KR101953886B1 - 중공사 탄화 장치 및 그 방법 - Google Patents

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KR101953886B1 KR1020170112096A KR20170112096A KR101953886B1 KR 101953886 B1 KR101953886 B1 KR 101953886B1 KR 1020170112096 A KR1020170112096 A KR 1020170112096A KR 20170112096 A KR20170112096 A KR 20170112096A KR 101953886 B1 KR101953886 B1 KR 101953886B1
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Abstract

본 발명의 목적은 수 분 이내의 짧은 시간에 길이 제한 없이 중공사의 탄화(carbonization)를 수행하는 중공사 탄화 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 중공사 탄화 장치는, 불활성 기체를 방전기체로 이용하는 플라즈마 방전으로 아크를 발생시키고, 분출구로 아크 제트를 분출하는 플라즈마 반응부, 및 상기 플라즈마 반응부의 상기 분출구 측을 수용하는 탄화 체적을 형성하고, 투입구와 인출구를 경유하는 중공사를 상기 아크 제트에 노출시키는 케이스를 포함한다.

Description

중공사 탄화 장치 및 그 방법 {HOLLOW FIBER CARBONIZATION APPARATUS AND METHOD THEREOF}
본 발명은 중공사 탄화 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 짧은 시간에 길이 제한 없이 중공사의 탄화를 수행하는 중공사 탄화 장치 및 그 방법에 관한 것이다.
예를 들면, 직경이 2~3mm 정도인 중공(中空)의 폴리이미드 계열의 폴리머(polymer) 구조물(즉, 중공사)을 탄화(carbonization) 하면, 카본(carbon) 재료의 다공(porous) 구조물이 형성된다.
중공사 내부로 유통되는 유동에서 다공 구조물의 투과성(porosity) 크기에 따라 특정 기체만 선택적으로 중공사(중공 구조물)의 벽을 통과하게 되어, 기체 혼합물이 분리될 수 있다.
예를 들면, CH4, H2, C2H2, C2H4를 유동시키면 H2가 중공사의 벽을 통과하여 중공사의 내부로 공급되고, 나머지 CH4, H2, C2H2, C2H4가 중공사의 외부로 이동되면서, 서로 분리된다.
종래기술은 가열로(furnace) 상에 중공사(중공 구조물)을 넣고 산소를 포함하지 않는 고온 조건에서 수 시간 유지시키면서 서서히 탄화(carbonization) 과정을 수행한다.
따라서 가열로에서 고온을 형성하므로 전력 소비가 큰 상태로 긴 시간을 유지해야 한다. 그리고 가열로의 크기에 따라 제작할 수 있는 재료의 크기가 한정될 수 밖에 없다.
본 발명의 목적은 수 분 이내의 짧은 시간에 길이 제한 없이 중공사의 탄화(carbonization)를 수행하는 중공사 탄화 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 수 분 이내의 짧은 시간에 길이 제한 없이 중공사의 탄화(carbonization)를 수행하는 중공사 탄화 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 중공사 탄화 장치는, 불활성 기체를 방전기체로 이용하는 플라즈마 방전으로 아크를 발생시키고, 분출구로 아크 제트를 분출하는 플라즈마 반응부, 및 상기 플라즈마 반응부의 상기 분출구 측을 수용하는 탄화 체적을 형성하고, 투입구와 인출구를 경유하는 중공사를 상기 아크 제트에 노출시키는 케이스를 포함한다.
상기 플라즈마 반응부는 전압이 인가되는 전극, 및 전기적으로 접지되어 상기 전극을 수용하고 상기 전극과의 사이에 방전갭을 형성하여 플라즈마 방전을 일으키는 하우징을 포함하며, 상기 하우징은 상기 분출구 측에서 상기 케이스에 수용될 수 있다.
상기 하우징은 상기 전극의 외곽에 형성되는 원통부, 상기 원통부의 단부에서 멀어져 가면서 점진적으로 좁아지는 직경 감소부, 및 상기 직경 감소부에서 상기 분출구 측으로 가면서 점진적으로 넓어지는 직경 증대부를 포함할 수 있다.
상기 투입구와 상기 인출구는 상기 분출구를 중심으로 상기 케이스의 좌우 양측에 배치되며, 탄화 중 및 탄화 후, 방전기체를 배출하도록 상기 중공사 외표면과의 사이에 간극을 형성할 수 있다.
상기 케이스는 상기 플라즈마 반응부의 측방에 구비되어 방전기체를 배출하는 배출구를 더 포함할 수 있다.
상기 플라즈마 반응부와 상기 중공사는 중공사의 길이 방향을 따라 상대적으로 직선 운동할 수 있다.
상기 플라즈마 반응부와 상기 중공사는 중공사의 직경 방향을 따라 상대적으로 회전 운동할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 중공사 탄화 방법은, 불활성 기체를 방전기체로 이용하는 플라즈마 방전으로 아크를 발생시키는 제1단계, 상기 제1단계에서 발생되는 아크를 집중시키면서 고온 상태의 넓은 체적의 아크 제트를 형성하는 제2단계, 및 상기 제2단계에서 형성되는 아크 제트의 영역으로 중공사를 경유시키면서 상기 중공사에서 탄화(carbonization)가 일어나게 하는 제3단계를 포함한다.
상기 제2단계는 아크의 집중과 분산 과정을 통하여 넓은 체적의 아크 제트를 형성하여, 과도한 온도를 방지할 수 있다.
상기 제2단계는 탄화가 일어나는 탄화 체적을 폐쇄 체적(closed volume)으로 형성하여 탄화 과정이 산소 분위기에 노출되지 않게 할 수 있다.
상기 제3단계는 플라즈마로 형성되는 아크 제트와 상기 중공사를 중공사의 길이 방향을 따라 상대적으로 직선 운동시킬 수 있다.
상기 제3단계는 플라즈마로 형성되는 아크 제트와 상기 중공사를 중공사의 직경 방향을 따라 상대적으로 회전 운동시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예는, 플라즈마 반응부에서 플라즈마 방전으로 생성한 아크 제트를 케이스 내부의 탄화 체적에 분출하고, 탄화 체적 내에서 중공사의 일부만을 아크 제트에 노출시키므로 중공사를 탄화시킬 수 있다.
따라서 일 실시예는 일반적인 가열로에서 제공하는 800 내지 1000℃보다 더 높은 고온 조건을 형성하여 수 시간이 소요되는 가열로 방식과 달리, 수분 이내로 빠르게 중공사를 탄화시켜 전력 소비를 줄일 수 있고, 가열로 방식의 경우, 탄화 가능한 중공사의 길이가 가열로의 가열부위 길이로 한정되는 것과 달리 중공사의 길이에 제한되지 않는다.
또한, 플라즈마 반응부의 아크 제트와 중공사가 중공사의 길이 방향을 따라 상대적으로 직선 운동하므로 일 실시예는 수 분 이내의 짧은 시간에 길이 제한 없이 중공사의 탄화를 수행할 수 있다.
또한, 플라즈마 반응부의 아크 제트와 중공사가 중공사의 직경 방향을 따라 상대적으로 회전 운동하므로 일 실시예는 중공사를 더욱 균일하게 탄화 처리할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 중공사 탄화 장치의 구성도이다.
도 2는 도 1의 중공사 탄화 장치로 중공사를 탄화하는 상태를 도시한 작동 상태도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 중공사 탄화 방법의 순서도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 중공사 탄화 장치의 구성도이고, 도 2는 도 1의 중공사 탄화 장치로 중공사를 탄화하는 상태를 도시한 작동 상태도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 일 실시예의 중공사 탄화 장치는 플라즈마 반응부(10) 및 탄화 체적을 형성하는 케이스(20)를 포함한다.
플라즈마 반응부(10)는 산소가 없는 불활성 기체를 방전기체로 이용하여 플라즈마 방전하도록 구성된다. 즉 플라즈마 반응부(10)는 플라즈마 방전으로 아크를 발생시키고, 분출구(11)를 통하여 아크 제트(AJ, 도 2 참조)를 분출하게 된다.
케이스(20)는 플라즈마 반응부(10)의 분출구(11) 측을 수용하는 탄화 체적(CV)을 형성하여 중공사(30)의 탄화를 가능케 한다. 즉 케이스(20)는 투입구(21)와 인출구(22)를 구비하여, 중공사(30)의 경유를 가능케 하고, 경유하는 중공사(30)를 아크 제트(AJ)에 노출시킨다.
이와 같이, 케이스(20)는 플라즈마 영역, 즉 아크 제트(AJ) 영역을 산소로부터 차단한다. 산소가 없는 분위기에서 탄화는 고온 조건에 폴리이미드 계열의 구조물인 중공사(30)의 노출을 통하여, C-H 결합을 깨어서(brake) 카본 구조만을 남기게 된다.
또한, 중공사(30) 전체 길이 중 탄화가 진행되는 부분만을 아크 제트(AJ)로 고온 처리하므로 공정비용이 감소된다. 플라즈마 반응부(10)는 가열로에서 제공할 수 있는 온도보다 급격히 높아진 온도 조건과 더불어 아크 제트(AJ)의 유동량을 크게 하여 탄화를 촉진할 수 있다.
플라즈마 반응부(10)는 전압(HV)이 인가되는 전극(12)과 전기적으로 접지되는 하우징(13)을 포함한다. 일례로써, 전극(12)은 원기둥 구조에서 단부로 가면서 좁아지는 타원 구조로 형성될 수 있다.
하우징(13)은 전극(12)을 수용하고 전극(12)과의 사이에 방전갭(G)을 형성한다. 전극(12)과 하우징(13) 사이로 방전기체가 공급되고, 전극(12)에 전압을 인가하면, 방전갭(G)에 플라즈마 방전이 발생된다.
플라즈마 방전으로 발생되는 아크는 분출구(11)를 통하여 케이스(20)의 탄화 체적(CV)으로 분출된다. 이를 위하여, 하우징(13)은 분출구(11) 측에서 케이스(20)에 부분적으로 수용된다.
일례로써, 하우징(13)은 전극(12)의 외곽에 형성되어 방전갭(G)을 형성하는 원통부(131), 아크를 집중하여 아크 제트를 형성하는 직경 감소부(132), 및 아크 제트를 넓은 면적으로 형성하는 직경 증대부(133)을 포함한다.
원통부(131)는 전극(12)과의 사이로 방전기체의 유동을 가능하게 하고 방전갭(G)에서 플라즈마 방전을 가능하게 한다. 전극(12)의 형상에 따라 원통부(131)와 전극(12)은 다양한 위치에서 플라즈마 방전을 일으킬 수 있다.
직경 감소부(132)는 원통부(131)의 단부에서 멀어져 가면서 점진적으로 직경이 좁아지는 구조로 형성된다. 따라서 원통부(131)에서 플라즈마 방전으로 발생되는 아크는 직경 감소부(132)를 경유하면서 집중된다.
직경 증대부(133)는 직경 감소부(132)에서 분출구(11) 측으로 가면서 점진적으로 직경이 넓어지는 구조로 형성된다. 따라서 직경 감소부(132)에서 집중되는 아크는 직경 증대부(133)를 경유하면서 확장된다.
그리고 확장된 아크는 하우징(13)의 분출구(11)에서 이탈되는 순간에 탄화 체적(CV)을 형성하는 케이스(20)의 내부로 신속하게 더욱 확장되어 탄화 체적(CV)에 위치하는 중공사(30)에 이르게 된다.
케이스(20)에서 투입구(21)와 인출구(22)는 분출구(11)를 중심으로 케이스(20)의 좌우 양측에 배치된다. 탄화 대상인 중공사(30)는 투입구(21)를 통하여 투입되고 탄화 체적(CV)을 경유한 후 인출구(22)를 통하여 인출되며, 탄화 체적(CV)에 위치하는 동안 분출구(11)로 분출되는 아크 제트(AJ)에 노출된다.
이와 같이, 아크 제트(AJ)로 중공사(30)를 탄화할 때, 투입구(21)와 인출구(22)는 중공사(30) 외표면과의 사이에서 간극(G1, G2)을 형성하여 탄화 중 및 탄화 후, 탄화 체적(CV)으로부터 방전기체의 배출을 가능하게 한다.
또한, 케이스(20)는 플라즈마 반응부(10)의 측방에 배출구(23)를 더 구비하여, 방전기체를 원활히 배출할 수 있게 한다. 따라서 플라즈마 방전부(10)에서 아크 제트(AJ)를 지속적으로 분출하면서 중공사(30)의 탄화가 가능하게 된다.
플라즈마 반응부(10)와 중공사(30)는 중공사(30)의 길이 방향을 따라 상대적으로 직선 운동하도록 구성된다. 따라서 일 실시예는 수 분 이내의 짧은 시간에 길이 제한 없이 중공사(30)의 탄화(carbonization)를 수행할 수 있다.
이때, 중공사(30)가 고정되고 플라즈마 반응부(10)가 직선 운동할 수 있고, 중공사(30)가 직선 운동하고 플라즈마 반응부(10)가 고정될 수도 있다.
도시하지 않았으나, 일 실시예의 중공사 탄화 장치는 중공사를 고정시키는 수단과 플라즈마 반응부를 직선 운동시키는 수단을 구비할 수 있고, 중공사를 직선 운동시키는 수단과 플라즈마 반응부를 고정시키는 수단을 구비할 수도 있다.
또한, 플라즈마 반응부(10)와 중공사(30)는 중공사(30)의 직경 방향을 따라 상대적으로 회전 운동하도록 구성된다. 따라서 일 실시예는 중공사(30)를 더욱 균일하게(uniform) 탄화(carbonization) 처리할 수 있다.
이때, 중공사(30)가 고정되고 플라즈마 반응부(10)가 회전 운동할 수 있고, 중공사(30)가 회전 운동하고 플라즈마 반응부(10)가 고정될 수도 있다.
도시하지 않았으나, 일 실시예의 중공사 탄화 장치는 중공사를 고정시키는 수단과 플라즈마 반응부를 회전 운동시키는 수단을 구비할 수 있고, 중공사를 회전 운동시키는 수단과 플라즈마 반응부를 고정시키는 수단을 구비할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 중공사 탄화 방법의 순서도이다. 도 3을 참조하면, 일 실시예의 중공사 탄화 방법은 플라즈마 방전으로 아크 및 아크 제트(AJ)를 형성하는 제1단계(ST1)와 제2단계(ST2) 및 아크 제트(AJ)로 중공사(30)를 탄화시키는 제3단계(ST3)를 포함한다.
제1단계(ST1)는 플라즈마 반응부(10)에서 불활성 기체를 방전기체로 이용하는 플라즈마 방전으로 아크를 발생시킨다. 플라즈마 반응부(10)는 좁게 설정되는 탄화 체적(CV)을 고온 조건으로 가열할 수 있게 한다.
제2단계(ST2)는 제1단계(ST1)에서 발생되는 아크를 집중시키면서 고온 상태의 넓은 체적의 아크 제트(AJ)를 형성한다. 제2단계(ST2)는 아크를 집중시킨 후 분산(확산)시키는 과정을 통하여 넓은 체적의 아크 제트(AJ)를 형성한다(ST21). 따라서 아크 제트(AJ)는 넓은 체적, 즉 탄화 체적(CV)에서 과도한 온도 상승을 방지한다.
또한 제2단계(ST2)는 탄화가 일어나는 탄화 체적(CV)을 폐쇄 체적(closed volume)으로 형성하여, 산소가 없는 분위기에서 중공사(30)의 탄화를 구현한다(ST22). 따라서 중공사(30)가 고온 조건에 노출되어 C-H 결합을 깨서(brake) 카본 구조로만 남게 된다.
제21단계(ST21) 및 제22단계(ST22)는 동시에 진행된다. 도시하지 않았으나 제21단계 및 제22단계는 선택적으로 진행될 수도 있으나, 중공사의 효과적인 탄화를 위하여 순차적으로 진행될 수 있다.
제3단계(ST3)는 제2단계(ST2)에서 형성되는 아크 제트(AJ)의 영역, 즉 탄화 체적(CV)으로 중공사(30)를 경유시키면서 중공사(30)에서 탄화(carbonization)가 일어나게 한다.
제3단계(ST3)는 플라즈마로 형성되는 아크 제트(AJ)와 중공사(30)를 중공사(30)의 길이 방향을 따라 상대적으로 직선 운동시킨다(ST31). 따라서 제31단계(ST31)는 길이가 긴 중공사(30) 전체에 대하여 탄화(carbonization) 처리를 순차적으로 가능케 한다. 즉 일 실시예의 중공사 탄화 방법은 중공사(30)의 길이에 제한되지 않는다.
제3단계(ST3)는 플라즈마로 형성되는 아크 제트(AJ)와 중공사(30)를 중공사(30)의 직경 방향을 따라 상대적으로 회전 운동시킨다(ST32). 따라서 제32단계(ST32)는 원통인 중공사(30) 전체에 대하여 균일한(uniform) 탄화(carbonization) 처리를 가능케 한다. 즉 일 실시예의 중공사 탄화 방법은 중공사(30)의 직경에 제한되지 않는다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
10: 플라즈마 반응부 11: 분출구
12: 전극 13: 하우징
20: 케이스 21: 투입구
22: 인출구 23: 배출구
30: 중공사 131: 원통부
132: 직경 감소부 133: 직경 증대부
AJ: 아크 제트 CV: 탄화 체적
G: 방전갭 G1, G2: 간극

Claims (12)

  1. 불활성 기체를 방전기체로 이용하는 플라즈마 방전으로 아크를 발생시키고, 분출구로 아크 제트를 분출하는 플라즈마 반응부; 및
    상기 플라즈마 반응부의 상기 분출구 측을 수용하는 탄화 체적을 형성하고, 투입구와 인출구를 경유하는 폴리머 구조물의 중공사를 상기 아크 제트에 노출시켜 수분 이내에 C-H 결합을 깨어서(brake) 카본 구조만을 남기는 탄화가 일어나게 하여 카본 재료의 다공 구조물을 형성시키는 케이스
    를 포함하며,
    상기 플라즈마 반응부는
    전압이 인가되는 전극, 및
    전기적으로 접지되어 상기 전극을 수용하고 상기 전극과의 사이에 방전갭을 형성하여 플라즈마 방전을 일으키는 하우징
    을 포함하고,
    상기 하우징은
    상기 전극의 외곽에 형성되는 원통부,
    상기 원통부의 단부에서 멀어져 가면서 점진적으로 좁아지는 직경 감소부, 및
    상기 직경 감소부에서 상기 분출구 측으로 가면서 점진적으로 넓어지는 직경 증대부
    를 포함하는 중공사 탄화 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 하우징은
    상기 분출구 측에서 상기 케이스에 수용되는 중공사 탄화 장치.
  3. 삭제
  4. 제2항에 있어서,
    상기 투입구와 상기 인출구는
    상기 분출구를 중심으로 상기 케이스의 좌우 양측에 배치되며,
    탄화 중 및 탄화 후, 방전기체를 배출하도록 상기 중공사 외표면과의 사이에 간극을 형성하는 중공사 탄화 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 케이스는
    상기 플라즈마 반응부의 측방에 구비되어 방전기체를 배출하는 배출구를 더 포함하는 중공사 탄화 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 반응부와 상기 중공사는
    중공사의 길이 방향을 따라 상대적으로 직선 운동하는 중공사 탄화 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 반응부와 상기 중공사는
    중공사의 직경 방향을 따라 상대적으로 회전 운동하는 중공사 탄화 장치.
  8. 불활성 기체를 방전기체로 이용하는 플라즈마 방전으로 아크를 발생시키는 제1단계;
    상기 제1단계에서 발생되는 아크의 집중과 분산 과정을 통하여 고온 상태의 넓은 체적의 아크 제트를 형성하는 제2단계; 및
    상기 제2단계에서 형성되는 아크 제트의 영역으로 폴리머 구조물의 중공사를 상기 아크 제트에 노출 및 경유시키면서 상기 중공사에서 수분 이내에 C-H 결합을 깨어서(brake) 카본 구조만을 남기는 탄화(carbonization)가 일어나게 하여 카본 재료의 다공 구조물이 형성되게 하는 제3단계
    를 포함하는 중공사 탄화 방법.
  9. 삭제
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제2단계는
    탄화가 일어나는 탄화 체적을 폐쇄 체적(closed volume)으로 형성하는 중공사 탄화 방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 제3단계는
    플라즈마로 형성되는 아크 제트와 상기 중공사를 중공사의 길이 방향을 따라 상대적으로 직선 운동시키는 중공사 탄화 방법.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 제3단계는
    플라즈마로 형성되는 아크 제트와 상기 중공사를 중공사의 직경 방향을 따라 상대적으로 회전 운동시키는 중공사 탄화 방법.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995019837A1 (en) * 1994-01-21 1995-07-27 Neomecs Incorporated Gas plasma polymerized permselective membrane
JP2010009890A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Panasonic Electric Works Co Ltd プラズマ処理装置
KR20140101266A (ko) * 2013-02-08 2014-08-19 한국기계연구원 리모트 플라즈마 발생장치
JP5966298B2 (ja) * 2011-09-28 2016-08-10 東洋紡株式会社 中空糸炭素膜の製造方法
KR20160122504A (ko) * 2015-04-14 2016-10-24 한국기계연구원 플라즈마 증발기 및 이를 이용하는 배기가스 제거 시스템
KR101726822B1 (ko) * 2015-05-26 2017-04-13 한국과학기술연구원 초극세 탄소섬유 및 그 제조방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995019837A1 (en) * 1994-01-21 1995-07-27 Neomecs Incorporated Gas plasma polymerized permselective membrane
JP2010009890A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Panasonic Electric Works Co Ltd プラズマ処理装置
JP5966298B2 (ja) * 2011-09-28 2016-08-10 東洋紡株式会社 中空糸炭素膜の製造方法
KR20140101266A (ko) * 2013-02-08 2014-08-19 한국기계연구원 리모트 플라즈마 발생장치
KR20160122504A (ko) * 2015-04-14 2016-10-24 한국기계연구원 플라즈마 증발기 및 이를 이용하는 배기가스 제거 시스템
KR101726822B1 (ko) * 2015-05-26 2017-04-13 한국과학기술연구원 초극세 탄소섬유 및 그 제조방법

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