KR102042480B1 - Light emitting device, and lighting system - Google Patents
Light emitting device, and lighting system Download PDFInfo
- Publication number
- KR102042480B1 KR102042480B1 KR1020130084885A KR20130084885A KR102042480B1 KR 102042480 B1 KR102042480 B1 KR 102042480B1 KR 1020130084885 A KR1020130084885 A KR 1020130084885A KR 20130084885 A KR20130084885 A KR 20130084885A KR 102042480 B1 KR102042480 B1 KR 102042480B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- light emitting
- emitting device
- device package
- variable
- Prior art date
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 33
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 26
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 239000011162 core material Substances 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910020599 Co 3 O 4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000002597 Solanum melongena Nutrition 0.000 description 1
- 244000061458 Solanum melongena Species 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000000071 blow moulding Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000013035 low temperature curing Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
Abstract
실시예는 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 몸체; 상기 몸체 상에 서로 이격되어 배치된 제1 전극과 제2 전극; 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 전기적으로 연결된 발광소자; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 통전가변부(通電可變部);를 포함하고, 상기 통전가변부는 결합부재와, 상기 결합부재 내에 분산된 통전가변입자;를 포함할 수 있다.Embodiments relate to a light emitting device package and an illumination system.
The light emitting device package according to the embodiment includes a body; First and second electrodes spaced apart from each other on the body; A light emitting device electrically connected to the first electrode and the second electrode; And a current-carrying variable portion disposed between the first electrode and the second electrode, wherein the current-carrying variable portion includes a coupling member and conductive current-variable particles dispersed in the coupling member. .
Description
실시예는 발광소자 패키지, 그 제조방법 및 조명시스템에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device package, a method for manufacturing the same, and an illumination system.
발광소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로서, 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 생성될 수 있고 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.Light Emitting Device is a pn junction diode that converts electrical energy into light energy. It can be produced by compound semiconductors such as Group III and Group V on the periodic table, and various colors can be realized by adjusting the composition ratio of compound semiconductors. It is possible.
발광소자는 순방향전압 인가 시 n층의 전자와 p층의 정공(hole)이 결합하여 전도대(Conduction band)와 가전대(Valance band)의 밴드갭 에너지에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 이 에너지는 주로 열이나 빛의 형태로 방출되며, 빛의 형태로 발산되면 발광소자가 되는 것이다.When the forward voltage is applied, the n-layer electrons and the p-layer holes combine to emit energy corresponding to the bandgap energy of the conduction band and the valence band. Is mainly emitted in the form of heat or light, and emits light in the form of light emitting elements.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.For example, nitride semiconductors are receiving great attention in the field of optical devices and high power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. In particular, blue light emitting devices, green light emitting devices, and ultraviolet light emitting devices using nitride semiconductors are commercially used and widely used.
한편, 발광소자 패키지의 경우 ESD(Electrostatic discharge)에 의한 발광소자 파괴 발생을 방지하기 위해, EDS 방지소자, 예를 들어 Zener 다이오드나 바리스터 등을 실장한다.On the other hand, in the case of the light emitting device package, in order to prevent the destruction of the light emitting device due to electrostatic discharge (ESD), an EDS prevention device, for example, a Zener diode or a varistor or the like is mounted.
그런데, 종래기술의 ESD 방지소자는 다이본딩, 와이어 본딩(Wire Bonding)을 사용함으로 공정이 추가되고, 실장면적이 필요하며, 나아가 ESD 방지소자의 광흡수에 의해 광손실이 발생하는 문제가 있다.However, the ESD protection device of the related art has a problem in that a process is added by using die bonding and wire bonding, a mounting area is required, and light loss occurs due to light absorption of the ESD protection device.
실시예는 ESD 방지소자의 실장면적을 줄임으로써 컴팩트한(Compact) 패키지 제작이 가능하고, 설계자유도가 증가하는 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.Embodiments provide a light emitting device package and a lighting system which can manufacture a compact package by reducing the mounting area of an ESD protection device and increase design freedom.
또한, 실시예에 의하면 ESD 방지소자에 의한 광손실을 방지하여 광효율을 높일 수 있는 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.In addition, the embodiment provides a light emitting device package and a lighting system that can increase the light efficiency by preventing the light loss by the ESD protection device.
또한, 실시예는 공정시간 및 공정비용 절감이 가능한 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.In addition, the embodiment is to provide a light emitting device package and lighting system capable of reducing the process time and process cost.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 몸체; 상기 몸체 상에 서로 이격되어 배치된 제1 전극과 제2 전극; 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 전기적으로 연결된 발광소자; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 통전가변부(通電可變部);를 포함하고, 상기 통전가변부는 결합부재와, 상기 결합부재 내에 분산된 통전가변입자;를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment includes a body; First and second electrodes spaced apart from each other on the body; A light emitting device electrically connected to the first electrode and the second electrode; And a current-carrying variable portion disposed between the first electrode and the second electrode, wherein the current-carrying variable portion includes a coupling member and conductive current-variable particles dispersed in the coupling member. .
또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지는 몸체; 상기 몸체 상에 이격되어 배치된 제1 전극과 제2 전극; 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 전기적으로 연결된 발광소자; 상기 발광소자 상에 몰딩부재; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 통전가변부(通電可變部);를 포함하고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 서로 마주보는 면에서 돌출 전극을 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment body; First and second electrodes spaced apart from each other on the body; A light emitting device electrically connected to the first electrode and the second electrode; A molding member on the light emitting device; An electrically conductive variable portion disposed between the first electrode and the second electrode may be included, and the first electrode and the second electrode may include protruding electrodes on surfaces facing each other.
또한, 실시예에 따른 조명시스템은 상기 발광소자 패키지를 구비하는 발광유닛을 포함할 수 있다.In addition, the lighting system according to the embodiment may include a light emitting unit having the light emitting device package.
실시예에 의하면 ESD 방지소자 실장공정을 생략하고 리드 프레임 사이에 통전가변부(通電可變部)를 배치하여 ESD 방지소자의 실장면적을 줄임으로써 컴팩트한(Compact) 패키지 제작이 가능하고, 설계자유도가 증가할 수 있는 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.According to the embodiment, a compact package can be manufactured by eliminating the ESD protection device mounting process and disposing a current-carrying variable portion between the lead frames to reduce the mounting area of the ESD protection device. It is possible to provide a light emitting device package and a lighting system that can be increased.
또한, 실시예에 의하면 ESD 방지소자 실장공정을 생략함으로써 ESD 방지소자에 의한 광손실을 방지하여 광효율을 높일 수 있는 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.In addition, according to the embodiment, it is possible to provide a light emitting device package and a lighting system that can increase the light efficiency by preventing the light loss by the ESD protection device by eliminating the ESD protection device mounting process.
또한, 실시예는 별도의 ESD 방지소자 실장공정을 생략하고 리드 프레임 사이에 통전가변부를 배치하여 종래기술의 Zener 다이오드 다이본딩, 와이어 본딩 공정 생략이 가능하며, 공정시간 및 공정비용 절감이 가능한 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.In addition, the embodiment omits a separate ESD protection device mounting process and can be omitted in the prior art Zener diode die bonding, wire bonding process by arranging the conduction variable between the lead frame, the light emitting device can reduce the process time and process cost Packages and lighting systems can be provided.
도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 부분 확대도.
도 3은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조공정 예시도.
도 4는 실시예에 따른 발광소자 패키지에서 통전가변입자 첨가에 따른 표면저항 변화량.
도 5는 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 부분 확대도.
도 6은 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지의 부분 확대도.
도 7은 제4 실시예에 따른 발광소자 패키지의 부분 확대도.
도 8은 제5 실시예에 따른 발광소자 패키지의 부분 확대도.
도 9은 제6 실시예에 따른 발광소자 패키지의 부분 확대도.
도 10은 제7 실시예에 따른 발광소자 패키지의 부분 확대도.
도 11은 제8 실시예에 따른 발광소자 패키지의 부분 확대도.
도 12은 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 13은 실시예에 따른 조명장치의 예시도.1 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to the embodiment.
2 is a partially enlarged view of a light emitting device package according to the first embodiment;
3 is an exemplary manufacturing process of a light emitting device package according to the embodiment.
4 is a surface resistance change amount according to the addition of the electrically conductive variable particles in the light emitting device package according to the embodiment.
5 is a partially enlarged view of a light emitting device package according to a second embodiment;
6 is a partially enlarged view of a light emitting device package according to the third embodiment;
7 is a partially enlarged view of a light emitting device package according to the fourth embodiment;
8 is a partially enlarged view of a light emitting device package according to a fifth embodiment;
9 is a partially enlarged view of a light emitting device package according to a sixth embodiment;
10 is a partially enlarged view of a light emitting device package according to the seventh embodiment;
11 is a partially enlarged view of a light emitting device package according to an eighth embodiment;
12 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another embodiment.
13 is an exemplary view of a lighting apparatus according to the embodiment.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of an embodiment, each layer, region, pattern, or structure is “on / over” or “under” the substrate, each layer, layer, pad, or pattern. In the case where it is described as being formed at, "on / over" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed. do. In addition, the criteria for the above / above or below of each layer will be described based on the drawings.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.
(실시예)(Example)
도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지(200)의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a light
실시예에 따른 발광소자 패키지(200)는 몸체(205)와, 상기 몸체(205) 상에 이격되어 배치된 제1 전극(213)과 제2 전극(214)과, 상기 제1 전극(213) 및 상기 제2 전극(214)과 전기적으로 연결된 발광소자(100)와, 상기 발광소자(100) 상에 몰딩부재(230)와, 상기 제1 전극(213)과 상기 제2 전극(214) 사이에 배치된 통전가변부(通電可變部)(250)를 포함할 수 있다.The light
구체적으로, 상기 몸체(205)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광소자(100)의 주위에 경사면이 형성되어 광 반사율을 높일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In detail, the
상기 제1 전극(213) 및 제2 전극(214)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광소자(100)에 전원을 제공하는 역할을 한다. 또한, 상기 제1 전극(213) 및 제2 전극(214)은 상기 발광소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시키는 역할을 할 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The
상기 제1 전극(213) 및 제2 전극(214)은 상기 몸체(205)의 측면을 둘러싸고, 그 말단이 몸체(205)의 바닥까지 연장될 수 있다.The
상기 발광소자(100)는 상기 몸체(205) 상에 설치되거나 상기 제1 전극(213) 또는 제2 전극(214) 상에 설치될 수 있다.The
상기 발광소자(100)는 수평형 타입의 발광소자가 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 수직형 발광소자도 적용될 수 있고, 수평형 발광소자가 플립칩 형태로 실장되는 경우에도 적용될 수 있다.The
상기 발광소자(100)는 상기 제1 전극(213) 및/또는 제2 전극(214)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. The
실시예에서는 상기 발광소자(100)가 상기 제1 전극(213), 제2 전극(214)과 와이어(240)를 통해 전기적으로 연결되는 것으로 예시하고 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In the embodiment, the
상기 몰딩부재(230)는 상기 발광소자(100)를 포위하여 상기 발광소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(240)에는 형광체(232)가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The
실시예는 ESD 방지소자의 실장면적을 줄임으로써 컴팩트한(Compact) 패키지 제작이 가능하고, 설계자유도가 증가할 수 있는 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.Embodiments provide a light emitting device package and a lighting system capable of manufacturing a compact package by reducing the mounting area of an ESD protection device and increasing design freedom.
또한, 실시예에 의하면 ESD 방지소자에 의한 광손실을 방지하여 광효율을 높일 수 있는 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.In addition, the embodiment provides a light emitting device package and a lighting system that can increase the light efficiency by preventing the light loss by the ESD protection device.
또한, 실시예는 공정시간 및 공정비용 절감이 가능한 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.In addition, the embodiment is to provide a light emitting device package and lighting system capable of reducing the process time and process cost.
도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 부분(A) 확대도이다.2 is an enlarged view of a portion A of the light emitting device package according to the first embodiment.
실시예에서 통전가변부(250)는 결합부재(252)와, 상기 결합부재(252) 내에 분산된 통전가변입자(258)를 포함할 수 있다.In an embodiment, the energizing
상기 통전가변입자(258)는 전도성 코어(254) 및 상기 전도성 코어(254)를 둘러싸는 절연층(256)을 포함할 수 있다.The energizable
도 3은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조공정 중 통전가변입자(258)의 제조공정 예시도다.3 is a diagram illustrating a manufacturing process of the
실시예에 의하면 전도성 코어 물질(254a)과 도펀트 물질(256a)을 혼합하여 합성할 수 있다. 이때 점도조절과 고른 분산을 위해 용매와 분산제를 사용할 수 있으며, 용매는 물, 에탄올 등이 사용될 수 있고, 분산제는 계면활성제, 아크릴계 고분자 등이 사용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.According to an embodiment, the
예를 들어, 전도성 코어 물질(254a)로 ZnO와 같은 전이금속 산화물 또는 SiC 등을 채용할 수 있으며, 도펀트 물질(256a)로 Bi2O3, Co3O4, Mn3O4, Al2O3 중 어느 하나 이상을 채용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.For example, a transition metal oxide such as ZnO or SiC may be employed as the
상기 전도성 코어 물질(254a)과 도펀트 물질(256a)을 볼밀, 비드밀 등의 방법으로 혼합함으로써, 전도성 코어 물질이 도펀트 물질로 도핑되어 도전성 부여됨으로써 전도성 코어(254)가 형성되고, 도펀트 물질 중 일부 잔존물은 전도성 코어(254)를 감싸는 절연층(256)이 될 수 있다.By mixing the
이를 통해, 전도성 코어 물질이 도펀트 물질에 의해 도핑되어 도전성을 부여받아 전도성 코어가 되며, ESD 인가시 ESD 통로(Path) 구조를 형성시킬 수 있다.Through this, the conductive core material may be doped with a dopant material to impart conductivity to become a conductive core, and form an ESD path structure when ESD is applied.
실시예에서 통전가변입자(258)는 전도성 코어(254)를 감싸는 절연층(256)에 의해 전체적으로 절연체로 기능하다가 ESD 발생시 절연층(256)이 파괴되어 전도체로 기능하여 ESD 방지 기능을 수행할 수 있다.In the embodiment, the electrically conductive
상기 통전가변입자(258)의 입도는 약 2㎛~10㎛이며, 입도가 클수록 단위 길이당 존재하는 경계(Boundary)가 적어짐으로써 Vb(Break down Voltage)를 낮출 수 있으므로, 입도 제어를 통해 Vb를 제어할 수 있다.The particle size of the energizing
실시예에서 통전가변입자(258)의 입도 제어를 위해 Sb2O3 등의 입도 제어 입자를 채용할 수 있다.In an embodiment to control the particle size of the energizing
도 4는 실시예에 따른 발광소자 패키지에서 통전가변입자 첨가에 따른 표면저항 변화량이다.4 is a change in surface resistance according to the addition of the electrically conductive variable particles in the light emitting device package according to the embodiment.
실시예에서 통전가변입자(258)는 통전가변부(250) 중에 약 20wt% 내지 50wt%의 무게 범위로 분산됨으로써 통전가변부의 항복전압을 제어할 수 있다. 도 4와 같이 통전가변입자(258)의 첨가량이 20 wt% 이상인 경우 표면저항 감소변화가 현저하며, 50wt%를 초과하는 경우 표면저항 감소 변화가 크게 없으므로 통전가변입자(254)의 첨가량이 표면저항에 미치는 임계적 범위는 통전가변부(250) 중에 약 20wt% 내지 50wt%의 무게 범위인 경우이다.In an embodiment, the energizing
이후, 통전가변입자(258)와 결합부재(252) 혼합물을 스핀 공법, 페이스트 인쇄 등의 방법으로 제1 전극(213)과 제2 전극(214) 상에 배치시키고 경화시킴으로써 통전가변부(250)를 형성할 수 있다. 이때, 약 600 ℃ 이하 저온 경화를 위해 PPE, PPO, PPI 등의 고분자 물질이 첨가될 수 있다.Thereafter, the energizing
상기 결합부재(252)는 내열성이 높고 Tg(glass transition temperature)가 약 150℃(TMA, Thermomechanical Analysis 기준)보다 높은 재료를 사용할 수 있다. 상기 결합부재(252)는 수지, 예를 들어 에폭시 수지 등을 사용할 수 있고, 결합부재는 통전가변부의 약 20%wt 이하를 차지하여 항복전압을 제어할 수 있다.The
상기 결합부재(252)의 전기전도도는 ESD 방지목적을 위해 터널링(Tunneling)이 가능한 전도도인 10-6~102S/cm일 수 있다.The electrical conductivity of the
예를 들어, 상기 결합부재(252)는 통상적인 상태에서 부도체로 역할을 하다가, 과전압 상태에서는 터널링(Tunneling) 효과에 의해 발광소자(100)로 과전류가 흐르지 않고, 제1 전극(213), 제2 전극(214) 중 그라운드 접지(미도시)된 부분을 따라 정전기를 방출할 수 있다.For example, the
실시예에서 과전압은 약 200V 내지 약 500V 범위를 의미할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며 통전가변부(250) 내의 통전가변입자(258)나 결합부재(252)의 양이나 그 재질에 따라 기준되는 과전압을 달라질 수 있다.In the embodiment, the overvoltage may refer to a range of about 200V to about 500V, but is not limited thereto. The overvoltage is based on the amount or material of the energizing
도 5는 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 부분 확대도(A2)이다.5 is a partially enlarged view A2 of the light emitting device package according to the second embodiment.
제2 실시예는 제1 실시예의 특징을 채용할 수 있다.The second embodiment can employ the features of the first embodiment.
실시예에서 통전가변부(250)는 상기 결합부재(252) 내에 분산된 산화물(253) 또는 전도성 물질(255)을 더 포함할 수 있다.In some embodiments, the energization
예를 들어, 실시예에서 통전가변부(250)의 열팽창 계수 조절을 위해 SiO2, Al2O3 등의 금속 산화물(253)을 더 채용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.For example, a
또한, 실시예는 결합부재 내에 분산된 전도성 물질(255)을 더 포함하여, 결합부재(252)의 전위장벽을 낮추어 ESD 인가시 터널링이 좀 더 원활하게 발생하여 ESD에 대한 반응시간을 낮추어 응답속도를 높일 수 있다.In addition, the embodiment further comprises a
이를 위해 실시예는 Ti, W 등의 금속재료나, 나노 Ag, 나노 ITO, CNT 등의 물질을 전도성 물질(255)로 하여 결합부재 내에 분산시킬 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.To this end, the embodiment may be dispersed in the coupling member using a metal material such as Ti, W, or a material such as nano Ag, nano ITO, or CNT as the
상기 전도성 물질(255)은 0.2wt% 내지 4.0wt 범위로 분산되어 ESD에 대한 반응시간을 낮추어 응답속도를 높일 수 있다.The
도 6은 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지의 부분 확대도(A3)이다.6 is a partially enlarged view A3 of the light emitting device package according to the third embodiment.
제3 실시예는 제1 실시예 내지 제2 실시예의 특징을 채용할 수 있다.The third embodiment can employ the features of the first to second embodiments.
예를 들어, 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지는 몸체(205)와, 상기 몸체(205) 상에 이격되어 배치된 제1 전극(213)과 제2 전극(214)과, 상기 제1 전극(213) 및 상기 제2 전극(214)과 전기적으로 연결된 발광소자(100)와, 상기 발광소자(100) 상에 몰딩부재(230)와, 상기 제1 전극(213)과 상기 제2 전극(214) 사이에 배치된 통전가변부(250)를 포함하며, 상기 제1 전극(213)과 상기 제2 전극(214)은 서로 마주보는 면에서 돌출 전극(215)을 포함할 수 있다.For example, the light emitting device package according to the third embodiment may include a
예를 들어, 돌출 전극(215)이 구비됨에 따라 상기 제1 전극(213)과 상기 제2 전극(214) 사이의 거리는 각 돌출 전극이 위치하는 중심부 사이의 거리가 최단 거리일 수 있다.For example, as the protruding
실시예에 의하면 도 6과 같이, 상기 제1 전극(213)과 상기 제2 전극(214)은 서로 마주보는 면에서 돌출 전극(215)을 포함하며, 상기 제1 전극(213)과 상기 제2 전극(214) 사이의 거리는 상기 돌출 전극(215) 영역에서 가장 짧을 수 있다.According to an embodiment, as shown in FIG. 6, the
이를 통해, 상호간 거리가 가장 짧은 영역에 배치된 제1 전극의 제1 돌출 전극부(213a)와 제2 전극의 제2 돌출 전극부(214a)을 통해 ESD 발생시 전계집중 현상이 유발되어 발광소자로 과전류가 흐르지 않고, 통전가변부(250)를 통해 정전기가 더욱 효과적으로 방출될 수 있다.As a result, an electric field concentration phenomenon occurs when the ESD is generated through the first protruding
또한, 실시예에서 상기 돌출 전극(215)의 단면은 삼각형 단면을 포함할 수 있으며, 마주보는 돌출 전극의 끝단이 삼각형의 모서리 영역에서 더욱 전계집중 현상이 효과적으로 유발되어 통전가변부(250)를 통한 정전기 방출이 극대화될 수 있다.In addition, in an embodiment, the cross section of the protruding
도 7은 제4 실시예에 따른 발광소자 패키지의 부분 확대도(A4)이다.7 is a partially enlarged view A4 of the light emitting device package according to the fourth embodiment.
제4 실시예는 제1 실시예 내지 제3 실시예의 특징을 채용할 수 있다.The fourth embodiment can employ the features of the first to third embodiments.
제4 실시예에서 돌출 전극(215) 영역에 상기 통전가변부(250)가 배치됨으로써, 정전기 방출기능이 주되게 이루어지는 영역에 통전가변부(250)가 배치되어 필요한 영역에 최소한으로 통전가변입자(258)가 배치됨으로써 최적의 효율을 나타낼 수 있다.In the fourth exemplary embodiment, the energizing
또한, 실시예에서 상기 통전가변부(250)는 상기 통전가변입자(258) 상측에 배치된 반사층(미도시)을 포함하고, 상기 반사층에는 반사입자(259)가 배치되며, 상기 반사입자(259)는 TiO2 등을 포함하여 광반사 효율을 높여 광효율을 증대시킬 수 있다.In addition, in the embodiment, the energizing
도 8은 제5 실시예에 따른 발광소자 패키지의 부분 확대도(A5)이다.8 is a partially enlarged view A5 of the light emitting device package according to the fifth embodiment.
제5 실시예는 상기 제1 실시예 내지 제4 실시예의 특징을 채용할 수 있다.The fifth embodiment can employ the features of the first to fourth embodiments.
실시예에서 상기 제1 전극(213)과 상기 제2 전극(214) 사이의 최단 거리는 각 바닥면 사이의 거리가 최단 거리가 되도록 전극 구조를 설계함으로써 발광소자(100)와 최대한 먼 영역으로 정전기가 빠져나가도록 할 수 있다.In the embodiment, the shortest distance between the
도 9은 제6 실시예에 따른 발광소자 패키지의 부분 확대도(A6)이다.9 is a partially enlarged view A6 of the light emitting device package according to the sixth embodiment.
제6 실시예는 상기 제1 실시예 내지 제5 실시예의 특징을 채용할 수 있다.The sixth embodiment can employ the features of the first to fifth embodiments.
실시예에서 상기 통전가변부(250)의 통전가변입자(258)는 전극 사이의 최단 거리 영역에 주로 배치되어 최적의 효율을 얻음과 동시에, 통전가변입자(258) 상측에 배치된 TiO2 등의 반사입자(259)를 구비하는 반사층을 포함하여 광반사 효율을 높여 광효율을 증대시킬 수 있다.In the embodiment, the energizing
도 10은 제7 실시예에 따른 발광소자 패키지의 부분(A7) 확대도이다.10 is an enlarged view of a portion A7 of the light emitting device package according to the seventh embodiment.
제7 실시예는 상기 제1 실시예 내지 제6 실시예의 특징을 채용할 수 있다.The seventh embodiment can employ the features of the first to sixth embodiments.
제7 실시예에서 통전가변부(250)는 상기 제1 전극(213)의 상면과 상기 제2 전극(214)의 상면에 각각 접하면서 상기 제1 전극(213)과 상기 제2 전극(214)의 상면보다 높게 배치될 수 있다.In the seventh exemplary embodiment, the energizing
상기 제1 전극(213)과 상기 제2 전극(214) 측면 사이에는 몸체(205) 물질이 채워질 수 있으며, 상기 통전가변부(250)는 몰딩부(230) 저면부로 돌출된 형태일 수 있다.The
도 11은 제8 실시예에 따른 발광소자 패키지의 부분(A8) 확대도이다.11 is an enlarged view of a portion A8 of the light emitting device package according to the eighth embodiment.
제8 실시예는 상기 제1 실시예 내지 제6 실시예의 특징을 채용할 수 있다.The eighth embodiment can employ the features of the first to sixth embodiments.
제8 실시예에서 통전가변부(250) 상기 제1 전극(213)의 측면과 상기 제2 전극(214)의 측면에 사이에 배치되며, 상기 제1 전극(213)의 저면과 상기 제2 전극(214)의 저면과 접하도록 상기 몸체(205) 내부로 돌출된 영역을 포함함으로써 ESD 발생시 제1 전극(213)과 제2 전극(214) 사이 뿐만아니라 그 저면을 통해서도 정전기 방출을 효율적으로 수행할 수 있다.In an eighth embodiment, the energization
도 12은 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지(202)의 단면도이다.12 is a cross-sectional view of a light emitting
다른 실시예에서 몸체(205)는 통전가변부 재질을 포함함으로써 몸체(205)가 전체적으로 통전가변부 역할을 수행할 수 있다.In another embodiment, the
예를 들어, 몸체(205)는 제1 전극(213)과 제2 전극(214)에 의해 둘러싸인 하부 몸체부(205b)와 제1 전극(213)과 제2 전극(214) 사이에 배치되는 돌출 몸체부(205c)와 측면이 경사진 상부 몸체부(205a)를 포함할 수 있고, 상기 하부 몸체부(205b)와 돌출 몸체부(205c)의 재질은 통전가변부 물질을 포함할 수 있다.For example, the
실시예에 의하면 ESD 방지소자 실장공정을 생략하고 리드 프레임 사이에 통전가변부(通電可變部)를 배치하여 ESD 방지소자의 실장면적을 줄임으로써 컴팩트한(Compact) 패키지 제작이 가능하고, 설계자유도가 증가할 수 있는 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.According to the embodiment, a compact package can be manufactured by eliminating the ESD protection device mounting process and disposing a current-carrying variable portion between the lead frames to reduce the mounting area of the ESD protection device. It is possible to provide a light emitting device package and a lighting system that can be increased.
또한, 실시예에 의하면 ESD 방지소자 실장공정을 생략함으로써 ESD 방지소자에 의한 광손실을 방지하여 광효율을 높일 수 있는 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.In addition, according to the embodiment, it is possible to provide a light emitting device package and a lighting system that can increase the light efficiency by preventing the light loss by the ESD protection device by eliminating the ESD protection device mounting process.
또한, 실시예는 별도의 ESD 방지소자 실장공정을 생략하고 리드 프레임 사이에 통전가변부를 배치하여 종래기술의 Zener 다이오드 다이본딩, 와이어 본딩 공정 생략이 가능하며, 공정시간 및 공정비용 절감이 가능한 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.In addition, the embodiment omits a separate ESD protection device mounting process and can be omitted in the prior art Zener diode die bonding, wire bonding process by arranging the conduction variable between the lead frame, the light emitting device can reduce the process time and process cost Packages and lighting systems can be provided.
실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 위에 어레이될 수 있으며, 상기 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 렌즈, 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 상기 라이트 유닛은 탑뷰 또는 사이드 뷰 타입으로 구현되어, 휴대 단말기 및 노트북 컴퓨터 등의 표시 장치에 제공되거나, 조명장치 및 지시 장치 등에 다양하게 적용될 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 조명 장치로 구현될 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는 램프, 가로등, 전광판, 전조등을 포함할 수 있다.A plurality of light emitting devices or light emitting device packages according to the embodiment may be arranged on a substrate, and an optical member such as a lens, a light guide plate, a prism sheet, and a diffusion sheet may be disposed on the light path of the light emitting device package. The light emitting device package, the substrate, and the optical member may function as a light unit. The light unit may be implemented in a top view or a side view type, and may be provided in a display device such as a portable terminal and a notebook computer, or may be variously applied to an illumination device and a pointing device. Yet another embodiment may be implemented as a lighting device including the light emitting device or the light emitting device package described in the above embodiments. For example, the lighting device may include a lamp, a street lamp, a signboard, a headlamp.
도 13은 실시예에 따른 조명장치의 분해 사시도이다.13 is an exploded perspective view of the lighting apparatus according to the embodiment.
도 13을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 13, the lighting apparatus according to the embodiment may include a
예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the
상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.An inner surface of the
상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The
상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The
상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The
상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the
상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The
상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 갖는다.The
상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.The
상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.The
상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The
실시예에 의하면 ESD 방지소자 실장공정을 생략하고 리드 프레임 사이에 통전가변부(通電可變部)를 배치하여 ESD 방지소자의 실장면적을 줄임으로써 컴팩트한(Compact) 패키지 제작이 가능하고, 설계자유도가 증가할 수 있는 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.According to the embodiment, a compact package can be manufactured by eliminating the ESD protection device mounting process and disposing an electrically conductive variable part between the lead frames to reduce the mounting area of the ESD protection device. It is possible to provide a light emitting device package and a lighting system that can be increased.
또한, 실시예에 의하면 ESD 방지소자 실장공정을 생략함으로써 ESD 방지소자에 의한 광손실을 방지하여 광효율을 높일 수 있는 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.In addition, according to the embodiment, it is possible to provide a light emitting device package and a lighting system that can increase the light efficiency by preventing the light loss by the ESD protection device by eliminating the ESD protection device mounting process.
또한, 실시예는 별도의 ESD 방지소자 실장공정을 생략하고 리드 프레임 사이에 통전가변부를 배치하여 종래기술의 Zener 다이오드 다이본딩, 와이어 본딩 공정 생략이 가능하며, 공정시간 및 공정비용 절감이 가능한 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.In addition, the embodiment omits a separate ESD protection device mounting process and can be omitted in the prior art Zener diode die bonding, wire bonding process by arranging the conduction variable between the lead frame, the light emitting device can reduce the process time and cost Packages and lighting systems can be provided.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the above embodiments are included in at least one embodiment, but are not necessarily limited to one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be interpreted that the contents related to this combination and modification are included in the scope of the embodiments.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments have been described above, the embodiments are only examples, and are not intended to limit the embodiments. Those skilled in the art to which the embodiments belong will not necessarily deviate from the essential features of the embodiments. It will be appreciated that eggplant modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to these modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the embodiments set forth in the appended claims.
몸체(205), 제1 전극(213)과 제2 전극(214),
발광소자(100), 몰딩부재(230),
통전가변부(通電可變部)(250), 결합부재(252)
통전가변입자(258), 전도성 코어(254), 절연층(256),
돌출전극(215)
Energized
Conducting
Protruding
Claims (14)
상기 몸체 상에 서로 이격되어 배치된 제1 전극과 제2 전극;
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 전기적으로 연결된 발광소자; 및
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 통전가변부(通電可變部);를 포함하고,
상기 통전가변부는 결합부재와, 상기 결합부재 내에 분산된 통전가변입자;를 포함하며,
상기 통전가변입자는,
전도성 코어; 및
상기 전도성 코어를 둘러싸는 절연층;을 포함하는 발광소자 패키지.Body;
First and second electrodes spaced apart from each other on the body;
A light emitting device electrically connected to the first electrode and the second electrode; And
And a current-carrying variable portion disposed between the first electrode and the second electrode.
The energizing variable part includes a coupling member, and an electrically conductive variable particle dispersed in the coupling member.
The energizing variable particles,
Conductive cores; And
Light emitting device package comprising a; insulating layer surrounding the conductive core.
상기 몸체 상에 서로 이격되어 배치된 제1 전극과 제2 전극;
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 전기적으로 연결된 발광소자; 및
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 통전가변부(通電可變部);를 포함하고,
상기 통전가변부는 결합부재와, 상기 결합부재 내에 분산된 통전가변입자를 포함하며,
상기 통전가변부는 상기 통전가변입자 상측에 배치된 반사층을 더 포함하는 발광소자 패키지.Body;
First and second electrodes spaced apart from each other on the body;
A light emitting device electrically connected to the first electrode and the second electrode; And
And a current-carrying variable portion disposed between the first electrode and the second electrode.
The energizing variable part includes a coupling member, and the energizing variable particles dispersed in the coupling member,
The energizing variable part further comprises a reflective layer disposed above the energizing variable particle.
상기 전도성 코어는
전이금속 산화물 또는 SiC로 이루어진 전도성 코어 물질에 Bi2O3, Co3O4, Mn3O4, Al2O3 중 어느 하나 이상의 도펀트가 도핑된 발광소자 패키지.According to claim 1,
The conductive core is
A light emitting device package in which a dopant of any one of Bi 2 O 3 , Co 3 O 4 , Mn 3 O 4 , and Al 2 O 3 is doped in a conductive core material made of transition metal oxide or SiC.
상기 통전가변부는
상기 결합부재 내에 분산된 산화물 또는 전도성 물질을 더 포함하는 발광소자 패키지.The method according to claim 1 or 2,
The energizing variable part
Light emitting device package further comprises an oxide or conductive material dispersed in the coupling member.
상기 제1전극 및 상기 제2전극은 서로 마주보는 면에서 돌출 전극을 포함하고,
상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이의 거리는 상기 제1전극 및 상기 제2전극의 돌출 전극 사이의 거리가 가장 짧은 발광소자 패키지.The method according to claim 1 or 2,
The first electrode and the second electrode includes a protruding electrode on the surface facing each other,
The light emitting device package having the shortest distance between the first electrode and the second electrode between the protruding electrode of the first electrode and the second electrode.
상기 통전가변부의 양측에 배치된 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이의 거리는 상기 제1전극 및 상기 제2전극의 바닥면에서 상기 제1전극 및 상기 제2전극의 상면으로 갈수록 길어지는 발광소자 패키지.The method according to claim 1 or 2,
A light emitting device in which the distance between the first electrode and the second electrode disposed on both sides of the conduction variable part becomes longer from the bottom surface of the first electrode and the second electrode toward the top surface of the first electrode and the second electrode. package.
상기 통전가변부는
상기 제1 전극의 상면과 상기 제2 전극의 상면에 각각 접하면서 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 상면보다 높게 배치되는 발광소자 패키지.The method according to claim 1 or 2,
The energizing variable part
The light emitting device package disposed above the upper surface of the first electrode and the second electrode while being in contact with the upper surface of the first electrode and the upper surface of the second electrode.
상기 통전가변부는
상기 제1 전극의 측면과 상기 제2 전극의 측면에 사이에 배치되며,
상기 제1 전극의 저면과 상기 제2 전극의 저면과 접하도록 상기 몸체 내부로 돌출된 영역을 포함하는 발광소자 패키지.The method according to claim 1 or 2,
The energizing variable part
It is disposed between the side of the first electrode and the side of the second electrode,
And a region protruding into the body so as to contact the bottom surface of the first electrode and the bottom surface of the second electrode.
상기 몸체는
상기 통전가변부 재질을 포함하는 발광소자 패키지.The method according to claim 1 or 2,
The body is
A light emitting device package comprising the conductive variable part material.
상기 몸체 상에 이격되어 배치된 제1 전극과 제2 전극;
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 전기적으로 연결된 발광소자;
상기 발광소자 상에 몰딩부재;
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 통전가변부(通電可變部);를 포함하고,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 서로 마주보는 면에서 돌출 전극을 포함하는 발광소자 패키지.Body;
First and second electrodes spaced apart from each other on the body;
A light emitting device electrically connected to the first electrode and the second electrode;
A molding member on the light emitting device;
And a current-carrying variable portion disposed between the first electrode and the second electrode.
The first electrode and the second electrode is a light emitting device package including a protruding electrode on the surface facing each other.
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 거리는
상기 돌출 전극 영역에서 가장 짧은 발광소자 패키지.The method of claim 10,
The distance between the first electrode and the second electrode is
The shortest light emitting device package in the protruding electrode region.
상기 통전가변부는 결합부재와, 상기 결합부재 내에 분산된 통전가변입자;를 포함하는 발광소자 패키지.The method according to any one of claims 10 to 11,
The energizing variable part is a light emitting device package including a coupling member, and the conductive variable particles dispersed in the coupling member.
상기 통전가변입자는,
전도성 코어; 및
상기 전도성 코어를 둘러싸는 절연층;을 포함하는 발광소자 패키지.The method of claim 12,
The energizing variable particles,
Conductive cores; And
Light emitting device package comprising a; insulating layer surrounding the conductive core.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130084885A KR102042480B1 (en) | 2013-07-18 | 2013-07-18 | Light emitting device, and lighting system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130084885A KR102042480B1 (en) | 2013-07-18 | 2013-07-18 | Light emitting device, and lighting system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150010211A KR20150010211A (en) | 2015-01-28 |
KR102042480B1 true KR102042480B1 (en) | 2019-11-08 |
Family
ID=52482085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130084885A KR102042480B1 (en) | 2013-07-18 | 2013-07-18 | Light emitting device, and lighting system |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102042480B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102445531B1 (en) * | 2015-10-21 | 2022-09-21 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | Light emitting device |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001523040A (en) * | 1997-11-08 | 2001-11-20 | リッテルフューズ インコーポレイテッド | Overvoltage protection polymer composition |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090044306A (en) * | 2007-10-31 | 2009-05-07 | 서울반도체 주식회사 | Light emitting diode package |
-
2013
- 2013-07-18 KR KR1020130084885A patent/KR102042480B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001523040A (en) * | 1997-11-08 | 2001-11-20 | リッテルフューズ インコーポレイテッド | Overvoltage protection polymer composition |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150010211A (en) | 2015-01-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6283483B2 (en) | LIGHT EMITTING ELEMENT AND LIGHTING SYSTEM HAVING THE SAME | |
US20070246729A1 (en) | High efficiency LED package | |
KR20140132517A (en) | Light emitting device | |
US10008641B2 (en) | Phosphor composition and light emitting device package having the same | |
KR102042480B1 (en) | Light emitting device, and lighting system | |
KR20200139935A (en) | Light emitting device package and emitting apparatus having the same | |
KR101905520B1 (en) | Light emitting device | |
KR101886073B1 (en) | Light emitting device and light unit having thereof | |
KR102486035B1 (en) | Light emitting device package and light emitting apparatus having the same | |
KR102224098B1 (en) | Light emitting device package and lighting system | |
KR102042443B1 (en) | Light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
KR101976547B1 (en) | Light emitting device and lighting system | |
KR101896687B1 (en) | Light emitting device package | |
KR102534589B1 (en) | A light emitting device package | |
KR102181458B1 (en) | Light emitting device | |
KR102053279B1 (en) | Light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
KR102142711B1 (en) | Light emitting device | |
KR102004376B1 (en) | Light emitting device and lighting systme having thereof | |
KR101880469B1 (en) | Light emitting device package and light unit having the same | |
KR102055794B1 (en) | Light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
KR102075730B1 (en) | Light emitting device and lighting system | |
KR20170064898A (en) | Light emitting device package | |
KR101852553B1 (en) | Light emitting device package and light unit having the same | |
KR102199995B1 (en) | Light emitting device | |
KR102200023B1 (en) | Light emitting device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |