KR101981769B1 - 양자점 포함 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커 및 이의 제조방법 - Google Patents

양자점 포함 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커 및 이의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101981769B1
KR101981769B1 KR1020160171875A KR20160171875A KR101981769B1 KR 101981769 B1 KR101981769 B1 KR 101981769B1 KR 1020160171875 A KR1020160171875 A KR 1020160171875A KR 20160171875 A KR20160171875 A KR 20160171875A KR 101981769 B1 KR101981769 B1 KR 101981769B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tri
sulfide
selenide
hydrophobic
octylphosphine
Prior art date
Application number
KR1020160171875A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180069570A (ko
Inventor
김재일
임태윤
Original Assignee
큐디브릭 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 큐디브릭 주식회사 filed Critical 큐디브릭 주식회사
Priority to KR1020160171875A priority Critical patent/KR101981769B1/ko
Publication of KR20180069570A publication Critical patent/KR20180069570A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101981769B1 publication Critical patent/KR101981769B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F7/00—Signs, name or number plates, letters, numerals, or symbols; Panels or boards
    • G09F7/18—Means for attaching signs, plates, panels, or boards to a supporting structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29B—PREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
    • B29B11/00—Making preforms
    • B29B11/06—Making preforms by moulding the material
    • B29B11/10—Extrusion moulding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29B—PREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
    • B29B7/00—Mixing; Kneading
    • B29B7/80—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29B7/88—Adding charges, i.e. additives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B60—VEHICLES IN GENERAL
    • B60R—VEHICLES, VEHICLE FITTINGS, OR VEHICLE PARTS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B60R13/00—Elements for body-finishing, identifying, or decorating; Arrangements or adaptations for advertising purposes
    • B60R13/10—Registration, licensing, or like devices
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F3/00—Labels, tag tickets, or similar identification or indication means; Seals; Postage or like stamps
    • G09F3/08—Fastening or securing by means not forming part of the material of the label itself
    • G09F3/10—Fastening or securing by means not forming part of the material of the label itself by an adhesive layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2995/00—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
    • B29K2995/0018—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds having particular optical properties, e.g. fluorescent or phosphorescent
    • B29K2995/0036—Electroluminescent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2031/00—Other particular articles
    • B29L2031/30—Vehicles, e.g. ships or aircraft, or body parts thereof
    • B29L2031/3055—Cars
    • B29L2031/3061—Number plates
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F7/00—Signs, name or number plates, letters, numerals, or symbols; Panels or boards
    • G09F7/18—Means for attaching signs, plates, panels, or boards to a supporting structure
    • G09F2007/1873—Means for attaching signs, plates, panels, or boards to a supporting structure characterised by the type of sign
    • G09F2007/1895—Licence number plates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Processes Of Treating Macromolecular Substances (AREA)

Abstract

본 발명은 양자점 포함 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커의 제조방법은 용융 고분자를 용매로 응용하여 양자점, 코어-쉘 양자점 및 코어-그라디언트 쉘 양자점을 모두 제조함에 따라서, 양자점 고분자 복합체의 종래 제조방법에 비하여 제조공정을 단축할 수 있을 뿐만 아니라, 고분자 매트릭스 내에서 양자점이 생성되고 유지되기 때문에 산화를 원천 차단할 수 있고, 제조한 양자점 고분자 복합체에서 양자점이 균일하게 분산되는 효과가 있다.

Description

양자점 포함 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커 및 이의 제조방법{Number and korean symbol sticker for vehicle license plate having quantum dots and preparation method thereof}
본 발명은 양자점 포함 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
자동차 번호판은 현재 자동차관리법 제10조, 동법 시행규칙 제3조 내지 제6조, 및 자동차등록번호판 등의 제식에 관한 고시(건설교통부고시 제98-375호)에 근거하여 그 규격이 규정되어 있다. 이를 상세히 설명하면, 가로 33.5cm, 세로 16cm, 및 두께 1mm의 알루미늄판에 소정의 문자, 숫자, 및 테두리선을 1.3mm 높이로 양각하고, 한글로 된 일련번호를 0.5mm 깊이로 음각하며, 상기 양각된 부분과 그 외의 부분을 차량에 따라 각각 규정된 색으로 도색하여 이루어진다. 이러한 번호판은 일반적으로 지지판에 의해 지지되고 그와 함께 차량 본체에 결합된다.
이와 같은 종래의 차량용 번호판은 그 크기가 서구 유럽지역 등에 비해 작아서 교통사고 후 도주시 번호의 식별이 용이하지 않을 뿐 아니라, 특히 야간에 식별이 어려운 문제가 있다.
반도체의 크기가 일정한 크기 이하로 작아지면, 입자의 크기에 따라 발광 파장이 달라지는 양자 크기 효과(quantum size effect)를 관찰할 수 있다. 일반적으로, 고온에서 트리-n-옥틸포스핀 옥사이드(tri-n-octylphosphine oxide, 이하 'TOPO')와 같은 용매에 II족 금속 전구체와 VI족 칼코게나이드(chalcogenide) 전구체를 넣어주면 II-VI족 금속 칼코게나이드(CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe) 반도체 양자점을 얻을 수 있다. 이러한 고온 열분해방법(high temperature pyrolysis; C.B.Murrary, D.J.Norris, and M.G.Bawendi, J.Am.Chem.Soc. 1993, 115, 8706-8715)을 이용하여 카드뮴 칼코게나이드 양자점을 얻은 이후에 많은 그룹에서 동일하거나 약간 변형된 방법을 이용하여 카드뮴 칼코게나이드 양자점을 합성하고 이의 광학적 성질을 연구하였다.
이러한 양자점은 표면에 긴 알킬 체인(유기 리간드)을 가지고 있는데, 이는 해당 양자점을 합성하는 조건에서 사용된 용매 또는 첨가제가 양자점의 표면에 들러붙어 양자점을 안정화시킨 결과이다. 이렇게 표면에 존재하는 긴 알킬 체인으로 인하여 유기용매 내 분산성이 향상되고, 다양한 분야로의 응용이 가능하다. 실제로 빛을 내는 물질이 필요한 분야 중 유기 용매를 기반으로 하는 분야 즉, 발광소자, 태양전지, 레이저 등에는 이 물질을 이용한 연구가 활발하게 진행되고 있다.
한편, 제조된 양자점은 공기 중에서 산화되기 쉬워 안정성이 낮고, 이는 곧 고유 발광성 감소로 이어지는 문제가 있다.
이에, 본 발명자들은 차량번호판용 한글 및 숫자 기호 스티커를 제조함에 있어서 양자점의 고유 발광성을 보존하여 제조하는 방법을 연구하던 중, 용융 고분자를 용매로 응용하여 양자점, 코어-쉘 양자점 및 코어-그라디언트 쉘 양자점을 모두 제조함에 따라서, 양자점 고분자 복합체의 종래 제조방법에 비하여 제조공정을 단축할 수 있을 뿐만 아니라, 고분자 매트릭스 내에서 양자점이 생성되고 유지되기 때문에 산화를 원천 차단할 수 있고, 제조한 양자점 고분자 복합체에서 양자점이 균일하게 분산되는 효과를 확인하고, 본 발명을 완성하였다.
공개특허공보 10-2006-0066623호
본 발명의 목적은 코어 양자점이 분산된 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커의 제조방법 및 이에 의해 제조된 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 코어-쉘 양자점이 분산된 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커의 제조방법 및 이에 의해 제조된 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 코어-그라디언트 쉘 양자점이 분산된 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커의 제조방법 및 이에 의해 제조된 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여,
본 발명은 소수성 양자점 원료 및 열가소성 고분자를 압출성형기에 투입하는 단계(단계 1);
불활성 가스를 주입하면서, 100-400℃를 유지하며, 진공 펌프를 가동하면서 압출성형으로 펠렛을 얻는 단계(단계 2);
상기 단계 2에서 얻은 펠렛을 필름 형태로 제조한 다음, 필름의 일면에 점착제를 적층하는 단계(단계 3); 및
숫자 및 한글 기호로 절단하는 단계(단계 4);
를 포함하는 코어 양자점이 분산된 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 소수성 코어 양자점, 소수성 쉘 원료, 열가소성 고분자 및 소수성 유기용매를 압출성형기에 투입하는 단계(단계 1);
불활성 가스를 주입하면서, 100-400℃를 유지하며, 진공 펌프를 가동하면서 압출성형으로 펠렛을 얻는 단계(단계 2); 및
상기 단계 2에서 얻은 펠렛을 필름 형태로 제조한 다음, 필름의 일면에 점착제를 적층하는 단계(단계 3); 및
숫자 및 한글 기호로 절단하는 단계(단계 4);를 포함하는 코어-쉘 양자점이 분산된 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커의 제조방법을 제공한다.
나아가, 소수성 양자점 원료, 소수성 쉘 원료, 열가소성 고분자 및 소수성 유기용매를 압출성형기에 투입하는 단계(단계 1);
불활성 가스를 주입하면서, 100-400℃를 유지하며, 진공 펌프를 가동하면서 압출성형으로 펠렛을 얻는 단계(단계 2); 및
상기 단계 2에서 얻은 펠렛을 필름 형태로 제조한 다음, 필름의 일면에 점착제를 적층하는 단계(단계 3); 및
숫자 및 한글 기호로 절단하는 단계(단계 4);를 포함하는 코어-그라디언트 쉘 양자점이 분산된 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커의 제조방법은 용융 고분자를 용매로 응용하여 양자점, 코어-쉘 양자점 및 코어-그라디언트 쉘 양자점을 모두 제조함에 따라서, 양자점 고분자 복합체의 종래 제조방법에 비하여 제조공정을 단축할 수 있을 뿐만 아니라, 고분자 매트릭스 내에서 양자점이 생성되고 유지되기 때문에 산화를 원천 차단할 수 있고, 제조한 양자점 고분자 복합체에서 양자점이 균일하게 분산되는 효과가 있다.
도 1은 실시예 1에서 사용한 압출성형 방법의 개략도이다.
도 2는 실시예 2에서 사용한 압출성형 방법의 개략도이다.
도 3은 실시예 3에서 사용한 압출성형 방법의 개략도이다.
도 4는 실시예 1과 동일한 방법으로 제조한 펠렛 및 이를 이용하여 제조한 필름에 UV 조사 전(a) 및 후(b)의 발광을 확인한 사진이다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
코어 양자점이 분산된 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커의 제조방법 1
본 발명은 소수성 양자점 원료 및 열가소성 고분자를 압출성형기에 투입하는 단계(단계 1);
불활성 가스를 주입하면서, 100-400℃를 유지하며, 진공 펌프를 가동하면서 압출성형으로 펠렛을 얻는 단계(단계 2);
상기 단계 2에서 얻은 펠렛을 필름 형태로 제조한 다음, 필름의 일면에 점착제를 적층하는 단계(단계 3); 및
숫자 및 한글 기호로 절단하는 단계(단계 4);
를 포함하는 코어 양자점이 분산된 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 제조방법 1에 있어서, 상기 단계 1은 소수성 양자점 원료 및 열가소성 고분자를 압출성형기에 투입하는 단계이다. 본 발명에서 용어 "양자점 원료"는 양자점을 생성하는 원료를 의미한다.
상기 소수성 양자점 원료는 유기물이 치환된 카드뮴, 유기물이 치환된 셀레늄, 유기물이 치환된 황, 유기물이 치환된 인듐, 유기물이 치환된 인 등의 양자점 제조를 위한 소수성 원료라면 아무런 제약 없이 모두 사용할 수 있다.
구체적으로, 상기 유기물이 치환된 카드뮴은 카드뮴 스테아레이트(cadium stearate), 카드뮴 올레이트 (cadmium oleate), 카드뮴 아세테이트 (cadmium acetate), 카드뮴 미리스테이트 (cadmium myristate), 카드뮴 팔미에이트 (cadmium palmiate), 카드뮴 운데실레네이트 (cadmium undecylenate), 카드뮴 옥타데실포스포네이트 (cadmium octadecylphosphonate), 카드뮴 테트라데실포스포네이트 (cadmium tetradecylphosphonate), 다이메틸 카드뮴 (dimethyl cadmium), 다이에틸 카드뮴 (diethyl cadmium) 등을 사용할 수 있고,
상기 유기물이 치환된 셀레늄은 트리-n-옥틸포스핀셀레나이드(tri-n-octylphosphine selenide), 트리-n-부틸포스핀셀레나이드(tri-n-butylphosphine selenide), 트리-n-페닐포스핀셀레나이드(tri-n-phenylphosphine selenide), 다이-n-옥틸포스핀셀레나이드(tri-n-octylphosphine selenide), 다이-n-부틸포스핀셀레나이드(tri-n-butylphosphine selenide), 다이-n-페닐포스핀셀레나이드(tri-n-phenylphosphine selenide), 모노-n-옥틸포스핀셀레나이드(tri-n-octylphosphine selenide), 모노-n-부틸포스핀셀레나이드(tri-n-butylphosphine selenide), 모노-n-페닐포스핀셀레나이드(tri-n-phenylphosphine selenide), 셀레늄 파우더 (Selenium), 셀레늄 옥사이드 (Selenium dioxide), 셀레노 우레아 (Seleno-urea), 옥탄셀레놀 (octane-selenol), 도데칸셀레놀 (dodecane-selenol) 등을 사용할 수 있으며,
상기 유기물이 치환된 황은 트리-n-옥틸포스핀설파이드 (tri-n-octylphosphine sulfide), 트리-n-부틸포스핀설파이드 (tri-n-butylphosphine sulfide), 트리-n-페닐포스핀설파이드 (tri-n-phenylphosphine sulfide), 다이-n-옥틸포스핀설파이드 (tri-n-octylphosphine sulfide), 다이-n-부틸포스핀설파이드 (tri-n-butylphosphine sulfide), 다이-n-페닐포스핀설파이드 (tri-n-phenylphosphine sulfide), 모노-n-옥틸포스핀설파이드 (tri-n-octylphosphine sulfide), 모노-n-부틸포스핀설파이드 (tri-n-butylphosphine sulfide), 모노-n-페닐포스핀설파이드 (tri-n-phenylphosphine sulfide), 황 파우더 (elemental Sulfur powder), 황산화물 (Sulfur oxide), 싸이오우레아 (thio-urea), 옥탄티올 (octanethiol), 도데칸티올 (dodecanethiol) 등을 사용할 수 있고,
상기 유기물이 치환된 인듐은 트리메틸인듐 (trimethyl indium), 트리에틸인듐 (triethyl indium), 인듐 아세테이트 (indium acetate), 인듐 미리스테이트 (indium myristate), 인듐 팔메이트 (indium palmate), 인듐 스테아레이트 (indium stearate), 인듐 올레이트 (indium oleate), 인듐 옥타데실포스포네이트 (indium octadecylphisphonate), 인듐 테트라데실포스포네이트 (indium tetradecylphosphonate), 인듐 트리-도데칸싸이올레이트 (indium thiolate) 등을 사용할 수 있으며,
상기 유기물이 치환된 인은 P(TMS)3 (Tris(trimethylsilyl)phosphine), PH(TMS)2 (Di(trimethylsilyl)phosphine), PH2(TMS) (Mono(trimethylsilyl)phosphine), P(DA)3 (tris(dimethylamono)phosphine), P(DEA)3 (tris(diethylamono)phosphine) 등을 사용할 수 있다.
상기 열가소성 고분자는 PMMA (Poly(methyl methacrylate), PC (Polycarbonate), TPU (thermoplastic poly urethane), 나일론, EVA (ethylene vinyl acetate), PE (Polyethylene), PP (Polypropylene), PET (poly ethylene terephthalate), PLA (poly lactic acid), COP (Cyclic olefin polymer), COC (cyclic olefin coppolymer) 등의 열가소성 고분자라면 아무런 제약 없이 모두 사용할 수 있다.
본 단계 1에서 압출성형기에 투입되는 모든 원료의 투입속도는 0.001-1000kg/min, 바람직하게는 10-100kg/min, 더욱 바람직하게는 30-50kg/min일 수 있다. 만약, 원료 투입속도가 0.001kg/min 미만일 경우 고분자가 산화되는 문제가 있을 수 있고, 1000kg/min 초과일 경우 고분자 내에 양자점 원료의 분산성이 저하되는 문제가 있을 수 있다.
본 단계 1에서 열가소성 고분자 100 중량부 대비 소수성 양자점 원료 0.0001-80 중량부 범위로 투여할 수 있다.
본 발명에 따른 제조방법 1에 있어서, 상기 단계 2는 불활성 가스를 주입하면서, 100-400℃를 유지하며, 진공 펌프를 가동하면서 압출성형으로 펠렛을 얻는 단계이다.
여기서, 불활성 가스로는 아르곤, 질소, 네온, 탄산 등을 사용할 수 있다. 본 발명에서 불활성 가스는 양자점 원료의 산화를 방지하는 역할을 한다.
상기 작동온도 100-400℃는 고분자가 용융되는 온도의 범위로, 사용하는 고분자의 융점 이상이라면 제약 없이 사용할 수 있다.
상기 진공 펌프는 제조되는 복합체에 기포가 발생하는 것을 방지하는 역할을 한다.
본 발명에 따른 제조방법 1에 있어서, 상기 단계 3은 상기 단계 2에서 얻은 펠렛을 필름 형태로 제조한 다음, 필름의 일면에 점착제를 적층하는 단계이다. 여기서, 펠렛을 필름 형태로 제조하는 방법은 공지의 방법을 모두 사용할 수 있다. 상기 점착제는 양면 점착제로서 일면은 상기 사출성형품에 점착하고 다른 일면은 박리지가 합지되어 있는 것을 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 제조방법 1에 있어서, 상기 단계 4는 숫자 및 한글 기호로 절단하는 단계이다. 단계 3에서 얻은 필름을 원하는 기호 모양으로 절단 가공하여 사용할 수 있고, 절단 가공 방법은 공지의 방법을 모두 사용할 수 있다.
코어-쉘 양자점이 분산된 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커의 제조방법 2
본 발명은 소수성 코어 양자점, 소수성 쉘 원료, 열가소성 고분자 및 소수성 유기용매를 압출성형기에 투입하는 단계(단계 1);
불활성 가스를 주입하면서, 100-400℃를 유지하며, 진공 펌프를 가동하면서 압출성형으로 펠렛을 얻는 단계(단계 2); 및
상기 단계 2에서 얻은 펠렛을 필름 형태로 제조한 다음, 필름의 일면에 점착제를 적층하는 단계(단계 3); 및
숫자 및 한글 기호로 절단하는 단계(단계 4);를 포함하는 코어-쉘 양자점이 분산된 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 제조방법 2에 있어서, 상기 단계 1은 소수성 코어 양자점, 소수성 쉘 원료, 열가소성 고분자 및 소수성 유기용매를 압출성형기에 투입하는 단계이다. 본 발명에서 용어 "코어 양자점"은 이미 제조된 코어 양자점을 의미한다.
상기 소수성 코어 양자점은 CdSe, InP, CuInS, CuInSe, CuInS2, CuInSe2, CsPbCl3, CsPbBr3, CsPbI3 등을 사용할 수 있다.
상기 소수성 쉘 원료는 트리-메틸-갈륨 (tri-methyl-gallium), 갈륨 아세테이트 (Gallium acetate), 갈륨 클로라이드 (Gallium chloride), 갈륨 올리에이트 (Gallium oleate), 갈륨 스테아레이트 (Gallium stearate), 아연 스테아레이트 (Zinc stearate), 아연 올레이트 (zinc oleate), 아연 아세테이트 (zinc acetae), 디메틸 아연 (dimethyl zinc), 디에틸 아연 (diethyl zinc), 트리-n-옥틸포스핀셀레나이드(tri-n-octylphosphine selenide), 트리-n-부틸포스핀셀레나이드(tri-n-butylphosphine selenide), 트리-n-페닐포스핀셀레나이드(tri-n-phenylphosphine selenide), 다이-n-옥틸포스핀셀레나이드(tri-n-octylphosphine selenide), 다이-n-부틸포스핀셀레나이드(tri-n-butylphosphine selenide), 다이-n-페닐포스핀셀레나이드(tri-n-phenylphosphine selenide), 모노-n-옥틸포스핀셀레나이드(tri-n-octylphosphine selenide), 모노-n-부틸포스핀셀레나이드(tri-n-butylphosphine selenide), 모노-n-페닐포스핀셀레나이드(tri-n-phenylphosphine selenide), 셀레늄 파우더 (Selenium), 셀레늄 옥사이드 (Selenium dioxide), 셀레노 우레아 (Seleno-urea), 옥탄셀레놀 (octane-selenol), 도데칸셀레놀 (dodecane-selenol), 트리-n-옥틸포스핀설파이드 (tri-n-octylphosphine sulfide), 트리-n-부틸포스핀설파이드 (tri-n-butylphosphine sulfide), 트리-n-페닐포스핀설파이드 (tri-n-phenylphosphine sulfide), 다이-n-옥틸포스핀설파이드 (tri-n-octylphosphine sulfide), 다이-n-부틸포스핀설파이드 (tri-n-butylphosphine sulfide), 다이-n-페닐포스핀설파이드 (tri-n-phenylphosphine sulfide), 모노-n-옥틸포스핀설파이드 (tri-n-octylphosphine sulfide), 모노-n-부틸포스핀설파이드 (tri-n-butylphosphine sulfide), 모노-n-페닐포스핀설파이드 (tri-n-phenylphosphine sulfide), 황 파우더 (elemental Sulfur powder), 황산화물 (Sulfur oxide), 싸이오우레아 (thio-urea), 옥탄티올 (octanethiol), 도데칸티올 (dodecanethiol) 등을 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 열가소성 고분자에 관한 설명은 제조방법 1에서 상술한 바와 같다.
상기 소수성 유기용매는 옥타데신 (1-octadcene), 옥타데칸 (octadecane), 트리-n-옥틸포스핀 (tri-n-octylphosphine), 트리-n-옥틸포스핀 옥사이드 (tri-n-octylphosphine oxide), 트리-n-옥틸아민 (tri-n-octylamine), 다이-n-옥틸아민 (di-n-octylamine), n-옥틸아민 (n-octylamine), 톨루엔, 파라핀 (paraffin), 스쿠알렌 (squalene) 등을 사용할 수 있다.
본 단계 1에서 압출성형기에 투입되는 모든 원료의 투입속도는 제조방법 1에서 상술한 바와 같다.
본 단계 1에서 열가소성 고분자 100 중량부 대비 소수성 코어 양자점 0.0001-50 중량부, 소수성 쉘 원료 0.0001-50 중량부, 소수성 유기용매 0.0001-99 중량부 범위로 투여할 수 있다.
본 발명에 따른 제조방법 2에 있어서, 상기 단계 2는 불활성 가스를 주입하면서, 100-400℃를 유지하며, 진공 펌프를 가동하면서 압출성형으로 펠렛을 얻는 단계이다.
여기서, 불활성 가스, 작동온도, 진공 펌프에 관한 설명은 제조방법 1에서 상술한 바와 같다.
본 발명에 따른 제조방법 2에 있어서, 상기 단계 3 및 단계 4는 제조방법 1에서 상술한 바와 같다.
코어- 그라디언트 쉘 양자점이 분산된 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커의 제조방법 3
본 발명은 소수성 양자점 원료, 소수성 쉘 원료, 열가소성 고분자 및 소수성 유기용매를 압출성형기에 투입하는 단계(단계 1);
불활성 가스를 주입하면서, 100-400℃를 유지하며, 진공 펌프를 가동하면서 압출성형으로 펠렛을 얻는 단계(단계 2); 및
상기 단계 2에서 얻은 펠렛을 필름 형태로 제조한 다음, 필름의 일면에 점착제를 적층하는 단계(단계 3); 및
숫자 및 한글 기호로 절단하는 단계(단계 4);를 포함하는 코어-그라디언트 쉘 양자점이 분산된 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 제조방법 3에 있어서, 상기 단계 1은 소수성 양자점 원료, 소수성 쉘 원료, 열가소성 고분자 및 소수성 유기용매를 압출성형기에 투입하는 단계이다.
상기 소수성 양자점 원료 및 열가소성 고분자는 제조방법 1에서 상술한 바와 같고, 상기 소수성 쉘 원료 및 소수성 유기용매는 제조방법 2에서 상술한 바와 같다.
본 단계 1에서 압출성형기에 투입되는 모든 원료의 투입속도는 제조방법 1에서 상술한 바와 같다.
본 단계 1에서 열가소성 고분자 100 중량부 대비 소수성 양자점 원료 0.0001-50 중량부, 소수성 쉘 원료 0.0001-50 중량부, 소수성 유기용매 0.0001-99 중량부 범위로 투여할 수 있다.
본 발명에 따른 제조방법 3에 있어서, 상기 단계 2는 불활성 가스를 주입하면서, 100-400℃를 유지하며, 진공 펌프를 가동하면서 압출성형 하는 단계이다.
여기서, 불활성 가스, 작동온도, 진공 펌프에 관한 설명은 제조방법 1에서 상술한 바와 같다.
본 발명에 따른 제조방법 3에 있어서, 상기 단계 3 및 단계 4는 제조방법 1에서 상술한 바와 같다.
이하, 본 발명을 하기의 실시예에 의하여 더욱 상세하게 설명한다. 단, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
< 실시예 1> CdSe 양자점이 분산된 PMMA 고분자 복합체 펠렛의 제조
CdSe 양자점 원료: CdSA2 (cadium stearate) (1mmol) 및 TOPSe (tri-n-octylphosphine selenide) (1mmol)
고분자 원료: PMMA (Poly(methyl methacrylate)) (100g)
상기 원료를 혼합하여 압출성형기(도 1 참조)에 투입하였다. 여기서, 혼합 원료를 투입할 시에 양자점의 산화를 보호할 목적으로 불활성 가스로서 아르곤 가스를 함께 주입하였다. 혼합 원료의 투입속도는 10g/min으로 하였고, 압출성형기의 온도는 300℃를 유지하였으며, 진공을 유지하였다. 상기 혼합 원료를 압출성형기를 통해 CdSe 양자점이 분산된 PMMA 고분자 복합체를 펠렛 형태로 얻었다.
< 실시예 2> CdSe - ZnS (코어-쉘) 양자점이 분산된 PMMA 고분자 복합체 펠렛의 제조
CdSe-ZnS(코어-쉘) 양자점 원료: CdSe (1g), Zinc stearate (10g) 및 Dodecanethiol (10mL)
고분자 원료: PMMA 100g
용매: 톨루엔 (10mL)
상기 원료를 혼합하여 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 조건으로 압출성형기(도 2 참조)를 통해 CdSe-ZnS(코어-쉘) 양자점이 분산된 PMMA 고분자 복합체를 펠렛 형태로 얻었다. 여기서, 도데칸티올(Dodecanethiol)은 고온 작업시에 가스가 발생하므로, 후드를 설치하여 가스 배출을 유도하였다.
<실시예 3> CdSe-ZnS(코어-그라디언트(gradient) 쉘) 양자점이 분산된 PMMA 고분자 복합체 펠렛의 제조
CdSe-ZnS(코어-그라디언트(gradient) 쉘) 양자점 원료: CdSA2 (cadium stearate) (1mmol), TOPSe (tri-n-octylphosphine selenide) (1mmol), Zinc stearate (10g) 및 Dodecanethiol (10mL)
고분자 원료: PMMA 100g
용매: 옥타데센(octadecene) (10mL)
상기 원료를 혼합하여 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 조건으로 압출성형기(도 3 참조)를 통해 CdSe-ZnS(코어-그라디언트 쉘) 양자점이 분산된 PMMA 고분자 복합체를 펠렛 형태로 얻었다. 여기서, 도데칸티올(Dodecanethiol)은 고온 작업시에 가스가 발생하므로, 후드를 설치하여 가스 배출을 유도하였다.
< 실시예 4> InP - ZnS (코어-쉘) 양자점이 분산된 PMMA 고분자 복합체 펠렛의 제조
InP-ZnS(코어- 쉘) 양자점 원료: Indium myristate (1mmol), tris(diethylamino)phosphine (1mmol), Zinc stearate (10g) 및 Dodecanethiol (10mL)
고분자 원료: PMMA 100g
용매: 옥타데센 (10mL)
상기 원료를 혼합하여 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 조건으로 압출성형기(도 3 참조)를 통해 InP-ZnS(코어- 쉘) 양자점이 분산된 PMMA 고분자 복합체를 펠렛 형태로 얻었다. 여기서, 도데칸티올(Dodecanethiol)은 고온 작업시에 가스가 발생하므로, 후드를 설치하여 가스 배출을 유도하였다.
< 실시예 5> InP - GaP - ZnS (코어-쉘-쉘) 양자점이 분산된 PMMA 고분자 복합체 펠렛의 제조
InP-GaP-ZnS(코어-쉘-쉘) 양자점 원료: Indium myristate (1mmol), gallium chloride (0.33mmol), oleic acid (1.5mmol), tris(diethylamino)phosphine (1mmol), Zinc stearate (10g) 및 Dodecanethiol (10mL)
고분자 원료: PMMA 100g
용매: 옥타데신 (10mL)
상기 원료를 혼합하여 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 조건으로 압출성형기(도 3 참조)를 통해 InP-GaP-ZnS(코어-쉘-쉘) 양자점이 분산된 PMMA 고분자 복합체를 펠렛 형태로 얻었다. 여기서, 도데칸티올(Dodecanethiol)은 고온 작업시에 가스가 발생하므로, 후드를 설치하여 가스 배출을 유도하였다.
< 실시예 6> 스티커의 제조 1 ( 광경화 )
단계 1: 양자점-고분자 복합체 파우더 형성
실시예 5에서 제조한 양자점-고분자 복합체를 액체 질소 안에 담근 후에 입자파쇄기를 활용하여 입자의 평균입도 50μm 수준으로 파쇄하여 파우더를 준비하였다.
단계 2: 광경화 수지 혼합
상기 단계 1에서 얻은 양자점-고분자 복합체 파우더 10g에 DHPA (dihydroxypentaerythrytol hexaacrylate) 10g, IRGACURE-184 (0.1g)를 넣고 균일하게 혼합하였다. 다음으로, PET 필름에 혼합물을 떨어뜨리고 나서 1W UV 램프로 10분간 경화시켜, 양자점-고분자 복합체를 균일하게 포함하는 필름을 제조하였다.
단계 3: 스티커의 제조
단계 2에서 제조한 필름의 일면에 양면 점착 필름을 합지하고, 절단 가공하여 원하는 기호의 스티커를 제조하였다.
< 실시예 7> 스티커의 제조 2 ( 열경화 )
단계 1: 양자점-고분자 복합체 파우더 형성
실시예 5에서 제조한 양자점-고분자 복합체를 액체 질소 안에 담근 후에 입자파쇄기를 활용하여 입자의 평균입도 50μm 수준으로 파쇄하여 파우더를 준비하였다.
단계 2: 열경화 수지 혼합
상기 단계 1에서 얻은 양자점-고분자 복합체 파우더 10g을 10wt% PMMA/toluene 용액 10g에 첨가하고 균일하게 혼합한 다음, PET 필름에 혼합물을 떨어뜨리고 나서 열 건조시켜, 양자점-고분자 복합체를 균일하게 포함하는 필름을 제조하였다.
단계 3: 스티커의 제조
단계 2에서 제조한 필름의 일면에 양면 점착 필름을 합지하고, 절단 가공하여 원하는 기호의 스티커를 제조하였다.
< 실시예 8> 펠렛의 제조 3 (압출)
실시예 5에서 얻은 양자점-고분자 복합체 펠렛 100g을 PET (poly ethylene terephthalate) 펠렛 500g과 혼합 압출하는 과정을 통해서 PET 내부에 양자점-고분자 복합체가 분산된 구조의 고분자 펠렛을 얻었다.
< 실험예 1> 고분자 내 양자점 생성 및 분산성 평가
실시예 1에서 제조한 펠렛을 이용하여 제조한 양자점 고분자 차량번호판용 기호 스티커에서, 고분자 내에서 양자점이 잘 생성되었는지 알아보기 위하여, 실시예 1에서 제조한 펠렛 및 이를 가공하여 얻은 필름을 UV 조사를 통해 발광 및 분산성을 평가하였다.
도 4는 실시예 1과 같이 제조한 펠렛 및 이를 이용하여 제조한 필름에 UV 조사 전(a) 및 후(b)의 발광을 확인한 사진이다.
도 4에 나타난 바와 같이, 실시예에서 제조한 펠렛은 UV 조사할 경우 발광이 일어나는 것으로 보아 고분자 내에서 양자점이 잘 생성되었음을 알 수 있었다. 또한, 실시예에서 제조한 펠렛으로 압출성형한 필름에 UV 조사할 경우 필름 내에서 균일한 분포도로 양자점이 분산되어 있음을 알 수 있었다.
따라서, 본 발명에 따른 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커의 제조방법은 용융 고분자를 용매로 응용하여 양자점, 코어-쉘 양자점 및 코어-그라디언트 쉘 양자점을 모두 제조할 수 있어 종래 제조방법에 비하여 제조공정을 단축할 수 있을 뿐만 아니라, 제조한 양자점 고분자 복합체에서 양자점이 균일하게 분산되는 효과가 있다.

Claims (17)

  1. 소수성 양자점 원료 및 열가소성 고분자를 압출성형기에 투입하는 단계(단계 1);
    불활성 가스를 주입하면서, 100-400℃를 유지하며, 진공 펌프를 가동하면서 압출성형으로 펠렛을 얻는 단계(단계 2);
    상기 단계 2에서 얻은 펠렛을 필름 형태로 제조한 다음, 필름의 일면에 점착제를 적층하는 단계(단계 3); 및
    숫자 및 한글 기호로 절단하는 단계(단계 4);
    를 포함하는 코어 양자점이 분산된 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커의 제조방법.
  2. 소수성 코어 양자점, 소수성 쉘 원료, 열가소성 고분자 및 소수성 유기용매를 압출성형기에 투입하는 단계(단계 1);
    불활성 가스를 주입하면서, 100-400℃를 유지하며, 진공 펌프를 가동하면서 압출성형으로 펠렛을 얻는 단계(단계 2); 및
    상기 단계 2에서 얻은 펠렛을 필름 형태로 제조한 다음, 필름의 일면에 점착제를 적층하는 단계(단계 3); 및
    숫자 및 한글 기호로 절단하는 단계(단계 4);
    를 포함하는 코어-쉘 양자점이 분산된 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커의 제조방법.
  3. 소수성 양자점 원료, 소수성 쉘 원료, 열가소성 고분자 및 소수성 유기용매를 압출성형기에 투입하는 단계(단계 1);
    불활성 가스를 주입하면서, 100-400℃를 유지하며, 진공 펌프를 가동하면서 압출성형으로 펠렛을 얻는 단계(단계 2); 및
    상기 단계 2에서 얻은 펠렛을 필름 형태로 제조한 다음, 필름의 일면에 점착제를 적층하는 단계(단계 3); 및
    숫자 및 한글 기호로 절단하는 단계(단계 4);
    를 포함하는 코어-그라디언트 쉘 양자점이 분산된 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커의 제조방법.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 소수성 양자점 원료는 유기물이 치환된 카드뮴, 유기물이 치환된 셀레늄, 유기물이 치환된 황, 유기물이 치환된 인듐 및 유기물이 치환된 인으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 유기물이 치환된 카드뮴은 카드뮴 스테아레이트(cadium stearate), 카드뮴 올레이트 (cadmium oleate), 카드뮴 아세테이트 (cadmium acetate), 카드뮴 미리스테이트 (cadmium myristate), 카드뮴 팔미에이트 (cadmium palmiate), 카드뮴 운데실레네이트 (cadmium undecylenate), 카드뮴 옥타데실포스포네이트 (cadmium octadecylphosphonate), 카드뮴 테트라데실포스포네이트 (cadmium tetradecylphosphonate), 다이메틸 카드뮴 (dimethyl cadmium), 또는 다이에틸 카드뮴 (diethyl cadmium)이고,
    상기 유기물이 치환된 셀레늄은 트리-n-옥틸포스핀셀레나이드(tri-n-octylphosphine selenide), 트리-n-부틸포스핀셀레나이드(tri-n-butylphosphine selenide), 트리-n-페닐포스핀셀레나이드(tri-n-phenylphosphine selenide), 다이-n-옥틸포스핀셀레나이드(tri-n-octylphosphine selenide), 다이-n-부틸포스핀셀레나이드(tri-n-butylphosphine selenide), 다이-n-페닐포스핀셀레나이드(tri-n-phenylphosphine selenide), 모노-n-옥틸포스핀셀레나이드(tri-n-octylphosphine selenide), 모노-n-부틸포스핀셀레나이드(tri-n-butylphosphine selenide), 모노-n-페닐포스핀셀레나이드(tri-n-phenylphosphine selenide), 셀레늄 파우더 (Selenium), 셀레늄 옥사이드 (Selenium dioxide), 셀레노 우레아 (Seleno-urea), 옥탄셀레놀 (octane-selenol) 또는 도데칸셀레놀 (dodecane-selenol)이고,
    상기 유기물이 치환된 황은 트리-n-옥틸포스핀설파이드 (tri-n-octylphosphine sulfide), 트리-n-부틸포스핀설파이드 (tri-n-butylphosphine sulfide), 트리-n-페닐포스핀설파이드 (tri-n-phenylphosphine sulfide), 다이-n-옥틸포스핀설파이드 (tri-n-octylphosphine sulfide), 다이-n-부틸포스핀설파이드 (tri-n-butylphosphine sulfide), 다이-n-페닐포스핀설파이드 (tri-n-phenylphosphine sulfide), 모노-n-옥틸포스핀설파이드 (tri-n-octylphosphine sulfide), 모노-n-부틸포스핀설파이드 (tri-n-butylphosphine sulfide), 모노-n-페닐포스핀설파이드 (tri-n-phenylphosphine sulfide), 황 파우더 (elemental Sulfur powder), 황산화물 (Sulfur oxide), 싸이오우레아 (thio-urea), 옥탄티올 (octanethiol) 또는 도데칸티올 (dodecanethiol)이고,
    상기 유기물이 치환된 인듐은 트리메틸인듐 (trimethyl indium), 트리에틸인듐 (triethyl indium), 인듐 아세테이트 (indium acetate), 인듐 미리스테이트 (indium myristate), 인듐 팔메이트 (indium palmate), 인듐 스테아레이트 (indium stearate), 인듐 올레이트 (indium oleate), 인듐 옥타데실포스포네이트 (indium octadecylphisphonate), 인듐 테트라데실포스포네이트 (indium tetradecylphosphonate) 또는 인듐 트리-도데칸싸이올레이트 (indium thiolate)이고,
    상기 유기물이 치환된 인은 P(TMS)3 (Tris(trimethylsilyl)phosphine), PH(TMS)2 (Di(trimethylsilyl)phosphine), PH2(TMS) (Mono(trimethylsilyl)phosphine), P(DA)3 (tris(dimethylamono)phosphine) 또는 P(DEA)3 (tris(diethylamono)phosphine)인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열가소성 고분자는 PMMA (Poly(methyl methacrylate), PC (Polycarbonate), TPU (thermoplastic poly urethane), 나일론, EVA (ethylene vinyl acetate), PE (Polyethylene), PP (Polypropylene), PET (poly ethylene terephthalate), PLA (poly lactic acid), COP (Cyclic olefin polymer) 및 COC (cyclic olefin coppolymer)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 소수성 코어 양자점은 CdSe, InP, CuInS, CuInSe, CuInS2, CuInSe2, CsPbCl3, CsPbBr3 및 CsPbI3으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  8. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 소수성 쉘 원료는 트리-메틸-갈륨 (tri-methyl-gallium), 갈륨 아세테이트 (Gallium acetate), 갈륨 클로라이드 (Gallium chloride), 갈륨 올리에이트 (Gallium oleate), 갈륨 스테아레이트 (Gallium stearate), 아연 스테아레이트 (Zinc stearate), 아연 올레이트 (zinc oleate), 아연 아세테이트 (zinc acetae), 디메틸 아연 (dimethyl zinc), 디에틸 아연 (diethyl zinc), 트리-n-옥틸포스핀셀레나이드(tri-n-octylphosphine selenide), 트리-n-부틸포스핀셀레나이드(tri-n-butylphosphine selenide), 트리-n-페닐포스핀셀레나이드(tri-n-phenylphosphine selenide), 다이-n-옥틸포스핀셀레나이드(tri-n-octylphosphine selenide), 다이-n-부틸포스핀셀레나이드(tri-n-butylphosphine selenide), 다이-n-페닐포스핀셀레나이드(tri-n-phenylphosphine selenide), 모노-n-옥틸포스핀셀레나이드(tri-n-octylphosphine selenide), 모노-n-부틸포스핀셀레나이드(tri-n-butylphosphine selenide), 모노-n-페닐포스핀셀레나이드(tri-n-phenylphosphine selenide), 셀레늄 파우더 (Selenium), 셀레늄 옥사이드 (Selenium dioxide), 셀레노 우레아 (Seleno-urea), 옥탄셀레놀 (octane-selenol), 도데칸셀레놀 (dodecane-selenol), 트리-n-옥틸포스핀설파이드 (tri-n-octylphosphine sulfide), 트리-n-부틸포스핀설파이드 (tri-n-butylphosphine sulfide), 트리-n-페닐포스핀설파이드 (tri-n-phenylphosphine sulfide), 다이-n-옥틸포스핀설파이드 (tri-n-octylphosphine sulfide), 다이-n-부틸포스핀설파이드 (tri-n-butylphosphine sulfide), 다이-n-페닐포스핀설파이드 (tri-n-phenylphosphine sulfide), 모노-n-옥틸포스핀설파이드 (tri-n-octylphosphine sulfide), 모노-n-부틸포스핀설파이드 (tri-n-butylphosphine sulfide), 모노-n-페닐포스핀설파이드 (tri-n-phenylphosphine sulfide), 황 파우더 (elemental Sulfur powder), 황산화물 (Sulfur oxide), 싸이오우레아 (thio-urea), 옥탄티올 (octanethiol) 및 도데칸티올 (dodecanethiol)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  9. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 소수성 유기용매는 옥타데신 (1-octadcene), 옥타데칸 (octadecane), 트리-n-옥틸포스핀 (tri-n-octylphosphine), 트리-n-옥틸포스핀 옥사이드 (tri-n-octylphosphine oxide), 트리-n-옥틸아민 (tri-n-octylamine), 다이-n-옥틸아민 (di-n-octylamine), n-옥틸아민 (n-octylamine), 톨루엔, 파라핀 (paraffin) 및 스쿠알렌 (squalene)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단계 1에서 압출성형기에 투입되는 모든 원료의 투입속도는 0.001-1,000kg/min인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  11. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단계 1에서 압출성형기의 작동온도는 100℃ ~ 400℃인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  12. 제1항에 있어서,
    열가소성 고분자 100 중량부 대비 소수성 양자점 원료 0.0001-80 중량부 범위로 투여하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  13. 제2항에 있어서,
    열가소성 고분자 100 중량부 대비 소수성 코어 양자점 0.0001-50 중량부, 소수성 쉘 원료 0.0001-50 중량부, 소수성 유기용매 0.0001-99 중량부 범위로 투여하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  14. 제3항에 있어서,
    열가소성 고분자 100 중량부 대비 소수성 양자점 원료 0.0001-50 중량부, 소수성 쉘 원료 0.0001-50 중량부, 소수성 유기용매 0.0001-99 중량부 범위로 투여하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  15. 제1항의 제조방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커.
  16. 제2항의 제조방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커.
  17. 제3항의 제조방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커.
KR1020160171875A 2016-12-15 2016-12-15 양자점 포함 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커 및 이의 제조방법 KR101981769B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160171875A KR101981769B1 (ko) 2016-12-15 2016-12-15 양자점 포함 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커 및 이의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160171875A KR101981769B1 (ko) 2016-12-15 2016-12-15 양자점 포함 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커 및 이의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180069570A KR20180069570A (ko) 2018-06-25
KR101981769B1 true KR101981769B1 (ko) 2019-05-24

Family

ID=62806397

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160171875A KR101981769B1 (ko) 2016-12-15 2016-12-15 양자점 포함 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커 및 이의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101981769B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102610420B1 (ko) * 2018-08-06 2024-01-02 주식회사 지인소재 광변환 용품 및 이의 제조방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006061982A1 (ja) 2004-12-10 2006-06-15 Konica Minolta Opto, Inc. 熱可塑性複合材料の製造方法並びに熱可塑性複合材料及び光学素子

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100657639B1 (ko) 2004-12-13 2006-12-14 재단법인서울대학교산학협력재단 반도체 양자점의 대량 합성 방법
KR101529997B1 (ko) * 2011-01-28 2015-06-18 쇼와 덴코 가부시키가이샤 양자 도트 형광체를 포함하는 조성물, 양자 도트 형광체 분산 수지 성형체, 양자 도트 형광체를 포함하는 구조물, 발광 장치, 전자기기, 기계 장치, 및 양자 도트 형광체 분산 수지 성형체의 제조 방법
KR20160043666A (ko) * 2014-10-14 2016-04-22 김재일 발광성 양자점 물질, 이를 이용한 발광성 성형물 및 이들의 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006061982A1 (ja) 2004-12-10 2006-06-15 Konica Minolta Opto, Inc. 熱可塑性複合材料の製造方法並びに熱可塑性複合材料及び光学素子

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180069570A (ko) 2018-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2809710B1 (en) Novel materials and methods for dispersing nano particles in matrices with high quantum yields and stability
CN108219769B (zh) 发射性纳米晶体颗粒、其制备方法和包括发射性纳米晶体颗粒的器件
US8168457B2 (en) Shaped articles comprising semiconductor nanocrystals and methods of making and using same
KR101987166B1 (ko) 반도체 나노입자 기반 발광 물질들
KR101486529B1 (ko) 양자점과 그의 제조방법
US10767107B2 (en) Hybrid organic/inorganic quantum dot composite and method for preparing the same
WO2016046216A1 (en) Encapsulated materials in porous particles
WO2015117876A1 (en) Quantum dots with inorganic ligands in an inorganic matrix
Lee et al. Large-scale synthesis of highly emissive and photostable CuInS 2/ZnS nanocrystals through hybrid flow reactor
Li et al. Highly luminescent water-soluble InP/ZnS nanocrystals prepared via reactive phase transfer and photochemical processing
KR101641016B1 (ko) InP계 양자점 및 그 제조방법
KR101905668B1 (ko) 양자점층이 적층된 도광판의 제조방법
EP3458544A1 (en) Cadmium-free quantum dots, tunable quantum dots, quantum dot containing polymer, articles, films, and 3d structure containing them and methods of making and using them
EP3755762A1 (en) Phase separated quantum dot layer with stabilized quantum dots
CN101113335A (zh) 硒化镉/硒化锌/硫化锌双壳层结构量子点的合成方法
TW202111081A (zh) 改善包含奈米結構之裝置性能的方法
KR101981769B1 (ko) 양자점 포함 차량번호판용 숫자 및 한글 기호 스티커 및 이의 제조방법
CN111868208A (zh) 具有经稳定量子点的相分离量子点层
KR20200122717A (ko) 리튬 함유 무카드뮴 양자점, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 전자 소자
CN102666672A (zh) 热塑性树脂组合物的制造方法、成形体以及发光体
KR20220044989A (ko) 반치전폭이 낮은 청색 방출 ZnSe1-xTex 합금 나노결정의 합성
KR20180130753A (ko) 양자점이 분산된 박막의 제조방법
Allan et al. Surface functionalized bare and core–shell quantum dots in poly (ethylene-co-vinyl acetate) for light selective nanocomposite films
WO2019193910A1 (ja) 量子ドットを含有するマスターバッチ
KR20180069577A (ko) 양자점 포함 차량용 방향지시등 아우터 커버 및 이의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right