KR102011520B1 - Coating apparatus and coating method - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 스캔 방식의 도포 처리에서 기판 상에 형성되는 도포막의 패턴을 다종 다양하게 제어할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
이 도포 장치는 장척형의 슬릿 노즐(10), 이 슬릿 노즐(10)에 내장되어 있는 노즐 토출 구간 선택부(12), 약액 공급부(14), 주사 기구(16) 및 제어부(18)를 구비한다. 제어부(18)의 제어하에서 주사 기구(16) 및 약액 공급부(14)에 의해 스캔 방식의 도포 주사를 행하고, 제어부(18)의 제어하에서 노즐 토출 구간 선택부(12)에 의해 슬릿 노즐(10)의 약액 토출 구간을 선택함으로써, 도포 주사에서의 도포 폭 또는 도포 영역을 수시 선택할 수 있다. An object of the present invention is to enable various control of the pattern of a coating film formed on a substrate in a coating method of a scanning method.
The coating device includes a long slit nozzle 10, a nozzle discharge section selector 12 embedded in the slit nozzle 10, a chemical liquid supply unit 14, a scanning mechanism 16, and a control unit 18. do. The coating method of the scanning method is performed by the injection mechanism 16 and the chemical liquid supply part 14 under the control of the control part 18, and the slit nozzle 10 by the nozzle discharge section selection part 12 under the control of the control part 18. By selecting the chemical liquid discharge section, the coating width or the coating area in the coating scan can be selected at any time.

Description

도포 장치 및 도포 방법{COATING APPARATUS AND COATING METHOD}Coating device and coating method {COATING APPARATUS AND COATING METHOD}

본 발명은 기판 상에 약액을 도포하는 스캔 방식의 도포 장치 및 도포 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a scan type coating apparatus and a coating method for applying a chemical liquid on a substrate.

플랫 패널 디스플레이나 태양 전지 패널의 제조 프로세스에서는, 직사각형(특히 대형 직사각형)의 기판 상에 약액을 도포하는 여러 가지 장면에서 스캔 방식의 도포 장치 또는 도포 방법이 많이 이용되고 있다. 스캔 방식의 도포 장치는, 전형적으로, 장척형의 슬릿 노즐, 약액 공급원 및 주사 기구 등을 가지며, 슬릿 노즐로부터 약액을 커튼형으로 토출시키면서, 주사 기구에 의해 슬릿 노즐과 기판 사이에 상대적인 주사 이동을 하게 하는 것에 의해, 주위에 약액을 날리지 않고 기판 상에 일정 막 두께의 도포막을 형성한다. In the manufacturing process of a flat panel display or a solar cell panel, the scan type | mold coating apparatus or the coating method is used a lot in various scenes which apply | coat a chemical | medical solution on a rectangular (especially large rectangular) board | substrate. The coating apparatus of the scanning method typically has a long slit nozzle, a chemical liquid supply source, an injection mechanism, and the like, and performs relative scanning movement between the slit nozzle and the substrate by the scanning mechanism while discharging the chemical liquid from the slit nozzle to the curtain type. In this way, a coating film having a certain film thickness is formed on the substrate without blowing the chemical liquid around.

한편, 반도체 디바이스의 제조 프로세스에서는, 원형의 기판, 즉 반도체 웨이퍼 상에 약액을 도포하는 여러 가지 장면에서 스핀 방식의 도포 장치 또는 도포 방법이 많이 이용되고 있다. 스핀 방식의 도포 장치는, 전형적으로, 스핀 스테이지, 디스펜서 타입의 노즐, 약액 공급원 및 컵 등을 가지며, 컵 안에서 스핀 스테이지상에 배치된 웨이퍼의 중심부에 일정량의 약액을 노즐로부터 적하하고, 스핀 스테이지와 일체로 웨이퍼를 고속 회전시켜 웨이퍼 상에 막 두께가 균일한 도포막을 형성한다. On the other hand, in the manufacturing process of a semiconductor device, the spin type | mold coating apparatus or the coating method is used abundantly in various scenes which apply | coat a chemical | medical solution on a circular substrate, ie, a semiconductor wafer. The spin coating apparatus typically has a spin stage, a dispenser-type nozzle, a chemical liquid source, a cup, and the like, and a predetermined amount of chemical liquid is dropped from the nozzle in the center of the wafer disposed on the spin stage in the cup, and the spin stage and The wafer is integrally rotated at high speed to form a coating film having a uniform film thickness on the wafer.

일본 특허 공개 제2007-208140Japanese Patent Publication No. 2007-208140 일본 특허 공개 제2011-23669Japanese Patent Publication No. 2011-23669

지금까지, 반도체 웨이퍼용의 도포 장치 또는 도포 방법은 상기한 바와 같이 스핀 방식이 주류였다. 그러나, 스핀 방식은, 노즐로부터 웨이퍼 상에 적하된 약액의 대부분이 회전중에 털어내어지기 때문에, 약액의 사용 효율이 좋지 않다. 또한 스핀 방식은 포토리소그래피용의 레지스트막과 같이 수 ㎚ ~ 수 ㎛의 얇은 도포막을 형성하는 데에는 적합하지만, 층간 절연막이나 패시베이션막과 같이 수십 ㎛ ~ 수백 ㎛ 또는 그 이상의 두꺼운 도포막을 형성하는 것이 어렵다. 이 때문에, 이러한 두꺼운 도포막을 형성하는 경우에는, 겹치기 도포로 대처할 수밖에 없어, 생산 효율이 좋지 않다. 또한, 스핀 방식은 고점도의 수지계 약액이나 접착제의 도포에도 적합하지 않다.Until now, the spin method has been the mainstream of the coating device or coating method for a semiconductor wafer. However, in the spin method, since most of the chemical liquid dropped on the wafer from the nozzle is shaken off during rotation, the use efficiency of the chemical liquid is not good. In addition, the spin method is suitable for forming a thin coating film of several nm to several micrometers like a resist film for photolithography, but it is difficult to form a thick coating film of several tens of micrometers to several hundred micrometers or more, such as an interlayer insulating film or a passivation film. For this reason, when forming such a thick coating film, it is forced to cope with overlap application | coating, and production efficiency is not good. In addition, the spin method is not suitable for the application of high viscosity resin-based chemicals or adhesives.

한편, 스캔 방식은 상기한 바와 같이 직사각형의 기판 상에는 약액을 밖에 흘리지 않고 균일하게 올려 도포할 수 있어, 두꺼운 절연막이나 고점도 약액의 성막에도 무난히 대응할 수 있다. 그러나, 반도체 웨이퍼와 같은 원형의 기판에 대해서는, 장척형의 슬릿 노즐로부터 커튼형으로 토출되는 약액이 노즐 중앙부 이외에서는 웨이퍼 밖으로 비어져 나와 버린다. 이 때문에, 웨이퍼 밖으로 비어져 나온 약액이 낭비되는 것이나, 웨이퍼의 주위를 더럽히는 것 등이 문제가 된다.On the other hand, as described above, the chemical liquid can be uniformly applied onto the rectangular substrate without flowing out, and can cope with the formation of a thick insulating film or a high viscosity chemical liquid. However, with respect to a circular substrate such as a semiconductor wafer, the chemical liquid discharged from the long slit nozzle to the curtain form is protruded out of the wafer other than the nozzle center portion. For this reason, the problem that the chemical liquid which protruded out of the wafer is wasted, the soil around the wafer, etc. become a problem.

본 발명은 전술한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하는 것이며, 기판 상에 형성되는 도포막의 패턴을 다종 다양하게 제어할 수 있는 스캔 방식의 도포 장치 및 도포 방법을 제공한다. The present invention solves the problems of the prior art as described above, and provides a scan type coating apparatus and a coating method that can variously control the pattern of the coating film formed on the substrate.

본 발명의 도포 장치는, 기판 상에 약액을 도포하기 위한 도포 장치로서, 제1 립 및 제2 립을 일체적으로 맞대어 구성되고, 상기 제1 립 및 제2 립 사이에, 슬릿형의 토출구와, 토출 전의 약액을 일단 모으는 매니폴드와, 상기 매니폴드로부터 상기 토출구까지의 약액 통로를 제공하는 랜드부가 형성되어 있는 슬릿 노즐과, 상기 슬릿 노즐의 상기 매니폴드 내에 약액을 공급하기 위한 약액 공급부와, 상기 슬릿 노즐과 상기 기판 사이에서 도포 주사를 위한 상대적인 이동을 하게 하는 주사 기구와, 상기 슬릿 노즐의 약액이 토출되는 노즐 길이 방향의 구간을 임의로 선택하기 위한 노즐 토출 구간 선택부와, 상기 기판 상에 약액의 도포막이 원하는 패턴으로 형성되도록, 상기 약액 공급부, 상기 주사 기구 및 상기 노즐 토출 구간 선택부의 동작을 제어하는 제어부를 갖는다. The coating device of the present invention is a coating device for applying a chemical liquid onto a substrate, and is formed by integrally abutting a first lip and a second lip, and includes a slit-type discharge port between the first lip and the second lip. A slit nozzle having a manifold for collecting the chemical liquid before discharge, a land portion for providing a chemical liquid passage from the manifold to the discharge port, a chemical liquid supply portion for supplying the chemical liquid into the manifold of the slit nozzle, A scanning mechanism for allowing relative movement for coating scanning between the slit nozzle and the substrate, a nozzle discharge section selecting portion for arbitrarily selecting a section in the nozzle longitudinal direction through which the chemical liquid of the slit nozzle is discharged, and on the substrate Controlling the operation of the chemical supply portion, the injection mechanism and the nozzle discharge section selection portion so that the coating film of the chemical liquid is formed in a desired pattern It has a fisherman.

본 발명의 도포 방법은, 슬릿형의 토출구와, 토출 전의 약액을 일단 모으는 매니폴드와, 상기 매니폴드로부터 상기 토출구까지의 약액 통로를 제공하는 랜드부를 갖는 슬릿 노즐로부터 약액을 토출시키면서, 상기 슬릿 노즐과 기판 사이에서 상대적인 주사 이동을 하게 하는 것에 의해, 상기 기판 상에 약액의 도포막을 형성하는 도포 방법으로서, 노즐 길이 방향으로 설정된 단위 구간마다, 상기 슬릿 노즐의 상기 토출구 또는 상기 랜드부에서의 슬릿 갭을 개폐 제어함으로써, 상기 슬릿 노즐의 약액을 토출하는 구간을 상기 주사 이동이 한창일 때에 동적으로 제어하여, 상기 기판 상에 원하는 패턴으로 상기 약액의 도포막을 형성한다. The application method of the present invention is the slit nozzle while discharging the chemical liquid from a slit nozzle having a slit discharge port, a manifold for collecting the chemical liquid before discharge, and a land portion providing a chemical liquid passage from the manifold to the discharge port. A coating method of forming a coating film of a chemical liquid on the substrate by causing relative scan movement between the substrate and the substrate, wherein a slit gap at the discharge port or the land portion of the slit nozzle is provided for each unit section set in the nozzle length direction. By controlling the opening and closing, the section for discharging the chemical liquid of the slit nozzle is dynamically controlled when the scanning movement is in full swing to form a coating film of the chemical liquid in a desired pattern on the substrate.

본 발명의 도포 장치 또는 도포 방법에 의하면, 상기와 같은 구성 및 작용에 의해, 도포 폭 또는 도포 영역을 수시 선택하는 것이 가능하여, 기판 상에 형성되는 도포막의 패턴을 다종 다양하게 제어할 수 있다. According to the coating apparatus or coating method of this invention, it is possible to select an application | coating width | variety or an application | coating area | region at any time by the structure and effect | action as mentioned above, and can control variously the pattern of the coating film formed on a board | substrate.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에서의 도포 장치의 전체 구성을 도시하는 블록도이다.
도 2는 상기 도포 장치에서의 주사 기구의 구체적인 구성예를 도시하는 사시도이다.
도 3a는 상기 도포 장치에서의 약액 공급부의 일 구성예를 도시하는 도면이다.
도 3b는 상기 약액 공급부의 다른 구성예를 도시하는 도면이다.
도 4는 상기 도포 장치에서의 슬릿 노즐을 거꾸로 하여 비스듬하게 위쪽에서 본 사시도이다.
도 5는 도 4의 선 A-A를 따라 취한 단면도이다.
도 6a는 상기 슬릿 노즐의 각 단위 구간에서 토출 허용용 제1 위치가 선택되어 있는 상태를 도시하는 단면도이다.
도 6b는 상기 슬릿 노즐의 각 단위 구간에서 토출 금지용 제2 위치가 선택되어 있는 상태를 도시하는 단면도이다.
도 7a는 상기 도포 장치의 도포 주사에 있어서 반도체 웨이퍼 상에 약액의 도포막이 형성되는 양상을 단계적으로 도시하는 대략 평면도이다.
도 7b는 상기 도포 장치의 도포 주사에 있어서 반도체 웨이퍼 상에 약액의 도포막이 형성되는 양상을 단계적으로 도시하는 대략 평면도이다.
도 8은 상기 도포 장치에서 스트라이프 패턴의 도포막을 형성하는 제1 예를 도시하는 대략 평면도이다.
도 9a는 상기 도포 장치에서 스트라이프 패턴의 도포막을 형성하는 제2 예에서 토출 상태를 도시하는 대략 평면도이다.
도 9b는 상기 제2 예에서 비토출 상태(토출 중단 상태)를 도시하는 대략 평면도이다.
도 10a는 일 변형예에 있어서 슬릿 노즐의 각 단위 구간에서 토출 허용용 제1 위치가 선택되어 있는 상태를 도시하는 단면도이다.
도 10b는 상기 변형예에 있어서 슬릿 노즐의 각 단위 구간에서 토출 금지용 제2 위치가 선택되어 있는 상태를 도시하는 단면도이다.
도 11a는 노즐 토출 구간 선택부에 관한 다른 실시예에 있어서 슬릿 노즐의 각 단위 구간에서 토출 허용용 제1 위치가 선택되어 있는 상태를 도시하는 단면도이다.
도 11b는 상기 다른 실시예에 있어서 슬릿 노즐의 각 단위 구간에서 토출 금지용 제2 위치가 선택되어 있는 상태를 도시하는 단면도이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a block diagram which shows the whole structure of the coating apparatus in one Embodiment of this invention.
2 is a perspective view illustrating a specific configuration example of an injection mechanism in the coating device.
It is a figure which shows an example of a structure of the chemical liquid supply part in the said coating apparatus.
It is a figure which shows the other structural example of the said chemical liquid supply part.
Fig. 4 is a perspective view, viewed obliquely from above, with the slit nozzle upside down in the coating device.
5 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 4.
6A is a cross-sectional view showing a state where a first position for discharging permission is selected in each unit section of the slit nozzle.
6B is a cross-sectional view showing a state in which the second position for prohibiting discharge is selected in each unit section of the slit nozzle.
FIG. 7A is a plan view schematically showing a step in which a coating film of chemical liquid is formed on a semiconductor wafer in the coating scan of the coating device. FIG.
FIG. 7B is a plan view schematically showing a step in which a coating film of chemical liquid is formed on a semiconductor wafer in the coating scan of the coating device. FIG.
8 is a plan view schematically showing a first example of forming a coating film of a stripe pattern in the coating device.
FIG. 9A is a schematic plan view showing a discharge state in a second example in which a coating film of a stripe pattern is formed in the coating device. FIG.
FIG. 9B is a schematic plan view showing a non-ejection state (discharge interruption state) in the second example.
10A is a cross-sectional view showing a state in which a first position for discharging is selected in each unit section of the slit nozzle in one modification.
FIG. 10B is a cross-sectional view showing a state in which the second position for discharge prohibition is selected in each unit section of the slit nozzle in the modification. FIG.
FIG. 11A is a cross-sectional view showing a state where the first position for discharging is selected in each unit section of the slit nozzle in another embodiment of the nozzle discharging section selector. FIG.
FIG. 11B is a sectional view showing a state in which the second position for prohibition of discharge is selected in each unit section of the slit nozzle in the other embodiment.

도 1에, 본 발명의 일 실시형태에서의 도포 장치의 전체 구성을 도시한다. 이 도포 장치는, 스캔 방식으로 기판 상에 약액을 도포하고, 도포막의 패턴을 직사각형 및 원형을 포함하는 다종 다양한 형상으로 제어할 수 있는 도포 장치로서 구성되어 있다. 이 도포 장치에서 사용되는 약액은 특별히 한정되지 않고, 예컨대 레지스트, 층간 절연막용의 재료 용액, 패시베이션막용의 재료 용액, 고점도의 수지계 약액, 접착제 등이다. 이 도포 장치에서 도포 처리를 받는 기판도 특별히 한정되지 않고, 예컨대 반도체 웨이퍼, FPD용의 각종 기판, 태양 전지 패널용의 각종 기판, 포토마스크, 프린트 기판 등이다. In FIG. 1, the whole structure of the coating apparatus in one Embodiment of this invention is shown. This coating apparatus is comprised as a coating apparatus which apply | coats a chemical | medical solution on a board | substrate by a scanning system, and can control the pattern of a coating film to various kinds of shapes including a rectangle and a circle. The chemical liquid used in this coating apparatus is not specifically limited, For example, it is a resist, the material solution for interlayer insulation films, the material solution for passivation films, a high viscosity resin chemical solution, an adhesive agent, etc. The board | substrate which receives a coating process by this coating apparatus is not specifically limited, either, A semiconductor wafer, various board | substrates for FPD, various board | substrates for solar panels, a photomask, a printed board, etc. are mentioned.

이 도포 장치는 도 1에 도시하는 바와 같이, 장척형의 슬릿 노즐(10), 이 슬릿 노즐(10)에 내장되어 있는 노즐 토출 구간 선택부(12), 약액 공급부(14), 주사 기구(16) 및 제어부(18)를 구비한다. 제어부(18)는 CPU, 메모리 및 각종 인터페이스를 가지며, 장치 내의 각 부, 특히 노즐 토출 구간 선택부(12), 약액 공급부(14) 및 주사 기구(16) 개개의 동작 및 장치 전체의 동작(시퀀스)을 제어한다. As shown in FIG. 1, the coating device includes a long slit nozzle 10, a nozzle discharge section selector 12, a chemical liquid supply unit 14, and a scanning mechanism 16 built in the slit nozzle 10. ) And a control unit 18. The control unit 18 has a CPU, a memory, and various interfaces, and each unit in the apparatus, in particular, the nozzle discharge section selecting unit 12, the chemical liquid supply unit 14, and the scanning mechanism 16, and the operation of the entire apparatus (sequence) ).

슬릿 노즐(10)은 슬릿형의 토출구(10a)를 가지며, 이 토출구(10a)의 노즐 길이 방향의 전구간 중 노즐 토출 구간 선택부(12)에 의해 선택된 구간에서 약액을 토출하도록 되어 있다. 약액 공급부(14)는 약액 공급관(20)을 통해 슬릿 노즐(10)에 약액을 공급한다. 주사 기구(16)는 슬릿 노즐(10)과 반도체 웨이퍼(W) 사이에서 도포 주사를 위한 상대적인 이동을 하게 한다. The slit nozzle 10 has a slit-shaped discharge port 10a, and discharges the chemical liquid in a section selected by the nozzle discharge section selector 12 among all sections in the nozzle length direction of the discharge port 10a. The chemical liquid supply unit 14 supplies the chemical liquid to the slit nozzle 10 through the chemical liquid supply pipe 20. The scanning mechanism 16 allows relative movement between the slit nozzle 10 and the semiconductor wafer W for application scanning.

도 2에, 주사 기구(16)의 구체적인 구성예를 도시한다. 이 주사 기구(16)는, 반도체 웨이퍼(W)를 수평으로 배치하여 유지하는 스테이지(22)와, 도포 주사를 위해 슬릿 노즐(10)을 스테이지(22)의 위쪽에서 노즐 길이 방향(Y 방향)과 직교하는 수평 방향(X 방향)으로 이동시키는 갠트리형의 주사부(24)를 갖는다. 스테이지(22)에는, 복수의 리프트 핀을 승강 이동시켜 반도체 웨이퍼(W)를 로딩/언로딩하는 리프트 핀 기구(도시 생략) 등도 구비되어 있다.2, the specific structural example of the injection mechanism 16 is shown. The scanning mechanism 16 includes a stage 22 for horizontally arranging and holding the semiconductor wafer W, and a slit nozzle 10 for the application scanning, in the nozzle length direction (Y direction) above the stage 22. It has a gantry type scanning part 24 which moves to a horizontal direction (X direction) orthogonal to. The stage 22 is also equipped with the lift pin mechanism (not shown) etc. which load / unload the semiconductor wafer W by raising / lowering a some lift pin.

주사부(24)는 슬릿 노즐(10)을 수평으로 지지하는 도어형의 지지체(26)와, 이 지지체(26)를 X 방향에 있어서 쌍방향으로 직진 이동시키는 주사 구동부(28)를 갖는다. 이 주사 구동부(28)는, 예컨대 가이드를 갖는 리니어 모터 기구 또는 볼나사 기구로 구성되어도 좋다. 지지체(26)와 슬릿 노즐(10)을 접속하는 조인트부(30)에는, 슬릿 노즐(10)의 높이 위치를 변경 또는 조절하기 위한 가이드를 갖는 승강 기구(도시 생략)가 설치되어 있다. 슬릿 노즐(10)의 높이 위치를 조절함으로써, 슬릿 노즐(10)의 하단면 또는 토출구(10a)와 스테이지(22) 상의 반도체 웨이퍼(W)의 표면 사이의 거리 간격을 임의로 설정 또는 조정할 수 있다. The scanning section 24 has a door-shaped support 26 which supports the slit nozzle 10 horizontally, and a scan drive section 28 which moves the support 26 straight in both directions in the X direction. This scan drive part 28 may be comprised, for example with the linear motor mechanism or ball screw mechanism which has a guide. The joint part 30 which connects the support body 26 and the slit nozzle 10 is provided with the lifting mechanism (not shown) which has the guide for changing or adjusting the height position of the slit nozzle 10. FIG. By adjusting the height position of the slit nozzle 10, the distance interval between the bottom surface of the slit nozzle 10 or the discharge port 10a and the surface of the semiconductor wafer W on the stage 22 can be arbitrarily set or adjusted.

도 3a 및 도 3b에, 약액 공급부(14)의 구체적인 구성예를 도시한다. 도 3a에 도시하는 구성의 약액 공급부(14)는 약액이 들어 있는 밀폐 용기(32)에 N2 가스 공급원(34)으로부터 N2 가스를 보내고, N2 가스의 압력에 의해 용기(32)로부터 약액 공급관(20)을 통해 슬릿 노즐(10)의 매니폴드(버퍼실)(10b) 안에 약액을 공급하도록 하고 있다. 이 N2 가스 가압 방식에서는, N2 가스 공급원(34)으로부터 밀폐 용기(32)에 이르는 가스 공급관(36)에 레귤레이터(38)를 설치하고, 이 레귤레이터(38)에 의해 N2 가스의 압력을 일정하게 제어함으로써, 슬릿 노즐(10)의 매니폴드(10b) 안에 공급하는 약액의 압력을 일정하게 제어한다. 3A and 3B show specific configurations of the chemical liquid supply unit 14. Agent supplying section 14 of the configuration shown in Figure 3a having a N 2 gas from a N 2 gas source 34 to the closed container (32) containing a chemical solution, the chemical solution from the tank 32 by the pressure of the N 2 gas The chemical liquid is supplied into the manifold (buffer chamber) 10b of the slit nozzle 10 through the supply pipe 20. In this N 2 gas pressurization system, a regulator 38 is provided in the gas supply pipe 36 extending from the N 2 gas supply source 34 to the sealed container 32, and the regulator 38 adjusts the pressure of the N 2 gas. By controlling constantly, the pressure of the chemical liquid supplied into the manifold 10b of the slit nozzle 10 is controlled constantly.

슬릿 노즐(10)에서는, 슬릿형의 토출구(10a)로부터 토출되는 약액의 유량에 비해 매니폴드(10b)의 용량이 각별히 크다. 따라서, 매니폴드(10b) 안의 압력을 일정하게 제어함으로써, 도포 주사중에 슬릿 노즐(10)의 약액 토출 구간이 노즐 길이 방향에 있어서 동적으로 변화하여도, 슬릿 노즐(10)의 토출 압력을 일정하게 유지하고, 더 나아가서는 도포막의 막 두께를 균일하게 제어할 수 있다. In the slit nozzle 10, the capacity of the manifold 10b is particularly large compared to the flow rate of the chemical liquid discharged from the slit-shaped discharge port 10a. Therefore, by uniformly controlling the pressure in the manifold 10b, even if the chemical liquid discharge section of the slit nozzle 10 changes dynamically in the nozzle length direction during the coating scan, the discharge pressure of the slit nozzle 10 is kept constant. It can hold | maintain, Furthermore, the film thickness of a coating film can be controlled uniformly.

또한, 가스 공급관(36) 및 약액 공급관(20)에 각각 설치되는 개폐 밸브(40, 42)는 제어부(18)의 제어하에서, 슬릿 노즐(10)에 약액을 토출시킬 때에 온 상태가 되고, 그 이외는 오프 상태로 유지된다. In addition, the on-off valves 40 and 42 provided in the gas supply pipe 36 and the chemical liquid supply pipe 20 respectively turn on when the chemical liquid is discharged to the slit nozzle 10 under the control of the control unit 18. Otherwise, it is kept off.

도 3b에 도시하는 구성의 약액 공급부(14)는 약액 용기(44)로부터 펌프(46)로 약액을 퍼내어 슬릿 노즐(10)의 매니폴드(10b)에 공급한다. 이 펌프 방식에서는, 약액 공급관(20) 안(바람직하게는 그 종단부)의 압력 또는 슬릿 노즐(10) 안의 압력을 압력 센서(48)에 의해 계측하고, 압력 센서(48)의 출력(압력 계측값)이 설정값으로 유지되도록 펌프 제어부(50)에 의해 펌프(46)의 토출 동작을 제어한다. 이 펌프 방식도, 도포 주사중에 슬릿 노즐(10)의 약액 토출 구간이 노즐 길이 방향에 있어서 동적으로 변화하여도, 슬릿 노즐(10)의 토출 압력을 일정하게 유지하고, 더 나아가서는 도포막의 막 두께를 균일하게 제어할 수 있다. The chemical liquid supply unit 14 having the configuration shown in FIG. 3B pumps the chemical liquid from the chemical liquid container 44 to the pump 46 and supplies it to the manifold 10b of the slit nozzle 10. In this pump system, the pressure in the chemical liquid supply pipe 20 (preferably its end) or the pressure in the slit nozzle 10 is measured by the pressure sensor 48, and the output (pressure measurement) of the pressure sensor 48 is measured. The discharge control of the pump 46 is controlled by the pump control unit 50 so as to be maintained at the set value. This pump system also maintains a constant discharge pressure of the slit nozzle 10 even if the chemical liquid discharge section of the slit nozzle 10 changes dynamically in the nozzle length direction during the coating scan, and furthermore, the film thickness of the coating film. Can be controlled uniformly.

도 4 및 도 5에 대해, 슬릿 노즐(10) 및 노즐 토출 구간 선택부(12)의 구성을 설명한다. 도 4는 슬릿 노즐(10)을 거꾸로 하여 비스듬하게 위쪽에서 본 사시도이다. 도 5는 도 4의 선 A-A를 따라 취한 단면도이다. 4 and 5, the configuration of the slit nozzle 10 and the nozzle discharge section selection unit 12 will be described. 4 is a perspective view, viewed obliquely from above, with the slit nozzle 10 upside down. FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG. 4.

도시한 바와 같이, 슬릿 노즐(10)은 재질(예컨대 스테인리스강) 및 높이 치수와 길이 치수가 동일한 장척형의 제1 립 및 제2 립(52, 54)을 양단의 사이드 플레이트(55)를 통해 맞대고, 다수의 체결 볼트(56)에 의해 양 립(52, 54)을 일체적으로 결합하고 있다. 양 립(52, 54) 사이에는, 슬릿형의 토출구(10a)와, 토출 전의 약액을 일단 모으는 매니폴드(10b)와, 이 매니폴드(10b)로부터 토출구(10a)까지의 약액 통로를 제공하는 랜드부(10c)가 형성되어 있다. 도시한 구성예에서는, 매니폴드(10b)의 캐비티 또는 홈부가 제2 립(54)측에 형성되고, 약액 도입구(10d) 및 약액 도입 통로(10e)도 제2 립(54)측에 형성되어 있다. 약액 도입구(10d)에는, 약액 공급부(14)로부터의 약액 공급관(20)(도 1 ~ 도 3)이 접속된다. As shown, the slit nozzle 10 has a long (first) and second lip (52, 54) of the same length (length of stainless steel) and the same height and length dimensions through the side plates 55 at both ends. However, the two chucks 52 and 54 are integrally coupled by a plurality of fastening bolts 56. Between the two ribs 52 and 54, a slit-type discharge port 10a, a manifold 10b for collecting the chemical liquid before the discharge and a chemical liquid passage from the manifold 10b to the discharge port 10a are provided. Land portion 10c is formed. In the illustrated configuration, the cavity or groove portion of the manifold 10b is formed on the second lip 54 side, and the chemical liquid introduction port 10d and the chemical liquid introduction passage 10e are also formed on the second lip 54 side. It is. The chemical liquid supply pipe 20 (FIGS. 1 to 3) from the chemical liquid supply unit 14 is connected to the chemical liquid inlet 10d.

사이드 플레이트(55)는 슬릿 노즐(10)의 양단을 막고, 양 립(52, 54) 간의 기준 갭을 규정한다. 이 사이드 플레이트(55) 대신에 일정한 두께를 갖는 판형의 심(shim)을 이용하는 구성, 즉 심을 사이에 두고 양 립(52, 54)을 일체로 결합하는 구성도 가능하다. The side plate 55 blocks both ends of the slit nozzle 10 and defines a reference gap between the two lips 52, 54. Instead of the side plate 55, a configuration using a plate-shaped shim having a constant thickness, that is, a configuration in which the two ribs 52 and 54 are integrally coupled between the cores is also possible.

노즐 토출 구간 선택부(12)는 제1 립(52)측에 내장되어 있다. 제1 립(52)의 외측면[랜드부(10c)와 반대측의 면]에는, 토출구(10a) 근처의 하단부에, 노즐 길이 방향으로 연장되는 가로홈(58)이 형성되어 있다. 제1 립(52)은 변위 또는 변형 상의 물성에 관해서, 가로홈(58)보다 아랫부분, 즉 립 선단부(52a)와, 가로홈(58)보다 윗부분, 즉 립 베이스부(52b)로 분할되어 있다. 그리고, 립 선단부(52a)에는, 노즐 길이 방향으로 일정한 피치, 즉 단위 구간(M)의 간격으로 슬롯(슬릿형의 노치)(60)이 형성되어 있다. 립 선단부(52a)는 이들 슬롯(60)에 의해, 단위 구간(M)마다, 외측[랜드부(10c)와 반대측] 방향으로 연장되는 링크 또는 레버를 형성하고, 립 베이스부(52b)에 대하여 탄성적으로 변위, 즉 벤딩할 수 있도록 되어 있다.The nozzle discharge section selector 12 is built in the first lip 52 side. The outer groove (surface opposite to the land portion 10c) of the first lip 52 is formed with a horizontal groove 58 extending in the nozzle length direction at the lower end portion near the discharge port 10a. The first lip 52 is divided into a portion below the lateral groove 58, that is, the lip tip 52a, and a portion above the lateral groove 58, that is, the lip base portion 52b in terms of displacement or deformation properties. have. The lip tip 52a is formed with a slot (slit notch) 60 at a constant pitch in the nozzle length direction, that is, at intervals of the unit section M. As shown in FIG. The lip tip 52a forms a link or a lever extending outwardly (opposite to the land portion 10c) in each of the unit sections M by these slots 60, and with respect to the lip base portion 52b. It is designed to be able to elastically displace, i.e., bend.

보다 상세하게는, 제1 립(52)은 가로홈(58) 안쪽의 막다른 부분이 얇게 되어 있고, 이 얇은 부분(52c)을 지점으로 하여 단위 구간(M)마다 립 선단부(52a)가 립 베이스부(52b)에 대하여 탄성적으로 벤딩할 수 있도록 되어 있다. 이 실시형태에서는, 단위 구간(M)마다, 제1 립(52)의 립 선단부(52a)가 약액의 유로를 막는 정도의 변위량으로 제2 립(54)의 립 선단부(54a)측으로 벤딩할 수 있도록 되어 있다. More specifically, the first lip 52 has a thin dead end inside the lateral groove 58, and the lip tip 52a is lip for each unit section M with the thin portion 52c as a point. It is possible to bend elastically with respect to the base part 52b. In this embodiment, every unit section M, the lip tip 52a of the 1st lip 52 can bend toward the lip tip 54a side of the 2nd lip 54 by the displacement amount which blocks the flow path of a chemical | medical solution. It is supposed to be.

노즐 토출 구간 선택부(12)는 단위 구간(M)마다, 제1 립(52)의 립 선단부(52a)와 립 베이스부(52b) 사이에 신축 가능한 돌출 지지 막대로서 기능하는 신축 액추에이터(62)를 설치하고 있다. 보다 자세하게는, 신축 액추에이터(62)는 그 상단이 립 베이스부(52b)의 스폿 페이싱 구멍(53) 속에서 고정되고, 그 하단이 립 선단부(52a)에 결합 또는 고착되어 있다. 신축 액추에이터(62)는, 예컨대 다수의 압전 소자를 중첩하여 막대형으로 형성한 적층형의 피에조 액추에이터를 포함하고, 제어부(18)로부터 인가되는 구동 전압의 극성 및/또는 전압값에 따라 축방향으로 신축 동작하여, 립 선단부(52a)를 누르거나 당기도록 되어 있다. 또한 신축 액추에이터(62)의 하단이 립 선단부(52a)에 접촉하거나 또는 걸리는 구성도 가능하다. The nozzle discharge section selector 12 has a telescopic actuator 62 that functions as a protruding support bar that is stretchable between the lip tip 52a and the lip base 52b of the first lip 52 for each unit section M. FIG. Is installing. More specifically, the elastic actuator 62 has its upper end fixed in the spot facing hole 53 of the lip base portion 52b, and its lower end is engaged or fixed to the lip tip 52a. The stretching actuator 62 includes, for example, a stacked piezo actuator formed by stacking a plurality of piezoelectric elements in a rod shape, and expands and contracts in the axial direction according to the polarity and / or voltage value of the driving voltage applied from the control unit 18. In operation, the lip tip 52a is pushed or pulled. In addition, a configuration in which the lower end of the telescopic actuator 62 is in contact with or caught by the lip tip 52a is also possible.

제1 립(52)의 립 베이스부(52b)의 외측면에는, 슬릿 노즐(10)에 탑재되어 있는 모든 신축 액추에이터(62)에 제어부(18)로부터의 구동 신호를 공급하기 위한 전기 배선을 수용하고 있는 케이블 또는 배선 기판(64)이 부착되어 있다. 그리고, 이 배선 기판(64)으로부터 각각의 신축 액추에이터(62)까지 각 대응하는 한 쌍의 피복 리드선(66)이 연장되어 있다. The outer surface of the lip base portion 52b of the first lip 52 accommodates electrical wiring for supplying drive signals from the controller 18 to all the telescopic actuators 62 mounted on the slit nozzle 10. A cable or wiring board 64 is attached. Then, the corresponding pair of covering leads 66 extend from the wiring board 64 to each of the expansion and contraction actuators 62.

도 6a 및 도 6b의 단면도에 대해, 노즐 토출 구간 선택부(12)의 기본적인 작용을 설명한다. 제어부(18)는 노즐 토출 구간 선택부(12)의 각 신축 액추에이터(62)를 개별적으로 구동하는 피에조 구동 회로를 가지며, 단위 구간(M)마다 신축 액추에이터(62)의 신축 동작 또는 돌출 지지 길이를 독립적으로 제어할 수 있다. 6A and 6B, the basic operation of the nozzle discharge section selection unit 12 will be described. The control unit 18 has a piezoelectric drive circuit that individually drives each of the expansion and contraction actuators 62 of the nozzle discharge section selection unit 12, and adjusts the stretching operation or the protruding support length of the expansion and contraction actuator 62 for each unit section M. FIG. Can be controlled independently

보다 상세하게는, 도 6a에 도시하는 바와 같이, 각 단위 구간(M)에 있어서, 신축 액추에이터(62)의 돌출 지지 길이를 비교적 짧은 제1 길이(L1)로 제어함으로써, 제1 립(52)의 립 선단부(52a)를 제2 립(54)의 립 선단부(54a)로부터 충분히 이격하여 약액의 유로를 막지 않는 토출 허용용 제1 위치에 유지할 수 있다. As described in more detail, as shown in Figure 6a, in each unit section (M), by controlling the protruded supporting length of the expansion actuator 62 of a relatively short first length (L 1), a first lip (52 The lip tip portion 52a of the slit can be sufficiently spaced apart from the lip tip portion 54a of the second lip 54 in the first position for discharging allowance which does not block the flow path of the chemical liquid.

또한, 도 6b에 도시하는 바와 같이, 각 단위 구간(M)에 있어서, 신축 액추에이터(62)의 돌출 지지 길이를 비교적 긴 제2 길이(L2)로 제어함으로써, 제1 립(52)의 립 선단부(52a)를 제2 립(54)의 립 선단부(54a)에 접촉하거나, 또는 접촉 직전까지 근접시켜 약액의 유로를 막는 토출 금지용 제2 위치에 유지할 수 있다. In addition, as shown in FIG. 6B, in each unit section M, the lip of the first lip 52 is controlled by controlling the protruding support length of the stretchable actuator 62 to a relatively long second length L 2 . The tip 52a can be held in the second position for prohibiting the discharge, which is in contact with the lip tip 54a of the second lip 54, or closes to just before the contact, to block the flow path of the chemical liquid.

이와 같이, 슬릿 노즐(10)의 단위 구간(M)마다, 제어부(18)가 노즐 토출 구간 선택부(12)의 신축 액추에이터(62)의 신축 동작을 제어함으로써, 립 선단부(52a)를 토출 허용용 제1 위치와 토출 금지용 제2 위치 사이에서 독립적으로 변위시킬 수 있다. 슬릿 노즐(10) 전체로서 보면, 제어부(18) 및 노즐 토출 구간 선택부(12)에 의해, 슬릿 노즐(10)의 노즐 길이 방향의 임의의 하나 또는 복수의 구간에서 제1 립(52)의 립 선단부(52a)를 토출 허용용 제1 위치에 유지하여 약액을 토출시키는 것이 가능하고, 임의의 하나 또는 복수의 구간에서 제1 립(52)의 립 선단부(52a)를 토출 금지용 제2 위치에 유지하여 약액을 토출시키지 않도록 하는 것도 가능하다. In this way, for each unit section M of the slit nozzle 10, the control unit 18 controls the stretching operation of the expansion actuator 62 of the nozzle discharge section selection unit 12, thereby allowing the lip tip 52a to be discharged. It can be displaced independently between the first position and the second position for discharge prohibition. When viewed as a whole slit nozzle 10, the control unit 18 and the nozzle discharge section selection unit 12 allow the first lip 52 to be positioned at any one or a plurality of sections in the nozzle length direction of the slit nozzle 10. It is possible to hold the lip tip 52a at the first position for dispensing to discharge the chemical liquid, and to move the lip tip 52a of the first lip 52 to the second position at the prohibition of discharge in any one or a plurality of sections. It is also possible to keep it so as not to discharge the chemical liquid.

또한, 제1 립(52)의 립 선단부(52a)에 있어서의 토출 허용용 제1 위치는 토출구(10a)의 갭 사이즈를 규정하고, 더 나아가서는 도포막의 막 두께를 좌우한다. 제어부(18)는 도포 처리 시에 기판(W) 상에서 원하는 막 두께가 얻어지도록, 신축 액추에이터(62)를 제1 돌출 지지 길이(L1)로 조정할 수 있다. In addition, the 1st position for discharge allowance in the lip tip part 52a of the 1st lip 52 defines the gap size of the discharge port 10a, and further determines the film thickness of a coating film. The control unit 18 can adjust the stretching actuator 62 to the first protruding support length L 1 so that a desired film thickness is obtained on the substrate W during the coating process.

[실시형태에서의 도포 장치의 작용][Operation of Coating Device in Embodiment]

다음에, 도 7a 및 도 7b의 대략 평면도를 참조하여, 이 도포 장치의 작용을 설명한다. 도 7a 및 도 7b의 (a) ~ (f)는 도포 주사에 있어서 반도체 웨이퍼(W) 상에 약액의 도포막이 형성되는 양상을 단계적으로 도시한다. 도면 중, 슬릿 노즐(10)의 토출구(10a)에 있어서 "K"로 나타내는 구간은 약액을 토출하고 있는 구간이며, 그 이외의 구간은 약액을 토출하지 않는 구간이다. Next, with reference to the rough plan views of FIGS. 7A and 7B, the operation of this coating device will be described. 7A and 7B show steps in which a coating film of chemical liquid is formed on the semiconductor wafer W in the coating scan. In the drawing, the section indicated by "K" in the discharge port 10a of the slit nozzle 10 is a section in which the chemical liquid is discharged, and the other sections are sections in which the chemical liquid is not discharged.

피처리 기판인 반도체 웨이퍼(W)는 외부 반송 장치, 예컨대 반송 로봇(도시 생략)에 의해 스테이지(22) 바로 위에 반입된다. 스테이지(22)측의 리프트 핀 기구는 반입된 반도체 웨이퍼(W)를 리프트 핀으로 수취한 후, 리프트 핀을 하강시켜 반도체 웨이퍼(W)를 스테이지(22)의 상면에 배치(로딩)한다. 이렇게 하여 반도체 웨이퍼(W)의 로딩이 완료된 후에, 제어부(18)의 제어하에서, 노즐 토출 구간 선택부(12), 약액 공급부(14) 및 조작 기구(16)가 각각 정해진 타이밍에 원하는 동작을 시작한다. The semiconductor wafer W, which is the substrate to be processed, is carried directly on the stage 22 by an external transfer device such as a transfer robot (not shown). The lift pin mechanism on the stage 22 side receives the loaded semiconductor wafer W with the lift pin, and then lowers the lift pin to arrange (load) the semiconductor wafer W on the upper surface of the stage 22. In this way, after the loading of the semiconductor wafer W is completed, under the control of the control unit 18, the nozzle discharge section selection unit 12, the chemical liquid supply unit 14, and the operation mechanism 16 each start a desired operation at a predetermined timing. do.

보다 자세하게는, 주사 기구(16)는, 슬릿 노즐(10)의 토출구(10a)와 스테이지(22) 상의 반도체 웨이퍼(W) 사이의 거리 간격(도포 갭)이 설정값이 되도록, 승강 기구에 의해 슬릿 노즐(10)의 높이 위치를 조절한다. 그리고, 주사부(24)의 주사 구동부(28)를 기동시켜, 주사 방향(X 방향)에 있어서 슬릿 노즐(10)을 스테이지(22) 상에서 반도체 웨이퍼(W) 옆에 설정된 스타트 위치로부터 반도체 웨이퍼(W)의 위쪽을 횡단하도록 일정 속도로 이동시킨다. 또한, 이 실시형태와 같이 반도체 웨이퍼(W)(기판)를 고정해서, 슬릿 노즐(10)을 이동시키는 경우, 통상은, 슬릿 노즐(10)에 있어서 제2 립(54)이 진행 방향(X 방향)의 앞이 되고 제1 립(52)이 뒤가 된다. More specifically, the scanning mechanism 16 is moved up and down by the lifting mechanism so that the distance interval (application gap) between the discharge port 10a of the slit nozzle 10 and the semiconductor wafer W on the stage 22 becomes a set value. The height position of the slit nozzle 10 is adjusted. Then, the scan driver 28 of the scanning unit 24 is started, and the slit nozzle 10 is positioned in the scanning direction (X direction) from the start position set next to the semiconductor wafer W on the stage 22. Move at a constant speed to cross the top of W). In addition, when fixing the semiconductor wafer W (substrate) like this embodiment and moving the slit nozzle 10, normally, the 2nd lip 54 in the slit nozzle 10 moves the direction X Direction) and the first lip 52 is behind.

약액 공급부(14)는 개폐 밸브(40, 42)(도 3a) 또는 개폐 밸브(42) 및 펌프(46)(도 3b)를 온으로 하여, 슬릿 노즐(10)의 매니폴드(10b)에의 약액 공급을 시작한다. 전술한 바와 같이, 매니폴드(10b) 안의 압력이 설정값으로 유지되도록 약액 공급 동작이 행해진다. The chemical liquid supply unit 14 turns on / off the valves 40 and 42 (FIG. 3A) or the on-off valve 42 and the pump 46 (FIG. 3B), and the chemical liquid to the manifold 10b of the slit nozzle 10. Start supply. As described above, the chemical liquid supply operation is performed so that the pressure in the manifold 10b is maintained at the set value.

노즐 토출 구간 선택부(12)는 제어부(18)의 제어하에서, 주사 기구(16)에 의한 슬릿 노즐(10)의 이동 동작과 연계 또는 동기하여, 슬릿 노즐(10)의 약액 토출 구간[토출 허용의 단위 구간(M)이 연속하는 범위](K)를 동적으로 변경한다.The nozzle discharge section selector 12 is controlled under the control of the control unit 18, and in connection with or in synchronism with the movement operation of the slit nozzle 10 by the injection mechanism 16, the chemical liquid discharge section of the slit nozzle 10 (discharge allowed. The range in which the unit interval M of the continuous range] (K) is dynamically changed.

보다 자세하게는, 제어부(18)는 도포 주사의 시작 직전은, 슬릿 노즐(10)의 모든 단위 구간(M)에 있어서 신축 액추에이터(62)의 돌출 지지 길이를 토출 금지용 제2 길이(L2)로 제어하고, 슬릿 노즐(10)의 약액 토출 구간(K)을 영(零)으로 해 둔다. In more detail, the control part 18 changes the protruding support length of the expansion / extension actuator 62 in all the unit sections M of the slit nozzle 10 just before the start of the coating scan, and the second length L 2 for prohibiting the discharge. The chemical liquid discharge section K of the slit nozzle 10 is set to zero.

그리고, 슬릿 노즐(10)의 토출구(10a)가 주사 방향(X 방향)에 있어서 반도체 웨이퍼(W) 일단의 바로 위에 다다랐을 때에, 슬릿 노즐(10)의 중심부의 1개 또는 수개의 연속하는 단위 구간(M)에서만, 신축 액추에이터(62)의 돌출 지지 길이를 이제까지의 토출 금지용 제2 길이(L2)로부터 토출 허용용 제1 길이(L1)로 전환하여 최초, 즉 최소의 약액 토출 구간(Kmin)으로 한다. 이때, 슬릿 노즐(10)의 중심부로부터 실형 내지 가는 띠형의 약액이 토출되어, 반도체 웨이퍼(W) 상에는 슬릿 노즐(10)의 바로 아래의 일단부에 국소적으로 약액의 도포막(RM)이 형성된다[도 7a의 (a)]. Then, when the discharge port 10a of the slit nozzle 10 reaches immediately above one end of the semiconductor wafer W in the scanning direction (X direction), one or several consecutive unit sections of the central portion of the slit nozzle 10. Only in (M), the protruding support length of the telescopic actuator 62 is switched from the second prohibition length L 2 so far to the first probing length L 1 for ejection allowance, that is, the minimum chemical liquid ejection section K min ). At this time, the solid to thin band-shaped chemical liquid is discharged from the center of the slit nozzle 10, and the coating film RM of the chemical liquid is formed locally on one end of the slit nozzle 10 immediately below the semiconductor wafer W. (FIG. 7A (a)).

그리고, 주사 방향(X 방향)에 있어서 슬릿 노즐(10)이 반도체 웨이퍼(W)의 일단으로부터 중심을 향해 이동하는 도포 주사의 전반에서는, 슬릿 노즐(10)의 중심으로부터 양단을 향해 일정한 주기로 차례대로 각 단위 구간(M)에 있어서의 신축 액추에이터(62)의 돌출 지지 길이를 토출 금지용 제2 길이(L2)로부터 토출 허용용 제1 길이(L1)로 전환해 간다. 이것에 의해, 슬릿 노즐(10)의 약액 토출 구간(K)이 노즐 중심으로부터 양단을 향해 점차 확장되어, 반도체 웨이퍼(W) 상에 형성되는 약액의 도포막(RM)은 반도체 웨이퍼(W)의 일단으로부터 그 윤곽을 따라 원호 형상 및 면적을 확대시켜 간다[도 7a의 (b)]. 그리고, 슬릿 노즐(10)이 반도체 웨이퍼(W)의 중심의 바로 위에 오면, 거기서 슬릿 노즐(10)의 약액 토출 구간(K)은 최대값(Kmax)에 도달하고, 반도체 웨이퍼(W) 상에 형성되는 약액의 도포막(RM)은 반원 형상이 된다[도 7a의 (c)]. Then, in the first half of the coating scan in which the slit nozzle 10 moves from one end of the semiconductor wafer W toward the center in the scanning direction (X direction), in order from the center of the slit nozzle 10 toward both ends in order at regular intervals. The protruding support length of the expansion and contraction actuator 62 in each unit section M is switched from the discharge prohibition second length L 2 to the discharge allowance first length L 1 . As a result, the chemical liquid discharge section K of the slit nozzle 10 gradually extends from the nozzle center toward both ends, so that the coating film RM of the chemical liquid formed on the semiconductor wafer W is formed of the semiconductor wafer W. From one end, the arc shape and area are enlarged along the contour (FIG. 7A (b)). Then, when the slit nozzle 10 is directly above the center of the semiconductor wafer W, the chemical liquid discharge section K of the slit nozzle 10 reaches the maximum value K max , and is on the semiconductor wafer W. The coating film RM of the chemical liquid formed in the shape becomes semi-circular (FIG. 7A (c)).

그리고, 주사 방향(X 방향)에 있어서 슬릿 노즐(10)이 반도체 웨이퍼(W)의 중심을 지나 도포 주사의 후반으로 이행하면, 제어부(18)는 노즐 토출 구간 선택부(12)를 도포 주사의 전반과 역방향으로 동작시킨다. 즉, 도포 주사의 후반에 있어서는, 슬릿 노즐(10)의 양단으로부터 중심을 향해 일정한 주기로 차례대로 각 단위 구간(M)에서의 신축 액추에이터(62)의 돌출 지지 길이를 이제까지의 토출 허용용 제1 길이(L1)로부터 토출 금지용 제2 길이(L2)로 전환해 간다. 이것에 의해, 슬릿 노즐(10)의 약액 토출 구간(K)이 노즐의 양단으로부터 중심을 향해 점차 축소되어, 반도체 웨이퍼(W) 상에 형성되는 약액의 도포막(RM)은 웨이퍼 중심으로부터 그 윤곽을 따라 원호 형상 및 면적을 확대시켜 간다[도 7b의 (d)]. 그리고, 슬릿 노즐(10)이 반도체 웨이퍼(W)의 타단의 바로 위를 통과할 때에 슬릿 노즐(10)의 약액 토출 구간(K)이 최후 또는 최소의 값(Kmin)이 되고[도 7b의 (e)], 직후에 약액 토출 구간(K)은 영이 된다[도 7b의 (f)]. Then, when the slit nozzle 10 passes through the center of the semiconductor wafer W in the scanning direction (X direction) to the second half of the coating scan, the control unit 18 moves the nozzle discharge section selector 12 to the coating scan. Run in the reverse direction. That is, in the latter half of the coating scan, the projecting support lengths of the expansion and contraction actuators 62 in each unit section M are sequentially set at regular intervals from both ends of the slit nozzle 10 toward the center in the first length for allowing discharge. the goes to switch to the second length (L 2) for discharging prohibited from L 1). As a result, the chemical liquid discharge section K of the slit nozzle 10 is gradually reduced from both ends of the nozzle toward the center, so that the coating film RM of the chemical liquid formed on the semiconductor wafer W is contoured from the center of the wafer. A circular arc shape and an area are enlarged along this (FIG. 7B (d)). Then, when the slit nozzle 10 passes immediately above the other end of the semiconductor wafer W, the chemical liquid discharge section K of the slit nozzle 10 becomes the last or minimum value K min (see FIG. 7B). (e)] immediately after, the chemical liquid discharge section K becomes zero (FIG. 7B).

이렇게 하여, 반도체 웨이퍼(W) 상에는 그것보다 다소 작은 구경[웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부를 남기는 구경]의 원형 패턴으로 일면에 약액의 도포막(RM)이 형성된다. 도 7a 및 도 7b에 도시하는 바와 같이, 도포 주사의 각 위치에서 슬릿 노즐(10)은 반도체 웨이퍼(W)의 윤곽에 대응하여 웨이퍼 에지의 내측에 약액을 토출하기 때문에, 도포 주사중에 약액을 반도체 웨이퍼(W)의 주위[스테이지(22)]에 흘리지 않고 스캔 방식의 도포 처리를 수행할 수도 있다. In this way, on the semiconductor wafer W, the coating film RM of the chemical | medical solution is formed in one surface by the circular pattern of the diameter slightly smaller than that (the diameter which leaves the peripheral edge part of the wafer W). As shown in Figs. 7A and 7B, the slit nozzle 10 discharges the chemical liquid to the inside of the wafer edge corresponding to the outline of the semiconductor wafer W at each position of the coating scan, so that the chemical liquid is applied during the coating scan. It is also possible to perform a coating method of a scanning method without flowing around the wafer W (stage 22).

상기한 바와 같이, 이 실시형태에서는, 슬릿 노즐(10)의 토출구(10a) 부근에서의 슬릿의 갭을 노즐 길이 방향으로 단위 구간(M)마다 온·오프(개폐) 제어함으로써, 도포 주사중에 슬릿 노즐(10)의 약액을 토출하는 구간을 동적으로 제어하여, 반도체 웨이퍼(W) 상에 원형의 패턴으로 약액의 도포막(RM)을 형성할 수 있다. As described above, in this embodiment, the slit during coating scanning is controlled by controlling the gap of the slit in the vicinity of the discharge port 10a of the slit nozzle 10 for every unit section M in the nozzle length direction. By dynamically controlling the section for discharging the chemical liquid of the nozzle 10, the coating film RM of the chemical liquid may be formed on the semiconductor wafer W in a circular pattern.

[다른 실시형태 또는 변형예][Other Embodiments or Modifications]

이상, 본 발명의 적합한 실시형태를 설명했지만, 본 발명은 전술한 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 그 기술적 사상의 범위 내에서 여러 가지의 변형 또는 변경 또는 다른 실시형태가 가능하다. As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not limited to embodiment mentioned above, Various deformation | transformation, a change, or other embodiment is possible within the range of the technical idea.

예컨대, 상기 실시형태의 도포 장치는 상기와 같은 원형의 기판 상에 원형 패턴의 도포막을 형성하는 용도에 한정되지 않고, 임의의 기판 상에 직사각형 패턴의 도포막을 형성하는 용도로도 사용 가능하다. 예컨대 도 8에 도시하는 바와 같이, 노즐 길이 방향에 있어서 슬릿 노즐(10)에 비토출 구간(J)을 사이에 두고 복수의 토출 구간(K)을 일정 간격으로 설정하고, 도포 주사에서는 슬릿 노즐(10)을 일정한 속도로 수평으로 이동시키면서 이들 복수의 토출 구간(K)에서 약액을 연속적으로 토출시킴으로써, 예컨대 직사각형의 기판(G) 상에 도포 주사 방향과 평행하게 연장되는 스트라이프(줄무늬 모양) 패턴의 도포막(RM)을 형성할 수 있다. For example, the coating apparatus of the said embodiment is not limited to the use which forms the coating film of a circular pattern on the circular board | substrate as mentioned above, It can be used also in the use which forms the coating film of a rectangular pattern on arbitrary board | substrates. For example, as shown in FIG. 8, in the nozzle longitudinal direction, a plurality of discharge sections K are set at regular intervals with the non-discharge section J interposed between the slit nozzles 10, and in the application scanning, the slit nozzle ( 10) by continuously discharging the chemical liquid in the plurality of discharge sections (K) while moving horizontally at a constant speed, for example, on a rectangular substrate (G) of a stripe (stripe pattern) pattern extending in parallel with the coating scanning direction. Coating film RM can be formed.

또는, 도 9a 및 도 9b에 도시하는 바와 같이, 슬릿 노즐(10)에 기판(G)의 폭 치수에 대응하는 길이의 연속적인 특정 구간(F)을 설정하고, 도포 주사에서는 슬릿 노즐(10)을 일정한 주사 속도로 이동시키면서 그 특정 구간(F)이 토출 구간(K)이 되는 기간과 비토출 구간(J)이 되는 기간을 일정한 주기로 교대로 반복하는 것에 의해, 직사각형의 기판(G) 상에 도포 주사 방향과 직교하는 스트라이프(줄무늬 모양) 패턴의 도포막(RM)을 형성할 수 있다. Alternatively, as shown in FIGS. 9A and 9B, the slit nozzle 10 is set with a continuous specific section F of a length corresponding to the width dimension of the substrate G, and the slit nozzle 10 in the coating scan. Is repeated on the rectangular substrate G by alternately repeating the period in which the specific section F becomes the discharge section K and the period in which the non-ejection section J is rotated at a constant cycle while moving at a constant scanning speed. The coating film RM of the stripe (stripe pattern) pattern orthogonal to the coating scanning direction can be formed.

또한, 노즐 토출 구간 선택부(12)에서의 신축 액추에이터로서, 상기 실시형태의 피에조 방식의 신축 액추에이터(62) 대신에, 도 10a 및 도 10b에 도시하는 바와 같이, 열팽창에 의해 신장하는 금속 부재(70)와 이것을 가열하는 발열부, 예컨대 전열선(72)을 갖는 열팽창 방식의 액추에이터를 사용하여도 좋다. 도시한 구성예에서는, 열팽창률이 큰 금속, 예컨대 알루미늄으로 이루어지는 막대형의 금속 부재(70)에 예컨대 니크롬선으로 이루어지는 전열선(72)을 감아, 배선 기판(64) 및 리드선(66)을 통해 전열선(72)에 저항 발열용 전류를 공급하도록 하고 있다. As the stretch actuator in the nozzle discharge section selector 12, instead of the stretch actuator 62 of the piezo system according to the above embodiment, as shown in FIGS. 10A and 10B, a metal member extending by thermal expansion ( A thermal expansion type actuator having 70) and a heat generating portion for heating it, for example, a heating wire 72, may be used. In the illustrated configuration, a heating wire 72 made of, for example, nichrome wire is wound around a rod-shaped metal member 70 made of a metal having a large thermal expansion coefficient, for example, aluminum, and the heating wire 64 is connected through the wiring board 64 and the lead wire 66. A resistance heating current is supplied to the 72.

제어부(18)(도 1)는 전열선(72)에 전류를 공급하기 위한 히터 구동 회로를 가지며, 단위 구간(M)마다 신축 액추에이터[70, 72]의 신축 동작 또는 돌출 지지 길이를 독립적으로 제어할 수 있다. 즉, 전열선(72)에 전류를 흘리지 않고, 또는 정해진 소(小)전류를 흘림으로써, 도 10a에 도시하는 바와 같이, 각 단위 구간(M)에 있어서, 신축 액추에이터[70, 72]의 돌출 지지 길이를 비교적 짧은 제1 길이(L1)로 제어함으로써, 제1 립(52)의 립 선단부(52a)를 제2 립(54)의 립 선단부(54a)로부터 충분히 이격하여 약액의 유로를 막지 않는 토출 허용용 제1 위치에 유지할 수 있다. 또한, 전열선(72)에 정해진 대(大)전류를 흘림으로써, 도 10b에 도시하는 바와 같이, 각 단위 구간(M)에 있어서, 신축 액추에이터[70, 72]의 돌출 지지 길이를 비교적 긴 제2 길이(L2)로 제어함으로써, 제1 립(52)의 립 선단부(52a)를 제2 립(54)의 립 선단부(54a)에 접촉하거나, 또는 접촉 직전에 근접시켜 약액의 유로를 막는 토출 금지용 제2 위치에 유지할 수 있다. The control unit 18 (FIG. 1) has a heater driving circuit for supplying current to the heating wire 72, and independently controls the stretching operation or the protruding support length of the stretching actuators 70 and 72 for each unit section M. FIG. Can be. In other words, by not passing a current through the heating wire 72 or by passing a predetermined small current, as shown in FIG. 10A, the protrusions of the expansion and contraction actuators 70 and 72 are supported in each unit section M. As shown in FIG. By controlling the length to a relatively short first length L 1 , the lip tip 52a of the first lip 52 is sufficiently spaced apart from the lip tip 54a of the second lip 54 so as not to block the flow path of the chemical liquid. It can hold | maintain in 1st position for discharge tolerance. In addition, by passing a large current determined by the heating wire 72, as shown in FIG. 10B, the second projecting support lengths of the expansion and contraction actuators 70 and 72 are relatively long in each unit section M. As shown in FIG. By controlling to the length L 2 , the discharge which contacts the lip tip part 52a of the first lip 52 to the lip tip part 54a of the second lip 54 or closes immediately before the contact to block the flow path of the chemical liquid. It can hold in a prohibition 2nd position.

이러한 열팽창 방식의 신축 액추에이터[70, 72]는 응답 속도가 낮기 때문에, 도포 주사중에 슬릿 노즐(10)의 약액 토출 구간(K)을 고속에서 동적으로 변경하는 것은 어렵다. 그러나, 예컨대 도 8과 같이 도포 주사중에 슬릿 노즐(10)의 약액 토출 구간(K)을 고정하는 애플리케이션에는 적응할 수 있다. Since the thermal expansion type expansion and contraction actuators 70 and 72 have low response speeds, it is difficult to dynamically change the chemical liquid discharge section K of the slit nozzle 10 during high-speed application scanning. However, it can be adapted to an application for fixing the chemical liquid discharge section K of the slit nozzle 10 during the application scanning, for example as shown in FIG.

상기 실시형태(도 6a, 도 6b) 및 상기 변형예(도 10a, 도 10b)는 제1 립(52)의 외측면에 노즐 토출 구간 선택부(12)를 부착하여, 단위 구간(M)마다 제1 립(52)의 립 선단부(52a)를 토출 허용용 제1 위치와 토출 금지용 제2 위치 사이에서 변위 가능하게 구성하고, 슬릿 노즐(10)의 토출구(10a) 부근의 슬릿 갭을 노즐 길이 방향의 단위 구간(M)마다 개폐 제어하도록 하였다. 6A, 6B, and the modified example (FIGS. 10A, 10B) attach the nozzle discharge section selector 12 to the outer surface of the first lip 52, for every unit section M. FIG. The lip tip portion 52a of the first lip 52 is configured to be displaceable between the first position for discharging and the second position for discharging, and the slit gap near the discharge port 10a of the slit nozzle 10 is nozzle length. Opening and closing control for each unit section (M) in the direction.

다른 실시형태로서, 도 11a 및 도 11b에 도시하는 바와 같이, 노즐 토출 구간 선택부(12)를 슬릿 노즐(10)의 내부, 즉 랜드부(10c) 둘레에 부착하여, 랜드부(10c) 내의 슬릿 갭을 노즐 길이 방향의 단위 구간(M)마다 개폐 제어하도록 구성하는 것도 가능하다. As another embodiment, as shown in Figs. 11A and 11B, the nozzle discharge section selecting portion 12 is attached to the inside of the slit nozzle 10, that is, around the land portion 10c, so as to be in the land portion 10c. The slit gap can also be configured to open and close for each unit section M in the nozzle length direction.

이 실시형태는, 랜드부(10c)와 대향하는 제1 립(52)의 내측면에 노즐 길이 방향으로 연장되는 띠형의 가요성 부재, 예컨대 가요성 불소 수지 시트(74)를 같은 높이로 부착하고, 단위 구간(M)마다 가요성 불소 수지 시트(74)의 배후에 신축 액추에이터(62)를 설치한다. 여기서, 신축 액추에이터(62)는, 제1 립(52)의 내측면에 형성되어 있는 공동 또는 오목부(76) 안에 배치되어, 일단이 오목부(76) 안의 막다른 벽에 걸리거나 결합하고, 타단이 가요성 불소 수지 시트(74)의 배면에 걸리거나 결합한다. 이 실시형태에서도, 제어부(18)는 노즐 토출 구간 선택부(12)의 각 신축 액추에이터(62)를 개별적으로 구동하는 피에조 구동 회로를 가지며, 단위 구간(M)마다 신축 액추에이터(62)의 신축 동작을 독립적으로 제어한다. This embodiment attaches a band-shaped flexible member, such as the flexible fluororesin sheet 74, to the inner surface of the first lip 52 facing the land portion 10c at the same height. The expansion and contraction actuator 62 is provided behind the flexible fluororesin sheet 74 for each unit section M. FIG. Here, the telescopic actuator 62 is disposed in a cavity or recess 76 formed in the inner surface of the first lip 52 so that one end thereof is caught or engaged with a dead wall in the recess 76. The other end is caught or bonded to the back surface of the flexible fluororesin sheet 74. Also in this embodiment, the control part 18 has the piezoelectric drive circuit which drives each expansion actuator 62 of the nozzle discharge section selection part 12 separately, and the expansion-contraction operation of the expansion / closing actuator 62 for every unit section M is carried out. Control independently.

즉, 도 11a에 도시하는 바와 같이, 각 단위 구간(M)에 있어서, 신축 액추에이터(62)를 비교적 짧은 제1 길이로 제어함으로써, 가요성 불소 수지 시트(74)를 제1 립(52)의 내측면과 같은 높이로 유지하고, 제1 립(52)의 내측면을 제2 립(54)의 내측면으로부터 충분히 이격하여 약액의 유로를 막지 않는 토출 허용용 제1 위치에 유지할 수 있다. 또한, 도 11b에 도시하는 바와 같이, 각 단위 구간(M)에 있어서, 신축 액추에이터(62)를 비교적 긴 제2 길이로 제어함으로써, 가요성 불소 수지 시트(74)를 제1 립(52)의 내측면보다 앞으로[랜드부(10c) 안으로] 돌출시켜, 제1 립(52)의 내측면을 제2 립(54)의 내측면에 접촉하거나, 또는 접촉 직전까지 근접시켜 약액의 유로를 막는 토출 금지용 제2 위치에 유지할 수 있다. That is, as shown in FIG. 11A, in each unit section M, the flexible actuator 62 is controlled to have a relatively short first length to thereby control the flexible fluororesin sheet 74 of the first lip 52. The inner surface of the first lip 52 can be kept at the same height as the inner surface, and the inner surface of the first lip 52 can be sufficiently spaced apart from the inner surface of the second lip 54 in the first position for allowing discharge that does not block the flow path of the chemical liquid. In addition, as shown in FIG. 11B, in each unit section M, the flexible actuator 62 is controlled to have a relatively long second length to thereby control the flexible fluororesin sheet 74 of the first lip 52. The ejection which protrudes forward (into the land portion 10c) and contacts the inner surface of the first lip 52 to the inner surface of the second lip 54, or closes until just before the contact, blocks the flow path of the chemical liquid. It can hold in a prohibition 2nd position.

이와 같이, 이 실시형태에 있어서는, 슬릿 노즐(10)의 단위 구간(M)마다, 제어부(18)가 노즐 토출 구간 선택부(12)의 신축 액추에이터(62)의 신축 동작을 제어함으로써, 제1 립(52)의 내측면에 접착된 가요성 불소 수지 시트(74)를 토출 허용용 제1 위치와 토출 금지용 제2 위치 사이에서 독립적으로 변위시킬 수 있다. 슬릿 노즐(10) 전체로서 보면, 상기 제1 실시형태와 마찬가지로, 제어부(18) 및 노즐 토출 구간 선택부(12)에 의해, 슬릿 노즐(10)의 약액 토출 구간(K)을 임의이며 동적으로 제어할 수 있다. As described above, in this embodiment, the control unit 18 controls the stretching operation of the expansion / closing actuator 62 of the nozzle discharge section selection unit 12 for each unit section M of the slit nozzle 10. The flexible fluororesin sheet 74 adhered to the inner surface of the lip 52 can be independently displaced between the first position for discharging and the second position for discharging. When viewed as a whole slit nozzle 10, the chemical liquid discharge section K of the slit nozzle 10 is arbitrarily and dynamically by the control unit 18 and the nozzle discharge section selector 12 similarly to the first embodiment. Can be controlled.

또한, 가요성 불소 수지 시트(74)를 단위 구간(M)마다 분할하여 제1 립(52)의 내측면에 부착하는 구성도 가능하다. 또한, 이 실시형태에서도, 피에조 방식의 신축 액추에이터(62) 대신에 열팽창 방식의 신축 액추에이터[70, 72]를 이용할 수 있다. Moreover, the structure which divides the flexible fluororesin sheet 74 for every unit section M and adheres to the inner side surface of the 1st lip 52 is also possible. Moreover, also in this embodiment, the expansion / expansion expansion actuators 70 and 72 can be used instead of the piezoelectric expansion / contraction actuator 62.

또한, 본 발명의 도포 장치 및 도포 방법은 상기와 같은 원형이나 직사각형의 기판 또는 도포 영역에 한정되지 않고, 예컨대 삼각형이나 평행사변형과 같은 다각형 또는 타원형 등의 기판 또는 도포 영역에도 적용 가능하다. 그 경우도, 상기 실시형태와 마찬가지로, 기판 상에 형성되는 도포막이 기판 또는 도포 영역의 윤곽을 따라 면적을 확대시켜 가도록, 주사 이동이 한창일 때에 슬릿 노즐의 약액 토출 구간이 동적으로 제어되어, 기판 상에 이 윤곽의 패턴으로 약액의 도포막이 형성된다. In addition, the coating device and the coating method of the present invention are not limited to the circular or rectangular substrates or application areas as described above, and can also be applied to substrates or application areas such as polygons or ellipses such as triangles or parallelograms. Also in this case, the chemical liquid discharge section of the slit nozzle is dynamically controlled when the scanning movement is in full swing so that the coating film formed on the substrate enlarges the area along the contour of the substrate or the coating region, similarly to the above embodiment. The coating film of the chemical liquid is formed in the pattern of this outline.

10: 슬릿 노즐 10a: 토출구
10b: 매니폴드 10c: 랜드부
12: 노즐 토출 구간 선택부 14: 약액 공급부
16: 주사 기구 18: 제어부
22: 스테이지 52: 제1 립
52a: 제1 립의 립 선단부 52b: 제1 립의 립 베이스부
54: 제2 립 54a: 제2 립의 립 선단부
62: 신축 액추에이터 70: 금속 부재
72: 전열선10: slit nozzle 10a: discharge port
10b: manifold 10c: land portion
12: nozzle discharge section selection unit 14: chemical liquid supply unit
16: injection mechanism 18: control unit
22: stage 52: first lip
52a: Lip tip portion of first lip 52b: Lip base portion of first lip
54: Second Lip 54a: Lip Tip of Second Lip
62: telescopic actuator 70: metal member
72: electric wire

Claims (11)

기판 상에 약액을 도포하기 위한 도포 장치에 있어서,
제1 립 및 제2 립을 일체적으로 맞대어 구성되고, 상기 제1 립 및 제2 립 사이에, 슬릿형의 토출구와, 토출 전의 약액을 일단 모으는 매니폴드와, 상기 매니폴드로부터 상기 토출구까지의 약액 통로를 제공하는 랜드부가 형성되어 있는 슬릿 노즐과,
상기 슬릿 노즐의 상기 매니폴드 내에 약액을 공급하기 위한 약액 공급부와,
상기 슬릿 노즐과 상기 기판 사이에서 도포 주사를 위한 상대적인 이동을 하게 하는 주사 기구와,
상기 슬릿 노즐의 약액이 토출되는 노즐 길이 방향의 구간을 임의로 선택하기 위한 노즐 토출 구간 선택부와,
상기 기판 상에 약액의 도포막이 원하는 패턴으로 형성되도록, 상기 약액 공급부, 상기 주사 기구 및 상기 노즐 토출 구간 선택부의 동작을 제어하는 제어부
를 갖고,
상기 노즐 토출 구간 선택부는, 상기 제1 립의 상기 토출구 근처의 립 선단부를 그 이외의 립 베이스부에 대하여 노즐 길이 방향의 단위 구간마다 탄성적으로 변위 가능하게 형성하고, 상기 단위 구간마다 상기 제1 립의 립 선단부를 약액의 유로를 막지 않는 제1 위치와 약액의 유로를 막는 제2 위치 사이에서 변위시키기 위한 액추에이터를 가지며,
상기 제어부는, 상기 단위 구간마다 상기 액추에이터를 독립적으로 제어하는 것인 도포 장치. In the coating device for applying the chemical liquid on the substrate,
The first lip and the second lip are integrally joined together, and between the first lip and the second lip, a slit discharge port, a manifold for collecting the chemical liquid before discharge, and the manifold from the discharge port A slit nozzle having a land portion for providing a chemical liquid passage,
A chemical liquid supply unit for supplying a chemical liquid into the manifold of the slit nozzle;
A scanning mechanism for causing relative movement for coating scans between the slit nozzle and the substrate;
A nozzle discharge section selector for arbitrarily selecting a section in the nozzle longitudinal direction through which the chemical liquid of the slit nozzle is discharged;
Control unit for controlling the operation of the chemical liquid supply unit, the scanning mechanism and the nozzle discharge section selector to form a coating film of the chemical liquid on the substrate in a desired pattern
With
The nozzle discharge section selector is configured to elastically displace every lip unit in the nozzle longitudinal direction with respect to the other lip base portion near the discharge port of the first lip, and the first section for each of the unit sections. An actuator for displacing the lip tip of the lip between a first position not blocking the flow path of the chemical liquid and a second position blocking the flow path of the chemical liquid,
The control unit, the coating device to independently control the actuator for each unit section. 제1항에 있어서, 상기 액추에이터는, 상기 제1 립의 외측면에 부착되어, 일단이 상기 립 선단부에 접촉 또는 결합하고, 타단이 상기 립 베이스부에 접촉 또는 결합하는 신축 제어 가능한 신축 액추에이터를 가지며,
상기 제어부는, 상기 제1 립의 립 선단부를 상기 제1 위치로 변위시킬 때에는 상기 신축 액추에이터를 단축하는 방향으로 동작시키고, 상기 제1 립의 립 선단부를 상기 제2 위치로 변위시킬 때에는 상기 신축 액추에이터를 신장하는 방향으로 동작시키는 것인 도포 장치.2. The stretchable actuator of claim 1, wherein the actuator has a stretchable controllable actuator attached to an outer surface of the first lip, one end of which contacts or engages the lip tip, and the other end of which contacts or engages the lip base portion. ,
The control unit operates in the direction of shortening the expansion actuator when displacing the lip tip of the first lip to the first position, and the expansion actuator when displacing the lip tip of the first lip to the second position. The coating device which operates in the direction which extends. 기판 상에 약액을 도포하기 위한 도포 장치에 있어서,
제1 립 및 제2 립을 일체적으로 맞대어 구성되고, 상기 제1 립 및 제2 립 사이에, 슬릿형의 토출구와, 토출 전의 약액을 일단 모으는 매니폴드와, 상기 매니폴드로부터 상기 토출구까지의 약액 통로를 제공하는 랜드부가 형성되어 있는 슬릿 노즐과,
상기 슬릿 노즐의 상기 매니폴드 내에 약액을 공급하기 위한 약액 공급부와,
상기 슬릿 노즐과 상기 기판 사이에서 도포 주사를 위한 상대적인 이동을 하게 하는 주사 기구와,
상기 슬릿 노즐의 약액이 토출되는 노즐 길이 방향의 구간을 임의로 선택하기 위한 노즐 토출 구간 선택부와,
상기 기판 상에 약액의 도포막이 원하는 패턴으로 형성되도록, 상기 약액 공급부, 상기 주사 기구 및 상기 노즐 토출 구간 선택부의 동작을 제어하는 제어부
를 갖고,
상기 노즐 토출 구간 선택부는, 노즐 길이 방향으로 연장 또는 분포되어, 상기 제1 립의 상기 랜드부와 대향하는 벽면에 부착되는 시트형의 가요성 부재와, 상기 노즐 길이 방향의 단위 구간마다 상기 가요성 부재를 약액의 유로를 막지 않는 제1 위치와 약액의 유로를 막는 제2 위치 사이에서 변위시키는 액추에이터를 가지며,
상기 제어부는, 상기 단위 구간마다 상기 액추에이터를 독립적으로 제어하는 것인 도포 장치. In the coating device for applying the chemical liquid on the substrate,
The first lip and the second lip are integrally joined together, and between the first lip and the second lip, a slit discharge port, a manifold for collecting the chemical liquid before discharge, and the manifold from the discharge port A slit nozzle having a land portion for providing a chemical liquid passage,
A chemical liquid supply unit for supplying a chemical liquid into the manifold of the slit nozzle;
A scanning mechanism for causing relative movement for coating scans between the slit nozzle and the substrate;
A nozzle discharge section selector for arbitrarily selecting a section in the nozzle longitudinal direction through which the chemical liquid of the slit nozzle is discharged;
Control unit for controlling the operation of the chemical liquid supply unit, the scanning mechanism and the nozzle discharge section selector to form a coating film of the chemical liquid on the substrate in a desired pattern
With
The nozzle discharge section selecting section extends or is distributed in the nozzle length direction and is attached to a wall-like flexible member that faces the land portion of the first lip, and the flexible member for each unit section of the nozzle length direction. Has an actuator for displacing between a first position not blocking the flow path of the chemical liquid and a second position blocking the flow path of the chemical liquid,
The control unit, the coating device to independently control the actuator for each unit section. 제3항에 있어서, 상기 액추에이터는, 상기 제1 립의 내측면에 형성되는 오목부에 부착되어, 일단이 상기 가요성 부재에 접촉 또는 결합하고, 타단이 오목부의 벽에 접촉 또는 결합하는 신축 제어 가능한 신축 액추에이터를 가지며,
상기 제어부는, 상기 가요성 부재를 상기 제1 위치로 변위시킬 때에는 상기 신축 액추에이터를 단축하는 방향으로 동작시키고, 상기 가요성 부재를 상기 제2 위치로 변위시킬 때에는 상기 신축 액추에이터를 신장하는 방향으로 동작시키는 것인 도포 장치. The stretch control according to claim 3, wherein the actuator is attached to a recess formed on an inner surface of the first lip, one end of which is in contact with or coupled to the flexible member, and the other end of which is in contact with or coupled to a wall of the recess. Has a telescopic actuator available,
The control unit operates in a direction of shortening the stretchable actuator when displacing the flexible member to the first position, and operates in a direction of stretching the stretchable actuator when displacing the flexible member to the second position. The coating device to make. 제2항 또는 제4항에 있어서, 상기 신축 액추에이터는 피에조 소자를 갖는 것인 도포 장치. The coating device according to claim 2 or 4, wherein the telescopic actuator has a piezo element. 제2항 또는 제4항에 있어서, 상기 신축 액추에이터는, 열팽창에 의해 신장하는 금속 부재와, 통전에 의해 발열하는 발열부를 갖는 것인 도포 장치. The coating device according to claim 2 or 4, wherein the expansion and contraction actuator has a metal member extending by thermal expansion and a heat generating portion that generates heat by energization. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 도포막의 막 두께를 제어하기 위해, 상기 액추에이터를 통해 상기 제1 위치를 조정하는 것인 도포 장치. The coating device according to any one of claims 1 to 4, wherein the control unit adjusts the first position via the actuator to control the film thickness of the coating film. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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