KR102011529B1

KR102011529B1 - 플라즈마 처리 챔버 내에서의 동기화되고 단축된 마스터 슬레이브 rf 펄싱

Info

Publication number: KR102011529B1
Application number: KR1020147003223A
Authority: KR
Inventors: 네일 마틴 폴 벤자민; 아서 에이치. 사토
Original assignee: 램 리써치 코포레이션
Priority date: 2011-07-06
Filing date: 2012-07-06
Publication date: 2019-08-16
Also published as: KR20140061382A; WO2013006759A1; TWI587351B; CN103814155A; US20130009545A1; US8692467B2; TW201306086A; CN103814155B

Abstract

기판의 처리를 위한 제1 RF (무선주파수) 신호와 지연되고 ekscnr된 제2 RF 신호의 동기화된 RF 펄싱을 이용하는 플라즈마 처리 장치와 기법이 개시되어 있다. 제1 RF 신호는 주된 플라즈마 발생 RF 신호이고 제2 RF 신호는 RF 바이어스 신호이거나, 그 반대이다. 그 대안 또는 거기에 추가적으로, 제1 RF 신호는 고주파의 RF 신호이고 제2 RF 신호는 저주파의 RF 신호이다. 제1 RF 신호와 제2 RF 신호 중 하나는 마스터로서 기능하고, 다른 하나는 슬레이브 신호로서 기능한다. 그렇지 않으면, 외부 회로가 슬레이브 신호로서의 제1 RF 신호와 제2 RF 신호를 제어하기 위해 마스터로서 이용된다. 트랙-앤드-홀드 (T/H ; track-and-hold) 기법과 회로는 처리 제어 및 다른 목적을 위한 정확한 측정을 보장하기 위해 제공된다.

Description

플라즈마 처리 챔버 내에서의 동기화되고 단축된 마스터 슬레이브 RF 펄싱 {SYNCHRONIZED AND SHORTENED MASTER-SLAVE RF PULSING IN A PLASMA PROCESSING CHAMBER}

플라즈마는 전자 제품 (예컨데, 집적회로 또는 플랫 패널 디스플레이) 을 생산하기 위한 기판 (예컨데, 웨이퍼 또는 유리 패널) 을 처리하도록 지속적으로 채용되었다. 기판의 처리에서, 플라즈마는 재료를 식각하거나 증착시키도록 채용될 수 있다. 일반적으로, 플라즈마 처리는 척 (chuck) 과 같은 적합한 작업편 홀더 상에 기판을 배치하는 것을 수반한다. RF (무선주파수) 에너지 소스는 플라즈마 처리 챔버 내부의 기판을 처리하기 위한 플라즈마를 형성하는 처리 소스 가스를 점화시키도록 채용될 수도 있다. 유도성 커플링 플라즈마 처리 챔버의 경우, 이 RF 플라즈마 발생 에너지 소스는 통상적으로 유도 코일로 RF 에너지를 공급하는 RF 전력 공급부 소스에 의해 구현된다. 이하 설명에서, 웨이퍼 및 유도성 커플링 플라즈마 처리 챔버는 실시예로 채용될 것이다. 그러나, 본 발명은 이 특정한 실시예로 제한되지 않음을 이해하여야 한다.

RF 에너지 소스가 온 (on) 상태인 경우, 플라즈마는 발생되고 유지될 수 있고, 이는 대전종과 라디칼 중성 종의 발생을 수반할 수 있다. 처리 동안, 플라즈마로부터 대전된 종은 기판 표면 상의 피쳐에 전하를 주는 성향이 있다. 몇몇의 경우, 이 웨이퍼 상의 전하는 피쳐의 목표된 토포그래피 (topography) 의 변화를 바람직하지 않게 초래할 수도 있고, 심지어 디바이스 손상을 유발할 수도 있다. 예를 들면, 대전된 종은 웨이퍼 표면 상의 피쳐의 대전된 측벽에 끌려가거나 측벽으로부터 밀려나게 될 수도 있고, 이는 식각이 완료된 후 언더컷 (undercut) 피처를 초래할 것이다. 또한, 웨이퍼 상의 전하는 피쳐와 웨이퍼의 층 사이에 전기적 스트레스를 야기할 수도 있다. 게다가 대전된 웨이퍼에 충격을 가하는 전압이 가해진 대전된 종과 중성 종은 웨이퍼의 상부 층에 형성된 피쳐로 (보이드 또는 전위와 같은) 구조상의 손상을 야기할 수도 있다.

유도 코일을 향한 RF 에너지가 턴오프 (turn off) 되는 경우, 플라즈마는 잔광 기간으로 들어가며, 이러한 잔광 기간 동안 비록 변조된 메커니즘을 이용하더라도 채용된 화학반응에 따라 웨이퍼가 처리 (예컨데, 식각 및/또는 증착) 되는 것을 계속하도록 야기할 수도 있다. 예를 들어, 잔광 기간 동안에 발생하는 식각 및/또는 증착 활동은 웨이퍼에 충격을 가하는 대전된 종의 잠재적 손상 효과를 감소시키도록 많은 처리에서 성공적으로 활용되어 왔다.

(대전된 종과 반응성 중성 종 양쪽 모두) 종이 소비되거나 비워질 때, 오직 전압이 가해지지 않은 (unenergized) 처리된 가스만이 남는다. 플라즈마 강화 종이 없을 때, 처리는 중단되거나 최소한으로만 진행되는 성향이 있다. 따라서, 잔광 상태에서 유용한 처리는 기간이 제한되는 성향이 있다.

잔광 처리의 유용한 효과로 인해, 펄싱은 플라즈마가 교대로 턴온 (turn on) 되고 턴오프 되도록 채용되어왔다. 일반적으로, 펄싱은 소스 RF 전력 공급부 (즉, 주로 플라즈마의 점화 및 유지를 위해 채용되는 RF 전력 공급부) 또는 웨이퍼가 처리되는 척을 바이어스하도록 채용되는 바이어스 RF 전력 공급부 중 어느 하나를 이용하여 수행될 수도 있다.

용어를 명확히 하기 위해, 유도 챔버에서, 유도 코일로 RF 에너지를 공급하는 RF 에너지 소스는 주로 플라즈마 점화 및 유지 전력 공급부인 성향이 있다. 이 전력 공급부는 본 명세서에서 유도성 커플링 챔버를 위한 소스 RF 전력 공급부로 언급된다. 한편, 주로 시스 (sheath) 전압 및 이온 에너지를 제어하도록 척으로 RF 전력을 제공하는 RF 에너지 소스는 본 명세서에서 바이어스 RF 전력 공급부로 언급된다.

복수의 RF 주파수를 채용하는 용량성 커플링 챔버에서, 고주파 RF 신호를 공급하는 RF 에너지 소스는 주로 플라즈마 점화 및 유지 전력 공급부인 성향이 있다. 이 전력 공급부는 본 명세서에서 용량성 커플링 챔버를 위한 소스 RF 전력 공급부로 언급된다. 한편, 바이어스 에너지를 제어하도록 척으로 저주파 RF 신호를 제공하는 RF 에너지 소스는 본 명세서에서 바이어스 RF 전력 공급부로 언급된다.

플라즈마에 펄스가 가해진다면, 오직 소스 RF 전력 공급부 또는 오직 바이어스 RF 전력 공급부 또는 양쪽 모두에 펄스가 가해질 수도 있다. 두 RF 전력 공급부에 펄스가 가해진다면, 소스 RF 전력 공급부 및 바이어스 RF 전력 공급부 양쪽의 펄싱이 비동기 또는 동기로 (그리고 동기로 수행된다면, 위상은 같을 수도 다를 수도 있다) 수행될 수도 있다. 종래 기술에서, 소스 RF 전력 공급부 및 바이어스 RF 전력 공급부는 동기이고 동위상인 펄스가 가해지는 성향이 있다. 본 명세서에서 채용되는 용어로, 제2 신호의 모든 펄스에 대한 제1 신호의 펄스가 있고 그 반대도 동일하다면, 두 RF 신호는 동기라고 표현된다. 한편, 그 펄스가 같은 상승 에지와 하강 에지를 갖는다면, 두 RF 신호는 동위상이라고 표현된다.

도 1은 두 개의 동기이고 동위상인 RF 신호 (102 및 104) 를 도시한다. RF 신호 (102) 는 플라즈마 점화 및 유지를 위한 소스 RF 전력 공급부에 의해 공급된 소스 RF 신호를 나타내고, 반면에 RF 신호 (104) 는 웨이퍼에 충돌하는 입자의 에너지를 제어하도록 처리 동안 플라즈마와 웨이퍼 사이에 존재하는 시스 (sheath) 를 제어하기 위해 바이어스 RF 전력 공급부에 의해 공급된 바이어스 RF 신호를 나타낸다. 소스 RF 신호 (102) 가 (도면부호 106 에 의해 도시되는) 턴온 되는 경우, 플라즈마 점화 전에 시간 지연 T_d가 존재한다. 플라즈마 점화는 도 1에서 도면 부호 108 로써 표시된다.

플라즈마가 챔버에 없거나 거의 없는 기간 T_d 동안 바이어스 RF 신호가 온 (on) 되었다면, 척은 바이어스 RF 신호 펄스의 온 (on) 상태에 의해 과도하게 바이어스되어 있을 수도 있다. 챔버 안에 고밀도 플라즈마가 없을 때 척 상에 존재하는 높은 바이어스 전압을 특징으로 하는 높은 바이어스 상태는 입자 및/또는 종이 척 및/또는 웨이퍼에 빠른 속도로 충돌하는 것을 야기할 수도 있고, 이는 충격 손상을 유발할 수 있다. 이 높은 바이어스 상태의 기간은 도 1에서 도면 부호 T_HB1로써 도시된다.

도 2는 바이어스 RF 신호 펄스가 전술된 높은 바이어스 상태를 피하기 위한 시도로 소스 RF 신호 펄스에 관하여 시간 이동된 상황을 도시한다. 도 2의 실시예에서, 소스 RF 신호 (202) 가 에지 (206) 에서 턴온 된 후, 플라즈마는 지연 기간 T_d 후 점화한다. 위와 같이 소스 RF 신호 (202) 는 (도면 부호 210 로써 표시된 것처럼) 잠시 후 턴오프 된다. 소스 RF 신호가 에지 (210) 에서 턴오프 된 후, 챔버가 배기 펌핑에 의해 비워지는 것이 지속되므로, 챔버 내의 플라즈마는 도면 부호 212 로써 도시되는 것처럼 감쇄하는 잔여 잔광 종을 제외하고 소멸된다.

도 2에서, 바이어스 RF 신호 펄스는, 전술된 높은 바이어스 상태를 피하기 위해 고밀도 플라즈마가 점화된 이 후에만 바이어스 RF 신호 펄스가 턴온 되는 것을 보장하도록, 시간 기간 T_d에 의해 지연된다. 그러나, 바이어스 RF 신호 펄스는 같은 기간 동안 유지되므로 (예컨데, 바이어스 RF 신호 펄스는 점화 지연을 확인하도록 위상 이동되지만, 그것의 펄스는 소스 RF 신호 펄스와 동일한 기간을 갖는다.), 같은 높은 바이어스 상태는 소스 RF 전력 공급부가 턴오프 된 후에 존재할 수도 있다. 이는 고밀도 플라즈마가 더 이상 챔버 내에서 활발히 발생되지 않는 경우 척 상에 바이어스 RF 신호 펄스의 존재가 (도 2에서 도면 부호 T_HB2로 도시된) 전술된 높은 바이어스 상태를 초래할 수도 있기 때문이다. 전술된 것으로서, 이 높은 바이어스 상태는 과도한 충격으로 인해 웨이퍼 및/또는 척에 잠재적으로 손상을 가할 수도 있다.

일 실시예에서 본 발명은 플라즈마 처리 챔버 내에서 기판 처리 동안 제1 RF 신호와 제2 RF 신호 사이에 동기화된 무선주파수 (RF) 펄싱을 수행하는 방법에 관련된다. 본 방법은 제1 RF 신호에 대해 로우에서 하이로 전이시키는 것을 포함하고 다음으로 제1 RF 신호의 로우에서 하이로 전이 후에 지연 기간 동안 대기하는 것을 포함한다. 또한 본 방법은 제2 RF 신호에 대해 로우에서 하이로 전이시키는 것을 포함하고 다음으로 제2 RF 신호를 하이에서 로우로 전이시키는 것을 포함하며, 여기에서 제2 RF 신호는 플라즈마가 잔광 페이즈로 전이하기 전에 하이에서 로우로 전이된다. 나아가, 본 방법은 다음으로 제1 RF 신호에 대해 하이에서 로우로 전이시키는 것을 포함한다.

상기 요약은 본 명세서에서 개시되는 발명의 다수의 실시예 중 하나와 관련되고, 본 명세서의 청구항에 의해서 특정되는 본 발명의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다. 본 발명의 상기한 특징 및 다른 특징은 첨부한 도면을 참조하여 이하 본 발명의 구체적인 설명에서 더 자세하게 기술할 것이다.

본 발명은 첨부 도면에서 예시적으로 도시된 것이지 제한적으로 도시되지 않으며, 유사한 도면 부호는 유사한 엘리먼트 (element) 를 참조한다.
도 1은 설명를 용이하게 하기 위해 두 개의 동기이고 동위상인 RF 신호를 도시한다.
도 2는 바이어스 RF 신호 펄스가 전술된 높은 바이어스 상태를 피하기 위한 시도로 소스 RF 신호 펄스에 관하여 시간 이동된 상황을 도시한다.
도 3은 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따른, 전술된 높은 바이어스 상태를 유리하게 제거하도록 소스 RF 신호 펄스에 비해 동기인 바이어스 RF 신호 펄스가 지연되고 단축된 상황을 도시한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른, 트랙-앤드-홀드 (track-and-hold) 기법이 동기화되고 단축된 펄스와 관련된 파라미터를 측정하도록 채용되는 플라즈마 처리 시스템의 단순화된 개념 블록도를 도시한다.

본 발명은 첨부 도면에서 도시되는 바와 같이 몇 개의 실시예를 참조하여, 지금부터 자세하게 설명될 것이다. 이하 설명에서, 많은 구체적인 세부사항은 본 발명의 완전한 이해를 제공하도록 제시된다. 그러나 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명은 구체적 세부사항 중 일부 또는 전부가 없어도 실시 가능 할 수도 있음이 분명할 것이다. 다른 예시들에서는, 본 발명을 불필요하게 모호하지 않게 하도록 공지된 처리 단계 및/또는 구조는 자세하게 설명하지 않았다.

방법과 기법을 포함한 다양한 실시예가 본 명세서 이하에 설명되어 있다. 본 발명은 또한 실시예를 실행하기 위한 진보한 기법의 컴퓨터로 판독 가능한 명령이 저장된 컴퓨터 판독 가능 매체를 포함하는 물품 또한 포함할 수도 있다는 것을 명심해야만 한다. 컴퓨터 판독 가능 매체는 반도체, 자기, 광자기, 광학 매체 또는 이 외 다른 형태의 컴퓨터로 판독 가능한 코드를 저장하는 매체를 포함할 수도 있다. 나아가, 본 발명은 본 발명의 실시예를 실시하기 위한 장치 역시 포함할 수도 있다. 그러한 장치는 본 발명의 실시예에 적용할 과제를 이행하기 위한 전용 및/또는 프로그램 가능 회로를 포함할 수도 있다. 그러한 장치의 예시는 범용 컴퓨터 및/또는 적절하게 프로그램 된 전용 전산 디바이스를 포함할 수도 있고 본 발명의 실시예에 적용할 다양한 과제를 위해 구성된 전용/프로그램 가능 회로와 컴퓨터/전산 디바이스의 조합을 포함할 수도 있다.

본 발명의 하나 이상의 실시예에 따르면, 바이어스 RF 신호 펄스는 플라즈마가 소스 RF 신호에 의해 활발히 발생되는 경우에만 바이어스 RF 신호 펄스가 존재하는 것을 보장하도록 시간 지연되고 단축된다. 바이어스 RF 신호가 플라즈마의 점화에 앞서 턴온 되는 것을 방지하기 위해, 바이어스 RF 신호가 챔버에서 고밀도의 플라즈마가 발생한 후에만 턴온 되는 것을 보장하도록 적어도 기간 T_d 후에 바이어스 RF 신호 펄스가 턴온 된다. 유사하게, 바람직하지 않은 높은 바이어스 상태를 방지하기 위해, 바이어스 RF 신호는 플라즈마가 잔광 페이즈 (phase) 로 전이되기 전에 턴오프 된다. 따라서, 바이어스 RF 신호는 플라즈마의 점화 후의 그리고 잔광 페이즈로 플라즈마 전이 전의 어느 때나 존재할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 예를 들어, 동기화되고 단축된 펄스와 관련된 파라미터를 결정하도록 트랙-앤드-홀드 기법이 채용될 수도 있고, 그렇게 함으로써 정확도를 향상시키고 처리 제어를 위한 더 좋은 정보를 제공하고 문제를 해결한다.

본 발명의 실시예의 특징과 이점은 도면과 이하 설명을 참고하여 더 잘 이해될 수 있을 것이다.

도 3을 참조하면, 시간 T₁에서 턴온 되는 소스 RF 신호 (302) 가 도시되어 있다. 지연 기간 T_d 후, 플라즈마는 점화되고 플라즈마는 완전히 온 (on) 된다 (도면 부호 306). 소스 RF 신호는 잠시 동안 턴온 되고, 다음으로 도시된 것처럼 시간 T_off에서 턴오프 된다. 참조의 편의성을 위해 플라즈마는 "턴온 된다" 또는 "점화 된다" 로 언급된다는 것에 유의해야 한다. 몇몇의 경우, 플라즈마가 로우 펄스 기간 동안 소멸되지 않는 것과 하이 펄스가 플라즈마로 추가적인 RF 에너지를 제공하도록 구성되는 것이 가능하다. 본 발명은 또한 이 상황들을 아우르는 것으로 이해되어야 한다.

나아가, 용어 명확화를 위해, 소스 RF 신호는 주로 플라즈마를 발생 또는 플라즈마를 점화시키는 RF 신호로 이해되어야 하고, 바이어스 RF 신호는 주로 바이어스를 제공하기 위한 신호로 이해되어야 한다. "주된" 또는 "주로" 는 두 개의 RF 신호 중에 상대적인 기능을 언급한다. 따라서, 도 3의 실시예에서, 소스 RF 신호는 플라즈마 점화/유지에 바이어스 RF 신호보다 더 큰 정도로 영향을 미친다. (따라서 소스 RF 신호는 "주된" 플라즈마 점화/유지 RF 신호로서 설명된다.) 바이어스 RF 신호는 바이어스에 소스 RF 신호보다 더 큰 정도로 영향을 미친다. (그러므로 소스 RF 신호는 "주된" 바이어스 RF 신호라 한다.) 본 발명은 또한 이 상황을 아우르는 것으로 이해되어야 한다.

소스 RF 신호 (302) 가 턴오프 되면, 챔버 내의 플라즈마는 더 이상 활발히 발생되지 않고, 발생된 종은 도면 부호 312 로써 표시된 것처럼 잔광 기간 동안 감쇄한다.

플라즈마가 점화 완료 후에만 바이어스 RF 신호가 턴온 되는 것을 보장하기 위해 (상승 에지 316으로 표시된), 본 발명의 일 실시예에서 바이어스 RF 신호 펄스 (304) 는 적어도 기간 T_d만큼 지연되고, 이 때 챔버 안에는 고밀도의 플라즈마가 존재한다.

펄스의 백 엔드 (back end) 에서, 바이어스 RF 신호 펄스는 플라즈마가 그것의 잔광 페이즈로 들어가기 전에 에지 (314) 에서 턴오프 된다. 하나 이상의 실시예에서, 플라즈마가 잔광 페이즈로 전이한 후에도 바이어스 RF 신호는 짧은 기간 동안 유지되는 것이 가능하다. 그러나, 바이어스 RF 신호가 플라즈마가 잔광 페이즈에 들어간 후 어떤 유의미한 양의 시간 동안 유지된다면, 고밀도 플라즈마는 더 이상 챔버 내에 존재하지 않는 반면에, 척 상에 바이어스 RF 신호 펄스의 존재는 전술된 바람직하지 않은 높은 바이어스 상태를 유발하는 위험이 있다.

바람직하게는, 바이어스 RF 신호는 플라즈마가 점화된 후 (T₁ 및 T_d의 합) 어느 때나 턴온 될 수 있고, 잔광 페이즈로 플라즈마의 전이 전에 끝난다 (소스 RF 신호가 에지 (310) 에서 턴오프 됨과 동시에).

바이어스 RF 신호의 기간은 처리법에서 요구 된다면 시간 T₁ 및 T_d의 합과 T_off 사이에서 변화할 수도 있다.

하나 이상의 실시예에서, (바이어스 RF 신호가 턴오프 되는 것을 나타내는) 에지 (314) 는 소스 RF 신호 펄스가 턴오프 되는 시간 (Toff) 보다 늦지 않게 발생한다. 그러나, 처리법에 의해 희망된다면 바이어스 RF 신호를 더 먼저 턴오프 하는 것이 전적으로 가능하다. 또한 바이어스 RF 신호를 플라즈마가 점화된 후 아무때나 턴오프 하는 것도 가능하다. 너무 많은 소스 RF 신호의 온 (on) 펄스가 점화 페이즈를 위해 이용되고 플라즈마-온 페이즈로 투자되는 온 펄스의 남은 시간이 거의 없다면, 플라즈마-온 시간 (그리고 확장에 의한 바이어스 펄스의 기간) 이 너무 짧아서 효과적이지 않을 수도 있다.

하나 이상의 실시예에서, 소스 RF 신호 오프-시간이 최소한 적어도 약 10㎲동안 지속되고 온 펄스가 최소한 적어도 약 10㎲ 동안 지속되면서 소스 RF 신호가 약 1kHz와 약 20kHz사이의 범위에서 펄스가 인가되는 경우 유용한 처리 결과를 얻을 수 있다는 것이 밝혀졌다. 온 (on) 시간이 너무 짧다면, 각각의 펄스에서 플라즈마를 점화하기 위한 충분한 시간이 없을 수도 있다. 펄싱 주파수가 너무 느리다면, 플라즈마 오프 기간은 과도하게 길 수도 있고, 그 결과 처리량에 영향을 미칠 것이다.

하나 이상의 실시예에서, 충격 계수 (duty cycle) 는 약 10%에서 50% 사이일 수도 있다. 하나 이상의 실시예에서, 충격 계수는 약 10%에서 90% 사이일 수도 있다. 충격 계수가 너무 높다면, 플라즈마 잔광 기간이 불충분해질 수도 있다. 충격 계수가 너무 낮다면, 플라즈마를 점화시키는 것이 가능하기 어려울 수도 있다. 펄싱 주파수와 충격 계수는 소스 RF 신호와 바이어스 RF 신호의 지연시간 및 턴온 되고 턴오프 되는 시간과 함께 펄싱을 제어하도록 채용될 수도 있는 두 개의 제어 노브 (knob) 를 나타낸다.

도 4는, 본 발명의 일 실시예에 따른, 플라즈마 처리 시스템의 단순화된 개념 블록도를 도시하고, 여기에서 트랙-앤드-홀드 기법이 동기화되고 단축된 펄스와 관련된 파라미터를 측정하도록 채용된다. 이하의 본 명세서에서 더 설명될 것과 같이, 본 발명의 실시예의 동기화되고 단축된 펄스에 대한 파라미터를 측정하기 위한 트랙-앤드-홀드 기법의 이용은 정확도를 크게 향상시키고, 따라서, 예를 들어, 처리 제어를 위한 좋은 정보를 제공하고 문제를 해결할 수 있다.

도 4를 참조하면, 유도성 TCP (transformer coupled plasma) 코일 (406) 을 포함하는 플라즈마 처리 시스템 (402) 이 도시된다. 척 (404) 은 (도시되지 않은) 웨이퍼를 지지하도록 채용되고, 바이어스 매치 (match) (410) 를 경유하여 바이어스 RF 신호를 제공하는 바이어스 발생기 (408) 에 의해 전력이 공급된다. 도 4의 실시예에서, 바이어스 발생기 (408) 는 전술된 바이어스 RF 전력 공급부를 구현한다.

TCP 코일 (406) 은 웨이퍼를 처리하도록 챔버 내부의 플라즈마를 점화하기 위한 유도성 소스를 나타낸다. RF 전력은 TCP 발생기 (412) 로부터 발생되고 TCP 매치 (414) 를 경유하여 코일 (406) 로 공급된다. 도 4의 실시예에서, TCP 발생기 (412) 는 전술된 소스 RF 전력 공급부를 나타낸다. 지금까지 설명된 컴포넌트는 많은 유도성 커플링 플라즈마 처리 시스템에서 관습적이고 통상적이다.

호스트 제어 시스템 (420) 은 TCP 제어 신호를 발생시키고, TCP 제어 신호는 TCP 발생기를 위한 적어도 주파수와 충돌계수 정보를 포함한다. TCP 제어 신호는 양방향 링크 (422) 를 경유하여 TCP 발생기 (412) 로 전송된다. 도 4의 실시예에서, TCP 발생기 (412) 는 동기화 마스터 (master) 로서 기능하고 T_SYNC_OUT 신호를 발생시키고, T_SYNC_OUT 신호는 링크 (424) 를 경유하여 바이어스 발생기 (408) 의 B_SYNC_IN 단자로 전송된다. 바이어스 발생기 (408) 는 전술된 플라즈마 점화 지연을 처리하도록 호스트 제어 시스템 (420) 에서 링크 (452) 를 경유하여 바이어스 발생기 (408) 로 전송된 지연 값을 이용하여 동기화 슬레이브 (slave) 로서 기능하고 마스터 TCP 발생기 (412) 에 의해 발생된 T_SYNC_OUT 신호에 대응하는 그것의 펄스를 발생시킨다.

다른 실시예에서, 바이어스 발생기는 슬레이브 TCP 발생기를 제어하도록 마스터로서 기능할 수도 있다. 또 다른 실시예에서, 다른 외부 회로가 슬레이브 TCP 발생기와 슬레이브 바이어스 발생기 양쪽을 제어하기 위해 두 독립적인 동기화 신호를 발생시키도록 마스터로서 채용될 수도 있다.

바이어스 발생기 (408) 는 그것의 B_SYNC_OUT 신호를 출력하고, 그 신호는 링크 (432) 를 경유하여 바이어스 T/H (track-and-hold) 회로 (430) 로 전송된다. B_SYNC_OUT 신호는 바이어스 T/H 회로 (430) 를 작동시키도록 채용된다. 유사한 방식으로, TCP 발생기 (412) 에 의해 발생되는 T_SYNC_OUT 신호는 TCP T/H 회로 (426) 를 작동시키기 위해 채용되도록 (링크 (424) 를 경유하여) TCP T/H 회로 (426) 의 입력 단자로 전송된다.

이용 시에, 호스트 제어 시스템 (420) 은 링크 (440) 를 경유하여 TCP T/H 회로 (426) 로 TCP 지연 제어 신호를 전송하고, 그 신호는 TCP 펄스의 시작점으로부터 지연 시간을 구체화한다. 이 TCP 지연 제어 정보는 TCP 능동 펄스의 시작점과 관련된 시간상 포인트를 결정하고, 그 샘플링은 TCP 신호를 위해 수행되어야 한다. 유사하게, 호스트 제어 시스템 (420) 은 링크 (442) 를 경유하여 바이어스 T/H 회로 (430) 로 바이어스 지연 제어 신호를 전송하고, 바이어스 지연 제어 신호는 바이어스 펄스의 시작점으로부터 지연 시간을 구체화한다. 이 바이어스 지연 제어 정보는 바이어스 능동 펄스의 시작점에 대해 시간상 포인트를 결정하고, 그 샘플링은 바이어스 신호를 위해 수행되어야 한다.

나아가, TCP T/H 회로 (426) 는 전압-전류 탐침 신호 (450) 와 위상/진폭 신호 (472) 를 수신하는 것을 도시한다. TCP T/H 회로 (426) 는 (TCP 발생기 (412) 로부터 링크 (424) 를 경유하여 TCP T/H 회로 (426) 에 의해 수신되는) T_SYNC_OUT 신호에 의해 작동되고, 그것이 전압-전류 탐침 신호 (450) 와 위상/진폭 신호 (472) 를 샘플링하기 전에 (호스트 제어 시스템 (420) 으로부터 링크 (440) 를 경유하여 TCP T/H 회로 (426) 에 의해 수신되는) TCP 지연 제어 신호에 의해 구체화된 지연 시간 동안 대기한다. 오직 두 개의 신호 (전압-전류 탐침 신호 (450) 와 위상/진폭 신호 (472)) 만이 도시되었지만, TCP T/H 회로 (426) 는 필요에 따라 여러가지 다른 신호를 수신하고 샘플링하도록 구성될 수도 있다.

하나 이상의 실시예에서, TCP 펄스를 위한 TCP 지연 제어 신호 파라미터는 오직 플라즈마가 점화되고 안정화된 후부터 그리고 TCP RF 신호가 턴오프 되기 전까지만 샘플이 취해지도록 구체화된다. 예를 들어, 하나 이상의 실시예에서 능동 바이어스 펄스의 대략 80%인 시간 (즉, 능동 바이어스 펄스의 80%가 경과하고 능동 바이어스 펄스의 오직 20%만 남은 후) 은 그 펄스의 샘플을 취하기에 적합하다. 하나 이상의 실시예에서, 능동 바이어스 펄스의 약 50%에서 80% 사이 정도의 대략적인 시간 (즉, 능동 바이어스 펄스의 약 50%에서 80%가 경과한 후) 은 그 펄스의 샘플을 취하기 적합하다.

유사하게, 바이어스 T/H 회로 (430) 는 전압-전류 탐침 신호 (460) 와 위상/진폭 신호 (462) 를 수신하는 것을 도시한다. 바이어스 T/H 회로 (430) 는 (바이어스 발생기 (408) 로부터 링크 (432) 를 경유하여 바이어스 T/H 회로 (430) 에 의해 수신되는) B_SYNC_OUT 신호에 의해 작동되고, 그것이 전압-전류 탐침 신호 (460) 과 위상/진폭 신호 (462) 를 샘플링하기 전에 (호스트 제어 시스템 (420) 으로부터 링크 (442) 를 경유하여 바이어스 T/H 회로 (430) 에 의해 수신되는) 바이어스 지연 제어 신호에 의해 구체화된 지연시간 동안 대기한다. 오직 두 개의 신호 (전압-전류 탐침 신호 (460) 와 위상/진폭 신호 (462)) 만이 바이어스 T/H 회로 (430) 에 의해 샘플링되는 것으로 도시되었지만, 바이어스 T/H 회로 (430) 는 필요에 따라 여러가지 다른 신호들을 수신하고 샘플링하도록 설정될 수도 있다.

바이어스 펄스를 위한 바이어스 지연 제어 신호 파라미터는 오직 플라즈마가 안정화된 후에 그리고 TCP 신호 (따라서 능동 플라즈마 발생) 가 턴오프 되기 전에만 샘플을 취하도록 구체화된다. 상술한 바와 같이, 하나 이상의 실시예에서, 능동 바이어스 펄스의 약 50-80% 사이 정도의 대략적인 시간 (즉, 능동 바이어스 펄스의 약 50%에서 80%가 경과한 후) 은 그 펄스의 샘플을 취하기 적합하다.

다음으로, 다양한 입력신호 (전압-전류 탐침 신호 (450), 위상/진폭 신호 (472), 전압-전류 탐침 신호 (460) 또는 위상/진폭 신호 (462) 와 같은) 로부터 샘플링된 값은 호스트 제어 시스템 (420) 에 의해 고정된 값 (본질적으로 스냅샷) 으로 판독될 수도 있다. 이러한 방식으로, 호스트 제어 시스템 (420) 은 펄스에서 샘플이 취해져야 할 시간상 포인트를 구체화할 수도 있다. 다음으로 입력신호 (전압-전류 탐침 신호 (450), 위상/진폭 신호 (472), 전압-전류 탐침신호 (460) 또는 위상/진폭 신호 (462) 등과 같은) 의 값의 스냅샷이 취해질 수도 있다.

이것은 샘플이 평균값일 수도 있거나 펄스의 어느 지점에서나 임의로 취해질 수도 있는 종래 기술의 방식과 상이하다. 본 명세서에서 개시된 것으로서 트랙-앤드-홀드 기법은 고주파 펄싱 RF 신호에 매우 유리하다. 이는 각각의 펄스 동안 플라즈마가 온 (on) 되어있는 시간 기간이 매우 짧을 수도 있고, 현대 처리의 정밀한 요구는 플라즈마 온 (on) 시간 동안 챔버 상태의 정확한 측정을 필요하게 할 수도 있기 때문이다. 센서 신호의 샘플링을 위해 각각의 펄스 동안 시간상 포인트를 정확히 지정하는 방법을 제공함으로써, 본 발명의 실시예는 상술한 바와 같이 챔버 제어와 다른 용도를 위한 더 정확한 측정을 제공한다.

일 이상의 실시예에서, 복수의 샘플이 펄스의 다양한 부분 (예컨데, 점화 전, 점화시작, 정상상태 플라즈마 출현, 잔광의 시작, 잔광 동안 등) 에서 취해질 수도 있다는 것이 예상되고, 이들 모두는 트리거 신호 (예컨데, TCP T/H 회로의 T_SYNC_OUT 또는 바이어스 T/H 회로의 B_SYNC_OUT) 와 하나 이상의 딜레이 값의 조합에 의해 구체화될 수도 있다. 나아가, TCP T/H 회로와 바이어스 T/H 회로에 대한 지연과 트리거 신호는 동일하거나 동일한 값을 가질 필요가 없고 이 두 트랙-앤드-홀드 회로 (426 및 430) 에 의한 다른 시간에서의 샘플링이 가능하다. 나아가, 일 이상의 실시예에서, 시간의 흐름에 따라 주어진 파라미터의 응답을 추적하기 위해 샘플의 세트을 얻도록 일 이상의 펄스를 통과하는 다수의 샘플을 스윕 (sweep) 하는 것이 가능하고, 그 결과 샘플링 범위의 동등한 능력을 유리하게 얻을 수 있다.

이러한 방식으로, 샘플링된 값 (예컨데, 전압-전류 탐침, 전압, 전류, 위상 등) 은 더욱 정확해지고 펄스에서 펄스까지 반복 가능하고, 그 결과 처리 제어를 위한 더 좋은 정보를 제공하고 문제 해결을 할 수 있다. 따라서, 예를 들어, 샘플링된 값은 제어, 알람 또는 다른 목적을 위해 채용될 수도 있다.

상술된 내용으로부터 인식할 수 있는 것처럼, 본 발명의 실시예는 식각 선택비를 (충격을 줄임으로써) 증진하고 RF 펄싱 모드에서 동작하는 경우 웨이퍼 또는 척에 대한 손상의 위험을 줄인다. 프런트 엔드 (front end) 에서 바이어스 펄스를 지연하고 백 엔드에서 바이어스 펄스를 단축함으로써, 본 발명의 실시예는 높은 바이어스 상태가 존재하지 않거나 상당히 최소화되는 것을 보장하며 플라즈마가 소스 RF 신호에 의해 활발히 발생하는 시간 동안에만 바이어스 펄스가 활성화되는 것을 보장한다. 다양한 챔버 파라미터로부터 값을 더 정확히 측정하도록 펄스에 의해 작동되는 트랙-앤드-홀드 기법을 사용함으로써, 처리 제어, 모니터링, 알람에서 증대된 정확도를 달성할 수도 있다.

본 발명은 몇몇의 바람직한 실시예에 관하여 설명되었지만, 본 발명의 범위에 포함되는 개조, 치환 및 균등물이 있을 수 있다. 예를 들어, 설명은 펄스를 생성하도록 신호를 턴온 하고 턴오프 하는 것으로 간소화하여 진행되었지만, 펄스는 (0볼트 일 수도 아닐 수도 있는) 어떤 임의의 낮은 값으로부터 어떤 임의의 높은 값으로의 전이를 수반할 수도 있다. 다른 예로, 유도성 커플링 챔버와 더 명확하게 TCP (transformer coupled plasma) 챔버는 본 명세서에서 설명을 용이하게 하도록 채용되었으나, 본 발명은 또한 용량성 커플링 챔버 (단일 또는 복수의 RF 주파수) , 마이크로파, ECR 등과 같은 다른 타입의 플라즈마 챔버로 구성될 수 있다.

또 하나의 예로, 바이어스 RF 신호 펄스가 본 명세서의 하나 이상의 실시예에서 지연되고 단축되었지만, 바이어스 RF 신호 펄스가 변화하지 않게 유지하고 대신에 간단하게 소스 RF 신호 펄스의 시작 에지를 제 시간에 작동시키는 것 (즉, 소스 RF 신호 펄스의 상승 에지를 그것의 뒤따르는 에지와 정렬되도록 유지하는 동안 바이어스 RF 신호의 시작 에지 앞의 시간상 포인트로 움직이는 것) 이 가능하다. 이것은 슬레이브로서의 소스 RF 신호 공급부와 바이어스 RF 신호 공급부를 제어하도록 마스터 회로로서 외부 회로를 이용하여 수행될 수도 있다. 본 명세서에서 세트 (set) 라는 용어가 채용되었다면, 0 또는 1 이상의 원소 (member) 를 커버하는 그것의 보통 이해되는 수학적 의미를 가진 것으로 의도한다. 본 발명은 이 개조, 치환 및 균등물 또한 아우르는 것으로 이해되어야만 한다.

본 발명의 방법과 장치를 구현하는 다수의 대체 방식이 있음을 특히 주의하여야 한다. 본 명세서에 다양한 실시예가 제공되었으나, 그것은 이 실시예를 분명히 보여주는 것이고 본 발명에 관하여 제한하는 것은 의도되지 않는다.

Claims

플라즈마 처리 챔버 내의 기판 처리 동안 제1 RF (radio frequency) 신호와 제2 RF 신호 사이에 동기화된 RF 펄싱 (pulsing) 수행 방법에 있어서,
상기 제1 RF 신호에 대해 로우에서 하이로 전이시키는 단계;
다음으로, 상기 제1 RF 신호에 대해 상기 로우에서 하이로 상기 전이시키는 단계 후 지연 기간 동안 대기하는 단계;
다음으로, 상기 제2 RF 신호에 대해 로우에서 하이로 전이시키는 단계;
다음으로, 상기 제2 RF 신호에 대해 하이에서 로우로 전이시키는 단계로서, 상기 제2 RF 신호는 상기 플라즈마가 잔광 페이즈로 전이하기 전에 상기 하이에서 로우로 전이되는, 상기 전이시키는 단계; 및
다음으로, 상기 제1 RF 신호에 대해 하이에서 로우로 전이시키는 단계를 포함하는, 동기화된 RF 펄싱 수행 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 RF 신호는 주로 플라즈마-발생 RF 신호이고,
상기 제2 RF 신호는 주로 RF 바이어스 신호인, 동기화된 RF 펄싱 수행 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 RF 신호는 주로 RF 바이어스 신호이고,
상기 제2 RF 신호는 주로 플라즈마-발생 RF 신호인, 동기화된 RF 펄싱 수행 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 제2 RF 신호에 대해 상기 하이에서 로우로 전이시키는 단계는 상기 제1 RF 신호에 대해 상기 하이에서 로우로 전이시키는 단계 이전에 수행되는, 동기화된 RF 펄싱 수행 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 RF 신호의 발생기 소스가 1 ㎑ 내지 20 ㎑ 범위의 반복률로 펄스를 발생시키는, 동기화된 RF 펄싱 수행 방법.
제 1 항에 있어서,
제1 전력 소스로 제어 신호를 전송하는 단계를 더 포함하고,
상기 제1 전력 소스는 상기 제1 RF 신호를 생성하도록 구성되고,
상기 제어 신호는 적어도 주파수와 충격 계수 (duty cycle) 정보를 포함하고,
상기 제1 RF 신호의 상기 펄싱은 각각의 펄스 기간 동안 적어도 10 ㎲의 하이 펄싱과 적어도 10 ㎲의 로우 펄싱이고,
상기 충격 계수는 10 % 내지 90 %인, 동기화된 RF 펄싱 수행방법.
제 6 항에 있어서,
상기 동기화된 RF 펄싱을 수행하기 위한 파라미터를 결정하는 단계를 더 포함하고,
상기 결정하는 단계는, 적어도
제1 동기 신호를 수신한 후 제1 회로를 작동시키는 단계로서,
상기 제1 회로는 적어도 제1 제어 신호를 수신하고, 제1 전압-전류 탐침 신호 및 제1 위상/진폭 신호를 수신하고, 그리고 제1 센서 신호의 세트에 관한 데이터를 수집하도록 구성되고,
상기 제1 제어 신호는 상기 제1 센서 신호의 세트에 관한 상기 데이터를 수집하기 위한 제1 지연 시간을 구체화하고,
상기 제1 센서 신호의 세트는 상기 제1 제어 신호 및 상기 제1 전압-전류 탐침 신호 및 상기 제1 위상/진폭 신호 중 적어도 하나를 포함하는, 상기 제1 회로를 작동시키는 단계; 및
제2 동기 신호를 수신한 후 제2 회로를 작동시키는 단계로서,
상기 제2 회로는 적어도 제2 제어 신호를 수신하고, 제2 전압-전류 탐침 신호 및 제2 위상/진폭 신호를 수신하고, 그리고 제2 센서 신호의 세트에 관한 데이터를 수집하도록 구성되고,
상기 제2 제어 신호는 상기 제2 센서 신호의 세트에 관한 상기 데이터를 수집하기 위한 제2 지연 시간을 구체화하고,
상기 제2 센서 신호의 세트는 상기 제2 제어 신호 및 상기 제2 전압-전류 탐침 신호 및 상기 제2 위상/진폭 신호 중 적어도 하나를 포함하는, 상기 제2 회로를 작동시키는 단계를 포함하는, 동기화된 RF 펄싱 수행 방법.
제 7 항에 있어서,
상기 제1 지연 시간은 상기 제1 RF 신호 펄스의 80 %가 진행한 후 시작되는, 동기화된 RF 펄싱 수행 방법.
제 7 항에 있어서,
상기 제2 지연 시간은 상기 제2 RF 신호 펄스의 50 % 내지 80 %가 진행한 후 시작되는, 동기화된 RF 펄싱 수행 방법.
제 7 항에 있어서,
상기 제1 회로는 TCP 트랙-앤드-홀드 (track-and-hold) 회로인, 동기화된 RF 펄싱 수행 방법.
제 7 항에 있어서,
상기 제2 회로는 바이어스 트랙-앤드-홀드 회로인, 동기화된 RF 펄싱 수행 방법.
플라즈마 처리 시스템의 플라즈마 처리 챔버 내에서 기판의 기판 처리 동안 동기화된 RF 펄싱 수행 장치에 있어서,
적어도 플라즈마-발생 RF 신호를 발생시키도록 구성된 전력 소스;
적어도 바이어스 RF 신호를 발생시키도록 구성된 바이어스 발생기;
동기 신호의 세트를 생성하기 위한 수단; 및
적어도 상기 동기 신호의 세트를 생성하기 위한 상기 수단과 상호작용하도록 구성된 호스트 제어 시스템을 포함하고,
상기 동기 신호의 세트는 적어도 상기 전력 소스와 상기 바이어스 발생기를 제어하도록 구성되고,
상기 상호작용은 적어도 제1 제어 신호를 전송하는 것; 플라즈마가 상기 플라즈마-발생 RF 신호에 의해 유효하게 (actively) 발생하는 경우에 상기 바이어스 RF 신호가 존재는 것을 보장하도록 상기 바이어스 RF 신호의 상기 발생을 위한 시간 지연을 제어하기 위한 지연 값을 전송하는 것; 및 상기 플라즈마가 잔광 페이즈로 전이하기 전에 상기 바이어스 RF 신호를 종료하는 것을 포함하고,
상기 제1 제어 신호는 적어도 상기 플라즈마-발생 RF 신호를 생성하기 위한 주파수와 충돌 계수 정보를 포함하는, 동기화된 RF 펄싱 수행 장치.
제 12 항에 있어서,
상기 동기 신호의 세트를 생성하기 위한 상기 수단은 상기 전력 소스와 상기 바이어스 발생기 중 하나인, 동기화된 RF 펄싱 수행 장치.
제 12 항에 있어서,
상기 동기 신호의 세트를 생성하기 위한 상기 수단은 상기 전력 소스와 상기 바이어스 발생기를 제어하도록 구성된 독립 회로인, 동기화된 RF 펄싱 수행 장치.
제 12 항에 있어서,
상기 전력 소스는 TCP 발생기인, 동기화된 RF 펄싱 수행 장치.
제 12 항에 있어서,
상기 전력 소스는 1 ㎑ 내지 20 ㎑ 범위의 반복률로 펄스를 발생시키는, 동기화된 RF 펄싱 수행 장치.
제 12 항에 있어서,
상기 플라즈마-발생 RF 신호의 상기 RF 펄싱은 각각의 펄스 주기 동안 적어도 10 ㎲의 하이 펄싱과 적어도 10 ㎲의 로우 펄싱인, 동기화된 RF 펄싱 수행 장치.
제 12 항에 있어서,
상기 충돌 계수는 10 % 내지 90 %인, 동기화된 RF 펄싱 수행 장치.
플라즈마 처리 시스템 내의 기판 처리 동안 동기화된 RF 펄싱 수행 방법에 있어서,
제1 제어 신호를 전송하는 단계로서, 상기 제1 제어 신호는, 적어도 제1 전력 소스에 대한 충돌 계수 정보 및 주파수 정보를 포함하는, 상기 제1 제어 신호를 전송하는 단계;
적어도 플라즈마를 발생시키도록 구성된 제1 RF 신호를 발생시키는 단계;
상기 제1 RF 신호에 대해 로우에서 하이로 전이시키는 단계;
상기 플라즈마를 점화시키기 전까지 지연 기간 동안 대기하는 단계;
지연 값 후 제2 전력 소스로 제1 동기 신호를 발생시키는 단계로서, 상기 지연 값은, 제2 RF 신호를 발생시키기 위한 시간 지연을 제어하도록 채용되는, 상기 제1 동기 신호를 발생시키는 단계;
상기 제2 RF 신호를 발생시키는 단계;
상기 제2 RF 신호에 대해 로우에서 하이로 전이시키는 단계;
상기 제2 RF 신호에 대해 하이에서 로우로 전이시키는 단계로서, 상기 제2 RF 신호는 상기 플라즈마가 잔광 페이즈로 전이하기 전에 상기 하이에서 로우로 전이되는, 상기 제2 RF 신호에 대해 하이에서 로우로 전이시키는 단계; 및
상기 제1 RF 신호에 대해 하이에서 로우로 전이시키는 단계를 포함하는, 동기화된 RF 펄싱 수행 방법.
제 19 항에 있어서,
상기 제1 RF 신호는 주로 플라즈마-발생 RF 신호이고,
상기 제2 RF 신호는 RF 바이어스 신호인, 동기화된 RF 펄싱 수행 방법.
제 19 항에 있어서,
상기 제1 RF 신호는 RF 바이어스 신호이고,
상기 제2 RF 신호는 주로 플라즈마-발생 RF 신호인, 동기화된 RF 펄싱 수행 방법.
제 19 항에 있어서,
상기 제1 RF 신호는 고주파 신호이고,
상기 제2 RF 신호는 저주파 RF 신호인, 동기화된 RF 펄싱 수행 방법.
제 19 항에 있어서,
상기 제2 RF 신호에 대해 상기 하이에서 로우로 전이시키는 단계는 상기 제1 RF 신호에 대해 상기 하이에서 로우로 전이시키는 단계 이전에 수행되는, 동기화된 RF 펄싱 수행 방법.
제 19 항에 있어서,
상기 제1 RF 신호의 상기 펄싱은 각각의 펄스 주기 동안 적어도 10 ㎲의 하이 펄싱과 적어도 10 ㎲의 로우 펄싱인, 동기화된 RF 펄싱 수행 방법.
제 19 항에 있어서,
상기 충돌 계수는 10 % 내지 90 %인, 동기화된 RF 펄싱 수행 방법.
제 19 항에 있어서,
상기 동기화된 RF 펄싱을 수행하기 위한 파라미터를 결정하는 단계를 더 포함하고,
상기 결정하는 단계는, 적어도
제2 동기 신호를 수신한 후 제1 회로를 작동시키는 단계로서,
상기 제1 회로는, 적어도 제1 제어 신호를 수신하고, 제1 전압-전류 탐침 신호 및 제1 위상/진폭 신호를 수신하고, 그리고 제1 센서 신호의 세트에 관한 데이터를 수집하도록 구성되고,
상기 제1 제어 신호는, 상기 제1 센서 신호의 세트에 관한 상기 데이터를 수집하기 위한 제1 지연 시간을 구체화하고,
상기 제1 센서 신호의 세트는, 상기 제1 제어 신호 및 상기 제1 전압-전류 탐침 신호 및 상기 제1 위상/진폭 신호 중 적어도 하나를 포함하는, 상기 제1 회로를 작동시키는 단계; 및
제3 동기 신호를 수신한 후 제2 회로를 작동시키는 단계로서,
상기 제2 회로는, 적어도 제2 제어 신호를 수신하고, 제2 전압-전류 탐침 신호 및 제2 위상/진폭 신호를 수신하고, 그리고 제2 센서 신호의 세트에 관한 데이터를 수집하도록 구성되고,
상기 제2 제어 신호는, 상기 제2 센서 신호 세트에 관한 상기 데이터를 수집하기 위한 제2 지연 시간을 구체화하고,
상기 제2 센서 신호의 세트는, 상기 제2 제어 신호, 상기 제2 전압-전류 탐침 신호 및 상기 제2 위상/진폭 신호 중 적어도 하나를 포함하는, 상기 제2 회로를 작동시키는 단계를 포함하는, 동기화된 RF 펄싱 수행 방법.
제 26 항에 있어서,
상기 제1 지연 시간은 상기 제1 RF 신호 펄스의 80%가 진행한 후 시작되는, 동기화된 RF 펄싱 수행 방법.
제 26 항에 있어서,
상기 제2 지연 시간은 상기 제2 RF 신호 펄스의 80 %가 진행한 후 시작되는, 동기화된 RF 펄싱 수행 방법.
제 26 항에 있어서,
상기 제1 회로는 TCP 트랙-앤드-홀드 회로인, 동기화된 RF 펄싱 수행 방법.
제 26 항에 있어서,
상기 제2 회로는 바이어스 트랙-앤드-홀드 회로인, 동기화된 RF 펄싱 수행 방법.