KR102006424B1 - Probe card for using high-frequency data signal - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a probe card for using a high-frequency signal to maintain a stable contact with a chip even in a harsh environment such as a high temperature environment. According to the present invention, the probe card comprises: a printed circuit board; a plurality of needles fixed on the printed circuit board; a probe ring supporting the needles, made of metal, and coupled to the printed circuit board; and a signal transmission line connecting a test signal supply device and the plurality of needles.

Description

고주파 데이터 신호 이용을 위한 프로브 카드{Probe card for using high-frequency data signal}[0001] The present invention relates to a probe card for using a high-frequency data signal,

본 발명은 고주파 데이터 신호 이용을 위한 프로브 카드에 관한 것으로 특히, 고온환경과 같은 열악한 환경에서도 칩과 안정적인 접촉을 유지할 수 있도록 한 고주파 데이터 신호 이용을 위한 프로브카드에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe card for use in a high-frequency data signal, and more particularly, to a probe card for using a high-frequency data signal to maintain stable contact with a chip even in a harsh environment such as a high-temperature environment.

알려진 바와 같이 일반적으로 반도체라 부르는 집적회로들은 웨이퍼에 회로를 구성한 칩을 몰딩하여 생산이 된다. 이러한 칩 들은 웨이퍼에 복수로 동시에 형성되고, 하나의 웨이퍼를 다이싱하여 칩들을 분리한 후, 분리된 칩 각각을 몰딩하여 반도체가 제조된다.As is known, integrated circuits, commonly referred to as semiconductors, are produced by molding a chip that forms a circuit on a wafer. These chips are formed in a plurality of wafers at the same time, dicing one wafer to separate the chips, and then molding each of the separated chips to manufacture a semiconductor.

이를 위해, 칩들은 몰딩 전에 검사를 수행하여 정상적인 상태인지를 확인한 후 몰딩 과정을 진행하게 된다.To do this, the chips are inspected before molding to confirm that they are in a normal state and then proceed with the molding process.

이와 같은 검사들은 웨이퍼 상태의 칩들을 개별적으로 검사가 수행된다. 그리고 검사결과에 의해 불량을 제외한 칩만을 다이싱하여 개별 칩으로 구분하게 된다. 이러한 검사를 위해 검사장치와 칩을 연결하는 프로브카드를 이용하여 웨이퍼 상태의 칩을 검사하게 된다.Such inspections are carried out individually on chips in the wafer state. According to the result of the inspection, only chips other than defective chips are diced into individual chips. In order to perform such inspection, a chip in the wafer state is inspected using a probe card connecting the inspection apparatus and the chip.

한편, 최근에는 칩의 성능이 향상되면서 고속화되었으며, 이를 위한 검사장치의 테스트 신호도 이에 부합한 고주파 신호를 필요로 하게 되었다.Meanwhile, in recent years, the performance of a chip has been increased, and the test signal of the test apparatus for the test has required a high frequency signal corresponding thereto.

그러나, 기존의 프로브 카드는 고주파 신호를 입력하는 경우 감쇄가 발생하거나, 주파수의 흔들림이 발생하여 정확한 신호가 전달되지 않는 문제점이 있다.However, the conventional probe card has a problem in that attenuation occurs when a high frequency signal is input, or a frequency fluctuation occurs, so that an accurate signal is not transmitted.

더욱이, 악조건 하에서의 동작 테스트를 위해 퍼니스와 같은 악조건 조성 장치에 칩과 검사장치를 투입하는 경우 고온환경과 같은 악조건에서 프로브카드가 칩과 부정확하게 접촉되어 칩의 테스트 수행이 불가능한 경우가 빈번하게 발생하는 문제점이 있다.Furthermore, when a chip and an inspection device are put into an adverse conditioning device such as a furnace for operation test under a bad condition, in a bad condition such as a high temperature environment, the probe card is in contact with the chip incorrectly, There is a problem.

대한민국 등록특허 제10-0843224호 (등록일 2008.06.26.)Korean Patent No. 10-0843224 (registered on June 26, 2008)

따라서, 본 발명은 위와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 고온환경과 같은 열악한 환경에서도 칩과 안정적인 접촉을 유지할 수 있도록 한 프로브카드를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a probe card capable of maintaining stable contact with a chip even in a harsh environment such as a high temperature environment.

또한, 본 발명의 다른 목적은 고주파 대역의 테스트 신호 공급시에도 주파수의 흔들림과 같은 부정확한 신호, 왜곡된 신호의 전달을 방지하여 정확한 테스트 신호가 전달되는 프로브카드를 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a probe card in which an accurate test signal is transmitted by preventing an inaccurate signal or a distorted signal from being transmitted even when a test signal of a high frequency band is supplied.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 프로브카드는 인쇄회로기판; 상기 인쇄회로 기판 상에 고정되는 복수의 니들; 상기 니들을 지지하고, 금속으로 형성되며, 상기 인쇄회로기판에 결합되는 프로브링; 및 테스트 신호 공급 장치와 복수의 상기 니들을 연결하는 신호전송라인;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a probe card comprising: a printed circuit board; A plurality of needles fixed on the printed circuit board; A probe for supporting the needle and formed of a metal, the probe being coupled to the printed circuit board; And a signal transmission line connecting the test signal supply device and the plurality of needles.

본 발명에 따른 프로브카드는 고온환경과 같은 역한한 테스트 환경에서도칩과 안정적인 접촉을 유지할 수 있도록 하는 것이 가능하다.The probe card according to the present invention can maintain stable contact with the chip even in a test environment such as a high temperature environment.

또한, 본 발명에 따른 프로브카드는 고주파 대역의 테스트 신호 공급시에도 주파수의 흔들림과 같은 부정확한 신호, 왜곡된 신호의 전달을 방지하는 것이 가능하며, 이를 통해 정확한 테스트가 이루어지도록 하는 것이 가능해진다.In addition, the probe card according to the present invention can prevent transmission of an incorrect signal or a distorted signal such as a fluctuation of frequency even when a test signal of a high frequency band is supplied, thereby enabling an accurate test to be performed.

도 1은 프로브카드와 검사장치 및 검사대상의 연결 관계를 설명하기 위한 예시도.
도 2는 도 1의 프로브카드의 사용 실시 예를 도시한 예시도.
도 3은 본 발명에 따른 프로브 카드의 형태를 간략하게 도시한 예시도.
도 4는 도 3의 프로브 카드를 측면에서 도시한 예시도.
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 프로브 카드의 단면을 개략적으로 도시한 예시도.
도 6은 도 5의 일부부분(A)의 단면을 좀 더 상세하게 도시한 예시도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is an exemplary view for explaining a connection relationship between a probe card and an inspection apparatus and an object to be inspected; FIG.
FIG. 2 is an exemplary view showing an embodiment of use of the probe card of FIG. 1; FIG.
FIG. 3 is an exemplary view schematically showing the shape of a probe card according to the present invention. FIG.
Fig. 4 is an exemplary view showing the probe card of Fig. 3 from the side; Fig.
FIG. 5 is an exemplary view schematically showing a section of a probe card according to a second embodiment of the present invention; FIG.
Fig. 6 is an exemplary view showing in more detail a section of a part A of Fig. 5; Fig.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 설명하기로 한다. 첨부된 도면들에서 구성에 표기된 도면번호는 다른 도면에서도 동일한 구성을 표기할 때에 가능한 한 동일한 도면번호를 사용하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지의 기능 또는 공지의 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 그리고 도면에 제시된 어떤 특징들은 설명의 용이함을 위해 확대 또는 축소 또는 단순화된 것이고, 도면 및 그 구성요소들이 반드시 적절한 비율로 도시되어 있지는 않다. 그러나 당업자라면 이러한 상세 사항들을 쉽게 이해할 것이다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. It should be noted that the drawings denoted by the same reference numerals in the drawings denote the same reference numerals whenever possible, in other drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. And certain features shown in the drawings are to be enlarged or reduced or simplified for ease of explanation, and the drawings and their components are not necessarily drawn to scale. However, those skilled in the art will readily understand these details.

도 1은 프로브카드와 검사장치 및 검사대상의 연결 관계를 설명하기 위한 예시도이다. 도 2는 도 1의 프로브카드의 사용 실시 예를 도시한 예시도이다.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is an exemplary view for explaining a connection relationship between a probe card, an inspection apparatus and an inspection object. FIG. 2 is an exemplary view showing an embodiment of using the probe card of FIG. 1; FIG.

도 1 및 참조하면, 프로브카드(100)는 검상의 대상이 되는 반도체 장치(Device Under Test : DUT, 10)와 검사장비(20)를 전기적으로 연결하는 것으로, 프로브(110), 스페이스 트랜스포머(120) 및 메인보드(130)를 포함하여 구성될 수 있다. 여기서, 도 1의 구성은 프로프카드와 검사 대상을 연결하여 테스트하는 기본 구성을 설명하기 위한 것으로, 제시된 바에 의해 본 발명을 한정하는 것은 아니며, 변경이 가능하다. 또한, 도1의 구성은 설명의 편의를 위해 기능만을 고려한 구성애 대해서 나열한 것으로, 실제 사용에서는 구성의 명치이 다를 수가 있고, 동일한 명칭을 사용하더라도 본 발명에 기재된 기능과 차이가 있을 수 있다.1, a probe card 100 electrically connects a semiconductor device under test (DUT) 10 to an inspection equipment 20 and includes a probe 110, a space transformer 120 And a main board 130, as shown in FIG. Here, the configuration of FIG. 1 is for describing a basic configuration in which a probe card and an object to be tested are connected and tested, and the present invention is not limited by the presented aspects, and can be modified. In addition, the configuration shown in FIG. 1 is arranged in a configuration considering only functions for the convenience of explanation. In actual use, the detailed configuration may be different, and even if the same name is used, the functions described in the present invention may be different.

도 1을 참조하면, 프로브(110)는 일단에 형성된 컨택핀(contact pin) 영역과 타단에 형성된 헤드(head) 영역으로 구분될 수 있다. 컨택핀 영역은 반도체 장치(10)의 패드와 직접 접촉하고, 헤드 영역은 후술하는 스페이스 트랜스포머(120)와 전기적으로 연결되는 제1쉴드 와이어(115)에 연결될 수 있다. 여기서, 반도체 장치(10)는 다이싱 되지 않은 웨이퍼 상의 칩일 수 있으나, 이로써만 본 발명을 한정하는 것은 아니다.Referring to FIG. 1, the probe 110 may be divided into a contact pin region formed at one end and a head region formed at the other end. The contact pin region directly contacts the pad of the semiconductor device 10 and the head region may be connected to the first shield wire 115 electrically connected to the space transformer 120 described later. Here, the semiconductor device 10 may be a chip on a wafer that is not diced, but the present invention is not limited thereto.

스페이스 트랜스포머(120)는 서로 층간 분리된 상태로 형성된 복수의 신호라인(121)이 형성되고, 필요에 따라 형성된 비아홀(Via Hole, 122, 123)을 이용하여 메인보드(130)와 반도체 장치(10)를 전기적을 연결할 수 있다. 여기서, 비아홀(122, 123)이 하나의 와이어당 2개가 형성되는 것으로 도시되어 있으나, 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니며, 비아홀의 형성여부와 수는 가변될 수 있는 사항이다.A plurality of signal lines 121 formed in a state of being separated from each other are formed in the space transformer 120 and are electrically connected to the main board 130 and the semiconductor device 10 ) Can be electrically connected. Here, although two via holes 122 and 123 are shown as being formed per one wire, the present invention is not limited thereto, and the number and the number of the via holes may be varied.

2개의 비아홀(122, 123)과 복수의 신호라인(121) 중 선택된 어느 하나의 신호라인에는 고주파 대역의 테스트 신호 전송용 신호라인이 형성되며, 제1쉴드 와이어(shield wire, 115)의 반대단은 제1비아홀(122)에 형성된 고주파신호 전송용 라인에 연결되고, 제2쉴드 와이어(125)는 메인보드(130)와 제2비아홀(123)에 혀엉된 고주파 테스트 신호 전송용 신호라인을 연결하게 된다.A signal line for transmitting a test signal in a high frequency band is formed in one of signal lines selected from the two via holes 122 and 123 and the plurality of signal lines 121, Frequency signal transmission line formed in the first via hole 122 and the second shield wire 125 connects the signal line for transmitting the high frequency test signal tangled to the main board 130 and the second via hole 123 .

도 3은 본 발명에 따른 프로브 카드의 형태를 간략하게 도시한 예시도이고, 도 4는 도 3의 프로브 카드를 측면에서 도시한 예시도이다.FIG. 3 is a schematic view showing the shape of a probe card according to the present invention, and FIG. 4 is an exemplary view showing a probe card of FIG. 3 from a side view.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 프로브 카드는 인쇄회로기판(20), 니들(50), 프로브링(30) 및 도선패턴(55)을 포함하여 구성된다.3 and 4, a probe card according to the present invention includes a printed circuit board 20, a needle 50, a probe 30, and a conductive pattern 55.

인쇄회로기판(20)은 니들(50)을 고정하여 지지하고, 니들(50)과 스페이스 트랜스포머(120)를 연결하는 역할을 한다. 이 인쇄회로기판(20)에는 프로브링(30)이 결합되며, 프로브링(30)과 인쇄회로기판(20)의 그라운드(59)가 전기적으로 연결된다.The printed circuit board 20 fixes and supports the needle 50 and connects the needle 50 and the space transformer 120 together. The probing 30 is coupled to the printed circuit board 20 and the ground 59 of the printed circuit board 20 is electrically connected.

구체적으로 인쇄회로기판(20)에 니들(50)의 일단이 제1접점(53)에 의해 전기적으로 연결된다. 그리고, 인쇄회로기판(20)에는 제1접점(53)과 제1쉴드 와이어(115)의 연결을 중계하기 하기 위한 제2접점(57)이 형성되며, 제1접점(53)과 제2접점(57)을 연결하는 도전패턴(55)이 형성된다. 여기서, 도전패턴(55)과 제2접점(57)은 생략이 가능하며, 필요에 따라 제1접점(57)에 의해 니들(50)이 제1쉴드 와이어(115)에 직접 연결될 수 있다. 또한, 스페이스 트랜스포머(120)가 인쇄회로기판(20)의 외주연을 따라 형성되는 경우 제1쉴드 와이어(115)를 도전패턴(55)이 대체하는 형태로의 구성도 가능하다.Specifically, one end of the needle 50 is electrically connected to the printed circuit board 20 by the first contact 53. A second contact 57 for relaying the connection between the first contact 53 and the first shield wire 115 is formed on the printed circuit board 20. The first contact 53 and the second contact 57, A conductive pattern 55 connecting the conductive patterns 57 is formed. Here, the conductive pattern 55 and the second contact 57 can be omitted, and the needle 50 can be directly connected to the first shield wire 115 by the first contact 57 as required. When the space transformer 120 is formed along the outer periphery of the printed circuit board 20, the first shield wire 115 may be replaced with the conductive pattern 55.

한편, 인쇄회로기판(20)에는 스페이스 트랜스포머(120) 또는 메인보드의 그라운드(또는 접지)와 전기적으로 연결되는 그라운드(59) 패턴이 형성되며, 이 그라운드 패턴(59)은 프로브링(30)과 전기적으로 연결된다. 이를 통해, 프로브링(30)은 그라운드를 확장하는 역할을 하게 됨과 아울러, 니들(50)을 통해 공급되는 신호의 왜곡을 방지하는 역할을 하게 된다.A ground pattern 59 electrically connected to the space transformer 120 or the ground (or ground) of the main board is formed on the printed circuit board 20. The ground pattern 59 includes a probe 30, And is electrically connected. Accordingly, the probe 30 plays a role of extending the ground and also preventing the distortion of the signal supplied through the needle 50.

니들(50)은 인쇄회로기판(20)과 제1접점(53)에 의해 전기적으로 연결된다. 여기서, 니들(50)은 제1접점(53)에 의해 기계적으로 인쇄회로기판(20)에 결합될 수도 있고, 니들(50)을 고정하기 위한 별도의 합성수지 구조물이 이용될 수도 있으나, 본 발명에서 제1접점(53)에 의해 니들(50)이 고정되는 것으로 가정하여 설명하기로 한다.The needle 50 is electrically connected to the printed circuit board 20 by the first contact 53. Here, the needle 50 may be mechanically coupled to the printed circuit board 20 by the first contact 53, and a separate synthetic resin structure for fixing the needle 50 may be used. In the present invention, Assuming that the needle 50 is fixed by the first contact 53, the following description will be made.

니들(50)은 일단을 통해 제1접점(53), 도전패턴(55), 제2접점(57), 스페이스 트랜스포머(120)에 의해 메인보드와 전기적으로 연결되고, 타단을 통해 반도체장치(10)의 패드에 전기적으로 연결된다. 이를 통해, 니들(50)은 수 기가 헤르츠(GHz) 주파수의 테스트 신호를 반도체장치(10)에 공급하게 된다.The needle 50 is electrically connected to the main board by a first contact 53, a conductive pattern 55, a second contact 57 and a space transformer 120 through one end thereof and electrically connected to the semiconductor device 10 As shown in FIG. Thereby, the needle 50 supplies the semiconductor device 10 with a test signal of several gigahertz (GHz) frequency.

이러한 니들(50)은 프로브링(30)에 의해 지지되어 반도체장치(10)의 패드에 접촉되게 된다. 아울러, 니들(50)은 노출된 단심 금속선으로 형성될 수 있다. 여기서, 본 발명의 니들(50)은 니들(50)간의 간격이 매우 조밀(수 내지 수십 마이크로 미터)하게 배치되어 절연을 위한 코팅층이 미도시 된 경우를 설명하고 있다. 그러나, 니들(50) 간의 간격이 충분한 경우 니들(50)의 표면이 절연체와 절연체 상에 형성되는 금속층으로 코팅될 수도 있다. These needles 50 are supported by the probe 30 and are brought into contact with the pads of the semiconductor device 10. In addition, the needle 50 may be formed of an exposed single-core metal wire. Here, the needles 50 of the present invention are arranged such that the spacing between the needles 50 is very dense (several to several tens of micrometers), so that a coating layer for insulation is not shown. However, if the spacing between the needles 50 is sufficient, the surface of the needle 50 may be coated with a metal layer formed on the insulator and the insulator.

니들(50)의 타측 종단은 반도체 장치(10)가 위치하는 방향을 향하게 프로브링(30)에 의해 지지되며, 종단 일부는 반도체 장치(10)의 패드와 접촉을 위한 접촉부(51)가 형성될 수 있다. 이 접촉부(51)는 종단 일부가 굴곡되어 형성된 것일 수 있다.The other end of the needle 50 is supported by the probe 30 facing the direction in which the semiconductor device 10 is located and a part of the termination is provided with a contact portion 51 for contact with the pad of the semiconductor device 10 . The contact portion 51 may be formed by bending a part of the end portion.

프로브링(30)은 인쇄회로기판(20)에 결합되며, 니들(30)과 접촉하여 지지하는 역할을 한다. 이 프로브링(30)은 다각 또는 타원의 링 형상으로 형성되고, 링의 외주연 모서리를 통해 니들(30)을 지지하게 된다.The probing 30 is coupled to the printed circuit board 20 and serves to contact and support the needle 30. The probe 30 is formed in a polygonal or elliptic ring shape and supports the needle 30 through the outer peripheral edge of the ring.

이러한 프로브링(30)은 금속 특히, 합금으로 형성되는 링베이스(31)와, 링베이스(31)의 표면에 절연물질을 이용하여 형성되는 코팅층(33)을 포함하여 구성된다.The probe 30 includes a ring base 31 formed of a metal, particularly, an alloy, and a coating layer 33 formed on the surface of the ring base 31 using an insulating material.

링베이스(31)는 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 베릴륨(Be)과 같은 금속들의 합금으로 형성될 수 있다. 특히, 링베이스(31)는 반도체장치(10)의 열팽창률과 유사한 열팽창률을 가지는 합금으로 제조된다. 이를 통해, 링베이스(31)는 가혹 조건 예를 들어, 고온이나 저온환경에서 반도체 장치(10)를 테스트하는 경우 반도체장치(10)의 팽창 또는 수축 정도와 유사하게 수축 또는 팽창함으로써 니들(50)의 위치가 일정하게 유지될 수 있게 한다. 여기서, 링베이스(31)를 구성하는 금속의 종류와 비율은 검사 대상인 반도체 장치의 종류와 테스트 조건에 따라 실험적으로 결정되어야 하는 것으로, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 금속들과 이들의 비율에 대한 설명은 생략하기로 한다.The ring base 31 may be formed of an alloy of metals such as gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), and beryllium (Be). In particular, the ring base 31 is made of an alloy having a thermal expansion coefficient similar to that of the semiconductor device 10. The ring base 31 contracts or expands similarly to the degree of expansion or contraction of the semiconductor device 10 when the semiconductor device 10 is tested under a severe condition, for example, a high temperature or a low temperature environment, So that the position of the light source can be kept constant. Here, the types and ratios of the metals constituting the ring base 31 must be experimentally determined according to the type of semiconductor device to be inspected and the test conditions. In the detailed description of the present invention, Is omitted.

한편, 링베이스(31)는 인쇄회로기판(20)에 형성되는 그라운드 패턴(59)과 전기적으로 연결된다. 이를 통해 링베이스(31)는 스페이스 트랜스포머(120) 또는 메인보드의 그라운드와 전기적으로 연결된다. 이러한 링베이스(31)는 전기적으로 그라운드로 유지됨으로써 니들(50)을 통해 고주파의 테스트신호가 전달되는 경우 프로브링(30)에 의해 신호 왜곡 또는 감쇄가 발생하는 것을 방지하게 된다. 구체적으로 프로브링(30)을 절연체로 형성하는 경우 절연체가 가지는 유전율로 인해 테스트 신호의 공급시 절연체가 플로팅 상태가 되어 테스트 신호를 왜곡하게 된다. 이러한 테스트 신호의 주파수가 낮은 경우 이러한 영향에 의한 왜곡 및 감쇄가 미미하지만, 고주파 대역의 신호는 작은 영향에도 감쇄 또는 왜곡이 발생되고, 테스트 진행시 오동작을 일으키게 된다. 그러나, 본 발명에서는 링베이스(31)를 금속으로 형성하여 검사장치의 그라운드와 연결함으로써 신호의 공급여부, 신호의 주파수 크기에 무관하게 그라운드를 유지하게 하여 프로브링(30)에 의해 신호 왜곡 또는 감쇄가 발생하는 것을 방지하게 된다.On the other hand, the ring base 31 is electrically connected to the ground pattern 59 formed on the printed circuit board 20. Whereby the ring base 31 is electrically connected to the space transformer 120 or the ground of the main board. The ring base 31 is electrically grounded to prevent signal distortion or attenuation caused by the probe 30 when a high frequency test signal is transmitted through the needle 50. Specifically, when the probe 30 is formed of an insulator, the insulator becomes a floating state when the test signal is supplied due to the dielectric constant of the insulator, thereby distorting the test signal. When the frequency of the test signal is low, the distortion and the attenuation due to such influence are insignificant. However, the signal of the high frequency band is attenuated or distorted even with a small influence, and a malfunction occurs in the test progress. However, in the present invention, since the ring base 31 is formed of metal and connected to the ground of the inspection apparatus, the ground is maintained irrespective of whether the signal is supplied or the frequency of the signal, so that the signal is distorted or attenuated Is prevented.

한편, 링베이스(31)의 표면에는 절연물질에 의한 코팅층(33)이 형성된다. 코팅층(33)은 링베이스(31)와 니들(50)을 전기적으로 절연하고, 니들(50)이 프로브링(30)의 일정한 위치에 자리잡도록 하는 역할을 한다. 이러한 링베이스(31)는 니들(50)과 프로브링(30)의 절연을 위한 최소두께로 형성하여 코팅층(33)의 유전율이 테스트 신호에 영향을 주는 것을 최소화하는 것이 유리하지만, 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니다.On the other hand, a coating layer 33 made of an insulating material is formed on the surface of the ring base 31. The coating layer 33 electrically insulates the ring base 31 from the needle 50 and serves to position the needle 50 at a predetermined position of the probe 30. This ring base 31 is advantageously formed with a minimum thickness for insulation between the needle 50 and the probe 30 so that the dielectric constant of the coating layer 33 affects the test signal, But is not limited to.

도선패턴(55)은 제1쉴드 와이어(115)와 니들(50)을 연결해주는 역할을 한다. 이를 위해 도선패턴(55)은 니들(50)별로 인쇄회로기판(20) 상에 형성된다. 이러한 도선패턴(55)은 제2접점(57)에 의해 제1쉴드 와이어(115)와 연결될 수 있다.The wire pattern 55 serves to connect the first shield wire 115 and the needle 50. For this purpose, the wire pattern 55 is formed on the printed circuit board 20 for each needle 50. The conductive pattern 55 may be connected to the first shield wire 115 by the second contact 57.

도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 프로브 카드의 단면을 개략적으로 도시한 예시도이고, 도 6은 도 5의 일부부분(A)의 단면을 좀 더 상세하게 도시한 예시도이다.FIG. 5 is a view schematically showing a section of a probe card according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 6 is an exemplary view showing a section of a part A of FIG. 5 in more detail.

본 발명의 제2실시예를 설명함에 있어서, 전술한 제1실시예와 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략하고, 차이점 위주로 설명을 진행하기로 한다.In describing the second embodiment of the present invention, detailed description of the same configuration as that of the above-described first embodiment will be omitted, and explanation will be mainly made on differences.

도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 프로브 카드(210)는 인쇄회로기판(20), 니들(50), 프로브링(130) 및 도선패턴(55)을 포함하여 구성된다.5 and 6, a probe card 210 according to a second embodiment of the present invention includes a printed circuit board 20, a needle 50, a probe 130, and a conductive pattern 55 .

제2실시예의 프로브링(130)은 링베이스(131)와 코팅층(133)을 포함하여 구성되고, 니들(50)의 안착을 위한 안착홈(135 : 135a, 135b)이 형성된다. The probe 130 of the second embodiment includes a ring base 131 and a coating layer 133 and a seating groove 135 (135a, 135b) for seating the needle 50 is formed.

이 안착홈(135)은 프로브링(130)이 니들(50)을 지지하기 위해 접촉하는 가장자리를 도 6에 도시된 바와 같이 요철 형태로 가공하여 형성된다. 이를 통해 니들은 프로브링(130)의 가장자리 모서리(136)와 안착홈(135)에 접촉하여 지지된다.This seating groove 135 is formed by machining the edge where the probe 130 contacts to support the needle 50, in the form of a concavo-convex shape as shown in Fig. Whereby the needle is held in contact with the edge edge 136 of the probe ring 130 and the seating groove 135.

안착홈(135)은 도시된 바와 같이 깊이가 다르게 형성될 수 있다. 일례로 도 6에는 서로 다른 깊이의 안착홈(135a, 135b)가 도시되어 있다. 이와 같이 제1깊이의 안착홈(135a)와, 제2깊이의 안착홈(135b)를 형성함으로써, 니들(50)은 모서리(136)와 제1깊이 안착홈(135a), 제2깊이의 안착홈(135b)에 의해 각각 지지될 수 있다. 여기서, 안착홈(135a, 135b)가 제1 및 제2깊이로 형성되는 것은 안착홈(135)의 가변성을 설명하기 위한 것으로, 동일한 깊이 안착홈이 형성되거나, 서셋 이상의 깊이 차이를 가지는 안착홈(135)이 마련될 수도 있다.The seating grooves 135 may be formed to have different depths as shown. For example, in FIG. 6, seating grooves 135a and 135b having different depths are shown. By forming the seating groove 135a of the first depth and the seating groove 135b of the second depth in this way, the needle 50 can be prevented from falling off the edge 136 and the first depth seating groove 135a, And can be respectively supported by the grooves 135b. The reason why the seating recesses 135a and 135b are formed at the first and second depths is to explain the variability of the seating recesses 135. The same depth seating recesses may be formed or the seating recesses 135a and 135b, 135 may be provided.

본 발명의 제2실시예에서 안착홈(135)을 통해 니들(50)이 서로 다른 높이에 배치되도록 함으로써, 반도체 장치(10)의 패드 형태의 변화에 대응이 유리하도록 함과 아울러, 니들(50) 간의 간격을 충분히 확보하여 니들(50) 별로 인가되는 신호의 간섭 및 전기적 접촉이 발생되는 것을 방지하게 된다.The needles 50 are arranged at different heights through the seating grooves 135 in the second embodiment of the present invention so that it is possible to cope with the change of the pad shape of the semiconductor device 10, So that interference and electrical contact between signals applied to the needles 50 can be prevented.

니들(50)이 프로브링(130)의 모서리(136)에 모두 나열되는 경우 반도체 장치(10)의 패드가 조밀한 경우 니들(50)의 굵기를 가늘게 하는 방법이 이용될 수 있다. 그러나, 니들(50)의 굵기를 조절하는 경우 기계적 강도가 저하되고 신호의 전달이 원활하지 못한 원인이 될 수 있다. 특히, 반도체 장치(10)의 패드가 일렬 또는 단일 원 형상으로 배치되지 않고 지그재그로 배치되거나, 좁은 면적에 패드가 밀집한 형태의 반도체 장치(10)가 제조될 수 있다. 이와 같은 반도체 장치(10)에 대해 제1실시예와 같이 동일한 높이로 니들(50)이 배치되면, 니들(50)간의 간섭이 발생될 수 있다. 이 경우 제2실시예와 같이 니들(50)을 서로 다른 높이로 구성하고, 굴곡부(151)의 길이를 조절하면 이러한 공간적인 제약을 완화하는 것이 가능해진다.A method of reducing the thickness of the needle 50 when the pads of the semiconductor device 10 are dense can be used when the needles 50 are all aligned at the edge 136 of the probe 130. [ However, when the thickness of the needle 50 is adjusted, the mechanical strength may be lowered and the signal transmission may not be smooth. Particularly, the semiconductor device 10 can be manufactured such that the pads of the semiconductor device 10 are arranged in a zigzag manner without arranging them in a row or in a single circle, or the pad is densely packed in a narrow area. When the needles 50 are disposed at the same height as the semiconductor device 10 in the first embodiment, interference between the needles 50 may occur. In this case, as in the second embodiment, it is possible to alleviate such a spatial limitation by configuring the needles 50 at different heights and adjusting the length of the bending portion 151. [

이를 위해, 안착홈(135)가 두 가지 이상의 깊이로 구분되는 경우, 안착홈(135)을 그룹으로 구분하여 형성할 수 있다. 구체적으로 안착홈(135) 중 제1깊이로 형성되는 안착홈(135a)을 제1그룹, 제2깊이로 형성되는 안착홈(135b)을 제2그룹으로 구분할 수 있다. 그리고, 제1그룹의 안착홈(135a)은 제1그룹(50b)의 니들이 안착되고, 제2그룹의 안착홈(135b)에는 제2그룹의 니들(50c)가 안착되도록 하며, 모서리(136)에는 제3그룹의 니들(50a)가 안착되도록 할 수 있다.For this purpose, when the seating groove 135 is divided into two or more depths, the seating groove 135 may be divided into groups. Specifically, the seating grooves 135a formed at the first depth and the seating grooves 135b formed at the second depth may be classified into the second group. The first group of seating grooves 135a are seated with the needles of the first group 50b and the second group of seating grooves 135b are seated with the second group of needles 50c, The third group of needles 50a can be seated.

아울러, 안착홈(135)에는 도 6에 도시된 바와 같이 코팅층(133)이 형성되어 니들(50)과 링베이스(131)를 절연하게 된다. 이 코팅층(1330은 안착홈(135)의 바닥뿐만 아니라 측벽에도 형성된다.6, a coating layer 133 is formed on the seating groove 135 to insulate the needle 50 and the ring base 131 from each other. This coating layer 1330 is formed not only on the bottom of the seating groove 135 but also on the side wall.

이상에서 본 발명의 기술적 사상을 예시하기 위해 구체적인 예로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기와 같이 구체적인 실시 예와 동일한 구성 및 작용에만 국한되지 않고, 여려가지 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 실시될 수 있다. 따라서, 그와 같은 변형도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주해야 하며, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의해 결정되어야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, . ≪ / RTI > Accordingly, such modifications are deemed to be within the scope of the present invention, and the scope of the present invention should be determined by the following claims.

10 : 반도체 장치 20 ; 인쇄회로기판
30 ; 프로브링 50 : 니들
55 : 도선패턴 100 : 프로브카드
110 : 프로브 120 : 스페이스 트랜스포머
130 : 메인모드10: semiconductor device 20; Printed circuit board
30; Proving 50: Needle
55: conductor pattern 100: probe card
110: probe 120: space transformer
130: main mode

Claims (6)

인쇄회로기판;
상기 인쇄회로 기판 상에 고정되는 복수의 니들;
상기 니들을 지지하고, 금속으로 형성되며, 상기 인쇄회로기판에 결합되는 프로브링; 및
테스트 신호 공급 장치와 복수의 상기 니들을 연결하는 신호전송라인;을 포함하며,
상기 프로브링은 상기 니들의 안착을 위한 안착홈이 복수로 형성되고,
복수의 상기 안착홈은 복수의 그룹으로 구분되며, 상기 그룹별로 다른 깊이로 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브카드.Printed circuit board;
A plurality of needles fixed on the printed circuit board;
A probe for supporting the needle and formed of a metal, the probe being coupled to the printed circuit board; And
And a signal transmission line connecting the test signal supply device and the plurality of needles,
Wherein the probing includes a plurality of seating grooves for seating the needles,
Wherein the plurality of the seating grooves are divided into a plurality of groups, and the groups are formed at different depths in each group. 제 1 항에 있어서,
상기 프로브링은
상기 니들과의 접촉부위에 코팅층이 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브카드.The method according to claim 1,
The probing
And a coating layer is formed on a portion in contact with the needle. 제 2 항에 있어서,
상기 코팅층은 절연물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브카드.3. The method of claim 2,
Wherein the coating layer is formed of an insulating material. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 프로브링은
상기 인쇄회로기판의 그라운드(GND)와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 프로브카드.The method according to claim 1,
The probing
(GND) of the printed circuit board is electrically connected to the ground (GND) of the printed circuit board.
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07167892A (en) * 1993-12-15 1995-07-04 Sony Corp Probe assembly, manufacture thereof, and probe card for measurement of ic using the same
JPH10300782A (en) * 1997-04-25 1998-11-13 Mitsubishi Materials Corp Probe apparatus and its assembly
JPH11248748A (en) * 1998-03-05 1999-09-17 Advantest Corp Probe card
KR20050029066A (en) * 2003-09-20 2005-03-24 (주)티에스이 Probe card
KR20060127686A (en) * 2005-06-08 2006-12-13 한성규 A needle used in electrical die sortingprocess and probe card having the same
KR100843224B1 (en) 2007-01-04 2008-07-02 삼성전자주식회사 Probe card for testing wafer
KR100867330B1 (en) * 2007-06-15 2008-11-06 주식회사 엔아이씨테크 Probe assembly for probe card

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07167892A (en) * 1993-12-15 1995-07-04 Sony Corp Probe assembly, manufacture thereof, and probe card for measurement of ic using the same
JPH10300782A (en) * 1997-04-25 1998-11-13 Mitsubishi Materials Corp Probe apparatus and its assembly
JPH11248748A (en) * 1998-03-05 1999-09-17 Advantest Corp Probe card
KR20050029066A (en) * 2003-09-20 2005-03-24 (주)티에스이 Probe card
KR20060127686A (en) * 2005-06-08 2006-12-13 한성규 A needle used in electrical die sortingprocess and probe card having the same
KR100843224B1 (en) 2007-01-04 2008-07-02 삼성전자주식회사 Probe card for testing wafer
KR100867330B1 (en) * 2007-06-15 2008-11-06 주식회사 엔아이씨테크 Probe assembly for probe card

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