KR101952755B1 - Bottom up type laser processing method - Google Patents

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Abstract

본 개시에 따른 상향식 레이저 가공방법은, 투명 가공물을 투명 캐리어에 부착하는 단계, 상기 투명 가공물을 초음파 세척기에 담그는 단계, 상기 투명 가공물을 상향식(bottom-up)으로 레이저 가공하는 단계 및 상기 투명 가공물의 가공 잔여물을 초음파 세척으로 제거하는 단계를 포함한다.A bottom-up laser machining method according to the present disclosure includes the steps of attaching a transparent workpiece to a transparent carrier, immersing the workpiece in an ultrasonic cleaner, laser-machining the workpiece in a bottom-up manner, And removing the machining residue by ultrasonic cleaning.

Description

상향식 레이저 가공방법{Bottom up type laser processing method}Bottom up type laser processing method

본 개시는 상향식 레이저 가공방법에 관한 것이다.This disclosure relates to a bottom-up laser processing method.

일반적으로 레이저 가공 공정이라 함은 가공물의 표면에 레이저 빔을 주사하여 가공물 표면의 형상이나 물리적 성질 등을 가공하는 공정을 말한다. 가공 대상물에는 여러 가지 예가 있을 수 있으며 그 형상은 2차원 평면 형상일 수 있다. 레이저 가공공정의 예로는 가공 대상물의 표면상에 패턴을 형성하는 패터닝, 가공 대상물의 물성을 변형시키는 공정, 레이저를 이용해 가공 대상물을 가열하고 가공 대상물의 형상을 변형하는 공정, 레이저 빔을 이용하여 가공 대상물을 절단하는 공정 등이 있을 수 있다.Generally, laser processing refers to a process of processing the shape and physical properties of a workpiece surface by scanning a laser beam on the surface of the workpiece. There are various examples of objects to be processed, and the shape thereof may be a two-dimensional planar shape. Examples of the laser machining process include patterning for forming a pattern on the surface of the object, modifying the physical properties of the object, heating the object using a laser and deforming the shape of the object, processing using a laser beam A step of cutting the object, and the like.

상향식 레이저 방법은 대상체가 투명한 경우에 가공물의 바닥면으로부터 가공을 시작하는 방식으로 가공에 따라 발생하는 가공 잔여물을 제거하는 것이 요구된다.The bottom-up laser method is required to remove machining residues that occur during machining in such a way as to start machining from the bottom surface of the workpiece when the target is transparent.

본 개시는 상향식 레이저 가공방법에 관한 것이다.This disclosure relates to a bottom-up laser processing method.

일 실시예에 따른 상향식 레이저 가공 방법은, According to an embodiment of the present invention,

투명 가공물을 투명 캐리어에 부착하는 단계;Attaching a transparent workpiece to a transparent carrier;

상기 투명 가공물을 초음파 세척기에 담그는 단계;Immersing the transparent workpiece in an ultrasonic cleaner;

상기 투명 가공물을 상향식(bottom-up)으로 레이저 가공하는 단계; 및Laser processing the transparent workpiece in a bottom-up manner; And

상기 투명 가공물의 가공 잔여물을 초음파 세척으로 제거하는 단계;를 포함한다.And removing the machining residue of the transparent workpiece by ultrasonic cleaning.

상기 레이저 가공하는 단계는, 상기 투명 가공물의 구멍 지름이 5μm 이하가 되도록 드릴링 가공할 수 있다.The laser machining may be performed by drilling so that the diameter of the transparent workpiece is 5 mu m or less.

상기 레이저 가공하는 단계는, 상기 투명 가공물에 포커싱되는 레이저 빔의 스폿 지름이 5μm 이하가 되도록 가공할 수 있다.The laser machining may be performed such that the spot diameter of the laser beam focused on the transparent workpiece is 5 m or less.

상기 투명 가공물에 포커싱되는 레이저 빔의 파장이 1.0 μm 내지 3.0 μm 일 수 있다.The wavelength of the laser beam to be focused on the transparent workpiece may be 1.0 [mu] m to 3.0 [mu] m.

상기 투명 가공물에 포커싱되는 레이저 빔의 펄스폭이 1 ns 내지 10 ns 일 수 있다.The pulse width of the laser beam focused on the transparent workpiece may be between 1 ns and 10 ns.

상기 투명 가공물에 포커싱되는 레이저 빔의 스폿 면적 당 에너지가 2 J / cm2 일 수 있다.The energy per spot area of the laser beam focused on the transparent workpiece may be 2 J / cm 2 .

상기 레이저 가공하는 단계는, 레이저가 상기 투명 가공물 내부의 기결정된 경로를 500 mm/s 내지 2000mm/s의 속도로 움직이며 가공할 수 있다.The laser machining can be performed by moving a laser at a predetermined path within the transparent workpiece at a speed of 500 mm / s to 2000 mm / s.

상기 레이저 가공하는 단계는, 레이저가 상기 투명 가공물의 하부면과 상부면을 왕복하며 가공할 수 있다.The laser machining may be performed such that the laser reciprocates between the lower surface and the upper surface of the transparent workpiece.

상기 초음파 세척기에 담그는 단계는, 상기 투명 캐리어의 상부면은 상기 초음파 세척기에 잠기지 않을 수 있다.In the immersion in the ultrasonic cleaner, the upper surface of the transparent carrier may not be immersed in the ultrasonic cleaner.

상기 투명 가공물을 투명 캐리어에 부착하는 단계는, Wherein attaching the transparent workpiece to the transparent carrier comprises:

상기 투명 캐리어에 유연한 소재의 투명 멤브레인을 부착하는 단계; 및Attaching a transparent material of a flexible material to the transparent carrier; And

상기 투명 멤브레인에 상기 투명 가공물을 부착하는 단계;를 포함하고, And attaching the transparent workpiece to the transparent membrane,

상기 투명 멤브레인은 상기 투명 가공물과 상기 투명 캐리어 사이를 이격시킬 수 있다.The transparent membrane may separate the transparent workpiece from the transparent carrier.

상기 투명 가공물을 투명 캐리어에 부착하는 단계는,Wherein attaching the transparent workpiece to the transparent carrier comprises:

상기 투명 캐리어에 림(rim)을 부착하는 단계;Attaching a rim to the transparent carrier;

투명 멤브레인의 가장자리 끝단을 상기 림에 부착하는 단계; 및 Attaching an edge of the transparent membrane to the rim; And

상기 투명 가공물을 상기 투명 멤브레인의 중앙부에 부착하는 단계;를 포함할 수 있다.And attaching the transparent workpiece to a central portion of the transparent membrane.

상기 투명 가공물을 초음파 세척기에 담그는 단계는,The step of immersing the transparent workpiece in an ultrasonic cleaner includes:

상기 투명 멤브레인과 상기 투명 가공물이 상기 초음파 세척기에 담기도록 마련되고, 상기 투명 캐리어는 상기 초음파 세척기에 담기지 않도록 마련될 수 있다.The transparent membrane and the transparent workpiece may be contained in the ultrasonic cleaner, and the transparent carrier may not be contained in the ultrasonic cleaner.

상기 투명 가공물은 실리콘 웨이퍼(Si Wafer)일 수 있다.The transparent workpiece may be a silicon wafer (Si wafer).

상기 투명 멤브레인을 부착하는 단계 이후에, 상기 투명 멤브레인 상에 가압 부재를 마련하는 단계;를 더 포함할 수 있다.After the step of attaching the transparent membrane, a step of providing a pressing member on the transparent membrane may be further included.

상기 투명 멤브레인은 상기 투명 캐리어와 결합되어 밀폐된 공간을 형성할 수 있다.The transparent membrane may be combined with the transparent carrier to form a closed space.

본 발명에 따른 상향식 레이저 가공 방법은 가공물의 가공 잔여물을 빠르고 용이하게 제거할 수 있는 가공 방법을 제공한다.The bottom-up laser machining method according to the present invention provides a machining method capable of quickly and easily removing machining residues of a workpiece.

본 발명에 따른 상향식 레이저 가공 방법은 수조의 액체의 산란으로 인한 가공 효율의 저하를 방지하는 효율적인 가공 방법을 제공한다.The bottom-up laser processing method according to the present invention provides an efficient processing method for preventing the deterioration of processing efficiency due to scattering of liquid in a water tank.

도 1은 일 실시예에 따른 레이저 가공 방법을 나타내는 순서도이다.
도 2는 도 1에 따른 레이저 가공 방법을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 도 1에 따른 레이저 가공 방법을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 또 다른 실시예에 따른 레이저 가공 방법을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 레이저 가공 방법을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 6는 또 다른 실시예에 따른 투명 캐리어와 투명 가공물을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 7은 또 다른 실시예에 따른 레이저 가공 방법을 개략적으로 나타내는 도면이다.
1 is a flowchart showing a laser machining method according to an embodiment.
Fig. 2 is a view schematically showing a laser machining method according to Fig. 1. Fig.
Fig. 3 is a view schematically showing a laser processing method according to Fig. 1. Fig.
Fig. 4 is a view schematically showing a laser machining method according to another embodiment.
5 is a view schematically showing a laser processing method according to another embodiment.
6 is a plan view schematically showing a transparent carrier and a transparent workpiece according to yet another embodiment.
7 is a view schematically showing a laser machining method according to another embodiment.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 설명되는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 아래에서 제시되는 실시예들로 한정되는 것이 아니라, 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 아래에 제시되는 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Brief Description of the Drawings The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described in conjunction with the accompanying drawings. It is to be understood, however, that the invention is not limited to the embodiments shown herein but may be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the preferred embodiments of the present invention. do. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other aspects of the present invention will become more apparent by describing in detail preferred embodiments thereof with reference to the attached drawings. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof. The terms first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

이하, 본 발명에 따른 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to the like elements throughout. .

도 1은 일 실시예에 따른 레이저 가공 방법을 나타내는 순서도이다. 도 2는 도 1에 따른 레이저 가공 방법을 개략적으로 나타내는 도면이다. 1 is a flowchart showing a laser machining method according to an embodiment. Fig. 2 is a view schematically showing a laser machining method according to Fig. 1. Fig.

도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 레이저 가공 방법은, 투명 가공물(120)을 투명 캐리어(110)에 부착하는 단계(S101), 투명 가공물(120)을 초음파 세척기(130)에 담그는 단계(S102), 투명 가공물(120)을 상향식으로 레이저(l) 가공하는 단계(S103), 및 가공 잔여물(121)을 초음파(US) 세척으로 제거하는 단계(S104)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a laser processing method according to an embodiment of the present invention includes a step of attaching a transparent workpiece 120 to a transparent carrier 110, a step of immersing the transparent workpiece 120 into an ultrasonic cleaner 130 (S103) of laser-processing the transparent workpiece 120 in a downward direction (S103), and removing the machining residue 121 by an ultrasonic wave US wash (S104).

투명 캐리어(110)는 가공에 이용되는 레이저(l)의 파장 영역에 대하여 투과성이 있는 소재로 형성될 수 있다. 예를 들어, 투명 캐리어(110)는 적외선 영역의 광에 대하여 투과성이 있는 소재로 형성될 수 있다. 투명 캐리어(110)는 투명 가공물(120)과 접합하여, 투명 가공물(120)이 상향식 가공이 이루어질 수 있도록 지지하는 역할을 가질 수 있다. 예를 들어, 투명 가공물(120)은 별도의 지지부재(미도시)나 스테이지(미도시) 등과 결합되어 투명 가공물(120)을 지지하거나, 투명 가공물(120)의 위치를 변경할 수 있다. 투명 캐리어(110)의 소재와 형태는 도시된 것에 한정되지 않는다.The transparent carrier 110 may be formed of a material having transparency with respect to the wavelength region of the laser 1 used for fabrication. For example, the transparent carrier 110 may be formed of a material that is transparent to light in the infrared region. The transparent carrier 110 may be bonded to the transparent workpiece 120 to support the transparent workpiece 120 so that a bottom-up processing can be performed. For example, the transparent workpiece 120 may be coupled with a separate support member (not shown) or a stage (not shown) to support the transparent workpiece 120 or change the position of the transparent workpiece 120. The material and shape of the transparent carrier 110 are not limited to those shown.

투명 가공물(120)은 레이저 가공의 대상이 되는 대상물일 수 있다. 투명 가공물(120)은 상향식 가공을 위해, 가공에 이용되는 레이저(l)의 파장 영역에 대하여 투과성이 있는 소재로 형성될 수 있다. 예를 들어, 투명 가공물(120)은 적외선 영역의 광에 대하여 투과성이 있는 소재일 수 있다. 예를 들어, 투명 가공물(120)은 실리콘 웨이퍼(Si wafer)일 수 있다. 투명 캐리어(110)와 투명 가공물(120)은 동일한 파장 영역의 광에 대하여 투과성 있는 소재로 형성될 수 있다.The transparent workpiece 120 may be an object to be subjected to laser machining. The transparent workpiece 120 may be formed of a material having transparency with respect to the wavelength region of the laser 1 used for processing for bottom-up processing. For example, the transparent workpiece 120 may be a material that is transmissive to light in the infrared region. For example, the transparent workpiece 120 may be a silicon wafer. The transparent carrier 110 and the transparent workpiece 120 may be formed of a transparent material with respect to light in the same wavelength range.

초음파 세척기(130)는 액체(131)를 초음파(Ultra Sonic Wave)로 진동시켜 투명 가공물(120)을 세척할 수 있는 일체의 장치를 포함할 수 있다. 초음파 세척기(130)는 물을 비롯한 다양한 액체(131)를 담을 수 있다. 액체(131)는 특정 실시예에 한정되지 않는다. 도 3을 참조하면, 초음파 세척기(130)는 초음파(US)를 통해 액체(131)를 진동시켜, 투명 가공물(120)의 가공 부분에 생겨나는 가공 잔여물(121)을 효과적으로 제거할 수 있다. 또한, 초음파 세척기(130)는 액체(131)가 투명 가공물(120)의 가공 부분에 접하도록 함으로써 레이저 가공에 있어서 투명 가공물(120)의 세척 효과 및 냉각 효과를 가질 수 있다.The ultrasonic cleaner 130 may include any device that can clean the transparent workpiece 120 by vibrating the liquid 131 with ultrasonic waves. The ultrasonic cleaner 130 may contain various liquids 131 including water. The liquid 131 is not limited to a specific embodiment. Referring to FIG. 3, the ultrasonic cleaner 130 can vibrate the liquid 131 through the ultrasonic wave US to effectively remove the machining residue 121 generated in the machined portion of the transparent workpiece 120. The ultrasonic cleaner 130 may have a cleaning effect and a cooling effect of the transparent workpiece 120 in laser processing by causing the liquid 131 to contact the machining portion of the transparent workpiece 120.

레이저(l)는 투명 가공물(120)을 절단하거나 구멍을 뚫을 수 있다. 예를 들어, 레이저(l)는 투명 가공물(120)을 드릴링하여 구멍을 뚫을 수 있다. 예를 들어, 레이저(l)는 투명 가공물(120)에 구멍 지름이 5μm 이하인 작은 구멍을 깊게 뚫을 수 있다. 예를 들어, 레이저(l)는 투명 가공물(120)에 종횡비 1:10 이상의 구멍을 뚫을 수 있다. 예를 들어, 투명 가공물(120)에 포커싱되는 레이저(l)의 스폿 지름이 5μm 이하가 될 수 있다.The laser l may cut or puncture the transparent workpiece 120. For example, the laser 1 can drill through the transparent workpiece 120 to pierce it. For example, the laser 1 can drill a small hole having a hole diameter of 5 m or less in the transparent workpiece 120 deeply. For example, the laser l may punch holes in the transparent workpiece 120 at an aspect ratio of 1:10 or greater. For example, the spot diameter of the laser 1 to be focused on the transparent workpiece 120 may be 5 占 퐉 or less.

예를 들어, 레이저(l)는 1.0 μm 내지 3.0 μm 의 파장을 가질 수 있다. 이러한 파장 조건을 만족하는 경우, 레이저(l)는 투명 가공물(120)이 실리콘 웨이퍼인 경우에 높은 투과성을 가지고, 가공 효율을 향상시킬 수 있다. For example, the laser l may have a wavelength of from 1.0 μm to 3.0 μm. When such a wavelength condition is satisfied, the laser 1 has high transparency when the transparent workpiece 120 is a silicon wafer, and can improve the processing efficiency.

예를 들어, 투명 가공물(120)에 포커싱되는 레이저(l)의 펄스폭이 1 ns 내지 10 ns 일 수 있다. 예를 들어, 투명 가공물(120)에 포커싱되는 레이저(l)의 스폿 면적 당 에너지가 2 J / cm2 일 수 있다. 예를 들어, 레이저(l)는 투명 가공물(120) 내부의 기결정된 경로를 500 mm/s 내지 2000mm/s의 속도로 움직이며 가공할 수 있다. 예를 들어, 기결정된 경로는 투명 가공물(120)의 하부면과 상부면을 연결하는 임의의 경로를 포함할 수 있다. 예를 들어, 레이저(l)가 상기 투명 가공물(120)의 하부면과 상부면을 직선 경로로 왕복하며 가공할 수 있다. 이러한 조건을 만족하는 레이저(l)는 실리콘 웨이퍼인 투명 가공물(120)을 어블레이션을 통해 용이하게 가공하면서도, 구멍 지름이 5μm 이하인 작은 구멍을 깊게 뚫으며, 구멍 부분을 제외한 투명 가공물(120)의 어블레이션으로 인한 열 변형을 최소화 할 수 있다.For example, the pulse width of the laser l focused on the transparent workpiece 120 may be between 1 ns and 10 ns. For example, if the energy per spot area of the laser l focused on the transparent workpiece 120 is 2 J / cm 2 Lt; / RTI > For example, the laser l can move and process a predetermined path within the transparent workpiece 120 at a speed of 500 mm / s to 2000 mm / s. For example, the predetermined path may include any path connecting the bottom surface and the top surface of the transparent workpiece 120. For example, the laser 1 can be processed by reciprocating the lower surface and the upper surface of the transparent workpiece 120 in a straight path. The laser l that satisfies these conditions can easily process the transparent workpiece 120, which is a silicon wafer, through ablation but also drills a small hole having a hole diameter of 5 m or less deeply, Thermal deformation due to ablation can be minimized.

상술한 조건을 만족하는 레이저(l)가 투명 가공물(120)에 구멍 지름이 5μm 이하인 작은 구멍을 깊게 형성함에 있어서는 가공 잔여물(121)을 용이하게 제거하는 것이 요구될 수 있다. 종래의 가공 방식은 구멍 지름이 5μm 이하인 작은 구멍을 뚫는 경우에는, 가공에 의해 발생되는 가공 잔여물의 제거가 어려워 깊은 구멍을 뚫는 것이 어려울 수 있었다. 본 실시예에 따른 가공 방법은, 투명 가공물(120)이 액체(131)에 담궈진 상태에서 상향식 레이저 가공을 함으로써, 가공 잔여물(121)이 액체(131)로 인해 투명 가공물(120)의 외부로 빠져나올 수 있다. 예를 들어, 초음파 세척기(130)가 액체(131)를 초음파(US)로 진동시킴으로써, 가공 잔여물(121)보다 용이하게 투명 가공물(120)의 외부로 빠져나올 수 있다. 또한, 액체(131)가 투명 가공물(120)의 가공 부분에 접하도록 함으로써 레이저 가공에 있어서 투명 가공물(120)의 세척 효과 및 냉각 효과를 가질 수 있다.It may be required to easily remove the machining residue 121 when the laser 1 satisfying the above conditions deeply forms a small hole having a hole diameter of 5 탆 or less in the transparent workpiece 120. In the conventional machining method, when a small hole having a hole diameter of 5 탆 or less is drilled, it is difficult to remove the machining residue generated by machining, and it may be difficult to drill a deep hole. The processing method according to the present embodiment is a method in which the machining residue 121 is transferred to the outside of the transparent workpiece 120 due to the liquid 131 by performing a bottom side laser processing in a state in which the transparent workpiece 120 is immersed in the liquid 131. [ . For example, the ultrasonic cleaner 130 can vibrate the liquid 131 with the ultrasonic waves US so that it can escape to the outside of the transparent workpiece 120 more easily than the machining residue 121. In addition, by allowing the liquid 131 to contact the machining portion of the transparent workpiece 120, it is possible to have a cleaning effect and a cooling effect of the transparent workpiece 120 in laser machining.

이하, 도 1에 도시된 본 실시예에 따른 레이저 가공 방법의 각 단계를 구체적으로 살핀다.Hereinafter, each step of the laser processing method according to the present embodiment shown in FIG. 1 will be specifically described.

투명 가공물(120)을 투명 캐리어(110)에 부착하는 단계(S101)에서, 투명 가공물(120)은 투명 캐리어(110)의 하부면에 부착될 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바를 기준으로 레이저(l)가 투명 캐리어(110)의 상부면 방향으로 조사되고, 투명 캐리어(110)를 통과한 레이저(l)가 투명 가공물(120)로 조사될 수 있다. 본 단계에서, 투명 캐리어(110)가 투명 가공물(120)을 지지함으로써, 레이저(l)가 투명 가공물(120)의 하부면에서부터 상향식 레이저 가공을 수행할 수 있다.In step S101 of attaching the transparent workpiece 120 to the transparent carrier 110, the transparent workpiece 120 may be attached to the lower surface of the transparent carrier 110. [ 1, the laser 1 is irradiated in the direction of the upper surface of the transparent carrier 110, and the laser 1 passing through the transparent carrier 110 is irradiated with the transparent workpiece 120 . In this step, the transparent carrier 110 supports the transparent workpiece 120, so that the laser 1 can perform the bottom-up laser processing from the lower surface of the transparent workpiece 120. [

투명 가공물(120)을 초음파 세척기(130)에 담글 수 있다(S102). 예를 들어, 투명 가공물(120)은 액체(131)에 적어도 일부가 잠길 수 있다. 예를 들어, 투명 가공물(120)은 액체(131)에 완전히 잠길 수 있다. 투명 캐리어(110)는 상부면이 액체(131)에 잠기지 않을 수 있다. 투명 캐리어(110)의 상부면이 액체(131)에 잠기지 않음으로써, 레이저(l)가 액체(131)로 인해 산란되는 것을 방지할 수 있다. The transparent workpiece 120 may be immersed in the ultrasonic cleaner 130 (S102). For example, the transparent workpiece 120 may be at least partially submerged in the liquid 131. For example, the transparent workpiece 120 may be completely submerged in the liquid 131. The upper surface of the transparent carrier 110 may not be immersed in the liquid 131. The upper surface of the transparent carrier 110 is not immersed in the liquid 131 to prevent the laser 1 from scattering due to the liquid 131. [

다음으로, 투명 가공물(120)을 상향식으로 레이저 가공할 수 있다(S103). 예를 들어, 투명 가공물(120)의 하부면에서 상부면 방향으로 레이저가 포커싱된 스팟이 움직이도록 레이저 가공할 수 있다. 예를 들어, 레이저(l)는 투명 가공물(120) 내부의 기결정된 경로를 움직이며 가공할 수 있다. 예를 들어, 기결정된 경로는 투명 가공물(120)의 하부면과 상부면을 연결하는 임의의 경로를 포함할 수 있다. 예를 들어, 레이저(l)가 상기 투명 가공물(120)의 하부면과 상부면을 직선 경로로 왕복하며 가공할 수 있다. 투명 가공물(120)을 상향식으로 레이저 가공함으로써, 가공 잔여물(121)이 용이하게 제거될 수 있다.Next, the transparent workpiece 120 can be laser-processed in a bottom-up manner (S103). For example, laser processing can be performed such that the laser-focused spot moves from the lower surface of the transparent workpiece 120 to the upper surface direction. For example, the laser l can move and process a predetermined path within the transparent workpiece 120. [ For example, the predetermined path may include any path connecting the bottom surface and the top surface of the transparent workpiece 120. For example, the laser 1 can be processed by reciprocating the lower surface and the upper surface of the transparent workpiece 120 in a straight path. By machining the transparent workpiece 120 in a bottom-up manner, the machining residue 121 can be easily removed.

다음으로, 가공 잔여물(121)을 초음파 세척으로 제거할 수 있다(S104). 초음파 세척기(130)는 초음파(US)를 통해 액체(131)를 진동시켜, 투명 가공물(120)의 가공 부분에 생겨나는 가공 잔여물(121)을 초음파 세척을 통해 제거 할 수 있다. Next, the machining residue 121 can be removed by ultrasonic cleaning (S104). The ultrasonic cleaner 130 can vibrate the liquid 131 through the ultrasonic wave US to remove the machining residue 121 generated in the machined portion of the transparent workpiece 120 through ultrasonic cleaning.

도 4는 또 다른 실시예에 따른 레이저 가공 방법을 개략적으로 나타내는 도면이다.Fig. 4 is a view schematically showing a laser machining method according to another embodiment.

도 4를 참조하면, 투명 캐리어(210)에 유연한 소재의 투명 멤브레인(220)을 부착하고, 투명 멤브레인(220)에 투명 가공물(230)을 부착할 수 있다. 투명 캐리어(210)는 액체(131)에 잠기지 않은 상태에서, 투명 멤브레인(220)과 투명 가공물(230)은 액체(131)에 잠기도록 투명 멤브레인(220)과 투명 가공물(230)을 지지할 수 있다. 투명 멤브레인(220)의 가장자리단(222)은 투명 캐리어(210)의 하부면과 결합될 수 있다. 예를 들어, 투명 멤브레인(220)의 가장자리단(222)의 가장 끝단은 투명 캐리어(210)의 하부면과 결합되고, 투명 멤브레인(220)의 가장자리단(222)의 나머지영역은 투명 캐리어(210)와 결합되지 않을 수 있다. 4, a flexible transparent material 220 may be attached to the transparent carrier 210, and a transparent workpiece 230 may be attached to the transparent membrane 220. The transparent carrier 210 and the transparent workpiece 230 can be supported so that the transparent membrane 220 and the transparent workpiece 230 are immersed in the liquid 131 in a state where the transparent carrier 210 is not immersed in the liquid 131 have. The edge 222 of the transparent membrane 220 may be coupled with the lower surface of the transparent carrier 210. For example, the extreme end of the edge 222 of the transparent membrane 220 is coupled to the bottom of the transparent carrier 210, and the remaining area of the edge 222 of the transparent membrane 220 is transparent to the transparent carrier 210 ). ≪ / RTI >

투명 가공물(230)은 투명 멤브레인(220)의 중앙부(221)에 부착될 수 있다. 투명 가공물(230)의 무게로 인해 투명 멤브레인(220)은 아래 방향으로 연장(stretch)되며, 이로 인해 투명 가공물(230)과 투명 캐리어(210)는 적절한 거리만큼 이격 될 수 있다.The transparent workpiece 230 may be attached to the central portion 221 of the transparent membrane 220. Due to the weight of the transparent workpiece 230, the transparent membrane 220 is stretched downward, which allows the transparent workpiece 230 and the transparent carrier 210 to be spaced apart by a suitable distance.

투명 캐리어(210), 투명 멤브레인(220), 및 투명 가공물(230)은 동일한 파장 영역의 광에 대하여 투과성 있는 소재로 형성될 수 있다. 예를 들어, 투명 캐리어(210), 투명 멤브레인(220), 및 투명 가공물(230)은 적외선 영역에 대해서 투과성 있는 소재로 형성될 수 있다. The transparent carrier 210, the transparent membrane 220, and the transparent workpiece 230 may be formed of a material that is transparent to light in the same wavelength range. For example, the transparent carrier 210, the transparent membrane 220, and the transparent workpiece 230 may be formed of a material that is transparent to the infrared region.

본 실시예에 따른 레이저 가공 방법은 투명 멤브레인(220)을 이용하여, 투명 캐리어(210)의 상단이 물에 잠기지 않은 상태를 유지하면서, 투명 가공물(230)을 용이하게, 초음파 세척기(130)의 액체(131)에 담글 수 있다. 레이저(l)는 투명 캐리어(210), 투명 멤브레인(220)을 투과하여 투명 가공물(230)에 도달 할 수 있다. 따라서, 투명 멤브레인(220)은 레이저(l)의 파장 영역에 대하여 투과성이 있는 소재로 형성될 수 있다. 투명 멤브레인(220)은 투명 가공물(230)에 비해 충분히 얇은 소재로 형성될 수 있다. 투명 멤브레인(220)은 투명 캐리어(210)와의 결합으로 밀폐된 내부 공간을 형성할 수 있다. 투명 멤브레인(220)은 밀폐된 내부 공간을 형성함으로써 초음파 세척기(130)의 액체(131)가 투명 가공물(230)의 상단으로 유입되는 것을 방지할 수 있다. 이에, 투명 가공물(230)의 상단에 액체(131)가 있음으로써 발생하는 산란 현상을 방지할 수 있다. 투명 멤브레인(220)의 중앙부(221)와 가장자리단(222)은 서로 동일한 소재로 형성되거나 상이한 소재로 형성될 수 있으며 특정 실시예에 한정되지 않는다. 예를 들어, 중앙부(221)는 레이저(l)에 투명한 소재로 선택되며, 투명 가공물(230)을 지탱할 수 있는 충분한 경도를 가지는 물질이 선택될 수 있다. 예를 들어, 가장자리단(222)은 중앙부(221)와 투명 가공물(230)의 결합된 무게를 지탱하면서 연장될 수 있는 신축성 있는 소재로 선택될 수 있다. 레이저(l)가 가장자리단(222)을 투과하지 않는 경우에는 가장자리단(222)는 투명한 소재로 선택되지 않을 수도 있다.The laser processing method according to the present embodiment uses the transparent membrane 220 to easily remove the transparent workpiece 230 from the ultrasonic cleaner 130 while keeping the upper end of the transparent carrier 210 immersed in water. So that it can be immersed in the liquid 131. The laser 1 can reach the transparent workpiece 230 through the transparent carrier 210 and the transparent membrane 220. Accordingly, the transparent membrane 220 may be formed of a material having transparency with respect to the wavelength region of the laser 1. [ The transparent membrane 220 may be formed of a sufficiently thin material compared to the transparent workpiece 230. The transparent membrane 220 may form an enclosed inner space by engagement with the transparent carrier 210. The transparent membrane 220 may form a closed inner space to prevent the liquid 131 of the ultrasonic cleaner 130 from flowing into the upper end of the transparent workpiece 230. Accordingly, the scattering phenomenon caused by the presence of the liquid 131 at the upper end of the transparent workpiece 230 can be prevented. The central portion 221 and the edge portion 222 of the transparent membrane 220 may be formed of the same material or may be formed of different materials and are not limited to the specific embodiment. For example, the central portion 221 is selected as a transparent material for the laser 1, and a material having sufficient hardness to support the transparent workpiece 230 may be selected. For example, the edge 222 may be selected as a stretchable material that can extend while supporting the combined weight of the central portion 221 and the transparent workpiece 230. If the laser l does not transmit the edge 222, the edge 222 may not be selected as a transparent material.

도 5는 또 다른 실시예에 따른 레이저 가공 방법을 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 6는 또 다른 실시예에 따른 투명 캐리어와 투명 가공물을 개략적으로 나타내는 평면도이다.5 is a view schematically showing a laser processing method according to another embodiment. 6 is a plan view schematically showing a transparent carrier and a transparent workpiece according to yet another embodiment.

도 5 및 도 6을 참조하면, 투명 캐리어(310)에 림(rim;320)을 부착할 수 있다. 림(320)은 투명 캐리어(310)의 하부면에 부착될 수 있다. 유연한 소재의 투명 멤브레인(330)은 림(320)에 부착될 수 있다. 투명 멤브레인(330)의 가장자리단(322) 은 림(320)에 부착되고, 투명 멤브레인(330)의 가장자리 단(322)을 제외한 나머지 영역은 림(320)과 부착되지 않을 수 있다. Referring to FIGS. 5 and 6, a rim 320 may be attached to the transparent carrier 310. The rim 320 may be attached to the lower surface of the transparent carrier 310. A transparent membrane 330 of flexible material may be attached to the rim 320. The edge section 322 of the transparent membrane 330 may be attached to the rim 320 and the area other than the edge section 322 of the transparent membrane 330 may not be attached to the rim 320.

투명 가공물(340)은 투명 멤브레인(330)의 중앙부(321)에 부착될 수 있다. 투명 가공물(340)의 무게로 인해 투명 멤브레인(330)은 아래 방향으로 연장(stretch)되며, 이로 인해 투명 가공물(340)과 투명 캐리어(310)는 적절한 거리만큼 이격 될 수 있다.The transparent workpiece 340 may be attached to the central portion 321 of the transparent membrane 330. Due to the weight of the transparent workpiece 340, the transparent membrane 330 is stretched downward, which allows the transparent workpiece 340 and the transparent carrier 310 to be spaced apart by an appropriate distance.

투명 캐리어(310), 투명 멤브레인(330), 및 투명 가공물(340)은 동일한 파장 영역의 광에 대하여 투과성 있는 소재로 형성될 수 있다. 예를 들어, 투명 캐리어(310), 투명 멤브레인(330), 및 투명 가공물(340)은 적외선 영역에 대해서 투과성 있는 소재로 형성될 수 있다. The transparent carrier 310, the transparent membrane 330, and the transparent workpiece 340 may be formed of a material that is transparent to light in the same wavelength range. For example, the transparent carrier 310, the transparent membrane 330, and the transparent workpiece 340 may be formed of a material that is transparent to the infrared region.

본 실시예에 따른 레이저 가공 방법은 투명 멤브레인(330)을 이용하여, 투명 캐리어(310)의 상단이 물에 잠기지 않은 상태를 유지하면서, 투명 가공물(340)을 용이하게, 초음파 세척기(130)의 액체(131)에 담글 수 있다. 레이저(l)는 투명 캐리어(310), 투명 멤브레인(330)을 투과하여 투명 가공물(340)에 도달 할 수 있다. 투명 멤브레인(330)은 레이저(l)의 파장 영역에 대하여 투과성이 있는 소재로 형성될 수 있다. 투명 멤브레인(330)은 투명 가공물(340)에 비해 충분히 얇은 소재로 형성될 수 있다. 투명 멤브레인(330)은 림(320) 및 투명 캐리어(310)와의 결합으로 밀폐된 내부 공간을 형성할 수 있다. 투명 멤브레인(330)은 밀폐된 내부 공간을 형성함으로써 초음파 세척기(130)의 액체(131)가 투명 가공물(340)의 상단으로 유입되는 것을 방지할 수 있다. 이에, 투명 가공물(340)의 상단에 액체(131)가 있음으로써 발생하는 산란 현상을 방지할 수 있다.The laser processing method according to the present embodiment uses the transparent membrane 330 to easily remove the transparent workpiece 340 from the ultrasonic cleaner 130 while keeping the upper end of the transparent carrier 310 immersed in water. So that it can be immersed in the liquid 131. The laser l can reach the transparent workpiece 340 through the transparent carrier 310 and the transparent membrane 330. The transparent membrane 330 may be formed of a material that is transparent to the wavelength region of the laser 1. [ The transparent membrane 330 may be formed of a material sufficiently thin compared to the transparent workpiece 340. The transparent membrane 330 may form an enclosed interior space by engagement with the rim 320 and the transparent carrier 310. The transparent membrane 330 can prevent the liquid 131 of the ultrasonic cleaner 130 from flowing into the upper portion of the transparent workpiece 340 by forming a closed internal space. Accordingly, the scattering phenomenon caused by the presence of the liquid 131 at the upper end of the transparent workpiece 340 can be prevented.

도 7은 또 다른 실시예에 따른 레이저 가공 방법을 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 7을 참조하면, 투명 캐리어(410)에 유연한 소재의 투명 멤브레인(420)을 부착하고, 투명 멤브레인(420)에 투명 가공물(430)을 부착할 수 있다. 투명 캐리어(410)는 액체(131)에 잠기지 않은 상태에서, 투명 멤브레인(420)과 투명 가공물(430)은 액체(131)에 잠기도록 투명 멤브레인(420)과 투명 가공물(430)을 지지할 수 있다. 투명 멤브레인(420)의 가장자리단(422)은 투명 캐리어(410)의 하부면과 결합될 수 있다. 예를 들어, 투명 멤브레인(420)의 가장자리단(422)의 가장 끝단은 투명 캐리어(410)의 하부면과 결합되고, 투명 멤브레인(420)의 가장자리단(222)의 나머지영역은 투명 캐리어(410)와 결합되지 않을 수 있다. 7 is a view schematically showing a laser machining method according to another embodiment. Referring to FIG. 7, a transparent material 420 of a flexible material may be attached to the transparent carrier 410, and a transparent workpiece 430 may be attached to the transparent membrane 420. The transparent carrier 410 and the transparent workpiece 430 can be supported by the liquid 131 so that the transparent film 420 and the transparent workpiece 430 are immersed in the liquid 131 in a state in which the transparent carrier 410 is not immersed in the liquid 131 have. The edge 422 of the transparent membrane 420 may be coupled to the lower surface of the transparent carrier 410. For example, the edge of the edge 422 of the transparent membrane 420 is coupled to the bottom of the transparent carrier 410, and the remaining area of the edge 222 of the transparent membrane 420 is transparent to the transparent carrier 410 ). ≪ / RTI >

투명 가공물(430)은 투명 멤브레인(420)의 중앙부(421)에 부착될 수 있다. 투명 가공물(430)의 무게로 인해 투명 멤브레인(420)은 아래 방향으로 연장(stretch)되며, 이로 인해 투명 가공물(430)과 투명 캐리어(410)는 적절한 거리만큼 이격 될 수 있다.The transparent workpiece 430 may be attached to the central portion 421 of the transparent membrane 420. Due to the weight of the transparent workpiece 430 the transparent membrane 420 is stretched downwardly so that the transparent workpiece 430 and the transparent carrier 410 can be spaced apart by a suitable distance.

투명 캐리어(410), 투명 멤브레인(420), 및 투명 가공물(430)은 동일한 파장 영역의 광에 대하여 투과성 있는 소재로 형성될 수 있다. 예를 들어, 투명 캐리어(410), 투명 멤브레인(420), 및 투명 가공물(430)은 적외선 영역에 대해서 투과성 있는 소재로 형성될 수 있다. The transparent carrier 410, the transparent membrane 420, and the transparent workpiece 430 may be formed of a material that is transparent to light in the same wavelength range. For example, the transparent carrier 410, the transparent membrane 420, and the transparent workpiece 430 may be formed of a material that is transparent to the infrared region.

본 실시예에 따른 레이저 가공 방법은 투명 가공물(430)이 액체(131)이 충분히 잠길 수 있도록 가압부재(440)을 중앙부(421) 상에 마련할 수 있다. 가압부재(440)는 투명 캐리어(410), 중앙부(421)와 마찬가지로 레이저(l)에 대하여 투과성이 있는 소재로 형성될 수 있다. 액체(131)로 인한 부력으로 인해 투명 가공물(430)이 액체(131)에 충분하게 잠기지 않는 것을 방지하도록, 가압부재(440)이 투명 가공물(430)에 압력을 가할 수 있다. 가압부재(440)는 특별한 실시예에 한정되지 않으며 광 투과성이 있으면서 추가적인 압력을 가할 수 있는 일체의 부재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 가압 부재(440)는 유리 소재나 실리콘 소재 등으로 형성될 수 있다. 또한 가압 부재(440)는 능동적으로 투명 가공물(430)을 액체(131) 방향으로 가압할 수 있는 일체의 기구 및 장비를 포함할 수도 있다. The laser processing method according to the present embodiment can provide the pressing member 440 on the central portion 421 so that the transparent workpiece 430 can sufficiently lock the liquid 131. [ The pressing member 440 may be formed of a material that is transparent to the laser 1, like the transparent carrier 410 and the central portion 421. The pressing member 440 may apply pressure to the transparent workpiece 430 to prevent the transparent workpiece 430 from being sufficiently immersed in the liquid 131 due to buoyancy due to the liquid 131. [ The pressing member 440 is not limited to a particular embodiment and may include any member that is light transmissive and can exert additional pressure. For example, the pressing member 440 may be formed of a glass material, a silicon material, or the like. The pressing member 440 may also include any mechanism and equipment capable of actively pressing the transparent workpiece 430 in the direction of the liquid 131.

투명 멤브레인(420)은 투명 캐리어(410)와의 결합으로 밀폐된 내부 공간을 형성할 수 있다. 투명 멤브레인(420)은 밀폐된 내부 공간을 형성함으로써 초음파 세척기(130)의 액체(131)가 투명 가공물(430)의 상단으로 유입되는 것을 방지할 수 있다. 이에, 투명 가공물(430)의 상단에 액체(431)가 있음으로써 발생하는 산란 현상을 방지할 수 있다. The transparent membrane 420 may form an enclosed inner space by engagement with the transparent carrier 410. The transparent membrane 420 can prevent the liquid 131 of the ultrasonic cleaner 130 from flowing into the upper end of the transparent work 430 by forming a closed internal space. Accordingly, the scattering phenomenon occurring due to the liquid 431 at the upper end of the transparent workpiece 430 can be prevented.

본 발명의 사상은 상기 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 또는 이로부터 등가적으로 변경된 모든 범위는 본 발명의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.It is to be understood that the scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments, and all ranges equivalent to or equivalent to the claims of the present invention are included in the scope of the present invention I will say.

110, 210, 310, 410 : 투명 캐리어
120, 230, 340, 430 : 투명 가공물
220, 330, 430 : 투명 멤브레인
320 : 림
440 : 가압부재
110, 210, 310, 410: transparent carrier
120, 230, 340, 430: transparent workpiece
220, 330, 430: transparent membrane
320: rim
440: pressing member

Claims (15)

투명 가공물을 투명 캐리어에 부착하는 단계;
상기 투명 가공물을 초음파 세척기에 담그는 단계;
상기 투명 가공물을 상향식(bottom-up)으로 레이저 가공하는 단계; 및
상기 투명 가공물의 가공 잔여물을 초음파 세척으로 제거하는 단계;를 포함하고,
상기 투명 가공물을 투명 캐리어에 부착하는 단계는,
상기 투명 캐리어에 유연한 소재의 투명 멤브레인을 부착하는 단계; 및
상기 투명 멤브레인에 상기 투명 가공물을 부착하는 단계;를 포함하고,
상기 투명 멤브레인은 상기 투명 가공물과 상기 투명 캐리어 사이를 이격시키는 상향식 레이저 가공방법.
Attaching a transparent workpiece to a transparent carrier;
Immersing the transparent workpiece in an ultrasonic cleaner;
Laser processing the transparent workpiece in a bottom-up manner; And
Removing the machining residue of the transparent workpiece by ultrasonic cleaning,
Wherein attaching the transparent workpiece to the transparent carrier comprises:
Attaching a transparent material of a flexible material to the transparent carrier; And
And attaching the transparent workpiece to the transparent membrane,
Wherein the transparent membrane separates the transparent workpiece from the transparent carrier.
제 1 항에 있어서,
상기 레이저 가공하는 단계는, 상기 투명 가공물의 구멍 지름이 5μm 이하가 되도록 드릴링 가공하는 상향식 레이저 가공방법.
The method according to claim 1,
Wherein the laser machining step is a drilling process so that the hole diameter of the transparent workpiece is 5 mu m or less.
제 1 항에 있어서,
상기 레이저 가공하는 단계는, 상기 투명 가공물에 포커싱되는 레이저 빔의 스폿 지름이 5μm 이하가 되도록 가공하는 상향식 레이저 가공방법.
The method according to claim 1,
Wherein the laser processing is performed such that a spot diameter of a laser beam focused on the transparent workpiece is 5 mu m or less.
제 3 항에 있어서,
상기 투명 가공물에 포커싱되는 레이저 빔의 파장이 1.0 μm 내지 3.0 μm 인 상향식 레이저 가공방법.
The method of claim 3,
Wherein the laser beam focused on the transparent workpiece has a wavelength of from 1.0 m to 3.0 m.
제 3 항에 있어서,
상기 투명 가공물에 포커싱되는 레이저 빔의 펄스폭이 1 ns 내지 10 ns 인 상향식 레이저 가공방법.
The method of claim 3,
Wherein the pulse width of the laser beam focused on the transparent workpiece is 1 ns to 10 ns.
제 3 항에 있어서,
상기 투명 가공물에 포커싱되는 레이저 빔의 스폿 면적 당 에너지가 2 J / cm2 인 상향식 레이저 가공방법.
The method of claim 3,
Wherein the energy per spot area of the laser beam focused on the transparent workpiece is 2 J / cm < 2 >.
제 1 항에 있어서,
상기 레이저 가공하는 단계는, 레이저가 상기 투명 가공물 내부의 기결정된 경로를 500 mm/s 내지 2000mm/s의 속도로 움직이며 가공하는 상향식 레이저 가공방법.
The method according to claim 1,
Wherein said laser machining is a laser machining method in which a laser moves and processes a predetermined path inside the transparent workpiece at a speed of 500 mm / s to 2000 mm / s.
제 7 항에 있어서,
상기 레이저 가공하는 단계는, 레이저가 상기 투명 가공물의 하부면과 상부면을 왕복하며 가공하는 상향식 레이저 가공방법.
8. The method of claim 7,
Wherein the laser processing is a process in which a laser is reciprocated between a lower surface and an upper surface of the transparent workpiece.
제 1 항에 있어서,
상기 초음파 세척기에 담그는 단계는, 상기 투명 캐리어의 상부면은 초음파 세척기에 잠기지 않는 상향식 레이저 가공방법.
The method according to claim 1,
Wherein the immersing in the ultrasonic cleaner is performed so that the upper surface of the transparent carrier is not immersed in the ultrasonic cleaner.
삭제delete 투명 가공물을 투명 캐리어에 부착하는 단계;
상기 투명 가공물을 초음파 세척기에 담그는 단계;
상기 투명 가공물을 상향식(bottom-up)으로 레이저 가공하는 단계; 및
상기 투명 가공물의 가공 잔여물을 초음파 세척으로 제거하는 단계;를 포함하고,
상기 투명 가공물을 투명 캐리어에 부착하는 단계는,
상기 투명 캐리어에 림(rim)을 부착하는 단계;
투명 멤브레인의 가장자리 끝단을 상기 림에 부착하는 단계; 및
상기 투명 가공물을 상기 투명 멤브레인의 중앙부에 부착하는 단계;를 포함하는 상향식 레이저 가공방법.
Attaching a transparent workpiece to a transparent carrier;
Immersing the transparent workpiece in an ultrasonic cleaner;
Laser processing the transparent workpiece in a bottom-up manner; And
Removing the machining residue of the transparent workpiece by ultrasonic cleaning,
Wherein attaching the transparent workpiece to the transparent carrier comprises:
Attaching a rim to the transparent carrier;
Attaching an edge of the transparent membrane to the rim; And
And attaching the transparent workpiece to a central portion of the transparent membrane.
제 1 항 또는 제 11항에 있어서,
상기 투명 가공물을 초음파 세척기에 담그는 단계는,
상기 투명 멤브레인과 상기 투명 가공물이 상기 초음파 세척기에 담기도록 마련되고, 상기 투명 캐리어는 상기 초음파 세척기에 담기지 않도록 마련되는 상향식 레이저 가공방법.
The method according to claim 1 or 11,
The step of immersing the transparent workpiece in an ultrasonic cleaner includes:
Wherein the transparent membrane and the transparent workpiece are contained in the ultrasonic cleaner, and the transparent carrier is not contained in the ultrasonic cleaner.
제 1 항에 있어서,
상기 투명 가공물은 실리콘 웨이퍼(Si Wafer)인 상향식 레이저 가공방법.
The method according to claim 1,
Wherein the transparent workpiece is a silicon wafer (Si wafer).
제 1 항에 있어서,
상기 투명 멤브레인을 부착하는 단계 이후에, 상기 투명 멤브레인 상에 가압 부재를 마련하는 단계;를 더 포함하는 상향식 레이저 가공방법.
The method according to claim 1,
Further comprising: after the step of attaching the transparent membrane, providing a pressing member on the transparent membrane.
제 1 항에 있어서,
상기 투명 멤브레인은 상기 투명 캐리어와 결합되어 밀폐된 공간을 형성하는 상향식 레이저 가공방법.
The method according to claim 1,
Wherein the transparent membrane is combined with the transparent carrier to form a closed space.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101625948B1 (en) * 2014-10-30 2016-05-31 서울과학기술대학교 산학협력단 Ultrasonic vibration and laser-induced backside wet etching drilling apparatus

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012183590A (en) * 2012-06-15 2012-09-27 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd Method for machining workpiece, method for dividing workpiece and laser beam machining device

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