KR101971923B1

KR101971923B1 - Liquid crystal display device and radiation-sensitive resin composition

Info

Publication number: KR101971923B1
Application number: KR1020150014889A
Authority: KR
Inventors: 켄이치 하마다; 다이고 이치노헤
Original assignee: 제이에스알 가부시끼가이샤
Priority date: 2014-01-31
Filing date: 2015-01-30
Publication date: 2019-04-24
Also published as: CN104820324A; KR20150091258A

Abstract

(과제) 콘택트 홀의 영향을 작게 하여 휘도가 향상된 액정 표시 소자 및 그의 제조에 이용되는 감방사선성 수지 조성물을 제공한다.
(해결 수단) 액정 표시 소자(1)는, TFT 기판(2)과 대향 기판(3)에 의해 액정(4)을 협지하여 이루어진다. TFT 기판(2)은, 제1 감방사선성 수지 조성물로 형성된 제1 절연막(6)과, 콘택트 홀(7)과, 콘택트 홀(7)을 개재하여 TFT(5)의 소스 전극(34)에 접속하는 제1 전극(8)과, 콘택트 홀(7)을 메우도록 제2 감방사선성 수지 조성물로 형성된 제2 절연막(9)을 갖는다. 제2 절연막(9) 위에는 제1 전극(8)에 접속하는 제2 전극(10)이 배치된다. 제3 전극(12)은, 제3 절연막(11)을 개재하여, 제1 전극(8) 및 제2 전극(10) 위에 형성된다. 액정 표시 소자(1)는, 제1 전극(8) 및 제2 전극(10)과, 제3 전극(12)과의 사이에 전압을 인가하여 액정(4)을 구동한다. Disclosed is a liquid crystal display element in which the influence of a contact hole is reduced and brightness is improved, and a radiation sensitive resin composition used in the production thereof.
A liquid crystal display element 1 is formed by sandwiching a liquid crystal 4 by a TFT substrate 2 and an opposing substrate 3. The TFT substrate 2 includes a first insulating film 6 formed of a first radiation-sensitive resin composition, a contact hole 7, and a contact hole 7 to the source electrode 34 of the TFT 5 And a second insulating film 9 formed of a second radiation-sensitive resin composition for covering the contact hole 7. The first electrode 8 is connected to the contact hole 7, On the second insulating film 9, a second electrode 10 connected to the first electrode 8 is disposed. The third electrode 12 is formed on the first electrode 8 and the second electrode 10 with the third insulating film 11 interposed therebetween. The liquid crystal display element 1 applies a voltage between the first electrode 8 and the second electrode 10 and the third electrode 12 to drive the liquid crystal 4.

Description

TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a liquid crystal display element and a radiation-

본 발명은, 액정 표시 소자 및 감방사선성 수지 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display element and a radiation-sensitive resin composition.

액정 표시 소자는, 한 쌍의 기판에 액정이 협지된 구조를 갖는다. 이들 기판에는 전극을 형성할 수 있고, 또한 기판 표면에는 액정의 배향을 제어하는 목적으로 배향막을 형성할 수 있다. 또한, 이들 한 쌍의 기판은, 예를 들면, 한 쌍의 편광판에 의해 협지된다. 그리고, 이 기판 간에 전계를 인가하면, 액정이 구동되어 배향 변화가 일어나, 빛을 부분적으로 투과하거나, 차폐하거나 하게 된다. 액정 표시 소자에서는, 이러한 특성을 이용하여 화상을 표시하고 있다. 이러한 액정 표시 소자에는, 종래의 CRT 방식의 표시 장치와 비교하여, 박형화나 경량화를 도모할 수 있다는 이점이 있다. The liquid crystal display element has a structure in which liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates. An electrode can be formed on these substrates, and an alignment film can be formed on the surface of the substrate for the purpose of controlling alignment of the liquid crystal. Further, these pair of substrates are held by, for example, a pair of polarizing plates. Then, when an electric field is applied between the substrates, the liquid crystal is driven to change orientation, and light is partially transmitted or shielded. In a liquid crystal display element, an image is displayed using these characteristics. Such a liquid crystal display device is advantageous in that it can be made thinner and lighter in weight as compared with a conventional CRT-type display device.

개발 당초의 액정 표시 소자는, 캐릭터 표시 등을 중심으로 하는 전자계산기나 시계의 표시 소자로서 이용되었다. 그 후, 단순 매트릭스 방식의 개발에 의해, 도트 매트릭스 표시가 용이해짐으로써, 노트 PC의 표시 소자 등으로 용도를 확대했다. 이어서, 화소마다 스위칭을 위한 박막 트랜지스터(TFT: Thin Film Transister(박막 트랜지스터))를 배치한 액티브 매트릭스 방식의 개발에 의해, 콘트라스트비나 응답 성능이 우수한 양호한 화질을 실현할 수 있게 되었다. 또한, 액정 표시 소자는, 고정세화, 컬러화 및 시야각 확대 등의 과제도 극복하여, 데스크탑 컴퓨터의 모니터용 등으로도 이용할 수 있게 되었다. 최근에는, 보다 넓은 시야각, 액정의 고속 응답화 및 표시 품위의 향상 등이 실현되어, 대형이며 박형의 텔레비전용 표시 소자나, 고밀도 표시가 필요시되는 스마트폰 등의 휴대 전자 기기의 디스플레이로서 이용되기에 이르고 있다. The liquid crystal display element originally developed was used as a display element of an electronic calculator or a clock, centering on a character display. Thereafter, the development of the simple matrix method facilitated the dot matrix display, thereby expanding the application to display devices for notebook PCs and the like. Subsequently, by developing an active matrix method in which a thin film transistor (TFT: Thin Film Transistor (thin film transistor)) for each pixel is disposed, it has become possible to realize a good image quality excellent in contrast ratio and response performance. Further, the liquid crystal display element can overcome problems such as high definition, colorization, and wide viewing angle, and can be used for a monitor of a desktop computer or the like. In recent years, a wider viewing angle, faster response of the liquid crystal and improvement of display quality have been realized, and it has been used as a display of a portable electronic device such as a large-sized thin display device for a television or a smart phone requiring high- Respectively.

액정 표시 소자에서는, 액정의 초기 배향 상태나 배향 변화 동작이 상이한 다양한 액정 모드가 알려져 있다. 예를 들면, TN(Twisted Nematic), STN(Super Twisted Nematic), IPS(In-Planes Switching)(FFS(Fringe Field Switching)), VA(Vertical Alignment) 또는 OCB(Optically Compensated Birefringence) 등의 액정 모드가 있다. In a liquid crystal display device, various liquid crystal modes in which an initial alignment state of liquid crystal and an orientation change operation are different are known. For example, a liquid crystal mode such as Twisted Nematic (TN), Super Twisted Nematic (STN), In-Planes Switching (FFS), Vertical Alignment (VA), or Optically Compensated Birefringence have.

상기 액정 모드 중에서, IPS 모드 및 VA 모드는, 넓은 시야각, 빠른 응답 속도 및 높은 콘트라스트비를 갖는 점에서, 최근 특히 주목받고 있는 액정 모드이다. 또한, 본 명세서에서 말하는 바의 IPS 모드란, 후술하는 바와 같이, 액정이 그것을 협지하는 기판의 면내에서 스위칭(배향 변화) 동작하는 액정 모드를 나타내고 있으며, 소위 횡전계 방식 외에, 경사 전계(프린지 전계)를 이용하여 액정의 면내 스위칭을 실현하는 FFS 모드도 포함하는 개념이다. Among the liquid crystal modes, the IPS mode and the VA mode are the liquid crystal modes that have recently attracted particular attention in that they have a wide viewing angle, a fast response speed, and a high contrast ratio. The IPS mode in this specification refers to a liquid crystal mode in which the liquid crystal operates in a switching (orientation change) operation in the plane of the substrate on which the liquid crystal is held as described later. In addition to the so-called transverse electric field system, ) To realize the in-plane switching of the liquid crystal.

예를 들면, FFS 모드를 포함하는 IPS 모드(이하, 단순히 「IPS 모드」라고 함)의 액정 표시 소자에서는, 한 쌍의 기판 간에 협지된 액정이 기판에 대하여 거의 평행이 되도록, 액정의 초기 배향 상태가 제어된다. 이들 기판 중 한쪽에 배치된 화소 전극과 공통 전극의 사이에 전압을 인가함으로써, 기판 평면에 평행한 성분을 주로 하는 전계(소위, 횡전계나 경사 전계(프린지 전계))가 형성되고, 액정의 배향 상태가 변화한다. 그 때문에, IPS 모드에서는, 전계 인가에 의한 액정의 배향 변화는, 그 명칭대로, 기판 평면과 평행한 면내에 있어서의 액정 분자의 회전 동작이 주가 된다. For example, in a liquid crystal display element of an IPS mode including an FFS mode (hereinafter simply referred to as " IPS mode "), liquid crystal sandwiched between a pair of substrates is substantially parallel to a substrate, Is controlled. By applying a voltage between the pixel electrode and the common electrode arranged on one of these substrates, an electric field (so-called transverse electric field or oblique electric field (fringing electric field)) mainly composed of components parallel to the substrate plane is formed, The state changes. Therefore, in the IPS mode, the orientation of the liquid crystal changes due to the application of an electric field is predominantly affected by the rotation of the liquid crystal molecules in a plane parallel to the plane of the substrate.

이러한 점에서, IPS 모드는, 평행 배향하는 액정이 전계의 인가에 의해 기동 동작을 하는 TN 모드 등과 상이하게, 액정을 협지하는 기판에 대한 액정의 틸트각의 변화가 작다. 이 때문에, IPS 모드의 액정 표시 소자에서는, 전압 인가에 수반하는 리타데이션의 실효값의 변화가 작아지고, 시야각이 넓어 고화질의 화상 표시가 가능해진다. In this respect, the IPS mode differs from the TN mode or the like in which the parallel alignment liquid crystal performs a start operation by the application of an electric field, and the change in the tilt angle of the liquid crystal with respect to the substrate sandwiching the liquid crystal is small. Therefore, in the IPS mode liquid crystal display element, the change in the effective value of the retardation accompanying the voltage application is reduced, and the viewing angle is widened, thereby enabling high-quality image display.

상기와 같은 IPS 모드의 액정 표시 소자에서는, 무기 재료로 이루어지는 무기 절연막을 사이에 두고, 투명한 평판 형상의 전극(예를 들면, 공통 전극 또는 화소 전극) 상에, 슬릿 형상의 절결부를 갖는 전극(예를 들면, 화소 전극 또는 공통 전극)을 중첩시키는 구조의 개발이 진행되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1, 특허문헌 2 또는 특허문헌 3 참조). 이 전극 구조에 의하면, 화소의 개구율이 향상되어, 고휘도의 화상 표시가 실현된다. In the IPS mode liquid crystal display device described above, an electrode (for example, a common electrode or a pixel electrode) having a slit-shaped cutout portion is formed on a transparent flat electrode (For example, a pixel electrode or a common electrode) are superimposed on each other (see, for example, Patent Document 1, Patent Document 2 or Patent Document 3). According to this electrode structure, the aperture ratio of the pixel is improved, and high-luminance image display is realized.

그리고, IPS 모드의 액정 표시 소자에 대해서는, 최근, 동영상을 표시하는 텔레비전이나, 고밀도 표시가 필요시되는 스마트폰 등의 휴대 전자 기기의 디스플레이에 대응하기 위해, 더 한층의 고화질화, 특히 고정세화가 요구되고 있다. With respect to the liquid crystal display element of the IPS mode, in order to cope with display of a portable electronic apparatus such as a television displaying a moving picture or a smart phone requiring a high-density display, a further higher quality image, in particular, .

IPS 모드의 액정 표시 소자에서는, 액정을 협지하는 한 쌍의 기판 중 한쪽의 기판 상에, 스위칭을 위한 TFT 등의 능동 소자가 배치된다. 그리고, 화소 전극과, 공통 전극과, 그들에 접속하는 배선 등도 배치되어, TFT 기판이 구성된다. 이 때문에, IPS 모드의 액정 표시 소자에서는, TFT 기판 상에 배치되는 구성 부재가 많아지고, TFT 기판 상에서의 전극 구조나 배선의 배치 구조는, TN 모드 등의 다른 액정 모드에 비해 복잡한 것이 된다. 이러한 점에서, 더 한층의 고정세화를 진행시키고자 하면, 화소 내에서의 화소 전극의 면적이 감소하고, 화소의 개구율이 저하되어 표시의 휘도를 저하시킬 우려가 있었다. In the IPS mode liquid crystal display element, active elements such as TFTs for switching are disposed on one of the pair of substrates for holding the liquid crystal therebetween. Further, the pixel electrodes, the common electrodes, the wirings connected to the common electrodes, and the like are also arranged to constitute the TFT substrate. For this reason, in the IPS mode liquid crystal display element, the number of constituent members disposed on the TFT substrate increases, and the electrode structure and the wiring arrangement structure on the TFT substrate become more complicated than other liquid crystal modes such as the TN mode. In view of this, when attempting to further improve the high definition, the area of the pixel electrode in the pixel is reduced, and the aperture ratio of the pixel is lowered, thereby lowering the display luminance.

특허문헌 2에는, 무기 재료로 이루어지는 층간 절연막을 개재하여, 평판 형상의 공통 전극 위에, 슬릿 형상의 절결 부분을 갖는 화소 전극을 배치하는 TFT 기판이 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 3에는, 무기 층간 절연막을 개재하여, 평판 형상의 화소 전극 위에, 슬릿 형상의 절결 부분을 갖는 공통 전극을 배치하는 TFT 기판도 개시되어 있다. 그리고, 특허문헌 2 및 특허문헌 3에는, 평판 형상의 공통 전극 또는 평판 형상의 화소 전극과, 그 하층에 있는 배선과의 사이에, 유기 재료로 이루어지는 절연막(이하, 「유기 절연막」이라고도 함)을 형성하는 기술이 개시되어 있다. 이것에 의하면, 화소 전극과 배선과의 사이의 커플링 용량의 증대를 억제하면서, 개구율을 향상시키는 것을 기대할 수 있다. Patent Document 2 discloses a TFT substrate in which a pixel electrode having a slit-like cut-out portion is disposed on a common electrode of a flat plate shape with an interlayer insulating film made of an inorganic material interposed therebetween. Patent Document 3 also discloses a TFT substrate in which a common electrode having a slit-like cut-out portion is disposed on a flat-plate-shaped pixel electrode via an inorganic interlayer insulating film. In Patent Documents 2 and 3, an insulating film made of an organic material (hereinafter also referred to as an "organic insulating film") is interposed between a flat common electrode or a flat plate- Is disclosed. According to this, it is expected that the aperture ratio can be improved while suppressing an increase in the coupling capacitance between the pixel electrode and the wiring.

일본공개특허공보 2011-48394호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2011-48394 일본공개특허공보 2011-59314호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2011-59314 일본공개특허공보 2012-226249호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2012-226249

그러나, 전술한 TFT 기판에 유기 절연막을 형성하는 기술에서는, 화소 전극과 TFT의 소스 전극을 전기적으로 접속하기 위해, 콘택트 홀을 형성할 필요가 있다. 화소 전극은, 가시광 투과성이 높은 소위 투명 전극이 이용되고, 통상은, ITO(Indium Tin Oxide: 주석을 도프한 산화 인듐) 등의 투명 도전 재료로 이루어진다. 그리고, 특허문헌 3에 기재되는 바와 같이, 화소 전극의 단선(斷線)을 방지하기 위해서는, 콘택트 홀의 테이퍼각은 45도 이하로 하는 것이 바람직하다고 되어 있다. 유기 절연막은 수㎛ 정도의 두께를 갖고 있으며, TFT 기판 상의 콘택트 홀은, 평면에서 볼 때, 큰 면적을 갖게 된다. However, in the technique of forming the organic insulating film on the TFT substrate described above, it is necessary to form a contact hole in order to electrically connect the pixel electrode and the source electrode of the TFT. A so-called transparent electrode having high visible light transmittance is used for the pixel electrode, and is usually made of a transparent conductive material such as ITO (indium tin oxide: indium oxide doped with tin). And, as described in Patent Document 3, in order to prevent disconnection of the pixel electrode, it is said that the taper angle of the contact hole is preferably 45 degrees or less. The organic insulating film has a thickness of about several micrometers, and the contact hole on the TFT substrate has a large area when viewed from the plane.

액정 표시 소자에 있어서, 전압 인가시의 액정의 균일한 초기 배향은, 그 액정을 협지하는 기판의 표면에 형성된 배향막에 의해 실현된다. 예를 들면, 배향막은, 러빙 처리 등의 천으로 문지르는 처리나, 편광 등을 조사하여 행하는 광배향 처리가 행해져, 액정의 초기 배향을 실현한다. In the liquid crystal display element, the uniform initial alignment of the liquid crystal upon voltage application is realized by the alignment film formed on the surface of the substrate holding the liquid crystal. For example, the alignment film is rubbed with a cloth such as a rubbing process, or subjected to a photo alignment process by irradiating with polarized light or the like, thereby realizing the initial alignment of the liquid crystal.

그 경우, 전술한 기판 상의 콘택트 홀의 형성 부분은, 다른 부분에 비해 오목하여, 러빙 처리나 광배향 처리를 행하기 어려운 부분이 된다. 따라서, TFT 기판의 콘택트 홀의 형성 부분은, 광누설을 초래하는 액정의 배향 흐트러짐이 발생하기 쉬운 부분으로 되어 있었다. In this case, the above-described portion where the contact hole is formed on the substrate is concave as compared with the other portions, making it difficult to perform the rubbing treatment and the photo-alignment treatment. Therefore, the portion where the contact hole is formed in the TFT substrate is a portion where alignment disturbance of liquid crystal that causes light leakage tends to occur.

또한, IPS 모드의 액정 표시 소자에 있어서, 콘택트 홀은, 전술한 바와 같이, TFT 기판에 형성된 오목부이며, 그 형성 부분은, 다른 부분과 비교하여 액정의 두께가 두꺼워지는 부분이 된다. 그 때문에, 콘택트 홀의 형성 부분은, 다른 부분과 비교하여, 투과율이나 액정의 응답 특성이 상이한 부분이 되어, 화상 표시의 균일성의 저하가 염려되는 부분이 된다. In the IPS mode liquid crystal display element, the contact hole is a concave portion formed in the TFT substrate as described above, and the formed portion becomes a portion where the thickness of the liquid crystal becomes thicker than other portions. As a result, the portion where the contact hole is formed becomes a portion where the transmittance and the response characteristic of the liquid crystal are different from each other, and the lowering of the uniformity of the image display is a concern.

이러한 점에서, IPS 모드의 액정 표시 소자에 있어서는, 콘택트 홀의 형성에 의해 영향을 받는 화소의 부분을 차광하는 차광 수단을 형성하여, 화상의 표시에 이용하지 않도록 하는 방법이 검토되어 왔다. 그러나, 이러한 차광 수단의 배치는, 화소의 개구율의 저하를 초래하게 되어, 액정 표시 소자의 투과율을 저하시키게 된다. 즉, IPS 모드의 액정 표시 소자에 있어서, 콘택트 홀은, 휘도 특성의 향상을 방해하는 요인이 되고 있어, 더 한층의 표시의 고정세화의 방해가 되고 있었다. In view of this, in the IPS mode liquid crystal display element, a method of forming a light shielding means for shielding a portion of a pixel affected by the formation of a contact hole so as not to be used for displaying an image has been studied. However, such an arrangement of the shielding means causes a decrease in the aperture ratio of the pixel, thereby lowering the transmittance of the liquid crystal display element. That is, in the liquid crystal display element of the IPS mode, the contact hole is a factor that hinders the improvement of the luminance characteristic, and it has been hindered to further enhance the display quality.

그 때문에, IPS 모드의 액정 표시 소자에 있어서는, TFT 기판에 형성된 콘택트 홀의 영향을 작게 하여, 휘도 특성을 향상시키고, 더 한층의 고정세 표시를 가능하게 하는 기술이 요구되고 있다. Therefore, in the IPS mode liquid crystal display element, there is a demand for a technique for improving the luminance characteristic by reducing the influence of the contact hole formed on the TFT substrate, and further enabling a fixed three-dimensional display.

또한, 특허문헌 3에 기재되는 바와 같이, VA 모드의 액정 표시 소자에 있어서도, 화소 전극과 그 하층에 있는 배선과의 사이에 유기 절연막을 형성하여, 개구율을 향상시키는 기술이 검토되고 있다. 따라서, 그러한 구조의 VA 모드의 액정 표시 소자에 있어서도, IPS 모드의 액정 표시 소자와 동일하게 TFT 기판 상에 콘택트 홀을 형성하는 것이 요구된다. 따라서, VA 모드의 액정 표시 소자에 있어서, TFT 기판에 형성된 콘택트 홀의 영향을 작게 하여, 휘도 특성을 향상시키고, 더 한층의 고정세 표시를 가능하게 하는 기술이 요구되고 있다. Also, as described in Patent Document 3, a technique for improving the aperture ratio by forming an organic insulating film between the pixel electrode and the underlying wiring is also studied in the VA mode liquid crystal display element. Therefore, in the VA mode liquid crystal display device having such a structure, it is required to form a contact hole on the TFT substrate similarly to the IPS mode liquid crystal display device. Therefore, in the VA mode liquid crystal display device, there is a demand for a technique that improves the luminance characteristics by reducing the influence of the contact holes formed in the TFT substrate, and enables still higher quality display.

또한 추가로, 그 외의 모드의 액정 표시 소자에 있어서도, 전술한 구조의 IPS 모드의 액정 표시 소자와 동일하게, 화소 전극과 그 하층에 있는 배선과의 사이에 유기 절연막을 형성하여, 개구율을 향상시키는 기술의 적용이 가능하다. 따라서, 그 외의 모드의 액정 표시 소자에 있어서도, 전술과 동일하게, TFT 기판에 형성된 콘택트 홀의 영향을 작게 하여, 휘도 특성을 향상시키고, 더 한층의 고정세 표시를 가능하게 하는 기술이 요구된다. In addition, in the liquid crystal display elements of other modes, as in the IPS mode liquid crystal display element having the above-described structure, an organic insulating film is formed between the pixel electrode and the wiring below it to improve the aperture ratio Technology can be applied. Therefore, in the liquid crystal display elements of other modes, similarly to the above description, there is a demand for a technique which improves the luminance characteristics by reducing the influence of the contact holes formed on the TFT substrate, and enables still higher three-dimensional display.

본 발명은, 이상과 같은 과제를 감안하여 이루어진 것이다. 즉, 본 발명의 목적은, 콘택트 홀의 영향을 작게 하여 휘도가 향상된 액정 표시 소자를 제공하는 것에 있다. The present invention has been made in view of the above problems. That is, an object of the present invention is to provide a liquid crystal display element in which the influence of a contact hole is reduced and brightness is improved.

또한, 본 발명의 목적은, 콘택트 홀의 영향을 작게 하여 휘도가 향상된 액정 표시 소자의 제조에 이용되는 감방사선성 수지 조성물을 제공하는 것에 있다. It is also an object of the present invention to provide a radiation-sensitive resin composition used for manufacturing a liquid crystal display element in which the influence of a contact hole is reduced to improve brightness.

본 발명의 다른 목적 및 이점은, 이하의 기재로부터 분명해질 것이다. Other objects and advantages of the present invention will become apparent from the following description.

본 발명의 제1 태양(態樣)은, 대향 배치된 제1 기판과 제2 기판에 의해 액정을 협지하여 이루어지는 액정 표시 소자로서, According to a first aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display element comprising liquid crystal held by a first substrate and a second substrate opposed to each other,

제1 기판이, The first substrate,

TFT와, TFT,

TFT 상에 제1 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 형성된 제1 절연막과, A first insulating film formed on the TFT using a first radiation sensitive resin composition;

제1 절연막에 형성된 콘택트 홀과, A contact hole formed in the first insulating film,

제1 절연막 상 및 콘택트 홀의 내벽 상에 형성되고, 그 콘택트 홀을 개재하여 TFT에 전기적으로 접속하는 제1 전극과, A first electrode formed on the first insulating film and the inner wall of the contact hole and electrically connected to the TFT via the contact hole,

콘택트 홀을 메우도록, 제2 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 형성된 제2 절연막과, A second insulating film formed by using a second radiation sensitive resin composition so as to fill the contact hole,

제2 절연막 상에 형성되고 그 일부에 의해, 제1 절연막 상의 제1 전극과 일부가 접하고, 상기 제1 전극과 전기적으로 접속하는 제2 전극을 갖고 이루어지고, And a second electrode formed on the second insulating film and partially in contact with the first electrode on the first insulating film and electrically connected to the first electrode,

제3 전극을, 제1 기판의 제1 전극 및 제2 전극 상에 제3 절연막을 개재하여 형성하거나, 또는, 제2 기판의 액정측에 형성하고, The third electrode is formed on the first electrode and the second electrode of the first substrate via the third insulating film or on the liquid crystal side of the second substrate,

제1 전극 및 제2 전극과, 제3 전극과의 사이에 전압을 인가하여 액정을 구동하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 것이다. And the liquid crystal is driven by applying a voltage between the first electrode and the second electrode and between the third electrode and the third electrode.

본 발명의 제1 태양에 있어서는, 제1 감방사선성 수지 조성물이 포지티브형의 감방사선성 수지 조성물이고 제2 감방사선성 수지 조성물이 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물이거나, 또는, 제1 감방사선성 수지 조성물이 네거티브형의 감방사선성 수지 조성물이고 제2 감방사선성 수지 조성물이 포지티브형의 감방사선성 수지 조성물인 것이 바람직하다. In the first aspect of the present invention, it is preferable that the first radiation-sensitive resin composition is a positive radiation-sensitive resin composition and the second radiation-sensitive resin composition is a negative radiation-sensitive resin composition, It is preferable that the resin composition is a negative radiation-sensitive resin composition and the second radiation-sensitive resin composition is a positive radiation-sensitive resin composition.

본 발명의 제1 태양에 있어서, 제1 감방사선성 수지 조성물은, 카복실기를 갖는 구성 단위와, 중합성기를 갖는 구성 단위를 포함하는 중합체를 함유하는 것이 바람직하다. In the first aspect of the present invention, it is preferable that the first radiation-sensitive resin composition contains a polymer comprising a constituent unit having a carboxyl group and a constituent unit having a polymerizable group.

본 발명의 제1 태양에 있어서, 제2 감방사선성 수지 조성물은, 카복실기를 갖는 구성 단위와, 중합성기를 갖는 구성 단위를 포함하는 중합체를 함유하는 것이 바람직하다. In the first aspect of the present invention, it is preferable that the second radiation-sensitive resin composition contains a polymer comprising a constituent unit having a carboxyl group and a constituent unit having a polymerizable group.

본 발명의 제2 태양은, 대향 배치된 제1 기판과 제2 기판에 의해 액정을 협지하여 이루어지는 액정 표시 소자의 제조에 이용되는 감방사선성 수지 조성물로서, A second aspect of the present invention is a radiation-sensitive resin composition for use in the production of a liquid crystal display element comprising a liquid crystal sandwiched between a first substrate and a second substrate arranged to face each other,

액정 표시 소자의 제1 기판은, In the first substrate of the liquid crystal display element,

TFT와, TFT,

TFT 상에 형성된 제1 절연막과, A first insulating film formed on the TFT,

제1 절연막 상 및 콘택트 홀의 내벽 상에 형성되고, 콘택트 홀을 개재하여 TFT에 전기적으로 접속하는 제1 전극과, A first electrode formed on the first insulating film and the inner wall of the contact hole and electrically connected to the TFT via the contact hole,

콘택트 홀을 메우도록 형성된 제2 절연막과, A second insulating film formed to fill the contact hole,

액정 표시 소자는, 제3 전극을, 제1 기판의 제1 전극 및 제2 전극 상에 제3 절연막을 개재하여 형성하거나, 또는, 제2 기판의 액정측에 형성하고, 제1 전극 및 제2 전극과, 제3 전극과의 사이에 전압을 인가하여 액정을 구동하도록 구성되고, The liquid crystal display element may have a structure in which the third electrode is formed on the first electrode and the second electrode of the first substrate via a third insulating film or on the liquid crystal side of the second substrate, A liquid crystal is driven by applying a voltage between the electrode and the third electrode,

제1 기판의 제2 절연막의 형성에 이용되는 것을 특징으로 하는 것이다. And is used for forming the second insulating film of the first substrate.

본 발명의 제2 태양은, 추가로, 금속 산화물 입자를 포함하는 것이 바람직하다. The second aspect of the present invention preferably further comprises metal oxide particles.

본 발명의 제1 태양에 의하면, 콘택트 홀의 영향을 작게 하여 휘도가 향상된 액정 표시 소자가 얻어진다. According to the first aspect of the present invention, it is possible to obtain a liquid crystal display element in which the influence of the contact hole is reduced and the brightness is improved.

본 발명의 제2 태양에 의하면, 콘택트 홀의 영향을 작게 하여 휘도가 향상된 액정 표시 소자의 제조에 이용되는 감방사선성 수지 조성물이 얻어진다. According to the second aspect of the present invention, a radiation-sensitive resin composition used for manufacturing a liquid crystal display element in which the influence of a contact hole is reduced and brightness is improved can be obtained.

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태의 IPS 모드의 액정 표시 소자의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태의 IPS 모드의 액정 표시 소자의 구조를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태의 IPS 모드의 액정 표시 소자의 다른 예의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 형태의 VA 모드의 액정 표시 소자의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시 형태의 VA 모드의 액정 표시 소자의 구조를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시 형태의 VA 모드의 액정 표시 소자의 다른 예의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a liquid crystal display element of an IPS mode according to a first embodiment of the present invention.
2 is a plan view schematically showing a structure of a liquid crystal display element of IPS mode according to the first embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view schematically showing the structure of another example of the IPS mode liquid crystal display element of the first embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a VA mode liquid crystal display element according to a second embodiment of the present invention.
5 is a plan view schematically showing the structure of a VA mode liquid crystal display element according to a second embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view schematically showing a structure of another example of a VA mode liquid crystal display element according to a second embodiment of the present invention.

(발명을 실시하기 위한 형태) (Mode for carrying out the invention)

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서, 적절하게 도면을 이용하여 설명한다. DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings as appropriate.

또한, 본 발명에 있어서, 노광시에 있어서 조사되는 「방사선」에는, 가시광선, 자외선, 원자외선, X선 및 하전 입자선 등이 포함된다. In the present invention, "radiation" irradiated at the time of exposure includes visible rays, ultraviolet rays, deep ultraviolet rays, X-rays and charged particle rays.

실시 형태 1. Embodiment 1

＜IPS 모드의 액정 표시 소자＞ <IPS Mode Liquid Crystal Display Element>

도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태의 IPS 모드의 액정 표시 소자의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a liquid crystal display element of an IPS mode according to a first embodiment of the present invention.

도 2는, 본 발명의 제1 실시 형태의 IPS 모드의 액정 표시 소자의 구조를 개략적으로 나타내는 평면도이다. 2 is a plan view schematically showing the structure of a liquid crystal display element of the IPS mode according to the first embodiment of the present invention.

또한, 도 1은, 도 2의 A-A'선을 따른 단면을 개략적으로 나타내고 있다. 1 schematically shows a cross section taken along line A-A 'in Fig.

도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 제1 실시 형태의 IPS 모드의 액정 표시 소자(1)는, 대향 배치된 제1 기판인 TFT 기판(2)과, 제2 기판인 대향 기판(3)에 의해 액정(4)을 협지하여 구성된다. 여기에서, TFT 기판이란, 박막 트랜지스터인 TFT를 갖는 기판이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, IPS 모드의 액정 표시 소자(1)에 있어서, TFT 기판(2)은, TFT(5)를 갖고 구성된다. 1, the IPS mode liquid crystal display element 1 according to the first embodiment of the present invention includes a TFT substrate 2, which is a first substrate arranged to be opposed to the liquid crystal display element 1, and a counter substrate 3 which is a second substrate And the liquid crystal 4 is sandwiched therebetween. Here, the TFT substrate is a substrate having a thin film transistor TFT. As shown in Fig. 2, in the IPS mode liquid crystal display element 1, the TFT substrate 2 has a TFT 5.

즉, 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 액정 표시 소자(1)의 TFT 기판(2)은, TFT(5)(도 1 중에는 도시되지 않음) 위에 형성된 제1 절연막(6)과, 제1 절연막(6)에 형성된 콘택트 홀(7)과, 제1 절연막(6) 상 및 콘택트 홀(7)의 내벽 상에 형성되고 콘택트 홀(7)을 개재하여 TFT(5)의 소스 전극(34)과 전기적으로 접속하는 제1 전극(8)과, 콘택트 홀(7)을 메우도록 형성되고 TFT 기판(2)의 표면을 평탄화하는 제2 절연막(9)을 갖는다. 1 and 2, the TFT substrate 2 of the liquid crystal display element 1 includes a first insulating film 6 formed on the TFT 5 (not shown in Fig. 1) A contact hole 7 formed in the insulating film 6 and a source electrode 34 formed on the first insulating film 6 and the inner wall of the contact hole 7 via the contact hole 7, And a second insulating film 9 formed to fill the contact hole 7 and planarize the surface of the TFT substrate 2. The first electrode 8 and the second insulating film 9 are electrically connected to each other.

TFT 기판(2)은, 제2 절연막(9) 위에 형성된 제2 전극(10)을 갖는다. The TFT substrate 2 has a second electrode 10 formed on the second insulating film 9.

TFT 기판(2)에 있어서, 제2 절연막(9) 위에 형성된 제2 전극(10)은, 그 일부인 단부(端部)에 의해, 제1 절연막(6) 상의 제1 전극(8)과 전기적으로 접속해도 좋다. The second electrode 10 formed on the second insulating film 9 in the TFT substrate 2 is electrically connected to the first electrode 8 on the first insulating film 6 by an end portion May be connected.

또한, TFT 기판(2)에 있어서는, 제2 절연막(9) 위에 형성된 제2 전극(10)이, 그 적어도 일부를 이용하여, 제1 절연막(6) 상의 제1 전극(8)의 일부를 덮도록 하여 접함으로써 전기적으로 접속해도 좋다. In the TFT substrate 2, the second electrode 10 formed on the second insulating film 9 covers at least a part of the first electrode 8 on the first insulating film 6 So that they may be electrically connected.

본 실시 형태의 액정 표시 소자(1)에 있어서, 제1 전극(8) 및 그것에 전기적으로 접속하는 제2 전극(10)이 일체가 되어, 평판 형상의 화소 전극을 구성한다.In the liquid crystal display element 1 of the present embodiment, the first electrode 8 and the second electrode 10 electrically connected thereto are integrated to constitute a flat plate-like pixel electrode.

또한, 액정 표시 소자(1)는, TFT 기판(2)의 제1 전극(8) 및 제2 전극(10) 위에 제3 절연막(11)을 갖고, 추가로, 제3 절연막(11) 위에 제3 전극(12)을 갖는다. 즉, 액정 표시 소자(1)는, 제3 전극(12)이, 제3 절연막(11)을 개재하여, TFT 기판(2)의 제1 전극(8) 및 제2 전극(10) 위에 형성된 구조를 갖는다. 본 실시 형태의 액정 표시 소자(1)에서는, 제3 전극(12)이 공통 전극을 구성한다. The liquid crystal display element 1 also has a third insulating film 11 on the first electrode 8 and the second electrode 10 of the TFT substrate 2 and further includes a third insulating film 11 on the third insulating film 11, Three electrodes 12 are provided. That is, the liquid crystal display element 1 has the structure in which the third electrode 12 is formed on the first electrode 8 and the second electrode 10 of the TFT substrate 2 via the third insulating film 11 . In the liquid crystal display element 1 of the present embodiment, the third electrode 12 constitutes a common electrode.

이상의 구성에 의해, 액정 표시 소자(1)는, TFT 기판(2) 상의 제1 전극(8) 및 제2 전극(10)과, TFT 기판(2) 상의 제3 전극(12)과의 사이에 전압을 인가하여 액정(4)을 구동한다. 액정 표시 소자(1)는, IPS 모드의 액정 표시 소자로 되어 있다. The liquid crystal display element 1 is arranged between the first electrode 8 and the second electrode 10 on the TFT substrate 2 and the third electrode 12 on the TFT substrate 2 Voltage is applied to drive the liquid crystal 4. The liquid crystal display element 1 is an IPS mode liquid crystal display element.

이하, 본 발명의 제1 실시 형태의 IPS 모드의 액정 표시 소자(1)의 구성에 대해서, 보다 상세하게 설명한다. 맨 처음에, 액정 표시 소자(1)의 평면 구조, 특히 화소의 주요한 평면 구조에 대해서, 주로 도 2를 이용하여 설명한다. Hereinafter, the configuration of the IPS mode liquid crystal display element 1 according to the first embodiment of the present invention will be described in more detail. First, the planar structure of the liquid crystal display element 1, particularly, the principal planar structure of the pixel will be mainly described with reference to Fig.

액정 표시 소자(1)에서는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 종방향으로 연재하는 신호선(30)과 횡방향으로 연재하는 주사선(31)으로 둘러싸인 영역에 화소가 형성되어 있다. 주사선(31) 위에는 스위칭을 위한 TFT(5)가 형성되어 있고, 화소 전극을 구성하는 제1 전극(8) 및 제2 전극(10)으로의 영상 신호의 공급을 제어한다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 주사선(31)이 TFT(5)의 게이트 전극을 겸하고 있으며, 주사선(31) 위에 어모퍼스-실리콘(a-Si) 또는 미결정 실리콘에 의한 반도체층(32)이 형성되어 있다. In the liquid crystal display element 1, as shown in Fig. 2, pixels are formed in a region surrounded by the signal line 30 extending in the longitudinal direction and the scanning line 31 extending in the transverse direction. A TFT 5 for switching is formed on the scanning line 31 to control the supply of a video signal to the first electrode 8 and the second electrode 10 constituting the pixel electrode. 2, the scanning line 31 serves as a gate electrode of the TFT 5, and a semiconductor layer 32 of amorphous-silicon (a-Si) or microcrystalline silicon is formed on the scanning line 31 .

반도체층(32) 위에는, 신호선(30)에 접속하는 드레인 전극(33)이 단부에서 중첩하도록 형성되고, 그 드레인 전극(33)과 이간하여 대향하도록, 소스 전극(34)이 형성되어 있다. 소스 전극(34)은, 화소의 형성 영역에 연재하고, 콘택트 홀(7)을 개재하여 제1 전극(8)에 전기적으로 접속한다. A source electrode 34 is formed on the semiconductor layer 32 so that the drain electrode 33 connected to the signal line 30 overlaps the drain electrode 33 and is spaced apart from the drain electrode 33. The source electrode 34 extends in the pixel formation region and is electrically connected to the first electrode 8 via the contact hole 7.

도 2에 나타내는 바와 같이, 점선으로 나타내는 제1 전극(8)은, 평면 평판 형상으로 형성되어 있다. 또한, 점선으로 나타내는 제2 전극(10)은, 콘택트 홀(7)을 덮음과 동시에, 그 단부에서 제1 전극(8)과 컨택하도록 평판 형상으로 형성되어 있다. 그리고, 그들 위에, 도 2에서는 도시되지 않는 제3 절연막(11)을 개재하여, 전극의 미(未)형성부가 되는 슬릿 형상의 절결부(50)를 갖는 제3 전극(12)이 형성되어 있다. As shown in Fig. 2, the first electrode 8 indicated by a dotted line is formed in a flat flat plate shape. The second electrode 10 indicated by the dotted line is formed in a flat plate shape so as to cover the contact hole 7 and to contact the first electrode 8 at the end thereof. A third electrode 12 having a slit-shaped cutout portion 50 to which the electrode is not formed is formed on the third insulating film 11 via a third insulating film 11 not shown in Fig. 2 .

도 2에 나타내는 액정 표시 소자(1)에 있어서, 점선으로 개략적으로 나타나는 제1 전극(8)은, TFT(5)의 어느 단부로부터 연재하여 화소에 있어서 소스 전극(34)을 덮고 있다. 점선으로 개략적으로 나타나는 제2 전극(10)도, 콘택트 홀(7)을 메우는 제2 절연막(9)(도 2 중, 도시되지 않음) 위에 형성되고, 소스 전극(34)을 덮고 있다. 그리고, 제2 전극(10)은, 전술한 바와 같이, 제2 절연막(9)을 개재하여 제1 전극(8)을 덮음과 동시에, 그 일부인 단부에서 제1 전극(8)에 전기적으로 접속하고 있다. In the liquid crystal display element 1 shown in Fig. 2, the first electrode 8 schematically shown by a dotted line extends from either end of the TFT 5 to cover the source electrode 34 in the pixel. The second electrode 10 schematically shown by a dotted line is also formed on the second insulating film 9 (not shown in Fig. 2) filling the contact hole 7 and covers the source electrode 34. [ The second electrode 10 covers the first electrode 8 via the second insulating film 9 and is electrically connected to the first electrode 8 at an end portion thereof as described above have.

또한, 슬릿 형상의 절결부(50)를 갖는 제3 전극(12)은 1개의 화소뿐만 아니라, 공통 전극으로서, 다른 화소에도 공통되게 형성되고, 커먼 전압이 인가된다. 도 1에도 나타나는 바와 같이, 제3 전극(12)에 형성된 절결부(50)는, 소스 전극(34) 및 콘택트 홀(7)을 덮고 있다. In addition, the third electrode 12 having the slit-like cutout portion 50 is formed not only as one pixel but also as a common electrode to other pixels, and a common voltage is applied. 1, the cutout portion 50 formed in the third electrode 12 covers the source electrode 34 and the contact hole 7. As shown in Fig.

다음으로, 액정 표시 소자(1)의 단면 구조, 특히 화소의 단면 구조에 대해서, 주로 도 1을 이용하여 설명한다. Next, the sectional structure of the liquid crystal display element 1, particularly, the sectional structure of the pixel will be mainly described with reference to Fig.

액정 표시 소자(1)는, 도 1에 나타내는 바와 같이, TFT 기판(2) 위에, 도 2의 TFT(5)에서 사용되는 게이트 절연막(21)이 형성되고, 그 위에 TFT(5)로부터 연재해 온 소스 전극(34)이 형성되어 있다. 이 부분의 소스 전극(34)은, 도시되지 않는 백 라이트로부터의 빛을 차광할 수 있다. 소스 전극(34)을 덮어, 무기 패시베이션막(22)이 형성되고, 그 위에 평탄화막을 겸한 제1 절연막(6)이 형성되어 있다. 무기 패시베이션막(22)은, 예를 들면, SiO₂ 등의 금속 산화물이나 SiN 등의 금속 질화물로 형성된다. 1, the liquid crystal display element 1 has a structure in which a gate insulating film 21 used in the TFT 5 of FIG. 2 is formed on a TFT substrate 2, An on-source electrode 34 is formed. The source electrode 34 in this portion can shield light from a backlight (not shown). An inorganic passivation film 22 is formed covering the source electrode 34 and a first insulating film 6 serving also as a planarizing film is formed thereon. The inorganic passivation film 22 is formed of, for example, a metal oxide such as SiO ₂ or a metal nitride such as SiN.

또한, 본 실시 형태의 액정 표시 소자(1)에 있어서, 제1 절연막(6)은, 후술하는 제1 감방사선성 수지 조성물을 이용한 패터닝에 의해 형성된 유기 절연막이다. 제1 절연막(6)은, 예를 들면, 0.5㎛∼6㎛의 막두께로 형성된다. In the liquid crystal display element 1 of the present embodiment, the first insulating film 6 is an organic insulating film formed by patterning using a first radiation sensitive resin composition described later. The first insulating film 6 is formed to have a film thickness of, for example, 0.5 m to 6 m.

제1 절연막(6)에는, 제1 전극(8)이 소스 전극(34)에 전기적으로 접속하기 위한 콘택트 홀(7)이 형성되어 있다. 콘택트 홀(7)의 형성 방법으로서는, 제1 절연막(6)을 형성 후, 관통공을 형성한다. 그 후, 무기 패시베이션막(22)에도 관통공을 형성하고, 제1 절연막(6)의 관통공과 무기 패시베이션막(22)의 관통공을 연통시킨다. 그 결과, TFT 기판(2)에 있어서, 제1 절연막(6)과 무기 패시베이션막(22)을 관통하는 콘택트 홀(7)이 형성된다. A contact hole 7 for electrically connecting the first electrode 8 to the source electrode 34 is formed in the first insulating film 6. As a method of forming the contact hole 7, a through hole is formed after the first insulating film 6 is formed. Thereafter, a through hole is also formed in the inorganic passivation film 22 so that the through hole of the first insulating film 6 and the through hole of the inorganic passivation film 22 are in communication with each other. As a result, in the TFT substrate 2, the contact hole 7 penetrating the first insulating film 6 and the inorganic passivation film 22 is formed.

또한, 도 1에 나타내는 액정 표시 소자(1)의 예에서는, 제1 절연막(6)의 관통공과 무기 패시베이션막(22)의 관통공은 별개의 마스크를 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 다른 방법으로서, 제1 절연막(6)에 관통공을 형성한 후, 제1 절연막(6)을 마스크로서 사용하고, 드라이 에칭에 의해, 무기 패시베이션막(22)의 관통공을 형성하여, 콘택트 홀(7)을 형성하는 것도 가능하다. In the example of the liquid crystal display element 1 shown in Fig. 1, the through holes of the first insulating film 6 and the through holes of the inorganic passivation film 22 may be formed using separate masks. As another method, after a through hole is formed in the first insulating film 6, a through hole of the inorganic passivation film 22 is formed by dry etching using the first insulating film 6 as a mask, It is also possible to form the contact hole 7.

이와 같이 하여 제1 절연막(6)에 형성된 콘택트 홀(7)은, 제1 전극(8)을 소스 전극(34)에 접속시키기 위한 하공과, 그보다도 지름이 큰 상공과, 하공과 상공을 연결하는 내벽으로 구성되어 있다. 콘택트 홀(7)의 내벽을 덮도록 형성되는 제1 전극(8)의 단선을 방지하기 위해서는, 콘택트 홀(7)의 테이퍼각을 45도 이하로 하는 것이 바람직하다. 그 때문에, TFT 기판(2) 상의 콘택트 홀(7)은, 평면에서 볼 때, 큰 면적을 갖게 된다. The contact hole 7 formed in the first insulating film 6 in this way is formed by connecting the lower electrode for connecting the first electrode 8 to the source electrode 34 and the upper electrode having a diameter larger than that, As shown in FIG. In order to prevent disconnection of the first electrode 8 formed to cover the inner wall of the contact hole 7, the taper angle of the contact hole 7 is preferably 45 degrees or less. Therefore, the contact hole 7 on the TFT substrate 2 has a large area when viewed in plan view.

그리고, 제1 절연막(6) 및 콘택트 홀(7)을 덮도록, 제1 절연막(6) 상 및 콘택트 홀(7)의 내벽 상에, 제1 전극(8)이 형성된다. 제1 전극(8)은, 예를 들면, ITO를 이용하여 형성할 수 있다. 액정 표시 소자(1)에 있어서, 화소 전극이 되는 제1 전극(8)은 평면 평판 형상으로 형성되어 있다. 제1 전극(8)은, 콘택트 홀(7)을 개재하여, 소스 전극(34)에 전기적으로 접속하고 있다. The first electrode 8 is formed on the first insulating film 6 and the inner wall of the contact hole 7 so as to cover the first insulating film 6 and the contact hole 7. [ The first electrode 8 can be formed using, for example, ITO. In the liquid crystal display element 1, the first electrode 8, which is a pixel electrode, is formed in a flat plate shape. The first electrode 8 is electrically connected to the source electrode 34 via the contact hole 7.

또한, 액정 표시 소자(1)는, 콘택트 홀(7)을 메우도록 형성된 제2 절연막(9)을 갖는다. 제2 절연막(9)은, 후술하는 제2 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 형성된 유기 절연막이다. 액정 표시 소자(1)의 제2 절연막(9)은, TFT 기판(2)의 콘택트 홀(7)을 메우는 기능을 갖는다. 그리고, 제2 절연막(9)은, TFT 기판(2)의 표면을 평탄화하도록 기능한다. Further, the liquid crystal display element 1 has a second insulating film 9 formed so as to fill the contact hole 7. The second insulating film 9 is an organic insulating film formed using a second radiation-sensitive resin composition described later. The second insulating film 9 of the liquid crystal display element 1 has a function of filling the contact hole 7 of the TFT substrate 2. Then, the second insulating film 9 functions to flatten the surface of the TFT substrate 2.

또한, 제2 절연막(9)의 형성 방법으로서는, 예를 들면, 콘택트 홀(7) 등을 형성하기 위해 제1 절연막(6)의 패터닝에서 사용한 포토마스크를 사용하여, 패터닝을 행하여 형성할 수 있다. The method of forming the second insulating film 9 can be formed by patterning using a photomask used for patterning the first insulating film 6 to form, for example, the contact hole 7 .

즉, 1종류의 포토마스크를 사용하여, 콘택트 홀(7)을 갖는 제1 절연막(6)을 형성하고, 그것을 덮는 제1 전극(8)을 형성한 후, 그 마스크를 재차 사용하고, 제2 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 제2 절연막(9)을 형성할 수 있다. That is, a first insulating film 6 having a contact hole 7 is formed using one type of photomask, a first electrode 8 is formed to cover the first insulating film 6, and then the mask is used again, The second insulating film 9 can be formed by using the radiation sensitive resin composition.

그 경우, 예를 들면, 포지티브형의 제1 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 포토마스크를 개재한 노광과 현상에 의한 패터닝을 행하여, 콘택트 홀(7)이 형성된 제1 절연막(6)을 형성한다. 이어서, 제1 전극(8)을 형성한다. 그 후, 네거티브형의 제2 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 전술한 바와 동일한 포토마스크를 이용한 동일한 노광과 현상을 행하여, 콘택트 홀(7)을 메우는 제2 절연막(9)을 형성할 수 있다. In this case, for example, the first radiation sensitive resin composition of the positive type is used to perform patterning by exposure and development through a photomask to form a first insulating film 6 on which the contact holes 7 are formed do. Then, the first electrode 8 is formed. Thereafter, the second radiation sensitive resin composition of negative type is used for the same exposure and development using the same photomask as described above to form the second insulation film 9 filling the contact hole 7 .

액정 표시 소자(1)의 TFT 기판(2)은, 제2 절연막(9) 위에 형성되고, 그 일부인 단부에 의해, 제1 절연막(6) 상의 제1 전극(8)에 전기적으로 접속하는 제2 전극(10)을 갖는다. 제2 전극(10)은, 제1 전극(9)과 동일한 재료, 예를 들면, ITO를 이용하여 형성할 수 있다. The TFT substrate 2 of the liquid crystal display element 1 is formed on the second insulating film 9 and the second part of the TFT substrate 2 is electrically connected to the first electrode 8 on the first insulating film 6, And an electrode (10). The second electrode 10 can be formed using the same material as the first electrode 9, for example, ITO.

본 실시 형태의 액정 표시 소자(1)에 있어서, 제1 전극(8) 및 제2 전극(10)은 서로 전기적으로 접속되어 있고, 일체가 되어, 평판 형상의 화소 전극으로서 기능할 수 있다. In the liquid crystal display element 1 of the present embodiment, the first electrode 8 and the second electrode 10 are electrically connected to each other and can function as a flat plate-shaped pixel electrode.

또한, 액정 표시 소자(1)는, TFT 기판(2)의 제1 전극(8) 및 제2 전극(10) 위에, 층간 절연막이 되는 제3 절연막(11)을 갖는다. 제3 절연막(11)은, 예를 들면, SiO₂ 등의 금속 산화물이나 SiN 등의 금속 질화물로 형성된, 무기 절연막으로 할 수 있다. The liquid crystal display element 1 also has a third insulating film 11 serving as an interlayer insulating film on the first electrode 8 and the second electrode 10 of the TFT substrate 2. The third insulating film 11 may be an inorganic insulating film formed of, for example, a metal oxide such as SiO ₂ or a metal nitride such as SiN.

또한, 액정 표시 소자(1)는, 제3 절연막(11) 위에, 전극 미형성의 부분이 되는 슬릿 형상의 절결부(50)를 갖는 제3 전극(12)을 갖는다. 제3 전극(12) 및 그의 절결부(50)는, 콘택트 홀(7)을 덮도록, 콘택트 홀(7)의 상층에도 형성된다. 제3 전극(12)은, 액정 표시 소자(1)에 있어서, 공통 전극으로서 기능할 수 있다. The liquid crystal display element 1 also has a third electrode 12 on the third insulating film 11 and having a slit-shaped cutout portion 50 to be a portion where no electrode is formed. The third electrode 12 and its notch 50 are also formed in the upper layer of the contact hole 7 so as to cover the contact hole 7. [ The third electrode 12 can function as a common electrode in the liquid crystal display element 1. [

제3 전극(12) 위에는, 액정(4)을 배향시키기 위한 배향막(40)이 형성되어 있다. 배향막(40)은, 러빙 처리에 의한 배향 처리가 행해져 있고, 전압 무인가시의 균일한 액정(4)의 초기 배향, 즉, TFT 기판(2)의 기판 표면과 평행이 되는 평행 배향을 실현시킬 수 있다. On the third electrode 12, an alignment film 40 for aligning the liquid crystal 4 is formed. The orientation film 40 is subjected to orientation treatment by rubbing treatment and is capable of realizing the initial alignment of the uniform liquid crystal 4 when viewed without voltage, that is, parallel alignment in parallel with the substrate surface of the TFT substrate 2 have.

액정 표시 소자(1)는, 액정(4)을 사이에 두고, 제2 기판인 대향 기판(3)을 갖는다. 대향 기판(3)에는, 블랙 매트릭스(41), 컬러 필터(42)가 형성되고, 이들을 덮어, 평탄화막(43)이 형성되고, 그 위에 배향막(44)이 형성되어 있다. 대향 기판(3) 상의 배향막(44)은, TFT 기판(2) 상의 배향막(40)과 동일한 것이며, 러빙 처리에 의한 배향 처리가 행해져, 액정(4)의 초기 배향으로서의 평행 배향을 실현할 수 있다. The liquid crystal display element 1 has the counter substrate 3 as the second substrate with the liquid crystal 4 therebetween. On the counter substrate 3, a black matrix 41 and a color filter 42 are formed. A flattening film 43 is formed to cover them, and an alignment film 44 is formed thereon. The alignment film 44 on the counter substrate 3 is the same as the alignment film 40 on the TFT substrate 2 and alignment treatment by rubbing treatment is performed so that parallel alignment as the initial alignment of the liquid crystal 4 can be realized.

이상의 구성을 갖는 본 실시 형태의 액정 표시 소자(1)에서는, 화상 표시를 위해, TFT 기판(2) 상의 제1 전극(8) 및 제2 전극(10)에 영상 신호가 인가되고, 그들과 제3 전극(12)과의 사이에 전압이 인가되면, 그들 주위에 경사 전계가 발생한다. 즉, 제1 전극(8) 및 제2 전극(10)과 제3 전극(12)과의 사이에 전압이 인가됨으로서, 제3 전극(12)의 절결부(50)를 개재하여, 액정(4) 중에, TFT 기판(2)의 기판면과 평행이 되는 성분을 갖는 경사 전계가 발생한다. In the liquid crystal display element 1 of the present embodiment having the above configuration, image signals are applied to the first electrode 8 and the second electrode 10 on the TFT substrate 2 for image display, When a voltage is applied to the three electrodes 12, an oblique electric field is generated around them. That is, a voltage is applied between the first electrode 8 and the second electrode 10 and the third electrode 12, and the liquid crystal 4 An oblique electric field having a component parallel to the substrate surface of the TFT substrate 2 is generated.

그 결과, 액정(4)은, 그 경사 전계의 기판면과 평행한 성분에 의해 구동되고, 초기 배향 상태로부터 기판면과 평행한 평면 내에서 회전 동작한다. As a result, the liquid crystal 4 is driven by a component parallel to the substrate surface of the oblique electric field, and rotates in a plane parallel to the substrate surface from the initial alignment state.

액정 표시 소자(1)는, TFT 기판(2)의 반(反)액정측의 면 및 대향 기판(3)의 반액정측의 면에, 각각 도시되지 않는 편광판을 갖고, 한 쌍의 편광판에 의해 액정(4)이 협지되는 구조를 갖는다. 따라서, 액정 표시 소자(1)는, 전술한 경사 전계에 의한 액정(4)의 회전 동작에 의해, 빛을 부분적으로 투과하거나, 차폐하거나 할 수 있어, 이러한 특성을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. The liquid crystal display element 1 has polarizing plates (not shown) on the opposite liquid crystal side of the TFT substrate 2 and on the semi-liquid crystal side of the opposing substrate 3, respectively, And the liquid crystal 4 is sandwiched. Therefore, the liquid crystal display element 1 can partially transmit or shield the light by the rotation operation of the liquid crystal 4 by the above-mentioned oblique electric field, and can display an image using such a characteristic .

그리고, 액정 표시 소자(1)에 있어서는, TFT 기판(2)에 형성된 콘택트 홀(7)이 제2 절연막(9)에 의해 메워져, TFT 기판(2)의 표면은 평탄화되어 있다. 따라서, 액정 표시 소자(1)에서는, 콘택트 홀(7)에 의한 액정(4)의 배향 흐트러짐이나, 오목부에 의한 투과율 및 액정(4)의 응답 특성의 저하가 저감되고 있다. 즉, 액정 표시 소자(1)는, TFT 기판(2)에 형성된 콘택트 홀(7)의 영향을 작게 할 수 있고, 소스 전극(34) 등의 차광 수단을 크게 형성할 필요가 없어, 휘도 특성을 향상시킬 수 있다. In the liquid crystal display element 1, the contact hole 7 formed in the TFT substrate 2 is filled with the second insulating film 9, and the surface of the TFT substrate 2 is planarized. Therefore, in the liquid crystal display element 1, the alignment disorder of the liquid crystal 4 caused by the contact hole 7, and the decrease of the transmittance due to the recess and the response characteristic of the liquid crystal 4 are reduced. That is, the liquid crystal display element 1 can reduce the influence of the contact hole 7 formed in the TFT substrate 2, and it is not necessary to form a large shielding means such as the source electrode 34, Can be improved.

또한, 본 발명의 제1 실시 형태의 액정 표시 소자(1)는, 콘택트 홀(7)이 제2 절연막(9)에 의해 메워져, 도 1에 나타나는 바와 같이, TFT 기판(2)의 표면이 평탄화되어 있다. 그러나, 본 실시 형태의 액정 표시 소자(1)에서는, 제2 절연막(9)을 형성하는 제2 감방사선성 수지 조성물의 조성의 선택이나 제2 절연막(9)의 형성 방법에 따라, 제2 절연막(9)의 상부 표면(액정(4)측의 표면)이 약간 오목하게 형성되는 경우도 있다. In the liquid crystal display element 1 of the first embodiment of the present invention, the contact hole 7 is filled with the second insulating film 9 so that the surface of the TFT substrate 2 is planarized . However, in the liquid crystal display element 1 of the present embodiment, depending on the selection of the composition of the second radiation-sensitive resin composition forming the second insulating film 9 and the method of forming the second insulating film 9, (The surface on the side of the liquid crystal 4) of the liquid crystal layer 9 is formed to be slightly concave.

도 3은, 본 발명의 제1 실시 형태의 IPS 모드의 액정 표시 소자의 다른 예의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 3 is a cross-sectional view schematically showing a structure of another example of the IPS mode liquid crystal display element of the first embodiment of the present invention.

또한, 도 3에 나타내는 본 발명의 제1 실시 형태의 다른 예인 IPS 모드의 액정 표시 소자(1-2)는, 제2 절연막(9-2)의 형상이 상이한 것 이외에, 도 1 등에 나타낸 액정 표시 소자(1)와 동일한 구조를 갖는다. 따라서, 공통되는 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 붙여, 중복되는 설명은 생략한다. In the IPS mode liquid crystal display element 1-2, which is another example of the first embodiment of the present invention shown in Fig. 3, the second insulating film 9-2 is different in shape, And has the same structure as that of the element 1. Therefore, common elements are denoted by the same reference numerals, and redundant explanations are omitted.

본 발명의 제1 실시 형태의 다른 예인 IPS 모드의 액정 표시 소자(1-2)에서는, 제2 전극(10-2)이 형성되는 제2 절연막(9-2)의 상부 표면(액정(4)측의 표면)이, 약간 오목하게 형성되어 있다. 그러나, 액정 표시 소자(1-2)에 있어서는, TFT 기판(2)에 형성된 콘택트 홀(7)이 제2 절연막(9-2)에 의해 메워져 있고, TFT 기판(2)의 표면은, 제2 절연막(9-2)을 형성하지 않는 경우에 비해 평탄화되어 있다. 따라서, 액정 표시 소자(1-2)에서는, 제2 절연막(9-2)을 형성하지 않는 경우에 비해, 콘택트 홀(7)에 의한 액정(4)의 배향 흐트러짐이 저감되어, 오목부에 의한 투과율 및 액정(4)의 응답 특성의 저하가 완화되어 있다. 즉, 액정 표시 소자(1-2)는, TFT 기판(2)에 형성된 콘택트 홀(7)의 영향을 작게 할 수 있고, 소스 전극(34) 등의 차광 수단을 크게 형성할 필요가 없어, 휘도 특성을 향상시킬 수 있다. In the liquid crystal display element 1-2 of the IPS mode, which is another example of the first embodiment of the present invention, the upper surface (the liquid crystal 4) of the second insulating film 9-2 on which the second electrode 10-2 is formed, Side surface) is slightly recessed. However, in the liquid crystal display element 1-2, the contact hole 7 formed in the TFT substrate 2 is filled with the second insulating film 9-2, and the surface of the TFT substrate 2 is filled with the second Is planarized as compared with the case where the insulating film 9-2 is not formed. Therefore, in the liquid crystal display element 1-2, the alignment disturbance of the liquid crystal 4 due to the contact hole 7 is reduced as compared with the case where the second insulating film 9-2 is not formed, The transmittance and the response characteristics of the liquid crystal 4 are reduced. That is, the liquid crystal display element 1-2 can reduce the influence of the contact hole 7 formed in the TFT substrate 2, and it is not necessary to form a large shielding means such as the source electrode 34, The characteristics can be improved.

실시 형태 2. Embodiment 2 Fig.

＜VA 모드의 액정 표시 소자＞ &Lt; VA mode liquid crystal display element >

도 4는, 본 발명의 제2 실시 형태의 VA 모드의 액정 표시 소자의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 4 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a VA mode liquid crystal display element according to a second embodiment of the present invention.

도 5는, 본 발명의 제2 실시 형태의 VA 모드의 액정 표시 소자의 구조를 개략적으로 나타내는 평면도이다. 5 is a plan view schematically showing the structure of a VA mode liquid crystal display element according to a second embodiment of the present invention.

또한, 도 4는, 도 5의 B-B'선을 따른 단면을 개략적으로 나타내고 있다. 4 schematically shows a cross section taken along line B-B 'in Fig.

도 4에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 제2 실시 형태의 VA 모드의 액정 표시 소자(100)는, 대향 배치된 제1 기판인 TFT 기판(102)과, 제2 기판인 대향 기판(103)에 의해 액정(104)을 협지하여 구성된다. 액정(104)은, 부(負)의 유전 이방성(Δε)을 갖는 액정이다. 4, the VA mode liquid crystal display element 100 according to the second embodiment of the present invention includes a TFT substrate 102, which is a first substrate disposed opposite to the TFT substrate 102, and a counter substrate 103, which is a second substrate, And the liquid crystal 104 is sandwiched therebetween. The liquid crystal 104 is a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy (DELTA epsilon).

그리고, 도 5에 나타내는 바와 같이, VA 모드의 액정 표시 소자(100)에 있어서, TFT 기판(102)은, TFT(105)를 갖는다. 5, in the liquid crystal display element 100 of the VA mode, the TFT substrate 102 has the TFT 105. In this case,

즉, 도 4 및 도 5에 나타내는 바와 같이, 액정 표시 소자(100)의 TFT 기판(102)은, TFT(105)(도 4 중에는 도시되지 않음) 위에 형성된 제1 절연막(106)과, 제1 절연막(106)에 형성된 콘택트 홀(107)과, 제1 절연막(106) 상 및 콘택트 홀(107)의 내벽 상에 형성되고 콘택트 홀(107)을 개재하여 TFT(105)의 소스 전극(134)과 전기적으로 접속하는 제1 전극(108)과, 콘택트 홀(107)을 메우도록 형성되어 TFT 기판(102)의 표면을 평탄화하는 제2 절연막(109)을 갖는다. 4 and 5, the TFT substrate 102 of the liquid crystal display element 100 includes a first insulating film 106 formed on the TFT 105 (not shown in FIG. 4) A contact hole 107 formed in the insulating film 106 and a source electrode 134 formed on the first insulating film 106 and the inner wall of the contact hole 107 and connected to the TFT 105 via the contact hole 107. [ And a second insulating film 109 formed to fill the contact hole 107 and planarize the surface of the TFT substrate 102. The first electrode 108 and the second insulating film 109 are electrically connected to each other.

또한, TFT 기판(102)은, 제2 절연막(109) 위에 형성되고, 그 일부인 단부에 의해, 제1 절연막(106) 상의 제1 전극(108)에 전기적으로 접속하는 제2 전극(110)을 갖는다. The TFT substrate 102 is formed on the second insulating film 109 and has a second electrode 110 electrically connected to the first electrode 108 on the first insulating film 106 by an end portion of the second insulating film 109 .

본 실시 형태의 액정 표시 소자(100)에서는, 제1 전극(108) 및 그것에 전기적으로 접속하는 제2 전극(110)이, 일체가 되어 화소 전극을 구성한다. In the liquid crystal display element 100 of the present embodiment, the first electrode 108 and the second electrode 110 electrically connected thereto constitute a pixel electrode together.

또한, 액정 표시 소자(100)는, 대향 기판(103)의 액정(104)측에, 제3 전극(112)을 갖는다. 본 실시 형태의 액정 표시 소자(100)에 있어서는, 제3 전극(112)이 공통 전극을 구성한다. The liquid crystal display element 100 also has a third electrode 112 on the liquid crystal 104 side of the counter substrate 103. In the liquid crystal display element 100 of the present embodiment, the third electrode 112 constitutes a common electrode.

그 결과, 액정 표시 소자(100)는, TFT 기판(102) 상의 제1 전극(108) 및 제2 전극(110)과, 대향 기판(103) 상의 제3 전극(112)과의 사이에 전압을 인가하여 액정(104)을 구동하도록 구성되어 있다. 액정 표시 소자(100)는, 제1 전극(108) 및 제2 전극(110)과, 대향 기판(103) 상의 제3 전극(112)과의 사이에 전압을 인가하여, 부의 유전 이방성을 갖는 액정(104)을 구동하도록 구성되고, VA 모드의 액정 표시 소자를 구성하고 있다. As a result, in the liquid crystal display element 100, a voltage is applied between the first electrode 108 and the second electrode 110 on the TFT substrate 102 and the third electrode 112 on the counter substrate 103 And the liquid crystal 104 is driven. The liquid crystal display element 100 applies a voltage between the first electrode 108 and the second electrode 110 and the third electrode 112 on the counter substrate 103 to apply a voltage between the liquid crystal display element 100 having negative dielectric anisotropy And drives the liquid crystal panel 104 to constitute a VA mode liquid crystal display element.

이하, 본 발명의 제2 실시 형태의 VA 모드의 액정 표시 소자(100)의 구성에 대해서, 보다 상세하게 설명한다. 맨 처음에, 액정 표시 소자(100)의 평면 구조, 특히 화소의 주요한 평면 구조에 대해서, 도 5를 주로 이용하여 설명한다. Hereinafter, the configuration of the VA mode liquid crystal display element 100 according to the second embodiment of the present invention will be described in more detail. First, the planar structure of the liquid crystal display element 100, particularly, the principal plane structure of the pixel will be mainly described with reference to FIG.

액정 표시 소자(100)에서는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 종방향으로 연재하는 신호선(130)과 횡방향으로 연재하는 주사선(131)으로 둘러싸인 영역에 화소가 형성되어 있다. 주사선(131) 위에 화소 전극을 구성하는 제1 전극(108) 및 제2 전극(110)에 영상 신호의 공급을 제어하는, 스위칭을 위한 TFT(105)가 형성되어 있다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 주사선(131)이 TFT(105)의 게이트 전극을 겸하고 있으며, 주사선(131) 위에 어모퍼스-실리콘(a-Si) 또는 미결정 실리콘에 의한 반도체층(132)이 형성되어 있다. In the liquid crystal display element 100, as shown in Fig. 5, pixels are formed in a region surrounded by the signal line 130 extending in the longitudinal direction and the scanning line 131 extending in the transverse direction. On the scanning line 131, a TFT 105 for switching, which controls the supply of a video signal to the first electrode 108 and the second electrode 110 constituting the pixel electrode, is formed. 5, the scanning line 131 also serves as a gate electrode of the TFT 105, and a semiconductor layer 132 of amorphous-silicon (a-Si) or microcrystalline silicon is formed on the scanning line 131 .

반도체층(132) 위에는, 신호선(130)에 접속하는 드레인 전극(133)이 단부에서 중첩하도록 형성되고, 그 드레인 전극(133)과 이간하여 대향하도록, 소스 전극(134)이 형성되어 있다. 소스 전극(134)은, 화소의 형성 영역에 연재하고, 콘택트 홀(107)을 개재하여 제1 전극(108)에 전기적으로 접속한다. A source electrode 134 is formed on the semiconductor layer 132 such that the drain electrode 133 connected to the signal line 130 overlaps the drain electrode 133 and is spaced away from the drain electrode 133. The source electrode 134 extends in the pixel formation region and electrically connects to the first electrode 108 through the contact hole 107.

도 5에 나타내는 바와 같이, 제1 전극(108)은, 평면 평판 형상으로 형성되어 있다. 또한, 제2 전극(110)은, 콘택트 홀(107)을 덮음과 동시에, 그 단부에서 제1 전극(108)과 컨택하도록 평판 형상으로 형성되어 있다. As shown in Fig. 5, the first electrode 108 is formed in a flat plate shape. The second electrode 110 is formed in a flat plate shape so as to cover the contact hole 107 and to contact the first electrode 108 at the end thereof.

또한, 제1 전극(108) 및 제2 전극(110)은, 전술한 바와 같이, 일체가 되어 화소 전극을 구성하지만, 도 5에 나타내는 예에서는, 각각 평판 형상으로 형성되어 있다. 그러나, 액정 표시 소자(100)에서는, 다른 예로서, 제1 전극(108) 및 제2 전극(110)이, 각각, 전극 미형성의 부분이 되는 슬릿 형상의 절결부를 가질 수 있다. 그 경우, 도 5에 나타내는 바와 같이 제1 전극(108) 및 제2 전극(110)을 형성한 후, 그들을 일괄적으로 패터닝하고, 제1 전극(108) 및 제2 전극(110)에 절결부를 형성할 수 있다. The first electrode 108 and the second electrode 110 constitute a pixel electrode as a whole as described above, but in the example shown in Fig. 5, the first electrode 108 and the second electrode 110 are each formed in a flat plate shape. However, in the liquid crystal display element 100, as another example, the first electrode 108 and the second electrode 110 may each have a slit-shaped notch portion serving as a portion where electrode is not formed. 5, after the first electrode 108 and the second electrode 110 are formed, they are collectively patterned, and the first electrode 108 and the second electrode 110 are cut to form a cut- Can be formed.

제1 전극(108) 및 제2 전극(110)이 절결부를 가짐으로써, 액정 표시 소자(100)는, 제1 전극(108) 및 제2 전극(110)과, 대향 기판(103) 상의 제3 전극(112)과의 사이에 전압을 인가했을 때에, 기판면에 수직인 전계와 함께 약간 경사지는 전계를 발생시킬 수 있어, 액정(104)의 경사 방향을 제어할 수 있다. The first electrode 108 and the second electrode 110 have a notch so that the liquid crystal display element 100 has the first electrode 108 and the second electrode 110 and the second electrode 110 on the counter substrate 103 It is possible to generate an electric field slightly inclined with the electric field perpendicular to the substrate surface when the voltage is applied between the third electrode 112 and the slope direction of the liquid crystal 104 can be controlled.

도 5에 나타내는 액정 표시 소자(100)에 있어서, 제1 전극(108)은, TFT(105)의 어느 단부로부터 연재하여 화소에 있어서 소스 전극(134)을 덮고 있다. 제2 전극(110)도, 콘택트 홀(107)을 메우는 제2 절연막(109)(도 5 중, 도시되지 않음) 위에 형성되어, 소스 전극(134)을 덮고 있다. 그리고, 제2 전극(110)은, 전술한 바와 같이, 제2 절연막(109)를 개재하여 제1 전극(108)을 덮음과 동시에, 그 일부인 단부에서 제1 전극(108)에 전기적으로 접속하고 있다. In the liquid crystal display element 100 shown in Fig. 5, the first electrode 108 extends from one end of the TFT 105 and covers the source electrode 134 in the pixel. The second electrode 110 is also formed on the second insulating film 109 (not shown in FIG. 5) filling the contact hole 107 to cover the source electrode 134. The second electrode 110 covers the first electrode 108 via the second insulating film 109 and is electrically connected to the first electrode 108 at an end portion thereof as described above have.

다음으로, 액정 표시 소자(100)의 단면 구조, 특히 화소의 단면 구조에 대해서, 주로 도 4를 이용하여 설명한다. Next, the sectional structure of the liquid crystal display element 100, particularly, the sectional structure of the pixel will be mainly described with reference to FIG.

액정 표시 소자(100)는, 도 4에 나타내는 바와 같이, TFT 기판(102) 위에, 도 5의 TFT(105)에서 사용되는 게이트 절연막(121)이 형성되고, 그 위에 TFT(105)로부터 연재한 소스 전극(134)이 형성되어 있다. 이 부분의 소스 전극(134)은, 도시되지 않는 백 라이트로부터의 빛을 차광할 수 있다. 소스 전극(134)를 덮어, 무기 패시베이션막(122)이 형성되고, 그 위에 평탄화막을 겸한 제1 절연막(106)이 형성되어 있다. 무기 패시베이션막(122)은, 예를 들면, SiO₂ 등의 금속 산화물이나 SiN 등의 금속 질화물로 형성할 수 있다. 4, the liquid crystal display element 100 has a structure in which a gate insulating film 121 used in the TFT 105 of FIG. 5 is formed on a TFT substrate 102, A source electrode 134 is formed. The source electrode 134 in this portion can shield light from a backlight (not shown). An inorganic passivation film 122 is formed covering the source electrode 134 and a first insulating film 106 serving also as a planarizing film is formed thereon. The inorganic passivation film 122 can be formed of, for example, a metal oxide such as SiO ₂ or a metal nitride such as SiN.

또한, 본 실시 형태의 액정 표시 소자(100)에 있어서, 제1 절연막(106)은, 후술하는 제1 감방사선성 수지 조성물을 이용한 패터닝에 의해 형성된 유기 절연막이다. 제1 절연막(106)은, 예를 들면, 0.5㎛∼6㎛의 막두께로 형성할 수 있다. In the liquid crystal display element 100 of the present embodiment, the first insulating film 106 is an organic insulating film formed by patterning using a first radiation sensitive resin composition described later. The first insulating film 106 can be formed to have a thickness of, for example, 0.5 m to 6 m.

제1 절연막(106)에는, 제1 전극(108)이 소스 전극(134)에 전기적으로 접속하기 위한 콘택트 홀(107)이 형성되어 있다. 콘택트 홀(107)의 형성 방법은, 전술한 제1 실시 형태의 액정 표시 소자(1)의 콘택트 홀(7)의 형성 방법과 동일하게 할 수 있다. A contact hole 107 for electrically connecting the first electrode 108 to the source electrode 134 is formed in the first insulating film 106. The method of forming the contact hole 107 can be the same as the method of forming the contact hole 7 of the liquid crystal display element 1 of the first embodiment described above.

제2 절연막(106)에 형성된 콘택트 홀(107)은, 제1 전극(108)을 소스 전극(134)에 접속시키기 위한 하공과, 그보다도 지름이 큰 상공과, 하공과 상공을 연결하는 내벽으로 구성되어 있다. 콘택트 홀(107)의 내벽을 덮도록 형성되는 제1 전극(108)의 단선을 방지하기 위해서는, 콘택트 홀(107)의 테이퍼각을 45도 이하로 하는 것이 바람직하다. 그 때문에, TFT 기판(102) 상의 콘택트 홀(107)은, 평면에서 볼 때, 큰 면적을 갖게 된다. The contact hole 107 formed in the second insulating film 106 has a lower hole for connecting the first electrode 108 to the source electrode 134 and an upper hole having a diameter larger than the lower hole and an inner wall for connecting the lower electrode and the upper electrode Consists of. In order to prevent disconnection of the first electrode 108 formed to cover the inner wall of the contact hole 107, the taper angle of the contact hole 107 is preferably 45 degrees or less. Therefore, the contact hole 107 on the TFT substrate 102 has a large area when viewed in plan view.

그리고, 제1 절연막(106) 및 콘택트 홀(107)을 덮도록, 제1 절연막(106) 상 및 콘택트 홀(107)의 내벽 상에, 제1 전극(108)이 형성되어 있다. 제1 전극(108)은, 예를 들면, ITO를 이용하여 형성된다. 액정 표시 소자(100)에 있어서, 화소 전극이 되는 제1 전극(108)은, 전술한 바와 같이, 예를 들면, 평면 평판 형상으로 형성되어 있다. 제1 전극(108)은, 콘택트 홀(107)을 개재하여, 소스 전극(134)에 전기적으로 접속하고 있다. A first electrode 108 is formed on the first insulating film 106 and the inner wall of the contact hole 107 so as to cover the first insulating film 106 and the contact hole 107. [ The first electrode 108 is formed using, for example, ITO. In the liquid crystal display element 100, the first electrode 108, which is a pixel electrode, is formed in a flat plate shape, for example, as described above. The first electrode 108 is electrically connected to the source electrode 134 through the contact hole 107.

또한, 액정 표시 소자(100)는, 콘택트 홀(107)을 메우도록 형성된 제2 절연막(109)을 갖는다. 제2 절연막(109)은, 후술하는 제2 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 형성된 유기 절연막이다. 액정 표시 소자(100)의 제2 절연막(109)은, TFT 기판(102)의 콘택트 홀(107)을 메워, TFT 기판(102)의 표면을 평탄화하는 기능을 갖는다. In addition, the liquid crystal display element 100 has a second insulating film 109 formed to fill the contact hole 107. The second insulating film 109 is an organic insulating film formed using a second radiation-sensitive resin composition described later. The second insulating film 109 of the liquid crystal display element 100 has a function of filling the contact hole 107 of the TFT substrate 102 and planarizing the surface of the TFT substrate 102. [

또한, 제2 절연막(109)의 형성 방법은, 전술한 제1 실시 형태의 액정 표시 소자(1)의 제2 절연막(9)의 형성 방법과 동일하게 할 수 있다. The method of forming the second insulating film 109 can be the same as the method of forming the second insulating film 9 of the liquid crystal display element 1 of the first embodiment described above.

따라서, 예를 들면, 콘택트 홀(107) 등을 형성하기 위해 제1 절연막(106)의 패터닝에서 사용한 포토마스크를 사용하고, 패터닝을 행하여 제2 절연막(109)을 형성할 수 있다. Therefore, for example, the second insulating film 109 can be formed by patterning the photomask used for patterning the first insulating film 106 to form the contact hole 107 and the like.

즉, 1종류의 포토마스크를 사용하여 콘택트 홀(107)을 갖는 제1 절연막(106)을 형성하고, 그것을 덮는 제1 전극(108)을 형성한 후, 그 마스크를 재차 사용하여, 제2 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 제2 절연막(109)을 형성할 수 있다. That is, a first insulating film 106 having a contact hole 107 is formed using one type of photomask, a first electrode 108 is formed to cover the first insulating film 106, and then the mask is used again to form a second insulating film The second insulating film 109 can be formed using the radiation-curable resin composition.

그 경우, 예를 들면, 포지티브형의 제1 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 포토마스크를 개재한 노광과 현상에 의한 패터닝을 행하여, 콘택트 홀(107)이 형성된 제1 절연막(106)을 형성한다. 이어서, 제1 전극(108)을 형성한다. 그 후, 네거티브형의 제2 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 전술한 바와 동일한 포토마스크를 이용한 동일한 노광과 현상을 행하여, 콘택트 홀(107)을 메우는 제2 절연막(109)을 형성할 수 있다. In this case, for example, a first radiation sensitive resin composition of a positive type is used, and patterning by exposure and development through a photomask is performed to form a first insulating film 106 in which a contact hole 107 is formed do. Then, a first electrode 108 is formed. Thereafter, the second radiation-sensitive resin composition of negative type is used to form the second insulating film 109 filling the contact hole 107 by performing the same exposure and development using the same photomask as described above .

그리고, 액정 표시 소자(1)의 TFT 기판(102)은, 제2 절연막(109) 위에 형성되고, 그 일부인 단부에 의해, 제1 절연막(106) 상의 제1 전극(108)에 전기적으로 접속하는 제2 전극(110)을 갖는다. 제2 전극(110)은, 제1 전극(108)과 동일한 재료, 예를 들면, ITO를 이용하여 형성할 수 있다. The TFT substrate 102 of the liquid crystal display element 1 is formed on the second insulating film 109 and is electrically connected to the first electrode 108 on the first insulating film 106 by an end portion of the second insulating film 109 And a second electrode (110). The second electrode 110 can be formed using the same material as the first electrode 108, for example, ITO.

본 실시 형태의 액정 표시 소자(100)에 있어서, 제1 전극(108) 및 제2 전극(110)은 서로 전기적으로 접속되어 있으며, 일체가 되어, 화소 전극으로서 기능할 수 있다. In the liquid crystal display element 100 of the present embodiment, the first electrode 108 and the second electrode 110 are electrically connected to each other and can function as a pixel electrode as a whole.

제1 전극(108) 및 제2 전극(110) 위에는, 액정(104)을 배향시키기 위한 배향막(140)이 형성되어 있다. 배향막(140)은, 수직 배향형의 배향막이다. 배향막(140)은, 예를 들면, 러빙 처리나 광배향 처리 등의 적합한 배향 처리가 행해져 있고, 전압 무인가시의 액정(104)의 균일한 초기 배향을 실현할 수 있다. 즉, 액정(104)이 기판면에 대하여 완전하게 수직으로 배향하는 것이 아니라, 기판 계면의 액정(104)은, 작은 프리틸트각을 갖고, 균일하게 대략 수직 배향하는 초기 배향을 실현할 수 있다. On the first electrode 108 and the second electrode 110, an alignment film 140 for aligning the liquid crystal 104 is formed. The alignment film 140 is a vertical alignment type alignment film. The alignment film 140 is subjected to suitable alignment treatment such as rubbing treatment, photo alignment treatment, and the like, and uniform initial alignment of the liquid crystal 104 when no voltage is applied can be realized. That is, the liquid crystal 104 at the interface of the substrate has a small pretilt angle, and can realize an initial alignment uniformly and substantially vertically aligned, instead of the liquid crystal 104 being completely perpendicular to the substrate surface.

또한, 본 실시 형태의 액정 표시 소자(100)에 있어서는, 배향막(140) 및 후술하는 대향 기판(103) 상의 배향막(144)을 형성하는 일 없이, 또는, 그들 배향막(140, 144)을 형성한 후에, 액정(104) 중에 광중합성의 모노머를 혼입시키고, 그것을 광중합시킴으로써, 전술한 액정(104)의 초기 배향을 실현하는 것도 가능하다. In the liquid crystal display element 100 of the present embodiment, the alignment film 140 and the alignment film 144 on the counter substrate 103 to be described later are not formed, or the alignment films 140 and 144 are formed The initial alignment of the liquid crystal 104 described above can be realized by incorporating a photopolymerizable monomer into the liquid crystal 104 and then photopolymerizing it.

액정 표시 소자(100)는, 액정(104)을 사이에 두고, 제2 기판인 대향 기판(103)을 갖는다. 대향 기판(103)에는, 블랙 매트릭스(141), 컬러 필터(142)가 형성되고, 이들을 덮어 평탄화막(143)이 형성되고, 그 위에 제3 전극(112)이 형성되고, 또한 그 위에 배향막(144)이 형성되어 있다. The liquid crystal display element 100 has a counter substrate 103 as a second substrate with a liquid crystal 104 interposed therebetween. A black matrix 141 and a color filter 142 are formed on the counter substrate 103. A flattening film 143 is formed on the black matrix 141 and a third electrode 112 is formed thereon. 144 are formed.

대향 기판(103) 상의 배향막(144)은, TFT 기판(102) 상의 배향막(140)과 동일한 것이며, 적당한 배향 처리가 행해져, 액정(104)의 초기 배향으로서, 대략 수직 배향을 실현할 수 있다. The alignment film 144 on the counter substrate 103 is the same as the alignment film 140 on the TFT substrate 102 and is appropriately aligned so that the liquid crystal 104 can be substantially aligned in the initial orientation.

액정 표시 소자(100)는, 제3 전극(112)을, 대향 기판(103) 위에 갖는다. 그리고 전술한 바와 같이, 본 실시 형태의 액정 표시 소자(100)에 있어서, 제3 전극(112)은, 다른 화소에도 공통되는 공통 전극을 구성한다. The liquid crystal display element 100 has the third electrode 112 on the counter substrate 103. As described above, in the liquid crystal display element 100 of the present embodiment, the third electrode 112 constitutes a common electrode common to other pixels.

이상의 구성을 갖는 본 실시 형태의 액정 표시 소자(100)에서는, 화상 표시를 위해, TFT 기판(102) 상의 제1 전극(108) 및 제2 전극(110)에 영상 신호가 인가되고, 그들과 대향 기판(103) 상의 제3 전극(112)과의 사이에 전압이 인가되면, 그들 사이에 전계가 발생한다. 즉, 제1 전극(108) 및 제2 전극(110)과 제3 전극(112)과의 사이에 전압이 인가됨으로써, 액정(104) 중에, TFT 기판(102)의 기판면과 수직인 전계가 발생한다. In the liquid crystal display element 100 of the present embodiment having the above configuration, image signals are applied to the first electrode 108 and the second electrode 110 on the TFT substrate 102 for image display, When a voltage is applied to the third electrode 112 on the substrate 103, an electric field is generated between them. That is, a voltage is applied between the first electrode 108 and the second electrode 110 and the third electrode 112, whereby an electric field perpendicular to the substrate surface of the TFT substrate 102 is formed in the liquid crystal 104 Occurs.

그 결과, 부의 유전 이방성을 갖는 액정(104)은, 그 전계에 의해 구동되고,초기 배향인 대략 수직 배향 상태로부터, 기판면과 평행한 방향으로 배향하도록 경사 동작을 한다. As a result, the liquid crystal 104 having a negative dielectric anisotropy is driven by the electric field and is tilted so as to be oriented in a direction parallel to the substrate surface from a substantially vertical alignment state in which the alignment is initial.

액정 표시 소자(100)는, TFT 기판(102)의 반액정측의 면 및 대향 기판(103)의 반액정측의 면에, 각각 도시되지 않는 편광판을 갖고, 한 쌍의 편광판에 의해 액정(104)이 협지되는 구조를 갖는다. 따라서, 액정 표시 소자(100)는, 전술한 수직 전계에 의한 액정(104)의 배향 변화에 의해, 빛을 부분적으로 투과하거나, 차폐하거나 할 수 있고, 이러한 특성을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. The liquid crystal display element 100 has polarizing plates (not shown) on the semi-liquid crystal side and the semi-liquid crystal side of the TFT substrate 102 and the liquid crystal 104 ) Are sandwiched. Accordingly, the liquid crystal display element 100 can partially transmit or shield the light due to the orientation change of the liquid crystal 104 by the above-described vertical electric field, and can display an image using such a characteristic .

그리고, 액정 표시 소자(100)에 있어서는, TFT 기판(102)에 형성된 콘택트 홀(107)이 제2 절연막(109)에 의해 메워져, TFT 기판(102)의 표면은 평탄화되어 있다. 따라서, 액정 표시 소자(100)에서는, 콘택트 홀(107)에 의한 액정(104)의 배향 흐트러짐이나, 오목부에 의한 투과율 및 액정(104)의 응답 특성의 저하가 저감되어 있다. 즉, 액정 표시 소자(100)는, TFT 기판(102)에 형성된 콘택트 홀(107)의 영향을 작게 할 수 있고, 소스 전극(134) 등의 차광 수단을 크게 형성할 필요가 없어, 휘도 특성을 향상시킬 수 있다. In the liquid crystal display element 100, the contact hole 107 formed in the TFT substrate 102 is filled with the second insulating film 109, and the surface of the TFT substrate 102 is planarized. Therefore, in the liquid crystal display element 100, the alignment disorder of the liquid crystal 104 caused by the contact hole 107 and the decrease of the transmittance due to the concave portion and the response characteristic of the liquid crystal 104 are reduced. That is, the liquid crystal display element 100 can reduce the influence of the contact hole 107 formed in the TFT substrate 102, and it is not necessary to form a large shielding means such as the source electrode 134, Can be improved.

또한, 도 4 등에 나타낸 본 발명의 제2 실시 형태의 액정 표시 소자(100)에서는, 콘택트 홀(107)이 제2 절연막(109)에 의해 메워져 있다. 그리고, TFT 기판(102)의 표면은 고(高)균일하게 평탄화되어 있다. 그러나, 본 실시 형태의 액정 표시 소자(100)에서는, 제2 절연막(109)을 형성하는 제2 감방사선성 수지 조성물의 조성의 선택이나 제2 절연막(109)의 형성 방법에 따라, 제2 절연막(109)의 상부 표면(액정(104)측의 표면)이 약간 오목하게 형성되는 경우가 있다. In the liquid crystal display element 100 according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. 4 and others, the contact hole 107 is filled with the second insulating film 109. The surface of the TFT substrate 102 is planarized uniformly. However, in the liquid crystal display element 100 of the present embodiment, depending on the selection of the composition of the second radiation-sensitive resin composition forming the second insulating film 109 and the method of forming the second insulating film 109, (The surface on the side of the liquid crystal 104) of the liquid crystal layer 109 may be formed to be slightly concave.

도 6은, 본 발명의 제2 실시 형태의 VA 모드의 액정 표시 소자의 다른 예의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 6 is a cross-sectional view schematically showing a structure of another example of a VA mode liquid crystal display element according to a second embodiment of the present invention.

또한, 도 6에 나타내는 본 발명의 제2 실시 형태의 다른 예인 VA 모드의 액정 표시 소자(100-2)는, 제2 절연막(109-2)의 형상이 상이한 것 이외에, 도 4 등에 나타낸 액정 표시 소자(100)와 동일한 구조를 갖는다. 따라서, 공통되는 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 붙여, 중복되는 설명은 생략한다. The VA mode liquid crystal display element 100-2, which is another example of the second embodiment of the present invention shown in Fig. 6, is different from the VA mode liquid crystal display element 100-2 in that the shape of the second insulating film 109-2 is different, And has the same structure as that of the device 100. Therefore, common elements are denoted by the same reference numerals, and redundant explanations are omitted.

본 발명의 제2 실시 형태의 다른 예인 VA 모드의 액정 표시 소자(100-2)에서는, 제2 전극(110-2)이 형성되는 제2 절연막(109-2)의 상부 표면(액정(104)측의 표면)이 약간 오목하게 형성되어 있다. 그러나, 액정 표시 소자(100-2)에 있어서는, TFT 기판(102)에 형성된 콘택트 홀(107)이 제2 절연막(109-2)에 의해 메워져 있고, TFT 기판(102)의 표면은, 제2 절연막(109-2)을 형성하지 않는 경우에 비해 평탄화 되어 있다. 따라서, 액정 표시 소자(100-2)에서는, 제2 절연막(109-2)을 형성하지 않는 경우에 비해, 콘택트 홀(107)에 의한 액정(104)의 배향 흐트러짐이 저감되어, 오목부에 의한 투과율 및 액정(104)의 응답 특성의 저하가 완화되어 있다. 즉, 액정 표시 소자(100-2)는, TFT 기판(102)에 형성된 콘택트 홀(107)의 영향을 작게 할 수 있고, 소스 전극(134) 등의 차광 수단을 크게 형성할 필요가 없어, 휘도 특성을 향상시킬 수 있다. In the VA mode liquid crystal display element 100-2 which is another example of the second embodiment of the present invention, the upper surface (liquid crystal 104) of the second insulating film 109-2 on which the second electrode 110-2 is formed, Side surface) is slightly recessed. However, in the liquid crystal display element 100-2, the contact hole 107 formed in the TFT substrate 102 is filled with the second insulating film 109-2, and the surface of the TFT substrate 102 is filled with the second Is planarized as compared with the case where the insulating film 109-2 is not formed. Therefore, in the liquid crystal display element 100-2, the alignment disturbance of the liquid crystal 104 caused by the contact hole 107 is reduced as compared with the case where the second insulating film 109-2 is not formed, And the lowering of the transmittance and the response characteristic of the liquid crystal 104 is alleviated. That is, the liquid crystal display element 100-2 can reduce the influence of the contact hole 107 formed in the TFT substrate 102, and does not need to form a large shielding means such as the source electrode 134, The characteristics can be improved.

본 발명의 제1 및 제2 실시 형태인 액정 표시 소자에 있어서, 제1 절연막을 형성하기 위해 사용된 제1 감방사선성 수지 조성물, 및, 제1 절연막이 갖는 콘택트 홀을 메우기 위해 사용된 제2 감방사선성 수지 조성물에 대해서, 보다 상세하게 설명한다. In the liquid crystal display element of the first and second embodiments of the present invention, the first radiation-sensitive resin composition used for forming the first insulating film and the second radiation-sensitive resin composition used for forming the second insulating film The radiation-sensitive resin composition will be described in more detail.

실시 형태 3. Embodiment 3:

＜제1 감방사선성 수지 조성물＞ <First Sensitive Radiation Resin Composition>

본 발명의 제3 실시 형태인 제1 감방사선성 수지 조성물은, 본 발명의 제1 및 제2 실시 형태인 액정 표시 소자의 제1 절연막의 형성에 적합하게 이용된다. 본 실시 형태의 제1 감방사선성 수지 조성물은, 포지티브형 및 네거티브형 중 어느 감방사선성도 선택하여 구비하는 것이 가능하다. The first radiation sensitive resin composition according to the third embodiment of the present invention is suitably used for forming the first insulation film of the liquid crystal display element of the first and second embodiments of the present invention. The first radiation-sensitive resin composition of the present embodiment can be provided by selecting either positive or negative radiation-sensitive properties.

본 실시 형태의 제1 감방사선성 수지 조성물은, 포지티브형, 네거티브형 모두, 알칼리 가용성 수지를 필수 성분으로 하고, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물인 경우, 광산발생제를 필수 성분으로서 함유하고, 네거티브형 감방사선성 수지 조성물인 경우는, 중합성 화합물 및 감방사선성 중합 개시제를 함유한다. The first radiation-sensitive resin composition of the present embodiment contains an alkali-soluble resin as an essential component in both the positive and negative types, and in the case of the positive-tone radiation-sensitive resin composition, contains a photoacid generator as an essential component, When the composition is a radiation-sensitive resin composition, it contains a polymerizable compound and a radiation-sensitive polymerization initiator.

전술한 알칼리 가용성 수지는, 카복실기를 갖는 구성 단위와 중합성기를 갖는 구성 단위를 포함하는 중합체이면 좋고, 아크릴계 수지, 폴리실록산, 폴리벤조옥사졸, 폴리암산을 탈수 폐환하여 이미드화함으로써 얻어지는 폴리이미드 수지, 노볼락 수지, 사이클로올레핀계 수지 등이 바람직하다. The above-described alkali-soluble resin may be a polymer containing a constituent unit having a carboxyl group and a constituent unit having a polymerizable group, and may be a polyimide resin obtained by imidizing an acrylic resin, a polysiloxane, a polybenzoxazole, Novolak resins, cycloolefin resins and the like are preferable.

또한 알칼리 가용성 수지의 구성 단위에, 에폭시기, 옥세타닐기, (메타)아크릴로일기 등의 열가교성기를 포함하는 것이 바람직하고, 알칼리 가용성 수지와는 별도로, 에폭시기, 옥세타닐기, (메타)아크릴로일기 등의 열가교성기를 포함하는 수지와 병용하는 것도 가능하다. Further, it is preferable that the constituent units of the alkali-soluble resin include thermally crosslinkable groups such as epoxy group, oxetanyl group and (meth) acryloyl group. In addition to the alkali-soluble resin, an epoxy group, oxetanyl group, It is also possible to use it in combination with a resin including a heat-crosslinkable group such as diol.

이러한 열가교성기를 포함하는 수지를 사용함으로써, 얻어지는 절연막의 내열성, 내용제성을 향상시키는 것이 가능하다. By using such a resin containing a thermally crosslinkable group, it is possible to improve the heat resistance and solvent resistance of the resulting insulating film.

또한, 포지티브형의 제1 감방사선성 수지 조성물에 이용하는, 산발생제로서는, 퀴논디아지드 화합물이나 옥심술포네이트 화합물, 오늄염, 술폰이미드 화합물, 할로겐 함유 화합물, 디아조메탄 화합물, 술폰 화합물, 술폰산 에스테르 화합물 및 카본산 에스테르 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서 특히 퀴논디아지드 화합물이나 옥심술포네이트 화합물, 오늄염 및 술폰이미드 화합물이 바람직하다. Examples of the acid generator used in the positive first radiation-sensitive resin composition include quinone diazide compounds, oxime sulfonate compounds, onium salts, sulfonimide compounds, halogen-containing compounds, diazomethane compounds, , Sulfonic acid ester compounds, and carbonic acid ester compounds. Of these, quinone diazide compounds, oxime sulfonate compounds, onium salts and sulfonimide compounds are particularly preferred.

또한, 네거티브형의 제1 감방사선성 수지 조성물에 이용하는 중합성 화합물로서는, 예를 들면, ω-카복시폴리카프로락톤모노(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디(메타)아크릴레이트, 디메틸올트리사이클로데칸디(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-(메타)아크릴로일옥시프로필메타크릴레이트, 2-(2'-비닐옥시에톡시)에틸(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 트리(2-(메타)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 에틸렌옥사이드 변성 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 숙신산 변성 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트 등 외에, 직쇄 알킬렌기 및 지환식 구조를 갖고 또한 2개 이상의 이소시아네이트기를 갖는 화합물과, 분자 내에 1개 이상의 수산기를 갖고 또한 3개∼5개의 (메타)아크릴로일옥시기를 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 우레탄(메타)아크릴레이트 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the polymerizable compound used in the negative first radiation sensitive resin composition include ω-carboxypolycaprolactone mono (meth) acrylate, ethylene glycol (meth) acrylate, 1,6-hexanediol Acrylates such as di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (Meth) acrylate, 2-hydroxy-3- (meth) acryloyloxypropyl methacrylate, 2- (2'- Trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, acryl (Meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, tri (methaacryloyloxyethyl) phosphate, ethylene oxide modified dipentaerythritol hexa (metha) acrylate, succinic acid modified pentaerythritol tri ) Acrylate, a compound having two or more isocyanate groups and having a linear alkylene group and an alicyclic structure, a compound having at least one hydroxyl group in the molecule and three to five (meth) acryloyloxy groups, And urethane (meth) acrylate compounds obtained by the reaction.

또한, 네거티브형의 제1 감방사선성 수지 조성물에 이용하는 감방사선성 중합 개시제로서는, 예를 들면, O-아실옥심 화합물, 아세토페논 화합물, 비이미다졸 화합물 등을 들 수 있다. 이들 화합물은, 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다. Examples of the radiation-sensitive polymerization initiator used in the negative first radiation-sensitive resin composition include O-acyloxime compounds, acetophenone compounds, and imidazole compounds. These compounds may be used alone or in combination of two or more.

이들 감방사선성 중합 개시제 중에서는, 특히, O-아실옥심 화합물이 바람직하고, 구체적으로는, 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸-4-테트라하이드로푸라닐메톡시벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심) 또는 에탄온-1-[9-에틸-6-{2-메틸-4-(2,2-디메틸-1,3-디옥솔라닐)메톡시벤조일}-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심)이 바람직하다. Among these radiation-sensitive polymerization initiators, O-acyloxime compounds are particularly preferable, and specifically, 1,2-octanedione-1- [4- (phenylthio) -2- (O- benzoyloxime) -9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O- acetyloxime), ethanone- Yl] -1- (O-acetyloxime) or ethanone-1- [9-ethyl-6- {2- Methyl-4- (2,2-dimethyl-1,3-dioxolanyl) methoxybenzoyl} -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime) is preferred.

본 실시 형태의 제1 감방사선성 수지 조성물은, 필요에 따라서 금속의 산화물 입자를 함유할 수 있다. 이러한 금속의 산화물 입자를 포함함으로써, 얻어지는 경화막의 굴절률, 유전율 등의 막 물성을 개질할 수 있다. The first radiation-sensitive resin composition of the present embodiment may contain metal oxide particles as required. By including such metal oxide particles, the physical properties of the resulting cured film such as the refractive index and dielectric constant can be modified.

전술한 금속 산화물 입자로서는, 알루미늄, 지르코늄, 티타늄, 아연, 인듐, 주석, 안티몬 및 세륨으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 금속의 산화물 입자를 들 수 있고, 이 중에서도 지르코늄, 티타늄 또는 아연의 산화물 입자가 바람직하고, 지르코늄 또는 티타늄의 산화물 입자가 보다 바람직하다. 또한, 이들에 추가로, 혹은, 이들을 대신하여 티탄산염을 이용하는 것도 가능하다. Examples of the above metal oxide particles include oxide particles of at least one metal selected from the group consisting of aluminum, zirconium, titanium, zinc, indium, tin, antimony and cerium. Among them, oxide particles of zirconium, titanium or zinc And oxide particles of zirconium or titanium are more preferable. It is also possible to use a titanate in addition to or in place of these.

이들 금속 산화물 입자는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 또한, 전술한 금속 산화물 입자로서는, 상기 예시한 금속의 복합 산화물 입자라도 좋다. 이 복합 산화물 입자로서는 예를 들면, ATO(Antimony-Tin Oxide), ITO, IZO(Indium-Zinc Oxide) 등을 들 수 있다. 이들 금속 산화물 입자로서는, 시판의 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 씨아이 카세이(주)에 의한 나노텍(NanoTek) 등을 사용할 수 있다. These metal oxide particles may be used singly or in combination of two or more. The above-mentioned metal oxide particles may be composite oxide particles of the above-exemplified metal. Examples of the composite oxide particles include ATO (Antimony-Tin Oxide), ITO, and IZO (Indium-Zinc Oxide). As these metal oxide particles, commercially available ones can be used. For example, NanoTek manufactured by CI Kasei Co., Ltd. can be used.

실시 형태 4. Embodiment 4.

＜제2 감방사선성 수지 조성물＞ &Lt; Second radiation sensitive resin composition >

본 발명의 제4 실시 형태인 제2 감방사선성 수지 조성물은, 본 발명의 제1 및 제2 실시 형태인 액정 표시 소자의 제2 절연막의 형성에 적합하게 이용할 수 있다. 본 실시 형태의 제2 감방사선성 수지 조성물은, 포지티브형 및 네거티브형의 어느 감방사선성도 선택하여 구비하는 것이 가능하다. The second radiation-sensitive resin composition as the fourth embodiment of the present invention can be suitably used for forming the second insulation film of the liquid crystal display element of the first and second embodiments of the present invention. The second radiation-sensitive resin composition of the present embodiment can be provided by selecting any one of the positive and negative radiation-sensitive properties.

그리고, 본 발명의 액정 표시 소자의 제1 절연막을 형성하기 위해, 전술한 본 발명의 제3 실시 형태인 제1 감방사선성 수지 조성물에 포지티브형의 감방사선성 수지 조성물을 선택한 경우, 본 실시 형태의 제2 감방사선성 수지 조성물은, 네거티브형의 감방사선성을 선택하여 구비하는 것이 가능하다. 이와 같이 함으로써, 본 발명의 액정 표시 소자의 제조에 있어서, 전술한 바와 같이, 제1 절연막 및 제2 절연막의 형성을 동일한 포토마스크를 이용하여 실현할 수 있다. When a positive radiation-sensitive resin composition is selected for the first radiation-sensitive resin composition as the third embodiment of the present invention to form the first insulation film of the liquid crystal display element of the present invention, The second radiation-sensitive resin composition of the present invention can be provided with a negative radiation-sensitive property. In this manner, in the production of the liquid crystal display element of the present invention, as described above, the formation of the first insulating film and the second insulating film can be realized by using the same photomask.

본 실시 형태의 제2 감방사선성 수지 조성물은, 전술한 본 발명의 제3 실시 형태인 제1 감방사선성 수지 조성물과 동일하게, 포지티브형, 네거티브형 모두, 알칼리 가용성 수지를 필수 성분으로 한다. 그리고, 제2 감방사선성 수지 조성물이 포지티브형 감방사선성 수지 조성물인 경우, 광산발생제를 필수 성분으로서 함유하고, 네거티브형 감방사선성 수지 조성물인 경우는, 중합성 화합물 및 감방사선성 중합 개시제를 함유한다. The second radiation-sensitive resin composition of the present embodiment contains an alkali-soluble resin as an essential component in both the positive and negative types, as in the first radiation-sensitive resin composition of the third embodiment of the present invention described above. When the second radiation-sensitive resin composition is a positive-tone radiation-sensitive resin composition, it contains a photoacid generator as an essential component. In the case of a negative radiation-sensitive resin composition, the polymerizable compound and the radiation- Lt; / RTI >

이러한 열가교성기를 포함하는 수지를 사용함으로써, 얻어지는 절연막의 내열성, 내용제성을 향상하는 것이 가능하다. By using such a resin containing a thermally crosslinkable group, it is possible to improve the heat resistance and solvent resistance of the resulting insulating film.

또한, 포지티브형의 제2 감방사선성 수지 조성물에 이용하는, 산발생제로서는, 퀴논디아지드 화합물이나 옥심술포네이트 화합물, 오늄염, 술폰이미드 화합물, 할로겐 함유 화합물, 디아조메탄 화합물, 술폰 화합물, 술폰산 에스테르 화합물, 카본산 에스테르 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서 특히 퀴논디아지드 화합물이나 옥심술포네이트 화합물, 오늄염, 술폰이미드 화합물이 바람직하다. Examples of the acid generator used in the positive second radiation-sensitive resin composition include quinone diazide compounds, oxime sulfonate compounds, onium salts, sulfonimide compounds, halogen-containing compounds, diazomethane compounds, sulfone compounds , Sulfonic acid ester compounds, and carbonic acid ester compounds. Of these, quinone diazide compounds, oxime sulfonate compounds, onium salts and sulfonimide compounds are particularly preferred.

또한, 네거티브형의 제2 감방사선성 수지 조성물에 이용하는 중합성 화합물로서는, 예를 들면, ω-카복시폴리카프로락톤모노(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디(메타)아크릴레이트, 디메틸올트리사이클로데칸디(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-(메타)아크릴로일옥시프로필메타크릴레이트, 2-(2'-비닐옥시에톡시)에틸(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 트리(2-(메타)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 에틸렌옥사이드 변성 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 숙신산 변성 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트 등 외에, 직쇄 알킬렌기 및 지환식 구조를 갖고 또한 2개 이상의 이소시아네이트기를 갖는 화합물과, 분자 내에 1개 이상의 수산기를 갖고 또한 3개∼5개의 (메타)아크릴로일옥시기를 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 우레탄(메타)아크릴레이트 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the polymerizable compound used in the negative second radiation-sensitive resin composition include ω-carboxypolycaprolactone mono (meth) acrylate, ethylene glycol (meth) acrylate, 1,6-hexanediol Acrylates such as di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (Meth) acrylate, 2-hydroxy-3- (meth) acryloyloxypropyl methacrylate, 2- (2'- Trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, acryl (Meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, tri (methaacryloyloxyethyl) phosphate, ethylene oxide modified dipentaerythritol hexa (metha) acrylate, succinic acid modified pentaerythritol tri ) Acrylate, a compound having two or more isocyanate groups and having a linear alkylene group and an alicyclic structure, a compound having at least one hydroxyl group in the molecule and three to five (meth) acryloyloxy groups, And urethane (meth) acrylate compounds obtained by the reaction.

또한, 네거티브형의 제2 감방사선성 수지 조성물에 이용하는 감방사선성 중합 개시제로서는, 예를 들면, O-아실옥심 화합물, 아세토페논 화합물, 비이미다졸 화합물 등을 들 수 있다. 이들 화합물은, 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다. Examples of the radiation-sensitive polymerization initiator used in the negative-type second radiation-sensitive resin composition include O-acyloxime compounds, acetophenone compounds, and imidazole compounds. These compounds may be used alone or in combination of two or more.

이들 감방사선성 중합 개시제 중에서, 특히, O-아실옥심 화합물이 바람직하고, 구체적으로는, 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸-4-테트라하이드로푸라닐메톡시벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심) 또는 에탄온-1-[9-에틸-6-{2-메틸-4-(2,2-디메틸-1,3-디옥솔라닐)메톡시벤조일}-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심)이 바람직하다. Among these radiation-sensitive polymerization initiators, O-acyloxime compounds are particularly preferable, and specific examples thereof include 1,2-octanedione-1- [4- (phenylthio) -2- (O-benzoyloxime)], Ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O- acetyloxime), ethanone- 1- [ (2-methyl-4-tetrahydrofuranylmethoxybenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O- acetyloxime) or ethanone- 1- [ (2,2-dimethyl-1,3-dioxolanyl) methoxybenzoyl} -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime) is preferred.

본 실시 형태의 제2 감방사선성 수지 조성물은, 필요에 따라서 금속의 산화물 입자를 함유할 수 있다. 이러한 금속의 산화물 입자를 포함함으로써, 얻어지는 경화막의 굴절률이나 유전율 등의 막 물성을 개질할 수 있다. The second radiation-sensitive resin composition of the present embodiment may contain oxide particles of a metal, if necessary. By including such metal oxide particles, the physical properties such as the refractive index and dielectric constant of the resulting cured film can be modified.

전술한 금속 산화물 입자로서는, 알루미늄, 지르코늄, 티타늄, 아연, 인듐, 주석, 안티몬 및 세륨으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 금속의 산화물 입자를 들 수 있고, 이 중에서도 지르코늄, 티타늄 또는 아연의 산화물 입자가 바람직하고, 지르코늄 또는 티타늄의 산화물 입자가 보다 바람직하다. 또한, 이들에 추가로, 혹은, 이들을 대신하여 티탄산염을 이용하는 것도 가능하다. 티탄산염으로서는, 티탄산 바륨 등이 바람직하다. Examples of the above metal oxide particles include oxide particles of at least one metal selected from the group consisting of aluminum, zirconium, titanium, zinc, indium, tin, antimony and cerium. Among them, oxide particles of zirconium, titanium or zinc And oxide particles of zirconium or titanium are more preferable. It is also possible to use a titanate in addition to or in place of these. As the titanate, barium titanate and the like are preferable.

이들 금속 산화물 입자는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 또한, 전술한 금속 산화물 입자로서는, 상기 예시한 금속의 복합 산화물 입자라도 좋다. 이 복합 산화물 입자로서는 예를 들면, ATO(Antimony-Tin Oxide), ITO, IZO(Indium-Zinc Oxide) 등을 들 수 있다. 이들 금속 산화물 입자로서는, 시판의 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 씨아이 카세이(주)에 의한 나노텍 등을 사용할 수 있다. These metal oxide particles may be used singly or in combination of two or more. The above-mentioned metal oxide particles may be composite oxide particles of the above-exemplified metal. Examples of the composite oxide particles include ATO (Antimony-Tin Oxide), ITO, and IZO (Indium-Zinc Oxide). As these metal oxide particles, commercially available ones can be used. For example, Nanotech by CYCASE Co., Ltd. can be used.

(실시예) (Example)

이하, 실시예에 기초하여 본 발명의 실시 형태를 상술하지만, 이 실시예에 의해 본 발명이 한정적으로 해석되는 것은 아니다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail on the basis of examples, but the present invention is not limited to these examples.

실시예 1 Example 1

[알칼리 가용성 수지 (A-Ⅰ)의 합성] [Synthesis of alkali-soluble resin (A-I)] [

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 8질량부 및 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르 220질량부를 넣었다. 계속해서, 메타크릴산 15질량부, 3,4-에폭시사이클로헥실메틸메타아크릴레이트 45질량부, 메타크릴산 메틸 20질량부, 스티렌 5질량부, N-사이클로헥실말레이미드 15질량부를 넣고, 질소 치환한 후, 완만하게 교반하면서, 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보존유지하여 중합함으로써, 공중합체 (A-Ⅰ)을 함유하는 용액을 얻었다. 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는 31.9질량％이고, 공중합체 (A-Ⅰ)의 Mw는 10000, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.1이었다. 또한, 고형분 농도란 중합체 용액의 전체 질량에 차지하는 공중합체 질량의 비율을 의미한다. In a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, 8 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 220 parts by mass of diethylene glycol methyl ethyl ether were placed. Subsequently, 15 parts by mass of methacrylic acid, 45 parts by mass of 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 20 parts by mass of methyl methacrylate, 5 parts by mass of styrene and 15 parts by mass of N-cyclohexylmaleimide were charged, After the substitution, the temperature of the solution was raised to 70 占 폚 while gently stirring, and this temperature was maintained for 5 hours to polymerize to obtain a solution containing the copolymer (A-I). The solid content concentration of the obtained polymer solution was 31.9% by mass, the copolymer (A-I) had an Mw of 10000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 2.1. Also, the solid concentration means the ratio of the mass of the copolymer to the total mass of the polymer solution.

실시예 2 Example 2

[알칼리 가용성 수지 (A-Ⅱ)의 합성] [Synthesis of alkali-soluble resin (A-II)] [

교반기가 부착된 용기 내에, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 144질량부를 넣고, 이어서, 메틸트리메톡시실란 13질량부 및, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란 5질량부, 페닐트리메톡시실란 6질량부를 넣고, 용액 온도가 60℃가 될 때까지 가열했다. 용액 온도가 60℃에 도달 후, 이온 교환수 7질량부를 넣고, 75℃가 될 때까지 가열하고, 3시간 보존유지했다. 이어서 탈수제로서 오르토 포름산 메틸 25질량부를 첨가하고, 1시간 교반했다. 또한 용액 온도를 40℃로 하고, 이 온도를 유지하면서 이배퍼레이션함으로써, 물 및 가수분해 축합으로 발생한 알코올을 제거했다. 이상의 공정에 의해, (A-Ⅱ) 성분인 실록산 폴리머를 얻었다. 얻어진 가수분해 축합체의 수평균 분자량(Mn)은 2500이고, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2였다. In a vessel equipped with a stirrer, 144 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether was added, and then 13 parts by mass of methyltrimethoxysilane and 5 parts by mass of 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 6 parts by mass of phenyltrimethoxysilane And the mixture was heated until the solution temperature reached 60 占 폚. After the solution temperature reached 60 占 폚, 7 parts by mass of ion-exchanged water was added and the mixture was heated to 75 占 폚 and stored for 3 hours. Subsequently, 25 parts by mass of methyl orthoformate was added as a dehydrating agent, and the mixture was stirred for 1 hour. The solution temperature was adjusted to 40 캜, and while this temperature was maintained, the alcohol was removed by water and by hydrolysis and condensation. Through the above steps, a siloxane polymer as the component (A-II) was obtained. The number average molecular weight (Mn) of the obtained hydrolysis and condensation product was 2,500, and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 2. [

실시예 3 Example 3

[포지티브형의 감방사선성 수지 조성물 (P-1)의 조제] [Preparation of positive-tone radiation-sensitive resin composition (P-1)] [

알칼리 가용성 수지로서, 알칼리 가용성 수지 (A-Ⅰ)을 함유하는 용액을, 중합체 100질량부(고형분)에 상당하는 양으로 준비하고, 이어서 광산발생제인 퀴논디아지드 화합물로서, 4,4'-[1-[4-[1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀(1.0몰)을 30질량부 혼합하고, 추가로 고형분 농도가 30질량％가 되도록 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르를 첨가하고, 각 성분을 용해시킨 후, 구경(口徑) 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과하여, 포지티브형의 감방사선성을 구비한 감방사선성 수지 조성물 (P-1)을 조제했다. As the alkali-soluble resin, a solution containing an alkali-soluble resin (A-I) was prepared in an amount corresponding to 100 parts by mass (solid content) of the polymer, and then 4,4 '- [ 30 mol% of 1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol (1.0 mol) Glycol ethyl methyl ether was added to dissolve each component, followed by filtration through a membrane filter with a pore diameter of 0.2 탆 to prepare a radiation-sensitive resin composition (P-1) having a positive radiation-sensitive property .

실시예 4 Example 4

[네거티브형의 감방사선성 수지 조성물 (N-1)의 조제] [Preparation of negative-type radiation-sensitive resin composition (N-1)] [

알칼리 가용성 수지로서, 알칼리 가용성 수지 (A-Ⅱ)를 함유하는 용액을, 중합체 100질량부(고형분)에 상당하는 양으로 준비하고, 이어서 중합성 화합물로서 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트와 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트의 혼합물(KAYARAD(등록상표) DPHA(이상, 닛폰카야쿠사) 100질량부 및, 감방사선성 중합 개시제로서 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심)(이르카큐어(Irgacure) OXE02, BASF사)을 5질량부를 혼합하고, 고형분 농도가 30질량％가 되도록, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 첨가하고, 각 성분을 용해시킨 후, 구경 0.5㎛의 멤브레인 필터로 여과함으로써, 네거티브형의 감방사선성을 구비한 감방사선성 수지 조성물 (N-1)을 조제했다. As the alkali-soluble resin, a solution containing an alkali-soluble resin (A-II) was prepared in an amount corresponding to 100 parts by mass (solid content) of the polymer, and then dipentaerythritol pentaacrylate and dipentaerythritol (9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) - < / RTI > (Irgacure OXE02, manufactured by BASF) as a polymerization initiator were mixed, and 5 parts by mass of propylene glycol monomethyl (meth) acrylate And the components were dissolved and filtered through a membrane filter having a pore size of 0.5 탆 to prepare a radiation-sensitive resin composition (N-1) having negative radiation-sensitive properties.

실시예 5 Example 5

[포지티브형의 감방사선성 수지 조성물 (P-2)의 조제] [Preparation of positive-tone radiation-sensitive resin composition (P-2)] [

알칼리 가용성 수지로서, 알칼리 가용성 수지 (A-Ⅰ)을 함유하는 용액을, 중합체 100질량부(고형분)에 상당하는 양으로 준비하고, 이어서 광산발생제인 퀴논디아지드 화합물로서, 4,4'-[1-[4-[1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀(1.0몰)을 30질량부, 금속 입자로서 티탄산 바륨을 포함하는 분산액 50질량부(고형분)를 혼합하고, 고형분 농도가 30질량％가 되도록 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르를 첨가하고, 각 성분을 용해시킨 후, 구경 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과하여, 포지티브형의 감방사선성을 구비한 감방사선성 수지 조성물 (P-2)을 조제했다. As the alkali-soluble resin, a solution containing an alkali-soluble resin (A-I) was prepared in an amount corresponding to 100 parts by mass (solid content) of the polymer, and then 4,4 '- [ 30 parts by mass of 1- [4- [1- [4- hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol (1.0 mole) and 50 parts by mass of a dispersion containing barium titanate ) And diethylene glycol ethyl methyl ether was added thereto so as to have a solid content concentration of 30 mass%. Each component was dissolved and then filtered through a membrane filter having a diameter of 0.2 탆 to obtain a positive- To prepare a radiation-curable resin composition (P-2).

실시예 6 Example 6

[막의 평가] [Evaluation of Membrane]

실시예 3에서 조제한 감방사선성 수지 조성물 (P-1), 실시예 4에서 조제한 감방사선성 수지 조성물 (N-1) 및 실시예 5에서 조제한 감방사선성 수지 조성물 (P-2)을 각각 이용하여, 유리 기판(「코닝(Corning)(등록상표) 7059」(코닝사 제조)) 상에, 스피너를 이용하여 각 조성물을 도포한 후, 핫 플레이트 상에서 100℃로 2분간 프리베이킹하여 도막을 형성하고, 유리 기판 상에 막두께가 1㎛인 막을 각각 형성했다. The radiation sensitive resin composition (P-1) prepared in Example 3, the radiation sensitive resin composition (N-1) prepared in Example 4 and the radiation sensitive resin composition (P-2) Each composition was coated on a glass substrate ("Corning (registered trademark) 7059" (manufactured by Corning)) using a spinner, and then prebaked on a hot plate at 100 ° C for 2 minutes to form a coating film , And a film having a film thickness of 1 占 퐉 was formed on the glass substrate, respectively.

이어서, 얻어진 각 유리 기판 상의 도막에 대하여, 캐논(주) 제조 PLA(등록상표)-501F 노광기(초고압 수은 램프)를 이용하여, 5㎝×8㎝의 직사각형 패턴을 갖는 마스크를 개재하여 노광을 행했다. 그 후, 2.38질량％의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액으로 25℃, 60초간, 현상했다. 이어서, 초순수로 1분간 유수 세정을 행하고, 5㎝×8㎝의 직사각형의 네거티브 패턴 또는 포지티브 패턴을 갖도록 패터닝된 경화막을 형성했다. Subsequently, the obtained coating film on each of the glass substrates was exposed through a mask having a rectangular pattern of 5 cm x 8 cm using a PLA (registered trademark) -501F exposure device (ultra-high pressure mercury lamp) manufactured by Canon Inc. . Thereafter, the resist film was developed with a 2.38 mass% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 25 DEG C for 60 seconds. Subsequently, washing with ultrapure water for 1 minute was performed to form a 5 cm x 8 cm rectangular negative pattern or a cured film patterned to have a positive pattern.

다음으로, 패터닝된 각 경화막의 가장자리 부분을 광학 현미경으로 관찰하여, 현상 잔사가 없고, 패턴이 직선 형상으로 형성되어 있는 경우를 패터닝성 양호라고 판단했다. Next, the edge portions of each of the patterned hardened films were observed with an optical microscope, and it was judged that the patterning property was good when there was no development residue and the pattern was formed in a linear shape.

그 결과, 실시예 3에서 조제한 감방사선성 수지 조성물 (P-1), 실시예 4에서 조제한 감방사선성 수지 조성물 (N-1) 및 실시예 5에서 조제한 감방사선성 수지 조성물 (P-2)을 각각 이용하고, 패터닝하여 형성된 각 경화막은, 패터닝성이 모두 양호했다. As a result, the radiation sensitive resin composition (P-1) prepared in Example 3, the radiation sensitive resin composition (N-1) prepared in Example 4 and the radiation sensitive resin composition (P-2) And each of the cured films formed by patterning had good patterning properties.

다음으로, 전술한 각 경화막을 각각, 클린 오븐 내에서 220℃로 1시간 가열함으로써 절연막을 형성했다. Next, each of the cured films described above was heated in a clean oven at 220 占 폚 for 1 hour to form an insulating film.

이들 절연막이 형성된 유리 기판의 광선 투과율을, 분광 광도계 「150-20형 더블빔(Double Beam)」((주) 히타치 제작소 제조)을 이용하여 400㎚∼800㎚의 범위의 파장으로 측정했다. 최저 광선 투과율이 90％ 이상이면, 광선 투과율은 양호라고 할 수 있다. The light transmittance of the glass substrate on which these insulating films were formed was measured at a wavelength in the range of 400 nm to 800 nm by using a spectrophotometer "150-20 type Double Beam" (Hitachi, Ltd.). If the minimum light transmittance is 90% or more, the light transmittance is good.

실시예 3에서 조제한 감방사선성 수지 조성물 (P-1), 실시예 4에서 조제한 감방사선성 수지 조성물 (N-1) 및 실시예 5에서 조제한 감방사선성 수지 조성물 (P-2)로 형성된 각 절연막은, 모두가 90％ 이상의 투과율이었다. (P-1) prepared in Example 3, the radiation-sensitive resin composition (N-1) prepared in Example 4 and the radiation-sensitive resin composition (P-2) prepared in Example 5 All of the insulating films had a transmittance of 90% or more.

이상의 막 평가의 결과로부터, 실시예 3에서 조제한 감방사선성 수지 조성물 (P-1)로 형성된 절연막, 실시예 4에서 조제한 감방사선성 수지 조성물 (N-1)로 형성된 절연막 및, 실시예 5에서 조제한 감방사선성 수지 조성물 (P-2)로 형성된 절연막은, 모두, 본 발명의 액정 표시 소자의 제1 절연막 또는 제2 절연막으로서 적합하게 이용할 수 있는 것을 알 수 있었다. From the results of the above film evaluation, it was confirmed that the insulating film formed of the radiation sensitive resin composition (P-1) prepared in Example 3, the insulating film formed of the radiation sensitive resin composition (N-1) prepared in Example 4, It was found that all of the insulating films formed of the prepared radiation sensitive resin composition (P-2) can be suitably used as the first insulating film or the second insulating film of the liquid crystal display element of the present invention.

본 발명의 액정 표시 소자는, 우수한 휘도 특성을 구비하여 고정세 표시가 가능한 액티브 매트릭스 방식의 액정 표시 소자이다. 따라서, 본 발명의 액정 표시 소자는, 우수한 화질의 고정세한 표시가 필요시되는 스마트폰 등의 휴대 전자 기기의 디스플레이로서 적합하게 이용할 수 있다. The liquid crystal display element of the present invention is an active matrix type liquid crystal display element which has excellent luminance characteristics and can display fixed three-dimensional display. Therefore, the liquid crystal display element of the present invention can be suitably used as a display of a portable electronic device such as a smart phone in which a high-quality, high-quality display is required.

1, 1-2, 100, 100-2 : 액정 표시 소자
2, 102 : TFT 기판
3, 103 : 대향 기판
4, 104 : 액정
5, 105 : TFT
6, 106 : 제1 절연막
7, 107 : 콘택트 홀
8, 108 : 제1 전극
9, 9-2, 109, 109-2 : 제2 절연막
10, 10-2, 110, 110-2 : 제2 전극
11 : 제3 절연막
12, 112 : 제3 전극
21, 121 : 게이트 절연막
22, 122 : 무기 패시베이션막
30, 130 : 신호선
31, 131 : 주사선
32, 132 : 반도체층
33, 133 : 드레인 전극
34, 134 : 소스 전극
40, 44, 140, 144 : 배향막
41, 141 : 블랙 매트릭스
42, 142 : 컬러 필터
43, 143 : 평탄화막
50 : 절결부1, 1-2, 100, 100-2: liquid crystal display element
2, 102: TFT substrate
3, 103: opposing substrate
4, 104: liquid crystal
5, 105: TFT
6, 106: a first insulating film
7, 107: Contact hole
8, 108: first electrode
9, 9-2, 109, and 109-2:
10, 10 - 2, 110, 110 - 2:
11: Third insulating film
12, 112: third electrode
21, 121: gate insulating film
22, 122: inorganic passivation film
30, and 130: signal lines
31, 131: scanning line
32, 132: semiconductor layer
33, 133: drain electrode
34, 134: source electrode
40, 44, 140, 144: alignment film
41, 141: black matrix
42, 142: Color filter
43, 143: planarization film
50:

Claims

A liquid crystal display element comprising liquid crystal held by a first substrate and a second substrate opposed to each other,
The first substrate,
TFT,
A first insulating film formed on the TFT using a first radiation sensitive resin composition;
A contact hole formed in the first insulating film,
A first electrode formed on the first insulating film and the inner wall of the contact hole and electrically connected to the TFT via the contact hole,
A second insulating film formed by using a second radiation-sensitive resin composition so as to fill the contact hole,
And a second electrode formed on the second insulating film and partially in contact with the first electrode on the first insulating film and electrically connected to the first electrode,
A third electrode is formed on the first electrode and the second electrode of the first substrate via a third insulating film,
And the liquid crystal is driven by applying a voltage between the first electrode, the second electrode, and the third electrode.

The method according to claim 1,
Wherein the first radiation-sensitive resin composition is a positive radiation-sensitive resin composition and the second radiation-sensitive resin composition is a negative radiation-sensitive resin composition, or the first radiation-sensitive resin composition is a negative radiation- And the second radiation-sensitive resin composition is a positive-type radiation-sensitive resin composition.

3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the first radiation sensitive resin composition contains a polymer comprising a constituent unit having a carboxyl group and a constituent unit having a polymerizable group.

3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the second radiation sensitive resin composition contains a polymer comprising a constituent unit having a carboxyl group and a constituent unit having a polymerizable group.

A radiation-sensitive resin composition for use in the production of a liquid crystal display element comprising a first substrate and a second substrate opposed to each other and sandwiching liquid crystal therebetween,
Wherein the first substrate comprises:
TFT,
A first insulating film formed on the TFT,
A contact hole formed in the first insulating film,
A first electrode formed on the first insulating film and the inner wall of the contact hole and electrically connected to the TFT via the contact hole;
A second insulating film formed to fill the contact hole,
And a second electrode formed on the second insulating film and partially in contact with the first electrode on the first insulating film and electrically connected to the first electrode,
Wherein the liquid crystal display element has a third electrode formed on the first electrode and the second electrode of the first substrate with a third insulating film interposed between the first electrode and the second electrode, And applying a voltage between the electrode and the electrode to drive the liquid crystal,
Wherein the second radiation-sensitive resin composition is used for forming the second insulation film of the first substrate.

6. The method of claim 5,
The radiation-sensitive resin composition according to claim 1, further comprising metal oxide particles.