KR102011100B1 - 광센서 일체형 튜블러 발광 장치 및 이를 이용한 조명 시스템 - Google Patents

광센서 일체형 튜블러 발광 장치 및 이를 이용한 조명 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR102011100B1
KR102011100B1 KR1020130014655A KR20130014655A KR102011100B1 KR 102011100 B1 KR102011100 B1 KR 102011100B1 KR 1020130014655 A KR1020130014655 A KR 1020130014655A KR 20130014655 A KR20130014655 A KR 20130014655A KR 102011100 B1 KR102011100 B1 KR 102011100B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical sensor
light emitting
sensor module
light
socket
Prior art date
Application number
KR1020130014655A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140101230A (ko
Inventor
박병철
전경진
김민수
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020130014655A priority Critical patent/KR102011100B1/ko
Priority to US14/176,001 priority patent/US9468066B2/en
Publication of KR20140101230A publication Critical patent/KR20140101230A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102011100B1 publication Critical patent/KR102011100B1/ko

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V23/00—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
    • F21V23/04—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being switches
    • F21V23/0442—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being switches activated by means of a sensor, e.g. motion or photodetectors
    • F21V23/0464—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being switches activated by means of a sensor, e.g. motion or photodetectors the sensor sensing the level of ambient illumination, e.g. dawn or dusk sensors
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V23/00—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/10—Controlling the intensity of the light
    • H05B45/14—Controlling the intensity of the light using electrical feedback from LEDs or from LED modules
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F21K9/232—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings specially adapted for generating an essentially omnidirectional light distribution, e.g. with a glass bulb
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F21K9/233—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings specially adapted for generating a spot light distribution, e.g. for substitution of reflector lamps
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/27—Retrofit light sources for lighting devices with two fittings for each light source, e.g. for substitution of fluorescent tubes
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V23/00—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
    • F21V23/04—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being switches
    • F21V23/0435—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being switches activated by remote control means
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50—Cooling arrangements
    • F21V29/502—Cooling arrangements characterised by the adaptation for cooling of specific components
    • F21V29/507—Cooling arrangements characterised by the adaptation for cooling of specific components of means for protecting lighting devices from damage, e.g. housings
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2103/00—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes
    • F21Y2103/10—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes comprising a linear array of point-like light-generating elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2105/00—Planar light sources
    • F21Y2105/10—Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)

Abstract

발광 소자를 적용한 광센서 일체형 튜블러 발광 장치 및 이를 이용한 조명 시스템에 관하여 개시한다. 광센서 일체형 튜블러 발광 장치는 방열 부재와 상기 방열 부재에 결합되는 투광성의 커버를 포함하는 원통형 커버 유닛, 상기 제1커버와 제2커버의 내부에 결합되며, 발광 다이오드 어레이가 배열된 발광 모듈 및, 상기 원통형 커버 유닛의 양단에 결합되는 한 쌍의 소켓을 포함하고, 상기 한 쌍의 소켓 중의 하나의 소켓에 광센서 모듈이 내장되고, 상기 광센서 모듈에서 감지되는 광량에 기초하여 상기 발광 모듈에 인가되는 구동 전압이 조절되는 것을 특징으로 한다.

Description

광센서 일체형 튜블러 발광 장치 및 이를 이용한 조명 시스템{Tubular light emitting apparatus integrated photo sensor and lighting system}
본 발명의 기술적 사상은 발광 장치에 관한 것으로서, 자세하게는 발광 소자를 적용한 광센서 일체형 튜블러(tubular) 발광 장치 및 이를 이용한 조명 시스템에 관한 것이다.
현재 널리 보급되어 사용되는 백열등, 형광등 및 삼파장 전구 등과 같은 발광 장치는 수명이 짧고 에너지 효율이 낮은 문제점이 있었다. 이러한 문제를 개선하기 위하여 발광 다이오드를 이용한 발광 장치 및 조명 시스템이 개발되었다. 이와 같은 발광 다이오드를 이용한 발광 장치 또는 조명 시스템을 일반 사용자가 쉽게 설치하기 위한 연구 개발이 필요하게 되었다.
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 기술적 과제는 발광 장치 또는 조명 시스템을 편리하게 설치할 수 있는 구조를 갖는 광센서 일체형 튜블러 발광 장치 및 이를 이용한 조명 시스템을 제공하는데 있다.
본 발명의 기술적 사상의 일면에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치는 방열 부재와 상기 방열 부재에 결합되는 투광성의 커버를 포함하는 원통형 커버 유닛, 상기 원통형 커버 유닛의 내부에 결합되며, 발광 다이오드 어레이가 배열된 발광 모듈 및, 상기 원통형 커버 유닛의 양단에 결합되는 한 쌍의 소켓을 포함하고, 상기 한 쌍의 소켓 중의 하나의 소켓에 광센서 모듈이 내장되고, 상기 광센서 모듈에서 감지되는 광량에 기초하여 상기 발광 모듈에 인가되는 구동 전압이 조절되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따르면, 상기 한 쌍의 소켓 중에서 하나의 소켓에는 전극 단자가 배치되고, 다른 하나의 소켓에는 더미 단자가 배치되는 구조를 갖고, 상기 전극 단자는 상기 발광 모듈과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따르면, 상기 광센서 모듈이 내장되는 소켓은 상기 광센서 모듈의 인쇄회로기판이 고정되는 지지부가 형성되는 구조를 갖는 캡 및, 상기 캡 또는 상기 인쇄회로기판과 결합되어 외부 광을 상기 광센서 모듈에서 수신하도록 가이드하는 관통 창이 형성되는 구조를 갖는 톱 커버를 포함할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따르면, 상기 관통 창은 상기 외부 광이 입사되는 입구 측의 반경의 크기보다 상기 외부 광이 출사되는 출구 측의 반경의 크기를 작게 설정할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따르면, 상기 인쇄회로기판에 자동 조광 제어 기능의 온/오프를 선택적으로 설정하기 위한 스위치를 추가적으로 배치하고, 상기 스위치의 버튼을 상기 캡의 외부에 돌출시키도록 상기 톱 커버에 관통 홀을 형성할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따르면, 상기 캡의 외부를 감싸는 수광 조절 원통 부재를 더 포함하고, 상기 수광 조절 원통의 회전에 따라 상기 관통 창으로 통과하는 광량이 조절되도록 상기 수광 조절 원통 부재의 일부 영역에 관통 홀을 형성할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따르면, 상기 광센서 모듈은 입사되는 광 신호를 전기적인 신호로 변환시키는 광센서 집적회로를 포함할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따르면, 상기 광센서 모듈은 상기 광센서 집적회로에서 변환된 전기적인 신호에 상응하는 조광 제어신호를 생성시키는 회로를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따르면, 상기 한 쌍의 소켓 중에서 상기 광센서 모듈이 내장되지 않은 소켓에 직류 전원 및 상기 구동 전압을 생성시키는 전원 장치를 내장하고, 상기 전원 장치와 상기 광센서 모듈은 전기적으로 접속될 수 있다.
본 발명의 기술적 사상의 다른 면에 따른 조명 시스템은 발광 모듈이 내부에 장착되는 원통형 커버 유닛과 상기 원통형 커버 유닛의 양단에 결합되는 한 쌍의 소켓을 포함하고, 상기 한 쌍의 소켓 중의 하나의 소켓에 광센서 모듈을 내장하는 튜블러 발광 장치 및, 교류 전원을 직류 전원으로 변환시켜 상기 광센서 모듈에 제공하고, 상기 광센서 모듈로부터 제공받은 신호에 기초한 구동 전압을 생성시키는 전원 장치를 포함하며, 상기 광센서 모듈은 입사되는 광 신호를 전기적인 신호로 변환시키는 광센서 집적회로를 포함하고, 상기 구동 전압은 상기 한 쌍의 소켓 중의 하나의 소켓을 통하여 상기 발광 모듈에 전달되는 배선 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따르면, 상기 전원 장치와 광센서 모듈을 전기적으로 연결하는 커넥터를 더 포함하고, 상기 커넥터를 통하여 직류 전원 및 신호의 전송이 이루어질 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따르면, 상기 한 쌍의 소켓 중에서 하나의 소켓에는 전극 단자가 배치되고 다른 하나의 소켓에는 더미 단자가 배치되는 구조를 갖고, 상기 전극 단자는 상기 발광 모듈과 전기적으로 연결되고, 상기 더미 단자가 배치된 소켓에는 상기 광센서 모듈이 내장될 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따르면, 상기 광센서 모듈이 내장되는 소켓은 상기 광센서 모듈의 인쇄회로기판이 체결되는 지지부가 형성되는 구조를 갖는 캡 및, 상기 캡 또는 상기 인쇄회로기판과 결합되어 외부 광을 상기 광센서 모듈에서 수신하도록 가이드하는 관통 창이 형성되는 구조를 갖는 톱 커버를 포함할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따르면, 상기 인쇄회로기판에 자동 조광 제어 기능의 온/오프를 선택적으로 설정하기 위한 스위치를 추가적으로 배치하고, 상기 스위치의 버튼을 상기 캡의 외부에 돌출시키도록 상기 톱 커버에 관통 홀을 형성할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따르면, 상기 캡의 외부를 감싸는 수광 조절 원통 부재를 더 포함하고, 상기 수광 조절 원통의 회전에 따라 상기 관통 창으로 통과하는 광량이 조절되도록 상기 수광 조절 원통 부재의 일부 영역에 관통 홀을 형성할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의하면 튜블러 발광 장치의 소켓에 광센서 모듈을 내장함으로써, 조명 시스템 설치를 용이하게 할 수 있는 효과가 발생된다. 또한, 광센서 모듈과 소켓을 일체형으로 제작함으로써, 일반 사용자도 쉽게 조명 시스템을 설치할 수 있는 효과가 발생된다.
본 발명의 기술적 사상에 의하면 튜블러 발광 장치가 설치된 장소의 주변 조도를 감지하여 튜블러 발광 장치의 구동 전압을 제어함으로써, 소비 전력을 절감할 수 있는 효과가 발생된다.
본 발명의 기술적 사상에 의하면 광센서 모듈에 의한 자동 조광 제어 기능의 온/오프를 선택할 수 있는 스위치의 버튼을 튜블러 발광 장치의 소켓에 설치함으로써, 사용자가 자동 조광 제어 기능을 쉽게 설정할 수 있는 효과가 발생된다.
본 발명의 기술적 사상에 의하면 소켓의 캡에 설치된 수광 조절 원통 부재를 이용하여 광센서 모듈로 입사되는 광량을 조절할 수 있으므로, 자동 조광 제어에 따른 기준 조도를 사용자가 변경할 수 있는 효과가 발생된다. 또한, 수광 조절 원통 부재를 이용하여 자동 조광 제어 기능을 실질적으로 오프시킬 수 있는 효과도 발생된다.
도 1a는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치를 개념적으로 나타내는 개략도이다.
도 1b는 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치를 개념적으로 나타내는 개략도이다.
도 1c는 본 발명의 기술적 사상에 의한 또 다른 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치를 개념적으로 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치의 원통형 커버 유닛의 구성 예를 보여주는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치에 포함된 발광 모듈의 회로 기판 구조의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치에 포함된 발광 모듈의 회로 기판 구조의 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치에 포함된 발광 모듈의 회로 기판 구조의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치에 포함된 발광 모듈의 회로 기판 구조의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치에 포함된 발광 모듈의 회로 기판 구조의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치에 포함된 발광 모듈의 회로 기판 구조의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치에 포함된 발광 모듈이 장착되는 메탈 샤시의 구조를 예시적으로 보여주는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치의 LED에서 방사되는 광에 대한 색온도 스펙트럼을 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 11은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치의 LED에 사용될 수 있는 양자점(QD) 구조를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 12는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치에서의 청색 LED를 사용한 백색 발광 소자의 응용 분야별 형광체 종류를 예시적으로 보여준다.
도 13은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치에 사용될 수 있는 LED 칩의 일 예를 나타내는 측면 단면도이다.
도 14는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치에 사용될 수 있는 LED 칩의 다른 예를 나타내는 측면 단면도이다.
도 15는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치에 사용될 수 있는 LED 칩의 또 다른 예를 나타내는 측면 단면도이다.
도 16은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치에 사용될 수 있는 기판에 실장된 LED 칩을 포함하는 반도체 발광 소자의 일 예를 나타내는 측면 단면도이다.
도 17은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치에 사용될 수 있는 LED 패키지의 일 예를 나타내는 측면 단면도이다.
도 18은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치의 분해 사시도이다.
도 19는 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치를 L-튜브 어셈블리에 적용한 예를 보여주는 도면이다.
도 20은 도 19에 도시된 L-튜브 어셈블리의 단면도의 주요 부분을 보여주는 도면이다.
도 21은 도 20과 같은 구조의 L-튜브 어셈블리에서의 배광 분포도를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 22는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치를 포함하는 조명 시스템의 블록 구성도를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 23은 도 22에 도시된 광센서 모듈(30)의 세부적인 블록 구성도의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 24는 도 22에 도시된 광센서 모듈(30)의 세부적인 블록 구성도의 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 25는 도 23 및 24에 도시된 제어부(33A)의 세부 블록 구성도를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 26은 도 22에 도시된 전원 장치(40)의 세부 블록 구성도를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 27은 도 22에 도시된 광센서 모듈(30)의 세부적인 블록 구성도의 또 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 28은 도 22에 도시된 광센서 모듈(30)의 세부적인 블록 구성도의 또 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 29는 도 1a ~ 1c에 도시된 광센서 모듈이 내장된 소켓의 수광 구조를 예시적으로 보여주는 개략적인 분해 사시도이다.
도 30은 도 29에 도시된 관통 창에 대한 단면도를 보여주는 도면이다.
도 31은 도 1a ~ 1c에 도시된 광센서 모듈이 내장된 소켓의 조립도를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 32는 도 1a ~ 1c에 도시된 광센서 모듈이 내장된 소켓의 다른 실시 예에 따른 사시도를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 33a ~33c는 본 발명의 기술적 사상이 적용될 수 있는 다양한 형태의 조명 장치들의 예를 보여준다.
도 34a 및 34b는 본 발명의 실시 예에 의한 광센서 일체형 발광 장치를 이용한 조명 시스템이 적용되는 홈 네트워크의 예를 보여준다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용한다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하거나 축소하여 도시한 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1a는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치를 개념적으로 나타내는 개략도이다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치(10A)는 방열 부재(11), 커버(12), 발광 모듈(13) 및 제1,2소켓(14A, 15A)을 포함한다.
방열 부재(11)는 커버(12)와 결합될 수 있다. 방열 부재(11)는 발광 모듈(13)에서 발생된 열을 효과적으로 방열시켜주는 재료 및 구조를 포함할 수 있다.
커버(12)는 방열 부재(11)와 결합될 수 있는 구조를 갖는다. 커버(12)는 광이 투과될 수 있는 광학용 투명 수지 재료를 포함할 수 있다.
예로서, 투명 수지 재료로는 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 환상 올레핀 폴리머(COP), 환상 올레핀 코폴리머(COC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 아크릴 등과 같은 재료와 상기 재료의 표면 또는 내부에 확산제 및/또는 형광체가 도포된 재료 등을 선택적으로 이용할 수 있다. 또한, 커버(12)는 투명한 튜브 수지, 확산 튜브 수지, 글래스 튜브 수지 등을 선택적으로 이용할 수 있다.
방열 부재(11)와 커버(12)가 결합되어 원통형 커버 유닛을 형성할 수 있다.
발광 모듈(13)은 복수의 발광 소자들이 배열된 모듈이다. 예로서, 발광 모듈(13)은 인쇄회로기판에 배치될 수 있으며, 구동 회로에 기초하여 발광 다이오드 어레이로 배열될 수 있다.
발광 모듈(13)은 방열 부재(11) 또는 커버(12)의 내측에 형성된 지지대에 고정될 수 있다.
제1,2소켓(14A, 15A)은 한 쌍의 소켓으로서 방열 부재(11) 및 커버(12)로 구성된 원통형 커버 유닛의 양단에 결합되는 구조를 갖는다.
예로서, 제1소켓(14A)에는 전극 단자(14A-1)가 배치되고, 제2소켓(15A)에는 더미 단자(15A-1)가 배치될 수 있다. 예로서, 더미 단자(15A-1)는 전기적으로 오픈(open)시키거나 또는 접지에 단락(short)시킬 수 있다.
제1소켓(14A)에 배치된 전극 단자(14A-1)는 발광 모듈(13)과 전기적으로 연결되는 구조를 갖는다. 예로서, 전극 단자(14A-1)로는 발광 모듈(13)에 인가되는 구동 전압이 외부로부터 공급될 수 있다.
더미 단자(15A-1)가 배치된 제2소켓(15A)에는 광센서 모듈(15A-2)이 내장될 수 있다. 예로서, 제2소켓(15A)을 광센서 모듈(15A-2) 일체형 소켓 구조로 형성시킬 수 있다. 예로서, 제2소켓(15A)에 대한 세부적인 구조에 대해서는 아래의 도 26 ~ 29에서 상세히 설명하기로 한다.
광센서 모듈(15A-2)은 주변 광량을 감지하는 센서가 포함된 모듈이다. 예로서, 광센서 모듈(15A-2)은 포토다이오드 및 이에 대한 주변 회로로 구성된 집적회로가 포함될 수 있다. 또한, 광센서 모듈(15A-2)은 포토다이오드 이외의 다양한 광 감지용 센서들이 이용될 수도 있다. 예로서, 광센서 모듈(15A-2)은 주변 광량을 감지하는 센서 및 센서에서 출력하는 신호들을 이용하여 주변 조도를 연산하는 연산부가 포함될 수 있다.
예로서, 광센서 모듈(15A-2)은 주변 광량을 감지하는 센서 및 센서에서 출력하는 신호들을 이용하여 주변 조도를 연산하는 연산부와 연산부에서 연산된 주변 조도에 상응하는 조광(dimmer) 제어신호를 생성시키는 제어부가 포함될 수 있다. 예로서, 조광 제어신호는 펄스 폭 변조(PWM) 신호 또는 직류 전압 신호가 될 수 있다.
예로서, 광센서 모듈(15A-2)에서 생성되는 신호는 커넥터를 통하여 튜블러 발광 장치(10A)의 외부로 전송할 수 있다. 다른 예로서, 광센서 모듈(15A-2)에서 생성되는 신호는 무선 통신 인터페이스를 통하여 튜블러 발광 장치(10A)의 외부로 전송할 수 있다.
예로서, 포토다이오드를 포함하는 광센서 집적회로 및 다양한 형태의 주변 회로들을 인쇄회로기판에 배치하여 광센서 모듈(15A-2)을 구현할 수 있다.
도 1b는 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치를 개념적으로 나타내는 개략도이다.
도 1b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치(10B)는 방열 부재(11), 커버(12), 발광 모듈(13) 및 제1,2소켓(14B, 15B)을 포함한다.
도 1b에 도시된 제1,2커버(11, 12) 및 발광 모듈(13)은 도 1a에 도시된 방열 부재(11), 커버(12) 및 발광 모듈(13)과 동일한 구성 요소에 해당되므로 중복적인 설명은 피하기로 한다.
제1,2소켓(14B, 15B)은 한 쌍의 소켓으로서 방열 부재(11) 및 커버(12)로 구성된 원통형 커버 유닛의 양단에 결합되는 구조를 갖는다.
예로서, 제1소켓(14B)에는 전극 단자(14B-1)가 배치되고, 제2소켓(15B)에는 더미 단자(15B-1)가 배치될 수 있다. 예로서, 더미 단자(15B-1)는 전기적으로 오픈(open)시키거나 또는 접지에 단락(short)시킬 수 있다.
제1소켓(14B)에 배치된 전극 단자(14B-1)는 발광 모듈(13)과 전기적으로 연결되는 구조를 갖는다. 예로서, 전극 단자(14B-1)로는 발광 모듈(13)에 인가되는 구동 전압이 외부로부터 공급될 수 있다.
전극 단자(14B-1)가 배치된 제1소켓(14B)에 광센서 모듈(14B-2)이 내장될 수 있다. 예로서, 제1소켓(14B)을 광센서 모듈(14B-2) 일체형 소켓 구조로 형성시킬 수 있다. 예로서, 제1소켓(14B)에 대한 세부적인 구조에 대해서는 아래의 도 10 ~ 13에서 상세히 설명하기로 한다.
광센서 모듈(14B-2)은 주변 광량을 감지하는 센서가 포함된 모듈이다. 예로서, 광센서 모듈(14B-2)은 포토다이오드 및 이에 대한 주변 회로로 구성된 집적회로가 포함될 수 있다. 또한, 광센서 모듈(14B-2)은 포토다이오드 이외의 광 감지용 센서들이 이용될 수도 있다. 예로서, 광센서 모듈(14B-2)은 주변 광량을 감지하는 센서 및 센서에서 출력하는 신호들을 이용하여 주변 조도를 연산하는 연산부가 포함될 수 있다.
예로서, 광센서 모듈(14B-2)은 주변 광량을 감지하는 센서 및 센서에서 출력하는 신호들을 이용하여 주변 조도를 연산하는 연산부와 연산부에서 연산된 주변 조도에 상응하는 조광 제어신호를 생성시키는 제어부가 포함될 수 있다. 예로서, 조광 제어신호는 펄스 폭 변조(PWM) 신호 또는 직류 전압 신호가 될 수 있다.
예로서, 광센서 모듈(14B-2)에서 생성되는 신호는 커넥터를 통하여 튜블러 발광 장치(10B)의 외부로 전송할 수 있다. 다른 예로서, 광센서 모듈(14B-2)에서 생성되는 신호는 무선 통신 인터페이스를 통하여 튜블러 발광 장치(10B)의 외부로 전송할 수 있다.
예로서, 포토다이오드를 포함하는 광센서 집적회로 및 다양한 형태의 주변 회로들을 인쇄회로기판에 배치하여 광센서 모듈(14B-2)을 구현할 수 있다.
도 1c는 본 발명의 기술적 사상에 의한 또 다른 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치를 개념적으로 나타내는 개략도이다.
도 1c에 도시된 바와 같이, 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치(10C)는 방열 부재(11), 커버(12), 발광 모듈(13) 및 제1,2소켓(14C, 15C)을 포함한다.
도 1c에 도시된 방열 부재(11), 커버(12) 및 발광 모듈(13)은 도 1a에 도시된 방열 부재(11), 커버(12) 및 발광 모듈(13)과 동일한 구성 요소에 해당되므로 중복적인 설명은 피하기로 한다.
제1,2소켓(14C, 15C)은 한 쌍의 소켓으로서 방열 부재(11) 및 커버(12)로 구성된 원통형 커버 유닛의 양단에 결합되는 구조를 갖는다.
예로서, 제1소켓(14C)에는 전극 단자(14C-1)가 배치되고, 제2소켓(15C)에는 더미 단자(15C-1)가 배치될 수 있다. 예로서, 더미 단자(15C-1)는 전기적으로 오픈(open)시키거나 또는 접지에 단락(short)시킬 수 있다.
제1소켓(14C)에는 전원 장치(14C-2)가 내장될 수 있다. 예로서, 전원 장치(14C-2)는 교류 전원을 직류 전원으로 변환시켜 광센서 모듈(15C-2)에 제공하고, 광센서 모듈(15C-2)로부터 제공받은 신호에 기초한 구동 전압을 생성시키는 회로를 포함할 수 있다.
제1소켓(14C)에 배치된 전극 단자(14C-1)는 제1소켓(14C)에 내장된 전원 장치(14C-2)와 전기적으로 연결되는 구조를 갖는다. 이에 따라서, 외부 전원은 전극 단자(14C-1)를 통하여 전원 장치(14C-2)에 인가된다. 외부 전원은 교류 전원이 될 수 있다.
그리고, 전원 장치(14C-2)는 발광 모듈(13)과 전기적으로 연결되는 구조를 갖는다. 이에 따라서, 전원 장치(14C-2)에서 생성되는 구동 전압은 발광 모듈(13)에 인가된다.
더미 단자(15C-1)가 배치된 제2소켓(15C)에는 광센서 모듈(15C-2)이 내장될 수 있다. 예로서, 제2소켓(15C)을 광센서 모듈(15C-2) 일체형 소켓 구조로 형성시킬 수 있다. 예로서, 제2소켓(15C)에 대한 세부적인 구조에 대해서는 아래의 도 10 ~ 13에서 상세히 설명하기로 한다.
광센서 모듈(15C-2)은 주변 광량을 감지하는 센서가 포함된 모듈이다. 예로서, 광센서 모듈(15C-2)은 포토다이오드 및 이에 대한 주변 회로로 구성된 집적회로가 포함될 수 있다. 또한, 광센서 모듈(15C-2)은 포토다이오드 이외의 광 감지용 센서들이 이용될 수도 있다. 예로서, 광센서 모듈(15C-2)은 주변 광량을 감지하는 센서 및 센서에서 출력하는 신호들을 이용하여 주변 조도를 연산하는 연산부가 포함될 수 있다.
예로서, 광센서 모듈(15C-2)은 주변 광량을 감지하는 센서 및 센서에서 출력하는 신호들을 이용하여 주변 조도를 연산하고, 연산된 주변 조도에 상응하는 조광 제어신호를 생성시키는 제어부가 포함될 수 있다. 예로서, 조광 제어신호는 펄스 폭 변조(PWM) 신호 또는 직류 전압 신호가 될 수 있다.
예로서, 포토다이오드를 포함하는 광센서 집적회로 및 다양한 형태의 주변 회로들을 인쇄회로기판에 배치하여 광센서 모듈(15C-2)을 구현할 수 있다.
제2소켓(15C)에 내장된 광센서 모듈(15C-2)은 제1소켓(14C)에 내장된 전원 장치(14C-2)와 전기적으로 연결되는 구조를 갖는다. 예로서, 광센서 모듈(15C-2)에서 생성되는 신호는 커넥터를 통하여 제1소켓(14C)에 포함된 전원 장치(14C-2)로 전송할 수 있다. 다른 예로서, 광센서 모듈(15C-2)에서 생성되는 신호는 무선 통신 인터페이스를 통하여 제1소켓(14C)에 포함된 전원 장치(14C-2)로 전송할 수 있다.
도 1a ~ 도 1c에 도시된 광센서 일체형 튜블러 발광 장치의 원통형 커버 유닛의 구성 예를 도 2에 도시하였다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실 예에 따른 원통형 커버 유닛은 히트 싱크(11-1), 안착부(11-2) 및 커버(12)를 포함한다. 방열 부재(11)는 히트 싱크(11-1) 및 안착부(11-2)를 포함할 수 있다. 발광 모듈(13)은 인쇄 회로 기판(13-1)과 발광 소자(13-2)가 포함될 수 있다. 예로서, 발광 소자(13-2)는 발광 다이오드가 포함될 수 있다.
커버(12)는 발광 소자(13-2)에서 발생된 빛이 통과되는 부재로써, 안착부(11-2)를 둘러싸는 구조로 형성될 수 있다. 커버(12)는 관 형상으로 형성될 수 있다. 커버(12)의 일 측에는 개구부가 길이 방향으로 길게 형성될 수 있다. 즉, 커버(12)는 'C' 형상의 단면을 갖는 관 형상으로 형성될 수 있다. 상기와 같은 커버(12)의 개구부에는 히트 싱크(11-1)가 배치될 수 있다. 이때, 히트 싱크(11-1)의 안착부(11-2)는 커버(12)의 개구부에 위치될 수 있다.
여기서, 커버(12)의 개구부는 안착부(11-2)보다 작은 크기로 형성될 수 있다. 커버(12)의 개구부를 형성하는 커버 단부(12-1)는 안착부(11-2)에 안착된 인쇄 회로 기판(13-1)에 간섭될 수 있으므로, 인쇄 회로 기판(13-1)이 안착부(11-2)에서 임의로 이탈되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 인쇄 회로 기판(13-1)은 커버(12)와 히트 싱크(11-1)의 개구된 양단부를 통해서 안착부(11-2)의 내부로 슬라이딩 삽입될 수 있다.
또한, 커버(12)의 길이 방향으로 개구된 양단부에는 제1,2소켓(14, 15)이 각각 장착될 수 있다. 제1,2소켓(14, 15)은 커버(12)의 길이 방향의 양단부를 통해 인쇄 회로 기판(13-1)이 안착부(11-2)에서 임의로 탈거되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 인쇄 회로 기판(13-1)은 히트 싱크(11-1)와 커버(12) 및 제1,2소켓(14, 15)에 의해 형상되는 밀폐공간의 내부에 수용된 구조이다.
한편, 본 발명의 일 실시 예에서는 커버(12)와 히트 싱크(11-1)가 압출 방식으로 일체로 형성될 수 있다. 즉, 커버(12)와 히트 싱크(11-1)는 압출 성형이 가능한 소재, 예를 들면 방열레진으로 형성될 수 있으며, 커버(12)와 히트 싱크(11-1)가 이중 압출 성형된 후 서로 용융상태에서 일체로 접합될 수 있다.
커버(12)는 투명 또는 반투명의 압출 소재로 형성될 수 있다. 즉, 커버(12)는 발광 소자(13-2)에서 발생된 빛이 원활하게 투과될 수 있도록 빛 투과율이 50 이상인 투명 소재 또는 반투명 소재로 형성될 수 있다. 예를 들면, 커버(12)는 폴리카보네이트(PC, Polycarbonate) 또는 확산재가 함유된 폴리카보네이트로와 같은 투명의 플라스틱 소재 또는 반투명의 플라스틱 소재로 형성될 수 있다.
히트 싱크(11-1)는 커버(12)보다 방열 성능이 높은 압출 소재로 형성될 수 있다. 즉, 히트 싱크(11-1)는 발광 소자(13-2)에서 발생된 열을 외부로 방출시킬 수 있도록 열전도성이 높은 필터(filler)가 함유된 방열레진으로 형성된다. 예를 들면, 히트 싱크(11-1)는 열전도성을 향상시킬 수 있는 필러(filler)를 함유한 수지, 즉 열전도성이 높은 필러를 함유한 폴리카보네이트로 형성될 수 있다. 열전도성을 높이기 위한 필러로는 카본 필러, 알루미나 필러, 그라파이트 필러 또는 세라믹 필러 등이 사용될 수 있다.
상기와 같이 커버(12)와 히트 싱크(11-1)가 서로 다른 소재로 형성되면, 커버(12)와 히트 싱크(11-1)의 열팽창율이 서로 다르기 때문에, 커버(12)와 히트 싱크(11-1)의 압출 성형시 커버(12)와 히트 싱크(11-1)의 형상이 임의로 변형될 수 있다. 따라서, 커버(12) 또는 히트 싱크(11-1) 중 적어도 하나에는 열팽창 계수를 변경하는 열팽창 변경 물질(미도시)이 추가로 구비될 수 있으며, 그로 인하여 커버(12)는 히트 싱크(11-1)와 동일 유사한 열팽창 계수로 물성치가 변경될 수 있다. 열팽창 변경 물질은 열팽창 계수를 변경할 수 있는 무기질 필러 또는 글라스화이버로 형성될 수 있다. 예를 들면, 무기질 필러로는 이산화티타늄(TiO2), 황산바륨(BaSO4), 또는 이산화규소(SiO2) 등이 사용될 수 있다.
발광 소자(13-2)가 안착되어 있는 인쇄 회로 기판(13-1)은 방열 기능 및 광 반사성이 우수한 재료 일수록 좋다. 예로서, FR4 타입의 인쇄회로기판(PCB)일 수 있고, 에폭시, 트리아진, 실리콘, 및 폴리이미드 등을 함유하는 유기 수지 소재 및 기타 유기 수지 소재로 형성되거나, 실리콘 나이트라이드, AlN, Al2O3 등의 세라믹 소재, 또는 금속 및 금속화합물을 소재로 하여 형성될 수 있으며, MCPCB 등을 포함할 수 있다. 또한 변형이 자유로운 연성회로기판(FPCB)을 사용하여 곡면 형상을 지닌 광 확산부에 적합하게 기판 형태를 변형할 수 도 있다.
인쇄 회로 기판(13-1)은 도 3과 같은 금속 기판으로 구현할 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 금속 기판은 제1금속층(210) 상에 형성된 절연층(220) 및 절연층(220) 상에 형성된 제2금속층(230)을 포함한다. 금속 기판의 적어도 일측 단부에는 절연층(220)을 노출시키는 단차 영역이 형성되어 있다.
제1금속층(210)은 발열 특성이 좋은 재료로 형성될 수 있으며, 예를 들어 Al, Fe 등의 금속 또는 합금으로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 절연층(220)은 기본적으로 절연 특성을 지닌 재료로 형성될 수 있으며 무기질 또는 유기질 물질을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들어 절연층(220)은 에폭시계 절연 수지로 형성될 수 있으며, 열전도성을 향상시키기 위하여 Al 분말 등의 금속 분말이 포함된 형태로 사용될 수 있다. 제2금속층(230)은 통상 Cu 박막으로 형성할 수 있다.
예로서, 상기 기판은 도 4에 도시된 것과 같이, 인쇄 회로 기판(13-1) 상에 LED칩을 직접 또는 칩을 가지는 패키지(13-2)를 실장하고 주위 영역을 둘러싸는 방수제(13-3)를 포함하는 회로 기판 일 수도 있다.
예로서, 상기 기판은 도 5와 같은 기판을 포함할 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 상기 연성 기판은 두께 및 중량을 줄일 수 있고 제조원가를 절감시킬 수 있으며 방열효율을 증대시킬 수 있는 슬림형 기판 유닛으로 제공된 수 있다. 본 발명에 의한 슬림형 기판 유닛은, 하나 이상의 관통구가 형성되는 회로기판 및 상기 관통구와 대응되는 부위의 상기 회로기판 상측에 결합되는 엘이디 칩 또는 패키지를 포함하여 구성된다. 상기 슬림형 기판 유닛의 기판 부재로 연성기판을 사용하여 두께 및 중량 감소를 통해 슬림화 및 경량화가 가능해지고 제조원가가 절감되며, 방열 접착제에 의해 엘이디 칩 또는 패키지가 지지 기판에 직접 결합시켜 엘이디 칩 또는 패키지에서 발생되는 열의 방열 효율을 증대 할 수 있다.
도 5를 참조하면 상기 연성 기판은 하나 이상의 관통구(370)가 형성되는 연성인쇄회로기판(310), 상기 관통구(370)와 대응되는 부위의 상기 연성인쇄회로기판(310) 상측에 결합되는 엘이디 칩 또는 패키지(320), 상기 연성인쇄회로기판(310)이 안착되는 지지기판(350) 및 상기 관통구(370)에 마련되어 상기 엘이디 칩 또는 패키지(320)의 저면과 상기 지지 기판(350) 상면을 결합시키는 방열 접착제(360)를 포함할 수 있다. 상기 패키지의 저면은 엘이디 칩의 바닥 면이 직접 노출된 칩 패키지 저면 일 수 있으며 혹은 상면에 칩이 실장된 리드프레임의 저면 혹은 메탈 블록 일 수 있다.
예로서, 상기 기판은 도 6과 같은 기판을 포함할 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 회로기판(410)은 절연층(413)과 상기 절연층(413) 위에 적층된 동박으로 이루어진 레진코팅동박막(RCC; 412)을 방열 지지 기판(411) 위에 적층하여 형성되며, 회로층(414) 위에 액상 PSR(Photo Solder Resister)로 이루어지는 보호층(420)이 적층된다. 상기 레진코팅동박막(412)의 일부를 제거하여 엘이디 칩 또는 패키지(430)가 장착되는 적어도 하나의 홈이 형성된 금속동박적층판(MCCL)을 구비한다. 이러한 회로기판은 엘이디 칩 또는 패키지(430)에서의 광원이 수시되는 하부영역의 절연층을 제거하여 광원이 방열기판에 접촉됨으로써 광원으로부터 발생된 열이 방열기판에 바로 전달됨으로써 방열성능이 향상된다.
예로서, 상기 기판은 도 7과 같은 기판을 포함할 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 기판(510)은 절연 기판으로 상면에 동박에 의하여 형성된 회로 패턴(511, 512)이 형성되며, 하면에 절연물질로 얇게 코팅처리되어 절연박막(513)이 형성된다. 이 때 코팅 방법은 스퍼터링이나 스프레이 등의 다양한 방법이 이용될 수 있다. 또한, 기판(510)의 상면과 하면에는 LED 모듈(500)에서 발생하는 열을 방출하는데 사용되는 상하부 열확산판(514, 516)이 형성되며, 특히 상부 열확산판(514)은 회로 패턴(511)과 직접 접촉된다. 예로서, 절연박막(513)으로 사용된 절연물질은 열패드에 비해 열전도가 매우 낮지만 두께를 매우 얇게 형성하여 열패드에 비해 낮은 열저항을 구현할 수 있다. LED 모듈(500)에서 발생한 열은 상부 열확산판(514)을 거쳐 하부 열확산판(516)으로 전도되어 새시(530)로 방출될 수 있다.
기판(510)과 상하부 열확산판(514, 516)에는 기판(510)과 수직하도록 2개의 관통공(515)이 형성될 수 있다. LED 모듈(500)은 LED 칩(517), LED 전극(518, 519), 플라스틱 몰딩 케이스(521) 및 렌즈(520) 등을 포함할 수 있다. 상기 회로 기판(510)은 절연기판으로 세라믹 또는 에폭시 수지 계열인 FR4-core 위에 동박을 입히고 식각공정을 통해 회로패턴이 형성 될 수 있다.
LED 모듈(500)은 적색빛을 내는 LED, 녹색빛을 내는 LED, 그리고 청색빛을 내는 LED 중 적어도 하나 이상이 실장 될 수 있으며 상기 청색 LED상면에는 적어도 한 종류의 형광물질이 도포될 수 있다.
상기 형광 물질은 입자형태의 분말이 수지에 혼합된 상태로 도포 될 수도 있으며 형광체 분말이 소성되어 세라믹 플레이트 형상의 층으로 LED상면에 위치 할 수도 있다. 상기 분말 형광물질의 사이즈는 1um ~ 50um 좋게는 5um ~ 20um일 수 있으며, 나노 형광체일 경우 1 ~ 500nm 좋게는 10 ~ 50nm 크기의 양자점(Quantum Dot) 일 수도 있다.
예로서, 상기 기판은 도 8과 같은 금속 기판을 포함할 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 금속 기판(600)은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 금속 플레이트(601)와 이 금속 플레이트(601) 상면에 형성된 알루미늄 양극산화막(603)을 포함한다. 금속 플레이트(601) 상에는 LED 칩 등과 같은 열 발생 소자(606-608)들이 실장될 수 있다. 양극산화막(603)은 배선(605)과 금속 플레이트(601)를 서로 절연시키는 역할을 할 수 있다.
상기 금속 기판(600)은 비교적 저가로 손쉽게 얻을 수 있는 알루미늄 또는 알루미늄 합금 일 수 있으며, 그 밖에도, 상기 금속 기판은 양극산화 가능한(anodisable) 다른 금속으로 이루어질 수 있는 바, 예컨대 티타늄, 마그네슘 등의 재료가 가능하다.
알루미늄을 양극산화(anodizing) 처리하여 얻은 알루미늄 양극산화막(Al2O3)도 약 10 내지 30 W/mK의 비교적 높은 열 전달 특성을 갖는다. 따라서, 상기 양극산화 금속기판은 종래의 폴리머 기판의 PCB 또는 MCPCB에 비하여 더 우수한 열 방출 특성을 나타내게 된다.
예로서, 상기 기판은 도 9와 같은 회로 기판을 포함할 수 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 회로 기판(900)은 메탈기판(910)에 도포된 절연수지(930)와, 절연수지(930)에 형성된 회로패턴(941,942)과, 회로패턴(941,942)과 전기적으로 연결되도록 실장되는 LED 모듈(950)을 포함한다. 여기서, 절연수지(930)는 200㎛ 이하의 두께를 가지며, 고상의 필름형태로 금속기판에 라미네이션(lamination)되거나 액상형태로 스핀코팅이나 블레이드를 이용한 주조방식으로 섀시에 도포된다. 또한, 회로패턴(941,942)은 절연수지(930)에 음각된 회로패턴의 문양에 구리 등의 금속물질이 충진되어 형성된다.
도 9를 참조하면, LED 모듈(950)은 LED 칩(951), LED 전극(952, 953), 플라스틱 몰딩 케이스(954) 및 렌즈(955)를 포함한다.
본 실시 형태에서 발광소자는 LED 칩을 내부에 구비하는 패키지 단품을 예시하고 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 발광소자는 LED 칩 자체일 수 있다. 이 경우, LED 칩은 COB 타입으로 상기 기판(910) 상에 실장되어 플립칩 본딩 방식 또는 와이어 본딩 방식으로 상기 기판(910)과 직접 전기적 연결을 이룰 수 있다.
상기 발광소자는 복수개로 상기 기판(910)을 따라서 배열될 수 있다. 이 경우, 상기 발광소자는 동일한 파장의 빛을 발생시키는 동종(同種)일 수 있다. 또한, 서로 상이한 파장의 빛을 발생시키는 이종(異種)으로 다양하게 구성될 수도 있다.
예를 들어, 발광소자는 청색 LED에 황색, 녹색, 적색 또는 오렌지색의 형광체를 조합하여 백색광을 발하는 발광소자와 보라색, 청색, 녹색, 적색 또는 적외선 발광소자 중 적어도 하나를 포함하게 구성 할 수 있다. 이 경우, 조명장치는 연색성(CRI)을 나트륨(Na)등(40)에서 태양광(100) 수준으로 조절할 수 있으며 또한 색 온도를 촛불(1500K)에서 파란하늘(12000K) 수준으로 다양한 백색광을 발생시킬 수 있으며, 필요에 따라서는 보라색, 청색, 녹색, 적색, 오렌지색의 가시광 또는 적외선을 발생시켜 주위 분위기 또는 기분에 맞게 조명 색을 조절 할 수 있다. 또한 식물 성장을 촉진 할 수 있는 특수 파장의 광을 발생시킬 수도 있다.
상기 청색 LED에 황색, 녹색, 적색 형광체 및/또는 녹색, 적색 발광소자의 조합으로 만들어지는 백색광은 2개 이상의 피크 파장을 가지며 CIE 1931 좌표계의 (x, y)좌표가 (0.4476, 0.4074), (0.3484, 0.3516),(0.3101, 0.3162), (0.3128, 0.3292), (0.3333, 0.3333)을 잇는 선분 상에 위치할 수 있다. 또는 상기 선분과 흑체 복사 스펙트럼으로 둘러싸인 영역에 위치 할 수 있다. 상기 백색광의 색온도는 2000K ~ 20000K사이에 해당 한다. 도 10에 색온도 스펙트럼(Planckian spectrum)을 도시하였다.
예로서, LED에서 사용하는 형광체는 아래와 같은 조성식 및 Color를 가질 수 있다.
산화물계 : 황색 및 녹색 (Y, Lu, Se, La, Gd, Sm)3(Ga, Al)5O12:Ce, 청색 BaMgAl10O17:Eu, 3Sr3(PO4)2ㅇCaCl：Eu
실리케이트계 : 황색 및 녹색 (Ba, Sr)2SiO4:Eu, 황색 및 등색 (Ba, Sr)3SiO5:Eu
질화물계 : 녹색 β-SiAlON:Eu, 황색 (La, Gd, Lu, Y, Sc)3Si6N11:Ce, 등색 α-SiAlON:Eu,적색 (Sr, Ca)AlSiN3:Eu, (Sr, Ca)AlSi(ON)3:Eu, (Sr, Ca)2Si5N8:Eu, (Sr, Ca)2Si5(ON)8:Eu, (Sr, Ba)SiAl4N7:Eu
황화물계 : 적색 (Sr, Ca)S:Eu, (Y, Gd)2O2S:Eu, 녹색 SrGa2S4:Eu
형광체 조성은 기본적으로 화학양론(Stoichiometry)에 부합하여야 하며, 각 원소들은 주기율표상 각 족들 내 다른 원소로 치환이 가능하다. 예를 들어 Sr 은 알카리토류(II)족의 Ba, Ca, Mg 등으로, Y 은 란탄계열의 Tb, Lu, Sc, Gd 등으로 치환이 가능하다, 또한 활성제인 Eu 등은 원하는 에너지 준위에 따라 Ce, Tb, Pr, Er, Yb 등으로 치환이 가능하며, 활성제 단독 또는 특성 변형을 위해 부활성제등이 추가로 적용될 수 있다.
또한, 형광체 대체 물질로 양자점(Quantum Dot) 등의 물질들이 적용될 수 있으며, LED에 형광체와 QD를 혼합 또는 단독으로 사용될 수 있다.
QD는 CdSe, InP 등의 Core (3 ~ 10nm)와 ZnS, ZnSe 등의 Shell (0.5 ~ 2nm)및 Core, Shell 의 안정화를 위한 Regand의 구조로 구성될 수 있으며, Size 에 따라 다양한 칼라를 구현할 수 있다. 도 11은 양자점(QD) 구조를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 12는 청색 LED(440 ~ 460nm)를 사용한 백색 발광 소자의 응용 분야별 형광체 종류를 예시적으로 보여준다.
형광체 또는 양자점(Quantum Dot)의 도포 방식은 크게 LED Chip 또는 발광소자에 뿌리는 방식, 또는 막 형태로 덮는 방식, 필름 또는 Ceramic형광체 등의 Sheet 형태를 Attach 하는 방식 중 적어도 하나를 사용 할 수 있다.
뿌리는 방식으로는 Dispensing, Spray Coating 등이 일반적이며 Dispensing 은 공압방식과 Screw, Linear type 등의 Mechanical 방식을 포함한다. Jetting 방식으로 미량 토출을 통한 도팅량 제어 및 이를 통한 색좌표 제어도 가능하다. Wafer Level 또는 발광소자 기판상에 Spray 방식으로 형광체를 일괄 도포하는 방식은 생산성 및 두께 제어가 용이할 수 있다.
발광소자 또는 LED Chip 위에 막 형태로 직접 덮는 방식은 전기영동, Screen Printing 또는 형광체의 몰딩 방식으로 적용될 수 있으며 Chip 측면의 도포 유무 필요에 따라 해당 방식의 차이점을 가질 수 있다.
발광 파장이 다른 2종 이상의 형광체 中 단파장에서 발광하는 광을 재 흡수하는 장파장 발광 형광체의 효율을 제어하기 위하여 발광 파장이 다른 2종 이상의 형광체층을 구분할 수 있으며, Chip 과 형광체 2종 이상의 파장 재흡수 및 간섭을 최소화 하기 위하여 각 층 사이에 DBR (ODR) 층을 포함 할 수 있다.
균일 도포막을 형성하기 위하여 형광체를 필름 또는 세라믹 형태로 제작 후 Chip 또는 발광소자 위에 attach 할 수 있다.
광 효율, 배광 특성에 차이점을 주기 위하여 Remote 형식으로 광변환 물질을 위치할 수 있으며, 이 때 광변환 물질은 내구성, 내열성에 따라 투광성 고분자, 유리등의 물질 등과 함께 위치한다.
형광체 도포 기술은 LED Device에서 광특성을 결정하는 가장 큰 역할을 하게 되므로, 형광체 도포층의 두께, 형광체 균일 분산 등의 제어 기술들이 다양하게 연구되고 있다. QD 또한 형광체와 동일한 방식으로 LED Chip 또는 발광소자에 위치할 수 있으며, 유리 또는 투광성 고분자 물질 사이에 위치하여 광 변환을 할 수 도 있다.
LED Chip 또는 발광소자를 외부 환경으로부터 보호하거나, 발광소자 외부로 나가는 광 추출 효율을 개선하기 위하여 충진재로 투광성 물질을 상기 LED Chip 또는 발광소자 상에 위치할 수 있다.
이 때 적용되는 투광성 물질은 Epoxy, Silicone, Epoxy 와 Silicone의 Hybrid 등의 투명 유기용제가 적용되며, 가열, 광 조사, 시간 경과 등의 방식으로 경화하여 사용할 수 있다.
상기 Silicone 은 Polydimethyl siloxane 을 Methyl 계로 Polymethylphenyl siloxane 을 Phenyl 계로 구분하며, Methyl 계와 Phenyl 계에 따라 굴절률, 투습률, 광투과율, 내광안정성, 내열안정성에 차이를 가지게 된다. 또한, Cross Linker 와 촉매재에 따라 경화 속도에 차이를 가지게 되어 형광체 분산에 영향을 준다.
충진재의 굴절률에 따라 광 추출 효율은 차이를 가지게 되며, Blue 광이 방출되는 부분의 Chip 최외각 매질의 굴절률과 Air로 방출되는 굴절률의 Gap을 최소로 해주기 위하여 굴절률이 다른 이종 이상의 Silicone 을 순차적으로 적층할 수 있다.
일반적으로 내열 안정성은 Methyl 계가 가장 안정하며, Phenly 계, Hybrid, Epoxy 순으로 온도 상승에 변화율이 적다. Silicone은 경도에 따라 Gel type, Elastomer type, Resin type 으로 구분할 수 있다.
광원에서 조사된 빛을 방사상으로 안내하기 위해 발광 소자에 렌즈를 더 포함 할 수 있으며, Lens는 기 성형된 Lens를 LED Chip 또는 발광소자 위에 Attach하는 방식과 유동성의 유기 용제를 LED Chip 또는 발광소자가 실장된 성형틀에 주입하여 고형화하는 방식등을 포함한다.
Lens Attach 방식은 Chip 상부의 충진재에 직접 부착하거나, 발광소자 외곽과 Lens 외곽만 접착하여 충진재와 공간을 두는 방식 등이 있다. 성형틀에 주입하는 방식으로는 Injection Molding, Transfer Molding, Compression Molding 등의 방식이 사용될 수 있다.
Lens의 형상 (오목, 볼록, 요철, 원뿔, 기하학 구조) 등에 따라 배광 특성이 변형되며, 효율 및 배광 특성의 요구에 맞게 변형이 가능하다.
상기 발광소자는 다양한 구조의 LED 칩 또는 이러한 LED 칩을 포함한 다양한 형태의 LED 패키지가 사용될 수 있다. 이하, 본 조명장치들에 유익하게 채용될 수 있는 다양한 LED 칩 및 LED 패키지를 상세히 설명하기로한다.
<LED 칩 - 제1 예>
도 13에는 상술된 조명장치에 사용될 수 있는 LED 칩의 일 예를 나타내는 측단면도이다.
도 13에 도시된 바와 같이, LED 칩(1500)은 반도체 기판(1501) 상에 형성된 발광 적층체(S)를 포함한다. 상기 발광 적층체(S)는 제1 도전형 반도체층(1504), 활성층(1505) 및 제2 도전형 반도체층(1506)을 포함한다.
또한, 제2 도전형 반도체층(1506) 상에 형성된 오믹전극층(1508)을 포함하며, 제1 도전형 반도체층(1504) 및 오믹 콘택층(1508)의 상면에는 각각 제1 및 제2 전극(1509a, 1509b)이 형성된다.
본 명세서에서, '상부', '상면', '하부', '하면', '측면' 등의 용어는 도면을 기준으로 한 것이며, 실제로는 소자가 배치되는 방향에 따라 달라질 수 있을 것이다.
이하, LED 칩(1505)의 주요 구성요소에 대해서 보다 상세하게 설명하기로 한다.
상기 기판(1501)으로는 필요에 따라 절연성, 도전성 또는 반도체 기판이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(1501)은 사파이어, SiC, Si, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN일 수 있다. GaN 물질의 에피성장을 위해서는 동종 기판인 GaN 기판이 좋으나, GaN 기판은 그 제조상의 어려움으로 생산단가가 높은 문제가 있다.
이종 기판으로는 사파이어, 실리콘 카바이드(SiC) 기판 등이 주로 사용되고 있으며. 가격이 비싼 실리콘 카바이드 기판에 비해 사파이어 기판이 더 많이 활용되고 있다. 이종 기판을 사용할 때는 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자상수의 차이로 인해 전위(dislocation) 등 결함이 증가한다. 또한, 기판 물질과 박막 물질 사이의 열팽창계수의 차이로 인해 온도 변화시 휨이 발생하고, 휨은 박막의 균열(crack)의 원인이 된다. 기판(1501)과 GaN계인 발광 적층체(S) 사이의 버퍼층(1502)을 이용해 이러한 문제를 감소시킬 수도 있다.
상기 기판(1501)은 LED 구조 성장 전 또는 후에 LED 칩의 광 또는 전기적 특성을 향상시키기 위해 칩 제조 과정에서 완전히 또는 부분적으로 제거되거나 패터닝하는 경우도 있다.
예를 들어, 사파이어 기판인 경우는 레이저를 기판을 통해 반도체층과의 계면에 조사하여 기판을 분리할 수 있으며, 실리콘이나 실리콘 카바이드 기판은 연마/에칭 등의 방법에 의해 제거할 수 있다.
또한, 상기 기판 제거 시에는 다른 지지 기판을 사용하는 경우가 있으며 지지기판은 원 성장 기판의 반대쪽에 LED 칩의 광효율을 향상시키게 위해서, 반사 금속을 사용하여 접합하거나 반사구조를 접합층의 중간에 삽입할 수 있다.
기판 패터닝은 기판의 주면(표면 또는 양쪽면) 또는 측면에 LED 구조 성장 전 또는 후에 요철 또는 경사면을 형성하여 광 추출 효율을 향상시킨다. 패턴의 크기는 5nm ~ 500㎛ 범위에서 선택될 수 있으며 규칙 또는 불규칙적인 패턴으로 광 추출 효율을 좋게 하기 위한 구조면 가능하다. 모양도 기둥, 산, 반구형, 다각형 등의 다양한 형태를 채용할 수 있다.
상기 사파이어 기판의 경우, 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a측 방향의 격자상수가 각각 13.001Å과 4.758Å이며, C(0001)면, A(1120)면, R(1102)면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다.
상기 기판의 다른 물질로는 Si 기판을 들 수 있으며, 대구경화에 보다 적합하고 상대적으로 가격이 낮아 양산성이 향상될 수 있다. (111)면을 기판 면으로 갖는 Si 기판이 GaN와의 격자상수의 차이가 17% 정도로 격자 정수의차이로 인한 결정 결함의 발생을 억제하는 기술이 필요하다. 또한, 실리콘과 GaN 간의 열팽창률의 차이는 약 56%정도로, 이 열팽창률 차이로 인해서 발생한 웨이퍼 휨을 억제하는 기술이 필요하다. 웨이퍼 휨으로 인해, GaN 박막의 균열을 가져올 수 있고, 공정 제어가 어려워 동일 웨이퍼 내에서 발광 파장의 산포가 커지는 등의 문제를 발생시킬 수 있다.
상기 실리콘(Si) 기판은 GaN계 반도체에서 발생하는 빛을 흡수하여 발광소자의 외부 양자 효율이 낮아지므로, 필요에 따라 상기 기판을 제거하고 반사층이 포함된 Si, Ge, SiAl, 세라믹, 또는 금속 기판 등의 지지기판을 추가로 형성하여 사용한다.
상기 Si 기판과 같이 이종 기판상에 GaN 박막을 성장시킬 때, 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자 상수의 불일치로 인해 전위(dislocation) 밀도가 증가하고, 열팽창 계수 차이로 인해 균열(crack) 및 휨이 발생할 수 있다. 발광 적층체의 전위 및 균열을 방지하기 위한 목적으로 기판(1501)과 발광적층체(S) 사이에 버퍼층(1502)을 배치시킨다. 버퍼층은 활성층 성장시 기판의 휘는 정도를 조절해 웨이퍼의 파장 산포를 줄이는 기능도 한다.
상기 버퍼층(1502)은 AlxInyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1), 특히 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, 또는 InGaNAlN를 사용할 수 있으며, 필요에 따라 ZrB2, HfB2, ZrN, HfN, TiN 등의 물질도 사용할 수 있다. 또한, 복수의 층을 조합하거나, 조성을 점진적으로 변화시켜 사용할 수도 있다.
Si 기판은 GaN와 열팽창 계수 차이가 크기 때문에, , 실리콘 기판에 GaN계 박막 성장시, 고온에서 GaN 박막을 성장시킨 후, 상온으로 냉각시 기판과 박막 간의 열팽창 계수의 차이에 의해 GaN 박막에 인장응력이 가해져 균열이 발생하기 쉽다. 균열을 막기 위한 방법으로 성장 중에 박막에 압축 응력이 걸리도록 성장하는 방법을 이용해 인장응력을 보상한다.
실리콘(Si)은 GaN과의 격자 상수 차이로 인해, 결함 발생 가능성도 크다. Si 기판을 사용하는 경우는 결함 제어뿐만 아니라 휨을 억제하기 위한 응력 제어를 동시에 해줘야 하기 때문에 복합 구조의 버퍼층을 사용한다.
예를 들어, 먼저 기판(1501) 상에 AlN를 형성한다. Si와 Ga 반응을 막기 위해 Ga을 포함하지 않은 물질을 사용하는 것이 좋다. AlN 뿐만 아니라 SiC 등의 물질도 사용할 수 있다. Al 소스와 N 소스를 이용하여 400 ~ 1300 ℃ 사이의 온도에서 성장시킨다. 필요에 따라, 복수의 AlN 층 사이에 GaN 중간에 응력을 제어하기 위한 AlGaN 중간층을 삽입할 수 있다.
상기 발광적층체(S)가 3족 질화물 반도체의 다층 구조를 구비하는 발광적층체(S)를 보다 자세히 설명하면, 제1 및 제2 도전형 반도체층(1504, 1506)은 각각 n형 및 p형 불순물이 도핑된 반도체로 이루어질 수 있으며, 다만, 이에 제한되는 것은 아니고 반대로 각각 p형 및 n형 반도체층이 될 수도 있을 것이다. 예를 들어,제1 및 제2 도전형 반도체층(1504, 1506)은 3족 질화물 반도체, 예컨대, AlxInyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 물론, 이에 한정되지 않으며, AlGaInP계열 반도체나 AlGaAs계열 반도체와 같은 물질도 이용될 수 있을 것이다.
한편, 제1 및 제2 도전형 반도체층(1504, 1506)은 단층 구조로 이루어질 수 있지만, 이와 달리, 필요에 따라 서로 다른 조성이나 두께 등을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 도전형 반도체층(1504, 1506)은 각각 전자 및 정공의 주입 효율을 개선할 수 있는 캐리어 주입층을 구비할 수 있으며, 또한, 다양한 형태의 초격자 구조를 구비할 수도 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(1504)은 활성층(1505)과 인접한 부분에 전류 확산층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 상기 전류확산층은 서로 다른 조성을 갖거나, 서로 다른 불순물 함량을 갖는 복수의 InxAlyGa(1-x-y)N층이 반복해서 적층되는 구조 또는 절연 물질 층이 부분적으로 형성될 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(1506)은 활성층(1505)과 인접한 부분에 전자 차단층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 상기 전자차단층은 복수의 서로 다른 조성의 InxAlyGa(1-x-y)N를 적층한 구조 또는 AlyGa(1-y)N로 구성된 1층 이상의 층을 가질 수 있으며, 활성층(1505)보다 밴드갭이 커서 제2 도전형(p형) 반도체층(1506)으로 전자가 넘어가는 것을 방지한다.
상기 발광 적층체(S)는 MOCVD 장치를 사용하며, 제조방법으로는 기판(1501)을 설치한 반응 용기 내에 반응 가스로 유기 금속 화합물 가스(예, 트리메틸 갈륨 (TMG), 트리메틸 알루미늄(TMA) 등)와 질소 함유 가스(암모니아(NH3) 등)를 공급하고, 기판의 온도를 900℃∼1100℃의 고온으로 유지하고, 기판상에 질화 갈륨계 화합물 반도체를 성장하면서, 필요에 따라 불순물 가스를 공급해, 질화 갈륨계 화합물 반도체를 언도프, n형, 또는 p형으로 적층한다. n형 불순물로는 Si이 잘 알려져 있고, p 형 불순물으로서는 Zn, Cd, Be, Mg, Ca, Ba 등이 있으며, 주로 Mg, Zn가 사용될 수 있다.
또한, 제1 및 제2 도전형 반도체층(1504, 1506) 사이에 배치된 활성층(1505)은 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자우물(MQW) 구조, 예컨대, 질화물 반도체일 경우, GaN/InGaN 구조가 사용될 수 있으며, 다만, 단일 양자우물(SQW) 구조를 사용할 수도 있을 것이다.
상기 오믹 콘택층(1508)은 불순물 농도를 상대적으로 높게 해서 오믹 컨택 저항을 낮추어 소자의 동작 전압을 낮추고 소자 특성을 향상 시킬 수 있다. 상기 오믹 컨택층(1508)은 GaN, InGaN, ZnO, 또는 그래핀층으로 구성 될 수 있다.
제1 또는 제2 전극(1509a, 1509b)으로는 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 등의 물질을 포함할 수 있으며, Ni/Ag, Zn/Ag, Ni/Al, Zn/Al, Pd/Ag, Pd/Al, Ir/Ag. Ir/Au, Pt/Ag, Pt/Al, Ni/Ag/Pt 등과 같이 2층 이상의 구조로 채용될 수 있다.
도 13에 도시된 LED 칩은 하나의 예로 제1 및 제2 전극이 광추출면과 동일한 면을 향하고 있는 구조이나 광추출면과 반대 방향으로되는 플립칩 구조, 제1 전극 및 제2 전극을 상호 반대되는 면에 형성된 수직구조, 전류 분산의 효율 및 방열 효율을 높이기 위한 구조로 칩에 여러 개의 비아를 형성하여 전극구조를 채용한 수직수평 구조등 다양한 구조로 구현될 수 있다.
<LED 칩 - 제2 예>
조명용으로 고출력을 위한 대면적발광소자 칩을 제조하는 경우, 전류 분산의 효율 및 방열 효율을 높이기 위한 구조로도58에 도시된 LED 칩이 있을 수 있다.
도 14에 도시된 바와 같이, LED 칩(1600)은 순차적으로 적층된 제1 도전형 반도체층(1604), 활성층(1605), 제2 도전형 반도체층(1606), 제2 전극층(1607), 절연층(1602), 제1 전극층(1608) 및 기판(1601)을 포함한다. 이 때 제1 전극층(1608)은 제1 도전형 반도체층(1604)에 전기적으로 접속하기 위하여 제2 도전형 반도체층(1606) 및 활성층(1605)과는 전기적으로 절연되어 제1 전극층(1608)의 일면으로부터 제1 도전형 반도체층(1604)의 적어도 일부 영역까지 연장된 하나 이상의 콘택 홀(H)을 포함한다. 상기 제1 전극층(1608)은 본 실시예에서 필수적인 구성요소는 아니다.
상기 콘택홀(H)은 제1 전극층(1608)의 계면에서부터 제2 전극층(1607), 제2 도전형 반도체층(1606) 및 활성층(1605)을 통과하여 제1 도전형 반도체층(1604) 내부까지 연장된다. 적어도 활성층(1605) 및 제1 도전형 반도체층(1604)의 계면까지는 연장되고, 바람직하게는 제1 도전형 반도체층(1604)의 일부까지 연장된다. 다만, 콘택홀(H)은 제1 도전형 반도체층(1604)의 전기적 연결 및 전류분산을 위한 것이므로 제1 도전형 반도체층(1604)과 접촉하면 목적을 달성하므로 제1 도전형 반도체층(1604)의 외부표면까지 연장될 필요는 없다.
제2 도전형 반도체층(1606) 상에 형성된 제2 전극층(1607)은, 광 반사 기능과 제2 도전형 반도체층(1606)과 오믹 컨택 기능을 고려하여 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 등의 물질 중에서 선택하여 사용 할 수 있으며, 스퍼터링이나 증착 등의 공정을 이용할 수 있다.
상기 콘택홀(H)은 상기 제1 도전형 반도체층(1604)에 연결되도록 제2 전극층(1607), 제2 도전형 반도체층(1606) 및 활성층(1605)을 관통하는 형상을 갖는다. 이러한 콘택홀(H)은 식각 공정, 예컨대, ICP-RIE 등을 이용하여 실행될 수 있다.
상기 콘택홀(H)의 측벽과 상기 제2 도전형 반도체층(1606) 표면을 덮도록 절연체(1602)를 형성한다. 이 경우, 상기 콘택홀(H)의 저면에 해당하는 제1 도전형 반도체층(1604)은 적어도 일부가 노출될 수 있다.상기 절연체(1602)는 SiO2, SiOxNy, SixNy과 같은 절연 물질을 증착시켜 형성될 수 있다.
상기 콘택홀(H) 내부에는 도전 물질을 충전되어 형성된 도전성 비아를 포함한 제2 전극층(1608)이 형성된다. 이어 제2 전극층(1608) 상에 기판(1601)을 형성한다. 이러한 구조에서, 기판(1601)은 제1 도전형 반도체층(1604)과 접속되는 도전성 비아에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 기판(1601)은 이에 한정되지는 않으나 Au, Ni, Al, Cu, W, Si, Se, GaAs, SiAl, Ge, SiC, AlN, Al2O3, GaN, AlGaN 중 어느 하나를 포함하는 물질로 이루어질 수 있으며, 도금, 스퍼터링, 증착 또는 접착 등의 공정으로 형성될 수 있다.
상기 콘택홀(H)은 접촉 저항이 낮아지도록 개수, 형상, 피치, 제1 및 제2 도전형 반도체층(1604, 1606)과의 접촉 면적 등이 적절히 조절될 수 있으며, 행과 열을 따라 다양한 형태로 배열됨으로써 전류 흐름이 개선될 수 있다. 이 경우, 도전성 비아(31)는 절연부(50)에 의하여 둘러싸여 활성층(22) 및 제2 도전형 반도체층(23)과 전기적으로 분리될 수 있다.
<LED 칩- 제3 예>
LED 조명 장치는 방열 특성이 개선된 특징을 제공하고 있으나, 전체적인 방열 성능 측면에서 볼 때에, 조명장치에 채용되는 LED 칩 자체를 발열량이 적은 LED 칩으로 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 요건을 만족하는 LED칩으로서, 나노 구조체를 포함한 LED 칩(이하, "나노 LED 칩"이라 함)이 사용될 수 있다.
이러한 나노 LED 칩으로 최근에 개발된 코어(core)/셀(shell)형 나노 LED 칩이 있으며, 특히, 결합 밀도가 작아서 상대적으로 열 발생이 작을 뿐만 아니라, 나노 구조체를 활용하여 발광면적을 늘려 발광 효율을 높일 수 있으며, 비극성 활성층을 얻을 수 있어 분극에 의한 효율저하를 방지할 수 있으므로, 드랍(droop)특성을 개선할 수 있다.
도 15에는 상술된 조명장치에 채용될 수 있는 LED 칩의 또 다른 예로서 나노 LED 칩이 예시되어 있다.
도 15에 도시된 바와 같이, 나노 LED칩(1700)은 기판(1701) 상에 형성된 다수의 나노 발광 구조체(N)를 포함한다. 본 예에서 나노 발광 구조체(N)는 코어-셀(core-shell) 구조로서 로드구조로 예시되어 있으나, 이에 한정되지 않고 피라미드 구조와 같은 다른 구조를 가질 수 있다.
상기 나노 LED 칩(1700)은 기판(1701) 상에 형성된 베이스층(1702)을 포함한다. 상기 베이스층(1702)은 나노 발광 구조체(N)의 성장면을 제공하는 층으로서 상기 제1 도전형 반도체일 수 있다. 상기 베이스층(1702) 상에는 나노 발광 구조체(N)(특히, 코어) 성장을 위한 오픈영역을 갖는 마스크층(1703)이 형성될 수 있다. 상기 마스크층(1703)은 SiO2 또는 SiNx와 같은 유전체 물질일 수 있다.
상기 나노 발광 구조체(N)는 오픈영역을 갖는 마스크층(1703)을 이용하여 제1 도전형 반도체를 선택 성장시킴으로써 제1 도전형 나노 코어(1704)를 형성하고, 상기 나노 코어(1704)의 표면에 쉘층으로서 활성층(1705) 및 제2 도전형 반도체층(1706)을 형성한다. 이로써, 나노 발광 구조체(N)는 제1 도전형 반도체가 나노 코어가 되고, 나노 코어를 감싸는 활성층(1705) 및 제2 도전형 반도체층(1706)이 쉘층이 되는 코어-쉘(core-shell) 구조를 가질 수 있다.
본 예에 따른 나노 LED 칩(1700)은 나노발광 구조체(N) 사이에 채워진 충전물질(1707)을 포함한다. 상기 충전물질(1707)은 나노 발광 구조체(N)를 구조적으로 안정화시킬 수 있다. 상기 충전물질(1707)은 이에 한정되지는 않으나, SiO2와 같은 투명한 물질로 형성될 수 있다. 상기 나노 발광 구조체(N) 상에는 제2 도전형 반도체층(1706)에 접속되도록 오믹콘택층(1708)이 형성될 수 있다. 상기 나노 LED 칩(1700)은 제1 도전형 반도체로 이루어진 상기 베이스층(1702)과 상기 오믹콘택층(1708)에 각각 접속된 제1 및 제2 전극(1709a,1709b)을 포함한다.
나노 발광 구조체(N)의 직경 또는 성분 또는 도핑 농도를 달리 하여 단일한 소자에서 2 이상의 다른 파장의 광을 방출할 수 있다. 다른 파장의 광을 적절히 조절하여 단일 소자에서 형광체를 사용하지 않고도 백색광을 구현할 수 있으며, 이러한 소자와 함께 다른 LED 칩을 결합하거나 또는 형광체와 같은 파장변환 물질을 결합하여 원하는 다양한 색깔의 광 또는 색온도가 다른 백색광을 구현할 수 있다.
<LED 칩 - 제4 예>
도 16에는 상술된 조명장치에 채용될 수 있는 광원으로서, 실장 기판(1820) 상에 실장된 LED 칩(1810)을 갖는 반도체 발광소자(1800)가 도시되어 있다.
도 16에 도시된 반도체 발광소자(1800)는 실장 기판(1820)과 실장 기판(1820)에 탑재된 LED 칩(1810)을 포함한다. 상기 LED 칩(1810)은 앞서 설명된 예와 다른 LED 칩으로 제시되어 있다.
상기 LED 칩(1810)은 기판(1801)의 일면 상에 배치된 발광 적층체(S)와, 상기 발광 적층체(S)를 기준으로 상기 기판(1801) 반대 측에 배치된 제1 및 제2 전극 (1808a,1808b)을 포함한다. 또한, 상기 LED 칩(1810)은 상기 제1 및 제2 전극(1808a,1808b)을 덮도록 형성되는 절연부(1803)를 포함한다.
상기 제1 및 제2 전극(1808a, 1808b)은 제1 및 제2 전기연결부(1809a,1809b)에 의해 제1 및 제2 전극 패드(1819a,1819b)를 포함할 수 있다.
상기 발광 적층체(S)는 기판(1801) 상에 순차적으로 배치되는 제1 도전형 반도체층(1804), 활성층(1805) 및 제2 도전형 반도체층(1806)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(1808a)은 상기 제2 도전형 반도체층(1806) 및 활성층(1805)을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층(1804)과 접속된 도전성 비아로 제공될 수 있다. 상기 제2 전극(1808b)은 제2 도전형 반도체층(1806)과 접속될 수 있다.
상기 절연부(1803)는 상기 제1 및 제2 전극(1808a,1808b)의 적어도 일부를 노출시키도록 오픈 영역을 구비하며, 상기 제1 및 제2 전극 패드(1819a,1819b)는 상기 제1 및 제2 전극(1808a,1808b)과 접속될 수 있다.
상기 제1 및 제2 전극(1809a,1809b)은 각각 제1 및 제2 도전형 반도체층(1804,1806)과 오믹 특성을 갖는 도전성 물질이 1층 또는 다층 구조로 이루어질 수 있으며, 예컨대, Ag, Al, Ni, Cr, 투명 도전성 산화물(TCO) 등의 물질 중 하나 이상을 증착하거나 스퍼터링하는 등의 공정으로 형성될 수 있다. 제1 및 제2 전극(1809a,1809b)은 서로 동일한 방향으로 배치될 수 있으며, 후술할 바와 같이, 리드 프레임 등에 소위, 플립 칩(flip-chip) 형태로 실장될 수 있다. 이 경우, 제1 및 제2 전극(1809a,1809b)은 서로 동일한 방향을 향하도록 배치될 수 있다.
특히, 상기 제1 전극(1808a)은 상기 제2 도전형 반도체층(1804) 및 활성층(1805)을 관통하여 상기 발광 적층체(S) 내부에서 상기 제1 도전형 반도체층(1804)에 연결된 도전성 비아를 갖는 제1 전극(1808a)에 의해 제1 전기연결부(1809a)가 형성될 수 있다.
도전성 비아와 상기 제1 전기 연결부(1809a)는 접촉 저항이 낮아지도록 개수, 형상, 피치, 제1 도전형 반도체층(1804)과의 접촉 면적 등이 적절히 조절될 수 있으며, 상기 도전성 비아와 상기 제1 전기 연결부(1809a)는 행과 열을 이루어 배열됨으로써 전류 흐름이 개선될 수 있다.
다른 한편의 전극구조는, 상기 제2 도전형 반도체층(1806) 상에 직접 형성되는 제2 전극(1808b)과 그 상부에 형성되는 제2 전기연결부(1809b)를 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(1808b)은 상기 제2 도전형 반도체층(23)과의 전기적 오믹을 형성하는 기능 외에 광 반사 물질로 이루어짐으로써 도60에 도시된 바와 같이, LED 칩(1810)을 플립칩 구조로 실장된 상태에서, 활성층(1805)에서 방출된 빛을 기판(1801) 방향으로 효과적으로 방출시킬 수 있다. 물론, 주된 광방출 방향에 따라, 상기 제2 전극(41)은 투명 전도성 산화물과 같은 광투과성 도전 물질로 이루어질 수도 있다.
상기 설명된 2개의 전극구조는 절연부(1803)에 의하여 서로 전기적으로 분리될 수 있다. 절연부(18030)는 전기적으로 절연 특성을 갖는 물질이면 어느 것이나 사용할 수 있으며, 전기 절연성을 갖는 물체라면 어느 것이나 채용 가능하지만, 광흡수율이 낮은 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 덜어, SiO2, SiOxNy, SixNy 등의 실리콘 산화물, 실리콘 질화물을 이용할 수 있을 것이다. 필요에 따라, 광투과성 물질 내에 광 반사성 필러를 분산시켜 광반사 구조를 형성할 수 있다.
상기 제1 및 제2 전극패드(1819a, 1819b)는 각각 제1 및 제2 전기연결부(1809a,1809b)와 접속되어 LED 칩(1810)의 외부 단자로 기능할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 및 제2 전극 패드(1819a, 1819b)는 Au, Ag, Al, Ti, W, Cu, Sn, Ni, Pt, Cr, NiSn, TiW, AuSn 또는 이들의 공융 금속일 수 있다. 이 경우에, 실장 기판(1820)에 실장시 공융 금속을 이용하여 접합될 수 있으므로, 플립 칩 본딩 시 일반적으로 요구되는 별도의 솔더 범프를 사용하지 않을 수 있다. 솔더 범프를 이용하는 경우에 비하여 공융 금속을 이용한 실장 방식에서 방열 효과가 더욱 우수한 장점이 있다. 이 경우, 우수한 방열 효과를 얻기 위하여 제1 및 제2 전극 패드(1819a, 1819b)는 넓은 면적을 차지하도록 형성될 수 있다.
상기 기판(1801) 및 상기 발광 적층체(S)는 반대되는 설명이 없는 한, 도 57을 참조하여 설명된 내용을 참조하여 이해될 수 있다. 또한, 구체적으로 도시하지는 않았으나, 상기 발광구조물(S)과 기판(1801) 사이에는 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있으며, 버퍼층은 질화물 등으로 이루어진 언도프 반도체층으로 채용되어, 그 위에 성장되는 발광구조물의 격자 결함을 완화할 수 있다.
상기 기판(1801)은 서로 대향하는 제1및 제2 주면을 가질 수 있으며, 상기 제1 및 제2 주면 중 적어도 하나에는 요철 구조가 형성될 수 있다. 상기 기판(1801)의 일면에 형성된 요철 구조는 상기 기판(1801)의 일부가 식각되어 상기 기판과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 상기 기판(1801)과 다른 이종 물질로 구성될 수도 있다.
본 예와 같이, 상기 기판(1801)과 상기 제1 도전형 반도체층(1804)의 계면에 요철 구조를 형성함으로써, 상기 활성층(1805)으로부터 방출된 광의 경로가 다양해 질 수 있으므로, 빛이 반도체층 내부에서 흡수되는 비율이 감소하고 광 산란 비율이 증가하여 광 추출 효율이 증대될 수 있다.
구체적으로, 상기 요철 구조는 규칙 또는 불규칙적인 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 요철을 이루는 이종 물질은 투명 전도체나 투명 절연체 또는 반사성이 우수한 물질을 사용할 수 있으며, 투명 절연체로는 SiO2, SiNx, Al2O3, HfO, TiO2 또는 ZrO와 같은 물질을, 투명 전도체는 ZnO나 첨가물(Mg, Ag, Zn, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Sn)이 함유된 인듐 산화물(Indum Oxide) 등과 같은 투명 전도성 산화물(TCO)을, 반사성 물질로는 Ag, Al, 또는 굴절율이 서로 다른 다층막의 DBR을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 기판(1801)은 상기 제1 도전형 반도체층(1804)으로부터 제거 될 수 있다. 기판 제거에는 레이저를 이용한 LLO (Laser Lift Off) 공정 또는 식각, 연마 공정을 사용 할 수 있다. 또한 기판이 제거후 제1 도전형 반도체층의 표면에 요철을 형성 할 수 있다.
도 16에 도시된 바와 같이, 상기 LED칩(1810)은 실장 기판(1820)에 탑재되어 있다. 상기 실장 기판(1820)은 기판 본체(1811) 상면 및 하면에 각각 상부 및 하부 전극층(1812b,1812a)이 형성되고, 상기 상부 및 하부 전극층(1812b,1812a)을 연결하도록 상기 기판 본체(1811)를 관통하는 비아(1813)를 포함한다. 상기 기판 본체(1811)는 수지 또는 세라믹 또는 금속일 수 있으며, 상기 상부 또는 하부 전극층(1812b,1812a)은 Au, Cu, Ag, Al와 같은 금속층일 수 있다.
물론, 상술된 LED 칩(1810)이 탑재되는 기판은 도60에 도시된 실장 기판(1820)의 형태에 한정되지 않으며, LED 칩(1801)을 구동하기 위한 배선 구조가 형성된 기판이라면 어느 것이나 적용 가능하다. 예를 들어, 한 쌍의 리드 프레임을 갖는 패키지 본체에 LED 칩이 실장된 패키지 구조로도 제공될 수 있다.
<LED 칩의 기타 예>
상술된 LED 칩 외에도 다양한 구조의 LED 칩이 사용될 수 있다. 예를 들어, LED 칩의 금속-유전체 경계에 표면 플라즈몬 폴라리톤(surface-plasmon polaritons: SPP)을 형성시켜 양자우물 엑시톤과 상호작용 시킴으로써 광추출효율을 크게 개선된 LED 칩도 유용하게 사용될 수 있다.
<LED 패키지>
다양한 형태의 LED 칩이 베어 칩으로 회로기판에 실장되어 상술된 조명장치에 사용될 수 있으나, 이와 달리, 한 쌍의 전극구조를 갖는 패키지 본체에 실장된 다양한 형태의 패키지 구조로 사용될 수 있다.
이러한 LED 칩을 구비한 패키지(이하, LED 패키지)는 외부 회로와 연결을 용이한 외부단자구조를 제공할 뿐만 아니라, LED 칩의 방열 특성을 개선하는 방열구조 및 광특성을 향상시키기 위한 다양한 광학적 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 다양한광학적 구조로서, LED 칩으로부터 방출된 광을 다른 파장의 광을 변환하는 파장변환부 또는 배광특성을 개선하기 위한 렌즈구조가 있을 수 있다.
<LED 패키지의 예 - 칩 스케일 패키지(CSP)>
상술된 조명장치에 채용될 수 있는 LED 패키지의 일 예로서, 칩 스케일 패키지(chip scale package: CSP) 구조를 갖는 LED 칩 패키지가 사용될 수 있다.
상기 칩 스케일 패키지는 상기 LED 칩 패키지의 사이즈를 줄이고 제조 공정을 단순화하여 대량 생산에 적합하며, LED 칩과 함께, 형광체와 같은 파장변환물질과 렌즈와 같은 광학 구조를 일체형으로 제조할 수 있으므로, 특히 조명 장치에 적합하게 사용될 수 있다.
도 17에는 이러한 칩 스케일 패키지의 일 예로서, 주된 광추출면과 반대 방향인 LED(1910)의 하면을 통해 전극이 형성되며 형광체층(1907) 및 렌즈(1920)가 일체로 형성된 패키지 구조이다.
도 17에 도시된 칩 스케일 패키지(1900)는 기판(1911)에 배치된 발광 적층체(S), 제1 및 제2 단자부(Ta,Tb), 형광체층(1907) 및 렌즈(1920)를 포함한다.
상기 발광 적층체(S)는 제1 및 제2 도전형 반도체층(1904, 1906)과 그 사이에 배치된 활성층(1905)을 구비하는 적층 구조이다. 본 실시 형태의 경우, 제1 및 제2 도전형 반도체층(1904, 1906)은 각각 p형 및 n형 반도체층이 될 수 있으며, 또한, 질화물 반도체, 예컨대, AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 이루어질 수 있다. 다만, 질화물 반도체 외에도 GaAs계 반도체나 GaP계 반도체도 사용될 수 있을 것이다.
상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(1904, 1906) 사이에 형성되는 활성층(1905)은 전자와 정공의 재결합에 의해 소정의 에너지를 갖는 광을 방출하며, 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자우물(MQW) 구조로 이루어질 수 있다. 다중 양자우물 구조의 경우, 예컨대, InGaN/GaN, AlGaN/GaN 구조가 사용될 수 있다.
한편, 제1 및 제2 도전형 반도체층(1904, 1906)과 활성층(1905)은 당 기술 분야에서 공지된 MOCVD, MBE, HVPE 등과 같은 반도체층 성장 공정을 이용하여 형성될 수 있을 것이다.
도 17에 도시된 LED(1910)은 성장 기판이 제거된 상태이며, 성장 기판이 제거된 면에는 요철(P)이 형성될 수 있다. 또한, 요철이 형성된 면에 광변환층으로서 형광체층(1907)이 적용된다.
상기 LED(1910)은 도60에 도시된 LED 칩과 유사하게 상기 제1 및 제2 도전형반도체층(1904,1906)에 각각 접속된 제1 및 제2 전극(1909a,1909b)을 갖는다. 상기 제1 전극(1909a)은 상기 제2 도전형 반도체층(1906) 및 활성층(1905)을 관통하여 제2 도전형 반도체층(1904)에 접속된 도전성 비아(1908)를 구비한다. 상기 도전성 비아(1908)는 활성층(1905) 및 제2 도전형 반도체층(1906) 사이에는 절연층(1903)이 형성되어 단락을 방지할 수 있다.
상기 도전성 비아(1906)는 1개로 예시되어 있으나, 전류 분산에 유리하도록 상기 도전성 비아(1906)는 2개 이상 구비하고, 다양한 형태로 배열될 수 있다.
본 예에 채용된 실장 기판(1911)은 실리콘 기판과 같은 반도체 공정이 용이하게 적용될 수 있는 지지 기판으로 예시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 실장 기판(1911)과 상기 LED(1910)은 본딩층(1902,1912)에 의해 접합될 수 있다. 상기 본딩층(1902,1912)은 전기 절연성 물질 또는 전기 전도성 물질로 이루어지며, 예를 들어 전기 절연성 물질의 경우, SiO2, SiN등과 같은 산화물, 실리콘 수지나 에폭시 수지 등과 같은 수지류의 물질, 전기 전도성 물질로는 Ag, Al, Ti, W, Cu, Sn, Ni, Pt, Cr, NiSn, TiW, AuSn 또는 이들의 공융 금속을 들 수 있다. 본 공정은 LED(1910)와 기판(1911)의 각 접합면에 제1 및 제2 본딩층(1902,1912)을 적용한 후에 접합시키는 방식으로 구현될 수 있다.
상기 실장 기판(1911)에는 접합된 LED(1910)의 제1 및 제2 전극(1909a,1909b)에 연결되도록 상기 실장 기판(1911)의 하면으로부터 비아가 형성된다. 상기 비아의 측면 및 상기 실장 기판(1911)의 하면에 절연체(1913)가 형성될 수 있다. 상기 실장 기판(1911)이 실리콘 기판일 경우에 상기 절연체(1913)는 열 산화공정을 통해서 실리콘 산화막으로 제공될 수 있다. 상기 비아에 도전성 물질을 충전함으로써 상기 제1 및 제2 전극(1909a,1909b)에 연결되도록 제1 및 제2 단자(Ta,Tb)를 형성한다. 상기 제1 및 제2 단자(Ta,Tb)는 시드층(1918a,1918b)과 상기 시드층(1918a,1918b)을 이용하여 도금공정으로 형성된 도금 충전부(1919a,1919b)일 수 있다.
도 18은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치의 분해 사시도이다.
도 18에 도시된 바와 같이, 광센서 일체형 튜블러 발광 장치(10)는 방열 부재(11), 커버(12), 발광 모듈(13), 제1소켓(14) 및 제2소켓(15)을 포함한다.
방열 부재(11)의 내부 또는/및 외부 표면에 다수개의 방열 핀(11-1, 11-2)이 요철 형태로 형성될 수 있으며, 방열 핀(11-1, 11-2)은 다양한 형상 및 간격을 갖도록 설계될 수 있다. 방열 부재(11)의 내측에는 돌출 형태의 지지대(11-3)가 형성되어 있다. 지지대(11-3)에는 발광 모듈(13)이 고정될 수 있다. 제1커버(11)의 양 끝단에는 걸림 턱(11-4)이 형성될 수 있다.
커버(12)에는 걸림 홈(12-1)이 형성되어 있으며, 걸림 홈(12-1)에는 방열 부재(11)의 걸림 턱(11-4)이 후크 결합 구조로 결합될 수 있다. 예로서, 걸림 홈(12-1)과 걸림 턱(11-4)이 형성되는 위치는 서로 바뀔 수도 있다.
발광 모듈(13)은 인쇄 회로 기판(13-1)과 발광 다이오드 어레이(13-2)가 포함될 수 있다. 인쇄 회로 기판(13-1)에는 발광 다이오드 어레이(13-2)를 동작시키기 위한 회로 배선들이 형성되어 있다. 또한, 발광 다이오드 어레이(13-2)를 동작시키기 위한 회로 구성 요소들이 포함될 수도 있다.
제1,2소켓(14, 15)은 한 쌍의 소켓으로서 방열 부재(11) 및 커버(12)로 구성된 원통형 커버 유닛의 양단에 결합되는 구조를 갖는다.
예로서, 제1소켓(14)에는 전극 단자(14-1)가 배치되고, 제2소켓(15)에는 더미 단자(15-1)가 배치될 수 있다. 그리고, 제1소켓(14) 또는 제2소켓(15) 중의 어느 하나의 소켓에 광센서 모듈이 내장될 수 있다.
예로서, 더미 단자(15-1)가 배치된 제2소켓(15)에 광센서 모듈이 내장될 수 있다. 다른 예로서, 전극 단자(14-1)가 배치된 제1소켓(14)에 광센서 모듈이 내장될 수도 있다. 그리고, 또 다른 예로서, 더미 단자(15-1)가 배치된 제2소켓(15)에 광센서 모듈이 내장되고, 전극 단자(14-1)가 배치된 제1소켓(14)에 전원 장치가 내장될 수도 있다.
도 19는 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치를 L-튜브 어셈블리에 적용한 예를 보여주는 도면이다.
도 19를 참조하면, 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치의 L-튜브 어셈블리는 커버(710), 히트 싱크(heat sink; 720), 인쇄회로기판(PCB; 730) 및 LED 패키지(740)를 포함한다.
커버(710)는 배광 분포를 개선하기 위하여 내측을 톱니 모양(serration) 패턴으로 설계한다.
히트 싱크(720)는 커버(710)와 결합되는 구조를 갖도록 설계한다.
커버(710)와 히트 싱크(720)가 결합된 원통 형태의 튜브 내부는 인쇄회로기판(730)이 고정될 수 있는 구조를 갖는다. 그리고, 인쇄회로기판(730)에는 LED 패키지(740)가 탑재된다. 예로서, LED 패키지(740)는 인쇄회로기판(730)에 2열로 배치될 수 있다.
도 20은 도 19에 도시된 L-튜브 어셈블리의 단면도의 주요 부분을 보여주는 도면이다.
도 20을 참조하면, L-튜브 어셈블리의 커버(710)의 내측이 톱니 모양(serration) 패턴이 형성되어 있는 것을 보여준다. 커버(710)의 내측을 톱니 모양으로 형성함으로써, 센터 빔(center beam)이 좌우로 확산된다. 이로 인하여, 배광각을 약 90o ~ 270o로 넓힐 수 있게 된다. 커버(710)는 투명한 재질을 이용할 수 있고, 확산재를 소량 첨가할 수도 있다. 그리고, 커버(710)의 외부 표면을 샌딩(sanding)할 수도 있다.
그리고, 커버(710) 내부에 고정된 인쇄회로기판(730)에 LED 패키지(740)가 2열로 배치되어 있는 것을 보여준다.
이와 같은 구조의 L-튜브 어셈블리에서는 예로서, 히트 싱크(720)에서의 반사율이 약 50%, 인쇄회로기판(730)에서의 반사율이 약 70% 정도가 될 수 있다.
도 20과 같은 구조의 L-튜브 어셈블리에서의 배광 분포도의 예를 도 21에 도시하였다.
도 21에서 배광 분포도 곡선 A는 L-튜브의 길이 방향에 대한 배광 분포도를 나타낸 것이고, 배광 분포도 곡선 B는 L-튜브의 원통 형태의 단면도에서의 수직 방향에 대한 배광 분포도를 나타낸 것이다.
도 21의 배광 분포도 곡선 B를 참조하면, 배광 분포가 원형 형태에서 좌우로 확산되어 있다는 사실을 알 수 있다.
그러면, 광센서 일체형 튜블러 발광 장치를 포함하는 조명 시스템의 블록 구성에 대하여 설명하기로 한다.
도 22는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따른 광센서 일체형 튜블러 발광 장치를 포함하는 조명 시스템의 블록 구성도를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 22를 참조하면, 조명 시스템(100)은 광센서 모듈(30), 전원 장치(PSU; 40) 및 발광 모듈(50)을 포함한다.
일 예로서, 도 1a 또는 1b를 참조하면 광센서 모듈(30) 및 발광 모듈(50)은 광센서 일체형 튜블러 발광 장치(10A 또는 10B)에 내장되고, 전원 장치(40)는 광센서 일체형 튜블러 발광 장치(10A 또는 10B)의 외부에 배치될 수 있다.
다른 예로서, 도 1c를 참조하면 광센서 모듈(30), 전원 장치(PSU; 40) 및 발광 모듈(50)은 광센서 일체형 튜블러 발광 장치(10C)에 내장될 수 있다.
전원 장치(40)와 광센서 모듈(30)은 전기적으로 접속된다. 예로서, 커넥터를 통하여 접속될 수 있다. 다른 예로서, 전원 장치(40)와 광센서 모듈(30)은 무선 통신 인터페이스를 통하여 신호를 주고받을 수 있다. 예로서, DALI(Digital Addressable Lighting Interface)를 적용하여 전원 장치(40)와 광센서 모듈(30)간의 통신을 수행할 수 있다. 본 발명은 이에 한정되지 않고 다양한 방식의 유/무선 통신 프로토콜에 따라서 전원 장치(40)와 광센서 모듈(30)간의 통신을 수행할 수 있다.
전원 장치(40)는 교류 전원을 직류 전원으로 변환시켜 광센서 모듈(30)에 제공하기 위한 회로 및 광센서 모듈(30)로부터 제공받은 신호에 기초하여 발광 모듈(50)의 구동 전압을 생성시키는 회로를 포함할 수 있다.
예로서, 광센서 모듈(30)은 주변 광량을 감지하는 센서가 포함된 모듈이다. 예로서, 포토다이오드를 포함하는 광센서 집적회로 및 다양한 형태의 주변 회로들을 인쇄회로기판에 배치하여 광센서 모듈(30)을 구현할 수 있다. 예로서, 광센서 모듈(30)에는 주변 광량을 감지하는 센서 및 센서에서 출력하는 신호들을 이용하여 주변 조도를 연산하고, 연산된 주변 조도에 상응하는 조광 제어신호를 생성시키는 제어부가 포함될 수 있다. 예로서, 조광 제어신호는 펄스 폭 변조(PWM) 신호 또는 직류 전압 신호가 될 수 있다. 또 다른 예로서, 광센서 모듈(30)에는 광센서 집적회로만을 배치하고, 제어부를 전원 장치(40)에 배치할 수도 있다.
그리고, 전원 장치(40)는 발광 모듈(50)과 전기적으로 접속된다. 이에 따라서, 전원 장치(40)는 센서에서 출력되는 신호 또는 조광 제어신호에 상응하는 구동 전압을 생성시켜 발광 모듈(50)에 인가할 수 있다. 이로 인하여, 발광 모듈(50)에서 방사되는 광의 세기를 주변 조도에 따라서 적응적으로 조절할 수 있게 된다.
도 23은 도 22에 도시된 광센서 모듈(30)의 세부적인 블록 구성도의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 23에 도시된 바와 같이, 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시 예에 따른 광센서 모듈(30A)은 DC/DC 컨버터(31A), 광센서 집적회로(IC)(32A) 및 제어부(33A)를 포함한다.
DC/DC 컨버터(31A)는 전원 장치(PSU; 40)로부터 공급받은 직류 전원을 광센서 모듈(30A)에서 필요로 하는 직류 전원으로 변환시키는 회로이다.
예로서, 광센서 모듈(30A)에서 하나의 직류 전원만을 사용하는 경우에 DC/DC 컨버터(31A)를 사용하지 않을 수 있다. 이 경우에는 광센서 모듈(30A)은 전원 장치(40)로부터 필요로 하는 단일의 직류 전원을 공급받을 수 있다. 다른 예로서, 복수의 직류 전원이 필요한 경우에도 복수의 직류 전원을 직접 전원 장치(40)로부터 공급받을 수도 있다.
광센서 IC(32A)는 튜블러 발광 장치의 주변 광량을 감지하는 센서를 포함하는 집적회로이다. 예로서, 포토다이오드 및 이에 대한 주변 회로로 구성된 집적회로가 포함될 수 있다.
광센서 IC(32A)는 제어부(33A)로부터 인가되는 타이밍 제어신호에 따라서 초기 설정된 시간 간격으로 광 신호에 따른 광 전하를 누적시키고, 누적된 광 전하에 상응하는 전기적인 신호를 생성시킨다.
제어부(33A)는 광센서 IC(32A)로부터 입력되는 전기적인 신호를 이용하여 조도를 연산하고, 연산된 조도에 따른 조광(dimmer) 제어신호를 생성시킨다. 제어부(33A)에서 생성된 조광 제어신호는 전원 장치(40)로 전달된다.
예로서, 조광 제어신호는 펄스 폭 변조(PWM) 신호 또는 직류 전압 신호가 될 수 있다. 예로서, 연산된 조도가 초기 설정된 기준 조도보다 낮은 경우에는 PWM 신호의 듀티(duty)를 증가시키거나 직류 전압 신호의 전압 레벨을 증가시킨다. 반대로, 연산된 조도가 초기 설정된 기준 조도보다 높은 경우에는 PWM 신호의 듀티를 감소시키거나 직류 전압 신호의 전압 레벨을 감소시킨다. 여기에서, 듀티를 증가시킨다는 것은 PWM 신호의 (+) 펄스폭을 증가시킨다는 것을 의미한다.
도 24는 도 22에 도시된 광센서 모듈(30)의 세부적인 블록 구성도의 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 24에 도시된 바와 같이, 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시 예에 따른 광센서 모듈(30B)은 DC/DC 컨버터(31A), 광센서 집적회로(IC)(32A), 제어부(33A) 및 스위치(34B)를 포함한다.
도 24에 도시된 DC/DC 컨버터(31A), 광센서 집적회로(IC)(32A), 제어부(33A)는 도 23에서 이미 설명하였으므로, 중복적인 설명은 피하기로 한다.
도 24에 도시된 광센서 모듈(30B)은 도 20에 도시된 광센서 모듈(30A)에 비하여 스위치(34B)가 추가되었다.
스위치(34B)는 자동 조광 제어 기능의 온/오프를 선택적으로 설정하는 역할을 한다. 스위치(34B)는 제어부(33A)로부터 조광 제어신호를 입력받고, 스위치(34B)에 포함된 버튼(34B-1)에 의한 선택에 따라서 조광 제어신호를 전원 장치(40)로 출력하거나 차단하는 역할을 한다. 예로서, 버튼(34B-1)이 온(ON) 상태에 있으면 스위치(34B)는 조광 제어신호를 전원 장치(40)로 출력한다. 반대로, 버튼(34B-1)이 오프(OFF) 상태에 있으면 스위치(34B)는 조광 제어신호를 전원 장치(40)로 출력하지 않는다.
다른 예로서, 광센서 모듈(30B)에서의 스위치(34B)는 DC/DC 컨버터(31A)의 입력 또는 출력을 도통시키거나 차단시키기 위한 신호 배선 위치에 배치할 수도 있다. 또 다른 예로서, 광센서 모듈(30B)에서의 스위치(34B)는 광센서 IC(32A)의 출력신호가 제어부(33A)에 입력되는 것을 허용하거나 차단시키기 위한 신호 배선 위치에 배치할 수도 있다.
도 25는 도 23 및 24에 도시된 제어부(33A)의 세부 블록 구성도를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 25에 도시된 바와 같이, 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따른 제어부(33A)는 연산부(33A-1) 및 조광 제어신호 생성부(33A-2)를 포함한다.
연산부(33A-1)는 광센서 IC(32A)로부터 입력되는 전기적인 신호를 이용하여 조도를 연산한다. 예로서, 광센서 IC(32A)로부터 입력되는 전기적인 신호는 초기 설정된 단위 시간 동안에 포토다이오드에 축적된 광 전하량에 비례하는 전압이 될 수 있다. 예로서, 연산부(33A-1)는 초기 설정된 시간 단위로 광센서 IC(32A)로부터 입력되는 전압 값들의 평균값에 기초하여 조도를 연산할 수 있다.
조광 제어신호 생성부(33A-2)는 연산부(33A-1)로부터 제공받은 조도 정보에 상응하는 조광 제어신호를 생성시킨다. 예로서, 조광 제어신호는 펄스 폭 변조(PWM) 신호 또는 직류 전압 신호가 될 수 있다. 예로서, 연산된 조도가 초기 설정된 기준 조도보다 낮은 경우에는 PWM 신호의 듀티를 증가시키거나 직류 전압 신호의 전압 레벨을 증가시킨다. 반대로, 연산된 조도가 초기 설정된 기준 조도보다 높은 경우에는 PWM 신호의 듀티를 감소시키거나 직류 전압 신호의 전압 레벨을 감소시킨다. 조광 제어신호 생성부(33A-2)에서 생성된 조광 제어신호는 전원 장치(40)로 전달된다.
도 26은 도 22에 도시된 전원 장치(40)의 세부 블록 구성도를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 26에 도시된 바와 같이, 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시 예에 따른 전원 장치(40)는 AC/DC 컨버터(41) 및 구동부(42)를 포함한다.
AC/DC 컨버터(41)는 외부로부터 입력되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환시켜 광센서 모듈(30) 및 구동부(42)로 출력한다. 예로서, 광센서 모듈(30) 및 구동부(42)로 출력되는 직류 전원은 동일한 전압을 갖는 직류 전원이 될 수 있다. 다른 예로서, 광센서 모듈(30) 및 구동부(42)로 출력되는 직류 전원은 각기 다른 전압을 갖는 직류 전원이 될 수 있다.
구동부(42)는 AC/DC 컨버터(41)로부터 직류 전원을 공급받고, 또한 제어부(33A)로부터 조광 제어신호를 공급받는다. 구동부(42)는 조광 제어신호에 기초하여 구동 전압을 생성시킨다. 예로서, 조광 제어신호가 PWM 신호인 경우에는 PWM 신호의 평균 전압에 비례하는 구동 전압을 생성시킬 수 있다. 다른 예로서, 조광 제어신호가 직류 전압 신호인 경우에는 직류 전압에 비례하는 구동 전압을 생성시킬 수 있다. 구동부(42)에서 생성되는 구동 전압은 발광 모듈(50)로 전달된다.
도 27은 도 22에 도시된 광센서 모듈(30)의 세부적인 블록 구성도의 또 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 27에 도시된 바와 같이, 본 발명의 기술적 사상에 의한 또 다른 실시 예에 따른 광센서 모듈(30C)은 DC/DC 컨버터(31C), 광센서 집적회로(IC)(32C) 및 신호 변환부(33C)를 포함한다.
DC/DC 컨버터(31C)는 전원 장치(PSU; 40)로부터 공급받은 직류 전원을 광센서 모듈(30C)에서 필요로 하는 직류 전원으로 변환시키는 회로이다.
예로서, 광센서 모듈(30C)에서 하나의 직류 전원만을 사용하는 경우에 DC/DC 컨버터(31C)를 사용하지 않을 수 있다. 이 경우에는 광센서 모듈(30C)은 전원 장치(40)로부터 필요로 하는 단일의 직류 전원을 공급받을 수 있다. 다른 예로서, 복수의 직류 전원이 필요한 경우에도 복수의 직류 전원을 직접 전원 장치(40)로부터 공급받을 수도 있다.
광센서 IC(32C)는 튜블러 발광 장치의 주변 광량을 감지하는 센서를 포함하는 집적회로이다. 예로서, 포토다이오드 및 이에 대한 주변 회로로 구성된 집적회로가 포함될 수 있다.
광센서 IC(32C)는 초기 설정된 시간 간격으로 광 신호에 따른 광 전하를 누적시키고, 누적된 광 전하에 상응하는 전기적인 신호를 생성시킨다.
신호 변환부(33C)는 광센서 IC(32C)로부터 입력되는 전기적인 신호를 조광 제어신호로 변환시킨다. 예로서, 광센서 IC(32C)로부터 입력되는 전기적인 신호의 전압 레벨에 반비례하는 전압 레벨을 갖는 조광 제어신호를 생성시킬 수 있다. 신호 변환부(33C)에서 생성되는 조광 제어신호는 전원 장치(40)로 전달된다.
도 28은 도 22에 도시된 광센서 모듈(30)의 세부적인 블록 구성도의 또 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 28에 도시된 바와 같이, 본 발명의 기술적 사상에 의한 또 다른 실시 예에 따른 광센서 모듈(30D)은 DC/DC 컨버터(31C), 광센서 집적회로(IC)(32C), 신호 변환부(33C) 및 스위치(34D)를 포함한다.
도 28에 도시된 DC/DC 컨버터(31C), 광센서 집적회로(IC)(32C), 신호 변환부(33C)는 도 27에서 이미 설명하였으므로, 중복적인 설명은 피하기로 한다.
도 28에 도시된 광센서 모듈(30D)은 도 27에 도시된 광센서 모듈(30C)에 비하여 스위치(34D)가 추가되었다.
스위치(34D)는 자동 조광 제어 기능의 온/오프를 선택적으로 설정하는 역할을 한다. 스위치(34D)는 신호 변환부(33C)로부터 조광 제어신호를 입력받고, 스위치(34D)에 포함된 버튼(34D-1)에 의한 선택에 따라서 조광 제어신호를 전원 장치(40)로 출력하거나 차단하는 역할을 한다. 예로서, 버튼(34D-1)이 온(ON) 상태에 있으면 스위치(34D)는 조광 제어신호를 전원 장치(40)로 출력한다. 반대로, 버튼(34D-1)이 오프(OFF) 상태에 있으면 스위치(34D)는 조광 제어신호를 전원 장치(40)로 출력하지 않는다.
다른 예로서, 광센서 모듈(30D)에서의 스위치(34D)는 DC/DC 컨버터(31C)의 입력 또는 출력을 도통시키거나 차단시키기 위한 신호 배선 위치에 배치할 수도 있다. 또 다른 예로서, 광센서 모듈(30D)에서의 스위치(34D)는 광센서 IC(32C)의 출력신호가 신호 변환부(33C)에 입력되는 것을 허용하거나 차단시키기 위한 신호 배선 위치에 배치할 수도 있다.
도 29는 도 1a ~ 1c에 도시된 광센서 모듈이 내장된 소켓의 수광 구조를 예시적으로 보여주는 개략적인 분해 사시도이다.
도 29를 참조하면, 광센서 모듈이 내장된 소켓(15A, 14B 또는 15C)은 캡(110), 광센서 모듈의 인쇄회로기판(PCB)(120) 및 톱 커버(130)를 포함한다.
참고적으로, 도 29에서 참조번호 140은 도 22에 도시된 발광 모듈(50)을 나타낸다.
캡(110)의 내부 양 측면에는 돌출 형태의 지지대(111)가 형성되어 있다. 지지대(111)에는 인쇄회로기판(120)이 고정될 수 있다. 그리고, 캡(110)의 일부 영역에 홀(112)을 형성한다. 홀(112)을 통하여 인쇄회로기판(120)을 캡(110)에 삽입할 수 있다.
예로서, 인쇄회로기판(120)에는 광센서 모듈(30)을 구성하는 광센서 집적회로(IC)(121) 및 스위치의 버튼(122)과 다양한 형태의 주변 회로들이 배치될 수 있다. 다른 예로서, 인쇄회로기판(120)에서 스위치의 버튼(122)을 삭제할 수도 있다. 스위치의 버튼(122)은 자동 조광 제어 기능의 온/오프를 선택적으로 설정하는 역할을 한다. 예로서, 스위치의 버튼(122)은 도 24에 도시된 스위치(34B)의 버튼(34B-1) 또는 도 28에 도시된 스위치(34D)의 버튼(34D-1)이 될 수 있다.
인쇄회로기판(120)에 배치되는 광센서 모듈(30)의 회로는 예로서 도 23 ~ 25 또는 도 27 ~28에 도시된 바와 같은 회로로 구현될 수 있다. 다른 예로서, 인쇄회로기판(120)에는 도 23 ~ 25 또는 도 27 ~28에 도시된 바와 같은 회로에서 광센서 IC(32A 또는 32C)와 일부 회로 구성 수단이 선택적으로 포함되도록 설계할 수도 있다.
톱 커버(130)는 인쇄회로기판(120) 또는 캡(110)과 결합되어 캡(110)의 외부 광을 인쇄회로기판(120)에 포함된 광센서 모듈(121)에서 수신하도록 가이드하는 관통 창(131)이 형성되는 구조를 갖는다. 그리고, 톱 커버(130)는 인쇄회로기판(120)에 장착된 스위치의 버튼(122)을 캡(110)의 외부로 돌출시키기 위한 관통 홀(132)이 형성되는 구조를 갖는다.
일 예로서, 톱 커버(130)에 형성된 관통 창(131)의 구조는 도 30과 같이 설계할 수 있다.
도 30은 도 29에 도시된 관통 창(131)에 대한 단면도를 보여주는 도면이다.
도 30을 참조하면, 캡(110)의 외부 광이 입사되는 관통 창(131)의 입구 측 반경의 크기보다 외부 광이 출사되는 관통 창(131)의 출구 측 반경의 크기를 작게 설정하였다. 외측 반경에 대한 내측 반경의 비율을 나타내는 기울기(α)는 설계 단계에서 기준 조도를 고려하여 결정할 수 있다.
도 31은 도 1a ~ 1c에 도시된 광센서 모듈이 내장된 소켓의 조립도를 예시적으로 보여주는 도면이다. 예로서, 도 29에 도시된 광센서 모듈이 내장된 소켓의 분해 사시도를 조립한 형상을 보여준다.
도 31을 참조하면, 캡(110)에 결합된 톱 커버(130)의 관통 홀을 통하여 인쇄회로기판(120)에 배치된 스위치의 버튼(122)이 돌출되는 구조를 보여준다. 그리고, 톱 커버(130)에 형성된 관통 창(131)을 통하여 외부 광이 인쇄회로기판(120)에 배치된 광센서 IC(121)로 입사된다. 이에 따라서, 광센서 IC(121)는 캡(110) 외부의 주변 광량을 감지할 수 있게 된다.
도 32는 도 1a ~ 1c에 도시된 광센서 모듈이 내장된 소켓의 다른 실시 예에 따른 사시도를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 32를 참조하면, 광센서 모듈이 내장된 소켓은 캡(110)의 외부를 감싸는 수광 조절 원통 부재(111)를 포함하고, 수광 조절 원통 부재(111)의 일부 영역에 관통 홀(112)이 형성된 구조를 갖는다. 그리고, 캡(110)에는 도 10에서 언급한 바와 같은 관통 창(131)이 형성되어 있다. 이에 따라서, 수광 조절 원통 부재(111)를 화살표 방향으로 회전시키면 캡(110)의 관통 창(131)으로 통과하여 캡(110)에 고정된 인쇄회로기판(120)에 배치된 광센서 IC(121)로 입사되는 광량을 조절할 수 있게 된다.
참고적으로, 수광 조절 원통 부재(111)를 회전하여 관통 창(131)으로 통과되는 광을 완전히 차단하면 자동 조광 제어 기능을 실질적으로 오프시킬 수 있다.
그리고, 수광 조절 원통 부재(111)에 의하여 광센서 IC(121)로 입사되는 광량을 변경하면, 자동 조광 제어에 적용되는 기준 조도가 변경되는 결과를 초래한다. 따라서, 사용자가 수광 조절 원통 부재(111)를 이용하여 목표 조도를 변경할 수 있게 된다.
도 33a ~33c는 본 발명의 기술적 사상이 적용될 수 있는 다양한 형태의 조명 장치들의 예를 보여준다.
도 33a는 평판 형태의 조명 장치의 예를 보여준다.
도 33a를 참조하면, 평판 형태의 조명 장치는 광센서 모듈(1110), 하우징(1120), 확산 커버(1130) 및 전원 커버(1140)를 포함할 수 있다. 참고적으로, 하우징(1120), 확산 커버(1130) 및 전원 커버(1140) 내부에는 전원 장치 및 발광 모듈이 포함될 수 있다. 광센서 모듈(1110)은 위에서 상세히 설명하였으므로, 중복적인 설명은 피하기로 한다.
도 33b는 원통 형태의 조명 장치의 예를 보여준다.
도 33b를 참조하면, 평판 형태의 조명 장치는 발광 소자(1210), 회로 기판(1220), 광센서 모듈(1230), 반사면(1240), 확산판(1250) 및 몸체(1260)를 포함할 수 있다. 광센서 모듈(1230)은 위에서 상세히 설명하였으므로, 중복적인 설명은 피하기로 한다.
도 33c는 램프 형태의 조명 장치의 분해도를 예시적으로 보여준다.
도 33c를 참조하면, 램프 형태의 조명 장치는 소켓(1310), 전원부(1320), 방열부(1330-1, 1330-2), LED 광원(1340), 광학부(1350) 및 광센서 모듈(1360)을 포함할 수 있다. 광센서 모듈(1360)은 위에서 상세히 설명하였으므로, 중복적인 설명은 피하기로 한다.
인간 친화 기능성 LED조명 제어를 위해서는 백색 및/또는 혼합색 LED광원에 따른 인간의 심리적, 생리적 영향 분석에 따른 제어기술이 필요하며 또한 공간적 배열, 배치 및 형태에 따른 영향분석을 통한 기구설계가 가능하다.
인간의 생체 리듬, 심리상태, 학업 성취도 및 작업 능력 등의 주변 조명의 영향을 고려하여 조명의 색, 온도, 밝기 및 색상을 스마트폰과 같은 휴대기기를 활용한 무선(원격) 제어 또는 인공지능형 센싱 등의 디지털 조명 제어가 가능하다.
예를 들어 수리영역 시간에는 7600~8000 캘빈(K)인 푸른 빛 조명이, 언어영역 시간에는 4200~4600 캘빈의 일반 조명이, 미술 및 음악 시간에는 2200~2600 캘빈의붉은색 조명이 가장 효과적이며 이러한 조명의 밝기와 색온도가 뇌파와 심리상태에 미치는 영향에 근거하여 최적의 색조명을 제공하여 학습 및 업무 효율을 높이기 위한 맞춤형 조명제품도 가능하다.
또한 이와 더불어 LED 조명 기구와 디스플레이 장치들에 통신 기능을 부가하여 LED 광원의 고유 목적과 통신 수단으로서의 목적을 동시에 달성하고자 하는 가시광 무선통신 기술도 가능하다. 이는 LED 광원이 기존의 광원들에 비해 수명이 길고 전력 효율이 우수하며 다양한 색 구현이 가능할 뿐만 아니라 디지털 통신을 위한 스위칭 속도가 빠르고 디지털 제어가 가능하다는 장점을 갖고 있기 때문이다.
도 34a 및 34b는 본 발명의 실시 예에 의한 광센서 일체형 발광 장치를 이용한 조명 시스템이 적용되는 홈 네트워크의 예를 보여준다.
도 34a 도시된 바와 같이, 홈 네트워크는 홈 무선 라우터(2000), 게이트웨이 허브(2010), 지그비(ZigBee) 모듈(2020), 광센서 일체형 LED 램프(2030), 창고(garage) 도어 락(door lock; 2040), 무선 도어 락(2050), 홈 어플리케이션(2060), 휴대폰(2070), 벽에 장착된 스위치(2080) 및, 클라우드 망(2090)을 포함할 수 있다.
가정내 무선 통신(ZigBee, WiFi 등)을 활용하여 침실, 거실, 현관, 창고, 가전제품 등의 동작 상태 및 주위 환경/상황에 따라 광센서 일체형 LED(2030)의 조명 밝기를 자동으로 조절하는 기능을 수행할 수 있다.
예를 들면, 도 34b에 도시된 바와 같이, TV(3030) 또는 모바일 디바이스(3040)에서 방송되고 있는 프로그램의 종류 또는 화면의 밝기에 따라 광센서 일체형 LED(3020B)의 조명 밝기를 게이트웨이(3010) 및 지그비 모듈(3020A)을 이용하여 자동으로 조절될 수 있다. 예로서, 휴먼 드라마 등이 상영되어 아늑한 분위기가 필요할 때는 조명도 거기에 맞게 색 온도가 12000K 이하로 낮아지도록 색감을 조절할 수 있다. 다른 예로서, 개그 프로그램과 같은 가벼운 분위기에서는 조명도 색온도가 12000K 이상으로 높아지고, 푸른색 계열의 백색조명으로 조절할 수 있다.
위의 지그비 모듈(2020, 3020A)도 광센서와 일체형으로 모듈화 할 수 있으며, 발광 장치와 일체형으로 구성할 수 있다.
가시광 무선통신 기술은 인간이 눈으로 인지할 수 있는 가시광 파장 대역의 빛을 이용하여 무선으로 정보를 전달하는 무선통신 기술이다. 이러한 가시광 무선통신 기술은 가시광 파장 대역의 빛을 이용한다는 측면에서 기존의 유선 광통신기술 및 적외선 무선통신과 구별되며, 통신 환경이 무선이라는 측면에서 유선 광통신 기술과 구별된다. 또한, 가시광 무선통신 기술은 RF 무선통신과 달리 주파수 이용 측면에서 규제 또는 허가를 받지 않고 자유롭게 이용할 수 있다는 편리성과 물리적 보안성이 우수하고 통신 링크를 사용자가 눈으로 확인할 수 있다는 차별성을 가지고 있으며, 무엇보다도 광원의 고유 목적과 통신기능을 동시에 얻을 수 있다는 융합 기술로서의 특징을 가지고 있다.
또한 LED조명은 차량용 내외부 광원으로 활용 가능하다. 내부 광원으로는 차량용 실내등, 독서등, 계기판의 각종 광원등으로 사용 가능하며, 차량용 외부 광원으로 전조등, 브레이크등, 방향지시등, 안개등, 주행등 등 모든 광원에 사용 가능하다.
특수한 파장대를 이용한 LED는 식물의 성장을 촉지 시키고, 사람의 기분을 안정시키거나 병을 치료 할 수도 있다. 로봇 또는 각종 기계 설비에 사용되는 광원으로 LED가 적용 될 수 있다. 상기 LED의 저소비전력 및 장수명과 결부하여 태양전지, 풍력 등 자연친화적인 신재생 에너지 전원 시스템에 의한 조명 구현도 가능하다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 최적 실시예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
11: 제1커버 12: 제2커버
13, 40: 발광 모듈 14A, 14B, 14C: 제1소켓
15A, 15B, 15C: 제2소켓 14A-1, 14B-1, 14C-1: 전극 단자
15A-1, 15B-1, 15C-1: 더미 단자 15A-2, 14B-2, 15C-2, 30: 광센서 모듈
14C-2, 40: 전원 장치 31A, 31C: DC/DC 컨버터
33A, 32C, 121: 광센서 IC 33A: 제어부
34B, 34D: 스위치 34B-1, 34D-1, 122: 버튼
33A: 연산부 33A-2: 조광 제어신호 생성부
33C: 신호 변환부 41: AC/DC 컨버터
42: 구동부 110: 캡
120: 인쇄회로기판 130: 톱 커버

Claims (10)

  1. 방열 부재와 상기 방열 부재에 결합되는 투광성의 커버를 포함하는 원통형 커버 유닛;
    상기 원통형 커버 유닛의 내부에 결합되며, 발광 다이오드 어레이가 배열된 발광 모듈; 및
    상기 원통형 커버 유닛의 양단에 결합되는 한 쌍의 소켓을 포함하고,
    상기 한 쌍의 소켓 중의 하나의 소켓에 광센서 모듈이 내장되고, 상기 광센서 모듈에서 감지되는 광량에 기초하여 상기 발광 모듈에 인가되는 구동 전압이 조절되고,
    상기 광센서 모듈이 내장되는 소켓은,
    상기 광센서 모듈의 인쇄회로기판이 고정되는 지지부가 형성되는 구조를 갖는 캡;
    상기 캡 또는 상기 인쇄회로기판과 결합되어 외부 광을 상기 광센서 모듈에서 수신하도록 가이드하는 관통 창이 형성되는 구조를 갖는 톱 커버; 및
    상기 캡의 외부를 감싸는 수광 조절 원통 부재를 포함하고,
    상기 수광 조절 원통의 회전에 따라 상기 관통 창으로 통과하는 광량이 조절되도록 상기 수광 조절 원통 부재의 일부 영역에 관통 홀을 형성하는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 광센서 일체형 튜블러 발광 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 한 쌍의 소켓 중에서 하나의 소켓에는 전극 단자가 배치되고, 다른 하나의 소켓에는 더미 단자가 배치되는 구조를 갖고, 상기 전극 단자는 상기 발광 모듈과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 광센서 일체형 튜블러 발광 장치.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 인쇄회로기판에 자동 조광 제어 기능의 온/오프를 선택적으로 설정하기 위한 스위치를 추가적으로 배치하고, 상기 스위치의 버튼을 상기 캡의 외부에 돌출시키도록 상기 톱 커버에 관통 홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 광센서 일체형 튜블러 발광 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서, 상기 한 쌍의 소켓 중에서 상기 광센서 모듈이 내장되지 않은 소켓에 직류 전원 및 상기 구동 전압을 생성시키는 전원 장치를 내장하고, 상기 전원 장치와 상기 광센서 모듈은 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 광센서 일체형 튜블러 발광 장치.
  7. 발광 모듈이 내부에 장착되는 원통형 커버 유닛과 상기 원통형 커버 유닛의 양단에 결합되는 한 쌍의 소켓을 포함하고, 상기 한 쌍의 소켓 중의 하나의 소켓에 광센서 모듈을 내장하는 튜블러 발광 장치; 및
    교류 전원을 직류 전원으로 변환시켜 상기 광센서 모듈에 제공하고, 상기 광센서 모듈로부터 제공받은 조광 제어 신호에 기초한 구동 전압을 생성시키는 전원 장치를 포함하며,
    상기 광센서 모듈은 입사되는 광 신호를 전기적인 신호로 변환시키는 광센서 집적회로;
    상기 전원 장치로부터 제공된 상기 직류 전원의 레벨을 상기 광센서 모듈에서 사용하는 레벨로 변환하는 DC-DC 컨버터; 및
    상기 광센서 집적 회로부터 입력되는 전기적인 신호를 이용하여 조도를 연산하고, 연산된 조도에 따른 조광 제어 신호를 생성하는 제어부;를 포함하고,
    상기 구동 전압은 상기 한 쌍의 소켓 중의 하나의 소켓을 통하여 상기 발광 모듈에 전달되는 배선 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  8. 제7항에 있어서, 상기 한 쌍의 소켓 중에서 하나의 소켓에는 전극 단자가 배치되고 다른 하나의 소켓에는 더미 단자가 배치되는 구조를 갖고, 상기 전극 단자는 상기 발광 모듈과 전기적으로 연결되고, 상기 더미 단자가 배치된 소켓에는 상기 광센서 모듈이 내장되는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  9. 제7항에 있어서, 상기 광센서 모듈이 내장되는 소켓은
    상기 광센서 모듈의 인쇄회로기판이 체결되는 지지부가 형성되는 구조를 갖는 캡; 및
    상기 캡 또는 상기 인쇄회로기판과 결합되어 외부 광을 상기 광센서 모듈에서 수신하도록 가이드하는 관통 창이 형성되는 구조를 갖는 톱 커버를 포함하는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  10. 제9항에 있어서, 상기 인쇄회로기판에 자동 조광 제어 기능의 온/오프를 선택적으로 설정하기 위한 스위치를 추가적으로 배치하고, 상기 스위치의 버튼을 상기 캡의 외부에 돌출시키도록 상기 톱 커버에 관통 홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
KR1020130014655A 2013-02-08 2013-02-08 광센서 일체형 튜블러 발광 장치 및 이를 이용한 조명 시스템 KR102011100B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130014655A KR102011100B1 (ko) 2013-02-08 2013-02-08 광센서 일체형 튜블러 발광 장치 및 이를 이용한 조명 시스템
US14/176,001 US9468066B2 (en) 2013-02-08 2014-02-07 Photo sensor-integrated tubular light emitting apparatus and lighting system using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130014655A KR102011100B1 (ko) 2013-02-08 2013-02-08 광센서 일체형 튜블러 발광 장치 및 이를 이용한 조명 시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140101230A KR20140101230A (ko) 2014-08-19
KR102011100B1 true KR102011100B1 (ko) 2019-08-14

Family

ID=51297027

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130014655A KR102011100B1 (ko) 2013-02-08 2013-02-08 광센서 일체형 튜블러 발광 장치 및 이를 이용한 조명 시스템

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9468066B2 (ko)
KR (1) KR102011100B1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9253857B2 (en) * 2012-03-05 2016-02-02 Empire Technology Development Llc Integrated occupancy and ambient light sensors
KR20150009880A (ko) * 2013-07-17 2015-01-27 삼성전자주식회사 직관형 발광 장치
CN104279446B (zh) * 2014-10-09 2016-06-01 深圳市洲明科技股份有限公司 带旋转灯头的led日光灯
TWM512667U (zh) * 2015-06-23 2015-11-21 Unity Opto Technology Co Ltd 自動感測調光照明燈具
FR3044746B1 (fr) * 2015-12-02 2019-05-10 Finatech Entreprises Luminaire
US10247372B2 (en) * 2017-02-06 2019-04-02 Cree, Inc. LED troffer lens assembly mount
USD927027S1 (en) 2017-02-06 2021-08-03 Ideal Industries Lighting Llc LED troffer
CN111492596A (zh) * 2017-12-19 2020-08-04 松下电器（美国）知识产权公司 发送方法、接收方法、发送装置、以及接收装置
US10959300B2 (en) * 2018-01-04 2021-03-23 Signify Holding B.V. Integrated sensor modules for light fixtures

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001345014A (ja) * 2000-05-31 2001-12-14 Matsushita Electric Works Ltd 照明器具
KR100951838B1 (ko) 2009-03-27 2010-04-12 대하에스코 주식회사 고조도 센서 스위치
KR101103815B1 (ko) * 2010-03-09 2012-01-06 주식회사 아모럭스 Ｌｅｄ패널 및 이를 이용한 바 타입의 ｌｅｄ 조명장치
US20120306377A1 (en) * 2011-04-22 2012-12-06 Rohm Co., Ltd. Led lamp

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001184936A (ja) 1999-12-27 2001-07-06 Hero Tec Inc センサ付照明器具及びセンサ付蛍光灯器具
US6583573B2 (en) 2001-11-13 2003-06-24 Rensselaer Polytechnic Institute Photosensor and control system for dimming lighting fixtures to reduce power consumption
US6762562B2 (en) * 2002-11-19 2004-07-13 Denovo Lighting, Llc Tubular housing with light emitting diodes
ES2934308T3 (es) * 2003-05-05 2023-02-21 Signify North America Corp Unidad de iluminación
KR20080041464A (ko) 2006-11-07 2008-05-13 한국에너지기술연구원 개별 자동 조도 제어 장치를 내장한 조명 기구
JP2008181769A (ja) 2007-01-25 2008-08-07 Matsushita Electric Works Ltd センサ付ソケット及びこれを備えた照明器具
US8324817B2 (en) 2008-10-24 2012-12-04 Ilumisys, Inc. Light and light sensor
JP5543167B2 (ja) 2009-10-02 2014-07-09 ローム株式会社 調光制御装置、調光制御方法、および調光制御装置を備えた照明器具
KR101095482B1 (ko) 2009-12-29 2011-12-19 주식회사 케이디파워 Ｌｅｄ 조명장치
US8896208B2 (en) * 2009-12-31 2014-11-25 Larry N. Shew Light assembly
KR101160596B1 (ko) 2010-02-23 2012-07-11 (주) 스카이미디어 조명등의 절전장치
KR100996703B1 (ko) * 2010-06-07 2010-11-30 한태규 조명장치
KR100985474B1 (ko) 2010-06-25 2010-10-06 박기주 에코센서를 구비한 ｌｅｄ 조명장치
EP2792214A1 (en) * 2011-12-16 2014-10-22 Advanced Lighting Technologies, Inc. Near unity power factor long life low cost led lamp retrofit system and method
US8956013B1 (en) * 2012-03-13 2015-02-17 Larry N. Shew LED light troffer/fixture assembly
JP2014086234A (ja) * 2012-10-23 2014-05-12 Beat Sonic:Kk Ｌｅｄ電球
KR102036347B1 (ko) * 2013-02-12 2019-10-24 삼성전자 주식회사 발광소자 어레이부 및 이를 포함하는 발광소자 모듈
KR20150009880A (ko) * 2013-07-17 2015-01-27 삼성전자주식회사 직관형 발광 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001345014A (ja) * 2000-05-31 2001-12-14 Matsushita Electric Works Ltd 照明器具
KR100951838B1 (ko) 2009-03-27 2010-04-12 대하에스코 주식회사 고조도 센서 스위치
KR101103815B1 (ko) * 2010-03-09 2012-01-06 주식회사 아모럭스 Ｌｅｄ패널 및 이를 이용한 바 타입의 ｌｅｄ 조명장치
US20120306377A1 (en) * 2011-04-22 2012-12-06 Rohm Co., Ltd. Led lamp

Also Published As

Publication number Publication date
US9468066B2 (en) 2016-10-11
KR20140101230A (ko) 2014-08-19
US20140225513A1 (en) 2014-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102011100B1 (ko) 광센서 일체형 튜블러 발광 장치 및 이를 이용한 조명 시스템
US10347804B2 (en) Light source package and display device including the same
KR20150009880A (ko) 직관형 발광 장치
KR102070096B1 (ko) 광원 모듈 및 이를 구비하는 조명 장치
US9392657B2 (en) Lighting control system and method for controlling the same
US9568156B2 (en) Light source module and lighting device having the same
CN104253205B (zh) 半导体发光器件和其制造方法
KR20140101220A (ko) 조명 장치
US20160131327A1 (en) Light source module and lighting device having the same
KR20150021814A (ko) Led 구동 장치 및 조명 장치
KR101455083B1 (ko) 조명 장치
US20140043810A1 (en) Lighting apparatus
KR20150021838A (ko) Led 구동 장치 및 조명 장치
US20140239852A1 (en) Lighting control system and method for controlling the same
KR20140100325A (ko) 발광 소자 패키지 모듈
KR102098590B1 (ko) 발광모듈 및 이를 구비한 면 조명장치
KR20150019838A (ko) 조명 장치
KR20160056167A (ko) 발광 장치의 제조 방법, 발광 모듈 검사 장비 및 발광 모듈의 양불 판단 방법
US20150292682A1 (en) Lighting apparatus
KR102188491B1 (ko) 조명장치
US20180249549A1 (en) Light-emitting module and lighting apparatus provided with same
US9046259B2 (en) Lighting apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant