KR102023165B1 - Photo-curable and thermo-curable resin composition and dry film solder resist - Google Patents
Photo-curable and thermo-curable resin composition and dry film solder resist Download PDFInfo
- Publication number
- KR102023165B1 KR102023165B1 KR1020170016356A KR20170016356A KR102023165B1 KR 102023165 B1 KR102023165 B1 KR 102023165B1 KR 1020170016356 A KR1020170016356 A KR 1020170016356A KR 20170016356 A KR20170016356 A KR 20170016356A KR 102023165 B1 KR102023165 B1 KR 102023165B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- resin composition
- thermosetting
- photocurable
- group
- acid
- Prior art date
Links
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 101
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 title abstract description 53
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 92
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 79
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 78
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims abstract description 47
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 38
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims abstract description 38
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M acrylate group Chemical group C(C=C)(=O)[O-] NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 27
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 67
- -1 acrylate compound Chemical class 0.000 claims description 60
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 38
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 24
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 19
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 19
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- FPAFDBFIGPHWGO-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxomagnesium;hydrate Chemical compound O.[Mg]=O.[Mg]=O.[Mg]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O FPAFDBFIGPHWGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 12
- 238000004438 BET method Methods 0.000 claims description 11
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 11
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 7
- 125000003566 oxetanyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 6
- 150000004294 cyclic thioethers Chemical group 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 5
- 150000004292 cyclic ethers Chemical group 0.000 claims description 5
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 claims description 4
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 claims description 4
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 claims description 4
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 claims description 4
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 claims description 4
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 claims description 4
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 claims description 4
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 4
- HEQOJEGTZCTHCF-UHFFFAOYSA-N 2-amino-1-phenylethanone Chemical class NCC(=O)C1=CC=CC=C1 HEQOJEGTZCTHCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 93
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 43
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 38
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 38
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 37
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 31
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 25
- 239000000047 product Substances 0.000 description 20
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A Natural products C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 11
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 8
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 8
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 7
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 7
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 7
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 7
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000002762 monocarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 6
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 6
- 241001274658 Modulus modulus Species 0.000 description 5
- 229940106691 bisphenol a Drugs 0.000 description 5
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 5
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 150000007519 polyprotic acids Polymers 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 4
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 4
- LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N bakuchiol Chemical compound CC(C)=CCC[C@@](C)(C=C)\C=C\C1=CC=C(O)C=C1 LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N 0.000 description 4
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 4
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 4
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 3
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000032050 esterification Effects 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 3
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical group S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NJWGQARXZDRHCD-UHFFFAOYSA-N 2-methylanthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC=C3C(=O)C2=C1 NJWGQARXZDRHCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A diglycidyl ether Chemical compound C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- UMLWXYJZDNNBTD-UHFFFAOYSA-N alpha-dimethylaminoacetophenone Natural products CN(C)CC(=O)C1=CC=CC=C1 UMLWXYJZDNNBTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 2
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine powder Natural products NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N prehnitene Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C)=C1C UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 150000003553 thiiranes Chemical class 0.000 description 2
- 229940096522 trimethylolpropane triacrylate Drugs 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- RSHKWPIEJYAPCL-UHFFFAOYSA-N (3-ethyloxetan-3-yl)methyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1(CC)COC1 RSHKWPIEJYAPCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,5,6,7,7a-hexahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CCC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C=CC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- XKSUVRWJZCEYQQ-UHFFFAOYSA-N 1,1-dimethoxyethylbenzene Chemical compound COC(C)(OC)C1=CC=CC=C1 XKSUVRWJZCEYQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 1,2,6-trimethylphenanthrene Chemical compound CC1=CC=C2C3=CC(C)=CC=C3C=CC2=C1C MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZXUZKXVROWEIF-UHFFFAOYSA-N 1,2-butylene carbonate Chemical compound CCC1COC(=O)O1 ZZXUZKXVROWEIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIHQDMXYYFUGFV-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine Chemical class C1=NC=NC=N1 JIHQDMXYYFUGFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC=NC(N)=N1 VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTEFLEFPDDQMCB-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(4-butylanilino)-5,8-dihydroxyanthracene-9,10-dione Chemical compound C1=CC(CCCC)=CC=C1NC(C=1C(=O)C2=C(O)C=CC(O)=C2C(=O)C=11)=CC=C1NC1=CC=C(CCCC)C=C1 KTEFLEFPDDQMCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZQQAZPMNWJRDQ-UHFFFAOYSA-N 1,4-dihydroxy-5,8-bis(4-methylanilino)anthracene-9,10-dione Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1NC(C=1C(=O)C2=C(O)C=CC(O)=C2C(=O)C=11)=CC=C1NC1=CC=C(C)C=C1 OZQQAZPMNWJRDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMWQTUBQTYZJRI-UHFFFAOYSA-N 1-(4-methoxyphenyl)-n,n-dimethylmethanamine Chemical compound COC1=CC=C(CN(C)C)C=C1 WMWQTUBQTYZJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOCJQSFSGAZAPQ-UHFFFAOYSA-N 1-chloroanthracene-9,10-dione Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2Cl BOCJQSFSGAZAPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIKLJUUTSQYGQI-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxypropoxy)propane Chemical compound CCOCC(C)OCC(C)OCC ZIKLJUUTSQYGQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZVHXALBPQQGKM-UHFFFAOYSA-N 1H-imidazole 5-phenyl-1H-imidazole Chemical class N1C=NC=C1.C1(=CC=CC=C1)C=1N=CNC1 OZVHXALBPQQGKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTBDIHRZYDMNKB-UHFFFAOYSA-N 2,2-Bis(hydroxymethyl)propionic acid Chemical compound OCC(C)(CO)C(O)=O PTBDIHRZYDMNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVYDLYGCSIHCMR-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(hydroxymethyl)butanoic acid Chemical compound CCC(CO)(CO)C(O)=O JVYDLYGCSIHCMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERJZAHSUZVMCH-UHFFFAOYSA-N 2,2-dichloro-1-phenylethanone Chemical compound ClC(Cl)C(=O)C1=CC=CC=C1 CERJZAHSUZVMCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRKORVYTKKLNKX-UHFFFAOYSA-N 2,4-di(propan-2-yl)thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C(C)C)=CC(C(C)C)=C3SC2=C1 BRKORVYTKKLNKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCHAFMWSFCONOO-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC(C)=C3SC2=C1 LCHAFMWSFCONOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHOJVZAEHZGDRB-UHFFFAOYSA-N 2-(4,6-diamino-1,3,5-triazin-2-yl)ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC1=NC(N)=NC(N)=N1 HHOJVZAEHZGDRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PUBNJSZGANKUGX-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)-2-[(4-methylphenyl)methyl]-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)butan-1-one Chemical compound C=1C=C(N2CCOCC2)C=CC=1C(=O)C(CC)(N(C)C)CC1=CC=C(C)C=C1 PUBNJSZGANKUGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical class OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDSUVTROAWLVJA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO FDSUVTROAWLVJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 2-chlorothioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(Cl)=CC=C3SC2=C1 ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQAMFDRRWURCFQ-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-1h-imidazole Chemical compound CCC1=NC=CN1 PQAMFDRRWURCFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl prop-2-enoate Chemical compound CC(O)COC(=O)C=C GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWDGNKGKLOBESZ-UHFFFAOYSA-N 2-oxooctanal Chemical compound CCCCCCC(=O)C=O MWDGNKGKLOBESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMWZLYTVXQBTTE-UHFFFAOYSA-N 2-pentylanthracene-9,10-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CCCCC)=CC=C3C(=O)C2=C1 UMWZLYTVXQBTTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- YTPSFXZMJKMUJE-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylanthracene-9,10-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C(C)(C)C)=CC=C3C(=O)C2=C1 YTPSFXZMJKMUJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIDDPPKZYZTEGS-UHFFFAOYSA-N 3-(2-ethyl-4-methylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CCC1=NC(C)=CN1CCC#N UIDDPPKZYZTEGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-phenylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound N#CCCN1C=CN=C1C1=CC=CC=C1 BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DYJPQQUZBUUKAH-UHFFFAOYSA-N 3-ethyl-3-[(3-ethyloxetan-3-yl)methoxymethoxymethoxymethyl]oxetane Chemical compound C1OCC1(CC)COCOCOCC1(CC)COC1 DYJPQQUZBUUKAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMIOYAVXLAOXJI-UHFFFAOYSA-N 3-ethyl-3-[[4-[(3-ethyloxetan-3-yl)methoxymethyl]phenyl]methoxymethyl]oxetane Chemical compound C=1C=C(COCC2(CC)COC2)C=CC=1COCC1(CC)COC1 LMIOYAVXLAOXJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOXLOPQXIGICOF-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-3-[(3-methyloxetan-3-yl)methoxymethoxymethoxymethyl]oxetane Chemical compound C1OCC1(C)COCOCOCC1(C)COC1 AOXLOPQXIGICOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UVJGOUQARONWII-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-3-[[4-[(3-methyloxetan-3-yl)methoxymethyl]phenyl]methoxymethyl]oxetane Chemical compound C=1C=C(COCC2(C)COC2)C=CC=1COCC1(C)COC1 UVJGOUQARONWII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 3-methylideneoxolane-2,5-dione Chemical compound C=C1CC(=O)OC1=O OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDGNCGOMVIKQOW-UHFFFAOYSA-N 4-[(dimethylamino)methyl]-n,n-dimethylaniline Chemical compound CN(C)CC1=CC=C(N(C)C)C=C1 UDGNCGOMVIKQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical class OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXLYUNPVVODNRE-UHFFFAOYSA-N 6-ethenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=C)=N1 ZXLYUNPVVODNRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLGHXEVVTDWSNM-UHFFFAOYSA-N C(C)(=O)OCC(OCC(C)OC)C.C(C)(=O)O Chemical class C(C)(=O)OCC(OCC(C)OC)C.C(C)(=O)O SLGHXEVVTDWSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFOXEOLGJPJZAA-UHFFFAOYSA-N [(2,6-dimethoxybenzoyl)-(2,4,4-trimethylpentyl)phosphoryl]-(2,6-dimethoxyphenyl)methanone Chemical compound COC1=CC=CC(OC)=C1C(=O)P(=O)(CC(C)CC(C)(C)C)C(=O)C1=C(OC)C=CC=C1OC LFOXEOLGJPJZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMKBJESZDNXQHG-UHFFFAOYSA-N [(9-oxothioxanthen-2-yl)methylideneamino] acetate Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C=NOC(=O)C)=CC=C3SC2=C1 VMKBJESZDNXQHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SEEVRZDUPHZSOX-UHFFFAOYSA-N [1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)carbazol-3-yl]ethylideneamino] acetate Chemical compound C=1C=C2N(CC)C3=CC=C(C(C)=NOC(C)=O)C=C3C2=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1C SEEVRZDUPHZSOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRMBQHTWUBGQDN-UHFFFAOYSA-N [2-[2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)butoxymethyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)butyl] prop-2-enoate Chemical class C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(CC)COCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C XRMBQHTWUBGQDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IETYNJBCXVFYIQ-UHFFFAOYSA-N [4-(2-tert-butylperoxypropan-2-yl)phenyl]-phenylmethanone Chemical compound C1=CC(C(C)(C)OOC(C)(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 IETYNJBCXVFYIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JGNPSJMNGPUQIW-UHFFFAOYSA-N [C].CC=C Chemical compound [C].CC=C JGNPSJMNGPUQIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N [phenyl-(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphoryl]-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C(=O)C1=C(C)C=C(C)C=C1C GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJYZCEFQAIUHSD-UHFFFAOYSA-N acetoguanamine Chemical compound CC1=NC(N)=NC(N)=N1 NJYZCEFQAIUHSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N acrylic acid methyl ester Natural products COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBVAQQYNSHJXBV-UHFFFAOYSA-N adipic acid dihydrazide Chemical compound NNC(=O)CCCCC(=O)NN IBVAQQYNSHJXBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000440 bentonite Substances 0.000 description 1
- 229910000278 bentonite Inorganic materials 0.000 description 1
- SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N bentoquatam Chemical compound O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008641 benzimidazolones Chemical class 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Chemical group 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- YLNJGHNUXCVDIX-UHFFFAOYSA-N bis(2-methylpropyl) perylene-3,9-dicarboxylate Chemical compound C=12C3=CC=CC2=C(C(=O)OCC(C)C)C=CC=1C1=CC=CC2=C1C3=CC=C2C(=O)OCC(C)C YLNJGHNUXCVDIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPRCOLKIYRSNH-UHFFFAOYSA-N bis(oxiran-2-ylmethyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)OCC2OC2)C=1C(=O)OCC1CO1 JRPRCOLKIYRSNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001055 blue pigment Substances 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005676 cyclic carbonates Chemical class 0.000 description 1
- ZWLIYXJBOIDXLL-UHFFFAOYSA-N decanedihydrazide Chemical compound NNC(=O)CCCCCCCCC(=O)NN ZWLIYXJBOIDXLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dioxosilane;oxygen(2-);hydrate Chemical compound O.[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- KGGOIDKBHYYNIC-UHFFFAOYSA-N ditert-butyl 4-[3,4-bis(tert-butylperoxycarbonyl)benzoyl]benzene-1,2-dicarboperoxoate Chemical compound C1=C(C(=O)OOC(C)(C)C)C(C(=O)OOC(C)(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(C(=O)OOC(C)(C)C)C(C(=O)OOC(C)(C)C)=C1 KGGOIDKBHYYNIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N glyoxal Chemical compound O=CC=O LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001056 green pigment Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002429 hydrazines Chemical class 0.000 description 1
- 125000004356 hydroxy functional group Chemical group O* 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 235000019239 indanthrene blue RS Nutrition 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- PXZQEOJJUGGUIB-UHFFFAOYSA-N isoindolin-1-one Chemical class C1=CC=C2C(=O)NCC2=C1 PXZQEOJJUGGUIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004816 latex Substances 0.000 description 1
- 229920000126 latex Polymers 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 210000004185 liver Anatomy 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052901 montmorillonite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 1
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002921 oxetanes Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920005906 polyester polyol Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920005650 polypropylene glycol diacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical class C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHARPDSAXCBDDR-UHFFFAOYSA-N propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCOC(=O)C(C)=C NHARPDSAXCBDDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- TVRGPOFMYCMNRB-UHFFFAOYSA-N quinizarine green ss Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1NC(C=1C(=O)C2=CC=CC=C2C(=O)C=11)=CC=C1NC1=CC=C(C)C=C1 TVRGPOFMYCMNRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000162 sodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 1
- 150000003557 thiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000000101 thioether group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 239000001052 yellow pigment Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F122/00—Homopolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof
- C08F122/10—Esters
- C08F122/12—Esters of phenols or saturated alcohols
- C08F122/14—Esters having no free carboxylic acid groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/44—Polymerisation in the presence of compounding ingredients, e.g. plasticisers, dyestuffs, fillers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
- C08F2/48—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
- C08F2/50—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light with sensitising agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F290/00—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups
- C08F290/08—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups on to polymers modified by introduction of unsaturated side groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
- C08L33/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
- C08L33/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L35/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical, and containing at least one other carboxyl radical in the molecule, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L35/02—Homopolymers or copolymers of esters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D4/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; Coating compositions, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09D183/00 - C09D183/16
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
- G03F7/029—Inorganic compounds; Onium compounds; Organic compounds having hetero atoms other than oxygen, nitrogen or sulfur
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3452—Solder masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/34—Silicon-containing compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/06—Lamination
- H05K2203/068—Features of the lamination press or of the lamination process, e.g. using special separator sheets
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/285—Permanent coating compositions
- H05K3/287—Photosensitive compositions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
본 발명은 아크릴레이트기 또는 불포화 이중 결합을 갖는 광경화 가능한 작용기와, 카르복시기를 분자 내에 갖는 산변성 올리고머; 2개 이상의 광경화 가능한 불포화 작용기를 갖는 광중합성 모노머; 열경화 가능한 작용기를 갖는 열경화성 바인더; 90 내지 120 (Gpa)의 E-모듈러스를 갖는 판상형 무기 필러; 분산제 및 광개시제;를 포함하는, 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물과 이로부터 제조되는 드라이 필름 솔더레지스트에 관한 것이다. The present invention provides a photocurable functional group having an acrylate group or an unsaturated double bond, and an acid-modified oligomer having a carboxyl group in a molecule thereof; Photopolymerizable monomers having two or more photocurable unsaturated functional groups; Thermosetting binders having thermosetting functional groups; Plate-shaped inorganic fillers having an E-modulus of 90 to 120 (Gpa); It relates to a resin composition having a photocurable and thermosetting and a dry film solder resist prepared therefrom, including a dispersant and a photoinitiator.
Description
본 발명은 광경화성 및 열경화성 수지 조성물 및 드라이 필름 솔더 레지스트에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 드라이필름 솔더 레지스트(DFSR)에서 요구되는 미세패턴 형성이 가능하면서, 기계적 물성이 우수하고, 낮은 열팽창계수 및 높은 모듈러스를 구현할 수 있는 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물과 상술한 특성을 갖는 드라이 필름형 솔더 레지스트에 관한 것이다. The present invention relates to photocurable and thermosetting resin compositions and dry film solder resists. More specifically, the present invention is capable of forming a fine pattern required in a dry film solder resist (DFSR), and having a photocurable and thermosetting resin composition having excellent mechanical properties, low thermal expansion coefficient, and high modulus. It relates to a dry film solder resist having one characteristic.
각종 전자 기기의 소형화와 경량화에 따라, 인쇄회로기판, 반도체 패키지 기판, 플렉시블 회로기판 등에는 미세한 개구 패턴을 형성할 수 있는 감광성의 솔더 레지스트가 사용되고 있다.BACKGROUND ART With the miniaturization and light weight of various electronic devices, photosensitive solder resists capable of forming fine opening patterns are used for printed circuit boards, semiconductor package substrates, and flexible circuit boards.
반도체 패키지 제품은 에폭시 몰딩, 솔더 레지스트와 같은 부도체, 칩다이(Chip Die)와 같은 반도체, 기판 회로 패턴과 같은 도체로 구성된 복합 재료로 이를 제조하기 위해서는 가혹한 열충격 조건을 수반한 여러 공정을 거쳐야 한다. 하지만, 부도체, 반도체, 도체 각각의 열팽창계수(CTE, Coefficient of Thermal Expansion)가 서로 다름으로 인하여 부품의 치수 불안정, 휨(warpage) 현상이 문제로 나타난다. 이런 현상은 칩다이와 반도체 기판을 땜납볼이나 골드 와이어로 연결할 때 칩과 기판 사이의 위치 불일치 현상을 발생시키고, 또한 전단 응력으로 인해 제품의 균열 및 파단을 발생할 수 있으며 이는 제품의 수명에 영향을 줄 수 있다. Semiconductor packaged products are composite materials consisting of epoxy molding, insulators such as solder resists, semiconductors such as chip dies, and conductors such as substrate circuit patterns, which require a number of processes involving severe thermal shock conditions. However, due to the difference in the coefficient of thermal expansion (CTE) of each of the insulators, semiconductors, and conductors, dimensional instability and warpage of the component appear as problems. This phenomenon causes a mismatch between the chip and the substrate when soldering the chip die and the semiconductor substrate with solder balls or gold wires, and also causes the product to crack and break due to shear stress, which may affect the life of the product. Can be.
최근 기판의 두께가 점차 얇아짐에 따라 이러한 치수 불안정이나 휨 현상들이 더 큰 문제가 되고 있다. 이를 해결하기 위한 일환으로 소재 간 CTE 불일치(mismatch)를 최소화하는 방향으로 소재가 개발되고 있으며, 솔더 레지스트 또한 보다 낮은 열팽창계수를 가지는 솔더레지스트로의 개발이 지속적으로 요구되고 있다. Recently, as the thickness of the substrate becomes thinner, such dimensional instability and warpage are becoming more problematic. In order to solve this problem, materials are being developed to minimize CTE mismatch between materials, and solder resists are continuously required to be developed as solder resists having a lower coefficient of thermal expansion.
이전에 알려진 드라이 필름형 솔더 레지스트(DFSR: Dry Film Solder Resist)의 열팽창 계수는 α1(Tg 전의 열팽창계수)이 45 내지 70ppm이고 α2(Tg 후의 열팽창계수)는 140 내지 170ppm이다. The previously known dry film solder resist (DFSR) has a coefficient of thermal expansion of 45 to 70 ppm of α1 (coefficient of thermal expansion before Tg) and 140 to 170 ppm of α2 (coefficient of thermal expansion after Tg).
최근 기판 재료 중 코어의 경우 10ppm이하 또는 5ppm이하의 열팽창계수를 갖는 재료들이 개발되고 있는 것으로 알려져 있으나, 이와 함께 사용할 수 있는 솔더 레지스트의 재료는 개발은 아직까지 알려진 바 없다. Recently, materials having a thermal expansion coefficient of 10 ppm or less or 5 ppm or less have been developed in the case of the core of the substrate material, but the development of a solder resist material that can be used with it has not been known until now.
그리고, 사용되는 필러의 함량을 증가시킴으로써 솔더 레지스트의 열팽창계수를 낮추려는 시도가 있었으나, 필러의 함량을 일정 수준 이상 높이게 되면 필러의 응집으로 인하여 코팅 불량 현상이 나타날 수 있으며, 코팅 후 경화 전에 신장율이 감소하여 작업성이 저하되는 등의 문제가 나타날 수 있다. In addition, there have been attempts to lower the thermal expansion coefficient of the solder resist by increasing the content of the filler, but if the content of the filler is raised above a certain level, coating failure may occur due to the aggregation of the filler. Problems such as decrease in workability may appear.
솔더 레지스트에 대해서는, 일반적으로 현상성, 고해상성, 절연성, 점착성, 납땜 내열성, 금 도금 내성 등의 특성이 요구된다. 특히, 반도체 패키지 기판용의 솔더 레지스트에 대해서는, 이러한 특성 이외에, 예를 들어, -65 ℃ 내지 150 ℃의 온도 사이클 시험(TCT)에 대한 내크랙성이나 미세 배선간으로의 HAST (Highly Accelerated Stress Test) 특성이 요구되고 있다.The solder resist generally requires characteristics such as developability, high resolution, insulation, adhesion, soldering heat resistance, gold plating resistance, and the like. In particular, for solder resists for semiconductor package substrates, in addition to these characteristics, for example, the crack resistance for the temperature cycle test (TCT) of -65 ° C to 150 ° C or the HAST (Highly Accelerated Stress Test between fine wirings). ) Characteristics are required.
근래에는, 솔더 레지스트로서, 막 두께의 균일성, 표면 평활성, 박막 형성성이 양호한 드라이 필름 타입의 솔더 레지스트가 주목받고 있다. 이와 같은 드라이 필름 타입의 솔더 레지스트는 상기 특성 이외에도, 레지스트 형성을 위한 공정의 간략화나 레지스트 형성시의 용제 배출량 절감이라는 장점을 가질 수 있다. In recent years, as a soldering resist, the dry-film type soldering resist which has favorable film thickness uniformity, surface smoothness, and thin film formability attracts attention. Such a dry film type solder resist may have advantages such as simplification of the process for forming the resist and reduction of solvent emissions during the resist formation in addition to the above characteristics.
종래에는 솔더 레지스트의 형성을 위해, 산변성 올리고머, 광개시제 및 열경화성 바인더와 함께, 다관능 아크릴레이트 등의 광중합성 모노머를 포함하여 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물이 사용된 바 있다. 그러나, 이러한 수지 조성물로부터 형성된 솔더 레지스트는 유리 전이 온도가 그리 높지 않고 이에 따른 내열 신뢰성이 충분치 못하여, 반도체 소자의 패키지 기판 재료에 요구되는 PCT 내성, TCT 내열성 및 미세 배선간으로의 HAST 내성 등을 제대로 충족하지 못하는 단점이 있었다.Conventionally, in order to form a soldering resist, the resin composition which has photocurability and thermosetting, including photopolymerizable monomers, such as a polyfunctional acrylate, with an acid-modified oligomer, a photoinitiator, and a thermosetting binder, was used. However, the solder resist formed from such a resin composition does not have a high glass transition temperature and is not sufficient in heat resistance reliability, so that the PCT resistance, TCT heat resistance, and HAST resistance between the fine wirings required for the package substrate material of the semiconductor device are adequate. There was a disadvantage that could not be met.
또한 기존 솔더레지스트의 영률 모듈러스(young's modulus)값은 3 내지 5 Gpa로서, 이는 솔더 레지스트 고형분 중 5 내지 20 vol%의 필러함량에 의존하고 있다. 또한, 필러를 첨가하지 않고 솔더레지스트 내에 수지만 사용하는 경우의 영률 모듈러스는 2.5 Gpa 수준이다.In addition, the Young's modulus value of the conventional solder resist is 3 to 5 Gpa, which depends on the filler content of 5 to 20 vol% of the solder resist solids. In addition, the Young's modulus when using only resin in a soldering resist without adding a filler is 2.5 Gpa level.
모듈러스를 높이고, CTE를 낮추기 위해, 필러 함량을 높이는 것이 일반적인 방법이나, 필러 함량이 솔더레지스트 고형분 중 20 vol%를 넘게 되면 미세 패턴 형성에 불리해진다.In order to increase the modulus and lower the CTE, it is common practice to increase the filler content, but when the filler content exceeds 20 vol% of the solder resist solids, it is disadvantageous to form a fine pattern.
본 발명은 드라이 필름형 솔더 레지스트에서 요구되는 기본적인 물성을 충족하면서, 특히 낮은 열팽창계수 및 우수한 기계적 물성을 가지며, 높은 모듈러스를 구현할 수 있고 미세패턴이 가능하며 휨에 유리한 드라이 필름형 솔더 레지스트를 제공하는 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물을 제공하는 것이다. The present invention provides a dry film-type solder resist that satisfies the basic physical properties required for dry film-type solder resists, in particular, has a low coefficient of thermal expansion and excellent mechanical properties, high modulus, fine patterns, and favorable bending. It is providing the resin composition which has photocurability and thermosetting.
또한, 본 발명은 드라이 필름형 솔더 레지스트에서 요구되는 기본적인 물성을 충족하면서, 특히 낮은 열팽창계수 및 우수한 기계적 물성을 가지며, 높은 모듈러스를 구현할 수 있고 미세패턴이 가능하며 휨에 유리한 드라이 필름형 솔더 레지스트(DFSR)를 제공하는 것이다. In addition, the present invention, while meeting the basic physical properties required in the dry film-type solder resist, in particular has a low coefficient of thermal expansion and excellent mechanical properties, high modulus, fine pattern is possible and advantageous to the dry film type solder resist ( DFSR).
본 발명은 반도체 장치의 패키지 기판의 제조에 유용한 필름 타입의 기계적물성이 우수한 광경화성 및 열경화성 수지 조성물 및 그 경화물을 이용한 드라이 필름 레지스트를 제공하는 것이다.The present invention provides a photocurable and thermosetting resin composition having excellent mechanical properties of a film type useful for producing a package substrate of a semiconductor device, and a dry film resist using the cured product thereof.
본 명세서에서는, 아크릴레이트기 또는 불포화 이중 결합을 갖는 광경화 가능한 작용기와, 카르복시기를 분자 내에 갖는 산변성 올리고머; 2개 이상의 광경화 가능한 불포화 작용기를 갖는 광중합성 모노머; 열경화 가능한 작용기를 갖는 열경화성 바인더; 90 내지 120 (Gpa)의 E-모듈러스를 갖는 판상형 무기 필러; 분산제 및 광개시제;를 포함하며,In the present specification, an acid-modified oligomer having a photocurable functional group having an acrylate group or an unsaturated double bond and a carboxyl group in a molecule thereof; Photopolymerizable monomers having two or more photocurable unsaturated functional groups; Thermosetting binders having thermosetting functional groups; Plate-shaped inorganic fillers having an E-modulus of 90 to 120 (Gpa); It includes; dispersant and photoinitiator,
상기 판상형 무기 필러는, 90% 이상의 백도(whiteness), 0.5 내지 2㎛의 입자크기 (D50), 3 내지 10㎛의 탑 크기(Top size), JIS-K5101에 의해 측정된 0.3 내지 1%의 수분함량과 0.07 내지 0.2 (g/ml)의 겉보기 밀도(apparent density) 및 BET 방법에 의해 측정된 17 내지 30 (m2/g)의 비표면적을 갖는 판상형 탈크 분말을 포함하는, 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물을 제공한다.The plate-shaped inorganic filler has a whiteness of 90% or more, a particle size (D50) of 0.5 to 2 μm, a top size of 3 to 10 μm, and a moisture of 0.3 to 1% as measured by JIS-K5101. Photocurable and thermoset comprising a plate-like talc powder having a content and an apparent density of 0.07 to 0.2 (g / ml) and a specific surface area of 17 to 30 (m2 / g) measured by the BET method. It provides a resin composition.
바람직하게, 상기 판상형 무기 필러는, 96% 이상의 백도(whiteness), 0.6 내지 1.5㎛의 입자크기 (D50), 4 내지 7㎛의 탑 크기(Top size), JIS-K5101에 의해 측정된 0.5 내지 0.7%의 수분함량과 0.09 내지 0.1 (g/ml)의 겉보기 밀도(apparent density) 및 BET 방법에 의해 측정된 18 내지 24 (m2/g)의 비표면적을 갖는 판상형 탈크 분말을 포함할 수 있다.Preferably, the plate-shaped inorganic filler, whiteness of 96% or more, particle size (D50) of 0.6 to 1.5㎛, Top size of 4 to 7㎛, 0.5 to 0.7 measured by JIS-K5101 And a plate-like talc powder having a water content of% and an apparent density of 0.09 to 0.1 (g / ml) and a specific surface area of 18 to 24 (m2 / g) measured by the BET method.
상기 판상형 무기 필러는 전체 조성물의 고형분 중에 20중량% 내지 60중량%로 포함될 수 있다. 또한, 바람직하게는 상기 판상형 무기 필러는 전체 조성물의 고형분 중에 40중량% 내지 55중량%로 포함될 수 있다. The plate-shaped inorganic filler may be included in 20% by weight to 60% by weight in solids of the total composition. Further, preferably, the plate-shaped inorganic filler may be included in 40% by weight to 55% by weight in solids of the total composition.
상기 산변성 올리고머는 에폭시 (메타)아크릴레이트계 화합물을 포함할 수 있다.The acid-modified oligomer may include an epoxy (meth) acrylate-based compound.
상기 산변성 올리고머는 수지 조성물의 전체 중량을 기준으로 5중량% 내지 75 중량%로 포함될 수 있다.The acid-modified oligomer may be included in 5% by weight to 75% by weight based on the total weight of the resin composition.
상기 광중합성 모노머는 2개 이상의 광경화 가능한 불포화 작용기를 갖는 아크릴레이트계 화합물을 포함할 수 있다. The photopolymerizable monomer may include an acrylate compound having two or more photocurable unsaturated functional groups.
상기 광중합성 모노머는 수산기 함유 아크릴레이트계 화합물, 수용성 아크릴레이트계 화합물, 폴리에스테르아크릴레이트계 화합물, 폴리우레탄아크릴레이트계 화합물, 에폭시아크릴레이트계 화합물, 카프로락톤 변성 아크릴레이트계 화합물 또는 이들의 2종 이상의 혼합물을 포함할 수 있다. The photopolymerizable monomer may be a hydroxyl group-containing acrylate compound, a water-soluble acrylate compound, a polyester acrylate compound, a polyurethane acrylate compound, an epoxy acrylate compound, a caprolactone modified acrylate compound, or two kinds thereof. It may contain a mixture of the above.
상기 광중합성 모노머는 수지 조성물의 전체 중량을 기준으로 5 내지 30 중량%%로 포함될 수 있다. The photopolymerizable monomer may be included in 5 to 30% by weight based on the total weight of the resin composition.
상기 광개시제는 벤조인과 그 알킬에테르류, 아세토페논류, 안트라퀴논류, 티오크산톤류, 케탈류, 벤조페논류, α-아미노아세토페논류, 아실포스핀옥사이드류 및 옥심에스테르류로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함될 수 있다.The photoinitiator is a group consisting of benzoin and its alkyl ethers, acetophenones, anthraquinones, thioxanthones, ketals, benzophenones, α-aminoacetophenones, acylphosphine oxides and oxime esters. It may include one or more selected from.
상기 광개시제는 수지 조성물의 전체 중량을 기준으로 0.5 내지 20 중량%로 포함될 수 있다.The photoinitiator may be included in 0.5 to 20% by weight based on the total weight of the resin composition.
상기 열경화 가능한 작용기는 에폭시기, 옥세타닐기, 환상 에테르기 및 환상 티오 에테르기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다. The thermosetting functional group may be at least one selected from the group consisting of an epoxy group, an oxetanyl group, a cyclic ether group, and a cyclic thio ether group.
상기 열경화성 바인더는 상기 산변성 올리고머의 카르복시기 1 당량에 대하여 0.5 내지 2.0 당량에 대응하는 함량으로 포함될 수 있다. The thermosetting binder may be included in an amount corresponding to 0.5 to 2.0 equivalents based on 1 equivalent of the carboxyl group of the acid-modified oligomer.
상기 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물은, 용제; 및 에폭시 경화제, 열경화성 바인더 촉매, 안료 및 첨가제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 더 포함할 수 있다.The resin composition which has the said photocurability and thermosetting property is a solvent; And an epoxy curing agent, a thermosetting binder catalyst, pigments, and additives.
또한, 본 명세서에서는, 아크릴레이트기 또는 불포화 이중 결합을 갖는 광경화 가능한 작용기와, 카르복시기를 분자 내에 갖는 산변성 올리고머; 2개 이상의 광경화 가능한 불포화 작용기를 갖는 광중합성 모노머; 및 열경화 가능한 작용기를 갖는 열경화성 바인더 간의 경화물과, 상기 경화물에 분산된 90 내지 120 (Gpa)의 E-모듈러스를 갖는 판상형 무기 필러를 포함하는 드라이 필름 솔더 레지스트를 제공한다.In the present specification, an acid-modified oligomer having a photocurable functional group having an acrylate group or an unsaturated double bond and a carboxyl group in a molecule thereof; Photopolymerizable monomers having two or more photocurable unsaturated functional groups; And a cured product between thermosetting binders having a thermosetting functional group, and a plate-shaped inorganic filler having an E-modulus of 90 to 120 (Gpa) dispersed in the cured product.
상기 경화물은, 상기 산변성 올리고머의 광경화 가능한 작용기와, 상기 열경화성 바인더의 열경화 가능한 작용기가 가교 결합된 가교 구조; 상기 산변성 올리고머의 광경화 가능한 작용기와, 상기 광중합성 모노머의 불포화 작용기가 서로 가교 결합된 가교 구조; 및 상기 산변성 올리고머에서 유래한 가교 구조를 포함할 수 있다. The cured product may include a crosslinked structure in which a photocurable functional group of the acid-modified oligomer and a thermosetting functional group of the thermosetting binder are crosslinked; A crosslinked structure in which a photocurable functional group of the acid-modified oligomer and an unsaturated functional group of the photopolymerizable monomer are crosslinked with each other; And it may include a crosslinked structure derived from the acid-modified oligomer.
상기 드라이 필름 솔더 레지스트는 20 ppm/K 미만의 열팽창계수를 가질 수 있다. The dry film solder resist may have a coefficient of thermal expansion of less than 20 ppm / K.
상기 드라이 필름 솔더 레지스트는 9 내지 11 Gpa의 영률 모듈러스를 가질 수 있다. The dry film solder resist may have a Young's modulus of 9 to 11 Gpa.
상기 판상형 무기 필러는 90% 이상의 백도(whiteness), 0.5 내지 2㎛의 입자크기 (D50), 3 내지 10㎛의 탑 크기(Top size), JIS-K5101에 의해 측정된 0.3 내지 1%의 수분함량과 0.07 내지 0.2 (g/ml)의 겉보기 밀도(apparent density) 및 BET 방법에 의해 측정된 17 내지 30 (m2/g)의 비표면적을 갖는 판상형 탈크 분말을 포함할 수 있다. The plate-shaped inorganic filler has a whiteness of 90% or more, a particle size (D50) of 0.5 to 2 μm, a top size of 3 to 10 μm, and a moisture content of 0.3 to 1% as measured by JIS-K5101. And plate-shaped talc powder having an apparent density of 0.07 to 0.2 (g / ml) and a specific surface area of 17 to 30 (m2 / g) measured by the BET method.
상기 드라이 필름 솔더 레지스트는 상기 판상형 무기 필러를 솔더 레지스트 고형분의 20중량% 내지 60중량%로 포함할 수 있다. The dry film solder resist may include the plate-shaped inorganic filler as 20 wt% to 60 wt% of the solder resist solids.
본 발명에 따르면, 모듈러스가 높으면서 특정 물성을 갖는 판상형 무기 필러를 분산제와 함께 포함하는 감광성 수지 조성물을 이용함으로써, 드라이 필름형 솔더 레지스트에서 요구되는 기본적인 물성을 충족하면서, 특히 낮은 열팽창계수 및 우수한 기계적 물성을 가지며, 높은 모듈러스를 구현할 수 있고 미세패턴이 가능하며 휨에 유리한 드라이 필름형 솔더 레지스트(DFSR)가 제공될 수 있다. According to the present invention, by using a photosensitive resin composition containing a plate-shaped inorganic filler having a high modulus and specific physical properties together with a dispersant, it has a particularly low thermal expansion coefficient and excellent mechanical properties while satisfying the basic physical properties required in a dry film solder resist. A dry film type solder resist (DFSR) may be provided, which may have high modulus, have a fine pattern, and may be advantageous in bending.
도 1은 본 발명의 실시예 1 및 비교예 1 내지 5의 미세패턴 형성 결과를 비교하여 나타낸 전자현미경 사진 (SEM)이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 5의 필러 함량에 따른 영률 모듈러스(young's modulus)을 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 3은 실시예 1 내지 3과 비교예 1, 2 및 4의 온도에 따른 열팽창계수를 비교하여 나타낸 그래프이다.1 is an electron micrograph (SEM) showing the results of forming a micropattern of Example 1 and Comparative Examples 1 to 5 of the present invention.
FIG. 2 is a graph illustrating comparison of Young's modulus according to filler contents of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 5 of the present invention.
Figure 3 is a graph showing the thermal expansion coefficient according to the temperature of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1, 2 and 4.
이하, 발명의 구현예에 따른 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물과, DFSR에 대하여 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, a photocurable and thermosetting resin composition and an DFSR according to an embodiment of the present invention will be described in more detail.
발명의 일 구현예에 따르면, 아크릴레이트기 또는 불포화 이중 결합을 갖는 광경화 가능한 작용기와, 카르복시기를 분자 내에 갖는 산변성 올리고머; 2개 이상의 광경화 가능한 불포화 작용기를 갖는 광중합성 모노머; 열경화 가능한 작용기를 갖는 열경화성 바인더; 90 내지 120 (Gpa)의 E-모듈러스를 갖는 판상형 무기 필러; 분산제 및 광개시제;를 포함하며, 상기 판상형 무기 필러는, 90% 이상의 백도(whiteness), 0.5 내지 2㎛의 입자크기 (D50), 3 내지 10㎛의 탑 크기(Top size), JIS-K5101에 의해 측정된 0.3 내지 1%의 수분함량과 0.07 내지 0.2 (g/ml)의 겉보기 밀도(apparent density) 및 BET 방법에 의해 측정된 17 내지 30 (m2/g)의 비표면적을 갖는 판상형 탈크 분말을 포함하는, 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물이 제공된다.According to one embodiment of the invention, a photocurable functional group having an acrylate group or an unsaturated double bond, an acid-modified oligomer having a carboxyl group in the molecule; Photopolymerizable monomers having two or more photocurable unsaturated functional groups; Thermosetting binders having thermosetting functional groups; Plate-shaped inorganic fillers having an E-modulus of 90 to 120 (Gpa); Dispersing agent and photoinitiator, wherein the plate-shaped inorganic filler, whiteness of 90% or more, particle size (D50) of 0.5 to 2㎛, Top size of 3 to 10㎛, by JIS-K5101 It comprises a plate-like talc powder having a water content of 0.3 to 1%, an apparent density of 0.07 to 0.2 (g / ml) and a specific surface area of 17 to 30 (m2 / g) measured by the BET method. The resin composition which has photocurability and thermosetting property is provided.
본 발명의 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물은 감광성 수지 조성물을 의미한다. 이러한 본 발명의 수지 조성물은, 특정 모듈러스를 갖는 판상형 무기필러를 사용하고 이를 일정 함량 포함함으로써, 필러 함량이 솔더레지스트 고형분 중 20 vol%를 넘더라도, 솔더레지스트에서 요구되는 미세패턴이 가능하면서 낮은 열팽창계수 (CTE)와 높은 모듈러스를 구현할 수 있다. 따라서, 본 발명은 휨(warpage)에 유리하고 기계적 물성이 우수한 드라이 필름형 솔더레지스트를 제공할 수 있다.The resin composition which has photocurable and thermosetting of this invention means the photosensitive resin composition. Such a resin composition of the present invention, by using a plate-shaped inorganic filler having a specific modulus and containing a certain amount, even if the filler content exceeds 20 vol% of the solder resist solid content, the micropattern required in the solder resist is possible and low thermal expansion Coefficient (CTE) and high modulus can be achieved. Therefore, the present invention can provide a dry film type solder resist which is advantageous in warpage and excellent in mechanical properties.
상기 E-모듈러스는 물체를 양쪽에서 잡아 늘릴 때 물체의 늘어나는 정도와 변형되는 정도를 나타내는 탄성률인 "young's modulus"를 의미하며, 구체적으로 ISO 527, ASTM D638 기준에 의하여 만능인장시험기(universal test machine) 장치로 측정할 수 있다.The E-modulus refers to "young's modulus", which is an elastic modulus indicating the degree of stretching and deformation of an object when the object is stretched from both sides, and specifically, a universal test machine according to ISO 527 and ASTM D638 standards. Can be measured by the device.
상기 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물은 상술한 산변성 올리고머, 광중합성 모노머, 광개시제, 열경화성 바인더 및 특정 물성을 갖는 판상형 무기 필러와 분산제가 포함된다.The photocurable and thermosetting resin composition includes the acid-modified oligomer, photopolymerizable monomer, photoinitiator, thermosetting binder, and plate-shaped inorganic filler and dispersant having specific properties.
상기 일 구현예의 수지 조성물을 이용해 다음과 같은 과정을 거쳐 DFSR을 형성할 수 있다. 먼저, 수지 조성물로 필름을 형성하고 이러한 필름을 소정의 기판상에 라이네이션 한 후에, DFSR이 형성될 부분의 수지 조성물에 선택적으로 노광을 진행한다. 이후, 알칼리 현상액을 사용해 현상을 진행하게 되면, 가교 구조가 형성된 노광부의 수지 조성물을 그대로 기판 상에 남고, 나머지 비노광부의 수지 조성물이 현상액에 녹아 제거될 수 있다.The DFSR may be formed by the following process using the resin composition of the above embodiment. First, after forming a film with a resin composition and laminating such a film on a predetermined board | substrate, it selectively exposes to the resin composition of the part in which DFSR is to be formed. Subsequently, when development is carried out using an alkali developer, the resin composition of the exposed part having the crosslinked structure is left on the substrate as it is, and the resin composition of the remaining non-exposed part may be dissolved in the developer and removed.
그리고 나서, 상기 기판 상에 남은 수지 조성물을 열처리하여 열경화를 진행하면, 상기 산변성 올리고머, 예를 들어, 카르복시기가 열경화성 바인더의 열경화 가능한 작용기와 반응하여 가교 결합을 형성할 수 있고, 그 결과 열경화에 의한 가교 구조가 형성되면서 기판 상의 원하는 부분에 DFSR이 형성될 수 있다. Then, when the resin composition remaining on the substrate is thermally cured by heat treatment, the acid-modified oligomer, for example, a carboxyl group, may react with a thermosetting functional group of the thermosetting binder to form a crosslink. As the crosslinked structure is formed by thermosetting, DFSR may be formed in a desired portion on the substrate.
이때, 상기 수지 조성물은 열경화 과정에서 2차적인 가교 구조를 가질 수 있다. 또한 상기 수지 조성물을 사용하여 DFSR을 형성하는 경우, DFSR을 이루는 수지 조성물의 경화물에 가교 구조가 포함되며 기타 잔류하는 화합물의 양이 최소화됨에 따라서, 보다 높은 현상성을 확보할 수 있으며 이에 따라 미세 피치(fine pitch)를 보다 용이하게 구현할 수 있다. 또한, 상기 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물을 사용하면 낮은 알파 입자 방출도, 낮은 유전율, 낮은 열팽창계수 및 우수한 내열 신뢰성 등의 물성을 갖는 드라이 필름 솔더 레지스트를 제공할 수 있다. 특히, 상기 조성물은 휨 현상이 최소화되고 기계적 물성도 우수한 DFSR을 제공할 수 있다.In this case, the resin composition may have a secondary crosslinked structure in the thermosetting process. Also In the case of forming the DFSR using the resin composition, the crosslinked structure is included in the cured product of the resin composition constituting the DFSR and the amount of other remaining compounds is minimized, thereby ensuring higher developability and thus fine pitch. (fine pitch) can be implemented more easily. In addition, by using the resin composition having photocurability and thermosetting property, it is possible to provide a dry film solder resist having physical properties such as low alpha particle emission degree, low dielectric constant, low thermal expansion coefficient, and excellent heat resistance. In particular, the composition may provide DFSR with minimal warpage and excellent mechanical properties.
상기 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물은 전체 조성물의 고형분 중에 판상형 무기 필러를 20중량% 내지 60중량%(고형분 함량)로 포함할 수 있다. 그리고 이러한 고형분 함량을 수지 조성물 중의 부피비로 환산하면, 전체 수지 조성물의 고형분 중의 20~40 vol% 혹은 30~35vol%에 해당될 수 있다.The photocurable and thermosetting resin composition may include 20 wt% to 60 wt% (solid content) of the plate-shaped inorganic filler in solid content of the entire composition. And when this solid content is converted into the volume ratio in a resin composition, it may correspond to 20-40 vol% or 30-35 vol% of solid content of the whole resin composition.
상기 판상형 무기 필러는 90% 이상의 백도(whiteness), 0.5 내지 2㎛의 입자크기 (D50), 3 내지 10㎛의 탑 크기(Top size), JIS-K5101에 의해 측정된 0.3 내지 1%의 수분함량과 0.07 내지 0.2 (g/ml)의 겉보기 밀도(apparent density) 및 BET 방법에 의해 측정된 17 내지 30 (m2/g)의 비표면적을 갖는 판상형 탈크 분말을 포함할 수 있다.The plate-shaped inorganic filler has a whiteness of 90% or more, a particle size (D50) of 0.5 to 2 μm, a top size of 3 to 10 μm, and a moisture content of 0.3 to 1% as measured by JIS-K5101. And plate-shaped talc powder having an apparent density of 0.07 to 0.2 (g / ml) and a specific surface area of 17 to 30 (m2 / g) measured by the BET method.
구체적으로, 상기 판상형 무기 필러는 96% 이상의 백도(whiteness), 0.6 내지 1.5㎛의 입자크기 (D50), 4 내지 7㎛의 탑 크기(Top size), JIS-K5101에 의해 측정된 0.5 내지 0.7%의 수분함량과 0.09 내지 0.1 (g/ml)의 겉보기 밀도(apparent density) 및 BET 방법에 의해 측정된 18 내지 24 (m2/g)의 비표면적을 갖는 판상형 탈크 분말을 포함하는 것이 바람직할 수 있다. Specifically, the plate-shaped inorganic filler has a whiteness of 96% or more, a particle size (D50) of 0.6 to 1.5 μm, a top size of 4 to 7 μm, and 0.5 to 0.7% measured by JIS-K5101. It may be desirable to include plate-like talc powder having a water content of 0.09 to 0.1 (g / ml) and an apparent density of 18 to 24 (m2 / g) measured by the BET method. .
상기 일 구현예의 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물은 전체 조성물의 고형분 중에 상기 무기 필러를 20중량% 내지 60중량%, 혹은 40 내지 55 중량%, 혹은 45중량% 내지 55중량%를 포함할 수 있다. 상기 무기 필러의 함량이 너무 작으면, 최종 제조되는 DFSR의 경도와 강성(stiffness)를 충분히 확보하지 못하여 작업성이 낮아질 수 있으며, 상술한 무기 필러의 첨가에 따른 효과가 충분히 발현되지 않을 수 있다. 또한 상기 무기 필러의 함량이 너무 높으면, 상기 일 구현예의 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물에 상기 무기 필러가 쉽게 분산되지 않으며, 상기 수지 조성물의 점도가 크게 높아져서 기재 상에 도포하기가 용이하지 않고 이에 따라 드라이 필름 솔더 레지스트로 제조하기가 어려워질 수 있으며, 최종 제조되는 드라이 필름 솔더 레지스트의 신장율 등이 저하될 수 있다. The photocurable and thermosetting resin composition of the embodiment may include 20 wt% to 60 wt%, or 40 to 55 wt%, or 45 wt% to 55 wt% of the inorganic filler in the solid content of the total composition. . If the content of the inorganic filler is too small, the hardness and stiffness of the final DFSR is not sufficiently secured workability may be low, the effect of the addition of the above-described inorganic filler may not be sufficiently expressed. In addition, if the content of the inorganic filler is too high, the inorganic filler is not easily dispersed in the resin composition having the photocurable and thermosetting of the embodiment, the viscosity of the resin composition is greatly increased and is not easy to apply on the substrate As a result, it may be difficult to manufacture the dry film solder resist, and the elongation of the dry film solder resist may be lowered.
이때, 본 발명에서 전체 수지 조성물 중의 상기 판상형 무기 필러의 고형분 함량은 용매 및 휘발분을 제외한 성분만 고려하여 계산된 것을 의미한다.In this case, the solid content of the plate-shaped inorganic filler in the entire resin composition in the present invention means that it is calculated in consideration of only the components except for the solvent and volatile matter.
또한, 전체 수지 조성물 중의 상기 판상형 무기 필러의 부피비 함량은 필러 및 수지 각각의 밀도를 고려하여 계산된 것을 의미한다.In addition, the volume ratio content of the said plate-shaped inorganic filler in the whole resin composition means what was calculated in consideration of the density of a filler and resin, respectively.
이하, 일 구현예에 따른 수지 조성물을 각 성분별로 보다 구체적으로 설명하기로 한다. Hereinafter, the resin composition according to one embodiment will be described in more detail for each component.
산변성Acidity 올리고머 Oligomer
수지 조성물에서, 필러와 함께 사용되는 수지는 결정화 경향이 높을수록 좋으며, inter/infra interation이 높을수록 유리하다. 즉, 수지는 고분자 사슬간 인력이 높을수록 좋다.In the resin composition, the resin used with the filler has a higher crystallinity tendency, and a higher inter / infra interation is advantageous. In other words, the higher the attraction between the polymer chains, the better.
이러한 상기 일 구현예의 수지 조성물은 통상적으로 잘 알려진 산변성 올리고머를 포함한다.Such a resin composition of one embodiment typically comprises a well-known acid-modified oligomer.
산변성 올리고머로는 카르복시기와 광경화 가능한 작용기, 예를 들어, 아크릴레이트기나 불포화 이중 결합을 갖는 광경화 가능한 작용기와, 카르복시기를 분자 내에 갖는 올리고머로서, 이전부터 DFSR 형성용 수지 조성물에 사용 가능한 것으로 알려진 모든 성분을 별다른 제한없이 사용할 수 있다. 예를 들어, 이러한 추가적 산변성 올리고머의 주쇄는 노볼락 에폭시 또는 폴리우레탄 등으로 될 수 있고, 이러한 주쇄에 카르복시기와 아크릴레이트기 등이 도입된 성분을 추가적 산변성 올리고머로서 사용할 수 있다. 상기 광경화 가능한 작용기는 바람직하게는 아크릴레이트기로 될 수 있는데, 이때, 상기 산변성 올리고머는 카르복시기를 갖는 중합 가능한 모노머와, 아크릴레이트계 화합물 등을 포함한 모노머를 공중합하여 올리고머 형태로서 얻을 수 있다. Acid-modified oligomers include carboxyl groups and photocurable functional groups such as photocurable functional groups having acrylate groups or unsaturated double bonds, and oligomers having carboxyl groups in a molecule, and have been known to be used in resin compositions for forming DFSR. All ingredients can be used without restriction. For example, the main chain of such additional acid-modified oligomer may be a novolak epoxy or polyurethane, or the like. A component having a carboxyl group and an acrylate group introduced therein may be used as an additional acid-modified oligomer. The photocurable functional group may preferably be an acrylate group, wherein the acid-modified oligomer may be obtained as an oligomer form by copolymerizing a polymerizable monomer having a carboxyl group and a monomer including an acrylate compound.
보다 구체적으로, 상기 수지 조성물에 사용 가능한 추가적 제2산변성 올리고머의 구체적인 예로는 다음과 같은 성분들을 들 수 있다: More specifically, specific examples of additional second acid-modified oligomers usable in the resin composition include the following components:
(1) (메트)아크릴산 등의 불포화 카르복실산 (a)과 스티렌, α-메틸스티렌, 저급 알킬(메트)아크릴레이트, 이소부틸렌 등의 불포화 이중 결합을 갖는 화합물 (b)을 공중합시킴으로서 얻어지는 카르복시기 함유 수지; (1) Obtained by copolymerizing unsaturated carboxylic acids (a) such as (meth) acrylic acid and compounds (b) having unsaturated double bonds such as styrene, α-methylstyrene, lower alkyl (meth) acrylate, and isobutylene Carboxyl group-containing resins;
(2) 불포화 카르복실산 (a)과 불포화 이중 결합을 갖는 화합물 (b)의 공중합체의 일부에 비닐기, 알릴기, (메트)아크릴로일기 등의 에틸렌성 불포화기와 에폭시기, 산클로라이드 등의 반응성기를 갖는 화합물, 예를 들어, 글리시딜(메트)아크릴레이트를 반응시키고, 에틸렌성 불포화기를 팬던트로서 부가시킴으로서 얻어지는 카르복시기 함유 감광성 수지; (2) ethylenically unsaturated groups such as vinyl groups, allyl groups, (meth) acryloyl groups, epoxy groups, acid chlorides, and the like, as part of the copolymer of the unsaturated carboxylic acid (a) and the compound (b) having an unsaturated double bond Carboxyl group-containing photosensitive resin obtained by making a compound which has a reactive group, for example, glycidyl (meth) acrylate react, and adding an ethylenically unsaturated group as a pendant;
(3) 글리시딜(메트)아크릴레이트, α-메틸글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 에폭시기와 불포화 이중 결합을 갖는 화합물 (c)과 불포화 이중 결합을 갖는 화합물 (b)의 공중합체에 불포화 카르복실산 (a)을 반응시키고, 생성된 2급의 히드록시기에 무수프탈산, 테트라히드로무수프탈산, 헥사히드로무수프탈산 등의 포화 또는 불포화 다염기산 무수물 (d)을 반응시켜 얻어지는 카르복시기 함유 감광성 수지; (3) to a copolymer of a compound (c) having an unsaturated double bond with an epoxy group such as glycidyl (meth) acrylate and α-methylglycidyl (meth) acrylate and a compound (b) having an unsaturated double bond; Carboxyl group-containing photosensitive resin obtained by making unsaturated carboxylic acid (a) react, and making saturated or unsaturated polybasic acid anhydride (d), such as phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, and hexahydrophthalic anhydride, react with the produced | generated secondary hydroxy group;
(4) 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 불포화 이중 결합을 갖는 산무수물 (e)과 불포화 이중 결합을 갖는 화합물 (b)의 공중합체에 히드록시알킬(메트)아크릴레이트 등의 1개의 히드록시기와 1개 이상의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물 (f)을 반응시켜 얻어지는 카르복시기 함유 감광성 수지; (4) One hydroxy group such as hydroxyalkyl (meth) acrylate in a copolymer of an acid anhydride (e) having an unsaturated double bond such as maleic anhydride and itaconic anhydride and a compound (b) having an unsaturated double bond Carboxyl group-containing photosensitive resin obtained by making compound (f) which has 1 or more ethylenically unsaturated double bond react;
(5) 후술하는 바와 같은 분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 다관능 에폭시 화합물 (g) 또는 다관능 에폭시 화합물의 히드록시기를 추가로 에피클로로히드린으로 에폭시화한 다관능 에폭시 수지의 에폭시기와, (메트)아크릴산 등의 불포화 모노카르복실산 (h)의 카르복시기를 에스테르화 반응(전체 에스테르화 또는 부분 에스테르화, 바람직하게는 전체 에스테르화)시키고, 생성된 히드록시기에 추가로 포화 또는 불포화 다염기산 무수물 (d)을 반응시켜 얻어지는 카르복시기 함유 감광성 화합물; (5) The epoxy group of the polyfunctional epoxy compound (g) which has two or more epoxy groups in the molecule mentioned later, or the polyfunctional epoxy resin in which the hydroxy group of the polyfunctional epoxy compound was further epoxidized with epichlorohydrin, (meth The carboxyl group of unsaturated monocarboxylic acid (h) such as acrylic acid is subjected to esterification reaction (full esterification or partial esterification, preferably total esterification) and further saturated or unsaturated polybasic acid anhydride (d) Carboxyl group-containing photosensitive compound obtained by making it react;
(6) 불포화 이중 결합을 갖는 화합물 (b)과 글리시딜 (메트)아크릴레이트의 공중합체의 에폭시기에 탄소수 2 내지 17의 알킬카르복실산, 방향족기 함유 알킬카르복실산 등의 1 분자 중에 1개의 카르복시기를 갖고, 에틸렌성 불포화 결합을 갖지 않는 유기산 (i)을 반응시키고, 생성된 2급의 히드록시기에 포화 또는 불포화 다염기산 무수물 (d)을 반응시켜 얻어지는 카르복시기 함유 수지; (6) 1 in 1 molecule of an alkyl group having 2 to 17 carbon atoms, an aromatic group-containing alkyl carboxylic acid, etc., in the epoxy group of the copolymer of the compound (b) having an unsaturated double bond and glycidyl (meth) acrylate A carboxyl group-containing resin obtained by reacting an organic acid (i) having two carboxyl groups and not having an ethylenically unsaturated bond and reacting a saturated or unsaturated polybasic acid anhydride (d) with the resulting secondary hydroxy group;
(7) 지방족 디이소시아네이트, 분지 지방족 디이소시아네이트, 지환식 디이소시아네이트, 방향족 디이소시아네이트 등의 디이소시아네이트 (j)와, 디메틸올프로피온산, 디메틸올부탄산 등의 카르복시기 함유 디알코올 화합물(k), 및 폴리카르보네이트계 폴리올, 폴리에테르계 폴리올, 폴리에스테르계 폴리올, 폴리올레핀계 폴리올, 아크릴계 폴리올, 비스페놀 A계 알킬렌옥시드 부가체 디올, 페놀성 히드록실기 및 알코올성 히드록실기를 갖는 화합물 등의 디올 화합물 (m)의 중부가 반응에 의해 얻어지는 카르복시기 함유 우레탄 수지; (7) diisocyanates (j) such as aliphatic diisocyanates, branched aliphatic diisocyanates, alicyclic diisocyanates and aromatic diisocyanates; and carboxyl group-containing dialcohol compounds (k) such as dimethylolpropionic acid and dimethylolbutanoic acid, and polycarboxes; Diol compounds such as carbonate polyols, polyether polyols, polyester polyols, polyolefin polyols, acrylic polyols, bisphenol A alkylene oxide adducts, diols, phenolic hydroxyl groups and compounds having alcoholic hydroxyl groups ( carboxyl group-containing urethane resin obtained by the polyaddition reaction of m);
(8) 디이소시아네이트 (j)와, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비페놀형 에폭시 수지 등의 2관능 에폭시 수지의(메트)아크릴레이트 또는 그의 부분산 무수물 변성물 (n), 카르복시기 함유 디알코올 화합물 (k), 및 디올 화합물 (m)의 중부가 반응에 의해 얻어지는 감광성의 카르복시기 함유 우레탄 수지; (8) diisocyanate (j), bisphenol A type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, brominated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bixylenol type epoxy resin, non Photosensitive properties obtained by polyaddition reaction of (meth) acrylate or partial acid anhydride modified product (n) of bifunctional epoxy resins, such as a phenol type epoxy resin, its carboxyl group-containing dialcohol compound (k), and a diol compound (m) Carboxyl group-containing urethane resin;
(9) 상기 (7) 또는 (8)의 수지의 합성 중에 히드록시알킬(메트)아크릴레이트 등의 1개의 히드록시기와 1개 이상의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물 (f)을 가하여, 말단에 불포화 이중 결합을 도입한 카르복시기 함유 우레탄 수지; (9) Compound (f) having one hydroxy group such as hydroxyalkyl (meth) acrylate and one or more ethylenically unsaturated double bonds is added during the synthesis of the resin of the above (7) or (8) and unsaturated at the terminal. Carboxyl group-containing urethane resin which introduce | transduced the double bond;
(10) 상기 (7) 또는 (8)의 수지의 합성 중에 이소포론디이소시아네이트와 펜타에리트리톨트리아크릴레이트의 등몰 반응물 등의 분자 내에 1개의 이소시아네이트기와 1개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물을 가하고, 말단(메트)아크릴화한 카르복시기 함유 우레탄 수지; (10) A compound having one isocyanate group and one or more (meth) acryloyl groups in a molecule such as an equimolar reactant of isophorone diisocyanate and pentaerythritol triacrylate during the synthesis of the resin (7) or (8). Carboxyl group-containing urethane resin which was added and terminal (meth) acrylated;
(11) 후술하는 바와 같은 분자 중에 2개 이상의 옥세탄환을 갖는 다관능 옥세탄 화합물에 불포화 모노카르복실산 (h)을 반응시켜, 얻어진 변성 옥세탄 화합물 중의 1급 히드록시기에 대하여 포화 또는 불포화 다염기산 무수물 (d)을 반응시켜 얻어지는 카르복시기 함유 감광성 수지; (11) Saturated or unsaturated polybasic anhydrides with respect to the primary hydroxy group in the modified oxetane compound obtained by reacting unsaturated monocarboxylic acid (h) with a polyfunctional oxetane compound having two or more oxetane rings in a molecule as described later. carboxyl group-containing photosensitive resin obtained by making (d) react;
(12) 비스에폭시 화합물과 비스페놀류와의 반응 생성물에 불포화 이중 결합을 도입하고, 계속해서 포화 또는 불포화 다염기산 무수물 (d)을 반응시켜 얻어지는 카르복시기 함유 감광성 수지; (12) Carboxyl group-containing photosensitive resin obtained by introducing an unsaturated double bond into the reaction product of a bisepoxy compound and bisphenols, and then making a saturated or unsaturated polybasic acid anhydride (d) react;
(13) 노볼락형 페놀 수지와, 에틸렌옥시드, 프로필렌옥시드, 부틸렌옥시드, 트리메틸렌옥시드, 테트라히드로푸란, 테트라히드로피란 등의 알킬렌옥시드 및/또는 에틸렌카르보네이트, 프로필렌카르보네이트, 부틸렌카르보네이트, 2,3-카르보네이트프로필메타크릴레이트 등의 환상 카르보네이트와의 반응 생성물에 불포화 모노카르복실산 (h)을 반응시켜, 얻어진 반응 생성물에 포화 또는 불포화 다염기산 무수물 (d)을 반응시켜 얻어지는 카르복시기 함유 감광성 수지; (13) Novolak-type phenol resins, alkylene oxides such as ethylene oxide, propylene oxide, butylene oxide, trimethylene oxide, tetrahydrofuran, tetrahydropyran and / or ethylene carbonate, propylene carbon Unsaturated monocarboxylic acid (h) is reacted with a reaction product with cyclic carbonates such as carbonate, butylene carbonate, 2,3-carbonate propyl methacrylate, and saturated or unsaturated polybasic acid. Carboxyl group-containing photosensitive resin obtained by making anhydride (d) react;
상술한 성분들 중에서도, 상기 (7) 내지 (10)에서, 수지 합성에 이용되는 이소시아네이트기 함유 화합물이 벤젠환을 포함하지 않는 디이소시아네이트로 되는 경우와, 상기 (5) 및 (8) 에서, 수지 합성에 이용되는 다관능 및 2관능 에폭시 수지가 비스페놀 A 골격, 비스페놀 F 골격, 비페닐 골격 또는 비크실레놀 골격을 갖는 선상 구조의 화합물이나 그 수소 첨가 화합물로 되는 경우, DFSR의 가요성 등의 측면에서 산변성 올리고머로서 바람직하게 사용 가능한 성분이 얻어질 수 있다. 또한, 다른 측면에서, 상기 (7) 내지 (10)의 수지의 변성물은 주쇄에 우레탄 결합을 포함하여 휘어짐에 대해 바람직하다. Among the above-mentioned components, in the said (7)-(10), when the isocyanate group containing compound used for resin synthesis becomes diisocyanate which does not contain a benzene ring, and in said (5) and (8), When the polyfunctional and bifunctional epoxy resins used in the synthesis are linear compounds having bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, biphenyl skeleton or bixylenol skeleton, or hydrogenated compounds thereof, the flexibility and the like of DFSR The component which can be preferably used as an acid-modified oligomer can be obtained. In addition, in another aspect, the modified product of the resins of the above (7) to (10) is preferable for the bending including the urethane bond in the main chain.
그리고, 상술한 산변성 올리고머로는 상업적으로 입수 가능한 성분을 사용할 수도 있는데, 이러한 성분의 구체적인 예로는 일본화약사의 ZAR-2000, CCR-1235, ZFR-1122 또는 CCR-1291H 등을 들 수 있다. In addition, commercially available components may be used as the acid-modified oligomer described above, and specific examples of such components include ZAR-2000, CCR-1235, ZFR-1122 or CCR-1291H, etc.
상기 산변성 올리고머의 보다 구체적인 예로는 에폭시 (메타)아크릴레이트계 화합물을 들 수 있다. 상기 에폭시 (메타)아크릴레이트계 화합물은, 에폭시 화합물 또는 폴리에폭시 화합물과 2) (메타)아크릴레이트계 화합물 또는 히드록시 (메타)아크릴레이트계 화합물 간의 반응물을 의미한다. More specific examples of the acid-modified oligomers include epoxy (meth) acrylate compounds. The epoxy (meth) acrylate compound means a reactant between an epoxy compound or a polyepoxy compound and 2) a (meth) acrylate compound or a hydroxy (meth) acrylate compound.
상기 에폭시 (메타)아크릴레이트계 화합물을 사용함에 따라서, DFSR의 가요성 등을 충분히 확보할 수 있고, 보다 낮은 열팽창계수 및 향상된 내열 신뢰성을 나타내고, 반도체 소자의 패키지 기판 재료 등으로 바람직하게 사용 가능한 DFSR이 제공될 수 있다.By using the epoxy (meth) acrylate-based compound, DFSR can sufficiently secure the flexibility and the like of DFSR, exhibit a lower coefficient of thermal expansion and improved heat resistance, and can be preferably used as a package substrate material of a semiconductor device. This may be provided.
상기 에폭시 (메타)아크릴레이트계 화합물로는 cresol novolak으로부터 유래한 에폭시 (메타)아크릴레이트 화합물 또는 비스페놀 F로부터 유래한 에폭시 (메타)아크릴레이트 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 상기 에폭시 (메타)아크릴레이트계 화합물은 cresol novolak으로부터 유래한 에폭시 (메타)아크릴레이트 화합물 및 비스페놀 F로부터 유래한 에폭시 (메타)아크릴레이트 화합물을 4:1 내지 1:1의 중량비, 또는 3:1 내지 2:1의 중량비로 포함할 수 있다. As said epoxy (meth) acrylate type compound, the epoxy (meth) acrylate compound derived from cresol novolak or the epoxy (meth) acrylate compound derived from bisphenol F can be used. In addition, the epoxy (meth) acrylate compound is an epoxy (meth) acrylate compound derived from cresol novolak and an epoxy (meth) acrylate compound derived from bisphenol F 4: 1 to 1: 1 by weight, or 3 It may be included in a weight ratio of 1: 1 to 2: 1.
상기 에폭시 (메타)아크릴레이트계 화합물은 5,000 내지 50,000, 또는 6,000 내지 20,000의 중량평균분자량을 가질 수 있다. 상기 에폭시 (메타)아크릴레이트계 화합물의 중량평균분자량이 너무 크면 광경화 가능한 아크릴레이트 비율이 상대적으로 감소하여 현상성이 저하되거나 DFSR의 강도가 저하될 수 있다. 상기 에폭시 (메타)아크릴레이트계 화합물의 중량평균분자량이 너무 작으면, 무기 필러 분산시 필러 입자의 침전 또는 응집이 발생할 수 있으며, 또한 일 구현예의 수지 조성물이 과도하게 현상될 수 있다.The epoxy (meth) acrylate-based compound may have a weight average molecular weight of 5,000 to 50,000, or 6,000 to 20,000. If the weight average molecular weight of the epoxy (meth) acrylate-based compound is too large, the ratio of photocurable acrylate may be relatively reduced, which may lower developability or lower the strength of DFSR. If the weight average molecular weight of the epoxy (meth) acrylate compound is too small, precipitation or aggregation of filler particles may occur during inorganic filler dispersion, and the resin composition of one embodiment may be excessively developed.
상기 산변성 올리고머는 수지 조성물의 전체 중량을 기준으로 5중량% 내지 75 중량%, 또는 10중량% 내지 50중량%로 포함될 수 있다. 또한, 선택적으로, 상기 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물은 상기 상기 산변성 올리고머 및 상기 카르복실기 및 광경화 가능한 불포화 작용기를 포함한 제2산변성 올리고머를 전체 중량 기준으로 5중량% 내지 75 중량%, 또는 10중량% 내지 50중량% 포함할 수 있다. The acid-modified oligomer may be included in 5% by weight to 75% by weight, or 10% by weight to 50% by weight based on the total weight of the resin composition. Further, optionally, the photocurable and thermosetting resin composition may comprise 5% to 75% by weight of the acid-modified oligomer and the second acid-modified oligomer including the carboxyl group and the photocurable unsaturated functional group based on the total weight, or 10 wt% to 50 wt% may be included.
상기 산변성 올리고머의 함량이 지나치게 작으면 수지 조성물의 현상성이 떨어지고 DFSR의 강도가 저하될 수 있다. 반대로, 산변성 올리고머의 함량이 지나치게 높아지면, 수지 조성물이 과도하게 현상될 뿐 아니라 코팅 시 균일성이 떨어질 수 있다.When the content of the acid-modified oligomer is too small, the developability of the resin composition may be lowered and the strength of the DFSR may be lowered. On the contrary, when the content of the acid-modified oligomer is too high, not only the resin composition may be excessively developed, but also uniformity may be decreased during coating.
또, 산변성 올리고머의 산가는 약 40 내지 200 mgKOH/g, 혹은 약 50 내지 150 mgKOH/g, 혹은 약 60 내지 120 mgKOH/g로 될 수 있다. 산가가 지나치게 낮아지면, 알칼리 현상성이 저하될 수 있고, 반대로 지나치게 높아지면 현상액에 의해 광경화부, 예를 들어, 노광부까지 용해될 수 있으므로, DFSR의 정상적 패턴 형성이 어려워질 수 있다. In addition, the acid value of the acid-modified oligomer may be about 40 to 200 mgKOH / g, or about 50 to 150 mgKOH / g, or about 60 to 120 mgKOH / g. When the acid value is too low, alkali developability may be lowered. On the contrary, when the acid value is too high, it may be possible to dissolve the photocurable portion, for example, the exposed portion, by the developing solution, which makes it difficult to form a normal pattern of the DFSR.
광중합성Photopolymerizable 모노머 Monomer
한편, 일 구현예의 수지 조성물은 광중합성 모노머를 포함한다. 이러한 광중합성 모노머는, 예를 들어, 2개 이상의 다관능 비닐기 등 광경화 가능한 불포화 작용기를 갖는 화합물로 될 수 있으며, 상술한 산변성 올리고머의 불포화 작용기와 가교 결합을 형성하여 노광시 광경화에 의한 가교 구조를 형성할 수 있다. 이로서, DFSR이 형성될 부분에 대응하는 노광부의 수지 조성물이 알칼리 현상되지 않고 기판 상에 잔류하도록 할 수 있다. Meanwhile, the resin composition of one embodiment includes a photopolymerizable monomer. Such a photopolymerizable monomer may be, for example, a compound having a photocurable unsaturated functional group such as two or more polyfunctional vinyl groups, and may form a crosslink with the unsaturated functional group of the acid-modified oligomer described above to provide photocuring during exposure. Crosslinked structure can be formed. Thereby, the resin composition of the exposure part corresponding to the part where DFSR is to be formed can be left on the substrate without alkali development.
이러한 광중합성 모노머로는, 실온에서 액상인 것을 사용할 수 있고, 이에 따라 일 구현예의 수지 조성물의 점도를 도포 방법에 맞게 조절하거나, 비노광부의 알칼리 현상성을 보다 향상시키는 역할도 함께 할 수 있다. As the photopolymerizable monomer, a liquid phase may be used at room temperature, and accordingly, the viscosity of the resin composition of one embodiment may be adjusted according to the coating method, or the role of improving the alkali developability of the non-exposed part may also be combined.
상기 광중합성 모노머로는, 2개 이상의 광경화 가능한 불포화 작용기를 갖는 아크릴레이트계 화합물을 사용할 수 있고, 보다 구체적인 예로서, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 또는 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트 등의 수산기 함유의 아크릴레이트계 화합물; 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 또는 폴리프로필렌글리콜디아크릴레이트 등의 수용성 아크릴레이트계 화합물; 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 또는 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 등의 다가 알코올의 다관능 폴리에스테르아크릴레이트계 화합물; 트리메틸올프로판, 또는 수소 첨가 비스페놀 A 등의 다관능 알코올 또는 비스페놀 A, 비페놀 등의 다가 페놀의 에틸렌옥시드 부가물 및/또는 프로필렌옥시드 부가물의 아크릴레이트계 화합물; 상기 수산기 함유 아크릴레이트의 이소시아네이트 변성물인 다관능 또는 단관능 폴리우레탄아크릴레이트계 화합물; 비스페놀 A 디글리시딜에테르, 수소 첨가 비스페놀 A 디글리시딜에테르 또는 페놀 노볼락 에폭시 수지의 (메트)아크릴산 부가물인 에폭시아크릴레이트계 화합물; 카프로락톤 변성 디트리메틸올프로판테트라아크릴레이트, ε-카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨의 아크릴레이트, 또는 카프로락톤 변성 히드록시피발산네오펜틸글리콜에스테르디아크릴레이트 등의 카프로락톤 변성의 아크릴레이트계 화합물, 및 상술한 아크릴레이트계 화합물에 대응하는 메타크릴레이트계 화합물 등의 감광성(메트)아크릴레이트 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 사용할 수 있고, 이들을 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.As the photopolymerizable monomer, an acrylate compound having two or more photocurable unsaturated functional groups can be used, and more specifically, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, pentaerythritol Hydroxyl group-containing acrylate compounds such as triacrylate or dipentaerythritol pentaacrylate; Water-soluble acrylate compounds such as polyethylene glycol diacrylate or polypropylene glycol diacrylate; Polyfunctional polyester acrylate compounds of polyhydric alcohols such as trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, or dipentaerythritol hexaacrylate; Acrylate compounds of ethylene oxide adducts and / or propylene oxide adducts of polyfunctional alcohols such as trimethylolpropane or hydrogenated bisphenol A or polyhydric phenols such as bisphenol A and biphenol; Polyfunctional or monofunctional polyurethane acrylate compounds which are isocyanate modified products of the hydroxyl group-containing acrylate; Epoxy acrylate compounds that are (meth) acrylic acid adducts of bisphenol A diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, or phenol novolac epoxy resins; Caprolactone-modified acrylate compounds such as caprolactone-modified ditrimethylolpropane tetraacrylate, acrylate of ε-caprolactone-modified dipentaerythritol, or caprolactone-modified hydroxypivalatene neopentyl glycol ester diacrylate, And one or more compounds selected from the group consisting of photosensitive (meth) acrylate compounds such as methacrylate compounds corresponding to the acrylate compounds described above, and these may be used alone or in combination of two or more thereof. .
이들 중에서도, 상기 광중합성 모노머로는 1 분자 중에 2개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖는 다관능 (메트)아크릴레이트계 화합물을 바람직하게 사용할 수 있으며, 특히 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 또는 카프로락톤 변성 디트리메틸올프로판테트라아크릴레이트 등을 적절히 사용할 수 있다. 상업적으로 입수 가능한 광중합성 모노머의 예로는, 카야라드의 DPEA-12 등을 들 수 있다. Among these, as said photopolymerizable monomer, the polyfunctional (meth) acrylate type compound which has two or more (meth) acryloyl groups in 1 molecule can be used preferably, Especially pentaerythritol triacrylate and a trimethylol propane Triacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, caprolactone modified ditrimethylol propane tetraacrylate, etc. can be used suitably. As an example of a commercially available photopolymerizable monomer, Kaylarad DPEA-12 etc. are mentioned.
상기 광중합성 모노머는 수지 조성물의 전체 중량을 기준으로 1 내지 30 중량%, 또는 2 내지 20중량%로 포함될 수 있다. 광중합성 모노머의 함량이 지나치게 작아지면, 광경화가 충분하지 않게 될 수 있고, 지나치게 커지면 DFSR의 건조성이 나빠지고 물성이 저하될 수 있다. The photopolymerizable monomer may be included in 1 to 30% by weight, or 2 to 20% by weight based on the total weight of the resin composition. If the content of the photopolymerizable monomer is too small, the photocuring may not be sufficient, and if the content of the photopolymerizable monomer is too large, the drying property of the DFSR may deteriorate and the physical properties may be degraded.
광개시제Photoinitiator
일 구현예의 수지 조성물은 광개시제를 포함한다. 이러한 광개시제는, 예를 들어, 수지 조성물의 노광부에서 산변성 올리고머와, 광중합성 모노머 간에 라디칼 광경화를 개시하는 역할을 한다.The resin composition of one embodiment includes a photoinitiator. Such a photoinitiator, for example, serves to initiate radical photocuring between the acid-modified oligomer and the photopolymerizable monomer in the exposed portion of the resin composition.
광개시제로서는 공지의 것을 사용할 수 있고, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르 등의 벤조인과 그 알킬에테르류; 아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 1,1-디클로로아세토페논, 4-(1-t-부틸디옥시-1-메틸에틸)아세토페논 등의 아세토페논류; 2-메틸안트라퀴논, 2-아밀안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논 등의 안트라퀴논류; 2,4-디메틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤, 2-클로로티오크산톤 등의 티오크산톤류; 아세토페논디메틸케탈, 벤질디메틸케탈 등의 케탈류; 벤조페논, 4-(1-t-부틸디옥시-1-메틸에틸)벤조페논, 3,3',4,4'-테트라키스(t-부틸디옥시카르보닐)벤조페논 등의 벤조페논류와 같은 물질들을 사용할 수 있다. As a photoinitiator, a well-known thing can be used and benzoin, such as benzoin, benzoin methyl ether, and benzoin ethyl ether, and its alkyl ether; Acetophenones such as acetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 1,1-dichloroacetophenone, and 4- (1-t-butyldioxy-1-methylethyl) acetophenone; Anthraquinones such as 2-methylanthraquinone, 2-amyl anthraquinone, 2-t-butylanthraquinone and 1-chloroanthraquinone; Thioxanthones, such as 2, 4- dimethyl thioxanthone, 2, 4- diisopropyl thioxanthone, and 2-chloro thioxanthone; Ketals such as acetophenone dimethyl ketal and benzyl dimethyl ketal; Benzophenones such as benzophenone, 4- (1-t-butyldioxy-1-methylethyl) benzophenone, 3,3 ', 4,4'-tetrakis (t-butyldioxycarbonyl) benzophenone Materials such as these can be used.
또, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로파논-1,2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-몰포리노페닐)-부탄-1-온, 2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-몰포리닐)페닐]-1-부타논, N,N-디메틸아미노아세토페논(시판품으로서는 치바스페셜리티케미컬사(현, 치바저팬사) 제품의 이루가큐어(등록상표) 907, 이루가큐어 369, 이루가큐어 379 등) 등의 α-아미노아세토페논류, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐호스핀옥사이트, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸-펜틸포스핀옥사이드(시판품으로서는, BASF사 제품 루실린(등록상표) TPO, 치바스페셜리티케미컬사 제품의 이루가큐어 819 등) 등의 아실포스핀옥사이드류가 바람직한 광개시제로서 언급될 수 있다.In addition, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropaneone-1,2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butane-1 -One, 2- (dimethylamino) -2-[(4-methylphenyl) methyl] -1- [4- (4-morpholinyl) phenyl] -1-butanone, N, N-dimethylaminoacetophenone ( As commercially available products, α-aminoacetophenones such as Irugacure (registered trademark) 907, Irugacure 369, Irugacure 379, etc. of Chiba Specialty Chemical Co., Ltd. (currently Chiba Japan Co., Ltd.), 2,4,6- Trimethylbenzoyldiphenylhospinoxite, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethyl-pentylphosphine oxide ( As a commercial item, acyl phosphine oxides, such as Rucillin (trademark) TPO by BASF Corporation and Irgacure 819 by Chivas Specialty Chemical Co., Ltd.), etc. can be mentioned as a preferable photoinitiator.
또, 바람직한 광개시제로서는, 옥심에스테르류를 들 수 있다. 옥심에스테르류의 구체예로서는 2-(아세틸옥시이미노메틸)티오크산텐-9-온, (1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)페닐]-, 2-(O-벤조일옥심)), (에탄온, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-, 1-(O-아세틸옥심)) 등을 들 수 있다. 시판품으로서는 치바스페셜리티케미컬사 제품의 GGI-325, 이루가큐어 OXE01, 이루가큐어 OXE02, ADEKA사 제품 N-1919, 치바스페셜리티케미컬사의 Darocur TPO 등을 들 수 있다.Moreover, oxime ester is mentioned as a preferable photoinitiator. Specific examples of oxime esters include 2- (acetyloxyiminomethyl) thioxanthene-9-one, (1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio) phenyl]-, and 2- (O-benzoyloxime ), (Ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl]-, 1- (O-acetyloxime)), and the like. Commercially available products include GGI-325 from Chiba Specialty Chemical, Irugacure OXE01, Irugacure OXE02, ADEKA N-1919, Chiba Specialty Chemical's Darocur TPO, and the like.
광개시제의 함량은 수지 조성물 전체 중량에 대하여 약 0.5 내지 20 중량%, 혹은 약 1 내지 10 중량%, 혹은 약 1 내지 5 중량%로 될 수 있다. 광개시제의 함량이 지나치게 작으면, 광경화가 제대로 일어나지 않을 수 있고, 반대로 지나치게 커지면 수지 조성물의 해상도가 저하되거나 DFSR의 신뢰성이 충분하지 않을 수 있다.The content of the photoinitiator may be about 0.5 to 20% by weight, or about 1 to 10% by weight, or about 1 to 5% by weight based on the total weight of the resin composition. If the content of the photoinitiator is too small, photocuring may not occur properly, on the contrary, if the content of the photoinitiator is too large, the resolution of the resin composition may be lowered or the reliability of the DFSR may not be sufficient.
열경화성 바인더Thermosetting binder
일 구현예의 수지 조성물은 또한 열경화 가능한 작용기, 예를 들어, 에폭시기, 옥세타닐기, 환상 에테르기 및 환상 티오 에테르기 중에서 선택된 1종 이상을 갖는 열경화성 바인더를 포함한다. 이러한 열경화성 바인더는 열경화에 의해 산변성 올리고머 등과 가교 결합을 형성해 DFSR의 내열성 또는 기계적 물성을 담보할 수 있다. 또한 상기 열경화성 바인더는 그 종류가 제한되지 않으며 이 분야에 잘 알려진 물질이 사용될 수 있다.The resin composition of one embodiment also includes a thermosetting binder having at least one member selected from thermosetting functional groups such as epoxy groups, oxetanyl groups, cyclic ether groups and cyclic thio ether groups. Such a thermosetting binder may form a crosslinking bond with an acid-modified oligomer and the like by thermosetting to secure heat resistance or mechanical properties of DFSR. In addition, the type of the thermosetting binder is not limited, and materials well known in the art may be used.
상기 열경화성 바인더로는, 분자 중에 2개 이상의 환상 에테르기 및/또는 환상 티오에테르기(이하, 환상 (티오)에테르기라고 함)를 갖는 수지를 사용할 수 있고, 또 2관능성의 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 기타 디이소시아네이트나 그의 2관능성 블록이소시아네이트도 사용할 수 있다.As the thermosetting binder, a resin having two or more cyclic ether groups and / or cyclic thioether groups (hereinafter referred to as cyclic (thio) ether groups) in a molecule can be used, and a bifunctional epoxy resin can be used. have. Other diisocyanates or their difunctional block isocyanates can also be used.
상기 분자 중에 2개 이상의 환상 (티오)에테르기를 갖는 열경화성 바인더는 분자 중에 3, 4 또는 5원환의 환상 에테르기, 또는 환상 티오에테르기 중 어느 한쪽 또는 2종의 기를 2개 이상 갖는 화합물로 될 수 있다. 또, 상기 열경화성 바인더는 분자 중에 적어도 2개 이상의 에폭시기를 갖는 다관능 에폭시 화합물, 분자 중에 적어도 2개 이상의 옥세타닐기를 갖는 다관능 옥세탄 화합물 또는 분자 중에 2개 이상의 티오에테르기를 갖는 에피술피드 수지 등으로 될 수 있다. The thermosetting binder having two or more cyclic (thio) ether groups in the molecule may be a compound having any one or two or more of three, four or five membered cyclic ether groups, or cyclic thioether groups in the molecule. have. The thermosetting binder may be a polyfunctional epoxy compound having at least two epoxy groups in a molecule, a polyfunctional oxetane compound having at least two oxetanyl groups in a molecule, or an episulfide resin having two or more thioether groups in a molecule And so on.
상기 다관능 에폭시 화합물의 구체예로서는, 예를 들면 비스페놀 A형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, N-글리시딜형 에폭시 수지, 비스페놀 A의 노볼락형 에폭시 수지, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비페놀형 에폭시 수지, 킬레이트형 에폭시 수지, 글리옥살형 에폭시 수지, 아미노기 함유 에폭시 수지, 고무 변성 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 페놀릭형 에폭시 수지, 디글리시딜프탈레이트 수지, 헤테로시클릭 에폭시 수지, 테트라글리시딜크실레노일에탄 수지, 실리콘 변성 에폭시 수지, ε-카프로락톤 변성 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 또한, 난연성 부여를 위해, 인 등의 원자가 그 구조 중에 도입된 것을 사용할 수도 있다. 이들 에폭시 수지는 열경화함으로써, 경화 피막의 밀착성, 땜납 내열성, 무전해 도금 내성 등의 특성을 향상시킨다.As a specific example of the said polyfunctional epoxy compound, bisphenol-A epoxy resin, hydrogenated bisphenol-A epoxy resin, brominated bisphenol-A epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin, bisphenol S-type epoxy resin, novolak-type epoxy resin, for example , Phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, N-glycidyl type epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, bixylenol type epoxy resin, biphenol type epoxy resin, chelate type epoxy resin, glyc Oxal type epoxy resin, amino group containing epoxy resin, rubber modified epoxy resin, dicyclopentadiene phenolic epoxy resin, diglycidyl phthalate resin, heterocyclic epoxy resin, tetraglycidyl xylenoyl ethane resin, silicone modified epoxy resin and (epsilon) -caprolactone modified epoxy resins. In addition, in order to impart flame retardancy, those in which atoms such as phosphorus are introduced into the structure may be used. By thermosetting these epoxy resins, characteristics, such as adhesiveness of a cured film, solder heat resistance, and electroless plating resistance, are improved.
상기 다관능 옥세탄 화합물로서는 비스[(3-메틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]에테르, 비스[(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]에테르, 1,4-비스[(3-메틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]벤젠, 1,4-비스[(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]벤젠, (3-메틸-3-옥세타닐)메틸아크릴레이트, (3-에틸-3-옥세타닐)메틸아크릴레이트, (3-메틸-3-옥세타닐)메틸메타크릴레이트, (3-에틸-3-옥세타닐)메틸메타크릴레이트나 이들의 올리고머 또는 공중합체 등의 다관능 옥세탄류 이외에, 옥세탄 알코올과 노볼락 수지, 폴리(p-히드록시스티렌), 카르도형 비스페놀류, 카릭스아렌류, 카릭스레졸신아렌류, 또는 실세스퀴옥산 등의 히드록시기를 갖는 수지와의 에테르화물 등을 들 수 있다. 그 밖의, 옥세탄환을 갖는 불포화 모노머와 알킬(메트)아크릴레이트와의 공중합체 등도 들 수 있다.Examples of the polyfunctional oxetane compound include bis [(3-methyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] ether, bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] ether, 1,4-bis [( 3-methyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, 1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, (3-methyl-3-oxetanyl) methylacrylic Latex, (3-ethyl-3-oxetanyl) methyl acrylate, (3-methyl-3-oxetanyl) methyl methacrylate, (3-ethyl-3-oxetanyl) methyl methacrylate or these In addition to polyfunctional oxetanes such as oligomers and copolymers, oxetane alcohols and novolac resins, poly (p-hydroxystyrenes), cardo-type bisphenols, charixarenes, carlixresolecinarenes, or silses And etherates with resins having hydroxy groups such as quoxane. In addition, the copolymer etc. of the unsaturated monomer which has an oxetane ring, and an alkyl (meth) acrylate are mentioned.
상기 분자 중에 2개 이상의 환상 티오에테르기를 갖는 화합물로서는, 예를 들면 재팬 에폭시 레진사 제조의 비스페놀 A형 에피술피드 수지 YL7000 등을 들 수 있다. 또한, 노볼락형 에폭시 수지의 에폭시기의 산소 원자를 황 원자로 대체한 에피술피드 수지 등도 사용할 수 있다.As a compound which has two or more cyclic thioether group in the said molecule | numerator, bisphenol A episulfide resin YL7000 by the Japan epoxy resin company, etc. are mentioned, for example. Moreover, episulfide resin etc. which substituted the oxygen atom of the epoxy group of the novolak-type epoxy resin with the sulfur atom can also be used.
또한, 시판되고 있는 것으로서, 국도화학사의 YDCN-500-80P 등을 사용할 수 있다.Moreover, as marketed, YDCN-500-80P etc. of Kukdo Chemical Co., Ltd. can be used.
상기 열경화성 바인더는 상기 산변성 올리고머의 카르복시기 1 당량에 대하여 약 0.5 내지 2.0 당량에 대응하는 함량으로 포함될 수 있다. 예를 들어, 상기 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물은 상기 열경화성 바인더 0.1 내지 30 중량%, 혹은 0.1 내지 10중량%를 포함할 수 있다. 상기 열경화성 바인더의 함량이 지나치게 작아지면, 경화 후 DFSR에 카르복시기가 남아 내열성, 내알칼리성, 전기 절연성 등이 저하될 수 있다. 반대로, 함량이 지나치게 커지면, 저분자량의 환상 (티오)에테르기가 건조 도막에 잔존함으로써, 도막의 강도 등이 저하되기 때문에 바람직하지 않다.The thermosetting binder may be included in an amount corresponding to about 0.5 to 2.0 equivalents based on 1 equivalent of the carboxyl group of the acid-modified oligomer. For example, the photocurable and thermosetting resin composition may include 0.1 to 30% by weight, or 0.1 to 10% by weight of the thermosetting binder. When the content of the thermosetting binder is too small, the carboxyl group remains in the DFSR after curing, the heat resistance, alkali resistance, electrical insulation may be lowered. On the contrary, when the content is too large, it is not preferable because the low molecular weight cyclic (thio) ether group remains in the dry coating film because the strength and the like of the coating film decrease.
판상형Plate 무기 weapon 필러filler
드라이 필름형 솔더 레지스트에서 높은 탄성 모듈러스에서 고려되는 것은 하기 식으로 표시되는 영률 모듈러스(young's modulus)이다.What is considered at high elastic modulus in dry film type solder resist is young's modulus represented by the following equation.
[식 1][Equation 1]
= = = = = =
식 1에서, E는 영률 모듈러스이고, F는 장력하에 물질에 가해지는 힘이고, A0는 힘이 인가되는 본래 단면적이고, ΔL은 물질의 길이 변화량이고, L0는 물질의 본래 길이이다.In Equation 1, E is the Young's modulus, F is the force exerted on the material under tension, A 0 is the original cross section to which the force is applied, ΔL is the change in the length of the material, and L 0 is the original length of the material.
그리고, 높은 탄성 모듈러스를 제공하기 위해서는, 수지 조성물과 솔더 레지스트에서 필러 그 자체의 모듈러스(Eα)가 높은 것이 좋으며, 작은 입도로 고충진하고, 필러 형상은 표면적이 최대가 되는 방향이 유리하다. 구체적으로, 필러의 형상에서 종횡비는 구형, 큐브형, 판형으로 갈수록 커지는데, 수지-필러가 접촉 면적의 최대화를 위해서 판형 필러를 사용하는 것이 바람직하다.In order to provide a high elastic modulus, it is preferable that the modulus Eα of the filler itself is high in the resin composition and the soldering resist, and the filling shape is high, and the filler shape is advantageous in the direction in which the surface area is maximized. Specifically, the aspect ratio in the shape of the filler increases in the shape of a sphere, a cube, and a plate, and it is preferable that the resin-filler uses a plate-shaped filler to maximize the contact area.
이러한 점에 기초하여, 본 발명은 모듈러스가 높으면서 특정 물성을 가지는 판상형 무기 필러를 사용하는 것을 특징으로 한다. Based on such a point, this invention is characterized by using the plate-shaped inorganic filler which has a high modulus and has a specific physical property.
바람직하게, 상기 판상형 무기필러의 E-모듈러스는 90 내지 120 (Gpa)일 수 있다. 또한, 상기 판상형 무기필러는 상술한 높은 E-모듈러스를 갖는 특정 물성의 탈크 분말을 사용하는 것이 바람직하다.Preferably, the E-modulus of the plate-shaped inorganic filler may be 90 to 120 (Gpa). In addition, it is preferable that the plate-shaped inorganic filler uses talc powder having a specific physical property having the high E-modulus described above.
보다 바람직하게, 상기 판상형 무기 필러는, 90% 이상의 백도(whiteness), 0.5 내지 2㎛의 입자크기 (D50), 3 내지 10㎛의 탑 크기(Top size), JIS-K5101에 의해 측정된 0.3 내지 1%의 수분함량과 0.07 내지 0.2 (g/ml)의 겉보기 밀도(apparent density) 및 BET 방법에 의해 측정된 17 내지 30 (m2/g)의 비표면적을 갖는 판상형 탈크 분말을 포함할 수 있다.More preferably, the plate-shaped inorganic filler, the whiteness of 90% or more, the particle size (D50) of 0.5 to 2㎛, the top size of 3 to 10㎛, 0.3 to 0.3 measured by JIS-K5101 Platelet talc powder having a moisture content of 1% and an apparent density of 0.07 to 0.2 (g / ml) and a specific surface area of 17 to 30 (m2 / g) measured by the BET method.
가장 바람직하게, 상기 판상형 무기 필러는, 96% 이상의 백도(whiteness), 0.6 내지 1.5㎛의 입자크기 (D50), 4 내지 7㎛의 탑 크기(Top size), JIS-K5101에 의해 측정된 0.5 내지 0.7%의 수분함량과 0.09 내지 0.1 (g/ml)의 겉보기 밀도(apparent density) 및 BET 방법에 의해 측정된 18 내지 24 (m2/g)의 비표면적을 갖는 판상형 탈크 분말을 포함할 수 있다.Most preferably, the plate-shaped inorganic filler has a whiteness of 96% or more, a particle size (D50) of 0.6 to 1.5 μm, a top size of 4 to 7 μm, and 0.5 to 0.5 measured by JIS-K5101. Platelet talc powder having a water content of 0.7% and an apparent density of 0.09 to 0.1 (g / ml) and a specific surface area of 18 to 24 (m2 / g) measured by the BET method.
이때, 무기 필러로서 상기 물성을 만족하지 않는 경우, 가령 무기 필러 입자크기가 0.6 um 미만인 경우 비표면적이 상대적으로 증가하며, 수지-필러간 접촉 면적이 너무 커지게 되어 건조 도막과 PCB 기재와의 밀착력이 저하되는 문제점이 있다. 반면, 무기 필러 입자 크기가 2 um을 초과하게 될 경우 미세 패턴 형성에 불리하게 작용한다.In this case, when the inorganic filler does not satisfy the above physical properties, for example, when the inorganic filler particle size is less than 0.6 um, the specific surface area is relatively increased, and the contact area between the resin and the filler becomes too large, so that the adhesion between the dry coating film and the PCB substrate is increased. There is a problem of this deterioration. On the other hand, when the inorganic filler particle size exceeds 2 um, it adversely affects fine pattern formation.
상기 판상형 무기 필러는 내열 안정성, 열에 의한 치수안정성, 수지 접착력을 향상시키는 역할을 한다. 또한, 색상을 보강함으로써 체질안료 역할도 한다.The plate-shaped inorganic filler serves to improve heat stability, thermal dimensional stability, and resin adhesion. In addition, it also serves as a constitution pigment by reinforcing the color.
그외, 본 발명에서는 필요에 따라 통상의 무기 또는 유기 충전제를 더 사용할 수가 있는데, 예를 들어 황산바륨, 티탄산바륨, 무정형 실리카, 결정성 실리카, 용융 실리카, 구형 실리카, 클레이, 탄산마그네슘, 탄산칼슘, 산화알루미늄(알루미나), 수산화알루미늄, 마이카 등을 사용할 수 있다.In addition, in the present invention, conventional inorganic or organic fillers may be further used as necessary, for example, barium sulfate, barium titanate, amorphous silica, crystalline silica, fused silica, spherical silica, clay, magnesium carbonate, calcium carbonate, Aluminum oxide (alumina), aluminum hydroxide, mica and the like can be used.
또한, 본 발명에서 상기 판상형 무기필러는 전체 수지 조성물의 고형분 중 20~40 vol%, 보다 바람직하게 30~35vol%에 해당하도록 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 전체 수지 조성물의 고형분 중 필러의 부피%를 중량%로 환산하면 다음의 함량 범위로 사용될 수 있다.In addition, in the present invention, the plate-shaped inorganic filler is preferably used to correspond to 20 to 40 vol%, more preferably 30 to 35 vol% of the solid content of the entire resin composition. The volume% of the filler in the solid content of the total resin composition may be used in the following content ranges.
즉, 상기 판상형 무기 필러는 전체 조성물의 고형분 중에 20중량% 내지 60중량%, 혹은 40 내지 55 중량%, 혹은 45중량% 내지 55중량%가 될 수 있다. 상기 무기 필러의 고형분 함량이 60 중량%를 초과하여 사용할 경우에는 조성물의 점도가 높아져서 코팅성이 저하되거나 경화도가 떨어지게 되어 바람직하지 않다. 또한 그 고형분 함량이 20중량% 미만이면 모듈러스 향상 효과를 기대할 수 없고 현상성과 열팽창계수가 저하될 수 있다.That is, the plate-shaped inorganic filler may be 20% to 60% by weight, or 40 to 55% by weight, or 45% to 55% by weight in solids of the total composition. When the solid content of the inorganic filler is used in excess of 60% by weight, the viscosity of the composition is increased, so that the coating property is lowered or the degree of curing is lowered, which is not preferable. In addition, when the solid content is less than 20% by weight, the modulus improvement effect may not be expected, and developability and thermal expansion coefficient may decrease.
이때, 본 발명에서 전체 수지 조성물 중의 상기 판상형 무기 필러의 고형분 함량은 용매 및 휘발분을 제외한 성분만 고려하여 계산될 수 있다.At this time, the solid content of the plate-shaped inorganic filler in the entire resin composition in the present invention can be calculated in consideration of only the components except the solvent and volatile matter.
또한, 전체 수지 조성물 중의 상기 판상형 무기 필러의 부피비 함량은 필러 및 수지 각각의 밀도를 고려하여 계산될 수 있다.In addition, the volume ratio content of the plate-shaped inorganic filler in the total resin composition may be calculated in consideration of the density of each of the filler and the resin.
분산제Dispersant
또한, 본 발명에서는 판상형 무기 필러의 사용으로 무기 필러를 고형분 중량에 대해 35 중량% 이상 과량 사용해도 미세패턴을 형성할 수 있지만, 판상형 무기 필러만 사용하는 경우에는 그 충진량을 늘려야만 하므로 미세패턴 형성에 불리해질 수 있다.In addition, in the present invention, the use of the plate-shaped inorganic filler can form a fine pattern even when the inorganic filler is used in an excess of 35% by weight or more with respect to the solid content, but in the case of using only the plate-shaped inorganic filler, the filling amount must be increased so that the fine pattern can be formed. May be disadvantageous.
따라서, 본 발명에서는 상술한 판상형 무기필러와 함께 분산제를 수지 조성물 중에 일정량 포함시켜 사용하는 특징이 있다. 즉, 상기 분산제는 필러, 안료 등의 분산 안정성을 향상시키기 위해 사용되믈, 미세패턴을 쉽게 형성할 수 있다.Therefore, in this invention, it has the characteristic to use a predetermined amount including a dispersing agent in a resin composition with the plate-shaped inorganic filler mentioned above. That is, the dispersant is used to improve the dispersion stability of the filler, pigment, etc., it is easy to form a fine pattern.
상기 분산제는 상기 감광성 수지 조성물에 사용되는 각각의 성분의 분산성을 고려하여 적절한 양으로 사용될 수 있으며, 예를 들어 상기 분산제는 수지 조성물의 전체 고형분 중량을 기준으로 1 내지 6 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 분산제의 첨가량이 1중량% 미만으로 지나치게 적은 경우 분산이 충분이 되지 않고 미세패턴 형성에 불리할 수 있고, 6 중량%를 초과하여 지나치게 많은 양의 분산제를 추가하는 경우에는 내열성 및 신뢰성에 영향을 미칠 수 있다. 그러므로, 상기 분산제가 사용되지 않고 무기 필러만 사용되면, 어느 정도의 모듈러스 값을 나타내더라도 미세패턴이 형성되지 않는다.The dispersant may be used in an appropriate amount in consideration of the dispersibility of each component used in the photosensitive resin composition, for example, the dispersant is included in 1 to 6% by weight based on the total solids weight of the resin composition. desirable. If the amount of the dispersant is too small, less than 1% by weight, the dispersion may not be sufficient and may be detrimental to the formation of the micropattern, and when the amount of the dispersant is added in excess of 6% by weight, the heat resistance and reliability may be affected. Can be crazy Therefore, if only the inorganic filler is used without the dispersing agent, no micropattern is formed even if it exhibits a certain modulus value.
본 발명에서 사용되는 분산제로는 Dorf Ketal의 Tyzor AA, AA-65, AA-105 등을 들 수 있다.Dispersants used in the present invention include Dorf Ketal's Tyzor AA, AA-65, AA-105 and the like.
한편, 상술한 각 성분 외에도, 일 구현예의 수지 조성물은 용제; 및 후술하는 에폭시 경화제, 열경화성 바인더 촉매, 안료 및 첨가제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 더 포함할 수도 있다. On the other hand, in addition to each component described above, the resin composition of one embodiment is a solvent; And at least one selected from the group consisting of an epoxy curing agent, a thermosetting binder catalyst, a pigment, and an additive to be described later.
열경화성 바인더 촉매Thermosetting binder catalyst
열경화성 바인더 촉매는 열경화성 바인더의 열경화를 촉진시키는 역할을 한다.The thermosetting binder catalyst serves to promote thermosetting of the thermosetting binder.
이러한 열경화성 바인더 촉매로서는, 예를 들면 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 4-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-(2-시아노에틸)-2-에틸-4-메틸이미다졸 등의 이미다졸 유도체; 디시안디아미드, 벤질디메틸아민, 4-(디메틸아미노)-N,N-디메틸벤질아민, 4-메톡시-N,N-디메틸벤질아민, 4-메틸-N,N-디메틸벤질아민 등의 아민 화합물; 아디프산 디히드라지드, 세박산 디히드라지드 등의 히드라진 화합물; 트리페닐포스핀 등의 인 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 시판되고 있는 것으로서는, 예를 들면 시코쿠 가세이 고교사 제조의 2MZ-A, 2MZ-OK, 2PHZ, 2P4BHZ, 2P4MHZ(모두 이미다졸계 화합물의 상품명), 산아프로사 제조의 U-CAT3503N, UCAT3502T(모두 디메틸아민의 블록이소시아네이트 화합물의 상품명), DBU, DBN, U-CATS A102, U-CAT5002(모두 이환식 아미딘 화합물 및 그의 염) 등을 들 수 있다. 특히 이들에 한정되는 것이 아니고, 에폭시 수지나 옥세탄 화합물의 열경화 촉매, 또는 에폭시기 및/또는 옥세타닐기와 카르복시기의 반응을 촉진하는 것일 수 있고, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다. 또한, 구아나민, 아세토구아나민, 벤조구아나민, 멜라민, 2,4-디아미노-6-메타크릴로일옥시에틸-S-트리아진, 2-비닐-4,6-디아미노-S-트리아진, 2-비닐-4,6-디아미노-S-트리아진-이소사아누르산 부가물, 2,4-디아미노-6-메타크릴로일옥시에틸-S-트리아진-이소사아누르산 부가물 등의 S-트리아진 유도체를 이용할 수도 있고, 바람직하게는 이들 밀착성 부여제로서도 기능하는 화합물을 상기 열경화성 바인더 촉매와 병용할 수 있다. As such a thermosetting binder catalyst, for example, imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 4-phenylimidazole Imidazole derivatives such as 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole and 1- (2-cyanoethyl) -2-ethyl-4-methylimidazole; Amines such as dicyandiamide, benzyldimethylamine, 4- (dimethylamino) -N, N-dimethylbenzylamine, 4-methoxy-N, N-dimethylbenzylamine, 4-methyl-N, N-dimethylbenzylamine compound; Hydrazine compounds such as adipic dihydrazide and sebacic acid dihydrazide; Phosphorus compounds, such as a triphenylphosphine, etc. are mentioned. Moreover, as what is marketed, 2MZ-A, 2MZ-OK, 2PHZ, 2P4BHZ, 2P4MHZ (all are brand names of an imidazole type compound) by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., U-CAT3503N and UCAT3502T by San Apro Corporation (All are brand names of block isocyanate compounds of dimethylamine), DBU, DBN, U-CATS A102, U-CAT5002 (both bicyclic amidine compounds and salts thereof), and the like. It is not specifically limited to these, It may be the thing which accelerates reaction of the thermosetting catalyst of an epoxy resin or an oxetane compound, or an epoxy group and / or an oxetanyl group, and a carboxyl group, It can also be used individually or in mixture of 2 or more types. . Also, guanamine, acetoguanamine, benzoguanamine, melamine, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-S-triazine, 2-vinyl-4,6-diamino-S-tri Azine, 2-vinyl-4,6-diamino-S-triazine-isosaururic acid adduct, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-S-triazine-isosaanuric acid S-triazine derivatives, such as an adduct, can also be used, Preferably, the compound which also functions as these adhesive imparting agents can be used together with the said thermosetting binder catalyst.
열경화성 바인더 촉매의 사용 함량은 적절한 열경화성의 측면에서, 수지 조성물 전체 고형분 중량에 대하여 약 0.3 내지 2 중량%로 될 수 있다. The used content of the thermosetting binder catalyst may be about 0.3 to 2% by weight based on the total solid weight of the resin composition in terms of suitable thermosetting.
안료Pigment
안료는 시인성, 은폐력을 발휘하여 회로선의 긁힘과 같은 결함을 숨기는 역할을 한다.Pigments exhibit visibility and hiding power to hide defects such as scratches on circuit lines.
안료로는 적색, 청색, 녹색, 황색, 흑색 안료 등을 사용할 수 있다. 청색 안료로는 프탈로시아닌 블루, 피그먼트 블루 15:1, 피그먼트 블루 15:2, 피그먼트 블루 15:3, 피그먼트 블루 15:4, 피그먼트 블루 15:6, 피그먼트 블루 60 등을 사용할 수 있다. 녹색 안료로는 피그먼트 그린 7, 피그먼트 그린 36, 솔벤트 그린 3, 솔벤트 그린 5, 솔벤트 그린 20, 솔벤트 그린 28 등을 사용할 수 있다. 황색 안료로는 안트라퀴논계, 이소인돌리논계, 축합 아조계, 벤즈이미다졸론계 등이 있으며, 예를 들어 피그먼트 옐로우 108, 피그먼트 옐로우 147, 피그먼트 옐로우 151, 피그먼트 옐로우 166, 피그먼트 옐로우 181, 피그먼트 옐로우 193 등을 사용할 수 있다.As the pigment, red, blue, green, yellow, black pigments and the like can be used. As the blue pigment, phthalocyanine blue, pigment blue 15: 1, pigment blue 15: 2, pigment blue 15: 3, pigment blue 15: 4, pigment blue 15: 6, pigment blue 60, and the like can be used. have. Pigment Green 7, Pigment Green 36, Solvent Green 3, Solvent Green 5,
안료의 함량은 수지 조성물 전체 중량에 대하여 약 0.5 내지 3 중량%로 사용하는 것이 바람직하다. 0.5 중량% 미만으로 사용할 경우에는 시인성, 은폐력이 떨어지게 되며, 3 중량%를 초과하여 사용할 경우에는 내열성이 떨어지게 된다.The content of the pigment is preferably used at about 0.5 to 3% by weight based on the total weight of the resin composition. When used in less than 0.5% by weight, visibility and hiding power is lowered, and when used in excess of 3% by weight is less heat resistance.
첨가제additive
첨가제는 수지 조성물의 기포를 제거하거나, 필름 코팅시 표면의 팝핑(Popping)이나 크레이터(Crater)를 제거, 난연성질 부여, 점도 조절, 촉매 등의 역할로 첨가될 수 있다. The additive may be added to remove bubbles in the resin composition or remove popping or craters from the surface of the film, impart flame retardancy, adjust viscosity, and catalyze the film.
구체적으로, 미분실리카, 유기 벤토나이트, 몬모릴로나이트 등의 공지 관용의 증점제; 실리콘계, 불소계, 고분자계 등의 소포제 및/또는 레벨링제; 이미다졸계, 티아졸계, 트리아졸계 등의 실란 커플링제; 인계 난연제, 안티몬계 난연제 등의 난연제 등과 같은 공지 관용의 첨가제류를 배합할 수 있다. Specifically, known conventional thickeners such as finely divided silica, organic bentonite and montmorillonite; Antifoaming agents and / or leveling agents such as silicone, fluorine, and polymers; Silane coupling agents such as imidazole series, thiazole series, and triazole series; Known and common additives such as flame retardants such as phosphorus flame retardants and antimony flame retardants can be blended.
이중에서 레벨링제는 필름 코팅시 표면의 팝핑이나 크레이터를 제거하는 역할을 하며, 예를 들어 BYK-Chemie GmbH의 BYK-380N, BYK-307, BYK-378, BYK-350 등을 사용할 수 있다.Among them, the leveling agent serves to remove the popping or craters of the surface when the film is coated, for example, BYK-380N, BYK-307, BYK-307, BYK-378, BYK-350, etc. of BYK-Chemie GmbH.
첨가제의 함량은 수지 조성물 전체 중량에 대하여 약 0.01 내지 10 중량%인 것이 바람직하다.The content of the additive is preferably about 0.01 to 10% by weight based on the total weight of the resin composition.
용제solvent
수지 조성물을 용해시키거나 적절한 점도를 부여하기 위해 1개 이상의 용제를 혼용하여 사용할 수 있다.One or more solvents may be used in combination to dissolve the resin composition or impart an appropriate viscosity.
용제로서는 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류; 톨루엔, 크실렌, 테트라메틸벤젠 등의 방향족 탄화수소류; 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 글리콜에테르류(셀로솔브); 아세트산에틸, 아세트산부틸, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 아세트산에스테르류; 에탄올, 프로판올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 카르비톨 등의 알코올류; 옥탄, 데칸 등의 지방족 탄화수소; 석유에테르, 석유나프타, 수소 첨가 석유나프타, 용매나프타 등의 석유계 용제; 디메틸아세트아미드, 디메틸포름아미드(DMF) 등의 아미드류 등을 들 수 있다. 이들 용제는 단독으로 또는 2종 이상의 혼합물로서 사용할 수 있다.As a solvent, Ketones, such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone; Aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene and tetramethylbenzene; Ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether Glycol ethers (cellosolve) such as dipropylene glycol diethyl ether and triethylene glycol monoethyl ether; Ethyl acetate, butyl acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate Acetate esters, such as these; Alcohols such as ethanol, propanol, ethylene glycol, propylene glycol and carbitol; Aliphatic hydrocarbons such as octane and decane; Petroleum solvents such as petroleum ether, petroleum naphtha, hydrogenated petroleum naphtha and solvent naphtha; Amides such as dimethylacetamide and dimethylformamide (DMF). These solvents can be used alone or as a mixture of two or more thereof.
용제의 함량은 수지 조성물 전체 중량에 대하여 약 1 내지 50 중량%로 될 수 있다. 1 중량% 미만인 경우에는 점도가 높아 코팅성이 떨어지고 50 중량%를 초과할 경우에는 건조가 잘 되지 않아 끈적임이 증가하게 된다.The content of the solvent may be about 1 to 50% by weight based on the total weight of the resin composition. If it is less than 1% by weight, the viscosity is high, the coating property is inferior, and if it exceeds 50% by weight, the drying is not good and the stickiness is increased.
한편, 발명의 다른 구현예에 따르면, 아크릴레이트기 또는 불포화 이중 결합을 갖는 광경화 가능한 작용기와, 카르복시기를 분자 내에 갖는 산변성 올리고머; 2개 이상의 광경화 가능한 불포화 작용기를 갖는 광중합성 모노머; 및 열경화 가능한 작용기를 갖는 열경화성 바인더 간의 경화물과, 상기 결화물에 분산된 90 내지 120 (Gpa)의 E-모듈러스를 갖는 판상형 무기 필러를 포함하는 드라이 필름 솔더 레지스트가 제공될 수 있다. On the other hand, according to another embodiment of the present invention, a photocurable functional group having an acrylate group or an unsaturated double bond, an acid-modified oligomer having a carboxyl group in a molecule; Photopolymerizable monomers having two or more photocurable unsaturated functional groups; And a cured product between thermosetting binders having thermosetting functional groups, and a plate-shaped inorganic filler having an E-modulus of 90 to 120 (Gpa) dispersed in the binder.
상기 일 구현예의 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물을 이용하여 드라이 필름 솔더 레지스트(DFSR)을 제조하는 과정을 개략적으로 설명하면 다음과 같다. Referring to the process of manufacturing a dry film solder resist (DFSR) using the photocurable and thermosetting resin composition of the embodiment is as follows.
먼저, 캐리어 필름(Carrier Film)에 감광성 코팅 재료(Photosensitive Coating Materials)로서 상기 일 구현예의 수지 조성물을 콤마 코터, 블레이드 코터, 립 코터, 로드 코터, 스퀴즈 코터, 리버스 코터, 트랜스퍼 롤 코터, 그라비아 코터 또는 분무 코터 등으로 도포한 후, 50℃ 내지 130℃ 온도의 오븐을 1 내지 30분간 통과시켜 건조시킨 다음, 이형 필름(Release Film)을 적층함으로써, 아래로부터 캐리어 필름, 감광성 필름(Photosensitive Film), 이형 필름으로 구성되는 드라이 필름을 제조할 수 있다. First, the resin composition of the embodiment as a photosensitive coating material on a carrier film is used as a comma coater, blade coater, lip coater, rod coater, squeeze coater, reverse coater, transfer roll coater, gravure coater or After coating with a spray coater or the like, the oven at 50 ° C to 130 ° C is dried for 1 to 30 minutes and dried, and then a release film is laminated to form a carrier film, a photosensitive film, and a release from below. The dry film comprised from a film can be manufactured.
상기 감광성 필름의 두께는 5 내지 100 ㎛ 정도로 될 수 있다. 이때, 캐리어 필름으로는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에스테르 필름, 폴리이미드 필름, 폴리아미드이미드 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리스티렌 필름 등의 플라스틱 필름을 사용할 수 있고, 이형 필름으로는 폴리에틸렌(PE), 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 표면 처리한 종이 등을 사용할 수 있으며, 이형필름을 박리할 때 감광성 필름과 캐리어 필름의 접착력보다 감광성 필름과 이형 필름의 접착력이 낮은 것이 바람직하다.The photosensitive film may have a thickness of about 5 to 100 μm. In this case, a plastic film such as polyethylene terephthalate (PET), a polyester film, a polyimide film, a polyamideimide film, a polypropylene film, a polystyrene film may be used as the carrier film, and polyethylene (PE), A polytetrafluoroethylene film, a polypropylene film, a surface treated paper, or the like can be used, and when the release film is peeled off, it is preferable that the adhesive force of the photosensitive film and the release film is lower than that of the photosensitive film and the carrier film.
다음, 이형 필름을 벗긴 후, 회로가 형성된 기판 위에 감광성 필름층을 진공 라미네이터, 핫 롤 라미네이터, 진공 프레스 등을 이용하여 접합한다.Next, after peeling off a release film, the photosensitive film layer is bonded together on the board | substrate with a circuit using a vacuum laminator, a hot roll laminator, a vacuum press, etc.
다음, 기재를 일정한 파장대를 갖는 광선(UV 등)으로 노광(Exposure)한다. 노광은 포토 마스크로 선택적으로 노광하거나, 또는 레이저 다이렉트 노광기로 직접 패턴 노광할 수도 있다. 캐리어 필름은 노광 후에 박리한다. 노광량은 도막 두께에 따라 다르나, 0 내지 1,000 mJ/㎠가 바람직하다. 상기 노광을 진행하면, 예를 들어, 노광부에서는 광경화가 일어나 산변성 올리고머와, 광중합성 모노머 등에 포함된 불포화 작용기들 사이에 가교 결합이 형성될 수 있고, 그 결과 이후의 현상에 의해 제거되지 않는 상태로 될 수 있다. 이에 비해, 비노광부는 상기 가교 결합 및 이에 따른 가교 구조가 형성되지 않고 카르복시기가 유지되어, 알칼리 현상 가능한 상태로 될 수 있다. Next, the substrate is exposed to light (UV, etc.) having a constant wavelength band. The exposure may be selectively exposed with a photo mask or may be directly pattern exposed with a laser direct exposure machine. The carrier film peels off after exposure. Although exposure amount changes with coating film thickness, 0-1,000 mJ / cm <2> is preferable. When the exposure is performed, for example, in the exposed portion, photocuring may occur to form a crosslink between the acid-modified oligomer and the unsaturated functional groups included in the photopolymerizable monomer and the like, and as a result, the crosslinking may not be eliminated by subsequent development. Can be in a state. On the contrary, the non-exposed part may not be formed with the crosslinked structure and thus the crosslinked structure, and thus the carboxyl group may be maintained to be in an alkali developable state.
다음, 알칼리 용액 등을 이용하여 현상(Development)한다. 알칼리 용액은 수산화칼륨, 수산화나트륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 인산나트륨, 규산나트륨, 암모니아, 아민류 등의 알칼리 수용액을 사용할 수 있다. 이러한 현상에 의해, 노광부의 필름만이 잔류할 수 있다. Next, development is carried out using an alkaline solution or the like. The alkaline solution may be an aqueous alkali solution such as potassium hydroxide, sodium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium phosphate, sodium silicate, ammonia, amines and the like. By this phenomenon, only the film of the exposed portion may remain.
마지막으로, 가열 경화시킴으로써(Post Cure), 감광성 필름으로부터 형성되는 솔더 레지스트를 포함하는 인쇄회로기판을 완성한다. 가열 경화온도는 100℃ 이상이 적당하다. Finally, by heat curing (Post Cure), a printed circuit board including a solder resist formed from the photosensitive film is completed. The heat curing temperature is preferably at least 100 ° C.
상술한 방법 등을 통해, DFSR 및 이를 포함하는 인쇄회로기판이 제공될 수 있다. 상기 DFSR은 광경화 및 열경화를 거침에 따라, 카르복실기 및 광경화 가능한 불포화 작용기를 포함한 산변성 올리고머; 2개 이상의 광경화 가능한 불포화 작용기를 갖는 광중합성 모노머; 및 열경화 가능한 작용기를 갖는 열경화성 바인더의 간의 경화물을 포함할 수 있다. 그리고, 상기 드라이 필름 솔더 레지스트는 상기 결화물에 분산되고 상술한 특정 물성을 갖는 판상형 무기 필러를 포함할 수 있다.Through the above-described method, a DFSR and a printed circuit board including the same may be provided. The DFSR may be acid-modified oligomer including a carboxyl group and a photocurable unsaturated functional group as it undergoes photocuring and thermosetting; Photopolymerizable monomers having two or more photocurable unsaturated functional groups; And a cured liver of a thermosetting binder having a thermosetting functional group. In addition, the dry film solder resist may include a plate-type inorganic filler dispersed in the binder and having the above-described specific physical properties.
보다 구체적으로, 상기 경화물은, 상기 산변성 올리고머의 광경화 가능한 작용기와, 상기 열경화성 바인더의 열경화 가능한 작용기가 가교 결합된 가교 구조; 상기 산변성 올리고머의 광경화 가능한 작용기와, 상기 광중합성 모노머의 불포화 작용기가 서로 가교 결합된 가교 구조; 및 상기 산변성 올리고머에서 유래한 가교 구조를 포함할 수 있다. More specifically, the cured product may include a crosslinked structure in which a photocurable functional group of the acid-modified oligomer and a thermosetting functional group of the thermosetting binder are crosslinked; A crosslinked structure in which a photocurable functional group of the acid-modified oligomer and an unsaturated functional group of the photopolymerizable monomer are crosslinked with each other; And it may include a crosslinked structure derived from the acid-modified oligomer.
또한, 상기 구현예의 드라이 필름 솔더레지스를 제조하는 상기 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물이 카르복실기 및 광경화 가능한 불포화 작용기를 포함한 제2산변성 올리고머이 더 포함함에 따라서, 상기 DFSR에 포함되는 경화물은 카르복실기 및 광경화 가능한 불포화 작용기를 포함한 산변성 올리고머; 2개 이상의 광경화 가능한 불포화 작용기를 갖는 광중합성 모노머; 및 열경화 가능한 작용기를 갖는 열경화성 바인더 간의 경화물을 포함할 수 있다.In addition, as the photocurable and thermosetting resin composition for preparing the dry film solder resist of the embodiment further includes a second acid-modified oligomer including a carboxyl group and a photocurable unsaturated functional group, the cured product included in the DFSR is a carboxyl group. And acid-modified oligomers including photocurable unsaturated functional groups; Photopolymerizable monomers having two or more photocurable unsaturated functional groups; And a cured product between thermosetting binders having thermosetting functional groups.
상기 구현예의 드라이 필름 솔더 레지스트는 트리아진 가교 구조가 포함한 가교물을 함유하면서도 기타 잔류하는 화합물의 양이 최소화하여, 보다 높은 현상성을 확보할 수 있으며 이에 따라 미세 피치(fine pitch)를 보다 용이하게 구현할 수 있다. The dry film solder resist of the above embodiment contains a crosslinked product including a triazine crosslinked structure, but minimizes the amount of other remaining compounds, thereby ensuring higher developability and thus making fine pitch easier. Can be implemented.
또한, 본 발명은 모듈러스가 높으며 특정 물성을 나타내는 판상형의 무기 필러를 일정량 포함하여, 열팽창계수를 낮추고 영률 모듈러스를 향상시킬 수 있다. 특히 상기 무기필러와 함께 일정량의 분산제를 함께 포함하여 미세패턴 형성이 가능하고 높은 모듈러스를 구현할 수 있다.In addition, the present invention includes a plate-shaped inorganic filler having a high modulus and exhibiting specific physical properties, thereby lowering the coefficient of thermal expansion and improving Young's modulus. In particular, by including a certain amount of the dispersant together with the inorganic filler, it is possible to form a fine pattern and to implement a high modulus.
따라서, 상기 드라이 필름 솔더 레지스트는 40 ppm/K 미만의 열팽창계수를 가질 수 있고, 바람직하게는 15 내지 30 ppm/K의 열팽창계수를 가질 수 있다.Accordingly, the dry film solder resist may have a coefficient of thermal expansion of less than 40 ppm / K, and preferably may have a coefficient of thermal expansion of 15 to 30 ppm / K.
그리고, 상기 드라이 필름 솔더 레지스트는 4 내지 12 GPa의 영률 모듈러스를 가질 수 있다. 바람직하게, 상기 드라이 필름 솔더 레지스트는 7 내지 10 GPa의 영률 모듈러스를 가질 수 있다. In addition, the dry film solder resist may have a Young's modulus of 4 to 12 GPa. Preferably, the dry film solder resist may have a Young's modulus of 7 to 10 GPa.
또한, 상기 DFSR은 약 120℃ 내지 180℃, 예를 들어 또는 약 140 내지 170℃의 높은 유리 전이 온도를 가질 수 있고, 보다 향상된 내열 신뢰성을 나타낼 수 있다. 따라서, 상기 DFSR은 반도체 소자의 패키지 기판 재료 등에 요구되는 우수한 PCT 내성, TCT 내열성 및 미세 배선간으로의 HAST 내성 등의 제반 물성을 충족하여, 반도체 소자의 패키지 기판 재료 등으로 바람직하게 사용될 수 있다. In addition, the DFSR may have a high glass transition temperature of about 120 ° C. to 180 ° C., for example, or about 140 to 170 ° C., and may exhibit improved heat resistance reliability. Accordingly, the DFSR satisfies various physical properties such as excellent PCT resistance, TCT heat resistance, and HAST resistance between fine wirings required for the package substrate material of the semiconductor device, and can be preferably used as the package substrate material of the semiconductor device.
부가하여, 상기 DFSR은 광경화에 참여하고 남은 소량의 광개시제를 경화물 내에 분산된 상태로 더 포함할 수 있다. In addition, the DFSR may further include a small amount of photoinitiator remaining in the cured product after participating in photocuring.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 상기 드라이 필름 솔더 레지스트는 상기 경화물에 분산된 판상형 무기 필러를 포함함에 따라, 모듈러스 향상 및 CTE 저하에 효과가 있고, 또한 상기 제조되는 DFSR의 경도를 충분히 확보하면서 통상 사용되는 기판에 대하여 높은 수준의 접착력을 유지할 수 있다. As mentioned above, according to the present invention Since the dry film solder resist includes a plate-shaped inorganic filler dispersed in the cured product, the dry film solder resist is effective in improving modulus and lowering of CTE, and also has a high level with respect to a substrate that is commonly used while sufficiently securing the hardness of the manufactured DFSR. Adhesion can be maintained.
그리고, 상기 DFSR은 필요에 따라 통상의 무기 필러가 추가로 분산된 형태를 포함할 수도 있다.In addition, the DFSR may include a form in which a conventional inorganic filler is further dispersed as necessary.
상기 판상형 무기 필러는, 90% 이상의 백도(whiteness), 0.5 내지 2㎛의 입자크기 (D50), 3 내지 10㎛의 탑 크기(Top size), JIS-K5101에 의해 측정된 0.3 내지 1%의 수분함량과 0.07 내지 0.2 (g/ml)의 겉보기 밀도(apparent density) 및 BET 방법에 의해 측정된 17 내지 30 (m2/g)의 비표면적을 갖는 판상형 탈크 분말을 포함할 수 있다.The plate-shaped inorganic filler has a whiteness of 90% or more, a particle size (D50) of 0.5 to 2 μm, a top size of 3 to 10 μm, and a moisture of 0.3 to 1% as measured by JIS-K5101. Plate-like talc powder having a content and an apparent density of 0.07 to 0.2 (g / ml) and a specific surface area of 17 to 30 (m2 / g) measured by the BET method.
더 바람직하게, 상기 판상형 무기 필러는, 96% 이상의 백도(whiteness), 0.6 내지 1.5㎛의 입자크기 (D50), 4 내지 7㎛의 탑 크기(Top size), JIS-K5101에 의해 측정된 0.5 내지 0.7%의 수분함량과 0.09 내지 0.1 (g/ml)의 겉보기 밀도(apparent density) 및 BET 방법에 의해 측정된 18 내지 24 (m2/g)의 비표면적을 갖는 판상형 탈크 분말을 포함할 수 있다.More preferably, the plate-shaped inorganic filler, whiteness of 96% or more, particle size (D50) of 0.6 to 1.5㎛, Top size of 4 to 7㎛, 0.5 to 0.5 measured by JIS-K5101 Platelet talc powder having a water content of 0.7% and an apparent density of 0.09 to 0.1 (g / ml) and a specific surface area of 18 to 24 (m2 / g) measured by the BET method.
상기 구현예의 드라이 필름 솔더 레지스트는 상기 물성을 갖는 판상형 무기 필러를 솔더 레지스트 고형분의 20중량% 내지 60중량, 보다 바람직하게 40 내지 55 중량%, 혹은 45중량% 내지 55중량%를 포함할 수 있다. 상기 솔더레지스트 내 무기 필러의 고형분 함량이 너무 작으면, 상기 DFSR의 경도와 강성(stiffness)를 충분히 확보하지 못하여 작업성이 낮아질 수 있으며, 상술한 무기 필러의 첨가에 따른 효과가 충분히 발현되지 않을 수 있다. 또한 상기 무기 필러의 고형분 함량이 너무 높으면, 상기 DFSR 내부에 무기 필러가 균일하게 분산되지 않으며, 상기 드라이 필름 솔더 레지스트의 신장율 등이 저하될 수 있다. The dry film soldering resist of the embodiment may include 20 wt% to 60 wt%, more preferably 40 wt% to 55 wt%, or 45 wt% to 55 wt% of the plate-shaped inorganic filler having the physical properties. If the solid content of the inorganic filler in the solder resist is too small, the hardness and stiffness of the DFSR may not be sufficiently secured, the workability may be low, the effect of the addition of the above-described inorganic filler may not be sufficiently expressed. have. In addition, if the solid content of the inorganic filler is too high, the inorganic filler is not uniformly dispersed in the DFSR, the elongation of the dry film solder resist may be reduced.
상기 드라이 필름 솔더 레지스트에 포함될 수 있는 성분에 관한 구체적인 내용을 상기 일 구현예의 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물에 관하여 상술한 내용을 포함한다. Details of components that may be included in the dry film solder resist include the above-described contents with respect to the photocurable and thermosetting resin composition of the embodiment.
발명을 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. The invention is explained in more detail in the following examples. However, the following examples are merely to illustrate the invention, but the content of the present invention is not limited by the following examples.
[[ 실시예Example 및 And 비교예Comparative example : 수지 조성물, 드라이 필름 및 인쇄회로기판의 제조]: Manufacture of Resin Composition, Dry Film and Printed Circuit Board]
실시예1Example 1
산변성 올리고머로서 일본화약의 CCR-1171H 45g, ZAR-2000 15g, 광중합성 모노머로 DPHA 5g, 광개시제로 TPO 4g, 열경화성 바인더로 일본 화약의 YDCN-500-80P 18g, 열경화성 바인더 촉매로서 2-PI 1g, 판상형 무기 필러로서 입자 크기 (D50) 0.8㎛의 Talc (NANO ACE D-800) (Nippon Talc CO., LTD.) 68g, 안료인 프탈로시아닌블루(B15:3) 0.5g와 Y147 0.5g, 분산제로 Tyzor AA 4g, 용매 DMF 50g을 혼합하여 수지 조성물을 제조하였다. 이때, 상기 판상형 탈크인 NANO ACE D-800의 E-모듈러스는 115 Gpa 이였다. 45 g of CCR-1171H as acid-modified oligomer, 15 g of ZAR-2000, 5 g of DPHA as a photopolymerizable monomer, 4 g of TPO as a photoinitiator, 18 g of YDCN-500-80P as a thermosetting binder, 2-PI 1 g as a thermosetting binder catalyst 68 g of Talc (NANO ACE D-800) (Nippon Talc CO., LTD.) With a particle size (D50) of 0.8 μm as a plate-shaped inorganic filler, 0.5 g of phthalocyanine blue (B15: 3) as a pigment and 0.5 g of Y147 as a dispersant. 4 g of Tyzor AA and 50 g of solvent DMF were mixed to prepare a resin composition. At this time, the E-modulus of the plate-shaped talc NANO ACE D-800 was 115 Gpa.
상기 제조된 수지 조성물을 캐리어 필름으로서 PET에 도포한 후, 100의 오븐을 통과시켜 건조시킨 다음, 이형 필름으로서 PE를 적층함으로써, 아래로부터 캐리어 필름, 감광성 필름(두께 20㎛), 이형 필름으로 구성되는 드라이 필름을 제조하였다.The resin composition prepared above was applied to PET as a carrier film, dried through 100 ovens, and then laminated with PE as a release film to form a carrier film, a photosensitive film (
제조된 드라이 필름의 커버 필름을 벗긴 후, 회로가 형성된 기판 위에 감광성 필름층을 진공 적층하고, 회로 패턴에 대응하는 포토 마스크를 감광성 필름층에 올려놓고 UV로 노광하였다. 노광은 365nm 파장대의 UV를 400mJ/cm2의 노광량으로 진행하였다. 이후, PET 필름을 제거하고, 31℃의 Na2CO3 1 중량% 알칼리 용액으로 일정 시간 동안 현상하여 불필요한 부분을 제거하여 원하는 패턴으로 형성하였다. 이어서, 1500mJ/cm2의 노광량으로 광경화를 진행하고, 마지막으로 160 내지 170℃에서 1 시간 동안 가열 경화를 진행하여 감광성 필름으로부터 형성되는 보호필름(솔더 레지스트)를 포함하는 인쇄회로기판을 완성하였다.After removing the cover film of the manufactured dry film, the photosensitive film layer was vacuum-laminated on the board | substrate with a circuit, the photomask corresponding to the circuit pattern was put on the photosensitive film layer, and it exposed by UV. Exposure progressed UV of the 365 nm wavelength band by the exposure amount of 400 mJ / cm <2> . Thereafter, the PET film was removed, and developed with a Na 2 CO 3 1% by weight alkaline solution at 31 ° C. for a predetermined time to remove unnecessary portions to form a desired pattern. Subsequently, photocuring was performed at an exposure dose of 1500 mJ / cm 2 , and finally heat curing was performed at 160 to 170 ° C. for 1 hour to complete a printed circuit board including a protective film (solder resist) formed from the photosensitive film. .
실시예2Example 2
상기 판상형 무기 필러로 입자 크기 (D50) 1.0㎛의 NANO ACE D-1000 (Nippon Talc CO., LTD.) 68g으로 종류를 변경하여 사용한 점을 제외하고는 실시예1과 동일한 방법으로 드라이 필름 및 인쇄회로기판을 제조하였다. Dry film and printing in the same manner as in Example 1, except that the type of inorganic filler was changed to 68 g of NANO ACE D-1000 (Nippon Talc CO., LTD.) Having a particle size (D50) of 1.0 μm. A circuit board was prepared.
이때, 상기 판상형 탈크인 NANO ACE D-1000 의 E-모듈러스는 120 Gpa 이였다.At this time, the E-modulus of the plate-shaped talc NANO ACE D-1000 was 120 Gpa.
실시예3Example 3
상기 판상형 무기 필러로 입자 크기 (D50) 1.0㎛의 NANO ACE D-1000 (Nippon Talc CO., LTD.) 86g으로 함량을 변경한 점을 제외하고는 실시예1과 동일한 방법으로 드라이 필름 및 인쇄회로기판을 제조하였다. Dry film and printed circuit in the same manner as in Example 1, except that the content of the plate-type inorganic filler was changed to 86 g of NANO ACE D-1000 (Nippon Talc CO., LTD.) Having a particle size (D50) of 1.0 μm. The substrate was prepared.
이때, 상기 판상형 탈크인 NANO ACE D-1000의 E-모듈러스는 120 Gpa 이였다.At this time, the E-modulus of the plate-shaped talc NANO ACE D-1000 was 120 Gpa.
상기 실시예 1 내지 3의 수지 조성물의 구체적 조성은 하기 표 1에 정리된 바와 같다. Specific compositions of the resin compositions of Examples 1 to 3 are as summarized in Table 1 below.
(중량%)Ingredients Self Solid
(weight%)
a: 원재료 성분 (g)
b: 고형분 무게(g)A: acid-modified oligomer, B: photopolymerizable monomer, C: thermosetting monomer, D: photoinitiator E: catalyst, F: inorganic filler, G: pigment, H: dispersant, I: solvent
a: raw material component (g)
b: solid weight (g)
상기 표 1에서, 전체 수지 조성물 중의 상기 판상형 무기 필러의 고형분 함량은 용매 및 휘발분을 제외한 성분만 고려하여 계산하였다. 원재료 중 고형분이 100%가 아닌 것은 다음과 같다:In Table 1, the solid content of the plate-shaped inorganic filler in the total resin composition was calculated in consideration of only the components except for the solvent and the volatile component. Non-100% solids in raw materials are as follows:
CCR-1171H의 고형분 65wt%65wt% solid content of CCR-1171H
ZAR-2000의 고형분 65wt%65wt% solids of ZAR-2000
Tyzor AA의 고형분 75wt%.75 wt% solids of Tyzor AA.
또한, 전체 수지 조성물 중의 상기 판상형 무기 필러의 부피비 함량은 필러 및 수지 각각의 밀도를 고려하여 계산하였다: (부피=질량/밀도)In addition, the volume ratio content of the said plate-shaped inorganic filler in the total resin composition was calculated in consideration of the density of each of the filler and the resin: (volume = mass / density)
Talc (NANO ACE)의 밀도 2.7Density of Talc (NANO ACE) 2.7
수지만 경화되었을 때의 밀도 1.2로 가정하여 각각의 고형분 (g)을 밀도로 나누어 부피를 구하고, 이로부터 부피비(vol%)를 구하였다.Assuming that the resin was cured at a density of 1.2, each solid content (g) was divided by density to obtain a volume, and a volume ratio (vol%) was obtained therefrom.
비교예1Comparative Example 1
판상형 무기필러를 사용하지 않은 점을 제외하고 실시예2와 동일한 방법으로 드라이 필름 및 인쇄회로기판을 제조하였다. A dry film and a printed circuit board were manufactured in the same manner as in Example 2, except that the plate-shaped inorganic filler was not used.
비교예2Comparative Example 2
판상형 무기 필러를 사용하지 않고 구상 실리카 (Denka사 SFP-120M)을 25g 사용한 점을 제외하고 실시예1과 동일한 방법으로 드라이 필름 및 인쇄회로기판을 제조하였다. A dry film and a printed circuit board were manufactured in the same manner as in Example 1, except that 25 g of spherical silica (SFP-120M, manufactured by Denka) was used without using a plate-shaped inorganic filler.
비교예3Comparative Example 3
판상형 무기 필러를 사용하지 않고 구상 실리카 (Denka사 SFP-120M)을 76g 사용한 점을 제외하고 실시예1과 동일한 방법으로 드라이 필름 및 인쇄회로기판을 제조하였다. A dry film and a printed circuit board were manufactured in the same manner as in Example 1, except that 76 g of spherical silica (SFP-120M, manufactured by Denka) was used without using a plate-shaped inorganic filler.
이때, 상기 구상 실리카의 Denka사 SFP-120M의 E-모듈러스는 70 Gpa 이였다.At this time, the E-modulus of Denka SFP-120M of the spherical silica was 70 Gpa.
비교예4Comparative Example 4
판상형 무기 필러를 사용하지 않고 구상 실리카 (Denka사 SFP-120M)을 174g 사용한 점을 제외하고 실시예1과 동일한 방법으로 드라이 필름 및 인쇄회로기판을 제조하였다. A dry film and a printed circuit board were manufactured in the same manner as in Example 1, except that 174 g of spherical silica (SFP-120M, manufactured by Denka) was used without using a plate-shaped inorganic filler.
비교예5Comparative Example 5
판상형 무기필러를 사용하되, E-모듈러스가 120 Gpa (D50 5.0㎛)인 판상형 탈크(Nippon talc사 Micro Ace P-3)를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 드라이 필름 및 인쇄회로기판을 제조하였다.A dry film and a printed circuit board were used in the same manner as in Example 1, except that a plate-shaped inorganic filler was used, except that plate-shaped talc (Micro Ace P-3, Nippon talc) having an E-modulus of 120 Gpa (D50 5.0 μm) was used. Was prepared.
상기 비교예 1 내지 5의 수지 조성물의 구체적 조성은 하기 표 2, 3에 정리된 바와 같다.Specific compositions of the resin compositions of Comparative Examples 1 to 5 are as summarized in Tables 2 and 3 below.
(중량%)Ingredients Self Solid
(weight%)
E: 촉매, F: 무기필러, G: 안료, H: 분산제, I: 용매
a: 원재료 성분 (g)
b: 고형분 무게(g)A: acid-modified oligomer, B: photopolymerizable monomer, C: thermosetting monomer, D: photoinitiator
E: catalyst, F: inorganic filler, G: pigment, H: dispersant, I: solvent
a: raw material component (g)
b: solid weight (g)
(중량%)Ingredients Self Solid
(weight%)
P-3Micro ace
P-3
E: 촉매, F: 무기필러, G: 안료, H: 분산제, I: 용매
a: 원재료 성분 (g)
b: 고형분 무게(g)A: acid-modified oligomer, B: photopolymerizable monomer, C: thermosetting monomer, D: photoinitiator
E: catalyst, F: inorganic filler, G: pigment, H: dispersant, I: solvent
a: raw material component (g)
b: solid weight (g)
상기 표 2 및 3에서, 전체 수지 조성물 중의 상기 판상형 무기 필러의 고형분 함량은 용매 및 휘발분을 제외한 성분만 고려하여 계산하였다. 원재료 중 고형분이 100%가 아닌 것은 다음과 같다:In Tables 2 and 3, the solid content of the plate-shaped inorganic filler in the total resin composition was calculated in consideration of only the components except for the solvent and the volatile component. Non-100% solids in raw materials are as follows:
CCR-1171H의 고형분 65wt%65wt% solid content of CCR-1171H
ZAR-2000의 고형분 65wt%65wt% solids of ZAR-2000
Tyzor AA의 고형분 75wt%.75 wt% solids of Tyzor AA.
또한, 전체 수지 조성물 중의 상기 판상형 무기 필러의 부피비 함량은 필러 및 수지 각각의 밀도를 고려하여 계산하였다: (부피=질량/밀도)In addition, the volume ratio content of the said plate-shaped inorganic filler in the total resin composition was calculated in consideration of the density of each of the filler and the resin: (volume = mass / density)
Talc (NANO ACE)의 밀도 2.7Density of Talc (NANO ACE) 2.7
Silica (SFP-120M)의 밀도 2.4.Density of Silica (SFP-120M) 2.4.
수지만 경화되었을 때의 밀도 1.2로 가정하여 각각의 고형분 (g)을 밀도로 나누어 부피를 구하고, 이로부터 부피비(vol%)를 구하였다.Assuming that the resin was cured at a density of 1.2, each solid content (g) was divided by density to obtain a volume, and a volume ratio (vol%) was obtained therefrom.
<< 실험예Experimental Example > >
실시예 및 비교예에서 제조한 드라이 필름 및 인쇄회로기판의 물성을 다음과 같은 방법으로 측정하였다: The physical properties of the dry film and the printed circuit board prepared in Examples and Comparative Examples were measured by the following method:
실험예1Experimental Example 1 : 유리 전이 온도(: Glass transition temperature ( TgTg ) 측정) Measure
미쓰이 금속의 3EC-M3-VLP 12㎛ 동박의 Shiny면 위에, PCT 내열성 등의 측정 시편 준비시와 마찬가지로 필름층을 적층하였다. 폭 5mm, 간격 5mm의 스트라이프 패턴이 있는 네가티브 타입 마스크를 시편 위에 놓고 노광한 것을 제외하고는, 상기 실험예1의 흡습 내열성 등의 측정 시편 준비시와 동일한 방법으로 가열 경화까지를 진행하여 DFSR 시편을 제작하였다. 최종적으로, 상기 시편으로부터 동박을 박리함으로써 TMA (thermal mechanical analysis, METTLER TOLEDO, TMA/SDTA 840) 평가용 5mm 스트라이프 형태의 시편을 제작하였다. On the Shiny surface of 3EC-M3-
유리 전이 온도(Tg)는 다음의 방법으로 측정하였다. 먼저, 시편을 홀더에 거치하여 길이가 10mm가 되도록 하였으며, 0.05N으로 양단에 힘을 가하며 -20℃에서 300℃까지 승온 속도 5/min의 조건으로 시편이 늘어난 길이를 측정하였다. 승온 구간에서 보여지는 변곡점을 Tg로 하고, Tg를 다음의 방법으로 평가하였다: Glass transition temperature (Tg) was measured by the following method. First, the specimen was mounted on a holder to have a length of 10 mm, and the length of the specimen was measured under a condition of a temperature increase rate of 5 / min from -20 ° C. to 300 ° C. while applying force at both ends to 0.05 N. The inflection point seen in the temperature increase section was Tg, and Tg was evaluated by the following method:
1: Tg 150℃ 이상;1:
2: Tg 120℃ 이상 150℃ 미만;2: Tg 120 degreeC or more and less than 150 degreeC;
3: Tg 100℃ 이상 120℃ 미만;3:
4: Tg 100℃ 미만.4: Tg less than 100 ° C.
그리고, 상기 Tg 측정에 의해 동시에 요구되는 열팽창 계수(CTE)를 동시에 측정 및 비교하였다. 먼저, 열팽창 계수는 0℃에서 100℃까지 늘어난 시편의 기울기로 산출하였다. 이러한 산출 결과를 다음의 기준 하에 평가하였다: And the coefficient of thermal expansion (CTE) simultaneously required by the Tg measurement was measured and compared at the same time. First, the coefficient of thermal expansion was calculated from the slope of the specimen increased from 0 ° C to 100 ° C. The results of these calculations were evaluated under the following criteria:
(열팽창계수)(Coefficient of Thermal Expansion)
1: 15ppm/K 미만;1: less than 15 ppm / K;
2: 15ppm/K 이상 20 ppm/K 미만;2: 15 ppm / K or more but less than 20 ppm / K;
3: 20ppm/K 이상 30 ppm/K 미만;3: 20 ppm / K or more and less than 30 ppm / K;
4: 30 ppm/K 이상.4: 30 ppm / K or more.
실험예2Experimental Example 2 : : 현상성Developability 평가 evaluation
미쓰이 금속의 3EC-M3-VLP 12㎛의 동박 적층판을 가로 X 세로 = 5cm X 5cm 크기로 잘라, 화학적 에칭으로 동박 표면에 미세 조도를 형성하였다. 상기 실시예 및 비교예에서 제조된 드라이 필름의 이형 필름을 제거한 후, 조도가 형성된 동박 적층판(기판) 위에 상기 필름층을 진공 라미네이터(메이끼 세이사꾸쇼사 제조 MV LP-500)로 진공 적층하였다. The 3EC-M3-
그리고, 직경 100㎛ 부터 10㎛ 직경 단위로 10㎛까지의 홀 형상을 갖는 네가티브 타입의 포토 마스크를 밀착시키고, 365nm 파장대의 UV를 400mJ/cm2의 노광량으로 노광하였다. 이후, PET 필름을 제거하고, 31℃의 Na2CO3 1 중량% 알칼리 용액으로 일정 시간 동안 현상하고 패턴을 형성하였다. 그리고, 상기 형성된 패턴의 형상을 SEM으로 관찰하여, 다음의 기준 하에 평가하였다. And the negative type photomask which has a hole shape from 100 micrometers in diameter to 10 micrometers in diameter unit was contact | adhered, and UV of 365 nm wavelength band was exposed by the exposure amount of 400mJ / cm <2> . Thereafter, the PET film was removed, and developed with a Na 2 CO 3 1 wt% alkaline solution at 31 ° C. for a period of time to form a pattern. The shape of the formed pattern was observed by SEM, and evaluated under the following criteria.
1: 홀 직경 30㎛까지 또는 그 이하로 현상 가능1: Developable up to 30 μm hole diameter or less
2: 홀 직경 40 내지 50㎛까지 현상 가능2: Developable to hole diameters of 40 to 50 μm
3: 홀 직경 50 내지 60㎛까지 현상 가능3: Developable to hole
4: 홀 직경 60 ㎛ 이상만 현상 가능 또는 미현상4: Developable or undeveloped only
실험예3Experimental Example 3 : 유전율 측정: Permittivity measurement
실시예 및 비교예에서 얻어진 15㎝*15㎝ 크기의 드라이 필름 솔더 레지스트를 16㎝*16㎝ 크기의 동박 위에 라미네이션 한 이후, 포토 마스크 없이 전면적을 400mJ/cm2의 노광량으로 노광한 점을 제외하고, 상기 실험예1의 흡습 내열성 등의 측정 시편 준비시와 동일한 방법으로 가열 경화까지를 진행하고 동박만을 에칭하여 DFSR 시편(경화 필름)을 제작하였다. The 15 cm * 15 cm sized dry film solder resists obtained in Examples and Comparative Examples were laminated onto a 16 cm * 16 cm sized copper foil, except that the entire area was exposed at an exposure dose of 400 mJ / cm 2 without a photo mask. In the same manner as in the preparation of measurement specimens such as moisture absorption heat resistance of Experimental Example 1, heat curing was performed and only copper foil was etched to prepare a DFSR specimen (cured film).
상기 경화 필름에 대하여 Agilent Technologies사의 Vector Network Analyzer를 측정 기기로 하고 QWED사의 Split Post Dieletrci Resonator를 측정 지그로 하여 10 GHz 대역에서의 유전율을 측정하였다. For the cured film, dielectric constant in the 10 GHz band was measured using Agilent Technologies Inc.'s Vector Network Analyzer as a measuring instrument and QWED's Split Post Dieletrci Resonator as a measuring jig.
상기 실험예 1 내지 3에서 측정 및 평가된 결과를 하기 표 4에 정리하여 나타내었다. The results measured and evaluated in Experimental Examples 1 to 3 are summarized in Table 4 below.
(ppm)CTE
(ppm)
상기 표 4의 측정 및 평가 결과에 나타난 바와 같이, 실시예의 DFSR은 현상성이 크게 향상되며, 내열성, 유리 전이 온도, 열팽창 계수, 유전율 등의 제반 물성에 있어서, 비교예의 DFSR에 비해 우수한 물성을 나타냄이 확인되었다. 따라서, 실시예는 고온 내열 신뢰성을 나타내는 DFSR의 형성에 적합함이 확인되었다.As shown in the measurement and evaluation results of Table 4, the DFSR of the Example is greatly improved developability, exhibiting superior physical properties in comparison with the DFSR of the comparative example in the physical properties such as heat resistance, glass transition temperature, thermal expansion coefficient, dielectric constant, etc. This was confirmed. Therefore, it was confirmed that the example is suitable for the formation of DFSR showing high temperature heat resistance reliability.
반면, 비교예 1 내지 5는 전반적으로 실시예 1 내지 3보다 물성이 불량하였음을 알 수 있다. 또한, 비교예 5는 일부 물성은 실시예 수준을 나타내었지만, 현상 특성이 실시예 대비 부족한 것으로 나타났다. 즉, 비교예 5의 경우 E-모듈러스가 본원 범위에 포함되더라도, D50이 5um으로 너무 커서 현상성이 크게 떨어지는 문제가 발생되었다.On the other hand, Comparative Examples 1 to 5 can be seen that the physical properties than the overall Examples 1 to 3. In addition, Comparative Example 5 showed some physical properties, but the development characteristics were found to be inferior to the Examples. That is, in the case of Comparative Example 5 even if E-modulus is included in the scope of the present application, D50 is too large as 5um occurred a problem that greatly developability.
실험예4Experimental Example 4 : 미세패턴: Fine pattern
실시예 1 및 비교예 1 내지 5에 대해, E-모듈러스와 전자현미경 사진(SEM)을 측정하였고, 그 결과를 도 1에 나타내었다.For Example 1 and Comparative Examples 1 to 5, E-modulus and electron micrographs (SEM) were measured, and the results are shown in FIG. 1.
도 1에서 보면, 비교예 1은 필러가 적용되지 않아, 어느 정도 패턴이 형성되긴 했지만, 미세패턴을 구현할 수 없었고 E-모듈러스도 낮았다. 또한 비교예 3 및 4는 E-모듈러스가 본원과 유사한 수준을 나타내었지만, 비교예 2 내지 4의 경우 모두 구상 필러가 적용되어, 미세패턴을 구현할 수 없었다. 특히, 비교예 5의 SEM사진을 통해 알 수 있는 바와 같이, 패턴 자체가 형성되지 않았다.Referring to FIG. 1, in Comparative Example 1, no filler was applied, and although a pattern was formed to some extent, a micropattern could not be realized and E-modulus was also low. In Comparative Examples 3 and 4, the E-modulus showed a level similar to that of the present application, but in the case of Comparative Examples 2 to 4, spherical fillers were applied, and thus the micropattern could not be realized. In particular, as can be seen from the SEM photograph of Comparative Example 5, the pattern itself was not formed.
반면, 실시예 1은 전체 고형분 중 약 30vol%의 판상형 무기필러 68g(고형분 함량 48.9 중량%)과 분산제가 포함되어 있어서, 미세패턴 형성이 가능함을 확인하였다.On the other hand, Example 1 contained about 68 vol (solid content 48.9 wt%) of the plate-shaped inorganic filler and the dispersant of about 30 vol% of the total solids, it was confirmed that the fine pattern can be formed.
실험예5Experimental Example 5 : : 영률Young's modulus 모듈러스Modulus
실시예 및 비교예에서 얻어진 15㎝*15㎝ 크기의 드라이 필름 솔더 레지스트에 대해, 통상의 방법으로 영률 모듈러스를 측정하였다. 또한, 필러 함량에 따른 영률 모듈러스 결과를 도 2에 나타내었다.Young's modulus modulus was measured by the conventional method about the 15 cm * 15 cm size dry film soldering resist obtained by the Example and the comparative example. In addition, the Young's modulus modulus according to the filler content is shown in FIG.
도 2에서 보는 바와 같이, 비교예 1은 필러가 적용되지 않아 매우 낮은 영률 모듈러스를 나타내었고, 비교예 2 내지 4는 비교예 1보다 충진량을 늘려 영률 모듈러스를 높일 수 있었으나, 구형 필러가 사용되었기 때문에 미세패턴 형성에 불리한 결과를 초래하였다. 이때, 비교예 4는 본원 실시예 1 내지 3보다 영률 모듈러스가 크지만 도 1에 기재된 바대로, 미세패턴 형성이 불가능하였다. 그리고, 비교예 5는 열률 모듈러스가 본원과 유사한 경향을 보였지만, 필러의 입자크기가 너무 커서 현상성을 크게 떨어뜨리고 이에 따라 패턴이 형성되지 않았다.As shown in FIG. 2, Comparative Example 1 exhibited a very low Young's modulus because no filler was applied, and Comparative Examples 2 to 4 increased Young's modulus by increasing the filling amount than Comparative Example 1, but spherical filler was used. It has a disadvantageous result in the formation of the micropattern. At this time, Comparative Example 4 has a higher Young's modulus than Examples 1 to 3 of the present application, but as described in FIG. 1, it was impossible to form a fine pattern. And, in Comparative Example 5, although the heat modulus modulus showed a tendency similar to that of the present application, the particle size of the filler was so large that it greatly degraded the developability and thus no pattern was formed.
반면, 실시예 1 내지 3은 비교예 1 내지 5보다 전반적으로 우수한 영률 모듈러스를 나타내었다. 특히, 실시예 3은 전체 고형분 중 35 vol%의 판상형 필러 86g(고형분 함량 54.8중량%)와 분산제를 사용하여, 미세패턴 형성이 가능하였고, 특히 영률 모듈러스가 10 Gpa 수준에 도달하였다.On the other hand, Examples 1 to 3 showed overall Young's modulus better than Comparative Examples 1 to 5. In particular, Example 3 was able to form a micropattern using 86 g of plate-shaped filler (volume content 54.8% by weight) and a dispersant of 35 vol% of the total solids, in particular the Young's modulus modulus reached a level of 10 Gpa.
실험예6Experimental Example 6 : : CTECTE 평가 evaluation
열팽창게수 측정시, 구간을 변경하여, 실시예 1 내지 3과 비교예 2 내지 4의 결과를 비교하였다. 즉, 열팽창 계수를 0℃에서 100℃의 구간까지 늘어난 시편의 기울기로 산출하였다. 이때, Cu foil을 13um으로 사용하였고, 이러한 산출 결과를 도 3에 나타였다.In measuring the thermal expansion coefficient, the section was changed and the results of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 2 to 4 were compared. That is, the coefficient of thermal expansion was calculated as the slope of the specimen increased from 0 ℃ to 100 ℃ section. At this time, Cu foil was used as 13um, and this calculation result is shown in FIG. 3.
도 3에서 보면, 기존의 무기 필러를 사용한 비교예 2 내지 4에 비해, 본원의 함량 범위로 판상형 무기필러와 분산제를 사용한 실시예 1 내지 3의 열팽창계수 값이 낮음을 알 수 있다.In Figure 3, it can be seen that compared to Comparative Examples 2 to 4 using the inorganic filler, the coefficient of thermal expansion coefficient of Examples 1 to 3 using the plate-shaped inorganic filler and dispersant in the content range of the present application is low.
Claims (22)
2개 이상의 광경화 가능한 불포화 작용기를 갖는 광중합성 모노머;
열경화 가능한 작용기를 갖는 열경화성 바인더;
90 내지 120 (Gpa)의 E-모듈러스를 갖는 판상형 무기 필러;
분산제; 및
광개시제;를 포함하며,
상기 판상형 무기 필러는 96% 이상의 백도(whiteness), 0.6 내지 1.5㎛의 입자크기 (D50), 4 내지 7㎛의 탑 크기(Top size), JIS-K5101에 의해 측정된 0.5 내지 0.7%의 수분함량과 0.09 내지 0.1 (g/ml)의 겉보기 밀도(apparent density) 및 BET 방법에 의해 측정된 18 내지 24 (m2/g)의 비표면적을 갖는 판상형 탈크 분말을 포함하고,
상기 판상형 무기 필러는 전체 조성물의 고형분 중에 40중량% 내지 55중량%를 포함하는, 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물.
Acid-modified oligomers having a photocurable functional group having an acrylate group or an unsaturated double bond and a carboxyl group in a molecule;
Photopolymerizable monomers having two or more photocurable unsaturated functional groups;
Thermosetting binders having thermosetting functional groups;
Plate-shaped inorganic fillers having an E-modulus of 90 to 120 (Gpa);
Dispersants; And
A photoinitiator;
The plate-shaped inorganic filler has a whiteness of 96% or more, a particle size (D50) of 0.6 to 1.5 μm, a top size of 4 to 7 μm, and a water content of 0.5 to 0.7% measured by JIS-K5101. And plate-shaped talc powder having an apparent density of 0.09 to 0.1 (g / ml) and a specific surface area of 18 to 24 (m2 / g) measured by the BET method,
Said plate-shaped inorganic filler contains 40 to 55 weight% in solid content of the whole composition, The resin composition which has photocurability and thermosetting.
The resin composition of claim 1, wherein the dispersant comprises 1 to 6 wt% based on the total solids weight of the resin composition.
상기 산변성 올리고머는 에폭시 (메타)아크릴레이트계 화합물을 포함하는 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물.
The method of claim 1,
The acid-modified oligomer is a resin composition having a photocurable and thermosetting comprising an epoxy (meth) acrylate-based compound.
상기 산변성 올리고머는 수지 조성물의 전체 중량을 기준으로 5중량% 내지 75중량%로 포함되는 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물.
The method of claim 1,
The acid-modified oligomer is a resin composition having a photocurable and thermosetting comprising 5% to 75% by weight based on the total weight of the resin composition.
상기 광중합성 모노머는 2개 이상의 광경화 가능한 불포화 작용기를 갖는 아크릴레이트계 화합물을 포함하는, 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물.
The method of claim 1,
The photopolymerizable monomer comprises a photocurable and thermosetting resin composition comprising an acrylate compound having two or more photocurable unsaturated functional groups.
상기 광중합성 모노머는 수산기 함유 아크릴레이트계 화합물, 수용성 아크릴레이트계 화합물, 폴리에스테르아크릴레이트계 화합물, 폴리우레탄아크릴레이트계 화합물, 에폭시아크릴레이트계 화합물 및 카프로락톤 변성 아크릴레이트계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함하는, 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물.
The method of claim 1,
The photopolymerizable monomer is selected from the group consisting of a hydroxyl group-containing acrylate compound, a water-soluble acrylate compound, a polyester acrylate compound, a polyurethane acrylate compound, an epoxy acrylate compound, and a caprolactone-modified acrylate compound Resin composition which has photocurability and thermosetting containing 1 or more types of compounds.
상기 광중합성 모노머는 수지 조성물의 전체 중량을 기준으로 5 중량% 내지 30 중량%로 포함되는 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물.
The method of claim 1,
The photopolymerizable monomer is a resin composition having a photocurable and thermosetting comprising 5% to 30% by weight based on the total weight of the resin composition.
상기 광개시제는 벤조인과 그 알킬에테르류, 아세토페논류, 안트라퀴논류, 티오크산톤류, 케탈류, 벤조페논류, α-아미노아세토페논류, 아실포스핀옥사이드류 및 옥심에스테르류로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물.
The method of claim 1,
The photoinitiator is a group consisting of benzoin and its alkyl ethers, acetophenones, anthraquinones, thioxanthones, ketals, benzophenones, α-aminoacetophenones, acylphosphine oxides and oxime esters. Resin composition having a photocurable and thermosetting comprising at least one selected from.
상기 광개시제는 수지 조성물의 전체 중량을 기준으로 0.5 내지 20 중량%로 포함되는 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물.
The method of claim 1,
The photoinitiator is a resin composition having a photocurable and thermosetting comprising 0.5 to 20% by weight based on the total weight of the resin composition.
상기 열경화 가능한 작용기는 에폭시기, 옥세타닐기, 환상 에테르기 및 환상 티오 에테르기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물.
The method of claim 1,
The thermosetting functional group is a resin composition having a photocurable and thermoset of at least one selected from the group consisting of an epoxy group, oxetanyl group, a cyclic ether group and a cyclic thio ether group.
상기 열경화성 바인더는 상기 산변성 올리고머의 카르복시기 1 당량에 대하여 0.5 내지 2.0 당량에 대응하는 함량으로 포함되는 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물.
The method of claim 1,
The thermosetting binder is a resin composition having a photocurable and thermosetting contained in an amount corresponding to 0.5 to 2.0 equivalents to 1 equivalent of the carboxyl group of the acid-modified oligomer.
용제; 및 에폭시 경화제, 열경화성 바인더 촉매, 안료 및 첨가제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 더 포함하는 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물.
The method of claim 1,
solvent; And at least one selected from the group consisting of an epoxy curing agent, a thermosetting binder catalyst, a pigment, and an additive.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160015303 | 2016-02-05 | ||
KR20160015303 | 2016-02-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170093749A KR20170093749A (en) | 2017-08-16 |
KR102023165B1 true KR102023165B1 (en) | 2019-09-19 |
Family
ID=59500795
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170016356A KR102023165B1 (en) | 2016-02-05 | 2017-02-06 | Photo-curable and thermo-curable resin composition and dry film solder resist |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10795259B2 (en) |
JP (1) | JP6702617B2 (en) |
KR (1) | KR102023165B1 (en) |
CN (1) | CN108350107B (en) |
TW (1) | TWI630457B (en) |
WO (1) | WO2017135751A1 (en) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102216172B1 (en) * | 2017-07-14 | 2021-02-15 | 주식회사 엘지화학 | Method for manufacturing insulating film and semiconductor package |
KR102159493B1 (en) * | 2017-11-28 | 2020-09-25 | 주식회사 엘지화학 | Adhesive composition |
CN114341731A (en) * | 2019-08-27 | 2022-04-12 | 富士胶片株式会社 | Method for producing cured film, photocurable resin composition, method for producing laminate, and method for producing semiconductor device |
WO2021137467A1 (en) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 코오롱인더스트리 주식회사 | Photosensitive resin layer, and dry film photoresist and photosensitive element using same |
KR102206003B1 (en) | 2020-11-11 | 2021-01-21 | 주식회사 히라노코리아 | Food processing equipment |
CN112796096A (en) * | 2020-11-28 | 2021-05-14 | 湖北中烟工业有限责任公司 | Compression-resistant coating for filter tip and preparation method thereof |
CN113759663B (en) * | 2021-09-15 | 2023-07-14 | 广东硕成科技股份有限公司 | Modified acrylic resin composition, preparation method and dry film solder resist thereof |
CN114545734B (en) * | 2022-03-09 | 2022-08-12 | 珠海市能动科技光学产业有限公司 | Solder-resisting dry film photoresist, preparation method and application thereof |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0717737B2 (en) * | 1987-11-30 | 1995-03-01 | 太陽インキ製造株式会社 | Photosensitive thermosetting resin composition and method for forming solder resist pattern |
EP1896539B1 (en) | 2005-06-24 | 2010-12-15 | Dow Global Technologies Inc. | Filled tpo compositions, methods of making the same, and articles prepared from the same |
JP2007201453A (en) | 2005-12-28 | 2007-08-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Wiring board and insulating resin composition for solder resist used for same |
JP2008088041A (en) | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Nippon Talc Co Ltd | Talc fine powder and its production method |
JP5464314B2 (en) | 2007-10-01 | 2014-04-09 | 山栄化学株式会社 | Inorganic filler and organic filler-containing curable resin composition, resist film-coated printed wiring board, and method for producing the same |
US9201299B2 (en) | 2007-10-01 | 2015-12-01 | San-Ei Kagaku Co., Ltd. | Inorganic filler and organic filler-containing curable resin composition, resist film coated printed wiring board, and method for producing the same |
DE102008045424B4 (en) | 2007-10-01 | 2018-03-22 | San-Ei Kagaku Co. Ltd. | A curable synthetic resin mixture containing an inorganic filler and an organic filler and use thereof |
JP5089426B2 (en) * | 2008-02-15 | 2012-12-05 | 電気化学工業株式会社 | Alkali-developable photocurable / thermosetting solder resist composition and metal base circuit board using the same |
JP5239520B2 (en) | 2008-06-03 | 2013-07-17 | 日立化成株式会社 | Photosensitive resin composition, photosensitive film and photosensitive permanent resist |
WO2010024115A1 (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | コニカミノルタオプト株式会社 | Optical film, antireflective film, polarizing plate, and liquid crystal display device |
JP5183540B2 (en) | 2009-03-23 | 2013-04-17 | 太陽ホールディングス株式会社 | Curable resin composition, dry film and printed wiring board using the same |
JP5349113B2 (en) | 2009-03-30 | 2013-11-20 | 太陽ホールディングス株式会社 | Photosensitive resin composition, dry film and printed wiring board using the same |
JP6054012B2 (en) * | 2009-03-31 | 2016-12-27 | 太陽ホールディングス株式会社 | Curable resin composition and printed wiring board and reflector using the same |
JP2011095705A (en) * | 2009-09-30 | 2011-05-12 | Fujifilm Corp | Photosensitive composition, photosensitive solder resist composition, photosensitive solder resist film, and permanent pattern, method for forming the same, and printed board |
JP5422427B2 (en) | 2010-02-08 | 2014-02-19 | 太陽ホールディングス株式会社 | Laminated structure and photosensitive dry film used therefor |
JP5427632B2 (en) | 2010-02-08 | 2014-02-26 | 太陽ホールディングス株式会社 | Laminated structure and photosensitive dry film used therefor |
WO2011145750A1 (en) | 2010-05-20 | 2011-11-24 | 日立化成工業株式会社 | Photosensitive resin composition, photosensitive film, rib pattern formation method, hollow structure and formation method for same, and electronic component |
JP5608434B2 (en) * | 2010-06-21 | 2014-10-15 | 株式会社タムラ製作所 | Solar battery backsheet |
JP5707779B2 (en) | 2010-08-24 | 2015-04-30 | 日立化成株式会社 | Photosensitive resin composition, photosensitive film, rib pattern forming method, hollow structure forming method, and electronic component |
JP2012142255A (en) * | 2010-12-16 | 2012-07-26 | Sekisui Chem Co Ltd | Anisotropic conductive material and connection structure |
JP5903938B2 (en) * | 2011-03-11 | 2016-04-13 | 日本ポリプロ株式会社 | Odor reduction method of talc-containing polypropylene resin composition with clearing nucleating agent |
JP5374666B1 (en) * | 2012-03-30 | 2013-12-25 | 積水化学工業株式会社 | Liquid crystal dropping method sealing agent, vertical conduction material, and liquid crystal display element |
CN103376653B (en) * | 2012-04-16 | 2015-10-28 | 惠州联大电子材料有限公司 | Photosensitive water development welding resistance composition and photosensitive water development dry film solder mask |
KR101545724B1 (en) | 2012-08-01 | 2015-08-19 | 주식회사 엘지화학 | Photo-curable and thermo-curable resin composition, and dry film solder resist |
KR101477207B1 (en) * | 2012-08-28 | 2014-12-29 | 주식회사 케이씨씨 | Curable resin composition with good reliability |
US9282639B2 (en) | 2012-12-12 | 2016-03-08 | Hitachi Metals, Ltd. | Adhesive composition, adhesive varnish, adhesive film and wiring film |
KR101755018B1 (en) | 2013-05-14 | 2017-07-06 | 주식회사 엘지화학 | Photo-curable and thermo-curable resin composition and dry film solder resist |
KR101687394B1 (en) | 2013-06-17 | 2016-12-16 | 주식회사 엘지화학 | Photo-curable and thermo-curable resin composition and dry film solder resist |
KR101562964B1 (en) | 2013-09-02 | 2015-10-26 | 주식회사 케이씨씨 | Photosensitive resin composition with good reliability and method for preparing the same |
KR20160005873A (en) * | 2014-07-07 | 2016-01-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | Composition for filling agent for encapsulating organic light emitting diode, film comprising the same and organic light emitting diode display comprising the same |
TWI595015B (en) | 2015-03-27 | 2017-08-11 | Lg化學股份有限公司 | Photo-curable and thermo-curable resin composition and dry film solder resist |
-
2017
- 2017-02-03 WO PCT/KR2017/001214 patent/WO2017135751A1/en active Application Filing
- 2017-02-03 JP JP2018520168A patent/JP6702617B2/en active Active
- 2017-02-03 TW TW106103705A patent/TWI630457B/en active
- 2017-02-03 US US15/764,544 patent/US10795259B2/en active Active
- 2017-02-03 CN CN201780003646.7A patent/CN108350107B/en active Active
- 2017-02-06 KR KR1020170016356A patent/KR102023165B1/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI630457B (en) | 2018-07-21 |
WO2017135751A1 (en) | 2017-08-10 |
CN108350107B (en) | 2021-01-26 |
CN108350107A (en) | 2018-07-31 |
US10795259B2 (en) | 2020-10-06 |
JP6702617B2 (en) | 2020-06-03 |
JP2018533652A (en) | 2018-11-15 |
KR20170093749A (en) | 2017-08-16 |
US20190056658A1 (en) | 2019-02-21 |
TW201732435A (en) | 2017-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102023165B1 (en) | Photo-curable and thermo-curable resin composition and dry film solder resist | |
KR101361753B1 (en) | Photo-curable and thermo-curable resin composition, and dry film solder resist | |
US9416243B2 (en) | Photocurable and thermosetting resin composition, dry film solder resist manufactured therefrom, and circuit board including the solder resist | |
JP6162775B2 (en) | Photocurable and thermosetting resin composition and dry film solder resist | |
KR102369508B1 (en) | Curable resin composition, dry film, cured product and printed wiring board | |
KR101799094B1 (en) | Photo-curable and thermo-curable resin composition and dry film solder resist | |
JP2015505063A (en) | Photocurable and thermosetting resin composition and dry film solder resist | |
KR20140018117A (en) | Photo-curable and thermo-curable resin composition, and dry film solder resist | |
KR102053322B1 (en) | Photosensitive resin composition and photoimageable dielectric film | |
JP2018173609A (en) | Curable resin composition, dry film, cured product, and printed wiring board | |
KR101648555B1 (en) | Photo-curable and thermo-curable resin composition and dry film solder resist | |
KR101360968B1 (en) | Photo-curable and thermo-curable resin composition, and dry film solder resist | |
KR101331573B1 (en) | Photo-curable and thermo-curable resin composition and dry film solder resist | |
KR101755018B1 (en) | Photo-curable and thermo-curable resin composition and dry film solder resist | |
KR101296851B1 (en) | Photo-curable and thermo-curable resin composition, and dry film solder resist | |
KR102571046B1 (en) | Curable resin composition, dry film, cured product and printed wiring board | |
JP2020154052A (en) | Curable resin composition, dry film, cured product and electronic component | |
WO2013125854A1 (en) | Radiation curable and thermosettable resin composition, and dry film solder resist | |
KR101799092B1 (en) | Photo-curable and thermo-curable resin composition and dry film solder resist | |
KR101746788B1 (en) | Multifunctional compound, photo-curable and thermo-curable resin composition and dry film solder resist | |
KR20230120393A (en) | Method for manufacturing (meth)acrylate-based resin, (meth)acrylate resin manufactured thereby and dry film solder resist comprsing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) |