KR102032752B1 - 스텐트 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

금속 스텐트; 상기 금속 스텐트 상에 코팅된 티타늄 산화물층; 및 상기 티타늄 산화물층 상에 코팅된 물질층;을 포함하는 것인, 스텐트에 관한 것이다.

Description

스텐트 및 이의 제조 방법 {STENT AND PREPARING METHOD OF THE SAME}
본원은 스텐트 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
스텐트(Stent)는 협착으로 인해 좁아진 통로를 확장하는데 사용되는 내강 확장기구로서, 암 질환 또는 혈관 질환의 치료를 위한 용도로 많이 사용되고 있다.
생체 내에서 사용되는 금속 스텐트는 마그네슘, 칼륨, 칼슘, 티타늄, 크롬, 철, 코발트, 니켈 및 이들의 합금들과 같은 생체 적합성 금속 물질이다. 이러한 금속 물질들은 주기율표의 3-4주기 원자들로서 짧은 파장을 지닌 엑스선 (10 내지 0.01 나노미터) 또는 감마선(0.01 내지 0.00001 나노미터) 등의 방사선들이 쉽게 투과될 수 있기 때문에 방사선 촬영 시 스텐트를 관찰할 수 없는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 스텐트에 금, 백금, 탈타늄, 텅스텐, 탈늄 등 주기율표의 5주기 이상의 금속 방사선 불투과성 물질을 부착하여 그 위치를 확인하는 방법이 사용되고 있다. 하지만 이러한 금속 방사선 불투과성 물질들을 스텐트와 결합하기 위해서는 스텐트 내에 추가적으로 공간 확보가 요구되고, 스텐트에 금속 방사선 불투과성 마커를 결합하는 공정이 추가로 필요하다. 또한, 단순히 코팅할 시에는 금속 방사선 불투과성 물질들이 쉽게 박리되는 문제점이 있다.
본원의 배경이 되는 기술인 한국등록특허공보 제10-0309485호는 다층의 금속 스텐트에 관한 것이다. 그러나, 상기 등록특허는 방사선 불투과성을 증가시키는 물질을 단순히 코팅한 것으로서, 스텐트와 상기 방사선 불투과성을 증가시키는 물질의 접착력을 향상시키기 위한 것에 대해서 언급하고 있지 않다.
본원은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 스텐트 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
다만, 본원의 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 상기된 바와 같은 기술적 과제들에 한정되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들이 존재할 수 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본원의 제 1측면은, 금속 스텐트; 상기 금속 스텐트 상에 코팅된 티타늄 산화물층; 및 상기 티타늄 산화물층 상에 코팅된 물질층;을 포함하는 것인, 스텐트를 제공한다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 티타늄 산화물층은 상기 금속 스텐트와 상기 물질층의 결합력을 향상시키는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 티타늄 산화물층은 10 nm 내지 1 μ인 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 물질층은 방사선에 대해 불투과성을 증가시키는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 물질층은 Au 및/또는 Pt을 포함하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 금속 스텐트는 Cr, Co, Ti, Ni, Fe 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 생체적합성 금속인 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 제 2측면은 금속 스텐트 상에 티타늄 산화물층을 코팅시키는 단계; 및 상기 티타늄 산화물층 상에 물질층을 코팅시키는 단계;를 포함하는, 스텐트의 제조 방법을 제공한다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 금속 스텐트 상에 티타늄 산화물층을 코팅시키는 단계는 플라즈마 증착, E-빔 증착, 원자층 증착(ALD), 스퍼터 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 방법을 포함하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 티타늄 산화물층 상에 물질층을 코팅시키는 단계는 플라즈마 증착, E-빔 증착, 원자층 증착(ALD), 스퍼터 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 방법을 포함하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 상기 금속 스텐트는 Cr, Co, Ti, Ni, Fe 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 생체적합성 금속인 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 물질층은 Au 및/또는 Pt을 포함하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상술한 과제 해결 수단은 단지 예시적인 것으로서, 본원을 제한하려는 의도로 해석되지 않아야 한다. 상술한 예시적인 실시예 외에도, 도면 및 발명의 상세한 설명에 추가적인 실시예가 존재할 수 있다.
전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 본원에 따른 스텐트는 티타늄 산화물층을 이용하여 금속 스텐트와 방사선 불투과성이 높은 Pt 및/또는 Au의 결합력을 향상시켜 상기 금속 스텐트 상에 균일하게 불투과성이 높은 물질을 코팅시킬 수 있다.
또한, 방사선에 대해 불투과성이 높은 스텐트를 수득할 수 있기 때문에 인체 내의 스텐트의 위치를 정확하게 추적 및 관찰할 수 있다.
도 1은 본원의 일 구현예에 따른 스텐트의 제조 방법의 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 Pt/TiO2/Co-Cr 스텐트의 CT 이미지이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 Pt/TiO2/Co-Cr 스텐트, 및 Au/TiO2/Co-Cr 스텐트와 비교예에 따른 Co-Cr 스텐트, 및 TiO2/Co-Cr 스텐트의 사진이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다.
그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에", "상부에", "상단에", "하에", "하부에", "하단에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 또한, 본원 명세서 전체에서, "~ 하는 단계" 또는 "~의 단계"는 "~를 위한 단계"를 의미하지 않는다.
본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 "이들의 조합"의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.
본원 명세서 전체에서, "A 및/또는 B" 의 기재는, "A, B, 또는, A 및 B" 를 의미한다.
이하에서는 본원의 스텐트 및 이의 제조 방법에 대하여 구현예 및 실시예와 도면을 참조하여 구체적으로 설명하도록 한다. 그러나, 본원이 이러한 구현예 및 실시예와 도면에 제한되는 것은 아니다.
본원의 제 1측면은, 금속 스텐트; 상기 금속 스텐트 상에 코팅된 티타늄 산화물층; 및 상기 티타늄 산화물층 상에 코팅된 물질층;을 포함하는 것인, 스텐트에 관한 것이다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 티타늄 산화물층은 상기 금속 스텐트와 상기 물질층의 결합력을 향상시키는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 티타늄 산화물층은 10 nm 내지 1 μ인 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 티타늄 산화물층이 10 nm 이하일 때는 상기 금속 스텐트 상에 균일하게 증착되지 않고, 상기 금속 스텐트 상에서 쉽게 박리될 수 있다. 또한, 상기 티타늄 산화물층이 1 μ 이상일 때는 상기 금속 스텐트의 교유한 특성인 라디얼 포스 및 유연성에 변화를 줄 수 있다.
상기 티타늄 산화물층은 TiO2를 포함하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 물질층은 방사선에 대해 불투과성을 증가시키는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 물질층은 Au 및/또는 Pt을 포함하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 금속 스텐트는 Cr, Co, Ti, Ni, Fe 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 생체적합성 금속인 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 금속 스텐트는 Co-Cr 합금을 포함하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 티타늄 산화물층이 없는 경우에는 상기 금속 스텐트와 상기 물질층이 결합되지 않고 쉽게 박리 되는 문제점이 있다. 하지만 상기 티타늄 산화물층이 상기 금속 스텐트와 상기 물질층의 결합력을 향상시키면서 상기 금속 스텐트 상에 균일하게 증착하고, 방사선에 대해 불투과성이 높은 상기 물질층이 일정하게 코팅될 수 있다. 상기 물질층은 방사선에 대해 불투과성이 높기 때문에 최종적으로 상기 금속 스텐트보다 방사선에 대한 불투과성이 높은 스텐트를 수득할 수 있다. 스텐트의 불투과성이 높아지기 때문에 인체 내의 스텐트의 위치를 정확하게 추적 및 관찰할 수 있다.
본원의 제 2측면은 금속 스텐트 상에 티타늄 산화물층을 코팅시키는 단계; 및 상기 티타늄 산화물층 상에 물질층을 코팅시키는 단계;를 포함하는, 스텐트의 제조 방법을 제공한다.
도 1은 본원의 일 구현예에 따른 스텐트의 제조 방법의 순서도이다.
먼저, 금속 스텐트 상에 티타늄 산화물 층을 코팅시킨다(S100).
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 금속 스텐트 상에 티타늄 산화물층을 코팅시키는 단계는 플라즈마 증착, E-빔 증착, 원자층 증착(ALD), 스퍼터 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 방법을 포함하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 플라즈마 증착 방법을 이용하여 상기 티타늄 산화물층을 코팅시킬 때, 반응 시간은 5분 내지 2시간인 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 상기 플라즈마 방전 전력은 1 W 내지 300 W 에서 반응이 일어나는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 금속 스텐트 상에 티타늄 산화물층을 코팅시킬 때 운반 기체로 Ar, N2, He 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 기체를 사용하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 상기 금속 스텐트는 Cr, Co, Ti, Ni, Fe 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 생체적합성 금속인 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 티타늄 산화물층은 TiO2를 포함하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
이어서, 상기 티타늄 산화물층 상에 물질층을 코팅시킨다(S200).
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 티타늄 산화물층 상에 물질층을 코팅시키는 단계는 플라즈마 증착, E-빔 증착, 원자층 증착(ALD), 스퍼터 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 방법을 포함하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 물질층을 코팅시킬 때 운반 기체로 Ar, N2, He 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 기체를 사용하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 물질층은 Au 및/또는 Pt을 포함하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
이하 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본원의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다.
[실시예]
먼저, 코발트-크롬 합금의 스텐트 표면에 TiO2를 저온 플라즈마 증착을 이용하여 코팅하였다.
상기 TiO2 상에 Pt를 증착한 샘플을 Pt/TiO2/Co-Cr 스텐트라고 칭하였다.
상기 TiO2 상에 Au를 증착한 샘플을 Au/TiO2/Co-Cr 스텐트라고 칭하였다.
[비교예]
코발트-크롬 합금의 스텐트를 Co-Cr 스텐트라고 칭하였다.
코발트-크롬 합금의 스텐트 표면에 TiO2를 저온 플라즈마 증착을 이용하여 코팅한 샘플을 TiO2/Co-Cr 스텐트라고 칭하였다.
[실험예]
상기 실시예에서 제조된 Pt/TiO2/Co-Cr 스텐트, 및 Au/TiO2/Co-Cr 스텐트와 비교예에서 제조된 Co-Cr 스텐트, 및 TiO2/Co-Cr 스텐트의 특성을 확인하였고, 그 결과를 표 1로서 나타내었다.
샘플 X-ray 불투과도 CT 불투과도
Pt/TiO2/Co-Cr 스텐트 81.2% 0.80
Au/TiO2/Co-Cr 스텐트 75.2% 0.70
Co-Cr 스텐트 55.7% 0.50
TiO2/Co-Cr 스텐트 56.5% 0.51
상기 X-ray 불투과도는 엑스선 촬영 후 (사진상 측정된 불투과 면적)/(실제 면적)의 백분율로 구하였다. 각 샘플 당 3회 측정 후 평균 값을 나타내었다.
상기 CT 불투과도는 CT(computer tomography) 측정 후 X-ray 흡수영역과 비교값으로 나타내었다.
표 1에 나타난 결과에 따르면, 실시예에서 제조한 Pt/TiO2/Co-Cr 스텐트 및 Au/TiO2/Co-Cr 스텐트 샘플의 불투과도가 Co-Cr 스텐트 및 TiO2/Co-Cr 스텐트 샘플보다 20% 내지 26% 정도 불투과도가 더 높은 것으로 Pt 및 Au를 코팅한 스텐트의 불투과도가 더 높아지는 것을 확인할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 Pt/TiO2/Co-Cr 스텐트의 CT 이미지이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 Pt/TiO2/Co-Cr 스텐트, 및 Au/TiO2/Co-Cr 스텐트와 비교예에 따른 Co-Cr 스텐트, 및 TiO2/Co-Cr 스텐트의 사진이다.
전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (11)

  1. 금속 스텐트;
    상기 금속 스텐트 상에 코팅된 티타늄 산화물층; 및
    상기 티타늄 산화물층 상에 코팅된 물질층;을 포함하고,
    상기 티타늄 산화물층은 10 nm 내지 1 μm이며,
    상기 티타늄 산화물층은 상기 금속 스텐트와 상기 물질층의 결합력을 향상시키고,
    상기 물질층은 Au 또는 Pt을 포함하며,
    상기 물질층은 방사선에 대해 불투과성을 증가시키는 것이고,
    상기 금속 스텐트는 Cr-Co 합금 또는 Ti-Ni 합금을 포함하는 것인,
    스텐트.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 금속 스텐트 상에 티타늄 산화물층을 코팅시키는 단계; 및
    상기 티타늄 산화물층 상에 물질층을 코팅시키는 단계;를 포함하는 스텐트의 제조 방법에 있어서,
    상기 티타늄 산화물층은 10 nm 내지 1 μm이며,
    상기 티타늄 산화물층은 상기 금속 스텐트와 상기 물질층의 결합력을 향상시키고,
    상기 물질층은 Au 또는 Pt을 포함하며,
    상기 물질층은 방사선에 대해 불투과성을 증가시키는,
    상기 금속 스텐트는 Cr-Co 합금 또는 Ti-Ni 합금을 포함하는 것인,
    스텐트의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 금속 스텐트 상에 티타늄 산화물층을 코팅시키는 단계는 플라즈마 증착, E-빔 증착, 원자층 증착(ALD), 스퍼터 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 방법을 포함하는 것인, 스텐트의 제조 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 티타늄 산화물층 상에 물질층을 코팅시키는 단계는 플라즈마 증착, E-빔 증착, 원자층 증착(ALD), 스퍼터 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 방법을 포함하는 것인, 스텐트의 제조 방법.
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