KR101984946B1 - Ｘ-선들의 직접 변환을 위한 센서 칩을 제조하기 위한 방법, ｘ-선들의 직접 변환을 위한 센서 및 이러한 센서를 사용하기 위한 치과 방사선 장치 - Google Patents

Ｘ-선들의 직접 변환을 위한 센서 칩을 제조하기 위한 방법, ｘ-선들의 직접 변환을 위한 센서 및 이러한 센서를 사용하기 위한 치과 방사선 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101984946B1
KR101984946B1 KR1020187021012A KR20187021012A KR101984946B1 KR 101984946 B1 KR101984946 B1 KR 101984946B1 KR 1020187021012 A KR1020187021012 A KR 1020187021012A KR 20187021012 A KR20187021012 A KR 20187021012A KR 101984946 B1 KR101984946 B1 KR 101984946B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
direct conversion
semiconductor material
ray detector
manufacturing
detector
Prior art date
Application number
KR1020187021012A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180086296A (ko
Inventor
필리프 바르보우스
도미니끄 비아바
로랑 비네
실비에 보소렐
다이디어 구리어
쟝-마르크 잉글리스
쟝-페리에 폰폰
마티유 라울트
Original Assignee
트로피
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 트로피 filed Critical 트로피
Publication of KR20180086296A publication Critical patent/KR20180086296A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101984946B1 publication Critical patent/KR101984946B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
    • A61B6/14—
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
    • A61B6/42—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
    • A61B6/50—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment specially adapted for specific body parts; specially adapted for specific clinical applications
    • A61B6/51—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment specially adapted for specific body parts; specially adapted for specific clinical applications for dentistry
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
    • A61B6/50—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment specially adapted for specific body parts; specially adapted for specific clinical applications
    • A61B6/51—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment specially adapted for specific body parts; specially adapted for specific clinical applications for dentistry
    • A61B6/512—Intraoral means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/5152—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on halogenides other than fluorides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • C04B35/645—Pressure sintering
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/0296—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe
    • H01L31/02966—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe including ternary compounds, e.g. HgCdTe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0368—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/085—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors the device being sensitive to very short wavelength, e.g. X-ray, Gamma-rays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3296—Lead oxides, plumbates or oxide forming salts thereof, e.g. silver plumbate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/44—Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
    • C04B2235/444—Halide containing anions, e.g. bromide, iodate, chlorite

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • Dentistry (AREA)
  • Oral & Maxillofacial Surgery (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

본 발명은 X-선들의 직접 변환을 검출하기 위한 칩을 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. 그것은 또한 이러한 칩을 사용한 X-선들을 위한 직접 변환 검출기 및 적어도 하나의 이러한 검출기를 사용한 치과 방사선 장비에 관한 것이다.
웨이퍼를 제조하기 위한 방법은 분말상 다결정 반도체 재료에 압력을 인가하기 위한 단계(3, 4, 4a) 및 설정된 시간 기간 동안 가열을 위한 단계(5 내지 9)를 포함한다. 그것은 다결정 반도체 재료에 적어도 0.2%의 불순물 레벨을 제공하기 위한 예비 단계를 포함한다.

Description

Ｘ-선들의 직접 변환을 위한 센서 칩을 제조하기 위한 방법, Ｘ-선들의 직접 변환을 위한 센서 및 이러한 센서를 사용하기 위한 치과 방사선 장치{METHOD FOR PRODUCTION OF A PELLET FOR A DIRECT-CONVERSION DETECTOR OF X-RAYS, DIRECT-CONVERSION DETECTOR OF X-RAYS AND DENTAL RADIOLOGY APPARATUS USING SUCH A DETECTOR}
본 발명은 X-선들의 직접 변환을 검출하기 위해 반도체 재료로부터 칩을 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. 그것은 또한 이러한 칩을 사용한 X-선들을 위한 직접 변환 검출기 및 적어도 하나의 이러한 센서를 사용한 치과 방사선 장치에 관한 것이다.
종래 기술에서, 방사선 장비가 이미 제안되어 왔으며, 특히 치과에서, 이것은 입의 안쪽으로부터 2 또는 3차원들(2D 또는 3D)에서의 이미지들을 획득하는 것을 가능하게 한다. X-선 소스는 그것이 환자의 머리를 통해 송신될 이미지가 X-선 검출기와 관련되어 주어진 지지대 상에 형성되는 방식으로 X-선 검출기에 연계될 수 있도록 위치된다.
치과 방사선에 특정적인 제 1 요건은 이미지를 획득하기 위해 필요한 X-선들의 양이 가능한 한 낮아야 한다는 것이다. 실제로, 고-용량 X-선들이 건강에 유해한 영향을 가질 수 있다. 환자에 의해 수용된 X-선 용량은 엄격하게 감소되어야 할 뿐만 아니라, 기생적으로 운영자에 의해 수신된 것들이 또한 매우 엄격한 국제 표준들에 따라 감소되어야 한다.
모든 알려진 X-선 검출기들 중에서, 직접 변환 X-선 검출기로서 알려진 특정한 유형의 X-선 검출기들이 나타난다.
간접 변환 검출기는 그 역할이 수신된 X-광자를, 그 후 종래의 광 변환기(photonic converter)를 사용하여 전기 전하들로 변환되는, 광 광자로 변환하는 것인 신틸레이터(scintillator)를 갖는다. 직접 변환 검출기는 수신된 X-선 광자를 전기 전하들로 직접 변환한다. 이들 전하들은 그 후 전기장을 인가함으로써 수집된다.
이를 위해, 직접 변환 검출기는 칩을 포함한다. 이러한 반도체 칩은 X-광자의 흡수에 의해 생성된 전하들의 전계 효과에서의 이송으로 인해 전기 전류를 생성한다.
본 발명의 목적은 X-선 소스에 의해 조사된 장면의 2D 또는 3D 이미지를 생성하는 목적을 위해 전기 전류로의 X-광자 흐름의 직접 검출을 실행하기 위해 반도체 재료를 제조하며 이를 세라믹 반도체 웨이퍼로 만드는 것이다.
그러나, 치과 방사선에서, 여러 개의 기술들이 직접 변환 X선 검출기들의 특별한 특성들을 요구한다는 것이 이해된다. 사실상, 파노라마 촬영법들의 생성은 양쪽 치열 궁들 모두를 완전히 개시하며 특히 OPG 기술에 의한, 이미지들의 생성은, 여러 개의 이미지 획득들을 빠르게 반복하기 위한 능력, 및 직접 변환 X-선 검출기가 빠르게 검출해야 함을 요구한다.
본 발명의 또 다른 목적은 조사된 X-선 소스에 의해 2D 장면의 이미지들의 시퀀스를 달성하기 위해 적어도 하나의 전기 전류로의 보다 빠르게 여러 개의 연속적인 X-광자들 흐름들의 직접 변환을 수행하기 위해 새로운 칩을 제조하는 것이다.
사실상, 종래 기술에 의해 생성된 직접 변환 X-선 검출기들은 반도체 재료에 관련된 특정한 제한들을 겪는다. 부가적으로, 반도체 재료를 획득하기 위한 현재의 방법들은 특정한 단점들을 가진다.
이상적으로, 반도체 재료는 저렴하며 만들기 쉬어야 한다.
특정한 반도체 재료들을 준비하기 위한 단계들에 수반된 유해 위험은 특히, X-선 검출기들에서의 그것들의 사용을 위한, 그것들의 개발에 대한 장애물이다.
재료는 충분히 큰 센서들의 생산을 허용해야 한다.
재료는 낮은 공극률을 가져야 하며, 따라서 그것은 X-선들의 흡수 속성들을 감소시키지 않는다. 더욱이, 공극률은 전기 전하들의 움직임에 대한 배리어를 구성하고 이들 전하들의 캡처 및 열화에 대한 원인들 중 하나일 수 있으며, 따라서 재료의 전기 수송 속성들을 열화시킨다.
이러한 재료로 만들어진 웨이퍼의 반대 표면은 양쪽 측면들 상에서의 전극들의 배치를 용이하게 하기 위해 및 동종의 전기장을 보장하도록 충분히 낮은 거칠기를 보장하기 위해 매우 균일해야 한다.
재료는 HgI2의 화학량론에 가능한 한 가까운 조성을 가져야 하며, 이것은 재생 가능하며 그것의 볼륨 전체에 걸쳐 일정해야 한다. 사실상, 화학량론으로부터의 이탈은 이미지의 선명도에 영향을 미치는 결과들을 갖는 전기장의 라인들을 방해할 기생상(parasitic phase)을 발생시킬 수 있으며 전기 전하들을 가두고 그에 따라 검출기의 민감도를 저하시킬 수 있는 결함들을 생성할 수 있다.
본 출원의 나머지 전체에 걸쳐, 우리는 출력 변수(쿨롬들(Coulombs)에서의 전기 전하들의 양) 및 입력 변수(X-광자 에너지를 이온화하는 신호 흐름, 즉 그레이들×㎠에서의 표면 단위당 입력 용량) 사이에서의 비로서 검출기 민감도를 나타낼 것이다. 검출기의 민감도는 이에 기초하여 상대적 민감도로 표현될 수 있다.
몇몇 반도체 재료들은 요오드화 수은(HgI2)과 같은, 이방성이다. 이들 이방성 재료들은 재료의 배향에 의존하는 하나 이상의 특성들을 가진다. 요오드화 수은의 경우에, 전기 전하들의 움직임에 대한 저항은 결정 축("c")을 따라 낮아진다. 그러므로, C 축은 이방성 반도체 재료가 검출기로 통합될 때 재료의 외부 표면으로부터 센서로 전기 전도의 방향으로 배향되는 것이 중요하다.
단일 CdTe 또는 HgI2 형 결정들은 단일 입자에 의해 구성되며 그러므로 0의 공극률을 가진다. 이러한 재료는 그럼에도 불구하고 준비하기 지루하고 어렵다. 단일 결정 막대로부터의 깨끗한 접촉 표면들을 가진 얇은 웨이퍼들의 제조는 경제적으로 실현 가능하지 않다. HgI2 층들의 성장은 기체 상에서의 진공 증착을 갖고(PVD 방법) CMOS-형 반도체 기판상에서 수행될 수 있다. 요오드화 수은 기체는 90℃가 되며 70℃에서 저온 기판상에 응결된다. 이러한 성장의 이점들은 반도체 재료가 기판(전자 판독 회로) 상에 직접 증착되며, 기판 표면에 직교하는 결정 성장의 방향을 따라 배향된, C 축 및 그러므로 이러한 축이 그에 따라 획득된 센서의 동작 모드에서의 전기 전하들에 대한 용이한 전도의 방향을 따라 배향된다는 것이다.
그럼에도 불구하고, 이 방법은 다수의 단점들을 가진다. 준비 모드는 그것이 그것의 기체 상태에서 수은 또는 HgI2를 핸들링하는 것을 수반하기 때문에 건강에 특정한 유해 위험들을 제기한다. 그것은 HgI2의 온도들 및 진공 하에서 엄격하게 제어된 제조을 요구하며 기판은 매우 정확하게 정의되기 때문에 제조하는 것은 기술적으로 어렵다. 조성 및 화학량론은 기체 상에서의 HgI2의 온도에, 및 기판의 온도 및 증착의 속도에 매우 의존적이다. 최종적으로, 기판의 편평도는 결정의 메시 크기에 대하여 완전하지 않기 때문에, 성장의 시작 동안, 그것은 특정한 면적들에서 방해될 수 있으며 반도체 계면 재료/전극에 대한 전도를 방지할 수 있다.
HgI2와 같은 단일 결정 반도체 재료를 획득하기 위한 종래 기술로부터의 제 2 방법은 고온 용제에 HgI2 분말을 용해시키는 것을 포함한다. 그것은 그 후 냉각되며 용제는 단결정을 포집하기 전에 증발하도록 허용된다. 이 방법은 이전 방법보다 구현하기 더 용이하지만, 그것은 재생 가능하지 않다. 그것은 단결정의 크기 및 형태에 걸친 제어를 허용하지 않는다. 또한, 그에 따라 제조된 단결정들은 열악하게 제어된 순도 및 조성, 열악한 표면 마감 및 그것들이 대-면적 검출기들과 호환 가능하지 않게 하는 밀리미터 단위의 치수들을 가진다.
종래 기술의 제 3 방법은 중합 결합제("PIB" - "결합제에서의 미립자에서(In Particle In Binder)"로서 불리우는 방법)와 HgI2와 같은 반도체 재료들의 분말을 혼합하는 것을 포함한다. 중합체는 그에 따라 단단한 재료를 형성한 HgI2 입자들을 함께 결합하는 접착성들을 가진다. 이러한 방법의 이점들은 CMOS 센서로 그에 따라 획득된 재료를 쉽게 붙이는 가능성 및 준비의 용이함이다. 본 발명자들은 그에 따라 획득된 다결정의 단점들의 분석을 수행하였다. 이방성 반도체 재료의 경우에 재료 내에서의 축 C의 배향의 분산 및 반도체 재료의 입자들 사이에 특히 높은 공극률이 남아 있다.
종래 기술로부터의 제 4 방법은 소결에 의해 반도체 재료를 준비하는 것이다. 소결은 입자들을 성장시키며 그 후 그것을 녹이지 않고, 일반적으로 프레싱에 의해 이전 압축된, 분말을 가열함으로써 에너지 입력을 갖고 그것들을 함께 용접함으로써 세라믹들을 제조하기 위한 방법이다. 열의 효과 하에서, 입자들은 재료의 상호-확산에 의해 함께 용접되며, 이것은 조각의 응집성을 허용한다. 그러나, 이 방법은 만족스러운 전기 수송 속성들을 가진 재료를 획득하는 것을 가능하게 하지 않는다. 사실상, 그에 따라 획득된 재료는 매우 다공성이며 우선적 축 C 배향이 부족할 것이다.
2000년 11월 16일에 공개된, 국제 출원 WO-A-00/68999에서, CdTe 기반 세라믹이 소결에 의해 제조되는 종래 기술의 기술이 설명된다. 단계는 다이 압축에 의해 소결하기 전 펠릿을 성형하기 이전에 제안된다. 이러한 초기 분말 압축은 가열, 및 그에 따라 소결 전에 행해지며 칩을 성형하기 위한 간단한 방식을 구성한다. 이러한 유형의 CdTe 선택 프로세싱은 본 발명의 의도된 결과들을 달성하지 않는다.
두 개의 다른 증착 기술들과 함께 특허 US-A-5.892.227(또한 1996년 4월 4일자의 국제 출원 번호 WO-A 96/10194로서 공개된)에서, 분말 소결 기술은 반도체 제품 또는 반도체 제품들의 혼합물에 대해 설명된다. 노(furnace)에서의 온도를 설정하는 것은 강철 프레스를 사용하여 웨이퍼 상에 압력을 인가함으로써 성취된다.
그러나, 소결 방법은 모두가 유리한 것으로서 유지되는 여러 개의 방법들 중 하나로서 본 문서에 인용되지 않으며, 따라서 그것들이 아님을 입증하는 것이 가능할 것이다.
검사들에서, 사실상, 이러한 종래 기술의 여러 개의 단점들을 식별하는 것이 가능하였다. 제 1 단점은 반도체 재료가 요오드화 수은(HgI2)과 같은 분말상 다결정이며 그것이 높은 순도를 달성하기 위해 사전-처리된다는 것이다. 이것은 웨이퍼 제조 프로세스의 처음에 사용된 분말이 먼저 정제 프로세스로 제공되어야 한다는 점에서 부가적인 비용들의 소스를 야기한다.
이러한 종래 기술의 제 2 단점은 그에 따라 소결된 웨이퍼에 대한 반도체 재료에서의 X-광자 변환 동안 생성된 전기 전하들을 복원하는 것을 가능하게 하는 - 전극들에 대해 제안된 재료들 중 하나(이 경우에, 금)가 분말상 반도체 재료의 고온 소결 동안 화학적으로 반응하는 금속, 이 경우에 HgI2이라는 것이다. 이것은 전극(들)의 열화 및 심지어 국소적 파괴를 야기한다.
본 발명은 종래 기술의 이들 문제점들 및 단점들을 해결하는 것을 목표로 한다.
이러한 목적을 위해, 본 발명은 직접 변환 X-선 검출기를 위한 반도체 웨이퍼에 대한 제조 방법을 제안한다. 이 방법은 분말상 다결정 반도체 재료에 압력을 인가하기 위한 단계 및 설정 시간 기간 동안 가열하기 위한 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 다결정 반도체 재료의 불순물 비율은 적어도 0.2%이다.
방법의 다른 특성들에 따르면:
- 가압 단계는 축방향 압축력의 인가의 방향(C)에 따라 다결정 반도체 재료 입자들의 축 배향(C)을 보장할 값의 분말상 다결정 반도체 재료에 축방향 압축력을 인가하는 것으로 이루어진다;
- 상기 축방향 압축력의 값은 100 MPa 및 1,000 MPa 사이에서 구성되며, 고온 프레싱의 지속 기간은 적어도 1시간이다;
- 열의 온도는 70℃ 및 200℃ 사이에서 구성되며, 가열의 지속 기간은 적어도 1시간이다;
- 압력을 인가하는 단계는 가열 단계를 시작할 때 구현된다;
- 압력을 인가하는 단계는 전체 가열 단계 전체에 걸쳐 구현된다;
- 분말상 반도체 재료는 PbI2, HgI2, PbO 중으로부터 선택된 구성 성분들 중 적어도 하나를 포함한다;
- 압력을 인가하는 단계는 도펀트가 다결정 반도체 재료로 통합되는 단계에 의해 선행된다. 도펀트는 바람직하게는 할로겐 화합물들로부터 HgI2 또는 PbI2를 위해 선택되며, 특히 CsI, CdI2, SnCl2, AgI 또는 BiI3로부터 선택되며, PbO에 대해, 산화 화합물들 중에서 선택된다.
본 발명은 또한 본 발명에 따라 제조된 반도체 웨이퍼를 포함하는 직접 변환 X-선 검출기를 제안한다.
상기 검출기의 다른 특성들에 따르면:
- 그것은 통합 반도체 회로와 연관되며, 그것은 픽셀들의 1-차원 또는 2 차원 어레이를 제공하기 위해, 웨이퍼의 진입 표면과 접촉하는 제 1 연속 전극, 및 상기 웨이퍼의 반대 표면과 접촉하는 복수의 전도성 패치들에 의해 구성된 제 2 전극을 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 전극들은 반도체 웨이퍼가 증착되는 표면과 연관된 통합 반도체 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 통합 반도체 회로는 그것이 상기 반도체 칩의 상이한 픽셀들에 수신된 X-선들의 강도를 나타내는 복수의 전기 신호들을 생성하도록 배열된다.
본 발명은 또한 본 발명에 따른 적어도 하나의 직접 변환 X-선 검출기를 사용하여, 치과 X-선들을 포함한, X-선들을 위한 장치를 제공한다.
이러한 장치는:
- 본 발명에 다른 적어도 하나의 직접 변환 X-선 검출기를 포함하며, 그것은 적어도 하나의 제어된 X-선 소스 및 상기 적어도 하나의 직접 변환 X-선 검출기의 방향으로 적어도 하나의 X-선 노출을 실행하기 위해 및 상기 적어도 하나의 직접 변환 X-선 검출기에 의해 발생된 복수의 전기 신호들에 기초하여 적어도 하나의 그래픽 표현을 보고, 인쇄하고, 및/또는 기록함으로써, 그로부터 추론하기 위한 제어 회로를 더 포함한다.
- 그것은 경구 내 또는 경구 외 치과 X-선 장치이다.
본 발명의 다른 특성들 및 이점들이 설명 및 첨부한 도면들을 사용하여 보다 양호하게 이해될 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 방법의 특정한 단계들이 구현될 수 있는 디바이스의 개략적인 표현을 도시한다.
도 2a 및 도 2b는 축방향 압축으로부터 기인한 효과를 설명한 다이어그램들이다.
도 3은 본 발명에 따라 제조된 반도체 웨이퍼를 사용한 직접 변환 X-선 검출기의 개략적인 표현이다.
도 4는 본 발명에 따른 직접 변환 X-선 검출기를 사용한 치과 X-선 장치의 특정한 실시예의 다이어그램이다.
본 발명에 따르면, 제조 방법은 분말상 반도체 재료를 사용한다.
과학적 문헌에 따르면, PbI2, HgI2 및/또는 PbO 계 재료들이 잠재적으로 가장 효과적이다. 하나의 바람직한 실시예에서, 선택된 재료는 HgI2이다. 더욱이, 재료가 앞서 언급한 재료들을 가진 경우인 이방성 전기 이동도를 소유할 때, 전기 전류가 보다 큰 이동도의 방향으로 흐르도록 성형되는 것이 바람직하다.
종래 기술에서, 상기 설명된 바와 같이, 소결에 의해 검출 칩을 생성하기 위해 사용된 분말들은 가능한 가장 순수한 반도체 재료를 사용하기 위해 일련의 정제 단계들을 겪어야 한다.
그와는 반대로 및 놀랍게도, 본 발명자들은 최소 레벨의 불순물들의 존재가 X-광자들의 훨씬 더 높은 수율의 전기 변환을 획득하는 것을 가능하게 한다는 것을 관찰하였다.
본 발명자들은, 덜 순수한 분말로부터 제조된 HgI2 웨이퍼의 경우에, 보다 양호한 결과들이 검출 민감도에 대하여 획득된다는 것을 발견하였다.
본 발명에 따른 바람직한 및 용인 가능한 불순물들은 특히, 초기 분말에 포함된 금속 폐기물들 또는 분말을 감소시키기 위해 및 분말의 미립자들의 평균 직경을 측정하거나 또는 교정하기 위해 사용된 툴들로부터 및 산업용 분말 생성기의 제조 프로세스로부터 온 것들이다.
바람직하게는, 칩의 소결을 생성하기 위해 사용될 분말상 반도체 재료는 99.0% 순도이어야 하며, 불순물들, 특히 금속들의 비율은 1.0%보다 작다.
이러한 "비-정제된" 분말은 유리하게는 상업적으로 이용 가능하며, 따라서 그것은 일련의 정제 단계들에 수반된 비용들 모두를 제거하도록 허용한다. 구체적으로, 분말들의 제조자들은 상업적으로 10의 그룹들에 의해 그것들의 생산물들에서의 순도의 등급들을 제공한다. 본 발명자들에 의해 행해진 검사들은 0.2% 불순물들에 대응하는 10의 그룹으로부터의 직접 X-광자 변환을 위한 소결된 분말들에서의 개선된 결과들을 보여준다. 이것은 앞서 언급한 문서(US-A-5892227)를 포함한 종래 기술에서 요구된 불순물의 2000배 이상의 이득을 나타낸다.
본 발명자들은 그 후 이러한 재료로의 축방향 압축 하중의 인가가 초기 분말을 구성하는 입자들에 공통적인 결정 축 C를 따라 입자들을 재배향시킴으로써 전기 변환의 수율에서의 개선을 또한 지지하는 미리 결정된 최소 비율의 불순물들을 갖는다는 것을 실현하였다. 이러한 특성은 바람직한 실시예에서 최소 불순물 비율 특성과 조합된다.
도 1에서, 제조 방법을 구현하는 것을 가능하게 하는 디바이스가 도시된다.
노(1)는 열 전도 몸체(2)에 의해 구성되며, 이것은 하부 벽(4a)에 의해 및 소결된 분말상 반도체 재료 위에 위치된 축방향 압축 프레스(4)에 의해 제한된 중심 개구(6)를 가진다.
그 공동이 반도체 웨이퍼 재료에 의해 취해지기 위한 형태를 갖는 몰드는 하우징(6) 또는 노(1)의 중심 개구에 위치된다.
예를 들면, 이러한 몰드는 적어도 두 개의 대향 및 평행 표면들을 갖고 및 원형 또는 직사각형 형태를 가진 웨이퍼를 제조하는 것을 가능하게 한다.
열 전도 몸체(2)는 리저브(reserve)(7)로부터 가열된 오일의 순환을 위해 채널들(5)에 의해 뚫린다. 리저브 오일은 소결(도시되지 않음)을 위한 지속 기간 및/또는 온도를 제어하는 회로에 의해 연결된 전기 저항기(8)에 의해 가열된다.
가열된 오일은 소결(도시되지 않음)을 위한 지속 기간 및/또는 온도에 대해 제어 회로에 의해 제어된 전기 펌프(9)에 의해 흡입된다. 고온 오일은 몸체(2)의 채널들(5)로 들어간다. 이들 채널들은 나선 형태로 연결되며 가열한 오일의 흐름은 그 후 리저브(7)를 향해 라우팅된다.
바람직하게는, 상부 프레스(4)는 밸브, 및 분말로, 그 후 노(1)의 챔버(6)에 하우징된 반도체 웨이퍼로 인가된 축방향 압축의 힘의, 인가의 지속 기간을 조정하는 메커니즘(3)에 의해 활성화된다.
축방향 압축의 이러한 구현은 바람직하게는, 가열의, 즉 분말 및 그 후 제조되는 웨이퍼를 소결시키기 위한 가열의 개시 시 수행된다.
또 다른 실시예에서, 관심 있는 결과들이 저온 축방향 압축을 수행함으로써 획득되었으며, 이것은 반도체 재료로 만들어진 웨이퍼의 소결에 의한 제조를 위해 가열을 활성화시키기 전에 실행된다. 특히, 양호한 결과들이 1시간까지 동안 이전 저온 축방향 압축 후 셸-소성을 수행함으로써 획득되었다.
도 2a는 반도체 재료로 만들어진 웨이퍼에서의 입자들의 개략적인 예시이다. 예를 들면, 입자들(10, 11)에 의해 도시된, 이들 입자들은 평행육면체 형태를 가진다. 이러한 형태는 펠릿에서의 입자들의 실제 형태를 미리 결정하지 않지만, 그것의 목적은 이방성 재료의 경우에, 그것들의 전기적 속성들의 이방성을 강조하는 것이다. 보다 큰 전기적 이동도의 방향(C)은 평행육면체의 최소 치수에 대응한다.
도 2a에 도시된 입자들은 임의의 방향으로 배향된다. 그 결과, 전기 전하들이 재료를 통해 흐른다면, 그것들은 보다 큰 전기 이동도의 방향을 따라 입자들을 교차시킬 것이며, 그 후 보다 낮은 전기 이동도 방향에서의 다른 입자들로 이동할 것이다. 이것은 최대화되지 않은 재료의 전체 전기 이동도를 야기할 것이다.
도 2b에서, 주어진 방향(C)에서의 축방향 압축의 구현을 위해, 분말상 반도체 재료에서의 미립자의 입자 표면들(10, 11)은 사실상 보다 높은 전기 이동도의 방향(C)이 축방향 압축의 축에 평행하도록 정렬하려는 경향이 있다.
세라믹의 전체 전기 이동도는 이러한 방향을 따라 증가된다. 이것은 이러한 방향을 따라 전기 전하들의 개선된 흐름, 및 그러므로 X-광자들의 전기 변환에서의 개선된 수율을 야기한다.
압축, 또는 압력의 인가, 또는 소결될 분말의 압력 하에서의 소결은 종래 기술에서 이미 실시되어 왔다. 그러나, 특히 원하는 결과가 그 후 그에 따라 "사전-압축된" 펠릿이 소결 노에 위치되기 전에 보다 양호한 기계 강도를 부여하기 위해 분말의 간단한 압축이었다는 것이 주의된다. 특히, 압축은 단지 분말 볼륨에서의 감소를 야기하며, 분말 미립자들 사이에서의 보이드들은 이러한 압력을 인가함으로써 감소된다.
본 발명에 따르면, 가열과 동시에 축방향 압축을 인가하는 것은 다른 입자들의 희생으로 압축의 축에 평행한 축(C)의 배향을 가진 입자들의 성장을 촉진시키기 위해 볼륨 감소의 단일 상태를 초과하며 입자들의 선호된 배향을 가진 반도체 칩을 야기한다.
본 발명에 따른 제조 방법에서 수행된 압축은 바람직하게는 가열 단계의 처음에 발생해야 한다. 그것은 설정 값에서, 설정 시간 기간 동안, 및 설정된 온도 값에서 압축 하중 또는 힘을 갖고 발생한다.
축방향 압축 단계를 완료한 후, 특히 분말상 반도체 재료의 등급 및/또는 그것이 제조하고 싶어하는 웨이퍼의 두께에 따라, 소결을 위한 가열 단계가 즉시 정지될 수 있거나 또는 설정된 시간 기간 동안 또는 유지된 온도에서 또는 또 다른 미리 결정된 온도에서 계속될 수 있다.
양호한 결과들이 또한 먼저 축방향 저온 압축 단계를 실시함으로써, 및 소결 가열 단계 자체 직후 그것을 수행함으로써 획득되었다. 이러한 실시예에서, 셸-소성의 기술을 사용하는 것이 유리하다는 것이 발견되었으며; 축방향 압축된 펠릿은 비-압축 분말의 층 상에 위치되며 최종적으로 비-압축 분말의 층으로 커버된다.
가열 단계는 입자들이 웨이퍼 내에서 성장하는 것을 가능하게 한다. 소결 동안 분말 베드의 존재는 소결 동안 웨이퍼 및 분위기 사이에서의 접촉을 제한할 수 있다. 표면상에서의 물질의 수송의 현상들은 표면상에서의 재료의 점진적 증발 및 재응결에 의해 제한된다.
셸-소성은 보다 양호한 표면, 즉 웨이퍼의 대향 측면들의 표면들로부터 거칠기를 감소시킴으로써 보다 양호한 편평도를 획득하는 것을 가능하게 한다. 셸-소성은 또한 웨이퍼가 어닐링 동안 노 분위기와 바로 접촉한다면 발생할 수 있는 표면 기생 상의 형성을 감소시키는 것을 가능하게 한다.
프레스(4)의 표면들 및 몰드(4a)의 최하부는 소결 자체 동안 축방향 압축 및 가열을 갖고 획득하는 것이 가능한 개방 표면 공극률이 없는 평활한 표면 상태에 따르는 것을 가능하게 하는 표면 상태들을 가진다.
따라서 반도체 재료로 만들어진 웨이퍼에 대향하는 두 개의 "활성" 표면들 상에서의 전극 증착을 직접 만들며, 나중에 설명될 통합 CMOS 회로 상에, 전극의 및 웨이퍼의 어셈블리를 바로 증착시키는 것이 완전하게 가능하다.
일 특정한 실시예에서, 축방향 압축 단계는 도펀트가 반도체 재료에 통합하는 단계에 의해 선행된다. 일 바람직한 실시예에서, 도펀트는 요오드화 화합물들 중에서 선택되며 예를 들면, CsI 또는 BiI3이다.
도 3에서, 본 발명의 제조 방법을 갖고 획득된 세라믹 또는 반도체 재료 웨이퍼(13)를 사용함으로써 제조되는 직접 변환 X-선 검출기가 예시된다. 반도체 재료(13)로 만들어진 웨이퍼는 두 개의 평행하는 대향 표면들을 가지며, 도 3에서 볼 때 하나는 하부이고 하나는 상부이다. 그것들은 완전히 편평하며 거칠기가 없는 표면 상태를 가진다.
그 후 각각 상부 표면상에서의 제 1 전극(14) 및 반도체 재료로 만들어진 웨이퍼의 하부 표면상에서의 제 2 전극(15)을 구성할, 증발에 의해, 또는 임의의 적절한 기술에 의해, 팔라듐과 같은, 하나 이상의 금속 층들을 증착시키는 것이 가능하다.
일 바람직한 실시예에서, 제 1 전극(14)은 연속적이고, 편평하며 2차원이고, 이것은 입사 X-광자 흐름에 의해 교차될 수 있다. 입사 X-광자들의 에너지, 및 파장에 의존하여, 웨이퍼(13)의 하부 표면의 상부 표면을 분리하는 축방향 두께는 제 2 전극(15)을 통해 X-광자들의 흡수를 최대화함으로써 결정된다.
이러한 제 2 전극(15)은 2차원 연속 방식으로 생성되지 않으며, 오히려 각각의 패치를 위한 픽셀 이미지 센서에 대한 권한을 정의하는 패치들의 형태로 생성된다.
상기 경우에 의존하여, 제 2 전극(15)은 그 후 도체 패치들이 배열되는 방식으로 구성된다:
- 1차원 이미지 센서를 생성하기 위해, 하나의 선형 방향 또는 또 다른, 그러나 1차원으로;
- 또는 2D 이미지를 위한 2-차원 센서를 생성하기 위해, 검출기의 설계 동안 선택된 다양한 배열들 하에서, 2차원들로.
제 2 전극 상에서의 각각의 전도성 패치는 그 후 전도성 라인들의 네트워크에 의해 각각의 픽셀에 대해 검출된 신호들에 대한 증폭기들의 세트에 연결된다. 알려진 바와 같이, 그에 따라 형성된 2D 픽셀 배열은 로우들 및 컬럼들에서 2D 어드레싱 메커니즘을 포함하여, 직접 또는 다중화에 의해 동작될 수 있다. 이를 위해, 본 발명의 직접 변환 검출기는 또한 통합 CMOS 회로(17)를 포함하며, 이것은 그것의 전극들(14 및 15)을 갖고, 반도체 재료(13)로 이루어진 웨이퍼의 상부 표면이 증착되고 고정된다.
통합 CMOS 회로(17)는 주로 검출 회로(18) 및 신호 프로세싱 회로(19)로 구성된다. 회로(18)는 각각의 전기 전하 픽셀 센서에 연결된다. 각각의 픽셀 센서는 웨이퍼(13)의 각각의 픽셀 상에 생성된 전하에 응답하는 전치 증폭기 및 포맷팅 회로를 포함한다. 회로(19)는 반도체 칩의 다양한 픽셀들에 수신된 X-선 강도를 나타내는 전기 신호들을 생성하기 위한 수단을 제공받는다.
이를 위해, 반도체 칩(13)의 전극들(14 및 15)은 전기적 연결들에 의해 통합 CMOS 회로(17)의 전도성 입력 패치들(도시되지 않음)에 전기적으로 연결된다. 통합 CMOS 회로(17)의 전도성 입력 패치들은 알려진 바와 같이 적절하게 편광된 센서 회로들(18)에 전기적으로 연결된다.
통합 CMOS 회로들(17)을 위해 개발되기 위해 필요한 회로들 모두가 여기에 설명되지는 않으며, 단지 본 발명이 이해될 수 있도록 이것들만이 필요하다. 회로들(18)에 의해 생성된 수신된 X-선 강도를 나타내는 전기 신호들은 직접 변환 X-선 검출기를 구성하는 그에 따라 형성된 통합 복합 회로(13 내지 20)의 출력 단자들(20) 상에서 이용 가능하다.
도 4에서, 도 3을 참조하여 설명된 바와 같이 적어도 하나의 직접 변환 X-선 검출기를 유리하게 사용하는 치과 X-선 장치가 개략적으로 도시된다.
본 발명의 웨이퍼를 구비한 센서는 경구 외 치과 이미징 시스템에서 사용될 수 있다. X-선들의 일 소스(21)는 그것이 이동될 수 있는 지지대(24) 상에서의 이동 암(23) 상에 장착된다. X-선 소스(21)에 대하여, 암(23)은 상기 설명된 것에 따라 구성된 직접 변환 X-선 검출기(28)를 가진 적어도 하나의 센서를 사용함으로써 생성된 적어도 하나의 이미지 신호를 생성하도록 설계된 장치(25)를 운반한다.
본 발명의 웨이퍼를 구비한 센서는 경구 내 치과 이미징 시스템에서 사용될 수 있다. 상기 센서는 그 후 X-선 사진이 찍힐 이의 뒤에서 환자의 입 안쪽에 위치된다. X-선 소스는 조정 가능한 암 상에 위치된다. 그것은 노출 직전 환자의 볼에 대하여 위치된다.
직접 변환 X-선 검출기(28)는 입자 X-선들의 필터링 및 시준을 제공하는 어셈블리(22)를 구비한 반대편의 X-선 소스(21)이다. X-선들(27)은 그 후 직접 변환(28) X-선 검출기(27)를 수반함으로써 검사될, 환자의 머리, 또는 그의 턱의 일부와 같은 분석 영역(26)을 통과한다.
그에 따라 구성된 치과 방사선 장치는 또한 적어도 하나의 X-선 노출을 수행하기 위해 이러한 제어 회로(29, 31)를 수행하기 위한 산출기(29)를 포함한다. 상기 산출기(29)는 주로 다음을 포함한다:
- X-선 소스(21) 및 필터 및 시준 유닛(22)으로부터 제어 신호들(30)을 발생시키기 위한 수단;
- X-선 소스(21)에 의해 결정된 X-선 노출들과 동기하여 분석될(26) 영역의 결정된 스캔들을 수행하기 위해, 원하는 대로, 암(23)을 활성화시키기 위해 제어 신호들(31)을 발생시키기 위한 수단;
- X-선들(28)의 반도체 센서 칩 직접 변환의 다양한 픽셀들에 수신된 X-선들의 강도를 나타내는 다양한 전기 신호들(32)을 수신 및 프로세싱하기 위한 수단;
- 상기 적어도 하나의 직접 변환 X-선 검출기에 의해 발생된 복수의 전기 신호들에 기초하여 적어도 하나의 그래픽 표현을 보고, 인쇄하고, 및/또는 기록함으로써 도출하기 위한 수단.
이들 산출(29)의 마지막 수단은 그래픽 디스플레이 디바이스(34), 그래픽스 프린터(35) 및/또는 저장 시스템(36) 및 직접 참조에 또는 통신 네트워크에 의해 연결된다.
우리는 이러한 유형의 방사선 장치가 반도체 재료로 이루어진 웨이퍼가 우리가 나중 섹션에서 볼 것을 달성하는 것을 가능하게 하는 본 발명의 제조 방법에 의해 획득된 성능을 요구하는 높은 빈도의 반복과 함께 동작한다는 것을 주의한다.
예들
예 1
다결정 반도체 재료들에 대해, 다음의 파라미터들이 사용된다:
소결 온도: 100℃.
축방향 압축 하중: 300 메가(3.108) 파스칼들(Pascals).
이러한 온도에서 가압의 지속 기간: 20시간들.
예 2
다결정 반도체 재료들에 대해, 다음의 파라미터들이 사용된다:
소결 온도: 70℃ 및 130℃ 사이에서 구성됨.
축방향 압축 하중: 100 메가 파스칼들 및 800 메가 파스칼들 사이에서 구성됨.
이러한 온도에서 가압의 지속 기간: 적어도 1시간.
예 3
요오드화 수은(HgI2)에 대해, 다음의 파라미터들이 사용된다:
소결 온도: 200℃ 미만.
축방향 압축 하중: 1000 메가 파스칼들 미만.
이러한 온도에서 가압의 지속 기간: 적어도 1시간.
예 4
요오드화 수은(HgI2)에 대해, 다음의 파라미터들이 사용된다:
소결 온도: 70℃ 및 200℃ 사이에서 구성됨.
축방향 압축 하중: 100 및 1000 메가 파스칼들 사이에서 구성됨.
이러한 온도에서 가압의 지속 기간: 적어도 1시간.
예 5
PbI2, HgI2로부터 선택된 반도체 재료들에 대해, CsI, BiI3, CdI2, SnCl2 및 AgI로부터 선택된 할로겐 화합물의 도펀트가 부가되었다. PbO와 같은 반도체 재료들에 대해, 도핑이 산화 화합물을 부가함으로써 수행되었다.
표시된 농도는 약 수 퍼센티지들이다.
웨이퍼들 및 직접 변환 검출기들을 검사하는 것
X-선 검출의 민감도에 대한 출발 분말의 순도의 효과들
일련의 검사들에서, 세라믹들을 만들기 위해 사용된 분말은 99.0%와 같은 순도를 가진 회사("시그마 알드리치(Sigma Aldrich)")에 의해 판매된 상업용 분말이었다(기준 221090 ACS 시약,≥99.0%).
비교를 위해, 웨이퍼들은 또한 99.999%(공급자 기준 203785, 99.999% 트레이스 금속 기초)의 순도를 가진 상업용 분말을 사용하여 생성되었다.
이하의 표 1은 99.0% 및 99.999%의 순도를 가진 분말을 갖고 만들어진 웨이퍼들에 대한 암 전류 및 민감도의 측정치들을 도시한다. 물리적인 이유들로, 샘플에 의해 수신된 정확한 X-선 용량을 아는 것은 가능하지 않다. 단지 소스에 의해 방출된 용량만이 알려질 수 있다. 그러나, 동일한 크기 및 두께의 두 개의 샘플들에 대해 수행된 민감도 측정들이 비교 가능하다. 그러므로, 우리는 다른 하나에 관하여 샘플의 상대적인 민감도를 비교하였다.
순도 연구
암 전류(nA/㎠) 상대적 민감도
순도 99.0% 251.6(±25%) 3.94
순도 99.999% 215.9(±19%) 1.0
암 전류는 최상의 신호 대 잡음 비를 갖기 위해 가능한 한 약해야 한다. 민감도는 X-선 용량 및 전극 표면에 기초하여 수집된 부하들의 수를 나타낸다. 이러한 양을 최대화하는 것이 목적이다.웨이퍼들은, 99.0% 순도 분말로부터, 즉 매우 순수한 분말을 갖고 준비된 웨이퍼들에 상응하는 암 전류를 가진 "열악한" 순도를 갖고, 및 특히 보다 큰 민감도를 갖고 만들어졌다.
결정 분석
결정 분석은 본 발명에 따른 방법이 입자 성장 및 공극률의 흡수를 촉진시키는 효과를 가진다는 것을 보여준다. 입자들은 단지 서로에 용접되지 않는다. 보다 작은 입자들은 보다 큰 것들에 의해 보다 잘 "흡수된다". 보다 작은 입자들의 희생으로 보다 큰 입자들의 성장은 임의의 소결 동작에서 발생하지만, 본 발명에 따른 방법은 인가된 부하로 인해 그것의 효율성을 증가시키는 것을 가능하게 한다.
결과적으로, 그에 따라 획득된 다결정 재료는 압력 없이 간단한 소결에 의해 또는 소결 없이 압력의 간단한 인가에 의해 획득된 재료보다 훨씬 더 작은 공극률을 가진다.
두 번째로, 입자들이 이방성 결정 구조를 가질 때, 소결 동안 축방향 압축 또는 하중을 유지하는 것은 최소의 기계 에너지를 가진 입자들의 성장을 촉진시킬 수 있으며 따라서 입자들이 바람직한 배향에 있는 다결정 재료를 획득하는 것을 가능하게 할 수 있다.
HgI2의 경우에, 이것은 보다 큰 전기 전도성의 방향이 압력의 축에 평행하도록 배향을 가진 재료를 획득하는 것을 가능하게 한다. 압력 하에서 소결에 의해 생성된 입자들의 보다 작은 공극률 및 우선적 배향은 간단한 소결 또는 소결 없는 압축과 비교하여 전기 수송 속성들을 개선하는 것을 가능하게 한다.
세 번째로, 압력 하에 웨이퍼를 두는 것은, 증발을 회피함으로써, 그 후에 전극들 및 재료의 표면들 사이에서의 보다 양호한 접촉을 허용하는, 다결정 재료의 보다 양호한 균등도 및 보다 적은 표면 거칠기를 획득하고, 전기적 전하 수집의 효율성을 저하시킬 수 있는 재료의 표면상에서의 결함들을 감소시키는 것을 가능하게 한다.
미세-구조 연구
다양한 웨이퍼들의 미세구조를 비교하는 것은 축방향 압축에 의한 배향의 이득을 도출하기 위해 반도체 재료로 만들어진다. HgI2 분말, 소결된 웨이퍼, 및 압력 하에 소결된 웨이퍼가 비교된다. 압력 하에서 소결된 웨이퍼 및 분말 내의 입자들의 바람직한 배향은 X-선 회절에 의해 분석될 것이다. 결정 축(C)을 따라 배향된 구조의 비율을 비교하기 위해, 결정 축의 회절 라인들 특성 하에서의 면적은 이러한 결정 축의 회절 라인 특성 하에서 측정되었다(유형(00x) 라인들, 여기에서 x는 0이 아닌 양의 정수이다). 이하의 표 2는 HgI2 분말, 종래 기술로부터의 소결된 웨이퍼, 및 본 발명에 따른 압력 하에서 소결된 웨이퍼에 대한 결과들을 도시한다. 상대적 강도는 측정 라인(유형(00x)) 내지 기준 라인(라인(102)) 사이에서의 비로서 산출된다.
축 C의 특성 라인들에 대한 강도
상대적 강도 분말 소결됨 압력 하에 소결됨
기준 라인(102) 1 1 1
라인(002) 0.27 1.52 5.18
라인(004) 0.22 1.23 3.13
라인(006) 0.06 1.37 1.57
본 발명에 따른 압력 하에서 만들어진 세라믹 또는 소결된 웨이퍼의 경우에, 그것은 결정 축 C을 위한 특성 라인들에 대한, 즉 유형(00x)(2a 및 2b)의 최고 값들을 획득한다. 그러므로, 이러한 축을 따라 가장 중요한 우선적 배향이 있다.
X-선 펄스 후 평형으로의 리턴 시간(" 래그 ")
도 4의 설명에 개시된 바와 같이, 예를 들면, 3D 이미징에서, 이미징 펄스 검출기의 경우에 평형으로의 리턴을 위한 시간 또는 "래그", 즉 펄스의 종료 후 0으로의 X-선 펄스 리턴들에 의해 생성된 전류를 위해 요구된 시간이 상당히 중요하다. 빠른 이미지들을 생성할 수 있도록, 이러한 "래그"는 가능한 한 짧아야 한다.
본 발명에 따라 제조된 반도체 웨이퍼들 상에서의 "래그", 뿐만 아니라 기준들: 측정될 CdTe 단결정 및 HgI2 단결정. 이하의 표 3은 결과들을 도시한다.
래그 측정
HgI2 웨이퍼들 CdTe 단결정 HgI2 단결정
래그 1 ms 66 ms 15 ms
본 발명에 따른 제조 방법에 따른 압력 하에서의 축방향 소결에 의해 생성된 HgI2 웨이퍼들은 최저 "래그"를 보인다.
시간에서의 선형성
또 다른 성능 기준은 시간에 걸친 직접 변환 X-선 검출기의 선형성이다.
반도체 칩에 의해 수집된 전기 전하는 수신된 X-선들의 용량에 비례해야 한다. 웨이퍼들의 선형성은 그것들에게 일련의 X-선들, 즉 개재된 휴지들을 갖는 일련의 X-선 노출들을 겪게 함으로써 측정된다. 우리는 반도체 재료로 이루어진 웨이퍼에 의해 수집된 전하들의 양, 직접 변환 X-선 검출기를 노출시킴으로써, 시간에 걸친 누적 양, 펄스들의 시퀀스로 구성된 X-선 파형 스트림을 측정하였다. X-선 파형 스트림 프로세스의 특성들은:
펄스의 지속 기간: 50 ms.
다음의 암 전류의 지속 기간: 50 ms.
전하 수집 CCC의 누적 대 시간은 직접 변환 X-선 검출기의 노출 시간 간격[0.28초] 동안 선형적 관계에 대한 높은 정밀도에 따른다:
CCC = a*t, 단위 시간(초들)당 수집된 전하들의 단위로 a = 35000/28.
누적된 수집 전하들 CCC의 양은 X-선 파형 스트림에 대한 구명이 시간에 걸쳐 선형 방식으로 시작하기 전에 0의 값으로부터 증가한다. 이것은 3D 이미징에서의 사용에 유리하며, 즉, 수행된 X-선 노출들 모두는 동일한 수의 전하들을 수집하는 것을 가능하게 한다.
직접 변환 X-선 검출기의 제조
본 발명의 방법에 의해 생성된 반도체 재료로부터 만들어진 웨이퍼의 두께는 출발 분말의 미립자 크기 및 인가된 압축력의 값에 의존한다.
직접 변환 X-선 검출기의 실시예의 일 예에서, HgI2 단결정(98%)의 것에 매우 가까운 밀도가 달성되었다.
분말의 양은 비에 의해 결정된다: 분말 질량 = 섹션 × 두께 × 밀도(6.36 g/㎤의 밀도를 가진).
이 실시예에서, 프리폼을 만드는 것은 필요하지 않다. 노(도 1)에 위치된 몰드는 본 발명에 따라 제조된 웨이퍼에 최종 형태를 제공하기 위해 압력 하에서의 소결 동안 사용되었다.
소결이 길수록 밀도는 더 크며 입자들의 크기가 더 클 것이라는 것이 주의된다.
웨이퍼는 원통 형태에서 노를 빠져나온다. 그것은 15 cm×15 cm×500 ㎛(두께)의 치수들을 가진 직육면체를 형성하기 위해 절개되고 잘라내어졌다. 직접 변환 X-선 검출기는 그 표면 상태가 이전에 적절히 세정되었으며 단위가 도 3을 사용하여 설명된 바와 같이 통합 CMOS 회로 상에 증착되는 웨이퍼의 두 개의 대향 면들 상에 50 nm의 두 개의 전도성 전극들을 증발시킴으로써 제조되었다.

Claims (13)

  1. 직접 변환 X-선 검출기를 위한 반도체 칩을 제조하는 방법에 있어서,
    분말상 다결정 반도체 재료만으로 이루어진 반도체 웨이퍼를 제조하는 단계, 및 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 전극을 증착하는 단계를 포함하고,
    상기 반도체 웨이퍼를 제조하는 단계는, 100 MPa 내지 1000 MPa의 압력을 분말상 다결정 반도체 재료에만 인가하는 단계, 및 설정된 시간 기간 동안, 분말상 다결정 반도체 재료를 70℃ 내지 200℃의 온도로 가열하는 단계를 포함하며,
    상기 다결정 반도체 재료의 불순물들의 비율은 0.2% 이상 2% 미만인 것을 특징으로 하는
    직접 변환 X-선 검출기를 위한 반도체 칩을 제조하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 압력을 인가하는 단계는 축방향 압축력의 인가의 방향에 따라 상기 다결정 반도체 재료의 입자들의 축 배향을 보장할 값의 상기 축방향 압축력을 상기 분말상 다결정 반도체 재료에 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는
    직접 변환 X-선 검출기를 위한 반도체 칩을 제조하는 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 압력의 인가의 지속 기간은 적어도 1시간인 것을 특징으로 하는
    직접 변환 X-선 검출기를 위한 반도체 칩을 제조하는 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 가열의 지속 기간은 적어도 1시간인 것을 특징으로 하는
    직접 변환 X-선 검출기를 위한 반도체 칩을 제조하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 압력을 인가하는 단계는 상기 가열 단계를 시작할 때 구현되는 것을 특징으로 하는
    직접 변환 X-선 검출기를 위한 반도체 칩을 제조하는 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 압력을 인가하는 단계는 가열 단계 전체에 걸쳐 구현되는 것을 특징으로 하는
    직접 변환 X-선 검출기를 위한 반도체 칩을 제조하는 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 분말상 다결정 반도체 재료는 PbI2, HgI2, PbO 중에서 선택된 구성 성분들 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는
    직접 변환 X-선 검출기를 위한 반도체 칩을 제조하는 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 압력을 인가하는 단계는 도펀트가 상기 다결정 반도체 재료 내에 통합되는 단계에 의해 선행되고, 상기 도펀트는 HgI2 또는 PbI2에 대해서는 할로겐 화합물들로부터 선택되고, PbO에 대해서는 산화 화합물들로부터 선택되는 것을 특징으로 하는
    직접 변환 X-선 검출기를 위한 반도체 칩을 제조하는 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 압력을 인가하는 단계는 도펀트가 상기 다결정 반도체 재료 내에 통합되는 단계에 의해 선행되고, 상기 도펀트는 CsI, CdI2, SnCl2, AgI 또는 BiI3 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는
    직접 변환 X-선 검출기를 위한 반도체 칩을 제조하는 방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
KR1020187021012A 2012-06-21 2012-06-21 Ｘ-선들의 직접 변환을 위한 센서 칩을 제조하기 위한 방법, ｘ-선들의 직접 변환을 위한 센서 및 이러한 센서를 사용하기 위한 치과 방사선 장치 KR101984946B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/FR2012/051402 WO2013190187A1 (fr) 2012-06-21 2012-06-21 "procédé de fabrication d'une pastille pour détecteur à conversion directe de rayons x, détecteur à conversion directe de rayons x et appareil de radiologie dentaire utilisant un tel détecteur"

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147035828A Division KR20150032840A (ko) 2012-06-21 2012-06-21 Ｘ-선들의 직접 변환을 위한 센서 칩을 제조하기 위한 방법, ｘ-선들의 직접 변환을 위한 센서 및 이러한 센서를 사용하기 위한 치과 방사선 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180086296A KR20180086296A (ko) 2018-07-30
KR101984946B1 true KR101984946B1 (ko) 2019-06-03

Family

ID=46489433

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187021012A KR101984946B1 (ko) 2012-06-21 2012-06-21 Ｘ-선들의 직접 변환을 위한 센서 칩을 제조하기 위한 방법, ｘ-선들의 직접 변환을 위한 센서 및 이러한 센서를 사용하기 위한 치과 방사선 장치
KR1020147035828A KR20150032840A (ko) 2012-06-21 2012-06-21 Ｘ-선들의 직접 변환을 위한 센서 칩을 제조하기 위한 방법, ｘ-선들의 직접 변환을 위한 센서 및 이러한 센서를 사용하기 위한 치과 방사선 장치

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147035828A KR20150032840A (ko) 2012-06-21 2012-06-21 Ｘ-선들의 직접 변환을 위한 센서 칩을 제조하기 위한 방법, ｘ-선들의 직접 변환을 위한 센서 및 이러한 센서를 사용하기 위한 치과 방사선 장치

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10937921B2 (ko)
EP (1) EP2864273B1 (ko)
JP (1) JP6173449B2 (ko)
KR (2) KR101984946B1 (ko)
CN (1) CN104619675A (ko)
BR (1) BR112014031875A2 (ko)
IN (1) IN2014DN10526A (ko)
WO (1) WO2013190187A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107923987B (zh) * 2015-09-08 2020-05-15 深圳帧观德芯科技有限公司 用于制作x射线检测器的方法
US20230181134A1 (en) * 2021-12-14 2023-06-15 BAE Systems Imaging Solutions Inc. X-ray image data monitoring and signaling for patient safety

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100383867B1 (ko) * 1994-09-29 2003-07-07 디렉트 (디지털 이미징 리드아웃) 방사선검출시스템및그의제조방법
JP2004186241A (ja) 2002-11-29 2004-07-02 Japan Science & Technology Agency 熱電変換材料とその製造方法
JP2011085479A (ja) 2009-10-15 2011-04-28 Tele Systems:Kk 光子計数型放射線検出器のキャリブレーション装置及びそのキャリブレーション方法
JP5567671B2 (ja) 2010-07-06 2014-08-06 株式会社島津製作所 放射線検出器の製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5892227A (en) 1994-09-29 1999-04-06 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Radiation detection system and processes for preparing the same
FR2793351A1 (fr) 1999-05-07 2000-11-10 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un materiau a base de tellurure de cadmium pour la detection d'un rayonnement x ou gamma et detecteur comprenant ce materiau
JP2002050536A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Murata Mfg Co Ltd 耐還元性誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100383867B1 (ko) * 1994-09-29 2003-07-07 디렉트 (디지털 이미징 리드아웃) 방사선검출시스템및그의제조방법
JP2004186241A (ja) 2002-11-29 2004-07-02 Japan Science & Technology Agency 熱電変換材料とその製造方法
JP2011085479A (ja) 2009-10-15 2011-04-28 Tele Systems:Kk 光子計数型放射線検出器のキャリブレーション装置及びそのキャリブレーション方法
JP5567671B2 (ja) 2010-07-06 2014-08-06 株式会社島津製作所 放射線検出器の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10937921B2 (en) 2021-03-02
EP2864273A1 (fr) 2015-04-29
IN2014DN10526A (ko) 2015-08-21
BR112014031875A2 (pt) 2017-06-27
EP2864273B1 (fr) 2022-07-27
JP6173449B2 (ja) 2017-08-02
KR20180086296A (ko) 2018-07-30
US20150155421A1 (en) 2015-06-04
JP2015531611A (ja) 2015-11-05
CN104619675A (zh) 2015-05-13
WO2013190187A1 (fr) 2013-12-27
KR20150032840A (ko) 2015-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107076864B (zh) 包含钙钛矿晶体的探测层
US5892227A (en) Radiation detection system and processes for preparing the same
US20110211668A1 (en) Converter element for a radiation detector
EP2447958B1 (en) Iron-based superconducting wire and manufacturing method therefor
KR101984946B1 (ko) Ｘ-선들의 직접 변환을 위한 센서 칩을 제조하기 위한 방법, ｘ-선들의 직접 변환을 위한 센서 및 이러한 센서를 사용하기 위한 치과 방사선 장치
US20060065842A1 (en) X-ray detector and x-ray examination device using it
KR100383867B1 (ko) 방사선검출시스템및그의제조방법
WO2002067014A1 (en) Wide band gap semiconductor composite detector plates for x-ray digital radiography
KR101413250B1 (ko) 질화알루미늄 소결체, 그 제법 및 그것을 이용한 정전 척
Yun et al. Investigation of PbI2 film fabricated by a new sedimentation method as an X-ray conversion material
FR2793351A1 (fr) Procede de fabrication d'un materiau a base de tellurure de cadmium pour la detection d'un rayonnement x ou gamma et detecteur comprenant ce materiau
JP2007145902A (ja) 酸化物蛍光体、放射線検出器およびｘ線ｃｔ装置
Zentai et al. Improved properties of PbI2 x-ray imagers with tighter process control and using positive bias voltage
JP2022533706A (ja) 緻密なグラファイトを作製するための放電プラズマ焼結方法
Holesinger et al. The effects of variable oxygen partial pressures during Bi-2223 tape processing
WO2023180733A1 (en) Non-toxic x-ray detectors with low detection limits and x-ray panels for use in the same
CN100376009C (zh) 高密度MgB2超导块材的制备方法
CN100376010C (zh) 高密度MgB2超导线材的制备方法
Forth et al. Sensitive X-ray Detectors Synthesised from CsPbBr 3
Choi et al. Comparison of compound semiconductor radiation films deposited by screen printing method
SURYAN et al. BISMUTHOXIDE AS A GREEN ALTERNATIVE OF MERCURIC IODIDE FOR SOLID STATE X-RAY DETECTOR MATERIAL
CN117682853A (zh) 一种调控钛酸铋钠中热释电性能的方法
Nikolić et al. Nanocrystalline SnO2-Zn2SnO4 composite thick films applied as humidity sensors
JP2021102715A (ja) シンチレータおよび放射線検出器
Birajdar Correlation of superconducting properties and microstructure in MgB2 using SEM, EPMA and TEM

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant