KR101985650B1 - 이중 스피로형 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 - Google Patents

이중 스피로형 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR101985650B1
KR101985650B1 KR1020160130158A KR20160130158A KR101985650B1 KR 101985650 B1 KR101985650 B1 KR 101985650B1 KR 1020160130158 A KR1020160130158 A KR 1020160130158A KR 20160130158 A KR20160130158 A KR 20160130158A KR 101985650 B1 KR101985650 B1 KR 101985650B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
compound
group
synthesis
except
instead
Prior art date
Application number
KR1020160130158A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170041646A (ko
Inventor
하재승
차용범
홍성길
서상덕
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Publication of KR20170041646A publication Critical patent/KR20170041646A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101985650B1 publication Critical patent/KR101985650B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C13/00—Cyclic hydrocarbons containing rings other than, or in addition to, six-membered aromatic rings
    • C07C13/28—Polycyclic hydrocarbons or acyclic hydrocarbon derivatives thereof
    • C07C13/32—Polycyclic hydrocarbons or acyclic hydrocarbon derivatives thereof with condensed rings
    • C07C13/72—Spiro hydrocarbons
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D307/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
    • C07D307/77—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom ortho- or peri-condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D307/91—Dibenzofurans; Hydrogenated dibenzofurans
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D333/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom
    • C07D333/50—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D333/76—Dibenzothiophenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H01L51/0052—
    • H01L51/0056—
    • H01L51/0071—
    • H01L51/50—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/624—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing six or more rings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011—Condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1088—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing oxygen as the only heteroatom

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 명세서는 이중 스피로형 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.

Description

이중 스피로형 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자{DOUBLE SPIRO STRUCTURED COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 명세서는 이중 스피로 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.
한국 공개특허공보 제2002-008315호
본 명세서에는 이중 스피로형 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자가 기재된다.
본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112016097509191-pat00001
상기 화학식 1에 있어서,
R1 내지 R16 중 적어도 하나는 인접한 기와 서로 결합하여 화학식 1-1의 고리를 형성하고,
[화학식 1-1]
Figure 112016097509191-pat00002
X는 O 또는 S이며,
R1 내지 R16 중 고리를 형성하지 않는 기 및 R17 내지 R20은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 아르알킬기; 치환 또는 비치환된 아르알케닐기; 치환 또는 비치환된 알킬아릴기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기이다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태는 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서에 기재된 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있다. 적어도 하나의 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 특히, 본 명세서에 기재된 화합물은 정공주입, 정공수송, 정공주입과 정공수송, 전자억제, 발광, 정공억제, 전자수송, 또는 전자주입 재료로 사용될 수 있다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7), 전자수송층(8) 및 음극(4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
이하 본 명세서에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 시클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 및 헤테로 고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오쏘(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접한"기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.
본 명세서에서 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112016097509191-pat00003
본 명세서에 있어서, 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 40의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112016097509191-pat00004
본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112016097509191-pat00005
본 명세서에 있어서, 실릴기는 -SiRaRbRc의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Ra, Rb 및 Rc는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BRaRbRc의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Ra, Rb 및 Rc는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 기재된 알킬기, 알콕시기 및 그 외 알킬기 부분을 포함하는 치환체는 직쇄 또는 분쇄 형태를 모두 포함한다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 40이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 알킬아민기는 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 40인 것이 바람직하다. 알킬아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 2 이상의 아릴기를 포함하는 아릴아민기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다.
아릴 아민기의 구체적인 예로는 페닐아민, 나프틸아민, 비페닐아민, 안트라세닐아민, 3-메틸-페닐아민, 4-메틸-나프틸아민, 2-메틸-비페닐아민, 9-메틸-안트라세닐아민, 디페닐 아민기, 페닐 나프틸 아민기, 디톨릴 아민기, 페닐 톨릴 아민기, 카바졸 및 트리페닐 아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노헤테로아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디헤테로아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리헤테로아릴아민기가 있다. 상기 헤테로아릴아민기 중의 헤테로아릴기는 단환식 헤테로 고리기일 수 있고, 다환식 헤테로 고리기일 수 있다. 상기 2 이상의 헤테로 고리기를 포함하는 헤테로아릴아민기는 단환식 헤테로 고리기, 다환식 헤테로 고리기, 또는 단환식 헤테로 고리기와 다환식 헤테로 고리기를 동시에 포함할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴헤테로아릴아민기는 아릴기 및 헤테로 고리기로 치환된 아민기를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 아릴포스핀기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴포스핀기, 치환 또는 비치환된 디아릴포스핀기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴포스핀기가 있다. 상기 아릴포스핀기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기가 2 이상을 포함하는 아릴포스핀기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식 아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure 112016097509191-pat00006
,
Figure 112016097509191-pat00007
등의 스피로플루오레닐기,
Figure 112016097509191-pat00008
(9,9-디메틸플루오레닐기),
Figure 112016097509191-pat00009
(9-메틸-9-페닐플루오레닐기) 및
Figure 112016097509191-pat00010
(9,9-디페닐플루오레닐기) 등의 치환된 플루오레닐기가 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로 고리기는 이종원자로 N, O, P, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 헤테로 고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 1 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 헤테로 고리기의 탄소수는 1 내지 30이다. 헤테로 고리기의 예로는 예로는 피리딜기, 피롤기, 피리미딜기, 피리다지닐기, 퓨라닐기, 티오페닐기, 이미다졸기, 피라졸기, 옥사졸기, 이소옥사졸기, 티아졸기, 이소티아졸기, 트리아졸기, 옥사디아졸기, 티아디아졸기, 디티아졸기, 테트라졸기, 피라닐기, 티오피라닐기, 피라지닐기, 옥사지닐기, 티아지닐기, 디옥시닐기, 트리아지닐기, 테트라지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴놀릴기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기, 나프티리디닐기, 아크리딜기, 크산테닐기, 페난트리디닐기, 디아자나프탈레닐기, 트리아자인데닐기, 인돌기, 인돌리닐기, 인돌리지닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 벤조티아졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 카바졸기, 벤조카바졸기, 디벤조카바졸기, 인돌로카바졸기, 인데노카바졸기, 페나지닐기, 이미다조피리딘기, 페녹사지닐기, 페난트리딘기, 페난트롤린(phenanthroline)기, 페노티아진(phenothiazine)기, 이미다조피리딘기, 이미다조페난트리딘기. 벤조이미다조퀴나졸린기, 또는 벤조이미다조페난트리딘기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 방향족인 것을 제외하고는 전술한 헤테로 고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴옥시기, 아릴티옥시기, 아릴술폭시기, 아릴포스핀기, 아르알킬기, 아랄킬아민기, 아르알케닐기, 알킬아릴기, 아릴아민기, 아릴헤테로아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 알킬티옥시기, 알킬술폭시기, 아르알킬기, 아랄킬아민기, 알킬아릴기, 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기, 헤테로아릴아민기, 아릴헤테로아릴아민기 중 헤테로아릴기는 전술한 헤테로 고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로 고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성한다는 의미는 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소고리; 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소고리; 치환 또는 비치환된 지방족 헤테로 고리; 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로 고리; 또는 이들의 축합고리를 형성하는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 지방족 탄화수소고리란 방향족이 아닌 고리로서 탄소와 수소 원자로만 이루어진 고리를 의미한다. 구체적으로, 지방족 탄화수소고리의 예로는 시클로프로판, 시클로부탄, 시클로부텐, 시클로펜탄, 시클로펜텐, 시클로헥산, 시클로헥센, 1,4-시클로헥사디엔, 시클로헵탄, 시클로헵텐, 시클로옥탄, 시클로옥텐 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 방향족 탄화수소고리란 탄소와 수소 원자로만 이루어진 방향족의 고리를 의미한다. 구체적으로, 방향족 탄화수소고리의 예로는 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 페릴렌, 플루오란텐, 트리페닐렌, 페날렌, 피렌, 테트라센, 크라이센, 펜타센, 플루오렌, 인덴, 아세나프틸렌, 벤조플루오렌, 스피로플루오렌 등이 있으나 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 지방족 헤테로 고리란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 지방족고리를 의미한다. 구체적으로, 지방족 헤테로 고리의 예로는 옥시레인(oxirane), 테트라하이드로퓨란, 1,4-디옥세인(1,4-dioxane), 피롤리딘, 피페리딘, 모르폴린(morpholine), 옥세판, 아조케인, 티오케인 등이 있으나 이들에만 한정되는 것은 아니다.본 명세서에 있어서, 방향족 헤테로 고리란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 방향족고리를 의미한다. 구체적으로, 방향족 헤테로 고리의 예로는 피리딘, 피롤, 피리미딘, 피리다진, 퓨란, 티오펜, 이미다졸, 피라졸, 옥사졸, 이소옥사졸, 티아졸, 이소티아졸, 트리아졸, 옥사디아졸, 티아디아졸, 디티아졸, 테트라졸, 피란, 티오피란, 디아진, 옥사진, 티아진, 다이옥신, 트리아진, 테트라진, 이소퀴놀린, 퀴놀린, 퀴놀, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 아크리딘, 페난트리딘, 디아자나프탈렌, 트리아자인덴, 인돌, 인돌리진, 벤조티아졸, 벤조옥사졸, 벤조이미다졸, 벤조티오펜, 벤조퓨란, 디벤조티오펜, 디벤조퓨란, 카바졸, 벤조카바졸, 디벤조카바졸, 페나진, 이미다조피리딘, 페녹사진, 페난트리딘, 인돌로카바졸, 인데노카바졸 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 지방족 탄화수소고리, 방향족 탄화수소고리, 지방족 헤테로 고리 및 방향족 헤테로 고리는 단환 또는 다환일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R1 내지 R16 중 적어도 하나가 인접한 기와 결합하여 화학식 1-1의 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R6 내지 R11 중 적어도 하나가 인접한 기와 결합하여 화학식 1-1의 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R1 내지 R16 중 고리를 형성하지 않는 기 및 R17 내지 R20 중 적어도 하나가 -(L) p -N( Ar 1 )( Ar 2 )로 표시되며, p, L, Ar1 및 Ar2는 하기 화학식 2 내지 7에서 정의된 것과 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R6 내지 R11 중 고리를 형성하지 않는 기 중 적어도 하나가 -(L) p -N( Ar 1 )( Ar 2 )로 표시되며, p, L, Ar1 및 Ar2는 하기 화학식 2 내지 7에서 정의된 것과 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R6 내지 R11 중 적어도 하나가 인접한 기와 결합하여 화학식 1-1의 고리를 형성하고, R6 내지 R11 중 고리를 형성하지 않는 기 중 적어도 하나가 -(L) p -N( Ar 1 )( Ar 2 )로 표시되며, p, L, Ar1 및 Ar2는 하기 화학식 2 내지 7에서 정의된 것과 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R6 내지 R8 중 적어도 하나가 인접한 기와 결합하여 화학식 1-1의 고리를 형성하고, R9 내지 R11 중 적어도 하나가 -(L)p-N(Ar 1 )(Ar 2 )로 표시되며, p, L, Ar1 및 Ar2는 하기 화학식 2 내지 7에서 정의된 것과 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2 내지 화학식 7 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
Figure 112016097509191-pat00011
상기 화학식 2 내지 7에 있어서,
p는 0 내지 5의 정수이고,
L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이며;
Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, Ar1과 Ar2가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 8 내지 화학식 11 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
Figure 112016097509191-pat00012
상기 화학식 8 내지 13에 있어서,
p는 0 내지 5의 정수이고,
L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이며;
Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, Ar1과 Ar2가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2-1 내지 2-4, 화학식 3-1 내지 3-4 및 화학식 4-1 내지 4-4 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
Figure 112016097509191-pat00013
상기 화학식 2-1 내지 2-4, 화학식 3-1 내지 3-4 및 화학식 4-1 내지 4-4에 있어서,
p, L, Ar1 및 Ar2는 각각 화학식 2 내지 7에서 정의된 것과 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 5-1 내지 5-4, 화학식 6-1 내지 6-4 및 화학식 7-1 내지 7-4 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
Figure 112016097509191-pat00014
상기 화학식 5-1 내지 5-4, 화학식 6-1 내지 6-4 및 화학식 7-1 내지 7-4에 있어서,
p, L, Ar1 및 Ar2는 각각 화학식 2 내지 7에서 정의된 것과 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 8-1 내지 8-4, 화학식 9-1 내지 9-4 및 화학식 10-1 내지 10-4 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
Figure 112016097509191-pat00015
상기 화학식 8-1 내지 8-4, 화학식 9-1 내지 9-4 및 화학식 10-1 내지 10-4에 있어서,
p, L, Ar1 및 Ar2는 각각 화학식 8 내지 13에서 정의된 것과 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 11-1 내지 11-4, 화학식 12-1 내지 12-4 및 화학식 13-1 내지 13-4 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
Figure 112016097509191-pat00016
상기 화학식 11-1 내지 11-4, 화학식 12-1 내지 12-4 및 화학식 13-1 내지 13-4에 있어서,
p, L, Ar1 및 Ar2는 각각 화학식 8 내지 13에서 정의된 것과 같다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합; 탄소수 6 내지 60의 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 탄소수 1 내지 60의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합; 탄소수 6 내지 30의 단환식 또는 다환식의 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 탄소수 1 내지 30의 단환식 또는 다환식의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 바이페닐릴렌기; 치환 또는 비치환된 터페닐렌기; 치환 또는 비치환된 쿼터페닐렌기; 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 치환 또는 비치환된 안트라세닐렌기; 치환 또는 비치환된 페난트레닐렌기; 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐렌기; 치환 또는 비치환된 파이레닐렌기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기; 치환 또는 비치환된 스피로비플루오레닐렌기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐렌기; 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐렌기; 또는 치환 또는 비치환된 카바졸릴렌기이다.
일 실시상태에 있어서, L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 페난트레닐렌기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기; 치환 또는 비치환된 스피로비플루오레닐렌기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐렌기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐렌기이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합 또는 하기 구조들 중에서 선택된 어느 하나일 수 있고, 하기 구조들은 추가로 치환될 수 있다.
Figure 112016097509191-pat00017
Figure 112016097509191-pat00018
(상기 구조식들 중 점선은 인접한 기, 예컨대 화학식 1의 코어 구조; p가 2 이상이 경우에 또 하나의 L; 또는 N 원자와 결합하는 부위이다.)
구체적으로, 상기 구조들은 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아민기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 시클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴헤테로아릴아민기; 아릴포스핀기; 및 헤테로 고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, Ar1과 Ar2가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 탄소수 6 내지 60의 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 탄소수 1 내지 60의 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 1환 내지 5환의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 1환 내지 5환의 헤테로고리기이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 페난트레닐기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 스피로비플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소 또는 하기 구조들에서 선택된 어느 하나일 수 있고, 하기 구조들은 추가로 치환될 수 있다.
Figure 112016097509191-pat00019
Figure 112016097509191-pat00020
Figure 112016097509191-pat00021
Figure 112016097509191-pat00022
Figure 112016097509191-pat00023
일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2가 서로 결합하여 하기 구조들 중에서 선택된 어느 하나의 고리를 형성할 수 있고, 하기 고리 구조들은 추가로 치환될 수 있다.
Figure 112016097509191-pat00024
(상기 구조식들 중 점선은 인접한 기, 예컨대 N원자에 연결되는 부위이다.)
구체적으로, 상기 구조들은 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아민기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 시클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴헤테로아릴아민기; 아릴포스핀기; 및 헤테로 고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환될 수 있다.
상기 구조들에서, R'는 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 아르알킬기; 치환 또는 비치환된 아르알케닐기; 치환 또는 비치환된 알킬아릴기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기이거나, 2 이상의 R'가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고, R'가 2 이상인 경우에 R'는 서로 같거나 상이하다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 하기 화합물들 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
Figure 112016097509191-pat00025
Figure 112016097509191-pat00026
Figure 112016097509191-pat00027
Figure 112016097509191-pat00028
Figure 112016097509191-pat00029
Figure 112016097509191-pat00030
Figure 112016097509191-pat00031
Figure 112016097509191-pat00032
Figure 112016097509191-pat00033
Figure 112016097509191-pat00034
Figure 112016097509191-pat00035
Figure 112016097509191-pat00036
Figure 112016097509191-pat00037
Figure 112016097509191-pat00038
Figure 112016097509191-pat00039
Figure 112016097509191-pat00040
Figure 112016097509191-pat00041
Figure 112016097509191-pat00042
Figure 112016097509191-pat00043
Figure 112016097509191-pat00044
Figure 112016097509191-pat00045
Figure 112016097509191-pat00046
Figure 112016097509191-pat00047
Figure 112016097509191-pat00048
Figure 112016097509191-pat00049
화합물의 컨쥬게이션 길이와 에너지 밴드 갭은 밀접한 관계가 있다. 구체적으로, 화합물의 컨쥬게이션 길이가 길수록 에너지 밴드갭이 작아진다. 전술한 바와 같이, 상기 화학식 1의 화합물의 코어는 제한된 컨쥬게이션을 포함하고 있으므로, 이는 에너지 밴드 갭이 큰 성질을 갖는다.
본 명세서에서는 상기와 같이 에너지 밴드 갭이 큰 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 다양한 에너지 밴드 갭을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 통상 에너지 밴드 갭이 큰 코어 구조에 치환기를 도입하여 에너지 밴드 갭을 조절하는 것은 용이하나, 코어 구조가 에너지 밴드 갭이 작은 경우에는 치환기를 도입하여 에너지 밴드 갭을 크게 조절하기 어렵다. 또한, 본 발명에서는 상기와 같은 구조의 코어 구조에서 치환기의 위치에 따라 화합물의 HOMO 및 LUMO 에너지 준위도 조절할 수 있으며 전자 수송층 물질에 주로 사용되는 치환기를 상기 코어 구조에 도입함으로써 각 유기물층에서 요구하는 조건들을 충족시키는 물질을 합성할 수 있고 유기 발광 소자에 사용함으로써 구동 전압이 낮고 광효율이 높은 소자를 구현할 수 있다.
상기 코어구조에 다양한 치환기, 특히 수소 또는 중수소를 도입함으로써 에너지 밴드 갭을 미세하게 조절이 가능하게 하며, 한편으로 유기물 사이의 계면에서의 특성을 향상되게 하며 물질의 용도를 다양하게 할 수 있다.
한편, 상기 화학식 1의 화합물은 스피로 구조의 특성상 유리 전이 온도(Tg)가 높아 열적 안정성이 우수하다. 이러한 열적 안정성의 증가는 소자에 구동 안정성을 제공하는 중요한 요인이 된다.
또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 유기 발광 소자는 전술한 화합물을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 조절층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.
상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 조절층, 발광층 및 전자 수송층 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있으나, 이에 한정되지 않고 단층 구조일 수 있다. 또한, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.
따라서, 본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 및 정공 주입 및 정공 수송을 동시에 하는 층 중 1층 이상을 포함할 수 있고, 상기 층들 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
또 하나의 실시 상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 하나의 예로서, 상기 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층의 호스트로서 포함될 수 있다. 또 하나의 예로서, 상기 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층의 인광 호스트로서 포함될 수 있다.
또 하나의 예로서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 호스트로서 포함하고, 다른 유기화합물, 금속 또는 금속화합물을 도펀트로 포함할 수 있다.
또 하나의 예로서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 호스트로서 포함하고, 이리듐계(Ir) 도펀트와 함께 사용할 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기 전자 소자의 유기물층은 정공수송층을 포함하고, 상기 정공수송층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
이와 같은 다층 구조의 유기물층에서 상기 화합물은 발광층, 정공 주입/정공 수송과 발광을 동시에 하는 층, 정공 수송과 정공 조절을 동시에 하는 층 또는 정공 수송과 발광을 동시에 하는 층 등에 포함될 수 있다.
예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 도 2에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
도 1에는 기판(1) 위에 양극(2), 발광층(3) 및 음극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화합물은 상기 발광층(3)에 포함될 수 있다.
도 2에는 기판(1) 위에 양극(2), 정공 주입층(5), 정공 수송층(6), 발광층(7), 전자 수송층(8) 및 음극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화합물은 상기 정공 주입층(5), 정공 수송층(6), 발광층(7)에 포함될 수 있다.
예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 스퍼터링(sputtering)이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸화합물의), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)화합물의](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입 받을 수 있는 물질로서, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리화합물의 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 호스트로서 포함하고, 이리듐계(Ir) 도펀트와 함께 사용할 수 있다.
도펀트로 사용되는 이리듐계 착물은 하기와 같다.
[Ir(piq)3]　　　　　　　[Btp2Ir(acac)]
Figure 112016097509191-pat00050
[Ir(ppy)3]　　　　　　　　　　[Ir(ppy)2(acac)]
Figure 112016097509191-pat00051
[Ir(mpyp)3]　　　　　　　[F2Irpic]
Figure 112016097509191-pat00052
[(F2ppy)2Ir(tmd)]　　　　　　　　　[Ir(dfppz)3]
Figure 112016097509191-pat00053
　　　
Figure 112016097509191-pat00054
상기 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
본 발명에 따른 화합물은 유기 태양 전지, 유기 감광체, 유기 트랜지스터 등을 비롯한 유기 전자 소자에서도 유기 발광 소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.
상기 화학식 1의 화합물의 제조방법 및 이들을 이용한 유기 발광 소자의 제조는 이하의 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.
< 제조예 1> 하기 1-1-C ~ 1-4-C의 제조
Figure 112016097509191-pat00055
화합물 1-1-A의 합성
디벤조퓨란-4-일보로닉산 (10g, 47.1 mmol)과 2-브로모-4-클로로-1-아이오도벤젠 (15.7g, 49.5mmol)을 THF(300ml)에 첨가한 후 2M 포타슘카보네이트 수용액(100ml)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(1.63g, 141mmol)을 넣은 후, 10시간동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 인산칼륨 용액을 제거하여 층분리하였다. 용매 제거 후 흰색의 고체를 에틸아세테이트와 에탄올로 재결정하여 상기 화합물 1-1-A(14.31g, 수율 85%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 356.96
화합물 1-2-A의 합성
상기 화합물 1-1-A의 합성예에서 2-브로모-4-클로로-1-아이오도벤젠 대신 2-브로모-5-클로로-1-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 1-2-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 356.96
화합물 1-3-A의 합성
상기 화합물 1-1-A의 합성예에서 2-브로모-4-클로로-1-아이오도벤젠 대신 2-브로모-3-클로로-1-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 1-3-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 356.96
화합물 1-4-A의 합성
상기 화합물 1-1-A의 합성예에서 2-브로모-4-클로로-1-아이오도벤젠 대신 2-브로모-6-클로로-1-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 1-4-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 356.96
화합물 1-1-B의 합성
화합물 1-1-A(14g, 39.3 mmol)을 THF (250ml) 에 용해한 후 온도를 -78도로 낮춘 후 2.5M n-BuLi (20.4ml) 을 적가하고 30분 후 10H-스피로-[안트라센-9,9'-플루오렌]-10-온 (13.6g, 40mmol)을 넣어주고 상온으로(room temperature) 올린 후 1시간동안 교반하였다. 1N HCl (300ml)를 넣어주고 30분간 교반한 후 층분리하여 용매제거 후 에틸아세테이트로 정제하여 화합물 1-1-B(19.5g, 85%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 623.17
화합물 1-2-B의 합성
상기 화합물 1-1-B의 합성예에서 화합물 1-1-A 대신 화합물 1-2-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 1-2-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 623.17
화합물 1-3-B의 합성
상기 화합물 1-1-B의 합성예에서 화합물 1-1-A 대신 화합물 1-3-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 1-3-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 623.17
화합물 1-4-B의 합성
상기 화합물 1-1-B의 합성예에서 화합물1-1-A 대신 화합물1-4-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 1-4-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 623.17
화합물 1-1-C의 합성
화합물 1-1-B(10g, 16.1 mmol)를 아세트산(250ml)에 넣은 후 황산 1ml를 적가하고 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물로 중화한 후 걸러진 고체를 테트라하이드로퓨란과 에틸아세테이트로 재결정하여 화합물 1-1-C(9.24g, 95%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 605.16
화합물 1-2-C의 합성
상기 화합물 1-1-C의 합성예에서 화합물 1-1-B 대신 화합물 1-2-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 1-2-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 605.16
화합물 1-3-C의 합성
상기 화합물 1-1-C의 합성예에서 화합물 1-1-B 대신 화합물 1-3-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 1-3-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 605.16
화합물1-4-C의 합성
상기 화합물 1-1-C의 합성예에서 화합물1-1-B 대신 화합물1-4-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 1-4-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 605.16
< 제조예 2> 하기 2-1-C ~ 2-4-C의 제조
Figure 112016097509191-pat00056
화합물 2-1-A의 합성
상기 화합물 1-1-A의 합성예에서 디벤조퓨란-4-일보로닉산 대신 디벤조퓨란-1-일보로닉산을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 2-1-A 을 제조하였다.
MS[M+H]+= 356.96
화합물 2-2-A의 합성
상기 화합물 2-1-A의 합성예에서 2-브로모-4-클로로-1-아이오도벤젠 대신 2-브로모-5-클로로-1-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 2-2-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 356.96
화합물 2-3-A의 합성
상기 화합물 2-1-A의 합성예에서 2-브로모-4-클로로-1-아이오도벤젠 대신 2-브로모-3-클로로-1-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 2-3-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 356.96
화합물 2-4-A의 합성
상기 화합물 2-1-A의 합성예에서 2-브로모-4-클로로-1-아이오도벤젠 대신 2-브로모-6-클로로-1-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 2-4-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 356.96
화합물 2-1-B의 합성
상기 화합물 1-1-B의 합성예에서 화합물 1-1-A 대신 화합물 2-1-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 2-1-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 623.17
화합물 2-2-B의 합성
상기 화합물 2-1-B의 합성예에서 화합물 2-1-A 대신 화합물 2-2-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 2-2-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 623.17
화합물 2-3-B의 합성
상기 화합물 2-1-B의 합성예에서 화합물 2-1-A 대신 화합물 2-3-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 2-3-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 623.17
화합물 2-4-B의 합성
상기 화합물 2-1-B의 합성예에서 화합물 2-1-A 대신 화합물 2-4-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 2-4-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 623.17
화합물 2-1-C의 합성
상기 합성예 1-1-C에서 화합물 1-1-B 대신 화합물 2-1-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 2-1-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 605.16
화합물 2-2-C의 합성
상기 합성예 2-1-C에서 화합물 2-1-B 대신 화합물 2-2-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 2-2-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 605.16
화합물 2-3-C의 합성
상기 합성예 2-1-C에서 화합물 2-1-B 대신 화합물 2-3-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 2-3-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 605.16
화합물 2-4-C의 합성
상기 합성예 2-1-C에서 화합물 2-1-B 대신 화합물 2-4-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 2-4-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 605.16
< 제조예 3> 하기 3-1-C ~ 3-4-C, 3-1-D ~ 3-4-D의 제조
Figure 112016097509191-pat00057
Figure 112016097509191-pat00058
화합물 3-1-A의 합성
상기 화합물 1-1-A의 합성예에서 디벤조퓨란-4-일보로닉산 대신 디벤조퓨란-3-일보로닉산을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 3-1-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 356.96
화합물 3-2-A의 합성
상기 합성예 3-1-A에서 2-브로모-4-클로로-1-아이오도벤젠 대신 2-브로모-5-클로로-1-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 3-2-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 356.96
화합물 3-3-A의 합성
상기 합성예 3-1-A에서 2-브로모-4-클로로-1-아이오도벤젠 대신 2-브로모-3-클로로-1-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 3-3-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 356.96
화합물 3-4-A의 합성
상기 합성예 3-1-A에서 2-브로모-4-클로로-1-아이오도벤젠 대신 2-브로모-6-클로로-1-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 3-4-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 356.96
화합물 3-1-B의 합성
상기 화합물 1-1-B의 합성예에서 화합물 1-1-A 대신 화합물 3-1-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 3-1-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 623.17
화합물 3-2-B의 합성
상기 합성예 3-1-B에서 화합물 3-1-A 대신 화합물 3-2-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 3-2-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 623.17
화합물 3-3-B의 합성
상기 합성예 3-1-B에서 화합물 3-1-A 대신 화합물 3-3-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 3-3-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 623.17
화합물 3-4-B의 합성
상기 합성예 3-1-B에서 화합물 3-1-A 대신 화합물 3-4-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 3-4-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 623.17
화합물 3-1-C의 합성
화합물 3-1-B(10g, 16.1 mmol)를 아세트산(250ml)에 넣은 후 황산 1ml를 적가하고 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물로 중화한 후 걸러진 고체를 컬럼 크로마토그래피로 정제하고 테트라하이드로퓨란과 에틸아세테이트로 재결정하여 화합물 3-1-C(2.7g, 30%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 605.16
화합물3-2-C의 합성
상기 화합물 3-1-C의 합성예에서 화합물 3-1-B 대신 화합물 3-2-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 3-2-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 605.16
화합물3-3-C의 합성
상기 화합물 3-1-C의 합성예에서 화합물 3-1-B 대신 화합물 3-3-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 3-3-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 605.16
화합물 3-4-C의 합성
상기 화합물 3-1-C의 합성예에서 화합물 3-1-B 대신 화합물 3-4-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 3-4-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 605.16
화합물 3-1-D의 합성
상기 화합물 3-1-C의 합성예에서 컴럼정제한 후 재결정하여 화합물 3-1-D를 제조하였다.
MS[M+H]+= 605.16
화합물 3-2-D의 합성
상기 화합물 3-1-C의 합성예에서 컴럼정제한 후 재결정하여 화합물 3-2-D를 제조하였다.
MS[M+H]+= 605.16
화합물 3-3-D의 합성
상기 화합물 3-1-C의 합성예에서 컴럼정제한 후 재결정하여 화합물 3-3-D를 제조하였다.
MS[M+H]+= 605.16
화합물 3-4-D의 합성
상기 화합물 3-1-C의 합성예에서 컴럼정제한 후 재결정하여 화합물 3-4-D를 제조하였다.
MS[M+H]+= 605.16
< 제조예 4> 하기 4-1-C ~ 4-4-C, 4-1-D ~ 4-4-D의 제조
Figure 112016097509191-pat00059
Figure 112016097509191-pat00060
화합물 4-1-A의 합성
상기 화합물 1-1-A의 합성예에서 디벤조퓨란-4-일보로닉산 대신 디벤조퓨란-2-일보로닉산을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 4-1-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 356.96
화합물 4-2-A의 합성
상기 화합물 4-1-A의 합성예에서 2-브로모-4-클로로-1-아이오도벤젠 대신 2-브로모-5-클로로-1-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 4-2-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 356.96
화합물4-3-A의 합성
상기 화합물 4-1-A의 합성예에서 2-브로모-4-클로로-1-아이오도벤젠 대신 2-브로모-3-클로로-1-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 4-3-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 356.96
화합물 4-4-A의 합성
상기 화합물 4-1-A의 합성예에서 2-브로모-4-클로로-1-아이오도벤젠 대신 2-브로모-6-클로로-1-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 4-4-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 356.96
화합물 4-1-B의 합성
상기 화합물 1-1-B의 합성예에서 화합물 1-1-A 대신 화합물 4-1-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 4-1-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 623.17
화합물4-2-B의 합성
상기 화합물 4-1-B의 합성예에서 화합물 4-1-A대신 화합물 4-2-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 4-2-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 623.17
화합물 4-3-B의 합성
상기 화합물 4-1-B의 합성예에서 화합물 4-1-A 대신 화합물 4-3-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 4-3-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 623.17
화합물 4-4-B의 합성
상기 화합물 4-1-B의 합성예에서 화합물 4-1-A 대신 화합물 4-4-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 4-4-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 623.17
화합물 4-1-C의 합성
상기 화합물 3-1-C의 합성예에서 화합물 3-1-B 대신 화합물 4-1-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 4-1-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 605.16
화합물4-2-C의 합성
상기 합성예 4-1-C에서 화합물 4-1-B대신 화합물 4-2-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 4-2-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 605.16
화합물4-3-C의 합성
상기 합성예 4-1-C에서 화합물 4-1-B 대신 화합물 4-3-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 4-3-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 605.16
화합물 4-4-C의 합성
상기 합성예 4-1-C에서 화합물 4-1-B대신 화합물 4-4-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 4-4-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 605.16
화합물4-1-D의 합성
상기 합성예 4-1-C에서 컴럼정제한 후 재결정하여 화합물 4-1-D를 제조하였다.
MS[M+H]+= 605.16
화합물 4-2-D의 합성
상기 합성예 4-1-C에서 컴럼정제한 후 재결정하여 화합물 4-2-D를 제조하였다.
MS[M+H]+= 605.16
화합물 4-3-D의 합성
상기 합성예 4-1-C에서 컴럼정제한 후 재결정하여 화합물 4-3-D를 제조하였다.
MS[M+H]+= 605.16
화합물 4-4-D의 합성
상기 합성예 4-1-C에서 컴럼정제한 후 재결정하여 화합물 4-4-D를 제조하였다.
MS[M+H]+= 605.16
< 제조예 5> 하기 5-1-C ~ 5-4-C의 제조
Figure 112016097509191-pat00061
화합물 5-1-A의 합성
상기 화합물 1-1-A의 합성예에서 디벤조퓨란-4-일보로닉산 대신 디벤조티오펜-4-일보로닉산을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 5-1-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 372.94
화합물 5-2-A의 합성
상기 화합물 5-1-A의 합성예에서 2-브로모-4-클로로-1-아이오도벤젠 대신 2-브로모-5-클로로-1-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 5-2-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 372.94
화합물 5-3-A의 합성
상기 화합물 5-1-A의 합성예에서 2-브로모-4-클로로-1-아이오도벤젠 대신 2-브로모-3-클로로-1-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 5-3-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 372.94
화합물 5-4-A의 합성
상기 화합물 5-1-A의 합성예에서 2-브로모-4-클로로-1-아이오도벤젠 대신 2-브로모-6-클로로-1-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 5-4-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 372.94
화합물 5-1-B의 합성
상기 화합물 1-1-B의 합성예에서 화합물 1-1-A 대신 화합물 5-1-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 5-1-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 640.15
화합물 5-2-B의 합성
상기 화합물 5-1-B의 합성예에서 화합물 1-1-A 대신 화합물 5-2-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 5-2-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 640.15
화합물 5-3-B의 합성
상기 화합물 5-1-B의 합성예에서 화합물 1-1-A 대신 화합물 5-3-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 5-3-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 640.15
화합물 5-4-B의 합성
상기 화합물 5-1-B의 합성예에서 화합물1-1-A 대신 화합물5-4-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 5-4-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 640.15
화합물 5-1-C의 합성
상기 합성예 1-1-C에서 화합물 1-1-B 대신 화합물 5-1-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 5-1-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 621.14
화합물 5-2-C의 합성
상기 화합물 5-1-C의 합성예에서 화합물 5-1-B 대신 화합물 5-2-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 5-2-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 621.14
화합물 5-3-C의 합성
상기 화합물 5-1-C의 합성예에서 화합물 5-1-B 대신 화합물 5-3-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 5-3-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 621.14
화합물5-4-C의 합성
상기 화합물 5-1-C의 합성예에서 화합물 5-1-B 대신 화합물 5-4-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 5-4-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 621.14
< 제조예 6> 하기 6-1-C ~ 6-4-C의 제조
Figure 112016097509191-pat00062
화합물 6-1-A의 합성
상기 화합물 5-1-A의 합성예에서 디벤조티오펜-4-일보로닉산 대신 디벤조티오펜-1-일보로닉산을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 6-1-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 372.94
화합물 6-2-A의 합성
상기 화합물 6-1-A의 합성예에서 2-브로모-4-클로로-1-아이오도벤젠 대신 2-브로모-5-클로로-1-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 6-2-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 372.94
화합물 6-3-A의 합성
상기 화합물 6-1-A의 합성예에서 2-브로모-4-클로로-1-아이오도벤젠 대신 2-브로모-3-클로로-1-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 6-3-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 372.94
화합물 6-4-A의 합성
상기 화합물 6-1-A의 합성예에서 2-브로모-4-클로로-1-아이오도벤젠 대신 2-브로모-6-클로로-1-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 6-4-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 372.94
화합물 6-1-B의 합성
상기 화합물 1-1-B의 합성예에서 화합물 1-1-A 대신 화합물 6-1-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 6-1-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 639.15
화합물 6-2-B의 합성
상기 화합물 6-1-B의 합성예에서 화합물 6-1-A 대신 화합물 6-2-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 6-2-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 639.15
화합물 6-3-B의 합성
상기 화합물 6-1-B의 합성예에서 화합물 6-1-A 대신 화합물 6-3-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 6-3-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 639.15
화합물 6-4-B의 합성
상기 화합물 6-1-B의 합성예에서 화합물 6-1-A 대신 화합물 6-4-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 6-4-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 621.14
화합물 6-1-C의 합성
상기 합성예 1-1-C에서 화합물 1-1-B 대신 화합물 6-1-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 6-1-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 621.14
화합물 6-2-C의 합성
상기 화합물 6-1-C의 합성예에서 화합물 6-1-B 대신 화합물 6-2-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 6-2-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 621.14
화합물 6-3-C의 합성
상기 화합물 6-1-C의 합성예에서 화합물 6-1-B 대신 화합물 6-3-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 6-3-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 621.14
화합물 6-4-C의 합성
상기 화합물 6-1-C의 합성예에서 화합물 6-1-B 대신 화합물 6-4-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 6-4-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 621.14
< 제조예 7> 하기 7-1-C ~ 7-4-C, 7-1-D ~ 7-4-D의 제조
Figure 112016097509191-pat00063
Figure 112016097509191-pat00064
화합물 7-1-A의 합성
상기 화합물 5-1-A의 합성예에서 디벤조티오펜-4-일보로닉산 대신 디벤조티오펜-3-일보로닉산을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 7-1-A을 제조하였다.
MS[M+H]+= 372.94
화합물 7-2-A의 합성
상기 화합물 7-1-A의 합성예에서 2-브로모-4-클로로-1-아이오도벤젠 대신 2-브로모-5-클로로-1-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 7-2-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 372.94
화합물 7-3-A의 합성
상기 화합물 7-1-A의 합성예에서 2-브로모-4-클로로-1-아이오도벤젠 대신 2-브로모-3-클로로-1-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 7-3-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 372.94
화합물 7-4-A의 합성
상기 화합물 7-1-A의 합성예에서 2-브로모-4-클로로-1-아이오도벤젠 대신 2-브로모-6-클로로-1-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 7-4-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 372.94
화합물 7-1-B의 합성
상기 화합물 1-1-B의 합성예에서 화합물 1-1-A 대신 화합물 7-1-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 7-1-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 639.15
화합물 7-2-B의 합성
상기 화합물 7-1-B의 합성예에서 화합물 7-1-A 대신 화합물 7-2-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 7-2-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 639.15
화합물 7-3-B의 합성
상기 화합물 7-1-B의 합성예에서 화합물 7-1-A 대신 화합물 7-3-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 7-3-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 639.15
화합물 7-4-B의 합성
상기 화합물 7-1-B의 합성예에서 화합물 7-1-A 대신 화합물 7-4-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 7-4-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 639.15
화합물 7-1-C의 합성
화합물 7-1-B(10g, 16.1 mmol)를 아세트산(250ml)에 넣은 후 황산 1ml를 적가하고 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물로 중화한 후 걸러진 고체를 컬럼 크로마토그래피로 정제하고 테트라하이드로퓨란과 에틸아세테이트로 재결정하여 화합물 7-1-C(2.7g, 30%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 621.14
화합물 7-2-C의 합성
상기 화합물 7-1-C의 합성예에서 화합물 7-1-B 대신 화합물 7-2-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 7-2-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 621.14
화합물 7-3-C의 합성
상기 화합물 7-1-C의 합성예에서 화합물 7-1-B 대신 화합물 7-3-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 7-3-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 621.14
화합물 7-4-C의 합성
상기 화합물 7-1-C의 합성예에서 화합물 7-1-B대신 화합물 7-4-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 7-4-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 621.14
화합물 7-1-D의 합성
상기 화합물 7-1-C의 합성예에서 컴럼정제한 후 재결정하여 화합물 7-1-D를 제조하였다.
MS[M+H]+= 621.14
화합물 7-2-D의 합성
상기 화합물 7-1-C의 합성예에서 컴럼정제한 후 재결정하여 화합물 7-2-D를 제조하였다.
MS[M+H]+= 621.14
화합물 7-3-D의 합성
상기 화합물 7-1-C의 합성예에서 컴럼정제한 후 재결정하여 화합물 7-3-D를 제조하였다.
MS[M+H]+= 621.14
화합물 7-4-D의 합성
상기 화합물 7-1-C의 합성예에서 컴럼정제한 후 재결정하여 화합물 7-4-D 제조하였다.
MS[M+H]+= 621.14
< 제조예 8> 하기 8-1-C ~ 8-4-C, 8-1-D ~ 8-4-D의 제조
Figure 112016097509191-pat00065
화합물 8-1-A의 합성
상기 화합물 5-1-A의 합성예에서 디벤조티오펜-4-일보로닉산 대신 디벤조티오펜-2-일보로닉산을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 8-1-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 372.94
화합물 8-2-A의 합성
상기 화합물 8-1-A의 합성예에서 2-브로모-4-클로로-1-아이오도벤젠 대신 2-브로모-5-클로로-1-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 8-2-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 372.94
화합물 8-3-A의 합성
상기 화합물 8-1-A의 합성예에서 2-브로모-4-클로로-1-아이오도벤젠 대신 2-브로모-3-클로로-1-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 8-3-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 372.94
화합물 8-4-A의 합성
상기 화합물 8-1-A의 합성예에서 2-브로모-4-클로로-1-아이오도벤젠 대신 2-브로모-6-클로로-1-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 8-4-A를 제조하였다.
MS[M+H]+= 372.94
화합물 8-1-B의 합성
상기 화합물 1-1-B의 합성예에서 화합물 1-1-A 대신 화합물 8-1-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 8-1-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 639.15
화합물 8-2-B의 합성
상기 화합물 8-1-B의 합성예에서 화합물 8-1-A 대신 화합물 8-2-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 8-2-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 639.15
화합물 8-3-B의 합성
상기 화합물 8-1-B의 합성예에서 화합물8-1-A 대신 화합물8-3-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물8-3-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 639.15
화합물 8-4-B의 합성
상기 화합물 8-1-B의 합성예에서 화합물 8-1-A 대신 화합물 8-4-A를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 8-4-B를 제조하였다.
MS[M+H]+= 639.15
화합물 8-1-C의 합성
상기 화합물 5-1-C의 합성예에서 화합물 5-1-B 대신 화합물 8-1-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 8-1-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 621.14
화합물 8-2-C의 합성
상기 화합물 8-1-C의 합성예에서 화합물 8-1-B 대신 화합물 8-2-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 8-2-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 621.14
화합물 8-3-C의 합성
상기 화합물 8-1-C의 합성예에서 화합물 8-1-B 대신 화합물 8-3-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 8-3-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 621.14
화합물 8-4-C의 합성
상기 화합물 8-1-C의 합성예에서 화합물 8-1-B 대신 화합물 8-4-B를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 8-4-C를 제조하였다.
MS[M+H]+= 621.14
화합물 8-1-D의 합성
상기 화합물 8-1-C의 합성예에서 컴럼정제한 후 재결정하여 화합물 8-1-D를 제조하였다.
MS[M+H]+= 621.14
화합물 8-2-D의 합성
상기 화합물 8-1-C의 합성예에서 컴럼정제한 후 재결정하여 화합물 8-2-D를 제조하였다.
MS[M+H]+= 621.14
화합물 8-3-D의 합성
상기 화합물 8-1-C의 합성예에서 컴럼정제한 후 재결정하여 화합물 8-3-D를 제조하였다.
MS[M+H]+= 621.14
화합물 8-4-D의 합성
상기 화합물 8-1-C의 합성예에서 컴럼정제한 후 재결정하여 화합물 8-4-D를 제조하였다.
MS[M+H]+= 621.14
화합물 Core Ar 1 Ar 2 L p 구조 MS[M+H] +
화합물 1 1-1-C
Figure 112016097509191-pat00066
Figure 112016097509191-pat00067
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00068
 739.27
화합물 6 1-2-C
Figure 112016097509191-pat00069
Figure 112016097509191-pat00070
 직접
결합
Figure 112016097509191-pat00071
 814.30
화합물 13 1-3-C
Figure 112016097509191-pat00072
Figure 112016097509191-pat00073
 직접
결합
Figure 112016097509191-pat00074
 814.30
화합물 21 1-4-C
Figure 112016097509191-pat00075
Figure 112016097509191-pat00076
 직접
결합
Figure 112016097509191-pat00077
 788.29
화합물 5 1-1-C
Figure 112016097509191-pat00078
Figure 112016097509191-pat00079
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00080
 814.30
화합물 22 2-1-C
Figure 112016097509191-pat00081
Figure 112016097509191-pat00082
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00083
 739.27
화합물 26 2-2-C
Figure 112016097509191-pat00084
Figure 112016097509191-pat00085
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00086
 828.28
화합물 29 2-3-C
Figure 112016097509191-pat00087
Figure 112016097509191-pat00088
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00089
 930.37
화합물 33 2-4-C
Figure 112016097509191-pat00090
Figure 112016097509191-pat00091
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00092
 814.30
화합물 36 3-1-C
Figure 112016097509191-pat00093
Figure 112016097509191-pat00094
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00095
 814.30
화합물 41 3-2-C
Figure 112016097509191-pat00096
Figure 112016097509191-pat00097
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00098
 788.29
화합물 46 3-3-C
Figure 112016097509191-pat00099
Figure 112016097509191-pat00100
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00101
 788.29
화합물 54 3-4-C
Figure 112016097509191-pat00102
Figure 112016097509191-pat00103
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00104
 890.33
화합물 60 3-1-D
Figure 112016097509191-pat00105
Figure 112016097509191-pat00106
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00107
 854.33
화합물 61 3-2-D
Figure 112016097509191-pat00108
Figure 112016097509191-pat00109
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00110
 814.30
화합물 67 3-3-D
Figure 112016097509191-pat00111
Figure 112016097509191-pat00112
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00113
 828.28
화합물 75 3-4-D
Figure 112016097509191-pat00114
Figure 112016097509191-pat00115
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00116
 838.30
화합물 83 4-1-C
Figure 112016097509191-pat00117
Figure 112016097509191-pat00118
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00119
 903.33
화합물 84 4-2-C
Figure 112016097509191-pat00120
Figure 112016097509191-pat00121
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00122
 739.27
화합물 87 4-3-C
Figure 112016097509191-pat00123
Figure 112016097509191-pat00124
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00125
 788.29
화합물 89 4-4-C
Figure 112016097509191-pat00126
Figure 112016097509191-pat00127
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00128
 854.33
화합물 92 4-1-D
Figure 112016097509191-pat00129
Figure 112016097509191-pat00130
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00131
 844.26
화합물 96 4-2-D
Figure 112016097509191-pat00132
Figure 112016097509191-pat00133
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00134
 854.33
화합물 99 4-3-D
Figure 112016097509191-pat00135
Figure 112016097509191-pat00136
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00137
 890.33
화합물 101 4-4-D
Figure 112016097509191-pat00138
Figure 112016097509191-pat00139
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00140
 788.29
화합물 107 5-1-C
Figure 112016097509191-pat00141
Figure 112016097509191-pat00142
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00143
 830.28
화합물 108 5-2-C
Figure 112016097509191-pat00144
Figure 112016097509191-pat00145
Figure 112016097509191-pat00146
 1
Figure 112016097509191-pat00147
 830.28
화합물 115 5-3-C
Figure 112016097509191-pat00148
Figure 112016097509191-pat00149
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00150
 754.25
화합물 120 5-4-C
Figure 112016097509191-pat00151
Figure 112016097509191-pat00152
Figure 112016097509191-pat00153
 1
Figure 112016097509191-pat00154
 906.31
화합물 127 6-1-C
Figure 112016097509191-pat00155
Figure 112016097509191-pat00156
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00157
 906.31
화합물 131 6-2-C
Figure 112016097509191-pat00158
Figure 112016097509191-pat00159
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00160
 830.28
화합물 136 6-3-C
Figure 112016097509191-pat00161
Figure 112016097509191-pat00162
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00163
 860.24
화합물 140 6-4-C
Figure 112016097509191-pat00164
Figure 112016097509191-pat00165
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00166
 804.26
화합물 142 7-1-C
Figure 112016097509191-pat00167
Figure 112016097509191-pat00168
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00169
 880.30
화합물 146 7-2-C
Figure 112016097509191-pat00170
Figure 112016097509191-pat00171
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00172
 830.28
화합물 154 7-3-C
Figure 112016097509191-pat00173
Figure 112016097509191-pat00174
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00175
 830.28
화합물 159 7-4-C
Figure 112016097509191-pat00176
Figure 112016097509191-pat00177
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00178
 804.26
화합물 164 7-1-D
Figure 112016097509191-pat00179
Figure 112016097509191-pat00180
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00181
 844.26
화합물 170 7-2-D
Figure 112016097509191-pat00182
Figure 112016097509191-pat00183
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00184
 854.28
화합물 172 7-3-D
Figure 112016097509191-pat00185
Figure 112016097509191-pat00186
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00187
 906.31
화합물 176 7-4-D
Figure 112016097509191-pat00188
Figure 112016097509191-pat00189
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00190
 754.25
화합물 186 8-1-C
Figure 112016097509191-pat00191
Figure 112016097509191-pat00192
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00193
 919.31
화합물 187 8-2-C
Figure 112016097509191-pat00194
Figure 112016097509191-pat00195
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00196
 754.25
화합물 189 8-3-C
Figure 112016097509191-pat00197
Figure 112016097509191-pat00198
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00199
 906.31
화합물 192 8-4-C
Figure 112016097509191-pat00200
Figure 112016097509191-pat00201
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00202
 870.31
화합물 196 8-1-D
Figure 112016097509191-pat00203
Figure 112016097509191-pat00204
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00205
 906.31
화합물 197 8-2-D
Figure 112016097509191-pat00206
Figure 112016097509191-pat00207
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00208
 754.25
화합물 201 8-2-D
Figure 112016097509191-pat00209
Figure 112016097509191-pat00210
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00211
 830.28
화합물 204 8-2-D
Figure 112016097509191-pat00212
Figure 112016097509191-pat00213
 직접
결합		 0
Figure 112016097509191-pat00214
 804.26
화합물 1의 합성
Figure 112016097509191-pat00215
화합물 1-1-C(5g, 8.3mmol)과 디페닐아민(1.4g, 8.52mmol)을 자일렌(xylene)(150ml)에 첨가한 후 소듐 t-부톡사이드(1.11g, 11.6mmol)를 첨가하고, 가열 교반한 뒤 80℃에서 [비스(트라이-t-부틸포스핀)]팔라듐 2mmol% 을 넣는다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 걸러진 흰색의 고체를 테트라하이드로퓨란과 에틸아세테이트로 재결정하여 상기 화합물 1(3.67g, 수율 60%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 738.27
화합물 6의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 1-2-C, 디페닐아민 대신 N-페닐-[1,1'-비페닐]-4-아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 6을 제조하였다.
MS[M+H]+= 814.30
화합물 13의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 1-3-C, 디페닐아민 대신 N-페닐-[1,1'-비페닐]-2-아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 13을 제조하였다.
MS[M+H]+= 814.30
화합물 21의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 1-4-C, 디페닐아민 대신 N-페닐나프탈렌-1-아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 21을 제조하였다.
MS[M+H]+= 788.29
화합물 5의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 디페닐아민 대신 N-페닐-[1,1'-비페닐]-3-아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 5를 제조하였다.
MS[M+H]+= 814.30
화합물 22의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 2-1-C를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 22를 제조하였다.
MS[M+H]+= 739.27
화합물 26의 합성
Figure 112016097509191-pat00216
4-브로모디벤조퓨란(10g, 40.6mmol)과 아닐린(3.78g, 40.6mmol)을 톨루엔(toluene)(100ml)에 첨가한 후 소듐 t-부톡사이드 (5.5g, 56.8mmol)을 첨가하고, 가열 교반한 뒤 80℃에서 [비스(트라이-t-부틸포스핀)]팔라듐 2mmol%을 넣는다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 헥산으로 고체화하여 N-페닐디벤조퓨란-4-아민을 제조한 후 상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 2-2-C를 사용하여 동일한 방법으로 합성하여 화합물 26을 제조하였다.
MS[M+H]+= 828.28
화합물 29의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 2-3-C, 디페닐아민 대신 N-([1,1'-비페닐]-4-일)아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 29를 제조하였다.
MS[M+H]+= 930.37
화합물 33의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 2-4-C, 디페닐아민 대신 N-페닐-[1,1'-비페닐]-3-아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 33을 제조하였다.
MS[M+H]+= 814.30
화합물 36의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 3-1-C, 디페닐아민 대신 N-페닐-[1,1'-비페닐]-4-아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 36을 제조하였다.
MS[M+H]+= 814.30
화합물 41의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 3-2-C, 디페닐아민 대신 N-페닐나프탈렌-1-아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 41을 제조하였다.
MS[M+H]+= 788.29
화합물 46의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 3-3-C, 디페닐아민 대신 N-페닐나프탈렌-2-아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 46을 제조하였다.
MS[M+H]+= 788.29
화합물 54의 합성
Figure 112016097509191-pat00217
상기 화합물 26의 합성에서 4-브로모디벤조퓨란 대신 아이오도벤젠, 아닐린 대신 (1,1';3',1'-터페닐)-5'-아민을 사용하여 N-페닐-(1,1';3',1'-터페닐)-5'-아민을 제조하여 화합물 3-4-C와 반응하여 상기 화합물 1처럼 정제하여 화합물 54를 제조하였다.
MS[M+H]+= 890.33
화합물 60의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 3-1-D, 디페닐아민 대신 9,9'-디메틸-N-페닐-9H-플루오렌-2-아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 60을 제조하였다.
MS[M+H]+= 854.33
화합물 61의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 3-2-D, 디페닐아민 대신 N-페닐-[1,1'-비페닐]-2-아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 61을 제조하였다.
MS[M+H]+= 814.30
화합물 67의 합성
상기 화합물 26의 합성에서 4-브로모디벤조퓨란 대신 2-브로모디벤조퓨란, 화합물 2-2-C 대신 화합물 3-3-D를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 67을 제조하였다.
MS[M+H]+= 828.28
화합물 75의 합성
상기 화합물 26의 합성에서 4-브로모디벤조퓨란 대신 9-브로모페난쓰렌, 화합물 2-2-C 대신 화합물 3-4-D를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 75를 제조하였다.
MS[M+H]+= 838.30
화합물 83의 합성
상기 화합물 26의 합성에서 4-브로모디벤조퓨란 대신 2-브로모-9-페닐-9H-카바졸, 화합물 2-2-C 대신 화합물 4-1-C를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 83을 제조하였다.
MS[M+H]+= 903.33
화합물 84의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 4-2-C를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 84를 제조하였다.
MS[M+H]+= 739.27
화합물 87의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 4-3-C, 디페닐아민 대신 N-페닐나프탈렌-2-아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 87을 제조하였다.
MS[M+H]+= 788.29
화합물 89의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 4-4-C, 디페닐아민 대신 9,9'-디메틸-N-페닐-9H-플루오렌-2-아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 89를 제조하였다.
MS[M+H]+= 854.33
화합물 92의 합성
상기 화합물 26의 합성에서 4-브로모디벤조퓨란 대신 3-브로모디벤조티오펜, 화합물 2-2-C 대신 화합물 4-1-D를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 92를 제조하였다.
MS[M+H]+= 844.26
화합물 96의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 4-2-D, 디페닐아민 대신 9,9'-디메틸-N-페닐-9H-플루오렌-2-아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 96을 제조하였다.
MS[M+H]+= 854.33
화합물 99의 합성
상기 화합물 26의 합성에서 4-브로모디벤조퓨란 대신 4-클로로-1,1',2,1'-터페닐, 화합물 2-2-C 대신 화합물 4-3-D를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 99를 제조하였다.
MS[M+H]+= 890.33
화합물 101의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 4-4-C, 디페닐아민 대신 N-페닐나프탈렌-2-아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 101을 제조하였다.
MS[M+H]+= 788.29
화합물 107의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 5-1-C, 디페닐아민 대신 N-페닐-[1,1'-비페닐]-4-아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 107을 제조하였다.
MS[M+H]+= 830.28
화합물 108의 합성
Figure 112016097509191-pat00218
화합물 5-2-C(7g, 11.2mmol)와 (4-(디페닐아미노)페닐보로닉 산(3.5g, 12.1mmol)을 THF(200ml)에 첨가한 후 2M 포타슘카보네이트 수용액(70ml)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐 3mol%를 넣은 후, 10시간동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 인산칼륨 용액을 제거하여 층분리하였다. 걸러진 흰색의 고체를 테트라하이드로퓨란과 에틸아세테이트로 재결정하여 상기 화합물 108(5.5, 수율 60%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 830.28
화합물 115의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 5-3-C를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 115를 제조하였다.
MS[M+H]+= 754.25
화합물 120의 합성
상기 화합물 108의 합성에서 화합물 5-2-C 대신 화합물 5-4-C, (4-(디페닐아미노)페닐보로닉산, (4-{[1,1'-비페닐]-4-일(페닐)아미노}페닐)보로닉산을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 120을 제조하였다.
MS[M+H]+= 906.31
화합물 127의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 6-1-C, 디페닐아민 대신 N-({1,1'-비페닐}-4-일)-[1,1'-비페닐]-2-아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 127을 제조하였다.
MS[M+H]+= 906.31
화합물 131의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 6-1-C, 디페닐아민 대신 N-페닐-[1,1'-비페닐]-3-아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 131을 제조하였다.
MS[M+H]+= 830.28
화합물 136의 합성
상기 화합물 26의 합성에서 4-브로모디벤조퓨란 대신 2-브로모디벤조티오펜, 2-2-C 대신 6-3-C을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 136을 제조하였다.
MS[M+H]+= 860.24
화합물 140의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 6-4-C, 디페닐아민 대신 N-페닐나프탈렌-2-아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 140을 제조하였다.
MS[M+H]+= 804.26
화합물 142의 합성
상기 화합물 26의 합성에서 4-브로모디벤조퓨란 대신 1-(4-브로모페닐)나프탈렌, 2-2-C 대신 7-1-C을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 142를 제조하였다.
MS[M+H]+= 880.30
화합물 146의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 7-2-C, 디페닐아민 대신 N-페닐-[1,1'-비페닐]-4-아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 146을 제조하였다.
MS[M+H]+= 830.28
화합물 154의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 7-3-C, 디페닐아민 대신 N-페닐-[1,1'-비페닐]-3-아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 154를 제조하였다.
MS[M+H]+= 830.28
화합물 159의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 7-4-C, 디페닐아민 대신 N-페닐나프탈렌-1-아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 159를 제조하였다.
MS[M+H]+= 804.26
화합물 164의 합성
상기 화합물 26의 합성에서 화합물 2-2-C 대신 화합물 7-1-D를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 164를 제조하였다.
MS[M+H]+= 844.26
화합물 170의 합성
상기 화합물 26의 합성에서 4-브로모디벤조퓨란 대신 9-브로모페난트렌, 2-2-C 대신 7-2-D를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 170을 제조하였다.
MS[M+H]+= 852.28
화합물 172의 합성
상기 화합물 26의 합성에서 4-브로모디벤조퓨란 대신 1-클로로-1,1',2',1'-터페닐, 2-2-C 대신 7-3-D를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 172를 제조하였다.
MS[M+H]+= 906.31
화합물 176의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 7-4-D를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 176을 제조하였다.
MS[M+H]+= 754.25
화합물 186의 합성
상기 화합물 26의 합성에서 4-브로모디벤조퓨란 대신 2-브로모-9-페닐-9H-카바졸, 2-2-C 대신 8-1-C을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 186을 제조하였다.
MS[M+H]+= 919.31
화합물 187의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 8-2-C를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 187을 제조하였다.
MS[M+H]+= 754.25
화합물 189의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 8-3-C, 디페닐아민 대신 디([1,1'-비페닐]-3-일)아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 189를 제조하였다.
MS[M+H]+= 906.31
화합물 192의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 8-4-C, 디페닐아민 대신 9,9'-디메틸-N-페닐-9H-플루오렌-2-아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 192를 제조하였다.
MS[M+H]+= 870.31
화합물 196의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 8-1-D, 디페닐아민 대신 디([1,1'-비페닐]-4-일)아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 196을 제조하였다.
MS[M+H]+= 906.31
화합물 197의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 8-2-D를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 197을 제조하였다.
MS[M+H]+= 754.25
화합물 201의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 8-3-D, 디페닐아민 대신 디([1,1'-비페닐]-4-일)아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 201을 제조하였다.
MS[M+H]+= 830.28
화합물 204의 합성
상기 화합물 1의 합성에서 화합물 1-1-C 대신 화합물 8-4-D, 디페닐아민 대신 N-페닐나프날렌-2-아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 204를 제조하였다.
MS[M+H]+= 804.26
< 실시예 1>
ITO(인듐 주석 산화물)가 1,000Å 두께로 박막 코팅된 유리 기판(corning 7059 glass)을, 분산제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 세제는 피셔 사(Fischer Co.)의 제품을 사용하였으며, 증류수는 밀리포어 사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올 용제 순서로 초음파 세척을 하고 건조시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌(hexanitrile hexaazatriphenylene)를 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 그 위에 정공을 수송하는 물질인 상기에서 합성한 화합물1 (300Å)을 진공증착한 후 정공수송층을 형성하고 이어서 상기 정공 수송층 위에 HT2를 막두께 100Å으로 진공증착하여 정공 조절층을 형성하였다. 화합물 발광층으로 호스트 H1과 도판트 D1 화합물(25:1)을 300Å의 두께로 진공 증착하였다. 그 다음에 E1 화합물(300Å)을 전자주입 및 수송층으로 순차적으로 열 진공 증착하였다. 상기 전자 수송층 위에 순차적으로 12Å 두께의 리튬 플루오라이드(LiF)와 2,000Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하여, 유기 발광 소자를 제조하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 1 Å/sec를 유지하였고, 리튬플루라이드는 0.2 Å/sec, 알루미늄은 3 ~ 7 Å/sec의 증착속도를 유지하였다.
[헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌] [HT1]
Figure 112016097509191-pat00219
Figure 112016097509191-pat00220
[H1] [H2]
Figure 112016097509191-pat00221
Figure 112016097509191-pat00222
[E1] [D1]
Figure 112016097509191-pat00223
Figure 112016097509191-pat00224
<실시예 2>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물6 를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 3>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물13 를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 4>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물5 를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 5>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물22 를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 6>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물26 를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 7>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물29 를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다
<실시예 8>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물36 를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 9>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물41 를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 10>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물46 를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 11>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물60 를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 12>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물61 를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 13>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물67를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 14>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물83을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 15>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물84를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 16>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물87를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 17>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물92를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 18>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물96를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 19>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물99를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 20>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물107를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 21>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물108를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 22>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물115를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 23>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물127를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 24>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물131를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 25>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물136를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 26>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물142를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 27>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물146를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 28>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물154를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 29>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물164를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 30>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물170를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 31>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물172를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 32>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물186를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 33>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물187를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 34>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물189를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 35>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물196를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 36>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물197를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 37>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 화합물1 대신 화합물201를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<비교예 1>
상기 실시예 1에서 정공 수송층으로 제조예4 에서 합성한 화합물1 대신 HT1를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
상기 실시예 1 내지 36 및 비교예 1과 같이 각각의 화합물을 정공 수송층 물질로 사용하여 제조한 유기 발광 소자를 실험한 결과를 표 2에 나타내었다.
실험예 HTL 물질 전압(V) 전류효율(cd/A)
50 mA/㎠
비교예 1 HT1 4.11 5.32
실시예 1 화합물 1 3.70 5.99
실시예 2 화합물 6 3.66 5.76
실시예 3 화합물 13 3.89 5.62
실시예 4 화합물 5 4.00 5.12
실시예 5 화합물 22 3.72 5.7
실시예 6 화합물 26 4.32 5.99
실시예 7 화합물 29 3.55 5.23
실시예 8 화합물 36 3.88 5.98
실시예 9 화합물 41 3.45 5.78
실시예 10 화합물 46 3.60 5.49
실시예 11 화합물 60 3.63 5.78
실시예 12 화합물 61 3.90 5.89
실시예 13 화합물 67 3.98 5.89
실시예14 화합물 83 3.78 5.45
실시예15 화합물 84 3.65 5.33
실시예16 화합물 87 3.45 5.74
실시예17 화합물 92 3.60 5.8
실시예18 화합물 96 3.63 5.90
실시예19 화합물 99 3.90 5.62
실시예20 화합물 107 3.98 5.12
실시예21 화합물 108 3.78 5.7
실시예22 화합물 115 3.90 5.93
실시예23 화합물 127 3.98 5.88
실시예24 화합물 131 3.98 5.78
실시예25 화합물 136 3.78 5.58
실시예26 화합물 142 3.65 5.33
실시예27 화합물 146 4.00 5.88
실시예29 화합물 164 3.63 5.98
실시예30 화합물 170 3.90 5.99
실시예31 화합물 172 3.98 5.76
실시예32 화합물 186 3.70 5.62
실시예33 화합물 187 3.66 5.12
실시예34 화합물 189 3.89 5.7
실시예35 화합물 196 3.72 5.99
실시예36 화합물 197 4.32 5.23
실시예37 화합물 201 3.55 5.98
상기 표 2와 같이 실시예 1 내지 37 에 사용된 화합물은 유기발광 소자에서 정공수송층으로 사용되었으며, 벤지딘 타입의 물질인 비교예 1 보다 저전압, 고효율의 특성을 나타내는 것을 알 수 있다.
<실시예 38>
ITO(인듐 주석 산화물)가 1,000Å 두께로 박막 코팅된 유리 기판(corning 7059 glass)을, 분산제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 세제는 Fischer Co.의 제품을 사용하였으며, 증류수는 Millipore Co. 제품의 필터(Filter)로 2차 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올 용제 순서로 초음파 세척을 하고 건조시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 헥사니트릴 헥사아자트리페닐기렌(hexanitrile hexaazatriphenylene)를 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 그 위에 정공을 수송하는 물질인 위 제조예 2에서 합성한 화합물 1 (300Å)을 진공증착한 후 이어서 상기 정공 수송층 위에 화합물 1을 막두께 100Å으로 진공증착하여 정공 조절층을 형성하였다. 화합물 발광층으로 호스트 H1과 도판트 D1 화합물(25:1) 을 300Å의 두께로 진공 증착하였다. 그 다음에 E1 화합물(300Å)을 전자주입 및 수송층으로 순차적으로 열 진공 증착하였다. 상기 전자 수송층 위에 순차적으로 12Å 두께의 리튬 플루오라이드(LiF)와 2,000Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하여, 유기 발광 소자를 제조하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 1 Å/sec를 유지하였고, 리튬플루라이드는 0.2 Å/sec, 알루미늄은 3 ~ 7 Å/sec의 증착속도를 유지하였다.
[헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌] [HT1]
Figure 112016097509191-pat00225
Figure 112016097509191-pat00226
[H1] [H2]
Figure 112016097509191-pat00227
Figure 112016097509191-pat00228
[E1] [D1]
Figure 112016097509191-pat00229
Figure 112016097509191-pat00230
<실시예 39>
상기 실시예 38에서 정공 조절층으로 화합물1 대신 화합물33을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 40>
상기 실시예 38에서 정공 조절층으로 화합물1 대신 화합물54를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 41>
상기 실시예 38에서 정공 조절층으로 화합물1 대신 화합물75를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 42>
상기 실시예 38에서 정공 조절층으로 화합물1 대신 화합물89를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 43>
상기 실시예 38에서 정공 조절층으로 화합물1 대신 화합물101을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 44>
상기 실시예 38에서 정공 조절층으로 화합물1 대신 화합물120을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 45>
상기 실시예 38에서 정공 조절층으로 화합물1 대신 화합물140을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 46>
상기 실시예 38에서 정공 조절층으로 화합물1 대신 화합물159를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 47>
상기 실시예 38에서 정공 조절층으로 화합물1 대신 화합물176을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
<실시예 48>
상기 실시예 38에서 정공 조절층으로 화합물1 대신 화합물192를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
< 실시예 49>
상기 실시예 38에서 정공 조절층으로 화합물1 대신 화합물204를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
< 비교예 2>
상기 실시예 38에서 정공 조절층으로 화합물1 대신 HT1을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
실험예 HTL 물질 전압(V) 전류효율(cd/A)
50 mA/㎠
비교예 2 HT1 4.11 5.32
실시예 38 화합물 33 3.70 5.99
실시예 39 화합물 54 3.66 5.76
실시예 40 화합물 75 3.89 5.62
실시예 41 화합물 89 4.00 5.12
실시예 42 화합물 101 3.72 5.7
실시예 43 화합물 120 4.32 5.99
실시예 44 화합물 140 3.55 5.23
실시예 45 화합물 159 3.88 5.98
실시예 46 화합물 176 3.45 5.78
실시예 47 화합물 192 3.60 5.49
실시예 48 화합물 204 3.63 5.78
상기 표 3과 같이 실시예 38 내지 48에 사용된 화합물은 유기발광 소자에서 정공 조절층으로 사용되었으며, 비교예 2보다 저전압, 고효율의 특성을 나타내는 것을 알 수 있다.
본 발명에 따른 화학식의 화합물 유도체는 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자에서 정공 주입, 정공 수송 및 정공 조절의 역할을 할 수 있으며, 본 발명에 따른 소자는 효율, 구동전압, 안정성 면에서 우수한 특성을 나타낸다.
1: 기판
2: 양극
3: 발광층
4: 음극
5: 정공주입층
6: 정공수송층
7: 발광층
8: 전자수송층

Claims (15)

  1. 하기 화학식 2 내지 13 중 어느 하나로 표시되는 화합물:
    Figure 112019022495860-pat00274

    Figure 112019022495860-pat00275

    상기 화학식 2 내지 13에 있어서,
    p는 0 내지 5의 정수이고,
    L는 직접결합; 아릴렌기; 또는 헤테로아릴렌기이며,
    Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 알킬기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, Ar1과 Ar2가 서로 결합하여 고리를 형성한다.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2는 화학식 2-1 내지 2-4 중 어느 하나로, 상기 화학식 3은 화학식 3-1 내지 3-4 중 어느 하나로, 상기 화학식 4는 화학식 4-1 내지 4-4 중 어느 하나로 표시되는 화합물:
    Figure 112019022495860-pat00235

    상기 화학식 2-1 내지 2-4, 화학식 3-1 내지 3-4 및 화학식 4-1 내지 4-4에 있어서,
    p, L, Ar1 및 Ar2는 각각 화학식 2 내지 4에서 정의된 것과 같다.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 5는 화학식 5-1 내지 5-4 중 어느 하나로, 상기 화학식 6은 화학식 6-1 내지 6-4 중 어느 하나로, 상기 화학식 7은 화학식 7-1 내지 7-4 중 어느 하나로 표시되는 화합물:
    Figure 112019022495860-pat00236

    상기 화학식 5-1 내지 5-4, 화학식 6-1 내지 6-4 및 화학식 7-1 내지 7-4에 있어서,
    p, L, Ar1 및 Ar2는 각각 화학식 5 내지 7에서 정의된 것과 같다.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 8은 화학식 8-1 내지 8-4 중 어느 하나로, 상기 화학식 9는 화학식 9-1 내지 9-4 중 어느 하나로, 상기 화학식 10은 화학식 10-1 내지 10-4 중 어느 하나로 표시되는 화합물:
    Figure 112019022495860-pat00237

    상기 화학식 8-1 내지 8-4, 화학식 9-1 내지 9-4 및 화학식 10-1 내지 10-4에 있어서,
    p, L, Ar1 및 Ar2는 각각 화학식 8 내지 10에서 정의된 것과 같다.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 11은 화학식 11-1 내지 11-4 중 어느 하나로, 상기 화학식 12는 화학식 12-1 내지 12-4 중 어느 하나로, 상기 화학식 13은 화학식 13-1 내지 13-4 중 어느 하나로 표시되는 화합물:
    Figure 112019022495860-pat00238

    상기 화학식 11-1 내지 11-4, 화학식 12-1 내지 12-4 및 화학식 13-1 내지 13-4에 있어서,
    p, L, Ar1 및 Ar2는 각각 화학식 11 내지 13에서 정의된 것과 같다.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 L은 직접결합 또는 하기 구조들 중에서 선택된 어느 하나인 것인 화합물:
    Figure 112019022495860-pat00276

    Figure 112019022495860-pat00277
    .
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 수소; 또는 하기 구조들 중에서 선택된 어느 하나이거나,
    Figure 112019022495860-pat00241

    Figure 112019022495860-pat00278

    Ar1 및 Ar2가 서로 결합하여 하기 구조들 중에서 선택된 어느 하나의 고리를 형성하는 것인 화합물:
    Figure 112019022495860-pat00246

    상기 구조들에서, R'는 수소이다.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2 내지 13의 화합물은 하기 화합물들 중에서 선택된 어느 하나의 것인 화합물:
    Figure 112019502439940-pat00247

    Figure 112019502439940-pat00248

    Figure 112019502439940-pat00249

    Figure 112019502439940-pat00250

    Figure 112019502439940-pat00251

    Figure 112019502439940-pat00252

    Figure 112019502439940-pat00253

    Figure 112019502439940-pat00254

    Figure 112019502439940-pat00255

    Figure 112019502439940-pat00256

    Figure 112019502439940-pat00257

    Figure 112019502439940-pat00258

    Figure 112019502439940-pat00259

    Figure 112019502439940-pat00260

    Figure 112019502439940-pat00261

    Figure 112019502439940-pat00262

    Figure 112019502439940-pat00263

    Figure 112019502439940-pat00264

    Figure 112019502439940-pat00265

    Figure 112019502439940-pat00266

    Figure 112019502439940-pat00267

    Figure 112019502439940-pat00268

    Figure 112019502439940-pat00269

    Figure 112019502439940-pat00270

    Figure 112019502439940-pat00271
    .
  11. 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 1 및 4 내지 10 중 어느 하나의 항에 따른 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  12. 청구항 11에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층이 상기 화합물을 발광층의 호스트로서 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  13. 청구항 11에 있어서, 상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층 및 정공 주입과 정공 수송을 동시에 하는 층 중 1층 이상의 층을 포함하고, 상기 층들 중 1층 이상이 상기 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  14. 청구항 11에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화합물을 호스트로서 포함하고, 다른 유기 화합물, 금속 또는 금속 화합물을 도펀트로 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  15. 청구항 11에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화합물을 도펀트로서 포함하는 것인 유기 발광 소자.
KR1020160130158A 2015-10-07 2016-10-07 이중 스피로형 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 KR101985650B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150141235 2015-10-07
KR20150141235 2015-10-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170041646A KR20170041646A (ko) 2017-04-17
KR101985650B1 true KR101985650B1 (ko) 2019-09-03

Family

ID=58703053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160130158A KR101985650B1 (ko) 2015-10-07 2016-10-07 이중 스피로형 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101985650B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201923028A (zh) * 2017-09-08 2019-06-16 德商麥克專利有限公司 用於電子裝置之材料
KR102475856B1 (ko) * 2019-02-15 2022-12-08 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
CN109970575B (zh) * 2019-04-22 2022-06-17 吉林奥来德光电材料股份有限公司 有机电致发光化合物及其制法和应用

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012141229A1 (en) * 2011-04-14 2012-10-18 Canon Kabushiki Kaisha Novel spiro compound and organic light-emitting device having the same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100375171B1 (ko) 2000-07-21 2003-03-06 유한회사 탐라식품 백년초 액젓 및 그 제조 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012141229A1 (en) * 2011-04-14 2012-10-18 Canon Kabushiki Kaisha Novel spiro compound and organic light-emitting device having the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170041646A (ko) 2017-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101907292B1 (ko) 아민계 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102077369B1 (ko) 아민계 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102192692B1 (ko) 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
JP6777277B2 (ja) ヘテロ環化合物およびこれを含む有機発光素子
JP6575921B2 (ja) ヘテロ環化合物およびこれを含む有機発光素子
KR102279196B1 (ko) 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR101626524B1 (ko) 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
KR102120520B1 (ko) 아민계 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
JP6628066B2 (ja) ヘテロ環化合物およびこれを含む有機発光素子
KR101888248B1 (ko) 아민계 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102192368B1 (ko) 유기 발광 소자
KR101944003B1 (ko) 아민계 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102316570B1 (ko) 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102220659B1 (ko) 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR101985650B1 (ko) 이중 스피로형 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR101835187B1 (ko) 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102054069B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102233678B1 (ko) 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
JP6638924B2 (ja) ヘテロ環化合物およびこれを用いた有機発光素子
KR101985649B1 (ko) 이중 스피로형 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102216769B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102438617B1 (ko) 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
KR102201553B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102201551B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20170100283A (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant