KR101973104B1 - 배터리 보호회로 모듈, 및 이를 포함하는 배터리 팩 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 관점에 의한 배터리 보호회로 모듈은 배터리 베어셀의 전극단자들과 전기적으로 연결되는 제 1 양극 단자 및 제 1 음극 단자와, 충전기 또는 전자기기에 전기적으로 연결되는 제 2 양극 단자 및 제 2 음극 단자와, 드레인 단자, 소스 단자, 게이트 단자 및 웰 단자를 포함하고, 상기 드레인 단자가 상기 제 1 음극 단자에 전기적으로 접속되고, 상기 소스 단자가 상기 제 2 음극 단자에 전기적으로 접속되는 단일 전계효과 트랜지스터와, 상기 게이트 단자를 제어하여 상기 단일 전계효과 트랜지스터의 스위칭을 제어하고 제 1 내부 스위치 소자를 이용하여 상기 웰 단자의 바이어스를 제어하여, 상기 배터리 베어셀의 충방전을 제어하는 프로텍션 집적회로 소자를 포함한다.

Description

배터리 보호회로 모듈, 및 이를 포함하는 배터리 팩{Battery protection circuit module and battery pack including the same}
본 발명은 전자장치용 배터리에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 배터리 셀을 보호하기 위한 배터리 보호회로 모듈과 이를 포함하는 배터리 팩에 관한 것이다.
일반적으로 휴대폰, PDA 등의 전자장치 등에 배터리가 사용되고 있다. 리튬이온 배터리는 휴대단말기 등에 가장 널리 사용되는 배터리로 과충전, 과전류 시에 발열하고, 발열이 지속되어 온도가 상승하게 되면 성능열화는 물론 폭발의 위험성까지 갖는다. 따라서, 이러한 성능 열화를 방지하기 위해서 배터리의 동작을 차단하는 배터리 보호회로 장치를 배터리에 제공해야 할 필요성이 높아지고 있다.
1. 공개특허공보 10-2007-0044544 (2007. 04. 30) 2. 등록특허공보 10-0791551 (2007. 12. 27)
통상적인 배터리 보호회로 장치는 충전과 방전을 제어하기 위하여 두 개의 전계효과 트랜지스터를 스위칭 소자로 이용하고 있지만, 이는 동작저항의 증가로 인한 성능 저하와 그 부피를 감소시키는 데 어려움이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 단일 전계효과 트랜지스터를 이용한 배터리 보호회로 모듈 및 배터리 팩을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 의한 배터리 보호회로 모듈은, 배터리 베어셀의 전극단자들과 전기적으로 연결되는 제 1 양극 단자 및 제 1 음극 단자; 충전기 또는 전자기기에 전기적으로 연결되는 제 2 양극 단자 및 제 2 음극 단자; 드레인 단자, 소스 단자, 게이트 단자 및 웰 단자를 포함하고, 상기 드레인 단자가 상기 제 1 음극 단자에 전기적으로 접속되고, 상기 소스 단자가 상기 제 2 음극 단자에 전기적으로 접속되는 단일 전계효과 트랜지스터; 및 제 1 양극 단자와 제 2 양극 단자 사이에 접속되는 전원 단자, 상기 제 1 음극 단자와 상기 드레인 단자 사이에 접속되는 기준 단자, 상기 제 2 음극 단자와 상기 소스 단자 사이에 접속되는 감지 단자, 상기 웰 단자와 접속되는 바이어스 단자, 및 상기 게이트 단자에 접속되는 충방전제어신호 출력단자를 포함하고, 상기 충방전제어신호 출력단자를 통해서 상기 단일 전계효과 트랜지스터의 스위칭을 제어하고 바이어스 단자를 통해서 상기 배터리 베어셀의 충방전을 제어하는 프로텍션 집적회로 소자를 포함하고, 상기 프로텍션 집적회로 소자는, 상기 바이어스 단자가 상기 기준 단자와 상시 접속되나 상기 감지 단자와는 상시 접속되지는 않도록, 상기 바이어스 단자와 상기 기준 단자 사이에 연결되어 상기 기준 단자와 상기 감지 단자 사이의 전류 흐름을 누설 전류 수준으로 낮추는 제 1 내부 저항, 상기 바이어스 단자와 상기 감지 단자 사이에 직렬 연결된 제 1 내부 스위치 소자 및 제 2 내부 저항을 더 포함하되, 상기 제 1 내부 저항은 상기 제 2 내부 저항 보다 저항값이 더 크다.
상기 배터리 보호회로 모듈에서, 상기 제 1 내부 저항의 저항값은 상기 제 2 내부 저항의 저항값의 20배 내지 150배의 범위를 가질 수 있다.
상기 배터리 보호회로 모듈에서, 상기 제 2 내부 저항의 저항값은 5kΩ 내지 15kΩ이며, 상기 제 1 내부 저항의 저항값은 300kΩ 내지 500kΩ일 수 있다.
상기 배터리 보호회로 모듈에서, 상기 제 1 내부 스위치 소자는 과충전 검지 시 턴-온될 수 있다.
상기 배터리 보호회로 모듈에서, 상기 프로텍션 집적회로 소자는 상기 기준 단자와 감지 단자 사이에 상기 제 1 내부 스위치 소자와 병렬로 접속되며 서로 직렬로 연결된 제 2 내부 스위치 소자 및 부가 저항을 더 포함하고, 상기 제 2 내부 스위치 소자는 과방전 차단 또는 쇼트 차단 시 상기 감지 단자가 플로팅 되는 것을 방지하도록 턴-온 될 수 있다. 나아가, 상기 부가 저항은 상기 제 1 내부 저항보다 작을 수 있다.
상기 배터리 보호회로 모듈에서, 상기 프로텍션 집적회로 소자는 상기 기준 단자와 감지 단자 사이에 상기 제 1 내부 스위치 소자와 병렬로 접속되며 서로 직렬로 연결된 제 2 내부 스위치 소자 및 부가 저항을 더 포함하고, 상기 제 2 내부 스위치 소자는 과방전 차단 또는 쇼트 차단 시 상기 감지 단자가 플로팅 되는 것을 방지하도록 턴-온 될 수 있다. 나아가, 상기 풀업 저항은 상기 제 2 내부 저항보다 클 수 있다.
상기 배터리 보호회로 모듈에서, 상기 프로텍션 집적회로 소자는 상기 단일 전계효과 트랜지스터 상에 적층될 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따른 배터리 팩은, 배터리 베어셀; 및 상기 배터리 베어셀과 접속되는 배터리 보호회로 모듈을 포함하고, 상기 배터리 보호회로 모듈은, 배터리 베어셀의 전극단자들과 전기적으로 연결되는 제 1 양극 단자 및 제 1 음극 단자; 충전기 또는 전자기기에 전기적으로 연결되는 제 2 양극 단자 및 제 2 음극 단자; 드레인 단자, 소스 단자, 게이트 단자 및 웰 단자를 포함하고, 상기 드레인 단자가 상기 제 1 음극 단자에 전기적으로 접속되고, 상기 소스 단자가 상기 제 2 음극 단자에 전기적으로 접속되는 단일 전계효과 트랜지스터; 및 제 1 양극 단자와 제 2 양극 단자 사이에 접속되는 전원 단자, 상기 제 1 음극 단자와 상기 드레인 단자 사이에 접속되는 기준 단자, 상기 제 2 음극 단자와 상기 소스 단자 사이에 접속되는 감지 단자, 상기 웰 단자와 접속되는 바이어스 단자, 및 상기 게이트 단자에 접속되는 충방전제어신호 출력단자를 포함하고, 상기 충방전제어신호 출력단자를 통해서 상기 단일 전계효과 트랜지스터의 스위칭을 제어하고 바이어스 단자를 통해서 상기 배터리 베어셀의 충방전을 제어하는 프로텍션 집적회로 소자를 포함하고, 상기 프로텍션 집적회로 소자는, 상기 바이어스 단자가 상기 기준 단자와 상시 접속되나 상기 감지 단자와는 상시 접속되지는 않도록, 상기 바이어스 단자와 상기 기준 단자 사이에 연결되어 상기 기준 단자와 상기 감지 단자 사이의 전류 흐름을 누설 전류 수준으로 낮추는 제 1 내부 저항, 상기 바이어스 단자와 상기 감지 단자 사이에 직렬 연결된 제 1 내부 스위치 소자 및 제 2 내부 저항을 더 포함하되, 상기 제 1 내부 저항은 상기 제 2 내부 저항 보다 저항값이 더 크다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 실시예들에 따르면, 동작 저항을 낮추어 성능을 높이며 컴팩트하게 구현할 수 있는 배터리 보호회로를 제공할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리 보호회로 모듈의 일부를 도해하는 개략적인 회로도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리 보호회로 모듈을 보여주는 개략적인 회로도이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 배터리 보호회로 모듈의 0V 충전동작을 보여주는 그래프이다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 배터리 보호회로 모듈을 보여주는 개략적인 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리 팩을 보여주는 사시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리 보호회로 모듈의 적층 구조를 보여주는 개략도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.
본 발명의 실시예들을 설명함에 있어서, 동일한 참조부호에 대하여, 배터리 보호회로의 관점에서는 회로의 개념으로 설명할 수 있으나, 배터리 보호회로 패키지의 관점에서는 소자나 회로부품의 개념으로 설명할 수 있다.
본 발명의 실시예들을 설명함에 있어서, 집적회로(IC, integrated circuit)는 특정의 복잡한 기능을 처리하기 위해 많은 소자를 하나의 칩 안에 집적화한 전자부품을 의미할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리 보호회로 모듈의 일부를 도해하는 개략적인 회로도이다.
도 1을 참조하면, 이 실시예에 따른 배터리 보호회로 모듈은 배터리 베어셀(Bc)의 전극단자들과 전기적으로 연결되는 제 1 양극 단자(102)와 제 1 음극 단자(104)와, 충전기 또는 전자기기에 전기적으로 연결되는 제 2 양극 단자(106)와 제 2 음극 단자(108)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 양극 단자(102)는 배터리 팩 내부의 배터리 베어셀(Bc)의 양극과 연결되는 내부 양극 단자(B+)이고, 제 1 음극 단자(104)는 배터리 베어셀(Bc)의 음극과 연결되는 내부 음극 단자(B-)이고, 제 2 양극 단자(106)는 배터리 팩 외부의 충전기 또는 전자기기의 양극에 연결되는 외부 양극 단자(P+)이고, 제 2 음극 단자(108)는 충전기 또는 전자기기의 음극에 연결되는 외부 음극 단자(P-)일 수 있다.
나아가, 도면에서 도시되지 않았으나, 본 발명의 일부 실시예에 따른 배터리 보호회로 모듈은 별도의 추가적인 외부 연결 단자를 더 포함할 수 있다.
배터리 보호회로 모듈은 제 1 양극 단자(102) 또는 제 1 음극 단자(104) 중 적어도 하나와 제 2 양극 단자(106) 및 제 2 음극 단자(108) 중 적어도 하나 사이에 접속되는 단일 전계효과 트랜지스터(112)와, 단일 전계효과 트랜지스터(112)를 제어하기 위한 프로텍션 집적회로 소자(P-IC, 118)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 단일 전계효과 트랜지스터(112)는 드레인 단자(D), 소스 단자(S), 게이트 단자(G) 및 웰 단자(Bin)를 포함할 수 있고, 제 1 음극 단자(104)와 제 2 음극 단자(108) 사이에 접속될 수 있다. 예컨대, 드레인 단자(D)는 제 1 음극 단자(104)에 전기적으로 접속되고, 소스 단자(S)는 제 2 음극 단자(108)에 전기적으로 접속될 수 있다. 다만, 단일 전계효과 트랜지스터(112) 자체에서 드레인 단자(D)와 소스 단자(S)가 구분되는 것은 아니므로, 두 단자는 서로 바뀌어 불릴 수도 있다.
이러한 단일 전계효과 트랜지스터(112)와 이를 제어하기 위한 프로텍션 집적회로 소자(118)는 보호회로 유닛을 구성할 수 있다. 이러한 보호회로 유닛은 배터리의 과방전, 과충전 및/또는 과전류를 감지하여 배터리 베어셀의 충방전 또는 동작을 차단할 수 있다. 구체적으로, 프로텍션 집적회로 소자(118)는 배터리 베어셀(BC)의 과충전 및/또는 과방전을 제어하도록 단일 전계효과 트랜지스터(112)를 제어할 수 있다.
단일 전계효과 트랜지스터(112)는 예컨대 N타입 모스펫(NMOSFET)일 수 있다. 웰 단자(Bin)에 접속되는 노드(n4)를 중심으로 서로 반대 방향으로 접속된 한 쌍의 기생 다이오드들(PD1, PD2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기생다이오드(PD1)는 노드(n4)에서 드레인 전극(D) 방향이 정방향이 되고, 기생다이오드(PD2)는 노드(n4)에서 소스 전극(S) 방향이 정방향이 되도록 접속될 수 있다.
프로텍션 집적회로 소자(118)는 단일 전계효과 트랜지스터(112)를 제어하는 제어로직을 내부에 포함할 수 있다. 예를 들어, 제어로직은 기준전압 설정부, 기준전압과 충방전 전압을 비교하기 위한 비교부, 과전류 검출부, 충방전 검출부를 포함할 수 있다.
충전 및 방전상태의 판단 기준은 유저가 요구하는 스펙(SPEC)으로 변경이 가능하며 그 정해진 기준에 따라 프로텍션 집적회로 소자(118)의 각 단자별 전압차를 인지하여 충ㆍ방전상태를 판정한다. 예를 들어, 프로텍션 집적회로 소자(118)는 제어로직을 출력하기 위해서, 기준 단자(Vss), 전원 단자(Vdd), 감지 단자(V-), 충방전제어신호 출력단자(CDout) 및 바이어스 단자(Bout)를 포함할 수 있다.
프로텍션 집적회로 소자(118)는 적어도 하나의 수동소자를 개재하여 노드들(n1, n2, n4)에 연결될 수 있다. 예컨대, 전원 단자(vdd)는 저항(R1)을 개재하여 제 1 양극 단자(102)와 제 2 양극 단자(106) 사이의 노드(n1)에 접속되고, 기준 단자(Vss)는 제 1 음극 단자(104)와 드레인 단자(D) 사이의 노드(n2)에 접속될 수 있다. 노드(n1)와 노드(n2) 사이의 기준 단자(Vss)와 전원 단자(Vdd) 사이에는 두 노드(n1, n3) 사이의 단락을 방지하기 위해서 커패시터(C1)가 개재될 수 있다. 감지 단자(V-)는 저항(R2)을 개재하여 노드(n3)에 접속될 수 있다. 두 노드들(n2, n3) 사이에는 단일 전계효과 트랜지스터(112)와 병렬로 커패시터(C2)가 접속될 수 있다.
이러한 구성에 따르면, 프로텍션 집적회로 소자(118)는 기준 단자(Vss)의 전압을 기준으로, 전원 단자(Vdd)를 통해서 충전전압 또는 방전전압을 인가할 수 있고, 감지 단자(V-)를 통해서 충방전 및 과전류 상태를 감지할 수 있다. 충방전제어신호 출력단자(CDout)는 배터리의 충전 및/또는 방전시 단일 전계효과 트랜지스터(112)의 온-오프(on-off)를 제어하기 위해서 단일 전계효과 트랜지스터(112)의 게이트 단자(G)에 접속될 수 있다.
배터리의 충전 시 충전전류는 제 2 양극 단자(106)로부터 제 1 양극 단자(102) 방향으로, 그리고 제 1 음극 단자(104)로부터 제 2 음극 단자(108) 방향으로 흐르게 된다. 배터리의 방전 시 방전전류는 제 1 양극 단자(102)로부터 제 2 양극 단자(106) 방향 그리고, 제 2 음극 단자(108)로부터 제 1 음극 단자(104) 방향으로 흐르게 된다.
프로텍션 집적회로 소자(118)는 배터리 방전 시에 과전류 또는 과방전 상태를 감지하면, 충방전제어신호 출력단자(CDout)를 통해 로우(LOW) 신호를 출력하여 단일 전계효과 트랜지스터(112)를 오프 시키고, 배터리 충전 시에 과전류 또는 과충전 상태를 감지하면 충방전제어신호 출력단자(CDout)를 통해서 로우(LOW) 신호를 출력하여 단일 전계효과 트랜지스터(112)를 오프 시키도록 동작할 수 있다. 이에 따라, 제 1 음극 단자(104)에서 제 2 음극 단자(108) 사이의 회로가 차단되어 배터리의 과충전, 과방전 및/또는 과전류가 차단될 수 있다.
나아가, 프로텍션 집적회로 소자(118)는 충방전제어신호 출력단자(CDout) 외에 부가적으로 바이어스 단자(Bout)를 통해서 단일 전계효과 트랜지스터(112)의 웰 단자(Bin)에 전압을 인가하여 기생 다이오드들(PD1, PD2)의 전계 상태를 제어할 수 있다.
저항(R1)과 커패시터(C1)는 프로텍션 집적회로 소자(118)의 공급전원의 변동을 안정시키는 역할을 한다. 저항(R1)의 저항값을 크게 하면 전압 검출 시 프로텍션 집적회로 소자(118) 내부에 침투되는 전류에 의해서 검출전압이 높아지기 때문에 저항(R1)의 저항값은 소정의 값, 예컨대 1KΩ 이하의 값으로 설정될 수 있다. 또한, 안정된 동작을 위해서 커패시터(C1)의 용량값은 적절하게 조절될 수 있고, 예컨대 0.01μF 이상의 적당한 값을 가질 수 있다.
저항(R1), 저항(R2)은 프로텍션 집적회로 소자(118)의 절대 최대정격을 초과하는 고전압 충전기 또는 충전기가 거꾸로 연결되는 경우 전류 제한 저항이 된다. 저항(R1), 저항(R2)은 전원소비의 원인이 될 수 있으므로 통상적으로 저항(R1)에서의 저항값과 저항(R2)에서의 저항값의 합은 1KΩ 보다 크게 설정될 수 있다. 저항(R2)의 저항값이 너무 크다면 과충전 차단 후에 복귀가 일어나지 않을 수 있으므로, 저항(R2)의 저항값은 10KΩ 또는 그 이하의 값으로 설정될 수 있다.
커패시터(C1)는 배터리 보호회로 제품의 특성에 크게 영향을 끼치지는 않지만, 유저의 요청이나 안정성을 위해 추가되고 있다. 커패시터(C1)는 전압변동이나 외부 노이즈에 대한 내성을 향상시켜 시스템을 안정화시키는 효과를 위한 것이다.
선택적으로, 도 1에 도시되지 않았으나, ESD(Electrostatic Discharge), 서지(surge) 보호를 위하여, 저항 및 배리스터가 서로 병렬 연결되는 구조가 부가될 수 있다. 배리스터 소자는 과전압 발생시 저항이 낮아지는 소자로, 과전압이 발생되는 경우 저항이 낮아져 과전압으로 인한 회로손상 등을 최소화할 수 있다. 전술한 보호회로 유닛에서 수동소자의 수나 배치는 부가 기능에 따라서 적절하게 변형될 수 있다.
전술한 배터리 보호회로 모듈에 따르면, 종래의 듀얼 전계효과 트랜지스터가 아닌 단일 전계효과 트랜지스터(112)를 이용함으로써 저항을 낮추어 전체적인 동작속도를 높일 수 있고, 부가적으로 부피 감소도 기대할 수 있게 된다.
전술한 보호회로 유닛은 반도체칩으로 구현 가능하기 때문에 실리콘 공정 기술을 이용하면 마이크로 내지 나노 미터 단위로 미소하게 제작할 수 있기 때문이다. 예를 들어, 프로텍션 집적회로 소자(118)와 단일 전계효과 트랜지스터(112)를 모두 반도체칩으로 제조할 수 있을 뿐만 아니라 수동 소자들, 예컨대 저항들(R1, R2), 커패시터들(C1, C2)도 칩형태로 제조할 수 있다. 이러한 칩 구조는 표면실장기술을(surface mounting technology, SMT) 이용하여 용이하게 기판 상에 실장될 수 있다.
일부 실시예에서, 프로텍션 집적회로 소자(118)는 단일 전계효과 트랜지스터(112) 상에 적층될 수 있다. 이 경우, 프로텍션 집적회로 소자(118)의 충방전제어신호 출력단자(CDout)와 단일 전계효과 트랜지스터(112)의 게이트 단자(G)는 적층 구조 상에서 서로 본딩 와이어를 이용하여 연결될 수 있다. 또한, 프로텍션 집적회로 소자(118)의 바이어스 출력단자(Bout)와 단일 전계효과 트랜지스터(112)의 웰 단자(Bin)는 적층 구조 상에서 서로 본딩 와이어를 이용하여 연결될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리 보호회로 모듈을 보여주는 개략적인 회로도이다. 이 실시예의 배터리 보호회로 모듈은 도 1의 배터리 보호회로 모듈에서 프로텍션 집적회로 소자(118)의 내부를 보다 구체화 한 예이고, 따라서 실시예에서 중복된 설명은 생략된다.
도 2를 참조하면, 프로텍션 집적회로 소자(118)는 게이트 단자(G)를 제어하여 단일 전계효과 트랜지스터(112)의 스위칭을 제어하고 제 1 내부 스위치 소자(SW1)를 이용하여 웰 단자(Bin)의 바이어스를 제어하여, 배터리 베어셀(Bc)의 충방전을 제어할 수 있다.
프로텍션 집적회로 소자(118)에서, 바이어스 단자(Bout)는 기준 단자(Vss)에 상시 접속되고, 제 1 내부 스위치 소자(SW1)는 바이어스 단자(Bout)와 상시 접속되지 않은 감지 단자(V-)와 바이어스 단자(Bout) 사이에 접속될 수 있다. 나아가, 프로텍션 집적회로 소자(118)는 바이어스 단자(Bout)와 기준 단자(Vss) 사이에 연결되어 기준 단자(Vss)와 감지 단자(V-) 사이의 전류 흐름을 누설 전류 수준으로 낮추는 비교적 큰 크기의 제 1 내부 저항(RVSS)을 더 포함할 수 있다. 부가적으로, 제 1 내부 스위치 소자(SW1)의 턴-온(turn-on) 시 전류 흐름을 제어하기 위하여, 제 2 내부 저항(RVM)이 제 1 내부 스위치 소자(SW1) 및 감지 단자(V-) 사이에 더 부가될 수 있다.
도 2를 참조하면, 바이어스 단자(Bout)는 제 1 내부 저항(RVSS)을 개재하여 기준 단자(Vss)에 상시 접속되고, 제 1 내부 스위치 소자(SW1) 및 제 2 내부 저항(RVM)은 바이어스 단자(Bout)와 감지 단자(V-) 사이에 개재될 수 있다. 보다 구체적으로 보면, 바이어스 단자(Bout)는 기준 단자(Vss)와 감지 단자(V-) 사이의 중간노드에 접속되고, 상기 중간노드와 기준 단자(Vss) 사이에는 제 1 내부 저항(RVSS)이 개재된다. 제 1 내부 스위치 소자(SW1)는 상기 중간노드와 감지 단자(V-) 사이에 개재될 수 있다.
정상 충전 중에는 제 1 내부 스위치 소자(SW1)는 턴-오프(turn-off) 되고, 단일 전계효과 트랜지스터(112)는 턴-온(turn-on) 되어 단일 전계효과 트랜지스터(112)의 채널을 통해서 충전 전류가 흐를 수 있다. 제 1 내부 스위치 소자(SW1)가 턴-오프 되면, 바이어스 단자(Bout)는 실질적으로 기준 단자(Vss)의 전압을 출력하게 된다.
다만, 충전 중 과충전 검지 시 또는 충전 과전류 검지 시 제 1 내부 스위치 소자(SW1)는 턴-온(turn-on)되고 단일 전계효과 트랜지스터(112)는 턴-오프(turn-off) 될 수 있다. 한편, 이 경우 기준 단자(Vss)와 감지 단자(V-)가 직렬 연결되기 때문에 이들 사이의 전류 흐름을 제어하기 위하여 그 사이의 저항을 제어할 필요가 있다. 특히, 상시 연결된 기준 단자(Vss)와 중간 노드 사이에 연결된 제 1 내부 저항(RVSS)을 크게 함으로써 기준 단자(Vss)와 감지 단자(V-) 사이의 전류 흐름이 누설 전류 수준으로 낮출 수 있게 된다. 이에 따라, 바이어스 단자(Bout)는 감지 단자(V-)에 연결되어 웰 단자(Bin)에 감지 단자(V-)의 전압이 인가될 수 있다. 따라서, 충전 시 순방향이 되는 기생 다이오드(PD2)는 무력화되고 역방향이 되는 기생 다이오드(PD1)가 일정 내압을 갖게 됨에 따라, 드레인(D)에서 소스(S) 방향 충전 전류는 차단될 수 있다. 이에 따라, 회로 전체에서 충전 전류를 차단할 수 있게 된다.
충전 복귀 시에는 전원 단자(Vdd), 감지 단자(V-) 및/또는 기준 단자(Vss)의 설정 전위 변화를 감지하여 충전기 제거 또는 부하 연결을 인식하여 단일 전계효과 트랜지스터(112)를 턴-온 시키고, 제 1 내부 스위치 소자(SW1)는 턴-오프 될 수 있다.
정상 방전 중에는 제 1 내부 스위치 소자(SW1)는 턴-오프(turn-off) 되고, 단일 전계효과 트랜지스터(112)는 턴-온(turn-on) 되어 단일 전계효과 트랜지스터(112)의 채널을 통해서 방전 전류가 흐를 수 있다.
다만, 방전 시 과방전 검지 또는 방전 과전류 검지 시 제 1 내부 스위치 소자(SW1)는 턴-오프 되고 단일 전계효과 트랜지스터(112)도 턴-오프 될 수 있다. 제 1 내부 스위치 소자(SW1)가 턴-오프 되면, 바이어스 단자(Bout)는 기준 단자(Vss)와 연결을 유지하게 되고, 웰 단자(Bin)에 기준 단자(Vss)의 적어도 일부의 전압이 인가될 수 있다. 이에 따라, 방전 시 순방향이 되는 기생 다이오드(PD1)는 무력화되고, 역방향이 되는 기생 다이오드(PD2)에는 내압이 생겨 소스(S)에서 드레인(D) 방향의 방전 전류를 차단할 수 있다. 이에 따라, 회로 전체에서 방전 전류를 차단할 수 있게 된다.
방전 복귀 시에는 전원 단자(Vdd), 감지 단자(V-) 및/또는 기준 단자(Vss)의 설정 전위 변화를 감지하여 충전기 연결 또는 부하 제거를 인식하여 단일 전계효과 트랜지스터(112)를 턴-온 시키고, 제 1 내부 스위치 소자(SW1)는 턴-오프 상태를 유지할 수 있다.
위의 충방전 제어의 경우, 기준 단자(Vss)와 감지 단자(V-) 사이의 전류를 누설전류 수준 이하로 낮추기 위해서 제 1 내부 저항(RVSS) 및 제 2 내부 저항(RVM) 중 적어도 하나는 매우 큰 저항값을 가질 필요가 있다. 특히, 충전 차단 모드(과충전 차단 또는 과전류 차단) 시 제품으로부터 흐르는 방전 전류를 제한하기 위하여 제 1 내부 저항(RVSS) 및 제 2 내부 저항(RVM)을 적절하게 선택할 필요가 있다. 예를 들어, 바이어스 단자(Bout)와 감지 단자(V-) 사이에는 제 1 내부 스위치 소자(SW1)에 의해서 연결이 제어될 수 있으므로, 바이어스 단자(Bout)와 기준 단자(Vss) 사이에 개재된 제 1 내부 저항(RVSS)의 저항값을 크게 할 필요가 있다. 이러한 의미에서, 제 1 내부 저항(RVSS)의 크기는 제 2 내부 저항(RVM)의 크기보다 상대적으로 클 수 있다.
예를 들어, 제 1 내부 저항(RVSS)의 저항값은 제 2 내부 저항(RVM)의 저항값의 20배 내지 150배의 범위를 가질 수 있다. 구체적으로, 제 1 내부 저항(RVSS)은 약 300 ~ 500 ㏀ 범위의 값을 가질 수 있고, 제 2 내부 저항(RVM)은 약 5kΩ 내지 15kΩ 범위의 값을 가질 수 있다.
이에 따라, 기준 단자(Vss)와 감지 단자(V-) 사이에서 프로텍션 집적회로 소자(118)를 통한 전류는 수 내지 수백 ㎂ 이하의 누설전류 수준에 그쳐서 무시할 만큼 작게 될 수 있다. 예컨대, 과충전 검지, 충전 과전류 검지, 과방전 검지 또는 방전 과전류 검지 시, 단일 전계효과 트랜지스터(112)를 통한 전류뿐만 아니라 프로텍션 집적회로 소자(118)를 통한 전류도 모두 차단될 수 있다.
전술한 실시예에 따르면, 단일 전계효과 트랜지스터(112)의 온-오프를 제어하고, 제 1 내부 스위치 소자(SW1)를 통해서 바이어스 단자(Bout)를 통해서 출력되는 바이어스 전압을 제어함으로써, 단일 전계효과 트랜지스터(112)로 배터리 베어셀(Bc)의 충방전을 제어할 수 있다.
또한, 바이어스 단자(Bout)를 기준 단자(Vss)에 상시 접속시킴으로써 하나의 제 1 내부 스위치 소자(SW1) 만으로도 바이어스 전압을 제어할 수 있어서, 스위치 구조를 단순화시킬 수 있다. 또한, 제 1 내부 저항(RVSS), 제 1 내부 스위치 소자(SW1) 및 제 2 내부 저항(RVM)을 이용하여, 충방전 제어 시 프로텍션 집적회로 소자(118) 내로 전류 흐름을 누설 전류 수준으로 없애면서도, 충전기 또는 부하 연결을 감지하여 충방전 복귀가 가능해진다.
나아가, 일부 실시예에서, 도 6에 도시된 바와 같이, 프로텍션 집적회로 소자(118) 내부에 트랜지스터를 별도로 구비하지 않고, 종래 인버터 회로를 활용하여 전압을 스위칭 시킴으로써 회로를 단순화할 수도 있다.
나아가, 도 2를 참조하면, 프로텍션 집적회로 소자(118)는 배터리 베어셀(Bc)의 충방전 복귀 동작을 돕기 위해서 제 2 내부 스위치 소자(SW2) 및/또는 제 3 내부 스위치 소자(SW3)를 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 제 2 내부 스위치 소자(SW2)는 기준 단자(Vss)와 감지 단자(V-) 사이에 제 1 내부 스위치 소자(SW1)에 병렬 연결될 수 있다. 나아가, 부가 저항(Rshort)이 기준 단자(Vss)와 감지 단자(V-) 사이에 제 2 내부 스위치 소자(SW2)에 직렬 연결될 수 있다.
제 2 내부 스위치 소자(SW2)는 대부분 턴-오프 상태를 유지하고 있으나, 과방전 차단 또는 쇼트(short) 차단 시 단일 전계효과 트랜지스터(112), 제 1 내부 스위치 소자(SW1) 및 제 3 내부 스위치 소자(SW3)가 턴-오프 됨에 따라서 감지 단자(V-)가 플로팅되는 것을 막고 감지 단자(V-)를 통한 전압 모니터링을 위해서 턴-온 될 수 있다. 이 경우, 부가 저항(Rshort)은 기준 단자(Vss)와 감지 단자(V-) 사이의 전류 흐름을 억제하면서도 복귀 동작을 수행하기 위해서 일정 수준 이상의 저항값을 가질 수 있다. 예를 들어, 부가 저항(Rshort)은 제 1 내부 저항(RVSS)보다 작을 수 있고, 제 2 내부 저항(RVM)과는 동일하거나 유사한 레벨일 수 있다. 예컨대, 부가 저항(Rshort)은 약 5kΩ 내지 15kΩ 범위의 값을 가질 수 있다.
나아가, 제 3 내부 스위치 소자(SW3)가 전원 단자(Vdd)와 감지 단자(V-) 사이에 접속될 수 있다. 나아가, 프로텍션 집적회로 소자(118)는 전원 단자(Vdd)와 감지 단자(V-) 사이에서 제 3 내부 스위치 소자(SW3)와 직렬 연결된 풀업 저항(Rpull-up)을 더 포함할 수 있다. 프로텍션 집적회로 소자(118)는 배터리 베어셀(Bc)의 충방전 복귀 동작을 돕기 위해서 충방전 차단 동작 시 제 3 내부 스위치 소자(SW3)를 제어할 수 있다.
예를 들어, 프로텍션 집적회로 소자(118)는 충전 또는 방전 차단 후 다시 충전 또는 방전 복귀 시 충전기 또는 부하의 연결을 감지하기 위하여, 과충전 또는 과방전을 검지하여 차단 동작 시 제 3 내부 스위치 소자(SW3)를 턴-온(turn-on) 시킬 수 있고 그 외의 경우에는 대부분 턴-오프 상태를 유지할 수 있다. 이 실시예의 배터리 보호회로 모듈의 동작은 이러한 제 3 내부 스위치 소자(SW3)의 동작이 부가되는 것 외에는 상술한 배터리 보호회로 모듈의 동작과 동일하다.
예컨대, 정상 충전 중에는 제 1 내부 스위치 소자(SW1) 및 제 3 내부 스위치 소자(SW3)는 턴-오프(turn-off) 되고, 단일 전계효과 트랜지스터(112)는 턴-온(turn-on) 되어 단일 전계효과 트랜지스터(112)의 채널을 통해서 충전 전류가 흐를 수 있다. 다만, 충전 중 과충전 검지 시 또는 충전 과전류 검지 시 제 1 내부 스위치 소자(SW1) 및 제 3 내부 스위치 소자(SW3)는 턴-온(turn-on) 되고 단일 전계효과 트랜지스터(112)는 턴-오프(turn-off) 될 수 있다.
정상 방전 중에는 제 1 내부 스위치 소자(SW1) 및 제 3 내부 스위치 소자(SW3)는 턴-오프(turn-off) 되고, 단일 전계효과 트랜지스터(112)는 턴-온(turn-on) 되어 단일 전계효과 트랜지스터(112)의 채널을 통해서 방전 전류가 흐를 수 있다. 다만, 방전 시 과방전 검지 또는 방전 과전류 검지 시 제 1 내부 스위치 소자(SW1)는 턴-오프 되고 단일 전계효과 트랜지스터(112)도 턴-오프 될 수 있다. 부가적으로, 과방전 검지 시 제 3 내부 스위치 소자(SW3)가 턴-온 될 수 있다.
이 실시예에 따르면, 제 3 내부 스위치 소자(SW3)를 더 부가하여 복귀 동작 시 충전기 연결 및/또는 부하 제거를 인식할 수 있다. 예를 들어, 과충전 검지, 충전 과전류 검지, 및/또는 과방전 검지하여 차단 동작 수행 시 통상적인 경우와는 달리 제 3 내부 스위치 소자(SW3)를 턴-온하여, 전원 단자(Vdd)와 감지 단자(V-)의 전위 변화를 감지할 수 있어, 단일 전계 효과 트랜지스터(112)의 사용에도 불구하고 복귀 동작을 위한 변화를 검지할 수 있게 된다. 이 경우, 프로텍션 집적회로 소자(118) 내로 전류 흐름을 누설전류 수준으로 낮추기 위하여 풀업 저항(Rpull-up)은 높은 저항값을 가질 필요가 있다. 예를 들어, 풀업 저항(Rpull-up)은 제 1 내부 저항(RVSS)과 동일하거나 유사하고 제 2 내부 저항(RVM)보다 큰 저항값을 가질 수 있다.
한편, 제 1 내지 제 3 내부 스위치 소자(SW1, SW2, SW3)의 연결 구조와 감지 단자(V-) 사이에는 정전 저항(RESD)이 부가될 수 있다. 이러한 정전 저항(RESD)은 실질적으로 프로텍션 집적회로 소자(118)의 기본 내부 저항일 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 배터리 보호회로 모듈의 0V 충전동작을 보여주는 그래프이다.
이하에서는 전술한 도 1 내지 도 2의 배터리 보호회로 모듈들에 있어서 0V 충전 기능에 대해서 부연 설명을 하도록 한다. 배터리 베어셀(Bc)이 과잉방전 상태일 때, 즉 셀전압이 약 0V일 때, 배터리 베어셀(Bc)의 재사용 여부에 대해서 세팅이 가능하다.
도 3을 참조하면, 셀전압이 약 0V일 때, 베어셀(Bc)의 재사용을 위한 0V 충전은 다음과 같이 수행될 수 있다.
이러한 0V 충전동작 동안, 단일 전계효과 트랜지스터(112)의 게이트 단자(G)에는 로우(low) 전압이 인가된 채로 유지될 수 있다. 이를 위해, 프로텍션 집적회로 소자(118)의 충방전제어신호 출력단자(CDout)는 로우 전압, 예컨대 기준전압(Vss)을 게이트 단자(G)로 출력할 수 있다.
충전기가 연결되면, 단일 전계효과 트랜지스터(112)의 소스 단자(S)의 전위 하강에 의해서 게이트 단자(G)-소스 단자(S) 사이의 전위차(VGS)가 단일 전계효과 트랜지스터(112)의 문턱전압(Vth) 이상으로 상승되어 단일 전계효과 트랜지스터(112)가 턴-온(turn-on) 되어 충전 전류가 흐를 수 있다(충전 단계).
하지만, 충전 전류가 일정 시간 이상 흐르면 소스 단자(S)의 전위가 상승되어 게이트 단자(G)-소스 단자(S) 사이의 전위차(VGS)가 문턱전압(Vth) 이하로 하강되어, 단일 전계효과 트랜지스터(112)가 턴-오프(turn-off) 되어 충전 전류가 차단될 수 있다(차단 단계).
충전기가 연결된 상태로 충전 전류가 차단되면, 다시 단일 전계효과 트랜지스터(112)의 소스 단자(S)의 전위 하강에 의해서 게이트 단자(G)-소스 단자(S) 사이의 전위차(VGS)가 문턱전압(Vth) 이상으로 상승되어 단일 전계효과 트랜지스터(112)가 턴-온(turn-on) 되어 충전 전류가 흐를 수 있다(충전 단계).
결국, 위 충전 단계와 차단 단계가 반복되면서 배터리 베어셀(Bc)이 기설정된 범위까지 충전될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리 보호회로 모듈을 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 4를 참조하면, 전술한 배터리 보호회로 모듈은 기판(50) 상에 실장되어 패키징 형태로 구현될 수 있다. 예를 들어, 기판(50)은 인쇄회로기판 또는 리드프레임을 포함할 수 있다. 배터리 보호회로 모듈을 구성하는 보호회로 유닛은 몰딩재(55)를 이용하여 하나의 패키지로 봉지될 수 있다.
이 실시예의 변형된 예에서, 전술한 보호회로 유닛은 그 부피를 줄이기 위해서 각각 칩스케일 패키지(chip scale package, CSP) 형태로 기판(50) 상에 실장될 수도 있다.
이 실시예의 다른 변형된 예에서, 전계효과 트랜지스터(114), 제 2 전계효과 트랜지스터(112) 및 프로텍션 집적회로 소자(118)는 적층 패키지 구조나 또는 패키지-온-패키지(package on package, POP) 구조로 제조될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리 팩을 보여주는 개략적인 전개 사시도이다.
도 5를 참조하면, 배터리 캔(400) 내에 내장된 배터리 베어셀의 상부면과 상부케이스(500) 사이에 상술한 배터리 보호회로 모듈(300)이 삽입되어 배터리 팩(600)을 구성하게 된다. 상부케이스(500)는 플라스틱 및/또는 금속 재질로 외부연결단자들(P+, P-)이 노출될 수 있도록 대응되는 부분에 관통홀(550)이 형성되어 있다.
이러한 배터리 베어셀은 전극 조립체와 캡 조립체를 포함하여 구성된다. 전극 조립체는 양극 집전체에 양극 활물질을 도포해서 형성된 양극판, 음극 집전체에 음극 활물질을 도포해서 형성된 음극판 및 상기 양극판과 상기 음극판 사이에 개재되어 두 극판의 단락을 방지하고 리튬 이온의 이동을 가능하게 하는 세퍼레이터로 이루어질 수 있다. 전극 조립체에는 상기 양극판에 부착된 양극탭과 상기 음극판에 부착된 음극탭이 인출되어 있다.
캡 조립체는 음극단자(410), 가스켓(420), 캡 플레이트(430) 등을 포함한다. 캡 플레이트(430)는 양극단자의 역할을 할 수 있다. 음극단자(410)는 음극셀 또는 전극셀로 명명될 수도 있다. 가스켓(420)은 음극단자(410)와 캡 플레이트(430)를 절연시키기 위하여 절연성 물질로 형성될 수 있다. 따라서, 배터리 베어셀의 전극단자는 음극단자(410)와 캡 플레이트(430)를 포함할 수 있다.
배터리 베어셀의 전극단자는 제 1 극성(예를 들어, 양극)의 플레이트(430)와 플레이트(430) 내의 중앙에 배치되는 제 2 극성(예를 들어, 음극)의 전극셀(410)을 포함하며, 제 1 내부연결단자용 리드(B+)는 제 1 극성(예를 들어, 양극)의 플레이트(430)와 접합하여 전기적으로 연결되고, 제 2 내부연결단자용 리드(B-)는 제 2 극성(예를 들어, 음극)의 전극셀(410)과 접합하여 전기적으로 연결될 수 있다. 일부 실시예에서, 리드프레임(50)의 길이는 제 1 극성(예를 들어, 양극)의 플레이트(430)의 일단에서 제 2 극성(예를 들어, 음극)의 전극셀(410)까지의 길이에 해당할 수 있다.
일부 실시예에 따르면, 제 2 극성(예를 들어, 음극)의 전극셀(410)을 기준으로 상단 부분의 편측 영역만을 사용하여 배터리 보호회로 패키지모듈(300)을 장착하므로, 배터리의 소형화 또는 고용량화를 구현할 수 있다. 예를 들어, 전극셀(410)의 다른 편측 영역에 셀을 더 형성하여 배터리 용량을 늘이거나 또는 다른 추가 기능을 갖는 칩 등을 배치함으로써 이러한 배터리를 갖는 응용제품의 소형화에 기여할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
112 : 단일 전계효과 트랜지스터
118 : 프로텍션 집적회로 소자

Claims (10)

  1. 배터리 베어셀의 전극단자들과 전기적으로 연결되는 제 1 양극 단자 및 제 1 음극 단자;
    충전기 또는 전자기기에 전기적으로 연결되는 제 2 양극 단자 및 제 2 음극 단자;
    드레인 단자, 소스 단자, 게이트 단자 및 웰 단자를 포함하고, 상기 드레인 단자가 상기 제 1 음극 단자에 전기적으로 접속되고, 상기 소스 단자가 상기 제 2 음극 단자에 전기적으로 접속되는 단일 전계효과 트랜지스터; 및
    제 1 양극 단자와 제 2 양극 단자 사이에 접속되는 전원 단자, 상기 제 1 음극 단자와 상기 드레인 단자 사이에 접속되는 기준 단자, 상기 제 2 음극 단자와 상기 소스 단자 사이에 접속되는 감지 단자, 상기 웰 단자와 접속되는 바이어스 단자, 및 상기 게이트 단자에 접속되는 충방전제어신호 출력단자를 포함하고, 상기 충방전제어신호 출력단자를 통해서 상기 단일 전계효과 트랜지스터의 스위칭을 제어하고 바이어스 단자를 통해서 상기 배터리 베어셀의 충방전을 제어하는 프로텍션 집적회로 소자를 포함하고,
    상기 프로텍션 집적회로 소자는, 상기 바이어스 단자가 상기 기준 단자와 상시 접속되나 상기 감지 단자와는 상시 접속되지는 않도록, 상기 바이어스 단자와 상기 기준 단자 사이에 연결되어 상기 기준 단자와 상기 감지 단자 사이의 전류 흐름을 누설 전류 수준으로 낮추는 제 1 내부 저항, 상기 바이어스 단자와 상기 감지 단자 사이에 직렬 연결된 제 1 내부 스위치 소자 및 제 2 내부 저항을 더 포함하되, 상기 제 1 내부 저항은 상기 제 2 내부 저항 보다 저항값이 더 큰,
    배터리 보호회로 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 내부 저항의 저항값은 상기 제 2 내부 저항의 저항값의 20배 내지 150배의 범위를 가지는, 배터리 보호회로 모듈.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 내부 저항의 저항값은 5kΩ 내지 15kΩ이며, 상기 제 1 내부 저항의 저항값은 300kΩ 내지 500kΩ인, 배터리 보호회로 모듈.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 내부 스위치 소자는 과충전 검지 시 턴-온되는, 배터리 보호회로 모듈.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로텍션 집적회로 소자는 상기 기준 단자와 감지 단자 사이에 상기 제 1 내부 스위치 소자와 병렬로 접속되며 서로 직렬로 연결된 제 2 내부 스위치 소자 및 부가 저항을 더 포함하고,
    상기 제 2 내부 스위치 소자는 과방전 차단 또는 쇼트 차단 시 상기 감지 단자가 플로팅 되는 것을 방지하도록 턴-온 되는, 배터리 보호회로 모듈.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 부가 저항은 상기 제 1 내부 저항보다 작은, 배터리 보호회로 모듈.
  7. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 프로텍션 집적회로 소자는 상기 전원 단자와 감지 단자 사이에 서로 직렬로 연결된 제 3 내부 스위치 소자 및 풀업 저항을 더 포함하고,
    상기 제 3 내부 스위치 소자는 과충전 차단, 과방전 차단 또는 충전 과전류 차단 시 턴-온 되는, 배터리 보호회로 모듈.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 풀업 저항은 상기 제 2 내부 저항보다 큰, 배터리 보호회로 모듈.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로텍션 집적회로 소자는 상기 단일 전계효과 트랜지스터 상에 적층된, 배터리 보호회로 모듈.
  10. 배터리 베어셀; 및
    상기 배터리 베어셀과 접속되는 배터리 보호회로 모듈을 포함하고,
    상기 배터리 보호회로 모듈은,
    배터리 베어셀의 전극단자들과 전기적으로 연결되는 제 1 양극 단자 및 제 1 음극 단자;
    충전기 또는 전자기기에 전기적으로 연결되는 제 2 양극 단자 및 제 2 음극 단자;
    드레인 단자, 소스 단자, 게이트 단자 및 웰 단자를 포함하고, 상기 드레인 단자가 상기 제 1 음극 단자에 전기적으로 접속되고, 상기 소스 단자가 상기 제 2 음극 단자에 전기적으로 접속되는 단일 전계효과 트랜지스터; 및
    제 1 양극 단자와 제 2 양극 단자 사이에 접속되는 전원 단자, 상기 제 1 음극 단자와 상기 드레인 단자 사이에 접속되는 기준 단자, 상기 제 2 음극 단자와 상기 소스 단자 사이에 접속되는 감지 단자, 상기 웰 단자와 접속되는 바이어스 단자, 및 상기 게이트 단자에 접속되는 충방전제어신호 출력단자를 포함하고, 상기 충방전제어신호 출력단자를 통해서 상기 단일 전계효과 트랜지스터의 스위칭을 제어하고 바이어스 단자를 통해서 상기 배터리 베어셀의 충방전을 제어하는 프로텍션 집적회로 소자를 포함하고,
    상기 프로텍션 집적회로 소자는, 상기 바이어스 단자가 상기 기준 단자와 상시 접속되나 상기 감지 단자와는 상시 접속되지는 않도록, 상기 바이어스 단자와 상기 기준 단자 사이에 연결되어 상기 기준 단자와 상기 감지 단자 사이의 전류 흐름을 누설 전류 수준으로 낮추는 제 1 내부 저항, 상기 바이어스 단자와 상기 감지 단자 사이에 직렬 연결된 제 1 내부 스위치 소자 및 제 2 내부 저항을 더 포함하되, 상기 제 1 내부 저항은 상기 제 2 내부 저항 보다 저항값이 더 큰,
    배터리팩.
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