KR102027541B1 - 지문 센서 패키지 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 지문 센서 패키지에 관한 것으로서, 상기 지문 센서 패키지는 지문 센서 칩을 포함하는 칩 패키지, 상기 칩 패키지의 상부면에 접착되어 있고, 유색의 폴리이미드로 형성된 유색층, 상기 유색층 위에 위치하는 무색 투명한 폴리이미드층, 및 상기 폴리이미드층 위에 위치하고 보호 코팅막과 내지문막으로 이루어진 내지문층을 포함한다.
Description
본 발명은 지문 센서 패키지에 관한 것이다.
지문 센서는 사람의 손가락 지문을 감지하는 센서로서, 최근에는 스마트 폰이나 태블릿 PC 등 휴대용 전자 기기의 보안성을 강화하기 위한 수단으로 널리 사용되고 있다.
이러한 지문 센서는 지문의 융선과 골을 광학적으로 인식하여 분석하는 광학 방식과 지문의 내측과 표면을 포함하는 골과 융선을 따라 표면 전류를 흐르게 하여 전류의 변화를 감지하는 RF 방식으로 구분할 수 있다.
이 중에서 광학 방식은 상대적으로 위조나 변조가 용이해서 최근에는 RF 방식의 지문 센서가 주로 사용되고 있다.
RF 방식의 지문인식 모듈은 교류 전류를 이용하는 정전 방식으로서, 약 40khz~150khz 대역의 교류 전류를 지문의 표면으로 출력하고 지문의 내측과 표면을 포함한 지문의 골과 융선을 따라 흐르는 표면 전류를 이용하여 지문의 형상을 판독하게 된다.
이러한 지문 센서를 전자 기기에 장착하기 위해서는 전자 부품이 포함된 인쇄회로 기판에 지문 센서를 패키지 형태로 실장하여 지문 센서 패키지를 형성하는 과정이 선행된다.
이때 지문 센서 패키지는 지문 센서 칩을 몰딩하고 있는 몰딩부의 색을 차단하는 유색층 및 지문 센서와 유색층을 보호하기 위한 보호층을 구비한다.
공개특허공보 제10-2015-0016028호는 이러한 보호층을 사파이어 글라스로 구성하는 방법을 개시하고 있으며, 등록특허공보 제10-1473175호는 세라믹을 이용하여 보호층을 형성하는 구조를 개시하고 있다.
본 발명이 해결하려는 과제는 내지문성을 향상시켜 지문 센서 패키지의 감지 성능을 향상시키기 위한 것이다.
본 발명이 해결하려는 다른 과제는 지문 센서 패키지를 소형화하기 위한 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 한 특징에 따른 지문 센서 패키지는 지문 센서 칩을 포함하는 칩 패키지, 상기 칩 패키지의 상부면에 접착되어 있고, 유색의 폴리이미드로 형성된 유색층, 상기 유색층 위에 위치하는 무색 투명한 폴리이미드층, 및 상기 폴리이미드층 위에 위치하고 보호 코팅막과 내지문막으로 이루어진 내지문층을 포함한다.
상기 보호 코팅막은 DLC 코팅막일 수 있다.
상기 내지문막은 7㎛ 내지 13㎛의 두께를 가질 수 있다.
상기 특징에 따른 지문 센서 패키지는 상기 칩 패키지와 상기 유색층 사이에 위치하여 상기 칩 패키지와 상기 유색층을 접합시키는 접착층을 더 포함할 수 있다.
상기 접착층은 다이 부착 필름으로 이루어질 수 있다.
상기 특징에 따른 지문 센서 패키지는 상기 유색층과 상기 무색 투명한 폴리이미드층 사이에 위치하는 비전도층을 더 포함할 수 있다.
상기 비전도층은 주석(Sn), 주석(Sn)-인듐(In), 인듐(Indium), 산화티타늄(Ti3O5), 이산화규소(SiO2) 또는 산화알루미늄(Al2O3)으로 이루어질 수 있다.
상기 유색층은 검은색일 수 있다.
상기 유색층은 검은색의 폴리이미드부, 그리고 상기 폴리이미드부의 하부면과 상부면에 각각 도포되어 있는 제1 접착제층과 제2 접착제층을 포함할 수 있다.
이러한 특징에 따르면, 내지문층이 내지문막인 제2 막뿐만 아니라 DLC 코팅층으로 이루어진 제1 막을 갖는 이중막으로 이뤄져 있으므로, 내지문층의 내구성이 향상된다.
또한, 별도의 접착층 대신에 유색층으로 기능하는 검은색의 폴리이미드층을 이용하여 칩 패키지과 그 하부에 위치하는 다른 층과의 접착 동작이 이루어진다.
이로 인해, 접착층의 생략으로 인해 지문 센서 패키지의 두께가 감소하며, 내지문층 위에 위치한 손가락과 칩 패키지 간의 거리가 줄어들어 지문 감지 성능이 향상된다.
또한, 접착층의 생략으로 인해, 지문 센서 패키지의 제조 공정이 줄어들어 지문 센서 패키지의 제조 비용이 절감되고 수율이 향상된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 지문 센서 패키지의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 지문 센서 패키지에서 칩 패키지의 한 예에 대한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 지문 센서 패키지의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 지문 센서 패키지에서 칩 패키지의 한 예에 대한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 지문 센서 패키지의 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명하는데 있어서, 해당 분야에 이미 공지된 기술 또는 구성에 대한 구체적인 설명을 부가하는 것이 본 발명의 요지를 불분명하게 할 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명에서 이를 일부 생략하도록 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어들은 본 발명의 실시예들을 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 해당 분야의 관련된 사람 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
여기서 사용되는 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함하는'의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 지문 센서 패키지에 대해서 설명하도록 한다.
먼저, 도 1을 참고로 하여 본 발명의 일 실시예에 따른 지문 센서 패키지에 대하여 설명한다.
도 1를 참고로 하면, 본 예의 지문 센서 패키지는 칩 패키지(110), 칩 패키지(110) 위에 위치하는 접착층(120), 접착층(120) 위에 위치하는 유색층(130), 유색층(130) 위에 위치하는 비전도층(140), 비전도층(140) 위에 위치하는 무색 투명한 폴리이미드(polyimide)층(150), 그리고 폴리이미드층(150) 위에 위치하는 내지문층(160)을 구비한다.
칩 패키지(110)는 지문 센서 칩과 지문 센서 칩을 봉지하는 몰딩부를 포함할 수 있다. 이러한 칩 패키지(110)의 구성은 아래에서 좀 더 자세히 설명하도록 한다.
칩 패키지(110) 위에 위치한 접착층(120)은 칩 패키지(110)와 유색층(130)을 접착하기 위한 것이다.
이러한 접착층(120)의 한 예는 상부면과 하부면에 접착제가 도포되어 있는 다이 부착 필름(DAF, die attach film)을 이용하여 형성될 수 있고, 15㎛ 내지 25㎛의 두께를 가질 수 있다.
따라서 칩 패키지(110)와 유색층(130) 사이에 다이 부착 필름이 위치한 상태에서 열이 인가되면, 다이 부착 필름의 경화 과정을 통해 다이 부착 필름의 상부면에 위치한 유색층(130)과 다이 부착 필름의 하부면에 위치한 칩 패키지(110)는 서로 결합되어 상부의 유색층(130)은 하부의 칩 패키지(110)에 부착된다.
유색층(130)은 접착층(120) 위에 위치하며 검은색과 같은 불투명한 색상을 띄게 되며, 5㎛ 내지 15㎛의 두께를 가질 수 있다
따라서, 이러한 유색층(130)에 의해, 칩 패키지(110)의 상부면 색이 유색층(130) 상부 쪽으로 비치는 것을 차단한다.
유색층(130)은 비전도층(140)의 하부면에 유색의 잉크층 또는 유색의 에폭시 재질을 도포함으로써 형성될 수 있다.
비전도층(140)은 지문을 감지하기 위한 신호 흐름에 영향을 주지 않으면서 금속 재질의 질감과 외형적 광채 등을 제공하여 지문 센서 패키지의 심미성을 향상시키기 위한 것이다.
또한, 비전도층(140)은 지문 센서 패키지의 사용 중에 흠집 등의 발생을 억제하여 지문 센서 패키지의 내구성을 높인다.
본 예의 비전도층(140)은 0.05㎛ 내지 0.15㎛의 두께를 가지며, 주석(Sn), 주석(Sn)-인듐(In), 인듐(Indium), 산화티타늄(Ti3O5), 이산화규소(SiO2), 산화알루미늄(Al2O3) 등으로 이루어질 수 있다.
이러한 비전도층(140)은 비전도 증착(non-conductive vacuum metallization, NCVM) 공정이나 비전도 광학 코팅(non-conductive optical coating, NCOC) 공정에 의해 형성될 수 있다.
비전도 증착 공정의 경우, Ti3O5와 SiO2 재질로 형성된 산화막층이 복수 번 반복적으로 적층되어 형성될 수 있다.
비전도층(140)의 상부면 전체에 위치한 폴리이미드층(150)은 무색 투명한 폴리이미드 필름으로 이루어진 층이므로, 폴리이미드층(150)을 통해 유색층(130)의 색상이 외부로 투과된다.
이때, 폴리이미드층(150)은 25㎛ 내지 60㎛의 두께를 가질 수 있다
하나의 예로서, 폴리이미드층(150)을 이루는 폴리이미드 필름은 전광선 투과율이 80% 이상, YI(Yellow Index) 값(황색도)이 15 이하, 바람직하게는 3 이하의 무색 투명성을 가질 수 있다.
하지만, 이러한 폴리이미드층(150)의 전광선 투과율과 황색도는 빛의 파장에 따라 달라질 수 있다.
예를 들어, 폴리이미드 필름의 두께가 50㎛~100㎛일 때, 380㎚~780㎚에서의 전광선 투과율이 50% 이상일 수 있다.
구체적으로, 550㎚~780㎚에서의 전광선 투과율은 88% 이상이고, 500㎚에서 전광선 투과율이 85% 이상이며, 420㎚에서 전광선 투과율이 50% 이상일 수 있다.
여기서, 전광선 투과율은 UV 분광계로 측정한 투과율이다.
또한, 폴리이미드 필름의 두께가 50㎛~100㎛일 때, 황색도는 15 이하일 수 있다.
이를 위해, 폴리이미드 필름은 방향족 디안하이드라이드와 방향족 디아민 또는 방향족 디이소시아네이트를 용액 중합하여 폴리아믹산 유도체를 제조한 후, 고온에서 폐환 탈수시켜서 이미드화하여 제조되는 고내열 폴리이미드 수지로 이루어질 수 있다.
이러한 폴리이미드 필름은 내열성이 우수하기 때문에, 일정 두께로 형성하는 경우에 본 예의 지문 센서 패키지가 전자 기기에 실장되는 과정에서 열에 의해 용융되는 것을 예방할 수 있다.
종래에 투명층(150)을 위해 사용된 코팅 재료나 필름은 주로 내열성이 약한 재료를 사용하므로, 표면 실장 공정(SMT process)에서 칩 마크(DIE mark)가 도드라져 있고 지문 센서 패키지는 해당 제품의 외부에 노출되게 장착되므로 고온의 리플로우(reflow) 처리를 실시하는 대신 저온의 리플로우 처리를 적용하였다.
이처럼, 저온의 리플로우 처리를 통해 형성된 납땜(solder)은 고온의 리플로우 처리를 통해 형성된 납땜에 비해 내구성이 약하고, 이로 인해 크랙(crack) 현상 등과 같이 취성 파괴 현상이 용이하게 발생하였다.
이에 비해, 본 예의 경우 투명층으로서 내열성이 우수한 폴리이미드 필름을 사용하므로, 표면 실장 공정에서 고온의 리플로우 처리를 실시할 수 있고, 이로 인해, 표면 실장 공정으로 형성된 납땜의 내구성이 향상되며 취성 파괴 현상이 크게 감소한다.내지문층(160)은 지문 센서 패키지의 최외각층으로서 외부에 노출되는 층으로서 지문 검출을 위해 사용자의 지문과 접촉하는 부분이다.
이러한 내지문층(160)은 제1 막인 보호 코팅막(161)과 제1 막(161) 위에 위치하는 AF(anti-fingerprint) 하드(hard) 코팅막으로 이루어진 제2 막인 내지문막(162)을 구비한다.
보호 코팅막(161)은 내지문층(160)의 경도와 내구성을 높이기 위한 것으로서, DLC(diamond like carbon) 코팅 공정으로 이루어진 DLC 코팅막으로서, 0.05㎛ 내지 0.15㎛의 두께를 가질 수 있다.
따라서, 보호 코팅막(161)은 높은 표면 경도를 가져 내마모성이 향상되며 내구성이 뛰어나다. 또한 보호 코팅막(161)은 산과 염기에 반응하지 않아 화학적 신뢰성이 양호하여 내부식성이 좋고, 비경질 구조를 가지므로 표면 조도가 향상된다. 이러한 보호 코팅막(161)의 표면 강도는 1,000HV~7,000HV일 수 있다.
내지문막(162)은 지문 발생을 방지하기 막으로서 7㎛ 내지 13㎛의 두께를 가질 수 있다.
이러한 내지문막(162)은 발수성의 코팅층으로 이루어질 수 있고 추가적으로 발유성을 가질 수 있다.
이로 인해, 수분 및 유분에 대한 접촉각이 높아 표면에 지방질이 부착되어도 용이하게 제거가 가능할 수 있다.
또한, 내지문막(162)의 발수성으로 인해 접촉면과 물방울과의 접촉각인 WCA(water contact angle)의 크기가 100도 이상이 확보되어, 별도의 내지문 코팅(anti-fingerprint coating) 동작이 불필요하다.
또한, WCA의 크기가 100 이상으로 높음에 따라 생채 인식 솔루션의 보안성(selectivity/sensitivity)의 지표인 FRR(false acceptance ratio, 타인 수락률)/FAR(false rejection ratio, 본인 거부율)이 물에 의해 악영향을 받는 것이 방지되어 지문 이식율이 향상된다.
본 예의 내지문막(162)은 진공 증착법, 또는 침지, 인쇄, 분사 등의 습식 코팅법에 의하여 형성될 수 있다.
이와 같이, 내지문층(160)은 AF 하드 코팅층인 내지문막(162)뿐만 아니라 DLC 코팅층으로 이루어진 보호 코팅막(161)을 구비하므로, 내지문층(160)의 내구성이 향상된다.
이러한 구조를 갖는 칩 패키지(110)는 도 1에 도시한 것처럼, 칩 패키지(110)와 그 상부에 위치한 층들(120-160)의 측면의 위치가 모두 동일하여 동일선 상에 위치함에 따라 지문 센서 패키지를 제조할 때, 별도의 치핑 공정(chipping process)이 필요 없다.
또한, 지문 센서 패키지에 베젤(bezel)을 장착 시에도 장착이 용이하며 장착에 필요한 공간 역시 절감되어, 완성된 지문 센서 패키지의 크기를 최소화할 수 있다.
다음, 도 2를 참고로 하여 칩 패키지(110)의 구조에 대하여 자세히 설명한다.
도 2를 참고로 하면, 칩 패키지(110)의 한 예는 베이스 기판(112), 지문 센서 칩(114) 및 몰딩부(118)를 포함할 수 있다.
베이스 기판(112)은 칩 패키지(110)의 하부에 위치하며, 지문 센서 칩(114)을 포함하는 여러 가지 소자들을 실장하고 있다.
따라서, 베이스 기판(112)은 지문 센서 패키지가 장착되는 전자 기기(도시하지 않음)로부터 전기 신호를 입력받고, 지문 센서 패키지에서 생성된 전기 신호를 다시 지문 센서 패키지가 장착된 전자 기기로 전달한다.
이를 위해 베이스 기판(112)은 하면에 전기 신호를 입력 또는 출력할 수 있는 복수의 도전성 패드(113)를 포함하는 LGA(Land Grid Array) 패키지로 이루어질 수 있다.
이러한 베이스 기판(112)은 연성을 가지는 연성 인쇄 회로기판(FPCB, Flexible PCB(Printed Circuit Board)), 경성 인쇄회로 기판(HPCB, Hard PCB) 또는 연경성 인쇄회로 기판(RF-PCB, rigid flexible Printed Circuit Board) 등 으로 형성될 수 있으며, 폴리이미드 또는 PET(Poly Ethylene Terephthalate) 등의 절연 재질의 필름으로 이루어질 수 있다.
베이스 기판(112)의 상부 중 일면에 위치하는 지문 센서 칩(114)은 내지문층(160) 위에 손가락이 위치하는 경우에, 손가락 지문의 패턴을 인식한다.
지문 센서 칩(114)에서 출력되는 전기 신호는 접착층(120) 유색층(130), 비전도층(140), 폴리이미드층(150)과 내지문층(160)을 차례대로 통과하여 손가락 지문까지 도달하고, 지문에서 생성된 수신 신호는 다시 상부에서 하부쪽으로 해당 층(160-120)을 순차적으로 통과해 지문 센서 칩(114)으로 전달된다.
이때, 지문 센서 칩(114)은 도전성 와이어(116) 등을 이용하여 인쇄회로 기판인 베이스 기판(112)과 전기적으로 연결되어 있다.
몰딩부(118)는 지문 센서 칩(114)의 상면에서 베이스 기판(112)의 상면에 위치한 베이스 기판(112), 지문 센서 칩(114) 및 도전성 와이어(116) 등을 밀봉하여 칩 패키지(110)로서 형성하기 위한 것이다.
이러한 몰딩부(118)는 비도전성이면서 내열성 및 내화학성이 우수한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC, Epoxy Molding Compound)나 에폭시 등의 재질로 형성될 수 있다.
에폭시 몰딩 컴파운드는 다른 수지재보다 상대적으로 비유전율이 높아서 인식하려는 지문으로부터 지문 센서 칩(114)까지의 신호 전달을 손실없이 용이하게 실시한다.
이러한 몰딩부(118)는 도전성 와이어(118)가 노출되지 않는 범위 내에서 지문 센서 칩(114)의 상부 표면으로부터 300㎛ 이하의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.
다음, 도 3을 참고로 하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 지문 센서 패키지를 설명한다.
도 1에 도시한 지문 센서 패키지와 비교할 때, 동일한 구조를 갖고 같은 기능을 수행하는 부분에 대해서는 도 1과 동일한 도면 부호를 부여하였고 그에 대한 자세한 설명은 생략한다.
도 1과 비교할 때, 도 3에 도시한 본 예의 지문 센서 패키지는 접착층(120)이 생략되고, 유색층으로서 칩 패키지(110)의 상부면과 바로 접착되어 있는 검은색의 폴리이미드층(130a)을 구비한다.
따라서, 도 3에 도시한 본 예의 지문 센서 패키지는 칩 패키지(110), 칩 패키지(110) 위에 위치하는 검은색의 폴리이미드층(예, 제1 폴리이미드층)(130a), 제1 폴리이미드층(130a) 위에 위치하는 비전도층(140), 비전도층(140) 위에 위치하는 무색 투명한 폴리이미드층(예, 제2 폴리이미드층)(150), 그리고 보호 코팅막(161)과 내지문막(162)을 구비한 내지문층(160)을 구비한다.
본 예의 제1 폴리이미드층(130a)은 검은색의 폴리이미드부(132)와 폴리이미드부(132)의 하부면 및 상부면 각각에 도포되어 있는 제1 및 제2 접착제층(131, 133)을 구비하고 있고, 총 두께는 15㎛ 내지 40㎛일 수 있다.
따라서, 폴리이미드부(132)는 제1 접착제층(131)에 의해 하부에 위치하는 칩 패키지(110)와 접착되고, 제2 접착제층(133)에 의해 그 상부에 위치하는 비전도층(140)과 접착된다.
이러한 본 예의 지문 센서 패키지에 따르면 도 1에 의한 지문 센서 패키지에 의해 발휘되는 효과 이외에도, 별도의 접착층을 구비하지 않고도 유색층으로 작용하는 제1 폴리이미드층(130a)을 접착층으로 이용하므로, 지문 센서 패키지의 두께는 크게 감소한다. 따라서, 내지문층(160) 위에 위치한 손가락과 칩 패키지(110) 간의 거리가 줄어들어 지문 감지 성능이 향상된다.
또한, 접착층이 생략되므로, 지문 센서 패키지의 제조 공정이 줄어들어, 지문 센서 패키지의 제조 비용이 절감되며 수율이 향상된다.
이상, 본 발명의 지문 센서 패키지의 실시예들에 대해 설명하였다. 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부한 도면에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자의 관점에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 범위는 본 명세서의 청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
110: 칩 패키지 120: 접착제층
130: 유색층 130a: 검은색의 폴리이미드층
140: 비전도층 150: 무색 투명한 폴리이미드층
160: 내지문층 161: 보호 코팅막
162: 내지문막
130: 유색층 130a: 검은색의 폴리이미드층
140: 비전도층 150: 무색 투명한 폴리이미드층
160: 내지문층 161: 보호 코팅막
162: 내지문막
Claims (9)
- 지문 센서 칩을 포함하는 칩 패키지;
상기 칩 패키지의 상부면에 접착되어 있고, 유색의 폴리이미드로 형성된 유색층;
상기 유색층 위에 위치하는 무색 투명한 폴리이미드층;
상기 유색층과 상기 무색 투명한 폴리이미드층 사이에 위치하는 비전도층; 및
상기 폴리이미드층 위에 위치하고 보호 코팅막과 내지문막으로 이루어진 내지문층
을 포함하는 지문 센서 패키지. - 지문 센서 칩을 포함하는 칩 패키지;
상기 칩 패키지의 상부면에 접착되어 있고, 검은색의 폴리이미드로 형성된 유색층;
상기 유색층 위에 위치하는 무색 투명한 폴리이미드층; 및
상기 폴리이미드층 위에 위치하고 보호 코팅막과 내지문막으로 이루어진 내지문층
을 포함하고,
상기 유색층은,
검은색의 폴리이미드부; 및
상기 폴리이미드부의 하부면과 상부면에 각각 도포되어 있는 제1 접착제층과 제2 접착제층을 포함하는 지문 센서 패키지. - 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 내지문막은 7㎛ 내지 13㎛의 두께를 가지는 지문 센서 패키지. - 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 칩 패키지와 상기 유색층 사이에 위치하여 상기 칩 패키지와 상기 유색층을 접합시키는 접착층을 더 포함하는 지문 센서 패키지. - 제4 항에 있어서,
상기 접착층은 다이 부착 필름으로 이루어진 지문 센서 패키지. - 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 보호 코팅막은 DLC 코팅막인 지문 센서 패키지. - 제1 항에 있어서,
상기 비전도층은 주석(Sn), 주석(Sn)-인듐(In), 인듐(Indium), 산화티타늄(Ti3O5), 이산화규소(SiO2) 또는 산화알루미늄(Al2O3)으로 이루어진 지문 센서 패키지. - 제2 항에 있어서,
상기 유색층과 상기 무색 투명한 폴리이미드층 사이에 위치하는 비전도층
을 더 포함하는 지문 센서 패키지. - 제8 항에 있어서,
상기 비전도층은 주석(Sn), 주석(Sn)-인듐(In), 인듐(Indium), 산화티타늄(Ti3O5), 이산화규소(SiO2) 또는 산화알루미늄(Al2O3)으로 이루어진 지문 센서 패키지.
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