KR101959449B1 - composition for forming strechable conductive pattern, method for producing the strechable conductive pattern using the same and electronic device comprising the strechable conductive electrode - Google Patents

composition for forming strechable conductive pattern, method for producing the strechable conductive pattern using the same and electronic device comprising the strechable conductive electrode Download PDF

Info

Publication number
KR101959449B1
KR101959449B1 KR1020110061805A KR20110061805A KR101959449B1 KR 101959449 B1 KR101959449 B1 KR 101959449B1 KR 1020110061805 A KR1020110061805 A KR 1020110061805A KR 20110061805 A KR20110061805 A KR 20110061805A KR 101959449 B1 KR101959449 B1 KR 101959449B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polymer
pattern
gel
forming
metal
Prior art date
Application number
KR1020110061805A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20120124346A (en
Inventor
허재현
박종진
임규현
정운룡
박민우
현동춘
Original Assignee
삼성전자주식회사
연세대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사, 연세대학교 산학협력단 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020110061805A priority Critical patent/KR101959449B1/en
Priority to US13/458,139 priority patent/US20120279762A1/en
Publication of KR20120124346A publication Critical patent/KR20120124346A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101959449B1 publication Critical patent/KR101959449B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0277—Bendability or stretchability details
    • H05K1/0283—Stretchable printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H05K1/097—Inks comprising nanoparticles and specially adapted for being sintered at low temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1258—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by using a substrate provided with a shape pattern, e.g. grooves, banks, resist pattern

Abstract

일 측면에 따라 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법을 개시한다. 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법은 베이스 기재를 형성하는 단계; 상기 베이스 기재 위에 산(peak)과 골(valley)을 포함하는 물결무늬를 갖는 일정한 간격의 복수의 트렌치 라인을 형성하는 단계; 상기 트렌치 라인 내에 고분자-금속 전구체 혼합물을 채워서 고분자-금속 전구체 혼합물 패턴을 형성하는 단계; 상기 고분자-금속 전구체 혼합물을 고분자 겔-금속 나노입자 복합체로 변환시켜서 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 베이스 기재 내의 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴을 엑셉터 기재 위로 1차 전사하는 단계를 포함한다. Disclosed is a method of forming a conductive pattern that can be stretched along one side surface. A method of forming a stretchable conductive pattern includes forming a base substrate; Forming a plurality of spaced apart trench lines having a wave pattern including peaks and valleys on the base substrate; Filling the polymer-metal precursor mixture in the trench line to form a polymer-metal precursor mixture pattern; Converting the polymer-metal precursor mixture into a polymer gel-metal nano-particle complex to form a polymer gel-metal nano-particle complex pattern; And a step of primarily transferring the polymer gel-metal nanoparticle composite pattern in the base substrate onto the acceptor substrate.

Description

신축 가능한 전도성 패턴 형성용 조성물, 이를 이용한 신축 가능한 전도성 패턴의 제조방법 및 신축 가능한 전도성 전극을 포함하는 전자 소자{composition for forming strechable conductive pattern, method for producing the strechable conductive pattern using the same and electronic device comprising the strechable conductive electrode}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a composition for forming a stretchable conductive pattern, a method of manufacturing a stretchable conductive pattern using the stretchable conductive pattern, and an electronic device including a stretchable conductive electrode using the stretchable conductive pattern. strechable conductive electrode}

신축 가능한 전도성 패턴 형성용 조성물, 이를 이용한 신축 가능한 전도성 패턴의 제조방법 및 신축 가능한 전도성 전극을 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.A method of manufacturing a stretchable conductive pattern using the stretchable conductive pattern, and an electronic device including a stretchable conductive electrode.

전자소자의 응용 분야가 넓어지면서 종래의 딱딱한 기판 위에 존재하는 전자소자의 한계를 극복할 수 있는 유연한 형태의 전자소자에 대한 요구가 커지고 있다. 유연한 디스플레이, 스마트 의복, 유전체 엘라스토머 액츄에이터(DEA), 생체적합성 전극, 생체내 전기적 신호 감지 등과 같은 분야에 사용되는 전자소자들은 유연하고 신축성있는 형태가 요구된다. 이와 같은 유연성, 신축성을 갖는 전자소자 분야에서 기본적이면서 중요한 기술 중 하나가 전도성을 유지하면서 신축 가능한 전극을 형성하는 것이다. 2. Description of the Related Art As electronic devices are widely used, there is a growing demand for flexible electronic devices capable of overcoming the limitations of conventional electronic devices on a rigid substrate. Electronic devices used in fields such as flexible displays, smart garments, dielectric elastomer actuators (DEA), biocompatible electrodes, in vivo electrical signal sensing, etc., require flexible and stretchable forms. One of basic and important technologies in the field of electronic devices having such flexibility and stretchability is to form electrodes that can be stretched while maintaining conductivity.

금속과 같은 물질은 전도성이 우수하지만 딱딱하고, 뻣뻣한 성질로 인하여 그대로 활용하기 어렵다. 탄소 나노튜브나 그레펜(graphene)과 같은 물질도 단독으로 사용할 경우에는 역시 신축성있는 전극을 만들기 힘들다. Materials such as metals are excellent in conductivity, but are difficult to use due to their rigid and stiff nature. When carbon nanotubes or graphene are used alone, it is difficult to make elastic electrodes.

신축 가능한 전극을 만들기 위한 방법으로서 탄소나노튜브와 투명한 플루오르화 고분자, 이온성 액체를 섞어서 페이스트 형태로 제조한 예, 금속 입자와 폴리아크릴산 혼합물을 페이스트 형태로 만들어 잉크젯 방법으로 패턴을 만든 예, 그리고 주름진 PDMS 기판 위에 금속층을 형성하여 주름이 펴지는 만큼 신축성을 갖게 하는 예 등이 보고된 바 있다. 그러나 이러한 방법들은 사용된 물질이나 주름진 기판의 신축성이 크지 못하여 신축에 따라 전도성이 급격히 낮아지거나 기계적으로 깨지는 것과 같은 문제를 보인다. Examples of a method for making stretchable electrodes include a method in which carbon nanotubes are mixed with a transparent fluorinated polymer and an ionic liquid to prepare a paste form, a method in which a mixture of metal particles and a polyacrylic acid is formed into a paste to form a pattern by an ink jet method, There has been reported an example in which a metal layer is formed on a PDMS substrate to make it stretchable as the wrinkles expand. However, these methods have problems in that the materials used or the corrugated substrate are not very stretchable, and thus the conductivity is sharply lowered or mechanically broken according to expansion and contraction.

신축 가능한 전도성 패턴 형성용 조성물, 이를 이용한 신축 가능한 전도성 패턴의 제조방법 및 신축 가능한 전도성 전극을 포함하는 전자 소자를 제공하는 것이다. A method for producing a stretchable conductive pattern using the composition, and an electronic device including a stretchable conductive electrode.

일 측면에 따라 광경화 또는 열경화에 의하여 겔(gel)을 형성하는 고분자, 금속 전구체 및 용매를 포함하는 신축 가능한 전도성 패턴 형성용 조성물을 개시한다. Disclosed is a composition for forming a stretchable conductive pattern comprising a polymer, a metal precursor, and a solvent that forms a gel by photocuring or thermosetting according to one aspect.

상기 겔을 형성하는 고분자는 PEG-DA(polyethyleneglycol diacrylate: 폴리에틸렌글리콜 디아크릴레이트), PS-PEO-PS(polystyrene polyethyleneoxide polystyrene: 폴리스티렌 폴리에틸렌옥사이드 폴리스티렌) 또는 POB-PEO(polyoxybutylene polyethyleneoxide: 폴리옥시부틸렌 폴리에틸렌옥사이드)를 포함할 수 있다. 상기 겔을 형성하는 고분자는 조성물 전체 100 중량 %에 대하여 0.1-10 중량 %를 포함할 수 있다. The polymer forming the gel may be selected from the group consisting of PEG-DA (polyethyleneglycol diacrylate), PS-PEO-PS (polystyrene polyethylene oxide polystyrene), POB-PEO (polyoxybutylene polyethylene oxide ). The polymer forming the gel may include 0.1-10% by weight based on 100% by weight of the total composition.

상기 금속 전구체는 AgCF3COOH,　AgNO3, HAuCl4, CuCl2, PtCl2 또는 PtCl4 을 포함할 수 있다. 상기 금속 전구체는 조성물 전체 100 중량 %에 대하여 0.1-10 중량 %를 포함할 수 있다. The metal precursor may include AgCF 3 COOH, AgNO 3, HAuCl 4, CuCl 2, PtCl 2 or PtCl 4. The metal precursor may include 0.1 to 10% by weight based on 100% by weight of the total composition.

상기 용매는 물, 에탄올, 디메틸포름아미드(dimethylformamide) 또는 디메틸술폭사이드(dimethyl sulfoxide)를 포함할 수 있다. The solvent may comprise water, ethanol, dimethylformamide or dimethyl sulfoxide.

한편, 상기 조성물은 경화 개시제를 더 포함할 수 있다. 경화 개시제는 예를 들면 DMPA(2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone: 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논)일 수 있다. 상기 경화 개시제는 예를 들면 조성물 전체 100 중량 %에 대하여 0.05-5 중량 %를 포함할 수 있다. On the other hand, the composition may further comprise a curing initiator. The curing initiator may be, for example, DMPA (2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone: 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone). The curing initiator may include, for example, 0.05 to 5% by weight based on 100% by weight of the total composition.

다른 일 측면에 따라 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법을 개시한다. 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법은 베이스 기재를 형성하는 단계; 상기 베이스 기재 위에 산(peak)과 골(valley)을 포함하는 물결무늬의 복수의 트렌치 라인을 형성하는 단계; 상기 트렌치 라인 내에 고분자-금속 전구체 혼합물을 채워서 고분자-금속 전구체 혼합물 패턴을 형성하는 단계; 상기 고분자-금속 전구체 혼합물을 고분자 겔-금속 나노입자 복합체로 변환시켜서 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 베이스 기재 내의 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴을 엑셉터 기재 위로 1차 전사하는 단계를 포함한다. A method of forming a conductive pattern capable of stretching in accordance with another aspect is disclosed. A method of forming a stretchable conductive pattern includes forming a base substrate; Forming a plurality of wavy patterns of trench lines including peaks and valleys on the base substrate; Filling the polymer-metal precursor mixture in the trench line to form a polymer-metal precursor mixture pattern; Converting the polymer-metal precursor mixture into a polymer gel-metal nano-particle complex to form a polymer gel-metal nano-particle complex pattern; And a step of primarily transferring the polymer gel-metal nanoparticle composite pattern in the base substrate onto the acceptor substrate.

상기 베이스 기재를 형성하는 단계는 열 또는 신축에 의하여 변형될 수 있고 탄성을 갖는 제1 고분자기재를 제공하는 단계; 및 상기 제1 고분자기재 위에 열 또는 신축에 의하여 변형될 수 있고 탄성을 가지며, 상기 제1 고분자기재의 물질과 인장에 대한 탄성 계수(elastic modulus) 또는 열팽창 계수가 다른 제1 고분자층을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다. The step of forming the base substrate may include providing a first polymeric substrate having elasticity that can be deformed by heat or stretching; And forming a first polymer layer having elasticity and elasticity with respect to a material of the first polymer base material, the first polymer layer being different in elastic modulus or thermal expansion coefficient from the material of the first polymer base material by being thermally or elastically deformable on the first polymer base material, ; ≪ / RTI >

상기 베이스 기재 위에 상기 물결무늬의 상기 복수의 트렌치 라인을 형성하는 단계는 상기 베이스 기재를 제1축 방향으로 인장하고 완화시킨 후 상기 제1축과 수직인 제2축 방향으로 인장하고 완화시키는 단계를 포함할 수 있다. Wherein forming the plurality of trench lines of the wavy pattern on the base substrate comprises stretching and relaxing the base substrate in a first axis direction and then tensioning and relaxing in a second axis direction perpendicular to the first axis .

상기 물결무늬의 상기 복수의 트렌치 라인은 동일한 간격을 이룰 수 있다. 상기 트렌치 라인의 상기 산은 인접한 상기 트렌치 라인의 상기 산과 나란하고, 상기 트렌치 라인의 상기 골은 인접한 상기 트렌치 라인의 상기 골과 나란할 수 있다. The plurality of trench lines of the wave pattern may be equally spaced. The acid of the trench line is parallel to the acid of the adjacent trench line and the trench line of the trench line is parallel to the trench of the adjacent trench line.

상기 베이스 기재 위에 상기 물결무늬의 상기 복수의 트렌치 라인을 형성하는 단계는 상기 베이스 기재의 온도를 80-100℃까지 올린 후 상온으로 되돌리는 단계를 포함할 수 있다. The step of forming the plurality of trench lines of the wavy pattern on the base substrate may include raising the temperature of the base substrate to 80-100 DEG C and then returning to a normal temperature.

상기 트렌치 라인 내에 고분자-금속 전구체 혼합물을 채우는 단계는 광경화 또는 열경화에 의하여 겔을 형성하는 고분자, 금속 전구체 및 용매를 포함하는 고분자-금속 전구체 조성물을 상기 트렌치 라인이 형성된 상기 베이스 기재 위에 코팅하는 단계를 포함할 수 있다. The step of filling the polymer-metal precursor mixture in the trench line comprises coating a polymer-metal precursor composition comprising a polymer, a metal precursor and a solvent forming a gel by photocuring or thermosetting onto the base substrate on which the trench line is formed Step < / RTI >

상기 고분자-금속 전구체 혼합물을 고분자 겔-금속 나노입자 복합체로 변환시키는 단계는 상기 고분자를 겔 상태로 경화시키는 단계 및 상기 고분자-금속 전구체 혼합물의 상기 금속 전구체를 환원시키는 단계를 포함할 수 있다. The step of converting the polymer-metal precursor mixture into a polymer gel-metal nano-particle complex may include curing the polymer in a gel state and reducing the metal precursor of the polymer-metal precursor mixture.

상기 고분자-금속 전구체 혼합물의 상기 금속 전구체를 환원시키는 단계는 상기 고분자-금속 전구체 혼합물을 히드라진(N2H4) 또는 붕수소나트륨(NaBH4)에 처리하는 단계를 포함할 수 있다. The step of reducing the metal precursor mixture of the polymer-metal precursor mixture may include treating the polymer-metal precursor mixture with hydrazine (N 2 H 4 ) or sodium borohydride (NaBH 4 ).

상기 고분자를 겔 상태로 경화시키는 단계는 고분자-금속 전구체 혼합물을 UV 조사 또는 열처리하는 단계를 포함할 수 있다. The step of curing the polymer in a gel state may include UV irradiation or heat treatment of the polymer-metal precursor mixture.

상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴을 전사하는 단계는 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴의 전사 전에 상기 엑셉터 기재를 UV 경화가능한 표면을 갖도록 표면처리하는 단계를 포함할 수 있다. The step of transferring the polymer gel-metal nano-particle composite pattern may include a step of surface-treating the polymer-gel nano-particle composite pattern so that the acceptor substrate has a UV curable surface before transferring the polymer gel-metal nano-particle composite pattern.

상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴을 전사하는 단계는 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴이 형성된 상기 베이스 기재를 상기 억셉터 기재 위에 얼라인하는 단계; 및 상기 억셉터 기재 위에 얼라인된 상기 베이스 기재를 상기 억셉터 기재에 대하여 밀착하고, UV 조사하여 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴과 상기 상기 억셉터 기재 사이에 가교 결합을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. The step of transferring the polymer gel-metal nanoparticle composite pattern includes aligning the base substrate on which the polymer gel-metal nanoparticle composite pattern is formed on the acceptor substrate; And a step of bringing the base substrate aligned on the acceptor substrate into close contact with the acceptor substrate and UV irradiation to form a cross-link between the polymer gel-metal nano-particle composite pattern and the acceptor substrate can do.

상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴을 상기 엑셉터 기재 위로 1차로 전사한 후 상기 1차로 전사된 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴의 방향과 다른 방향으로 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴을 상기 엑셉터 기재 위로 2차로 전사하는 단계를 포함할 수 있다. The polymer gel-metal nanoparticle composite pattern is first transferred onto the acceptor substrate, and then the polymer gel-metal nanoparticle composite pattern is transferred in a direction different from the direction of the first polymer-gel- And transferring the solution onto the acceptor substrate in a second step.

또 다른 일 측면에 따라 신축성 기판; 및 상기 신축성 기판 위의, 고분자 겔-금속 나노입자 복합체로 이루어진, 복수의 물결무늬 라인의 신축 가능한 전극;을 포함하는 전자 소자를 개시한다.According to another aspect, there is provided a flexible substrate; And a flexible electrode on the flexible substrate, the flexible electrode comprising a plurality of polymeric gel-metal nanoparticle composites in a plurality of wavy lines.

상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체는 고분자 겔 및 상기 고분자 겔 내에서 퍼콜레이션 네트워크(percolation network)를 형성하는 금속 나노입자로 이루어질 수 있다. The polymer gel-metal nanoparticle complex may be composed of a polymer gel and metal nanoparticles forming a percolation network in the polymer gel.

상기 신축성 기판은 신축성 고분자로 이루어질 수 있다. The stretchable substrate may be made of a stretchable polymer.

상기 신축성 기판은 상기 전극에 전기적으로 연결되는 회로를 포함할 수 있다. The flexible substrate may include a circuit electrically connected to the electrode.

신축 가능한 고분자 내에서 금속 나노입자가 퍼콜로레이션을 형성하고 패턴 자체가 굴곡을 가짐에 의하여, 패턴의 신축성을 향상시킬 수 있고 또한 신축시에도 패턴이 높은 전도성을 유지할 수 있다. 따라서 상기 패턴은 신축 가능한 전극 등에 사용될 수 있다. The metal nanoparticles form percolation in the stretchable polymer and the pattern itself has a bend, whereby the stretchability of the pattern can be improved and the pattern can maintain high conductivity even when stretched. Therefore, the pattern can be used for an expandable electrode or the like.

도 1은 일 구현예에 의한 신축 가능한 전도성 패턴의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2a 내지 도 2e는 도 1의 일 구현예에 의한 신축 가능한 전도성 패턴의 제조 방법을 순서대로 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3은 PDMS 기재 위에 PS 층이 형성된 베이스 기재의 트렌치 라인 내에 PEG-DA/Ag 전구체 혼합물이 채워진 모습을 보여주는 SEM(Scanning Electron Microscopy) 사진이다.
도 4a는 베이스 기재의 트렌치 내의 PEG-DA 겔/Ag 나노입자의 복합체 패턴을 보여주는 SEM 사진이고, 도 4b는 도 4a의 PEG-DA 겔/Ag 나노입자의 복합체 패턴의 TEM 사진이다.
도 5a 및 도 5b는 AgCF3COOH 로부터 환원되어 형성된 Ag 나노입자의 TEM(transmission electron microscopy) 사진과 XRD(X-ray diffraction) 패턴이다.
도 6은 엑셉터 기재 위로 전사된 PEG-DA 겔/Ag 나노입자의 복합체 패턴을 보여주는 AFM(atomic force microscopy) 이미지이다.
도 7은 PEG-DA 고분자와 AgCF3COOH의 혼합물 용액 내에서의 AgCF3COOH의 농도에 따른 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체에서의 Ag의 중량비(%)를 측정한 그래프이다.
도 8은 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체에서의 Ag 나노 입자의 중량비(%)에 따른 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체의 전기 전도도를 측정한 그래프이다.
도 9는 열처리 온도 및 시간에 따른 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체의 전기 전도도를 측정한 그래프이다.
도 10은 엑셉터 기재인 PDMS의 신축에 따른 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴의 전기 전도도의 변화를 Ag 전구체의 농도에 따라 측정한 그래프이다.
도 11은 엑셉터 기재인 PDMS의 신축에 따른 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴의 전기 전도도의 변화를 열처리 온도에 따라 측정한 그래프이다.
도 12a는 불규칙한 무늬의 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴의 SEM 사진이다.
도 12b는 지그재그 형태의 규칙적인 무늬의 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴의 SEM 사진이다.
도 12c는 도 12a 및 도 12b의 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴의 신축에 따른 전기 전도도를 측정한 그래프이다.
도 12d는 여러 신축 %에서 도 12b의 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴의 신축 사이클에 따른 전기 전도도를 측정한 그래프이다.
도 13a는 서로 수직인 제1 방향과 제2 방향의 지그재그 형태의 규칙적인 무늬의 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴이 형성한 규칙적인 그물 형태의 전도성 패턴의 광학 현미경 사진이다.
도 13b는 도 13a의 규칙적인 그물 형태의 전도성 패턴을 y축 방향으로 40% 신축한 상태의 사진이다.
도 13c는 도 13a의 규칙적인 그물 형태의 전도성 패턴을 x축과 y축 방향으로 동시에 40% 인장한 상태의 사진이다.
도 13d는 도 13a의 그물 패턴이 형성된 PDMS의 투광도를 측정한 그래프이다. 1 is a flow chart for explaining a method of manufacturing a stretchable conductive pattern according to an embodiment.
FIGS. 2A to 2E are cross-sectional views for sequentially explaining a method of manufacturing an expandable conductive pattern according to an embodiment of FIG.
FIG. 3 is a SEM (Scanning Electron Microscopy) photograph showing a PEG-DA / Ag precursor mixture filled in a trench line of a base substrate on which a PS layer is formed on a PDMS substrate.
4A is a SEM photograph showing a composite pattern of PEG-DA gel / Ag nanoparticles in a trench of a base substrate, and FIG. 4B is a TEM photograph of a composite pattern of PEG-DA gel / Ag nanoparticles of FIG.
5A and 5B are transmission electron microscopy (TEM) and X-ray diffraction (XRD) patterns of Ag nanoparticles formed by reducing AgCF 3 COOH.
Figure 6 is an AFM (atomic force microscopy) image showing the complex pattern of PEG-DA gel / Ag nanoparticles transferred onto an acceptor substrate.
FIG. 7 is a graph showing the weight ratio (%) of Ag in the PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite according to the concentration of AgCF 3 COOH in the mixture solution of PEG-DA polymer and AgCF 3 COOH.
8 is a graph showing the electrical conductivity of a PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite according to a weight ratio (%) of Ag nanoparticles in a PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite.
FIG. 9 is a graph showing the electrical conductivity of the PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite according to the heat treatment temperature and time.
10 is a graph showing a change in electrical conductivity of a PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite pattern as a result of elongation and contraction of PDMS as an acceptor substrate, according to the concentration of Ag precursor.
11 is a graph showing changes in electrical conductivity of a PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite pattern as a result of elongation and contraction of PDMS as an acceptor substrate, according to the heat treatment temperature.
12A is an SEM photograph of a pattern of irregular patterned PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite.
12B is a SEM photograph of a regular pattern of zigzag pattern of PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite pattern.
FIG. 12C is a graph showing the electrical conductivity of the PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite pattern of FIGS. 12A and 12B according to elongation and contraction.
FIG. 12D is a graph showing the electrical conductivity of the PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite pattern of FIG.
13A is an optical microscope photograph of a regular net-shaped conductive pattern formed by a regularly patterned PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite pattern in a zigzag form in mutually perpendicular first and second directions.
FIG. 13B is a photograph of the conductive net pattern of FIG. 13A in a state where it is stretched by 40% in the y-axis direction.
13C is a photograph of the conductive net pattern of FIG. 13A in a state in which the conductive pattern is simultaneously stretched 40% in the x-axis and y-axis directions.
FIG. 13D is a graph showing the transmittance of the PDMS in which the mesh pattern of FIG. 13A is formed.

이하에서 본 발명의 구체적인 실시형태에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art.

일 구현예에 따라서 신축 가능한 전도성 패턴 형성용 조성물에 대하여 상세히 설명한다. According to one embodiment, a composition for forming a stretchable conductive pattern will be described in detail.

상기 신축 가능한 전도성 패턴 형성용 조성물은 광경화 또는 열경화에 의하여 겔(gel)을 형성하는 고분자, 금속 전구체 및 용매를 포함한다. The composition for forming a stretchable conductive pattern includes a polymer, a metal precursor, and a solvent that form a gel by photo-curing or thermosetting.

이때 상기 겔을 형성하는 고분자는 PEG-DA(polyethyleneglycol diacrylate: 폴리에틸렌글리콜 디아크릴레이트), PS-PEO-PS(polystyrene polyethyleneoxide polystyrene: 폴리스티렌 폴리에틸렌옥사이드 폴리스티렌) 또는 POB-PEO(polyoxybutylene polyethyleneoxide: 폴리옥시부틸렌 폴리에틸렌옥사이드)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 겔을 형성하는 고분자는 조성물 전체 100 중량(%)에 대하여 0.1-10 중량(%)를 포함할 수 있다. The polymer forming the gel may be selected from the group consisting of PEG-DA (polyethyleneglycol diacrylate), PS-PEO-PS (polystyrene polyethylene oxide polystyrene), POB-PEO (polyoxybutylene polyethyleneoxide Oxide), but is not limited thereto. The polymer forming the gel may contain 0.1 to 10% by weight based on 100% by weight of the entire composition.

상기 금속 전구체는 AgCF3COOH,　 AgNO3, HAuCl4, CuCl2, PtCl2 또는 PtCl4 을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 금속 전구체는 조성물 전체 100 중량(%)에 대하여 0.1-10 중량(%)를 포함할 수 있다. The metal precursor, but may include AgCF 3 COOH, AgNO 3, HAuCl 4, CuCl 2, PtCl 2 or PtCl 4, but is not limited to such. The metal precursor may include 0.1 to 10% by weight based on 100% by weight of the entire composition.

상기 용매는 물, 에탄올, 디메틸포름아미드(dimethylformamide) 또는 디메틸술폭사이드(dimethyl sulfoxide)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 용매는 조성물 전체 100 중량(%)에 대하여 용매 이외의 다른 성분들의 중량(%)을 제외한 중량(%)를 포함할 수 있다. The solvent may include, but is not limited to, water, ethanol, dimethylformamide, or dimethyl sulfoxide. The solvent may include weight (%) excluding the weight (%) of the components other than the solvent relative to 100 weight (%) of the total composition.

한편, 상기 조성물은 경화 개시제를 더 포함할 수 있다. 경화 개시제는 예를 들면 DMPA(2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone: 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 경화 개시제는 예를 들면 조성물 전체 100 중량 %에 대하여 0.05-5 중량 %를 포함할 수 있다. On the other hand, the composition may further comprise a curing initiator. The curing initiator may be, for example, DMPA (2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone: 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone), but is not limited thereto. The curing initiator may include, for example, 0.05 to 5% by weight based on 100% by weight of the total composition.

신축 가능한 전도성 패턴 형성용 조성물은 기재 위에 코팅된 후 금속 전구체의 환원과 고분자의 경화를 거쳐서 신축 가능한 전도성 패턴을 형성할 수 있다. The stretchable composition for forming a conductive pattern may be coated on a substrate and then subjected to reduction of the metal precursor and curing of the polymer to form a stretchable conductive pattern.

다른 일 구현예에 따라서 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법에 대하여 상세히 설명한다. A method for forming a stretchable conductive pattern according to another embodiment will be described in detail.

도 1은 일 구현예에 의한 신축 가능한 전도성 패턴의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 2a 내지 도 2e는 도 1의 일 구현예에 의한 신축 가능한 전도성 패턴의 제조 방법을 순서대로 설명하기 위한 단면도들이다. 1 is a flow chart for explaining a method of manufacturing a stretchable conductive pattern according to an embodiment. FIGS. 2A to 2E are cross-sectional views for sequentially explaining a method of manufacturing an expandable conductive pattern according to an embodiment of FIG.

도 1 및 도 2a을 참조하면, 제1 고분자기재(11) 위의 제1 고분자층(12)으로 이루어진 베이스 기재(10)를 형성한다(S110). Referring to FIGS. 1 and 2A, a base substrate 10 made of a first polymer layer 12 on a first polymer substrate 11 is formed (S110).

제1 고분자기재(11)는 열 또는 신축에 의하여 형태가 변형될 수 있고 탄성을 갖는 고분자 물질로 이루어질 수 있다. 제1 고분자기재(11)는 예를 들면, 실리콘 고무 계통의 PDMS 와 같은 열가소성 고분자로 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 고분자기재(11)는 예를 들면 약 1㎛~10㎜ 범위의 두께로 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. The first polymer base material 11 may be made of a polymer material that can be deformed by heat or stretching and has elasticity. The first polymer base material 11 can be formed of, for example, a thermoplastic polymer such as PDMS of the silicone rubber type, but is not limited thereto. The first polymer base material 11 may be formed to have a thickness in the range of, for example, about 1 to 10 mm, but is not limited thereto.

제1 고분자층(12)은 열이나 신축에 의하여 형태가 변형될 수 있고, 제1 고분자기재(11)의 물질과 인장에 대한 탄성 계수(elastic modulus) 또는 열팽창 계수가 다른 고분자 물질을 사용할 수 있다. 제1 고분자층(12)은 예를 들면 스핀 코팅 등의 방법에 의하여 제1 고분자기재(11) 위에 형성할 수 있으며, 예를 들면 약 50-200㎚ 범위의 두께로 형성할 수 있다. The first polymer layer 12 may be deformed by heat or elongation, and may be made of a polymer material having elastic modulus or thermal expansion coefficient different from that of the material of the first polymer substrate 11 . The first polymer layer 12 can be formed on the first polymer base material 11 by, for example, spin coating or the like, and can be formed to a thickness of about 50-200 nm, for example.

도 1 및 도 2b를 참조하면, 상기 베이스 기재(10) 내에 물결무늬를 갖는 복수의 트렌치 라인(13)을 형성한다(S120). 물결무늬를 갖는 복수의 트렌치 라인(13)은 베이스 기재(10)를 일정 방향으로 인장시켰다가 완화시킴으로써 형성할 수 있다. 제1 고분자기재(11)와 제1 고분자층(12)의 탄성 계수(elastic modulus)의 차이로 인하여, 동일한 힘이 주어지더라도 제1 고분자기재(11)와 제1 고분자층(12)의 변형되는 정도에 차이가 생긴다. 신축에 의하여 제1 고분자층(12)이 제1 고분자기재(11) 보다 더 원래의 상태로 복원되는 정도가 큰 경우 또는 신축에 의하여 제1 고분자기재(11)가 제1 고분자층(12)이 보다 더 원래의 상태로 복원되는 정도가 큰 경우 제1 고분자층(12)이 형성된 제1 고분자기재(11)의 표면에 물결무늬의 주름이 잡혀서 트렌치 라인(13)이 형성될 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 2B, a plurality of trench lines 13 having a wavy pattern are formed in the base substrate 10 (S120). A plurality of trench lines 13 having a wavy pattern can be formed by stretching the base substrate 10 in a predetermined direction and then relaxing it. Due to the difference in elastic modulus between the first polymer base material 11 and the first polymer layer 12, the deformation of the first polymer base material 11 and the first polymer layer 12 There is a difference in degree. When the first polymer base layer 11 is restored to a more original state than the first polymer base material 11 due to the expansion or contraction, The trench line 13 can be formed by waving a wavy pattern on the surface of the first polymer base material 11 on which the first polymer layer 12 is formed.

베이스 기재(10)를 서로 직교하는 방향으로 인장시켰다가 순차적으로 완화시키면 일정한 간격의 복수의 규칙적인 물결무늬의 트렌치 라인을 형성할 수 있다. 예를 들어, 베이스 기재(10)를 x축 방향으로 인장시켰다가 완화시킨 후 y축 방향으로 인장시켰다가 완화시킴에 의하여 y축 방향의 산(peak)과 골(valley)을 갖고 x축 방향으로 신장하는 트렌치 라인을 형성할 수 있다. 이때 인접한 트렌치 라인의 산들이 서로 겹치고, 인접한 트렌치 라인의 골들이 서로 겹치도록 형성될 수 있다. When the base substrate 10 is stretched in the directions perpendicular to each other and then relaxed sequentially, a plurality of regularly wavy-patterned trench lines can be formed at regular intervals. For example, the base substrate 10 is stretched in the x-axis direction, relaxed, stretched in the y-axis direction, and relaxed to have peaks and valleys in the y- Thereby forming an extending trench line. At this time, the mountains of adjacent trench lines may overlap each other and the trenches of adjacent trench lines may overlap each other.

또한, 베이스 기재(10)를 서로 직교하는 방향으로 인장시켰다가 동시에 완화시킴에 의하여 복수의 물결무늬의 트렌치 라인을 불규칙한 방향으로 형성할 수 있다. 예를 들어, 베이스 기재(10)를 x축 방향과 y축 방향으로 인장시켰다가 x축 방향과 y축 방향으로 동시에 완화시킴에 의하여 불규칙한 방향으로 신장되고 따라서 불규칙한 물결무늬를 갖는 트렌치 라인을 형성할 수 있다. In addition, by stretching the base substrate 10 in the direction orthogonal to each other and alleviating the strain at the same time, it is possible to form a plurality of wavy trench lines in irregular directions. For example, the base substrate 10 is stretched in the x-axis direction and the y-axis direction, and simultaneously relaxed in the x-axis direction and the y-axis direction, thereby forming a trench line extending in an irregular direction and thus having irregular wavy patterns .

베이스 기재(10)의 인장 방향 및 인장 정도에 따라서 트렌치 라인(13)의 간격, 깊이 및 물결무늬의 산 및 골의 크기를 조절할 수 있다. The distance and depth of the trench line 13 and the size of the mountain and valley of the wave pattern can be adjusted according to the tensile direction and the degree of tension of the base substrate 10.

한편, 베이스 기재(10)의 온도를 높였다가 상온으로 내림으로써 제1 고분자기재(11)와 제1 고분자층(12)의 열팽창계수의 차이에 의하여 제1 고분자기재(11)와 제1 고분자층(12)의 변형되는 정도에 차이가 생김으로써 베이스 기재(10)에 트렌치 라인(13)을 형성할 수도 있다. 예를 들면 베이스 기재(10)의 온도를 80-100℃, 구체적으로 90℃ 까지 올렸다가 상온으로 내림으로써 물결무늬를 갖는 트렌치 라인(13)을 형성할 수 있다. 이때 상승시키는 온도, 온도 상승 속도 및 온도 하강 속도를 조절함으로써 트렌치 라인(13)의 간격 및 물결무늬의 산 및 골의 크기를 조절할 수 있다.On the other hand, by increasing the temperature of the base substrate 10 and then lowering the temperature to room temperature, the first polymer base material 11 and the first polymer layer 12 are separated by the difference in thermal expansion coefficient between the first polymer base material 11 and the first polymer layer 12, The trench line 13 may be formed on the base substrate 10 by causing a difference in the degree of deformation of the base substrate 10. [ The trench line 13 having a wavy pattern can be formed by raising the temperature of the base substrate 10 to, for example, 80-100 DEG C, specifically 90 DEG C, and then lowering the temperature to room temperature. At this time, by adjusting the rising temperature, the temperature rising speed and the temperature falling speed, it is possible to adjust the interval of the trench line 13 and the size of the mountain and the valley of the wavy pattern.

도 1 및 도 2c를 참조하면, 베이스 기재(10)의 트렌치 라인(13) 내에 고분자-금속 전구체 혼합물을 채워서 고분자-금속 전구체 혼합물 패턴(21)을 형성한다(S130). 위에서 설명한 상기 신축 가능한 전도성 패턴 형성용 조성물을 베이스 기재(10) 위에 예를 들면 스핀 코팅하여, 베이스 기재(10)의 상기 트렌치 라인(13) 안에 고분자-금속 전구체 혼합물을 채울 수 있다. 스핀 코팅시 상기 조성물 내의 용매는 제거될 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 2C, a polymer-metal precursor mixture pattern 21 is formed by filling a polymer-metal precursor mixture in a trench line 13 of a base substrate 10 (S130). Metal-precursor mixture in the trench line 13 of the base substrate 10 by, for example, spin-coating the above-described stretchable conductive pattern forming composition on the base substrate 10. [ Upon spin coating, the solvent in the composition can be removed.

고분자-금속 전구체 혼합물의 고분자로서 열 또는 빛에 의하여 경화되어 겔(gel)을 형성할 수 있는 고분자를 사용할 수 있다. 상기 고분자로서 예를 들면, PEG-DA, PS-PEO-PS 또는 POB-PEO 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. As the polymer of the polymer-metal precursor mixture, a polymer which can be cured by heat or light to form a gel can be used. As the polymer, for example, PEG-DA, PS-PEO-PS, or POB-PEO may be used, but the present invention is not limited thereto.

금속 전구체로서는 Ag, Au, Pt 또는 Cu와 같은 전도성이 좋은 금속의 전구체를 사용할 수 있다. 상기 금속 전구체로서 예를 들면 AgCF3COOH,　 AgNO3, HAuCl4, CuCl2, PtCl2 또는 PtCl4 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. As the metal precursor, a precursor of a metal having good conductivity such as Ag, Au, Pt, or Cu can be used. As the metal precursor, for example, AgCF 3 COOH, AgNO 3 , HAuCl 4 , CuCl 2 , PtCl 2 or PtCl 4 can be used, but the present invention is not limited thereto.

도 1 및 도 2d를 참조하면, 상기 고분자-금속 전구체 혼합물 패턴(21)으로부터 고분자 겔/금속 나노입자 복합체 패턴(21')을 형성한다(S140). Referring to FIGS. 1 and 2D, a polymer gel / metal nanoparticle composite pattern 21 'is formed from the polymer-metal precursor mixture pattern 21 (S140).

상기 고분자-금속 전구체 혼합물의 상기 고분자를 겔 형태로 경화시키고, 상기 금속 전구체를 금속으로 환원시킴에 의하여 고분자 겔/금속 나노입자 복합체를 형성할 수 있다. The polymer gel / metal nanoparticle complex can be formed by curing the polymer of the polymer-metal precursor mixture in gel form and reducing the metal precursor to a metal.

UV 조사 또는 열처리 또는 UV 조사 및 열처리의 순차적인 수행에 의하여 상기 혼합물의 고분자를 경화시켜서 겔 상태로 변형시킬 수 있다. The polymer of the mixture can be cured and transformed into a gel state by sequential execution of UV irradiation or heat treatment or UV irradiation and heat treatment.

금속 전구체의 환원 처리는 환원제를 사용할 수 있다. 예를 들면 상기 고분자-금속 전구체 혼합물을 히드라진(N2H4) 증기에 노출시키거나 붕수소나트륨(NaBH4)에 처리함으로써 고분자 혼합물 내의 금속 전구체를 금속 나노입자로 환원시킬 수 있다. For the reduction treatment of the metal precursor, a reducing agent may be used. For example, the metal precursor in the polymer mixture can be reduced to metal nanoparticles by exposing the polymer-metal precursor mixture to hydrazine (N 2 H 4 ) vapor or by treating with sodium borohydride (NaBH 4 ).

한편, UV 조사와 금속 전구체의 환원 처리 후에 열처리를 수행할 수도 있다.On the other hand, heat treatment may be performed after UV irradiation and reduction treatment of the metal precursor.

도 1 및 도 2e를 참조하면, 상기 고분자 겔/금속 나노입자 복합체 패턴(21')을 엑셉터 기재(31) 위에 전사하여, 엑셉터 기재(31) 위에 고분자 겔/금속 나노입자 복합체 패턴(21')을 형성한다(S150). 1 and 2E, the polymer gel / metal nano particle composite pattern 21 'is transferred onto an acceptor substrate 31 to form a polymer gel / metal nanoparticle composite pattern 21 (S150).

엑셉터 기재(31)는 고분자 기재로 이루어질 수 있으며, 예를 들면 제1고분자기재(11)와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 엑셉터 기재(31)는 또한 고분자 이외의 다른 물질로 이루어질 수도 있다. The acceptor substrate 31 may be made of a polymer substrate, for example, the same material as the first polymer substrate 11. The acceptor substrate 31 may also be made of a material other than a polymer.

먼저, 엑셉터 기재(31)를 표면 처리하여 고분자 겔/금속 나노입자 복합체 패턴(21')을 수용하기 용이한 상태로 만든다. 엑셉터 기재(31)의 표면 처리에 의하여 엑셉터 기재(31)와는 화학결합을 형성하고, 노출된 표면에는 가교 결합을 형성할 수 있는 작용기를 갖는 층이 엑셉터 기재(31)의 표면에 형성할 수 있다. 예를 들어 엑셉터 기재(31)가 PDMS인 경우 엑셉터 기재(31)의 표면을 3-(트리클로로실릴)프로필 메타크릴레이트)(3-(trichlorosilyl)propyl methacrylate)로 처리하면, UV 조사시 표면 처리된 엑셉터 기재(31)의 표면과 고분자 겔/금속 나노입자 복합체 패턴(21') 사이에 가교 결합이 형성되어 고분자 겔/금속 나노입자 복합체 패턴(21')이 엑셉터 기재(31)에 전사될 수 있다. First, the acceptor substrate 31 is surface-treated to make it easy to accommodate the polymer gel / metal nanoparticle composite pattern 21 '. A layer having a functional group capable of forming a cross-linking on the exposed surface is formed on the surface of the acceptor base material 31 by forming a chemical bond with the surface of the excipient base material 31 by surface treatment of the acceptor base material 31 can do. For example, when the surface of the acceptor substrate 31 is treated with 3- (trichlorosilyl) propyl methacrylate) when the acceptor substrate 31 is PDMS, Metal nanoparticle complex pattern 21 'is formed between the surface of the surface-treated receptor substrate 31 and the polymer gel / metal nanoparticle composite pattern 21' so that the polymer gel / metal nanoparticle composite pattern 21 ' Lt; / RTI >

그리고 고분자 겔/금속 나노입자 복합체 패턴(21')이 형성되어 있는 베이스 기재(10)를 엑셉터 기재(31) 위에 얼라인하고, 밀착시킨 후 UV를 조사하여 고분자 겔/금속 나노입자 복합체 패턴(21')과 엑셉터 기재(31) 사이에 가교 결합을 형성하여 고분자 겔/금속 나노입자 복합체 패턴(21')을 엑셉터 기재(31) 위에 전사시킨다. Then, the base substrate 10 on which the polymer gel / metal nanoparticle composite pattern 21 'is formed is aligned on the receptor substrate 31, followed by UV irradiation to form a polymer gel / metal nanoparticle composite pattern The polymer gel / metal nanoparticle composite pattern 21 'is transferred onto the acceptor substrate 31 by forming a crosslinking bond between the polymeric gel / metal nanoparticle complex 21' and the acceptor substrate 31.

한편, 제1방향으로 신장하는 고분자 겔/금속 나노입자 복합체 패턴(21')을 엑셉터 기재(31) 위에 1차로 전사한 후 제1방향과 다른 제2방향으로 신장하도록 고분자 겔/금속 나노입자 복합체 패턴(21')을 엑셉터 기재(31) 위에 2차로 전사함으로써 엑셉터 기재(31) 위에 그물 형태의 고분자 겔/금속 나노입자 복합체 패턴(미도시)을 형성할 수 있다. On the other hand, the polymer gel / metal nanoparticle composite pattern 21 'extending in the first direction is first transferred onto the acceptor substrate 31, and then the polymer gel / metal nanoparticle composite pattern 21' is stretched in the second direction different from the first direction. A polymer gel / metal nanoparticle composite pattern (not shown) in the form of a net can be formed on the receptor substrate 31 by secondarily transferring the composite pattern 21 'onto the receptor substrate 31.

엑셉터 기재(31) 위에 전사된 고분자 겔/금속 나노입자 복합체 패턴(21')은 신축성있는 전도성 전극을 형성할 수 있다. 또한, 고분자 겔/금속 나노입자 복합체 패턴(21')은 그물 형태를 형성하여 2D 전극을 형성할 수 있다. 또한, 투명한 고분자를 사용함으로써 엑셉터 기재(31) 위에 전사된 고분자 겔/금속 나노입자 복합체 패턴(21')은 투명 전극으로서 사용될 수 있다. The polymer gel / metal nanoparticle composite pattern 21 'transferred onto the acceptor substrate 31 can form a stretchable conductive electrode. In addition, the polymer gel / metal nanoparticle composite pattern 21 'may form a net shape to form a 2D electrode. Also, by using a transparent polymer, the polymer gel / metal nanoparticle composite pattern 21 'transferred onto the acceptor substrate 31 can be used as a transparent electrode.

이처럼 형성된 고분자 겔/금속 나노입자 복합체 패턴은 고분자 자체의 신축성, 상기 고분자 내의 금속 나노입자의 퍼콜레이션 네트워크에 의한 신축성 및 물결무늬 패턴이 펴짐에 의하여 발생하는 신축성이 더해짐으로써, 신축성이 더욱 강화될 수 있다. 따라서 상기 고분자 겔/금속 나노입자 복합체 패턴은 전도성을 유지하는 신축 가능한 범위가 매우 넓어질 수 있다. The polymer gel / metal nanoparticle composite pattern thus formed can be further enhanced in stretchability due to the stretchability of the polymer itself, the stretchability due to the percolation network of the metal nanoparticles in the polymer, and the stretchability caused by the wavy pattern have. Therefore, the polymer gel / metal nanoparticle composite pattern can be extensively expanded in the range of maintaining the conductivity.

고분자 겔/금속 나노입자 복합체 패턴은 유연한 디스플레이, 스마트 의복, 유전체 엘라스토머 액츄에이터(DEA), 생체적합성 전극, 생체내 전기적 신호 감지 등에 사용되는 전자 소자의 전극으로 사용될 수 있다. Polymer gel / metal nanoparticle composite patterns can be used as electrodes for electronic devices used in flexible displays, smart apparel, dielectric elastomer actuators (DEA), biocompatible electrodes, and in vivo electrical signal sensing.

또 다른 일 구현예에 따른 신축 가능한 전극을 포함하는 전자 소자에 대하여 상세하게 설명한다. An electronic device including a stretchable electrode according to another embodiment will be described in detail.

상기 전자 소자는 신축성 기판 및 상기 신축성 기판 위의, 고분자 겔-금속 나노입자 복합체로 이루어진, 복수의 물결무늬 라인의 신축 가능한 전극을 포함한다. The electronic device comprises a stretchable substrate and a plurality of wavy lines of stretchable electrodes on the stretchable substrate, the stretchable electrodes being made of a polymeric gel-metal nanoparticle composite.

상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체로 이루어진, 복수의 물결무늬 라인의 신축 가능한 전극은 위에서 설명한 일 구현에 따른 전도선 패턴의 형성 방법에 의하여 형성할 수 있다. 즉, 베이스 기재 내에 복수의 물결 무늬 트렌치 라인을 형성하고, 상기 트렌치 라인 내에 고분자 겔/금속 나노입자 복합체 패턴을 형성한 후 상기 패턴을 신축성 기판 위에 전사할 수 있다. 이에 의하여 신축성 기판 위에 신축 가능한 전극을 형성할 수 있다. A plurality of electrodes capable of expanding and contracting in a wave pattern line made of the polymer gel-metal nano-particle composite can be formed by a method of forming a conductive line pattern according to the above-described embodiment. That is, it is possible to form a plurality of wavy-pattern trench lines in the base substrate, form a polymer gel / metal nanoparticle composite pattern in the trench line, and then transfer the pattern onto the flexible substrate. As a result, a stretchable electrode can be formed on the stretchable substrate.

상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체는 고분자 겔 및 상기 고분자 겔 내에서 퍼콜레이션 네트워크를 형성하는 금속 나노입자로 이루어질 수 있다. 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체의 상기 고분자 겔은 PEG-DA, PS-PEO-PS 또는 POB-PEO로 이루어질 수 있다. 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체의 상기 금속 나노 입자는 Ag, Au, Cu, 또는 Pt를 포함할 수 있다. The polymer gel-metal nanoparticle complex may be composed of a polymer gel and metal nanoparticles forming a percolation network in the polymer gel. The polymer gel of the polymer gel-metal nanoparticle complex may be composed of PEG-DA, PS-PEO-PS or POB-PEO. The metal nanoparticles of the polymer gel-metal nanoparticle complex may include Ag, Au, Cu, or Pt.

상기 신축 가능한 전극은 제1방향으로 신장하고, 위상이 서로 일치하는 복수의 물결무늬 라인 형태일 수 있다. 또는 상기 신축 가능한 전극은 제1방향으로 신장하는 복수의 제1 물결무늬 라인과 제2방향으로 신장하는 복수의 제2 물결무늬 라인의 조합으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 신축 가능한 전극은 x축 방향으로 신장하는 복수의 물결무늬 라인과 y축 방향으로 신장하는 복수의 물결무늬 라인의 조합으로 이루어질 수 있다. 한편, 상기 신축 가능한 전극은 부분적으로 같은 방향으로 신장하는 복수의 물결무늬 라인의 복수의 무리로 이루어질 수 있는데, 이때 다른 무리들을 구성하는 물결무늬 라인들은 다른 방향으로 신장할 수 있다. The stretchable electrodes may be in the form of a plurality of wavy lines extending in a first direction and in phase with each other. Or the stretchable electrode may comprise a combination of a plurality of first wavy stripe lines extending in a first direction and a plurality of second wavy strike lines extending in a second direction. For example, the stretchable electrode may be composed of a combination of a plurality of wave pattern lines extending in the x-axis direction and a plurality of wave pattern lines extending in the y-axis direction. The stretchable electrodes, on the other hand, may consist of a plurality of groups of a plurality of wavy lines extending in part in the same direction, wherein the wavy lines constituting the other groups may extend in different directions.

상기 신축성 기판은 신축성 고분자로 이루어질 수 있다. 한편, 상기 신축성 기판은 상기 전극에 전기적으로 연결되는 회로를 포함할 수 있다. The stretchable substrate may be made of a stretchable polymer. Meanwhile, the flexible substrate may include a circuit electrically connected to the electrode.

이와 같이 형성된 신축성 기판 위에 신축 가능한 전극을 포함하는 전자 소자는 위에서 언급한 바와 같이 신축성이 요구되는 전자 소자의 분야에 응용될 수 있다. The electronic device including the stretchable and contractible electrode on the thus formed flexible substrate can be applied to the field of an electronic device requiring elasticity as mentioned above.

실시예Example

1㎜ 두께의 PDMS 기재 위에 폴리스티렌(PS)층을 50-200nm 두께로 코팅하여 베이스 기재를 형성하였다. 상기 베이스 기재를 x축 방향으로 인장시킨 후 완화시키고, 이어서 y축 방향으로 인장시킨 후 완화시켜서 베이스 기재 위에 일정한 간격으로 반복되는 배열의 주름을 형성하였다. 상기 주름은 x축 방향으로 신장하면서 y축 방향으로 산과 골을 갖는 규칙적인 물결무늬의 트렌치 라인을 형성하였다. 한편, 다른 실시예에서는 상기 베이스 기재를 x축과 y축 방향으로 인장시킨 후 x축 방향과 y축 방향으로 동시에 완화시켜서 베이스 기재 위에 일정한 간격을 갖는 불규칙적인 배열의 주름을 형성하였다. 상기 주름은 산과 골을 가지면서 불규칙한 방향으로 신장하는 물결무늬의 트렌치 라인을 형성하였다. A polystyrene (PS) layer was coated to a thickness of 50-200 nm on a 1 mm thick PDMS substrate to form a base substrate. The base substrate was stretched in the x-axis direction and then relaxed, followed by stretching in the y-axis direction and then relaxed to form wrinkles in a repeated arrangement at regular intervals on the base substrate. The wrinkles formed regular wave pattern trench lines extending in the x-axis direction and having arcs and valleys in the y-axis direction. Meanwhile, in another embodiment, the base substrate is stretched in the x- and y-axis directions, and relaxed simultaneously in the x-axis direction and the y-axis direction to form irregularly arrayed wrinkles having a uniform interval on the base substrate. The wrinkles formed wavy trench lines extending in an irregular direction with mountains and valleys.

상기 베이스 기재 위로 PEG-DA 고분자, AgCF3COOH 및 물의 혼합 용액을 스핀 코팅하여 상기 트렌치 라인 내에 PEG-DA 고분자/AgCF3COOH의 혼합물을 채웠다. 도 3은 PDMS 기재 위에 PS 층이 형성된 베이스 기재의 트렌치 라인 내에 PEG-DA/Ag 전구체 혼합물이 채워진 모습을 보여주는 SEM(Scanning Electron Microscopy) 사진이다. A mixture of PEG-DA polymer / AgCF 3 COOH was filled in the trench line by spin coating a mixed solution of PEG-DA polymer, AgCF 3 COOH and water on the base substrate. FIG. 3 is a SEM (Scanning Electron Microscopy) photograph showing a PEG-DA / Ag precursor mixture filled in a trench line of a base substrate on which a PS layer is formed on a PDMS substrate.

이어서 상기 베이스 기재를 UV 광으로 10초 동안 조사하여 PEG-DA 고분자를 경화시키고, 상기 베이스 기재를 히드라진(N2H4) 증기에 3분 동안 노출시켜서 Ag 나노 입자로 환원시켜 PEG-DA 겔/Ag 나노입자의 복합체 패턴을 형성하였다. The base substrate was then irradiated with UV light for 10 seconds to cure the PEG-DA polymer and the base substrate was exposed to hydrazine (N 2 H 4 ) steam for 3 minutes to reduce to Ag nanoparticles to form a PEG-DA gel / To form a composite pattern of Ag nanoparticles.

도 4a는 베이스 기재의 트렌치 내의 PEG-DA 겔/Ag 나노입자의 복합체 패턴을 보여주는 SEM 사진이고, 도 4b는 도 4a의 PEG-DA 겔/Ag 나노입자의 복합체 패턴의 TEM 사진이다. 도 4b의 TEM 사진에서 Ag 나노 입자가 PEG-DA 겔/Ag 나노입자의 복합체 패턴의 표면에 많이 존재하는 것을 알 수 있다. 4A is a SEM photograph showing a composite pattern of PEG-DA gel / Ag nanoparticles in a trench of a base substrate, and FIG. 4B is a TEM photograph of a composite pattern of PEG-DA gel / Ag nanoparticles of FIG. In the TEM photograph of FIG. 4B, it can be seen that the Ag nanoparticles are present on the surface of the complex pattern of the PEG-DA gel / Ag nanoparticles.

도 5a 및 도 5b는 AgCF3COOH로부터 환원되어 형성된 Ag 나노입자의 TEM 사진과 XRD(X-ray diffraction) 패턴이다. 도 5a의 TEM 사진으로부터 Ag 나노 입자가 10-20nm의 크기를 가지는 것과 도 5b의 XRD 패턴으로부터 Ag 나노 입자가 면심입방(face-centered cubic)구조를 갖는 것을 확인할 수 있다. 5A and 5B are TEM photographs and X-ray diffraction (XRD) patterns of Ag nanoparticles formed by reduction from AgCF 3 COOH. It can be seen from the TEM photograph of FIG. 5A that the Ag nanoparticles have a size of 10-20 nm and the Ag nanoparticles have a face-centered cubic structure from the XRD pattern of FIG. 5b.

이어서 또 다른 PDMS로 이루어진 엑셉터 기재의 표면을 3-(트리클로로실릴)프로필 메타크릴레이트)(3-(trichlorosilyl)propyl methacrylate)로 처리한 후 상기 베이스 기재를 엑셉터 기재 위에 얼라인하고 밀착시킨 후 UV 조사를 하여, 베이스 기재 내의 PEG-DA 겔/Ag 나노입자의 복합체 패턴을 엑셉터 기재 위로 전사하였다. Subsequently, the surface of the acceptor substrate made of another PDMS is treated with 3- (trichlorosilyl) propyl methacrylate), and then the base substrate is aligned and adhered on the acceptor substrate After UV irradiation, the complex pattern of PEG-DA gel / Ag nanoparticles in the base substrate was transferred onto the acceptor substrate.

도 6은 엑셉터 기재 위로 전사된 PEG-DA 겔/Ag 나노입자의 복합체 패턴을 보여주는 AFM(atomic force microscopy) 이미지이다. 도 6의 AFM 이미지에서 약 230nm의 두께의 패턴의 단차가 나타났으며, 이로부터 PEG-DA 겔/Ag 나노입자의 복합체 패턴이 엑셉터 기재 위로 전사되었음을 확인할 수 있다. Figure 6 is an AFM (atomic force microscopy) image showing the complex pattern of PEG-DA gel / Ag nanoparticles transferred onto an acceptor substrate. In the AFM image of FIG. 6, a step of a pattern with a thickness of about 230 nm was shown, from which it was confirmed that the complex pattern of PEG-DA gel / Ag nanoparticles was transferred onto the acceptor substrate.

한편, 도 7은 PEG-DA 고분자와 AgCF3COOH의 혼합물 용액 내에서의 AgCF3COOH의 농도에 따른 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체에서의 Ag의 중량(%)를 측정한 그래프이다. 도 7의 그래프에서 AgCF3COOH의 농도가 0.25%에서 약 2% 로 증가할 때까지 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체에서의 Ag의 중량이 약 10% 로부터 약 65%까지 크게 증가하였다. 이후 AgCF3COOH의 농도가 약 3% 로 증가할 때까지는 Ag의 중량이 약 75% 로 완만하게 증가하였다. 이로부터 PEG-DA/AgCF3COOH 혼합 용액에서의 AgCF3COOH의 농도가 높아짐에 따라 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체에서의 Ag의 중량(%)이 포화됨을 알 수 있다. Meanwhile, FIG. 7 is a graph showing the weight (%) of Ag in the PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite according to the concentration of AgCF 3 COOH in the mixture solution of PEG-DA polymer and AgCF 3 COOH. Was also significantly increased in the graph of 7 to about 65% by weight of Ag from about 10% in AgCF 3 COOH concentration increased PEG-DA gel / Ag nano until 0.25% to about 2% of the composite particle. The weight of Ag was then slowly increased to about 75% until the concentration of AgCF 3 COOH increased to about 3%. From this, it can be seen that as the concentration of AgCF 3 COOH in the PEG-DA / AgCF 3 COOH mixed solution increases, the weight (%) of Ag in the PEG-DA gel / Ag nanoparticle complex becomes saturated.

도 8은 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체에서의 Ag 나노 입자의 중량(%)에 따른 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체의 전기 전도도를 측정한 그래프이다. 도 8의 그래프에서, Ag의 중량(%)이 약 10% 인 경우에는 전기 전도도가 ~4.6 ×10-3 S/m 로서 매우 낮은 값은 갖지만, Ag의 중량(%)이 약 67% 이상인 경우에는 일정하게 높은 전기 전도도를 가짐을 확인할 수 있다. 이처럼 일정 Ag 중량(%) 이상에서 전기 전도도가 포화되는 것은 Ag 나노 입자간 퍼콜레이션 네트워크(percolation network)가 형성되기 때문으로 여겨진다. 8 is a graph showing the electrical conductivity of a PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite according to the weight (%) of Ag nanoparticles in a PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite. In the graph of FIG. 8, when the weight% of Ag is about 10%, the electrical conductivity is very low as ~ 4.6 × 10 -3 S / m, but when the weight% of Ag is about 67% Can be confirmed to have a constant high electric conductivity. It is believed that saturation of the electric conductivity at a constant Ag weight (%) or more is caused by formation of a percolation network between Ag nanoparticles.

도 9는 열처리 온도 및 시간에 따른 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체의 전기 전도도를 측정한 그래프이다. 10초 동안의 UV 조사 및 3분 동안의 히드라진(N2H4) 환원처리를 한 후 열처리를 수행하여 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 혼합물을 형성하였다. FIG. 9 is a graph showing the electrical conductivity of the PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite according to the heat treatment temperature and time. Hydrazine (N 2 H 4) of the UV irradiation, and 3 minutes for 10 seconds by performing the heat treatment after the reducing treatment to form a PEG-DA gel / Ag nanoparticle mixture.

열처리 온도가 100℃인 경우에는 열처리 시간의 증가에 따른 전기전도도의　증가가 나타나지 않았다. 열처리 온도가 150℃인 경우에는 열처리 시간이 증가함에 따라서 전기전도도가 약 0.21×107S/m에서 약 0.6×107S/m으로 증가되었다. 열처리 온도가 200℃인 경우에는 열처리 시간의 증가에 따라서 전기전도도가 약 0.21×107S/m에서 약 2.25×107S/m으로 급격하게 증가하여 Ag 박막의 전기전도도와 비슷한 값을 나타내었다. 이로부터 열처리 온도가 200℃인 경우에는 열처리 시간이 증가함에 따라서 Ag 나노 입자들 사이의 소결(sintering)에 의하여 퍼콜레이션 네트워크가 박막 상태로 전환되는 것으로 여겨진다. When the heat treatment temperature was 100 ° C, the increase of the electric conductivity with the increase of the heat treatment time did not occur. When the heat treatment temperature was 150 ℃, the electrical conductivity increased from about 0.21 × 10 7 S / m to about 0.6 × 10 7 S / m as the heat treatment time increased. When the annealing temperature was 200 ° C, the electrical conductivity increased rapidly from about 0.21 × 10 7 S / m to about 2.25 × 10 7 S / m with increasing the annealing time, which was similar to the electrical conductivity of the Ag thin film . From this, it is considered that the percolation network is converted to the thin film state by the sintering between the Ag nanoparticles as the heat treatment time increases when the heat treatment temperature is 200 ° C.

도 10은 엑셉터 기재인 PDMS의 인장에 따른 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴의 전기 전도도의 변화를 Ag 전구체의 농도에 따라 측정한 그래프이다. 도 10의 그래프에서 최초 PEG-DA/Ag 혼합용액 내에서의 Ag 전구체의 농도가 2 중량 %(wt %)인 경우 약 15% 인장부터 빠르게 감소하여 약 32% 인장에서 전기 전도도가 0으로 떨어졌다. 그런데 최초 PEG-DA/Ag 혼합용액 내에서의 Ag의 농도가 2.5 및 3 중량 %인 경우에는 약 10% 인장부터 급격하게 감소하여 각각 약 24% 및 28% 인장에서 전기 전도도가 0으로 떨어졌다. 이로부터 최초 PEG-DA/Ag　 혼합용액 내에서의 Ag 전구체의 양이 늘어나면 인장 전의 전기 전도도는 높아지지만, 인장에 의하여 기계적 파괴가 발생하는 인장 %는 더 작아지게 됨을 알 수 있다. 도 7, 8 및 도 10의 그래프에서, PEG-DA/AgCF3COOH 혼합 용액에서의 Ag 전구체의 양이 1.5-3% 의 범위 또는 1.5-2.5% 의 범위에 있을 때 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴의 전기 전도도가 인장 전후에 의미있는 값을 갖는 것으로 보인다. 10 is a graph showing the change in electrical conductivity of the PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite pattern depending on the tensile strength of PDMS, which is an acceptor substrate, according to the concentration of Ag precursor. In the graph of FIG. 10, when the concentration of the Ag precursor in the initial PEG-DA / Ag mixed solution was 2 wt% (wt%), it rapidly decreased from about 15% tensile and dropped to zero at about 32% . However, when the concentration of Ag in the initial PEG-DA / Ag mixed solution was 2.5 and 3 wt%, the electrical conductivity dropped sharply from about 10% tensile to zero at about 24% and 28% tensile, respectively. From this, it can be seen that when the amount of Ag precursor in the first PEG-DA / Ag mixed solution is increased, the electrical conductivity before the tensile is increased, but the tensile percentage at which the mechanical fracture occurs due to tensile becomes smaller. In the graphs of FIGS. 7, 8 and 10, when the amount of Ag precursor in the PEG-DA / AgCF 3 COOH mixed solution is in the range of 1.5-3% or 1.5-2.5%, the PEG-DA gel / The electrical conductivity of the particle composite pattern appears to have a significant value before and after tension.

도 11은 엑셉터 기재인 PDMS의 인장에 따른 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴의 전기 전도도의 변화를 열처리 온도에 따라 측정한 그래프이다. 10초 동안 UV를 조사하고, 3분 동안의 히드라진(N2H4) 환원처리를 한 후 100℃, 150℃, 200℃에서 각각 3시간 동안 열처리를 수행하였다. 도 11의 그래프에서, 열처리 온도가 100℃, 150℃, 200℃의 순서로 PDMS의 인장 전의 전기 전도도가 높았다. 그러나 PDMS의 인장에 따라 전기 전도도가 0으로 떨어지는 인장 % 값은 100℃인 경우 약 30%, 150℃인 경우 약 20%, 200℃인 경우 약 10%로서, 열처리 온도가 100℃, 150℃, 200℃의 순서로 인장 후의 전기 전도도가 높았다. 따라서 열처리 온도가 150℃ 이하 또는 100℃ 이하에서 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴의 전기 전도도가 인장 전후에 의미있는 값을 갖는 것으로 보인다. FIG. 11 is a graph showing a change in electrical conductivity of a PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite pattern depending on the tensile strength of the PDMS, which is an acceptor substrate, according to the heat treatment temperature. UV irradiation for 10 seconds, hydrazine (N 2 H 4 ) reduction treatment for 3 minutes, and heat treatment at 100 ° C, 150 ° C and 200 ° C for 3 hours, respectively. In the graph of FIG. 11, the electric conductivity of the PDMS before the stretching was high in the order of 100 ° C., 150 ° C. and 200 ° C. at the heat treatment temperature. However, according to the tensile strength of PDMS, the tensile percentage value at which the electric conductivity drops to 0 is about 30% at 100 ° C, about 20% at 150 ° C and about 10% at 200 ° C, And the electric conductivity after tensile was high in the order of 200 ° C. Therefore, the electrical conductivity of the PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite pattern seems to have a significant value before and after the tensile at a heat treatment temperature of 150 ° C or below.

도 12a는 불규칙한 물결 무늬의 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴의 SEM 사진이고, 도 12b는 규칙적인 물결 무늬의 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴의 SEM 사진이다. 각각의 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴에서 Ag 나노입자의 중량(%)는 50% 이었다. 도 12a의 불규칙한 물결 무늬의 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴은 베이스 기재인 PDMS를 서로 수직인 제1방향과 제2방향으로 인장시키고, 제1방향과 제2방향으로 동시에 완화시켜서 형성하였다. 도 12b의 규칙적인 물결 무늬의 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴은 베이스 기재인 PDMS를 제1방향과 제2방향으로 인장시키고, 제1방향과 제2방향으로 순차적으로 완화시켜서 형성하였다. FIG. 12A is an SEM photograph of an irregular wave pattern PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite pattern, and FIG. 12B is a SEM photograph of a regular wave pattern PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite pattern. The weight (%) of the Ag nanoparticles in each PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite pattern was 50%. The irregularly wavy patterned PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite pattern of FIG. 12A was formed by stretching PDMS, which is a base substrate, in first and second directions perpendicular to each other and simultaneously relaxing the first and second directions . The regular wave pattern PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite pattern of FIG. 12B was formed by stretching PDMS, which is a base substrate, in the first direction and the second direction and sequentially relaxing in the first direction and the second direction.

도 12c는 불규칙한 물결 무늬의 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴과 규칙적인 물결 무늬의 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴의 PDMS 인장에 따른 전기 전도도를 측정한 그래프이다. 도 12c의 그래프에서 불규칙한 물결무늬 패턴의 경우 약 20% 인장에서 전기 전도도가 하락하기 시작하여 약 30%에서 1 S/m 이하로 떨어졌고, 규칙적인 물결무늬 패턴의 경우 약 50% 인장에서 전기 전도도가 하락하기 시작하여 약 60%에서 1 S/m 이하로 떨어졌다. 이로부터 불규칙한 물결무늬 보다 규칙적인 물결무늬 형태에서 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴의 인장에 따른 전기 전도도가 훨씬 높음을 알 수 있다. 그러나 불규칙한 물결무늬 형태의 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴도 PDMS 인장시 일정 범위에서 전기 전도도를 유지하므로 신축 가능한 전도성 패턴을 형성하는데 사용될 수 있음을 알 수 있다. FIG. 12C is a graph showing the electric conductivity of the irregular wave pattern PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite pattern and the regular wave pattern PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite pattern according to PDMS tensile. In the graph of FIG. 12C, the electric conductivity of the irregular wave pattern starts to decrease at about 20% tension and falls from about 30% to less than 1 S / m. In the regular wave pattern, Fell from about 60% to less than 1 S / m. From this, it can be seen that the electrical conductivity of the PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite pattern is much higher than that of the irregular wave pattern in the regular wave pattern. However, it can be seen that the irregular wave pattern PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite pattern can be used to form stretchable conductive patterns because PDMS tension maintains the electric conductivity within a certain range.

도 12d는 여러가지 인장 %에서 규칙적인 물결무늬의 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴의 신축 사이클에 따른 전기 전도도를 측정한 그래프이다. 도 12d의 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴에서 Ag 나노입자의 중량(%)은 전체 복합체 패턴의 중량(100%)에 대하여 67% 이었고, UV 조사후 열처리는 수행하지 않았다. 10%, 20%, 30%, 40% 및 50% 인장에 대하여 전기 전도도를 측정하였다. 도 12d의 그래프에서 인장 %가 증가할수록 인장시 전기 전도도가 더욱 감소하였고, 인장 %가 증가할수록 신축 횟수가 증가에 따른 전기 전도도의 감소가 더욱 컸다. 도 12d의 그래프에서 50% 인장에서도 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴의 전기 전도도가 1×106 S/m 이상을 유지하여 반복적인 신축에서도 전기 전도도를 일정 수준 이상으로 유지하는 것을 확인할 수 있다. FIG. 12D is a graph of electrical conductivity measured according to a stretching cycle of a regular wave pattern PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite pattern at various tensile percentages. The weight (%) of the Ag nanoparticles in the PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite pattern of FIG. 12D was 67% with respect to the weight of the entire composite pattern (100%), and no heat treatment was performed after UV irradiation. The electrical conductivity was measured for 10%, 20%, 30%, 40% and 50% tensile. In the graph of FIG. 12D, as the tensile percentage increases, the electrical conductivity decreases further. When the tensile percentage increases, the electrical conductivity decreases more as the number of expansion increases. 12D, the electric conductivity of the PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite pattern was maintained at 1 × 10 6 S / m or more even at 50% stretching, and it was confirmed that the electrical conductivity was maintained at a certain level or higher even in repeated stretching have.

도 13a는 제1 방향으로 신장하는 규칙적인 물결무늬의 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴을 엑셉터 기재 위에 1차로 전사한 후에, 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 신장되도록 규칙적인 물결무늬의 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴을 엑셉터 기재 위에 2차로 전사하여 형성한 규칙적인 그물 형태의 전도성 패턴의 광학 현미경 사진이다. 도 13b는 규칙적인 그물 형태의 전도성 패턴이 전사된 억셉터 기재를 제1방향으로 40% 인장한 상태의 사진이고, 도 13c는 규칙적인 그물 형태의 전도성 패턴이 전사된 억셉터 기재를 서로 수직인 제1방향 및 제2 방향으로 40% 인장한 상태의 사진이다. 도 13b 및 도 13c에서 40% 인장 후에도 그물 형태의 전도성 패턴이 유지되는 것을 알 수 있다. 도 13c는 그물 형태의 전도성 패턴에 전구를 연결하여 0% 인장과 40% 인장 시에 모두 전구에 불이 켜지는 것을 보여주는 사진이다. 이로부터 그물 형태의 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴이 2D 전극으로 응용될 수 있음을 알 수 있다. FIG. 13A is a schematic view showing a state in which a regular wave pattern PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite pattern extending in a first direction is first transferred onto an acceptor substrate, This is an optical microscope image of a regular pattern of conductive patterns formed by secondarily transferring a wave patterned PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite pattern onto an acceptor substrate. 13 (b) is a photograph of a state in which the acceptor substrate with the regular net-like conductive pattern transferred thereon is stretched 40% in the first direction, and Fig. 13 In a first direction and in a second direction. 13 (b) and 13 (c), it can be seen that a net-like conductive pattern is retained even after 40% stretching. 13C is a photograph showing that a light bulb is connected to a conductive pattern in the form of a net, and the light bulb is turned on at 0% pulling and 40% pulling. From this, it can be seen that a net-like PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite pattern can be applied as a 2D electrode.

도 13d는 도 13a의 전도성 패턴을 신축성 전극으로 사용한 전구 회로에서 신축성 전극의 인장 전후의 회로의 연결상태를 보여주는 사진이다. 도 13d의 위쪽 사진은 신축성 전극의 인장 전에 전구가 켜져 있는 상태를 보여주고, 도 13d의 아래쪽 사진은 신축성 전극의 40% 인장 시에도 전구가 계속 켜져 있는 상태를 보여준다. 도 13d의 사진으로부터 신축성 전극을 한 방향으로 40% 인장하였을 때에도 신축성 전극의 전도도가 계속 유지되는 것을 확인할 수 있다. 13D is a photograph showing the connection state of the circuit before and after the tension of the elastic electrode in the electric circuit using the conductive pattern of Fig. 13A as the elastic electrode. 13D shows a state where the bulb is turned on before the stretchable electrode is pulled, and the lower picture of FIG. 13D shows that the bulb remains on even when the stretchable electrode is pulled by 40%. From the photograph of FIG. 13 (d), it can be seen that the conductivity of the elastic electrode is maintained even when the elastic electrode is stretched 40% in one direction.

도 13e 는 상기 그물 패턴이 형성된 PDMS 의 투광도를 측정한 그래프이다. 도 13e 의 그래프에서 투광도가 자외선/가시광성 영역에서 약 70%를 유지하고 있다. 본 실시예에 따른 패턴의 투광도는 물결무늬 패턴의 간격과 몰결의 폭을 변화시켜서 조절할 수 있다. 이로부터 PEG-DA 겔/Ag 나노입자 복합체 패턴이 투명 전극으로 사용될 수 있음을 알 수 있다.FIG. 13E is a graph showing the transmittance of the PDMS in which the net pattern is formed. In the graph of FIG. 13E, the transmittance is maintained at about 70% in the ultraviolet / visible region. The transmittance of the pattern according to the present embodiment can be adjusted by changing the interval of the wave pattern and the width of the molten crystal. It can be seen from this that the PEG-DA gel / Ag nanoparticle composite pattern can be used as a transparent electrode.

10: 베이스 기재
11: 제1 고분자기재
12: 제1 고분자층　　
13: 트렌치 라인
21: 고분자-금속 전구체 혼합물 패턴
21': 고분자-금속 나노입자 복합체 패턴
31: 엑셉터 기재 10: base substrate
11: First polymer substrate
12: first polymer layer
13: trench line
21: Polymer-metal precursor mixture pattern
21 ': Polymer-metal nanoparticle composite pattern
31: an acceptor substrate

Claims (30)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 베이스 기재를 형성하는 단계;
상기 베이스 기재 위에 산(peak)과 골(valley)을 포함하는 물결무늬를 갖는 일정한 간격의 복수의 트렌치 라인을 형성하는 단계;
상기 트렌치 라인 내에 고분자-금속 전구체 혼합물을 채워서 고분자-금속 전구체 혼합물 패턴을 형성하는 단계;
상기 고분자-금속 전구체 혼합물 패턴의 상기 고분자-금속 전구체 혼합물을 고분자 겔-금속 나노입자 복합체로 변환시켜서 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 베이스 기재 내의 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴을 엑셉터 기재 위로 1차 전사하는 단계를 포함하고,
상기 베이스 기재를 형성하는 단계는
열 또는 신축에 의하여 변형될 수 있고 탄성을 갖는 제1 고분자 기재를 제공하는 단계; 및
상기 제1 고분자 기재 위에 열 또는 신축에 의하여 변형될 수 있고 탄성을 가지며, 상기 제1 고분자 기재의 물질과 인장에 대한 탄성 계수(elastic modulus) 또는 열팽창 계수가 다른 제1 고분자층을 형성하는 단계;를 포함하는 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법. Forming a base substrate;
Forming a plurality of spaced apart trench lines having a wave pattern including peaks and valleys on the base substrate;
Filling the polymer-metal precursor mixture in the trench line to form a polymer-metal precursor mixture pattern;
Forming a polymer gel-metal nanoparticle composite pattern by converting the polymer-metal precursor mixture of the polymer-metal precursor mixture pattern into a polymer gel-metal nano-particle complex; And
And transferring the polymer gel-metal nanoparticle composite pattern in the base substrate onto an acceptor substrate,
The step of forming the base substrate
Providing a first polymeric substrate that is elastic and capable of being deformed by heat or stretching; And
Forming a first polymer layer having elasticity or elasticity on the first polymer base material and having elastic modulus or thermal expansion coefficient different from that of a material of the first polymer base material by tensile or thermal expansion; / RTI > of claim 1, wherein the conductive pattern is formed of a conductive material. 삭제delete 제7 항에 있어서, 상기 베이스 기재 위에 상기 물결무늬의 상기 복수의 트렌치 라인을 형성하는 단계는 상기 베이스 기재를 제1축 방향으로 인장하고 완화시킨 후 상기 제1축과 수직인 제2축 방향으로 인장하고 완화시키는 단계를 포함하는 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법.8. The method of claim 7, wherein forming the plurality of trench lines of the wavy pattern on the base substrate comprises: stretching and relaxing the base substrate in a first axis direction, ≪ / RTI > wherein said step of stretching comprises the step of stretching and relaxing said stretchable conductive pattern. 제7 항에 있어서, 상기 물결무늬의 상기 복수의 트렌치 라인은 동일한 간격을 이루는 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법.8. The method of claim 7, wherein the plurality of trench lines of the wavy pattern are equally spaced. 제10 항에 있어서, 상기 트렌치 라인은 제1방향으로 신장하고, 상기 트렌치 라인의 상기 산은 인접한 상기 트렌치 라인의 상기 산과 나란하고, 상기 트렌치 라인의 상기 골은 인접한 상기 트렌치 라인의 상기 골과 나란한 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법.11. The method of claim 10, wherein the trench line extends in a first direction, the acid of the trench line is in line with the acid of the adjacent trench line, and the trench line of the trench line is in contact with the tie line of the adjacent trench line A method of forming a conductive pattern as possible. 제7 항에 있어서, 상기 베이스 기재 위에 상기 물결무늬의 상기 복수의 트렌치 라인을 형성하는 단계는 상기 베이스 기재의 온도를 80-100℃ 까지 올린 후 상온으로 되돌리는 단계를 포함하는 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법.8. The method of claim 7, wherein the forming of the plurality of trench lines of the wavy pattern on the base substrate comprises raising the temperature of the base substrate to 80-100 < 0 & / RTI > 제7 항에 있어서, 상기 트렌치 라인 내에 고분자-금속 전구체 혼합물을 채우는 단계는 광경화 또는 열경화에 의하여 겔을 형성하는 고분자, 금속 전구체 및 용매를 포함하는 고분자-금속 전구체 조성물을 상기 트렌치 라인이 형성된 상기 베이스 기재 위에 코팅하는 단계를 포함하는 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법.8. The method of claim 7, wherein filling the polymer-metal precursor mixture in the trench line comprises forming a polymer-metal precursor composition comprising a polymer, a metal precursor, and a solvent to form a gel by photocuring or thermosetting, And coating on the base substrate. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI > 제7 항에 있어서, 상기 고분자-금속 전구체 혼합물의 상기 고분자는 PEG-DA, PS-PEO-PS 또는 POB-PEO를 포함하는 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법.8. The method of claim 7, wherein the polymer of the polymer-metal precursor mixture comprises PEG-DA, PS-PEO-PS or POB-PEO. 제7 항에 있어서, 상기 금속 전구체는 AgCF3COOH, AgNO3, HAuCl4, CuCl2, PtCl2 또는 PtCl4을 포함하는 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법.The method of claim 7, wherein the metal precursor AgCF 3 COOH, AgNO 3, HAuCl 4, CuCl 2, PtCl 2 PtCl 4 or the method of forming the expandable conductive pattern including. 제7 항에 있어서, 상기 고분자-금속 전구체 혼합물을 고분자 겔-금속 나노입자 복합체로 변환시키는 단계는 상기 고분자를 겔 상태로 경화시키는 단계 및 상기 고분자-금속 전구체 혼합물의 상기 금속 전구체를 환원시키는 단계를 포함하는 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법.The method of claim 7, wherein the step of converting the polymer-metal precursor mixture into a polymer gel-metal nano-particle composite comprises curing the polymer in a gel state and reducing the metal precursor of the polymer- / RTI > wherein the conductive pattern is formed of a conductive material. 제16 항에 있어서, 상기 고분자-금속 전구체 혼합물의 상기 금속 전구체를 환원시키는 단계는 상기 고분자-금속 전구체 혼합물을 히드라진(N2H4) 또는 붕수소나트륨(NaBH4)에 처리하는 단계를 포함하는 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법.17. The method of claim 16 wherein the polymer comprising the reduction of the metal precursor of the metal precursor mixture is the polymer comprising the step of treating the metal precursor mixture of hydrazine (N 2 H 4) or boron sodium (NaBH 4) A method of forming a stretchable conductive pattern. 제16 항에 있어서, 상기 고분자를 겔 상태로 경화시키는 단계는 고분자-금속 전구체 혼합물을 UV 조사 또는 열처리하는 단계를 포함하는 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법.17. The method of claim 16, wherein curing the polymer in a gel state comprises UV irradiation or heat treatment of the polymer-metal precursor mixture. 제7 항에 있어서, 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴을 전사하는 단계는 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴의 전사 전에 상기 엑셉터 기재를 UV 경화가능한 표면을 갖도록 표면처리하는 단계를 포함하는 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법.[8] The method of claim 7, wherein the step of transferring the polymer gel-metal nano-particle composite pattern includes a step of surface-treating the polymer-gel nano-particle composite pattern so that the acceptor substrate has a UV- A method of forming a stretchable conductive pattern. 제7 항에 있어서, 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴을 엑셉터 기재 위로 1차 전사하는 단계는 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴이 형성된 상기 베이스 기재를 상기 엑셉터 기재 위에 얼라인하는 단계;
상기 엑셉터 기재 위에 얼라인된 상기 베이스 기재를 상기 엑셉터 기재에 대하여 밀착하고, UV 조사하여 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴과 상기 엑셉터 기재 사이에 가교 결합을 형성하는 단계를 포함하는 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법.8. The method of claim 7, wherein the step of primarily transferring the polymer gel-metal nanoparticle composite pattern onto the acceptor substrate comprises aligning the base substrate on which the polymer gel-metal nanoparticle composite pattern is formed, ;
Metal nanoparticle complex pattern and cross-linking between the polymer gel-metal nanoparticle composite pattern and the acceptor substrate by bringing the base substrate aligned on the acceptor substrate into close contact with the acceptor substrate, A method of forming a conductive pattern as possible. 제7 항에 있어서, 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴을 상기 엑셉터 기재 위로 1차로 전사한 후 상기 1차로 전사된 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴의 방향과 다른 방향으로 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴을 상기 엑셉터 기재 위로 2차로 전사하는 단계를 포함하는 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법.8. The method of claim 7, wherein the polymer gel-metal nanoparticle composite pattern is first transferred onto the acceptor substrate, and then the polymer gel-metal nanoparticle composite pattern is transferred in a direction different from the direction of the firstarily transferred polymer gel- And transferring the metal nanoparticle composite pattern onto the acceptor substrate in a second step. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020110061805A 2011-05-03 2011-06-24 composition for forming strechable conductive pattern, method for producing the strechable conductive pattern using the same and electronic device comprising the strechable conductive electrode KR101959449B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110061805A KR101959449B1 (en) 2011-05-03 2011-06-24 composition for forming strechable conductive pattern, method for producing the strechable conductive pattern using the same and electronic device comprising the strechable conductive electrode
US13/458,139 US20120279762A1 (en) 2011-05-03 2012-04-27 Composition for forming stretchable conductive pattern, method of producing the stretchable conductive pattern using the composition, and electronic device including stretchable conductive electrode

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20110042115 2011-05-03
KR1020110042115 2011-05-03
KR1020110061805A KR101959449B1 (en) 2011-05-03 2011-06-24 composition for forming strechable conductive pattern, method for producing the strechable conductive pattern using the same and electronic device comprising the strechable conductive electrode

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120124346A KR20120124346A (en) 2012-11-13
KR101959449B1 true KR101959449B1 (en) 2019-03-19

Family

ID=47509792

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110061805A KR101959449B1 (en) 2011-05-03 2011-06-24 composition for forming strechable conductive pattern, method for producing the strechable conductive pattern using the same and electronic device comprising the strechable conductive electrode

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101959449B1 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101902927B1 (en) 2011-08-10 2018-10-02 삼성전자주식회사 strechable conductive nano fiber, strechable conductive electrode using the same and method for producing the same
KR101984734B1 (en) * 2012-11-16 2019-06-03 삼성디스플레이 주식회사 Stretchable base plate and organic light emitting display device using the same and the manufacturing method thereof
KR102320382B1 (en) 2015-01-28 2021-11-02 삼성디스플레이 주식회사 Electronic device
KR101766828B1 (en) * 2015-04-28 2017-08-09 고려대학교 산학협력단 Method for forming metal mesh and semiconductor device having the metal mesh
KR102019737B1 (en) * 2017-12-14 2019-09-09 포항공과대학교 산학협력단 Horizontal light emitting display using conductive composite and method for manufacturing the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040243204A1 (en) * 2003-04-30 2004-12-02 The Regents Of The University Of California Stretchable polymer-based electronic device
US20050130324A1 (en) 1998-03-11 2005-06-16 William Marsh Rice University Metal nanoshells for biosensing applications
JP2005159255A (en) * 2003-11-06 2005-06-16 Mitsui Chemicals Inc Circuit board and manufacturing method thereof
US20100140564A1 (en) * 2006-03-07 2010-06-10 Gerardus Cornelis Overbreek Conductive ink

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100818491B1 (en) * 2005-08-12 2008-04-02 주식회사 엘지화학 Apparatus for patterning coatings

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050130324A1 (en) 1998-03-11 2005-06-16 William Marsh Rice University Metal nanoshells for biosensing applications
US20040243204A1 (en) * 2003-04-30 2004-12-02 The Regents Of The University Of California Stretchable polymer-based electronic device
JP2005159255A (en) * 2003-11-06 2005-06-16 Mitsui Chemicals Inc Circuit board and manufacturing method thereof
US20100140564A1 (en) * 2006-03-07 2010-06-10 Gerardus Cornelis Overbreek Conductive ink

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120124346A (en) 2012-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20120279762A1 (en) Composition for forming stretchable conductive pattern, method of producing the stretchable conductive pattern using the composition, and electronic device including stretchable conductive electrode
KR101959449B1 (en) composition for forming strechable conductive pattern, method for producing the strechable conductive pattern using the same and electronic device comprising the strechable conductive electrode
Liu et al. Smart textile based on 3D stretchable silver nanowires/MXene conductive networks for personal healthcare and thermal management
EP3330327B1 (en) Paste material, wiring member formed from the paste material, and electronic device including the wiring member
McCoul et al. Recent advances in stretchable and transparent electronic materials
US10782804B2 (en) Method of forming a composite conductive film
Lee et al. Very long Ag nanowire synthesis and its application in a highly transparent, conductive and flexible metal electrode touch panel
Du et al. Photothermally triggered shape‐adaptable 3D flexible electronics
CN102870193B (en) Selectivity nano groups of grains assembling system and method
WO2016188308A1 (en) Transparent conductive films with embedded metal grids
Penmatsa et al. Fabrication of carbon nanostructures using photo-nanoimprint lithography and pyrolysis
KR102237353B1 (en) Conductive ink and stretchable electrode using the same
US20110278040A1 (en) Elastic conductor
Hwang et al. Stretchable carbon nanotube conductors and their applications
KR102340220B1 (en) Stretchable wiring film and method for forming the same
WO2017124020A1 (en) Highly stretchable, transparent, and conductive polymer
Luo et al. A stretchable and printable PEDOT: PSS/PDMS composite conductors and its application to wearable strain sensor
Chen et al. Heterogeneous surface orientation of solution-deposited gold films enables retention of conductivity with high strain—a new strategy for stretchable electronics
Li et al. 3D printing of mechanically robust MXene-encapsulated polyurethane elastomer
Zhao et al. Fluid driven self-assembly of woven Ag nanowire grid for ultra-flexible transparent electrodes
KR100963204B1 (en) Fabricating Method Of Flexible Transparent Electrode
KR101816341B1 (en) Method of manufacturing printed transparent conductive electrode film and printed transparent conductive electrode film
KR101636450B1 (en) Fabrication method for conductive adhesive film and the conductive adhesive film thereby
KR20160000563A (en) Method for fabrication pattern of nano material
Hou et al. Stretchable Electronics with Strain‐Resistive Performance

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant