KR102008324B1

KR102008324B1 - Flexible Display Device

Info

Publication number: KR102008324B1
Application number: KR1020130070859A
Authority: KR
Inventors: 이규황; 송태준; 문태형; 이경하
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2013-06-20
Filing date: 2013-06-20
Publication date: 2019-08-07
Also published as: KR20140147494A

Abstract

본 발명은 영상을 표시하는 표시영역과 상기 표시영역을 둘러싸는 비표시영역을 포함하는 가요성기판과; 상기 가요성기판 상부에 형성되는 버퍼층과; 상기 버퍼층의 상부에 형성되고, 서로 교차하여 다수의 화소를 정의하는 게이트배선 및 데이터배선과; 상기 게이트배선 및 상기 데이터배선에 연결되는 박막트랜지스터와; 상기 게이트배선 및 상기 데이터배선 중 적어도 하나에 연결되며, 상기 표시영역과 상기 비표시영역에 걸쳐서 형성되어 신호를 전달하는 금속배선과; 상기 금속배선 상부에 부착되고, 내부에 상기 금속배선과 평행한 방향으로 배치되는 다수의 도전패턴을 포함하는 필름을 특징으로 하는 가요성표시장치를 제공한다.The present invention provides a flexible substrate comprising a display area for displaying an image and a non-display area surrounding the display area; A buffer layer formed on the flexible substrate; A gate wiring and a data wiring formed on the buffer layer and crossing each other to define a plurality of pixels; A thin film transistor connected to the gate line and the data line; A metal line connected to at least one of the gate line and the data line and formed over the display area and the non-display area to transfer a signal; A flexible display device is attached to an upper portion of the metal line, and includes a film including a plurality of conductive patterns disposed in a direction parallel to the metal line.

Description

Flexible Display Device

본 발명은 가요성 표시장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 베젤부의 단선불량을 방지할 수 있는 가요성 표시장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a flexible display device, and more particularly, to a flexible display device capable of preventing disconnection of a bezel portion.

정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정표시장치(liquid crystal display: LCD), 플라즈마표시장치(plasma display panel: PDP), 유기발광표시장치(organic light emitting diode: OLED)와 같은 여러 가지 평판표시장치(flat panel display: FPD)가 활용되고 있다.As the information society develops, the demand for display devices for displaying images is increasing in various forms. Recently, liquid crystal display (LCD), plasma display panel (PDP), and organic light emitting diodes Various flat panel displays (FPDs), such as organic light emitting diodes (OLEDs), are being utilized.

이들 평판표시장치 중에서, 액정표시장치는 소형화, 경량화, 박형화, 저전력 구동의 장점을 가지고 있어 현재 널리 사용되고 있다. Among these flat panel display devices, liquid crystal display devices are widely used because they have advantages of miniaturization, light weight, thinness, and low power driving.

그리고 최근, 플라스틱과 같이 휘어지는 연성을 갖는 가요성 기판에 박막트랜지스터 등의 어레이소자를 형성하는 가요성 표시장치가 각광받고 있다.Recently, a flexible display device for forming an array element such as a thin film transistor on a flexible substrate having a flexible flexibility such as plastic has been in the spotlight.

이러한 가요성 표시장치는 다수의 화소를 포함하며 화상을 표시하는 패널과, 패널의 각 화소에 신호를 인가하는 구동부를 포함한다.Such a flexible display device includes a panel including a plurality of pixels and displaying an image, and a driver for applying a signal to each pixel of the panel.

이때, 패널은 가요성기판을 포함할 수 있으며, 구동부는 인쇄회로기판(printed circuit board: PCB)를 포함할 수 있다.In this case, the panel may include a flexible substrate, and the driving unit may include a printed circuit board (PCB).

도 1은 종래의 가요성 표시장치의 일부를 도시한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view illustrating a portion of a conventional flexible display device.

도 1 에 도시한 바와 같이, 표시영역(AA)과 비표시영역(NAA)을 가진 가요성기판(10) 상에는, 영상을 표시하기 위한 박막트랜지스터(T) 및 유기발광 다이오드(E)가 형성되고, 박막트랜지스터(T) 및 유기발광 다이오드(E)에 신호를 전달하기 위한 금속배선(12)이 형성된다.As illustrated in FIG. 1, a thin film transistor T and an organic light emitting diode E for displaying an image are formed on the flexible substrate 10 having the display area AA and the non-display area NAA. The metal wiring 12 for transmitting a signal to the thin film transistor T and the organic light emitting diode E is formed.

이때, 금속배선(12)은 예를 들어 박막트랜지스터(T)의 게이트전극에 게이트신호를 전달하는 배선일 수 있다.In this case, the metal wire 12 may be, for example, a wire for transmitting a gate signal to the gate electrode of the thin film transistor T.

그리고, 금속배선(12)의 상부에는 금속배선(12) 및 박막트랜지스터(T)을 보호하기 위한 보호층(15)이 형성되고, 비표시영역(NAA)의 금속배선(12)의 일끝의 보호층 상부에는 가요성기판 상부의 박막트랜지스터(T) 및 유기발광 다이오드(E)에 전달되는 신호를 공급받기위한 패드(13)가 형성된다.In addition, a protective layer 15 is formed on the metal wire 12 to protect the metal wire 12 and the thin film transistor T, and protects one end of the metal wire 12 in the non-display area NAA. The pad 13 is formed on the layer to receive a signal transmitted to the thin film transistor T and the organic light emitting diode E on the flexible substrate.

이때, 도시하지 않았지만 패드(13)에는 외부의 구동부가 연결된다.At this time, although not shown, an external driving unit is connected to the pad 13.

그리고, 가요성기판(10)의 표시영역(AA)의 금속배선(12) 및 보호층(15) 상부에는 평탄화막(16)과 유기발광 다이오드(E)가 형성되고, 유기발광 다이오드(E)의 상부에는 유기발광 다이오드(E)를 보호하기 위한 커버층(19)이 형성된다.The planarization film 16 and the organic light emitting diode E are formed on the metal wiring 12 and the protective layer 15 of the display area AA of the flexible substrate 10, and the organic light emitting diode E The cover layer 19 for protecting the organic light emitting diode (E) is formed on the top.

한편, 가요성기판(10)의 비표시영역(NAA)의 금속배선(12)과 보호층(15)은 네로우 베젤을 구현하기 위해 패드(13)에 연결된 구동부와 함께 가요성기판(10)의 배면으로 젖혀진다.On the other hand, the metal wiring 12 and the protective layer 15 of the non-display area (NAA) of the flexible substrate 10 and the flexible substrate 10 together with a drive unit connected to the pad 13 to implement a narrow bezel. It is turned to the back of the.

이와 같이 비표시영역(NAA)의 금속배선(12)과 보호층(15)을 배면으로 젖힐 경우, 금속배선(12)에 크랙(crack)이 발생하여 신호가 전달되지 않는 전기적 단선이 발생하는 문제가 있다.
As such, when the metal wiring 12 and the protective layer 15 of the non-display area NAA are flipped to the back side, a crack occurs in the metal wiring 12 and an electrical disconnection that does not transmit a signal occurs. There is.

본 발명은, 상기한 문제점을 해결하기 위하여 제시된 것으로, 단선불량없이 베젤의 폭을 최소화할 수 있는 가요성 표시장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a flexible display device capable of minimizing the width of a bezel without a disconnection defect.

위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은 영상을 표시하는 표시영역과 상기 표시영역을 둘러싸는 비표시영역을 포함하는 가요성기판과; 상기 가요성기판 상부에 형성되는 버퍼층과; 상기 버퍼층의 상부에 형성되고, 서로 교차하여 다수의 화소를 정의하는 게이트배선 및 데이터배선과; 상기 게이트배선 및 상기 데이터배선에 연결되는 박막트랜지스터와; 상기 게이트배선 및 상기 데이터배선 중 적어도 하나에 연결되며, 상기 표시영역과 상기 비표시영역에 걸쳐서 형성되어 신호를 전달하는 금속배선과; 상기 금속배선 상부에 부착되고, 내부에 상기 금속배선과 평행한 방향으로 배치되는 다수의 도전패턴을 포함하는 필름을 특징으로 하는 가요성표시장치를 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention provides a flexible substrate including a display area for displaying an image and a non-display area surrounding the display area; A buffer layer formed on the flexible substrate; A gate wiring and a data wiring formed on the buffer layer and crossing each other to define a plurality of pixels; A thin film transistor connected to the gate line and the data line; A metal line connected to at least one of the gate line and the data line and formed over the display area and the non-display area to transfer a signal; A flexible display device is attached to an upper portion of the metal line, and includes a film including a plurality of conductive patterns disposed in a direction parallel to the metal line.

이때, 상기 필름은, 상기 다수의 도전패턴 상하부에 형성되는 도전볼을 더 포함하여, 이방성 도전 특성을 가진 전도성 테이프로 이루어 지는 것을 특징으로 한다.At this time, the film further comprises a conductive ball formed on the upper and lower portions of the plurality of conductive patterns, characterized in that made of a conductive tape having anisotropic conductive properties.

그리고, 상기 가요성기판, 상기 버퍼층 및 상기 필름의 두께 및 탄성률을 조절하여 상기 금속배선이 상기 가요성기판, 상기 버퍼층 및 상기 필름 사이에서 중립면에 위치하도록 하는 것을 포함한다.And controlling the thickness and elastic modulus of the flexible substrate, the buffer layer, and the film so that the metal wiring is positioned on a neutral plane between the flexible substrate, the buffer layer, and the film.

그리고, 상기 가요성기판은 폴리스티렌(polystyrene), 폴리에테르설폰(polyethersulfone), 폴리이미드(polyimide) 중의 하나를 포함한다.The flexible substrate includes one of polystyrene, polyethersulfone, and polyimide.

그리고, 상기 가요성기판과, 상기 금속배선 및 상기 필름은 상기 가요성기판의 배면으로 젖혀지는 것을 특징으로 한다.And, the flexible substrate, the metal wiring and the film is characterized in that it is folded to the back of the flexible substrate.

그리고, 상기 가요성기판 상부에 형성되는 구동 박막트랜지스터 및 유기발광 다이오드를 더 포함한다.The semiconductor device may further include a driving thin film transistor and an organic light emitting diode formed on the flexible substrate.

그리고, 상기 가요성기판 상부에 형성되는 광학적 이방성을 갖는 액정층을 더 포함한다.
The liquid crystal layer may further include a liquid crystal layer having optical anisotropy formed on the flexible substrate.

본 발명은 영상표시장치에 있어서, 배면으로 젖혀지는 금속배선 상부에 가요성 기판의 두께에 대응되는 두께를 갖는 테이프를 부착함으로써, 금속배선의 단선을 방지할 수 있다.According to the present invention, in the image display apparatus, by attaching a tape having a thickness corresponding to the thickness of the flexible substrate to the upper portion of the metal wiring to be folded back, disconnection of the metal wiring can be prevented.

또한, 배면으로 젖혀지는 금속배선 상부에 도전성 테이프를 부착함으로써, 단선이 발생한 금속배선을 연결하여 신호전달을 원활하게 할 수 있는 효과가 있다.
In addition, by attaching a conductive tape to the upper portion of the metal wiring to be folded back, there is an effect that can be connected to the metal wiring in which disconnection is generated to facilitate signal transmission.

도 1은 종래의 가요성표시장치의 일부를 도시한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 가요성표시장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ을 도시한 단면도이다.
도 4는 휘어짐에 따른 응력을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 가요성 표시장치의 일부를 도시한 단면도이다.
도 6은 전도성 테이프와 금속배선을 개략적으로 도시한 평면도이다.1 is a plan view illustrating a portion of a conventional flexible display device.
2 is a plan view schematically illustrating a flexible display device according to a first exemplary embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating III-III of FIG. 2.
4 is a view for explaining the stress caused by the bending.
5 is a cross-sectional view illustrating a part of a flexible display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.
6 is a plan view schematically illustrating a conductive tape and a metal wiring.

이하 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 가요성 표시장치를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ을 도시한 단면도이다.2 is a plan view schematically illustrating a flexible display device according to a first exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating III-III of FIG. 2.

도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 가요성기판(100)은 영상이 표시되는 표시영역(AA)과, 표시영역(AA)을 둘러싸는 비표시영역(NAA)을 포함한다. As shown in FIGS. 2 and 3, the flexible substrate 100 includes a display area AA in which an image is displayed and a non-display area NAA surrounding the display area AA.

이때, 가요성기판(100)은 플렉서블한 특성을 갖기위해 예를들어 폴리스티렌(polystyrene), 폴리에테르설폰(polyethersulfone), 폴리이미드(polyimide) 중의 하나로 형성될 수 있다.In this case, the flexible substrate 100 may be formed of, for example, one of polystyrene, polyethersulfone, and polyimide in order to have flexible characteristics.

그리고, 가요성기판(100) 상부의 표시영역(AA)에는 서로 교차하여 다수의 화소(p)를 정의하는 게이트배선(GL) 및 데이터 배선(DL)과, 데이터 배선(DL)과 대응되는 전력공급선(VL)이 형성되고, 각각의 화소(p)에는 스토리지캐패시터(CS)와 구동 박막트랜지스터(TD) 및 스위칭 박막트랜지스터(TS)와, 유기발광 다이오드(E)가 위치한다.In the display area AA on the flexible substrate 100, the gate lines GL and the data lines DL defining the plurality of pixels p to cross each other, and the power corresponding to the data lines DL, respectively. The supply line VL is formed, and in each pixel p, the storage capacitor CS, the driving thin film transistor TD, the switching thin film transistor TS, and the organic light emitting diode E are positioned.

이때, 게이트배선(GL) 및 데이터배선(DL)은 스위칭 박막트랜지스터(TS)와 연결되고, 구동 박막트랜지스터(TD)와 스토리지캐패시터(CS)는 스위칭 박막트랜지스터(TS)와 연결된다.In this case, the gate line GL and the data line DL are connected to the switching thin film transistor TS, and the driving thin film transistor TD and the storage capacitor CS are connected to the switching thin film transistor TS.

그리고, 전력공급선(VL)은 구동 박막트랜지스터(TD)와 스토리지캐패시터(CS)에 연결된다.The power supply line VL is connected to the driving thin film transistor TD and the storage capacitor CS.

구동 박막트랜지스터(TD) 및 스위칭 박막트랜지스터(TS)는 각각 반도체층(121)과, 게이트전극(125)과, 소스전극(128) 및 드레인전극(129)을 포함한다.The driving thin film transistor TD and the switching thin film transistor TS each include a semiconductor layer 121, a gate electrode 125, a source electrode 128, and a drain electrode 129.

이하 설명하는 구동 박막트랜지스터(TD)는 스위칭 박막 트랜지스터(TS)와 그 구조나 형성하는 방법이 동일하다.The driving thin film transistor TD described below has the same structure and a method of forming the switching thin film transistor TS.

먼저, 가요성기판(100) 상부에는 버퍼층(110)이 형성되고, 버퍼층(110) 상부에는 형성되는 구동 박막트랜지스터(TD)의 반도체층(121)이 형성된다. 반도체층(121)은 다결정실리콘으로 이루어지며, 채널영역과 채널영역 양측에 위치하는 드레인영역 및 소스영역을 포함한다.First, the buffer layer 110 is formed on the flexible substrate 100, and the semiconductor layer 121 of the driving thin film transistor TD is formed on the buffer layer 110. The semiconductor layer 121 is made of polysilicon and includes a channel region and a drain region and a source region located at both sides of the channel region.

한편, 버퍼층(100)은 무기물질로 이루어질 수 있으며, 다른 실시예에서는 생략할 수 있다.Meanwhile, the buffer layer 100 may be made of an inorganic material, and may be omitted in other embodiments.

반도체층(121) 상부에는, 게이트절연막(123)이 형성되고, 게이트절연막(123) 상부에는, 채널영역에 대응하여 게이트전극(125)이 형성된다.A gate insulating film 123 is formed on the semiconductor layer 121, and a gate electrode 125 is formed on the gate insulating film 123 corresponding to the channel region.

게이트전극(125) 상부에는, 층간절연막(127)이 형성되는데, 층간절연막(127)과 게이트절연막(123)에는, 반도체층(121)의 소스영역과 드레인영역 각각을 노출하는 반도체콘택홀이 형성된다.An interlayer insulating film 127 is formed on the gate electrode 125, and a semiconductor contact hole exposing each of the source and drain regions of the semiconductor layer 121 is formed in the interlayer insulating film 127 and the gate insulating film 123. do.

층간절연막(127) 상부에는, 소스전극(128) 및 드레인전극(129)이 형성되는데, 소스전극(128) 및 드레인전극(129)은, 대응되는 반도체콘택홀을 통해, 반도체층(121)의 소스영역 및 드레인영역과 각각 접촉한다.A source electrode 128 and a drain electrode 129 are formed on the interlayer insulating film 127, and the source electrode 128 and the drain electrode 129 are formed on the semiconductor layer 121 through corresponding semiconductor contact holes. In contact with the source region and the drain region, respectively.

소스전극(128) 및 드레인전극(129) 상부에는, 보호층(150)이 형성되고, 보호층(150) 상부에는, 평탄화막(160)과 유기발광다이오드(E)가 형성된다.The passivation layer 150 is formed on the source electrode 128 and the drain electrode 129, and the planarization film 160 and the organic light emitting diode E are formed on the passivation layer 150.

이때, 보호층(150)에는 드레인 전극(129)을 노출하는 제1 개구부가 형성되고, 평탄화막(160)에는 제1 개구부와 연동되는 제2 개구부가 형성된다. 그리고, 평탄화막(160)은 유기물질로 이루어질 수 있는데, 예를 들어 포토아크릴(Photoacryl), 폴리이미드(Polyimide), BCB(Benzo cyclo butene)를 포함할 수 있다.In this case, a first opening that exposes the drain electrode 129 is formed in the protection layer 150, and a second opening that is linked to the first opening is formed in the planarization layer 160. In addition, the planarization layer 160 may be formed of an organic material. For example, the planarization layer 160 may include photoacryl, polyimide, and benzocyclo butene (BCB).

이와 같은 보호층(150)의 제1 개구부와 평탄화막(160)의 제2 개구부를 통해, 유기발광다이오드(E)와 구동 박막 트랜지스터(TD)가 전기적으로 연결될 수 있다.The organic light emitting diode E and the driving thin film transistor TD may be electrically connected through the first opening of the protective layer 150 and the second opening of the planarization layer 160.

그리고, 유기발광다이오드(E)는, 제1 및 2 전극(171, 173)과, 제1 및 2 전극(171, 173) 사이에 형성된 유기발광층(175)을 포함할 수 있다.The organic light emitting diode E may include first and second electrodes 171 and 173 and an organic light emitting layer 175 formed between the first and second electrodes 171 and 173.

한편 제1 전극(171)은, 화소전극이라 불릴 수 있고, 투명도전성물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, ITO, IZO, GZO, IGZO 등의 물질이 사용될 수 있다. The first electrode 171 may be referred to as a pixel electrode and may be made of a transparent conductive material. For example, materials such as ITO, IZO, GZO, IGZO and the like may be used.

이에 따라, 유기발광층(175)에서 생성된 빛은 제1 전극(171)을 통과할 수 있게 되며, 더 나아가 가요성기판(100)을 통과하여 외부로 출사될 수 있게 된다.Accordingly, the light generated by the organic light emitting layer 175 may pass through the first electrode 171, and further, may pass through the flexible substrate 100 to be emitted to the outside.

제2 전극은(173), 반사특성이 높은 불투명한 도전성물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, Al, AlNd, MgAg, MgAl 등과 같이 반사특성을 갖는 물질로 이루어 질 수 있다. 이에 따라, 유기발광층(175)에서 생성된 빛은 제2 전극(173)을 통과하지 않고 제1 전극(171) 방향으로 반사되어 나아갈 수 있게 된다.The second electrode 173 may be made of an opaque conductive material having high reflection characteristics. For example, it may be made of a material having reflective properties such as Al, AlNd, MgAg, MgAl. Accordingly, the light generated by the organic light emitting layer 175 may be reflected toward the first electrode 171 without passing through the second electrode 173.

제1 및 2 전극(171, 173) 각각은, 애노드 및 캐소드의 역할을 할 수 있다. 애노드의 역할을 하는 제1 전극(171)은 일함수 값과 투과도가 상대적으로 높은 물질로 이루어질 수 있으며, 캐소드 역할을 하는 제2 전극(173)은 일함수 값과 투과도가 상대적으로 낮은 물질로 이루어질 수 있다.Each of the first and second electrodes 171 and 173 may serve as an anode and a cathode. The first electrode 171 serving as an anode may be made of a material having a relatively high work function and transmittance, and the second electrode 173 serving as a cathode may be made of a material having a relatively low work function and a transmittance. Can be.

또는 제1 전극(171)과 제2 전극(173) 모두 금속재질로 만들고 그중 하나의 두께를 얇게 형성하여 빛이 투과되도록 할 수도 있다.Alternatively, both the first electrode 171 and the second electrode 173 may be made of a metal material, and a thickness of one of them may be formed to allow light to be transmitted.

이때, 제1 전극(171)과 제2 전극(173)은 서로 자리를 바꾸어 형성할 수 있다. 제1 전극(171)과 제2 전극(173)의 서로 자리를 바꾸면 상부 발광 방식의 유기발광 디스플레이장치로 사용할 수 있다.In this case, the first electrode 171 and the second electrode 173 may be formed by changing positions. When the first electrode 171 and the second electrode 173 are replaced with each other, the first electrode 171 and the second electrode 173 may be used as the organic light emitting display device of the top emission type.

한편, 제 1 전극(171) 상부에는, 화소영역(P) 마다 개구부를 갖는 뱅크(bank)층(180)이 형성될 수 있다.Meanwhile, a bank layer 180 having an opening for each pixel region P may be formed on the first electrode 171.

이때, 뱅크층(180)은 제1 전극(171)의 가장자리를 덮을 수 있고, 제1 전극(171)의 중앙부를 노출하는 제3 개구부를 포함하는데, 이와 같은 뱅크층(180)의 제3 개구부에는 적, 녹, 청의 빛을 발광하는 유기발광층(175)이 형성될 수 있다.In this case, the bank layer 180 may cover an edge of the first electrode 171 and include a third opening that exposes a central portion of the first electrode 171, and the third opening of the bank layer 180 may be formed. An organic light emitting layer 175 emitting light of red, green, and blue may be formed.

그리고, 뱅크층(180) 상부에는 커버층(190)이 형성된다.The cover layer 190 is formed on the bank layer 180.

전술한 바와 같은 구성을 갖는 유기발광다이오드(E)는, 스위칭 박막 트랜지스터(TS) 및 구동 박막트랜지스터(TD) 각각의 게이트전극(미도시, 121)과 소스전극(미도시, 128)에 인가된 신호에 따라 대응되는 휘도의 빛을 생성하여 가요성기판(100) 방향을 향해 방출하게 된다.The organic light emitting diode E having the configuration as described above is applied to the gate electrode (not shown) 121 and the source electrode (not shown) 128 of each of the switching thin film transistor TS and the driving thin film transistor TD. According to the signal, light of a corresponding luminance is generated and emitted toward the flexible substrate 100.

이때, 스위칭 박막트랜지스터(TS)의 게이트전극은 게이트배선(GL)과 연결되어 게이트신호를 인가받고, 소스전극는 데이터배선(DL)과 연결되어 데이터신호를 인가받는다.In this case, the gate electrode of the switching thin film transistor TS is connected to the gate wiring GL to receive a gate signal, and the source electrode is connected to the data wiring DL to receive a data signal.

그리고, 구동 박막트랜지스터(TD)의 소스전극(128)과 스토리지캐패시터(CS)는 전력공급선(VL)과 연결되어 파워전압을 공급받는다.The source electrode 128 and the storage capacitor CS of the driving thin film transistor TD are connected to the power supply line VL to receive a power voltage.

한편 가요성기판(100) 상부에는 표시영역(AA) 및 비표시영역(NAA)에 걸쳐서 금속배선(120)이 형성된다.On the other hand, the metal wiring 120 is formed on the flexible substrate 100 over the display area AA and the non-display area NAA.

이때, 게이트 배선(GL) 및 데이터배선(DL) 또는 전력공급선(VL)은 금속배선(120)에 연결되어 외부의 구동부(135)로부터 게이트 전압, 데이터 전압 또는 전원 전압을 공급받을 수 있다.In this case, the gate line GL, the data line DL, or the power supply line VL may be connected to the metal line 120 to receive a gate voltage, a data voltage, or a power supply voltage from an external driver 135.

이와 같은 금속배선(120)은 예를 들어 구리, 금, 알루미늄 중의 하나로 이루어질 수 있다.The metal wire 120 may be formed of, for example, one of copper, gold, and aluminum.

따라서, 가요성기판(100) 상부의 비표시영역(NAA)에는 버퍼층(110)과, 금속배선(120) 및 보호층(150)이 형성된다.Accordingly, the buffer layer 110, the metal wiring 120, and the protective layer 150 are formed in the non-display area NAA on the flexible substrate 100.

이때, 비표시영역(NAA)의 보호층(150) 상부에는 보호층(150) 및 금속배선(120)의 단선을 방지하기 위한 필름(155)이 형성된다.In this case, a film 155 is formed on the passivation layer 150 of the non-display area NAA to prevent disconnection of the passivation layer 150 and the metal wiring 120.

그리고, 비표시영역(NAA)의 금속배선(120)의 일끝에는 가요성기판(100) 상부의 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(TS, TD) 및 유기발광 다이오드(E)에 전달되는 신호를 공급받기위한 패드(130)가 형성된다.In addition, at one end of the metal line 120 of the non-display area NAA, a signal for supplying a signal transmitted to the switching and driving thin film transistors TS and TD and the organic light emitting diode E on the flexible substrate 100 is supplied. The pad 130 is formed.

패드(130)는 외부의 구동부(135)에 연결된다.The pad 130 is connected to the external driving unit 135.

따라서 구동부(135)는 금속배선(120)을 통하여 표시영역(AA)의 스위칭 및 구동박막트랜지스터(TS, TD) 로 신호를 공급한다.Accordingly, the driving unit 135 supplies a signal to the switching and driving thin film transistors TS and TD of the display area AA through the metal wire 120.

이때, 구동부에서 공급하는 신호는 예를 들어 게이트신호 또는 데이터신호 및 전력신호가 될 수 있고 이에 한정되지 않는다.In this case, the signal supplied from the driver may be, for example, a gate signal or a data signal and a power signal, but is not limited thereto.

이와 같은 가요성기판(100)을 가진 본 발명의 가요성표시장치에서는, 베젤부의 면적을 축소시키기 위해 가요성기판(100)의 비표시영역(NAA)과 구동부(135)가 가요성기판(100)의 배면으로 젖혀진다.In the flexible display device of the present invention having the flexible substrate 100 as described above, the non-display area NAA and the driving unit 135 of the flexible substrate 100 may reduce the area of the bezel portion of the flexible substrate 100. It is flipped to the back of).

이때, 가요성기판(100)과 버퍼층(110)과 금속배선(120)과 보호층(150) 및 필름(155)이 휘어진다.At this time, the flexible substrate 100, the buffer layer 110, the metal wiring 120, the protective layer 150, and the film 155 are bent.

이때, 휘어지는 가요성기판(100) 및 버퍼층(110)은 제1 두께(t1)를 가지고, 보호층(150) 및 필름(155)도 제2 두께(t2)를 가지는데, 금속배선(120)의 위치를 가요성 기판(100) 및 버퍼층(110)과, 보호층(150) 및 필름(155) 사이의 휨 응력이 0이고 신축이 없는 중립면에 대응되도록 형성하여 금속배선(120)의 신축을 최소화할 수 있다. 예를들어 가요성기판(100) 및 버퍼층(110)의 두께(t1)와, 보호층(150) 및 필름(155)의 두께(t2)와 탄성률을 실질적으로 동일하게 형성하면 금속배선(120)의 신축이 일어나지 않아 금속배선(120)의 크랙 발생을 방지할 수 있다.In this case, the flexible flexible substrate 100 and the buffer layer 110 have a first thickness t1, and the protective layer 150 and the film 155 also have a second thickness t2. The position of the flexible substrate 100 and the buffer layer 110, and the bending stress between the protective layer 150 and the film 155 is formed so as to correspond to the neutral plane without stretching and zero stretching of the metal wire 120 Can be minimized. For example, when the thickness t1 of the flexible substrate 100 and the buffer layer 110, the thickness t2 of the protective layer 150 and the film 155, and the elastic modulus are substantially the same, the metal wiring 120 may be formed. Since the expansion and contraction of the metal wiring 120 can be prevented from occurring.

즉, 금속배선(120)이 중립면에 위치하도록 형성하기 위해, 예를 들어 금속배선(120) 및 보호층(150)의 상부에 필름(155) 혹은 테이프를 부착하면 금속배선(120)이 중립면에 위치하게 되어 신축이 일어나지 않으며, 단선이 발생하는 것을 방지할 수 있다.That is, in order to form the metal wires 120 on the neutral plane, for example, the metal wires 120 are neutral when the film 155 or the tape is attached to the metal wires 120 and the protective layer 150. Since it is located on the surface, no stretching occurs, and it is possible to prevent disconnection.

이때, 가요성기판(100)과 금속배선(120)이 휘어지는데 휘어질 때 가요성기판(100)과, 금속배선(120)이 받는 응력을 도면을 참조하여 설명한다.At this time, when the flexible substrate 100 and the metal wiring 120 are bent, the stress received by the flexible substrate 100 and the metal wiring 120 will be described with reference to the drawings.

도 4는 휘어짐에 따른 응력을 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining the stress caused by the bending.

도 4에 도시한 바와 같이, 높이가 h이고, 세로가 b인 직사각기둥(200)에 있어서 상면을 A라하고 A면과 대응되는 하면을 A'라 할 때, 직사각기둥(200)의 양단을 상부로 휘었을 때, A면에 발생하는 최대굽힘응력(maximum compression stress, a)은

(M_max:최대굽힘모멘트)의 수식으로 구할 수 있고, A'면에 발생하는 최대인장응력(maximum tensile stress, b)은

으로 구할 수 있다.As shown in FIG. 4, when the top surface is A and the bottom surface corresponding to the A surface is A 'in the rectangular pillar 200 having a height h and a vertical b, both ends of the rectangular pillar 200 are defined as A'. When bent upwards, the maximum compression stress (a) that occurs on the A plane is

(M _max : maximum bending moment), and the maximum tensile stress (b) that occurs on the surface A 'is

You can get it by

이때, 직사각기둥(200)이 최대인장응력(a)을 넘는 힘을 받아 휘어지면 직사각기둥(200)의 A'면이 찢어지는 현상이 발생한다. At this time, when the rectangular pillar 200 is bent under the force of the maximum tensile stress (a), a phenomenon occurs that A 'surface of the rectangular pillar 200 is torn.

한편, 휘어지는 직사각기둥(200) 중앙부의 면 B는 휨 응력이 0이고 신축이 없는 중립면으로 신축이 없어 찢어지는 현상이 발생하지 않는다. On the other hand, the surface B of the center portion of the curved rectangular pillar 200 has a bending stress of 0 and no expansion and contraction does not occur due to a neutral plane without stretching.

따라서 금속배선을 B면에 위치하도록 형성하면, 금속배선에 금이 생기거나 끊어져서 신호가 전달되지 않는 단선문제를 해결할 수 있다.
Therefore, if the metal wiring is formed so as to be located on the B surface, it is possible to solve the disconnection problem in which the signal is not transmitted because the metal wiring is cracked or broken.

이하, 도 5을 참조하여 본 발명의 제2 실시예의 패드 및 금속배선이 가요성기판(100)의 배면으로 젖혀져 휘어지는 것을 설명한다.Hereinafter, the pad and the metal wiring of the second embodiment of the present invention will be bent and bent to the rear surface of the flexible substrate 100 with reference to FIG. 5.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 가요성 표시장치의 일부를 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a part of a flexible display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.

이때, 본 발명의 제2 실시예에 따른 가요성표시장치는 전술한 본 발명의 제1 실시예의 다른예로, 본 발명의 제1 실시예의 평면도인 도 2를 참조하여 설명한다.In this case, the flexible display device according to the second embodiment of the present invention is another example of the first embodiment of the present invention described above with reference to FIG. 2, which is a plan view of the first embodiment of the present invention.

가요성기판(300)은 영상이 표시되는 표시영역(AA)과, 표시영역(AA)을 둘러싸는 비표시영역(NAA)을 포함한다. The flexible substrate 300 includes a display area AA in which an image is displayed and a non-display area NAA surrounding the display area AA.

이때, 가요성기판(300)은 플렉서블한 특성을 갖기위해 예를들어 폴리스티렌(polystyrene), 폴리에테르설폰(polyethersulfone), 폴리이미드(polyimide) 중의 하나로 형성될 수 있다.In this case, the flexible substrate 300 may be formed of, for example, one of polystyrene, polyethersulfone, and polyimide in order to have flexible characteristics.

그리고, 가요성기판(300) 상부의 표시영역(AA)에는 서로 교차하여 다수의 화소(p)를 정의하는 게이트배선(GL) 및 데이터 배선(DL)과, 데이터 배선(DL)과 대응되는 전력공급선(VL)이 형성되고, 각각의 화소(p)에는 스토리지캐패시터(CS)와 구동 박막트랜지스터(TD) 및 스위칭 박막트랜지스터(TS)와, 유기발광 다이오드(E)가 위치한다.In the display area AA on the flexible substrate 300, the gate wiring GL and the data wiring DL defining the plurality of pixels p to cross each other, and the power corresponding to the data wiring DL, respectively. The supply line VL is formed, and in each pixel p, the storage capacitor CS, the driving thin film transistor TD, the switching thin film transistor TS, and the organic light emitting diode E are positioned.

구동 박막트랜지스터(TD) 및 스위칭 박막트랜지스터(TS)는 각각 반도체층(321)과, 게이트전극(325)과, 소스전극(328) 및 드레인전극(329)을 포함한다.The driving thin film transistor TD and the switching thin film transistor TS each include a semiconductor layer 321, a gate electrode 325, a source electrode 328, and a drain electrode 329.

먼저, 가요성기판(300) 상부에는 버퍼층(310)이 형성되고, 버퍼층(310) 상부에는 형성되는 구동 박막트랜지스터(TD)의 반도체층(321)이 형성된다. 반도체층(321)은 다결정실리콘으로 이루어지며, 채널영역과 채널영역 양측에 위치하는 드레인영역 및 소스영역을 포함한다.First, the buffer layer 310 is formed on the flexible substrate 300, and the semiconductor layer 321 of the driving thin film transistor TD is formed on the buffer layer 310. The semiconductor layer 321 is made of polysilicon, and includes a channel region and a drain region and a source region located at both sides of the channel region.

한편, 버퍼층(300)은 무기물질로 이루어질 수 있으며, 다른 실시예에서는 생략할 수 있다.Meanwhile, the buffer layer 300 may be made of an inorganic material, and may be omitted in other embodiments.

반도체층(321) 상부에는, 게이트절연막(323)이 형성되고, 게이트절연막(323) 상부에는, 채널영역에 대응하여 게이트전극(325)이 형성된다.A gate insulating film 323 is formed on the semiconductor layer 321, and a gate electrode 325 is formed on the gate insulating film 323 corresponding to the channel region.

게이트전극(325) 상부에는, 층간절연막(327)이 형성되는데, 층간절연막(327)과 게이트절연막(323)에는, 반도체층(321)의 소스영역과 드레인영역 각각을 노출하는 반도체콘택홀이 형성된다.An interlayer insulating film 327 is formed on the gate electrode 325, and a semiconductor contact hole exposing each of the source and drain regions of the semiconductor layer 321 is formed in the interlayer insulating film 327 and the gate insulating film 323. do.

층간절연막(327) 상부에는, 소스전극(328) 및 드레인전극(329)이 형성되는데, 소스전극(328) 및 드레인전극(329)은, 대응되는 반도체콘택홀을 통해, 반도체층(321)의 소스영역 및 드레인영역과 각각 접촉한다.A source electrode 328 and a drain electrode 329 are formed on the interlayer insulating film 327, and the source electrode 328 and the drain electrode 329 are formed on the semiconductor layer 321 through corresponding semiconductor contact holes. In contact with the source region and the drain region, respectively.

소스전극(328) 및 드레인전극(329) 상부에는, 보호층(350)이 형성되고, 보호층(350) 상부에는, 평탄화막(360)과 유기발광다이오드(E)가 형성된다.The passivation layer 350 is formed on the source electrode 328 and the drain electrode 329, and the planarization film 360 and the organic light emitting diode E are formed on the passivation layer 350.

이때, 보호층(350)에는 드레인 전극(329)을 노출하는 제1 개구부가 형성되고, 평탄화막(360)에는 제1 개구부와 연동되는 제2 개구부가 형성된다. 그리고, 평탄화막(360)은 유기물질로 이루어질 수 있는데, 예를 들어 포토아크릴(Photoacryl), 폴리이미드(Polyimide), BCB(Benzo cyclo butene)를 포함할 수 있다.In this case, a first opening that exposes the drain electrode 329 is formed in the protective layer 350, and a second opening that is linked to the first opening is formed in the planarization film 360. In addition, the planarization layer 360 may be formed of an organic material. For example, the planarization layer 360 may include photoacryl, polyimide, and benzocyclo butene (BCB).

이와 같은 보호층(350)의 제1 개구부와 평탄화막(360)의 제2 개구부를 통해, 유기발광다이오드(E)와 구동 박막 트랜지스터(TD)가 전기적으로 연결될 수 있다.The organic light emitting diode E and the driving thin film transistor TD may be electrically connected through the first opening of the protective layer 350 and the second opening of the planarization layer 360.

그리고, 유기발광다이오드(E)는, 제1 및 2 전극(371, 373)과, 제1 및 2 전극(371, 373) 사이에 형성된 유기발광층(375)을 포함할 수 있다.The organic light emitting diode E may include first and second electrodes 371 and 373 and an organic light emitting layer 375 formed between the first and second electrodes 371 and 373.

한편 제1 전극(371)은, 화소전극이라 불릴 수 있고, 투명도전성물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, ITO, IZO, GZO, IGZO 등의 물질이 사용될 수 있다. The first electrode 371 may be referred to as a pixel electrode and may be made of a transparent conductive material. For example, materials such as ITO, IZO, GZO, IGZO and the like may be used.

이에 따라, 유기발광층(375)에서 생성된 빛은 제1 전극(371)을 통과할 수 있게 되며, 더 나아가 가요성기판(300)을 통과하여 외부로 출사될 수 있게 된다.Accordingly, the light generated by the organic light emitting layer 375 may pass through the first electrode 371, and further, may pass through the flexible substrate 300 to be emitted to the outside.

제2 전극은(373), 반사특성이 높은 불투명한 도전성물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, Al, AlNd, MgAg, MgAl 등과 같이 반사특성을 갖는 물질로 이루어 질 수 있다. 이에 따라, 유기발광층(375)에서 생성된 빛은 제2 전극(373)을 통과하지 않고 제1 전극(371) 방향으로 반사되어 나아갈 수 있게 된다.The second electrode 373 may be made of an opaque conductive material having high reflection characteristics. For example, it may be made of a material having reflective properties such as Al, AlNd, MgAg, MgAl. Accordingly, the light generated by the organic light emitting layer 375 may be reflected toward the first electrode 371 without passing through the second electrode 373.

제1 및 2 전극(371, 373)각각은, 애노드 및 캐소드의 역할을 할 수 있다. 애노드의 역할을 하는 제1 전극(371)은 일함수 값과 투과도가 상대적으로 높은 물질로 이루어질 수 있으며, 캐소드 역할을 하는 제2 전극(373)은 일함수 값과 투과도가 상대적으로 낮은 물질로 이루어질 수 있다.Each of the first and second electrodes 371 and 373 may serve as an anode and a cathode. The first electrode 371 serving as an anode may be made of a material having a relatively high work function and transmittance, and the second electrode 373 serving as a cathode may be made of a material having a relatively low work function and a low transmittance. Can be.

또는 제1 전극(371)과 제2 전극(373) 모두 금속재질로 만들고 그중 하나의 두께를 얇게 형성하여 빛이 투과되도록 할 수도 있다.Alternatively, both the first electrode 371 and the second electrode 373 may be made of a metal material, and a thickness of one of them may be formed to allow light to pass therethrough.

이때, 제1 전극(371)과 제2 전극(373)은 서로 자리를 바꾸어 형성할 수 있다. 제1 전극(371)과 제2 전극(373)의 서로 자리를 바꾸면 상부 발광 방식의 유기발광 디스플레이장치로 사용할 수 있다.In this case, the first electrode 371 and the second electrode 373 may be formed by changing positions. When the first electrode 371 and the second electrode 373 are replaced with each other, the organic light emitting display device of the top emission type can be used.

한편, 제 1 전극(371) 상부에는, 화소영역(P) 마다 개구부를 갖는 뱅크(bank)층(380)이 형성될 수 있다.On the other hand, a bank layer 380 may be formed on the first electrode 371 and has an opening for each pixel region P. FIG.

이때, 뱅크층(380)은 제1 전극(371)의 가장자리를 덮을 수 있고, 제1 전극(371)의 중앙부를 노출하는 제3 개구부를 포함하는데, 이와 같은 뱅크층(380)의 제3 개구부에는 적, 녹, 청의 빛을 발광하는 유기발광층(375)이 형성될 수 있다.In this case, the bank layer 380 may cover an edge of the first electrode 371, and include a third opening that exposes a central portion of the first electrode 371. The third opening of the bank layer 380 may be formed. An organic light emitting layer 375 emitting light of red, green, and blue may be formed in the organic light emitting layer 375.

그리고, 뱅크층(380) 상부에는 커버층(390)이 형성된다.The cover layer 390 is formed on the bank layer 380.

전술한 바와 같은 구성을 갖는 유기발광다이오드(E)는, 스위칭 박막 트랜지스터(TS) 및 구동 박막트랜지스터(TD) 각각의 게이트전극(미도시, 321)과 소스전극(미도시, 328)에 인가된 신호에 따라 대응되는 휘도의 빛을 생성하여 가요성기판(300) 방향을 향해 방출하게 된다.The organic light emitting diode E having the above configuration is applied to the gate electrode 321 and the source electrode 328 of each of the switching thin film transistor TS and the driving thin film transistor TD. According to the signal, light of a corresponding luminance is generated and emitted toward the flexible substrate 300.

그리고, 구동 박막트랜지스터(TD)의 소스전극(328)과 스토리지캐패시터(CS)는 전력공급선(VL)과 연결되어 파워전압을 공급받는다.The source electrode 328 and the storage capacitor CS of the driving thin film transistor TD are connected to the power supply line VL to receive a power voltage.

한편 가요성기판(300) 상부에는 표시영역(AA) 및 비표시영역(NAA)에 걸쳐서 금속배선(320)이 형성된다.Meanwhile, the metal wiring 320 is formed on the flexible substrate 300 over the display area AA and the non-display area NAA.

이때, 게이트 배선(GL) 및 데이터배선(DL) 또는 전력공급선(VL)은 금속배선(320)에 연결되어 외부의 구동부(135)로부터 게이트 전압, 데이터 전압 또는 전원 전압을 공급받을 수 있다.In this case, the gate line GL, the data line DL, or the power supply line VL may be connected to the metal line 320 to receive a gate voltage, a data voltage, or a power supply voltage from an external driver 135.

이와 같은 금속배선(320)은 예를 들어 구리, 금, 알루미늄 중의 하나로 이루어질 수 있다.The metal wire 320 may be made of one of copper, gold, and aluminum, for example.

한편, 가요성기판(300) 상부의 비표시영역(NAA)에는 버퍼층(310)과, 금속배선(320) 및 보호층(350)이 위치한다.The buffer layer 310, the metal wiring 320, and the protective layer 350 are positioned in the non-display area NAA on the flexible substrate 300.

이때, 보호층(350) 상부에는 보호층(350) 및 금속배선(320)의 단선을 방지하기 위한 전도성 테이프(355)가 형성된다.In this case, a conductive tape 355 is formed on the protective layer 350 to prevent disconnection of the protective layer 350 and the metal wiring 320.

그리고, 비표시영역(NAA)의 금속배선(320)의 일끝에는 가요성기판(300) 상부의 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(TS, TD) 및 유기발광 다이오드(E)에 전달되는 신호를 공급받기위한 패드(330)가 형성된다.In addition, at one end of the metal wiring 320 of the non-display area NAA, a signal for supplying a signal transmitted to the switching and driving thin film transistors TS and TD and the organic light emitting diode E on the flexible substrate 300 is supplied. Pad 330 is formed.

이때, 패드(330)는 외부의 구동부(135)와 연결된다.In this case, the pad 330 is connected to the external driving unit 135.

따라서 구동부(135)는 금속배선(320)을 통하여 표시영역(AA)의 스위칭 및 구동박막트랜지스터(TS, TD)로 신호를 전달한다.Therefore, the driving unit 135 transmits a signal to the switching and driving thin film transistors TS and TD of the display area AA through the metal wire 320.

이와 같은 가요성기판(300)을 가진 본 발명의 가요성표시장치에서는 베젤부의 면적을 축소시키기 위해 가요성기판(300)의 비표시영역(NAA)과 구동부가 가요성기판(300)의 배면으로 젖혀진다.In the flexible display device having the flexible substrate 300 as described above, the non-display area NAA and the driving portion of the flexible substrate 300 are formed on the rear surface of the flexible substrate 300 to reduce the area of the bezel portion. Flipped

이때, 비표시영역(NAA)의 보호층(350)은 제거될 수 있는데, 보호층(350)을 제거하고 비표시영역(NAA)의 금속배선(320) 상부에 이방성 도전 특성을 가진 전도성 테이프(355)를 부착하면, 금속배선(320)이 크랙에 의하여 단선되더라도 신호가 전도성 테이프(355)를 통해 원활하게 전달할 수 있다.In this case, the protective layer 350 of the non-display area NAA may be removed, and the conductive tape having anisotropic conductive characteristics may be removed on the metal line 320 of the non-display area NAA. When the 355 is attached, the signal can be smoothly transmitted through the conductive tape 355 even if the metal wire 320 is disconnected by the crack.

이와 같은 전도성 테이프는 차후에 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Such a conductive tape will be described in detail later with reference to the drawings.

그리고, 전도성 테이프(355)는 내부에 일방향으로 도전 패턴이 형성되며, 이러한 도전패턴으로 의해 신호를 일방향으로 전달한다. 따라서 도전 패턴이 형성된 전도성 테이프(355)를 사용하여 단선이 발생한 배선을 전기적으로 연결할 수 있다.The conductive tape 355 has a conductive pattern formed in one direction therein, and transmits a signal in one direction by the conductive pattern. Therefore, the conductive tape 355 having the conductive pattern formed thereon may electrically connect the wiring in which the disconnection has occurred.

한편, 전도성 테이프(355)을 부착할 때, 금속배선(320)의 위치가 가요성기판(100)내지 전도성 테이프(355) 사이의 휨 응력이 0이며, 신축이 없는 중립면에 위치하도록 가요성기판(300) 내지 전도성 테이프(355)의 두께와 탄성률을 결정할 수 있는데, 이 경우 금속배선(320)의 신축이 발생하지 않으므로 금속배선(320)의 단선을 방지하여 신호를 원활하게 전달할 수 있다. On the other hand, when attaching the conductive tape 355, the position of the metal wiring 320 is flexible so that the bending stress between the flexible substrate 100 and the conductive tape 355 is 0, and is located on a neutral plane without stretching. The thickness and elastic modulus of the substrate 300 to the conductive tape 355 may be determined. In this case, since the expansion and contraction of the metal wire 320 does not occur, disconnection of the metal wire 320 may be prevented to smoothly transmit a signal.

이와 같이, 전도성 테이프(355)가 필름역할을 하도록 부착하면 금속배선(320)이 중립면에 위치하여 신축이 발생하지 않고 단선이 발생하는 것이 방지되며, 단선이 발생하더라도 전도성 테이프(355)로 인해 신호가 원활하게 전달된다.As such, when the conductive tape 355 is attached to act as a film, the metal wire 320 is positioned on the neutral plane, thereby preventing the wire from being disconnected without stretching, and even if the wire is broken due to the conductive tape 355. The signal is delivered smoothly.

이하 도 6을 참조하여 전도성 테이프를 설명한다.Hereinafter, a conductive tape will be described with reference to FIG. 6.

도 6은 전도성 테이프와 금속배선을 개략적으로 도시한 평면도이다.6 is a plan view schematically illustrating a conductive tape and a metal wiring.

도 6에 도시한 바와 같이, 전도성 테이프(355) 내부에는 제1 방향(X1)으로 평행하고, 서로 이격되는 다수의 금속패턴(358)이 형성된다.As illustrated in FIG. 6, a plurality of metal patterns 358 are formed in the conductive tape 355 that are parallel to each other and spaced apart from each other in the first direction X1.

이때 도시하지 않았지만, 다수의 금속패턴(358) 상하부에도 다수의 도전볼이 형성될 수 있으며, 다수의 금속패턴(358)은 도전볼을 통하여 금속배선(320)과 접촉할 수 있다.Although not shown, a plurality of conductive balls may be formed on upper and lower portions of the plurality of metal patterns 358, and the plurality of metal patterns 358 may contact the metal wires 320 through the conductive balls.

따라서, 다수의 금속패턴(358)이 금속배선(320)과 평행하도록 전도성 테이프(355)를 가요성 기판(300)의 비표시영역(NAA)에 부착할 경우, 금속배선(320)에 크랙이 발생한 경우에도 금속패턴(358)을 통하여 신호가 전달될 수 있다.Therefore, when the conductive tape 355 is attached to the non-display area NAA of the flexible substrate 300 such that the plurality of metal patterns 358 are parallel to the metal wiring 320, cracks may be formed on the metal wiring 320. Even when generated, a signal may be transmitted through the metal pattern 358.

이때, 금속패턴(358)에 평행한 제1 방향(X1)에 수직한 제2 방향(X2)으로는 도전되지 않으므로, 인접판 금속배선(320) 사이의 단락을 방지할 수 있다. At this time, since it is not conductive in the second direction X2 perpendicular to the first direction X1 parallel to the metal pattern 358, a short circuit between the adjacent plate metal wirings 320 may be prevented.

본 발명의 실시예에서는 유기발광 디스플레이 장치로 예를들어 설명하였지만, 예를들어 액정표시장치, 플라즈마표시장치등에 사용되는 모든 가요성기판에 적용가능하다.In the embodiment of the present invention, an organic light emitting display device has been described as an example, but is applicable to all flexible substrates used in, for example, liquid crystal display devices, plasma display devices, and the like.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art various modifications and changes to the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.

100 : 가요성기판 120 : 금속배선
130 : 패드 150 : 보호층
155 : 필름 160 : 평탄화막
190: 커버층 T : 박막트랜지스터
E : 유기발광 다이오드 100: flexible substrate 120: metal wiring
130: pad 150: protective layer
155 film 160 planarization film
190: cover layer T: thin film transistor
E: organic light emitting diode

Claims

A flexible substrate including a display area for displaying an image and a non-display area surrounding the display area;
A buffer layer formed on the flexible substrate;
A gate wiring and a data wiring formed on the buffer layer and crossing each other to define a plurality of pixels;
A thin film transistor connected to the gate line and the data line;
A metal line connected to at least one of the gate line and the data line and formed over the display area and the non-display area to transfer a signal;
The film is attached to the upper portion of the metal wiring, the film including a plurality of conductive patterns disposed in a direction parallel to the metal wiring inside
Flexible display device characterized in that.

The method of claim 1,
The film may further include conductive balls formed on upper and lower portions of the plurality of conductive patterns, wherein the flexible display device is made of a conductive tape having anisotropic conductivity.

The method of claim 1,
The thickness and elastic modulus of the flexible substrate and the buffer layer and the thickness and elastic modulus of the film are adjusted to be equal to each other so that the metal wire is a neutral surface having zero bending stress and no stretching between the flexible substrate, the buffer layer and the film. A flexible display device, comprising: positioned at.

The method of claim 1,
The flexible substrate includes one of polystyrene, polyethersulfone, and polyimide.

The method of claim 1,
And the flexible substrate, the metal wiring, and the film are folded over the rear surface of the flexible substrate.

According to claim 1,
And a driving thin film transistor and an organic light emitting diode formed on the flexible substrate.

According to claim 1,
And a liquid crystal layer having optical anisotropy formed on the flexible substrate.