KR102025452B1 - 변형 분리 센서 - Google Patents

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Abstract

센서는 기판(16) 및 상기 기판(16)에 앵커된 센서 요소(20)를 포함하며, 상기 기판(16) 및 센서 요소(20)는 상이한 물질이고 상이한 열 팽창 계수를 가지고, 상기 센서 요소(20) 및 기판(16)은 각각 실질적으로 서로 평행하게 배열된 일반적으로 플래너 면을 구비하고, 상기 센서는 스페이서(26)를 더 포함하며, 상기 스페이서(26)는 상기 센서 요소(20)의 적어도 일부를 상기 기판(16)의 적어도 일부로부터 이격시키도록 위치되며, 상기 스페이서(26)는 상기 기판(16)의 면과 상기 센서 요소(20)의 면 중 더 작은 것의 면적보다 상당히 더 작은 면적이다.

Description

변형 분리 센서{STRAIN DECOUPLED SENSOR}
본 발명은 센서에 관한 것으로, 보다 상세하게는 열적으로 야기된 응력으로부터 발생하는 부정확성이 감소된 센서에 관한 것이다.
센서는 일반적으로 적어도 일부가 상이한 물질로 구성되고 서로 강성으로 상호 연결된 다수의 컴포넌트 부분으로 구성된다. 센서가 온도 변화를 받으면, 각 컴포넌트 부분이 열 팽창하거나 수축한다. 종종 컴포넌트 부분은 상이한 물질인 경우와 같이, 컴포넌트 부분이 상이한 열 팽창 계수를 가지는 경우, 일반적으로 응력이 야기될 수 있다.
마이크로-전기기계 시스템(Micro-electromechanical system: MEMS) 기술은 다수의 센서를 설계하는데 사용되어 왔다. 예를 들어, MEMS 기반 가속도계 및 자이로스코프는 잘 알려져 있다. 이러한 디바이스는 일반적으로, 예를 들어, 유리 또는 실리콘의 기판에 앵커된(anchored) 실질적으로 플래너(planar) 실리콘 층을 포함한다. 다른 컴포넌트들이 기판에 앵커될 수 있고, 전술한 바와 같이 상기 다른 컴포넌트와 기판 사이에 열 팽창의 차이는 실리콘 층에 응력을 야기하여, 센서의 동작에 부정적인 영향을 미칠 수 있다. 예를 들어, 센서의 바이어스(bias) 또는 스케일 팩터(scale factor)가 영향을 받을 수 있다.
US2010/0072563 및 WO2008/069394는 센서 요소가 기판에 접합된 센서 배열을 기술한다. 각 경우에, 센서 요소는 고정된 부분에 대해 이동가능한 부분을 포함하고, 이 센서 요소의 전체 표면이 아니라, 센서 요소의 고정된 부분만이 기판에 접합되지만, 센서 요소의 여러 부분이 기판에 접합되어 있어서, 열 팽창 또는 수축의 차이로 인해 센서 요소에 응력이 발생된다.
US2010/0251818 및 US2010/0300201은 탄성 또는 순응 지지부를 사용하여 열 팽창의 차이를 수용하는 센서 요소를 지지하는 배열을 기술한다.
US2003/0038415는 순응하는 센서용 장착 배열을 기술한다.
본 발명의 목적은 전술된 단점을 해소하거나 그 영향을 감소시키는 센서를 제공하는 것이다.
본 발명에 따라 기판 및 이 기판에 앵커된 센서 요소를 포함하는 센서로서, 이 기판 및 센서 요소는 상이한 물질이고 상이한 열 팽창 계수를 구비하며, 상기 센서 요소 및 기판은 각각 실질적으로 서로 평행하게 배열된 일반적으로 플래너 면을 구비하며, 상기 센서는 단일 스페이서를 더 포함하며 상기 센서 요소는 상기 기판에 앵커되고, 상기 스페이서는 상기 센서 요소의 적어도 일부를 상기 기판의 적어도 일부로부터 이격시키도록 위치되고, 상기 스페이서는 상기 기판의 면과 상기 센서 요소의 면 중 더 작은 면의 면적(area)보다 상당히 더 작은 면적인 것인, 센서가 제공된다.
