 보상 제어 전압의 레벨에 응답하여 상기 링 오실레이터의 동작 전류량 조절 가능 폭이 결정되는 것을 특징으로 하는 집적회로.
The method of claim 17,
The compensation control unit,
And an adjustable width of an operating current amount of the ring oscillator is determined in response to the level of the compensation control voltage.
제18항에 있어서,
상기 보상 조절부는,
상기 링 오실레이터와 동작 노드 사이에서 상기 제2 지연 클록에 응답하여 온/오프 제어되는 제1 NMOS 트랜지스터; 및
상기 보상 제어 전압의 레벨에 따라 상기 동작 노드와 접지전압단 사이에 흐르는 전류량을 조절하는 제2 NMOS 트랜지스터를 구비하는 집적회로.
The method of claim 18,
The compensation control unit,
A first NMOS transistor controlled on / off in response to the second delay clock between the ring oscillator and an operating node; And
And a second NMOS transistor configured to adjust an amount of current flowing between the operation node and a ground voltage terminal according to the level of the compensation control voltage.
제13항에 있어서,
설정된 온도에서 상기 제2 클록 지연부의 지연량과 클록 발진부의 지연량을 합한 지연량은 상기 제1 클록 지연부의 지연량과 서로 같은 것을 특징으로 하는 집적회로.
The method of claim 13,
And the delay amount obtained by adding the delay amount of the second clock delay unit and the delay amount of the clock oscillation unit at the set temperature is equal to the delay amount of the first clock delay unit.
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