KR101987622B1

KR101987622B1 - Fabricating method for multi-functional micro pattern

Info

Publication number: KR101987622B1
Application number: KR1020170118430A
Authority: KR
Inventors: 박운익; 조정호; 백종후; 정영훈; 윤지선; 김창일; 최영중; 박태완; 정연식; 한혁진; 임순민; 한유진
Original assignee: 한국세라믹기술원; 한국과학기술원
Priority date: 2017-09-15
Filing date: 2017-09-15
Publication date: 2019-06-11
Also published as: KR20190030875A

Abstract

다기능 미세 패턴의 제조 방법이 제공된다. 상기 다기능 미세 패턴의 제조 방법은, 베이스 패턴이 형성된 베이스 기판을 준비하는 단계, 상기 베이스 패턴의 제1 영역을 노출시키고, 상기 제1 영역을 제외한 나머지 영역을 덮는 제1 쉐도우 마스크를 상기 베이스 기판 상에 배치하는 단계, 노출된 상기 제1 영역 상에 제1 기능성 물질을 제공하는 단계, 상기 베이스 기판으로부터 상기 제1 쉐도우 마스크를 제거하는 단계, 상기 베이스 패턴의 제2 영역을 노출시키고, 상기 제2 영역을 제외한 나머지 영역을 덮는 제2 쉐도우 마스크를 상기 베이스 기판 상에 배치하는 단계, 노출된 상기 제2 영역 상에 상기 제1 기능성 물질과 다른 특성을 갖는 제2 기능성 물질을 제공하는 단계, 상기 베이스 기판으로부터 상기 제2 쉐도우 마스크를 제거하는 단계, 및 상기 제1 및 제2 기능성 물질이 제공된 상기 베이스 기판을 타겟 기판과 접촉시켜, 상기 제1 및 제2 기능성 물질을 동시에 상기 타겟 기판 상에 전사하는 단계를 포함할 수 있다. A method for producing a multifunctional fine pattern is provided. The method includes the steps of preparing a base substrate on which a base pattern is formed, exposing a first region of the base pattern, and forming a first shadow mask covering the remaining region except for the first region on the base substrate Providing a first functional material on the exposed first region, removing the first shadow mask from the base substrate, exposing a second region of the base pattern, Disposing a second shadow mask on the base substrate covering the remaining region except for the region, providing a second functional material having different characteristics from the first functional material on the exposed second region, Removing the second shadow mask from the substrate, and removing the second shadow mask from the base unit The contacting and the target substrate, and may comprise the first and second functional material at the same time transferred onto the target substrate.

Description

Technical Field [0001] The present invention relates to a method for manufacturing a multi-

본 발명은 다기능 미세 패턴의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 베이스 기판 상에 제공된 제1 및 제2 기능성 물질을 동시에 타겟 기판 상에 전사하는 다기능 미세 패턴의 제조 방법에 관련된 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a multifunctional fine pattern, and more particularly, to a method of manufacturing a multifunctional fine pattern in which first and second functional materials provided on a base substrate are simultaneously transferred onto a target substrate.

종래 반도체 소자나 액정표시소자의 박막트렌지스터 등의 회로패턴이나 디스플레이 기기의 광학소자 등에 형성 되는 광학패턴 등의 미세패턴을 형성하는 방법으로는 노광장치에 의한 포토리소그래피(Photolithography) 방법에 의한 노광, 식각 등의 공정으로 형성되었다.Conventional methods for forming fine patterns such as circuit patterns of semiconductor devices and thin film transistors of liquid crystal display devices and optical patterns formed on optical devices of display devices include exposure and etching by photolithography using an exposure apparatus, And the like.

이러한 종래 미세패턴의 형성방법은 비교적 고가의 노광장치를 이용한 화학적 공정으로서, 공정이 복잡하고 비용의 부담과 생산성 저하의 문제점이 있었다. 또한, 화학적 공정을 이용하기 때문에, 환경 친화적이지 못한 문제점이 있었다. Such a conventional method of forming a fine pattern is a chemical process using a relatively expensive exposing apparatus, and the process is complicated, and there is a problem of a burden of cost and a decrease in productivity. Further, since the chemical process is used, there is a problem in that it is not environmentally friendly.

이에 최근에는 각종 반도체 소자 및 액정표시소자의 박막트렌지스터 등의 회로패턴이나 디스플레이 기기의 광학 소자 등에 형성되는 광학패턴 등의 미세패턴을 형성하는 방법으로 인쇄기법을 이용한 미세패턴의 인쇄기술이 주 목받고 있다. 이러한 미세패턴 인쇄기술은 제조공정의 절감과 장비의 간소화에 의해 생산성 향상에 크게 이바지할 수 있는 장점이 있는 반면에, 노광장치를 이용한 화학적 공정에 비해 미세패턴의 정밀도가 떨어지는 단점이 있다.Recently, a technique of forming fine patterns such as circuit patterns such as thin film transistors of various semiconductor devices and liquid crystal display devices, optical patterns formed on optical devices of display devices, etc., have. Such a fine pattern printing technique has a merit that it can greatly contribute to productivity improvement by reducing the manufacturing process and simplifying the equipment, but has a disadvantage that the accuracy of the fine pattern is lower than that of the chemical process using the exposure apparatus.

이러한 문제점들을 해결하기 위하여 미세패턴을 인쇄하거나 제조하는 방법에 관한 다양한 기술들이 개발되고 있다. 예를 들어, 대한 민국 특허 공개 번호 10-2010-0005873(출원번호: 10-2008-0065962, 출원인: 주식회사 엘지화학)에는, (S11) 그 상부면에 음각부 와 양각부로 이루어진 음각 패턴이 형성된 탄성몰드를 실린더형 롤에 부착하는 단계, (S12) 상기 탄성몰드가 부착된 실린더형 롤을 잉크가 도포된 그라비어(gravure) 롤에 접촉시키면서 회전시켜, 상기 그라비어 롤 상면의 잉크가 전사되어 상기 음각부에 잉크가 채워지고, 상기 양각부 상면에 잉크가 도포되도록 하는 단계; (S13) 상기 탄성몰드의 양각부 상면에 도포된 잉크를 제거하는 단계; 및 (S14) 상기 탄성몰드가 부착된 실린더형 롤이 회전 되고, 상기 탄성몰드 상부면이 그 하부면에 쿠션층이 부착되어 있는 인쇄기재 상면에 접촉됨으로써 상기 탄성몰드의 음각부에 채워진 잉크가 전사되도록 하는 단계를 포함하는 미세패턴 인쇄방법을 제공한다. To solve these problems, various techniques have been developed for a method of printing or manufacturing a fine pattern. For example, Korean Patent Laid-Open No. 10-2010-0005873 (Application No. 10-2008-0065962, Applicant: LG Chemical Co., Ltd.) discloses a method for producing an elastic body having an engraved pattern composed of a relief portion and an embossed portion, Attaching the mold to the cylindrical roll; (S12) rotating the cylindrical roll with the elastic mold attached thereto in contact with a gravure roll coated with ink, so that ink on the upper surface of the gravure roll is transferred, So that ink is applied to the upper surface of the embossed portion; (S13) removing the ink applied to the upper surface of the relief portion of the elastic mold; And (S14) the cylindrical roll with the elastic mold is rotated, and the upper surface of the elastic mold is brought into contact with the upper surface of the printing substrate having the cushion layer on the lower surface thereof, so that the ink filled in the engraved portion of the elastic mold The method comprising the steps of:

이 밖에도, 미세 패턴을 인쇄하거나 제조하기 위한 다양한 기술들이 지속적으로 연구 개발되고 있다.In addition, various techniques for printing or manufacturing fine patterns are continuously being researched and developed.

대한 민국 특허 공개 번호 10-2010-0005873Korean Patent Publication No. 10-2010-0005873

본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 서로 다른 특성을 갖는 기능성 물질들이 하나의 기판상에 동시에 전사하는 다기능 미세 패턴의 제조 방법을 제공하는 데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a method of manufacturing a multifunctional fine pattern in which functional materials having different characteristics are simultaneously transferred onto a single substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 다양한 기판상에 미세 패턴 형성이 가능한 다기능 미세 패턴의 제조 방법을 제공하는 데 있다. It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing a multifunctional fine pattern capable of forming a fine pattern on various substrates.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 용이하게 패턴의 형상 제어가 가능한 다기능 미세 패턴의 제조 방법을 제공하는 데 있다. It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing a multifunctional fine pattern which can easily control the shape of a pattern.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상술된 것에 제한되지 않는다.The technical problem to be solved by the present invention is not limited to the above.

상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 다기능 미세 패턴의 제조 방법을 제공한다.In order to solve the above technical problems, the present invention provides a method for producing a multifunctional fine pattern.

일 실시 예에 따르면, 상기 다기능 미세 패턴의 제조 방법은, 베이스 패턴이 형성된 베이스 기판을 준비하는 단계, 상기 베이스 패턴의 제1 영역을 노출시키고, 상기 제1 영역을 제외한 나머지 영역을 덮는 제1 쉐도우 마스크(shadow mask)를 상기 베이스 기판 상에 배치하는 단계, 노출된 상기 제1 영역 상에 제1 기능성 물질을 제공하는 단계, 상기 베이스 기판으로부터 상기 제1 쉐도우 마스크를 제거하는 단계, 상기 베이스 패턴의 제2 영역을 노출시키고, 상기 제2 영역을 제외한 나머지 영역을 덮는 제2 쉐도우 마스크를 상기 베이스 기판 상에 배치하는 단계, 노출된 상기 제2 영역 상에 상기 제1 기능성 물질과 다른 특성을 갖는 제2 기능성 물질을 제공하는 단계, 상기 베이스 기판으로부터 상기 제2 쉐도우 마스크를 제거하는 단계, 및 상기 제1 및 제2 기능성 물질이 제공된 상기 베이스 기판을 타겟 기판과 접촉시켜, 상기 제1 및 제2 기능성 물질을 동시에 상기 타겟 기판 상에 전사하는 단계를 포함할 수 있다. According to one embodiment, the method for fabricating the multifunctional fine pattern includes the steps of preparing a base substrate on which a base pattern is formed, exposing a first region of the base pattern, exposing a first region except the first region, The method of claim 1, further comprising: disposing a shadow mask on the base substrate; providing a first functional material on the exposed first region; removing the first shadow mask from the base substrate; Disposing a second shadow mask on the base substrate that exposes a second region and covers the remaining region except for the second region on the exposed second region, 2 functional material, removing the second shadow mask from the base substrate, and removing the first and second functionalities And transferring the first and second functional materials onto the target substrate at the same time by bringing the base substrate provided with the material into contact with the target substrate.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역은, 상기 베이스 기판 상의 서로 다른 영역인 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the first region and the second region may be different regions on the base substrate.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 쉐도우 마스크 및 상기 제2 쉐도우 마스크는 서로 동일한 것을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the first shadow mask and the second shadow mask may include the same one.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 쉐도우 마스크는 개구부를 포함할 수 있다. According to one embodiment, the first shadow mask may include an opening.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 쉐도우 마스크를 상기 베이스 기판 상에 배치하는 단계는, 상기 제1 쉐도우 마스크의 상기 개구부가 상기 제1 영역 상에 배치되는 것을 포함하고, 상기 제2 쉐도우 마스크를 상기 베이스 기판 상에 배치하는 단계는, 상기 제2 쉐도우 마스크의 상기 개구부가 상기 제2 영역 상에 배치되는 것을 포함할 수 있다. According to an embodiment, disposing the first shadow mask on the base substrate may include disposing the opening of the first shadow mask on the first region, The step of disposing on the base substrate may include placing the opening of the second shadow mask on the second region.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 쉐도우 마스크 및 상기 제2 쉐도우 마스크는 서로 다른 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the first shadow mask and the second shadow mask may include different ones.

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 쉐도우 마스크는, 제1 부분, 및 상기 제1 부분보다 두께가 두꺼운 제2 부분을 포함하고, 상기 제1 부분은 상기 제1 영역을 덮고, 상기 제2 부분은 상기 제1 영역을 제외한 영역을 덮는 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the second shadow mask comprises a first portion and a second portion that is thicker than the first portion, the first portion covering the first region, And covering an area other than the first area.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분의 두께의 차이는, 상기 제1 기능성 물질의 두께와 같은 것을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the difference in thickness between the first portion and the second portion may include the same thickness as the first functional material.

일 실시 예에 따르면, 상기 다기능 미세 패턴의 제조 방법은, 상기 제1 및 제2 기능성 물질이 제공된 상기 타겟 기판을 컨트롤 패턴이 형성된 컨트롤 기판과 접촉시켜, 상기 타겟 기판 상에 전사된 상기 제1 및 제2 기능성 물질의 형상을 변형시키는 단계를 더 포함하되, 상기 제1 및 제2 기능성 물질의 볼록부 및 상기 컨트롤 패턴의 볼록부의 적어도 일부가 중첩되도록 접촉되고, 상기 제1 및 제2 기능성 물질의 오목부 및 상기 컨트롤 패턴의 오목부의 적어도 일부가 중첩되도록 접촉되어 변형되는 것을 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a multifunctional fine pattern, the method comprising: contacting the target substrate provided with the first and second functional materials with a control substrate on which a control pattern is formed, The method of claim 1, further comprising deforming the shape of the second functional material, wherein the protrusions of the first and second functional materials and at least a portion of the protrusions of the control pattern are brought into contact so as to overlap with each other, And the concave portion and at least a part of the concave portion of the control pattern are in contact with each other to be overlapped with each other.

일 실시 예에 따르면, 상기 베이스 패턴이 형성된 베이스 기판을 준비하는 단계는, 마스터 패턴을 포함하는 마스터 기판을 준비하는 단계, 상기 마스터 기판 상에 연성 물질을 제공하는 단계, 및 상기 연성 물질을 상기 마스터 기판으로부터 분리하여, 상기 마스터 패턴의 역상을 갖는 상기 베이스 패턴을 포함하는 상기 베이스 기판을 제조하는 단계를 포함할 수 있다. According to one embodiment, the step of preparing the base substrate on which the base pattern is formed comprises the steps of preparing a master substrate including a master pattern, providing a soft material on the master substrate, And separating the base pattern from the substrate to manufacture the base substrate including the base pattern having a reverse phase of the master pattern.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 및 제2 쉐도우 마스크는, 상기 제1 및 제2 기능성 물질보다 경도가 낮은 물질로 이루어진 것을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the first and second shadow masks may be made of a material having a hardness lower than that of the first and second functional materials.

일 실시 예에 따르면, 상기 실시 예들에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 방법으로 형성된 상기 제1 및 제2 기능성 물질이 적용된 소자(device)로서, 상기 소자는, 센서, 저항 메모리, 상변화 메모리, 히팅 전극(heating electrode), 감지 전극, 또는 촉매를 포함할 수 있다. According to one embodiment, a device to which the first and second functional materials formed in the method for manufacturing a multifunctional fine pattern according to the above embodiments are applied, the device including a sensor, a resistance memory, a phase change memory, a heating electrode, a sensing electrode, or a catalyst.

일 실시 예에 따르면, 상기 다기능 미세 패턴의 제조 방법은, 베이스 패턴이 형성된 베이스 기판을 준비하는 단계, 상기 베이스 패턴의 제1 및 제2 영역을 노출시키는 제1 및 제2 개구부를 포함하고, 상기 제1 및 제2 영역을 제외한 나머지 영역을 덮는 쉐도우 마스크(shadow mask)를 상기 베이스 기판 상에 배치하는 단계, 상기 베이스 패턴의 제1 영역을 노출시키고, 상기 제2 영역을 덮는 제1 보조 마스크를 상기 베이스 기판 상에 배치하는 단계, 노출된 상기 제1 영역 상에 제1 기능성 물질을 제공하는 단계, 상기 쉐도우 마스크로부터 상기 제1 보조 마스크를 제거하는 단계, 상기 베이스 패턴의 제2 영역을 노출시키고, 상기 제1 영역을 덮는 제2 보조 마스크를 상기 베이스 기판 상에 배치하는 단계, 노출된 상기 제2 영역 상에 제2 기능성 물질을 제공하는 단계, 상기 쉐도우 마스크로부터 상기 제2 보조 마스크를 제거하는 단계, 및 상기 제1 및 제2 기능성 물질이 제공된 상기 베이스 기판을 타겟 기판과 접촉시켜, 상기 제1 및 제2 기능성 물질을 동시에 상기 타겟 기판 상에 전사하는 단계를 포함할 수 있다. According to one embodiment, the method for fabricating the multifunctional fine pattern includes the steps of preparing a base substrate on which a base pattern is formed, first and second openings exposing first and second regions of the base pattern, Disposing a shadow mask on the base substrate to cover the remaining regions except for the first and second regions, exposing a first region of the base pattern, and forming a first auxiliary mask covering the second region Providing a first functional material on the exposed first region; removing the first auxiliary mask from the shadow mask; exposing a second region of the base pattern; Disposing a second auxiliary mask on the base substrate to cover the first region, providing a second functional material on the exposed second region, Removing the second auxiliary mask from the glare shadow mask and bringing the base substrate provided with the first and second functional materials into contact with the target substrate so that the first and second functional materials are simultaneously Transferring step.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역은 상기 베이스 기판 상의 서로 다른 영역인 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the first region and the second region may be different regions on the base substrate.

일 실시 예에 따르면, 상기 쉐도우 마스크를 상기 베이스 기판 상에 배치하는 단계는, 상기 쉐도우 마스크의 상기 제1 및 제2 개구부가 각각 상기 제1 및 제2 영역 상에 배치되는 것을 포함하고, 상기 제1 보조 마스크를 상기 베이스 기판 상에 배치하는 단계는, 상기 제1 보조 마스크가 상기 제2 영역 상에 배치되는 것을 포함하고, 상기 제2 보조 마스크를 상기 베이스 기판 상에 배치하는 단계는, 상기 제2 보조 마스크가 상기 제1 영역 상에 배치되는 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, disposing the shadow mask on the base substrate may include disposing the first and second openings of the shadow mask on the first and second regions, respectively, Wherein the step of disposing the first auxiliary mask on the base substrate includes disposing the first auxiliary mask on the second area, and disposing the second auxiliary mask on the base substrate, 2 auxiliary mask is disposed on the first region.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 보조 마스크 및 상기 제2 보조 마스크는 개구부를 포함할 수 있다. According to an embodiment, the first auxiliary mask and the second auxiliary mask may include openings.

일 실시 예에 따르면, 상기 쉐도우 마스크를 상기 베이스 기판 상에 배치하는 단계는, 상기 쉐도우 마스크의 상기 제1 및 제2 개구부가 각각 상기 제1 및 제2 영역 상에 배치되는 것을 포함하고, 상기 제1 보조 마스크를 상기 베이스 기판 상에 배치하는 단계는, 상기 제1 보조 마스크의 상기 보조 개구부가 상기 제1 영역 상에 배치되는 것을 포함하고, 상기 제2 보조 마스크를 상기 베이스 기판 상에 배치하는 단계는, 상기 제2 보조 마스크의 상기 보조 개구부가 상기 제2 영역 상에 배치되는 것을 포함할 수 있다.According to one embodiment, disposing the shadow mask on the base substrate may include disposing the first and second openings of the shadow mask on the first and second regions, respectively, 1 positioning the auxiliary mask on the base substrate includes placing the auxiliary opening of the first auxiliary mask on the first area and placing the second auxiliary mask on the base substrate The auxiliary opening of the second auxiliary mask may be disposed on the second area.

본 발명의 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 방법은, 베이스 패턴이 형성된 베이스 기판을 준비하는 단계, 제1 내지 제4 쉐도우 마스크를 사용하여, 제1 내지 제4 영역 상에 제1 내지 제4 기능성 물질을 각각 제공하는 단계, 및 상기 제1 내지 제4 기능성 물질이 제공된 상기 베이스 기판을 타겟 기판과 접촉시켜 상기 제1 내지 제4 기능성 물질을 상기 타겟 기판 상에 동시에 전사하는 단계를 포함할 수 있다. 이에 따라, 원하는 하나의 기판 상에 서로 다른 특성을 갖는 다양한 기능성 물질들이 동시에 전사된 다기능 미세 패턴의 제조 방법이 제공될 수 있다. A method of manufacturing a multifunctional fine pattern according to an embodiment of the present invention includes the steps of preparing a base substrate on which a base pattern is formed, forming first to fourth regions on first to fourth regions using first to fourth shadow masks, And simultaneously transferring the first to fourth functional materials onto the target substrate by bringing the base substrate provided with the first to fourth functional materials into contact with the target substrate, have. Accordingly, a method of manufacturing a multifunctional fine pattern in which various functional materials having different characteristics are simultaneously transferred onto a desired substrate can be provided.

또한, 상기 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 방법은, 상기 제1 내지 제4 기능성 물질이 제공된 상기 타겟 기판을 컨트롤 패턴이 형성된 컨트롤 기판과 접촉시켜, 상기 타겟 기판 상에 전사된 상기 제1 내지 제4 기능성 물질의 형상을 변형시키는 단계를 더 포함하되, 상기 제1 내지 제4 기능성 물질의 볼록부 및 상기 컨트롤 패턴의 볼록부의 적어도 일부가 중첩되도록 접촉되고, 상기 제1 내지 제4 기능성 물질의 오목부 및 상기 컨트롤 패턴의 오목부의 적어도 일부가 중첩되도록 접촉되어 변형되는 것을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 방법은, 상기 타겟 기판 상에 전사된 상기 제1 내지 제4 기능성 물질의 형상을 용이하게 제어할 수 있다.In addition, the method for manufacturing a multifunctional fine pattern according to the embodiment may further comprise the step of bringing the target substrate provided with the first to fourth functional materials into contact with a control substrate on which a control pattern is formed, Wherein the protrusions of the first to fourth functional materials and the protrusions of the control pattern are brought into contact so that at least a part of the protrusions of the first to fourth functional materials overlap with each other, And the concave portion and at least a part of the concave portion of the control pattern are in contact with each other to be overlapped with each other. Accordingly, the method of manufacturing a multifunctional fine pattern according to the embodiment can easily control the shape of the first to fourth functional materials transferred onto the target substrate.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 방법을 설명하는 순서도이다.
도 2 내지 도 8은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 공정을 나타내는 도면들이다.
도 9는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 방법에서, 제1 내지 제4 쉐도우 마스크가 서로 같은 경우를 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 방법에서, 제1 내지 제4 쉐도우 마스크가 서로 다른 경우를 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 쉐도우 마스크의 영역별 두께 차이를 나타내는 도면이다.
도 12는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 방법을 설명하는 순서도이다.
도 13a 내지 도 13c는 쉐도우 마스크의 개구부를 덮는 제1 내지 제3 보조 마스크가 사용된 본 발명의 제2 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 공정을 나타내는 도면들이다.
도 14a 내지 도 14c는 보조 개구부를 포함하는 제1 내지 제3 보조 마스크가 사용된 본 발명의 제2 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 공정을 나타내는 도면들이다.
도 15는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 전사 공정을 나타내는 도면이다.
도 16은 본 발명의 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 방법의 다양한 활용 방법을 나타내는 도면이다.
도 17은 본 발명의 실시 예에 따라 제조된 다기능 미세 패턴이 사용된 다양한 어플리케이션을 나타내는 도면이다.
도 18은 본 발명의 제1 실시 예에 따라 제조된 다기능 미세 패턴을 촬영한 사진이다.
도 19 및 도 20은 본 발명의 제1 실시 예에 따라 제조된 다기능 미세 패턴의 패턴 형상을 촬영한 사진이다.
도 21 및 도 22는 본 발명의 제2 실시 예에 따라 제조된 다기능 미세 패턴을 촬영한 사진이다.
도 23은 본 발명의 제2 실시 예에 따라 제조된 다기능 미세 패턴의 패턴 형상을 촬영한 사진이다.1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a multifunctional fine pattern according to a first embodiment of the present invention.
FIGS. 2 to 8 are views showing a manufacturing process of a multifunctional fine pattern according to the first embodiment of the present invention.
9 is a view showing a case where first to fourth shadow masks are equal to each other in the method of manufacturing a multifunctional fine pattern according to the first embodiment of the present invention.
10 is a view showing a case where first to fourth shadow masks are different in a method of manufacturing a multifunctional fine pattern according to the first embodiment of the present invention.
11 is a view showing a thickness difference of a shadow mask according to a first embodiment of the present invention.
12 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a multifunctional fine pattern according to a second embodiment of the present invention.
13A to 13C are views showing a manufacturing process of a multifunctional fine pattern according to a second embodiment of the present invention in which first to third auxiliary masks covering the openings of the shadow mask are used.
FIGS. 14A to 14C are views showing a manufacturing process of a multifunctional fine pattern according to a second embodiment of the present invention in which first to third auxiliary masks including auxiliary openings are used. FIG.
15 is a view showing a transfer process of a multifunctional fine pattern according to the second embodiment of the present invention.
16 is a view showing various methods of utilizing the method for producing a multifunctional fine pattern according to an embodiment of the present invention.
17 is a diagram illustrating various applications using multifunctional fine patterns fabricated in accordance with embodiments of the present invention.
18 is a photograph of a multifunctional fine pattern produced according to the first embodiment of the present invention.
19 and 20 are photographs of a pattern shape of a multifunctional fine pattern manufactured according to the first embodiment of the present invention.
FIGS. 21 and 22 are photographs of a multifunctional fine pattern produced according to the second embodiment of the present invention.
23 is a photograph of a pattern shape of a multifunctional fine pattern manufactured according to the second embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the technical spirit of the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art.

본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. In this specification, when an element is referred to as being on another element, it may be directly formed on another element, or a third element may be interposed therebetween. Further, in the drawings, the thicknesses of the films and regions are exaggerated for an effective explanation of the technical content.

또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 또한, 어느 한 실시 예에서 제1 구성요소 및 제2 구성요소로 기재된 것은 실질적으로 서로 동일한 구성요소일 수도 있다. Also, while the terms first, second, third, etc. in the various embodiments of the present disclosure are used to describe various components, these components should not be limited by these terms. Thus, what is referred to as a first component in any one embodiment may be referred to as a second component in another embodiment. Further, in any embodiment, what is described as the first component and the second component may be substantially the same component as each other.

여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.Each embodiment described and exemplified herein also includes its complementary embodiment. Also, in this specification, 'and / or' are used to include at least one of the front and rear components.

명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. The singular forms "a", "an", and "the" include plural referents unless the context clearly dictates otherwise. It is also to be understood that the terms such as " comprises "or" having "are intended to specify the presence of stated features, integers, Should not be understood to exclude the presence or addition of one or more other elements, elements, or combinations thereof.

또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

본 발명의 제1 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 방법이 도 1 내지 도 11을 참조하여 설명된다. A method of manufacturing a multifunctional fine pattern according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to Figs.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 방법을 설명하는 순서도이고, 도 2 내지 도 8은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 공정을 나타내는 도면들이다. FIG. 1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a multifunctional fine pattern according to a first embodiment of the present invention, and FIGS. 2 to 8 are views showing a manufacturing process of a multifunctional fine pattern according to the first embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 베이스 기판(100)이 준비될 수 있다(S110). 상기 베이스 기판(100)은, 베이스 패턴(102)을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 베이스 패턴(102)이 형성된 상기 베이스 기판(100)을 준비하는 단계는, 마스터 패턴을 포함하는 마스터 기판을 준비하는 단계, 상기 마스터 기판 상에 연성 물질을 제공하는 단계, 및 상기 연성 물질을 상기 마스터 기판으로부터 분리하여, 상기 마스터 패턴의 역상을 갖는 상기 베이스 패턴(102)을 포함하는 상기 베이스 기판(100)을 제조하는 단계를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 2, a base substrate 100 may be prepared (S110). The base substrate 100 may include a base pattern 102. According to one embodiment, preparing the base substrate 100 on which the base pattern 102 is formed may include preparing a master substrate including a master pattern, providing a soft material on the master substrate, And separating the soft material from the master substrate to manufacture the base substrate 100 including the base pattern 102 having a reverse phase of the master pattern.

예를 들어, 상기 연성 물질은, PMMA(polymethyl methacrylate), PS(polystyrene), PVP(polyvinylpyrrolidone), P2VP(poly 2-vinyl pyridine), P4VP(poly 4-vinyl pyridine), PS-PDMS(polystyrene-polydimethylsiloxane), PDMS-P4VP(polydimethylsiloxane-poly 4-vinyl pyridine), PVDF-TrF(polyvinylidenefluoride-trifluoroethylene) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. For example, the soft material may be selected from the group consisting of polymethyl methacrylate (PMMA), polystyrene (PS), polyvinylpyrrolidone (PVP), polyvinyl pyridine (P2VP), poly 4-vinyl pyridine (P4VP), polystyrene-polydimethylsiloxane ), PDMS-P4VP (polydimethylsiloxane-poly 4-vinyl pyridine), and PVDF-TrF (polyvinylidenefluoride-trifluoroethylene).

상기 베이스 기판(100) 상에 제1 쉐도우 마스크(shadow mask, 200)가 배치될 수 있다(S120). 상기 제1 쉐도우 마스크(200)는 개구부를 포함할 수 있다. 상기 제1 쉐도우 마스크(200)의 상기 개구부는, 제1 영역(A₁) 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 쉐도우 마스크(200)는 상기 베이스 패턴(102)의 상기 제1 영역(A₁)을 노출시킬 수 있다. 또한, 상기 제1 쉐도우 마스크(200)는 상기 제1 영역(A₁)을 제외한 나머지 영역을 덮을 수 있다. 즉, 상기 베이스 패턴(102)은, 상기 제1 쉐도우 마스크(200)가 덮어짐에 따라, 상기 제1 영역(A₁)은 외부에 노출되고, 상기 제1 영역을 제외한 영역은 상기 제1 쉐도우 마스크(200)로 가려질 수 있다. A first shadow mask 200 may be disposed on the base substrate 100 (S120). The first shadow mask 200 may include an opening. The opening of the first shadow mask 200, the may be disposed on the first region (A _1). Accordingly, the first shadow mask 200 may expose the first region A ₁ of the base pattern 102. In addition, the first shadow mask 200 may cover the remaining region except for the first region A ₁ . That is, as the first shadow mask 200 is covered with the base pattern 102, the first region A ₁ is exposed to the outside, and the region except for the first region is covered with the first shadow Can be covered with the mask 200.

노출된 상기 제1 영역(A₁) 상에 상기 제1 기능성 물질(M₁)이 제공될 수 있다(S130). 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 기능성 물질(M₁)은 금속, 세라믹, 반도체, 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 기능성 물질(M₁)은 백금(Pt), 은(Ag), 니켈(Ni), SiO_x, WO_x, SnO_x, 규소(Si), GST(Ge₂Sb₂Te₅) 등을 포함할 수 있다. (x>0) 다른 실시 예에 따르면, 상기 기능성 물질(M₁)은 저항메모리 소재, 가스감지 소재, 전극 소재 등 물리적, 화학적, 그리고 전기적 특성 변화를 일으키는 소재 등을 포함할 수 있다.The first functional material M ₁ may be provided on the exposed first region A ₁ (S 130). According to one embodiment, the first functional material M ₁ may include metals, ceramics, semiconductors, oxides, and the like. For example, the functional material M ₁ may be at least _{one selected} from platinum (Pt), silver (Ag), nickel (Ni), SiO _x , WO _x , SnO _x , silicon (Si), GST (Ge ₂ Sb ₂ Te ₅ ) And the like. (x> 0). According to another embodiment, the functional material M ₁ may include materials that cause physical, chemical, and electrical characteristics changes such as a resistance memory material, a gas sensing material, and an electrode material.

노출된 상기 제1 영역(A₁) 상에 상기 제1 기능성 물질(M₁)이 제공된 후, 상기 베이스 기판(100)으로부터 상기 제1 쉐도우 마스크(200)가 제거될 수 있다(S140).After the first functional material M ₁ is provided on the exposed first region A ₁ , the first shadow mask 200 may be removed from the base substrate 100 (S 140).

도 3을 참조하면, 상기 베이스 기판(100)으로부터 상기 제1 쉐도우 마스크(200)가 제거된 후, 상기 베이스 기판(200) 상에 제2 쉐도우 마스크(210)가 배치될 수 있다(S150). 상기 제2 쉐도우 마스크(210)는 개구부를 포함할 수 있다. 상기 제2 쉐도우 마스크(210)의 상기 개구부는, 제2 영역(A₂) 상에 배치될 수 있다. Referring to FIG. 3, after the first shadow mask 200 is removed from the base substrate 100, a second shadow mask 210 may be disposed on the base substrate 200 (S150). The second shadow mask 210 may include an opening. The opening of the second shadow mask 210 may be disposed on the second region A ₂ .

이에 따라, 상기 제2 쉐도우 마스크(210)는 상기 베이스 패턴(102)의 상기 제2 영역(A₂)을 노출시킬 수 있다. 또한, 상기 제2 쉐도우 마스크(210)는 상기 제2 영역(A₂)을 제외한 나머지 영역을 덮을 수 있다. 노출된 상기 제2 영역(A₂) 상에 제2 기능성 물질(M₂)이 제공될 수 있다(S160). Accordingly, the second shadow mask 210 may expose the second region A ₂ of the base pattern 102. In addition, the second shadow mask 210 may cover the remaining region except for the second region A ₂ . The second functional material M ₂ may be provided on the exposed second region A ₂ (S 160).

노출된 상기 제2 영역(A₂) 상에 상기 제2 기능성 물질(M₂)이 제공된 후, 상기 베이스 기판(100)으로부터 상기 제2 쉐도우 마스크(210)가 제거될 수 있다(S170). 상기 베이스 기판(100)으로부터 상기 제2 쉐도우 마스크(210)가 제거된 후, 상기 베이스 기판(100) 상에 제3 쉐도우 마스크(220)가 배치될 수 있다. 상기 제3 쉐도우 마스크(220)는 개구부를 포함할 수 있다. 상기 제3 쉐도우 마스크(220)의 상기 개구부는, 제3 영역(A₃) 상에 배치될 수 있다. A second shadow mask 210 can be removed from and then provided with a second functional material on the exposed second region (A ₂₎ (M _2), wherein the base substrate (100) (S170). After the second shadow mask 210 is removed from the base substrate 100, a third shadow mask 220 may be disposed on the base substrate 100. The third shadow mask 220 may include an opening. The opening of the third shadow mask 220 may be disposed on the third region A ₃ .

이에 따라, 상기 제3 쉐도우 마스크(220)는 상기 베이스 패턴(102)의 상기 제3 영역(A₃)을 노출시킬 수 있다. 또한, 상기 제3 쉐도우 마스크(220)는 상기 제3 영역(A₃)을 제외한 나머지 영역을 덮을 수 있다. 노출된 상기 제3 영역(A₃) 상에 제3 기능성 물질(M₃)이 제공될 수 있다. Accordingly, the third shadow mask 220 may expose the third region A ₃ of the base pattern 102. In addition, the third shadow mask 220 may cover the remaining region except for the third region A ₃ . The third functional material M ₃ may be provided on the exposed third region A ₃ .

노출된 상기 제3 영역(A₃) 상에 상기 제3 기능성 물질(M₃)이 제공된 후, 상기 베이스 기판(100)으로부터 상기 제3 쉐도우 마스크(220)가 제거될 수 있다. 상기 베이스 기판(100)으로부터 상기 제3 쉐도우 마스크(220)가 제거된 후, 상기 베이스 기판(100) 상에 제4 쉐도우 마스크(230)가 배치될 수 있다. 상기 제4 쉐도우 마스크(230)는 개구부를 포함할 수 있다. 상기 제4 쉐도우 마스크(230)의 상기 개구부는, 제4 영역(A₄) 상에 배치될 수 있다.The third shadow mask 220 may be removed from the base substrate 100 after the third functional material M ₃ is provided on the exposed third region A ₃ . After the third shadow mask 220 is removed from the base substrate 100, a fourth shadow mask 230 may be disposed on the base substrate 100. The fourth shadow mask 230 may include an opening. Wherein the opening portion 4 of the shadow mask 230, the may be disposed on the fourth region (A _4).

이에 따라, 상기 제4 쉐도우 마스크(230)는 상기 베이스 패턴(102)의 상기 제4 영역(A₄)을 노출시킬 수 있다. 또한, 상기 제4 쉐도우 마스크(230)는 상기 제4 영역(A₄)을 제외한 나머지 영역을 덮을 수 있다. 노출된 상기 제4 영역(A₄) 상에 제4 기능성 물질(M₄)이 제공될 수 있다. Accordingly, the fourth shadow mask 230 may expose the fourth region A ₄ of the base pattern 102. In addition, the fourth shadow mask 230 may cover the remaining region except for the fourth region A ₄ . The fourth functional material M ₄ may be provided on the exposed fourth region A ₄ .

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 내지 제4 쉐도우 마스크(200, 210, 220, 230)는, 각각 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)보다 경도가 낮은 물질로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 내지 제4 쉐도우 마스크(200, 210, 220, 230)는, 각각 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)을 훼손하지 않고, 상기 베이스 기판(100) 상에 용이하게 배치될 수 있다. According to one embodiment, the first to fourth shadow mask (200, 210, 220, 230), each of the first to fourth functional material hardness than the (M _1, M _2, M _3, M ₄₎ is It can be made of low material. Accordingly, the first to fourth shadow masks 200, 210, 220, and 230 do not damage the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ , and M ₄ , And can be easily disposed on the base substrate 100. [

도 4를 참조하면, 상기 베이스 기판(100)으로부터 상기 제4 쉐도우 마스크(230)가 제거되어, 상기 베이스 패턴(102) 상에 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 제공된 상기 베이스 기판(100)이 제조될 수 있다. 4, the fourth shadow mask 230 is removed from the base substrate 100, and the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , and M ₃ , M ₄ ) may be fabricated on the base substrate 100.

상기 제1 영역(A₁) 내지 상기 제4 영역(A₄)은, 상기 베이스 기판(100) 상의 서로 다른 영역일 수 있다. 즉, 상기 베이스 기판(100) 상에 상기 제1 쉐도우 마스크(200)가 배치되는 경우 상기 베이스 기판(100)이 외부에 노출되는 영역, 상기 베이스 기판(100) 상에 상기 제2 쉐도우 마스크(210)가 배치되는 경우, 상기 베이스 기판(100)이 외부에 노출되는 영역, 상기 베이스 기판(100) 상에 상기 제3 쉐도우 마스크(220)가 배치되는 경우, 상기 베이스 기판(100)이 외부에 노출되는 영역, 및 상기 제4 쉐도우 마스크(230)가 배치되는 경우, 상기 베이스 기판(100)이 외부에 노출되는 영역은, 각각 서로 다를 수 있다. The first region A ₁ to the fourth region A ₄ may be different regions on the base substrate 100. That is, when the first shadow mask 200 is disposed on the base substrate 100, the second shadow mask 210 is formed on the base substrate 100 in a region where the base substrate 100 is exposed to the outside, When the third shadow mask 220 is disposed on the base substrate 100 in a region where the base substrate 100 is exposed to the outside, the base substrate 100 is exposed to the outside And the area where the base substrate 100 is exposed to the outside when the fourth shadow mask 230 is disposed may be different from each other.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 기능성 물질(M₁) 내지 제4 기능성 물질(M₄)은 서로 다른 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 기능성 물질(M₁)로써 백금(Pt), 상기 제2 기능성 물질(M₂)로써 GST(Ge₂Sb₂Te₅), 상기 제3 기능성 물질(M3)로써 산화 알루미늄(AlO_x), 상기 제4 기능성 물질(M₄)로써 실리콘 산화물(SiO_x)이 사용될 수 있다. 이에 따라, 하나의 기판 상에 서로 다른 기능성 물질들을 포함하는 미세 패턴이 제공될 수 있다. According to one embodiment, the first functional material M ₁ to the fourth functional material M ₄ may have different characteristics. For example, when platinum (Pt) is used as the first functional material (M ₁ ), GST (Ge ₂ Sb ₂ Te ₅ ) is used as the second functional material (M ₂ ) (AlO _x ), and silicon oxide (SiO _x ) may be used as the fourth functional material (M ₄ ). Thus, a fine pattern containing different functional materials can be provided on one substrate.

도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 베이스 기판(100) 상에 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 제공되는 경우, 제1 내지 제5 중첩 영역(O₁, O₂, O₃, O₄, O₅)이 형성될 수 있다. 도 5의 (a)는 상기 제1 영역(O₁)이 형성되는 것을 나타내는 도면이고, 도 5의 (b)는 도 5의 (a)를 측면에서 나타내는 도면이고, 도 6은 상기 베이스 기판(100) 상에 상기 제1 내지 제5 중첩 영역(O₁, O₂, O₃, O₄, O₅)이 형성된 것을 나타내는 도면이다. 5 and 6, when the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ , and M ₄ are provided on the base substrate 100, (O ₁ , O ₂ , O ₃ , O ₄ , O ₅ ) may be formed. 5 (a) is a view showing the first region O ₁ formed, FIG. 5 (b) is a view showing a side view of FIG. 5 (a), and FIG. 6 is a cross- 100) of the first to fifth overlap region on the _{_{(O 1, O 2, O}} 3, O 4, O 5) is a view showing that is formed.

구체적으로, 상기 제1 중첩 영역(O₁)은 상기 제1 기능성 물질(M₁)의 일 영역 상에 상기 제2 기능성 물질(M₂)이 제공되어, 상기 제1 기능성 물질(M₁) 및 상기 제2 기능성 물질(M₂)이 중첩되는 영역일 수 있다. 상기 제2 중첩 영역(O₂)은 상기 제2 기능성 물질(M₂)의 일 영역 상에 상기 제3 기능성 물질(M₃)이 제공되어, 상기 제2 기능성 물질(M₂) 및 상기 제3 기능성 물질(M₃)이 중첩되는 영역일 수 있다. 상기 제3 중첩 영역(O₃)은 상기 제3 기능성 물질(M₃)의 일 영역 상에 상기 제4 기능성 물질(M₄)이 제공되어, 상기 제3 기능성 물질(M₃) 및 상기 제4 기능성 물질(M₄)이 중첩되는 영역일 수 있다. 상기 제4 중첩 영역(O₄)은 상기 제1 기능성 물질(M₁)의 일 영역 상에 상기 제4 기능성 물질(M₄)이 제공되어, 상기 제1 기능성 물질(M₁) 및 상기 제4 기능성 물질(M₄)이 중첩되는 영역일 수 있다. 상기 제5 중첩 영역(O₅)은 상기 제1 기능성 물질(M₁)의 일 영역 상에 상기 제2 내지 제4 기능성 물질(M₂, M₃, M₄)이 순차적으로 제공되어, 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 모두 중첩되는 영역일 수 있다.Specifically, the first overlapping area (O ₁₎ is provided with a second functional material (M ₂₎ on one region of the first functional material (M _1), the first functional material (M ₁₎ and wherein the functional material may be a second (M ₂₎ a region where the overlap. The second overlapping area (O ₂₎ is the second functional material in the third functional material on a work area of (M ₂₎ (M ₃₎ is provided, wherein the second functional material (M ₂₎ and the third the functional material may be a region in which (M ₃₎ are superposed. The third overlap region (O ₃₎ is the third and the fourth functional material on a work area of the functional material (M ₃₎ (M ₄₎ is provided, the third functional material (M ₃₎ and the fourth And the functional material M ₄ may overlap. The fourth overlapping areas (O ₄₎ is the first and the fourth functional material on a work area of the functional material (M ₁₎ (M ₄₎ of the first functional material is provided, (M ₁₎ and the fourth And the functional material M ₄ may overlap. The fifth overlap region O ₅ is formed by sequentially providing the second to fourth functional materials M ₂ , M ₃ and M ₄ on one region of the first functional material M ₁ , 1 to the fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ , and M ₄ are all overlapped.

도 7을 참조하면, 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)은 타겟 기판(300) 상에 동시에 전사될 수 있다(S180). 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)은, 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 제공된 상기 베이스 기판(100) 및 상기 타겟 기판(300)이 접촉되어 동시에 전사될 수 있다. 이에 따라, 상기 베이스 패턴(102)과 같은 형상의 패턴을 갖고, 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 전사된 상기 타겟 기판(300)이 제조될 수 있다. Referring to FIG. 7, the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ , and M ₄ may be simultaneously transferred onto the target substrate 300 (S 180). The first to fourth functional materials (M _1, M _2, M _3, M ₄₎ are the first to fourth functional materials (M _1, M _2, M _3, M ₄₎ wherein the base substrate is provided ( 100 and the target substrate 300 can be contacted and transferred at the same time. Thus, the target substrate 300 having the same pattern as the base pattern 102 and transferred with the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ , and M ₄ is manufactured .

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 제공된 상기 베이스 기판(100) 및 상기 타겟 기판(300)이 접촉된 후, 상기 베이스 기판(100)은, 접착 필름(adhesive film, 110)을 사용하여 분리될 수 있다. According to one embodiment, after the base substrate 100 provided with the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ and M ₄ and the target substrate 300 are brought into contact with each other, (100) may be separated using an adhesive film (110).

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 제공된 상기 베이스 기판(100) 및 상기 타겟 기판(300)이 접촉되기 전, 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 제공된 상기 베이스 기판(100) 상에 인플레이트 가스(inflate gas)가 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 인플레이트 가스는, 상기 베이스 기판(100)이 용해 가능한 용매가 기화된 기체일 수 있다. 예를 들어, 상기 용매는 톨루엔(toluene)일 수 있다. 상기 인플레이트 가스가 상기 베이스 기판(100)에 흡수되어, 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)은, 상기 타겟 기판(300) 상에 용이하게 전사될 수 있다. According to one embodiment, before the base substrate 100 provided with the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ , and M ₄ and the target substrate 300 are brought into contact with each other, Inflate gas may be provided on the base substrate 100 provided with the _first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ and M ₄ . According to one embodiment, the inflation gas may be a vaporized solvent in which the base substrate 100 is soluble. For example, the solvent may be toluene. The inflow gas is absorbed by the base substrate 100 so that the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ and M ₄ are easily transferred onto the target substrate 300 .

도 8을 참조하면, 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 전사된 상기 타겟 기판(300)은, 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)의 형상이 변형될 수 있다. 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)의 형상은, 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 전사된 상기 타겟 기판(300) 및 컨트롤 기판(400)이 접촉되서 변형될 수 있다. 상기 컨트롤 기판(400)은 컨트롤 패턴(402)을 포함할 수 있다. 8, the target substrate 300 to which the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ , and M ₄ are transferred may include a first to a fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ , and M ₄ ) may be deformed. The shapes of the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ and M ₄ are the same as the shapes of the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ and M ₄ , The control board 300 and the control board 400 may be contacted and deformed. The control substrate 400 may include a control pattern 402.

상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)의 형상은, 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)의 볼록부 및 상기 컨트롤 패턴(402)의 볼록부의 적어도 일부가 중첩되고, 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)의 오목부 및 상기 컨트롤 패턴(402)의 오목부의 적어도 일부가 중첩되도록 접촉되어 변형될 수 있다. 이에 따라, 변형된 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)의 형상은, 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)의 형상 및 상기 컨트롤 패턴(402)이 결합된 형태를 나타낼 수 있다. Wherein the projections of the first to fourth functional materials _{_{(M 1, M 2, M}} 3, M 4) the shape of the can, the first to fourth functional materials _{_{(M 1, M 2, M}} 3, M 4) and At least a part of the convex portion of the control pattern 402 is overlapped and the concave portion of the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ , and M ₄ and the concave portion of the control pattern 402 Some of them may be contacted and deformed to overlap with each other. Accordingly, the modified first to fourth functional materials _{_{(M 1, M 2, M}} 3, M 4) the shape of the can, the first to fourth functional materials (M _1, M _2, M _3, M ₄ And a shape in which the control pattern 402 is combined.

상술된 본 발명의 제1 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 방법은, 상기 베이스 패턴(102)이 형성된 상기 베이스 기판(100)을 준비하는 단계, 상기 제1 내지 제4 쉐도우 마스크(200, 210, 220, 230, 240)을 사용하여, 상기 제1 내지 제4 영역(A₁, A₂, A₃, A₄) 상에 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)을 각각 제공하는 단계, 및 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 제공된 상기 베이스 기판(100)을 상기 타겟 기판(300)과 접촉시켜 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)을 상기 타겟 기판(300) 상에 동시에 전사하는 단계를 포함할 수 있다. 이에 따라, 원하는 하나의 기판 상에 서로 다른 특성을 갖는 다양한 기능성 물질들이 동시에 전사된 다기능 미세 패턴의 제조 방법이 제공될 수 있다. The method for fabricating a multifunctional fine pattern according to the first embodiment of the present invention may include preparing the base substrate 100 on which the base pattern 102 is formed, forming the first to fourth shadow masks 200 and 210 , using a 220, 230, 240) of the first to fourth areas (a _1, a _2, a _3, a ₄₎ of the first to fourth functional material on the (M _1, M _2, M ₃ , in contact with steps, and the first to fourth functional materials (M _1, M _2, M _3, M ₄₎ is the base substrate 100, the target substrate (300 supplied) for providing M _4), respectively And simultaneously transferring the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ , and M ₄ onto the target substrate 300. Accordingly, a method of manufacturing a multifunctional fine pattern in which various functional materials having different characteristics are simultaneously transferred onto a desired substrate can be provided.

또한, 상기 제1 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 방법은, 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 제공된 상기 타겟 기판(300)을 상기 컨트롤 패턴(402)이 형성된 상기 컨트롤 기판(400)과 접촉시켜, 상기 타겟 기판(300) 상에 전사된 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)의 형상을 변형시키는 단계를 더 포함하되, 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)의 볼록부 및 상기 컨트롤 패턴(402)의 볼록부의 적어도 일부가 중첩되도록 접촉되고, 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)의 오목부 및 상기 컨트롤 패턴(402)의 오목부의 적어도 일부가 중첩되도록 접촉되어 변형되는 것을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 방법은, 상기 타겟 기판(300) 상에 전사된 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)의 형상을 용이하게 제어할 수 있다. The method for manufacturing a multifunctional fine pattern according to the first embodiment may further include a step of forming the target substrate 300 provided with the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ , and M ₄ , (M ₁ , M ₂ , M ₃ , and M ₄ ) transferred onto the target substrate (300) by deforming the shape of the control substrate (400) Wherein the protrusions of the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ , and M ₄ and the protrusions of the control pattern 402 are in contact so as to overlap with each other, The recesses of the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ and M ₄ and at least a part of the recesses of the control pattern 402 may be in contact with each other and deformed. Accordingly, the manufacturing method of the multifunctional fine pattern according to the first embodiment may include the steps of: transferring the first to fourth functional materials (M ₁ , M ₂ , M ₃ , and M ₄ ) transferred onto the target substrate 300 The shape can be easily controlled.

이하, 도 1 내지 도 8을 참조하여 상술된 상기 제1 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 방법에서, 상기 제1 내지 제4 쉐도우 마스크(200, 210, 220, 230)가 서로 같은 경우에 대해 도 9를 참조하여 설명되고, 상기 제1 내지 제4 쉐도우 마스크(200, 210, 220, 230)가 서로 다른 경우에 대해 도 10 및 도 11을 참조하여 설명된다. In the method of manufacturing a multifunctional fine pattern according to the first embodiment described above with reference to FIGS. 1 to 8, when the first through fourth shadow masks 200, 210, 220, and 230 are equal to each other The case where the first through fourth shadow masks 200, 210, 220, and 230 are different will be described with reference to FIG. 9 and FIG.

도 9는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 방법에서, 제1 내지 제4 쉐도우 마스크가 서로 같은 경우를 나타내는 도면이다. 9 is a view showing a case where first to fourth shadow masks are equal to each other in the method of manufacturing a multifunctional fine pattern according to the first embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 상기 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 제공된 상기 베이스 기판(100)의 제조 방법에서, 상기 제1 내지 제4 쉐도우 마스크(200, 210, 220, 230)은 서로 동일할 수 있다. 다시 말해, 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 제공된 상기 베이스 기판(100)은, 하나의 쉐도우 마스크를 사용하여 제조될 수 있다.9, in the method of manufacturing the base substrate 100 provided with the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ , and M ₄ described with reference to FIGS. 1 to 4 The first through fourth shadow masks 200, 210, 220, and 230 may be identical to each other. In other words, the base substrate 100 provided with the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ , and M ₄ can be manufactured using one shadow mask.

구체적으로, 상기 베이스 패턴(102)의 제2 영역(A₂)을 노출시키고, 상기 제2 영역(A₂)을 제외한 나머지 영역을 덮는 제2 쉐도우 마스크(210)를 상기 베이스 기판(100) 상에 배치하는 단계는, 상기 베이스 기판(100)으로부터 제거된 상기 제1 쉐도우 마스크(200)를, 상기 제1 쉐도우 마스크(200)의 상부면의 법선을 회전축으로 회전하는 단계, 및 상기 제1 쉐도우 마스크(200)를 상기 베이스 기판(100) 상에 배치하는 단계를 포함할 수 있다. Specifically, a second shadow mask 210 exposing a second region A ₂ of the base pattern 102 and covering the remaining region except for the second region A ₂ is formed on the base substrate 100 Comprises rotating the first shadow mask (200) removed from the base substrate (100) by a rotation axis about the normal line of the upper surface of the first shadow mask (200), and rotating the first shadow mask And disposing a mask 200 on the base substrate 100.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 쉐도우 마스크(200)는, 상기 제1 쉐도우 마스크(200)의 상부면의 법선을 회전축으로 시계방향으로 90°의 각도로 회전될 수 있다. 이에 따라, 상기 베이스 패턴(102)의 상기 제2 영역(A₂)은 노출되고, 상기 제2 영역(A₂)을 제외한 나머지 영역은 상기 제1 쉐도우 마스크(200)에 의해 덮어질 수 있다. According to one embodiment, the first shadow mask 200 may be rotated at an angle of 90 degrees clockwise with respect to a normal line of the upper surface of the first shadow mask 200. Accordingly, the second region A ₂ of the base pattern 102 is exposed, and the remaining region except for the second region A ₂ can be covered by the first shadow mask 200.

또한, 상기 베이스 기판(100) 상에 상기 제3 쉐도우 마스크(220)가 배치되는 단계는, 상기 제1 쉐도우 마스크(200)를 상기 제1 쉐도우 마스크(200)의 상부면의 법선을 회전축으로 회전하는 단계, 및 상기 제1 쉐도우 마스크(200)를 상기 베이스 기판(100) 상에 배치하는 단계를 포함할 수 있다. The step of disposing the third shadow mask 220 on the base substrate 100 may include rotating the first shadow mask 200 by rotating the normal line of the upper surface of the first shadow mask 200 , And disposing the first shadow mask (200) on the base substrate (100).

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 쉐도우 마스크(200)는, 상기 제1 쉐도우 마스크(200)의 상부면의 법선을 회전축으로 시계방향으로 90°의 각도로 회전될 수 있다. 이에 따라, 상기 베이스 패턴(102)의 상기 제3 영역(A₃)은 노출되고, 상기 제3 영역(A₃)을 제외한 나머지 영역은 상기 제1 쉐도우 마스크(200)에 의해 덮어질 수 있다. According to one embodiment, the first shadow mask 200 may be rotated at an angle of 90 degrees clockwise with respect to a normal line of the upper surface of the first shadow mask 200. Accordingly, the third region A ₃ of the base pattern 102 is exposed, and the remaining region except for the third region A ₃ can be covered by the first shadow mask 200.

또한, 상기 베이스 기판(100) 상에 상기 제4 쉐도우 마스크(230)가 배치되는 단계는, 상기 제1 쉐도우 마스크(200)를 상기 제1 쉐도우 마스크(200)의 상부면의 법선을 회전축으로 회전하는 단계, 및 상기 제1 쉐도우 마스크(200)를 상기 베이스 기판(100) 상에 배치하는 단계를 포함할 수 있다. The step of disposing the fourth shadow mask 230 on the base substrate 100 may include rotating the first shadow mask 200 around the normal line of the upper surface of the first shadow mask 200 , And disposing the first shadow mask (200) on the base substrate (100).

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 쉐도우 마스크(200)는, 상기 제1 쉐도우 마스크(200)의 상부면의 법선을 회전축으로 시계방향으로 90°의 각도로 회전될 수 있다. 이에 따라, 상기 베이스 패턴(102)의 상기 제4 영역(A₄)은 노출되고, 상기 제4 영역(A₄)을 제외한 나머지 영역은 상기 제1 쉐도우 마스크(200)에 의해 덮어질 수 있다. According to one embodiment, the first shadow mask 200 may be rotated at an angle of 90 degrees clockwise with respect to a normal line of the upper surface of the first shadow mask 200. Accordingly, the fourth region A ₄ of the base pattern 102 is exposed, and the remaining region except for the fourth region A ₄ can be covered by the first shadow mask 200.

도 1 내지 도 8을 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 제1 내지 제4 영역(A₁, A₂, A₃, A₄)에는 각각 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 상술된 방법을 이용하여 제공될 수 있다. 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 제공된 상기 베이스 기판(100)은, 상기 타겟 기판(300)과 접촉되어 상기 타겟 기판(300) 상에 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 동시에 전사될 수 있다. As described with reference to FIGS. 1 to 8, the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , and A _{4 are} formed in the first to fourth regions A ₁ , A ₂ , A ₃ , M ₃ , M ₄ ) may be provided using the above-described method. The base substrate 100 provided with the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ and M ₄ is brought into contact with the target substrate 300, 1 to the fourth functional material (M ₁ , M ₂ , M ₃ , and M ₄ ) may be simultaneously transferred.

도 10은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 방법에서, 제1 내지 제4 쉐도우 마스크가 서로 다른 경우를 나타내는 도면이고, 도 11는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 쉐도우 마스크의 영역별 두께 차이를 나타내는 도면이다. FIG. 10 is a view showing a case where first to fourth shadow masks are different in the method of manufacturing a multifunctional fine pattern according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a cross- FIG. 5 is a view showing the thickness difference of each region.

도 10을 참조하면, 상기 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 제공된 상기 베이스 기판(100)의 제조 방법에서, 상기 제1 내지 제4 쉐도우 마스크(200, 210, 220, 230)은 서로 다를 수 있다. 다시 말해, 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 제공된 상기 베이스 기판(100)은, 서로 다른 형상을 갖는 쉐도우 마스크들을 사용하여 제조될 수 있다.10, a method of manufacturing the base substrate 100 provided with the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ , and M ₄ described with reference to FIGS. 1 to 4 , And the first through fourth shadow masks 200, 210, 220, and 230 may be different from each other. In other words, the base substrate 100 provided with the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ , and M ₄ may be manufactured using shadow masks having different shapes.

구체적으로, 상기 제1 내지 제4 쉐도우 마스크(200, 210, 220, 230)는 각각 상기 제1 내지 제4 영역(A₁, A₂, A₃, A₄)과 마주보는 면이 개구부로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 베이스 기판(100) 상에 상기 제1 쉐도우 마스크(200)가 배치되는 경우, 상기 제1 영역(A1)은 노출되고 상기 제1 영역(A₁)을 제외한 나머지 영역은 상기 제1 쉐도우 마스크(200)로 덮어질 수 있다. 또한, 상기 베이스 기판(100) 상에 상기 제2 쉐도우 마스크(210)가 배치되는 경우, 상기 제2 영역(A₂)은 노출되고 상기 제2 영역(A₂)을 제외한 나머지 영역은 상기 제2 쉐도우 마스크(210)로 덮어질 수 있다. 또한, 상기 베이스 기판(100) 상에 상기 제3 쉐도우 마스크(220)가 배치되는 경우, 상기 제3 영역(A₃)은 노출되고 상기 제3 영역(A₃)을 제외한 나머지 영역은 상기 제3 쉐도우 마스크(220)로 덮어질 수 있다. 또한, 상기 베이스 기판(100) 상에 상기 제4 쉐도우 마스크(230)가 배치되는 경우, 상기 제4 영역(A₄)은 노출되고 상기 제4 영역(A₄)을 제외한 나머지 영역은 상기 제4 쉐도우 마스크(230)로 덮어질 수 있다.Specifically, the first to fourth shadow masks 200, 210, 220, and 230 are formed as openings on the surfaces facing the first to fourth regions A ₁ , A ₂ , A ₃ , and A ₄ , respectively. . Accordingly, when the arrangement of the first shadow mask 200 on the base substrate 100, the first area (A1) is exposed and the remaining regions excluding the first region (A ₁₎ is the first And can be covered with the shadow mask 200. In addition, when the second shadow mask 210 is disposed on the base substrate 100, the second region A ₂ is exposed and the remaining region except for the second region A ₂ is exposed to the second And can be covered with the shadow mask 210. In addition, when the third shadow mask 220 is disposed on the base substrate 100, the third region A ₃ is exposed and the remaining region except for the third region A ₃ is exposed to the third And can be covered with the shadow mask 220. In addition, when the fourth shadow mask 230 is disposed on the base substrate 100, the fourth region A ₄ is exposed and the remaining region except for the fourth region A ₄ is exposed to the fourth And can be covered with the shadow mask 230.

도 11을 참조하면, 상기 제2 쉐도우 마스크(210)는, 제1 부분 및 제2 부분을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 부분은 상기 제1 영역(A₁)을 덮는 부분일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제2 부분은 상기 제1 영역(A₁)을 제외한 영역을 덮는 부분일 수 있다. 상기 제1 부분의 두께(d₁)는 상기 제2 부분의 두께(d₂)보다 두꺼울 수 있다. Referring to FIG. 11, the second shadow mask 210 may include a first portion and a second portion. According to one embodiment, the first portion may be a part covering the first region (A _1). According to one embodiment, the second portion may be a portion covering an area except for the first area A ₁ . The thickness d ₁ of the first portion may be greater than the thickness d ₂ of the second portion.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 부분의 두께(d₁)와 상기 제2 부분의 두께(d₂) 차이는, 상기 제1 기능성 물질(A₁)의 두께와 같을 수 있다. 상기 제1 기능성 물질(A₁)의 두께는, 상기 베이스 기판(100)의 상부면으로부터 상기 제1 영역(A₁)의 돌출부 상에 제공된 상기 제1 기능성 물질까지의 높이(h₁) 및 상기 제1 영역(A₁)의 돌출부의 높이(h₂)의 차이와 같을 수 있다. 즉, 상기 제2 쉐도우 마스크(210)는, 상기 제1 영역(A₁)을 제외한 영역과 마주보는 부분이 상기 제1 영역(A₁)과 마주보는 부분보다 더 두꺼울 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 쉐도우 마스크(210)는, 상기 제1 기능성 물질을 훼손하지 않고, 상기 베이스 기판(100) 상에 용이하게 배치될 수 있다. 이 뿐만 아니라, 상기 제1 부분의 두께(d₁)가 상기 제2 부분의 두께(d₂)보다 두꺼움에 따라, 상기 제2 쉐도우 마스크(210)는, 상기 베이스 기판(100) 상에 평평하게 제공될 수 있다. According to one embodiment, the thickness (d ₂₎ the difference between the thickness (d ₁₎ of the first section and the second section, may be the same as the thickness of the first functional material (A _1). The thickness of the first functional material A ₁ is determined by the height h ₁ from the top surface of the base substrate 100 to the first functional material provided on the protrusion of the first region A ₁ , May be equal to the difference of the height (h ₂ ) of the protrusion of the first region (A ₁ ). That is, the second shadow mask 210 may be thicker than a portion of the second shadow mask 210 that faces the region except for the first region A ₁ , which portion faces the first region A ₁ . Accordingly, the second shadow mask 210 can be easily disposed on the base substrate 100 without damaging the first functional material. In addition, the second shadow mask 210 may be flat on the base substrate 100 as the thickness d ₁ of the first portion is thicker than the thickness d ₂ of the second portion Can be provided.

또한, 상기 제3 쉐도우 마스크(220)는, 상기 제2 영역(A₂)과 마주보는 부분의 두께와 상기 제2 영역(A₂)을 제외한 영역과 마주보는 부분의 두께가 서로 다를 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제2 영역(A₂)과 마주보는 상기 제3 쉐도우 마스크(220)의 부분의 두께 및 상기 제2 영역(A₂)을 제외한 영역과 마주보는 상기 제3 쉐도우 마스크(220)의 부분의 두께의 차이는, 상기 제2 기능성 물질의 두께와 같을 수 있다. In addition, the third shadow mask 220, there is the the thickness of the portion facing the second region (A ₂₎ and the thickness of the facing portion and the second, except for the area (A ₂₎ area may be different from each other. According to one embodiment, the second and the third shadow mask opposed to the second area (A ₂₎ and part thickness and the region except for the second area (A ₂₎ of the third shadow mask 220 facing ( 220 may be the same as the thickness of the second functional material.

또한, 상기 제4 쉐도우 마스크(230)는, 상기 제3 영역(A₃)과 마주보는 부분의 두께와 상기 제3 영역(A₃)을 제외한 영역과 마주보는 부분의 두께가 서로 다를 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제3 영역(A₃)과 마주보는 상기 제4 쉐도우 마스크(230)의 부분의 두께 및 상기 제3 영역(A₃)을 제외한 영역과 마주보는 상기 제4 쉐도우 마스크(230)의 부분의 두께의 차이는, 상기 제3 기능성 물질의 두께와 같을 수 있다. 이에 따라, 상기 제3 쉐도우 마스크(220) 및 상기 제4 쉐도우 마스크(230)는, 각각 상기 제2 기능성 물질 및 제3 기능성 물질을 훼손하지 않고, 상기 베이스 기판(100) 상에 용이하게 배치될 수 있다. 이 뿐만 아니라, 상기 제3 쉐도우 마스크(220) 및 상기 제4 쉐도우 마스크(230)는, 각각 부분별로 두께가 차이남에 따라, 상기 베이스 기판(100) 상에 평평하게 제공될 수 있다. Further, the fourth shadow mask 230, and the third area (A ₃₎ and the thickness of the facing portion and the second thickness of the portion opposed to the area other than the third area (A ₃₎ be different from each other. According to one embodiment, the third area (A ₃₎ and facing the fourth and the fourth shadow mask opposed to the part thickness and the region except for the third region (A ₃₎ of the shadow mask 230 ( 230 may be the same as the thickness of the third functional material. Accordingly, the third shadow mask 220 and the fourth shadow mask 230 can be easily disposed on the base substrate 100 without damaging the second functional material and the third functional material, respectively . In addition, the third shadow mask 220 and the fourth shadow mask 230 may be provided flat on the base substrate 100, as the thickness of the third shadow mask 220 and the fourth shadow mask 230 are different from each other.

본 발명의 제2 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 방법이 도 12 내지 도 15를 참조하여 설명된다. A method of manufacturing a multifunctional fine pattern according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 12 to 15. FIG.

도 12는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 방법을 설명하는 순서도이고, 도 11a 내지 도 11c는 쉐도우 마스크의 개구부를 덮는 제1 내지 제3 보조 마스크가 사용된 본 발명의 제2 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 공정을 나타내는 도면들이다. FIG. 12 is a flowchart for explaining a method of manufacturing a multifunctional fine pattern according to a second embodiment of the present invention, and FIGS. 11A to 11C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a multifunctional fine pattern according to a second embodiment of the present invention using first to third auxiliary masks covering the openings of the shadow mask. 2 is a view showing a manufacturing process of a multifunctional fine pattern according to an embodiment of the present invention.

도 12 및 도 13a를 참조하면, 베이스 패턴(102)이 형성된 베이스 기판(100)이 준비될 수 있다(S210). 상기 베이스 기판(100)은, 상기 제1 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 방법에서 상술된 바와 같이 준비될 수 있다. 12 and 13A, a base substrate 100 on which a base pattern 102 is formed may be prepared (S210). The base substrate 100 may be prepared as described above in the method of manufacturing the multifunctional fine pattern according to the first embodiment.

상기 베이스 기판(100) 상에 쉐도우 마스크(500)가 배치될 수 있다(S220). 일 실시 예에 따르면, 상기 쉐도우 마스크(500)는 제1 내지 제3 개구부를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 내지 제3 개구부는, 상기 베이스 패턴(102)의 상기 제1 내지 제3 영역(A₁, A₂, A₃) 상에 각각 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 내지 제3 개구부는, 상기 베이스 패턴(102)의 제1 내지 제3 영역(A₁, A₂, A₃)을 각각 노출시킬 수 있다. 또한, 상기 쉐도우 마스크(500)는 상기 제1 내지 제3 영역(A₁, A₂, A₃)을 제외한 나머지 영역을 덮을 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 내지 제3 영역(A₁, A₂, A₃)은, 상기 베이스 기판(100) 상의 서로 다른 영역일 수 있다. A shadow mask 500 may be disposed on the base substrate 100 (S220). According to one embodiment, the shadow mask 500 may include first to third openings. According to one embodiment, the first to third openings may be respectively disposed on the first to third regions A ₁ , A ₂ , A _{3 of} the base pattern 102. Accordingly, the first to third openings may expose the first to third regions A ₁ , A ₂ , and A _{3 of} the base pattern 102, respectively. Also, the shadow mask 500 may cover the remaining regions except for the first to third regions A ₁ , A ₂ , and A ₃ . According to one embodiment, the first to third regions A ₁ , A ₂ , and A ₃ may be different regions on the base substrate 100.

상기 쉐도우 마스크(500) 상에 제1 보조 마스크(600)가 배치될 수 있다(S230). 일 실시 예에 따르면, 상기 쉐도우 마스크(500) 상에 상기 제1 보조 마스크(600)가 복수개 배치될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 보조 마스크(600)는 상기 제2 영역(A₂) 및 상기 제3 영역(A₃) 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 보조 마스크(600)는 상기 베이스 패턴(102)의 상기 제1 영역(A₁)을 노출시키고, 상기 제2 영역(A₂) 및 상기 제3 영역(A₃)을 덮을 수 있다. 노출된 상기 제1 영역(A₁) 상에 제1 기능성 물질(M₁)이 제공될 수 있다(S240). A first auxiliary mask 600 may be disposed on the shadow mask 500 (S230). According to one embodiment, a plurality of the first auxiliary masks 600 may be disposed on the shadow mask 500. According to one embodiment, the first auxiliary mask 600 may be disposed on the second region A ₂ and the third region A ₃ . The first auxiliary mask 600 exposes the first area A ₁ of the base pattern 102 and covers the second area A ₂ and the third area A ₃ , . The first functional material M ₁ may be provided on the exposed first region A ₁ (S240).

도 12 및 도 13b를 참조하면, 노출된 상기 제1 영역(A₁) 상에 상기 제1 기능성 물질(M₁)이 제공된 후, 상기 쉐도우 마스크(500)로부터 상기 제1 보조 마스크(600)가 제거될 수 있다(S250). 12 and 13B, after the first functional material M ₁ is provided on the exposed first region A ₁ , the first auxiliary mask 600 is removed from the shadow mask 500, (S250).

상기 쉐도우 마스크(500)로부터 상기 제1 보조 마스크(600)가 제거된 후, 상기 쉐도우 마스크(500) 상에 제2 보조 마스크(610)가 배치될 수 있다(S260). 일 실시 예에 따르면, 상기 쉐도우 마스크(500) 상에 상기 제2 보조 마스크(610)가 복수개 배치될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제2 보조 마스크(610)는 상기 제1 영역(A₁) 및 상기 제3 영역(A₃) 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 보조 마스크(610)는 상기 베이스 패턴(102)의 상기 제2 영역(A₂)을 노출시키고, 상기 제1 영역(A₁) 및 상기 제3 영역(A₃)을 덮을 수 있다. 노출된 상기 제2 영역(A₂) 상에 제2 기능성 물질(M₂)이 제공될 수 있다(S270).After the first auxiliary mask 600 is removed from the shadow mask 500, a second auxiliary mask 610 may be disposed on the shadow mask 500 (S260). According to one embodiment, a plurality of the second auxiliary masks 610 may be disposed on the shadow mask 500. According to one embodiment, the second auxiliary mask 610 may be disposed on the first area A ₁ and the third area A ₃ . The second auxiliary mask 610 exposes the second area A ₂ of the base pattern 102 and covers the first area A ₁ and the third area A ₃ . Can be provided with a second functional material (M ₂₎ on the exposed second region (A ₂₎ (S270).

도 12 및 도 13c를 참조하면, 노출된 상기 제2 영역(A₂) 상에 상기 제2 기능성 물질(M₂)이 제공된 후, 상기 쉐도우 마스크(500)로부터 상기 제2 보조 마스크(600)가 제거될 수 있다(S280). 12 and 13C, after the second functional material M ₂ is provided on the exposed second region A ₂ , the second auxiliary mask 600 is transferred from the shadow mask 500 (S280).

상기 쉐도우 마스크(500)로부터 상기 제2 보조 마스크(610)가 제거된 후, 상기 쉐도우 마스크(500) 상에 제3 보조 마스크(620)가 배치될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 쉐도우 마스크(500) 상에 상기 제3 보조 마스크(620)가 복수개 배치될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제3 보조 마스크(620)는 상기 제1 영역(A₁) 및 상기 제2 영역(A₂) 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제3 보조 마스크(620)는 상기 베이스 패턴(102)의 상기 제3 영역(A₃)을 노출시키고, 상기 제1 영역(A₁) 및 상기 제2 영역(A₂)을 덮을 수 있다. 노출된 상기 제3 영역(A₃) 상에 제3 기능성 물질(M₃)이 제공될 수 있다.After the second auxiliary mask 610 is removed from the shadow mask 500, a third auxiliary mask 620 may be disposed on the shadow mask 500. According to one embodiment, a plurality of the third auxiliary masks 620 may be disposed on the shadow mask 500. According to one embodiment, the third auxiliary mask 620 may be disposed on the first area A ₁ and the second area A ₂ . The third auxiliary mask 620 exposes the third area A ₃ of the base pattern 102 and covers the first area A ₁ and the second area A ₂ . The third functional material M ₃ may be provided on the exposed third region A ₃ .

도 13a 내지 도 13c를 참조하여 설명된 상기 제1 내지 제3 보조 마스크(600, 610, 620)와 달리, 상기 쉐도우 마스크(500)의 일부 개구부를 덮고, 일부 개구부는 노출하는 보조 개구부를 갖는 상기 제1 내지 제3 보조 마스크(600, 610, 620)를 이용하여, 노출된 상기 제1 내지 제3 영역(A₁, A₂, A₃) 상에 상기 제1 내지 제3 기능성 물질(M₁, M₂, M₃)이 제공되는 방법이 도 14a 내지 도 14c를 참조하여 설명된다. Unlike the first to third auxiliary masks 600, 610, and 620 described with reference to FIGS. 13A to 13C, the shadow mask 500 covers a part of the opening, and a part of the opening has a sub- The first to third functional materials M ₁ , A ₂ , and A _{3 are} formed on the exposed first to third regions A ₁ , A ₂ , and A ₃ using the first to third auxiliary masks 600, 610, and 620, , M ₂ , and M ₃ ) are provided will be described with reference to FIGS. 14A to 14C.

도 14a 내지 도 14c는 보조 개구부를 포함하는 제1 내지 제3 보조 마스크가 사용된 본 발명의 제2 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 공정을 나타내는 도면들이다. FIGS. 14A to 14C are views showing a manufacturing process of a multifunctional fine pattern according to a second embodiment of the present invention in which first to third auxiliary masks including auxiliary openings are used. FIG.

도 14a 내지 도 14c를 참조하면, 상기 제1 내지 제3 보조 마스크(600, 610, 620)는 각각 보조 개구부(600a, 600b, 600c)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 보조 마스크(600)의 상기 보조 개구부(600a)는, 상기 제1 영역(A₁) 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 보조 마스크(600)는, 상기 제1 영역(A₁)을 노출시키고, 상기 제2 영역(A₂) 및 상기 제3 영역(A₃)을 덮을 수 있다. Referring to FIGS. 14A to 14C, the first to third auxiliary masks 600, 610 and 620 may include auxiliary openings 600a, 600b and 600c, respectively. According to one embodiment, the secondary opening (600a) of the first auxiliary mask 600 may be disposed on the first region (A _1). Accordingly, the first auxiliary mask 600 may expose the first region A ₁ and cover the second region A ₂ and the third region A ₃ .

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 보조 마스크(610)의 상기 보조 개구부(610a)는, 상기 제2 영역(A₂) 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 보조 마스크(610)는, 상기 제2 영역(A₂)을 노출시키고, 상기 제1 영역(A₁) 및 상기 제3 영역(A₃)을 덮을 수 있다. According to one embodiment, the secondary opening (610a) of the second auxiliary mask 610 may be disposed on the second area (A _2). Accordingly, the second auxiliary mask 610 may expose the second area A ₂ and cover the first area A ₁ and the third area A ₃ .

일 실시 예에 따르면, 상기 제3 보조 마스크(620)의 상기 보조 개구부(620a)는, 상기 제3 영역(A₃) 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제3 보조 마스크(620)는, 상기 제3 영역(A₃)을 노출시키고, 상기 제1 영역(A₁) 및 상기 제2 영역(A₂)을 덮을 수 있다.According to one embodiment, the auxiliary opening 620a of the third auxiliary mask 620 may be disposed on the third area A ₃ . Accordingly, the third auxiliary mask 620 may expose the third area A ₃ and cover the first area A ₁ and the second area A ₂ .

도 15는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 전사 공정을 나타내는 도면이다. 15 is a view showing a transfer process of a multifunctional fine pattern according to the second embodiment of the present invention.

도 15의 (a)를 참조하면, 상기 베이스 기판(100)으로부터 상기 쉐도우 마스크(500) 및 상기 제3 보조 마스크(620)가 제거되어, 상기 제1 내지 제3 기능성 물질(M₁, M₂, M₃)이 상기 베이스 패턴(102)의 상기 제1 내지 제3 영역(A₁, A₂, A₃)에 각각 제공된 상기 베이스 기판(100)이 제조될 수 있다. 15 (a), the shadow mask 500 and the third auxiliary mask 620 are removed from the base substrate 100, and the first to third functional materials M ₁ and M ₂ And M _{3 are} provided on the first to third regions A ₁ , A ₂ and A ₃ of the base pattern 102, respectively.

도 12 및 도 15의 (b)를 참조하면, 상기 제1 내지 제3 기능성 물질(M₁, M₂, M₃)은 동시에 타겟 기판(300) 상에 전사될 수 있다(S290). 상기 제1 내지 제3 기능성 물질(M₁, M₂, M₃)은, 상기 제1 내지 제3 기능성 물질(M₁, M₂, M₃)이 제공된 상기 베이스 기판(100)과 상기 타겟 기판(300)이 접촉되어 전사될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 내지 제3 기능성 물질(M₁, M₂, M₃)이 전사된 상기 타겟 기판(300)이 제공될 수 있다. Referring to FIGS. 12 and 15 (b), the first to third functional materials M ₁ , M ₂ and M ₃ may be simultaneously transferred onto the target substrate 300 (S 290). The first to third functional materials M ₁ , M ₂ and M ₃ are formed on the base substrate 100 provided with the first to third functional materials M ₁ , M ₂ and M ₃ , (300) can be contacted and transferred. Accordingly, the target substrate 300 to which the first to third functional materials M ₁ , M ₂ , and M ₃ are transferred may be provided.

도 16은 본 발명의 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 방법의 다양한 활용 방법을 나타내는 도면이다.16 is a view showing various methods of utilizing the method for producing a multifunctional fine pattern according to an embodiment of the present invention.

도 16의 (a)를 참조하면, 상기 타겟 기판(300) 상에 서로 다른 특성을 갖는 기능성 물질 9개가 동시에 전사될 수 있다. 상기 제1 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 방법에서, 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 상기 타겟 기판(300) 상에 동시에 전사되는 것을 설명하였지만, 상기 타겟 기판(300) 상에 동시에 전사되는 서로 다른 특성을 갖는 기능성 물질의 개수는 제한되지 않는다. Referring to FIG. 16 (a), nine functional materials having different characteristics may be simultaneously transferred onto the target substrate 300. In the method of manufacturing a multifunctional fine pattern according to the first embodiment, it is described that the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ , and M ₄ are simultaneously transferred onto the target substrate 300 However, the number of functional materials having different characteristics to be transferred onto the target substrate 300 at the same time is not limited.

도 16의 (b)를 참조하면, 상기 타겟 기판(300) 상에 서로 다른 특성을 갖는 기능성 물질들은 적층될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 타겟 기판(300) 상에 서로 다른 특성을 갖는 기능성 물질들을 적층하는 단계는, 상기 실시 예에 따라 제조된 서로 다른 특성을 갖는 기능성 물질들이 제공된 상기 베이스 기판(100)을 준비하는 단계, 서로 다른 특성을 갖는 기능성 물질들이 제공된 상기 베이스 기판(100)을 상기 타겟 기판(300)과 접촉시키는 단계, 상기 타겟 기판(300)으로부터 상기 베이스 기판(100)을 제거하는 단계, 서로 다른 특성을 갖는 기능성 물질들이 전사된 상기 타겟 기판(300) 상에 서로 다른 특성을 갖는 기능성 물질들이 제공된 상기 베이스 기판(100)을 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 타겟 기판(300) 상에 서로 다른 특성을 갖는 기능성 물질들이 적층될 수 있다. Referring to FIG. 16 (b), functional materials having different characteristics may be stacked on the target substrate 300. According to one embodiment, the step of laminating the functional materials having different characteristics on the target substrate 300 may include the steps of laminating the base substrate 100 provided with the functional materials having different characteristics, A step of contacting the base substrate 100 provided with functional materials having different characteristics to the target substrate 300, a step of removing the base substrate 100 from the target substrate 300, And contacting the base substrate 100 provided with functional materials having different characteristics on the target substrate 300 onto which the functional materials having different characteristics are transferred. Accordingly, functional materials having different characteristics can be stacked on the target substrate 300. [

도 17은 본 발명의 실시 예에 따라 제조된 다기능 미세 패턴이 사용된 다양한 어플리케이션을 나타내는 도면이다.17 is a diagram illustrating various applications using multifunctional fine patterns fabricated in accordance with embodiments of the present invention.

도 17의 (a)를 참조하면, 상기 실시 예에 따라 제조된 다기능 미세 패턴은, 센서에 사용될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 실시 예에 따라 제조된 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 제공된 상기 베이스 기판(100), 및 IDE(Inter Digital Electrode) 패턴(310)이 형성된 상기 타겟 기판(300)이 준비될 수 있다. 상기 실시 예에 따라 제조된 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 제공된 상기 베이스 기판(100)은 상기 IDE 패턴(310)이 형성된 상기 타겟 기판(300)과 접촉되어, 상기 IDE 패턴(310) 상에 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 전사될 수 있다. Referring to FIG. 17 (a), a multifunctional fine pattern manufactured according to the above embodiment can be used for a sensor. According to one embodiment, the base substrate 100 provided with the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ , and M ₄ manufactured according to the embodiment, and the IDE (Inter Digital Electrode) The target substrate 300 on which the pattern 310 is formed may be prepared. The base substrate 100 provided with the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ and M ₄ manufactured according to the embodiment can be formed on the target substrate 300 The first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ , and M ₄ may be transferred onto the IDE pattern 310.

상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 전사된 상기 타겟 기판(300)은, 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 서로 다른 특성을 갖는 다양한 물질들로 구성됨에 따라, 다양한 센서로 사용될 수 있다. The target substrate 300 to which the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ and M ₄ have been transferred is the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ , M ₄ ) are composed of various materials having different characteristics, they can be used as various sensors.

도 17의 (b)를 참조하면, 상기 실시 예에 따라 제조된 다기능 미세 패턴은, 메모리 소자에 사용될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 실시 예에 따라 제조된 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 제공된 상기 베이스 기판(100), 상기 타겟 기판(300), 금속 패턴(330)이 형성된 반도체 기판(320), 및 AFM 팁(tip)이 준비될 수 있다. 예를 들어 상기 금속은 백금(Pt)일 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 기판(320)은, SiO₂ 기판일 수 있다.Referring to FIG. 17 (b), the multifunctional fine pattern manufactured according to this embodiment can be used in a memory device. According to one embodiment, the base substrate 100, the target substrate 300, and the second substrate 300 provided with the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ , and M _{4 manufactured} according to the above- A semiconductor substrate 320 on which the metal pattern 330 is formed, and an AFM tip may be prepared. For example, the metal may be platinum (Pt). For example, the semiconductor substrate 320 may be a SiO ₂ substrate.

일 실시 예에 따르면, 상기 금속 패턴(330)이 형성된 상기 반도체 기판(320)은, 상기 타겟 기판(300) 상에 배치될 수 있다. 상기 실시 예에 따라 제조된 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 제공된 상기 베이스 기판(100)은 상기 금속 패턴(330)이 형성된 상기 반도체 기판(320)과 접촉되어, 상기 금속 패턴(330) 상에 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)이 전사될 수 있다.According to one embodiment, the semiconductor substrate 320 on which the metal pattern 330 is formed may be disposed on the target substrate 300. The base substrate 100 provided with the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ and M ₄ manufactured according to the above-described embodiment is formed on the semiconductor substrate 320 The first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ , and M ₄ may be transferred onto the metal pattern 330.

이 뿐만 아니라, 상기 실시 예들에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 방법으로 형성된 상기 제1 내지 제4 기능성 물질(M₁, M₂, M₃, M₄)은, 다양한 소자(device)에 적용될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 소자는, 센서, 저항 메모리, 상변화 메모리, 히팅 전극(heating electrode), 감지 전극, 또는 촉매를 포함할 수 있다.In addition, the first to fourth functional materials M ₁ , M ₂ , M ₃ , and M ₄ formed in the method for manufacturing a multifunctional fine pattern according to the above embodiments can be applied to various devices. According to one embodiment, the device may comprise a sensor, a resistance memory, a phase change memory, a heating electrode, a sensing electrode, or a catalyst.

이하, 상기 실시 예에 따른 다기능 미세 패턴의 제조 방법에 대한 구체적인 특성 평가 결과가 설명된다. Hereinafter, the results of evaluation of specific characteristics of the method for producing a multifunctional fine pattern according to the above embodiments will be described.

도 18은 본 발명의 제1 실시 예에 따라 제조된 다기능 미세 패턴을 촬영한 사진이다. 18 is a photograph of a multifunctional fine pattern produced according to the first embodiment of the present invention.

도 18의 (a) 내지 (d)를 참조하면, 도 1 내지 도 5를 참조하여 상술된 방법에 따라 다기능 미세 패턴을 제조하되, 라인(line) 패턴을 갖는 베이스 기판 상에 제1 기능성 물질로 GST, 제2 기능성 물질로 백금(Pt), 제3 기능성 물질로 알루미늄 산화물(AlO_x), 제4 기능성 물질로 실리콘 산화물(SiO_x)을 증착시키고, 이를 타겟 기판 상에 동시에 전사한 뒤 사진촬영 하였다. 도 18의 (a) 내지 (d)에서 알 수 있듯이, 상기 타겟 기판 상에 GST, 백금, 알루미늄 산화물, 및 실리콘 산화물이 동시에 전사된 것을 확인할 수 있었다. 18 (a) to 18 (d), a multifunctional fine pattern is manufactured according to the method described above with reference to FIGS. 1 to 5, except that a first functional material is formed on a base substrate having a line pattern (Pt) as the second functional material, aluminum oxide (AlO _x ) as the third functional material, and silicon oxide (SiO _x ) as the fourth functional material are deposited on the target substrate at the same time, Respectively. 18 (a) to 18 (d), it was confirmed that GST, platinum, aluminum oxide, and silicon oxide were simultaneously transferred onto the target substrate.

도 19 및 도 20은 본 발명의 제1 실시 예에 따라 제조된 다기능 미세 패턴의 패턴 형상을 촬영한 사진이다. 19 and 20 are photographs of a pattern shape of a multifunctional fine pattern manufactured according to the first embodiment of the present invention.

도 19의 (a)를 참조하면, 도 18을 참조하여 상술된 GST, 백금, 알루미늄 산화물, 및 실리콘 산화물이 동시에 전사된 타겟 기판을 사진촬영 하였다. 도 19의 (a)에서 알 수 있듯이, 상기 타겟 기판 상의 GST, 백금, 알루미늄 산화물, 및 실리콘 산화물은, 라인 패턴을 갖는 것을 확인할 수 있었다. Referring to FIG. 19 (a), the target substrate onto which the GST, platinum, aluminum oxide, and silicon oxide described above with reference to FIG. 18 were simultaneously transferred was photographed. As shown in FIG. 19 (a), it was confirmed that GST, platinum, aluminum oxide, and silicon oxide on the target substrate had a line pattern.

도 19의 (b)를 참조하면, 도 18을 참조하여 상술된 GST, 백금, 알루미늄 산화물, 및 실리콘 산화물이 동시에 전사된 타겟 기판을 도 8을 참조하여 상술된 방법으로, 라인 패턴을 갖는 컨트롤 기판과 접촉시켜, 타겟 기판 상에 전사된 GST, 백금, 알루미늄 산화물, 및 실리콘 산화물의 패턴 형상을 변화시켰다. 도 19의 (b)에서 알 수 있듯이, 상기 타겟 기판 상의 GST, 백금, 알루미늄 산화물, 및 실리콘 산화물은, cross-bar 패턴을 갖는 것을 확인할 수 있었다. Referring to FIG. 19 (b), the target substrate onto which the GST, platinum, aluminum oxide, and silicon oxide are simultaneously transferred as described above with reference to FIG. 18 is transferred to a control substrate To change the pattern shape of GST, platinum, aluminum oxide, and silicon oxide transferred onto the target substrate. As can be seen from FIG. 19 (b), it was confirmed that GST, platinum, aluminum oxide, and silicon oxide on the target substrate had a cross-bar pattern.

도 20의 (a) 내지 (d)를 참조하면, 도 19의 (b)를 참조하여 설명된 변형된 패턴 형상을 갖는 타겟 기판을 SEM(scanning electron microscope)촬영 하였다. 도 20의 (a) 내지 (d)에서 알 수 있듯이, 상기 타겟 기판 상의 GST, 백금, 알루미늄 산화물, 및 실리콘 산화물은, cross-bar 패턴을 갖는 것을 확인할 수 있었다.Referring to FIGS. 20A to 20D, a target substrate having a modified pattern shape described with reference to FIG. 19B was scanned by a scanning electron microscope (SEM). 20 (a) to (d), it was confirmed that GST, platinum, aluminum oxide, and silicon oxide on the target substrate had a cross-bar pattern.

도 21 및 도 22는 본 발명의 제2 실시 예에 따라 제조된 다기능 미세 패턴을 촬영한 사진이다. FIGS. 21 and 22 are photographs of a multifunctional fine pattern produced according to the second embodiment of the present invention.

도 21의 (a) 내지 (c)를 참조하면, 도 12 내지 도 15를 참조하여 상술된 방법에 따라 다기능 미세 패턴을 제조하되, 라인 패턴을 갖는 베이스 기판 상에 제1 기능성 물질로 티타늄 산화물(TiO₂), 제2 기능성 물질로 니켈(Ni), 제3 기능성 물질로 크롬(Cr)을 증착시키고 사진촬영 하였다. 21 (a) to 21 (c), a multifunctional fine pattern is manufactured according to the method described above with reference to FIGS. 12 to 15, except that titanium oxide ( TiO ₂ ), nickel (Ni) as a second functional material, and chromium (Cr) as a third functional material.

도 21의 (a)에서 알 수 있듯이, 라인 패턴의 제2 영역 상에 니켈(Ni)이 증착된 것을 확인할 수 있었다. 도 21의 (b)에서 알 수 있듯이, 라인 패턴의 제1 영역 상에 티타늄 산화물(TiO₂)이 증착된 것을 확인할 수 있었다. 도 21의 (c)에서 알 수 있듯이, 라인 패턴의 제3 영역 상에 크롬(Cr)이 증착된 것을 확인할 수 있었다. As can be seen from FIG. 21 (a), it was confirmed that nickel (Ni) was deposited on the second region of the line pattern. As can be seen from FIG. 21 (b), it was confirmed that titanium oxide (TiO ₂ ) was deposited on the first region of the line pattern. As shown in FIG. 21 (c), it was confirmed that chromium (Cr) was deposited on the third region of the line pattern.

도 22의 (a) 및 (b)를 참조하면, 도 21을 참조하여 설명된 티타늄 산화물(TiO₂), 니켈(Ni), 및 크롬(Cr)이 증착된 베이스 기판 및 티타늄 산화물(TiO₂), 니켈(Ni), 및 크롬(Cr)이 전사된 타겟 기판을 사진 촬영하였다. 22A and 22B, a base substrate on which titanium oxide (TiO ₂ ), nickel (Ni), and chromium (Cr) are deposited and titanium oxide (TiO ₂ ) , Nickel (Ni), and chromium (Cr) were transferred onto the target substrate.

도 22의 (a) 및 (b)에서 알 수 있듯이, 티타늄 산화물(TiO₂), 니켈(Ni), 및 크롬(Cr)이 증착된 베이스 기판과 타겟 기판을 접촉하여 전사시키는 경우, 상기 타겟 기판 상에 티타늄 산화물(TiO₂), 니켈(Ni), 및 크롬(Cr)이 동시에 전사된 것을 확인할 수 있었다. 22 (a) and 22 (b), when a base substrate on which titanium oxide (TiO ₂ ), nickel (Ni), and chromium (Cr) It was confirmed that titanium oxide (TiO ₂ ), nickel (Ni), and chromium (Cr) were transferred at the same time.

도 23은 본 발명의 제2 실시 예에 따라 제조된 다기능 미세 패턴의 패턴 형상을 촬영한 사진이다. 23 is a photograph of a pattern shape of a multifunctional fine pattern manufactured according to the second embodiment of the present invention.

도 23의 (a)를 참조하면, 도 22를 참조하여 설명된 티타늄 산화물(TiO₂), 니켈(Ni), 및 크롬(Cr)이 전사된 타겟 기판을 사진 촬영하였다. 도 23의 (b) 내지 (d)를 참조하면, 도 22를 참조하여 설명된 티타늄 산화물(TiO₂), 니켈(Ni), 및 크롬(Cr)이 전사된 타겟 기판을 SEM 촬영하였다. 도 23의 (b) 내지 (d)에서 알 수 있듯이, 타겟 기판 상에 전사된 티타늄 산화물(TiO₂), 니켈(Ni), 및 크롬(Cr)은 라인 패턴 형상을 갖는 것을 확인할 수 있었다. Referring to FIG. 23A, a target substrate on which titanium oxide (TiO ₂ ), nickel (Ni), and chromium (Cr) are transferred as described with reference to FIG. 22 was photographed. Referring to FIGS. 23B to 23D, SEM photographs of the target substrate onto which the titanium oxide (TiO ₂ ), nickel (Ni), and chromium (Cr) are transferred as described with reference to FIG. 23 (b) to (d), it was confirmed that the titanium oxide (TiO ₂ ), nickel (Ni), and chromium (Cr) transferred onto the target substrate had a line pattern shape.

이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the scope of the present invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It will also be appreciated that many modifications and variations will be apparent to those skilled in the art without departing from the scope of the present invention.

100: 베이스 기판
102: 베이스 패턴
A₁, A₂, A₃, A₄: 제1 영역, 제2 영역, 제3 영역, 제4 영역
M₁, M₂, M₃, M₄: 제1 기능성 물질, 제2 기능성 물질, 제3 기능성 물질, 제4 기능성 물질
O₁, O₂, O₃, O₄, O₅: 제1 중첩 영역, 제2 중첩 영역, 제3 중첩 영역, 제4 중첩 영역, 제5 중첩 영역
200, 210, 220, 230: 제1 쉐도우 마스크, 제2 쉐도우 마스크, 제3 쉐도우 마스크, 제4 쉐도우 마스크
300: 타겟 기판
310: IDE 패턴
320: 반도체 기판
330: 금속 패턴
340: AFM tip
400: 컨트롤 기판
402: 컨트롤 패턴
500: 쉐도우 마스크
600, 600a: 제1 보조 마스크, 제1 보조 마스크의 개구부
610, 610a: 제2 보조 마스크, 제2 보조 마스크의 개구부
620, 620a: 제3 보조 마스크, 제3 보조 마스크의 개구부100: Base substrate
102: base pattern
A ₁ , A ₂ , A ₃ , A ₄ : a first area, a second area, a third area, a fourth area
M ₁ , M ₂ , M ₃ , and M ₄ : a first functional material, a second functional material, a third functional material, a fourth functional material
O ₁ , O ₂ , O ₃ , O ₄ , O ₅ : a first overlap region, a second overlap region, a third overlap region, a fourth overlap region,
200, 210, 220, 230: a first shadow mask, a second shadow mask, a third shadow mask, a fourth shadow mask
300: target substrate
310: IDE pattern
320: semiconductor substrate
330: metal pattern
340: AFM type
400: Control board
402: Control pattern
500: Shadow mask
600, 600a: a first auxiliary mask, an opening of the first auxiliary mask
610, 610a: a second auxiliary mask, an opening of the second auxiliary mask
620, 620a: a third auxiliary mask, an opening of the third auxiliary mask

Claims

Preparing a base substrate on which a base pattern is formed;
Disposing a first shadow mask on the base substrate exposing a first region of the base pattern and covering a remaining region except for the first region;
Providing a first functional material on the exposed first region;
Removing the first shadow mask from the base substrate;
Disposing a second shadow mask on the base substrate exposing a second region of the base pattern and covering an area other than the second region;
Providing a second functional material having different properties from the first functional material on the exposed second region;
Removing the second shadow mask from the base substrate;
Contacting the base substrate provided with the first and second functional materials with a target substrate, and simultaneously transferring the first and second functional materials onto the target substrate; And
Contacting the target substrate provided with the first and second functional materials with a control substrate on which a control pattern is formed to deform the shape of the first and second functional materials transferred onto the target substrate,
The convex portion of the first and second functional materials and at least a part of the convex portion of the control pattern are brought into contact with each other,
Wherein the concave portion of the first and second functional materials and at least a part of the concave portion of the control pattern are in contact with each other so as to overlap with each other.

The method according to claim 1,
Wherein the first region and the second region are different regions on the base substrate.

The method according to claim 1,
Wherein the first shadow mask and the second shadow mask are identical to each other.

The method of claim 3,
Wherein the first shadow mask comprises an opening.

5. The method of claim 4,
Wherein the step of disposing the first shadow mask on the base substrate comprises:
Wherein the opening of the first shadow mask is disposed on the first region,
Wherein the step of disposing the second shadow mask on the base substrate comprises:
And the opening of the second shadow mask is disposed on the second region.

The method according to claim 1,
Wherein the first shadow mask and the second shadow mask are different from each other.

The method according to claim 6,
Wherein the second shadow mask comprises a first portion and a second portion that is thicker than the first portion,
Wherein the first portion covers the first region, and the second portion covers an area except for the first region.

8. The method of claim 7,
Wherein the difference in thickness between the first portion and the second portion includes the same thickness as the first functional material.

delete

The method according to claim 1,
The step of preparing the base substrate, on which the base pattern is formed,
Preparing a master substrate including a master pattern;
Providing a soft material on the master substrate; And
And separating the malleable material from the master substrate to produce the base substrate including the base pattern having a reverse phase of the master pattern.

The method according to claim 1,
Wherein the first and second shadow masks are made of a material having a hardness lower than that of the first and second functional materials.

A device to which the first and second functional materials formed by the method for manufacturing a multifunctional fine pattern according to claim 1 are applied,
A sensor, a resistance memory, a phase change memory, a heating electrode, a sensing electrode, or a catalyst.

Preparing a base substrate on which a base pattern is formed;
A shadow mask including first and second openings exposing the first and second regions of the base pattern and covering the remaining regions except for the first and second regions is disposed on the base substrate step;
Disposing a first auxiliary mask on the base substrate exposing a first region of the base pattern and covering the second region;
Providing a first functional material on the exposed first region;
Removing the first auxiliary mask from the shadow mask;
Disposing a second auxiliary mask on the base substrate exposing a second region of the base pattern and covering the first region;
Providing a second functional material on the exposed second region;
Removing the second auxiliary mask from the shadow mask; And
And transferring the first and second functional materials simultaneously onto the target substrate by bringing the base substrate provided with the first and second functional materials into contact with the target substrate,
Wherein the step of disposing the shadow mask on the base substrate comprises:
Wherein the first and second openings of the shadow mask are disposed on the first and second regions, respectively,
Wherein the step of disposing the first auxiliary mask on the base substrate comprises:
Wherein the first auxiliary mask is disposed on the second region,
Wherein the step of disposing the second auxiliary mask on the base substrate comprises:
And the second auxiliary mask is disposed on the first region.

14. The method of claim 13,
Wherein the first region and the second region are different regions on the base substrate.

delete

14. The method of claim 13,
Wherein the first auxiliary mask and the second auxiliary mask comprise openings.

Preparing a base substrate on which a base pattern is formed;
A shadow mask including first and second openings exposing the first and second regions of the base pattern and covering the remaining regions except for the first and second regions is disposed on the base substrate step;
Disposing a first auxiliary mask on the base substrate exposing a first region of the base pattern and covering the second region;
Providing a first functional material on the exposed first region;
Removing the first auxiliary mask from the shadow mask;
Disposing a second auxiliary mask on the base substrate exposing a second region of the base pattern and covering the first region;
Providing a second functional material on the exposed second region;
Removing the second auxiliary mask from the shadow mask; And
And transferring the first and second functional materials simultaneously onto the target substrate by bringing the base substrate provided with the first and second functional materials into contact with the target substrate,
Wherein the first auxiliary mask and the second auxiliary mask include openings,
Wherein the step of disposing the shadow mask on the base substrate comprises:
Wherein the first and second openings of the shadow mask are disposed on the first and second regions, respectively,
Wherein the step of disposing the first auxiliary mask on the base substrate comprises:
Wherein the auxiliary opening of the first auxiliary mask is disposed on the first area,
Wherein the step of disposing the second auxiliary mask on the base substrate comprises:
Wherein the auxiliary opening of the second auxiliary mask is disposed on the second region.