KR102001030B1 - 라디오 주파수 안테나, 이를 형성하는 방법 및 이온 소스 - Google Patents

라디오 주파수 안테나, 이를 형성하는 방법 및 이온 소스 Download PDF

Info

Publication number
KR102001030B1
KR102001030B1 KR1020157008999A KR20157008999A KR102001030B1 KR 102001030 B1 KR102001030 B1 KR 102001030B1 KR 1020157008999 A KR1020157008999 A KR 1020157008999A KR 20157008999 A KR20157008999 A KR 20157008999A KR 102001030 B1 KR102001030 B1 KR 102001030B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
low
tube
resistance metal
metal tube
quartz glass
Prior art date
Application number
KR1020157008999A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150054920A (ko
Inventor
윌헤름 피. 플라토우
크레이그 알. 샤니
Original Assignee
베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. filed Critical 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
Publication of KR20150054920A publication Critical patent/KR20150054920A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102001030B1 publication Critical patent/KR102001030B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/4645—Radiofrequency discharges
    • H05H1/4652—Radiofrequency discharges using inductive coupling means, e.g. coils
    • H05H2001/4667—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49016—Antenna or wave energy "plumbing" making

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Details Of Aerials (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

플라즈마 이온 소스를 위한 라디오 주파수 (RF) 안테나, 이를 형성하는 방법 및 이온 소스가 개시된다. RF 안테나는 내경 및 외경을 갖는 저-저항 금속 튜브를 포함한다. 또한 내경 및 외경을 갖는 저 마찰 폴리머 튜브는 저-저항 금속 튜브를 둘러싼다. 폴리머 튜브의 내경은 저-저항 금속 튜브의 외경보다 약간 더 크다. 미리 형성된 석영 유리 튜브는 저 마찰 폴리머 튜브 및 저-저항 금속 튜브를 둘러싼다. 석영 유리 튜브는 희망하는 형상으로 미리 형성된다. 가이드 와이어는 저-저항 중공 금속 튜브의 일단에 부착된다. 저-저항 금속 튜브를 수용하는 가요성 저 마찰 폴리머 튜브는 그런 다음 석영 유리 튜브를 통과하여 끼워질 수 있다.

Description

라디오 주파수 안테나, 이를 형성하는 방법 및 이온 소스 {RADIO FREQUENCY(RF) ANTENNA, METHOD OF FORMING THE SAME, AND ION SOURCE}
본 발명의 실시예들은 이온 플라즈마 소스들과의 사용을 위한 내부 RF 안테나들에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 유전체 절연 컴포넌트(insulation component)를 포함하는, 이온 플라즈마 소스들과의 사용을 위한 내부 RF 안테나들에 관한 것이다.
플라즈마들은 박막들을 증착하거나 또는 에칭하기 위해서 다양한 도펀트들로 웨이퍼들 또는 기판들을 주입하는 반도체 프로세싱에서 다양한 방식들로 이용된다. 이러한 프로세스들은 타겟 기판(target substrate) 표면 위 또는 아래에 이온들의 방향성 증착(directional deposition) 또는 도핑을 포함한다. 일반적으로, 플라즈마들은 타겟 기판 위에 증착되거나 또는 타겟 기판으로 주입되는 대전된 캐리어들을 형성하기 위해서 챔버내로 유입되는 중성입자 가스에 에너지를 공급하여 발생된다. 가스는 한정되는 것은 아니지만 DC 글로우 방전(glow discharge), 용량성 결합 RF(capacitively coupled RF), 유도성 결합 RF(inductively coupled RF), 등을 포함하는 플라즈마 생성의 임의의 몇몇의 방법들에 의해 이온화된다.
RF 소스는 이온 소스 챔버의 유전체 창(dielectric window) 외부에 위치된 안테나를 가질 수 있거나 또는 이온 소스 챔버 내측에 위치된 안테나를 가질 수 있다. 내부 안테나를 갖는 RF 소스에서, 유도 코일 또는 RF 안테나는 이온 소스 챔버 안의 내부에 배치되고 챔버내로 유입된 가스를 이온화하기 위해서 에너지를 공급한다. 챔버내의 RF 안테나는 일반적으로 챔버의 벽들에 밀봉(seal)들을 통하여 연장된 파워 리드(power lead)들을 포함하는 코일 형상을 취한다. 이들 RF 안테나들은 이온 소스 챔버 내에 플라즈마를 발생시키기 위해서 노출되기 때문에, 안테나는 일반적으로 유전체 코팅 예컨대 유리, 자기, 알루미나, 등에 의해 보호된다. 그러나, 코팅들은 전형적으로 부식성 RF 플라즈마 재료에 노출될 때 유전체 코팅 재료에 구멍을 내도록 유도하는 마이크로-기공들 또는 미세 균열(hair fracture)들을 포함하기 때문에 코팅된 RF 안테나 코일들은 일반적으로 제한된 수명들을 가진다. 대안적으로, 유리 튜브(glass tube)가 안테나를 절연시기키 위해 사용될 수 있다. 이들 튜브들은 가열 및 구부림(bending)의 프로세스를 통하여 둘러싸인 전도성 재료에 대응하는 형상을 가진다. 유리가 높은 녹는 점을 갖기 때문에, 전도성 금속도 또한 재료들을 희망하는 형상으로 구부리기에 충분할 정도로 가단 가능하게(malleable) 하는 높은 녹는 점을 가져야만 한다. 두개의 흔히 사용되는 금속들은 스테인리스 스틸 및 티타늄이다. 스테인리스 스틸은 대략 69-75 x 10-8 Ω-m 의 비저항을 가지지만 티타늄은 대략 42 x 10-8 Ω-m의 비저항을 가진다. 높은 비저항을 갖는 도전체들은 일반적으로 송신기 코일의 품질 팩터(quality factor)로서 언급되는 큰 Q 팩터를 초래한다. 도전체들 예컨대 구리 (1.7 x 10-8 Ω-m), 알루미늄 (2.65 x 10-8 Ω-m), 및 은 (1.65 x 10-8 Ω-m)은 스테인리스 스틸 및 티타늄에 비하여 더 작은 비저항을 가진다. 따라서, 높은 비저항 스테인리스 스틸 및 티타늄을 갖는 티타늄 및 스테인리스 스틸에 대한 Q 팩터는 구리와 같은 상대적으로 더 작은 비저항 금속을 갖는 구리와 같은 재료에 비하여 대략 25-45배 더 크다. 높은 Q (예를 들어, 스테인리스 스틸, 티타늄) 안테나를 갖는 재료는 훨씬 덜 효율적일 것이고 더 작은 Q(구리, 알루미늄, 은) 안테나에 비하여 유도 손실(inductive loss)들을 겪을 것이다. 추가하여, 만약 유리 및 금속 도전체의 녹는 점들이 너무 비유사하면, 하나는 다른 것에 비하여 액화될 수 있거나 또는 너무 가단 가능하게 될 수 있다. 높은 녹는 점 금속들이 갖는 문제는 그것들이 RF 안테나를 위해 비효율적인 높은 Q를 초래하는 더 높은 전기적 저항 특성들을 갖는다는 것이다.
일부 RF 안테나들은 전도성 금속 예컨대 구리를 채용할 수 있지만, 이어서 둘 모두의 재료들의 녹는점에 대하여 수락할만한 범위를 유지하기 위해서 석영보다 훨씬 더 낮은 녹는 점을 갖는 더 낮은 등급 유리를 사용하여야 한다. 더 낮은 등급 유리의 사용은, 그러나, 챔버 벽들에 대한 안테나의 전기적 쇼트(shorting) 및 오염 이슈들로 이어질 수 있는 스퍼터링(sputtering)과 같은 다른 원치 않는 특성들을 도입한다. 과도한 스퍼터링은 결국에는 이온 소스 진공 챔버의 플러딩(flooding) 및 물 누수로 이어질 수 있는 안테나 케이싱 (더 낮은 등급 유리(lower grade glass))에 구멍을 낼 수 있다. 본 개선들이 요구되어지는 이들 및 다른 고려사항들에 대한 것이다.
이 요약은 이하에의 상세한 설명에서 추가로 설명되는 엄선한 개념들을 간략화된 형태로 소개하기 위해 제공된다. 이 요약은 청구된 내용의 주요 특징들 또는 핵심 특징들을 식별하도록 의도되지 않으며, 또한 청구된 내용의 범위를 결정하는데 보조수단으로서 의도되지도 않는다.
다양한 실시예들은 전반적으로 유전체 절연 컴포넌트들을 갖는 내부 RF 안테나에 관한 것이다. 일 실시예에서 내경 및 외경을 갖는 저-저항 금속 튜브, 상기 저-저항 금속 튜브를 둘러싸며 내경 및 외경을 갖는 저 마찰 폴리머 튜브로서, 상기 폴리머 튜브의 내경은 상기 저-저항 금속 튜브의 외경보다 약간 더 큰, 상기 저 마찰 폴리머 튜브; 및 상기 저 마찰 폴리머 튜브 및 저-저항 금속 튜브를 수용하는 미리 형성된 석영 유리 튜브를 포함하는 플라즈마 이온 소스들을 위한 RF 안테나가 개시된다.
다른 실시예에서 RF 안테나를 갖는 이온 소스가 개시된다. 상기 RF 안테나는 내경 및 외경을 갖는 저-저항 금속 튜브, 상기 저-저항 금속 튜브를 둘러싸며 내경 및 외경을 갖는 저 마찰 폴리머 튜브로서, 상기 폴리머 튜브의 내경은 상기 저-저항 금속 튜브의 외경보다 약간 더 큰, 상기 저 마찰 폴리머 튜브; 및 상기 저 마찰 폴리머 튜브 및 저-저항 금속 튜브를 수용하는 미리 형성된 석영 유리 튜브를 포함한다. 상기 이온 소스는 또한 각각의 끝단과 결합된 냉각제 저장소 및 상기 저-저항 금속 튜브와 결합된 전원을 포함한다. 상기 냉각제 저장소는 상기 저-저항 금속 튜브를 통과하여 순환하는 냉각제 (예를 들어, 물)를 저장한다. 상기 전원은 상기 RF 안테나를 구동시킨다.
다른 실시예에서, 이온 소스를 위한 RF 안테나를 형성하는 방법이 - 상기 RF 안테나는 유전체 절연 컴포넌트를 갖는 - 설명된다. 저-저항 중공 금속 튜브( low-resistance hollow metal tube)가 가요성 저 마찰 폴리머 튜브내에 삽입되고, 상기 폴리머 튜브의 내경은 상기 저-저항 금속 튜브의 외경보다 약간 더 크다. 가이드 와이어가 상기 저-저항 중공 금속 튜브의 일단에 부착된다. 상기 저-저항 금속 튜브를 수용하는 상기 가요성 저 마찰 폴리머 튜브가 상기 미리 형성된 석영 유리 튜브를 통과하여 끼워진다. 예를 들어, 상기 미리 형성된 석영 유리 튜브를 통과하여 상기 저-저항 금속 튜브를 가이드하는 밀기/당기기 기술을 이용하여 상기 석영 유리 튜브를 통과하여 상기 저-저항 금속 튜브를 수용하는 상기 폴리머 튜브를 끼우기 전에 액체 윤활유가 상기 미리 형성된 석영 유리 튜브내에 도포될 수 있다. 일단 상기 저-저항 금속 튜브가 완전히 끼워지면, 상기 폴리머 튜브는 상기 미리 형성된 석영 유리 튜브내에 상기 저-저항 금속 튜브를 남겨둔 채 상기 미리 형성된 석영 유리 튜브 밖으로 슬라이드될 수 있다.
도 1은 본 개시의 실시예에 따른 RF 안테나 시스템 컴포넌트들을 예시한다.
도 2 는 본 발명의 실시예에 따른 RF 안테나 시스템 컴포넌트들의 단면도를 예시한다.
도 3은 본 개시의 실시예에 따른 RF 안테나 시스템을 예시한다.
도 4는 본 개시의 실시예에 따른 RF 안테나 시스템을 예시한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 논리 흐름도를 예시한다.
도 6 은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이온 소스와 함께 사용되는 RF 안테나 시스템을 예시한다.
이제, 본 발명은 발명의 바람직한 실시예들이 도시되어 있는 첨부한 도면들을 참조하여 이하에서 더욱 완전하게 설명될 것이다. 그러나, 본 발명은 상이한 많은 형태들로 구현될 수도 있으며, 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 한정되는 것으로 이해되지 말아야 한다. 오히려, 이러한 실시예들은 본 개시가 빈틈없고 완전해질 수 있도록, 그리고 당업자들에게 본 발명의 범위가 완전히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공된다. 도면들에서, 같은 번호들은 그 전반에 걸쳐 같은 엘리먼트들을 나타낸다.
이온 소스는 이온 빔이 다양한 용도를 위해 추출될 수 있는 플라즈마 제너레이터(plasma generator)이다. 이온 소스들이 내부 RF 안테나를 갖는 것이 바람직한데 그것은 이온 소스에 멀티-커스프(multi-cusp) 자석들의 응용을 가능하게 하기 때문이다. 멀티-커스프 자석들은 소스 플라즈마를 한정하고 더 큰 추출 전류들 및 증가된 스루풋(throughput)로 이어져 플라즈마 밀도를 증가시키는데 도움이 된다. 충분한 고 전력에서 RF 안테나를 동작시키기 위해서, 안테나는 유전체 재료(dielectric material)에 의해 플라즈마로부터 냉각되고 절연될 필요가 있다. 전형적인 유전체 재료들은 석영 유리(quartz glass) 또는 알루미나(alumina)를 포함한다. 냉각은 RF 안테나 변형(deforming) 또는 심지어 융해를 방지한다. 냉각(cooling)은 안테나를 저-저항 금속 (예를 들어, 구리)의 튜브로 형성함으로써 그리고 RF 안테나 동작 동안 튜브를 통과하여 물을 통과시킴으로써 달성될 수 있다. 유전체로 RF 안테나의 절연은 몇몇의 문제들을 유발할 수 있는 RF 안테나의 스퍼터링을 방지한다. 예를 들어, 하나의 문제는 이온 소스의 피드 스루(feed-through)들 및 내부 챔버 벽들 위에 스퍼터링된 금속의 증착일 수 있다. 이것은, 차례로, 이온 소스 챔버의 벽들에 대한 RF 안테나의 쇼트 및 오염 이슈들로 이어질 수 있다. 보다 심각한 문제는 과도한 스퍼터링이 결국에는 이온 소스 진공 챔버의 플러딩 및 물 누수로 이어져 안테나에 구멍을 낼 수 있다는 것이다.
석영 유리는 이상적인 절연 재료인데 그것의 유전체 특성들 및 스퍼터링 계수가 RF 애플리케이션들에 대해 유리하고 그것은 표준 유리 취입성형(blowing) 기술들에 의해 복잡한 형상들로 구부릴 수 있기 때문이다. 그러나, 그것의 내부 내에 저-저항 금속 튜브를 수용하는 석영 유리 튜브를 가지고 복잡한 형상들 예컨대 나선형(helix)을 달성한다는 것은 평범한 작업이 아니다.
다양한 실시예들은 이온 소스 챔버 내에 사용을 위해 적절히 절연된 RF 안테나에 관한 것이다. 이상적으로는, 안테나 엘리먼트는 저-저항 금속 예컨대, 한정되는 것은 아니지만, 구리, 알루미늄, 또는 은을 포함할 것이다. 절연 재료는 최상급의 유전체 특성들을 나타낼 것이고 고온들을 견딜 것이다. 한가지 이런 절연 재료가 석영(quartz)이다. 석영 유리로 저-저항 금속 튜브를 둘러싸는 것은 종래 기술의 방법들을 이용하여 달성될 수 없다. 두개의 재료들간에 녹는 점들이 너무 크다. 석영 배관(tubing)을 구부리는데 필요한 온도에서 저-저항 금속 튜브는 액화될 것이다. 반대로, 석영 유리는 저-저항 금속을 구부리기 위해 필요한 온도에서 구부리기에 충분할 정도로 가단 가능하지 않을 것이다. 따라서, 가열 및 구부림 방법들이 잘 작용하지 않는다.
본 출원에 실시예들은 미리 형성된(pre-formed) 석영 유리 튜브를 사용한다. 즉, 석영 유리는 안테나를 위해 전도성 엘리먼트로서 사용되는 저-저항 금속 배관(metal tubing)과 무관하게 형성되고 가열된다. 일단 석영 유리가 희망하는 안테나 구성으로 형성되면, 저-저항 금속 튜브가 그 안에 끼워(thread)진다. 저 마찰 폴리머 튜브가 저-저항 금속 튜브를 둘러싸기 위해 사용된다. 저 마찰 폴리머 튜브는 고체 윤활제로서 동작한다. 테플론TM 및 PFA(perfluoroalkoxy)가 두개의 적절한 폴리머 재료들이다. 추가하여, 석영 유리 튜브는 액체 윤활유 예컨대 물 또는 알코올로 안쪽이 코팅될 수 있다. 저-저항 금속 튜브를 둘러싼 폴리머는 저-저항 금속 튜브의 끝단에 부착된 가이드 와이어를 이용하여 석영 유리 배관을 통과하여 석영 유리 배관으로 부드럽게 밀어 넣어질 것이다. 폴리머 튜브는 또한 저-저항 금속 튜브의 임의의 날카로운 에지들로부터의 손상에서 석영 유리를 보호한다. 일단 석영 유리 튜브 내에 삽입되면, 저-저항 금속 튜브를 둘러싼 폴리머 튜브는 그것을 밖으로 슬라이드 시킴으로써 제거될 수 있다. 대안적으로, 폴리머 튜브는 제 자리에 남겨질 수 있는데 그것은 충분하게 높은 녹는 점을 가지며 그리고 저-저항 금속 튜브를 통과하여 물을 흘림으로써 냉각되기 때문이다.
다른 실시예들은 저 저항성 금속 예컨대 구리, 알루미늄 또는 은으로 만들어지고, 복잡한 형상 예컨대 나선형을 가질 수 있고, 높은 녹는 점 유전체 예컨대 석영 유리에 의해 절연되고 그리고 RF 안테나 코일 그 자체를 통과하여 물을 흘림으로써 물 냉각되는 RF 안테나 또는 코일을 만드는 방법들을 다룬다. 본 출원에서 설명된 실시예들 이온 소스를 위한 내부 RF 안테나의 간단한 제조를 가능하게 한다. 특별히, 실시예들은 한정되는 것은 아니지만, 석영 유리 및 구리와 같은 RF 애플리케이션들을 위해 가장 바람직한 재료들의 조합 및 복잡한 형상들을 갖는 RF 안테나의 제조를 가능하게 한다. 내부 RF 안테나는 또한 이온 소스에 대하여 증가된 플라즈마 밀도, 빔 전류들 및 스루풋으로 이어지는 멀티-커스프 자석들의 사용을 허용한다.
도 1은 본 개시의 실시예에 따른 RF 안테나 시스템 컴포넌트들(100)의 사시도를 예시한다. 특별히, 저-저항 금속 튜브 (110)는 가요성 저-마찰 폴리머 튜브 (120)에 의해 둘러싸이고 그런 다음 석영 유리 배관 (130)에 의해 둘러싸인다. 석영 유리 배관 (130)을 통과하여 저-저항 금속 튜브 (110) 둘레를 감싼 가요성 저-마찰 폴리머 튜브 (120)를 끼우기 위해 사용되는 가이드 와이어 (140)가 또한 도시된다. 가이드 와이어 (140)는 예를 들어, 크립핑(crimping), 납땜 (soldering) 또는 다른 기계적인 수단들에 의해 저-저항 금속 튜브 (110)의 리딩 또는 트레일링 끝단에 부착될 수 있다. 일단 부착되면, 가이드 와이어 (140)는 석영 유리 배관 (130)를 통과하여 저-저항 금속 튜브 (110)를 당기고 가이딩하는 것을 허용할 것이다. 가요성 저-마찰 폴리머 튜브 (120)는 끼우는 프로세스(threading process)를 가능하게 하기 위한 고체 윤활제로서 역할을 한다. 미리 형성된 석영 유리 튜브 (130)를 통과하여 저-저항 금속 튜브 (110)를 끼우기 위해 저-저항 금속 튜브 (110)의 타단을 밀어냄과 함께 가이드 와이어 (140)를 당김이 결합된다.
가요성 저-마찰 폴리머 튜브 (120)는 예를 들어 그것의 저-마찰 특성을 정의하는 0.0400 - 0.060의 마찰 계수를 갖는 PFA(perfluoroalkoxy) 및 0.0800 - 0.3의 마찰 계수를 갖는 테플론TM으로 구성될 수 있다. 이들 폴리머들은 충분하게 높은 녹는 점들을 보유하고 그것이 미리 형성된 석영 유리 튜브 (130)의 내부를 횡단할 때 저-저항 금속 튜브 (110)가 뒤틀리는 것(kinking)을 방지하고 및/또는 미리 형성된 석영 유리 튜브 (130) 내부에 손상없이 가요성 저-마찰 폴리머 튜브 (120)로 하여금 미리 형성된 석영 유리 튜브 (130) 내부로 슬라이드하는 것을 가능하게 하는 충분한 마찰 내성(friction resistant)이 있다. 석영 유리는 그것의 우수한 유전체 특성들 때문에 선택된다. 저-저항 금속 튜브 (110)는 그것들의 저 저항 특성들에 기초하여 구리, 알루미늄 또는 은(silver)으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 튜브 (110)는 다른 재료들 예컨대 스테인리스 스틸 및 티타늄에 비하여 저-저항 재료들로 간주되는 예를 들어, 1.7 x 10-8 Ω-m의 비저항을 갖는 구리, 2.65 x 10-8 Ω-m의 비저항을 갖는 알루미늄, 은 비저항을 갖는 of 1.65 x 10-8 Ω-m의 비저항을 갖는 은, 등 으로 만들어질 수 있다. 이들 금속들은 또한 그것들이 많은 다른 금속들 예컨대 스테인리스 스틸 또는 티타늄보다 낮은 온도에서 더 가단 가능하다는(malleable) 것을 의미하는 더 낮은 녹는 점을 가진다.
도 2 는 본 발명의 실시예에 따른 RF 안테나 시스템 컴포넌트들의 단면도(200)를 예시한다. 이 예시에서, 가장 안쪽의 링은 저-저항 금속 튜브 (110)이다. 화살표 (140)는 저-저항 금속 튜브 (110)의 외경을 나타낸다. 이웃한 링은 가요성 저-마찰 폴리머 튜브 (120)이다. 화살표 (150)는 가요성 저-마찰 폴리머 튜브 (120)의 내경을 나타낸다. 가요성 저-마찰 폴리머 튜브 (120)의 내경은 저-저항 금속 튜브 (110)가 가요성 저-마찰 폴리머 튜브 (120) 안쪽에 맞도록 하기 위해서 저-저항 금속 튜브 (110)의 외경 보다 더 커야만 한다. 가장 바깥쪽의 링은 미리 형성된(pre-formed) 석영 유리 튜브(130)를 나타낸다.
도 3은 본 개시의 다른 실시예에 따른 RF 안테나 시스템(300)을 예시한다. 이 실시예에서, 석영 유리 튜브 (130)는 코일 또는 나선형 형상으로 미리 형성된다. 이 형상은 그 안에 하우징된 도전체를 통하여 전류가 흐를 때 그것이 보여주는 유도 특성들에 기초하여 선택될 수 있다. 파선은 석영 유리 튜브 (130)으로 끼워지는 저-저항 금속 튜브 (110)를 나타낸다. 가요성 저-마찰 폴리머 튜브 (120)는 미리 형성된 석영 유리 튜브 (130)으로 저-저항 금속 튜브(110)를 끼우기 위해 사용되지만 그 이후에 안테나 시스템 (300)을 사용하기 전에 제거된다.
도 4는 본 개시의 다른 실시예에 따른 RF 안테나 시스템(400)을 예시한다. 이 실시예에서, 석영 유리 튜브 (130)는 코일 또는 나선형 형상으로 미리 형성된다. 이 형상은 그 안에 하우징된 도전체를 통하여 전류가 흐를 때 그것이 보여주는 유도 특성들에 기초하여 선택될 수 있다. 파선은 미리 형성된 석영 유리 튜브 (130)으로 저-저항 금속 튜브(110)를 끼우기 위해 사용되는 가요성 저-마찰 폴리머 튜브 (120)를 나타낸다. 가장 안쪽의 실선은 저-저항 금속 튜브 (110)를 나타낸다. 이 실시예에서, 가요성 저-마찰 폴리머 튜브 (120)는 제거되지 않았다. 가요성 저-마찰 폴리머 튜브 (120)가 특별히 저-저항 금속 튜브 (110)를 통과하여 순환하도록 만들어질 수 있는 냉각제 고려시 파손을 피하기 위한 충분히 높은 녹는 점을 갖기 때문에 이것은 수용될 수 있다.
개시된 구조의 새로운 측면들을 수행하기 위한 대표적인 방법론들을 나타내는 하나 이상의 플로우 차트들이 본 출원에 포함된다. 설명의 단순화의 목적들을 위하여, 본 출원에 도시된 하나 이상의 방법론들은, 예를 들어, 플로우 차트 또는 흐름도의 형태로, 일련의 활동들로서 도시되고 설명되지만, 방법론들에 부합하는 일부 활동들이 본원에서 도시되고 설명된 것과 다른 활동들과 함께 동시에 및/또는 상이한 순서로 발생할 수 있는 것으로 방법론들은 활동들의 순서에 제한되지 않는 것으로 이해되고 인식될 것이다. 게다가, 방법론에서 예시된 모든 활동들이 새로운 구현예에 대하여 요구되지 않을 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 논리 흐름도(500)를 예시한다. 로직 플로우 (500)는 블럭 (510)에서 저-저항 금속 튜브 (110)를 가요성 저-마찰 폴리머 튜브 (120)로 삽입할 수 있다. 예를 들어, 저-저항 금속 튜브 (110)는 그것이 꼭 맞게 그렇지만 용이하게 저-마찰 폴리머 튜브 (120)내에 끼워지도록 사이즈 될 수 있다. 저-마찰 폴리머 튜브 (120)는 테플론TM 또는 PFA으로 구성될 수 있다. 실시예들은 이 예제에 제한되지 않는다.
로직 플로우 (500)는 블럭 (520)에서 저-저항 금속 튜브 (110)의 일단에 가이드 와이어 (140)를 부착할 수 있다. 예를 들어, 가이드 와이어 (140)는 예를 들어, 크립핑(crimping), 납땜 (soldering) 또는 다른 기계적인 수단들에 의해 저-저항 금속 튜브 (110)의 리딩(leading) 또는 트레일링(trailing) 끝단에 부착될 수 있다. 일단 부착되면, 가이드 와이어 (140)는 미리 형성된 석영 유리 튜브 (130)를 통과하여 저-저항 금속 튜브 (110)를 당기고 가이딩하는 것을 허용할 것이다. 실시예들은 이 예제에 제한되지 않는다.
로직 플로우 (500)는 블럭 (530)에서 미리 형성된 석영 유리 튜브의 안쪽에 액체 윤활유를 도포할 수 있다. 예를 들어, 미리 형성된 석영 유리 튜브 (130)를 통과하여 저-저항 금속 튜브 (110)를 포함하는 저-마찰 폴리머 튜브 (120)를 끼우면서 추가의 윤활유를 제공하기 위해 미리 형성된 석영 유리 튜브 (130)의 안쪽에 액체 예컨대 물 또는 알코올이 도포될 수 있다. 미리 형성된 석영 유리 튜브 (130)는 RF 안테나 시스템의 유도 특성들을 최대화하기 위해서 희망하는 형상으로 미리 형성될 수 있다. 하나의 이런 형상이 나선형 또는 코일이다. 실시예들은 이 예제에 제한되지 않는다.
로직 플로우 (500)는 블럭 (540)에서 가이드 와이어 (140)를 이용하여 미리 형성된 석영 유리 튜브 (130)를 통과하여 저-저항 금속 튜브 (110)를 덮은 가요성 저-마찰 폴리머를 당길 수 있다. 예를 들어, 저-마찰 폴리머 튜브 (120)는 저-저항 금속 튜브 (110)를 둘러싼 고체 윤활제로서 역할을 한다. 저-저항 금속 튜브 (110)에 부착된 가이드 와이어 (140)는 처음에 미리 형성된 석영 유리 튜브 (130)를 통과하여 끼워질 수 있다. 그런다음 적절하지만 일관된 힘이 저-저항 금속 튜브 (110)의 일단에 인가될 수 있고 동시에 미리 형성된 석영 유리 튜브 (130)를 통과하여 저-저항 금속 튜브 (110)를 끼우기 위해 가이드 와이어 (140)를 당긴다. 미리 형성된 석영 유리 튜브 (130)의 커브들은 저-저항 금속 튜브 (110)가 미리 형성된 석영 유리 튜브 (130)의 형상에 따르도록 그렇지만 그것이 끼워지는 때에 뒤틀리지 않도록 디자인된다. 실시예들은 이 예제에 제한되지 않는다.
저-저항 금속 튜브 (110)에서의 뒤틀림을 방지하는 것은 중요한데 뒤틀림들은 냉각제의 순환을 차단하고 과열점(hot spot)들을 생성할 수 있거나 또는 저-저항 금속 튜브 (110)가 저-마찰 폴리머 튜브 (120)를 찢어지게 할 수 있고 잠재적으로는 미리 형성된 석영 유리 튜브 (130)를 긁거나 또는 손상시킬 수 있다.
로직 플로우 (500)는 블럭 (550)에서 저-저항 금속 튜브 (110)로부터 가이드 와이어 (140)를 제거할 수 있다. 일단 저-저항 금속 튜브 (110)가 미리 형성된 석영 유리 튜브 (130)내로 성공적으로 끼워지면, 그것은 RF 안테나 시스템이 동작 상태에 놓여지기 전에 제거된다. 실시예들은 이 예제에 제한되지 않는다.
로직 플로우 (500)는 블럭 (560)에서 선택적으로 미리 형성된 석영 유리 튜브 (130)내에 저-저항 금속 튜브 (110)를 남겨둔 채로 미리 형성된 석영 유리 튜브 (130) 밖으로 가요성 저-마찰 폴리머 튜브 (120)를 슬라이드 시킬 수 있다. 가요성 저-마찰 폴리머 튜브 (120)는 RF 안테나 시스템의 성능에 악영향을 미치지 않으면서 남아있을 수 있다. 가요성 저-마찰 폴리머 튜브 (120)는 특별히 저-저항 금속 튜브 (110)를 통과하여 순환하는 냉각제를 가져서 RF 안테나의 동작 동안 그것의 본래의 모습(integrity)을 유지하는 충분히 높은 녹는 점을 가진다. 추가하여, 가요성 저-마찰 폴리머 튜브 (120)를 보유하는 것은 또한 미리 형성된 석영 유리 튜브 (130)내의 좋은 위치에 저-저항 금속 튜브(110)를 유지하는데 도움이 된다. 실시예들은 이 예제에 제한되지 않는다.
본 출원에서 설명된 실시예들은 통상의 형상의 RF 안테나 디자인에서 저-저항 금속 도전체 (예를 들어, 구리)와 함께 사용될 고 유전체 절연체 (예를 들어, 석영 유리)를 허용한다. 이것은 도전체가 내부에 있는 동안 절연체를 형성하기 위해서 절연체를 가열하는 것이 필요하지 않기 때문이다. 절연체는 적절한 어떤 프로세스이든지 사용하여 미리 형성된다. 절연체는 그런다음 냉각될 수 있다. 인가되는 상당한 열 없이 도전체를 가단 가능하게 하여 저-저항 도전체는 상당히 더 낮아진 녹는 점을 가진다. 절연체 및 도전체 사이의 고체 윤활제 가요성 폴리머 튜브의 사용이 추가로 도전체를 절연체에 끼우는데 도움이 된다.
이것은 있는 그대로의(straight) 도전체를 있는 그대로의 절연체에 삽입하는 것이 요구되는 이전 방법들에 대비된다. 일단 내부에 위치 되면, 도전체 및 절연체의 조합은 필요한 온도로 가열되고 희망하는 RF 안테나 형상을 달성하기 위해서 프레임 둘레에 주형되고, 구부러지거나 또는 형성된다. 이 방법은 석영과 같은 좋은 유전체 절연체들은 높은 녹는 점들을 가지지만 좋은(예를 들어, 저 저항) 도전체들은 상당히 더 낮은 녹는 점들을 갖는다는 점에서 단점들을 가진다. 이 격차가 그것들로 하여금 이전 방법들을 사용하는 것을 방해하는데 도전체들은 절연체를 주형하는데 요구되는 열을 견딜 수 없기 때문이다.
도 6은 본 개시의 다른 실시예에 따른 이온 소스(610)과 함께 사용되는 RF 안테나 시스템(400)을 예시한다. 이온 소스(610)는 이온들의 빔들이 추출될 수 있는 플라즈마 제너레이터(plasma generator)이다. 플라즈마는 DC 방전 또는 RF 유도 방전에 의해 이온 소스에서 생성될 수 있다. 본 출원에 실시예들은 RF 유도 방전을 가능하게 하기 위해서 RF 안테나를 사용하는 것에 관한 것이다. 이온 소스 (610)의 완벽한 설명은 본 출원에서 제공되지 않을 것이며 실시예들의 초점이 코일 안테나 시스템 (400)에 있기 때문이다. 코일 안테나 시스템 (400)은 진공 밀봉된 이온 소스 (610) 안에 수용된다. 코일 안테나 시스템 (400)의 각 끝단은 이온 소스 (610) 밖으로 돌출한다. 안테나 시스템 (400)의 가장 안쪽 링은 저-저항 금속 배관 (110)이다. 저-저항 금속 배관 (110)의 각 끝단은 폐쇄된 순환 경로를 형성하기 위해서 냉각제 저장소 (630)와 결합된다. 냉각제 저장소 (630)는 폴리머 배관 (120) 및 미리 형성된 석영 유리 배관 (130)을 포함하여 전체 안테나 시스템을 냉각시키기 위해 저-저항 금속 배관 (110)을 통과하여 흐르는 냉각제 (예를 들어, 물)를 저장한다. 한 쌍의 전도성 전극들 (625)은 RF 파워 입력 소스 (620)를 저-저항 금속 배관 (110)에 결합시켜서 코일 안테나 시스템 (400)의 유도 특성들을 가능하게 하는데 필요한 전기를 제공한다.
본 발명이 어떠한 실시예들에 참조로서 개시된 반면, 첨부된 청구범위들에 정의된 바와 같이 본 발명의 구체 및 범위를 벗어나지 않고 상기 기술된 실시예들에 대한 다수의 변형들, 개조들, 변경들이 가능하다. 따라서, 본 발명은 설명된 실시예들에 제한되지 않고, 그것은 이하의 청구항들, 및 그것의 등가물들의 언어에 의해 정의된 전체 범위를 갖도록 의도된다.

Claims (15)

  1. 라디오 주파수 (RF) 안테나에 있어서,
    내경 및 외경을 갖는 저-저항 금속 튜브;
    상기 저-저항 금속 튜브를 둘러싸며 내경 및 외경을 갖는 저 마찰 폴리머 튜브로서, 상기 저 마찰 폴리머 튜브의 내경은 상기 저-저항 금속 튜브의 외경보다 더 큰, 상기 저 마찰 폴리머 튜브; 및
    상기 저 마찰 폴리머 튜브 및 상기 저-저항 금속 튜브를 수용하는 미리 형성된 석영 유리 튜브를 포함하는, 라디오 주파수 안테나.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 미리 형성된 석영 유리 튜브는 제 1 곡률 반경을 가지며 그리고 상기 저-저항 금속 튜브는 제 2 곡률 반경을 가지되, 상기 제 1 곡률 반경은 상기 제 2 곡률 반경에 같은, 라디오 주파수 안테나.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 저 마찰 폴리머 튜브는 PFA(perfluoroalkoxy)를 포함하는, 라디오 주파수 안테나.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 미리 형성된 석영 유리 튜브는 상기 저 저항 금속 튜브의 형상에 대응하는 코일 형상을 갖는, 라디오 주파수 안테나.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 저-저항 금속 튜브를 통과하여 순환하는 냉각제를 더 포함하는, 라디오 주파수 안테나.
  6. 라디오 주파수 (RF) 안테나를 형성하는 방법에 있어서,
    저-저항 금속 튜브를 가요성 저 마찰 폴리머 튜브 내로 삽입하는 단계로서, 상기 저 마찰 폴리머 튜브의 내경은 상기 저-저항 금속 튜브의 외경보다 더 큰, 상기 삽입하는 단계;
    상기 저-저항 금속 튜브의 일단에 가이드 와이어(guide wire)를 부착하는 단계; 및
    미리 형성된 석영 유리 튜브를 통과하여 상기 저-저항 금속 튜브를 수용하는 상기 가요성 저 마찰 폴리머 튜브를 끼우는(threading) 단계를 포함하는, 라디오 주파수 안테나를 형성하는 방법.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 석영 유리 튜브를 통과하여 상기 저-저항 금속 튜브를 수용하는 상기 저 마찰 폴리머 튜브를 끼우기 전에 상기 미리 형성된 석영 유리 튜브내에 액체 윤활유를 도포하는 단계를 더 포함하는, 라디오 주파수 안테나를 형성하는 방법.
  8. 청구항 6에 있어서, 상기 미리 형성된 석영 유리 튜브는 제 1 곡률 반경을 가지며 그리고 상기 저-저항 금속 튜브는 제 2 곡률 반경을 가지되, 상기 제 1 곡률 반경은 상기 제 2 곡률 반경과 같은, 라디오 주파수 안테나를 형성하는 방법.
  9. 청구항 6에 있어서, 상기 저-저항 금속 튜브를 통과하여 냉각제를 순환시키는 단계 더 포함하는, 라디오 주파수 안테나를 형성하는 방법.
  10. 이온 소스에 있어서,
    이온 소스 챔버;
    상기 이온 소스 챔버 내에 배치된 라디오 주파수(RF) 안테나로서, 상기 RF 안테나는,
    내경 및 외경 및 제 1 및 제 2 단부를 갖는 저-저항 금속 튜브;
    상기 저-저항 금속 튜브를 둘러싸며 내경 및 외경을 갖는 저 마찰 폴리머 튜브로서, 상기 저 마찰 폴리머 튜브의 내경은 상기 저-저항 금속 튜브의 외경보다 더 큰, 상기 저 마찰 폴리머 튜브; 및
    상기 저 마찰 폴리머 튜브 및 저-저항 금속 튜브를 하우징하는 미리 형성된 석영 유리 튜브를 포함하고,
    폐쇄된 순환 경로를 생성하기 위해서 상기 저-저항 금속 튜브의 제 1 단부 및 제 2 단부의 각각과 결합된 상기 이온 소스 챔버의 외측의 냉각제 저장소; 및
    상기 저-저항 금속 튜브와 결합된 상기 이온 소스 챔버 외측의 전원을 포함하는, 이온 소스.
  11. 청구항 10에 있어서, 상기 미리 형성된 석영 유리 튜브는 제 1 곡률 반경을 가지며 그리고 상기 저-저항 금속 튜브는 제 2 곡률 반경을 가지되, 상기 제 1 곡률 반경은 상기 제 2 곡률 반경과 같은, 이온 소스.
  12. 청구항 10에 있어서, 상기 저 마찰 폴리머 튜브는 테플론TM를 포함하는, 이온 소스.
  13. 청구항 10에 있어서, 상기 저 마찰 폴리머 튜브는 PFA(perfluoroalkoxy)를 포함하는, 이온 소스.
  14. 청구항 10에 있어서, 상기 미리 형성된 석영 유리 튜브는 코일 형상화되되 상기 저 저항 금속 튜브가 일단 끼워진 후 동일한 형상에 따르는, 이온 소스.
  15. 청구항 10에 있어서, 상기 저-저항 금속 튜브를 통과하여 순환하는 냉각제를 더 포함하는, 이온 소스.
KR1020157008999A 2012-09-12 2013-09-10 라디오 주파수 안테나, 이를 형성하는 방법 및 이온 소스 KR102001030B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/612,406 US8912976B2 (en) 2012-09-12 2012-09-12 Internal RF antenna with dielectric insulation
US13/612,406 2012-09-12
PCT/US2013/058872 WO2014043061A2 (en) 2012-09-12 2013-09-10 Internal rf antenna with dielectric insulation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150054920A KR20150054920A (ko) 2015-05-20
KR102001030B1 true KR102001030B1 (ko) 2019-07-17

Family

ID=49223888

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157008999A KR102001030B1 (ko) 2012-09-12 2013-09-10 라디오 주파수 안테나, 이를 형성하는 방법 및 이온 소스

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8912976B2 (ko)
JP (1) JP2015533014A (ko)
KR (1) KR102001030B1 (ko)
CN (1) CN104737267B (ko)
TW (1) TWI513376B (ko)
WO (1) WO2014043061A2 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150214609A1 (en) * 2012-09-17 2015-07-30 Carolyn M. Dry Self-repairing antennas
US20180197676A1 (en) * 2017-01-10 2018-07-12 General Electric Company Insulation for tranformer or inductor
US20180204672A1 (en) * 2017-01-13 2018-07-19 Arris Enterprises Llc High q adjacent printed antenna for wireless energy transfer
US20200286712A1 (en) * 2019-03-05 2020-09-10 Advanced Energy Industries, Inc. Single-turn and laminated-wall inductively coupled plasma sources
CN110491761B (zh) * 2019-08-23 2022-06-14 北京北方华创微电子装备有限公司 射频线圈、反应腔室及半导体加工设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001067830A1 (en) 2000-03-06 2001-09-13 The Regents Of The University Of California Quartz antenna with hollow conductor
US20030095072A1 (en) 2001-11-19 2003-05-22 Gi-Chung Kwon Antenna electrode for inductively coupled plasma generation apparatus
US20040027293A1 (en) 2000-12-27 2004-02-12 Shoji Miyake Plasma generator
US20070012250A1 (en) 2005-07-14 2007-01-18 Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration Inductively coupled plasma processing apparatus for very large area using dual frequency
US20110080094A1 (en) 2008-03-05 2011-04-07 Emd Corporation Radio-frequency antenna unit and plasma processing apparatus

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4725449A (en) 1985-05-22 1988-02-16 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method of making radio frequency ion source antenna
US5587226A (en) 1993-01-28 1996-12-24 Regents, University Of California Porcelain-coated antenna for radio-frequency driven plasma source
JPH09106899A (ja) * 1995-10-11 1997-04-22 Anelva Corp プラズマｃｖｄ装置及び方法並びにドライエッチング装置及び方法
JPH11317299A (ja) * 1998-02-17 1999-11-16 Toshiba Corp 高周波放電方法及びその装置並びに高周波処理装置
JP3836636B2 (ja) * 1999-07-27 2006-10-25 独立行政法人科学技術振興機構 プラズマ発生装置
US7291203B2 (en) * 2004-03-10 2007-11-06 Petroleum Ana Ryzes Company Lp Negative temperature profiling using microwave GC apparatus
US8108028B2 (en) * 2004-07-27 2012-01-31 Surgi-Vision Inc. MRI systems having MRI compatible universal delivery cannulas with cooperating MRI antenna probes and related systems and methods
DE102005045222A1 (de) * 2005-09-22 2007-03-29 Rehau Ag + Co Verfahren zur kapazitiven Detektion von Fehlstellen in Polymerrohren und Vorrichtung
US7591232B2 (en) * 2006-03-31 2009-09-22 Tokyo Electron Limited Internal coil with segmented shield and inductively-coupled plasma source and processing system therewith

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001067830A1 (en) 2000-03-06 2001-09-13 The Regents Of The University Of California Quartz antenna with hollow conductor
US20040027293A1 (en) 2000-12-27 2004-02-12 Shoji Miyake Plasma generator
US20030095072A1 (en) 2001-11-19 2003-05-22 Gi-Chung Kwon Antenna electrode for inductively coupled plasma generation apparatus
US20070012250A1 (en) 2005-07-14 2007-01-18 Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration Inductively coupled plasma processing apparatus for very large area using dual frequency
US20110080094A1 (en) 2008-03-05 2011-04-07 Emd Corporation Radio-frequency antenna unit and plasma processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015533014A (ja) 2015-11-16
WO2014043061A3 (en) 2014-07-24
CN104737267A (zh) 2015-06-24
TW201412200A (zh) 2014-03-16
US20140070697A1 (en) 2014-03-13
KR20150054920A (ko) 2015-05-20
US8912976B2 (en) 2014-12-16
CN104737267B (zh) 2016-10-12
WO2014043061A2 (en) 2014-03-20
TWI513376B (zh) 2015-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102001030B1 (ko) 라디오 주파수 안테나, 이를 형성하는 방법 및 이온 소스
EP2622625B1 (en) Compact rf antenna for an inductively coupled plasma ion source
TWI324027B (en) Plasma producing method and apparatus as well as plasma processing apparatus
TWI750745B (zh) 加熱器
US6376978B1 (en) Quartz antenna with hollow conductor
TWI736997B (zh) 載台、成膜裝置及膜加工裝置
US20210235550A1 (en) Heater and stage having the heater
US11201040B2 (en) Substrate supporting unit and film forming device having the substrate supporting unit
US20220157579A1 (en) Stage, film-forming apparatus or film-processing apparatus including the stage, and method for controlling temperature of substrate
US6975072B2 (en) Ion source with external RF antenna
US20070235327A1 (en) Internal coil with segmented shield and inductively-coupled plasma source and processing system therewith
US6124834A (en) Glass antenna for RF-ion source operation
KR20230133408A (ko) 스테이지, 성막 장치 및 막 가공 장치
KR20120064867A (ko) 플라즈마 발생 장치
Lee et al. Quartz antenna for radio frequency ion source operation
US20230245857A1 (en) Plasma reaction device
EP3768048B1 (en) Dielectric barrier discharge plasma reactor and method for plasma-enhanced vapor deposition
KR100624745B1 (ko) 방전 안정성이 우수한 중공 캐소드 방전건
JP2012128970A (ja) 電子ビーム照射装置、これを用いる電子ビーム照射処理装置、及びこれらに用いるコレクター電極
CN114830289A (zh) 用于生成等离子体的方法和装置
TW201212728A (en) Plasma treatment device
JP2018156763A (ja) プラズマ発生用のアンテナ及びそれを備えるプラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant