KR101999295B1 - Electronic device including EMI protection layer and method of fabricating the same - Google Patents

Electronic device including EMI protection layer and method of fabricating the same Download PDF

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KR101999295B1
KR101999295B1 KR1020190018138A KR20190018138A KR101999295B1 KR 101999295 B1 KR101999295 B1 KR 101999295B1 KR 1020190018138 A KR1020190018138 A KR 1020190018138A KR 20190018138 A KR20190018138 A KR 20190018138A KR 101999295 B1 KR101999295 B1 KR 101999295B1
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정세영
황정우
김윤현
주기수
이규재
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엔트리움 주식회사
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Abstract

An electronic device according to an aspect of the present invention includes an electronic component and an electromagnetic wave protection layer formed on at least a portion of the electronic component. The electromagnetic wave protection layer includes a conductive part which has a conductive film formed on a surface thereof, wherein magnetic particles for electromagnetic wave absorption and conductive metal particles for shielding electromagnetic waves are formed on the conductive film of the magnetic particles. It is possible to block effectively electromagnetic waves in a low frequency band.

Description

전자파 보호층을 갖는 전자 장치 및 그 제조방법{Electronic device including EMI protection layer and method of fabricating the same} BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic device having an electromagnetic wave protection layer,

본 발명은 전자 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 전자파 보호층을 갖는 전자 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic device, and more particularly, to an electronic device having an electromagnetic wave shielding layer and a manufacturing method thereof.

최근 전기전자 산업과 정보통신기술의 발전으로 생활가전, 산업기기, 정보통신기기 등 다양한 전자 장치가 사용되고 있다. 이러한 전자 장치에서 발생된 전자파(electromagnetic interference, EMI)는 기기들 간에 간섭을 일으키거나 인체에도 유해할 수 있어서 이러한 전자파를 차단하는 기술이 개발되고 있다. 한편, 최근 전자 장치가 휴대화 되면서, 소형화, 박형화, 경량화 되고 있어서, 이러한 소형 전자 장치 내 전자 부품에 전자파를 차단하기 위해 차폐층을 코팅하는 기술이 개발되고 있다.Recently, various electronic devices such as household appliances, industrial devices, and information communication devices are being used due to the development of the electric and electronic industries and information and communication technologies. Electromagnetic interference (EMI) generated in such an electronic device may cause interference between devices or harmful to a human body, and thus a technique for blocking such electromagnetic waves has been developed. On the other hand, in recent years, electronic devices have become portable and have become smaller, thinner, and lighter, and technologies for coating a shielding layer to shield electromagnetic waves from electronic components in such small electronic devices have been developed.

1. 공개특허공보 10-2017-0119421 (2017. 10. 27)1. Published Patent Application No. 10-2017-0119421 (Oct. 27, 2017) 2. 공개특허공보 10-2016-0067335 (2016. 06. 14)2. Published Patent Application No. 10-2016-0067335 (June 06, 2014)

전술한 전자파 차단에 있어서 저주파수 대역의 전자파의 경우, 전도성 차폐재만으로는 효과적으로 전자파를 차단하기 어려워 차폐층과 흡수층의 이중 구조가 필요하고, 이 경우 생산성이 떨어져 제조 단가가 올라가는 문제가 있다. 아울러, 전자파 차단을 위한 코팅층이 전자 제품의 상단부와 측면부에서 불균일하게 형성되는 문제가 있다.In the case of electromagnetic waves in the low frequency band in the electromagnetic wave interception described above, it is difficult to effectively block the electromagnetic wave by using only the conductive shielding material, so that the double structure of the shielding layer and the absorbing layer is required. In addition, there is a problem that the coating layer for shielding electromagnetic waves is unevenly formed on the upper and side portions of the electronic product.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 저주파수 대역의 전자파를 효과적으로 차단하기 위한 전자파 차단 구조를 갖는 전자 장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.It is an object of the present invention to provide an electronic device having an electromagnetic wave shielding structure for effectively shielding electromagnetic waves in a low frequency band and a method of manufacturing the same. However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.

본 발명의 일 관점에 의한 전자 장치는, 전자 부품 및 상기 전자 부품의 적어도 일부분 상에 형성된 전자파 보호층을 포함한다. 상기 전자파 보호층은, 표면에 도전성 피막이 형성된, 전자파 흡수를 위한 자성입자들 및 전자파 차폐를 위한 도전성 금속입자들이 상기 자성입자들의 상기 도전성 피막 상에 소결되어 형성된 도전부를 포함한다.An electronic device according to one aspect of the present invention includes an electronic component and an electromagnetic wave shielding layer formed on at least a part of the electronic component. The electromagnetic wave shielding layer includes a conductive part on which a conductive film is formed on the surface, magnetic particles for electromagnetic wave absorption and conductive metal particles for shielding electromagnetic waves are formed by sintering on the conductive film of the magnetic particles.

상기 전자 장치에 있어서, 상기 전자파 보호층은 상기 도전성 금속입자들 및 상기 도전성 피막이 형성된 상기 자성입자들을 포함하는 페이스트를 상기 전자 부품 상에 스프레이 도포한 후 열처리하여 형성될 수 있다.In the electronic device, the electromagnetic wave protection layer may be formed by spraying a paste containing the conductive metal particles and the magnetic particles on which the conductive coating is formed on the electronic component, followed by heat treatment.

상기 전자 장치에 있어서, 상기 페이스트에서, 상기 금속입자들은 유기 금속입자들이고, 상기 자성입자들은 플레이크(flake) 형상을 가질 수 있다. 나아가, 상기 유기 금속입자들은 유기 은(organic silver) 입자를 포함할 수 있다.In the above electronic device, in the paste, the metal particles are organic metal particles, and the magnetic particles may have a flake shape. Furthermore, the organometallic particles may comprise organic silver particles.

상기 전자 장치에 있어서, 상기 페이스트는 스프레이 공정 시 상기 전자 부품의 측면부에서 그 흐름성을 제어하도록 비점이 서로 다른 적어도 두 종류의 용제를 더 포함할 수 있다.In the electronic device, the paste may further include at least two kinds of solvents having different boiling points so as to control the flowability thereof at the side portions of the electronic component during the spraying process.

상기 전자 장치에 있어서, 상기 전자파 보호층은 도전성을 갖도록 상기 금속입자들이 전체적으로 서로 연결되도록 상기 도전성 피막이 형성된 상기 자성입자들의 표면에 소결된 구조를 가질 수 있다.In the electronic device, the electromagnetic wave shielding layer may have a structure sintered on the surfaces of the magnetic particles on which the conductive coating is formed such that the metal particles are entirely connected to each other to have conductivity.

상기 전자 장치에 있어서, 상기 도전성 피막은 도전성 물질을 상기 자성입자들 상에 도금하여 형성되며, 상기 도전성 물질은 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 은(Ag) 또는 흑연(C)을 포함할 수 있다.In the above electronic device, the conductive film is formed by plating a conductive material on the magnetic particles, and the conductive material includes nickel (Ni), palladium (Pd), silver (Ag), or graphite (C) .

상기 전자 장치에 있어서, 상기 전자 부품은, 패키지 기판, 상기 패키지 기판 상에 실장된 반도체 소자 및 상기 반도체 소자를 보호하기 위한 몰딩 부재를 포함하는 반도체 패키지이고, 상기 전자파 보호층은 상기 반도체 패키지의 상면부 및 측면부 상에 형성될 수 있다.The electronic device according to claim 1, wherein the electronic component is a semiconductor package including a package substrate, a semiconductor element mounted on the package substrate, and a molding member for protecting the semiconductor element, And on the side portions.

본 발명의 다른 관점에 따른 전자 장치의 제조방법은, 전자 부품을 제공하는 단계 및 상기 전자 부품의 적어도 일부분 상에 전자파 보호층을 형성하는 단계를 포함할 수 있으며, 상기 전자파 보호층은, 표면에 도전성 피막이 형성된, 전자파 흡수를 위한 자성입자들 및 전자파 차폐를 위한 도전성 금속입자들이 상기 자성입자들의 상기 도전성 피막 상에 소결되어 형성된 도전부를 포함할 수 있다.A manufacturing method of an electronic device according to another aspect of the present invention may include the steps of providing an electronic component and forming an electromagnetic wave protection layer on at least a part of the electronic component, Magnetic particles for electromagnetic wave absorption and conductive metal particles for electromagnetic shielding may be formed by sintering on the conductive coating of the magnetic particles.

상기 전자 장치의 제조방법에 있어서, 상기 전자파 보호층을 형성하는 단계는, 상기 도전성 금속입자들 및 상기 도전성 피막이 형성된 자성입자들을 포함하는 페이스트를 상기 전자 부품의 적어도 일부분 상에 스프레이 도포하는 단계 및 도포된 상기 페이스트를 열처리하는 단계를 포함할 수 있다.The method of manufacturing an electronic device according to claim 1, wherein the step of forming the electromagnetic wave shielding layer comprises the steps of: applying a paste containing at least a portion of the conductive metal particles and the magnetic particles with the conductive film on at least a portion of the electronic component; And then heat-treating the paste.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 실시예들에 따르면, 전자파 차폐재와 전자파 흡수재를 포함하는 전자파 보호층을 경제적으로 제조할 수 있다. 나아가, 도전성 피막을 이용하여 자성입자들의 표면 상에서 금속입자들의 접촉각을 증가시켜 접착성, 열전도성, 전기전도성을 향상시킬 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to the embodiments of the present invention as described above, the electromagnetic wave shielding layer including the electromagnetic wave shielding material and the electromagnetic wave absorbing material can be economically manufactured. Further, the conductive film may be used to increase the contact angle of the metal particles on the surface of the magnetic particles, thereby improving the adhesiveness, thermal conductivity, and electrical conductivity. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치를 보여주는 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 제조방법을 보여주는 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치에 사용되는 페이스트를 보여주는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 보호층을 보여주는 개략도이다.
도 5는 본 발명의 일 실험예에 따른 전자 장치에 형성된 전자파 보호층의 표면을 보여주는 주사전자현미경 사진이다.
도 6은 도 3에서 도전성 피막의 존재 여부에 따른 금속입자들의 접촉 특성을 보여주는 개략도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing an electronic device according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view illustrating a method of manufacturing an electronic device according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic diagram showing a paste used in an electronic device according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic view showing an electromagnetic wave shielding layer according to an embodiment of the present invention.
5 is a scanning electron microscope (SEM) image showing the surface of an electromagnetic wave shielding layer formed on an electronic device according to an experimental example of the present invention.
FIG. 6 is a schematic view showing the contact characteristics of metal particles according to the presence or absence of a conductive coating in FIG.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are described in order to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified into various other forms, It is not limited to the embodiment. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be more thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the thickness and size of each layer are exaggerated for convenience and clarity of explanation.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(150)를 보여주는 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing an electronic device 150 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 전자 장치(150)는 전자 부품(100), 및 전자 부품(100)의 적어도 일부분 상에 형성된 전자파 보호층(130)을 포함할 수 있다. Referring to Figure 1, an electronic device 150 may include an electronic component 100 and an electromagnetic interference protection layer 130 formed on at least a portion of the electronic component 100.

전자 부품(100)은 전자파에 노출되어 전자파 차단이 필요한 제품들의 어느 하나일 수 있다. 예를 들어, 전자 부품(100)은 모바일 휴대장치, 예컨대 휴대폰, 스마트폰, 태플릿 장치 등에 사용되는 부품으로, 어플리케이션 프로세서칩, 메모리칩, 통신칩, 모뎀칩, 유심칩 등을 포함할 수 있다. The electronic component 100 may be any one of products that are exposed to electromagnetic waves and require electromagnetic wave interception. For example, the electronic component 100 may be an application processor chip, a memory chip, a communication chip, a modem chip, a buffer chip, or the like, used for a mobile portable device such as a cellular phone, a smart phone, .

보다 구체적으로 보면, 전자 부품(100)은 반도체 패키지를 포함할 수 있다. 예를 들어, 이러한 반도체 패키지는 플립칩 패키지(flip chip package), 칩스케일 패키지(chip scale package, CSP), 패키지 온 패키지(package on package, POP), 멀티칩 패키지(multi chip package, MCP), 멀티스택 패키지(multi stack package, MSP), 시스템 인 패키지(system in package, SIP), 웨이퍼 레벨 패키지(wafer level package, WLP), 팬아웃 웨이퍼 레벨 패키지(fan-out WLP) 등의 다양한 구조를 포함할 수 있다.More specifically, the electronic component 100 may include a semiconductor package. For example, such a semiconductor package may be a flip chip package, a chip scale package (CSP), a package on package (POP), a multi chip package (MCP) Including multi-stack packages (MSP), system in packages (SIP), wafer level packages (WLP), fan-out wafer-level packages (fan-out WLP) can do.

예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이, 이러한 반도체 패키지(150)는 패키지 기판(105), 패키지 기판(105) 상에 실장된 반도체 소자(120), 및 반도체 소자(120)를 보호하기 위한 몰딩 부재(125)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 패키지 기판(105)은 그 일 면상에 회로 배선이 형성되고 타면 상에 이러한 회로 배선과 전기적으로 연결된 외부 단자들(110)이 형성된 인쇄회로기판(printed circuit board, PCB)일 수 있다. 다른 예로, 패키지 기판(105)은 리드프레임(lead frame) 등으로 구성될 수도 있다.1, the semiconductor package 150 includes a package substrate 105, a semiconductor element 120 mounted on the package substrate 105, and a molding member 120 for protecting the semiconductor element 120. [ (125). For example, the package substrate 105 may be a printed circuit board (PCB) on which circuit wiring is formed on one side and external terminals 110 electrically connected to the circuit wiring on the other side are formed . As another example, the package substrate 105 may be composed of a lead frame or the like.

반도체 소자(120)는 접착 부재(115)를 이용하여 패키지 기판(105) 상에 실장될 수 있다. 예를 들어, 반도체 소자(120)는 플립칩 형태로 뒤집어져 도전성 접착 부재(115)를 이용하여 패키지 기판(105) 상의 패드 상에 접착될 수 있다. 다른 예로, 반도체 소자(120)는 절연성 접착 부재(115)를 이용하여 패키지 기판(105) 상에 실장되고, 본딩 와이어가 반도체 소자(120)의 패드와 패키지 기판(105)의 패드를 서로 전기적으로 연결할 수 있다.The semiconductor element 120 can be mounted on the package substrate 105 using the adhesive member 115. [ For example, the semiconductor device 120 may be inverted into a flip chip shape and adhered to the pad on the package substrate 105 using the conductive adhesive member 115. As another example, the semiconductor element 120 is mounted on the package substrate 105 using the insulating adhesive member 115, and the bonding wire is electrically connected to the pad of the semiconductor element 120 and the pad of the package substrate 105 You can connect.

몰딩 부재(125)는 패키지 기판 (105) 상에 반도체 소자(120)를 덮도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 몰딩 부재(125)는 에폭시 몰딩 컴파운드(epoxy molding compound, EMC) 등과 같은 수지를 포함할 수 있다.The molding member 125 may be formed to cover the semiconductor element 120 on the package substrate 105. For example, the molding member 125 may comprise a resin such as an epoxy molding compound (EMC) or the like.

전자파 보호층(130)은 전자 부품(100)의 적어도 일부분, 예컨대 전자파에 노출되는 상면부 및 측면부 상에 전자 부품(100)을 전자파로부터 보호하도록 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 전자파 보호층(130)은 전자파가 접지부로 빠질 수 있도록 전자 부품(100)의 접지부에 접속될 수 있다. The electromagnetic wave shielding layer 130 may be formed to protect the electronic component 100 from electromagnetic waves on at least a portion of the electronic component 100, for example, on top and side surfaces exposed to electromagnetic waves. In some embodiments, the electromagnetic wave shielding layer 130 may be connected to the grounding portion of the electronic component 100 so that the electromagnetic wave can fall into the ground portion.

전자파 보호층(130)은 코팅 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 예를 들어, 전자파 보호재가 포함된 페이스트를 전자 부품(100) 상에 도포 후 경화 또는 열처리하여 형성할 수 있다. 페이스트의 도포는 여러 가지 방법이 고려될 수 있으나, 그 중 노즐을 이용한 스프레이법을 이용하면 간단하고 경제적으로 도포가 가능하다. The electromagnetic wave protection layer 130 may be formed using a coating method. For example, a paste containing an electromagnetic wave shielding material may be applied on the electronic component 100 and then cured or heat-treated. Various methods can be considered for the application of the paste, but spraying using the nozzle can be applied simply and economically.

전자파 보호층(130)은 저주파 대역의 전자파를 효과적으로 차단하기 위하여 전자파 차폐재와 전자파 흡수재를 모두 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자파 보호층(130)은 전자파 흡수를 위한 자성입자들(55)과 전자파 차폐를 위한 도전성 금속입자들(50)이 소결되어 형성된 도전부(도 4의 50a, conductive portion)를 포함할 수 있다.The electromagnetic wave shielding layer 130 may include both an electromagnetic wave shielding material and an electromagnetic wave absorbing material in order to effectively block electromagnetic waves in a low frequency band. For example, the electromagnetic wave protection layer 130 includes a conductive portion (50a in FIG. 4) formed by sintering the magnetic particles 55 for electromagnetic wave absorption and the conductive metal particles 50 for shielding electromagnetic waves can do.

도 3에 도시된 바와 같이, 전자파 보호층(130)을 형성하기 위한 페이스트는 저주파 대역의 전자파를 효과적으로 차단하기 위하여, 전자파 차폐를 위한 도전성 금속입자들(50) 및 전자파 흡수를 위한 자성입자들(55)을 포함할 수 있다. 나아가, 자성입자들(55)의 표면에는 금속입자들(50)의 접촉 특성을 개선하기 위하여 도전성 피막(57)이 형성될 수 있다.3, the paste for forming the electromagnetic wave shielding layer 130 includes conductive metal particles 50 for shielding electromagnetic waves and magnetic particles 50 for electromagnetic wave absorption 55). Further, a conductive coating 57 may be formed on the surface of the magnetic particles 55 to improve the contact characteristics of the metal particles 50.

금속입자들(50)은 다양한 금속의 입자들, 예컨대 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 금(Au), 니켈(Ni), 코발트(Co), 탄소(C) 등의 하나, 그 복합재, 또는 그 혼합된 입자들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 금속입자들(50)은 제조 편의성과 소결 제조를 위하여 유기 은(organic silver)으로 구성될 수 있다.The metal particles 50 may be formed of particles of various metals such as copper, silver, aluminum, titanium, gold, nickel, cobalt, carbon, (C), etc., a composite thereof, or mixed particles thereof. In some embodiments, the metal particles 50 may be composed of organic silver for ease of manufacture and sinter production.

예를 들어, 자성입자들(55)은 페이스트 내에 2 ~ 30 중량%, 보다 구체적으로는 15 ~ 30 중량 % 함유될 수 있다. 페이스트 내 자성입자들(55)은 넓은 표면적을 가지면서 잘 혼합되도록 플레이크(flake) 형상으로 제공될 수 있다. 자성입자들(55)은 다양한 자성체의 입자들로 구성될 수 있고, 예컨대 철(Fe), 니켈(Ni), 퍼멀로이(permalloy)를 포함하는 철-니켈 합금, 스틸(steel), 스테인리스 스틸, 철-실리콘계 합금, 코발트(Co), 산화철(Fe2O3, Fe3O4), 산화크롬, 페라이트(ferrite), FeMn계 페라이트, FeZn계 페라이트, 샌더스트(sendust) 등에서 선택된 하나 또는 그 혼합 입자를 포함할 수 있다. 예컨대, 샌더스트 입자들은 철에 알루미늄, 규소 등이 첨가된 합금의 파우더 형태일 수 있다. 이러한 자성입자들(55)은 비정질 자성분말, 나노결정립 자성분말을 포함하는 연자성 분말 등의 형태로 제공될 수 있다.For example, the magnetic particles 55 may be contained in the paste in an amount of 2 to 30% by weight, more specifically 15 to 30% by weight. The magnetic particles 55 in the paste can be provided in a flake shape so as to mix well with a large surface area. The magnetic particles 55 may be composed of particles of various magnetic bodies and may be made of iron-nickel alloy including, for example, iron (Fe), nickel (Ni), permalloy, steel, stainless steel, iron - one or a mixture thereof selected from silicon-based alloys, cobalt (Co), iron oxide (Fe2O3, Fe3O4), chromium oxide, ferrite, FeMn ferrite, FeZn ferrite and sandust. For example, the sandust particles may be in the form of a powder of an alloy in which aluminum, silicon, or the like is added to iron. These magnetic particles 55 may be provided in the form of an amorphous magnetic powder, a soft magnetic powder containing a nanocrystalline magnetic powder, or the like.

도전성 피막(57)은 도전성 물질을 자성입자들(55) 상에 도금하거나 또는 코팅하여 형성할 수 있다. 이러한 도전성 물질로는 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 은(Ag) 또는 흑연(C) 등이 포함될 수 있다.The conductive coating 57 may be formed by plating or coating a conductive material on the magnetic particles 55. [ Such a conductive material may include nickel (Ni), palladium (Pd), silver (Ag), graphite (C), and the like.

예를 들어, 전자파 보호층(130)은 금속입자들(50) 및 도전성 피막(57)이 형성된 자성입자들(55)을 포함하는 페이스트를 전자 부품(100) 상에 스프레이 도포한 후 열처리하여 형성될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 페이스트 내 금속입자들(50)은 전체적으로 서로 연결되도록 도전성 피막(57)의 표면에 소결되어 도전부(50a)을 형성할 수 있다. 이에 따라, 전자파 보호층(130)은 전체적으로 도전성을 갖게 되어 전자파를 차폐할 수 있고, 나아가 자성입자들(55)을 통해서 저주파 대역을 효과적으로 흡수하여 전차파를 전체적으로 차단할 수 있게 된다.For example, the electromagnetic wave shielding layer 130 may be formed by spraying a paste containing the metal particles 50 and the magnetic particles 55 formed with the conductive coating film 57 on the electronic component 100, . As shown in FIG. 4, the metal particles 50 in the paste may be sintered on the surface of the conductive coating 57 so as to be connected to each other to form the conductive portion 50a. Accordingly, the electromagnetic wave shielding layer 130 can be shielded by electromagnetic waves as a whole, and furthermore, the electromagnetic waves can be effectively absorbed through the magnetic particles 55, so that the electromagnetic wave can be totally cut off.

이 경우, 도 6에 도시된 바와 같이, 자성입자들(55) 상에 도전성 피막(57)이 없는 (a)의 경우에 비해서 도전성 피막(57)이 있는 (b)의 경우에, 자성입자들(55) 상에서 금속입자들(50)의 접촉각(contact angle)이 더 커져 소결 시 금속입자들(50)의 자성입자들(55)로의 접착력이 향상될 수 있고, 그 결과 전자파 보호층(130)의 열전도성 및 전기전도성이 향상될 수 있다.In this case, as shown in Fig. 6, in the case of (b) in which the conductive coating film 57 is present as compared with the case (a) in which the conductive coating film 57 is not present on the magnetic particles 55, The contact angle of the metal particles 50 on the surface of the electromagnetic wave shielding layer 55 becomes larger and the adhesion of the metal particles 50 to the magnetic particles 55 during sintering can be improved, The thermal conductivity and the electrical conductivity of the substrate can be improved.

한편, 페이스트에는 그 흐름 특성을 제어하기 위한 용제가 더 포함될 수 있다. 예를 들어, 페이스트는 스프레이 공정 시 전자 부품(100)의 측면부에서 그 흐름성을 제어하도록 비점이 서로 다른 적어도 두 종류의 용제를 더 포함할 수 있다.On the other hand, the paste may further contain a solvent for controlling the flow characteristics thereof. For example, the paste may further include at least two kinds of solvents having different boiling points so as to control the flowability thereof at the side portion of the electronic component 100 in the spraying process.

스프레이 공정 시, 페이스트는 전자 부품(100)의 상면부에서 도포되어 측면부로 흘러내릴 수 있다. 이 경우, 시간이 지나면서 페이스트 내 용제가 일부 휘발되어 전자 부품(100)의 측면부 상에서 페이스트의 흐름성이 낮아질 수 있다. 하지만, 페이스트 내에서 비점이 낮은 저비점 용제와 이보다 비점이 높은 고비점 용제가 섞여 있게 되면 일부 저비점 용제가 휘발되더라도 고비점 용제는 거의 휘발되지 않기 때문에 어느 정도의 흐름성을 유지할 수 있게 된다. 이러한 흐름성을 보다 더 정밀하게 제어하기 위해서, 용제는 비점이 다른 3종류 이상의 용제로 구성될 수도 있다.In the spraying process, the paste can be applied on the upper surface of the electronic component 100 and flow down to the side surface. In this case, the solvent in the paste partially volatilizes over time, and the flowability of the paste on the side portion of the electronic component 100 may be lowered. However, if a low boiling point solvent having a low boiling point is mixed with a high boiling point solvent having a higher boiling point in the paste, even if some low boiling point solvents are volatilized, the high boiling point solvent will hardly volatilize and thus a certain degree of flowability can be maintained. In order to control the flowability more precisely, the solvent may be composed of three or more kinds of solvents having different boiling points.

예를 들어, 저비점 용제는 3-메톡시 부틸 아세테이트(3-METHOXY BUTYL ACETATE), 씨클로 헥실 아세테이트 (CYCLO HEXYL ACETATE), 2-에톡시 아세테이트(2-Ethoxyethyl acetate), 셀로솔 71(SHELLSOL 71), Tert-부틸 셀로솔브(TERT-BUTYL CELLOSOLVE), 디 이소 부틸 케톤(DI ISO BUTYL KETONE), 코코솔 100(KOCOSOL 100), 사이클로헥사논(CYCLOHEXANONE), 에틸 셀로솔브 (ETHYL CELLOSOLVE), 2-메톡시-1-메틸에틸 아세테이트(2-METHOXY-1-METHYLETHYL ACETATE), 메틸 이소 부틸 카비놀 (METHY ISO BUTYL CARBINOL), 2-니트로 프로판(2-NITRO PROPANE), 솔벤트 V-1 (SOLVENT V-1), 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 (Propylene glycol monomethyl ether), 테레핀 유(TURPENTILE OIL), N-부틸 알코올(N-BYTYL ALCOHOL), 이소 부틸 아세테이트(ISO BUTYL ALCOHOL), 자일렌(XYLENE), ISO AMYL ACETATE, N-AMYL ACETATE, N-부틸 아세테이트(N-BUTYL ACETATE), 이소 부틸 아세테이트(ISO BUTYL ACETATE), 메틸 이소 부틸 케톤(METHYL ISO BUTYL ETONE), 에틸 알코올(ETHYL ALCOHOL), 이소 프로필 알코올(ISO PROPYL ALCOHOL), 메틸 알코올(METHYL ALCOHOL), 톨루엔(TOLUENE) 중 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.For example, low-boiling solvents include 3-methoxybutyl acetate, CYCLO HEXYL ACETATE, 2-Ethoxyethyl acetate, SHELLSOL 71, TERT-BUTYL CELLOSOLVE, DI ISO BUTYL KETONE, KOCOSOL 100, CYCLOHEXANONE, ETHYL CELLOSOLVE, 2-methoxy Methyl ethyl acetate (2-METHOXY-1-METHYLETHYL ACETATE), METHY ISO BUTYL CARBINOL, 2-NITRO PROPANE, SOLVENT V-1 , Propylene glycol monomethyl ether, TURPENTILE OIL, N-BYTYL ALCOHOL, ISO BUTYL ALCOHOL, XYLENE, ISO AMYL ACETATE , N-AMYL ACETATE, N-BUTYL ACETATE, ISO BUTYL ACETATE, Butyl ketone (BUTYL METHYL ISO ETONE), ethyl alcohol (ETHYL ALCOHOL), isopropyl alcohol may include at least one selected one of (ISO PROPYL ALCOHOL), methyl alcohol (METHYL ALCOHOL), toluene (TOLUENE).

고비점 용제는 TEXANOL (ESTER ALCOHOL), 부틸 카비톨 아세테이트(BUTYL CARBITOL ACETATE), 에틸렌 글리콜(ETHYLENE GLYCOL), 2-에틸 헥실 글리콜(2-ETHYL HEXYL GLYCOL), 카비톨 아세테이트(CARBITOL ACETATE), 디 베이직 에스테르(DI BASIC ESTER), 프로필렌 글리콜(PROPYLENE GLYCOL), 이소포론(ISOPHORONE), 벤질 알코올(BENZYL ALCOHOL), 메틸 카비톨(METHYL CARBITOL), 2-에틸 헥실 아세테이트(2-ETHYL HEXYL ACETATE), N-메틸-2-필로리돈(N-METHYL-2-PYRROLIDONE), 디프로필렌 글리콜 메틸 에스테르(DIPROPYLENE GLYCOL METHYL ESTER), 에틸 카비톨(ETHYL CARBITOL), 헥실 셀로솔브(HEXYL CELLOSOLVE), 코코졸#180(KOCOSOL#180), 부틸 카비톨(BUTYL CARBITOL), 2-에틸 헥실 알코올(2-ETHYL HEXYL ALCOHOL), 메틸 헥실 케톤(METHYL HEXYL KETONE), 부틸 셀로솔브 아세테이트(BUTYL CELLOSOLVE ACETATE), 3-메틸-3메톡시 부타놀(3-METHYL-3-METHOXY BUTANOL), 코코졸#150(KOCOSOL#150), 부틸 셀로솔즈(BUTYL CELLOSOLVE), 디 아세톤 알코올(DI ACETONE ALCOHOL), 3-메톡시 부틸 아세테이트(3-METHOXY BUTYL ACETATE) 중 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The high boiling point solvent is TEXANOL (ESTER ALCOHOL), BUTYL CARBITOL ACETATE, ETHYLENE GLYCOL, 2-ETHYL HEXYL GLYCOL, CARBITOL ACETATE, PROBYLENE GLYCOL, ISOPHORONE, BENZYL ALCOHOL, METHYL CARBITOL, 2-ETHYL HEXYL ACETATE, N- (2-ethylhexyl) acetate, N-METHYL-2-PYRROLIDONE, DIPROPYLENE GLYCOL METHYL ESTER, ETHYL CARBITOL, HEXYL CELLOSOLVE, Cocosol # 180 KOCOSOL # 180), BUTYL CARBITOL, 2-ETHYL HEXYL ALCOHOL, METHYL HEXYL KETONE, BUTYL CELLOSOLVE ACETATE, 3-Methyl-3 Methoxybutanol (3-METHYL-3-METHOXY BUTANOL), Cocosol # 150 (KOCOSOL # 150), butyl cellosol UTYL CELLOSOLVE), DI ACETONE ALCOHOL, 3-METHOXY BUTYL ACETATE.

이와 같은, 전자 장치(150)에 따르면, 저주파 대역의 전자파를 단일 전자파 보호층(130)으로 효과적으로 차단할 수 있으며, 용제의 비점 조정을 통해서 전자파 보호층(130)이 측면에도 균일하게 형성될 수 있다.According to the electronic device 150, the electromagnetic wave in the low frequency band can be effectively blocked by the single electromagnetic wave protection layer 130, and the electromagnetic wave protection layer 130 can be uniformly formed on the side surface by adjusting the boiling point of the solvent .

이하에서, 전술한 전자 장치(150)의 제조 방법에 대해서 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the above-described electronic device 150 will be described.

본 발명의 일실시예에 따른 전자 장치(150)의 제조 방법은, 전자 부품(100)을 제공하는 단계 및 전자 부품(100)의 적어도 일부분 상에 전자파 보호층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.The method of manufacturing the electronic device 150 according to an embodiment of the present invention may include providing the electronic component 100 and forming the electromagnetic wave protection layer on at least a portion of the electronic component 100 .

이러한 전자파 보호층(130)을 형성하는 단계는, 도 2에 도시된 바와 같이, 금속입자들(50) 및 도전성 피막(57)이 형성된 자성입자들(55)을 포함하는 페이스트를 전자 부품(100)의 적어도 일부분 상에 스프레이 노즐(140)을 이용하여 스프레이 도포하는 단계와, 도포된 페이스트를 열처리하는 단계를 포함할 수 있다. 열처리는 금속입자들(50)이 도전성 피막(57)이 형성된 자성입자들(55) 표면에서 서로 융착되어 소결될 수 있도록 적절하게 설정될 수 있으며, 예컨대 150 ~ 300℃ 범위에서 수행될 수 있으며, 구체적으로 금속입자들(50)이 유기 은 입자들인 경우, 약 150 ~ 260℃ 범위에서 선택될 수 있다. 예를 들어, 열처리 단계는 페이스트를 150 ~ 200℃ 범위에서 경화하는 단계와, 이어서 230 ~ 260℃ 범위에서 리플로우하는 단계를 포함할 수 있다.The step of forming the electromagnetic wave shielding layer 130 may be performed by forming a paste containing the metal particles 50 and the magnetic particles 55 formed with the conductive coating 57 on the electronic component 100 Applying a spray using at least one spray nozzle 140 onto at least a portion of the substrate, and heat treating the applied paste. The heat treatment can be suitably set so that the metal particles 50 can be fused and sintered to each other on the surface of the magnetic particles 55 in which the conductive coating 57 is formed, Specifically, when the metal particles 50 are organic silver particles, they may be selected in the range of about 150 to 260 캜. For example, the heat treatment step may include curing the paste in the range of 150 to 200 占 폚, followed by reflowing in the range of 230 to 260 占 폚.

도 5는 본 발명의 일 실험예에 따른 전자 장치에 형성된 전자파 보호층의 표면을 보여주는 주사전자현미경 사진이다.5 is a scanning electron microscope (SEM) image showing the surface of an electromagnetic wave shielding layer formed on an electronic device according to an experimental example of the present invention.

도 5를 참조하면, 자성입자들(55)에 금속입자들(50)이 소결되어 도전부(50a)를 형성한 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 5, it can be seen that the metal particles 50 are sintered on the magnetic particles 55 to form the conductive part 50a.

이러한 전자 장치(150)의 제조방법에 따르면, 전자파 차폐재와 흡수재를 별도의 층으로 형성할 필요 없이, 소결 공정을 통해서 단일 층으로 경제적으로 형성할 수 있게 된다.According to the method of manufacturing the electronic device 150, the electromagnetic wave shielding material and the shock absorber can be economically formed into a single layer through a sintering process without having to form a separate layer.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

50: 금속입자
55: 자성입자
100 : 전자 부품
130 : 전자파 보호층50: metal particles
55: magnetic particles
100: Electronic parts
130: Electromagnetic wave protection layer

Claims (9)

전자 부품; 및
상기 전자 부품의 적어도 일부분 상에 형성된 전자파 보호층;을 포함하고,
상기 전자파 보호층은,
표면에 도전성 피막이 형성된, 전자파 흡수를 위한 자성입자들; 및
전자파 차폐를 위한 도전성 금속입자들이 상기 자성입자들의 상기 도전성 피막 상에 소결되어 형성된 도전부;를 포함하고,
상기 자성입자들은 플레이크(flake) 형상을 갖고,
상기 도전부는 상기 전자파 보호층이 도전성을 갖도록 상기 도전성 금속입자들이 상기 자성입자들의 상기 플레이크 형상의 표면에서 서로 융착되고 소결되어 전체적으로 서로 연결된 구조를 갖고,
상기 도전성 피막은, 상기 도전성 피막이 형성된 상기 자성입자들 상에서 상기 금속입자들의 접촉각이 상기 도전성 피막이 없는 경우보다 크게 하여 상기 금속입자들의 상기 도전성 피막이 형성된 상기 자성입자들로의 접착력을 높이도록, 상기 자성입자들의 표면에 형성되고,
상기 전자파 보호층은 상기 전자 부품의 상면부 및 측면부 상에 형성되고,
상기 전자파 보호층은 전자파가 전자부품의 접지부로 빠질 수 있도록 상기 전자 부품의 접지부에 접속되며,
상기 도전부는 상기 전자파 보호층이 상기 전자 부품의 상면부 및 측면부를 통해서 상기 전자부품의 접지부로 접속되도록 상기 전자파 보호층의 평면 방향으로 상기 플레이크의 표면에서 서로 융착되어 전체적으로 서로 연결된 구조를 갖는,
전자 장치.Electronic parts; And
And an electromagnetic wave shielding layer formed on at least a part of the electronic component,
The electromagnetic wave shielding layer may be formed,
Magnetic particles having a conductive coating on the surface thereof for electromagnetic wave absorption; And
And a conductive part formed by sintering conductive metal particles for shielding electromagnetic waves on the conductive coating of the magnetic particles,
The magnetic particles have a flake shape,
Wherein the conductive part has a structure in which the conductive metal particles are fused and sintered to each other at the surface of the flake shape of the magnetic particles so that the electromagnetic wave protection layer has conductivity,
Wherein the conductive film is formed so that the contact angle of the metal particles on the magnetic particles on which the conductive coating is formed is larger than that of the conductive particles on the conductive particles, Respectively,
Wherein the electromagnetic wave shielding layer is formed on an upper surface portion and a side surface portion of the electronic component,
Wherein the electromagnetic wave protection layer is connected to a ground portion of the electronic component so that the electromagnetic wave can be separated into a ground portion of the electronic component,
Wherein the conductive portion is fused to each other at the surface of the flake in a planar direction of the electromagnetic shield layer so that the electromagnetic shield layer is connected to the ground portion of the electronic component through the upper surface portion and the side surface portion of the electronic component,
Electronic device. 제 1 항에 있어서,
상기 전자파 보호층은 상기 도전성 금속입자들 및 상기 도전성 피막이 형성된 상기 자성입자들을 포함하는 페이스트를 상기 전자 부품 상에 스프레이 도포한 후 열처리하여 형성된, 전자 장치.The method according to claim 1,
Wherein the electromagnetic wave protection layer is formed by spraying a paste containing the conductive metal particles and the magnetic particles on which the conductive coating is formed on the electronic component and then performing heat treatment. 제 2 항에 있어서,
상기 페이스트에서, 상기 도전성 금속입자들은 유기 금속입자들인, 전자 장치.3. The method of claim 2,
In the paste, the conductive metal particles are organometallic particles. 제 3 항에 있어서,
상기 유기 금속입자들은 유기 은(organic silver) 입자를 포함하는, 전자 장치.The method of claim 3,
Wherein the organometallic particles comprise organic silver particles. 제 2 항에 있어서,
상기 페이스트는 스프레이 공정 시 상기 전자 부품의 측면부에서 그 흐름성을 제어하도록 비점이 서로 다른 적어도 두 종류의 용제를 더 포함하는, 전자 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the paste further comprises at least two kinds of solvents having different boiling points so as to control the flowability thereof at the side portions of the electronic component during the spraying process. 제 2 항에 있어서,
상기 도전성 피막은 도전성 물질을 상기 자성입자들 상에 도금하여 형성되며,
상기 도전성 물질은 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 은(Ag) 또는 흑연(C)을 포함하는, 전자 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the conductive coating is formed by plating a conductive material on the magnetic particles,
Wherein the conductive material comprises nickel (Ni), palladium (Pd), silver (Ag) or graphite (C). 제 1 항에 있어서,
상기 전자 부품은,
패키지 기판;
상기 패키지 기판 상에 실장된 반도체 소자; 및
상기 반도체 소자를 보호하기 위한 몰딩 부재를 포함하는 반도체 패키지이고,
상기 전자파 보호층은 상기 반도체 패키지의 상면부 및 측면부 상에 형성된,
전자 장치.The method according to claim 1,
The electronic component includes:
A package substrate;
A semiconductor element mounted on the package substrate; And
And a molding member for protecting the semiconductor element,
Wherein the electromagnetic wave protection layer is formed on an upper surface portion and a side surface portion of the semiconductor package,
Electronic device. 전자 부품을 제공하는 단계; 및
상기 전자 부품의 적어도 일부분 상에 전자파 보호층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 전자파 보호층은,
표면에 도전성 피막이 형성된, 전자파 흡수를 위한 자성입자들; 및
전자파 차폐를 위한 도전성 금속입자들이 상기 자성입자들의 상기 도전성 피막 상에 소결되어 형성된 도전부;를 포함하고,
상기 자성입자들은 플레이크(flake) 형상을 갖고,
상기 도전부는 상기 전자파 보호층이 도전성을 갖도록 상기 도전성 금속입자들이 상기 자성입자들의 상기 플레이크 형상의 표면에서 서로 융착되고 소결되어 전체적으로 서로 연결된 구조를 갖고,
상기 도전성 피막은, 상기 자성입자들 상에서 상기 도전성 피막이 형성된 상기 금속입자들의 접촉각이 상기 도전성 피막이 없는 금속입자들의 접촉각보다 더 크게 하여 상기 도전성 피막이 형성된 상기 금속입자들의 상기 자성입자들로의 접착력이 향상되도록, 상기 자성입자들의 표면에 형성되고,
상기 전자파 보호층은 상기 전자 부품의 상면부 및 측면부 상에 형성되고,
상기 전자파 보호층은 전자파가 전자부품의 접지부로 빠질 수 있도록 상기 전자 부품의 접지부에 접속되며,
상기 도전부는 상기 전자파 보호층이 상기 전자 부품의 상면부 및 측면부를 통해서 상기 전자부품의 접지부로 접속되도록 상기 전자파 보호층의 평면 방향으로 상기 플레이크의 표면에서 서로 융착되어 전체적으로 서로 연결된 구조를 갖는,
전자 장치의 제조방법.Providing an electronic component; And
And forming an electromagnetic wave shielding layer on at least a part of the electronic component,
The electromagnetic wave shielding layer may be formed,
Magnetic particles having a conductive coating on the surface thereof for electromagnetic wave absorption; And
And a conductive part formed by sintering conductive metal particles for shielding electromagnetic waves on the conductive coating of the magnetic particles,
The magnetic particles have a flake shape,
Wherein the conductive part has a structure in which the conductive metal particles are fused and sintered to each other at the surface of the flake shape of the magnetic particles so that the electromagnetic wave protection layer has conductivity,
Wherein the conductive film is formed such that the contact angle of the metal particles on which the conductive coating is formed on the magnetic particles is larger than the contact angle of the metal particles without the conductive coating to improve the adhesion of the conductive particles to the magnetic particles Formed on the surface of the magnetic particles,
Wherein the electromagnetic wave shielding layer is formed on an upper surface portion and a side surface portion of the electronic component,
Wherein the electromagnetic wave protection layer is connected to a ground portion of the electronic component so that the electromagnetic wave can be separated into a ground portion of the electronic component,
Wherein the conductive portion is fused to each other at the surface of the flake in a planar direction of the electromagnetic shield layer so that the electromagnetic shield layer is connected to the ground portion of the electronic component through the upper surface portion and the side surface portion of the electronic component,
A method of manufacturing an electronic device. 제 8 항에 있어서,
상기 전자파 보호층을 형성하는 단계는,
상기 도전성 금속입자들 및 상기 도전성 피막이 형성된 상기 자성입자들을 포함하는 페이스트를 상기 전자 부품의 적어도 일부분 상에 스프레이 도포하는 단계; 및
도포된 상기 페이스트를 열처리하는 단계를 포함하는,
전자 장치의 제조방법.

9. The method of claim 8,
The step of forming the electromagnetic wave shielding layer may include:
Applying a paste comprising at least one of the conductive metal particles and the magnetic particles having the conductive coating on at least a portion of the electronic component; And
And heat treating the applied paste.
A method of manufacturing an electronic device.

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