KR102014880B1 - 표시 장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

표시 장치는, 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 제공된 제1 배향막, 제2 기판, 상기 제2 기판 상에 제공된 제2 배향막, 및 상기 제1 배향막과 상기 제2 배향막 사이에 제공되며 액정 분자들을 포함하는 액정층을 포함한다. 상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막 중 적어도 하나는 초기 배향막과 상기 초기 배향막 상에 제공된 자기조립 단층막으로 이루어진 배향 형성층을 갖는다.

Description

표시 장치 및 이의 제조방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 액정 분자들을 배향시키는 배향막을 갖는 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정 표시 장치는 액정층의 특성에 따라 트위스티드 네마틱형 액정 표시 장치, 수평 전계형 액정 표시 장치, 또는 수직 배향형 액정 표시 장치 등으로 구분된다.
상기 수직 배향형 액정 표시 장치는 전기장이 인가되지 않은 상태에서 소정 방향으로 배향되고 액정 분자들의 장축이 상기 기판면에 수직하게 배열된다. 이에 따라, 시야각이 넓고 콘트라스트 비가 크다.
상기 액정 분자들을 소정 방향으로 배향시키기 위한 방법으로는 러빙 방법이나 광 배향 방법 등이 있다. 상기 수직 배향형 액정 표시 장치에 있어서, 광 배향 방법 중 하나로 반응성 메조겐을 이용하여 상기 액정 분자들을 소정 방향으로 배향시킬 수 있다. 상기 반응성 메조겐은 미경화된 상태로 액정층에 포함되며 광이 조사되어 경화되는 단계를 거쳐 상기 액정 분자들을 배향시키게 된다. 일반적인 표시 장치의 경우, 미경화된 반응성 메조겐이 액정 분자들 사이에 잔류할 수 있으며, 이에 따라 잔상 불량이 증가할 수 있다.
본 발명의 목적은 액정 분자들을 효과적으로 프리틸트시키는 배향막을 갖는 표시 장치 및 이를 제조하는 방법을 제공하는 데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 표시 장치는, 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 제공된 제1 배향막, 제2 기판, 상기 제2 기판 상에 제공된 제2 배향막, 및 상기 제1 배향막과 상기 제2 배향막 사이에 제공되며 액정 분자들을 포함하는 액정층을 포함한다.
상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막 중 적어도 하나는 초기 배향막과 상기 초기 배향막 상에 제공된 자기조립 단층막으로 이루어진 배향 형성층을 갖는다.
상기 초기 배향막은 폴리이미드계 화합물, 폴리아믹산계 화합물, 또는 폴리실록산계 화합물일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 자기조립 단층막은 중합되어 네트워크를 형성하는 제1 기능기를 갖는 하기 화학식 1의 실록산 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112012109188475-pat00001
Q1는 상기 제1 기능기이고, Z1 및 Z2는 독립적으로 -H, -CH3, 또는 -O**이며, *는 상기 초기 배향막과의 결합을, **은 인접한 실록산과의 결합을 나타낸다.
상기 제1 기능기는 탄소수 1 내지 18개의 알리파틱 알킬기를 포함하는 비닐기(alkylated vinyl group) 또는 탄소수 1 내지 18개의 알리파틱 알킬기를 포함하는 신나모일기(alkylated cinnamoyl group) 중 적어도 하나일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 기능기는
Figure 112012109188475-pat00002
(n은 1 내지 18, X1는 알킬기(alkyl), 에테르기(ether; -O-), 또는 에스테르기(ester;-COO-), Y1는 메틸기(methyl) 또는 수소) 또는
Figure 112012109188475-pat00003
(n은 1 내지 18, X2는 메틸기, 에테르기, 에스테르기, 페닐기(phenyl), 시클로헥실기(cyclohexyl), 또는 페닐에스테르기(phenylester), Y2는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 페닐기, 비페닐기(biphenyl), 시클로헥실기, 비시클로헥실기(bicyclohexyl), 또는 페닐시클로헥실기(phenylcyclohexyl) 중 적어도 하나일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 어느 하나에 제공되어 상기 액정층에 전계를 인가하는 전극들을 더 포함하며, 상기 자기조립 단층막은 상기 전계 인가에 따라 분극되어 상기 액정 분자들과 전기적 상호작용을 일으키는 화학식 2의 제2 기능기를 갖는 실록산 화합물을 더 포함할 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112012109188475-pat00004
Q2은 상기 제2 기능기이며, Z1, 및 Z2는 독립적으로 -H, -CH3, 또는 -O**이며, *는 상기 초기 배향막과의 결합을, **은 인접한 실록산과의 결합을 나타낸다.
상기 제2 기능기는 하기 화학식 3으로 이루어진 물질 중 적어도 하나일 수 있다.
[화학식 3]
Figure 112012109188475-pat00005
여기서, R1은 -F, -CN, -OCH3, 또는 -NO2, R2은 -F, -CN, -OCH3, 또는 -NO2, R3은 -F, -CN, -OCH3, 또는 -NO2 이다.
상기 자기조립 단층막은 상기 액정층의 액정 분자들을 수직 배향시키는 제3 기능기를 갖는 하기 화학식 4의 실록산 화합물을 더 포함할 수 있다.
[화학식 4]
Figure 112012109188475-pat00006
상기 제3 기능기는 탄소수 1 내지 25의 알리파틱 알킬기(aliphatic alkyl group)를 포함하는 알콕시기(alkoxy group), 콜레스테릭기(cholesteric group), 탄소수 1 내지 10의 알리파틱 알킬기를 포함하는 알리사이클릭기(alicyclic group), 또는 탄소수 1 내지 10의 알리파틱 알킬기를 포함하는 아로마틱기(aromatic group) 중 적어도 어느 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판을 형성하고, 제2 기판을 형성하고, 상기 제1 기판과 제2 기판 중 적어도 어느 하나 상에, 초기 배향막을 형성하고, 상기 초기 배향막 상에 중합 가능한 제1 기능기를 가진 자기조립 단층막을 포함하는 배향 형성층을 형성하고, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 액정층을 형성한 후, 상기 제1 기능기를 중합시켜 상기 자기조립 단층막 내에 네트워크를 형성함으로써 제조될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판을 형성하고, 제2 기판을 형성하고, 상기 제1 기판과 제2 기판 중 적어도 어느 하나 상에, 초기 배향막을 형성하고, 상기 초기 배향막 상에 전계 인가에 따라 분극되는 제3 기능기를 가진 자기조립 단층막을 포함하는 배향 형성층을 형성한 후, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 액정층을 형성함으로써 제조될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 균일성이 향상된 배향막을 가지는 표시 장치를 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 액정 분자들을 효과적으로 프리틸트시킴과 동시에 잔상이나 빛샘 등의 불량이 감소한다.
도 1은 복수의 화소를 갖는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1에 표시된 I-I'선에 따라 자른 액정 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 제조하는 방법을 나타낸 순서도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
도 1은 복수의 화소(PXL)를 갖는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이다. 도 2는 도 1에 표시된 I-I'선에 따라 자른 액정 표시 장치의 단면도이다. 여기서, 각 화소(PXL)는 동일한 구조로 이루어지므로 설명의 편의상 하나의 화소만을 도시하며, 상기 화소(PXL)는 그 화소(PXL)에 인접한 게이트 라인 및 데이터 라인과 함께 도시되었다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 표시 장치는 제1 기판(SUB1)과, 상기 제1 기판(SUB1) 상에 제공된 제1 배향막(ALN1), 상기 제1 기판(SUB1)에 대향하는 제2 기판(SUB2), 상기 제2 기판(SUB2) 상에 제공된 제2 배향막(ALN2) 및 상기 제1 배향막 (ALN1)과 상기 제2 배향막(ALN2) 사이에 형성된 액정층(LCL)을 포함한다.
상기 제1 기판(SUB1)은 제1 베이스 기판(BS1), 복수의 게이트 라인들(GLn)과, 복수의 데이터 라인들(DLm), 복수의 화소들(PXL)을 포함한다.
여기서, 도 1 및 도 2 에서는 설명의 편의를 위하여, 다수의 게이트 라인들 중 n번째 게이트 라인(GLn)과 다수의 데이터 라인들 중 m번째 데이터 라인(DLm)과 함께 하나의 화소를 도시하였다. 그러나, 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치에 있어서, 나머지 화소들도 이와 유사한 구조를 가지며, 이하에서는 n번째 게이트 라인(GLn)과 m번째 데이터 라인(DLm)을 각각 게이트 라인과 데이터 라인으로 지칭한다.
상기 제1 베이스 기판(BS1)은 대략 사각 형상을 가지며 투명 절연 물질로 이루어진다.
상기 게이트 라인(GLn)은 상기 제1 베이스 기판(BS1) 상에 제1 방향(D1)으로 연장되어 형성된다. 상기 데이터 라인(DLm)은 상기 게이트 라인(GLn)과 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고 상기 제1 방향(D1)에 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장되어 제공된다. 상기 게이트 절연막(GI)은 상기 제1 베이스 기판(BS1)의 전면에 제공되며, 상기 게이트 라인(GLn)을 커버한다.
상기 각 화소(PXL)는 상기 게이트 라인들 중 대응하는 게이트 라인(GLn)과 상기 데이터 라인들 중 대응하는 데이터 라인(DLm)에 연결된다. 상기 각 화소(PXL)는 박막 트랜지스터(Tr)와 상기 박막 트랜지스터(Tr)에 연결된 화소 전극(PE), 및 스토리지 전극부를 포함한다. 상기 박막 트랜지스터(Tr)는 게이트 전극(GE), 게이트 절연막(GI), 반도체 패턴(SM), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)을 포함한다. 상기 스토리지 전극부는 상기 제1 방향(D1)으로 연장된 스토리지 라인(SLn)과, 상기 스토리지 라인(SLn)으로부터 분기되어 상기 제2 방향(D2)으로 연장된 제1 및 제2 분기 전극(LSLn, RSLn)을 더 포함한다.
상기 게이트 전극(GE)은 상기 게이트 라인(GLn)으로부터 돌출되거나 상기 게이트 라인(GLn)의 일부 영역 상에 제공된다.
상기 게이트 전극(GE)은 금속으로 이루어질 수 있다. 상기 게이트 전극(GE)은 니켈, 크롬, 몰리브덴, 알루미늄, 티타늄, 구리, 텅스텐, 및 이들을 포함하는 합금으로 이루어질 수 있다. 상기 게이트 전극(GE)은 상기 금속을 이용한 단일막 또는 다중막으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(GE)은 몰리브덴, 알루미늄, 및 몰리브덴이 순차적으로 적층된 삼중막이거나, 티타늄과 구리가 순차적으로 적층된 이중막일 수 있다. 또는 티타늄과 구리의 합금으로 된 단일막일 수 있다.
상기 반도체 패턴(SM)은 상기 게이트 절연막(GI)상에 제공된다. 상기 반도체층(SM)은 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고 상기 게이트 전극(GE) 상에 제공된다. 상기 반도체 패턴(SM)은 일부 영역이 상기 게이트 전극(GE)과 중첩된다. 상기 반도체패턴(SM)은 상기 게이트 절연막(GI) 상에 제공된 액티브 패턴(미도시)과 상기 액티브 패턴 상에 형성된 오믹 콘택층(미도시)을 포함한다. 상기 액티브 패턴은 비정질 실리콘 박막으로 이루어질 수 있으며, 상기 오믹 콘택층은 n+ 비정질 실리콘 박막으로 이루어질 수 있다. 상기 오믹 콘택층은 상기 액티브 패턴과 상기 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 사이를 각각 오믹 콘택(ohmic contact)시킨다.
상기 소스 전극(SE)은 상기 데이터 라인(DLm)에서 분지되어 제공된다. 상기 소스 전극(SE)은 상기 오믹 콘택층 상에 형성되며 일부 영역이 상기 게이트 전극(GE)과 중첩한다.
상기 드레인 전극(DE)은 상기 반도체 패턴(SM)을 사이에 두고 상기 소스 전극(SE)으로부터 이격되어 제공된다. 상기 드레인 전극(DE)은 상기 오믹 콘택층 상에 형성되며 일부 영역이 상기 게이트 전극(GE)과 중첩하도록 제공된다.
상기 소스 전극(SE)과 상기 드레인 전극(DE)은 니켈, 크롬, 몰리브덴, 알루미늄, 티타늄, 구리, 텅스텐, 및 이들을 포함하는 합금으로 이루어질 수 있다. 상기 소스 전극(SE)과 상기 드레인 전극(DE)은 상기 금속을 이용한 단일막 또는 다중막으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 전극(SE)과 상기 드레인 전극(DE)은 티타늄과 구리가 순차적으로 적층된 이중막일 수 있다. 또는 티타늄과 구리의 합금으로 이루어진 단일막일 수 있다.
이에 따라 상기 소스 전극(SE)과 상기 드레인 전극(DE) 사이의 상기 액티브 패턴의 상면이 노출되며, 상기 게이트 전극(GE)의 전압 인가 여부에 따라 상기 소스 전극(SE)과 상기 드레인 전극(DE) 사이에서 전도 채널(conductive channel)을 이루는 채널부가 된다. 상기 소스 전극(SE)과 상기 드레인 전극(DE)은 상기 소스 전극(SE)과 상기 드레인 전극(DE) 사이의 이격되어 형성된 채널부를 제외한 영역에서 상기 반도체층(SM)의 일부와 중첩한다.
상기 화소 전극(PE)은 보호막(PSV)을 사이에 두고 상기 드레인 전극(DE)에 연결된다. 상기 화소 전극(PE)은 상기 스토리지 라인(SLn), 제1 및 제2 분기 전극(LSLn, RSLn)과 부분적으로 오버랩되어 스토리지 커패시터를 형성한다.
상기 보호막(PSV)은 상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE), 상기 채널부, 및 상기 게이트 절연막(GI)을 커버하며, 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출하는 콘택홀(CH)을 갖는다. 상기 보호막(PSV)은 예를 들어, 실리콘 질화물이나, 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
상기 화소 전극(PE)은 상기 보호막(PSV)에 형성된 상기 콘택홀(CH)을 통해 상기 드레인 전극(DE)에 연결된다.
상기 화소 전극(PE)은 줄기부(PEa)와 상기 줄기부(PEa)로부터 방사형으로 돌출되어 연장된 복수의 가지부들(PEb)을 포함한다. 상기 줄기부(PEa) 또는 가지부들(PEa) 중 일부는 상기 드레인 전극(DE)과 상기 콘택홀(CH)을 통해 연결된다.
상기 줄기부(PEa)는 다양한 형상으로 제공될 수 있으며, 일 예로서 본 발명의 제1 실시예와 같이 십자 형상으로 제공될 수 있다. 이 경우 상기 화소(PXL)는 상기 줄기부(PEa)에 의해 복수의 도메인들로 구분되며, 상기 가지부들(PEb)은 각 도메인에 대응되어, 상기 각 도메인마다 서로 다른 방향으로 연장될 수 있다. 본 발명의 제1 실시예에서는 일 예로서 상기 화소가 제1 내지 제4 도메인들(DM1, DM2, DM3, DM4)로 이루어진 것을 도시하였다. 상기 복수의 가지부들(PEb)은 서로 인접한 가지부(PEb)와 만나지 않도록 이격되어 있으며, 상기 줄기부(PEa)에 의해 구분된 영역 내에서는 서로 평행한 방향으로 연장된다.
상기 가지부들(PEb)에 있어서, 인접한 서로 인접한 가지부들(PEb) 사이는 마이크로미터 단위의 거리로 이격되어 있으며, 이는 상기 액정층(LCL)의 액정 분자들을 상기 베이스 기판과 평행한 평면 상의 특정 방위각으로 정렬 시키기 위한 수단에 해당된다.
상기 화소 전극(PE)은 투명한 도전성 물질로 형성된다. 특히, 상기 화소 전극(PE)은 투명 도전성 산화물(Transparent Conductive Oxide)로 형성된다. 상기 투명 도전성 산화물은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등이 있다.
상기 제1 배향막(ALN1)은 상기 액정층(LCL)의 액정 분자들을 프리틸트하기 위한 것으로 상기 화소 전극(PE) 상에 제공된다.
상기 제1 배향막(ALN1)은 상기 화소 전극(PE) 상에 제공된 제1 초기 배향막(PAL1) 및 상기 제1 초기 배향막(PAL1) 상에 제공된 제1 배향 형성층(PTL1)을 포함한다.
상기 제1 초기 배향막(PAL1)은 폴리이미드, 폴리아믹산, 폴리실록산과 같은 고분자로 이루어질 수 있으며, 상기 제1 배향 형성층(PTL1)을 이루는 자기조립 단층막이 부착되는 주쇄가 된다. 또한, 상기 제1 초기 배향막(PAL1)은 상기 제1 배향 형성층(PTL1)을 이루는 자기조립 단층막이 부착될 수 있다면 무기 절연막으로도 이루어질 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 다른 실시예에서는 상기 제1 초기 배향막(PAL1)이 실리콘 나이트라이드나 실리콘 옥사이드로 이루어질 수 있다.
상기 제1 배향 형성층(PTL1)은 상기 제1 초기 배향막(PAL1)에 결합된 자기조립 단층막(self-assembled monolayer)으로 이루어지며, 상기 제1 배향막(ALN1) 중 실질적으로 상기 액정 분자들을 프리틸트시키는 부분이다.
상기 자기조립 단층막은 중합되어 네트워크를 형성하는 제1 기능기를 갖는 실록산 화합물을 포함한다. 또한, 상기 자기조립 단층막은 상기 액정층의 액정 분자들을 수직 배향시키는 제2 기능기를 갖는 실록산 화합물을 포함할 수 있다.
상기 제1 기능기를 갖는 실록산 화합물은 하기 화학식 1로, 상기 제2 기능기를 갖는 실록산 화합물은 하기 화학식 2로 표시된다.
[화학식 1]
Figure 112012109188475-pat00007
[화학식2]
Figure 112012109188475-pat00008
여기서, Q1는 상기 제1 기능기이고, Q2는 제2 기능기이다. 또한, Z1 및 Z2는 독립적으로 -H, -CH3, 또는 -O**이며, *는 상기 초기 배향막과의 결합을, **은 인접한 실록산과의 결합을 나타낸다.
이에 더해, 상기 자기조립 단층막은 상기한 제1 및 제2 기능기 이외에, 히드록시기 또는 탄소수 1개 내지 5개의 알콕시기를 갖는 실록산 화합물을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 기능기는 자외선과 같은 에너지가 가해질 때 중합 반응을 일으켜 네트워크를 형성하는 반응성 메조겐기에 해당한다. 상기 '반응성 메조겐(reactive mesogen)' 이라는 용어는 광경화 입자들, 즉 광가교성 저분자 또는 광가교성 고분자 공중합체를 지칭하며, 특정 파장의 광, 예를 들어 자외선이 인가되면 중합 반응 등의 화학 반응을 일으킨다. 상기 반응성 메조겐은, 예를 들어, 아크릴레이트기, 메타크릴레이트기, 에폭시기, 옥세탄기, 비닐-에테르기, 스티렌기, 또는 티오렌기 등으로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 기능기는 상기 중합 반응에 의해 일부가 가교되어 상기 액정 분자들을 상기 제1 또는 제2 기판의 일 면에 대해 소정 경사각을 갖도록 프리 틸트시킨다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 기능기는 탄소수 1 내지 18개의 알리파틱 알킬기를 포함하는 비닐기(alkylated vinyl group) 또는 탄소수 1 내지 18개의 알리파틱 알킬기를 포함하는 신나모일기(alkylated cinnamoyl group) 중 적어도 하나일 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 기능기는
Figure 112012109188475-pat00009
(n은 1 내지 18, X1는 알킬기(alkyl), 에테르기(ether; -O-), 또는 에스테르기(ester;-COO-), Y1는 메틸기(methyl) 또는 수소) 또는
Figure 112012109188475-pat00010
(n은 1 내지 18, X2는 메틸기, 에테르기, 에스테르기, 페닐기(phenyl), 시클로헥실기(cyclohexyl), 또는 페닐에스테르기(phenylester), Y2는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 페닐기, 비페닐기(biphenyl), 시클로헥실기, 비시클로헥실기(bicyclohexyl), 또는 페닐시클로헥실기(phenylcyclohexyl) 중 적어도 하나일 수 있다.
상기 제2 기능기는 탄소수 1 내지 25의 알리파틱 알킬기(aliphatic alkyl group)를 포함하는 알콕시기(alkoxy group), 콜레스테릭기(cholesteric group), 탄소수 1 내지 10의 알리파틱 알킬기를 포함하는 알리사이클릭기(alicyclic group), 또는 탄소수 1 내지 10의 알리파틱 알킬기를 포함하는 아로마틱기(aromatic group) 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 상기 알리파틱 알킬기는
Figure 112012109188475-pat00011
(n은 1 내지 25)를 포함할 수 있다. 상기 알리사이클릭기는
Figure 112012109188475-pat00012
(m은 1 내지 5, n은 1 내지 10)를 포함할 수 있다. 상기 아로마틱기는
Figure 112012109188475-pat00013
(m은 1 내지 5, n은 1 내지 10)를 포함할 수 있다.
상기 제1 초기 배향막(ALN1) 및 상기 제1 배향 형성층(PTL1)은 상기 화소 전극(PE)의 제1 내지 제4 도메인들(DM1, DM2, DM3, DM4)에 대응하여 배향된 복수의 영역들로 이루어진다. 본 발명의 제1 실시예에서는 일 예로서 제1 내지 제4 영역으로 이루어지며, 상기 액정 분자들은 상기 제1 내지 제4 영역에 대응하는 도메인들(DM1, DM2, DM3, DM4)에서 서로 다른 방향으로 배향된다.
상기 제2 기판(SUB2)은 제2 베이스 기판(BS2), 컬러 필터층(CF), 및 블랙 매트릭스(BM)을 포함한다. 상기 컬러 필터(CF)은 상기 제2 베이스 기판(BS2) 상에 형성되며, 상기 액정층(LCL)을 투과하는 광에 색을 제공한다. 여기서, 본 발명의 제1 실시예에서는 상기 컬러 필터(CF)가 제2 기판(SUB2)에 형성된 것을 개시하였으나 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 다른 실시예에서는 상기 컬러 필터(CF)가 상기 제2 기판(SUB2)이 아닌 상기 제1 기판(SUB1)에 제공될 수 있다.
상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 어레이 기판의 차광 영역에 대응하여 형성된다. 상기 차광 영역은 상기 데이터 라인(DLm), 박막 트랜지스터(Tr), 및 상기 게이트 라인(GLn)이 형성된 영역으로 정의될 수 있다. 상기 차광 영역에는 통상적으로 화소 전극(PE)이 형성되지 않으므로, 액정 분자들이 배향되지 않아 빛샘이 발생할 수 있다. 따라서, 상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 차광 영역에 형성되어 상기 빛샘을 차단한다.
상기 공통 전극(CE)은 상기 컬러 필터(CF) 상에 형성되며, 상기 화소 전극(PE) 함께 전계를 형성함으로써 상기 액정층(LCL)을 구동한다. 상기 공통 전극(CE)은 투명 도전성 물질로 형성될 수 있다. 상기 공통 전극(CE)은 상기 공통 전극(CE)은 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등의 도전성 금속 산화물로 형성될 수 있다.
상기 제2 배향막(ALN2)은 상기 액정층(LCL)의 액정 분자들을 프리틸트하기 위한 것으로 상기 공통 전극(CE) 상에 제공된다.
상기 제2 배향막(ALN2)은 상기 공통 전극(CE) 상에 제공된 제2 초기 배향막(PAL2) 및 상기 제2 초기 배향막(PAL2) 상에 제공된 제2 배향 형성층(PTL2)을 포함한다.
상기 제2 초기 배향막(PAL2)은 폴리이미드, 폴리아믹산, 폴리실록산 등과 같은 고분자로 이루어질 수 있으며, 상기 제2 배향 형성층(PTL2)을 이루는 자기조립 단층막이 부착되는 주쇄가 된다.
상기 제2 배향 형성층(PTL2)은 상기 제2 초기 배향막(PAL2)에 결합된 자기조립 단층막(self-assembled monolayer)으로 이루어지며, 상기 제2 배향막(ALN2) 중 실질적으로 상기 액정 분자들을 프리틸트시키는 부분이다.
상기 자기조립 단층막은 중합되어 네트워크를 형성하는 상기 제1 기능기를 갖는 실록산 화합물을 포함한다. 또한, 상기 자기조립 단층막은 상기 액정층의 액정 분자들을 수직 배향시키는 상기 제2 기능기를 갖는 실록산 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 배향막(ALN1) 및 상기 제2 배향막(ALN2)은 모두 초기 배향막과 배향 형성층을 포함하도록 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제1 배향막(ALN1) 및 상기 제2 배향막(ALN2) 중 어느 하나는 일반적인 단일 배향층으로 형성될 수 있다.
상기 제2 배향 형성층(PTL2)은 상기 제1 배향 형성층(PTL1)과 동일한 물질 또는 상기 화학식 1 및 화학식 2로 표시된 물질 중 상기 제1 배향 형성층(PTL1)과 서로 다른 물질로 제공될 수 있다.
상기 제1 기판(SUB1)과 상기 제2 기판(SUB2) 사이에는 액정 분자들을 포함하는 상기 액정층(LCL)이 제공된다. 상기 액정층(LCL)은 음의 유전율 이방성을 가질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 양의 유전율 이방성을 가질 수 있다.
상기 표시 장치에 있어서, 상기 게이트 라인(GLn)에 게이트 신호가 인가되면, 상기 박막 트랜지스터(Tr)가 턴-온된다. 따라서, 상기 데이터 라인(DLm)으로 인가된 상기 데이터 신호는 상기 박막 트랜지스터(Tr)를 통해 상기 화소 전극 (PE)으로 인가된다. 상기 박막 트랜지스터(Tr)가 온 상태가 되어 화소 전극(PE)에 데이터 신호가 인가되면, 상기 화소 전극(PE)과 상기 공통 전극(CE) 사이에 전계가 형성된다. 상기 공통 전극(CE)과 상기 화소 전극(PE)에 인가되는 전압의 차이에 의해 생성된 전계에 의해 상기 액정 분자들이 구동된다. 이에 따라, 상기 액정층(LCL)을 투과하는 광량이 변화되어 영상이 표시된다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 다양한 화소 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 다른 실시예에 따르면 하나의 화소에 두 개의 게이트 라인과 하나의 데이터 라인이 연결될 수 있으며, 또 다른 실시예에서는 하나의 화소에 하나의 게이트 라인과 두 개의 데이터 라인이 연결될 수도 있다. 또는 하나의 화소가 서로 다른 두 개의 전압이 인가되는 두 개의 서브 화소를 가질 수 있다. 이 경우, 하나의 서브 화소에는 하이 전압이, 남은 하나의 서브 화소에는 로우 전압이 인가될 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에서는 복수의 미세 슬릿을 갖는 화소 전극과 통판으로 형성된 공통 전극이 형성된 구조를 개시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극에 각 화소를 복수의 도메인으로 분할하는 도메인 분할 수단, 예를 들어, 슬릿이나 돌기가 제공될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 제조하는 방법을 나타낸 순서도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 제조하기 위해서는 제1 베이스 기판에 화소 전극 등을 형성하고(S110), 상기 제1 베이스 기판 상에 제1 초기 배향막을 형성하고(S120), 상기 제1 초기 배향막 상에 제1 배향 형성층을 자기조립 단층막으로 형성한다(S130). 이와 별개로, 제2 베이스 기판에 공통 전극 등을 형성하고(S140), 상기 제2 베이스 기판 상에 제2 초기 배향막을 형성하고(S150), 상기 제2 초기 배향막 상에 제2 배향 형성층을 자기조립 단층막으로 형성한다(S160). 그 다음, 상기 제1 초기 배향막과 상기 제2 초기 배향막 사이에 액정층을 개재시킨다(S170). 다음으로, 상기 액정층에 전계를 인가(S181)하면서 상기 제1 배향 형성층 및 상기 제2 배향 형성층을 중합시켜 각각 네트워크를 형성(S183)하여, 제1 배향막 및 제2 배향막을 완성한다(S180).
이하, 도 1 내지 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 제조하는 방법을 상세히 설명한다.
먼저, 도 1 및 도 2를 참조하여 상기 제1 베이스 기판(BS1) 상에 화소 전극 등을 형성하는 단계를 설명하면 다음과 같다.
상기 제1 베이스 기판(BS1) 상에 게이트 패턴이 형성된다. 상기 게이트 패턴은 상기 게이트 라인(GLm)과 스토리지 전극부를 포함한다. 상기 게이트 패턴은 포토리소그래피 공정을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 게이트 패턴 상에는 게이트 절연막(GI)이 형성된다.
상기 게이트 절연막(GI) 상에는 반도체층(SM)이 형성된다. 상기 반도체층(SM)은 상기 액티브 패턴과 상기 액티브 패턴 상에 형성된 오믹 콘택층을 포함할 수 있다. 상기 반도체층(SM)은 포토리소그래피 공정을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 반도체층(SM) 상에 데이터 패턴이 형성된다. 상기 데이터 패턴은 상기 데이터 라인(DLm), 상기 소스 전극(SE), 및 상기 드레인 전극(DE)을 포함한다. 상기 데이터 패턴은 포토리소그래피 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 이때, 상기 반도체층(SM)과 상기 데이터 패턴은 한 매의 하프 마스크나 회절 마스크 등을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 데이터 패턴 상에는 보호막(PSV)이 형성된다. 상기 보호막(PSV)은 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출하는 콘택홀(CH)을 가지며, 포토리소그래피 공정를 이용하여 형성될 수 있다.
상기 보호막(PSV) 상에는 상기 콘택홀(CH)을 통해 상기 드레인 전극(DE)과 연결되는 상기 화소 전극(PE)이 형성된다. 상기 화소 전극(PE)은 포토리소그래피 공정을 이용하여 형성될 수 있다.
다음으로, 상기 제1 초기 배향막(PAL1)이 상기 화소 전극 등이 형성된 제1 베이스 기판(BS1) 상에 형성된다.
상기 제1 초기 배향막(PAL1)은 폴리이미드, 폴리아믹산 등의 고분자 또는 상기 고분자의 모노머를 포함하는 배향액을 상기 제1 베이스 기판(BS1) 상에 도포한 후, 상기 배향액을 가열하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 제1 초기 배향막(PAL1)은 증착을 통해 폴리실록산으로 형성할 수 있다.
다음, 상기 제1 초기 배향막(PAL1) 상에 제1 배향 형성층(PTL1)을 자기조립 단층막으로 형성한다.
상기 제1 배향 형성층(PTL1)은 상기 제1 초기 배향막(PAL1)을 자외선과 오존으로 표면 처리하거나, 산소 플라즈마로 표면 처리하고, 상기 제1 기능기를 갖는 화학식 3의 실란 화합물을 상기 제1 초기 배향막(PAL1) 상에 자기조립시킴으로써 형성할 수 있다. 상기 제1 초기 배향막(PAL1)에 상기 자외선 또는 오존으로 표면처리를 하는 경우, 상기 제1 초기 배향막(PAL1)의 표면을 이루는 고분자의 일부가 -OH, -OOH, -OO- 등으로 치환될 수 있다.
이후, 상기 제1 초기 배향막(PAL1)은 하기 화학식 3의 실란 화합물을 이용하여 실란화된다.
[화학식 3]
Figure 112012109188475-pat00014
Q1는 상기 제1 기능기이고, Z1, Z2, 및 Z3는 독립적으로 -H, -CH3, -Cl, -CH3, -OCH3, -OCH2CH3, -OCOCH3, 또는 -OCH2CH2CH3이며, Z1, Z2, 및 Z3 모두가 -H이거나, -CH3이거나, -H 또는 -CH3인 경우는 제외한다.
상기 제1 기능기는
Figure 112012109188475-pat00015
(n은 1 내지 18, X1는 알킬기(alkyl), 에테르기(ether; -O-), 또는 에스테르기(ester;-COO-), Y1는 메틸기(methyl) 또는 수소) 또는
Figure 112012109188475-pat00016
(n은 1 내지 18, X2는 메틸기, 에테르기, 에스테르기, 페닐기(phenyl), 시클로헥실기(cyclohexyl), 또는 페닐에스테르기(phenylester), Y2는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 페닐기, 비페닐기(biphenyl), 시클로헥실기, 비시클로헥실기(bicyclohexyl), 또는 페닐시클로헥실기(phenylcyclohexyl) 중 적어도 하나일 수 있다.
상기 실란화 과정은 액상 또는 기상에서 수행될 수 있다.
상기 액상 실란화 과정은 상기 화학식 3의 실란 화합물 용액을 준비하고, 상기 실란 화합물 용액 속에 상기 제1 초기 배향막(PAL1)이 형성된 제1 기판(SUB1)을 침지함으로써 수행될 수 있다. 상기 실란 화합물 용액은 촉매로서 물을 포함할 수 있다. 상기 실란 화합물은 상기 실란 화합물이 용해될 수 있는 용매에 약 100mmol의 농도로 제공될 수 있으며, 상기 제1 기판(SUB1)은 약 24시간 이하의 시간 동안 상기 용액에 침지될 수 있다. 상기 제1 기판(SUB1)은 실란 화합물 용액에서 꺼내진 후 탈이온수 등의 세척액으로 세척된다.
상기 기상 실란화 과정은 상기 제1 초기 배향막(PAL1)이 형성된 제1 기판(SUB1)을 상기 화학식 3의 실란 화합물과 함께 약 500Pa 이하의 압력의 진공 챔버에 넣음으로써 수행될 수 있다. 상기 진공 챔버는 상기 실란 화합물이 기화될 수 있는 온도와 압력으로 유지된다. 여기서, 상기 진공 챔버 내의 남은 공기를 밖으로 내보낸 후, 상기 실란 화합물이 상기 제1 초기 배향막(PAL1)에 자기조립될 수 있도록 촉매로서 수증기를 투입시킬 수 있다. 상기 수증기는 상기 챔버내 압력이 약 500Pa을 유지하는 양으로 투입될 수 있다.
촉매로서 물을 사용하는 상기 액상 또는 기상 실란화 과정의 메커니즘은 다음 화학식 4와 같다. 하기 화학식 4에서는 설명의 편의를 위해 Z1, Z2, 및 Z3이 모두 -Cl인 경우를 일 예로서 나타내었다. 상자로 나타낸 부분은 제1 초기 배향막(PAL1)에 해당한다.
[화학식 4]
Figure 112012109188475-pat00017
촉매로서 물을 사용하지 않는 상기 액상 또는 기상 실란화 과정의 메커니즘은 다음 화학식 5와 같다. 하기 화학식 5에서는 설명의 편의를 위해 Z1 및 Z2가 -CH3, 및 Z3가 -OCH3 인 경우를 일 예로서 나타내었다. 상자로 나타낸 부분은 제1 초기 배향막(PAL1)에 해당한다.
[화학식 5]
Figure 112012109188475-pat00018
여기서, 상기 제1 기능기 중 상기 실란화 과정에서 반응할 수 있는 것이 있는 경우에는 보호기(protecting group)를 사용하여 미리 반응성을 낮춤으로써 실란화 과정에서 미리 네트워크를 형성하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 자기조립 단층막은 상기 제2 기능기를 갖는 화학식 6의 실란 화합물을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 화학식 6의 실란 화합물은 상기 화학식 3의 실란 화합물과 실질적으로 동일한 방식으로 상기 제1 초기 배향막(PAL1) 상에 자기조립될 수 있으며, 상기 화학식 3의 실란 화합물과 함께 동일 공정에서 자기조립될 수 있다.
[화학식 6]
Figure 112012109188475-pat00019
Q2는 상기 제2 기능기이고, Z1, Z2, 및 Z3는 독립적으로 -H, -CH3, -Cl, -CH3, -OCH3, -OCH2CH3, -OCOCH3, 또는 -OCH2CH2CH3이며, Z1, Z2, 및 Z3 모두가 -H이거나, -CH3이거나, -H 또는 -CH3인 경우는 제외한다.
상기 제2 기능기는 탄소수 1 내지 25의 알리파틱 알킬기(aliphatic alkyl group)를 포함하는 알콕시기(alkoxy group), 콜레스테릭기(cholesteric group), 탄소수 1 내지 10의 알리파틱 알킬기를 포함하는 알리사이클릭기(alicyclic group), 또는 탄소수 1 내지 10의 알리파틱 알킬기를 포함하는 아로마틱기(aromatic group) 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 상기 알리파틱 알킬기는
Figure 112012109188475-pat00020
(n은 1 내지 25)를 포함할 수 있다. 상기 알리사이클릭기는
Figure 112012109188475-pat00021
(m은 1 내지 5, n은 1 내지 10)를 포함할 수 있다. 상기 아로마틱기는
Figure 112012109188475-pat00022
(m은 1 내지 5, n은 1 내지 10)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 히드록시기 또는 탄소수 1개 내지 5개의 알콕시기를 갖는 실란 화합물 화합물은 상기 화학식 3의 실란 화합물과 실질적으로 동일한 방식으로 상기 제1 초기 배향막 상에 자기조립될 수 있으며, 상기 화학식 3의 실란 화합물과 함께 동일 공정에서 자기조립될 수 있다.
상기 제1 기판(SUB1) 상에 제1 초기 배향막(PAL1) 및 제1 배향 형성층(PTL1)을 형성하는 단계와 별개로, 상기 제2 베이스 기판(BS2) 상에는 컬러를 표시하는 컬러 필터(CF)가 형성된다. 상기 컬러 필터(CF) 상에는 공통 전극(CE)이 형성된다. 상기 컬러 필터(CF)와 상기 공통 전극(CE)은 각각 다양한 방법으로 형성될 수 있으며, 포토리소그래피 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 제2 기판(SUB2) 상에는 제2 초기 배향막(PAL2)이 형성한 후, 상기 제2 초기 배향막(PAL2) 상에 제2 배향 형성층(PTL2)이 자기조립 단층막으로 형성된다. 상기 제2 초기 배향막(PAL2) 및 상기 제2 배향 형성층(PTL2)은 상기 제1 초기 배향막(PAL2) 및 상기 제1 배향 형성층(PTL1)과 실질적으로 동일한 방법으로 형성될 수 있으므로, 설명을 생략한다.
그 다음, 상기 제1 배향 형성층(PTL1)과 상기 제2 배향 형성층(PTL2) 사이에 액정층이 개재된다.
다음으로, 상기 액정층(LCL)에 전계를 인가하면서 상기 제1 배향 형성층(PTL1) 및 상기 제2 배향 형성층(PTL2)에 자외선과 같은 광을 조사한다. 상기 광의 조사에 의해 상기 제1 초기 배향막(PAL1) 및 상기 제2 초기 배향막(PAL2)의 제1 기능기들은 중합 반응을 일으켜 측쇄를 형성한다. 이로써, 제1 배향막(ALN1) 및 제2 배향막(ALN2)을 형성한다.
상기 전계는 상기 화소 전극(PE)과 상기 공통 전극(CE)에 전압을 인가함으로써 형성될 수 있다.
이를 상세히 설명하면, 상기 액정 분자들에 전계가 인가되면, 상기 제1 반응기들은 상기 제1 반응기 주변의 액정 분자들과 실질적으로 동일한 방향으로 배열된다. 이 상태에서 자외선과 같은 광이 입사되면, 상기 광에 의해 상기 제1 반응기들이 서로 중합 반응함으로써 상기 제1 반응기들 간의 네트워크를 형성한다. 즉, 상기 제1 반응기는 인접한 제1 반응기와 결합하여 측쇄를 형성한다. 여기서, 상기 제1 반응기들은 액정 분자들이 배열된 상태에서 상기 네트워크를 형성하기 때문에 액정 분자들의 평균 배향 방향을 따라 특정한 방향성을 갖는다. 이에 따라, 상기 전계가 제거되더라도 상기 네트워크에 인접한 액정 분자들은 선경사각을 갖는다.
상기한 구조를 가지며 상기한 방법으로 제조될 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 제1 및 제2 배향막을 형성할 때 상 분리(phase separation)되는 과정이 생략된다. 상 분리가 제대로 되지 않을 때에는 서로 다른 상이 불균일하게 배치될 수 있을 뿐 아니라, 상 분리 과정에서 작용기의 종류에 따라 제1 및 제2 배향막 표면에서의 작용기의 밀도가 불균일해질 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에서는 상기 상 분리 과정이 생략되어 배향막의 불균일 결함이 방지된다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 제1 배향 형성층 및 상기 제2 배향 형성층은 상기 실란 화합물과 다른 화합물을 이용하여 형성될 수 있다. 이하, 본 발명의 다른 실시예에서는 중복된 설명을 피하기 위하여 본 발명의 일 실시예와 다른 점을 위주로 설명한다. 본 발명의 다른 실시예에서 특별히 설명하지 않은 부분은 본 발명의 일 실시예에 따른다. 동일한 번호는 동일한 구성요소를, 유사한 번호는 유사한 구성요소를 나타낸다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 제1 배향 형성층(PTL1) 및 제2 배향 형성층(PTL2) 중 적어도 하나는 제1 초기 배향막(PAL1) 및 제2 초기 배향막(PAL2)에 결합된 자기조립 단층막(self-assembled monolayer)으로 이루어진다.
상기 자기조립 단층막은 상기 전계 인가에 따라 분극되어 상기 액정 분자들과 전기적 상호작용을 일으키는 제3 기능기를 갖는 실록산 화합물을 포함할 수 있다.
상기 제3 기능기를 갖는 실록산 화합물은 하기 화학식 7로 표시된다.
[화학식 7]
Figure 112012109188475-pat00023
Q3은 상기 제3 기능기이며, Z1, 및 Z2는 독립적으로 -H, -CH3, 또는 -O**이며, *는 상기 초기 배향막과의 결합을, **은 인접한 실록산과의 결합을 나타낸다.
상기 제2 기능기는 하기 화학식 8으로 이루어진 물질 중 적어도 하나일 수 있다.
[화학식 8]
Figure 112012109188475-pat00024
여기서, R1은 -F, -CN, -OCH3, 또는 -NO2, R2은 -F, -CN, -OCH3, 또는 -NO2, R3은 -F, -CN, -OCH3, 또는 -NO2 이다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 자기 조립 단층막은 상기 제3 기능기 외에, 액정 분자들을 수직배향 시키는 제2 기능기를 갖는 실록산 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판과 제2 기판을 형성하고, 상기 제1 기판과 제2 기판 중 적어도 어느 하나 상에 초기 배향막을 형성하고, 상기 초기 배향막 상에 전계 인가에 따라 분극되는 제3 기능기를 가진 자기조립 단층막을 포함하는 배향 형성층을 형성한 후, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 액정층을 형성함으로써 제조된다.
상기 배향 형성층은 상기 초기 배향막을 자외선 또는 오존으로 표면 처리하고, 상기 제3 기능기를 갖는 화학식 9의 실록산 화합물을 상기 초기 배향막 상에 자기조립시킴으로써 형성할 수 있다.
[화학식 9]
Figure 112012109188475-pat00025
여기서, Q3는 상기 제3 기능기이고, Z1, Z2, 및 Z3는 독립적으로 -H, -CH3, -Cl, -CH3, -OCH3, -OCH2CH3, -OCOCH3, 또는 -OCH2CH2CH3이며, Z1, Z2, 및 Z3 모두가 -H이거나, -CH3이거나 -H 또는 -CH3인 경우는 제외한다.
상기 화학식 9의 실록산 화합물을 상기 초기 배향막상에 자기조립시키는 방법은 상술한 일 실시예에서의 자기조립 방법과 실질적으로 동일하므로, 설명을 생략한다.
상기한 구조 및 제조 방법을 갖는 표시 장치에 있어서, 액정 분자들은 전계의 인가 여부에 따라 제1 및 제2 배향막과 상호 작용을 통해 특정 방향으로 배열된다. 보다 상세하게는, 상기 액정 분자들은 상기 제3 기능기와의 전기적 상호 작용을 통해 용이하게 특정 방향으로 배열된다. 좀더 상세히 설명하면, 상기 액정 분자들에 전계가 인가되지 않을 때 상기 액정 분자들은 상기 제2 기능기에 의해 상기 배향막의 표면에 대해 실질적으로 수직하게 배향된다. 상기 액정 분자들에 전계가 인가되는 경우, 상기 액정 분자들은 상기 전계에 응답하여 소정 방향으로 배열되려 하며, 이때, 상기 액정 분자들은 상기 제3 기능기와 상기 액정 분자들 사이의 쌍극자-쌍극자 상호 작용(dipole-dipole interaction)에 의해 용이하게 상기 소정 방향으로 배열된다. 이후, 상기 전계가 인가되지 않으면 상기 제2 기능기의 영향에 따라 상기 액정 분자들은 다시 수직 배향된다. 상기한 이유로, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극에 기존의 표시 장치보다 액정 분자들의 응답 속도가 빨라지며, 작은 구동 전압으로도 상기 액정 분자들을 구동할 수 있다.
또한, 상기한 구조를 가지며 상기한 방법으로 제조될 수 있는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 상기 일 실시예에서의 표시 장치와 마찬가지로 상 분리 과정이 생략되어 배향막의 상기 불균일 결함이 방지된다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
ALN1 : 제1 배향막 ALN2 : 제2 배향막 BM : 블랙 매트릭스 CE : 공통 전극 CF : 컬러 필터 LCL : 액정층
PAL1 : 제1 초기 배향막 PAL2 : 제2 초기 배향막
PTL1 : 제1 배향 형성층 PTL2 : 제2 배향 형성층
PE : 화소 전극

Claims (19)

  1. 제1 기판;
    상기 제1 기판 상에 제공된 제1 배향막;
    제2 기판;
    상기 제2 기판 상에 제공된 제2 배향막;
    상기 제1 배향막과 상기 제2 배향막 사이에 제공되며 액정 분자들을 포함하는 액정층; 및
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 어느 하나에 제공되어 상기 액정층에 전계를 인가하는 전극들을 포함하고,
    상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막 중 적어도 하나는 초기 배향막과 상기 초기 배향막 상에 제공된 자기조립 단층막으로 이루어진 배향 형성층을 포함하고,
    상기 자기조립 단층막은 상기 전계 인가에 따라 분극되어 상기 액정 분자들과 전기적 상호작용을 일으키는 화학식 2의 제2 기능기를 갖는 실록산 화합물을 포함하고,
    상기 제2 기능기는 하기 화학식 3으로 이루어진 물질 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 표시 장치:
    [화학식 2]
    Figure 112019012744899-pat00041

    Q2은 상기 제2 기능기이며,
    Z1, 및 Z2는 독립적으로 -H, -CH3, 또는 -O**이며, *는 상기 초기 배향막과의 결합을, **은 인접한 실록산과의 결합을 나타낸다.
    [화학식 3]
    Figure 112019012744899-pat00042
    ,
    Figure 112019012744899-pat00043
    ,
    Figure 112019012744899-pat00044
    ,
    Figure 112019012744899-pat00045
    ,
    Figure 112019012744899-pat00046
    ,
    Figure 112019012744899-pat00047
    ,
    Figure 112019012744899-pat00048
    ,
    Figure 112019012744899-pat00049
    ,
    Figure 112019012744899-pat00050
    ,
    Figure 112019012744899-pat00051
    ,
    Figure 112019012744899-pat00052
    ,
    Figure 112019012744899-pat00053
    ,
    Figure 112019012744899-pat00054
    ,
    Figure 112019012744899-pat00055
    ,
    Figure 112019012744899-pat00056
    ,
    Figure 112019012744899-pat00057
    ,
    Figure 112019012744899-pat00058
    , 또는
    Figure 112019012744899-pat00059

    여기서, R1은 -F, -CN, -OCH3, 또는 -NO2, R2은 -F, -CN, -OCH3, 또는 -NO2, R3은 -F, -CN, -OCH3, 또는 -NO2 이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 자기조립 단층막은 중합되어 네트워크를 형성하는 제1 기능기를 갖는 하기 화학식 1의 실록산 화합물을 포함하는 표시 장치.
    [화학식 1]
    Figure 112012109188475-pat00026

    Q1는 상기 제1 기능기이고,
    Z1 및 Z2는 독립적으로 -H, -CH3, 또는 -O**이며, *는 상기 초기 배향막과의 결합을, **은 인접한 실록산과의 결합을 나타낸다.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 기능기는 탄소수 1 내지 18개의 알리파틱 알킬기를 포함하는 비닐기(alkylated vinyl group) 또는 탄소수 1 내지 18개의 알리파틱 알킬기를 포함하는 신나모일기(alkylated cinnamoyl group) 중 적어도 하나인 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 기능기는
    Figure 112012109188475-pat00027
    (n은 1 내지 18, X1는 알킬기(alkyl), 에테르기(ether; -O-), 또는 에스테르기(ester;-COO-), Y1는 메틸기(methyl) 또는 수소) 또는
    Figure 112012109188475-pat00028
    (n은 1 내지 18, X2는 메틸기, 에테르기, 에스테르기, 페닐기(phenyl), 시클로헥실기(cyclohexyl), 또는 페닐에스테르기(phenylester), Y2는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 페닐기, 비페닐기(biphenyl), 시클로헥실기, 비시클로헥실기(bicyclohexyl), 또는 페닐시클로헥실기(phenylcyclohexyl) 중 적어도 하나인 표시 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제2항에 있어서,
    상기 자기조립 단층막은 상기 액정층의 액정 분자들을 수직 배향시키는 제3 기능기를 갖는 하기 화학식 4의 실록산 화합물을 더 포함하는 표시 장치.
    [화학식 4]
    Figure 112019012744899-pat00031

    Q3은 상기 제3 기능기이며,
    Z1, 및 Z2는 독립적으로 -H, -CH3, 또는 -O**이며, *는 상기 초기 배향막과의 결합을, **은 인접한 실록산과의 결합을 나타낸다.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제3 기능기는 탄소수 1 내지 25의 알리파틱 알킬기(aliphatic alkyl group)를 포함하는 알콕시기(alkoxy group), 콜레스테릭기(cholesteric group), 탄소수 1 내지 10의 알리파틱 알킬기를 포함하는 알리사이클릭기(alicyclic group), 또는 탄소수 1 내지 10의 알리파틱 알킬기를 포함하는 아로마틱기(aromatic group) 중 적어도 어느 하나인 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 초기 배향막은 폴리이미드계 화합물, 폴리아믹산계 화합물, 또는 폴리실록산계 화합물인 표시 장치.
  10. 제1 기판을 형성하는 단계;
    제2 기판을 형성하는 단계;
    상기 제1 기판과 제2 기판 중 적어도 어느 하나 상에, 초기 배향막을 형성하는 단계;
    상기 초기 배향막 상에 전계 인가에 따라 분극되는 제3 기능기를 가진 자기조립 단층막을 포함하는 배향 형성층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제3 기능기는 하기 화학식 3으로 이루어진 물질 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
    [화학식 3]
    Figure 112019012744899-pat00060
    ,
    Figure 112019012744899-pat00061
    ,
    Figure 112019012744899-pat00062
    ,
    Figure 112019012744899-pat00063
    ,
    Figure 112019012744899-pat00064
    ,
    Figure 112019012744899-pat00065
    ,
    Figure 112019012744899-pat00066
    ,
    Figure 112019012744899-pat00067
    ,
    Figure 112019012744899-pat00068
    ,
    Figure 112019012744899-pat00069
    ,
    Figure 112019012744899-pat00070
    ,
    Figure 112019012744899-pat00071
    ,
    Figure 112019012744899-pat00072
    ,
    Figure 112019012744899-pat00073
    ,
    Figure 112019012744899-pat00074
    ,
    Figure 112019012744899-pat00075
    ,
    Figure 112019012744899-pat00076
    , 또는
    Figure 112019012744899-pat00077

    여기서, R1은 -F, -CN, -OCH3, 또는 -NO2, R2은 -F, -CN, -OCH3, 또는 -NO2, R3은 -F, -CN, -OCH3, 또는 -NO2 이다.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 배향 형성층을 형성하는 단계는
    상기 초기 배향막을 자외선 또는 오존으로 표면 처리하는 단계; 및
    상기 제3 기능기를 갖는 화학식 7의 실란 화합물을 상기 초기 배향막 상에 자기조립시키는 단계를 포함하는 표시 장치 제조 방법.
    [화학식 7]
    Figure 112019012744899-pat00036

    Q3는 상기 제3 기능기이고,
    Z1, Z2, 및 Z3는 독립적으로 -H, -CH3, -Cl, -CH3, -OCH3, -OCH2CH3, -OCOCH3, 또는 -OCH2CH2CH3이며, Z1, Z2, 및 Z3 모두가 -H이거나, -CH3이거나 -H 또는 -CH3인 경우는 제외한다.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 자기조립 단층막은 중합 가능한 제1 기능기를 가지고,
    상기 제1 기능기를 중합시켜 상기 자기조립 단층막 내에 네트워크를 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 장치 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 네트워크는 상기 배향 형성층에 전계를 인가하면서 상기 제1 기능기에 자외선을 제공하여 형성하는 표시 장치 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 기능기는 탄소수 1 내지 18개의 알리파틱 알킬기를 포함하는 비닐기(alkylated vinyl group) 또는 탄소수 1 내지 18개의 알리파틱 알킬기를 포함하는 신나모일기(alkylated cinnamoyl group) 중 적어도 하나인 표시 장치 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 기능기는
    Figure 112019012744899-pat00078
    (n은 1 내지 18, X1는 알킬기(alkyl), 에테르기(ether; -O-), 또는 에스테르기(ester;-COO-), Y1는 메틸기(methyl) 또는 수소) 또는
    Figure 112019012744899-pat00079
    (n은 1 내지 18, X2는 메틸기, 에테르기, 에스테르기, 페닐기(phenyl), 시클로헥실기(cyclohexyl), 또는 페닐에스테르기(phenylester), Y2는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 페닐기, 비페닐기(biphenyl), 시클로헥실기, 비시클로헥실기(bicyclohexyl), 또는 페닐시클로헥실기(phenylcyclohexyl) 중 적어도 하나인 표시 장치 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 배향 형성층을 형성하는 단계는 상기 액정층의 액정 분자들을 수직 배향시키기 위한 제2 기능기를 갖는 화학식 6의 실란 화합물을 상기 초기 배향막 상에 자기조립시키는 단계를 더 포함하는 표시 장치 제조 방법:
    [화학식 6]
    Figure 112019012744899-pat00080

    Q2는 상기 제2 기능기이고,
    Z1, Z2, 및 Z3는 독립적으로 -H, -CH3, -Cl, -CH3, -OCH3, -OCH2CH3, -OCOCH3, 또는 -OCH2CH2CH3이며, Z1, Z2, 및 Z3 모두가 -H이거나, -CH3이거나 -H 또는 -CH3인 경우는 제외한다.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제2 기능기는 탄소수 1 내지 25의 알리파틱 알킬기(aliphatic alkyl group)를 포함하는 알콕시기(alkoxy group), 콜레스테릭기(cholesteric group), 탄소수 1 내지 10의 알리파틱 알킬기를 포함하는 알리사이클릭기(alicyclic group), 또는 탄소수 1 내지 10의 알리파틱 알킬기를 포함하는 아로마틱기(aromatic group) 중 적어도 어느 하나인 표시 장치 제조 방법.
  18. 삭제
  19. 삭제
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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US10162213B2 (en) 2015-10-20 2018-12-25 Korea Advanced Institute Institute Of Science And Technology Method of producing polarizing light-emitting film using photoluminescent ferroelectric liquid crystal molecules and liquid crystal display comprising the same
KR102654168B1 (ko) * 2016-06-09 2024-04-03 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조 방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5578351A (en) 1995-01-20 1996-11-26 Geo-Centers, Inc. Liquid crystal composition and alignment layer
US6013335A (en) 1993-07-30 2000-01-11 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display apparatus and method for processing the same
US20040086662A1 (en) 2000-11-30 2004-05-06 International Business Machines Corporation Stability of ion beam generated alignment layers by surface modification
US20050281959A1 (en) 2004-06-16 2005-12-22 Song Seok K Plasma generating apparatus and method of forming alignment film of liquid crystal display using the same
US7081935B2 (en) 2001-08-01 2006-07-25 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device with alignment layer including a diamine component and treated by UV irradiation
JP2009223139A (ja) * 2008-03-18 2009-10-01 Seiko Epson Corp 液晶装置及びその製造方法、電子機器
US8132677B2 (en) 2009-03-27 2012-03-13 Uop Llc Polymer membranes prepared from aromatic polyimide membranes by thermal treating and UV crosslinking

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3309930B2 (ja) 1993-07-16 2002-07-29 日産化学工業株式会社 液晶配向処理基板
KR960024579A (ko) 1994-12-26 1996-07-20 윤종용 액정표시소자의 배향막 형성방법
CN1113886C (zh) 1997-07-31 2003-07-09 松下电器产业株式会社 化学吸附物质以及它们的制备方法
KR100692690B1 (ko) 2004-09-24 2007-03-14 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치의 배향막 형성방법
US8075953B2 (en) 2005-09-15 2011-12-13 Hiap L. Ong and Kyoritsu Optronics Co., Ltd Thin organic alignment layers with a batch process for liquid crystal displays
US7955648B2 (en) 2005-09-15 2011-06-07 Hiap L. Ong and Kyoritsu Optronics, Co., Ltd Thin alignment layers for liquid crystal displays
JP4697162B2 (ja) 2007-03-16 2011-06-08 セイコーエプソン株式会社 表面処理装置及び方法
KR100927703B1 (ko) 2007-12-11 2009-11-18 제일모직주식회사 액정 광배향제, 이를 포함하는 액정 광배향막, 및 이를포함하는 액정 표시 장치
JP5311054B2 (ja) 2009-02-19 2013-10-09 Ｊｓｒ株式会社 液晶配向剤、液晶表示素子およびその製造方法
KR20110111212A (ko) * 2010-04-02 2011-10-10 삼성전자주식회사 화소전극 표시판, 액정표시판 조립체 및 이들을 제조하는 방법들
US8865274B2 (en) * 2010-04-02 2014-10-21 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display device, alignment film, and methods for manufacturing the same
KR101978312B1 (ko) * 2011-05-02 2019-05-15 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치, 배향막 및 이들을 제조하는 방법들
KR20130005844A (ko) 2011-07-07 2013-01-16 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP2012088470A (ja) 2010-10-19 2012-05-10 Seiko Epson Corp 液晶表示素子の製造方法及び液晶表示素子
KR101912630B1 (ko) 2011-11-23 2018-10-31 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치, 배향막 및 이들을 제조하는 방법들

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6013335A (en) 1993-07-30 2000-01-11 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display apparatus and method for processing the same
US5578351A (en) 1995-01-20 1996-11-26 Geo-Centers, Inc. Liquid crystal composition and alignment layer
US20040086662A1 (en) 2000-11-30 2004-05-06 International Business Machines Corporation Stability of ion beam generated alignment layers by surface modification
US7081935B2 (en) 2001-08-01 2006-07-25 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device with alignment layer including a diamine component and treated by UV irradiation
US20050281959A1 (en) 2004-06-16 2005-12-22 Song Seok K Plasma generating apparatus and method of forming alignment film of liquid crystal display using the same
JP2009223139A (ja) * 2008-03-18 2009-10-01 Seiko Epson Corp 液晶装置及びその製造方法、電子機器
US8132677B2 (en) 2009-03-27 2012-03-13 Uop Llc Polymer membranes prepared from aromatic polyimide membranes by thermal treating and UV crosslinking

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