KR101954410B1 - Method for preparing anti-reflection surface using plasma etching and substrate having anti-reflection surface - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플라즈마 건식 에칭과 무기물 증착의 반복적인 제어를 통해 형성되는 반사방지 구조층을 다양한 구조로 제어함으로써 내구성 향상과 우수한 광 투과성 및 반사방지 효과를 확보할 수 있고, 이지 클린, 내오염성, 내스크래치성 등과 같은 기능성을 부여할 수 있는 반사방지 표면의 제조 방법 및 반사방지 표면이 형성된 기판에 관한 것이다. The present invention can improve the durability and the excellent light transmission and anti-reflection effect by controlling the anti-reflection structure layer formed through repetitive control of the plasma dry etching and the inorganic material deposition to various structures, A method of manufacturing an antireflection surface capable of imparting functionality such as scratch resistance, and a substrate on which an antireflection surface is formed.
Description
본 발명은 플라즈마 에칭을 이용한 반사방지 표면의 제조방법 및 반사방지 표면이 형성된 기판에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an antireflection surface using plasma etching and a substrate on which an antireflection surface is formed.
디스플레이와 광학산업에서 빛을 이용한 응용분야인 광학렌즈, 안경, 태양전지 패널, PC, TV, ATM, 네비게이션 등에서는 빛의 반사로 인해 에너지 효율의 감소, 사용자의 눈부심, 화면 또는 사물 확인이 힘든 현상 등을 방지하기 위해 반사방지 기술을 적용해 왔다. 이러한 반사방지 기술 중에는 자연에서 곤충이나 식물의 표면을 모사하여 구현하는 기술이 제시되고 있다. In the display and optical industries, it is difficult to check the energy efficiency, user's glare, screen or objects due to reflection of light in optical lens, glasses, solar panel, PC, TV, ATM, And anti-reflection technology has been applied. Among these antireflection technologies, there are suggested techniques for simulating the surface of insects or plants in nature.
특히 나방의 눈(Moth-eye) 표면을 모방하여, 반사방지 효과를 얻을 수 있는 표면제작에 많은 연구가 이루어지고 있다. 이 기술은 기판 표면에 나방의 눈과 같은 돌기 형태를 형성하여, 표면에서 빛의 산란을 유도함으로써 반사방지 효과를 얻을 수 있다. 그러나 나방의 눈과 같은 표면을 구현하는 경우 내구성이 떨어지는 단점이 있다. Especially, many studies have been made on the production of the surface that can obtain the antireflection effect by mimicking the surface of the moth-eye of the moth. This technique forms a protrusion like a moth on the surface of a substrate and induces scattering of light on the surface to obtain an antireflection effect. However, it is disadvantageous in that it is not durable when the surface of the eye of the moth is implemented.
한편 반사방지 기술의 적용 분야가 기존 디스플레이 시장에서 플렉서블 디스플레이(Flexible Display) 시장으로 바뀜에 따라, 사용되는 기판이 유리(Glass) 에서 폴리머 계열로 변화되는 추세이다. 폴리머 계열 기판은 시각적, 공간적, 기계적 유연성 때문에, 그 사용이 활발해질 것으로 예상되는 소재이다.Meanwhile, the application of anti-reflection technology has changed from the conventional display market to the flexible display market, and the substrate used is changing from glass to polymer. Polymer based substrates are materials that are expected to be used because of their visual, spatial and mechanical flexibility.
종래의 반사방지 기술인 대한민국 특허출원 제10-2012-0027763호에는 기판표면의 변형 및 무기물 증착을 통해 반사방지 기판을 제조하는 방법이 개시된 바 있다. 그러나, 반사방지 구조체를 다양한 형태로 제어할 수 없고, 동일한 구조로만 재현이 가능하다는 문제점을 갖는다. Korean Patent Application No. 10-2012-0027763, which is a conventional antireflection technology, discloses a method of manufacturing an antireflective substrate through deformation of a substrate surface and deposition of an inorganic material. However, the anti-reflection structure can not be controlled in various forms, and it is possible to reproduce only the same structure.
또한, 대한민국 공개특허공보 제10-2014-0074874호에는 금속도트를 건식 식각 시 마스크로 이용하여 베이스 기판에 구조체를 형성한 후, 금속물질을 산을 이용하여 제거하고, 반사방지막을 증착한 후 발수층을 코팅하는 기술이 개시된 바 있다. 그러나 금속도트를 이용하기 때문에, 건식 식각을 통해 기판에 요철을 만든 후, 산을 이용하여 금속도트를 제거해야 하는 번거러움이 있고, 금속도트가 nm~㎛ 단위로 불균일하게 증착이 되므로, 균일한 박막을 얻을 수 없다는 문제점이 있다. Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2014-0074874 discloses a method of forming a structure on a base substrate using metal dots as a mask during dry etching, removing a metal material using an acid, depositing an antireflection film, A technique for coating a layer has been disclosed. However, since metal dots are used, it is troublesome to remove metal dots using an acid after making irregularities on a substrate through dry etching. Since metal dots are deposited nonuniformly in units of nm to μm, Can not be obtained.
또한, 대한민국 공개특허공보 제10-2012-0063725호에는 기판 위에 폴리머층을 형성하고, 식각 시 폴리머층을 보호층(Mask)으로 이용하며, 기판에 돌기 패턴을 형성한 후 폴리머층을 제거하는 방식으로 구조를 제어하는 기술이 개시된 바 있다. 그러나 이 기술은 기판의 형태를 제어할 수 있으나, 그 위에 무기물 또는 유기물을 증착하는 경우 어떠한 형태로 성장할지 예측할 수 없고, 차후 공정을 진행하기 전에 폴리머층을 완전히 제거해야 한다는 문제점이 있다.Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2012-0063725 discloses a method of forming a polymer layer on a substrate, using a polymer layer as a mask during etching, forming a protrusion pattern on the substrate, and then removing the polymer layer A technique for controlling the structure is disclosed. However, this technique can control the shape of the substrate, but it is not possible to predict how the inorganic or organic material is grown on the substrate, and the polymer layer must be completely removed before proceeding to the next step.
본 발명은 플라즈마 건식 에칭과 무기물 증착의 반복적인 제어를 통해 형성되는 반사방지 구조층을 다양한 구조로 제어함으로써 내구성 향상과 우수한 광 투과성 및 반사방지 효과를 확보할 수 있고, 이지 클린, 내오염성, 내스크래치성 등과 같은 기능성을 부여할 수 있는 반사방지 표면의 제조 방법 및 반사방지 표면이 형성된 기판을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.The present invention can improve the durability and the excellent light transmission and anti-reflection effect by controlling the anti-reflection structure layer formed through repetitive control of the plasma dry etching and the inorganic material deposition to various structures, An object of the present invention is to provide a method of manufacturing an antireflection surface capable of imparting functionalities such as scratch resistance and the like and a substrate on which an antireflection surface is formed.
본 발명의 플라즈마 에칭을 이용한 반사방지 표면의 제조 방법은, i) 플라즈마 건식 에칭을 이용하여 베이스 기판의 표면에 요철을 형성하는 단계; ii) 무기물 입자의 증착에 의해 상기 요철 위에 빛의 반사를 방지할 수 있는 반사방지 구조체를 형성하여, 베이스 기판의 표면에 반사방지층을 형성하는 단계; 및 iii) 상기 i) 단계 또는 ii) 단계를 독립적으로, 1회 또는 복수 회 더 수행하는 단계;를 포함하며, 상기 i) 단계에서 플라즈마 건식 에칭이 5*10-3 내지 5*10-2 torr의 초기 압력 조건 하에서 시작되고, 5*10-2 내지 5*10-1 torr의 공정 압력 조건 하에서 진행되는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing an antireflection surface using the plasma etching of the present invention includes the steps of: i) forming irregularities on a surface of a base substrate using plasma dry etching; (ii) forming an antireflective structure on the surface of the base substrate by forming an antireflective structure capable of preventing reflection of light on the irregularities by deposition of inorganic particles; And iii) performing step i) or step ii) independently, one or more times, wherein in step i), the plasma dry etching is performed at a temperature of 5 * 10 -3 to 5 * 10 -2 torr And under the process pressure conditions of 5 * 10 -2 to 5 * 10 -1 torr.
본 발명의 반사방지 기판은, 표면에 요철이 형성된 베이스 기판; 및 상기 요철 위에 형성되고, 무기물 입자의 증착에 의하여 형성되는 반사방지 구조체를 포함하며 상기 베이스 기판의 표면에 형성되는 반사방지층;을 포함하고, 상기 반사방지층은, 단면이 사다리꼴 형태인 복수의 반사방지 구조체, 내부에 공기층을 포함하고 단면이 역사다리꼴 형태인 복수의 반사방지 구조체 또는 단면이 삼각형 형태인 복수의 반사방지 구조체를 포함하며, 상기 요철이 5*10-3 내지 5*10-2 torr의 초기 압력 조건 하에서 시작되고, 5*10-2 내지 5*10-1 torr의 공정 압력 조건 하에서 진행되는 플라즈마 건식 에칭에 의해서 베이스 기판의 일면에 형성된 것임을 특징으로 한다.An antireflection substrate according to the present invention includes: a base substrate having a surface unevenness; And an antireflection layer formed on the concavo-convex and formed on the surface of the base substrate, the antireflection layer including an antireflection structure formed by deposition of inorganic particles, wherein the antireflection layer has a plurality of antireflection Reflection structure having an inverted trapezoidal cross section and an air layer inside, or a plurality of anti-reflection structures having a triangular cross section, wherein the concavities and the convexities are in a range of 5 * 10 -3 to 5 * 10 -2 torr And is formed on one side of the base substrate by plasma dry etching, which starts under an initial pressure condition and proceeds under process pressure conditions of 5 * 10 -2 to 5 * 10 -1 torr.
본 발명에 따르면, 반사방지층을 다양한 구조로 제어함으로써 내구성 향상과 우수한 광 투과성 및 반사방지 효과가 확보되고, 이지 클린, 내오염성, 내스크래치성과 같은 기능성이 부여된 반사방지 표면을 제조할 수 있다.According to the present invention, by controlling the antireflection layer in various structures, an antireflection surface with improved durability, excellent optical transparency and antireflection effect and imparted with functionality such as isochrone, stain resistance and scratch resistance can be produced.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 구조 1 내지 구조 3의 반사방지층을 갖는 반사방지 기판을 나타낸 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 에칭을 이용한 반사방지 표면의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 구조 1 내지 구조 3의 반사방지층을 갖는 반사방지 기판의 제조과정을 나타낸 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 구조 1 내지 구조 3의 반사방지층의 단면을 전자 현미경으로 촬영한 사진이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 구조 1 내지 구조 3의 반사방지층의 표면을 전자현미경으로 촬영한 사진이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 구조 1 내지 구조 3의 반사방지층을 갖는 반사방지 기판 및 비교예의 반사방지 기판의 광 투과도를 나타낸 그래프이다.
도 7은 실시예 4~7 및 비교예 1~3에서 플라즈마 건식 에칭 공정 후 형성된 요철을 전자 현미경으로 촬영한 사진(SEM Image)이다.
도 8은 실시예 4~7 및 비교예 2에서 무기물 증착 공정 후 형성된 반사방지 구조체를 전자 현미경으로 촬영한 사진(SEM Image)이다.
도 9는 실시예 4~7 및 비교예 1~3의 반사방지 기판에 대하여 내구성 테스트 후 수접촉각을 측정한 결과 그래프이다.
도 10은 실시예 6과 같은 조건으로 제조된 기판들의 투과율 및 반사율 측정 결과 그래프이다.1 is a schematic view showing an anti-reflection substrate having an anti-reflection layer of
2 is a flowchart illustrating a method of fabricating an anti-reflection surface using plasma etching according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic view showing a manufacturing process of an anti-reflection substrate having the anti-reflection layer of
4 is a photograph of a section of the antireflection layer of
5 is a photograph of the surface of the antireflection layer of
6 is a graph showing the light transmittance of the antireflection substrate having the antireflection layer of
FIG. 7 is a photograph (SEM image) of the irregularities formed after the plasma dry etching process in Examples 4 to 7 and Comparative Examples 1 to 3, taken by an electron microscope.
8 is a photograph (SEM image) of an antireflective structure formed after the inorganic material deposition process in Examples 4 to 7 and Comparative Example 2, taken by an electron microscope.
9 is a graph showing the results of measurement of the water contact angle after the durability test on the antireflection substrates of Examples 4 to 7 and Comparative Examples 1 to 3.
10 is a graph showing transmittance and reflectance measurement results of the substrates manufactured under the same conditions as in Example 6. FIG.
이하, 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.
본 발명의 플라즈마 에칭을 이용한 반사방지 표면의 제조 방법은, i) 플라즈마 건식 에칭을 이용하여 베이스 기판의 표면에 요철을 형성하는 단계; ii) 무기물 입자의 증착에 의해 상기 요철 위에 빛의 반사를 방지할 수 있는 반사방지 구조체를 형성하여, 상기 베이스 기판의 상기 표면에 반사방지층을 형성하는 단계; 및 iii) 상기 i) 단계 또는 ii) 단계를 독립적으로, 1회 또는 복수 회 더 수행하는 단계;를 포함하며, 상기 i) 단계에서 플라즈마 건식 에칭이 5*10-3 내지 5*10-2 torr의 초기 압력 조건 하에서 시작되고, 5*10-2 내지 5*10-1 torr의 공정 압력 조건 하에서 진행되는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing an antireflection surface using the plasma etching of the present invention includes the steps of: i) forming irregularities on a surface of a base substrate using plasma dry etching; ii) forming an antireflective structure on the surface of the base substrate by forming an antireflective structure capable of preventing reflection of light on the concavities and convexities by deposition of inorganic particles; And iii) performing step i) or step ii) independently, one or more times, wherein in step i), the plasma dry etching is performed at a temperature of 5 * 10 -3 to 5 * 10 -2 torr And under the process pressure conditions of 5 * 10 -2 to 5 * 10 -1 torr.
상기 i) 단계(이하, “전처리 단계”라고도 한다)에서의 초기 압력 조건은 5*10-3 내지 5*10-2 torr이고, 바람직하게는 6*10-3 내지 5*10-2 torr이며, 보다 바람직하게는 1*10-2 내지 4*10-2 torr이다. 또한, 상기 i) 단계에서의 공정 압력 조건은 5*10-2 내지 5*10-1 torr이고, 바람직하게는 9*10-2 내지 3*10-1 torr이다. i) 단계에서의 초기 및 공정 압력 조건들이 상기한 수준보다 높으면 플라즈마 건식 에칭이 원활하게 수행되지 않고, 반대로 상기한 수준보다 낮으면 패턴의 밀도가 지나치게 높아져 후속 단계에서 그 위에 무기물 증착시 요철이 버티지 못하고 부서질 수 있으며, 나노 표면구조의 내구성이 떨어질 수 있다.The initial pressure condition in step i) (hereinafter also referred to as "pretreatment step") is 5 * 10 -3 to 5 * 10 -2 torr, preferably 6 * 10 -3 to 5 * 10 -2 torr , More preferably from 1 * 10 -2 to 4 * 10 -2 torr. Also, the process pressure condition in step i) is 5 * 10 -2 to 5 * 10 -1 torr, preferably 9 * 10 -2 to 3 * 10 -1 torr. If the initial and process pressure conditions in step i) are higher than the above-mentioned level, the plasma dry etching is not performed smoothly. On the other hand, if the initial and process pressure conditions are lower than the above-mentioned level, the density of the pattern becomes excessively high, And the durability of the nano-surface structure may be deteriorated.
종래의 반사방지 표면 제조방법은 다양한 나노 표면구조 제어가 불가능하며, 반복되는 터치에 의해 내구성이 떨어지는 문제점이 있었다. Conventional anti-reflection surface fabrication methods have disadvantages in that it is impossible to control various nano-surface structures and durability is deteriorated by repeated touches.
본 발명의 플라즈마 에칭을 이용한 반사방지 표면의 제조 방법은, 이러한 종래 기술의 단점을 개선하며, 도 1과 같이 다양한 나노 표면구조의 반사방지층을 제어하고 구현함으로써 내구성 향상, 우수한 광 투과성 및 반사방지 효과를 갖는 반사방지 표면을 제조할 수 있다. 반사방지 표면의 구조는 각 단계의 반복 횟수, 에칭 시간, 에칭 가스의 종류, 무기물 두께 등을 통해 제어할 수 있다.The method of manufacturing an antireflection surface using the plasma etching of the present invention improves the disadvantages of the prior art and improves durability, excellent light transmittance and antireflection effect by controlling and implementing the antireflection layer of various nano- Can be produced. The structure of the antireflection surface can be controlled by the number of repetitions of each step, the etching time, the kind of etching gas, the thickness of the inorganic material, and the like.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 에칭을 이용한 반사방지 표면의 제조 방법을 나타낸 순서도이며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 구조 1 내지 구조 3의 반사방지층을 갖는 반사방지 기판의 제조과정을 나타낸 개략도로서, 이를 참조하여 설명한다.2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an antireflection surface using plasma etching according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing an antireflection surface having an antireflection layer according to an embodiment of the present invention. Which will be described with reference to FIG.
i) 단계에서는 플라즈마 건식 에칭을 이용하여 베이스 기판의 표면에 요철을 형성할 수 있다. 특별히 한정하지 않으나, 상기 플라즈마 건식 에칭은 진공증착 장비 내에 장착 되어있는 플라즈마 (DC, DC 펄스, RF, 엔드홀(End-Hole) 등) 건식 식각을 이용할 수 있다. 또한 i) 단계의 플라즈마 건식 에칭은 Ar, O2, H2, He 및 N2에서 선택된 적어도 어느 하나의 기체의 존재하에 수행될 수 있다. In step i), irregularities may be formed on the surface of the base substrate by using plasma dry etching. The plasma dry etching may be performed using plasma (DC, DC pulse, RF, end-hole, etc.) dry etching, which is installed in the vacuum deposition apparatus, although it is not particularly limited. Also, the plasma dry etching of step i) may be performed in the presence of at least one gas selected from Ar, O 2 , H 2 , He and N 2 .
베이스 기판의 표면에 요철을 형성하는 단계에서는 플라즈마 건식에칭을 이용하기 때문에, 습식 에칭을 이용하여 에칭하는 경우에 비하여 보다 정밀하고 정확하게 요철 형성을 제어할 수 있다. 베이스 기판을 상술한 기체 물질 중 적어도 어느 하나의 기체를 포함하여 형성되는 플라즈마에 노출시키면, 베이스 기판의 표면이 에칭되어 요철이 형성될 수 있다.In the step of forming irregularities on the surface of the base substrate, since plasma dry etching is used, irregularity formation can be controlled more precisely and accurately than when etching is performed using wet etching. When the base substrate is exposed to a plasma including at least one of the above-mentioned gaseous materials, the surface of the base substrate can be etched to form irregularities.
이때, 본 발명의 반사방지 표면의 광학적 특성은 이후 자세히 서술하는 반사방지 구조체로 이루어지는 반사방지층에 의하여 제어되며, 이러한 반사방지 구조체 간의 간격을 제어하기 위하여는 반사방지 구조체가 형성되는 요철의 간격을 제어하여야 한다. 상기 i) 단계에서 표면에 대한 요철 구조가 정확하게 형성이 되어야, 이 후 공정에서 증착되는 무기물(예컨대, 산화물) 반사방지 구조체의 형태와 내구성이 원하는 수준으로 얻어질 수 있다.The optical characteristics of the antireflection surface of the present invention are controlled by an antireflection layer made of an antireflection structure described in detail hereinafter. In order to control the distance between the antireflection structures, shall. If the concavo-convex structure with respect to the surface is properly formed in the step i), the shape and durability of the inorganic (e.g., oxide) anti-reflection structure deposited in the subsequent step can be obtained to a desired level.
일 구체예에서, Ar, O2 등의 기체 투입구와 기판과의 거리(이하, “기판거리”라고도 한다)는 200mm 이하(예컨대, 50 내지 200mm)일 수 있고, 바람직하게는 150mm 이하(예컨대, 50 내지 150mm)일 수 있다.In one embodiment, the distance (hereinafter also referred to as " substrate distance ") between the gas inlet of Ar and O 2 and the substrate may be 200 mm or less (e.g., 50 to 200 mm), preferably 150 mm or less 50 to 150 mm).
일 구체예에서, 플라즈마 건식 에칭에 사용되는 단위면적당 전력은 0.2 내지 17W/cm2일 수 있고, 바람직하게는 0.5 내지 16W/cm2일 수 있으며, 더 바람직하게는 1 내지 16W/cm2일 수 있다. 또한 전압은 10 내지 1000V일 수 있으며, 바람직하게는 50 내지 600V일 수 있다.In one embodiment, the power per unit area used in the plasma dry etch may be 0.2 to 17 W / cm 2 , preferably 0.5 to 16 W / cm 2 , more preferably 1 to 16 W / cm 2 have. The voltage may also be between 10 and 1000 volts, preferably between 50 and 600 volts.
일 구체예에서, 플라즈마 건식 에칭 시 사용되는 Ar, O2 등의 기체 유량은 10sccm 내지 200sccm일 수 있고, 바람직하게는 20sccm 내지 100sccm, 보다 바람직하게는 20sccm 내지 50sccm일 수 있다.In one embodiment, the gas flow rate of Ar, O 2, etc. used in plasma dry etching may be between 10 sccm and 200 sccm, preferably between 20 sccm and 100 sccm, and more preferably between 20 sccm and 50 sccm.
일 구체예에서, 플라즈마 건식 에칭은 예컨대, 20초 내지 1시간 동안, 바람직하게는 30초 내지 50분 동안 수행될 수 있다.In one embodiment, the plasma dry etch may be performed, for example, for 20 seconds to 1 hour, preferably 30 seconds to 50 minutes.
일 구체예에서, 플라즈마 건식 에칭의 결과 얻어지는 패턴의 폭은 바람직하게는 10 내지 300nm, 보다 바람직하게는 10 내지 250nm일 수 있고, 패턴의 높이는 바람직하게는 10 내지 200nm, 보다 바람직하게는 10 내지 150nm일 수 있으며, 패턴간의 간격은 바람직하게는 10 내지 200nm, 보다 바람직하게는 10 내지 150nm일 수 있다.In one embodiment, the width of the pattern obtained as a result of the plasma dry etching may preferably be 10 to 300 nm, more preferably 10 to 250 nm, and the height of the pattern is preferably 10 to 200 nm, more preferably 10 to 150 nm And the spacing between the patterns may be preferably 10 to 200 nm, more preferably 10 to 150 nm.
본 발명에서 사용하는 베이스 기판은 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 또는 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 소재의 폴리머계 기판일 수 있으며, 특별히 한정하지 않으나 하드 코팅(Hard Coating)된 기판을 사용할 수 있다.The base substrate used in the present invention may be a polyetheretherketone (PEEK), a polyether sulfone (PES), a polyetherimide (PEI), a polycarbonate (PC), a polyethylene naphthalate (PEN), a polyethylene terephthalate And may be a polymer-based substrate of polymethylmethacrylate (PMMA), and is not particularly limited, but a hard-coated substrate can be used.
본 발명의 베이스 기판은 표면에 형성되는 강화 코팅층을 포함하여 형성될 수 있다. 강화 코팅층은, 베이스 기판의 강도 및 경도 등과 같은 물리적 특성을 향상시킬 수 있으며, 이후 베이스 기판에 적층되는 반사방지층의 접착력 역시 향상시킬 수 있다. 또한, 강화 코팅층의 형성으로 인하여 베이스 기판의 광학적 특성 역시 향상 가능하며, 내화학적 특성 역시 향상될 수 있다.The base substrate of the present invention can be formed by including a reinforcing coating layer formed on the surface. The reinforcing coating layer can improve the physical properties such as the strength and hardness of the base substrate and can also improve the adhesion of the antireflection layer laminated on the base substrate. In addition, the optical characteristics of the base substrate can be improved due to the formation of the reinforcing coating layer, and the chemical resistance can also be improved.
강화 코팅층의 형성을 위하여 사용되는 폴리머 도료는, 아크릴계, 폴리우레탄계, 에폭시계 및 프라이머계 도료 중에서 적어도 어느 하나 이상으로 이루어지는 폴리머 도료일 수 있으며, 이 외에도 베이스 기판에 상술한 효과를 발휘시킬 수 있는 폴리머 도료라면 본 발명의 실시 범위에 포함될 수 있을 것이다.The polymer coating material used for forming the reinforcing coating layer may be a polymer coating material composed of at least one of acryl, polyurethane, epoxy, and primer coating materials. In addition, a polymer that can exert the above- The coating material may be included in the scope of the present invention.
또한, 본 실시예에 따라 제공되는 강화 코팅층은, 무기 미립자인 금속산화물, 황화물, 알루미나, 실리카, 산화지르코늄, 산화철 등을 상술한 폴리머 도료에 섞어서 형성될 수 있다.The reinforcing coating layer provided according to this embodiment can be formed by mixing metal oxide, sulfide, alumina, silica, zirconium oxide, iron oxide, etc., which are inorganic fine particles, into the above-mentioned polymer coating material.
ii) 단계에서는 무기물 입자의 증착에 의해 상기 요철 위에 빛의 반사를 방지할 수 있는 반사방지 구조체를 형성하여, 베이스 기판의 일면에 반사방지층을 형성할 수 있다. 특별히 한정하지 않으나 상기 무기물 입자는, Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W, Zn, Zr, Yb 및 이들의 조합으로부터 선택되는 금속의, 산화물, 질화물, 산화질화물(oxynitride) 및 불화물에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어지는 것일 수 있다. In the step ii), an antireflective structure capable of preventing reflection of light may be formed on the concavities and convexities by deposition of inorganic particles to form an antireflective layer on one surface of the base substrate. The inorganic particles may be at least one selected from the group consisting of Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, And at least one selected from oxides, nitrides, oxynitrides and fluorides of metals selected from Ti, Ti, W, Zn, Zr, Yb and combinations thereof.
무기물 입자의 증착 방법은 특별히 한정하지 않으며, 예를 들어 물리적 증기 증착법, 화학적 증기 증착법 또는 이온 보조 증착 방법에 의해 수행될 수 있다. The method of depositing the inorganic particles is not particularly limited and can be performed by, for example, physical vapor deposition, chemical vapor deposition, or ion assisted deposition.
iii) 단계에서는 앞서 수행된 상기 i) 단계 또는 ii) 단계를 독립적으로, 1회 또는 복수 회 더 수행할 수 있다. 즉, 무기물 증착과 플라즈마를 이용한 건식 에칭을 반복함으로써 도 1의 구조 1 내지 3과 같은 구조를 갖는 반사방지층을 형성할 수 있다.In step iii), the above-mentioned step i) or step ii) performed previously may be performed independently, once or plural times. That is, by repeating the inorganic deposition and the dry etching using the plasma, the antireflection layer having the structure as shown in
일 구체예에서, 상기 ii) 단계(이하, “무기물 증착 단계”라고도 한다)에서의 초기 압력 조건은 1*10-3 내지 5*10-2 torr, 바람직하게는 1*10-3 내지 2*10-2 torr일 수 있다. 또한, 상기 ii) 단계에서의 공정 압력 조건은 1*10-3 내지 5*10-1 torr, 바람직하게는 1*10-2 내지 2*10-1 torr일 수 있다.In one embodiment, the initial pressure condition in step ii) (hereinafter also referred to as "inorganic deposition step") is 1 * 10 -3 to 5 * 10 -2 torr, preferably 1 * 10 -3 to 2 * 10 -2 torr. Also, the process pressure condition in the step ii) may be 1 * 10 -3 to 5 * 10 -1 torr, preferably 1 * 10 -2 to 2 * 10 -1 torr.
일 구체예에서, 무기물이 증착된 최종 반사방지층의 두께는 바람직하게는 10 내지 500nm, 보다 바람직하게는 20 내지 300nm일 수 있다.In one embodiment, the thickness of the final antireflective layer on which the inorganic material is deposited may preferably be 10 to 500 nm, more preferably 20 to 300 nm.
일 구체예에서, 무기물이 증착된 최종 반사방지 구조체의 폭은 바람직하게는 10 내지 500nm, 보다 바람직하게는 30 내지 450nm일 수 있다.In one embodiment, the width of the final anti-reflective structure on which the inorganic material is deposited may preferably be 10 to 500 nm, more preferably 30 to 450 nm.
일 구체예에서, 무기물이 증착된 최종 반사방지 구조체의 높이는 바람직하게는 10 내지 400nm, 보다 바람직하게는 20 내지 350nm일 수 있다.In one embodiment, the height of the final anti-reflection structure on which the inorganic material is deposited may preferably be 10 to 400 nm, more preferably 20 to 350 nm.
일 구체예에서, 무기물이 증착된 최종 반사방지 구조체간의 간격은 바람직하게는 10 내지 200nm, 보다 바람직하게는 10 내지 150nm일 수 있다.In one embodiment, the spacing between the final anti-reflection structures on which the inorganic material is deposited may preferably be 10 to 200 nm, more preferably 10 to 150 nm.
도 1의 구조 1과 같은 반사방지층(단면이 사다리꼴 형태인 복수의 반사방지 구조체로 이루어진 반사방지층)을 형성하는 경우, i) 단계 및 ii) 단계를 1 내지 20회 더 수행한 후, 최종적으로 i) 단계를 수행하되, 각 ii) 단계에서 증착되는 무기물의 두께가 점차 감소되도록 수행할 수 있다. 예를 들어, i) 단계에서 플라즈마 에칭을 10분 동안 실시하고, ii) 단계에서 무기물을 300 Å 증착시킨 후, iii) 단계에서 플라즈마 에칭을 10분 실시하고, 무기물을 200 Å 증착시킨 후, 다시 플라즈마 에칭을 10분 실시하고, 그 후 무기물을 100 Å 증착시킨 뒤, 최종적으로 플라즈마 에칭을 10분 실시한다. In the case of forming the antireflection layer (the antireflection layer comprising a plurality of antireflection structures having a trapezoidal cross section) as in the
도 1의 구조 2과 같은 반사방지층(내부에 공기층을 포함하고 단면이 역사다리꼴 형태인 복수의 반사방지 구조체로 이루어진 반사방지층)을 형성하는 경우, iii) 단계에서 ii) 단계를 1 내지 20회 더 수행하되, 각 ii) 단계에서 증착되는 무기물의 두께가 동일하도록 수행할 수 있다. 예를 들어, i) 단계에서 플라즈마 에칭을 10분 동안 실시하고, ii) 단계에서 무기물을 200 Å 증착시킨 후, iii) 단계에서 플라즈마 에칭 없이 무기물을 200 Å 증착하는 단계를 3회 반복한다. In the case of forming an antireflection layer (an antireflection layer comprising a plurality of antireflection structures including an air layer and an inverted trapezoidal section in cross section) as in
도 1의 구조 3과 같은 반사방지층(단면이 삼각형 형태인 복수의 반사방지 구조체로 이루어진 반사방지층)을 형성하는 경우, iii) 단계에서 i) 단계 및 ii) 단계를 순차적으로 동일하게 1 내지 20회 더 수행할 수 있다. 예를 들어, i) 단계에서 플라즈마 에칭을 10분 동안 실시하고, ii) 단계에서 무기물을 300 Å 증착시킨 후, iii) 단계에서 플라즈마 에칭을 10분 실시하고, 무기물을 200 Å 증착시키는 단계를 3번 더 반복한다. In the case of forming an antireflection layer (an antireflection layer made of a plurality of antireflection structures having a triangular cross section) as in
본 발명의 방법은, 상기 iii)단계 이후에, iv) 상기 베이스 기판의 반사방지층이 형성된 면의 타면에 보호층을 형성하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.The method of the present invention may further comprise the step of: iv) forming a protective layer on the other side of the surface of the base substrate on which the antireflection layer is formed, after the step iii).
상기 보호층은 산소, 물 등과 같이 베이스 기판에 흡수되어 베이스 기판 및 제품의 내부를 오염시키거나, 제품의 불량을 발생시킬 수 있는 이물의 투과를 방지하며, 외부 환경으로부터 베이스 기판의 표면을 보호하고 기판 자체의 경도를 강화시킬 수 있다. Si-Oil계 화합물 또는 F-Oil계 화합물을 증착하여 보호층을 형성할 수 있으며, Si-Oil계 화합물로는 에폭시(Epoxy), 메르캅토(Mercapto), 아크릴레이트(Acrylate), 메타크릴레이트(Methacrylate) 화합물 등을 사용할 수 있고, F-Oil계 화합물로는 폴리비닐 플루오라이드(Polyvinyl fluoride(PVF)), 폴리비닐리덴 플루오라이드(Polyvinylidene fluoride(PVDF)), 폴리클로로 트리플루오로에틸렌(Polychlorotrifluoroethylene(PCTFE)), 에틸렌 테트라플루오로에틸렌(EthyleneTetrafluoroethylene(ETFE)), 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene(PTFE)), 퍼플루오로알콕시(Perfluoroalkoxy(PFA)), 비닐리덴 플루오라이드(Vinylidene fluoride(VDF)), 테트라플루오로에틸렌(Tetrafluoroethylene(TFE)), 헥사플루오로프로필렌(Hexafluoropropylene(HFP)), 클로로트리플루오로에틸렌(Chlorotrifluoroethylene(CTFE)), 에틸렌 클로로트리플루오로에틸렌(Ethylene ChloroTriFluoroEthylene(ECTFE)) 등을 사용할 수 있다.The protective layer is prevented from penetrating foreign substances such as oxygen, water, etc. that are absorbed by the base substrate and contaminate the inside of the base substrate and the product, or may cause defective products, protect the surface of the base substrate from the external environment The hardness of the substrate itself can be enhanced. Si-oil based compound or F-oil based compound may be deposited to form a protective layer. Examples of the Si-Oil based compound include Epoxy, Mercapto, Acrylate, and methacrylate Methacrylate compounds and the like can be used. As the F-oil compound, polyvinyl fluoride (PVF), polyvinylidene fluoride (PVDF), polychlorotrifluoroethylene PCTFE), ethylene tetrafluoroethylene (ETFE), polytetrafluoroethylene (PTFE), perfluoroalkoxy (PFA), vinylidene fluoride (VDF) , Tetrafluoroethylene (TFE), hexafluoropropylene (HFP), chlorotrifluoroethylene (CTFE), ethylene chlorotrifluoroethylene (ethylene) ChloroTriFluoroEthylene (ECTFE)) and the like can be used.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 표면에 요철이 형성된 베이스 기판; 및 상기 요철 위에 형성되고, 무기물 입자의 증착에 의하여 형성되는 반사방지 구조체를 포함하며 상기 베이스 기판의 표면에 형성되는 반사방지층;을 포함하며, 상기 반사방지층은, 단면이 사다리꼴 형태인 복수의 반사방지 구조체, 내부에 공기층을 포함하고 단면이 역사다리꼴 형태인 복수의 반사방지 구조체 또는 단면이 삼각형 형태인 복수의 반사방지 구조체를 포함하며, 상기 요철이 5*10-3 내지 5*10-2 torr의 초기 압력 조건 하에서 시작되고, 5*10-2 내지 5*10-1 torr의 공정 압력 조건 하에서 진행되는 플라즈마 건식 에칭에 의해서 베이스 기판의 일면에 형성된 것임을 특징으로 하는, 반사방지 기판이 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: a base substrate having a surface unevenness; And an anti-reflection layer formed on the unevenness and formed on the surface of the base substrate, the anti-reflection layer including an anti-reflection structure formed by deposition of inorganic particles, wherein the anti-reflection layer has a plurality of anti- Reflection structure having an inverted trapezoidal cross section and an air layer inside, or a plurality of anti-reflection structures having a triangular cross section, wherein the concavities and the convexities are in a range of 5 * 10 -3 to 5 * 10 -2 torr Wherein the substrate is formed on one side of the base substrate by plasma dry etching which starts under an initial pressure condition and proceeds under process pressure conditions of 5 * 10 -2 to 5 * 10 -1 torr.
상기 베이스 기판은 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 또는 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 소재의 폴리머계 기판일 수 있으며, 특별히 한정하지 않으나 하드 코팅(Hard Coating)된 기판을 사용할 수 있다.The base substrate may be formed of a material selected from the group consisting of polyetheretherketone (PEEK), polyethersulfone (PES), polyetherimide (PEI), polycarbonate (PC), polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PMMA), and is not particularly limited, but a hard-coated substrate can be used.
또한 상기 무기물 입자는, Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W, Zn, Zr, Yb 및 이들의 조합으로부터 선택되는 금속의, 산화물, 질화물, 산화질화물(oxynitride) 및 불화물에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어지는 것일 수 있다. The inorganic particles may be at least one selected from the group consisting of Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Nitride, oxynitride, and fluoride of a metal selected from Ti, W, Zn, Zr, Yb, and combinations thereof.
본 발명의 반사방지 기판은, 상기 베이스 기판의 반사방지층이 형성된 면의 타면에 보호층을 추가로 포함할 수 있다.The antireflective substrate of the present invention may further include a protective layer on the other surface of the surface of the base substrate on which the antireflective layer is formed.
상기 보호층은 산소, 물 등과 같이 베이스 기판에 흡수되어 베이스 기판 및 제품의 내부를 오염시키거나, 제품의 불량을 발생시킬 수 있는 이물의 투과를 방지하며, 외부 환경으로부터 베이스 기판의 표면을 보호한다.The protective layer is absorbed by the base substrate, such as oxygen, water, etc., to prevent contamination of the inside of the base substrate and the product, permeation of foreign matter which may cause defective products, and protection of the surface of the base substrate from the external environment .
Si-Oil계 화합물 또는 F-Oil계 화합물을 증착하여 보호층을 형성할 수 있으며, 전술한 Si-Oil계 화합물 또는 F-Oil계 화합물을 사용할 수 있다.A Si-Oil compound or an F-Oil compound may be deposited to form a protective layer, and the Si-Oil compound or the F-Oil compound described above may be used.
이하, 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명의 범위가 이들로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples and comparative examples. However, the scope of the present invention is not limited thereto.
[[ 실시예Example ]]
1. 반사방지 기판의 제조1. Fabrication of anti-reflection substrate
하기 표 1에 기재된 바와 같이 공정을 수행하여, 구조 1 내지 구조 3의 반사방지층을 갖는 실시예 1 내지 3의 반사방지 기판을 제조하였다. 하기 표 1의 “에칭”은 플라즈마 에칭을 수행한 시간을 의미하고, “SiO2(Å)”는 SiO2 입자가 증착된 두께를 의미한다. 실시예 1 내지 3의 베이스 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기판을 사용하였고, 보호층 형성을 위해 F-Oil계열 화합물인 Top Clean Safe(Ceko사)를 사용하였다.The steps were carried out as shown in Table 1 below to prepare the antireflective substrates of Examples 1 to 3 having the antireflection layers of
제조된 실시예 1 내지 3의 반사방지 기판의 반사방지층의 단면 및 표면을 전자 현미경으로 촬영하여 도 4 및 도 5에 나타내었다. 도 4로부터 알 수 있는 바와 같이, 각 공정의 반복 횟수, 무기물 증착 두께 등을 조절함으로써, 단면이 사다리꼴 형태인 복수의 반사방지 구조체, 내부에 공기층을 포함하고 단면이 역사다리꼴 형태인 복수의 반사방지 구조체 또는 단면이 삼각형 형태인 복수의 반사방지 구조체를 포함하는 반사방지층을 형성할 수 있음을 확인하였다. 또한, 도 5로부터 알 수 있는 바와 같이, 반사방지층의 표면이 나방의 눈과 같은 돌기 형태로 구현되었음을 확인할 수 있었다. The cross-section and the surface of the anti-reflection layer of the manufactured anti-reflection substrate of Examples 1 to 3 were photographed by an electron microscope and are shown in FIG. 4 and FIG. As can be seen from Fig. 4, by adjusting the number of repetitions of each step, the thickness of the inorganic material deposition, and the like, a plurality of antireflective structures having a trapezoidal cross section, a plurality of antireflective It is possible to form an antireflection layer comprising a plurality of antireflection structures having a structure or a triangular shape in cross section. Further, as can be seen from FIG. 5, it was confirmed that the surface of the antireflection layer was implemented as a projection like a moth.
2. 반사방지 기판의 광학적 특성 측정2. Measurement of optical properties of anti-reflective substrate
제조된 실시예 1 내지 3의 반사방지 기판과 비교예의 기판(하드 코팅처리된 PET 기판)의 광 투과도를 측정하여 도 6에 나타내었다. 도 6로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 반사방지 기판은 동일한 파장에서 비교예의 기판에 비해 우수한 광 투과도를 나타냄을 확인할 수 있었다. The light transmittance of the manufactured anti-reflection substrate of Examples 1 to 3 and the substrate of Comparative Example (hard coated PET substrate) were measured and shown in FIG. As can be seen from Fig. 6, it was confirmed that the antireflective substrate of the present invention exhibits excellent light transmittance at the same wavelength as that of the substrate of the comparative example.
3. 3. 실시예Example 4~7 및 4 to 7 and 비교예Comparative Example 1~3 1-3
하기 표 2에 기재된 플라즈마 건식 에칭 공정[상기 i) 단계] 조건 및 표 3에 기재된 무기물 증착 공정[상기 ii) 단계] 조건을 사용하여 반사방지 기판을 제조하였다(베이스 기판: PET). 샘플 번호 1~4는 각각 실시예 4~7을 나타내고, 샘플 번호 5~7은 각각 비교예 1~3을 나타낸다.(Base substrate: PET) using the conditions of the plasma dry etching step [i) and the inorganic material deposition step [ii]) described in Table 2 below. Sample Nos. 1 to 4 respectively show Examples 4 to 7, and Sample Nos. 5 to 7 show Comparative Examples 1 to 3, respectively.
상기 플라즈마 건식 에칭 공정 후 형성된 요철을 전자 현미경으로 촬영하여 도 7에 나타내었고, 상기 무기물 증착 공정 후 형성된 반사방지 구조체를 전자 현미경으로 촬영하여 도 8에 나타내었다.The irregularities formed after the plasma dry etching process were photographed by an electron microscope and shown in FIG. 7. The anti-reflection structure formed after the inorganic material deposition process was photographed by an electron microscope and is shown in FIG.
상기 제조된 실시예 4~7 및 비교예 1~3의 반사방지 기판에 대하여 보호층 형성 후 내구성 테스트(Rubber test, 사용하중: 500g, 1kg; 사이클: 1500, 3000, 5000)를 실시하였다. 대조예로는 베이스 기판(Bare PET)을 사용하였다. 테스트 이전의 초기 수접촉각 및 테스트 후의 수접촉각을 측정하여, 그 결과를 하기 표 4 및 도 9에 나타내었다.The antireflective substrates of Examples 4 to 7 and Comparative Examples 1 to 3 thus prepared were subjected to a durability test (use load: 500 g, 1 kg; cycles: 1500, 3000, 5000) after formation of a protective layer. As a control example, a base substrate (bare PET) was used. The initial water contact angle before the test and the water contact angle after the test were measured, and the results are shown in Table 4 and FIG.
또한, 실시예 6과 같은 조건으로 기판의 일면에 반사방지층이 형성된 기판(Single Side Moth-eye) 및 기판의 양면에 반사방지층이 형성된 기판(Dual Side Moth-eye)을 제조한 뒤, 이들의 투과율 및 반사율을 측정하여, 그 결과를 하기 표 5 및 도 10에 나타내었다. 대조예로는 베이스 기판(Bare PET)을 사용하였다.In addition, a substrate (Single Side Moth-eye) having an antireflection layer formed on one side of the substrate and a substrate (Dual Side Moth-eye) having antireflection layers formed on both sides of the substrate were manufactured under the same conditions as Example 6, And the reflectance were measured. The results are shown in Table 5 and Fig. 10 below. As a control example, a base substrate (bare PET) was used.
실시예 4~7(샘플 번호 1~4)과 같이 플라즈마 건식 에칭 공정을 수행하면 패턴 폭 10~220nm, 높이 10~150nm, 간격 10~120nm와 같은 크기로 배열되고, 큰 패턴 사이에 작은 미세 패턴들이 형성되어, 그 위에 후속 공정으로 무기물 및 보호층을 증착하면 투과율, 반사율, 접촉각, 내구성을 모두 향상시킬 수 있다. 내구성이 향상되는 이유는 무기물 증착 과정에서 큰 패턴 하부에 있는 작은 패턴에 증착된 무기물이 큰 패턴을 지지해 주는 지지대 역할을 해주게 되어, 외부에서 오는 물리적인 스트레스에 대해 강한 내구성을 부여하기 때문인 것으로 판단된다.When the plasma dry etching process is carried out as in the case of Examples 4 to 7 (Sample Nos. 1 to 4), the pattern is arranged in a size of 10 to 220 nm, 10 to 150 nm in height and 10 to 120 nm in interval, And an inorganic material and a protective layer are deposited thereon in a subsequent process, the transmittance, the reflectance, the contact angle, and the durability can both be improved. The reason why the durability is improved is that the inorganic material deposited on the small pattern under the large pattern in the inorganic deposition process serves as a support for supporting the large pattern and gives a strong durability against the external physical stress do.
반면, 비교예 1(샘플 번호 5)과 같이 초기 압력이 너무 낮거나 비교예 2(샘플 번호 6)와 같이 초기 압력 및 공정 압력이 너무 낮은 상태에서 플라즈마 건식 에칭 공정을 수행하게 될 경우 패턴 폭 20~80nm, 높이 80~250nm, 간격 10~50nm로 패턴의 밀도가 높아지는 현상이 생기는데, 이렇게 패턴의 밀도가 높아진 상태에서 그 위에 산화물을 올리게 되면 물리적으로 버티지 못하고 금방 부서지는 현상을 보여준다. 또한, 비교예 3(샘플 번호 7)과 같이 공정 압력이 너무 높은 상태에서 플라즈마 건식 에칭 공정을 수행하게 될 경우 패턴이 생기지 않는 현상을 보여준다.On the other hand, when the initial pressure is too low as in Comparative Example 1 (Sample No. 5) or when the plasma dry etching process is performed with the initial pressure and the process pressure being too low as in Comparative Example 2 (Sample No. 6) The density of the pattern is increased to 80 nm to 80 nm, the height is 80 to 250 nm, and the interval is 10 to 50 nm. When the density of the pattern is increased, if the oxide is deposited thereon, Further, as in Comparative Example 3 (Sample No. 7), when a plasma dry etching process is performed in a state where the process pressure is too high, a pattern is not generated.
공정시간은 조절이 가능하여 길게 혹은 짧게 선택할 수 있으며, 이는 추후 양산을 하기 위한 준비 단계이기도 하다. 상기 실시예들에서는 표면 제어를 위한 플라즈마 노출 시간을 40초~40분까지 조절할 수 있었으며, 이는 후속 공정으로 어떠한 공정이 오더라도 크게 문제가 없음을 의미한다. 즉, 후속 공정 시간에 맞춰 패터닝이 가능하기 때문에, 양산화에 있어 유리한 이점을 갖게 된다.The process time can be adjusted so that it can be selected long or short, which is also the preparation stage for mass production in the future. In the above embodiments, the plasma exposure time for the surface control can be adjusted from 40 seconds to 40 minutes, which means that there is no significant problem in any subsequent process. That is, since patterning is possible in accordance with the subsequent process time, it is advantageous in mass production.
Claims (24)
ii) 무기물 입자의 증착에 의해 상기 요철 위에 빛의 반사를 방지할 수 있는 반사방지 구조체를 형성하여, 베이스 기판의 일면에 반사방지층을 형성하는 단계; 및
iii) 상기 i) 단계 또는 ii) 단계를 독립적으로, 1회 또는 복수 회 더 수행하는 단계;를 포함하며,
상기 i) 단계에서 플라즈마 건식 에칭이 1*10-2 내지 4*10-2 torr의 초기 압력 조건 하에서 시작되고, 9*10-2 내지 3*10-1 torr의 공정 압력 조건 하에서 진행되는 것을 특징으로 하는,
플라즈마 에칭을 이용한 반사방지 표면의 제조 방법.i) forming irregularities on one surface of the base substrate using plasma dry etching;
ii) forming an antireflection structure on the surface of the base substrate by forming an antireflection structure capable of preventing reflection of light on the irregularities by deposition of inorganic particles; And
iii) performing step i) or step ii) independently, one or more times,
Characterized in that in the step i) the plasma dry etching is started under an initial pressure condition of 1 * 10 -2 to 4 * 10 -2 torr and under a process pressure condition of 9 * 10 -2 to 3 * 10 -1 torr As a result,
(Method for manufacturing an antireflection surface using plasma etching)
각 ii) 단계에서 증착되는 무기물의 두께가 점차 감소되도록 수행하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 에칭을 이용한 반사방지 표면의 제조 방법.The method according to claim 1, wherein in step iii), the step i) and the step ii) are further performed one to twenty times, and finally the step i)
Wherein the thickness of the inorganic material deposited in step ii) is gradually reduced.
각 ii) 단계에서 증착되는 무기물의 두께가 동일하도록 수행하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 에칭을 이용한 반사방지 표면의 제조 방법.The method according to claim 1, wherein in step iii), the step ii) is further performed 1 to 20 times,
Is performed so that the thickness of the inorganic material deposited in each step ii) is the same. ≪ Desc / Clms Page number 13 >
상기 요철 위에 형성되고, 무기물 입자의 증착에 의하여 형성되는 반사방지 구조체를 포함하며 상기 베이스 기판의 표면에 형성되는 반사방지층;을 포함하며,
상기 반사방지층은, 단면이 사다리꼴 형태인 복수의 반사방지 구조체, 내부에 공기층을 포함하고 단면이 역사다리꼴 형태인 복수의 반사방지 구조체 또는 단면이 삼각형 형태인 복수의 반사방지 구조체를 포함하며,
상기 요철이 1*10-2 내지 4*10-2 torr의 초기 압력 조건 하에서 시작되고, 9*10-2 내지 3*10-1 torr의 공정 압력 조건 하에서 진행되는 플라즈마 건식 에칭에 의해서 베이스 기판의 일면에 형성된 것임을 특징으로 하는,
반사방지 기판.A base substrate having an uneven surface formed on one surface thereof; And
And an antireflective layer formed on the concavo-convex and formed on the surface of the base substrate, the antireflective structure being formed by deposition of inorganic particles,
Wherein the antireflection layer comprises a plurality of antireflection structures having a trapezoidal cross section, a plurality of antireflection structures having an air layer inside and having an inverted trapezoidal cross section, or a plurality of antireflection structures having a triangular cross section,
The irregularities start under an initial pressure condition of 1 * 10 -2 to 4 * 10 -2 torr and are subjected to a plasma dry etching under a process pressure condition of 9 * 10 -2 to 3 * 10 -1 torr, Wherein the first electrode is formed on one surface thereof.
Antireflective substrate.
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