스페이서는 센서 요소와 기판 중 하나 또는 다른 하나 또는 둘 모두와 일체형으로 형성될 수 있다. 스페이서가 센서 요소와 기판 중 하나와 일체형으로 형성된 경우, 이것은, 예를 들어 적절한 에폭시를 사용하여, 센서 요소와 기판 중 다른 것에 편의상 접합될 수 있다. 센서 요소와 기판 중 상기 다른 것과 스페이서 사이의 접촉 면적, 즉 스페이서의 면적은 이 컴포넌트의 면의 면적보다 상당히 더 작은 것으로 이해된다.
이 배열에서, 센서 요소 및 기판은 스페이서의 위치에 있는 면적의 작은 비율만큼만 상호 연결되기 때문에, 센서 요소 및 기판의 열 팽창의 차이로 인해 발생하는 응력은 스페이서에서 상호 연결된 면적이 작은 것으로 인해 이것으로 제한되어서, 센서의 동작에 훨씬 감소된 영향을 미친다.
편의상, 스페이서는 기판과 일체형으로 형성된다. 예를 들어, 이것은 기판의 주변 부분으로부터 직립하는 작은 직경 돌출부에 의해 한정될 수 있다. 공동(cavity)이 기판의 면에 형성될 수 있고, 돌출부는 바람직하게는 공동의 중심에 위치된다. 공동은 편의상 환형 형태이다.
돌출부는 편의상 일반적으로 원통형 형상이다. 그러나, 다른 형상들도 가능하다. 예를 들어, 이것은 다각형 단면을 구비할 수도 있다.
스페이서는 편의상 기판 및/또는 센서 요소의 면적의 절반 미만의 면적이다. 바람직하게는, 스페이서의 면적은 기판 및/또는 센서 요소의 면적의 30% 미만이다.
스페이서는 바람직하게는 3Oμm의 구역의 거리만큼 기판 및 센서 요소를 상호 이격시킨다. 그러나, 본 발명은 이 간격이 예를 들어, 이 보다 더 큰 다른 배열에도 적용가능하다. 사실, 예를 들어 300μm의 구역과 같은 더 큰 간격이, 스페이서에 걸쳐 응력 결합을 감쇠시킬 수 있어서 유리할 수 있다.
센서는 편의상 진동 링 자이로스코프를 포함한다. 이러한 배열에서, 센서 요소는 편의상 센서의 자석 조립체의 일부를 포함한다. 예를 들어, 이것은 자석 조립체의 하부 극성 부재를 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명은 다른 형태의 센서에도 적용될 수 있고 이러한 배열에서, 센서 요소는 다른 형태일 수 있는 것으로 이해된다.
본 발명은, 첨부 도면을 참조하여 예로서 이제 더 설명된다.
도 1은 진동 링 자이로스코프의 알려진 형태의 개략도;
도 2는 도 1과 유사하지만 본 발명의 일 실시예에 따른 센서를 도시한 도면;
도 3은 일반적인 센서의 30개의 샘플에 대해 온도에 따른 직교 바이어스 변동(quadrature bias variation)을 도시한 그래프;
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 센서의 샘플의 직교 바이어스 변동을 도시한 도 3과 유사한 그래프.
제일 먼저 도 1을 참조하면, 공진기(10)로부터 외부쪽으로 연장하는 일체형 인대(support ligament)(도 1에는 미도시)에 의해 지지 프레임(12)에 부착된 링 형상의 공진기(10)를 포함하는 센서가 도시된다. 지지 프레임(12)은 유리 받침대()(14) 위에 장착되고 이 유리 받침대는 유리 기판(16) 위에 장착된다.
기판(16)에는 하부 극성 부재(20), 상부 극성 부재(24), 및 이들 사이에 위치된 자석(22)으로 이루어진 자석 조립체(18)가 부착된다. 자석 조립체(18), 특히 그 하부 극성 부재(20)는, 이 하부 극성 부재(20)와 유리 기판(16) 사이에 위치된 접착제의 실질적으로 강성인 얇은 층에 의해 유리 기판(16)에 부착된다. 하부 극성 부재(20)는 전체 하부 표면에 걸쳐 기판(16)에 고정된다. 하부 극성 부재(20)는 일반적으로 상대적으로 낮은 열 팽창 계수를 가지는 적절한 강자성 물질로 구성된다. 극성 부재(20)는 7x10-6 정도의 열 팽창 계수를 구비할 수 있다. 실리콘 및 프렉스(Pyrex) 유리의 열 팽창 계수는 각각 3x10-6 및 2x10-6의 구역에 있다. 일반적으로, 접착제는 상승된 온도, 예를 들어 130℃의 구역에서 적용된다. 조립체가 이 온도로부터 냉각되면, 하부 극성 부재(20)와 기판(16) 사이에 열 팽창/수축의 차이가 발생하여, 전술한 바와 같이 내부 및 공진기(10) 및 지지 프레임(12)에 응력이 발생한다. 사용 동안 온도 변화는 동일한 이유로 응력을 야기할 수 있다.
이런 형태의 센서는 잘 알려져 있어서 동작하는 방식은 본 명세서에 설명되지 않는다. 예를 들어, 이 일반적인 유형의 센서는 GB2322196 및 US2011/0167911에 설명되어 있다.
지지 프레임(12), 받침대(14) 및 기판(16)은 일반적으로 정사각형 단면 형상이고, 받침대(14)는 일반적으로 원형 단면 형상의 내부 개구를 포함하고 이 원형 단면 형상 내에 일반적으로 원통형 형상인 자석 조립체(18)가 위치된다. 그 결과, 센서 내 응력 분포가 균일하지 않아서, 받침대(14)의 폭이 최소인 곳에 최대값을 가지고, 받침대(14)의 폭이 최대인 코너에 최소값을 가진다. 이러한 가변하는 응력 패턴은 공진기를 지지 프레임(12)에 장착시키는 인대를 통해 공진기(10)에 결합되어, 공진기의 강성(stiffness)이 가변된다.
이 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 가변 응력 패턴을 공진기에 결합하는 것은 센서의 동작에 영향을 미친다는 것을 인식할 수 있을 것이다. 본 출원인은 이 열적으로 유도된 응력으로부터 발생하는 변동이 이 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자라면 이해할 수 있는 바와 같이 직교 바이어스 변동의 1차 원인인 것으로 이해한다. 도 3은 온도 변화로부터 발생하는 직교 바이어스 변동을 도시한 그래프이고, 이들 변동은 상당하여, 센서의 사용에 영향을 미치는 것으로 이해된다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 센서를 도시한다. 도 2의 센서는 도 1의 센서와 매우 유사하며 이에 그 차이만이 아래에서 보다 상세히 설명된다. 적절한 경우, 전술한 설명이 도 2의 실시예의 이해를 돕기 위해 참조된다. 동일한 참조 부호는 도 1 및 도 2에서 유사하거나 또는 실질적으로 동일한 기능을 수행하는 부분을 나타내는데 사용된다.
도 2의 센서에서, 하부 극성 부재(20)의 하부측 또는 하부 면(20a)은 실질적으로 전체 면적에 걸쳐 기판(16)과 맞물리지 않는다. 오히려, 하부 면(20a)의 대다수는 작은 거리(d)만큼 기판(16)으로부터 이격된다. 거리(d)는, 예를 들어, 30μm 정도일 수 있다. 도시된 바와 같이, 이것은 스페이서(26)의 존재에 의하여 달성된다. 도 2의 실시예에서, 스페이서(26)는 기판(16)과 일체형으로 형성된다. 그러나, 스페이서(26)가 타워 극성 부재(20)의 부분을 형성하거나, 또는 별개의 컴포넌트인 배열도 가능할 수 있다. 나아가, 스페이서는 2개의 부분으로 된 형태일 수 있고, 스페이서 부분은 기판 위에 형성되고 또 다른 부분은 하부 극성 부재 위에 형성될 수 있다.
전술된 배열에서 거리(d)는 30μm 정도이지만, 다른 간격이 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 사용될 수 있다. 사실, 예를 들어, 300μm와 같은 더 큰 간격이, 스페이서에 걸쳐 응력 결합을 어느 정도 감쇠시킬 수 있어서 유리할 수 있다. 어느 정도까지, 깊이는 스페이서를 형성하는데 사용되는 기술 및 스페이서와 기판의 나머지 부분의 구조적 일체성에 의해 지배된다.
스페이서(26)는 편의상 얕은 리세스 또는 공동(28)을 기판(16)의 표면(16a)으로 에칭하는 것에 의해 형성된다. 다른 제조 기술이 사용될 수 있다. 예를 들어, 분말 블라스팅 기술이 사용될 수 있다. 일반적으로, 에칭을 하면 상대적으로 얕은 리세스를 형성할 수 있고, 분말 블라스팅은 더 깊은 리세스가 요구되는 경우 적절할 수 있다. 리세스 또는 공동(28)은 하부 극성 부재(20)의 직경보다 약간 더 큰 외부 직경을 구비하는 일반적으로 환형 형태이고; 스페이서(26)는 환형 리세스 또는 공동(28)의 중심에 의해 형성되거나 한정될 수 있다. 스페이서(26)는 리세스 또는 공동(28)의 중심으로부터 실질적으로 표면(16a)의 평면으로 돌출한다.
도 1의 센서와 같이, 조립 동안, 하부 극성 부재(20)는, 예를 들어 적절한 에폭시를 사용하는 것에 의해 기판(16)에 고정된다. 그러나, 도 1의 센서와 달리, 하부 극성 부재(20)의 하부 면(20a)의 일부만이 기판(16)에 고정되고, 하부 면(20a)의 상기 일부는 스페이서(26)에 고정된다. 하부 극성 부재(20)의 하부 면(20a)의 나머지 부분은 리세스 또는 공동(28) 및 스페이서(26)의 존재에 의하여 기판(16)으로부터 현가되거나 이격된다. 센서 요소(20)와 기판(16) 사이의 접촉 면적은 스페이서(26)의 면적으로 이렇게 제한된다.
하부 극성 부재(20)의 표면 면적의 상대적으로 작은 일부만이 기판(16)과 접촉하여 이에 고정되므로, 열 팽창 또는 수축의 차이는 조립체에 제한된 응력만을 야기하거나 유도하는 것으로 이해된다. 공진기(10)에 열적으로 유도된 응력이 결합하는 양이 이에 따라 매우 감소되어, 센서의 동작과 감도에 개선을 초래한다.
예로서, 도시된 배열에서, 하부 극성 부재(20)는 직경이 대략 6mm이고, 리세스 또는 공동은 극성 부재(20)보다 약간 더 크고, 스페이서(26)는 직경이 대략 3mm이다. 그리하여, 이 실시예에서 하부 극성 부재(20)와 기판(16) 사이의 접촉 면적(즉, 스페이서(26)의 면적)은 도 1의 배열에서 동일한 접촉 면적의 대략 25%인 것으로 이해된다. 이 실시예에서 접촉 면적이 도 1의 배열에서 동일한 면적의 25%로 감소되지만, 본 발명은 이런 점으로 제한되지 않는 것으로 이해된다. 예를 들어, 본 발명의 이익의 일부는 접촉 면적을 하부 극성 부재(20)의 면적의 대략 50% 미만으로 감소시키는 것에 의해 발생할 수 있다. 그러나, 바람직하게는, 접촉 면적은 이것 미만이고, 편의상 하부 극성 부재(20)의 면적의 대략 30% 미만이다. 실제로, 접촉 면적을 최소화하여 열적으로 유도된 응력을 공진기(10)에 결합시키는 양을 감소시키는 것과, 및 하부 극성 부재(20)가 기판(16) 위 위치에 적절히 지지되어 고정되는 것을 보장하는 것 사이에는 트레이드-오프 관계가 있다.
도 4는 도 3과 유사하며 실질적으로 동일한 스케일이지만 전술한 바와 같이 도 2의 실시예의 직교 바이어스 변동을 도시한 그래프이다. 도 3 및 도 4의 그래프를 비교하는 것에 의해, 도 2의 배열의 온도에 따른 직교 바이어스 변동은 훨씬 감소된다는 것이 주목된다.
본 발명의 배열은 공진기에 열적으로 유도된 응력을 결합시키는 양을 감소시켜, 그 부작용을 감소시킬 뿐아니라, 공동(28)을 형성하는데 단일 추가적인 제조 단계만을 도입하는 것을 수반하는 상대적으로 간단하고 편리한 방식으로 이를 달성한다.
전술된 배열에서, 하부 극성 부재(20)는 센서 요소를 기판(16)에 고정하여 형성한다. 그러나, 다른 형태의 센서에서, 센서 요소는 다른 형태를 취할 수 있는 것으로 이해된다. 본 발명은 이런 점으로 제한되지 않는다.
첨부된 청구범위에 한정된 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 전술된 배열에는 여러 변형과 변경이 이루어질 수 있다. 예를 들어, 전술된 배열에서 스페이서(26)는 리세스 또는 공동(26)의 중심에 형성되고 일반적으로 원통형 형태이다. 그러나, 원하는 경우 다른 형상 및 위치가 사용될 수 있다.

Claims (15)

  1. 기판 및 상기 기판에 앵커된(anchored) 센서 요소를 포함하는 센서로서, 상기 기판 및 센서 요소는 상이한 물질이고 상이한 열 팽창 계수를 가지며, 상기 센서 요소 및 기판은 각각 실질적으로 서로 평행하게 배열된 플래너 면을 구비하고, 상기 센서는 상기 센서 요소를 상기 기판 위에 앵커시키는 단일 스페이서를 더 포함하며, 상기 스페이서는 상기 센서 요소의 적어도 일부를 상기 기판의 적어도 일부로부터 이격시키도록 위치되고, 상기 스페이서는 상기 기판의 면과 상기 센서 요소의 면 중 더 작은 면의 면적보다 더 작은 면적이며, 상기 센서는 진동 링 자이로스코프를 포함하고, 상기 센서 요소는 상기 센서의 자석 조립체의 일부인 것인 센서.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스페이서는 상기 센서 요소와 상기 기판 중 하나 또는 다른 하나와 일체형으로 형성된 것인 센서.
  3. 제1항에 있어서, 상기 스페이서는 상기 센서 요소와 상기 기판 중 하나와 일체형으로 형성되고, 상기 센서 요소와 상기 기판 중 다른 것에 접합된 것인 센서.
  4. 제3항에 있어서, 상기 스페이서는 상기 기판과 일체형으로 형성된 것인 센서.
  5. 제4항에 있어서, 상기 스페이서는 상기 기판의 주변 부분으로부터 직립하는 돌출부에 의해 한정된 것인 센서.
  6. 제5항에 있어서, 상기 기판의 면에 공동(cavity)이 형성되고, 상기 스페이서는 상기 공동의 베이스로부터 직립하는 것인 센서.
  7. 제6항에 있어서, 상기 돌출부는 상기 공동의 중심에 위치된 것인 센서.
  8. 제7항에 있어서, 상기 공동은 환형 형태인 것인 센서.
  9. 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 돌출부는 원통형 형상인 것인 센서.
  10. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스페이서는 상기 기판과 상기 센서 요소 중 더 작은 것의 면적의 절반 미만의 면적인 것인 센서.
  11. 제10항에 있어서, 상기 스페이서는 상기 기판과 상기 센서 요소 중 더 작은 것의 면적의 30% 미만의 면적인 것인 센서.
  12. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스페이서는 적어도 30μm의 구역의 거리만큼 상기 기판 및 센서 요소를 상호 이격시키는 것인 센서.
  13. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 센서 요소는 상기 자석 조립체의 하부 극성 부재를 포함하는 것인 센서.
  14. 삭제
  15. 삭제
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10278281B1 (en) * 2015-10-30 2019-04-30 Garmin International, Inc. MEMS stress isolation and stabilization system
US9917040B1 (en) * 2016-12-12 2018-03-13 Stmicroelectronics, Inc. Stress relieved thermal base for integrated circuit packaging
DE102017214558B9 (de) * 2017-08-21 2021-02-25 Infineon Technologies Ag Verfahren zur erzeugung eines mems-sensors
CN109387191B (zh) * 2018-09-28 2020-07-14 清华大学 一种高温度适应性mems平面谐振陀螺结构
EP3985351A1 (en) 2020-10-16 2022-04-20 Atlantic Inertial Systems Limited Quadrature bias error reduction for vibrating structure gyroscopes
CN113324519B (zh) * 2021-04-29 2023-10-13 瑞声开泰科技(武汉)有限公司 一种基于体振动的翻转倾斜检测结构
IL284361B1 (en) * 2021-06-24 2024-04-01 Rafael Advanced Defense Systems Ltd Temperature balanced spacer

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050035446A1 (en) * 2002-09-04 2005-02-17 Karpman Maurice S. Packaged microchip with premolded-type package
KR101613568B1 (ko) 2008-07-12 2016-04-19 애틀랜틱 이너셜 시스템스 리미티드 개량된 진동 구조 자이로스코프

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4107658A1 (de) * 1991-03-09 1992-09-17 Bosch Gmbh Robert Montageverfahren fuer mikromechanische sensoren
JP2904141B2 (ja) * 1996-08-20 1999-06-14 日本電気株式会社 半導体装置
GB2322196B (en) 1997-02-18 2000-10-18 British Aerospace A vibrating structure gyroscope
GB9817347D0 (en) * 1998-08-11 1998-10-07 British Aerospace An angular rate sensor
JP2000249562A (ja) * 1999-03-03 2000-09-14 Murata Mfg Co Ltd 角速度センサ
US6937479B2 (en) 2001-08-21 2005-08-30 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Sensor isolation system
GB0122254D0 (en) * 2001-09-14 2001-11-07 Bae Systems Plc Vibratory gyroscopic rate sensor
US20040041254A1 (en) 2002-09-04 2004-03-04 Lewis Long Packaged microchip
TW589752B (en) 2003-05-28 2004-06-01 Au Optronics Corp Semiconductor acceleration sensor
US20100030020A1 (en) 2006-10-20 2010-02-04 Femsuite Llc Optical surgical device and method of use
KR100833508B1 (ko) 2006-12-07 2008-05-29 한국전자통신연구원 멤즈 패키지 및 그 방법
US8207586B2 (en) 2008-09-22 2012-06-26 Alps Electric Co., Ltd. Substrate bonded MEMS sensor
US8393212B2 (en) 2009-04-01 2013-03-12 The Boeing Company Environmentally robust disc resonator gyroscope
US8327526B2 (en) 2009-05-27 2012-12-11 The Boeing Company Isolated active temperature regulator for vacuum packaging of a disc resonator gyroscope

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050035446A1 (en) * 2002-09-04 2005-02-17 Karpman Maurice S. Packaged microchip with premolded-type package
KR101613568B1 (ko) 2008-07-12 2016-04-19 애틀랜틱 이너셜 시스템스 리미티드 개량된 진동 구조 자이로스코프

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