KR102001551B1 - 액정 패널의 배향막 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

액정 패널의 배향막의 제조 방법으로서, 액정 분자 및 액정 반응성 모노머(RM)를 포함하는 액체 혼합물을 주입하여 액정 컨테이너를 형성하는 단계; 액정 RM이 중합 반응을 치르도록 하기 위해, 전압, 자외선 (UV) 조사 및 온도를 인가받도록 제 1 반응기에 상기 액정 컨테이너를 배치하는 단계; 중합 반응을 계속 치르고, 제 1 기판 및 제 2 기판 각각의 내부 표면에 배향막을 형성하기 위한 전압 및 온도가 인가되도록 액정 컨테이너를 제 1 사전 설정 시간 기간 이후 제 2 반응기로 이송하는 단계를 포함한다.

Description

액정 패널의 배향막 제조 방법{ALIGNMENT FILM MANUFACTURING METHOD OF LIQUID CRYSTAL PANEL}
본 발명은 액정 제조 기술 분야 관한 것으로, 특히 액정 패널의 배향막 제조 방법에 관한 것이다.
대형 및 광각(wide angle) LCD 패널을 개발하기 위한 요구를 충족시키기 위해, MVA(multi-domain vertical alignment) 모드가 LCD 패널 제조사들 사이에서 널리 사용되고있다. MVA 모드는 액정 반응성 모노머(reactive monomers : RM)의 경화 공정 과정에서 기판의 내부 표면에 돌출부(protrusion)가 형성되며, 돌출부는 사전 설정 각도(preset angle)를 형성하고, 따라서 액정을 특정 각도로 편향시키는 배향막을 형성한다. MVA 모드는 광 시야각, 고화질 등의 장점을 갖는다.
도 1a 및 도 1b는 모두 배향막 형성 공정의 개략도이다. 도 1a는 제 1 기판(11) 또는 제 2 기판을 향해 이동하는 액정 반응성 모노머(14)의 반응을 개시시키기 위해, 전압(V), 자외선광 램프의 제 1 조명(UV1) 및 열을 제공하고, 액정 분자(12)를 편향시키기 위한 배향막(13)을 형성하기 위해 돌출부를 형성하는 제 1 반응 장치(reaction machine)이다. 일반적으로 전압은 UV1 조사가 완료되면 더 이상인가 되지않고, 기판에는 제 2 자외선(UV2)이 다음으로 조사된다. 도 1b에 도시된 바와 같이, 제 2 반응 장치는 UV1보다 약한 UV2만을 제공하여, 나머지 RM(14)이 완전하게 반응한다. UV1 장치는 공정을 통해 하나의 기판에 대해 하나의 노광만을 실행할 수 있으므로, 상기 단계는 병목 현상이 되어 배향막의 생산 효율에 영향을 미친다.
따라서, 제 1 반응 반응 장치에서의 시간 소모로 인해 야기되는 종래 기술의 생산 병목 문제를 해결하도록, 본 발명은 액정 패널의 배향막 제조 방법을 제공한다.
상기한 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 실시예는 다음의 해결책을 제공한다:
액정 패널의 배향막 제조 방법은: 액정 분자(liquid crystal molecules) 및 액정 반응성 모노머(liquid crystal reactive monomers)를 포함하는 액정 혼합물(liquid crystal mixture)을 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 주입하고, 액정 셀을 형성하기 위해 이들을 함께 적층하는 단계; 상기 액정 셀이 제 1 반응 장치에 의해 제공되는 전압, 자외선 조사 및 온도를 인가받도록, 상기 액정 셀을 상기 제1 반응 장치에 배치하여, 상기 액정 반응성 모노머에 대한 중합 반응을 발생시키는 단계 - 상기 제1 반응 장치에 의해 제공되는 상기 전압은 7V 내지 50V 이고, 상기 자외선 조사의 조도는 0.05 내지 120 mW/cm2 이며, 상기 온도는 25℃ 내지 80℃ 임; 상기 액정 셀이 상기 제 1 반응 장치에 배치되는 기간이 제 1 사전 설정 시간 기간에 도달하는지 판별하는 단계; 상기 제 1 사전 설정 시간 기간에 도달되면, 상기 액정 셀이 제2 반응 장치에서 제공되는 다른 전압 및 다른 온도를 인가받도록 상기 액정 셀을 상기 제 1 반응 장치로부터 상기 제 2 반응 장치로 이동시켜, 상기 액정 반응성 모노머의 상기 중합 반응이 계속되도록 하는 단계 - 상기 제 2 반응 장치에 의해 제공되는 상기 전압은 1V 내지 50V이고, 상기 온도는 10 ℃ 내지 100 ℃ 임; 상기 액정 셀이 상기 제 2 반응 장치에 배치되는 기간이 제 2 사전 설정 시간 기간에 도달하는지 판별하는 단계; 및 상기 제 2 사전 설정 시간 기간에 도달되면, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판의 내부 표면 상에 각각 배향막을 형성하기 위해, 상기 액정 셀을 상기 제 2 반응 장치 외부로 이동시키는 단계; 를 포함한다.
바람직하게, 상기 제 2 반응 장치는 상기 액정 셀을 상기 제 2 반응 장치의 입구로부터 출구로 이송하여, 상기 중합 반응이 상기 제 2 반응 장치에서 완료되도록 하는 컨베이어 벨트를 포함한다.
바람직하게, 상기 컨베이어 벨트는 10 내지 100m의 길이를 갖는다.
바람직하게, 상기 제 2 반응 장치는 내부에 10 내지 100 개의 층을 갖는 다층 구조로(multilayered structure furnace)이다.
바람직하게, 상기 액정 혼합물을 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 주입하는 단계 이전에, 상기 방법은: 상기 액정 혼합물을 준비하는 단계를 더 포함하고, 상기 액정 혼합물에서 상기 액정 반응성 모노머의 비율은 2000 내지 5000 ppm이다.
바람직하게, 상기 액정 반응성 모노머는 방향족 화합물(aromatic compounds)이다.
바람직하게, 상기 액정 셀을 적층하는 단계는, 상기 제 1 반응 장치 또는 상기 제 2 반응 장치에 의해 제공된 전압을 인가받기 위한 상기 제 2 기판 상의 전압 접점을 노출시키기 위해 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판을 기설정된 거리로 오프셋시키는 단계를 더 포함한다.
바람직하게, 상기 액정 반응성 모노머가 중합 반응을 초래하는 단계 이후, 상기 방법은: 상기 액정 반응성 모노머를 상기 제 1 기판 또는 상기 제 2 기판 방향으로 이동시키고, 돌출부를 형성하는 단계; 및 상기 돌출부의 효과에 의해 액정 분자의 프리틸트 각(pre-tilt angle)을 형성하는 단계를 더 포함한다.
상기한 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 다른 실시예는 다음의 해결책을 제공한다:
액정 패널의 배향막 제조 방법은: 액정 분자 및 액정 반응성 모노머를 포함하는 액정 혼합물을 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 주입하고, 액정 셀을 형성하기 위해 이들을 함께 적층하는 단계; 상기 액정 셀이 제 1 반응 장치에 의해 제공되는 전압, 자외선 조사 및 온도를 인가받도록, 상기 액정 셀을 상기 제1 반응 장치에 배치하여, 상기 액정 반응성 모노머에 대한 중합 반응을 발생시키는 단계; 상기 액정 셀이 상기 제 1 반응 장치에 배치되는 기간이 제 1 사전 설정 시간 기간에 도달하는지 판별하는 단계; 상기 제 1 사전 설정 시간 기간에 도달되면, 상기 액정 셀이 제2 반응 장치에서 제공되는 다른 전압 및 다른 온도를 인가받도록 상기 액정 셀을 상기 제 1 반응 장치로부터 상기 제 2 반응 장치로 이동시켜, 상기 액정 반응성 모노머의 상기 중합 반응이 계속되도록 하고, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판의 내부 표면 상에 각각 배향막을 형성하는 단계; 를 포함한다.
바람직하게, 상기 제 2 반응 장치는 상기 액정 셀을 상기 제 2 반응 장치의 입구로부터 출구로 이송하여, 상기 중합 반응이 상기 제 2 반응 장치에서 완료되도록 하는 컨베이어 벨트를 포함한다.
바람직하게, 상기 컨베이어 벨트는 10 내지 100m의 길이를 갖는다.
바람직하게, 상기 제 2 반응 장치는 내부에 10 내지 100 개의 층을 갖는 다층 구조로이다.
바람직하게, 상기 방법은: 상기 액정 셀이 상기 제 2 반응 장치에 배치되는 기간이 제 2 사전 설정 시간 기간에 도달하는지 판별하는 단계; 및 상기 제 2 사전 설정 시간 기간에 도달되면, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판의 내부 표면 상에 각각 배향막을 형성하기 위해, 상기 액정 셀을 상기 제 2 반응 장치 외부로 이동시키는 단계; 를 더 포함한다.
바람직하게, 상기 제1 반응 장치에 의해 제공되는 상기 전압은 7V 내지 50V 이고, 상기 자외선 조사의 조도는 0.05 내지 120 mW/cm2 이고, 상기 온도는 25℃ 내지 80℃ 이며; 상기 제 2 반응 장치에 의해 제공되는 상기 전압은 1V 내지 50V이고, 상기 온도는 10 ℃ 내지 100 ℃이다.
바람직하게, 상기 방법은: 상기 액정 혼합물을 준비하는 단계를 더 포함하고, 상기 액정 혼합물에서 상기 액정 반응성 모노머의 비율은 2000 내지 5000 ppm이다.
바람직하게, 상기 액정 반응성 모노머는 방향족 화합물(aromatic compounds)이다.
바람직하게, 상기 액정 셀을 적층하는 단계는, 상기 제 1 반응 장치 또는 상기 제 2 반응 장치에 의해 제공된 전압을 인가받기 위한 상기 제 2 기판 상의 전압 접점을 노출시키기 위해 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판을 기설정된 거리로 오프셋시키는 단계를 더 포함한다.
바람직하게, 상기 액정 반응성 모노머가 중합 반응을 발생하는 단계 이후, 상기 방법은: 상기 액정 반응성 모노머를 상기 제 1 기판 또는 상기 제 2 기판 방향으로 이동시키고, 돌출부를 형성하는 단계; 및 상기 돌출부의 효과에 의해 액정 분자의 프리틸트 각(pre-tilt angle)을 형성하는 단계를 더 포함한다.
종래 기술과 비교하여, 본 발명은 제 2 반응 장치를 통한 액정 셀의 중합 반응 조건을 제공하므로, 제 1 반응 장치에서의 반응 시간이 단축되고, 생산 병목 현상이 회피되며, 그로 인해 준비 시간을 단축한다.
본 발명의 실시예 또는 종래 기술의 기술적 해결 방안을 보다 명확하게 설명하기 위해, 실시예 또는 종래 기술의 설명에서 요구되는 도면이 이하에서 간략하게 설명될 것이다. 명백하게, 다음의 설명에서의 도면은 본 발명의 특정 실시예에 불과하며, 당업자는 어떠한 창의적 작업없이 이들 도면으로부터 다른 도면을 획득할 수 있다.
도 1a는 종래 기술의 제 1 반응 장치에서의 배향막 형성 공정의 개략도이다;
도 1b는 종래 기술의 제 2 반응 장치에서의 배향막 형성 공정의 개략도이다;
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 의해 제공된 배향막을 제조하기 위한 개략적인 흐름도이다;
도 3a는 본 발명의 제1 실시예에 의해 제공되는 제 2 반응 장치의 개략도이다;
도 3b는 도 3a에서 준비된 배향막의 형성 공정의 개략도이다;
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 의해 제공된 배향막을 제조하기 위한 개략적인 흐름도이다; 그리고
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 제 2 반응 장치의 개략도이다.
도면을 참조하며, 동일한 부호는 동일한 구성 요소를 나타낸다. 다음의 설명은 본 발명의 특정 실시예를 설명하는 특정 세부 사항을 포함 할 수 있지만, 이는 본 발명에 기술되지 않은 다른 실시예에 대한 제한으로 해석되어서는 안된다.
제1 실시예
도 2는 본 발명의 배향막을 제조하기 위한 개략적인 흐름도이다;
단계 S201에서, 액정 혼합물(liquid crystal mixture)을 준비하며, 액정 혼합물은 액정 분자(liquid crystal molecules) 및 액정 반응성 모노머(liquid crystal reactive monomers)를 포함한다.
액정 반응성 모노머는 방향족 화합물(aromatic compounds)을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 액정 혼합물에서 액정 반응성 모노머의 비율은 2000 내지 5000 ppm(parts per million)이다. 중합 반응(polymerization reaction)이 완료된 후 최상의 배향 효과를 달성할 수 있다.
단계 S202에서, 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 액정 혼합물을 주입하고, 액정 셀을 형성하기 위해 이를 함께 적층한다.
제 1 기판과 제 2 기판을 적층하는 단계는: 제 1 반응 장치 또는 제 2 반응 장치에 의해 제공된 전압을 인가받기 위한 제 2 기판 상의 전압 접점을 노출시키기 위해 제 1 기판 및 제 2 기판을 기설정된 거리로 오프셋시키는 단계를 더 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
단계 S203에서, 액정 반응성 모노머에 대한 중합 반응을 발생시키기 위해, 액정 셀이 제 1 반응 장치에 의해 제공되는 전압, 자외선 조사 및 온도를 인가받도록 액정 셀을 제1 반응 장치에 배치한다.
제1 반응 장치에 의해 제공되는 전압은 7V 내지 50V 이고, 자외선 조사의 조도는 0.05 내지 120 mW/cm2 이며, 온도는 25℃ 내지 80℃인 것으로 이해되어야 한다.
제 1 반응 장치에 의해 제공된 전압은 상술한 전압 접점과의 접속을 통해 전달된다.
도 1a를 참고하면, 반응 공정은 반응 시간이 단축된다는 점을 제외하고는 종래 기술과 유사하다. 제 1 반응 장치에서, 액정 셀 내의 액정 반응성 모노머는 중합 반응을 개시하고, 제 1 기판 또는 제 2 기판 상에 돌출부를 형성한다.
단계 S204에서, 액정 셀이 제 1 반응 장치에 배치되는 기간이 제 1 사전 설정 시간 기간에 도달하는지 판별한다.
제 1 사전 설정 시간 기간의 설정은 액정 반응성 모노머의 중합 반응 발생률이, 65 내지 80%, 60 내지 70%, 또는 75 내지 90%와 같이, 여기에 열거되지 않은 기설정된 값 범위에 도달하기 위한 현재 조건에 기초하는 것으로 이해되어야 한다. 현재 반응 조건에서 예로서 65 ~ 80%를 지정하면, 대응하는 반응 시간 기간은 50 초이다.
단계 S205에서, 액정 반응성 모노머의 상기 중합 반응이 계속되도록 하기 위해, 제 1 사전 설정 시간 기간에 도달되면, 액정 셀이 제2 반응 장치에서 제공되는 다른 전압 및 다른 온도를 인가받도록 액정 셀을 제 1 반응 장치로부터 제 2 반응 장치로 이동시킨다.
제2 사전 설정 범위는 1V 내지 50V의 제 2 반응 장치에 의해 제공되는 전압과, 10 ℃ 내지 100 ℃의 온도를 포함한다. 여기서, 제 2 반응 장치에 의해 제공된 전압은 연결을 상술한 전압 접점과의 연결을 통해 전달된다.
온도 및 전압의 영향 하에서, 제 1 반응 장치에서의 중합 반응이 계속되는 것을 보장 될 수 있고, 제 2 반응 장치내의 액정 셀 또한 동시에 반응을 수행 할 수 있으며, 액정 셀의 단위 생산 시간이 상대적으로 낮아진다. 이는 제 1 반응 장치에서 반응 시간을 효과적으로 단축시켜, 준비 공정 전반에 걸친 생산 병목 현상이 더 이상 존재하지 않게 한다.
도 3a는 본 발명의 제 2 반응 장치의 개략도이다. 제 2 반응 장치(31)는 새로운 제 2 반응 장치 모델로서, 제 1 반응 장치로부터 액정 셀을 수용하는 것이 보다 용이하도록 10 내지 100 개의 층을 갖는 다층 구조로(multilayered structure furnace)이다.
도 3b는 도 3a에서 준비된 하나의 배향막 형성 공정의 개략도이다. 액정 반응성 모노머(14)는 제 2 반응 장치에서 중합 반응을 계속하고, 액정 분자(12)가 프리틸트 각(pre-tilt angle)을 형성하도록 배향막을 형성한다.
단계 S206에서, 액정 셀이 제 2 반응 장치에 배치되는 기간이 제 2 사전 설정 시간 기간에 도달하는지 판별한다.
단계 S207에서, 제 2 사전 설정 시간 기간에 도달되면 액정 셀을 제 2 반응 장치 외부로 이동시킨다.
액정 반응성 모노머는 중합 반응이 일어날 때, 제 1 기판 또는 제 2 기판 방향으로 이동되고, 돌출부를 형성한다; 액정 분자는 돌출부의 효과에 의해 프리틸트 각을 형성한다.
프리틸트 각을 형성하기 위한 액정 모노머의 중합 반응을 개시 시키기 위해, 제 1 반응 장치는 자외선 조사를 온도 및 전압과 함께 조절하여 제공 할 필요가 있으므로, 자외선 조사의 조도 요건이 보다 엄격하고, 고정밀도의 고가 장비가 적용되어야 하는 것으로 이해되어야 한다. 중합 반응을 계속하기 위해 제 2 반응 장치는 온도 및 전압만을 요구하지만, 액정 반응 모노머가 패널 조명의 결함을 초래하는 것을 회피하기 위해, 제 2 반응 장치는 보다 저렴한 일반 장비를 채택 할 수 있다.
본 발명은 제 2 반응 장치의 고안을 통해 제 1 반응 장치에서의 반응 시간을 감소시킨다. 제 2 반응 장치는 더 큰 용량을 가져서, 단위 생산 시간이 매우 낮아진다. 비록 이러한 고안으로 인해 하나의 생산 단계가 늘어날지라도, 실제 단위 생산 시간은 줄어들게 된다. 제 1 반응 장치에서 액정 패널의 배향막을 생산함에 있어서 병목 현상이 회피되고, 액정 패널의 전체적인 생산 효율이 향상된다.
제2 실시예
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 배향막을 제조하기 위한 개략적인 흐름도이다.
여기서, 제1 실시예와과 차이점은 단계 S206 또는 S207이 없고, 대신 단계 S406이 추가된 점이다.
단계 S406에서, 제 2 반응 장치 내의 액정 셀을 기설정된 속도에 따라 이동시킨다.
도 5는 제 2 반응 장치의 개략도이다. 제 1 반응 장치는 제 2 반응 장치의 구성을 요구한 제1 실시예에 도시된 것과 동일하고, 특히, 제 2 반응 장치는 제 2 반응 장치의 입구로부터 출구까지 액정 셀을 운반하기 위한 컨베이어 벨트를 포함하고, 제 2 반응 장치에서 액정 반응성 모노머(14)의 중합 반응이 완료됨으로써, 액정 분자(12)는 충분한 프리틸트 각을 생성하고, 액정 반응 모노머가 나타나지 않도록 하는 것으로 이해되어야 한다.
컨베이어 벨트는 10 내지 100 m의 길이를 갖는다.
컨베이어 벨트 길이 및 기지정된 속도의 설정은 제 2 반응 장치에서의 액정 셀의 반응 시간이 제1 실시예에서 제 2 사전 설정 시간에 도달 할 수 있도록 하기 위한 것이다.
제 1 반응 장치는 액정 모노머의 중합 반응을 개시하기 위해서 자외선 조사를 온도 및 전압과 함께 조절하여 제공 할 필요가 있으므로, 자외선 조사의 조도 요건이 보다 엄격하고, 고정밀도의 고가 장비가 적용되어야 하는 것으로 이해되어야 한다. 중합 반응을 계속하기 위해 제 2 반응 장치는 온도 및 전압만을 요구하지만, 제 2 반응 장치는 보다 저렴한 일반 장비를 채택 할 수 있다.
본 발명은 제 2 반응 장치의 고안을 통해 제 1 반응 장치에서의 반응 시간을 감소시킨다. 제 2 반응 장치는 더 큰 용량을 가지며, 또한 수송 장치의 일부이기 때문에, 제2 반응 장치는 단일 수송 장치의 기능을 충분히 이용할 수 있으므로, 단위 생산 시간이 매우 낮아진다. 제 1 반응 장치에서 액정 패널의 배향막을 생산함에 있어서 병목 현상이 회피되고, 액정 패널의 전체적인 생산 효율이 향상된다.
제1 실시예 및 제2 실시예에 도시된 바와 같이, 본 발명은 제 2 반응 장치에 대한 새로운 고안과와 대응하는 배향막 형성 방법을 제공한다. 상기 두 실시예들로부터 유도된 온도 및 전압과 함께 자외선 조사를 대체하는 것과 같은 다른 실시예들이 본 발명의 사상 내에 있다는 것이 이해되어야 한다.
실시예 3
본 발명에 의해 고안된 제 2 반응 장치에 대응하는 배향막 형성 방법의 검증 결과인 표 1을 참조한다.
표1. 실험 데이터 및 검증 결과
Figure 112017075413383-pct00001
실험 동안, 온도 테스트는 각각의 전압을 유지하지 않고 제 1 반응 장치에 의해 자외선 (UV1)이 제공 된 이후 전압을 유지하도록 지정된다; 제 2 반응 장치의 온도는 50 ℃이다.
결과로부터 알 수있는 바와 같이, UV1 시간이 동일하면, UV1 종료 후 전압을 인가하지 않고, 제 2 반응 장치에 기판을 50 ℃에서 15 분 동안 여전히 유지하는 것은, 프리틸트 각이 제 2 반응 장치에 유지되지 않는 것과 동일하다. 즉, 전압이 인가되지 않으면 프리틸트 각이 형성 될 수 없다.
UV1 시간 기간은 각각 165 초 및 145 초로 단축되고, UV1이 종료 된 후 전압을 일정하게 유지하고, 기판이 50 ℃에서 15 분 및 30 분 동안 각각 제 2 반응 장치에서 유지되면, 프리틸트 각도는 UV1 시간 기간을 단축하지 않는 경우보다 더 크게 될 수 있다.
따라서, 동일한 프리틸트 각을 획득하도록, UV1의 부분적인 기능을 적절한 시간 및 온도의 효과로 대체하는 것이 가능하다.
다양한 실시예들이 다른 강조점을 가지지만, 고안 아이디어는 동일하다는 것을 이해해야 한다. 상세한 설명이 없는 특정 실시예는 본 명세서에서 반복되지 않는 전체 텍스트의 상세한 설명을 참조 할 수 있다.
실시예들은 당업자가 본 공개 및 다양한 실시예 및 의도된 특정 용도에 적합한 다양한 변형 예를 활용하는 것을 활성화할 수 있도록, 본 공개 및 그 실제 응용의 원리를 설명하기 위해 선택 및 설명되었다. 대안적인 실시예는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에게 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 명백해질 것이다. 따라서, 본 발명의 범위는 전술 한 설명 및 거기에서 설명 된 예시적인 실시예가 아닌 첨부 된 청구 범위에 의해 정의된다.

Claims (18)

  1. 액정 패널의 배향막 제조 방법으로서,
    액정 분자(liquid crystal molecules) 및 액정 반응성 모노머(liquid crystal reactive monomers)를 포함하는 액정 혼합물(liquid crystal mixture)을 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 주입하고, 액정 셀을 형성하기 위해 이들을 함께 적층하는 단계;
    상기 액정 셀이 제 1 반응 장치에 의해 제공되는 전압, 자외선 조사 및 온도를 인가받도록, 상기 액정 셀을 상기 제 1 반응 장치에 배치하여, 상기 액정 반응성 모노머에 대한 중합 반응을 발생시키는 단계 - 상기 제1 반응 장치에 의해 제공되는 상기 전압은 7V 내지 50V 이고, 상기 자외선 조사의 조도는 0.05 내지 120 mW/cm2 이며, 상기 온도는 25℃ 내지 80℃ 임;
    상기 액정 셀이 상기 제 1 반응 장치에 배치되는 기간이 제 1 사전 설정 시간 기간에 도달하는지 판별하는 단계;
    상기 제 1 사전 설정 시간 기간에 도달되면, 상기 액정 셀이 제2 반응 장치에서 제공되는 다른 전압 및 다른 온도를 인가받도록 상기 액정 셀을 상기 제 1 반응 장치로부터 상기 제 2 반응 장치로 이동시켜, 상기 액정 반응성 모노머의 상기 중합 반응이 계속되도록 하는 단계 - 상기 제 2 반응 장치에 의해 제공되는 상기 전압은 1V 내지 50V이고, 상기 온도는 10 ℃ 내지 100 ℃ 임;
    상기 액정 셀이 상기 제 2 반응 장치에 배치되는 기간이 제 2 사전 설정 시간 기간에 도달하는지 판별하는 단계; 및
    상기 제 2 사전 설정 시간 기간에 도달되면, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판의 내부 표면 상에 각각 배향막을 형성하기 위해, 상기 액정 셀을 상기 제 2 반응 장치 외부로 이동시키는 단계; 를 포함하는 배향막 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 반응 장치는 상기 액정 셀을 상기 제 2 반응 장치의 입구로부터 출구로 이송하여, 상기 중합 반응이 상기 제 2 반응 장치에서 완료되도록 하는 컨베이어 벨트를 포함하는 배향막 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 컨베이어 벨트는 10 내지 100m 의 길이를 갖는 배향막 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 반응 장치는 내부에 10 내지 100 개의 층을 갖는 다층 구조로(multilayered structure furnace) 인 배향막 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 액정 혼합물을 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 주입하는 단계 이전에, 상기 액정 혼합물을 준비하는 단계를 더 포함하고, 상기 액정 혼합물에서 상기 액정 반응성 모노머의 비율은 2000 내지 5000 ppm인 배향막 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 액정 반응성 모노머는 방향족 화합물(aromatic compounds)인 배향막 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 액정 셀을 적층하는 단계는,
    상기 제 1 반응 장치 또는 상기 제 2 반응 장치에 의해 제공된 전압을 인가받기 위한 상기 제 2 기판 상의 전압 접점을 노출시키기 위해 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판을 기설정된 거리로 오프셋시키는 단계를 더 포함하는 배향막 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 액정 반응성 모노머에 대한 중합 반응을 발생시키는 단계 이후,
    상기 액정 반응성 모노머를 상기 제 1 기판 또는 상기 제 2 기판 방향으로 이동시키고, 돌출부를 형성하는 단계; 및
    상기 돌출부의 효과에 의해 액정 분자의 프리틸트 각(pre-tilt angle)을 형성하는 단계를 더 포함하는 배향막 제조 방법.
  9. 액정 패널의 배향막 제조 방법으로서,
    액정 분자(liquid crystal molecules) 및 액정 반응성 모노머(liquid crystal reactive monomers)를 포함하는 액정 혼합물(liquid crystal mixture)을 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 주입하고, 액정 셀을 형성하기 위해 이들을 함께 적층하는 단계;
    상기 액정 셀이 제 1 반응 장치에 의해 제공되는 전압, 자외선 조사 및 온도를 인가받도록, 상기 액정 셀을 상기 제 1 반응 장치에 배치하여, 상기 액정 반응성 모노머에 대한 중합 반응을 발생시키는 단계;
    상기 액정 셀이 상기 제 1 반응 장치에 배치되는 기간이 제 1 사전 설정 시간 기간에 도달하는지 판별하는 단계;
    상기 제 1 사전 설정 시간 기간에 도달되면, 상기 액정 셀이 제2 반응 장치에서 제공되는 다른 전압 및 다른 온도를 인가받도록 상기 액정 셀을 상기 제 1 반응 장치로부터 상기 제 2 반응 장치로 이동시켜, 상기 액정 반응성 모노머의 상기 중합 반응이 계속되도록 하고, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판의 내부 표면 상에 각각 배향막을 형성하는 단계; 를 포함하고,
    상기 제 2 반응 장치는 상기 액정 셀을 상기 제 2 반응 장치의 입구로부터 출구로 이송하여, 상기 중합 반응이 상기 제 2 반응 장치에서 완료되도록 하는 컨베이어 벨트를 포함하는, 배향막 제조 방법.
  10. 삭제
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 컨베이어 벨트는 10 내지 100m 의 길이를 갖는 배향막 제조 방법.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 반응 장치는 내부에 10 내지 100 개의 층을 갖는 다층 구조로(multilayered structure furnace) 인 배향막 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 액정 셀이 상기 제 2 반응 장치에 배치되는 기간이 제 2 사전 설정 시간 기간에 도달하는지 판별하는 단계; 및
    상기 제 2 사전 설정 시간 기간에 도달되면, 상기 액정 셀을 상기 제 2 반응 장치 외부로 이동시키는 단계; 를 더 포함하는 배향막 제조 방법.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 반응 장치에 의해 제공되는 상기 전압은 7V 내지 50V 이고, 상기 자외선 조사의 조도는 0.05 내지 120 mW/cm2 이고, 상기 온도는 25℃ 내지 80℃ 이며,
    상기 제 2 반응 장치에 의해 제공되는 상기 전압은 1V 내지 50V이고, 상기 온도는 10 ℃ 내지 100 ℃ 인 배향막 제조 방법.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 액정 혼합물을 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 주입하는 단계 이전에, 상기 액정 혼합물을 준비하는 단계를 더 포함하고, 상기 액정 혼합물에서 상기 액정 반응성 모노머의 비율은 2000 내지 5000 ppm인 배향막 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 액정 반응성 모노머는 방향족 화합물(aromatic compounds)인 배향막 제조 방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 액정 셀을 적층하는 단계는,
    상기 제 1 반응 장치 또는 상기 제 2 반응 장치에 의해 제공된 전압을 인가받기 위한 상기 제 2 기판 상의 전압 접점을 노출시키기 위해 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판을 기설정된 거리로 오프셋시키는 단계를 더 포함하는 배향막 제조 방법.
  18. 제 9 항에 있어서,
    상기 액정 반응성 모노머에 대한 중합 반응을 발생시키는 단계 이후,
    상기 액정 반응성 모노머를 상기 제 1 기판 또는 상기 제 2 기판 방향으로 이동시키고, 돌출부를 형성하는 단계; 및
    상기 돌출부의 효과에 의해 액정 분자의 프리틸트 각(pre-tilt angle)을 형성하는 단계를 더 포함하는 배향막 제조 방법.
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