KR101982522B1 - Lighting unit and method thereof - Google Patents

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KR101982522B1
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이인재
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

본 발명은 LED 칩이 장착된 칩실장기판, 상기 LED 칩으로부터 이격되어 상기 LED 칩을 포위하는 형광물질층, 및 상기 칩실장기판과 대향되게 배치되어, 상기 LED 칩으로부터 이격되어 반사패턴이 형성되는 반사층을 포함하는 조명유닛을 제공한다.The present invention relates to a light emitting device having a chip mounting substrate on which an LED chip is mounted, a phosphor layer surrounding the LED chip and spaced apart from the LED chip, A lighting unit comprising a reflective layer is provided.

Description

조명유닛 및 그 제조방법{LIGHTING UNIT AND METHOD THEREOF}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a lighting unit and a manufacturing method thereof.

본 발명은 반사율과 광특성이 우수한 조명유닛을 제조하기 위한 방안에 관한 것이다.
The present invention relates to a method for manufacturing an illumination unit having excellent reflectance and optical characteristics.

반도체 조명 장치로서 LED(Light Emitting Diode)는 백열등이나 형광등과 같은 전통적인 조명 장치에 비해 많은 장점을 갖는다. 예를들어, LED는 수명이 길고, 크기가 작으며, 전력 소비가 적고, 수은 오염이 없다. 이에 따라, 최근에는 기존의 조명 장치를 대체하기 위한 새로운 조명 장치로서 LED를 주로 사용하고 있다.As semiconductor lighting devices, LEDs (Light Emitting Diodes) have many advantages over conventional lighting devices such as incandescent lamps and fluorescent lamps. For example, LEDs have a long lifetime, small size, low power consumption, and no mercury contamination. Accordingly, in recent years, LEDs have been mainly used as a new illumination device for replacing existing illumination devices.

LED 패키지의 광출력을 향상시키기 위하여, LED 패키지의 바깥쪽 광학층에는 일반적으로 볼록한 렌즈 구조가 도입된다. 종래의 LED 패키지에서, 그러한 볼록 렌즈 구조는 미리 별도로 만들어진 후에 LED 패키지 상에 장착된다. 이러한 볼록 렌즈 구조의 추가적인 제조 및 조립 공정으로 인하여, 추가적인 제조 및 조립 장치들이 요구된다. 뿐만 아니라, 미리 별도로 만들어진 볼록 렌즈 구조를 LED 패키지 상에 장착하는 과정에서, 상기 볼록 렌즈 구조와 LED 패키지 상에 이미 형성되어 있는 봉지층 사이에 원하지 않는 공기층이 형성될 수도 있다. 또한, 종래의 기술의 경우에, LED 다이(die) 위에 LED 다이를 보호하기 위한 봉지층을 형성하는 과정에서 상기 봉지층의 외부 표면에 볼록한 곡률을 만드는 것이 용이하지 않다. 따라서, 종래의 LED 패키지 제조 방법은 제조 수율이 비교적 낮고, 생산 비용이 비교적 많이 소요된다.In order to improve the light output of the LED package, a generally convex lens structure is introduced into the outer optical layer of the LED package. In a conventional LED package, such a convex lens structure is mounted on the LED package after it is separately prepared. Due to the additional manufacturing and assembly processes of such convex lens structures, additional manufacturing and assembly devices are required. In addition, in the process of mounting the separately formed convex lens structure on the LED package, an undesired air layer may be formed between the convex lens structure and the sealing layer already formed on the LED package. Also, in the case of the prior art, it is not easy to make convex curvature on the outer surface of the sealing layer in the process of forming the sealing layer for protecting the LED die on the LED die. Therefore, the conventional LED package manufacturing method has a relatively low production yield and requires a relatively large production cost.

한편, 백색광을 발생시키는 백색 LED를 제공하기 위하여, 통상적으로 청색 또는 UV LED 다이 위에 형광층을 직접 도포하는 방식을 사용하고 있다. 예를 들어, 청색 LED 다이를 사용하는 경우, 형광체 재료에서 발생한 다양한 파장의 광이 서로 혼합되거나 또는 상기 다양한 파장의 광이 청색 LED 다이로부터의 청색 여기광과 혼합되어 백색광이 방출될 수 있다. 그런데 LED 다이 위에 형광층을 직접 도포하는 방식의 경우, LED 다이와 형광층이 매우 근접해 있기 때문에, 형광체 재료로부터 발생한 광이 LED 다이로 진행하여 LED 다이에서 흡수되는 문제가 발생할 수 있다.On the other hand, in order to provide a white LED generating white light, a method of directly applying a fluorescent layer directly onto a blue or UV LED die is used. For example, when using a blue LED die, light of various wavelengths generated in the phosphor material may be mixed with each other, or the light of the various wavelengths may be mixed with blue excitation light from the blue LED die to emit white light. However, in the case of directly applying the fluorescent layer on the LED die, since the LED die and the fluorescent layer are very close to each other, light generated from the phosphor material may travel to the LED die and be absorbed by the LED die.

또한, LED의 고 전력 트렌트(High Power Trend)에 따라 우수한 LED 패키지의 신뢰성 특성이 요구되고 있다. 그런데, LED 패키지의 신뢰성에 영향을 미치는 주요 원인은 고 출력에 따른 발열에 의해 형광체가 열화되어 특성이 저하된다는 점이다.
In addition, reliability characteristics of an excellent LED package are required according to the high power trend of the LED. However, the main reason that affects the reliability of the LED package is that the phosphor is deteriorated due to heat generation due to high output, and the characteristics are degraded.

본 발명의 일실시예는 조명유닛의 발열을 최소화 하기 위해 LED 칩을 둘러 싸고 있는 주변의 반사율을 극대화 하여 빛 손실을 줄이고, 세라믹 형광체 플레이트를 이용하여 형광물질층의 내열 특성을 향상 시키면서 형광물질층의 위치를 LED 칩 주변에 배치하고, 히트 싱크(Heat Sink)와 가깝게 위치하여 열에 의한 형광체의 특성 저하를 최소화 할 수 있는, 조명유닛 및 그 제조방법을 제공한다.In an embodiment of the present invention, in order to minimize the heat generation of the illumination unit, the reflectance of the surroundings surrounding the LED chip is maximized to reduce light loss, and the heat resistance of the fluorescent material layer is improved by using a ceramic fluorescent plate, The present invention provides an illumination unit and a method of manufacturing the same, which are disposed in the vicinity of the LED chip and located close to a heat sink to minimize deterioration of the characteristics of the phosphor by heat.

본 발명의 일실시예는 형광물질층이 LED 칩 주변에 위치함에 따라 빛의 반사율을 극대화하기 위해 칩실장기판의 상단에 고 반사율의 반사층을 형성함으로써, 열 전도율을 높여 방열 특성을 향상시키고, 반사층이 광학 필터의 역할로서 균일하게 빛을 방출할 수 있는, 조명유닛 및 그 제조방법을 제공한다.
In an embodiment of the present invention, a highly reflective layer is formed on the upper surface of a chip mounting substrate to maximize the reflectance of light as the fluorescent material layer is positioned around the LED chip, thereby improving the heat radiation property and improving the heat radiation characteristic, A lighting unit capable of emitting light uniformly as a role of the optical filter and a method of manufacturing the same are provided.

본 발명의 일실시예에 따른 조명유닛은 LED 칩이 장착된 칩실장기판, 상기 LED 칩으로부터 이격되어 상기 LED 칩을 포위하는 형광물질층, 및 상기 칩실장기판과 대향되게 배치되어, 상기 LED 칩으로부터 이격되어 반사패턴이 형성되는 반사층을 포함한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided an illumination unit including a chip mounting substrate on which an LED chip is mounted, a fluorescent material layer surrounding the LED chip and spaced apart from the LED chip, And a reflective layer formed on the reflective layer.

상기 형광물질층은 상기 칩실장기판의 바닥부터 상기 반사층 사이에 형성될 수 있다.The fluorescent material layer may be formed between the reflective layer and the bottom of the chip mounting substrate.

상기 형광물질층은 상기 LED 칩을 향하는 단면이 평면, 곡면, 및 경사면 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.The fluorescent material layer may be formed of at least one of a flat surface, a curved surface, and a slanted surface in a cross section facing the LED chip.

상기 형광물질층은 상기 형광체와 세라믹 충진재로 구성될 수 있다.The fluorescent material layer may include the phosphor and the ceramic filler.

상기 형광물질층은 상기 형광체와 투광성 유기물로 구성되며, 상기 LED 칩을 포위하는 패키지 하우징부의 내부 바닥면 또는 측면의 반사면에 코팅 또는 증착 등의 방식으로 접촉되도록 형성될 수 있다.The fluorescent material layer may be formed of the fluorescent material and the light transmitting organic material and may be formed to be in contact with the inner bottom surface or the side reflective surface of the package housing surrounding the LED chip by coating or vapor deposition.

상기 조명유닛은 상기 칩실장기판과 상기 형광물질층을 포위하는 패키지 하우징부를 더 포함할 수 있다. 상기 형광물질층은 상기 패키지 하우징부로 향하는 영역을 고 반사율 재료로 구성될 수 있다.The illumination unit may further include a package housing part surrounding the chip mounting substrate and the fluorescent material layer. The region of the fluorescent material layer facing the package housing portion may be formed of a high reflectivity material.

상기 반사층은 글래스 기판, PC 기판 및 쿼츠 기판 중 적어도 하나의 기판 상에 고 반사율 재료로 상기 반사패턴이 형성될 수 있다.The reflective layer may be formed of the reflective pattern on a substrate of at least one of a glass substrate, a PC substrate, and a quartz substrate with a high reflectivity material.

상기 반사층은 상기 반사패턴이 형성되지 않은 영역은 직경 3㎛ 이하의 원형으로 형성될 수 있다.The reflection layer may be formed in a circular shape having a diameter of 3 m or less in a region where the reflection pattern is not formed.

상기 반사층은 상기 고반사율 재료의 개구율이 15 % 이상으로 형성될 수 있다.The reflective layer may have an aperture ratio of the high-reflectivity material of 15% or more.

상기 반사층은 상기 고반사율 재료의 반사율이 25 % 이상으로 형성될 수 있다.The reflective layer may have a reflectance of 25% or more of the high reflectivity material.

상기 반사층은 상기 고반사율 재료의 열 전도율이 40 kcal/m.hr.℃ 이상으로 형성될 수 있다.The reflective layer may have a thermal conductivity of the high-reflectivity material of 40 kcal / m.hr. ° C or higher.

상기 반사층은 Ag, Pt, Al, AlN, Al2O3, TiO2, BaSO4, ZnO 및 BN 중 적어도 하나의 고 반사율 재료로 형성될 수 있다.The reflective layer may be formed of at least one high-reflectance of Ag, Pt, Al, AlN, Al 2 O 3, TiO 2, BaSO 4, ZnO and the BN material.

본 발명의 일실시예에 따른 조명유닛 제조방법은 칩실장기판 상에 장착된 LED 칩을 포위하는 형광물질층을 상기 LED 칩으로부터 이격되게 형성하고, 반사패턴이 형성된 반사층을 상기 칩실장기판과 대향되게 배치하는 것을 포함한다.
A method of manufacturing a lighting unit according to an embodiment of the present invention includes: forming a fluorescent material layer surrounding an LED chip mounted on a chip mounting substrate so as to be spaced apart from the LED chip; .

본 발명의 일실시예에 따르면, LED 칩으로부터 이격되어 상기 LED 칩을 포위하도록 형광물질층을 형성함으로써, LED 칩 주면 히트 싱크와 가까운 쪽에 형광물질층이 위치하여 열에 의한 형광체의 특성 저하를 최소화 할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, a fluorescent material layer is formed so as to surround the LED chip by being spaced apart from the LED chip, so that the fluorescent material layer is positioned near the LED chip main surface heat sink to minimize degradation of the characteristics of the fluorescent material by heat .

본 발명의 일실시예에 따르면, LED 칩의 상부에 고반사율 재료로 반사패턴을 갖는 반사층을 형성함으로써, 열전도도와 반사율을 높여 전체적인 광 효율을 향상시킬 수 있다.
According to an embodiment of the present invention, a reflective layer having a reflection pattern of a high reflectivity material is formed on the LED chip, thereby increasing the thermal conductivity and the reflectivity, thereby improving the overall light efficiency.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 조명유닛의 구조를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 형광물질층이 형성되는 일례를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 형광물질층의 단면을 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 조명유닛의 광 경로를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 반사층에 형성되는 반사패턴의 일례를 도시한 도면이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 형광물질층의 제조방법을 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 반사층의 제조방법을 도시한 도면이다.1 is a cross-sectional view showing the structure of a lighting unit according to an embodiment of the present invention.
2 is a view illustrating an example of forming a fluorescent material layer according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of a fluorescent material layer according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing an optical path of a lighting unit according to an embodiment of the present invention.
5 is a view showing an example of a reflection pattern formed on a reflection layer according to an embodiment of the present invention.
6 and 7 are views showing a method of manufacturing a fluorescent material layer according to an embodiment of the present invention.
8 is a view illustrating a method of manufacturing a reflective layer according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 구성 및 작용을 구체적으로 설명한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성요소는 동일한 참조부여를 부여하고, 이에 대한 중복설명은 생략하기로 한다. Hereinafter, the configuration and operation according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the following description with reference to the accompanying drawings, the same reference numerals denote the same elements regardless of the reference numerals, and redundant description thereof will be omitted.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 조명유닛의 구조를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing the structure of a lighting unit according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참고하면, 조명유닛은 LED 칩(20)이 장착된 칩실장기판(10), LED 칩(20)으로부터 이격되어 LED 칩(20)을 포위하는 형광물질층(30), 및 칩실장기판(10)과 대향되게 배치되어, LED 칩(20)으로부터 이격되어 반사패턴(41)이 형성되는 반사층(40)을 포함한다.1, the illumination unit includes a chip mounting substrate 10 on which an LED chip 20 is mounted, a fluorescent material layer 30 surrounding the LED chip 20 from the LED chip 20, And a reflective layer 40 disposed opposite to the substrate 10 and spaced apart from the LED chip 20 to form a reflective pattern 41.

LED 칩(20)은 와이어로 칩실장기판(10)에 전기적으로 연결되어, 칩실장기판(10)에 장착될 수 있다.The LED chip 20 may be electrically connected to the chip mounting substrate 10 by wires and mounted on the chip mounting substrate 10.

형광물질층(30)은 LED 칩(20)과 접촉되지 않고, LED 칩(20)으로부터 이격되어, LED 칩(20) 주변을 포위하게 형성함으로써, LED 칩(20) 주변 히트 싱크와 가까운 쪽에 위치하도록 할 수 있다. 히트 싱크와 가까운 쪽에 형광물질층(30)을 형성하는 경우, 방열 특성을 향상시킬 수 있다.The phosphor layer 30 is not in contact with the LED chip 20 but is spaced apart from the LED chip 20 to surround the periphery of the LED chip 20 so that the phosphor layer 30 is located close to the heat sink around the LED chip 20 . When the fluorescent material layer 30 is formed on the side close to the heat sink, the heat radiation characteristic can be improved.

실시예로, 형광물질층(30)은 형광체와 세라믹 충진재로 구성될 수 있다. 예컨대, 형광물질층(30)은 Glass Frit, PC, PMMA, 또는 실리콘 수지에 형광체 재료를 균일하게 혼합하여 이루어질 수 있다. 상기 형광체 재료는 UV 광, 청색광 또는 녹색광에 의해 여기되어 가시광을 발생시킬 수 있다. 예컨대, 상기 형광체 재료는 UV 광, 청색광 또는 녹색광에 의해 여기되어 상이한 파장의 가시광을 각각 발생시키는 적어도 한 종류의 형광체 재료를 포함할 수 있다.In an embodiment, the phosphor layer 30 may be composed of a phosphor and a ceramic filler. For example, the phosphor layer 30 may be formed by uniformly mixing phosphor materials with Glass Frit, PC, PMMA, or silicone resin. The phosphor material may be excited by UV light, blue light or green light to generate visible light. For example, the phosphor material may include at least one kind of phosphor material which is excited by UV light, blue light or green light to generate visible light of different wavelength, respectively.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 형광물질층이 형성되는 일례를 도시한 도면이다.2 is a view illustrating an example of forming a fluorescent material layer according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참고하면, 형광물질층(30)은 칩실장기판(10)의 바닥부터 반사층(40) 사이에 형성될 수 있다. 예를 들어, 형광물질층(30)은 210과 같이, 칩실장기판(10)에서 반사층(40) 아래까지 형성될 수 있다. 또는 220과 같이, 형광물질층(30)은 LED 칩(20)의 중간 높이까지 형성될 수 있다. 따라서, 형광물질층(30)은 LED 칩(20)과 접촉하지 않으면서 LED 칩(20) 주변을 포위하게 형성함으로써, LED 칩(20) 주변 히트 싱크와 가까운 쪽에 위치하도록 할 수 있다.Referring to FIG. 2, a fluorescent material layer 30 may be formed between the reflective layer 40 and the bottom of the chip-mounted substrate 10. For example, the fluorescent material layer 30 may be formed down to the reflective layer 40 on the chip-mounted substrate 10, such as 210. Or 220, the phosphor layer 30 may be formed up to the middle height of the LED chip 20. [ Therefore, the phosphor layer 30 is formed so as to surround the periphery of the LED chip 20 without being in contact with the LED chip 20, so that the phosphor layer 30 can be positioned close to the heat sink around the LED chip 20.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 형광물질층의 단면을 도시한 도면이다.3 is a cross-sectional view of a fluorescent material layer according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참고하면, 형광물질층(30)은 LED 칩(20)을 향하는 단면이 평면, 곡면, 및 경사면 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 형광물질층(30)은 LED 칩(20)을 향하는 단면이 310, 330과 같이, 곡면으로 형성되거나, 320, 340과 같이, 경사면으로 형성되거나, 350과 같이 평면으로 형성될 수 있다. 따라서, LED 칩(20)을 향하는 형광물질층(30)의 단면을 평면, 곡면, 및 경사면 중 적어도 하나로 형성함으로써, 방열 특성을 향상시킬 수 있다.Referring to FIG. 3, the fluorescent material layer 30 may be formed of at least one of a flat surface, a curved surface, and a slant surface facing the LED chip 20. The fluorescent material layer 30 may have a curved surface such as 310 or 330 facing the LED chip 20, a sloped surface such as 320 or 340, or a flat surface such as 350. Therefore, by forming the end face of the fluorescent material layer 30 facing the LED chip 20 with at least one of a flat surface, a curved surface, and an inclined surface, heat radiation characteristics can be improved.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 조명유닛의 광 경로를 도시한 도면이다.4 is a view showing an optical path of a lighting unit according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참고하면, LED 칩(20)에 접촉하지 않고, LED 칩(20)과 이격된 상태로 형광물질층(30)을 형성하고, LED 칩(20)의 상부, 즉, 칩실장기판(10)과 대향되게 반사층(40)을 형성하는 경우, LED 칩(20)으로부터 발생된 빛은 반사층(40)으로 출사되거나, 반사층(40)에 형성된 반사패턴(410)에 의해 형광물질층(30)으로 반사될 수 있다. 이렇게, 형광물질층(30)으로 반사된 빛은 형광물질층(30)이 재반사시킴으로써, 반사층(40)으로 빛이 출사될 수 있도록 한다. 따라서, 본 발명의 조명유닛은 형광물질층과 반사층에 의해 광 효율을 높일 수 있다.4, the fluorescent material layer 30 is formed in a state of being separated from the LED chip 20 without contacting the LED chip 20, and the upper part of the LED chip 20, that is, The light emitted from the LED chip 20 is emitted to the reflective layer 40 or the reflective layer 40 formed on the reflective layer 40 forms the fluorescent material layer 30 ). ≪ / RTI > Thus, the light reflected by the fluorescent material layer 30 reflects the fluorescent material layer 30 so that light can be emitted to the reflective layer 40. Therefore, the illumination unit of the present invention can increase the light efficiency by the fluorescent material layer and the reflective layer.

조명유닛은 칩실장기판(10)과 형광물질층(30)을 포위하는 패키지 하우징부(50)를 더 포함할 수 있다. 이때, 형광물질층(30)은 패키지 하우징부(50)로 향하는 영역을 고 반사율 재료로 구성될 수 있다. 즉, 형광물질층(30)은 LED 칩(20)으로 향하는 영역은 형광체와 세라믹 충진재로 구성하고, 패키지 하우징부(50)로 향하는 영역은 고 반사율 재료로 구성함으로써, 광 효율을 높일 수 있다. 예컨대, 고 반사율 재료는 Au, Pt, Ag, Al, AlN, Al2O3, TiO2, BaSO4, ZnO 및 BN 중 적어도 하나일 수 있다.The illumination unit may further include a package housing portion 50 surrounding the chip mounting substrate 10 and the phosphor layer 30. At this time, the region of the fluorescent material layer 30 facing the package housing portion 50 may be made of a high reflectivity material. That is, the fluorescent material layer 30 is formed of a fluorescent material and a ceramic filler in a region facing the LED chip 20, and the region facing the package housing portion 50 is made of a high-reflectance material. For example, a high-reflectance material may be at least one of Au, Pt, Ag, Al, AlN, Al 2 O 3, TiO 2, BaSO 4, ZnO, and BN.

형광물질층(30)은 상기 형광체와 투광성 유기물로 구성되며, LED 칩(20)을 포위하는 패키지 하우징부(50)의 내부 바닥면 또는 측면의 반사면에 코팅 또는 증착 등의 방식으로 접촉되도록 형성될 수 있다.The fluorescent material layer 30 is formed of the fluorescent material and the translucent organic material and is formed to be in contact with the inner bottom surface or side reflective surface of the package housing part 50 surrounding the LED chip 20 by coating or vapor deposition .

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 반사층에 형성되는 반사패턴의 일례를 도시한 도면이다.5 is a view showing an example of a reflection pattern formed on a reflection layer according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참고하면, 반사층(40)은 균일 또는 불균일하게 반사패턴(41)을 형성할 수 있다. 반사층(40)은 기판 상에 고 반사율 재료로 반사패턴(41)을 다양하게 형성할 수 있다. 반사패턴(41)은 다양한 형상을 가질 수 있는데, 반사패턴끼리 서로 접촉되는 원형(510), 반사패턴 사이사이에 공간을 갖는 형상(520), 미세 패턴을 갖는 형상(530)을 가질 수 있다.Referring to FIG. 5, the reflection layer 40 can form the reflection pattern 41 uniformly or nonuniformly. The reflective layer 40 can form a variety of reflective patterns 41 on the substrate with a high-reflectivity material. The reflective pattern 41 may have various shapes, such as a circle 510 in which the reflective patterns are in contact with each other, a shape 520 having a space between the reflective patterns, and a shape 530 having a fine pattern.

실시예로, 반사층(40)은 반사패턴(41)이 형성되지 않은 영역을 직경 3㎛ 이하의 원형으로 형성될 수 있다. 더 정확하게, 반사층(40)은 400 ~ 900 nm의 원형의 형상을 가질 수 있다.In an embodiment, the reflection layer 40 may be formed in a circle having a diameter of 3 m or less in a region where the reflection pattern 41 is not formed. More precisely, the reflective layer 40 may have a circular shape of 400 to 900 nm.

상기 반사층은 상기 고반사율 재료의 개구율이 15 % 이상으로 형성될 수 있다.The reflective layer may have an aperture ratio of the high-reflectivity material of 15% or more.

상기 반사층은 상기 고반사율 재료의 반사율이 30 % 이상으로 형성될 수 있다.The reflective layer may have a reflectivity of 30% or more of the high reflectivity material.

상기 반사층은 상기 고반사율 재료의 열 전도율이 40 Kcal / m.hr.℃ Wherein the reflective layer has a thermal conductivity of the high reflectivity material of 40 Kcal /

이상으로 형성될 수 있다.Or more.

도 6 및 도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 형광물질층의 제조방법을 도시한 도면이다.6 and 7 are views showing a method of manufacturing a fluorescent material layer according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참고하면, 칩실장기판 상에 장착된 LED 칩을 포위하는 형광물질층을 상기 LED 칩으로부터 이격되게 형성할 수 있다.Referring to FIG. 6, a fluorescent material layer surrounding the LED chip mounted on the chip mounting substrate may be formed apart from the LED chip.

더욱 상세하게는, 글래스 파우더(Glass Powder) 및 형광체를 혼합하고(S610), 혼합된 물질을 1200 도 이상에서 용융하고(S620), 용융된 용융액을 몰드에 성형하고(S630), LED 칩으로 향하는 단면을 연마(Polishing)함으로써(S640), 상기 형광물질층을 형성한 후, 반사층을 스퍼터링할 수 있다(S650). 상기 LED 칩으로 향하는 단면을 연마하는 것은 상기 LED 칩을 향하는 단면을 평면, 곡면, 및 경사면 중 적어도 하나로 형성할 수 있다.More specifically, the glass powder and the fluorescent material are mixed (S610), the mixed material is melted at a temperature of 1200 degrees or more (S620), the molten melt is molded into a mold (S630) After polishing the end face (S640), the reflective layer may be sputtered after forming the fluorescent material layer (S650). The cross section facing the LED chip may be formed by at least one of a flat surface, a curved surface, and a sloped surface facing the LED chip.

또는, 도 7을 참고하면, 형광물질층 제조방법은 글래스 파우더 및 형광체를 혼합하고(S710), 혼합된 물질을 600 도 이상 등가압 소결하고(S720), LED 칩으로부터 이격되게 세라믹 플레이트를 가공함으로써(S730), 형광물질층을 형성한 후, 반사층을 스퍼터링할 수 있다(S740).Alternatively, referring to FIG. 7, a method of manufacturing a fluorescent material layer includes mixing a glass powder and a fluorescent material (S710), pressurizing and sintering the mixed material at 600 degrees or more (S720), and processing the ceramic plate (S730). After forming the fluorescent material layer, the reflective layer may be sputtered (S740).

도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 반사층의 제조방법을 도시한 도면이다.8 is a view illustrating a method of manufacturing a reflective layer according to an embodiment of the present invention.

도 8을 참고하면, 반사패턴이 형성된 반사층을 칩실장기판과 대향되게 배치할 수 있다.Referring to FIG. 8, the reflective layer having the reflective pattern formed thereon can be arranged to face the chip mounting substrate.

상세하게는, 글래스 기판, PC 기판 및 쿼츠(Quartz) 기판 중 적어도 하나의 기판을 준비하고(810), 상기 기판 상에 고 반사율 재료를 증착하여(820), 반사패턴을 형성함으로써(830), 반사층이 형성된다. 도면에서, 830은 열처리를 통한 Poly Styrene(PS) 비드를 제거함으로써, 반사패턴을 형성할 수 있다.In detail, at least one of a glass substrate, a PC substrate and a quartz substrate is prepared (810), a high reflectivity material is deposited on the substrate (820), a reflection pattern is formed (830) A reflective layer is formed. In the figure, 830 can form a reflection pattern by removing Poly Styrene (PS) beads through heat treatment.

실시예로, 반사층은 스크린 프린팅, 포토 리소그라피, PS 비드 모노레이어를 이용하여 상기 반사패턴을 형성할 수 있다. 상기 고 반사율 재료로는 Au, Pt, Ag, Al, AlN, Al2O3, TiO2, BaSO4, ZnO 및 BN 중 적어도 하나가 이용될 수 있다.By way of example, the reflective layer may form the reflective pattern using screen printing, photolithography, or a PS bead mono layer. The high-reflectance material to have at least one of Au, Pt, Ag, Al, AlN, Al 2 O 3, TiO 2, BaSO 4, ZnO , and BN can be used.

전술한 바와 같은 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였다. 그러나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능하다. 본 발명의 기술적 사상은 본 발명의 기술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
In the foregoing detailed description of the present invention, specific examples have been described. However, various modifications are possible within the scope of the present invention. The technical idea of the present invention should not be limited to the embodiments of the present invention but should be determined by the equivalents of the claims and the claims.

10: 칩실장기판
20: LED 칩
30: 형광물질층
40: 반사층
41: 반사패턴
50: 패키지 하우징부10: chip mounting substrate
20: LED chip
30: Fluorescent material layer
40: reflective layer
41: reflection pattern
50: package housing part

Claims (18)

LED 칩이 장착된 칩실장기판;
상기 칩실장기판 상에 배치되고, 상기 LED 칩으로부터 이격되어 상기 LED 칩을 포위하는 형광물질층;
상기 칩실장기판과 대향되게 배치되어, 상기 LED 칩으로부터 이격되어 반사패턴을 포함하는 반사층; 및
상기 칩실장기판, 상기 형광물질층 및 상기 반사층을 포위하는 패키지 하우징부;를 포함하고,
상기 형광물질층은,
고 반사율 재료로 이루어진 상기 패키지 하우징부로 향하는 영역; 및
형광체와 세라믹 충진재로 이루어진 상기 LED 칩으로 향하는 영역;을 포함하는 조명유닛.
A chip mounting substrate on which an LED chip is mounted;
A fluorescent material layer disposed on the chip mounting substrate and spaced apart from the LED chip to surround the LED chip;
A reflective layer disposed opposite to the chip mounting substrate and including a reflective pattern spaced apart from the LED chip; And
And a package housing part surrounding the chip mounting substrate, the fluorescent material layer, and the reflective layer,
Wherein the fluorescent material layer
An area toward the package housing part made of a high reflectivity material; And
And a region facing the LED chip made of a phosphor and a ceramic filler.
제1항에 있어서,
상기 형광물질층은,
상기 칩실장기판의 바닥부터 상기 반사층 사이에 배치되고,
상기 LED 칩을 향하는 단면이 평면, 곡면 및 경사면 중 적어도 하나인 조명유닛.
The method according to claim 1,
Wherein the fluorescent material layer
And a reflective layer disposed between the reflective layer and the bottom of the chip-
Wherein a cross section facing the LED chip is at least one of a flat surface, a curved surface and an inclined surface.
제2항에 있어서,
상기 형광물질층은,
상기 형광물질층의 상기 LED 칩을 향하는 단면과 대향하는 면은 상기 패키지 하우징부의 측부와 접촉하도록 배치되는 조명유닛.
3. The method of claim 2,
Wherein the fluorescent material layer
And a surface of the fluorescent material layer facing the end surface facing the LED chip is arranged to be in contact with the side of the package housing part.
삭제delete 제3항에 있어서,
상기 형광물질층은,
상기 형광체와 투광성 유기물로 구성되며, 상기 LED 칩을 포위하는 패키지 하우징부의 내부 바닥면 또는 측면의 반사면에 코팅 또는 증착 등의 방식으로 접촉되도록 형성되는, 조명유닛.
The method of claim 3,
Wherein the fluorescent material layer
Wherein the LED chip is formed to be in contact with the inner bottom surface or the side reflective surface of the package housing surrounding the LED chip by coating or vapor deposition.
삭제delete 제3항에 있어서,
상기 반사층은,
글래스 기판, PC 기판 및 쿼츠(Quartz) 기판 중 적어도 하나의 기판 상에 고 반사율 재료로 상기 반사패턴이 형성되는, 조명유닛.
The method of claim 3,
Wherein,
Wherein the reflection pattern is formed of a high-reflectance material on at least one of a glass substrate, a PC substrate, and a quartz substrate.
제7항에 있어서,
상기 반사층은,
상기 반사패턴이 형성되지 않은 영역은 직경 3㎛ 이하의 원형으로 형성되는, 조명유닛.
8. The method of claim 7,
Wherein,
Wherein the region where the reflection pattern is not formed is formed in a circle having a diameter of 3 mu m or less.
제8항에 있어서,
상기 반사층은,
상기 고 반사율 재료의 개구율이 15 % 이상으로 형성되는, 조명유닛.
9. The method of claim 8,
Wherein,
Wherein an aperture ratio of the high reflectivity material is formed to be not less than 15%.
제8항에 있어서,
상기 반사층은,
상기 고 반사율 재료의 반사율이 30 % 이상으로 형성되고, Au, Pt, Ag, Al, AlN, Al2O3, TiO2, BaSO4, ZnO 및 BN 중 적어도 하나의 고 반사율 재료로 형성되는, 조명유닛.
9. The method of claim 8,
Wherein,
The high reflectivity of the reflective material is formed by more than 30%, Au, Pt, Ag , Al, AlN, Al 2 O 3, TiO 2, BaSO 4,, lights are formed by at least one high-reflectance of the ZnO and BN material unit.
제8항에 있어서,
상기 반사층은,
상기 고 반사율 재료의 열 전도율이 40 Kcal / m.hr.℃ 이상으로 형성되는, 조명유닛.9. The method of claim 8,
Wherein,
Wherein the high-reflectivity material has a thermal conductivity of 40 Kcal / m.hr. ° C or higher. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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