KR102043059B1 - An Ultrathin Silicon Substrate and a Method for manufacturing of the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 초박형 실리콘 기판 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 실리콘 기판을 제조함에 있어서, 박리가 진행될 수 있는 열화부를 형성함으로써, 임계 스트레스층에 의한 박리 공정의 효율을 더욱 향상시킬 수 있는 초박형 실리콘 기판 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an ultra-thin silicon substrate and a method for manufacturing the same, and more particularly, in the manufacture of a silicon substrate, by forming a deterioration portion through which peeling can proceed, the efficiency of the peeling process by the critical stress layer can be further improved. An ultra-thin silicon substrate and a method of manufacturing the same.
일반적으로 실리콘은 태양광발전 재료에서 중요한 역할을 하기 때문에 그 사용량이 계속 증가하고 있다. 그에 따라 실리콘의 가격이 오르면서 재료 비용이 태양전지 제조에 있어서 높은 부담을 주고 있다.In general, silicon plays an important role in photovoltaic materials, so its use continues to increase. Accordingly, as the price of silicon rises, material costs are placing a heavy burden on solar cell manufacturing.
대표적으로 태양광 발전을 살펴보면, 단결정 실리콘을 재료로 하는 결정질 실리콘 태양전지가 뛰어난 성능을 기반으로 초기부터 지속적으로 발전 및 사용되어 왔다. Representatively, in the photovoltaic generation, crystalline silicon solar cells made of single crystal silicon have been continuously developed and used from the beginning based on excellent performance.
하지만 단결정 실리콘 기판의 재료 비용이 증가하는 문제로 인하여 비정질 박막 실리콘 태양전지 또는 비정질 박막을 결정화한 다결정(poly-crystal) 실리콘 태양전지에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다.However, due to the problem that the material cost of a single crystal silicon substrate increases, research into an amorphous thin film silicon solar cell or a poly-crystal silicon solar cell crystallizing an amorphous thin film is being actively conducted.
단결정 실리콘 반도체 재료는 단결정의 잉곳을 제조하고 이를 얇게 커팅한 웨이퍼 형태로 사용하지만, 커팅에 의한 두께에 한계가 있기 때문에 비정질 박막을 형성하는 경우에 비하여 재료 비용이 높을 수 밖에 없다.The single crystal silicon semiconductor material is used in the form of a wafer in which a single crystal ingot is manufactured and thinly cut. However, since the thickness is limited by cutting, the material cost is inevitably higher than in the case of forming an amorphous thin film.
따라서 결정형 태양전지의 경우 실리콘 웨이퍼 비용을 낮추기 위해서 절단손실이 없는 층 전사 방법(Kerf-free layer-transfer)에 대한 많은 연구가 진행되고 있다. 이 방식은 실리콘 박막을 박리하기 위해서 임계 스트레스값을 갖는 금속 스트레스층을 증착하고 이 도금층의 두께 및 스트레스에 의해서 실리콘 박막이 박리되는 기술이다.Therefore, in order to lower the cost of silicon wafers for crystalline solar cells, many studies have been conducted on the Kerf-free layer-transfer method without cutting loss. This method is a technique in which a metal stress layer having a critical stress value is deposited in order to peel the silicon thin film, and the silicon thin film is peeled off by the thickness and the stress of the plating layer.
즉, 상부 스트레스층 증착 시 발생되는 임계 스트레스 조건하에서 크랙이 에지에서 내부로 진행하다가 일정깊이에서 평행하게 진행되는 스폴링(spalling) 현상으로 박리되게 하는 것이다.In other words, cracks may be peeled off by a spalling phenomenon that proceeds from the edge to the inside under a critical stress condition generated when the upper stress layer is deposited, and proceeds in parallel at a predetermined depth.
이와 같이 스폴링 현상을 이용한 박리 방법은 도 20에 나타난 바와 같은 문제가 있다. As described above, the peeling method using the spalling phenomenon has a problem as shown in FIG. 20.
도 20은 스폴링 현상을 이용한 박리방법의 문제점을 설명하기 위한 모식도이다.20 is a schematic view for explaining the problem of the peeling method using a spalling phenomenon.
도 20을 참조하면, 실리콘 모재(1)로부터 실리콘 박막(1a)을 리프트 오프하는 공정에 의하여, 잔존 실리콘 모재(1b)가 잔존하고, 실리콘 박막(1a)이 형성됨에 있어서, 단순히 스트레스층(2)만을 형성한 종래의 스폴링 방법에서는 초기 박리가 수행되는 실리콘 모재(1)의 에지 부분(L)이 박리되지 않는 현상이 발생되게 된다.Referring to FIG. 20, in the process of lifting off the silicon
따라서, 종래의 경우, 리프트 오프된 실리콘 박막의 품질이 불량할 뿐만 아니라, 상기 잔존 실리콘 모재(1b)의 계속적인 재활용이 어렵다는 문제점이 있다. Therefore, in the related art, not only the quality of the lifted-off silicon thin film is poor, but also there is a problem that it is difficult to continuously recycle the remaining silicon base material 1b.
또한, 과도한 스트레스 분포 문제에 따른 크랙 발생 우려가 높아 대면적화에 큰 어려움이 있다.In addition, there is a great difficulty in large area due to the high risk of cracks caused by excessive stress distribution problem.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 실리콘 기판을 제조함에 있어서, 박리가 진행될 수 있는 열화부를 형성함으로써, 임계 스트레스층에 의한 박리 공정의 효율을 더욱 향상시킬 수 있는 초박형 실리콘 기판의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The problem to be solved by the present invention is to provide a method of manufacturing an ultra-thin silicon substrate that can further improve the efficiency of the peeling process by the critical stress layer by forming a deterioration portion that can be peeled in the manufacture of the silicon substrate. There is a purpose.
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects which are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상기 지적된 문제점을 해결하기 위해서 본 발명은 실리콘 기판 표면; 및 상기 실리콘 기판 표면의 측면에 위치하는 실리콘 기판 측면을 포함하고, 상기 실리콘 기판은 복수개의 열화부를 포함하며, 상기 열화부는, 상기 실리콘 기판 측면의 최외곽 면으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판의 길이 방향으로 일정 길이를 갖는 지점까지 형성되며, 상기 열화부는, 상기 실리콘 기판의 표면 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판을 제공한다.In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a silicon substrate surface; And a silicon substrate side surface positioned on a side surface of the silicon substrate surface, wherein the silicon substrate includes a plurality of deterioration portions, and the deterioration portion includes a length direction of the silicon substrate, starting from the outermost surface of the silicon substrate side surface. Is formed to a point having a predetermined length, and the deterioration unit provides a silicon substrate, characterized in that formed on the surface area of the silicon substrate.
또한, 본 발명은 상기 실리콘 기판 표면은, 제1면; 및 상기 제1면의 반대면에 위치하는 제2면을 포함하고, 상기 실리콘 기판 측면은, 실리콘 기판 제1측면; 및 상기 실리콘 기판 제1측면과 인접하여 위치하는 실리콘 기판 제2측면을 포함하는 실리콘 기판을 제공한다.In addition, the present invention, the silicon substrate surface, the first surface; And a second surface positioned opposite to the first surface, wherein the silicon substrate side surface comprises: a silicon substrate first side surface; And a silicon substrate second side positioned adjacent to the silicon substrate first side.
또한, 본 발명은 상기 복수개의 열화부는, 상기 실리콘 기판 제1측면에 형성되고, 제1-1열화부; 및 상기 제1-1열화부와 이격하여 위치하는 제1-2열화부를 포함하며, 상기 제1-1열화부는, 상기 실리콘 기판 제1측면의 최외곽 면의 제1지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판의 길이 방향으로 제1길이를 갖는 지점까지 형성되며, 상기 제1-2열화부는, 상기 실리콘 기판 제1측면의 최외곽 면의 제2지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판의 길이 방향으로 제2길이를 갖는 지점까지 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판을 제공한다.In addition, the present invention is the plurality of deterioration portion is formed on the first side of the silicon substrate, the 1-1 deterioration portion; And a 1-2 deterioration part positioned to be spaced apart from the 1-1 deterioration part, wherein the 1-1 deterioration part is formed from the first point of the outermost surface of the first side surface of the silicon substrate. The first to second deterioration part is formed to a point having a first length in the longitudinal direction of the substrate, starting from the second point of the outermost surface of the first side surface of the silicon substrate, and extending in the length direction of the silicon substrate. A silicon substrate is provided which is formed up to a point having a length.
또한, 본 발명은 상기 복수개의 열화부는, 상기 실리콘 기판 제1측면에 형성되는 복수개의 일측 열화부; 및 상기 실리콘 기판 제2측면에 형성되는 복수개의 타측 열화부를 포함하고, 상기 복수개의 일측 열화부는, 일측 제1-1열화부 및 상기 일측 제1-1열화부와 이격하여 위치하는 일측 제1-2열화부를 포함하고, 상기 복수개의 타측 열화부는, 타측 제1-3열화부 및 상기 타측 제1-3열화부와 이격하여 위치하는 타측 제1-4열화부를 포함하며, 상기 일측 제1-1열화부는, 상기 실리콘 기판 제1측면의 최외곽 면의 제1지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판의 길이 방향으로 제1길이를 갖는 지점까지 형성되고, 상기 일측 제1-2열화부는, 상기 실리콘 기판 제1측면의 최외곽 면의 제2지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판의 길이 방향으로 제2길이를 갖는 지점까지 형성되며, 상기 타측 제1-3열화부는, 상기 실리콘 기판 제2측면의 최외곽 면의 제1지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판의 폭 방향으로 제1길이를 갖는 지점까지 형성되고, 상기 타측 제1-4열화부는, 상기 실리콘 기판 제2측면의 최외곽 면의 제2지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판의 폭 방향으로 제2길이를 갖는 지점까지 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판을 제공한다.In addition, the plurality of deterioration unit, a plurality of one side deterioration unit formed on the first side of the silicon substrate; And a plurality of other side deterioration parts formed on the second side surface of the silicon substrate, wherein the plurality of one side deterioration parts are located on one side first-first deterioration part and one side first-first deterioration part and spaced apart from each other. And a plurality of other deterioration parts, wherein the plurality of other deterioration parts include the other side 1-3 deterioration part and the other side 1-3 deterioration part positioned to be spaced apart from the other 1-3 deterioration part, and the one side first-first deterioration part. The deterioration part is formed from a first point of the outermost surface of the first side surface of the silicon substrate to a point having a first length in the longitudinal direction of the silicon substrate, and the one side 1-2 deterioration part is formed of the silicon substrate. Starting from the second point of the outermost surface of the first side surface, and forming up to a point having a second length in the longitudinal direction of the silicon substrate, the other 1-3 deterioration portion is the outermost portion of the second side of the silicon substrate. Starting from the first point on the face A width of the silicon substrate starting from a second point of the outermost surface of the second substrate on the second side of the silicon substrate; It provides a silicon substrate, characterized in that formed to a point having a second length in the direction.
또한, 본 발명은 상기 복수개의 열화부는, 상기 실리콘 기판 표면의 상기 제1면 및 상기 제2면 중 적어도 어느 하나 이상의 면에 위치하는 실리콘 기판을 제공한다.The present invention also provides a silicon substrate positioned on at least one or more of the first and second surfaces of the silicon substrate surface.
또한, 본 발명은 실리콘 모재를 준비하는 단계; 상기 실리콘 모재에 열화부를 형성하는 단계; 상기 실리콘 모재의 모재 표면의 상부에 스트레스층을 형성하는 단계; 상기 스트레스층 및 상기 실리콘 모재의 일부 영역을 리프트 오프하는 단계; 및 상기 스트레스층을 제거하는 단계를 포함하고, 상기 실리콘 모재에 열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 모재 표면의 상부에서 상기 실리콘 모재의 두께 방향으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재의 길이 방향으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계이고, 상기 실리콘 모재의 길이 방향으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계는, 상기 실리콘 모재 이외의 영역에서부터 레이저의 조사를 시작하여, 상기 실리콘 모재의 영역에서 레이저의 조사를 종료하는 것인 실리콘 기판의 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention comprises the steps of preparing a silicon base material; Forming a deterioration part on the silicon base material; Forming a stress layer on an upper surface of the base material of the silicon base material; Lifting off the stress layer and a portion of the silicon base material; And removing the stress layer, wherein the forming of the deterioration part on the silicon base material comprises: irradiating a laser in a thickness direction of the silicon base material on an upper surface of the base material surface of the silicon base material, Irradiating the laser while moving to, and irradiating the laser while moving in the longitudinal direction of the silicon base material, starting the irradiation of the laser from a region other than the silicon base material, the laser irradiation in the region of the silicon base material Provided is a method for producing a silicon substrate that terminates irradiation.
또한, 본 발명은 상기 실리콘 모재는, 모재 표면; 및 상기 모재 표면의 측면에 위치하는 모재 측면을 포함하고, 상기 모재 표면은, 제1면; 및 상기 제1면의 반대면에 위치하는 제2면을 포함하고, 상기 모재 측면은, 모재 제1측면; 및 상기 모재 제1측면과 인접하여 위치하는 모재 제2측면을 포함하는 실리콘 기판의 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention, the silicon base material, the base material surface; And a base material side surface positioned at a side of the base material surface, wherein the base material surface comprises: a first surface; And a second surface positioned opposite to the first surface, wherein the base material side surface comprises: a base material first side surface; And a base material second side surface positioned adjacent to the base material first side surface.
또한, 본 발명은 상기 실리콘 모재에 열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 제1영역에 제1열화부를 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 모재의 제2영역에 제2열화부를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 실리콘 모재의 제1영역에 제1열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 모재 표면의 상부의 제1영역에서 상기 실리콘 모재의 두께 방향으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재의 길이 방향으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계이고, 상기 실리콘 모재의 제2영역에 제2열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 모재 표면의 상부의 제2영역에서 상기 실리콘 모재의 두께 방향으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재의 길이 방향으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계인 실리콘 기판의 제조방법을 제공한다.In addition, the forming of the deterioration part on the silicon base material may include forming a first deterioration part on a first region of the silicon base material; And forming a second deterioration part in the second region of the silicon base material, and forming the first deterioration part in the first area of the silicon base material, in the first area of the upper portion of the base material surface of the silicon base material. Irradiating a laser in the thickness direction of the silicon base material, and irradiating the laser while moving in the longitudinal direction of the silicon base material, and forming a second degradation portion in the second region of the silicon base material, Irradiating a laser in the thickness direction of the silicon base material in the second region of the upper surface of the base material, while providing a method of manufacturing a silicon substrate which is the step of irradiating the laser while moving in the longitudinal direction of the silicon base material.
또한, 본 발명은 상기 실리콘 모재에 열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재에 일측 열화부를 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 모재에 타측 열화부를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 실리콘 모재에 일측 열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 일측 제1영역에 제1열화부를 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 모재의 일측 제2영역에 제2열화부를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 실리콘 모재에 타측 열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 타측 제1영역에 제3열화부를 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 모재의 타측 제2영역에 제4열화부를 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 기판의 제조방법을 제공한다.In addition, the step of forming a deterioration portion in the silicon base material, forming the one side deterioration part in the silicon base material; And forming the other side deterioration part in the silicon base material, and forming the one side deterioration part in the silicon base material comprises: forming a first deterioration part in one side first region of the silicon base material; And forming a second deterioration part in one side second area of the silicon base material, wherein forming the other deterioration part in the silicon base material comprises: forming a third deterioration part in the other side first area of the silicon base material; And forming a fourth deterioration part in the second region of the other side of the silicon base material.
또한, 본 발명은 상기 실리콘 모재의 일측 제1영역에 제1열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 모재 표면의 상부의 일측 제1영역에서 상기 실리콘 모재의 두께 방향으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재의 길이 방향으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계이고, 상기 실리콘 모재의 일측 제2영역에 제2열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 모재 표면의 상부의 일측 제2영역에서 상기 실리콘 모재의 두께 방향으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재의 길이 방향으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계이며, 상기 실리콘 모재의 타측 제1영역에 제3열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 모재 표면의 상부의 타측 제1영역에서 상기 실리콘 모재의 두께 방향으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재의 폭 방향으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계이고, 상기 실리콘 모재의 타측 제2영역에 제4열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 모재 표면의 상부의 타측 제2영역에서 상기 실리콘 모재의 두께 방향으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재의 폭 방향으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계인 실리콘 기판의 제조방법을 제공한다.In addition, the step of forming the first deterioration in the first region on one side of the silicon base material, the laser irradiation in the thickness direction of the silicon base material in the first region on one side of the upper surface of the base material of the silicon base material, Irradiating the laser while moving in the longitudinal direction of the silicon base material, and the step of forming a second degradation portion in one side second area of the silicon base material, the silicon in one side second area of the upper surface of the base material of the silicon base material Irradiating the laser in the thickness direction of the base material, the step of irradiating the laser while moving in the longitudinal direction of the silicon base material, the step of forming a third deterioration in the first region of the other side of the silicon base material, the base material of the silicon base material Irradiate a laser in the thickness direction of the silicon base material in the other first area of the upper portion of the surface, the width of the silicon base material Irradiating the laser while moving to and forming the fourth deterioration part in the second second region of the silicon base material in the thickness direction of the silicon base material in the second second area of the upper surface of the base material of the silicon base material. Irradiating a laser, but moving in the width direction of the silicon base material provides a method of manufacturing a silicon substrate which is the step of irradiating the laser.
상기한 바와 같은 본 발명에 따르면, 초박형 실리콘 기판을 제조함에 있어서, 박리가 진행될 수 있는 열화부를 형성함으로써, 임계 스트레스층에 의한 박리 공정의 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.According to the present invention as described above, in the manufacture of an ultra-thin silicon substrate, by forming a deterioration portion that can proceed with the peeling, it is possible to further improve the efficiency of the peeling process by the critical stress layer.
또한, 실리콘 모재의 측면의 최외곽 면에 열화부를 형성하여, 상기 실리콘 모재의 측면의 최외곽 면으로부터 초기 박리가 수행되도록 함으로써, 에지 손실 없이 실리콘 모재를 박리하여, 고품질의 초박형 실리콘 기판을 제조할 수 있다.In addition, by forming a deterioration on the outermost surface of the side of the silicon base material, so that the initial peeling is performed from the outermost surface of the side of the silicon base material, the silicon base material is peeled off without edge loss, thereby producing a high quality ultra-thin silicon substrate. Can be.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 실리콘 기판의 제조방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 2 내지 도 10은 본 발명의 제1실시예에 따른 실리콘 기판의 제조방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 11은 본 발명의 제1실시예에 따른 실리콘 기판을 포함하는 태양전지의 일예를 도시하는 개략적인 도면이다.
도 12는 본 발명의 제1실시예에 따른 실리콘 기판을 포함하는 태양전지의 다른예를 도시하는 개략적인 도면이다.
도 13 내지 도 19는 본 발명의 제2실시예에 따른 실리콘 기판의 제조방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 20은 스폴링 현상을 이용한 박리방법의 문제점을 설명하기 위한 모식도이다.1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a silicon substrate according to a first embodiment of the present invention.
2 to 10 are schematic views for explaining a method of manufacturing a silicon substrate according to a first embodiment of the present invention.
11 is a schematic diagram illustrating an example of a solar cell including a silicon substrate according to a first embodiment of the present invention.
12 is a schematic view showing another example of a solar cell including a silicon substrate according to the first embodiment of the present invention.
13 to 19 are schematic views for explaining a method of manufacturing a silicon substrate according to a second embodiment of the present invention.
20 is a schematic view for explaining the problem of the peeling method using a spalling phenomenon.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims.
아래 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 상세히 설명한다. 도면에 관계없이 동일한 부재번호는 동일한 구성요소를 지칭하며, "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Regardless of the drawings, the same reference numbers refer to the same components, and “and / or” includes each and every combination of one or more of the items mentioned.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are of course not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Therefore, of course, the first component mentioned below may be a second component within the technical spirit of the present invention.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소 외에 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, "comprises" and / or "comprising" does not exclude the presence or addition of one or more other components in addition to the mentioned components.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. In addition, the terms defined in the commonly used dictionaries are not ideally or excessively interpreted unless they are specifically defined clearly.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 구성 요소와 다른 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 구성요소들의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 구성요소를 뒤집을 경우, 다른 구성요소의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 구성요소는 다른 구성요소의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 구성요소는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다. The spatially relative terms " below ", " beneath ", " lower ", " above ", " upper " It can be used to easily describe a component's correlation with other components. Spatially relative terms are to be understood as including terms in different directions of components in use or operation in addition to the directions shown in the figures. For example, when flipping a component shown in the drawing, a component described as "below" or "beneath" of another component may be placed "above" the other component. Can be. Thus, the exemplary term "below" can encompass both an orientation of above and below. The components can be oriented in other directions as well, so that spatially relative terms can be interpreted according to the orientation.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 실리콘 기판의 제조방법을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 2 내지 도 10은 본 발명의 제1실시예에 따른 실리콘 기판의 제조방법을 설명하기 위한 모식도이다.1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a silicon substrate according to a first embodiment of the present invention, Figures 2 to 10 are schematic diagrams for explaining a method of manufacturing a silicon substrate according to the first embodiment of the present invention. .
먼저, 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 실리콘 기판의 제조방법은, 실리콘 모재(110)를 준비하는 단계를 포함한다(S110).First, referring to FIGS. 1 and 2, a method of manufacturing a silicon substrate according to a first embodiment of the present invention includes preparing a silicon base material 110 (S110).
상기 실리콘 모재는 결정질이며, 두께가 상대적으로 두꺼운 벌크 실리콘일 수 있고, 또는, 단결정의 실리콘 잉곳을 슬라이스한 원형의 실리콘 모재일 수 있으며, 또는, 직육면체 형상의 실리콘 모재일 수 있는 것으로, 다만, 본 발명에서 상기 실리콘 모재의 종류를 제한하는 것은 아니다.The silicon base material may be crystalline and relatively thick thick silicon, or may be a circular silicon base material in which a single crystal silicon ingot is sliced, or may be a rectangular parallelepiped silicon base material. In the present invention, the type of the silicon base material is not limited.
이하에서는 상기 실리콘 모재가 직육면체 형상인 경우를 기준으로 설명하도록 한다.Hereinafter, a description will be given based on the case where the silicon base material has a rectangular parallelepiped shape.
즉, 상기 실리콘 모재(110)가 직육면체 형상인 경우, 상기 실리콘 모재(110)는 모재 표면(111); 및 상기 모재 표면(111)의 측면에 위치하는 모재 측면(114)을 포함하며, 이때, 상기 모재 측면(114)은 모재 제1측면(112); 및 상기 모재 제1측면(112)과 인접하여 위치하는 모재 제2측면(113)을 포함한다.That is, when the
이때, 상기 모재 제1측면(112)은 상기 실리콘 모재(110)의 폭 방향(도 2의 Y 방향)으로 연장되는 면으로 정의할 수 있으며, 상기 모재 제2측면(113)은 상기 실리콘 모재(110)의 길이 방향(도 2의 X 방향)으로 연장되는 면으로 정의할 수 있다.In this case, the base material
한편, 상기 실리콘 모재의 폭 방향 또는 길이 방향의 용어는, 상기 실리콘 모재의 영역을 구분하기 위한 것으로, 본 발명에서 상기 폭 방향 또는 길이 방향의 용어의 의미에 제한을 두는 것은 아니며, 예를 들어, 상기 모재 제1측면(112)은 상기 실리콘 모재(110)의 길이 방향(도 2의 Y 방향)으로 연장되는 면으로 정의할 수 있으며, 상기 모재 제2측면(113)은 상기 실리콘 모재(110)의 폭 방향(도 2의 X 방향)으로 연장되는 면으로 정의할 수 있다.On the other hand, the term in the width direction or the longitudinal direction of the silicon base material, to distinguish the region of the silicon base material, in the present invention does not limit the meaning of the term in the width direction or the longitudinal direction, for example, The base material
다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여, 도 2의 X 방향을 상기 실리콘 모재(110)의 길이 방향으로 정의하고, 도 2의 Y 방향을 상기 실리콘 모재(110)의 폭 방향으로 정의하기로 하며, 또한, 도 2의 Z 방향을 상기 실리콘 모재(110)의 두께 방향으로 정의하기로 한다. However, hereinafter, for convenience of description, the X direction of FIG. 2 is defined as the longitudinal direction of the
다음으로, 도 1 및 도 3 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 실리콘 기판의 제조방법은, 상기 실리콘 모재(110)에 열화부(120)를 형성하는 단계를 포함한다(S120). 이때, 도 3은 상기 실리콘 모재(110)에 열화부(120)를 형성하는 단계를 도시하는 개략적인 사시도이고, 도 4는 도 3의 평면도이며, 도 5는 도 4의 I-I선에 따른 단면도이다.Next, referring to FIGS. 1 and 3 to 5, a method of manufacturing a silicon substrate according to a first embodiment of the present invention includes forming a
보다 구체적으로, 본 발명에서 상기 열화부(120)는, 상기 실리콘 모재(110)의 상기 모재 측면(114), 예를 들면, 상기 모재 제1측면(112)의 최외곽 면의 일정 지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 모재(110)의 길이 방향(도 3의 X 방향)으로 일정 길이(b)를 갖는 지점까지 형성되며, 이때, 상기 열화부(120)는, 상기 모재 표면(111)으로부터 상기 실리콘 모재(110)의 두께 방향(도 3의 -Z 방향)의 일정 깊이(d)에 형성되는 것을 특징으로 한다.More specifically, in the present invention, the
이때, 상기 일정 깊이(d)는, 상기 실리콘 모재(110)로부터 박리되는 실리콘 기판의 두께를 결정하는 것으로, 후술할 바와 같이, 본 발명에서는 상기 열화부(120)를 따라 초기 박리가 일어나기 때문에, 상기 일정 깊이(d)에 해당하는 두께에 따라, 상기 실리콘 기판의 두께가 결정된다고 할 수 있다.At this time, the predetermined depth (d) is to determine the thickness of the silicon substrate peeled from the
또한, 본 발명에 상기 일정 깊이(d)를 결정하는 것은, 후술하는 스텔스 레이저가 집광된 깊이에 영향을 받으므로, 결국, 상기 스텔스 레이저가 집광되는 깊이를 제어함에 의하여, 상기 일정 깊이(d)를 결정할 수 있고, 상기 일정 깊이(d)는 상기 실리콘 모재(110)로부터 박리되는 실리콘 기판의 두께를 결정할 수 있다.Further, in the present invention, the determining of the constant depth d is influenced by the depth at which the stealth laser, which will be described later, is focused. Finally, the constant depth d is controlled by controlling the depth at which the stealth laser is focused. The predetermined depth d may determine the thickness of the silicon substrate peeled off from the
또한, 본 발명에 상기 열화부(120)는 복수개의 열화부를 포함하며, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 복수개의 열화부(120)는 제1열화부(121) 및 상기 제1열화부(121)와 이격하여 위치하는 제2열화부(122)를 포함한다.In addition, in the present invention, the
이때, 상기 제2열화부(122)는 상기 제1열화부(121)로부터 이격하여 위치하므로, 상기 제2열화부(122)와 상기 제1열화부(121)는 비연속적으로 위치하는 것으로 이해될 수 있다.In this case, since the
즉, 이와 같은 본 발명에 따른 열화부(120)는, 제1열화부(121) 및 상기 제1열화부(121)와 이격하여 위치하는 제2열화부(122)를 포함하고, 상기 제1열화부(121)는, 상기 실리콘 모재(110)의 상기 모재 측면(114), 예를 들면, 상기 모재 제1측면(112)의 최외곽 면의 제1지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 모재(110)의 길이 방향(도 3의 X 방향)으로 제1길이를 갖는 지점까지 형성되며, 또한, 상기 제2열화부(122)는, 상기 실리콘 모재(110)의 상기 모재 측면(114), 예를 들면, 상기 모재 제1측면(112)의 최외곽 면의 제2지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 모재(110)의 길이 방향(도 3의 X 방향)으로 제2길이를 갖는 지점까지 형성된다.That is, the
이때, 상기 제1열화부(121)는, 상기 모재 표면(111)의 상부의 제1영역으로부터 상기 실리콘 모재(110)의 두께 방향(도 3의 -Z 방향)의 제1깊이에 형성되는 것을 특징으로 하고, 또한, 상기 제2열화부(122)는, 상기 모재 표면(111)의 상부의 제2영역으로부터 상기 실리콘 모재(110)의 두께 방향(도 3의 -Z 방향)의 제2깊이에 형성되는 것을 특징으로 한다.At this time, the
한편, 본 발명에 따른, 상기 실리콘 모재(110)에 열화부(120)를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 제1영역에 제1열화부(121)를 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 모재의 제2영역에 제2열화부(122)를 형성하는 단계를 포함한다.Meanwhile, according to the present invention, the forming of the
이때, 본 발명에서 상기 실리콘 모재(110)에 열화부(120)를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재(110)의 모재 표면의 상부에서 상기 실리콘 모재(110)의 두께 방향(도 3의 -Z 방향)으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재(110)의 길이 방향(도 3의 X 방향)으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계인 것을 특징으로 한다.At this time, the step of forming the
따라서, 본 발명에서, 상기 실리콘 모재의 제1영역에 제1열화부(121)를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재(110)의 모재 표면의 상부의 제1영역에서 상기 실리콘 모재(110)의 두께 방향(도 3의 -Z 방향)으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재(110)의 길이 방향(도 3의 X 방향)으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계에 해당하며, 이를 통해, 상술한 바와 같은 제1열화부(121)를 제조할 수 있다.Therefore, in the present invention, the step of forming the
또한, 상기 실리콘 모재의 제2영역에 제2열화부(122)를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재(110)의 모재 표면의 상부의 제2영역에서 상기 실리콘 모재(110)의 두께 방향(도 3의 -Z 방향)으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재(110)의 길이 방향(도 3의 X 방향)으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계에 해당하며, 이를 통해, 상술한 바와 같은 제2열화부(122)를 제조할 수 있다.In the forming of the
이때, 도면에서는 열화부의 개수가 5개인 것으로 도시하고 있으나, 본 발명에서 상기 열화부의 개수를 제한하는 것은 아니다.In this case, although the number of deterioration parts is illustrated as five, the present invention does not limit the number of deterioration parts.
한편, 본 발명에서 상기 열화부를 형성하는 레이저는 스텔스 레이저(stealth laser, 도 5의 10)를 사용한다. Meanwhile, in the present invention, the laser forming the deterioration part uses a stealth laser (10 in FIG. 5).
일반적으로, 스텔스 레이저 공정은, 포커싱 렌즈의 초점을 조절하여, 레이저를 작업 대상 기판의 표면보다 아래쪽에 집광시켜 내부를 개질 또는 파괴시키는 공정이며, 본 발명에서는, 상기 스텔스 레이저에 의해서 개질 또는 파괴된 부분을 열화부로 표현할 수 있다.In general, a stealth laser process is a process of focusing a focusing lens to focus a laser below the surface of a substrate to be worked and modifying or destroying the interior thereof. In the present invention, the stealth laser process is modified or destroyed by the stealth laser. The part can be expressed as a deterioration part.
보다 구체적으로, 레이저는 실리콘을 지면에 수직한 단면으로 잘라내는 다이싱에 많이 사용되어 왔으며, 종래의 일반적 방법인 레이저 삭마 다이싱(laser ablation dicing)은 표면 흡수 레이저(surface absorption laser process)를 사용하여 주로 표면 용융, 증발을 통해 가공을 하였으나, 절단과정에서 증발 등으로 인하여 소실되는 부분이 많고 높은 열이 발생하기 때문에 냉각 공정이 필요하였다.More specifically, lasers have been widely used for dicing silicon into a cross section perpendicular to the ground, and laser ablation dicing, a conventional general method, uses a surface absorption laser process. The surface was mainly processed by melting and evaporating, but the cooling process was necessary because many parts are lost due to evaporation during cutting and high heat is generated.
이에 반하여, 스텔스 레이저는 기판의 표면에서는 흡수가 일어나지 않은 내부 삭마 레이저 공정(internal ablation laser process)에 의해 가공하는 것으로써, 추가의 수냉 공정 및 데브리 발생이 거의 없으며 작업 속도 높아 고품질의 실리콘 재료를 쉽게 얻을 수 있다.In contrast, stealth lasers are processed by an internal ablation laser process that does not absorb at the surface of the substrate. Easy to get.
한편, 상술한 바와 같이, 상기 열화부(120)는, 상기 모재 표면(111)으로부터 상기 실리콘 모재(110)의 두께 방향(도 3의 -Z 방향)의 일정 깊이(d)에 형성되는 것을 특징으로 하며, 상기 일정 깊이(d)는, 상기 실리콘 모재(110)로부터 박리되는 실리콘 기판의 두께를 결정할 수 있다.Meanwhile, as described above, the
이때, 상기 일정 깊이(d)를 결정하는 것은, 상기 스텔스 레이저가 집광된 깊이에 영향을 받으므로, 결국, 상기 스텔스 레이저가 집광되는 깊이를 제어함에 의하여, 상기 일정 깊이(d)를 결정할 수 있고, 상기 일정 깊이(d)는 상기 실리콘 모재(110)로부터 박리되는 실리콘 기판의 두께를 결정할 수 있다.In this case, the determining of the predetermined depth d is influenced by the depth at which the stealth laser is focused, so that the predetermined depth d may be determined by controlling the depth at which the stealth laser is focused. The predetermined depth d may determine the thickness of the silicon substrate peeled off from the
이러한 스텔스 레이저 공정은 당업계에서 자명한 사항이므로, 이하 구체적인설명은 생략하기로 한다.Since the stealth laser process is obvious in the art, the following detailed description will be omitted.
한편, 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 상기 열화부(120)는 복수개의 열화부를 포함하며, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 복수개의 열화부(120)는 제1열화부(121) 및 상기 제1열화부(121)와 이격하여 위치하는 제2열화부(122)를 포함한다.Meanwhile, as described above, the
이때, 상기 제1열화부(121)는, 상기 실리콘 모재(110)의 상기 모재 측면(114), 예를 들면, 상기 모재 제1측면(112)의 최외곽 면의 제1지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 모재(110)의 길이 방향(도 3의 X 방향)으로 제1길이를 갖는 지점까지 형성되며, 또한, 상기 제2열화부(122)는, 상기 실리콘 모재(110)의 상기 모재 측면(114), 예를 들면, 상기 모재 제1측면(112)의 최외곽 면의 제2지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 모재(110)의 길이 방향(도 3의 X 방향)으로 제2길이를 갖는 지점까지 형성된다.At this time, the
즉, 본 발명에서, 상기 제1열화부(121) 및 상기 제2열화부(122), 즉, 상기 복수의 열화부(120)는 상기 모재 측면(114), 예를 들면, 상기 모재 제1측면(112)의 최외곽 면의 일정 지점으로부터 시작하며, 상기 모재 측면(114)의 최외곽 면의 일정 지점으로부터 열화부가 시작되기 위해서는, 상기 모재 측면(114)의 최외곽 면의 일정 지점에 레이저가 조사되어야 함을 의미한다.That is, in the present invention, the
따라서, 상술한 스텔스 레이저 공정에서, 포커싱 렌즈의 초점을 조절하여, 상기 모재 측면(114)의 최외곽 면의 일정 지점에 레이저를 조사하여야 하나, 이러한 레이저의 조사는 어려운 작업에 해당한다.Therefore, in the above-described stealth laser process, the focus of the focusing lens should be adjusted to irradiate the laser to a certain point of the outermost surface of the side surface of the
하지만, 본 발명에서는, 도 4에 도시된 바와 같이, 레이저 조사의 시작점을 상기 모재 측면(114), 예를 들면, 상기 모재 제1측면(112)의 최외곽 면의 일정 지점에 두는 것이 아닌, 실리콘 모재의 이외의 영역에 둘 수 있으며, 따라서, C의 구간에 걸쳐 레이저를 조사한다고 가정시, a 구간에서는 실리콘 모재 이외의 영역에 레이저를 조사하게 되고, b 구간에서는 실리콘 모재의 영역에 레이저를 조사하되, a 구간에서 b 구간으로 레이저가 이동하는 과정에서, 상기 모재 측면(114), 예를 들면, 상기 모재 제1측면(112)의 최외곽 면의 일정 지점에 용이하게 레이저를 조사할 수 있다.However, in the present invention, as shown in FIG. 4, the starting point of the laser irradiation is not placed at a predetermined point of the outermost surface of the base
따라서, 상술한 바와 같이, 본 발명에서의 상기 실리콘 모재(110)에 열화부(120)를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재(110)의 길이 방향(도 3의 X 방향)으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하게 되는데, 이때, 상기 실리콘 모재(110)의 길이 방향(도 3의 X 방향)으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 것은, 상기 실리콘 모재 이외의 영역에서부터 레이저의 조사를 시작하여, 상기 실리콘 모재의 영역에서 레이저의 조사를 종료하는 것을 특징으로 할 수 있다.Therefore, as described above, the step of forming the
다음으로, 도 1 및 도 6, 도 7을 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 실리콘 기판의 제조방법은, 상기 실리콘 모재(110)의 모재 표면(111)의 상부에 스트레스층(130)을 형성하는 단계를 포함한다(S130). 이때, 도 6은 본 발명에 따른 스트레스층을 형성하는 단계를 설명하기 위한 사시도이고, 도 7은 도 6의 평면도이다.Next, referring to FIGS. 1, 6, and 7, in the method of manufacturing a silicon substrate according to the first embodiment of the present invention, the
상술한 도 3 내지 도 5의 열화부(120)는 상기 실리콘 모재(110)의 박리가 진행될 수 있는 지점을 만든 것에 불과하고, 실리콘 모재를 박리하기 위한 에너지가 가해지는 것은 아니므로, 실리콘 모재(110)의 모재 표면(111)에 박리를 위한 힘을 가할 수 있는 스트레스층(130)을 형성한다.The
상기 스트레스층(130)은 금속층일 수 있으며, 상기 금속층(130)은 구리(Cu), 니켈(Ni) 등 다양한 종류의 금속 중 어느 하나가 선택되어 구성될 수 있다.The
이때, 상기 금속층은 공지된 도금법을 이용하여 형성할 수 있으며, 다만, 본 발명에서 상기 금속층의 형성방법을 제한하는 것은 아니다.In this case, the metal layer may be formed using a known plating method, but the method of forming the metal layer is not limited in the present invention.
다음으로, 도 1 및 도 8, 9를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 실리콘 기판의 제조방법은, 상기 스트레스층(130) 및 상기 실리콘 모재(110)의 일부 영역(110a)을 리프트 오프하는 단계를 포함한다(S140). 이때, 도 8은 본 발명에 따른 리프트 오프 공정을 진행하는 과정을 설명하기 위한 모식도이고, 도 9는 상기 스트레스층(130) 및 상기 실리콘 모재(110)의 일부 영역(110a)이 리프트 오프된 상태를 도시하는 모식도이다.Next, referring to FIGS. 1, 8, and 9, in the method of manufacturing the silicon substrate according to the first embodiment of the present invention, the
상술한 바와 같이, 상기 스트레스층(130)은 실리콘 모재(110)의 모재 표면(111)에 박리를 위한 힘을 가할 수 있는 층으로, 본 발명에서 상기 실리콘 모재(110)의 모재 표면(111)의 상부에 스트레스층, 예를 들면, 금속층이 형성되면, 상기 금속층의 인장 응력(Tensile stress)에 의하여 상기 실리콘 모재(110) 내부의 결합구조가 파괴되며, 이와 함께, 상기 복수개의 열화부(120)를 기점으로 상기 실리콘 모재(110)의 박리가 일어나, 일정 두께의 초박형 실리콘 기판이 분리될 수 있다.As described above, the
따라서, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 실리콘 모재(110)는, 리프트 오프된 상기 실리콘 모재(110)의 일부 영역(110a)과 잔존 실리콘 모재(110b)로 구분될 수 있다.Therefore, as illustrated in FIG. 8, the
이때, 리프트 오프된 상기 실리콘 모재(110)의 일부 영역(110a)은 본 발명에 따른 실리콘 기판을 구성하는 것이므로, 이하, 리프트 오프된 상기 실리콘 모재(110)의 일부 영역(110a)을 실리콘 기판으로 정의하기로 한다.At this time, since the
한편, 상기 잔존 실리콘 모재(110b)는, 잔존 모재 측면(114b)을 포함하며, 이때, 상기 잔존 모재 측면(114b)은 잔존 모재 제1측면(112b); 및 상기 잔존 모재 제1측면(112b)과 인접하여 위치하는 잔존 모재 제2측면(113b)을 포함한다.On the other hand, the remaining silicon base material (110b), the remaining base material side (114b), wherein the remaining base material side (114b) is the remaining base material first side (112b); And a remaining base material
또한, 상기 실리콘 기판(110a)은 실리콘 기판 측면(114a)을 포함하며, 이때, 상기 실리콘 기판 측면(114a)은 실리콘 기판 제1측면(112a); 및 상기 실리콘 기판 제1측면(112a)과 인접하여 위치하는 실리콘 기판 제2측면(113a)을 포함한다.In addition, the
이때, 상술한 바와 같이, 상기 스트레스층(130) 및 상기 실리콘 모재(110)의 일부 영역을 리프트 오프되는 것은, 상기 복수개의 열화부(120)를 기점으로 이루어지므로, 상기 잔존 실리콘 모재(110b) 및 상기 실리콘 기판(110a)은 각각 열화부(120)의 일부를 포함하게 된다.In this case, as described above, the lift-off of the partial regions of the
즉, 본 발명에서는, 상기 복수개의 열화부(120)는 제1열화부(121) 및 상기 제1열화부(121)와 이격하여 위치하는 제2열화부(122)를 포함하는데, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 복수개의 열화부(120)를 기점으로 상기 스트레스층(130) 및 상기 실리콘 모재(110)의 일부 영역을 리프트 오프 된다.That is, in the present invention, the plurality of
이 경우, 상기 실리콘 기판(110a)은 제1-1열화부(121a) 및 상기 제1-1열화부(121a)와 이격하여 위치하는 제1-2열화부(122a)를 포함하는 복수개의 열화부(120a)를 포함하고, 상기 잔존 실리콘 모재(110b)는 제2-1열화부(121b) 및 상기 제2-1열화부(121b)와 이격하여 위치하는 제2-2열화부(122b)를 포함하는 복수개의 열화부(120b)를 포함한다.In this case, the
이에 대해서는 후술하기로 한다.This will be described later.
다음으로, 도 1 및 도 10을 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 실리콘 기판의 제조방법은, 상기 스트레스층(130)을 제거하는 단계를 포함한다(S150).Next, referring to FIGS. 1 and 10, the method of manufacturing a silicon substrate according to the first embodiment of the present invention includes removing the stress layer 130 (S150).
즉, 상기 스트레스층(130)은 실리콘 모재(110)의 모재 표면(111)에 박리를 위한 힘을 가하기 위한 층이므로, 상기 리프트 오프된 층으로부터 상기 스트레스층(130)을 제거함으로써, 본 발명에 따른 초박형 실리콘 기판을 제조할 수 있다.That is, since the
이때, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 실리콘 기판(110a)은 실리콘 기판 측면(114a)을 포함하며, 이때, 상기 실리콘 기판 측면(114a)은 실리콘 기판 제1측면(112a); 및 상기 실리콘 기판 제1측면(112a)과 인접하여 위치하는 실리콘 기판 제2측면(113a)을 포함한다.In this case, as shown in FIG. 10, the
또한, 상술한 바와 같이, 상기 실리콘 기판(110a)은 제1-1열화부(121a) 및 상기 제1-1열화부(121a)와 이격하여 위치하는 제1-2열화부(122a)를 포함하는 복수개의 열화부(120a)를 포함한다.In addition, as described above, the
이때, 상기 제1-1열화부(121a) 및 상기 제1-2열화부(122a)의 경우, 상술한 실리콘 모재(110)의 제1열화부(121) 및 제2열화부(122)와 그 형태가 일부 상이하기는 하나, 상기 제1-1열화부(121a) 및 상기 제1-2열화부(122a)의 경우도 상기 제1열화부(121) 및 상기 제2열화부(122)와 동일한 방법으로 정의될 수 있다.In this case, in the case of the first-
즉, 상기 실리콘 기판(110a)의 복수개의 열화부(120a)는, 제1-1열화부(121a) 및 상기 제1-1열화부(121a)와 이격하여 위치하는 제1-2열화부(122a)를 포함하고, 상기 제1-1열화부(121a)는, 상기 실리콘 기판(110a)의 상기 실리콘 기판 측면(114a), 예를 들면, 실리콘 기판 제1측면(112a)의 최외곽 면의 제1지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판(110a)의 길이 방향(도 6의 X 방향)으로 제1길이를 갖는 지점까지 형성되며, 이때, 상기 제1-1열화부(121a)는, 상기 실리콘 기판(110a)의 표면 영역에 형성되는 것을 특징으로 한다.That is, the plurality of
또한, 상기 제1-2열화부(122a)는, 상기 실리콘 기판(110a)의 상기 실리콘 기판 측면(114a), 예를 들면, 실리콘 기판 제1측면(112a)의 최외곽 면의 제2지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판(110a)의 길이 방향(도 6의 X 방향)으로 제2길이를 갖는 지점까지 형성되며, 이때, 상기 제1-2열화부(122a)는, 상기 실리콘 기판(110a)의 표면 영역에 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the first-
한편, 상술한 바와 같이, 상기 실리콘 기판(110a)은 실리콘 기판 표면(111a); 및 상기 실리콘 기판 표면(111a)의 측면에 위치하는 실리콘 기판 측면(114a)을 포함하며, 상기 실리콘 기판 측면(114a)은 실리콘 기판 제1측면(112a); 및 상기 실리콘 기판 제1측면(112a)과 인접하여 위치하는 실리콘 기판 제2측면(113a)을 포함한다.On the other hand, as described above, the silicon substrate (110a) is a silicon substrate surface (111a); And a silicon
또한, 상기 실리콘 기판 표면(111a)은 제1면(111a'); 및 상기 제1면의 반대면에 위치하는 제2면(111a'')을 포함하며, 상기 실리콘 기판(110a)의 복수개의 열화부(120a)는, 상기 실리콘 기판의 표면영역에 위치하되, 상기 실리콘 기판 표면(111a)의 제1면 및 제2면 중 적어도 어느 하나 이상의 면에 위치한다.In addition, the
즉, 도면에서는, 상기 실리콘 기판(110a)의 복수개의 열화부(120a)가 상기 실리콘 기판 표면(111a)의 제2면(111a'')에만 위치하는 것으로 도시하고 있으나, 이와는 달리, 상기 실리콘 기판(110a)의 복수개의 열화부(120a)는 상기 실리콘 기판 표면(111a)의 제1면(111a')에만 위치하거나, 또는, 상기 실리콘 기판(110a)의 복수개의 열화부(120a)는 상기 실리콘 기판 표면(111a)의 제1면(111a') 및 제2면(111a'')에 모두 위치할 수 있다.That is, although the plurality of
상기 실리콘 기판(110a)의 복수개의 열화부(120a)가, 상기 실리콘 기판 표면(111a)의 제1면(111a') 및 제2면(111a'')에 모두 위치하는 경우는, 상술한 도 8의 잔존 실리콘 모재(110b)를 실리콘 모재로 하여, 상기 S110 내지 S150 단계의 실리콘 기판을 제조하는 공정을 추가로 진행하는 경우에 해당할 수 있다.When the plurality of
즉, 상술한 도 8의 잔존 실리콘 모재(110b)를 실리콘 모재로 하는 경우, 상기 실리콘 모재인 잔존 실리콘 모재(110b)는 S110단계에서부터 열화부의 일부를 포함하게 된다.That is, when the remaining
보다 구체적으로, 상술한 도 8에서와 같이, 상기 잔존 실리콘 모재(110b)는 제2-1열화부(121b) 및 상기 제2-1열화부(121b)와 이격하여 위치하는 제2-2열화부(122b)를 포함하는 복수개의 열화부(120b)를 포함한다.More specifically, as shown in FIG. 8, the remaining
즉, 상기 실리콘 모재인 잔존 실리콘 모재(110b)는, S110단계에서부터 예를 들어, 상기 잔존 실리콘 모재(110b)의 표면의 제1면에 복수개의 열화부(120b)를 포함하게 되고, 상기 S110 내지 S150 단계의 실리콘 기판을 제조하는 공정을 추가로 진행한 이후에는, 상기 잔존 실리콘 모재(110b)의 표면의 제2면에 복수개의 열화부가 형성이 될 것이다.That is, the remaining
따라서, 상술한 상기 실리콘 기판(110a)의 복수개의 열화부(120a)가, 상기 실리콘 기판 표면(111a)의 제1면(111a') 및 제2면(111a'')에 모두 위치하는 경우가 발생할 수 있다.Therefore, when the plurality of
이로써, 본 발명의 제1실시예에 따른 실리콘 기판을 제조할 수 있다.Thus, the silicon substrate according to the first embodiment of the present invention can be manufactured.
도 11은 본 발명의 제1실시예에 따른 실리콘 기판을 포함하는 태양전지의 일예를 도시하는 개략적인 도면이고, 도 12는 본 발명의 제1실시예에 따른 실리콘 기판을 포함하는 태양전지의 다른예를 도시하는 개략적인 도면이다.11 is a schematic diagram illustrating an example of a solar cell including a silicon substrate according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 12 is another view of a solar cell including a silicon substrate according to a first embodiment of the present invention. It is a schematic diagram which shows an example.
도 11과 도 12에서의 태양전지는, 본 발명의 제1실시예에 따른 실리콘 기판의 복수개의 열화부의 위치가 상이한 것으로 이해될 수 있다.11 and 12, it can be understood that the positions of the plurality of deterioration parts of the silicon substrate according to the first embodiment of the present invention are different.
상술한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 상기 실리콘 기판(110a)은 제1-1열화부(121a) 및 상기 제1-1열화부(121a)와 이격하여 위치하는 제1-2열화부(122a)를 포함하는 복수개의 열화부(120a)를 포함한다.As described above, the
이때, 도 11에서는 상기 실리콘 기판(110a)의 복수개의 열화부(120a)가 상기 실리콘 기판 표면(111a)의 제2면(111a'', 도 10의 도면부호 참조)에 위치하고 있으며, 도 12에서는 상기 실리콘 기판(110a)의 복수개의 열화부(120a)가 상기 실리콘 기판 표면(111a)의 제1면(111a', 도 10의 도면부호 참조)에 위치하고 있다.In this case, in FIG. 11, a plurality of
이러한 상황에서, 본 발명의 제1실시예에 따른 실리콘 기판을 포함하는 태양전지의 일예(100)는, 상기 실리콘 기판(110a)의 제1면 상에 위치하는 박막 절연층(102); 상기 박막 절연층(102)의 상부에 위치하는 반사 방지코팅층(103); 상기 반사 방지코팅층(103)의 상부에 위치하는 핑거전극(104); 상기 실리콘 기판(110a)의 제2면 상에 위치하는 전극층(101)을 포함한다.In this situation, an example 100 of a solar cell including a silicon substrate according to a first embodiment of the present invention may include a thin
또한, 본 발명의 제1실시예에 따른 실리콘 기판을 포함하는 태양전지의 다른예(110')는, 상기 실리콘 기판(110a)의 제1면 상에 위치하는 박막 절연층(102'); 상기 박막 절연층(102')의 상부에 위치하는 반사 방지코팅층(103'); 상기 반사 방지코팅층(103')의 상부에 위치하는 핑거전극(104'); 상기 실리콘 기판(110a')의 제2면 상에 위치하는 전극층(101')을 포함한다.In addition, another example 110 'of a solar cell including a silicon substrate according to a first embodiment of the present invention includes: a thin film insulating layer 102' positioned on a first surface of the
이러한 태양전지의 구조는 당업계에서 자명한 사항이므로, 이하 구체적인 설명은 생략하기로 하며, 예를 들어, 한국 공개특허 10-2013-0088949의 내용을 참조할 수 있다.Since the structure of such a solar cell is obvious in the art, the following detailed description will be omitted and, for example, reference may be made to Korean Patent Publication No. 10-2013-0088949.
다만, 본 발명에서 태양전지의 구조에 제한을 두는 것은 아니다.However, the present invention is not limited to the structure of the solar cell.
이하에서는 본 발명의 제2실시예에 따른 실리콘 기판의 제조방법을 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing a silicon substrate according to a second embodiment of the present invention will be described.
본 발명의 제2실시예에 따른 실리콘 기판의 제조방법은 후술하는 바를 제외하고는, 상술한 제1실시예에 따른 실리콘 기판의 제조방법을 참조할 수 있다.A method of manufacturing the silicon substrate according to the second embodiment of the present invention may be referred to the method of manufacturing the silicon substrate according to the first embodiment described above, except as described below.
도 13 내지 도 19는 본 발명의 제2실시예에 따른 실리콘 기판의 제조방법을 설명하기 위한 모식도이다. 한편, 본 발명의 제2실시예에 따른 실리콘 기판의 제조방법에 관한 흐름도는 상기 도 1을 참조하기로 한다.13 to 19 are schematic views for explaining a method of manufacturing a silicon substrate according to a second embodiment of the present invention. Meanwhile, a flowchart of a method of manufacturing a silicon substrate according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1.
먼저, 도 1 및 도 13을 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 실리콘 기판의 제조방법은, 실리콘 모재(210)를 준비하는 단계를 포함한다(S110).First, referring to FIGS. 1 and 13, a method of manufacturing a silicon substrate according to a second embodiment of the present invention includes preparing a silicon base material 210 (S110).
상기 실리콘 모재(210)가 직육면체 형상인 경우, 상기 실리콘 모재(210)는 모재 표면(211); 및 상기 모재 표면(211)의 측면에 위치하는 모재 측면(214)을 포함하며, 이때, 상기 모재 측면(214)은 모재 제1측면(212); 및 상기 모재 제1측면(212)과 인접하여 위치하는 모재 제2측면(213)을 포함한다.When the
이때, 상기 모재 제1측면(212)은 상기 실리콘 모재(210)의 폭 방향(도 13의 Y 방향)으로 연장되는 면으로 정의할 수 있으며, 상기 모재 제2측면(213)은 상기 실리콘 모재(210)의 길이 방향(도 13의 X 방향)으로 연장되는 면으로 정의할 수 있다.At this time, the base material
이하에서는 설명의 편의를 위하여, 도 13의 X 방향을 상기 실리콘 모재(210)의 길이 방향으로 정의하고, 도 13의 Y 방향을 상기 실리콘 모재(210)의 폭 방향으로 정의하기로 하며, 또한, 도 13의 Z 방향을 상기 실리콘 모재(210)의 두께 방향으로 정의하기로 한다. Hereinafter, for convenience of description, the X direction of FIG. 13 is defined as the longitudinal direction of the
다음으로, 도 1 및 도 14를 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 실리콘 기판의 제조방법은, 상기 실리콘 모재(210)에 열화부(220)를 형성하는 단계를 포함한다(S120). Next, referring to FIGS. 1 and 14, a method of manufacturing a silicon substrate according to a second embodiment of the present invention includes forming a
보다 구체적으로, 상기 열화부(220)는, 상기 모재 제1측면(212)에 위치하는 일측 열화부(225); 및 상기 모재 제2측면(213)에 위치하는 타측 열화부(226)를 포함한다.More specifically, the
즉, 상기 일측 열화부(225)는, 상기 실리콘 모재(210)의 상기 모재 측면(214), 예를 들면, 상기 모재 제1측면(212)의 최외곽 면의 일정 지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 모재(210)의 길이 방향(도 14의 X 방향)으로 일정 길이를 갖는 지점까지 형성되며, 이때, 상기 일측 열화부(225)는, 상기 모재 표면(211)으로부터 상기 실리콘 모재(210)의 두께 방향(도 14의 -Z 방향)의 일정 깊이에 형성되는 것을 특징으로 한다.That is, the one
또한, 본 발명에서 상기 타측 열화부(226)는, 상기 실리콘 모재(210)의 상기 모재 측면(214), 예를 들면, 상기 모재 제2측면(213)의 최외곽 면의 일정 지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 모재(210)의 폭 방향(도 14의 Y 방향)으로 일정 길이를 갖는 지점까지 형성되며, 이때, 상기 타측 열화부(226)는, 상기 모재 표면(211)으로부터 상기 실리콘 모재(210)의 두께 방향(도 14의 -Z 방향)의 일정 깊이에 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the other
이때, 상기 일정 깊이는, 상기 실리콘 모재(210)로부터 박리되는 실리콘 기판의 두께를 결정하는 것으로, 이는 상술한 제1실시예와 동일하므로, 이하 구체적인 설명은 생략하기로 한다. At this time, the predetermined depth is to determine the thickness of the silicon substrate peeled off from the
정리하자면, 본 발명에 상기 열화부(220)는 모재 제1측면(212)에 위치하는 일측 열화부(225); 및 모재 제2측면(213)에 위치하는 타측 열화부(226)를 포함하고, 상기 일측 열화부(225)는, 일측 제1열화부(221) 및 상기 일측 제1열화부(221)와 이격하여 위치하는 일측 제2열화부(222)를 포함하며, 상기 타측 열화부(226)는, 타측 제3열화부(223) 및 상기 타측 제3열화부(223)와 이격하여 위치하는 타측 제4열화부(224)를 포함한다.In summary, the
이때, 상기 일측 제2열화부(222)는 상기 일측 제1열화부(221)로부터 이격하여 위치하므로, 상기 일측 제2열화부(222)와 상기 일측 제1열화부(221)는 비연속적으로 위치하는 것으로 이해될 수 있으며, 또한, 상기 타측 제4열화부(224)는 상기 타측 제3열화부(223)로부터 이격하여 위치하므로, 상기 타측 제4열화부(224)와 상기 타측 제3열화부(223)는 비연속적으로 위치하는 것으로 이해될 수 있다.In this case, since the one side
즉, 이와 같은 본 발명에 따른 상기 일측 열화부(225)는, 일측 제1열화부(221) 및 상기 일측 제1열화부(221)와 이격하여 위치하는 일측 제2열화부(222)를 포함하고, 상기 일측 제1열화부(221)는, 상기 실리콘 모재(210)의 상기 모재 측면(214), 예를 들면, 상기 모재 제1측면(212)의 최외곽 면의 제1지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 모재(210)의 길이 방향(도 14의 X 방향)으로 제1길이를 갖는 지점까지 형성되며, 또한, 상기 일측 제2열화부(222)는, 상기 실리콘 모재(210)의 상기 모재 측면(214), 예를 들면, 상기 모재 제1측면(212)의 최외곽 면의 제2지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 모재(210)의 길이 방향(도 14의 X 방향)으로 제2길이를 갖는 지점까지 형성된다.That is, the one
이때, 상기 일측 제1열화부(221)는, 상기 모재 표면(211)의 상부의 제1영역으로부터 상기 실리콘 모재(210)의 두께 방향(도 14의 -Z 방향)의 제1깊이에 형성되는 것을 특징으로 하고, 또한, 상기 일측 제2열화부(222)는, 상기 모재 표면(211)의 상부의 제2영역으로부터 상기 실리콘 모재(210)의 두께 방향(도 14의 -Z 방향)의 제2깊이에 형성되는 것을 특징으로 한다.At this time, the one side
또한, 이와 같은 본 발명에 따른 상기 타측 열화부(226)는, 타측 제3열화부(223) 및 상기 타측 제3열화부(223)와 이격하여 위치하는 타측 제4열화부(224)를 포함하고, 상기 타측 제3열화부(223)는, 상기 실리콘 모재(210)의 상기 모재 측면(214), 예를 들면, 상기 모재 제2측면(213)의 최외곽 면의 제1지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 모재(210)의 폭 방향(도 14의 Y 방향)으로 제1길이를 갖는 지점까지 형성되며, 또한, 상기 타측 제4열화부(224)는, 상기 실리콘 모재(210)의 상기 모재 측면(214), 예를 들면, 상기 모재 제2측면(213)의 최외곽 면의 제2지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 모재(210)의 폭 방향(도 14의 Y 방향)으로 제2길이를 갖는 지점까지 형성된다.In addition, the other
이때, 상기 타측 제3열화부(223)는, 상기 모재 표면(211)의 상부의 제1영역으로부터 상기 실리콘 모재(210)의 두께 방향(도 14의 -Z 방향)의 제1깊이에 형성되는 것을 특징으로 하고, 또한, 상기 타측 제4열화부(223)는, 상기 모재 표면(211)의 상부의 제2영역으로부터 상기 실리콘 모재(210)의 두께 방향(도 14의 -Z 방향)의 제2깊이에 형성되는 것을 특징으로 한다.In this case, the other
한편, 본 발명에 따른, 상기 실리콘 모재(210)에 열화부(220)를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재(210)에 일측 열화부(225)를 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 모재(210)에 타측 열화부(226)를 형성하는 단계를 포함한다.Meanwhile, according to the present invention, the forming of the
또한, 상기 실리콘 모재(210)에 일측 열화부(225)를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 일측 제1영역에 제1열화부(221)를 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 모재의 일측 제2영역에 제2열화부(222)를 형성하는 단계를 포함하며, 또한, 상기 실리콘 모재(210)에 타측 열화부(226)를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 타측 제1영역에 제3열화부(223)를 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 모재의 타측 제2영역에 제4열화부(224)를 형성하는 단계를 포함한다.In addition, the forming of one
이때, 본 발명에서 상기 실리콘 모재의 일측 제1영역에 제1열화부(221)를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재(210)의 모재 표면의 상부의 일측 제1영역에서 상기 실리콘 모재(210)의 두께 방향(도 14의 -Z 방향)으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재(210)의 길이 방향(도 14의 X 방향)으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계에 해당하며, 이를 통해, 상술한 바와 같은 제1열화부(221)를 제조할 수 있다.At this time, in the present invention, forming the
또한, 상기 실리콘 모재의 일측 제2영역에 제2열화부(222)를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재(210)의 모재 표면의 상부의 일측 제2영역에서 상기 실리콘 모재(210)의 두께 방향(도 14의 -Z 방향)으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재(210)의 길이 방향(도 14의 X 방향)으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계에 해당하며, 이를 통해, 상술한 바와 같은 제2열화부(222)를 제조할 수 있다.In addition, the forming of the
또한, 본 발명에서 상기 실리콘 모재의 타측 제1영역에 제3열화부(223)를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재(210)의 모재 표면의 상부의 타측 제1영역에서 상기 실리콘 모재(210)의 두께 방향(도 14의 -Z 방향)으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재(210)의 폭 방향(도 14의 Y 방향)으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계에 해당하며, 이를 통해, 상술한 바와 같은 제3열화부(223)를 제조할 수 있다.In the present invention, the forming of the
또한, 상기 실리콘 모재의 타측 제2영역에 제4열화부(224)를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재(210)의 모재 표면의 상부의 타측 제2영역에서 상기 실리콘 모재(210)의 두께 방향(도 14의 -Z 방향)으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재(210)의 폭 방향(도 14의 Y 방향)으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계에 해당하며, 이를 통해, 상술한 바와 같은 제4열화부(224)를 제조할 수 있다.The forming of the
또한, 상술한 제1실시예와 동일하게, 본 발명에서의 상기 실리콘 모재(210)에 일측 열화부(225)를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재(210)의 길이 방향(도 14의 X 방향)으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하게 되는데, 이때, 상기 실리콘 모재(210)의 길이 방향(도 14의 X 방향)으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 것은, 상기 실리콘 모재 이외의 영역에서부터 레이저의 조사를 시작하여, 상기 실리콘 모재의 영역에서 레이저의 조사를 종료하는 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, as in the first embodiment described above, the step of forming one
또한, 본 발명에서의 상기 실리콘 모재(210)에 타측 열화부(226)를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재(210)의 폭 방향(도 14의 Y 방향)으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하게 되는데, 이때, 상기 실리콘 모재(210)의 폭 방향(도 14의 Y 방향)으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 것은, 상기 실리콘 모재 이외의 영역에서부터 레이저의 조사를 시작하여, 상기 실리콘 모재의 영역에서 레이저의 조사를 종료하는 것을 특징으로 할 수 있다.In the forming of the other
다음으로, 도 1 및 도 15를 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 실리콘 기판의 제조방법은, 상기 실리콘 모재(210)의 모재 표면(211)의 상부에 스트레스층(230)을 형성하는 단계를 포함한다(S130). Next, referring to FIGS. 1 and 15, in the method of manufacturing the silicon substrate according to the second embodiment of the present invention, the
이는 상술한 제1실시예와 동일하므로, 이하 구체적인 설명은 생략하기로 한다.Since this is the same as the first embodiment described above, a detailed description thereof will be omitted.
다음으로, 도 1 및 도 16 내지 18를 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 실리콘 기판의 제조방법은, 상기 스트레스층(230) 및 상기 실리콘 모재(210)의 일부 영역(210a)을 리프트 오프하는 단계를 포함한다(S140). 이때, 도 16은 본 발명에 따른 리프트 오프 공정을 진행하는 과정에서의 박리방향을 설명하기 위한 도면이고, 도 17은 본 발명에 따른 리프트 오프 공정을 진행하는 과정을 설명하기 위한 모식도이며, 도 18은 상기 스트레스층(230) 및 상기 실리콘 모재(210)의 일부 영역(110a)이 리프트 오프된 상태를 도시하는 모식도이다.Next, referring to FIGS. 1 and 16 to 18, in the method of manufacturing a silicon substrate according to the second embodiment of the present invention, the
먼저, 도 16에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에서는, 모재 제1측면(212)에 형성된 일측 열화부(225); 및 모재 제2측면(213)에 형성된 타측 열화부(226)를 포함하기 때문에, 박리가 일어나는 방향은 상기 일측 열화부(225)가 위치하는 모재 제1측면(212)과 상기 타측 열화부(226)가 위치하는 모재 제2측면(213)이 만나는 제1지점으로부터 시작하여, 상기 제1지점의 대각선 방향(도 16의 A 방향)으로 진행한다.First, as shown in FIG. 16, in the second embodiment of the present invention, one
한편, 상술한 바와 같이, 상기 스트레스층(230)은 실리콘 모재(210)의 모재 표면(211)에 박리를 위한 힘을 가할 수 있는 층으로, 본 발명에서 상기 실리콘 모재(210)의 모재 표면(211)의 상부에 스트레스층, 예를 들면, 금속층이 형성되면, 상기 금속층의 인장 응력(Tensile stress)에 의하여 상기 실리콘 모재(210) 내부의 결합구조가 파괴되며, 이와 함께, 상기 모재 제1측면(212)과 상기 모재 제2측면(213)이 만나는 제1지점으로부터 시작하여, 상기 제1지점의 대각선 방향(도 16의 A 방향)으로 박리가 진행되어, 일정 두께의 초박형 실리콘 기판이 분리될 수 있다.On the other hand, as described above, the
따라서, 도 17에 도시된 바와 같이, 상기 실리콘 모재(210)는, 리프트 오프된 상기 실리콘 모재(210)의 일부 영역(210a)과 잔존 실리콘 모재(210b)로 구분될 수 있다.Therefore, as illustrated in FIG. 17, the
이때, 리프트 오프된 상기 실리콘 모재(210)의 일부 영역(210a)은 본 발명에 따른 실리콘 기판을 구성하는 것이므로, 이하, 리프트 오프된 상기 실리콘 모재(210)의 일부 영역(210a)을 실리콘 기판으로 정의하기로 한다.In this case, since the
한편, 상기 잔존 실리콘 모재(210b)는, 잔존 모재 측면(214b)을 포함하며, 이때, 상기 잔존 모재 측면(214b)은 잔존 모재 제1측면(212b); 및 상기 잔존 모재 제1측면(212b)과 인접하여 위치하는 잔존 모재 제2측면(213b)을 포함한다.Meanwhile, the remaining
또한, 상기 실리콘 기판(210a)은 실리콘 기판 측면(214a)을 포함하며, 이때, 상기 실리콘 기판 측면(214a)은 실리콘 기판 제1측면(212a); 및 상기 실리콘 기판 제1측면(212a)과 인접하여 위치하는 실리콘 기판 제2측면(213a)을 포함한다.In addition, the
이때, 상술한 바와 같이, 상기 스트레스층(230) 및 상기 실리콘 모재(210)의 일부 영역을 리프트 오프되는 것은, 상기 복수개의 열화부(220)를 기점으로 이루어지므로, 상기 잔존 실리콘 모재(210b) 및 상기 실리콘 기판(210a)은 각각 열화부(220)의 일부를 포함하게 된다.In this case, as described above, the lift-off of the partial regions of the
즉, 상기 실리콘 기판(210a)은, 일측 제1-1열화부(221a) 및 상기 일측 제1-1열화부(221a)와 이격하여 위치하는 일측 제1-2열화부(222a)를 포함하는 복수개의 일측 열화부(225a)를 포함하고, 또한, 타측 제1-3열화부(223a) 및 상기 타측 제1-3열화부(223a)와 이격하여 위치하는 타측 제1-4열화부(224a)를 포함하는 복수개의 타측 열화부(226a)를 포함한다.That is, the
또한, 상기 잔존 실리콘 모재(210b)는, 일측 제2-1열화부(221b) 및 상기 일측 제2-1열화부(221b)와 이격하여 위치하는 일측 제2-2열화부(222b)를 포함하는 복수개의 일측 열화부(225b)를 포함하고, 또한, 타측 제2-3열화부(223b) 및 상기 타측 제2-3열화부(223b)와 이격하여 위치하는 타측 제2-4열화부(224b)를 포함하는 복수개의 타측 열화부(226b)를 포함한다.In addition, the remaining
이에 대해서는 후술하기로 한다.This will be described later.
다음으로, 도 1 및 도 19를 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 실리콘 기판의 제조방법은, 상기 스트레스층(230)을 제거하는 단계를 포함한다(S150).Next, referring to FIGS. 1 and 19, a method of manufacturing a silicon substrate according to a second embodiment of the present invention includes removing the stress layer 230 (S150).
즉, 상기 스트레스층(230)은 실리콘 모재(210)의 모재 표면(211)에 박리를 위한 힘을 가하기 위한 층이므로, 상기 리프트 오프된 층으로부터 상기 스트레스층(230)을 제거함으로써, 본 발명에 따른 초박형 실리콘 기판을 제조할 수 있다.That is, since the
이때, 상술한 바와 같이, 상기 실리콘 기판(210a)은 실리콘 기판 측면(214a)을 포함하며, 이때, 상기 실리콘 기판 측면(214a)은 실리콘 기판 제1측면(212a); 및 상기 실리콘 기판 제1측면(212a)과 인접하여 위치하는 실리콘 기판 제2측면(213a)을 포함한다.In this case, as described above, the
또한, 상술한 바와 같이, 상기 실리콘 기판(210a)은, 일측 제1-1열화부(221a) 및 상기 일측 제1-1열화부(221a)와 이격하여 위치하는 일측 제1-2열화부(222a)를 포함하는 복수개의 일측 열화부(225a)를 포함하고, 또한, 타측 제1-3열화부(223a) 및 상기 타측 제1-3열화부(223a)와 이격하여 위치하는 타측 제1-4열화부(224a)를 포함하는 복수개의 타측 열화부(226a)를 포함한다.In addition, as described above, the
이때, 상기 일측 제1-1열화부(221a)는, 상기 실리콘 기판 제1측면(212a)의 최외곽 면의 제1지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판(210a)의 길이 방향(도 19의 X 방향)으로 제1길이를 갖는 지점까지 형성되며, 이때, 상기 일측 제1-1열화부(221a)는, 상기 실리콘 기판(210a)의 표면 영역에 형성되는 것을 특징으로 한다.In this case, the one-side first-
또한, 상기 일측 제1-2열화부(222a)는, 상기 실리콘 기판 제1측면(212a)의 최외곽 면의 제2지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판(210a)의 길이 방향(도 19의 X 방향)으로 제2길이를 갖는 지점까지 형성되며, 이때, 일측 제1-2열화부(222a)는, 상기 실리콘 기판(110a)의 표면 영역에 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the one side 1-2
또한, 상기 타측 제1-3열화부(223a)는, 상기 실리콘 기판 제2측면(213a)의 최외곽 면의 제1지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판(210a)의 폭 방향(도 19의 Y 방향)으로 제1길이를 갖는 지점까지 형성되며, 이때, 상기 타측 제1-3열화부(223a)는, 상기 실리콘 기판(210a)의 표면 영역에 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the other side 1-3
또한, 상기 타측 제1-4열화부(224a)는, 상기 실리콘 기판 제2측면(213a)의 최외곽 면의 제2지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판(210a)의 폭 방향(도 19의 Y 방향)으로 제2길이를 갖는 지점까지 형성되며, 이때, 타측 제1-4열화부(224a)는, 상기 실리콘 기판(110a)의 표면 영역에 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the other side 1-4
한편, 상술한 바와 같이, 상기 실리콘 기판(210a)은 실리콘 기판 표면(211a); 및 상기 실리콘 기판 표면(211a)의 측면에 위치하는 실리콘 기판 측면(214a)을 포함하며, 상기 실리콘 기판 측면(214a)은 실리콘 기판 제1측면(212a); 및 상기 실리콘 기판 제1측면(212a)과 인접하여 위치하는 실리콘 기판 제2측면(213a)을 포함한다.Meanwhile, as described above, the
또한, 상기 실리콘 기판 표면(211a)은 제1면(211a'); 및 상기 제1면의 반대면에 위치하는 제2면(211a'')을 포함하며, 상기 복수개의 일측 열화부(225a) 및 상기 복수개의 타측 열화부(226a)를 포함하는 복수개의 열화부(220a)는, 상기 실리콘 기판의 표면영역에 위치하되, 상기 실리콘 기판 표면(211a)의 제1면 및 제2면 중 적어도 어느 하나 이상의 면에 위치한다.In addition, the
즉, 도면에서는, 상기 복수개의 열화부(220a)가 상기 실리콘 기판 표면(211a)의 제2면(211a'')에만 위치하는 것으로 도시하고 있으나, 이와는 달리, 상기 복수개의 열화부(220a)는 상기 실리콘 기판 표면(211a)의 제1면(211a')에만 위치하거나, 또는, 상기 복수개의 열화부(220a)는 상기 실리콘 기판 표면(211a)의 제1면(211a') 및 제2면(211a'')에 모두 위치할 수 있다. 이는 상술한 제1실시예와 동일한 논리이므로, 이하 구체적인 설명은 생략하기로 한다.That is, in the drawing, the plurality of
이로써, 본 발명의 제1실시예에 따른 실리콘 기판을 제조할 수 있다.Thus, the silicon substrate according to the first embodiment of the present invention can be manufactured.
이상과 같이, 본 발명에서는, 초박형 실리콘 기판을 제조함에 있어서, 박리가 진행될 수 있는 열화부를 형성함으로써, 임계 스트레스층에 의한 박리 공정의 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.As described above, in the present invention, in the manufacture of an ultra-thin silicon substrate, by forming a deterioration portion through which peeling can proceed, the efficiency of the peeling process by the critical stress layer can be further improved.
또한, 실리콘 모재의 측면의 최외곽 면에 열화부를 형성하여, 상기 실리콘 모재의 측면의 최외곽 면으로부터 초기 박리가 수행되도록 함으로써, 에지 손실 없이 실리콘 모재를 박리하여, 고품질의 초박형 실리콘 기판을 제조할 수 있다.In addition, by forming a deterioration on the outermost surface of the side of the silicon base material, so that the initial peeling is performed from the outermost surface of the side of the silicon base material, the silicon base material is peeled off without edge loss, thereby producing a high quality ultra-thin silicon substrate. Can be.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. You will understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.
Claims (10)
상기 실리콘 기판 표면의 측면에 위치하는 실리콘 기판 측면을 포함하고,
상기 실리콘 기판은 복수개의 열화부를 포함하며,
상기 열화부는, 상기 실리콘 기판 측면의 최외곽 면으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판의 길이 방향으로 일정 길이를 갖는 지점까지 형성되며, 상기 열화부는, 상기 실리콘 기판의 표면 영역에 형성되고,
상기 실리콘 기판은 상기 열화부를 따라 상기 길이 방향으로 초기박리가 일어난 것인 실리콘 기판.Silicon substrate surface; And
A silicon substrate side located at the side of the silicon substrate surface,
The silicon substrate includes a plurality of deterioration parts,
The deterioration part is formed at a point having a predetermined length in the longitudinal direction of the silicon substrate, starting from the outermost surface of the side surface of the silicon substrate, and the deterioration part is formed in the surface region of the silicon substrate,
The silicon substrate is a silicon substrate in which the initial peeling occurs in the longitudinal direction along the deterioration.
상기 실리콘 기판 표면은, 제1면; 및 상기 제1면의 반대면에 위치하는 제2면을 포함하고,
상기 실리콘 기판 측면은, 실리콘 기판 제1측면; 및 상기 실리콘 기판 제1측면과 인접하여 위치하는 실리콘 기판 제2측면을 포함하는 실리콘 기판.The method of claim 1,
The silicon substrate surface, the first surface; And a second surface positioned opposite to the first surface,
The silicon substrate side may include a silicon substrate first side; And a silicon substrate second side positioned adjacent to the silicon substrate first side.
상기 복수개의 열화부는, 상기 실리콘 기판 제1측면에 형성되고, 제1-1열화부; 및 상기 제1-1열화부와 이격하여 위치하는 제1-2열화부를 포함하며,
상기 제1-1열화부는, 상기 실리콘 기판 제1측면의 최외곽 면의 제1지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판의 길이 방향으로 제1길이를 갖는 지점까지 형성되며,
상기 제1-2열화부는, 상기 실리콘 기판 제1측면의 최외곽 면의 제2지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판의 길이 방향으로 제2길이를 갖는 지점까지 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판.The method of claim 2,
The plurality of deterioration parts may be formed on the first side of the silicon substrate, and the first-first deterioration parts; And a 1-2 deterioration part positioned to be spaced apart from the 1-1 deterioration part.
The first-first deterioration part is formed from a first point of the outermost surface of the first side surface of the silicon substrate to a point having a first length in the longitudinal direction of the silicon substrate,
And the first-second deterioration part is formed from a second point of the outermost surface of the first side surface of the silicon substrate to a point having a second length in the longitudinal direction of the silicon substrate.
상기 복수개의 열화부는, 상기 실리콘 기판 제1측면에 형성되는 복수개의 일측 열화부; 및 상기 실리콘 기판 제2측면에 형성되는 복수개의 타측 열화부를 포함하고,
상기 복수개의 일측 열화부는, 일측 제1-1열화부 및 상기 일측 제1-1열화부와 이격하여 위치하는 일측 제1-2열화부를 포함하고, 상기 복수개의 타측 열화부는, 타측 제1-3열화부 및 상기 타측 제1-3열화부와 이격하여 위치하는 타측 제1-4열화부를 포함하며,
상기 일측 제1-1열화부는, 상기 실리콘 기판 제1측면의 최외곽 면의 제1지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판의 길이 방향으로 제1길이를 갖는 지점까지 형성되고,
상기 일측 제1-2열화부는, 상기 실리콘 기판 제1측면의 최외곽 면의 제2지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판의 길이 방향으로 제2길이를 갖는 지점까지 형성되며,
상기 타측 제1-3열화부는, 상기 실리콘 기판 제2측면의 최외곽 면의 제1지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판의 폭 방향으로 제1길이를 갖는 지점까지 형성되고,
상기 타측 제1-4열화부는, 상기 실리콘 기판 제2측면의 최외곽 면의 제2지점으로부터 시작하여, 상기 실리콘 기판의 폭 방향으로 제2길이를 갖는 지점까지 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판.The method of claim 2,
The plurality of degradation units may include a plurality of one side degradation units formed on the first side of the silicon substrate; And a plurality of other degradation parts formed on the second side of the silicon substrate.
The plurality of one side deterioration parts may include one side 1-2 deterioration part and one side 1-2 deterioration part positioned to be spaced apart from the one side 1-1 deterioration part, and the plurality of other side deterioration parts may include the other side 1-3. And a deterioration part and the other side 1-4 deterioration part positioned to be spaced apart from the other 1-3 deterioration part.
The one-side first-first deterioration part is formed from a first point of the outermost surface of the first side of the silicon substrate to a point having a first length in the longitudinal direction of the silicon substrate,
The one side 1-2 deterioration part is formed starting from a second point of the outermost surface of the first side surface of the silicon substrate to a point having a second length in the longitudinal direction of the silicon substrate,
The other side 1-3 deterioration part is formed starting from the first point of the outermost surface of the second side surface of the silicon substrate to a point having a first length in the width direction of the silicon substrate,
And the second side 1-4 deterioration part is formed from a second point of the outermost surface of the second side surface of the silicon substrate to a point having a second length in the width direction of the silicon substrate.
상기 복수개의 열화부는, 상기 실리콘 기판 표면의 상기 제1면 및 상기 제2면 중 적어도 어느 하나 이상의 면에 위치하는 실리콘 기판.The method according to claim 3 or 4,
And the plurality of deterioration parts are positioned on at least one or more of the first and second surfaces of the silicon substrate surface.
상기 실리콘 모재에 열화부를 형성하는 단계;
상기 실리콘 모재의 모재 표면의 상부에 스트레스층을 형성하는 단계;
상기 스트레스층 및 상기 실리콘 모재의 일부 영역을 리프트 오프하는 단계; 및
상기 스트레스층을 제거하는 단계를 포함하고,
상기 실리콘 모재에 열화부를 형성하는 단계는,
상기 실리콘 모재의 모재 표면의 상부에서 상기 실리콘 모재의 두께 방향으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재의 길이 방향으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계이고,
상기 실리콘 모재의 길이 방향으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계는, 상기 실리콘 모재 이외의 영역에서부터 레이저의 조사를 시작하여, 상기 실리콘 모재의 영역에서 레이저의 조사를 종료하는 것이며,
상기 실리콘 모재는 상기 열화부를 따라 상기 길이 방향으로 초기박리가 일어나는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 제조방법.Preparing a silicon base material;
Forming a deterioration part on the silicon base material;
Forming a stress layer on an upper surface of the base material of the silicon base material;
Lifting off the stress layer and a portion of the silicon base material; And
Removing the stress layer,
Forming the deterioration portion on the silicon base material,
Irradiating a laser in the thickness direction of the silicon base material on the upper surface of the base material of the silicon base material, irradiating the laser while moving in the longitudinal direction of the silicon base material,
The irradiating the laser while moving in the longitudinal direction of the silicon base material is to start irradiation of the laser from a region other than the silicon base material and to terminate the irradiation of the laser in the area of the silicon base material,
The silicon base material manufacturing method of the silicon substrate, characterized in that the initial peeling occurs in the longitudinal direction along the deterioration.
상기 실리콘 모재는, 모재 표면; 및 상기 모재 표면의 측면에 위치하는 모재 측면을 포함하고,
상기 모재 표면은, 제1면; 및 상기 제1면의 반대면에 위치하는 제2면을 포함하고,
상기 모재 측면은, 모재 제1측면; 및 상기 모재 제1측면과 인접하여 위치하는 모재 제2측면을 포함하는 실리콘 기판의 제조방법.The method of claim 6,
The silicon base material, the base material surface; And a base material side surface positioned at the side of the base material surface,
The base material surface, the first surface; And a second surface positioned opposite to the first surface,
The base material side surface, a base material first side; And a base material second side surface positioned adjacent to the base material first side surface.
상기 실리콘 모재에 열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 제1영역에 제1열화부를 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 모재의 제2영역에 제2열화부를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 실리콘 모재의 제1영역에 제1열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 모재 표면의 상부의 제1영역에서 상기 실리콘 모재의 두께 방향으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재의 길이 방향으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계이고,
상기 실리콘 모재의 제2영역에 제2열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 모재 표면의 상부의 제2영역에서 상기 실리콘 모재의 두께 방향으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재의 길이 방향으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계인 실리콘 기판의 제조방법.The method of claim 7, wherein
The forming of the deterioration part on the silicon base material may include forming a first deterioration part on the first region of the silicon base material; And forming a second deterioration part in the second region of the silicon base material,
The forming of the first deterioration part in the first region of the silicon base material may include: irradiating a laser in the thickness direction of the silicon base material in a first area of the upper surface of the base material of the silicon base material, and moving in the longitudinal direction of the silicon base material; Irradiating the laser while
The forming of the second deterioration part in the second region of the silicon base material may include: irradiating a laser in the thickness direction of the silicon base material in a second area of the upper surface of the base material of the silicon base material, and moving in the longitudinal direction of the silicon base material; The method of manufacturing a silicon substrate while irradiating the laser.
상기 실리콘 모재에 열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재에 일측 열화부를 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 모재에 타측 열화부를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 실리콘 모재에 일측 열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 일측 제1영역에 제1열화부를 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 모재의 일측 제2영역에 제2열화부를 형성하는 단계를 포함하며,
상기 실리콘 모재에 타측 열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 타측 제1영역에 제3열화부를 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 모재의 타측 제2영역에 제4열화부를 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 기판의 제조방법.The method of claim 7, wherein
The forming of the deterioration part on the silicon base material may include forming one deterioration part on the silicon base material; And forming the other side deterioration part in the silicon base material,
The forming of one side degradation part in the silicon base material may include: forming a first degradation part in one side first region of the silicon base material; And forming a second deterioration part in one side second region of the silicon base material,
The forming of the other side deterioration part on the silicon base material may include: forming a third deterioration part on the other side first region of the silicon base material; And forming a fourth deterioration part in the second second region of the silicon base material.
상기 실리콘 모재의 일측 제1영역에 제1열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 모재 표면의 상부의 일측 제1영역에서 상기 실리콘 모재의 두께 방향으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재의 길이 방향으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계이고,
상기 실리콘 모재의 일측 제2영역에 제2열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 모재 표면의 상부의 일측 제2영역에서 상기 실리콘 모재의 두께 방향으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재의 길이 방향으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계이며,
상기 실리콘 모재의 타측 제1영역에 제3열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 모재 표면의 상부의 타측 제1영역에서 상기 실리콘 모재의 두께 방향으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재의 폭 방향으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계이고,
상기 실리콘 모재의 타측 제2영역에 제4열화부를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 모재의 모재 표면의 상부의 타측 제2영역에서 상기 실리콘 모재의 두께 방향으로 레이저를 조사하되, 상기 실리콘 모재의 폭 방향으로 이동하면서 상기 레이저를 조사하는 단계인 실리콘 기판의 제조방법.The method of claim 9,
The forming of the first deterioration part in the first region on one side of the silicon base material may include: irradiating a laser in a thickness direction of the silicon base material in the first area on one side of the upper surface of the base material of the silicon base material, in the longitudinal direction of the silicon base material; Irradiating the laser while moving to,
The forming of the second deterioration part in the second region on one side of the silicon base material may include: irradiating a laser in a thickness direction of the silicon base material in one side second area of the upper surface of the base material of the silicon base material, Irradiating the laser while moving to,
In the forming of the third deterioration part in the first region on the other side of the silicon base material, the laser is irradiated in the thickness direction of the silicon base material in the first area on the other side of the upper surface of the base material of the silicon base material, but in the width direction of the silicon base material. Irradiating the laser while moving to,
The forming of the fourth deterioration part in the second second region of the silicon base material may include: irradiating a laser in the thickness direction of the silicon base material in the second second area of the upper surface of the base material of the silicon base material, in the width direction of the silicon base material; Irradiating the laser while moving to the method of manufacturing a silicon substrate.
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