KR101957740B1 - 광원 장치 및 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 열에 의한 양자점의 열화를 억제할 수 있는 광원 장치 및 표시 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 광원 장치(100)는, 열전도성에 이방성이 있는 분산매(113) 및 분산매에 분산되어 있는 양자점(112)을 포함하는 구조체(110)를 구비하고, 분산매의 열전도성이 높은 축이, 구조체의 열저항이 가장 낮은 방향으로 향하고 있다. 분산매가 배향되어 있을 때 그 열전도율은 소정의 축을 따라서 높기 때문에, 분산매의 구조체의 열전도성이 높은 축을 열저항이 가장 낮은 방향으로 향하게 함으로써, 구조체로부터의 방열량이 증가한다.

Description

광원 장치 및 표시 장치{Light source device and display device}
본 발명은, 광원 장치 및 표시 장치에 관한 것이다.
근년, 색 재현성이 좋은 화상을 표시할 수 있는 액정 표시 장치를 제공하기 위해서 액정 표시 소자에 대한 입사광의 색 순도를 높이는 기술 개발이 요구되고 있다. 일례로서 양자점을 이용한 기술이 개발되고 있다. 양자점은 형광체로, 발광 다이오드(LED) 등의 광원으로부터의 여기광이 입사되면 상기 여기광의 파장보다 긴 파장의 빛을 생성한다. 양자점의 종류와 입경을 바꿈으로써, 양자점이 생성하는 빛의 파장을 조정 가능하다. 예를 들면 여기광으로서 LED로부터의 청색광을 이용하여, 양자점은 상기 청색광이 입사되었을 때에 반값폭이 좁은 녹색광 및 적색광을 생성하도록 구성된다. 이로써 양자점을 이용하여, 빛의 삼원색에 대응하는 좁은 파장 영역의 빛을 생성 가능한 고효율의 광원을 실현할 수 있다.
양자점은 수분, 산소와 열에 노출되면 열화되기 쉽다. 특허문헌 1에 기재된 기술은, 수분 및 산소에 대해서 배리어성을 가지는 용기 내에, 수지 또는 유기 용매 중에 분산된 양자점을 밀폐한다. 이와 같은 구성에 의해, 양자점을 포함하는 광원 장치의 열화를 억제하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
특허문헌 1: 일본특허공개공보 2016-76634호 특허문헌 2: 일본특허공개공보 2015-233057호
양자점을 밀폐하는 용기는, 양자점 자체의 무방사 불활성화 등에 의해 발생된 열을 축적하기 쉽다. 따라서 용기에 축적된 열에 기인하는 양자점의 열화가 일어날 수 있다. 그러나 특허문헌 1에 기재한 기술은 수분 및 산소에 의한 열화를 억제할 수 있지만, 열에 의한 열화에 대하여 고려하지 않았다.
본 발명은 상술한 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 열에 의한 양자점의 열화를 억제할 수 있는 광원 장치 및 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 형태는, 광원 장치로서, 열전도성에 이방성이 있는 분산매 및 상기 분산매에 분산되어 있는 양자점을 포함하는 구조체를 구비하고, 상기 분산매의 열전도성이 높은 축이, 상기 구조체의 열저항이 가장 낮은 방향으로 향해 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 양자점을 포함하는 구조체의 열저항이 가장 낮은 방향으로 향하도록 분산매의 열전도성이 높은 축을 적절히 설정하기 때문에, 양자점을 포함한 구조체로부터의 방열량을 증가시키고, 열에 의한 양자점의 열화를 억제할 수 있다.
도 1은 제 1 실시형태에 따른 표시 장치의 전면도이다.
도 2는 제 1 실시형태에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 제 1 실시형태에 따른 양자점 구조체의 단면도이다.
도 4는 제 1 실시형태에 따른 분산매의 배향을 도시한 모식도이다.
도 5는 제 1 실시형태에 따른 분산매의 배향과 양자점 구조체의 구조의 관계를 도시한 모식도이다.
도 6은 제 2 실시형태에 따른 표시 장치의 전면도이다.
도 7은 제 2 실시형태에 따른 광원 장치의 모식도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명하지만, 본 발명은 각 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 또한 이하에서 설명하는 도면에서, 동일 기능을 가지는 것은 동일 부호를 부여하고, 반복 설명은 생략하는 일도 있다.
<제 1 실시형태>
도 1은, 본 실시형태에 따른 표시 장치(10)의 전면도이다. 표시 장치(10)는, 액정 패널(20)과, 액정 패널의 배면을 따라서 설치된 광원 장치(100)와, 액정 패널(20) 및 광원 장치(100)를 지지하는 틀(30)을 구비한다. 도 1에서, 시인성을 위해서 액정 패널(20)은 배면측 광원 장치(100)를 투과하도록 도시되어 있다. 도 1에 도시한 표시 장치(10)에 포함되는 각 부의 수 및 크기는 실제 구성을 반영하지 않았고, 실제 실장 방법에 따라서 임의로 설계되어도 된다.
광원 장치(100)는 직하형 백라이트 유닛으로, 액정 패널(20)의 배면측으로부터 액정 패널(20)에 빛을 조사한다. 광원 장치(100)의 상세한 구성에 대해서는 도 2 및 도 3을 참조하여 후술한다. 액정 패널(20)은 액정층, 편광판, 컬러 필터 및 박막 트랜지스터(TFT) 등의 전기 회로를 포함하는 주지된 구성을 가진다. 액정 패널(20)은, 전기 회로를 통하여 화소마다 광원 장치(100)로부터의 빛의 투과율을 제어함으로써, 소망하는 화상을 표시한다. 틀(30)은 수지, 금속 등을 사용하여 구성되어 있고, 액정 패널(20) 및 광원 장치(100)를 지지한다. 틀(30)의 내부에는, 액정 패널(20) 및 광원 장치(100)에 대한 전기 배선이 배설된다. 또한 본 실시형태에서는 백라이트 유닛의 방식으로서 직하형 백라이트 유닛을 예시하고 있지만, 엣지 라이트 방식이어도 된다.
도 2는, 도 1의 A-A선으로부터 본 표시 장치(10)의 단면도이다. 광원 장치(100)는, 소정 파장의 빛을 생성하는 광원부(120) 및 광원부(120)로부터의 빛의 파장을 변환하는 양자점 구조체(110)를 구비한다.
광원부(120)는, 발광 소자(121), 기판(122) 및 프레임(123)을 가진다. 발광 소자(121)는 소정 파장의 빛을 생성하여, 액정 패널(20)을 향해서 조사한다. 발광 소자(121)는, 도시하지 않은 전기 배선에 전기적으로 접속되어 있고, 상기 전기 배선을 통하여 인가되는 전력을 이용하여 빛을 생성한다. 발광 소자(121)에 의해 생성되는 빛의 파장은, 예를 들면 청색광의 파장 영역(약 380 nm ~ 500 nm) 또는 자외광의 파장 영역(약 10 nm ~ 380 nm)이다. 발광 소자(121)로서, 발광 다이오드(LED), 유기 발광 다이오드(OLED) 등의 임의의 발광 소자를 사용해도 된다. 발광 소자(121)로부터의 빛이 여기광으로서 후술하는 양자점 구조체(110)에 입사됨으로써, 광원 장치(100)는 빛의 삼원색에 대응하는 좁은 파장 영역의 빛을 생성할 수 있다.
프레임(123)은 오목 형상을 가지고 있고, 상기 형상의 저면에 발광 소자(121)를 지지한다. 프레임(123)의 형상은 여기에 한정되지 않고, 임의의 형상이라도 된다. 프레임(123)은 수지, 금속, 반도체 등 임의의 재료를 사용하여 구성해도 된다. 프레임(123)은 생략해도 되고, 그 경우 발광 소자(121)는 기판(122) 상에 직접 지지되면 된다.
기판(122)은 액정 패널(20)의 표면에 대하여 평행으로 연장되고, 복수의 발광 소자(121) 및 프레임(123)을 지지한다. 본 실시형태에서는, 소정 수의 발광 소자(121) 및 프레임(123)이 기판(122) 상에 격자상이고 또한 등간격으로 배치된다. 발광 소자(121) 및 프레임(123)의 수 및 배치는, 표시 장치(10)의 구성에 따라서 임의로 설정해도 된다. 기판(122)은 수지, 금속, 반도체 등 임의의 재료를 사용하여 구성해도 된다.
양자점 구조체(110)는 액정 패널(20)의 배면과 광원부(120) 사이에 위치하여, 광원부(120)로부터 액정 패널(20)의 배면으로 조사되는 빛의 광로에 개재된다. 즉 광원부(120)로부터의 빛은, 양자점 구조체(110)를 개재하여 액정 패널(20)의 배면에 조사된다.
도 3은 도 1의 A-A선으로부터 본 양자점 구조체(110)의 상세한 단면도이다. 양자점 구조체(110)는 밀폐 용기(111), 그리고 밀폐 용기(111) 중에 봉입된 양자점(112) 및 분산매(113)를 포함한다.
밀폐 용기(111)는, 외부 공간(즉 대기)으로부터 격리된 내부 공간을 가지는 용기로, 적어도 가시광의 파장 영역(약 380 nm ~ 780 nm)의 빛을 투과하는 유리나 수지 등 임의의 재료를 가지고 구성된다. 수분 및 산소에 의한 양자점(112)의 열화를 억제하기 위해서, 밀폐 용기(111)는 수분 및 산소에 대해서 배리어성을 가지는 재료를 사용하여 구성되는 것이 바람직하다.
본 실시형태에 있어서, 밀폐 용기(111)는 수분 및 산소에 대한 배리어성이 높은 유리를 사용하여 형성된 유리 셀로서 구성된다. 구체적으로 밀폐 용기(111)는, 서로 평행한 2개의 유리제 직사각형 판이 유리제 측벽을 개재하여 소정 간격을 두고 대향된 사각기둥상 구조를 가진다. 광원부(120)로부터의 빛은, 상기 2개의 유리제 직사각형 판에 대해서 수직으로 입사된다. 밀폐 용기(111)의 구조는 여기에 도시한 것에 한정되지 않고, 공지된 것을 사용해도 된다(예를 들면 특허문헌 2 참조). 밀폐 용기(111)의 형상은, 예를 들면 원기둥상 등 임의의 형상이어도 된다. 밀폐 용기(111)를 구성하는 벽면의 적어도 일부는 평면상이 아니라 곡면상이라도 된다.
양자점(112, 콜로이드상 양자점이라고도 한다)은, 양자 역학에 따르는 광학 특성을 가지는 나노 스케일 재료로, 입자경이 약 1 nm ~ 100 nm, 바람직하게는 1 nm ~ 50 nm, 더욱 바람직하게는 1 nm ~ 20 nm인 미소 반도체 입자이다. 양자점(112)은, 밴드 갭(가전자대 및 전도대의 에너지 차)보다 큰 에너지를 가지는 광자를 흡수하고, 그 입자경에 따른 파장의 빛을 방출한다. 따라서 양자점(112)은, 소정 파장 이하의 빛을 흡수하는 성질을 가지고, 입자경을 조정함으로써 소망하는 파장의 빛을 발생시킬 수 있다. 본 실시형태에 있어서, 양자점(112)은 도 3과 같이 구상(球狀)이지만 여기에 한정되지 않고 임의의 형상이어도 된다.
양자점(112)은, 적어도 1개의 반도체 재료를 포함한다. 양자점(112)의 반도체 재료로서 제 IV족 원소, 제 II-VI족 화합물, 제 II-V족 화합물, 제 III-VI족 화합물, 제 III-V족 화합물, 제 IV-VI족 화합물, 제 I-III-VI족 화합물, 제 II-IV-VI족 화합물, 제 II-IV-V족 화합물 등을 사용해도 된다. 구체적으로는 양자점(112)의 반도체 재료로서 ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, MgS, MgSe, GaAs, GaN, GaP, GaSe, GaSb, HgO, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InN, InP, InSb, AlAs, AlN, AlP, AlSb, TiN, TiP, TiAs, TiSb, PbO, PbS, PbSe, PbTe, Ge, Si 등을 사용할 수 있다. 양자점(112)의 재료는 여기에 나타낸 것에 한정되지 않고, 양자점의 기능을 발휘할 수 있는 한 임의의 재료를 사용해도 된다.
광원부(120)가 생성하는 빛이 청색광인 경우에는, 녹색광의 파장 영역(약 510 nm 이상 610 nm 이하, 바람직하게는 520 nm 이상 580 nm 이하)에 발광 중심 파장을 가지는 제 1 양자점(112)과, 적색광의 파장 영역(약 600 nm 이상 700 nm 이하, 바람직하게는 610 nm 이상 680 nm 이하)에 발광 중심 파장을 가지는 제 2 양자점(112)을 조합하여 사용한다. 즉, 광원부(120)가 생성하는 청색광은, 양자점(112)에 대한 여기광으로서 기능하는 한편 광원 장치(100)가 발광하는 가시광으로서 기능한다. 본 실시형태에서는 청색, 녹색 및 적색의 3개의 극대가 있는 발광 스펙트럼을 가지는 광원을 나타냈지만, 양자점의 발광 중심 파장 및 양자점의 조합은 여기에 한정되지 않고 임의의 조합을 사용해도 된다.
광원부(120)가 생성하는 빛이 자외광인 경우에는, 녹색광의 파장 영역에 발광 중심 파장을 가지는 제 1 양자점(112)과, 적색광의 파장 영역에 발광 중심 파장을 가지는 제 2 양자점(112)과, 청색광의 파장 영역에 발광 중심 파장을 가지는 제 3 양자점(112)을 조합하여 사용한다. 즉, 광원부(120)가 생성하는 자외광은, 양자점(112)에 대한 여기광으로서 기능한다.
양자점(112)은, 적어도 1개의 반도체 재료를 포함하는 코어와, 적어도 1개의 반도체 재료를 포함하는 쉘로 이루어지는 코어쉘형 구조를 가지고 있어도 된다. 구체적으로는 코어로서 CdSe, 쉘로서 CdZnS를 가지는 양자점(112), 코어로서 CdZnSe, 쉘로서 CdZnS를 가지는 양자점(112), 코어로서 CdS, 쉘로서 CdZnS를 가지는 양자점(112) 등을 사용할 수 있다.
본 실시형태에서는 양자점 구조체(110)의 구조와 분산매(113)의 열전도성이 높은 축 사이에 이하에 설명하는 관계가 설정되어 있기 때문에 양자점 구조체(110)의 높은 방열성을 실현할 수 있다. 분산매(1130)는, 열전도성에 이방성이 있는 액체 또는 고체의 매질로, 양자점(112)을 분산한다. 열전도성에 이방성이 있는 것은, 다른 방향과 비교해서 특정 방향으로 열전도율이 높은 것을 의미한다. 또한 양자점 구조체(110)의 형상은 통상적으로는 구형이 아니므로, 열저항에 이방성이 있다. 열저항에 이방성이 있는 것은, 양자점 구조체(110)에 있어서 방향마다의 열저항이 일정하지 않고, 다른 방향과 비교해서 특정 방향을 따라서 열저항이 낮은 것을 의미한다.
본 실시형태에 따른 광원 장치(100)는, 양자점 구조체(110)의 방향마다의 열저항에 기초해서 분산매(113)의 열전도성이 높은 축을 적절히 설정함으로써, 양자점 구조체(110)로부터의 방열량을 증가시키고, 열에 의한 양자점(112)의 열화를 억제한다.
구체적으로는 분산매(113)로서 액정성 고분자(액정 고분자, 고분자 액정이라고도 한다)를 사용한다. 액정성 고분자는, 주쇄 및 측쇄 중 적어도 일방에 액정 구조(즉 메소겐기)를 포함하는 고분자 화합물이다. 주쇄에 액정 구조를 포함하는 것을 주쇄형 액정성 고분자라고 하고, 측쇄에 액정 구조를 포함하는 것을 측쇄형 액정성 고분자라고 한다. 메소겐기는 봉상 또는 판상의 강직한 구조를 가지고 있기 때문에 고분자 화합물에 액정성을 부여한다. 메소겐기로서, 비페닐기, 페닐벤조에이트기 등 주지된 구조를 사용해도 된다. 본 실시형태에서는 분산매(113)로서 액정성 고분자만을 사용했지만, 액정성 고분자에 희석 모노머, 유기 용매 등 임의의 첨가제를 가한 것을 사용해도 된다. 또한 액정성 고분자는 중합성기를 가지고 있어도 되고, 중합성기를 가지는 액정성 분자를 중합함으로써 얻어지는 액정성 고분자여도 된다.
도 4는, 본 실시형태에 따른 분산매(113)의 배향을 도시한 모식도이다. 도 4에 있어서 분산매(113) 중 액정 구조만이 도시되어 있고, 액정 구조 이외의 부분은 생략되어 있다. 분산매(113)의 배향은, 액정성 고분자인 분산매(113)에 포함되는 액정 구조(메소겐기)의 장축의 평균적인 방향이다. 도 4에는 분산매(113)의 배향 방향 B가 화살표로 도시되어 있다.
본 실시형태에서는 소정 방향 B(소정의 축)를 따라서 분산매(113)가 배향되어 있기 때문에 분산매(113)의 각 액정 구조가 정렬되어 있고, 분산매(113)의 액정 구조 사이에 양자점(112)이 분산되어 있다. 양자점 구조체(110)의 제조 공정에서는, 임의의 방법에 의해 분산매(113)의 액정 구조를 정렬시키고, 분산매(113)의 배향을 설정한다. 예를 들면 분산매(113)에 자기장, 전기장, 연신력과 전단 응력 등 외력을 가하거나 혹은 밀폐 용기(111)의 내벽에 배향막을 설치함으로써 분산매(113)를 배향시켜도 된다. 또한 액정 구조에 이온기 등의 자발적 배향을 촉진하는 소정의 구조를 도입함으로써, 분산매(113)를 자발적으로 배향시켜도 된다.
분산매(113)의 액정 구조가 소정 방향 B를 따라서 배향되어 있는 경우에는, 분산매(113) 중에서 포논의 산란이 저감된다. 일반적으로 포논의 산란이 작을수록 열전도율이 높다. 따라서 분산매(113)의 1개 방향을 따르는 열전도율은, 상기 방향이 배향 방향 B에 가까울수록, 즉 상기 방향과 배향 방향 B가 이루는 각도가 작을수록 높다. 다시 말하면 분산매(113)의 배향 방향 B(소정의 축)를 따르는 열전도율은, 방향 B 이외의 방향과 비교해서 가장 높다.
분산매(113)의 액정 구조로서 네마틱상 및 스멕틱상 중 어느 것을 이용해도 되지만, 스멕틱상은 열전도율이 네타믹상보다 높으므로 더욱 바람직하다.
도 5(a), 도 5(b)는, 본 실시형태에 따른 분산매(113)의 배향과 양자점 구조체(110)의 구조의 관계를 도시한 모식도이다. 도 5(a) 및 도 5(b)에서는, 양자점 구조체(110)의 구조가 다르다.
상술과 같이, 양자점 구조체(110)의 밀폐 용기(111)의 형상은 사각기둥상이다. 도 5(a)에 도시한 것과 같이 밀폐 용기(111)에 있어서, 소정의 방향 C(여기에서는 광원부(120)로부터의 빛의 입사 방향)를 따르는 높이(h)는, 방향 C에 수직인 방향을 따르는 폭(w)보다 작다. 이 경우에 양자점 구조체(110)의 방향 C(즉 두께가 가장 작은 방향)를 따르는 열저항은, 방향 C 이외의 방향과 비교해서 가장 작다. 다시 말하면, 양자점 구조체(110)는, 두께가 가장 작은 방향 C를 따라서 방열되기 쉽다. 도 5(a)의 형태에서는, 분산매(113)의 배향 방향 B(즉 열전도성이 높은 축)가, 양자점 구조체(110)의 두께가 가장 작은 방향 C에 가깝도록 분산매(113)의 배향을 설정함으로써, 양자점 구조체(110)로부터의 방열량을 증가시킨다.
도 5(b)의 형태에서는, 밀폐 용기(111)의 측벽의 적어도 일부에 방열 부재인 히트 싱크(114)가 설치되어 있다. 이와 같은 구성에 있어서는, 도 5(a)의 형태와 같은 두께에 상관없이, 히트 싱크(114)가 설치되어 있는 측벽을 향하는 방향 D를 따르는 열저항은, 방향 D 이외의 방향과 비교해서 가장 작다. 다시 말하면, 양자점 구조체(110)는, 히트 싱크(114)를 향하는 방향 D를 따라서 방열되기 쉽다. 도 5(b)의 형태에서는, 분산매(113)의 배향 방향 B(즉 열전도성이 높은 축)가, 양자점 구조체(110)의 히트 싱크(114)를 향하는 방향 D에 가깝도록 분산매(113)의 배향을 설정함으로써, 양자점 구조체(110)로부터의 방열량을 증가시킨다.
양자점 구조체(110)의 방향마다의 열저항은, 양자점 구조체(110)의 재질 및 형상과 방열 부재 유무에 따라서 결정된다. 일반적으로 양자점 구조체(110)의 방향마다의 열저항은 일정하지 않고, 특정 방향을 따라서 열저항이 가장 낮다. 양자점 구조체(110)의 형상이 복잡하고, 방향마다의 열저항에 복수의 극소값이 존재하는 경우(즉, 인접하는 다른 방향보다 열저항이 낮은 방향이 복수 존재하는 경우)에는, 각 극소값을 열저항이 가장 낮은 방향으로 간주한다. 본 실시형태에 따른 양자점 구조체(110)에서는, 분산매(113)의 열전도성이 높은 축과 양자점 구조체(110)의 열저항이 가장 낮은 방향이 가깝도록, 다시 말하면 분산매(113)의 열전도성이 높은 축이 양자점 구조체(110)의 열저항이 가장 낮은 방향을 향하고 있도록, 분산매(113)의 배향이 설정되어 있다. 구체적으로는, 분산매(113)의 열전도성이 높은 축과 양자점 구조체(110)의 열저항이 가장 낮은 방향이 이루는 각도가 0 도 이상 45 도 미만으로 설정되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같은 구성에 의해, 양자점 구조체(110)로부터의 방열량을 증가시키는 효과가 얻어진다.
열전도성에 이방성이 있는 분산매(113)로서 액정성 고분자를 사용하는 것은, 배향의 조정이 용이하고, 방열 효율을 향상시키기 쉬우므로 바람직하다. 본 실시형태에서는, 액정성 고분자인 분산매(113)의 배향을 설정하기 위해서 자기장을 사용한다. 구체적으로는, 액정성 고분자인 분산매(113)가 고온 상태에서 양자점(112)을 첨가하여 혼합하고, 분산매(113)의 배향을 목적인 방향으로 설정하도록 자기장을 인가한다. 그 후 자기장을 인가한 상태에서 분산매(113)를 냉각하고, 자기장 인가를 종료한다. 이로써 분산매(113)의 배향을 소정 방향으로 유지할 수 있다.
분산매(113)의 배향을 설정하기 위해서 자기장 이외에, 분산매(113)의 배향을 목적인 방향으로 설정하도록 전기장과 연신력 및 전단 응력 등의 외력을 가해도 된다. 또한 밀폐 용기(111)의 내벽에 분산매(113)의 배향을 목적인 방향으로 설정하기 위한 배향막을 설치해도 된다. 또한 분산매(113)의 액정 구조에 이온기 등의 자발적 배향을 촉진하는 소정의 구조를 도입하고, 분산매(113)의 배향이 목적인 방향이 되도록 자발적 배향을 수행시켜도 된다. 기타 임의의 방법에 의해, 액정성 고분자인 분산매(113)의 배향을 설정해도 된다.
열전도성에 이방성이 있는 분산매(113)로서, 액정성 고분자 이외에, 열전도성이 높은 방향을 조정 가능한 임의의 물질을 사용해도 된다. 열전도성에 이방성이 있는 분산매(113)로서, 장축 및 단축 길이가 다른 형상을 가지는 물질을 사용할 수 있다. 예를 들면 봉상 또는 침상 형상으로 성형된, 수지 등의 유기 화합물 또는 유리 등의 무기 화합물이다. 장축 및 단축 길이가 다른 형상을 가지는 물질을 사용함으로써, 액정성 고분자와 같이 열전도율이 높은 방향을 조정할 수 있다. 이와 같은 물질의 배향 설정을 위해서, 상술과 같이 자기장, 전기장, 연신력 등의 외력을 이용해도 된다.
특히 상술과 같은 밀폐 용기(111)에 양자점(112)이 밀폐된 구성에서는 방열성이 나빠서, 양자점(112)이 열에 의해 열화되는 문제가 일어나기 쉬우므로, 본 실시형태의 효과를 현저히 얻을 수 있다. 그러나 양자점 구조체(110)는 상술한 구체적인 구성에 한정되지 않고, 밀폐 용기(111)가 생략된 필름상 구성이어도 된다.
본 실시형태에서는, 분산매(113)의 열전도성이 높은 축과 양자점 구조체(110)의 열저항이 가장 낮은 방향이 가깝도록, 양자점(112)을 분산하는 분산매(113)의 배향이 설정되어 있다. 이와 같은 구성에 의해, 양자점 구조체(110)로부터의 방열량을 증가시키고, 양자점(112)의 무방사 불활성화 등에 의해 발생된 열이 양자점 구조체(110)에 축적되는 것을 억제한다. 그 결과, 양자점(112)의 열에 의한 열화를 억제하고, 광원 장치(100)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
<실시예>
실시예로서 이하의 식 (1)에 도시한 구조의 액정성 고분자인 분산매(113)를 포함하여 배향 처리를 시행한 양자점 구조체(110)에 대해서 가속 시험을 수행했다. 또한 비교예로서 동일 분산매(113)를 사용하고 배향 처리를 시행하지 않은 양자점 구조체(110)에 대해서 가속 시험을 수행했다. 식 (1)에 도시한 구조의 액정성 고분자의 수평균 분자량은 26000 g/mol, 분자량 분포의 다분산도는 1.53이었다. 이 액정성 고분자에 대하여, 무배향인 경우와, 배향 처리 후 배향 방향의 열전도도를 측정한 결과를 도 1에 나타낸다.
양자점 구조체(110)의 제작은 다음과 같이 해서 수행하였다. 우선 양자점(112)과 분산매(113)의 혼합물을 양자점 구조체(110)의 밀폐 용기(111)에 충전했다. 계속해서 양자점 구조체(110)를 액정성 고분자의 액정-액체 전이 온도인 117 ℃를 상회하는 온도인 130 ℃로 유지하면서, 3.8 T의 자기장을 밀폐 용기(111)의 단축 방향(즉 두께가 가장 작은 방향)을 따라서 인가했다. 더욱이 자기장을 인가한 채 실온까지 1 ℃/min의 조건으로 온도를 낮춤으로써, 실시예로서 사용하는 양자점 구조체(110)를 얻었다.
배향 유무는, X선 회절 장치(Bruker사 제품, D8 DISCOVER, 2차원 검출기 Vantec500)로, 자기장 방향에 대해서 수직으로 X선 빔을 입사하여 촬영한 2차원 회절상으로부터 판별했다.
가속 시험 조건으로는, 양자점 구조체(110)를 중심 파장 450 nm인 LED 상에 설치하고, 85 도의 환경 온도에서 LED를 점등했다. LED 점등 전 상태 및 70 시간 경과 후 상태에 대해서 각각 양자점 구조체(110)를 통과한 빛의 CIE1931 색도도 상의 좌표를 측정하고, 그들 상태 사이의 색도 변화 ΔCx 및 ΔCy를 산출했다. 색도 변화 ΔCx는 색도도에 있어서의 x 좌표의 변화량이고, 색도 변화 ΔCy는 색도도에 있어서의 y 좌표의 변화량이다. 측정 결과를 표 1에 나타낸다.
화학식 1
Figure 112017087479377-pat00001
Figure 112017087479377-pat00002
표 1에 도시한 것과 같이 배향 처리가 시행된 실시예에서는, 배향 처리가 시행되지 않은 비교예보다 수직 방향의 열전도율이 향상되었다. 그리고 배향 처리가 시행된 실시예에서는, 배향 처리가 시행되지 않은 비교예보다 색도 변화 ΔCx 및 ΔCy의 절대값이 작다. 따라서 액정성 고분자인 분산매(113)에 대해서 배향 처리를 수행함으로써, 장시간 경과 후 색도 변화가 억제되고, 신뢰성이 향상되는 것을 확인할 수 있었다.
<제 2 실시형태>
제 1 실시형태에 있어서 광원 장치(100)는 직하형 백라이트 유닛이지만, 본 실시형태에 있어서 광원 장치(200)는 엣지형 백라이트 유닛이다. 광원 장치(200)의 구성 이외는 제 1 실시형태와 동일하다.
도 6은, 본 실시형태에 따른 표시 장치(11)의 전면도이다. 표시 장치(11)는, 액정 패널(20)과, 액정 패널의 단면을 따라서 설치된 광원 장치(200)와, 액정 패널(20) 및 광원 장치(200)를 지지하는 틀(30)을 구비한다. 도 6에 있어서, 시인성을 위해서 틀(30)은 내부의 광원 장치(200)를 투과하도록 도시되어 있다. 광원 장치(200)로부터의 빛은, 액정 패널(20)의 배면 측에 설치된, 도시하지 않은 도광판을 통하여 액정 패널에 조사된다. 본 실시형태에서는 광원 장치(200)는 액정 패널(20)의 우측 단면에만 설치되어 있지만, 액정 패널(20)의 상측 단면, 하측 단면, 좌측 단면 및 우측 단면 중에서 1개 또는 2개 이상에 설치되어도 된다.
도 7은, 본 실시형태에 따른 광원 장치(200)의 모식도이다. 광원 장치(200)는, 소정 파장의 빛을 생성하는 광원부(220) 및 광원부(220)로부터의 빛의 파장을 변환하는 양자점 구조체(210)를 구비한다.
광원부(220)는 제 1 실시형태와 동일한 발광 소자(121) 및 기판(122)을 가지지만, 프레임(123)은 생략되어 있다. 기판(122)은, 액정 패널(20)의 단면에 대해서 평행하게 연장되고, 복수의 발광 소자(121)를 지지한다. 본 실시형태에서는, 소정 수의 발광 소자(121)가 기판(122) 상에 일렬이고 등간격으로 배치된다. 발광 소자(121)의 수 및 배치는, 표시 장치(11)의 구성에 따라서 임의로 설정되어도 된다.
양자점 구조체(210)는 밀폐 용기(211) 그리고 밀폐 용기(211) 중에 봉입된 제 1 실시형태와 동일한 양자점(112) 및 분산매(113)를 포함한다. 제 1 실시형태에 따른 밀폐 용기(111)는 1개의 발광 소자(121)에 대응하여 1개 설치되어 있지만, 본 실시형태에 따른 밀폐 용기(211)는 복수의 발광 소자(121)에 대응하여 1개 설치되어 있다.
밀폐 용기(211)의 재료는 제 1 실시형태와 동일하다. 밀폐 용기(211)는, 액정 패널(20)의 단면에 대해서 평행하게 연장되는 봉상 형상을 가진다. 양자점 구조체(210)는 액정 패널(20)의 단면과 광원부(220) 사이에 위치하여, 광원부(220)로부터 액정 패널(20)의 단면으로 조사되는 빛의 광로에 개재된다. 즉, 광원부(220)에 포함되는 복수의 발광 소자(121)로부터의 빛은, 양자점 구조체(210)를 통하여 액정 패널(20)의 단면에 조사된다.
양자점 구조체(210)의 밀폐 용기(211)의 형상은 봉상이기 때문에, 밀폐 용기(211)에 있어서, 소정 방향 E(여기에서는 광원부(120)로부터의 빛의 입사 방향)를 따르는 두께가 가장 작다. 이 경우에 양자점 구조체(210)의 방향 E(즉, 두께가 가장 작은 방향)를 따르는 열저항은, 방향 E 이외의 방향과 비교해서 가장 작다. 다시 말하면, 양자점 구조체(210)는, 두께가 가장 작은 방향 E를 따라서 방열되기 쉽다. 따라서 본 실시형태에서는, 분산매(113)의 배향 방향 B가, 양자점 구조체(210)의 두께가 가장 작은 방향 E에 가깝도록 분산매(113)의 배향을 설정함으로써, 양자점 구조체(210)로부터의 방열량을 증가시킨다.
본 실시형태에 따른 표시 장치(11)에 있어서도, 제 1 실시형태와 마찬가지로 분산매(113)의 배향을 적절히 설정함으로써, 양자점 구조체(210)로부터의 방열량을 증가시키고, 열에 의한 양자점(112)의 열화를 억제할 수 있다.
본 발명은, 상술한 실시형태에 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 범위에서 적절히 변경 가능하다.
100: 표시 장치 110: 양자점 구조체
112: 양자점 113: 분산매

Claims (12)

  1. 열전도성에 이방성이 있는 분산매 및 상기 분산매에 분산되어 있는 양자점을 포함하는 구조체를 구비하고,
    상기 분산매의 열전도성이 높은 축이, 상기 구조체의 열저항이 가장 낮은 방향으로 향하고 있는 광원 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 분산매의 상기 축은, 상기 구조체에 있어서 두께가 가장 작은 방향으로 향하고 있는 광원 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 분산매의 상기 축은, 상기 구조체에 있어서 방열 부재가 설치되어 있는 방향으로 향해 있는 광원 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 분산매는, 상기 축의 방향을 따라서 가장 높은 열전도율을 가지는 광원 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 분산매는, 장축의 길이와 단축의 길이가 다른 형상을 가지는 광원 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 분산매는, 액정성 고분자인 광원 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 분산매는, 측쇄형 액정성 고분자인 광원 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 분산매는, 화학식 1에 도시한 액정성 고분자인 광원 장치.
    화학식 1
    Figure 112017087479377-pat00003

  9. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 분산매의 상기 축은, 상기 구조체에 대해서 자기장을 인가하여 상기 분산매를 배향시킴으로써 설정되는 광원 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 구조체는, 상기 분산매 및 상기 양자점을 밀폐하는 용기를 더욱 구비하는 광원 장치.
  11. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 구조체를 향해서 상기 양자점을 여기시키는 빛을 조사하는 발광 소자를 더욱 구비하는 광원 장치.
  12. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재한 상기 광원 장치와, 상기 광원 장치로부터의 빛이 조사되는 위치에 설치된 액정 패널을 구비하는 표시 장치.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20130015847A (ko) * 2011-08-05 2013-02-14 삼성전자주식회사 발광장치, 백라이트 유닛과 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JP2016076634A (ja) * 2014-10-08 2016-05-12 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Ｌｅｄパッケージ、バックライトユニット及び液晶表示装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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