KR101962090B1 - Wafer polishing apparatus and method thereof - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a wafer polishing apparatus capable of performing continuous polishing in accordance with set pressure and RPM while performing chemical and mechanical polishing (CMP) on one surface of a wafer advanced during rotation, and a method thereof. To achieve this, the wafer polishing apparatus comprises: a table including a plate to which a wafer is sucked and fixed, and a motor to rotate the plate; a transfer unit to transfer the table unit; a polishing roller unit installed in an advancing direction of the table unit transferred by the transfer unit, and polishing the one surface of the wafer sucked and fixed to the table unit; a polishing solution supply unit to supply a polishing solution to the polishing roller unit; a wafer supply unit installed on the front end of the polishing roller unit to supply the wafer to be polished to the table unit; and a wafer discharge unit installed on the rear end of the polishing roller unit and discharging the polished wafer to the table unit. The polishing roller unit comprises: a first roller module primarily polishing the wafer sucked and fixed to the table unit; a second roller module installed on the rear end of the first roller module to secondarily polish the wafer sucked and fixed to the table unit; and a third roller module installed on the rear end of the second roller module to tertiarily polish the wafer sucked and fixed to the table unit.

Description

웨이퍼 폴리싱 장치 및 그 방법{WAFER POLISHING APPARATUS AND METHOD THEREOF}[0001] WASHING POLARIZING APPARATUS AND METHOD THEREOF [0002]

본 발명은 웨이퍼 폴리싱 장치 및 그 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 회전하면서 진행하는 실리콘 웨이퍼(이하 '웨이퍼'라 한다)의 편면을 화학적 기계 연마(polishing)하되, 순차적으로 설정된 압력과 설정된 회전수에 따라 연속적인 연마가 가능한 웨이퍼 폴리싱 장치 및 그 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer polishing apparatus and method thereof, and more particularly, to a method and apparatus for polishing a single side of a silicon wafer (hereinafter referred to as a "wafer") that rotates while being chemically mechanically polished, To a wafer polishing apparatus capable of continuous polishing in accordance with the present invention.

일반적인 웨이퍼는 단결정 잉곳(Ingot)을 만들기 위한 단결정 성장 공정, 단결정 잉곳을 슬라이싱(Slicing)하여 얇은 원판 모양의 웨이퍼를 얻는 슬라이싱 공정, 상기 슬라이싱 공정에 의해 얻어진 웨이퍼의 깨짐 또는 일그러짐을 방지하기 위해 그 외주부를 가공하는 그라인딩(Grinding) 공정, 상기 웨이퍼에 잔존하는 기계적 가공에 의한 손상을 제거하는 랩핑(Lapping) 공정, 상기 웨이퍼를 경면화하는 연마(Polishing)공정 및 연마된 웨이퍼에 부착된 연마제나 이물질을 제거하는 세정 공정을 포함하여 이루어진다.Typical wafers include a single crystal growth process for forming a single crystal ingot, a slicing process for obtaining a thin disc-shaped wafer by slicing a single crystal ingot, A grinding process for machining the wafer, a lapping process for removing damage caused by mechanical machining remaining on the wafer, a polishing process for mirror-polishing the wafer, a polishing process for polishing the wafer, And a cleaning process for removing the cleaning solution.

이때, 상기 연마(Polishing)공정은 웨이퍼의 일측 단면을 연마하는 편면연마 또는 양 단면을 연마하는 양면연마로 이루어진다.At this time, the polishing process is a one-side polishing process for polishing one end face of the wafer or a two-side polishing process for polishing both end faces.

웨이퍼의 양면을 연마하는 양면연마장치는 하정반과 상정반 사이에 각각 제1 패드와 제2 패드를 배치하고, 각각의 패드 사이에는 웨이퍼가 삽입된 캐리어를 위치시킨 후, 제1 기어와 제2 기어의 사이에서 캐리어를 회전시키고, 제1 정반과 제2 정반 사이에 캐리어가 놓여진 상태에서 슬러리를 주입하여, 기계적/화학적 연마에 의하여 캐리어 내의 웨이퍼의 양면을 연마하도록 구성된다.In a double-side polishing apparatus for polishing both surfaces of a wafer, a first pad and a second pad are disposed between a lower stage and an upper stage, and a carrier inserted with a wafer is positioned between the pads, And the slurry is injected with the carrier placed between the first and second polishing plates to polish both surfaces of the wafer in the carrier by mechanical / chemical polishing.

한편, 웨이퍼의 단면을 연마하는 장치로서, 등록특허공보 제10-1736738호에 웨이퍼의 연마 방법 및 웨이퍼의 연마 장치가 개시되었다.On the other hand, as a device for polishing the end face of a wafer, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-1736738 discloses a wafer polishing method and a wafer polishing apparatus.

상기 기술은 정반(surface plate)의 표면에 설치된 연마포에 웨이퍼를 접촉시킨 후, 상기 정반 및 상기 웨이퍼를 회전시킴으로써 상기 웨이퍼의 표면을 동일 연마포에 의해 복수 회 연마하는 웨이퍼의 연마 방법으로서, 상기 연마 처리는 연마 후의 웨이퍼를 제품으로 하지 않는 초기 연마 공정과, 상기 초기 연마 공정 후, 연마 후의 웨이퍼를 제품으로 하는 본 연마 공정으로 이루어지고, 상기 연마포의 접촉각을 측정하고, 그 측정값에 기초하여, 상기 초기 연마 공정으로부터 상기 본 연마 공정으로의 전환 시기를 결정하고, 상기 초기 연마 공정으로부터 상기 본 연마 공정으로 전환한 후에, 상기 연마포의 접촉각을 재차 측정하고, 그 측정값에 기초하여 상기 본 연마 공정에 있어서의 상기 연마포의 교환 시기를 결정하는 것을 특징으로 한다.The above-described technique is a polishing method for a wafer which polishes the surface of the wafer a plurality of times by the same polishing cloth by contacting the wafer with a polishing cloth provided on the surface of a surface plate, and rotating the base and the wafer, The polishing process comprises an initial polishing process in which a wafer after polishing is not made into a product, and a main polishing process in which the wafer after polishing is subjected to a main polishing process after the initial polishing process. The contact angle of the polishing cloth is measured, Wherein the polishing time is changed from the initial polishing step to the main polishing step and the contact angle of the polishing cloth is again measured after the initial polishing step is switched to the main polishing step, And the time of replacement of the polishing cloth in the main polishing step is determined.

도 1은 일반적인 편면 연마장치의 개략적인 구성도를 나타낸 것으로서, 그 구성은 웨이퍼(W)가 부착 설치되는 헤드(10), 표면에 연마포(polishing cloth, 21)가 설치되고 회전되는 정반(surface plate; 20), 연마포의 상면에 연마액을 공급하는 연마액 공급부(30)를 포함하여 구성된다.Fig. 1 shows a schematic configuration diagram of a general one-side polishing apparatus. The configuration includes a head 10 on which a wafer W is mounted, a polishing cloth 21 on a surface thereof, and a polishing liquid supply unit 30 for supplying a polishing liquid to the upper surface of the polishing cloth.

상기의 구성을 통해 헤드(10)는 연마포(21)에 대하여 웨이퍼의 피연마면을 압압한 상태에서, 연마액 공급부(30)로부터 연마포(21) 상에 연마액을 공급하고, 헤드(10)와 정반(20)을 모두 회전시킴으로써, 상기 헤드(10)에 부착 설치된 웨이퍼의 하면을 연마한다.Through the above arrangement, the head 10 supplies the polishing liquid onto the polishing cloth 21 from the polishing liquid supply portion 30 while pressing the surface to be polished of the wafer against the polishing cloth 21, 10 and the table 20 are rotated to polish the lower surface of the wafer attached to the head 10. [

위와 같이, 피(被) 연마재인 웨이퍼에 대하여 에칭 작용을 갖는 연마액을 이용하고, 웨이퍼를 에칭하면서 연마액에 포함되는 지립(abrasive grain)에 의해 웨이퍼를 기계적으로 연마하는 기술을 화학적 기계 연마(CMP; Chemical Mechanical Polishing)라 한다.As described above, a technique of mechanically polishing a wafer by an abrasive grain contained in the polishing liquid while etching the wafer using an abrasive liquid having an etching action for a wafer to be polished (abrasive) is called a chemical mechanical polishing CMP (Chemical Mechanical Polishing).

이때, 구성에 따라서 상기 헤드(10)를 회전시키는 상태에서 정반(20)을 왕복 직선운동시키거나, 반대로 정반(20)을 회전시키는 상태에서 헤드(10)를 왕복직선 운동시키는 다양한 방식이 적용될 수 있다.At this time, various methods of linearly reciprocating the head 20 in a state in which the head 10 is rotated in accordance with the configuration, or reciprocatingly moving the head 10 in a state of rotating the head 20 may be applied have.

헤드를 회전시키고 정반을 왕복 직선운동시켜 연마하는 장치로서, 공개특허공보 제10-2016-0139687호에 반도체 웨이퍼 연마장치가 개시되었다.A semiconductor wafer polishing apparatus is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-2016-0139687, which is an apparatus for polishing a head by rotating and rotating the table by reciprocating linear motion.

상기 기술은 회전운동이 가능하고 웨이퍼(W)가 부착되는 시편회전부(40) 및 상기 웨이퍼(W)를 연마할 수 있는 직선운동이 가능한 연마부(50)를 포함하여 구성된다.The technique includes a specimen rotary part 40 to which a wafer W is attached and a polishing part 50 capable of linear motion capable of polishing the wafer W.

그러나 상기의 기술들은 웨이퍼를 연마하는 정반(연마부)과 웨이퍼(W)가 부착 설치되는 헤드(시편회전부)를 이격시킨 상태에서, 웨이퍼(W)를 상기 헤드에 부착하고, 정반 또는 헤드를 이동시켜 헤드에 부착 설치된 웨이퍼(W)를 정반에 밀착시킨 후, 회전 또는 왕복직선 운동에 의해 웨이퍼를 연마하는 것으로서, 헤드로부터 연마된 웨이퍼를 분리하거나, 연마될 웨이퍼를 부착하는 과정에서, 연마장치를 정지시켜야 하기 때문에 연속 연마를 수행할 수 없는 단점이 있다.However, in the above technologies, the wafer W is attached to the head while the base (polishing portion) for polishing the wafer is separated from the head (specimen rotating portion) to which the wafer W is attached, And the wafer W attached to the head is brought into close contact with the surface of the wafer. Thereafter, the wafer is polished by rotating or reciprocating linear motion. In the process of separating the polished wafer from the head or attaching the wafer to be polished, There is a disadvantage in that continuous polishing can not be performed.

이에 더하여, 웨이퍼를 연마하는 과정에서는 웨이퍼에 인가되는 연마 압력과 헤드의 회전수가 연마 시간에 따라 가변되어야 한다.In addition, in the process of polishing the wafer, the polishing pressure applied to the wafer and the number of revolutions of the head must be varied in accordance with the polishing time.

도 2는 웨이퍼의 연마 시간에 대한 압력 및 회전수(RPM)를 나타낸 그래프로서, 초기 연마시에는 낮은 압력과 낮은 회전수로 연마하면서 소정의 시간 경과 후에는 초기 압력보다 상대적으로 높은 압력과 회전수로 웨이퍼를 연마해야 한다.FIG. 2 is a graph showing the pressure and the number of revolutions per minute (RPM) of a wafer. In the initial polishing, polishing is performed at a low pressure and a low number of revolutions, The wafer must be polished.

즉, 일정한 압력과 회전수로 웨이퍼를 연마하게 되면, 연마되는 웨이퍼의 편면이 수평면에 대해 균일해 지지 않게 된다. 이에, 웨이퍼 연마에서 압력 및 회전수는 웨이퍼의 품질을 결정하게 되는 데, 헤드에 연마 시간에 따른 정밀 가압을 위한 구성 및 회전수를 제어하기 위한 구성 등이 부가될 필요가 있다.That is, when the wafer is polished at a constant pressure and at a constant rotational speed, the one side of the wafer to be polished is not uniform with respect to the horizontal plane. Accordingly, in the wafer polishing, the pressure and the number of revolutions determine the quality of the wafer. It is necessary to add a configuration for precise pressing and a configuration for controlling the number of revolutions to the head in accordance with the polishing time.

KR 10-1736738 B1 (2017. 05. 11.)KR 10-1736738 B1 (May 27, 2017) KR 10-2016-0139687 A (2016. 12. 07.)KR 10-2016-0139687A (Dec. 07, 2016)

본 발명은 상기 종래기술이 갖는 문제점을 해소하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명에서 해결하고자 하는 과제는, 웨이퍼의 편면 연마를 연속적으로 수행할 수 있는 웨이퍼 폴리싱 장치 및 그 방법을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the problems of the prior art, and a problem to be solved by the present invention is to provide a wafer polishing apparatus and method which can continuously carry out single side polishing of a wafer.

또한, 간단한 구성을 가지면서 웨이퍼에 가해지는 압력 및 회전수를 가변시켜 편면품질을 달성할 수 있는 웨이퍼 폴리싱 장치 및 그 방법을 제공하는 데 있다.It is another object of the present invention to provide a wafer polishing apparatus and method which can achieve a one-sided quality by varying a pressure and a rotational speed applied to a wafer while having a simple structure.

상기의 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 장치는, 웨이퍼가 흡착 고정되는 플레이트와 상기 플레이트를 회전시키는 모터를 포함하는 정반부; 상기 정반부를 이송시키는 이송부; 상기 이송부에 의해 이송되는 정반부의 진행방향에 설치되고, 상기 정반부에 흡착 고정된 웨이퍼 편면을 연마하는 연마롤러부; 상기 연마롤러부에 연마액을 공급하는 연마액 공급부; 상기 연마롤러부의 전단에 설치되고, 상기 정반부에 연마될 웨이퍼를 공급하는 웨이퍼 공급부 및 상기 연마롤러부의 후단에 설치되고, 상기 정반부에 연마된 웨이퍼를 배출하는 웨이퍼 배출부를 포함하여 구성되고, 상기 연마롤러부는 상기 정반부에 흡착 고정된 웨이퍼를 1차 연마하는 제1 롤러모듈; 상기 제1 롤러모듈의 후단에 설치되어 상기 정반부에 흡착 고정된 웨이퍼를 2차 연마하는 제2 롤러모듈 및 상기 제2 롤러모듈의 후단에 설치되어 상기 정반부에 흡착 고정된 웨이퍼를 3차 연마하는 제3 롤러모듈을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a wafer polishing apparatus comprising: a base plate including a plate on which a wafer is attracted and fixed and a motor for rotating the plate; A conveying unit for conveying the platen; A polishing roller unit installed in the traveling direction of the surface plate conveyed by the conveying unit and polishing a single side surface of the wafer sucked and fixed to the surface plate; An abrasive liquid supply unit for supplying abrasive liquid to the abrasive roller unit; And a wafer discharge unit installed at a front end of the polishing roller unit to supply a wafer to be polished to the surface plate and a wafer discharge unit installed at a rear end of the polishing roller unit to discharge a wafer polished to the surface plate, The polishing roller unit includes a first roller module for first polishing the wafer sucked and fixed to the table portion; A second roller module provided at a rear end of the first roller module for secondarily polishing a wafer sucked and fixed to the table section, and a second roller module provided at a rear end of the second roller module, And a third roller module that rotates the first roller.

여기서, 상기 제1 롤러모듈, 제2 롤러모듈 및 제3 롤러모듈은 모터에 의해 회전되는 롤러 및 상기 롤러의 외표면에 부착되는 연마포를 포함하는 것을 특징으로 한다.The first roller module, the second roller module, and the third roller module include a roller rotated by a motor and a polishing cloth adhered to an outer surface of the roller.

또한, 상기 제1 롤러모듈, 제2 롤러모듈 및 제3 롤러모듈의 롤러 회전 방향은 상기 이송부에 의해 이송되는 정반부의 진행방향에 대하여 역방향으로 회전되는 것을 특징으로 한다.The roller rotation direction of the first roller module, the second roller module, and the third roller module is rotated in a direction opposite to a traveling direction of the table portion conveyed by the conveyance portion.

또한, 상기 연마롤러부에는 상기 제1 롤러모듈, 제2 롤러모듈 및 제3 롤러모듈의 롤러의 회전축과 상기 정반부의 플레이트 사이의 거리를 각각 검출하는 거리측정모듈이 더 포함되고, 상기 거리측정모듈에서 검출된 결과에 따라, 상기 정반부의 플레이트부터 상기 제1 롤러모듈, 제2 롤러모듈 및 제3 롤러모듈의 높이가 각각 조정되며, 조정된 높이에 따라 상기 롤러와 상기 플레이트에 흡착 고정된 웨이퍼와의 접촉 압력이 다르게 구성되는 것을 특징으로 한다.The polishing roller unit further includes a distance measuring module for detecting a distance between a rotation axis of the rollers of the first roller module, the second roller module and the third roller module and a plate of the table portion, The height of the first roller module, the second roller module, and the third roller module are respectively adjusted from the plate of the table portion, and the wafer and the wafer adsorbed and fixed to the roller and the plate according to the adjusted height The contact pressure of the gasket is different.

또한, 상기의 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 방법은 정반부의 플레이트에 연마될 웨이퍼를 공급하고, 공급된 웨이퍼를 흡착하는 웨이퍼 공급단계; 상기 웨이퍼 공급단계에서 공급된 웨이퍼를 회전시키면서 수평방향으로 이송시키는 이송단계; 상기 이송단계에서 이송되는 웨이퍼에 연마액을 공급하고, 제1 롤러모듈, 제2 롤러모듈 및 제3 롤러모듈을 순차적으로 거치면서 웨이퍼 편면을 연마하는 연마단계 및 상기 연마단계를 통해 연마된 웨이퍼를 상기 플레이트로부터 배출시키는 웨이퍼 배출단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a wafer polishing method comprising: a wafer supplying step of supplying a wafer to be polished to a plate of a surface plate and adsorbing the supplied wafer; A transfer step of transferring the wafer supplied in the wafer supply step in a horizontal direction while rotating the wafer; A polishing step of supplying abrasive liquid to the wafer transferred in the transfer step, polishing the one side of the wafer while sequentially passing the first roller module, the second roller module and the third roller module, and a step of polishing the wafer And discharging the wafer from the plate.

본 발명에 의하면, 웨이퍼를 회전시키고 이송되는 과정에서 웨이퍼의 편면 연마가 수행됨에 따라, 웨이퍼의 편면 연마를 연속적으로 수행할 수 있으므로, 비교적 짧은 시간에 많은 웨이퍼를 연마할 수 있는 장점이 있다.According to the present invention, the single side polishing of the wafer can be continuously performed as the single side polishing of the wafer is performed in the course of rotating and transferring the wafer, so that it is possible to polish many wafers in a relatively short time.

또한, 롤러모듈의 높이에 따라 롤러와 웨이퍼와의 접촉 압력이 달라지게 되므로, 요구되는 연마 압력을 쉽게 설정할 수 있는 장점이 있다.In addition, since the contact pressure between the roller and the wafer changes according to the height of the roller module, the required polishing pressure can be easily set.

도 1은 일반적인 편면 연마장치의 개략적인 구성도.
도 2는 웨이퍼의 연마 시간에 대한 압력 및 회전수(RPM)를 나타낸 그래프.
도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 장치의 개략적인 구성도.
도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 장치의 플레이트 단면.
도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 방법에 대한 흐름도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a schematic view of a general one-side polishing apparatus. Fig.
2 is a graph showing the pressure and the number of revolutions per minute (RPM) of the polishing time of the wafer.
3 is a schematic structural view of a wafer polishing apparatus according to the present invention.
4 is a plate section of a wafer polishing apparatus according to the present invention.
5 is a flowchart of a wafer polishing method according to the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 회전하면서 진행하는 실리콘 웨이퍼(이하 '웨이퍼'라 한다)의 편면을 화학적 기계 연마(polishing)하되, 순차적으로 설정된 압력과 설정된 회전수에 따라 연속적인 연마가 가능한 웨이퍼 폴리싱 장치 및 그 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer polishing apparatus and method thereof capable of continuously polishing a single surface of a silicon wafer (hereinafter referred to as a " wafer ") which rotates while rotating by chemical mechanical polishing, .

도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 장치의 개략적인 구성도이다.3 is a schematic configuration diagram of a wafer polishing apparatus according to the present invention.

첨부된 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 장치는 정반부(100), 이송부(200), 연마롤러부(300), 연마액 공급부(400), 웨이퍼 공급부(500) 및 웨이퍼 배출부(600)를 포함하여 구성된다.3, the apparatus for polishing a wafer according to the present invention includes a polishing part 100, a transfer part 200, a polishing roller part 300, a polishing liquid supply part 400, a wafer supplying part 500, (600).

정반부(100)는 연마될 웨이퍼(W)를 흡착 고정시키고, 흡착 고정된 상기 웨이퍼(W)를 회전시키는 기능을 수행하는 것으로서, 웨이퍼(W)가 흡착 고정되는 플레이트(110)와 상기 플레이트(110)를 회전시키는 모터(120)를 포함하여 구성된다.The surface plate 100 performs a function of attracting and fixing a wafer W to be polished and rotating the wafer W to be attracted and fixed and includes a plate 110 to which the wafer W is attracted and fixed, And a motor 120 for rotating the motor 110.

도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 장치의 플레이트 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.4 is a schematic view of a plate cross section of a wafer polishing apparatus according to the present invention.

첨부된 도 4를 참조하면, 상기 플레이트(110)는 공급된 웨이퍼(W)가 안착되는 안착홈(111)과 상기 안착홈(111)에 안착된 웨이퍼(W)를 흡착하는 진공홀(112)을 포함하여 구성될 수 있다. 이때, 상기 진공홀(112)은 안착된 웨이퍼(W)를 견고하게 흡착하도록 복수 개로 이루어질 수 있다.4, the plate 110 includes a mounting hole 111 in which the supplied wafer W is mounted and a vacuum hole 112 in which the wafer W mounted on the mounting groove 111 is mounted. As shown in FIG. At this time, the vacuum holes 112 may be formed in plural to firmly attract the placed wafer W.

또한, 도면에 도시하지 않았으나, 상기 정반부(100)에는 상기 진공홀(112)과 연계하여 흡착력을 인가하는 흡착유닛(예를 들면, 에어 컴프레셔 또는 에어 실린더 등)이 더 포함될 수 있다.Although not shown in the drawing, the table 100 may further include an adsorption unit (for example, an air compressor or an air cylinder) for applying an adsorption force in conjunction with the vacuum hole 112.

모터(120)는 전기에너지의 인가에 따라 웨이퍼(W)가 안착된 플레이트(110)를 회전시킨다.The motor 120 rotates the plate 110 on which the wafer W is placed according to the application of the electric energy.

이송부(200)는 상기 정반부(100)를 이송시키는 것으로서, 레일(210)과 상기 정반부(100)가 설치되고 상기 레일(210)을 따라 이동하는 이송유닛(220)을 포함하여 구성된다.The transfer unit 200 includes a rail 210 and a transfer unit 220 provided with the table 100 and moving along the rail 210 for transferring the table 100.

연마롤러부(300)는 회전되는 상태에서 이송되는 웨이퍼의 편면을 연마하는 것으로서, 상기 이송부(200)에 의해 이송되는 정반부(100)의 진행방향에 설치되고, 상기 정반부(100)에 흡착 고정된 웨이퍼 편면을 연마한다.The polishing roller unit 300 polishes the one side of the wafer to be transferred in the rotated state and is provided in the traveling direction of the base plate 100 conveyed by the transferring unit 200 and is attracted to the base plate 100 The fixed wafer single side is polished.

상기 연마롤러부(300)는 상기 정반부(100)에 흡착 고정된 웨이퍼(W)를 1차 연마하는 제1 롤러모듈(301), 상기 제1 롤러모듈(301)의 후단에 설치되어 상기 정반부(100)에 흡착 고정된 웨이퍼(W)를 2차 연마하는 제2 롤러모듈(302) 및 상기 제2 롤러모듈(302)의 후단에 설치되어 상기 정반부(100)에 흡착 고정된 웨이퍼(W)를 3차 연마하는 제3 롤러모듈(303)을 포함하여 구성된다.The polishing roller unit 300 includes a first roller module 301 for first polishing the wafer W sucked and fixed to the table 100, a second roller module 301 installed at a rear end of the first roller module 301, A second roller module 302 for secondarily polishing the wafer W sucked and fixed to the first roller module 302 and a second roller module 302 mounted on the rear end of the second roller module 302 and attracted and fixed to the surface plate 100 W for the third polishing.

이때, 상기 제1 롤러모듈(301), 제2 롤러모듈(302) 및 제3 롤러모듈(303)은 모터에 의해 회전되는 롤러(310) 및 상기 롤러(310)의 외표면에 부착되는 연마포(320)를 포함하여 구성된다.The first roller module 301, the second roller module 302, and the third roller module 303 may include a roller 310 rotated by a motor and a polishing cloth 310 attached to an outer surface of the roller 310. [ (320).

상기 연마포(320)로는 연마천 또는 연마사포 등 웨이퍼 연마에 사용될 수 있는 것이면 어떤 것이든지 사용 가능하고, 마찰을 이용하여 웨이퍼를 연마시킬 수 있는 것이라면 사용에 제한이 없다. 예를 들면, 우레탄 폼(urethan foam) 등의 합성 수지 발포체로 이루어지는 연마포, 폴리에스테르 섬유제의 부직포에 우레탄 수지를 함침시킨 경질의 벨로어(velour) 타입의 연마포, 부직포의 기포(base cloth) 위에 우레탄수지를 발포시킨 스웨이드 패드 등이 적용되어 상기 롤러(310)에 설치될 수 있다.The polishing cloth 320 may be any material that can be used for polishing a wafer, such as a polishing cloth or a polishing cloth, and is not limited in use if it can polish a wafer using friction. For example, a polishing cloth made of a synthetic resin foam such as a urethane foam, a hard velor type polishing cloth impregnated with a urethane resin in a polyester fiber nonwoven fabric, a base cloth of a nonwoven fabric, A suede pad formed by foaming a urethane resin, or the like may be applied to the roller 310.

상기 제1 롤러모듈(301), 제2 롤러모듈(302) 및 제3 롤러모듈(303)의 롤러 회전 방향은 상기 이송부(200)에 의해 이송되는 정반부(100)의 진행방향에 대하여 역방향으로 회전하도록 구성될 수 있다.The roller rotation directions of the first roller module 301, the second roller module 302 and the third roller module 303 are reversed with respect to the traveling direction of the table 100 conveyed by the conveyance unit 200 As shown in FIG.

즉, 상기 롤러모듈(301, 302, 303)의 롤러(310) 회전 방향이 상기 정반부(100)의 진행방향을 억제하는 방향으로 회전되게 하여, 연마 효율이 증가되도록 구성될 수 있다.That is, the rotation direction of the rollers 310 of the roller modules 301, 302, and 303 may be rotated in a direction to suppress the traveling direction of the table 100 to increase the polishing efficiency.

아울러, 상기 정반부(100)가 이송되는 레일에 대하여 롤러모듈(301, 302, 303)의 높이를 달리 적용하게 되면, 연마포(320)에 대하여 웨이퍼의 연마면과의 접촉 압력을 조절할 수 있다.Further, when the height of the roller modules 301, 302, and 303 is differently applied to the rails to which the table 100 is fed, the contact pressure of the polishing cloth 320 with the polishing surface of the wafer can be adjusted .

이에, 상기 롤러모듈(301, 302, 303)의 높이를 조절하기 위한 구성으로서, 상기 제1 롤러모듈(301), 제2 롤러모듈(302) 및 제3 롤러모듈(303)의 롤러(310)의 회전축과 상기 정반부(100)의 플레이트(110) 사이의 거리를 각각 검출하는 거리측정모듈(330)이 더 포함된다.The rollers 310 of the first roller module 301, the second roller module 302 and the third roller module 303 are configured to adjust the height of the roller modules 301, 302, And a distance measurement module 330 for detecting the distance between the rotation axis of the base 100 and the plate 110 of the table 100, respectively.

상기 거리측정모듈(330)은 초음파 센서, 레이저 센서 또는 적외선 센서 등 다양한 종류의 센서로부터 검출된 검출값에 따라 거리를 산출할 수 있는 장치이면 충분하다.The distance measurement module 330 may be a device capable of calculating distances according to detection values detected from various types of sensors such as an ultrasonic sensor, a laser sensor, and an infrared sensor.

또한, 상기 제1 롤러모듈(301), 제2 롤러모듈(302) 및 제3 롤러모듈(303)의 롤러(310)를 조절하기 위한 승강모듈이 더 포함될 수 있다.Further, a lift module for adjusting the rollers 310 of the first roller module 301, the second roller module 302 and the third roller module 303 may further be included.

상기 구성에 의하면, 상기 거리측정모듈(330)에서 검출된 결과에 따라, 상기 정반부(100)의 플레이트(110)부터 각각 상기 제1 롤러모듈(301), 제2 롤러모듈(302) 및 제3 롤러모듈(303)의 높이가 상기 승강모듈에 의해 조정되며, 조정된 높이에 따라 상기 롤러(310)와 상기 플레이트(110)에 흡착 고정된 웨이퍼(W)와의 접촉 압력이 다르게 구성된다.The first roller module 301, the second roller module 302, and the second roller module 302 are disposed from the plate 110 of the table 100 according to the results detected by the distance measuring module 330, The height of the third roller module 303 is adjusted by the elevating module and the contact pressure between the roller 310 and the wafer W sucked and fixed to the plate 110 is made different according to the adjusted height.

이때, 접촉 압력은 상기 제1 롤러모듈(301)보다 제2 롤러모듈(302)이 상대적으로 높게 설정되고, 상기 제2 롤러모듈(302)보다 제3 롤러모듈(303)이 상대적으로 높게 설정된다.At this time, the contact pressure of the second roller module 302 is set to be relatively higher than that of the first roller module 301, and the third roller module 303 is set to be relatively higher than the second roller module 302 .

즉, 웨이퍼가 연마되는 시간이 증가될수록 더 높은 접촉 압력으로 연마되도록 구성됨으로써, 연마면의 균일성을 높일 수 있다.That is, as the time for polishing the wafer is increased, polishing is performed at a higher contact pressure, so that the uniformity of the polishing surface can be increased.

또한, 상기 제1 롤러모듈(301), 제2 롤러모듈(302) 및 제3 롤러모듈(303)의 롤러(310) 회전수(RPM)도 각각 다르게 구성될 수 있다.The RPMs of the rollers 310 of the first roller module 301, the second roller module 302, and the third roller module 303 may also be configured differently.

첨부된 도 2에 따르면, 연마 시간의 경과에 따라 후반부 연마시의 회전수가 전반부의 회전수보다 상대적으로 많아야 연마면의 균일성을 높일 수 있다.According to the accompanying FIG. 2, the number of revolutions at the time of the second half polishing is relatively larger than the number of revolutions at the first half according to the progress of the polishing time, so that the uniformity of the polishing surface can be increased.

이에, 본 발명에서는 상기 제2 롤러모듈(302) 및 제3 롤러모듈(303)의 롤러 회전수는 동일하게 하고, 상기 제2 롤러모듈(302)의 롤러 회전수는 상기 제1 롤러모듈(301)의 롤러 회전수보다 상대적으로 많게 설정하여 웨이퍼가 연마되도록 구성될 수 있다.In the present invention, the number of rotations of the second roller module 302 and the third roller module 303 is the same, and the number of rotations of the second roller module 302 is equal to the number of rotations of the first roller module 301 To be relatively larger than the number of roller rotations of the wafer W.

상기 정반부(100) 및 연마롤러부(300)를 통해, 상기 정반부(100)에 흡착 고정된 웨이퍼(W)는 회전하고, 웨이퍼가 회전되는 상태에서 이송되며, 이송되는 과정에서 회전하는 롤러의 연마포에 의해 웨이퍼의 일측 면(편면)이 연마되게 된다.The wafer W sucked and fixed to the table 100 through the table 100 and the polishing roller 300 is rotated and transferred while the wafer is being rotated, (One side) of the wafer is polished.

이때, 상기 정반부(100)를 이송시키는 이송부(200)의 레일(210)이 수평 또는 수직 방향의 무한루프로 구성되면, 웨이퍼의 연속 연마도 가능하다.At this time, if the rail 210 of the transfer unit 200 for transferring the table 100 is configured as an endless loop in the horizontal or vertical direction, continuous polishing of the wafer is possible.

연마액 공급부(400)는 에칭 작용을 갖는 연마액을 공급하는 것으로서, 상기 연마롤러부(300)에 연마액을 공급한다.The polishing liquid supply unit 400 supplies a polishing liquid having an etching action to the polishing roller unit 300.

상기 연마액 공급부(400)는 상기 제1 롤러모듈(301), 제2 롤러모듈(302) 및 제3 롤러모듈(303) 각각에 설치되고, 롤러의 회전수에 따라 일정량의 연마액이 공급되도록 구성될 수 있다.The polishing liquid supply unit 400 is installed in each of the first roller module 301, the second roller module 302 and the third roller module 303 so that a predetermined amount of polishing liquid is supplied in accordance with the rotation number of the roller Lt; / RTI >

상기 연마액 공급부(400)를 통해 공급되는 연마액은 상기 롤러(310)의 외표면에 부착되는 연마포(320)에 낙하하게 되는 데, 연마액으로서는 콜로이달 실리카 등을 지립으로서 포함하는 알칼리계 연마액 등이 이용될 수 있다.The polishing liquid supplied through the polishing liquid supply unit 400 falls on the polishing cloth 320 adhered to the outer surface of the roller 310. As the polishing liquid, an alkaline material containing colloidal silica as abrasive grains A polishing liquid or the like may be used.

웨이퍼 공급부(500)는 상기 연마롤러부(300)의 전단에 설치되고, 상기 정반부(100)에 연마될 웨이퍼를 공급하며, 웨이퍼 배출부(600)는 상기 연마롤러부(300)의 후단에 설치되고, 상기 정반부(100)에서 연마된 웨이퍼를 배출하는 기능을 수행한다.The wafer supply unit 500 is installed at the front end of the polishing roller unit 300 and supplies the wafer to be polished to the table 100. The wafer discharge unit 600 is disposed at the rear end of the polishing roller unit 300 And performs a function of discharging the polished wafer from the surface plate 100.

상기 웨이퍼 공급부(500) 및 웨이퍼 배출부(600)는 진공을 이용한 흡착판과 상기 흡착판을 구동하는 로봇암을 포함하여 구성될 수 있다.The wafer supply unit 500 and the wafer discharge unit 600 may include a vacuum suction plate and a robot arm for driving the suction plate.

상기 구성에서, 상기 웨이퍼 공급부(500)에 구비된 로봇암은 지정된 위치의 웨이퍼 적재함에서 연마될 웨이퍼를 흡착하여 상기 정반부(100)의 플레이트(110)에 안착시키고, 상기 웨이퍼 배출부(600)에 구비된 로봇암은 상기 정반부(100)의 플레이트(110)에 안착되어 연마된 웨이퍼를 흡착하고, 지정된 위치의 웨이퍼 적재함에 적재시키도록 구현된 로직에 의해 구동하도록 구성될 수 있다.The robot arm provided in the wafer supply unit 500 sucks the wafer to be polished in a wafer loading box at a designated position and places the wafer on the plate 110 of the base plate 100, The robot arm mounted on the table 100 may be configured to be mounted on the plate 110 of the table 100 and to be driven by logic implemented to pick up the polished wafer and load the polished wafer on a wafer loader at a designated position.

상기 구성에 의하면, 웨이퍼를 회전시키고 이송되는 과정에서 웨이퍼의 편면 연마가 수행됨에 따라, 웨이퍼의 편면 연마를 연속적으로 수행할 수 있으므로, 비교적 짧은 시간에 많은 웨이퍼를 연마할 수 있고, 롤러모듈의 높이에 따라 롤러와 웨이퍼와의 접촉 압력이 달라지게 되므로, 요구되는 연마 압력을 쉽게 설정할 수 있다.According to the above configuration, as the one side polishing of the wafer is performed in the process of rotating and transferring the wafer, the one side polishing of the wafer can be continuously performed, so that it is possible to polish many wafers in a relatively short time, , The contact pressure between the roller and the wafer is changed, so that the required polishing pressure can be easily set.

다음으로, 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 방법에 대해서 설명한다.Next, the wafer polishing method according to the present invention will be described.

도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 방법에 대한 흐름도를 나타낸 것이다.5 is a flow chart of a wafer polishing method according to the present invention.

첨부된 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 방법은 웨이퍼 공급단계(S10), 이송단계(S20), 연마단계(S30) 및 웨이퍼 배출단계(S40)를 포함하여 이루어진다.Referring to FIG. 5, a wafer polishing method according to the present invention includes a wafer supply step S10, a transfer step S20, a polishing step S30, and a wafer discharge step S40.

1. 웨이퍼 공급단계(S10)1. Wafer supply step (S10)

웨이퍼 공급단계(S10)는 정반부(100)의 플레이트(110)에 연마될 웨이퍼(W)를 공급하고, 공급된 웨이퍼를 흡착 고정하는 단계이다.The wafer supplying step S10 is a step of supplying the wafer W to be polished to the plate 110 of the table 100 and adsorbing and fixing the supplied wafer.

즉, 상기 웨이퍼 공급단계(S10)는 웨이퍼 공급부(500)의 구동에 의해 연마될 웨이퍼를 흡착하여 상기 정반부(100)의 플레이트(110)에 안착시키고, 상기 정반부(100)는 진공압을 이용하여 상기 플레이트(110)에 안착된 웨이퍼를 흡착 고정시키는 단계이다.That is, in the wafer supplying step S10, the wafer to be polished is sucked by the wafer supplying part 500 to be placed on the plate 110 of the table 100, Thereby adsorbing and fixing the wafer placed on the plate 110.

2. 이송단계(S20)2. Transfer step (S20)

이송단계(S20)는 상기 웨이퍼 공급단계(S10)에서 공급된 웨이퍼(W)를 회전시키면서 수평방향으로 이송시키는 단계이다.The transfer step S20 is a step of transferring the wafer W supplied in the wafer supply step S10 in the horizontal direction while rotating the wafer W.

상기 이송단계(S20)는 웨이퍼를 흡착 고정한 상태에서, 웨이퍼를 회전시키고 이송하는 단계로서, 상기 정반부(100)의 플레이트(110)에 흡착 고정된 웨이퍼는 모터(120)의 구동에 의해 플레이트(110)가 회전됨에 따라 회전되며, 이송부(200)의 구동에 의해 연마롤러부(300) 측으로 이송된다.The transferring step S20 is a step of rotating and transferring the wafer in a state where the wafer is sucked and fixed. The wafer sucked and fixed to the plate 110 of the table part 100 is transferred to the plate 110 are rotated and are conveyed to the polishing roller unit 300 side by the driving of the conveyance unit 200.

3. 연마단계(S30)3. Polishing step (S30)

연마단계(S30)는 상기 이송단계(S20)에서 이송되는 웨이퍼(W)에 연마액을 공급하고, 제1 롤러모듈(301), 제2 롤러모듈(302) 및 제3 롤러모듈(303)를 순차적으로 거치면서 웨이퍼 편면을 연마하는 단계이다.The polishing step S30 is a step of supplying the polishing liquid to the wafer W transferred in the transfer step S20 and supplying the polishing liquid to the first roller module 301, the second roller module 302 and the third roller module 303 Polishing the one side of the wafer while sequentially passing through the other.

이때, 상기 제1 롤러모듈(301), 제2 롤러모듈(302) 및 제3 롤러모듈(303)은 설정된 접촉 압력에 근거하여, 거리측정모듈(330)에서 검출된 결과에 따라, 상기 정반부(100)의 플레이트(110)부터 각각 상기 제1 롤러모듈(301), 제2 롤러모듈(302) 및 제3 롤러모듈(303)의 높이가 설정되도록 구성될 수 있다.At this time, the first roller module 301, the second roller module 302, and the third roller module 303 are driven based on the contact pressure detected by the distance measurement module 330, The height of the first roller module 301, the second roller module 302, and the third roller module 303 may be set from the plate 110 of the first roller module 100, respectively.

4. 웨이퍼 배출단계(S40)4. Wafer discharge step (S40)

웨이퍼 배출단계(S40)는 상기 연마단계(S30)를 통해 연마된 웨이퍼(W)를 상기 플레이트(110)로부터 배출시키는 단계이다.The wafer discharging step S40 is a step of discharging the polished wafer W from the plate 110 through the polishing step S30.

즉, 상기 웨이퍼 배출단계(S40)는 웨이퍼 배출부(600)의 구동에 따라 상기 정반부(100)의 플레이트(110)에서 편면 연마된 웨이퍼를 흡착하여 상기 정반부(100)로부터 배출시키는 단계이다. 이때, 상기 정반부(100)는 웨이퍼의 흡착이 해제되도록 제어됨으로써, 웨이퍼가 플레이트(110)로부터 쉽게 탈리되게 구성된다.That is, the wafer discharging step S40 is a step of sucking the one side polished wafer from the plate 110 of the table 100 according to driving of the wafer discharging unit 600 and discharging the wafer from the table 100 . At this time, the surface of the wafer 100 is easily separated from the plate 110 by being controlled so that the adsorption of the wafer is released.

필요에 따라, 상기 웨이퍼 배출단계(S40)에서 배출된 웨이퍼는 상하가 반전된 상태에서, 상기 웨이퍼 공급단계(S10)에 공급되도록 함으로써, 웨이퍼의 양면 연마가 수행되도록 구성될 수 있다.If necessary, the wafer discharged in the wafer discharging step S40 may be configured to be supplied to the wafer supply step (S10) in a state in which the wafer is vertically inverted, so that both-side polishing of the wafer is performed.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명하였으나, 본 발명의 권리범위는 이에 한정되지 아니하며 본 발명의 실시 예와 실질적으로 균등한 범위에 있는 것까지 본 발명의 권리범위가 미치는 것으로 이해되어야 하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형 실시가 가능하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

100: 정반부 110: 플레이트
120: 모터 200: 이송부
210: 레일 220: 이송유닛
300: 연마롤러부 301: 제1 롤러모듈
302: 제2 롤러모듈 303: 제3 롤러모듈
310: 롤러 320: 연마포
330: 거리측정모듈 400: 연마액 공급부
500: 웨이퍼 공급부 600: 웨이퍼 배출부100: Platen part 110: Plate
120: motor 200:
210: rail 220: conveying unit
300: abrading roller section 301: first roller module
302: second roller module 303: third roller module
310: roller 320:
330: distance measuring module 400: polishing solution supply part
500: wafer supply part 600: wafer discharge part

Claims (5)

웨이퍼(W)가 흡착 고정되는 플레이트(110)와 상기 플레이트(110)를 회전시키는 모터(120)를 포함하는 정반부(100);
상기 정반부(100)를 이송시키는 이송부(200);
상기 이송부(200)에 의해 이송되는 정반부(100)의 진행방향에 설치되고, 상기 정반부(100)에 흡착 고정된 웨이퍼 편면을 연마하는 연마롤러부(300);
상기 연마롤러부(300)에 연마액을 공급하는 연마액 공급부(400);
상기 연마롤러부(300)의 전단에 설치되고, 상기 정반부(100)에 연마될 웨이퍼를 공급하는 웨이퍼 공급부(500); 및
상기 연마롤러부(300)의 후단에 설치되고, 상기 정반부(100)에 연마된 웨이퍼를 배출하는 웨이퍼 배출부(600);
를 포함하여 구성되고,
상기 플레이트(110)는,
공급된 웨이퍼(W)가 안착되는 안착홈(111); 및
상기 안착홈(111)에 안착된 웨이퍼(W)를 흡착하는 진공홀(112);
을 포함하여 구성되며,
상기 연마롤러부(300)는,
상기 정반부(100)에 흡착 고정된 웨이퍼(W)를 1차 연마하는 제1 롤러모듈(301);
상기 제1 롤러모듈(301)의 후단에 설치되어 상기 정반부(100)에 흡착 고정된 웨이퍼(W)를 2차 연마하는 제2 롤러모듈(302); 및
상기 제2 롤러모듈(302)의 후단에 설치되어 상기 정반부(100)에 흡착 고정된 웨이퍼(W)를 3차 연마하는 제3 롤러모듈(303);
을 포함하고,
상기 제1 롤러모듈(301), 제2 롤러모듈(302) 및 제3 롤러모듈(303)은,
모터에 의해 회전되는 롤러(310); 및
상기 롤러(310)의 외표면에 부착되는 연마포(320);
를 포함하며,
상기 연마롤러부(300)에는,
상기 제1 롤러모듈(301), 제2 롤러모듈(302) 및 제3 롤러모듈(303)의 롤러(310)의 회전축과 상기 정반부(100)의 플레이트(110) 사이의 거리를 각각 검출하는 거리측정모듈(330)이 포함되고,
상기 거리측정모듈(330)에서 검출된 결과에 따라, 상기 정반부(100)의 플레이트(110)부터 상기 제1 롤러모듈(301), 제2 롤러모듈(302) 및 제3 롤러모듈(303)의 높이가 각각 조정되며, 조정된 높이에 따라 상기 롤러(310)와 상기 플레이트(110)에 흡착 고정된 웨이퍼(W)와의 접촉 압력이 다르게 구성되되,
상기 접촉 압력은 상기 제1 롤러모듈(301)보다 제2 롤러모듈(302)이 상대적으로 높게 설정되고, 상기 제2 롤러모듈(302)보다 제3 롤러모듈(303)이 상대적으로 높게 설정되며,
상기 제2 롤러모듈(302) 및 제3 롤러모듈(303)의 롤러 회전수는 동일하게 하고, 상기 제2 롤러모듈(302)의 롤러 회전수는 상기 제1 롤러모듈(301)의 롤러 회전수보다 상대적으로 많게 설정하여 웨이퍼가 연마되도록 구성되고,
상기 제1 롤러모듈(301), 제2 롤러모듈(302) 및 제3 롤러모듈(303)의 롤러 회전 방향은,
상기 이송부(200)에 의해 이송되는 정반부(100)의 진행방향에 대하여 역방향으로 회전되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 폴리싱 장치.
A table 100 including a plate 110 to which the wafer W is attracted and fixed and a motor 120 to rotate the plate 110;
A transfer unit 200 for transferring the table 100;
A polishing roller unit 300 installed in the traveling direction of the table 100 to be conveyed by the conveying unit 200 and polishing the one side of the wafer sucked and fixed to the table 100;
A polishing liquid supply unit 400 for supplying a polishing liquid to the polishing roller unit 300;
A wafer supply unit 500 provided at a front end of the polishing roller unit 300 to supply a wafer to be polished to the table 100; And
A wafer discharging unit 600 disposed at a rear end of the polishing roller unit 300 and discharging a wafer polished to the surface plate 100;
And,
The plate (110)
A seating groove 111 in which the supplied wafer W is seated; And
A vacuum hole 112 for sucking the wafer W placed on the seating groove 111;
And,
The polishing roller unit 300 includes:
A first roller module 301 for first polishing the wafer W sucked and fixed to the table 100;
A second roller module (302) installed at the rear end of the first roller module (301) and secondly polishing the wafer (W) sucked and fixed to the table section (100); And
A third roller module 303 installed at the rear end of the second roller module 302 for tertiary polishing the wafer W sucked and fixed to the table 100;
/ RTI >
The first roller module 301, the second roller module 302, and the third roller module 303,
A roller 310 rotated by a motor; And
A polishing cloth 320 attached to an outer surface of the roller 310;
/ RTI >
In the polishing roller unit 300,
The distance between the rotation axis of the roller 310 of the first roller module 301, the second roller module 302 and the third roller module 303 and the plate 110 of the table 100 is detected A distance measurement module 330 is included,
The first roller module 301, the second roller module 302, and the third roller module 303 from the plate 110 of the table 100 according to the results detected by the distance measurement module 330, And the contact pressure between the roller 310 and the wafer W sucked and fixed to the plate 110 is varied according to the adjusted height,
The contact pressure is set to be relatively higher for the second roller module 302 than for the first roller module 301 and the third roller module 303 is set to be higher than the second roller module 302,
The number of rotations of the second roller module 302 and the third roller module 303 is the same and the number of rotations of the second roller module 302 is equal to the number of rotations of the roller of the first roller module 301 And the wafer is polished by setting a relatively larger number,
The roller rotation direction of the first roller module 301, the second roller module 302, and the third roller module 303,
Is rotated in a direction opposite to a traveling direction of the table (100) conveyed by the transfer unit (200).
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