KR101985152B1 - 번인소켓용 금형 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 번인소켓용 금형에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 상고정판, 상원판, 하원판, 받침판, 하밑판, 상밑판, 하고정판으로 이루어진 몸체부와, 몸체부 내부에 형성되는 어퍼코어와, 상기 어퍼코어에 내삽되어 소켓의 핀삽입면 및 핀홀을 형성하는 핀홀형성판을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 번인소켓용 금형에 관한 것이다.

Description

번인소켓용 금형{Mold for the burn-in socket}
본 발명은 번인소켓용 금형에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 상고정판, 상원판, 하원판, 받침판, 하밑판, 상밑판, 하고정판으로 이루어진 몸체부와, 몸체부 내부에 형성되는 어퍼코어와, 상기 어퍼코어에 내삽되어 소켓의 핀삽입면 및 핀홀을 형성하는 핀홀형성판을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 번인소켓용 금형에 관한 것이다.
일반적으로, IC 장치나 IC 패키지 등과 같은 표면 실장형 반도체 장치(SMT)는 LGA(Land Grid Array), BGA(Ball Grid Array), CSP(Chip Sized Package) 타입 등으로 이루어져 있으며, 이들은 고객에게 출하되기 전에 신뢰성 확인을 위해 번인 테스트(burn-in test)를 거치게 된다.
번인 테스트는 전술한 바와 같은 반도체 장치가 해당 전자기기에 적용되기 전에 해당 반도체 장치에 대해 평상시의 작동조건보다 높은 온도와 전압을 가했을 경우 해당 반도체 장치가 그러한 조건을 만족시키는지 여부를 가리는 과정을 말한다. 전술한 바와 같은 반도체 장치는 고객에게 출하되기 전에 번인 테스트용 소켓에 장착되어 번인 테스트를 거친다.
이러한 번인소켓(burn-in socket)은 상술한 바와 같은 번인 테스트에 이용되는 소켓으로서, 반도체 패키지가 탑재되는 베이스, 상기 베이스에 상하이동 가능하게 결합하는 커버, 복수의 콘택 핀을 가지는 콘택 서포트, 및 상기 커버의 상하 이동에 따라 개방 및 지지 위치로 이동하는 래치를 포함하는데, 상기 콘택 서포트에 지지되는 콘택 핀의 말단을 테스트 보드에 솔더링(Soldering)을 통해 전기적으로 접속시켜 반도체 패키지의 성능을 테스트하게 된다.
한편, 번인소켓과 관련한 선행기술문헌으로서는 대한민국특허공개 제 10-2013-57351 호의 반도체 패키지 테스트용 소켓의 기술이 공지되어 있다.
본 발명은 번인소켓을 형성하기 위한 금형의 구성을 제공하는데에 기술적 과제가 있다.
상기와 같은 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 번인소켓용 금형은, 상고정판, 상원판, 하원판, 받침판, 하밑판, 상밑판, 하고정판으로 이루어진 몸체부와, 몸체부 내부에 형성되는 어퍼코어와, 상기 어퍼코어에 내삽되어 소켓의 핀삽입면 및 핀홀을 형성하는 핀홀형성판을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 구성을 가지는 본 발명의 번인소켓용 금형은 상고정판, 상원판, 하원판, 받침판, 상밀판, 하밀판, 하고정판으로 이루어진 몸체부를 가지는 다단 형상의 금형으로서, 내구성 및 조립성이 양호하며, 상기 상고정판과 상기 받침판과 사이에 형성되는 중공의 어퍼코어에 핀홀형성판이 내삽되는 구성으로서, 핀홀형성판의 구성 변경을 통하여 해당 번인소켓에 요구되는 정밀도를 자유롭게 조절할 수 있는 효과를 발현하게 된다.
도 1a 는 본 발명의 번인소켓용 금형의 측면도,
도 1b 는 본 발명의 번인소켓용 금형의 평면도,
도 2 는 본 발명의 상고정판 상세도,
도 3 은 본 발명의 상원판의 상세도,
도 4 는 본 발명의 하원판의 상세도,
도 5 는 본 발명의 받침판의 상세도,
도 6 은 본 발명의 상밀판 및 하밀판의 상세도,
도 7 은 본 발명의 하고정판의 상세도,
도 8 은 본 발명의 핀홀형성판의 상세도,
도 9 는 본 발명의 금형에 의하여 사출된 번인소켓의 일례를 나타내는 사시도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 번인소켓용 금형의 구성을 설명한다.
단, 개시된 도면들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분하게 전달될 수 있도록 하기 위한 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 제시되는 도면들에 한정되지 않고 다른 태양으로 구체화될 수도 있다.
또한, 본 발명 명세서에서 사용되는 용어에 있어서 다른 정의가 없다면, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 통상적으로 이해하고 있는 의미를 가지며, 하기의 설명 및 첨부 도면에서 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 1a 는 본 발명의 번인소켓용 금형의 측면도, 도 1b 는 본 발명의 번인소켓용 금형의 평면도이다.
도 1a 및 도 1b 를 참조하면, 본 발명의 번인소켓용 금형(이하, '금형'이라 약칭한다)(100)은, 번인소켓을 사출하기 위한 금형으로서, 상고정판(110), 상원판(120), 하원판(130), 받침판(140), 상밀판(150), 하밀판(160), 하고정판(170)으로 이루어진 몸체부와, 상기 상고정판(110)과 상기 받침판(140)과 사이에 형성되는 중공의 어퍼코어(200)와, 소켓의 삽입면을 형성하기 위하여 상기 어퍼코어(200)에 내삽되는 핀홀형성판(230)을 포함하여 구성된다. 그리고, 상기 상고정판(110) 상에는 어퍼코어(200)를 마감하는 마감판(300)이 부설된다.
이하, 상기 몸체부를 이루는 구성요소들을 상세하게 설명하기로 한다.
도 2 는 본 발명의 상고정판 상세도, 도 3 은 본 발명의 상원판의 상세도, 도 4 는 본 발명의 하원판의 상세도, 도 5 는 본 발명의 받침판의 상세도, 도 6 은 본 발명의 상밀판 및 하밀판의 상세도, 도 7 은 본 발명의 하고정판의 상세도이며, 도 1a 및 도 1b 를 상호 참조하면서 각 부분을 설명한다.
도 2 를 참조하면, 본 발명 금형의 최상면을 이루는 상고정판(110)은 일정한 두께를 가지는 평판형상의 상고정판베이스(111)에 마감판(300)을 고정시키기 위한 볼트(미도시)가 관통하는 마감판고정구(112)와 센터홀(113)이 형성된다.
또한, 도 3 을 참조하면, 본 발명 금형의 상고정판(110)의 하측에 고정되는 상원판(120)은 일정한 두께를 가지는 평판형상의 상원판베이스(121)에 어퍼코어(200)를 형성하는 코어형성구(122)가 형성된다.
그리고, 도 4 를 참조하면, 본 발명 금형의 상원판(120)의 하측에 고정되는 하원판(130)은 일정한 두께를 가지는 평판형상의 하원판베이스(131)에 어퍼코어(200)를 형성하는 코어형성구(132)가 형성된 구성이다.
그러므로, 상기 상원판(120)의 코어형성구(122) 및 하원판(130)의 코어형성구(132)가 중첩되면서 일정한 공간을 형성하게 되며, 이렇게 형성된 공간부가 중공의 어퍼코어(200)를 이루게 된다.
도 5 를 참조하면, 본 발명의 하원판(130)의 하측으로 고정되는 받침판(140)은, 상기 상원판(120) 및 하원판(130)에 의하여 형성된 중공의 어퍼코어(200)를 내부 마감하는 부재로서, 일정한 두께를 가지는 평판형상의 받침판베이스(141)로 이루어져 있다.
또한, 도 6 을 참조하면, 상기 받침판(140)의 하측으로 상밀판(150)이 고정되고, 상밀판(150)의 하측으로 하밀판(160)이 고정되며, 이들 상밀판(150)과 하밀판(160)의 형상은 동일 형상이므로, 상밀판(150)을 설명하면 상기 상밀판(150)은 일정한 두께를 가지는 평판형상의 상밀판베이스(151)와, 상기 상밀판베이스(151)에형성된 고정홀(152)로 구성된다. 상기 고정홀(152)은 상기 하고정판(170)과의 결합을 위한 볼트(미도시)가 내삽되는 홀이다.
한편, 상기 하밀판(160)도 일정한 두께를 가지는 평판형상의 하밀판베이스(161)와, 상기 상밀판베이스(161)에 형성된 고정홀(162)로 구성된다. 상기 고정홀(162)은 상기 하고정판(170)과의 결합을 위한 볼트(미도시)가 내삽되는 홀이다.
그리고, 도 7 을 참조하면, 상기 하고정판(170)은 본 발명의 금형의 최하측을 마감하는 부재로서, 일정한 두께를 가지는 평판형상의 하고정판베이스(171)와, 상기 하고정판베이스(171) 상에 밀판고정홀(172)과 중앙에 센터홀(173)을 형성한 구성이며, 상기 밀판고정홀(172)은 상기 상밀판(150) 및 하밀판(160)을 결합시키는 볼트(미도시)가 관통하는 홀이다.
상술한 바와 같이 형성되는 몸체부 내부에 번인소켓을 사출하기 위한 공간부를 형성하는 어퍼코어(200)(upper core)가 형성되며, 상기 어퍼코어(200)는 상기 상원판(120)의 코어형성구(122) 및 하원판(130)의 코어형성구(132)가 중첩되면서 형성된 일정한 공간부이다.
이때, 상기 상원판(120)의 코어형성구(122) 및 하원판(130)의 코어형성구(132)에 의하여 형성된 어퍼코어(200)는 어퍼코어(200)의 상부 개구에 결합되는상패널(210)과 어퍼코어(200)의 하부 개구에 결합되는 하패널(220)에 의하여 공간부가 지지된다.
도 8 은 본 발명의 핀홀형성판의 상세도, 도 9 는 본 발명의 금형에 의하여 사출된 번인소켓의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 8 에 도시된 핀홀형성판(230)은 상기와 같이 몸체부 내부에 형성된 어퍼코어(200)에 내삽되어 도 9 에 도시된 바와 같은 번인소켓(10)의 바디(20)에 핀삽입면(30)을 형성하는 부재로서, 평판형상의 패널(231)에 오리피스(232)가 형성된 구성이며, 다수개의 핀홀형성판(230)을 중첩시켜 어퍼코어(200)에 내삽시킨다.
그러므로, 상기 핀홀평성판(230)의 오리피스(232)에 의하여 소켓(10)의 핀삽입편(30) 및 핀홀(40)이 형성되는 것이다.
한편, 상기한 상고정판(110) 및 하고정판(170)의 외측면을 충격, 자상, 열화 내지 침습 등으로부터 보호하기 위한 수단으로, 도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명은 상고정판(110) 및 하고정판(170)의 외측면에 소정 간격으로 구비되는 다공층(G1), 이 다공층(G1) 상부에 구비되는 발열층(G2) 및 다공층(G1), 발열층(G2)을 포함하여 상고정판(110) 및 하고정판(170)의 외측면을 덮는 보호층(G3)을 포함하는 보호막(G)을 포함할 수 있음을 특징으로 한다.
구체적으로, 다공층(G1)은 보호막(G)에 완충성을 부가하는 구성으로, 발포폴리스티렌 100 중량부 대비, 안티모니 트리옥사이드(Sb2O3) 5 중량부, 멜라민 폴리포스페이트 7 중량부 및 팽창 흑연 10 중량부를 포함한다.
각 조성물 별로, 발포폴리스티렌(Expanded Polystyrene)은 난연성에 취약하다는 단점이 있지만 단열성능이 뛰어나고 제조단가가 저렴하다는 장점 때문에 사용되었다. 다공층(G1)의 각 조성물은 발포스트렌의 100중량부를 기준으로 결정된다.
그리고 안티모니 트리옥사이드(Sb2O3)는 휘안석으로부터 취득되는 금속산화물로, 기타 난연재에 비해 우수한 난연성을 갖는다는 장점에 사용되었다. 이러한 안티모니 트리옥사이드는 발포스티렌 100 중량부 대비, 5 중량부가 포함되는 것이 바람직한데, 이를 초과하여 사용되는 경우 연소 시에 발생하는 라디칼 화합물이 인체에 유해할 수 있고, 상대적으로 고가인 이유로 경제성이 저하된다.
그리고 멜라민 폴리포스페이트(Melamine Polyphosphate)는 폴리인산화??물의 일종으로, 유리도막을 형성하여 산소접근을 차단하는 기능을 위해 첨가된다. 반복 실험 결과, 유리도막의 적정 두께 형성을 위한 최적의 사용량은 발포스티렌 100 중량부 대비, 7 중량부가 포함되는 것이다.
그리고 팽창 흑연(Expanded Graphite)은 연소 시 탄화물을 생성함으로써 난연 기능을 부가하는 흑연화합물로서 첨가되며, 바람직한 사용량은 10 중량부가 포함되는 것인데, 반복 실험 결과 상기한 멜라민 폴리포스페이트와의 중량 비율이 0.7 : 1로 사용될 때 난연 효과가 최대로 발현되었으며, 이 결과 10 중량부가 포함되는 것이 바람직하다는 결론을 내렸다.
상기 다공층(G1)은 상기 구성들을 물을 용매로 하여 분산시킨 후 소정의 경화 작업을 거쳐 제조된다. 여기에서, 다공층(G1)의 경화에 관한 사항은 본 발명의 범위를 벗어나는 것으로 기 공지된 기술 및 통상의 기술자의 일반 상식을 따르는 것으로 한다.
다음으로, 발열층(G2)은 다공층(G1)의 상부에 구비되어, 태양광을 받아 자체 발열하여 상기한 다공층(G1)과 보호층(G3) 간의 융화와 혼련이 자체적으로 이루질 수 있도록 하기 위해 부가되며, 상온에서는 이 혼련 시간이 24시간 이상으로 길기 때문에, 약 40 ~ 60℃의 온도 조건을 제공하여 혼련 시간을 30분 이내로 단축시키기 위해 구비되는 구성이다. 이러한 발열층(G2)은 테트라클로로금(Ⅲ)산 100 중량부 대비, 이산화망간 5 중량부 및 실리카겔 3 중량부를 포함한다.
각 조성물 별로, 테트라클로로금(Ⅲ)산(HAuCl4)은 금을 왕수(王水)에 녹이거나 염화금(Ⅲ)을 염산에 용해시켜 취득하는 담황색의 결정으로, 입경에 따라 발열 효율이 다르기 때문에 평균 입경이 15 ~ 30nm인 것이 사용되는 것이 바람직하다. 발열층(G2)을 구성하는 이하의 조성물은 테트라클로로금(Ⅲ)산 100 중량부를 기준으로 결정된다.
그리고 이산화망간(MnO2)은 망간과 상소가 결합한 화합물로, 발열층(G2)의 분산을 용이하게 하고 태양광 파장의 활용 영역을 최적화하기 위해 첨가되며, 티타늄, 크롬, 니켈, 구리 등 4주기의 전이금속 중 원적외선 영역에서의 복사율 및 복사에너지 효율이 좋아 채택되었다. 이러한 이산화망간은 산소 존재 하에서 약 1000℃로 소결시켜 제조되며, 입경이 작을수록 유도 가열 효과가 증대되므로 평균 입경이 10 ~ 100nm인 것이 사용되는 것이 바람직하고, 그 사용량은 반복 실험 결과 최적의 열전도 효율을 보였던 5 중량부인 것이 바람직하다.
그리고 실리카겔(Silica Gel)은 발열층(G2)의 발열 효과를 지속시키고 발열 포화 시간을 단축시키기 위해 첨가되며, 반복 실험 결과 3 중량부가 포함될 때 최적의 발열 효율을 보이는 것으로 확인되었다.
상기 발열층(G2)은 테트라클로로금(Ⅲ)산 수용액을 약 100℃에서 10분간 가열한 후에 소량의 구연산을 첨가하여 수용액 상태로 만든 다음, 이에 상기 배합 비율로 이산화망간 및 실리카겔을 혼합 및 분산시킨 후, 소정의 건조 과정을 거쳐 제조된다. 여기에서, 건조 과정에 대한 구체적인 내용은 기 공지된 기술 및 통상의 기술자의 일반 상식을 따르는 것으로 한다.
다음으로, 보호층(G3)은 보호막(G)의 기본 구성으로, 상기한 다공층(G1)과 발열층(G2)을 포함한 보호 부위 전체를 덮어서 보호한다. 이러한 보호층(G3)은 테트라에톡시실란 5 중량%와 메틸트리에톡시실란 5 중량%와 잔량의 물을 포함하는 실리카 결합수 100 중량부 대비, 포졸란 10 중량부, 계면활성제 3 중량부, 벤토나이트 1 중량부, 하이드록시에틸아크릴레이트 40 중량부 및 에틸렌디아민테트라아세테이트 3 중량부를 포함한다.
각 구성 별로, 실리카 결합수는 포졸란의 지오 폴리머 반응을 위해 첨가되며, 다량의 실리카(SiO)가 함유된 것이 좋다. 이러한 실리카 결합수는 결합수 전체 중량 대비, 테트라에톡시실란(TEOS) 5 중량%와 메틸트리에톡시실란(MTES) 5 중량%와 잔량의 물을 포함하는데, 테트라에톡시실란은 실리카 분자의 안정된 네트워크 구조를 형성하며, 메틸트리에톡시실란은 네트워크의 유연성을 증가시킨다. 테트라에톡시실란이 상기 조성비 미만으로 첨가되는 경우 보호층(G3)의 경도 저하가 발생하고, 상기 조성비를 초과하여 첨가되는 경우 실리카 전구체 함량이 높아져 건조 시의 크랙 발생 우려가 있다. 또한 메틸트리에톡시실란이 상기 조성비 미만으로 사용되는 경우 유연성이 저하되며, 상기 조성비를 초과하여 사용되는 경우 보호층(G3)의 경도가 저하된다. 보호층(G3)을 구성하는 이하의 조성물은 실리카 결합수 100 중량부를 기준으로 한다.
그리고 포졸란은 지오 폴리머 반응의 주요한 결합재로서, 화산재 등과 같은 천연 포졸란, 슬래그 미분말, 플라이 애쉬, 실리카 흄 등과 같은 인공 포졸란 중 어느 것이 선택되어도 무방하다. 이러한 포졸란은 10 중량부가 사용되는 것이 바람직하며, 너무 과도하지 않는다는 것을 전제할 때 상기 조성비를 초과하여도 무방하나, 상기 조성비 미만인 경우에는 강도 발현이 어렵다는 문제가 발생한다.
그리고 계면활성제는 작업성 개선을 위해 첨가되고, 벤토나이트는 탈락 방지를 위한 점탄성 조절제로서 첨가되어 요변제의 기능을 수행한다. 이러한 계면활성제와 벤토나이트는 공지된 기술 및 일반 상식을 참고하여 시판되는 제품을 상기 조성비로 첨가되면 족하다. 상기 조성비를 벗어나는 경우, 흐름성이 기준치에 과도하거나 또는 미달되게 된다.
그리고 하이드록시에틸아크릴레이트(Hydroxyethylacrylate)는 부착증진제로서 첨가되며, 특히 경화성이 뛰어나다는 장점이 있어 채용되었다. 반복 실험 결과, 바람직한 사용량은 40 중량부이며, 상기 조성비 미만으로 사용되는 경우 부착 증진 효과 발현이 미미하며, 상기 조성비를 초과하여 사용되는 경우 휘발도가 높아지고 독성이 강해진다.
그리고 에틸렌디아민테트라아세테이트(Ehtylenediaminetetracetate)는 흡착강화제로서 첨가되며, 보호막(G)의 초기 시공 시의 흡착력을 강화하여 결과적으로 부착력을 향상시킨다. 반복 실험 결과, 최적의 흡착 강화 효과를 발현하는 사용량은 3중량부로 확인되었다.
상기 보호층(G3)은 상기 구성들을 교반기에 투입하여 혼합 및 교반한 다음, 소정의 건조 및 경화 과정을 거쳐 제조된다.
상기 보호막(G)의 시공에 관한 실시예로, 시험용 블록에 다공층(G1), 발열층(G2) 및 보호층(G3) 순으로 구비한 다음, 태양광이 조사되는 환경 하에 1시간동안 방치하여 혼련 과정을 거치고, 경화시켜 보호막(G)을 형성하였다. 이 보호막(G)에 크로스-컷(cross-cut) 시험, 스크래칭 시험, 화염 분사를 통한 연소 시험, 물 분사를 통한 내부 침습도 시험을 수행한 결과, 박리율은 1% 미만이었으며, 파손율은 5% 미만이었고, 다공층(G1)의 연소가 발생하지 않았으며, 내부 침습이 검출되지 않았다.
상기와 같은 구성을 가지는 본 발명의 번인소켓용 금형은 상고정판(110), 상원판(120), 하원판(130), 받침판(140), 상밀판(150), 하밀판(160), 하고정판(170)으로 이루어진 몸체부를 가지는 다단 형상의 금형으로서, 내구성 및 조립성이 양호하며, 상기 상고정판(110)과 상기 받침판(140)과 사이에 형성되는 중공의 어퍼코어(200)에 핀홀형성판(230)이 내삽되는 구성으로서, 핀홀형성판(230)의 구성 변경을 통하여 해당 번인소켓에 요구되는 정밀도를 자유롭게 조절할 수 있는 효과를 발현하게 된다.
10: 번인소켓 20: 바디
30: 핀삽입면 40: 핀홀
100: 본 발명 금형
110: 상고정판 111: 상고정판베이스
112: 마감판 고정구 113: 중앙홀
120: 상원판 121: 상원판베이스
122: 코어형성구
130: 하원판 131: 하원판베이스
132: 코어형성구
140: 받침판 141: 받침판베이스
150: 상밀판 151: 상밀판베이스
152: 고정홀
160: 하밀판 161: 하밀판베이스
162: 고정홀
170: 하고정판 171: 하고정판베이스
172: 밀판고정홀 173: 센터홀
200: 어퍼코어
210: 어퍼코어 상패널 220: 어퍼코어 하패널
230: 핀홀 형성판 231: 패널
232: 오리피스

Claims (4)

  1. 번인소켓용 금형에 있어서,
    상고정판(110), 상원판(120), 하원판(130), 받침판(140), 상밑판(150), 하밑판(160) 및 하고정판(170)으로 이루어진 몸체부와,
    상기 몸체부 내부에 형성되어 공간부를 이루는 어퍼코어(200)와,
    상기 어퍼코어(200)에 내삽되어 소켓의 핀삽입면(30) 및 핀홀(40)를 형성하는 핀홀형성판(230);
    을 포함하고,
    상기 상고정판(110) 및 하고정판(170)의 외측면에 소정 간격으로 구비되는 다공층, 상기 다공층 상부에 구비되는 발열층 및 상기 다공층, 발열층을 포함하여 상기 상고정판(110) 및 하고정판(170)의 외측면을 덮는 보호층을 포함하는 보호막을 포함하고,
    상기 다공층은 발포폴리스티렌 100 중량부 대비, 안티모니 트리옥사이드(Sb2O3) 5 중량부, 멜라민 폴리포스페이트 7 중량부 및 팽창 흑연 10 중량부를 포함하고,
    상기 발열층은 테트라클로로금(Ⅲ)산 100 중량부 대비, 이산화망간 5 중량부 및 실리카겔 3 중량부를 포함하고,
    상기 보호층은 테트라에톡시실란 5 중량%와 메틸트리에톡시실란 5 중량%와 잔량의 물을 포함하는 실리카 결합수 100 중량부 대비, 포졸란 10 중량부, 계면활성제 3 중량부, 벤토나이트 1 중량부, 하이드록시에틸아크릴레이트 40 중량부 및 에틸렌디아민테트라아세테이트 3 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 번인소켓용 금형.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 상고정판(110)은 금형의 최상부를 이루는 부재이며, 평판형상의 상고정판베이스(111)에 마감판(300)을 고정시키기 위한 볼트가 관통하는 마감판고정구(112)가 형성되고,
    상기 상원판(120)은, 상기 상고정판(110)의 하측에 고정되는 부재이며, 평판형상의 상원판베이스(121)에 어퍼코어(200)를 이루는 코어형성구(122)가 형성되고,
    상기 하원판(130)은, 상기 상원판(120)의 하측에 고정되는 부재이며, 평판형상의 하원판베이스(131)에 어퍼코어(200)를 이루는 코어형성구(132)가 형성되고,
    상기 받침판(140)은, 상기 하원판(130)의 하측으로 고정되는 부재이며, 상기 상원판(120) 및 하원판(130)에 의하여 형성된 중공의 어퍼코어(200)를 내부 마감하는 평판형상의 받침판베이스(141)를 가지며,
    상기 받침판(140)의 하측으로 상밀판(150)이 고정되고, 상기 상밀판(150)의 하측으로 하밀판(160)이 고정되되, 상기 상밀판(150)은 평판형상의 상밀판베이스(151)에 고정홀(152)이 형성되고, 상기 하밀판(160)은 평판형상의 하밀판베이스(161)에 고정홀(162)이 형성되고, 상기 고정홀(152,162)은 상기 하고정판(170)과의 결합을 위한 볼트가 내삽되는 홀이며,
    상기 하고정판(170)은 금형의 최하측을 마감하는 부재이며, 평판형상의 하고정판베이스(171) 상에 밀판고정홀(172)이 형성된 구성을 특징으로 하는 번인소켓용 금형.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 어퍼코어(200)는, 상기 상원판(120)의 코어형성구(122) 및 하원판(130)의 코어형성구(132)에 의하여 형성된 공간부이며, 상기 어퍼코어(200)의 상부 및 하부 개구에 결합되는 상패널(210)과 하패널(220)에 의하여 공간부가 지지되고,
    상기 핀홀형성판(230)은, 평판형상의 패널(231)에 오리피스(232)가 형성되며, 다수개의 핀홀형성판(230)이 중첩되어 어퍼코어(200)에 내삽된 구성을 특징으로 하는 번인소켓용 금형.
  4. 삭제
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