KR101986371B1 - 터치 감지 장치 및 그것의 증폭 회로 - Google Patents

Abstract

본 발명의 터치 감지 장치에 관한 것으로, 좀 더 자세하게는 터치 감지 기능을 제공하는 표시 장치의 터치 감지 장치에 관한 것이다. 본 출원의 실시 예에 따른 터치 감지 장치의 증폭 회로는 반전 단자 및 비반전 단자를 포함하는 전하 증폭기; 및 상기 전하 증폭기의 상기 반전 단자에 일단이 전기적으로 연결되고, 상기 전하 증폭기의 출력단자에 타단이 전기적으로 연결된 노치 필터를 포함한다. 본 출원의 일 실시 예에 따른 터치 감지 장치의 증폭 회로는 터치 패널의 노이즈를 효과적으로 감소시킬 수 있다.

Description

터치 감지 장치 및 그것의 증폭 회로{TOUCH SENSING DEVICE AND AMPLIFYING CIRCUIT THEREOF}

본 발명의 터치 감지 장치에 관한 것으로, 좀 더 자세하게는 터치 감지 기능을 제공하는 표시 장치의 터치 감지 장치에 관한 것이다.

정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정표시장치(Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(Plasma Display Device), 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display Device)와 같은 여러 가지 표시장치가 활용되고 있다.

요즈음, 표시장치는, 버튼, 키보드, 마우스 등의 통상적인 입력방식에서 탈피하여, 사용자가 손쉽게 정보 혹은 명령을 직관적이고 편리하게 입력할 수 있도록 해주는 터치 기반의 입력방식을 제공할 수 있다.

이러한 터치 기반의 입력방식을 제공하는 표시장치는, 액정표시패널 또는 유기발광표시패널 등의 상부에 배치되는 별도의 터치패널 또는 터치스크린 레이어를 포함하며, 이러한 터치 패널에는 터치 구동신호를 송신하는 다수의 송신(Tx) 터치 전극과 터치입력에 의한 감지신호를 수신하는 다수의 수신(Rx) 터치 전극을 포함한다.

한편, 최근 디스플레이의 두께가 얇아지는 경향으로 인하여, 표시패널과 터치 패널 사이의 간격이 좁아지고, 결과적으로 표시패널의 구동 과정 등에서 발생되는 노이즈가 터치패널에 영향을 미쳐 터치동작의 정확도 등이 떨어지는 문제가 발생될 가능성이 커지고 있다.

이와 같이 표시패널에서 발생되는 노이즈에 의한 터치 동작의 영향을 최소화하기 위한 여러 가지 방안들이 개발되고 있으나 터치 효율이 떨어지거나 노이즈 감소를 위한 구성요소의 추가로 인하여 장치가 복잡해지는 등의 문제가 있다.

본 출원은 터치 패널의 노이즈를 감소시킬 수 있는 터치 감지 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

본 출원의 실시 예에 따른 터치 감지 장치의 증폭 회로는 반전 단자 및 비반전 단자를 포함하는 전하 증폭기; 및 상기 전하 증폭기의 상기 반전 단자에 일단이 전기적으로 연결되고, 상기 전하 증폭기의 출력단자에 타단이 전기적으로 연결된 노치 필터를 포함한다.

실시 예에 있어서, 상기 노치 필터는 서로 병렬 연결된 복수의 경로들을 포함하며, 상기 복수의 경로들 각각은 적어도 하나의 스위치 및 적어도 하나의 커패시터를 포함한다.

실시 예에 있어서, 상기 적어도 하나의 스위치의 턴-온 주기는 상기 터치 감지 장치의 터치 주파수에 대응한다.

실시 예에 있어서, 상기 복수의 경로들 각각은 상기 적어도 하나의 스위치의 턴-온 및 턴-오프 동작에 의하여 형성되거나 차단된다.

실시 예에 있어서, 상기 복수의 경로들은 순차적으로 형성된다.

실시 예에 있어서, 상기 노치 필터는 상기 복수의 경로들에 병렬 연결된 피드백 저항을 더 포함한다.

실시 예에 있어서, 상기 복수의 경로들 및 상기 피드백 저항의 일단은 상기 전하 증폭기의 상기 반전 입력 단자에 전기적으로 연결된다.

실시 예에 있어서, 상기 전하 증폭기의 상기 반전 입력 단자에 연결된 피드백 커패시터를 더 포함한다.

본 출원의 일 실시 예에 따른 터치 패널의 터치 이벤트를 감지하는 터치 감지 장치는 수신된 터치 신호를 증폭하는 증폭 회로; 상기 증폭 회로로부터 수신된 아날로그 출력 전압을 디지털 데이터로 변환하는 아날로그 디지털 변환기; 및 상기 아날로그 디지털 변환기로부터 수신된 데이터를 필터링하는 디지털 필터링 회로를 포함하며, 상기 증폭 회로는 반전 단자 및 비반전 단자를 포함하는 전하 증폭기; 및 상기 전하 증폭기의 상기 반전 단자에 일단이 전기적으로 연결되고, 상기 전하 증폭기의 출력단자에 타단이 전기적으로 연결된 노치 필터를 포함한다.

본 출원의 일 실시 예에 따른 터치 감지 장치의 증폭 회로는 터치 패널의 노이즈를 효과적으로 감소시킬 수 있다.

도 1은 본 출원의 일 실시 예에 따른 표시 장치(100)를 보여주는 블록도이다.
도 2는 본 출원의 일 실시 예에 따른 터치 감지 장치(140)를 좀 더 자세히 보여주는 블록도이다.
도 3은 도 2의 터치 감지 장치(140)의 증폭 회로(141)를 좀 더 자세히 보여주는 회로도이다.
도 4a는 노이즈가 전혀 없는 이상적인 상태를 보여주는 도면이다.
도 4b는 노이즈가 발생한 상태를 보여주는 도면이다.
도 4c는 비교적 진폭이 큰 노이즈가 발생한 상태를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 2의 터치 감지 장치(140)의 증폭 회로의 다른 예를 좀 더 자세히 보여주는 회로도이다.
도 6은 본 출원의 다른 실시 예에 따른 터치 감지 장치(140_1)를 보여주는 블록도이다.
도 7은 도 6의 증폭 회로(141'')의 일 실시 예를 보여주는 회로도이다.
도 8a는 주파수 영역에서 터치 신호의 터치 주파수(fosc) 및 터치 노이즈의 주파수를 보여주는 도면이다.
도 8b는 도 7의 노치 필터(144)의 스위치들의 턴-온 및/또는 턴-오프 시점을 보여주는 타이밍도이다.
도 8c는 전하 증폭기(CA)의 반전 입력 단자에 연결되지 않은 경우에, 주파수 영역에서의 노치 필터(144)의 동작을 보여주는 도면이다.
도 8d는 전하 증폭기(CA)의 반전 입력 단자에 연결된 경우에, 주파수 영역에서 노치 필터(144)의 위상이 반전된 모습을 보여주는 도면이다.
도 9a는 도 6의 증폭 회로(141'')의 다른 실시 예를 보여주는 회로도이다.
도 9b는 도 9a의 노치 필터(144_1)의 밴드 패스 특성을 보여주는 도면이다.
도 10은 도 6의 증폭 회로(141'')의 다른 실시 예를 보여주는 회로도이다.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.

도 1은 본 출원의 일 실시 예에 따른 표시 장치(100)를 보여주는 블록도이다.

도 1을 참조하면, 표시 장치(100)는 디스플레이부(110), 제1 구동부(120), 제2 구동부(130), 터치 감지 장치(140) 및 타이밍 컨트롤러(150)를 포함한다. 또한, 제1 구동부(120)는 스캔 구동부(121) 및 제1 터치 컨트롤러(122)를 포함하며, 제2 구동부(130)는 데이터 구동부(131) 및 제2 터치 컨트롤러(132)를 포함한다.

디스플레이부(110)는 터치 입력 기능을 갖는 표시 장치로써, 표시 패널(display panel, 이하 DP) 및 표시 패널의 상부에 배치되는 터치 패널(touch panel, 이하 TP)을 포함한다.

표시 패널(DP)은 복수의 데이터 라인(DL), 복수의 스캔 라인(SL), 그리고 데이터 라인(DL)과 스캔 라인(SL)의 교차 영역에 형성된 복수의 화소들(PXLs)을 포함한다.

화소(PXL)는 표시 패널(DP) 내에 복수 개로 제공된다. 각 화소(PXL)는 영상을 표시하는 것으로서, 예를 들어, 발광 소자일 수 있다. 이 경우에, 화소(PXL)는 스캔 라인(SL), 데이터 라인(DL), 및 구동 전압 라인(DVL)에 연결된 화소 박막 트랜지스터, 화소 박막 트랜지스터에 연결된 발광 소자, 및 커패시터를 포함할 수 있다.

스캔 라인(SL)은 행 방향으로 연장되며, 데이터 라인(DL)은 스캔 라인(SL)과 교차하는 열 방향으로 연장된다. 스캔 라인(SL)은 화소 박막 트랜지스터에 스캔 신호를 전달하고, 데이터 라인(DL)은 화소 박막 트랜지스터에 데이터 신호를 전달한다. 도 1에서는 배선들이 평행하거나 교차하도록 도시되었으나, 이는 설명의 편의를 위한 것으로 실제 각 배선의 연장 방향은 이와 달리 설정될 수 있다.

스캔 구동부(121) 및 데이터 구동부(131)는 타이밍 컨트롤러(150)의 제어에 응답하여, 표시 패널(DP)을 구동한다.

예를 들어, 스캔 구동부(121)는 타이밍 컨트롤러(150)로부터 제공되는 게이트 제어신호(G-CS)에 응답해서 스캔 신호를 순차적으로 출력할 수 있다. 따라서, 다수의 화소(PXL)는 스캔 신호에 의해서 행 단위로 순차적으로 스캐닝될 수 있다.

또한, 예를 들어, 데이터 구동부(131)는 타이밍 컨트롤러(150)로부터 제공되는 데이터 제어신호(D-CS)에 응답해서 영상신호들(R'G'B')을 데이터 신호들로 변환하여 출력할 수 있다. 출력된 데이터 신호들은 화소들(PXL)로 인가된다. 따라서, 각 화소(PXL)는 스캔 신호에 의해서 턴-온 되고, 턴-온된 화소(PXL)는 데이터 구동부(131)로부터 해당 데이터 전압을 수신하여 원하는 계조의 영상을 표시할 수 있다.

계속해서 도 1을 참조하면, 디스플레이부(110)의 터치 패널(TP)은, 예를 들어, 표시 패널(DP)의 상부에 배치될 수 있다. 터치 스크린 패널, 터치 스크린 등의 용어로 표현될 수 있다. 터치 패널(TP)은 복수의 터치 셀(TC)을 포함한다. 각 터치 셀(TC)은 사용자의 터치 이벤트를 감지하며, 제1 터치 컨트롤러(122) 및 제2 터치 컨트롤러(132)에 연결된다.

터치 셀들(TC)이 제공되는 영역인 터치 영역(TA)은 화소(PXL)가 제공되는 표시 영역(DA)과 중첩될 수 있다. 예를 들어, 터치 셀(TC)은 화소(PXL)와 일 대 일로 대응하는 개수로 제공될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다수 개의 화소(PXL) 당 하나의 비율로 제공될 수 있다. 즉, 하나의 터치 셀(TC)이 담당하는 터치 터치 영역(TA)은 다수 개의 화소(PXL)가 표시하는 영상 표시 영역(DA)에 대응할 수 있다.

터치 패널(TP)은 다수의 터치 셀(TC)을 통해 커패시턴스(capacitance)의 변화를 토대로 터치 유무 및 터치 좌표 등을 검출하는 커패시턴스 터치 방식을 채용한다. 예를 들어, 이러한 커패시턴스 터치 방식은 뮤추얼 커패시턴스(Mutual Capacitance) 터치 방식과 셀프 커패시턴스(Self Capacitance) 터치 방식 등으로 나눌 수 있다.

뮤추얼 커패시턴스 터치 방식에서, 각 터치 셀(TC)은 구동 전압이 인가되는 Tx 라인(Tx 전극이라고도 함)과 구동 전압이 센싱되고 Tx 라인과 커패시턴스를 형성하는 Rx 라인(Rx 전극이라고도 함)을 포함한다. 이러한 뮤추얼 커패시턴스 터치 방식은, 손가락, 펜 등의 포인터의 유무에 따른 터치 전극(Tx 전극과 Rx 전극) 간의 커패시턴스의 변화를 토대로 터치 유무 및 터치 좌표 등을 검출한다.

이와 달리, 셀프 커패시턴스 터치 방식은, 다수의 터치 전극(TE) 각각이 손가락, 펜 등의 포인터와 커패시턴스(셀프 커패시턴스)를 형성하도록 한다. 즉, 셀프 커패시턴스 방식은 손가락, 펜 등의 포인터의 유무에 따른 각 터치 셀(TC)과 포인트 간의 커패시턴스 값을 측정하여 이를 토대로 터치 유무 및 터치 좌표 등을 검출한다.

이러한 셀프 커패시턴스 터치 방식은, 뮤추얼 커패시턴스 터치 방식과는 달리, 각 터치 셀(TC)을 통해 구동 전압이 인가되고 동시에 센싱된다. 따라서, 셀프 커패시턴스 터치 방식에서는, Tx 전극과 Rx 전극의 구분이 없다.

본 실시예에 따른 표시 장치(100)는 뮤추얼 커패시턴스 터치 방식 및 셀프 커패시턴스 터치 방식 중 하나를 채용할 수 있다. 다만, 설명의 편의를 위해, 이하에서는 뮤추얼 커패시턴스 터치 방식이 채용된 것으로 가정될 것이다.

또한, 본 발명의 실시예가 적용될 수 있는 터치 패널(TP)은 외장형 타입 또는 내장형 타입일 수 있다.

터치 패널(TP)이 외장형 타입("애드-온(Add-On) 타입"이라고도 함)인 경우, 다수의 터치 전극(TE)이 배치된 터치 패널(TP)은 표시 패널(DP) 상에 부착된다. 이때, 터치 패널(TP) 및 표시 패널(DP)은 별도의 공정으로 제조될 수 있다.

터치 패널(TP)이 내장형 타입인 경우, 표시 패널(DP)에 다수의 터치 전극(TE)이 배치된 터치 패널(TP)이 내장된다. 즉, 터치 패널(TP)이 내장형 타입인 경우, 다수의 터치 전극(TE)이 표시 패널(DP) 내부에 형성될 수 있다.

본 실시예에 따른 터치 패널(TP)은 외장형 타입 및 내장형 타입 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 다만, 설명의 편의를 위해, 이하에서는 터치 패널(TP)은 내장형 타입으로 형성된 것으로 가정될 것이다.

제1 터치 컨트롤러(122)와 제2 터치 컨트롤러(132)는 터치 셀(TC)의 터치 전극(TE)을 구동하고, 사용자의 터치 이벤트를 감지한다.

예를 들어, 제1 터치 컨트롤러(122)는 복수의 Tx 라인에 연결되며, 타이밍 컨트롤러(150)로부터 제공된 타이밍 신호(TS)에 응답하여 Tx 라인을 구동한다. 또한, 제2 터치 컨트롤러(132)는 복수의 Rx 라인에 연결되며, 타이밍 컨트롤러(150)로부터 제공된 타이밍 신호(TS')에 응답하여 Tx 전극과 Rx 전극 사이에 형성된 커패시턴스(capacitance)를 감지한다.

타이밍 컨트롤러(150)는 표시 장치의 외부로부터 다수의 영상신호(RGB) 및 다수의 제어신호(CS)를 수신한다. 타이밍 컨트롤러(150)는 데이터 구동부(131)와의 인터페이스 사양에 맞도록 영상신호들(RGB)의 데이터 포맷을 변환하고, 변환된 영상신호들(R'G'B')을 데이터 구동부(131)로 제공한다. 또한, 타이밍 컨트롤러(150)는 다수의 제어신호(CS)에 근거하여 데이터 제어신호(D-CS, 예를 들어, 출력개시신호, 수평개시신호 등) 및 게이트 제어신호(G-CS, 예를 들어, 수직개시신호, 수직클럭신호, 및 수직클럭바신호)를 생성한다. 데이터 제어신호(D-CS)는 데이터 구동부(131)로 제공되고, 게이트 제어신호(G-CS)는 스캔 구동부(121)로 제공된다.

도 1과 같은 표시 장치(100)의 경우, 일반적으로 표시 패널(DP)의 최상부에 위치하는 공통전극(VCOM)이 존재하며, 공통전극은 일정 전압을 계속 유지해야 하지만 데이터 라인의 전압이 변할 때 이러한 전압 변화가 공통전극으로 커플링되고, 공통전극의 임피던스가 0이 아니기 때문에 순간적인 피크 전압이 유기된다. 이러한 피크 전압은 표시 패널(DP) 상부에 있는 터치 패널(TP)로 커플링되어 터치 패널(110)의 터치 감지 장치(140)에 노이즈로 작용한다.

이러한 노이즈를 감소시키기 위하여, 본 출원의 기술적 사상의 실시 예에 따른 표시 장치(100)는 아날로그-디지털 변환 전에 노이즈를 제거할 수 있는 터치 감지 장치(140)를 제공한다. 특히, 본 출원의 실시 예에 따른 터치 감지 장치(140)는 전하 증폭기 및 상기 전하 증폭기의 반전 입력 단자에 연결된 노치 필터를 구비함으로써, 큰 전하 증폭기의 전압 이득을 가질 수 있을 뿐만 아니라, 노이즈도 효과적으로 감소시킬 수 있다.

본 출원의 기술적 사상의 실시 예에 따른 터치 감지 장치(140)는 이하의 도면을 참조하여, 좀 더 자세히 설명될 것이다.

도 2는 본 출원의 일 실시 예에 따른 터치 감지 장치(140)를 좀 더 자세히 보여주는 블록도이다. 도 2를 참조하면, 터치 감지 장치(140)는 증폭 회로(amplifying circuit, 141), 아날로그-디지털 변환 회로(analog-digital converting circuit, 142) 및 디지털 필터 회로(digital filter circuit, 143)를 포함할 수 있다.

증폭 회로(141)는 Tx 전극과 상호 커패시턴스를 형성하는 Rx 전극에 연결된다. 증폭 회로(141)는 사용자의 터치 이벤트에 의하여 발생하는 커패시턴스의 변화량을 증폭하여 출력하는 역할을 수행한다. 예를 들어, 증폭 회로(141)는 적어도 하나의 전하 증폭기(CA, Charge Amplifier)를 포함할 수 있으며, 전하 증폭기(CA)는 터치 이벤트에 의하여 가변되는 입력 전압(Vs)을 증폭하고, 증폭된 전압(Vout)을 출력할 수 있다.

이에 따라, 증폭 회로(141)는 사용자의 터치 이벤트에 의하여 발생된 커패시턴스의 변화량을 용이하게 감지할 수 있도록 할 수 있으며, 증폭된 전압(Vout)은 아날로그-디지털 변환 회로(142)에 제공될 수 있다.

아날로그-디지털 변환 회로(142)는 상기 증폭 회로(141)로부터 제공된 출력 전압(Vout)을 디지털 신호인 데이터(data)로 변환할 수 있다.

디지털 필터 회로(143)는 상기 아날로그-디지털 변환 회로(142)로부터 데이터 신호(data) 신호를 제공받고, 이를 디지털 필터링하여 터치 데이터(touch data)를 생성할 수 있다.

상기 터치 데이터(data)는, 예를 들어, 제2 구동부(130) 내에 구비된 신호 프로세서로 제공될 수 있고, 또는 상기 제2 구동부(130) 외부의 호스트 컨트롤러로 제공될 수도 있다. 상기 터치 데이터(data)의 연산 처리에 의하여 터치 스크린 패널 상의 터치 동작 여부 및 터치 위치가 판단될 수 있다.

도 3은 도 2의 터치 감지 장치(140)의 증폭 회로(141)를 좀 더 자세히 보여주는 회로도이다.

도 3에 도시된 바와 같이, 증폭 회로(141)는 피드백 커패시터(Cf)를 구비하는 전하 증폭기(CA)를 포함한다.

전하 증폭기(CA)의 반전 입력 단자((-) 단자)에는 Rx 전극이 연결된다. Rx 전극에는 터치 이벤트에 의하여 가변되는 상호 커패시턴스의 영향으로 구동 전압이 가변된 수신 전압(Vs)이 인가된다.

전하 증폭기(CA)의 비반전 입력 단자((+) 단자)에는 그라운드 전압(ground voltage)이 제공되며, 전하 증폭기(CA)의 출력 단자에서는 터치 출력 전압인 Vout이 출력된다.

이러한 전하 증폭기에 의한 수신 전압 생성 메커니즘을 살펴보면 다음과 같다.

Tx 전극의 구동 전압의 변화인 △ Vtouch는 터치 패널 상호 커패시턴스(Ct) 양단에 전하 변화량인 △ Q를 유도하고, 이는 아래와 같이 수학식 1로 표현될 수 있다. 이 때, Rx 전극 또는 RX 라인은 가장 쇼트(Virtual Short)로서 기준 전압 VREF을 유지하기 때문에, Rx 전극의 수신 전압(Vs)의 변화는 나타나지 않고 유도된 전하량이 피드백 커패시터(Cf)로 인가된다. 이 때, 전달된 전하량 만큼이 출력의 전압 변화(△ Vout)를 가져오며 이를 아래 수학식 2로 나타낼 수 있다.

한편, 도 3과 같이, 터치 감지 장치(140)에서는 Rx 전극과 표시 패널(DP)의 공통전극(Vcom) 사이에 기생 커패시터(Cp)가 발생되며, 이로 인하여 표시 패널(DP)의 구동 전압 또는 공통전압의 변화가 터치 패널의 Rx 전극으로 커플링될 수 있다. 따라서 표시 패널(DP)의 구동에서 발생된 노이즈가 터치 패널(TP)로 커플링될 수 있으며, 이는 터치 감도를 저해하는 주요 요인 중 하나이다.

도 4는 도 3의 증폭 회로(141)의 출력 신호(Vout)와 그에 포함되는 노이즈의 영향을 보여주는 도면들이다.

구체적으로, 도 4a는 노이즈가 전혀 없는 이상적인 상태를 보여주며, 도 4b는 노이즈가 발생한 상태를 보여주고, 도 4c는 비교적 진폭이 큰 노이즈가 발생한 상태를 보여준다.

도 4a에 도시된 바와 같이, 표시 패널(DP)에 노이즈가 전혀 없는 경우에는 터치 패널(TP)의 전하 증폭기(CA)의 출력 전압(Vout)은 안정적인 전압 레벨을 보이게 된다.

반면, 도 4b에 도시된 바와 같이, 표시 패널(DP)의 구동에 의하여 발생되는 디스플레이 노이즈가 있는 경우에는, 출력 전압(Vout)은 디스플레이 노이즈에 커플링되는 터치 노이즈를 포함한다. 이와 같이, 출력 전압(Vout)에는 터치 입력에 의한 터치 감지 전압 이외에 표시 패널에서 전이된 노이즈가 더해지게 되며, 이로 인하여 터치 동작의 정밀도 등의 성능에 나쁜 영향을 미치게 된다.

또한, 도 4c에 도시된 바와 같이, 디스플레이 노이즈의 크기가 큰 경우, 출력 전압(Vout)에 터치 노이즈가 더해지게 된다. 참고로, 도 4c에서 도시된 바와 같이, 각 터치 수신 전압(Vs)이 전하 증폭기의 반전(-) 단자에 입력되어 인버팅되기 때문에, 터치 노이즈는 디스플레이 노이즈와 반대의 위상을 가지면서 터치 출력 전압에 더해지게 된다.

이 경우, 출력 전압(Vout)의 크기는 전하 증폭기(CA)의 구동 전압(Vdd)의 크기보다 크고, 이에 따라 전하 증폭기(CA)가 포화상태에 도달할 수 있다. 이에 따라, 도 4c에 도시된 바와 같이, 출력의 전압 변화(△ Vout)를 감지하는 것이 어렵게 될 수 있다.

터치 노이즈에 의하여 전하 증폭기(CA)가 포화상태에 도달하는 것을 방지하기 위하여, 본 출원의 일 실시 예에 따른 증폭 회로는 전압 이득(CA gain)이 낮은 전하 증폭기를 포함할 수 있다. 다만, 이와 같이 전압 이득이 낮은 전하 증폭기를 사용하는 경우, 신호 대 잡음비(SNR) 역시 함께 감소하여, 전체적인 터치 감도가 감소하는 문제가 있다.

도 5는 본 출원의 도 2의 터치 감지 장치(140)의 증폭 회로의 일 실시 예를 보여주는 도면이다. 도 5의 증폭 회로(141')는 도 3의 증폭 회로(141)와 유사하다. 따라서, 동일하거나 유사한 구성 요소는 동일하거나 유사한 참조 번호를 사용하여 표기되며, 중복되는 설명은 이하 생략될 것이다.

도 5를 참조하면, 증폭 회로(141)는 피드백 커패시터(Cf) 및 상기 피드백 커패시터(Cf)에 병렬 연결된 피드백 저항(Rf)을 구비하는 전하 증폭기(CA)를 포함한다. 이 경우, 전달 함수는 하이 패스 필터(high pass filter)가 되며, 이 때 대역 폭은 1/(Rf * Cf)에 비례하게 된다.

따라서, 도 5의 증폭 회로(141')는 터치 신호보다 낮은 주파수의 노이즈를 필터링함으로써, 노이즈의 일부분을 제거할 수 있다는 장점이 있다. 다만, 도 5의 증폭 회로(141') 역시 도 3의 증폭 회로(141)와 마찬가지로 터치 노이즈에 의하여 전하 증폭기(CA)가 포화상태에 도달할 수 있으며, 이를 방지하기 위해서는 전압 이득(CA gain)이 낮은 전하 증폭기를 사용하여야 하는 문제가 있다.

이하에서는 큰 전압 이득을 갖는 전하 증폭기를 사용하면서도, 터치 노이즈를 효과적으로 감소시킬 수 있는 본 출원의 다른 실시 예에 따른 터치 감지 장치가 설명될 것이다.

도 6은 본 출원의 다른 실시 예에 따른 터치 감지 장치(140_1)를 보여주는 블록도이다.

도 6의 터치 감지 장치(140_1)는 도 2의 터치 감지 장치(140)와 유사하다. 따라서, 동일하거나 유사한 구성요소는 동일하거나 유사한 참조번호를 사용하여 표기하였으며, 중복되는 설명은 간략하고 명확한 설명을 위하여 이하 생략될 것이다.

도 6을 참조하면, 터치 감지 장치(140_1)는 증폭 회로(141''), 아날로그-디지털 변환 회로(142) 및 디지털 필터 회로(143)를 포함한다.

본 출원의 기술적 사상의 실시 예에 있어서, 증폭 회로(141'')는 노치 필터(144)를 구비한다. 노치 필터(144)는, 예를 들어, 그 일단이 전하 증폭기(CA)의 반전 입력 단자에 연결됨으로써, 터치 신호의 주파수를 선택적으로 통과시키는 밴드 패스 필터(BPF)로 동작할 수 있다.

이 경우, 노치 필터(144)는 터치 신호의 주파수를 선택적으로 통과시키기 때문에 터치 노이즈를 효과적으로 감소시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 터치 노이즈 감소에 의하여 전하 증폭기(CA)가 포화상태에 도달하는 것이 원천적으로 방지되기 때문에, 큰 전압 이득을 갖는 전하 증폭기(CA)를 사용할 수 있다. 따라서, 터치 감도가 향상될 수 있다.

도 7은 도 6의 증폭 회로(141'')의 일 실시 예를 보여주는 회로도이다.

도 7의 증폭 회로(141'')는 도 3의 증폭 회로(141)와 유사하다. 따라서, 동일하거나 유사한 구성요소는 동일하거나 유사한 참조번호를 사용하여 표기되었으며, 중복되는 설명은 명확하고 간결한 설명을 위하여 이하 생략될 것이다.

도 3의 증폭 회로(141)와 달리, 도 7의 증폭 회로(141'')는 전하 증폭기(CA)의 반전 입력 단자에 연결된 노치 필터(144)를 더 포함한다.

노치 필터(144)는 병렬 연결된 복수의 경로들(paths)을 포함한다. 예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제n 경로들(1st path ~ nth path)은 서로 병렬 연결되며, 그 일단은 전하 증폭기(CA)의 반전 입력 단자에 연결되고, 다른 일단은 전하 증폭기(CA)의 출력 단자에 연결될 것이다.

노치 필터(144)의 각 경로는 두 개의 스위치들 및 상기 두 개의 스위치들 사이에 직렬 연결된 커패시터를 포함한다. 예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 경로(1st path)는 두 개의 스위치들(SW 1, SW 1') 및 상기 두 개의 스위치들(SW 1, SW 1') 사이에 직렬 연결된 커패시터(Cs)를 포함한다. 제n 경로(nth path)는 두 개의 스위치들(SW n, SW n') 및 상기 두 개의 스위치들(SW n, SW n') 사이에 직렬 연결된 커패시터(Cs)를 포함한다.

노치 필터(144)의 스위치들 중 동일한 경로에 속하는 스위치들은 서로 동기화 되어 동시에 턴-온 및/또는 턴-오프 된다. 예를 들어, 제1 경로(1st path)에 속하는 스위치들(SW 1, SW 1')은 소정 주기에 따라 동시에 턴-온 및/또는 턴-오프 된다. 제n 경로(nth path)에 속하는 스위치들(SW n, SW n')은 소정 주기에 따라 동시에 턴-온 및/또는 턴-오프 된다.

또한, 노치 필터(144)의 스위치들 중 서로 다른 경로에 속하는 스위치들은 턴-온 되는 시간이 서로 오버랩(overlap) 되지 않도록 동작한다. 예를 들어, 제1 내지 제n 경로들(1st path ~ nth path)은 서로 순차적으로 턴-온 될 수 있으며, 이 경우에 각 경로가 턴-온 되는 시간은 서로 오버랩 되지 않는다.

터치 신호를 선택적으로 통과시키고 노이즈는 선택적으로 제거하기 위하여, 노치 필터(144)의 제1 내지 제n 경로들(1st path ~ nth path) 각각의 턴-온 주기는 터치 신호의 주파수를 고려하여 설정될 수 있다. 예를 들어, 터치 신호의 터치 주파수가 250kHZ인 경우, 제1 내지 제n 경로들(1st path ~ nth path)의 턴-온 주기는 (250kHZ)^-1로 설정될 수 있다.

계속해서 도 7을 참조하면, 피드백 커패시터(Cf)는 증폭 회로(141'')의 전체적인 전압 이득을 조절하는 역할을 수행한다. 즉, 피드백 커패시터(Cf)를 조정함으로써, 증폭 회로(141'')의 필터링 특성을 유지한 채, 전압 이득을 높이거나 낮출 수 있다.

또한, 피드백 커패시터(Cf)는 커패시터(Cs)와 함께 필터링 성능을 결정할 수 있다. 예를 들어, 필터링을 많이 수행하려면, Cs/Cf의 비율이 1보다 커야 한다. 다만, 이 비율이 크다고 할지라도, 실질적으로 스위치의 턴-온 저항(turn on resistance, 이하 Rsw)에 의해 제한되기 때문에, Rsw는 작게 설계될 필요가 있다. 예를 들어, 이 경우의 최대 필터 감쇠(attenuation)는 이하의 수학식 3으로 근사화될 수 있다.

도 8은 도 7의 노치 필터(144) 및 증폭 회로(141'')의 동작을 설명하기 위한 도면들이다.

구체적으로, 도 8a는 주파수 영역에서 터치 신호의 터치 주파수(fosc) 및 터치 노이즈의 주파수를 보여주는 도면이다. 도 8b는 도 7의 노치 필터(144)의 스위치들의 턴-온 및/또는 턴-오프 시점을 보여주는 타이밍도이다. 도 8c는 전하 증폭기(CA)의 반전 입력 단자에 연결되지 않은 경우에, 주파수 영역에서의 노치 필터(144)의 동작을 보여주는 도면이다. 도 8d는 전하 증폭기(CA)의 반전 입력 단자에 연결된 경우에, 주파수 영역에서 노치 필터(144)의 위상이 반전된 모습을 보여주는 도면이다. 이하에서는, 도 7 및 도 8을 참조하여, 본 출원의 실시 예에 따른 증폭 회로(140_1) 및 노치 필터(144)의 동작이 좀 더 상세히 설명될 것이다.

먼저, 도 8a를 참조하면, 주파수 영역에서의 터치 주파수(fosc) 및 터치 노이즈 주파수(f_noise)가 도시되어 있다. 예를 들어, 터치 주파수(fosc)는 250kHZ일 수 있으며, 터치 노이즈 주파수(f_noise)는 이보다 크거나 작을 수 있다.

도 8b를 참조하면, 노치 필터(144)의 제1 내지 제n 경로들(1st path ~ nth path)이 순차적으로 형성된다. 예를 들어, 제1 내지 제n 경로들(1st path ~ nth path)은 각각 Ts를 주기로 하여 순차적으로 형성될 것이다. 이 때, 터치 주파수(fosc)를 선택적으로 통과시키기 위한 노치 필터를 구현하기 위하여, 제1 내지 제n 경로들(1st path ~ nth path)의 형성 주기인 Ts는 터치 주파수(fosc)와 일치하도록 설정될 수 있다. 즉, Ts = 1 / fosc가 되도록 설정될 수 있다.

좀 더 자세히 설명하면, 제1 시점(t1)에서 제1 경로(1st path)의 스위치들(SW 1, SW 1')을 제어하는 제어 신호가 논리 로우(low)에서 논리 하이(high)로 천이된다. 이에 따라 스위치들(SW 1, SW 1')은 제1 시점(t1)에서 턴-온 된다. 따라서, 제1 시점(t1)에서 제1 경로(1st path)가 생성되며, 제1 경로(1st)의 커패시터(Cs)의 일단은 전하 증폭기(CA)의 반전 입력 단자에 연결되고, 커패시터(Cs)의 차단은 전하 증폭기(CA)출력 단자에 연결된다.

이 후, 제2 시점(t2)에서, 제1 경로(1st path)의 스위치들(SW 1, SW 1')을 제어하는 제어 신호가 논리 하이(high)에서 논리 로우(low)로 천이되고, 이에 따라 스위치들(SW 1, SW 1')은 제2 시점(t2)에서 턴-오프 된다. 따라서, 제2 시점(t2)에서 제1 경로(1st path)가 차단된다. 이 경우, 제1 내지 제2 시점(t1 ~ t2)에서는 제1 경로(1st path)만이 형성되어 피드백 커패시터(Cf)에 병렬 연결되며, 다른 경로들은 모두 차단된다.

한편, 제2 시점(t2)에서, 제2 경로(2nd path)의 스위치들(SW 2, SW 2')을 제어하는 제어 신호가 논리 로우(low)에서 논리 하이(high)로 천이되며, 이에 따라 스위치들(SW 2, SW 2')은 턴-온 되어 제2 경로(2nd path)가 형성된다.

이와 유사하게, 제n 시점(tm)에서, 제n-1 경로(n-1th path)의 스위치들(SW n-1, SW n-1')을 제어하는 제어 신호가 논리 하이(high)에서 논리 로우(low)로 천이되고, 제n 경로(nth path)의 스위치들(SW n, SW n')을 제어하는 제어 신호는 논리 로우(low)에서 논리 하이(high)로 천이된다. 따라서, 제n 시점(tm)에서 제n-1 경로(n-1th path)는 차단되고, 제n 경로(nth path)가 형성된다. 이 후, 제n+1 시점(tn+1)에서, 제n 경로(nth path)는 차단되고, 제1 경로(1st path)가 다시 형성될 것이다.

결국, 제1 내지 제 n 경로들(1st ~ nth paths)은 각각 Ts를 주기로 하여 형성되되, 제1 내지 제n 시점(t1 ~ tm) 중 임의의 시점에 단지 하나의 경로만이 형성될 것이다. 또한, fosc의 주파수를 갖는 터치 신호를 선택적으로 통과시키기 위하여, Ts = 1/fosc 가 되도록 설정될 것이다.

도 8c를 참조하면, 전하 증폭기(CA)의 반전 입력 단자에 연결되지 않은 경우의 노치 필터(144)의 전달 함수가 도시되어 있다. 제1 내지 제 n 경로들(1st ~ nth paths)이 각각 Ts(즉, 1/fosc)를 주기로 하여 형성되기 때문에, 노치 필터(144)는 터치 주파수 및 그 배수(fosc, 2fosc, 3fosc 등)의 대역을 통과시키지 않는 전달 함수를 갖도록 형성된다.

도 8d를 참조하면, 전하 증폭기(CA)의 반전 입력 단자에 연결된 경우의 노치 필터(144)의 전달 함수가 도시되어 있다.

반전 입력 단자에 의하여 노치 필터(144)의 위상이 반전되기 때문에, 도 8d에 도시된 바와 같이, 노치 필터(144)는 터치 주파수 및 그 배수(fosc, 2fosc, 3fosc 등)의 대역을 선택적으로 통과시키는 밴드 패스 필터로 동작한다. 또한, 이 경우, 터치 주파수의 배수(2fosc, 3fose 등)에 대응하는 전달함수의 크기는 터치 주파수(fosc)에 대응하는 전달함수의 크기보다 작기 때문에, 실질적으로 터치 주파수(fosc)만이 실질적으로 통과되게 된다.

이와 같이, 본 출원의 실시 예에 따른 증폭 회로(140_1)의 노치 필터(144)는 터치 주파수(fosc)만을 선택적으로 통과시킴으로써, 노이즈를 효과적으로 제거할 수 있다.

또한, 전하 증폭기(CA)의 입력 전압(Vs)이 증폭되어 출력되기 전에 노이즈를 제거함으로써, 전하 증폭기(CA)는 큰 전압이득을 갖도록 설정될 수 있다. 예를 들어, 터치 주파수(fosc)에서, 전하 증폭기(CA)는 Cp/Cf의 전압 이득을 가질 수 있으며, 노이즈 주파수에서, 전하 증폭기(CA)는 Cp/(Cf+Cs)의 전압 이득을 가질 수 있다. 이와 같이, 피드백 커패시터(Cf)의 값을 조절함으로써, 증폭 회로(141'')의 전체적인 전압 이득이 조절될 수 있다.

한편, 상술한 설명은 예시적인 것이며, 본 출원의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다. 이하에서는 본 출원의 기술적 사상의 다른 실시 예에 따른 증폭 회로 및 노치 필터가 설명될 것이다.

도 9a는 도 6의 증폭 회로(141''')의 다른 실시 예를 보여주는 회로도이며, 도 9b는 도 9a의 노치 필터(144_1)의 밴드 패스 특성을 보여주는 도면이다.

도 9의 증폭 회로(141''')는 도 7의 증폭 회로(141)와 유사하다. 따라서, 동일하거나 유사한 구성요소는 동일하거나 유사한 참조번호를 사용하여 표기되었으며, 중복되는 설명은 명확하고 간결한 설명을 위하여 이하 생략될 것이다.

도 9a의 증폭 회로(141''')는 전하 증폭기(CA)의 반전 입력 단자에 연결된 노치 필터(144_1)를 포함한다. 그리고, 도 7의 노치 필터(144)와 달리, 도 9의 노치 필터(144_1)는 복수의 경로들(paths)에 병렬 연결된 피드백 저항(Rf)을 더 포함한다.

좀 더 자세히 설명하면, 노치 필터(144_1)는 서로 병렬 연결된 제1 내지 제n 경로들(1st path ~ nth path)을 포함하며, 그 일단은 전하 증폭기(CA)의 반전 입력 단자에 연결되고, 다른 일단은 전하 증폭기(CA)의 출력 단자에 연결된다. 앞서 설명된 바와 같이, 제1 내지 제n 경로들(1st path ~ nth path)은 스위치 제어 신호에 의하여 순차적으로 형성되며, 이에 따라 노치 필터(144_1)는 밴드 패스 필터의 특성을 갖게 된다.

이에 더하여, 노치 필터(144_1)는 제1 내지 제n 경로들(1st path ~ nth path)에 병렬 연결된 피드백 저항(Rf)을 더 포함한다. 피드백 저항(Rf)의 일단은 전하 증폭기(CA)의 반전 입력 단자에 연결되고, 타단은 전하 증폭기(CA)의 출력 단자에 연결된다.

피드백 저항(Rf)은 전하 증폭기(CA)가 포화되는 것을 방지할 뿐만 아니라, 대역 폭을 조절하여 주파수 응답의 파형을 조절하는 역할을 수행할 수 있다.

좀 더 자세히 설명하면, 노치 필터(144_1)를 활용한 밴드 패스 필터의 대역 폭은 커패시턴스(Cs)와 피드백 저항(Rf)의 곱셈으로 조절될 수 있다. 본 출원의 일 실시 예에 따른 증폭 회로(141''')는 피드백 저항(Rf)을 이용하여 밴드 패스 필터의 대역 폭을 조정함으로써, 증폭 회로(141''')의 주파수 응답이 지나치게 뾰족(sharp)하지 않고 좀 더 평탄(flat)한 파형을 갖도록 할 수 있다. 이 경우, 밴드 패스 필터의 대역 폭은 이하의 수학식 4와 같이 정의될 수 있다.

이 경우, 피드백 저항(Rf)이 작을 수록 대역 폭은 좀 더 커지고 전달 함수의 주파수 응답은 좀 더 평탄(flat)한 형태를 가지게 된다. 예를 들어, 제1 내지 제3 피드백 저항(Rf1, Rf2, Rf3)이 Rf1 < Rf2 <Rf3의 크기를 갖는다면, 도 9b에 도시된 바와 같이, 피드백 저항(Rf)의 크기가 작을수록 좀 더 평탄한 형태를 가지게 된다.

이와 같이, 노치 필터(144_1)의 전달 함수가 좀 더 플랫(flat)한 형태의 밴드 패스 필터로 구현됨으로써, 터치 주파수와 노치 필터(144_1)의 스위치 동작 주기(Ts)를 동기화 시키는 것이 보다 용이해질 수 있다.

도 10은 도 6의 증폭 회로(141'')의 다른 실시 예를 보여주는 회로도이다.

도 10의 증폭 회로(141'')는 도 7의 증폭 회로(141)와 유사하다. 따라서, 동일하거나 유사한 구성요소는 동일하거나 유사한 참조번호를 사용하여 표기되었으며, 중복되는 설명은 명확하고 간결한 설명을 위하여 이하 생략될 것이다.

도 10의 증폭 회로(141'')는 전하 증폭기(CA)의 반전 입력 단자에 연결된 노치 필터(144_2)를 포함한다. 그리고, 도 7의 노치 필터(144)와 달리, 도 10의 노치 필터(144_2)는 각 경로 당 하나의 스위치만을 포함한다.

예를 들어, 제1 경로(1st path)는 서로 직렬 연결된 하나의 스위치(SW 1)와 커패시터(Cs)로 구현될 수 있으며, 제n 경로(nth path) 역시 서로 직렬 연결된 하나의 스위치(SWn)와 커패시터(Cs)로 구현될 수 있다. 이 경우, 도 10의 노치 필터(144_2)는 회로가 좀 더 단순하게 구현됨으로써, 소형화에 유리하다는 장점이 있다.

이상과 같이 본 발명에 대해서 예시한 도면을 참조로 하여 설명하였으나, 본 명세서에 개시된 실시예와 도면에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 통상의 기술자에 의해 다양한 변형이 이루어질 수 있음은 자명하다. 아울러 앞서 본 발명의 실시예를 설명하면서 본 발명의 구성에 따른 작용 효과를 명시적으로 기재하여 설명하지 않았을 지라도, 해당 구성에 의해 예측 가능한 효과 또한 인정되어야 함은 당연하다.

110: 디스플레이부
120: 제1 구동부
121: 스캔 구동부
122: 제1 터치 컨트롤러
130: 제2 구동부
131: 데이터 구동부
132: 제2 터치 컨트롤러
140: 터치 감지 장치
141: 증폭 회로
142: 아날로그 디지털 변환 회로
143: 디지털 필터 회로
144: 노치 필터
150: 타이밍 컨트롤러
DP: 표시 패널
TP: 터치 패널

Claims (10)

1. 반전 단자 및 비반전 단자를 포함하는 전하 증폭기; 및
   상기 전하 증폭기의 상기 반전 단자에 일단이 전기적으로 연결되고, 상기 전하 증폭기의 출력단자에 타단이 전기적으로 연결된 노치 필터를 포함하고,
   상기 노치 필터는, 서로 병렬 연결된 복수의 경로들을 포함하며,
   상기 복수의 경로들은 순차적으로 형성되는 제1 및 제2 경로를 포함하고,
   상기 제1 경로는, 제1 스위치와 상기 제1 스위치에 직렬 연결된 제1 커패시터를 포함하며,
   상기 제2 경로는, 제2 스위치와 상기 제2 스위치에 직렬 연결된 제2 커패시터를 포함하고,
   상기 제1 경로가 형성될 때에, 상기 제2 커패시터는 상기 제1 스위치와 연결되지 않고, 상기 제2 경로가 형성될 때에, 상기 제1 커패시터는 상기 제2 스위치와 연결되지 않는 터치 감지 장치의 증폭 회로.
2. 제1항에 있어서,
   상기 제1 및 제2 커패시터 각각은, 서로 전기적으로 연결되지 않으며,
   상기 제1 경로가 형성되고 상기 제2 경로가 차단되는 제1 시간 및 상기 제1 경로가 차단되고 상기 제2 경로가 형성되는 제2 시간 사이에, 상기 제1 및 제2 커패시터 각각은, 필터링 동작을 한번 수행하는 터치 감지 장치의 증폭 회로.
3. 제1 항에 있어서,
   상기 적어도 하나의 스위치의 턴-온 주기는 상기 터치 감지 장치의 터치 주파수에 대응하는, 터치 감지 장치의 증폭 회로.
4. 제1 항에 있어서,
   상기 복수의 경로들 각각은 상기 적어도 하나의 스위치의 턴-온 및 턴-오프 동작에 의하여 형성되거나 차단되는, 터치 감지 장치의 증폭 회로.
5. 제4 항에 있어서,
   상기 복수의 경로들은 순차적으로 형성되는, 터치 감지 장치의 증폭 회로.
6. 제1 항에 있어서,
   상기 노치 필터는 상기 복수의 경로들에 병렬 연결된 피드백 저항을 더 포함하는, 터치 감지 장치의 증폭 회로.
7. 제6 항에 있어서,
   상기 복수의 경로들 및 상기 피드백 저항의 일단은 상기 전하 증폭기의 상기 반전 입력 단자에 전기적으로 연결된, 터치 감지 장치의 증폭 회로.
8. 제1 항에 있어서,
   상기 전하 증폭기의 상기 반전 입력 단자에 연결된 피드백 커패시터를 더 포함하는, 터치 감지 장치의 증폭 회로.
9. 터치 패널의 터치 이벤트를 감지하는 터치 감지 장치에 있어서,
   수신된 터치 신호를 증폭하는 증폭 회로;
   상기 증폭 회로로부터 수신된 아날로그 출력 전압을 디지털 데이터로 변환하는 아날로그 디지털 변환기; 및
   상기 아날로그 디지털 변환기로부터 수신된 데이터를 필터링하는 디지털 필터링 회로를 포함하며,
   상기 증폭 회로는,
   반전 단자 및 비반전 단자를 포함하는 전하 증폭기; 및
   상기 전하 증폭기의 상기 반전 단자에 일단이 전기적으로 연결되고, 상기 전하 증폭기의 출력단자에 타단이 전기적으로 연결된 노치 필터를 포함하고,
   상기 노치 필터는, 서로 병렬 연결된 복수의 경로들을 포함하며,
   상기 복수의 경로들은 순차적으로 형성되는 제1 및 제2 경로를 포함하고,
   상기 제1 경로는, 제1 스위치와 상기 제1 스위치에 직렬 연결된 제1 커패시터를 포함하며,
   상기 제2 경로는, 제2 스위치와 상기 제2 스위치에 직렬 연결된 제2 커패시터를 포함하고,
   상기 제1 경로가 형성될 때에, 상기 제2 커패시터는 상기 제1 스위치와 연결되지 않고, 상기 제2 경로가 형성될 때에, 상기 제1 커패시터는 상기 제2 스위치와 연결되지 않는 터치 감지 장치.
   
10. 삭제

Images