KR101950037B1 - Developers compositions for Radiation Sensitive Compositions - Google Patents
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Abstract
본 발명은 (a) 다가 알코올류 화합물: (b) 알칼리성 화합물; (c) 계면활성제 및 (d) 물을 포함하는 감방사선성 조성물용 현상액 조성물 및 이를 이용한 액정 디스플레이 장치의 제조방법 에 관한 것이다.The present invention relates to (a) a polyhydric alcohol compound: (b) an alkaline compound; (c) a surfactant, and (d) water, and a process for producing a liquid crystal display device using the composition.
Description
본 발명은 감방사선성 조성물용 현상액 조성물 및 이를 이용한 액정표시 장치의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a developer composition for a radiation-sensitive composition and a process for producing a liquid crystal display using the same.
일반적으로 칼라 액정 디스플레이는 블랙 매트릭스 수지와 적색, 녹색, 청색 (RGB)의 픽셀을 형성한 칼라필터를 유리 등의 투명 기판 상에 형성하고, 그 위에 ITO glass와 같은 투명 도전막을 스퍼터링 법에 의해 전극으로 형성한 다음, 이 위에 배향막을 다시 형성하고 액정을 주입하는 방법으로 제조된다. In general, in a color liquid crystal display, a color filter in which pixels of a black matrix resin and red, green and blue (RGB) are formed is formed on a transparent substrate such as glass, and a transparent conductive film such as ITO glass is formed thereon by sputtering And then an alignment film is formed thereon and a liquid crystal is injected thereon.
칼라 액정 디스플레이에 사용되는 칼라필터를 형성하는 방법은 안료 분산법, 염색법, 인쇄법, 드라이 필름과 동일한 방식으로 라미네이트하는 방법 등 다양하나, 유기안료 및 무기안료를 분산시킨 감광성 조성물을 투명 기판상에 도포한 후, 광조사 및 현상 처리하는 안료 분산법이 주로 사용되고 있다. A method of forming a color filter used in a color liquid crystal display includes various methods such as a pigment dispersion method, a dyeing method, a printing method, and a method of laminating in the same manner as a dry film. However, a photosensitive composition in which organic pigments and inorganic pigments are dispersed A pigment dispersion method in which light irradiation and development processing are performed after coating is mainly used.
안료분산법은 칼라필터 화소의 위치, 막 두께의 정밀도가 높고 수명이 길며 핀홀 등의 문제가 적기 때문에 컴퓨터를 비롯한 액정디스플레이에 적용되고 있으며, 유기안료 혹은 무기안료를 분산시킨 칼라포토레지스트를 스핀(spin) 및 슬릿(slit) 코팅하여 특정한 화소의 패턴을 성형하는 방법으로 칼라 필터를 제조한다.The pigment dispersion method is applied to a liquid crystal display including a computer because the position and thickness of a color filter pixel are high and the lifetime is long and the problems such as pinholes are few. Therefore, a color photoresist in which organic pigments or inorganic pigments are dispersed is spun spin and slit coating to form a pattern of a specific pixel.
칼라필터 형성을 위한 현상처리시 일반적으로 수산화칼륨(KOH), 테트라메틸 암모늄 수산화물(TMAH) 등의 알칼리성 현상액이 사용되고 있는데, 이러한 현상액은 현상 공정에 있어서 감광성 조성물에 포함된 착색 또는 차광을 위한 유기안료 및 무기안료와 감광성 수지 성분으로 신속하게 침투하여 용해 및 분산시켜 미용해물이 잔류하지 않고 현상 잔류 및 재부착 등에 의한 잔사의 문제를 발생시키지 않아야 한다. Generally, an alkaline developing solution such as potassium hydroxide (KOH) or tetramethylammonium hydroxide (TMAH) is used in the developing process for forming a color filter. In such a developing process, the organic pigment for coloring or shielding contained in the photosensitive composition And an inorganic pigment and a photosensitive resin component so as to dissolve and disperse it, so that the undissolved product does not remain, and the problem of residue due to development residual, reattachment, and the like should not occur.
또한, 현상처리의 반복이나 공기중의 탄산가스의 흡수에 의한 현상 성능의 변화가 발생하지 않아야 하며 선명한 패턴 에지를 갖는 화소를 형성시킬 수 있어야 한다.Further, it is necessary that the development performance is not changed due to repetition of development processing or absorption of carbon dioxide gas in the air, and a pixel having a clear pattern edge should be formed.
알칼리성 현상액으로 테트라메틸 암모늄 수산화물 수용액이 폭넓게 사용되고 있으나, 이 현상액으로는 불필요한 도막을 충분히 제거시킬 수 없고 얻어지는 픽셀에 스컴이 발생할 뿐만 아니라, 우수한 패턴 에지를 갖는 픽셀을 형성하기 어렵다.Although tetramethylammonium hydroxide aqueous solution has been extensively used as an alkaline developer, it is difficult to sufficiently remove unnecessary coating film with this developer, and it is difficult to form a pixel having a good pattern edge as well as scumming in the obtained pixel.
따라서, 현상액의 성능을 향상시킬 목적으로 여러가지 계면활성제를 알칼리 성분에 첨가하는 방안이 제안되었다. 예를 들어, 일본특허공개 평11-249322호에서는 알칼리화합물로 무기 알칼리 외에 알카놀아민을 제2성분으로 사용하고 알킬(아릴, 알킬아릴)기에 폴리옥시에틸렌과 폴리옥시프로필렌을 부가한 비이온계면활성제를 사용하여 감방사선성 조성물에 함유되어 있는 안료의 농도가 높은 경우에도 미용해물이 잔존하지 않으며 스컴, 현상잔류, 재부착 등의 문제는 발생시키지 않고 선명한 패턴 에지를 갖는 화소를 형성할 수 있는 알칼리성 현상액을 개시하고 있다. 그러나, 칼라필터 제조공정의 속도를 향상시키기 위해 현상액에 침적하여 감방사선성 조성물을 현상하는 방식에서 벗어나 현상액을 감방사선성 조성물에 직접 뿌리는 스프레이 방식으로 생산공정이 변하고 있기 때문에 현상액 내에 함유되어 있는 계면활성제에 의한 다량의 기포 발생이 생산성을 저하시키는 문제점으로 이에 대한 해결방안이 모색되고 있다.Accordingly, a method of adding various surfactants to the alkali component has been proposed for the purpose of improving the performance of the developer. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-249322 discloses a method in which an alkanolamine is used as a second component in addition to an inorganic alkali as an alkaline compound, and a nonionic interface in which polyoxyethylene and polyoxypropylene are added to an alkyl (aryl, alkylaryl) When the concentration of the pigment contained in the radiation sensitive composition is high, it is possible to form a pixel having a clear pattern edge without causing any problems such as scum, development residue, re-adhesion, etc., Alkaline developing solution. However, in order to improve the speed of the color filter manufacturing process, since the manufacturing process is changed by a spray method in which the developer is dispensed directly onto the radiation-sensitive composition by deviating from the method of developing the radiation-sensitive composition by immersion in the developer, The problem that a large amount of bubbles generated by the surfactant deteriorates the productivity is being sought.
또한, 대한민국 등록특허 제 0481667호 및 대한민국 등록특허 제 0840530 호에는 포토레지스트용 현상액에 대하여 개시되어 있으나, 이 또한 계면활성제로 인한 기포가 발생하여 현상의 균일성을 떨어뜨려 생산성을 저하시키는 문제가 발생한다.Korean Patent No. 0481667 and Korean Patent Registration No. 0840530 disclose a developer for photoresist. However, since bubbles are generated due to a surfactant, the uniformity of the development is lowered and the productivity is lowered do.
상술한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 다가 알코올 화합물을 포함시켜 시간의 경과에도 안정성을 가지며, 거품에 대해 소포의 기능이 뛰어나, 전반적으로 균일하게 현상할 수 있는 감방사선성 조성물용 현상액 조성물을 제공하는데 목적이 있다.In order to solve the above-described problems, the present invention provides a developer composition for a radiation sensitive composition, which comprises a polyhydric alcohol compound and has stability over time and is capable of developing uniformly over the entire surface, The purpose is to provide.
또한, 본 발명은 상기 감방사선성 조성물용 현상액 조성물을 이용한 액정 디스플레이 장치의 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing a liquid crystal display device using the developer composition for the radiation sensitive composition.
본 발명은 (a) 다가 알코올류 화합물: (b) 알칼리성 화합물; (c) 계면활성제;및 (d) 물을 포함하는 감방사선성 조성물용 현상액 조성물을 제공한다.The present invention relates to (a) a polyhydric alcohol compound: (b) an alkaline compound; (c) a surfactant, and (d) water.
또한, 본 발명은 상기 감방사선성 조성물용 현상액 조성물을 이용한 액정 디스플레이 장치의 제조방법을 제공한다.The present invention also provides a method of manufacturing a liquid crystal display device using the developer composition for the radiation sensitive composition.
본 발명의 감방사선성 조성물용 현상액 조성물은 안료가 농도가 높은 경우에도 미용해물이 잔존하지 않으며, 시간의 경과에도 안정성을 가지며, 실험 및 보관 온도의 허용 범위가 넓다. 또한 거품에 대해 소포의 기능이 뛰어나, 현상 성능이 우수하다.The developer composition for a radiation-sensitive composition of the present invention does not remain unaltered even when the concentration of the pigment is high, has stability over time, and permits a wide range of experiment and storage temperatures. In addition, the function of the parcel against the bubble is excellent, and the developing performance is excellent.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
본 발명은 (a) 다가 알코올류 화합물: (b) 알칼리성 화합물; (c) 계면활성제 및 (d) 물을 포함하는 감방사선성 조성물용 현상액 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상기 현상액 조성물은 상기 조성물 총 중량에 대하여, (a) 다가 알코올류 화합물 1 내지 20 중량%: (b) 알칼리성 화합물 1 내지 10 중량%; (c) 계면활성제 5 내지 20 중량% 및 (d) 물 잔량을 포함하는 감방사선성 조성물용 현상액 조성물을 제공한다.The present invention relates to (a) a polyhydric alcohol compound: (b) an alkaline compound; (c) a surfactant, and (d) water. More particularly, the developer composition comprises (a) 1 to 20 wt% of a polyhydric alcohol compound %: (b) 1 to 10% by weight of an alkaline compound; (c) 5 to 20% by weight of a surfactant, and (d) a residual amount of water.
각 성분에 대하여 보다 상세하게 설명한다.Each component will be described in more detail.
(a) 다가 알코올류 화합물(a) a polyhydric alcohol compound
본 발명의 현상액 조성물에 포함되는 상기 다가 알코올류 화합물은 안료의 용해도를 높이고, 클라우딩 포인트를 증가시켜, 실험 및 보관의 온도범위를 더 폭넓게 이용할 수 있으며, 계면활성제에 의한 거품의 소포기능을 더하여, 컬러피알 현상시, 그 균일도를 높이는 역할을한다. The polyhydric alcohol compound included in the developer composition of the present invention can increase the solubility of the pigment and increase the clouding point, thereby making it possible to use the temperature range of experiment and storage more widely. In addition to the function of foaming foam by the surfactant , In the case of a color image, It plays a role.
상기 다가 알코올류 화합물은 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,3-프로판디올, 1,2-부탄디올, 1,3-부탄디올, 2,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 2-메틸-1,3-프로판디올, 글리세롤, 헥사글리세롤, 트리메틸올에탄, 트리메틸올프로판, 펜타에리스리톨, 크실리톨, 만니톨, 솔비톨, 에리스리톨, 아도니톨, 트레이톨, 아라비톨 및 탈리톨로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것이 바람직하나, 보다 바람직하게는 이가, 삼가 알코올류를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The polyhydric alcohol compound may be at least one selected from the group consisting of ethylene glycol, propylene glycol, 1,3-propanediol, 1,2-butanediol, 1,3-butanediol, 2,3-butanediol, - one selected from the group consisting of propanediol, glycerol, hexaglycerol, trimethylolethane, trimethylolpropane, pentaerythritol, xylitol, mannitol, sorbitol, erythritol, adonitol, traitol, It is preferable that the mixture is a mixture of two or more kinds. More preferably, bivalent alcohols can be used, but the present invention is not limited thereto.
상기 다가 알코올류 화합물은 조성물 총 중량에 대하여, 1 내지 20 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 5 내지 15 중량%로 포함될 수 있다. 조성물 총 중량에 대하여 1 중량% 미만으로 포함될 때에는 계면활성제에의해일어난거품의파포시간이오래걸리며, 그 거품에 의해 현상의 균일도가 떨어지는 문제가 있으며 실험 및 온도의 범위를 넓힐 수 없고, 용해도 증가효과도 누릴 수 없게 된다. 상기 다가 알코올류 화합물이 조성물 총 중량에 대하여 20 중량%를 초과하여 포함될 경우에는 알칼리성 화합물의 박리 효과를 오히려 더 떨어트릴 수 있으며, 비용 절감에 반한 한 문제가 있다.The polyhydric alcohol compound is preferably contained in an amount of 1 to 20% by weight, more preferably 5 to 15% by weight based on the total weight of the composition. When it is contained in an amount of less than 1% by weight based on the total weight of the composition It takes a long time to disperse the bubbles caused by the surfactant and there is a problem that the uniformity of development is lowered by the bubbles, and the range of the experiment and the temperature can not be widened, and the effect of increasing the solubility can not be enjoyed. When the polyhydric alcohol compound is contained in an amount of more than 20% by weight based on the total weight of the composition, the peeling effect of the alkaline compound may be further deteriorated, which is against the cost reduction.
(b) 알칼리성 화합물(b) an alkaline compound
본 발명에 포함되는 (b) 알칼리성 화합물은 무기 알칼리 화합물, 유기 알칼리 화합물 또는 이들의 혼합물을 사용하는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 무기 알칼리 화합물을 사용할 수 있다.The alkaline compound (b) contained in the present invention is preferably an inorganic alkaline compound, an organic alkaline compound or a mixture thereof, more preferably an inorganic alkaline compound.
상기 무기 알칼리 화합물은 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소나트륨, 탄산수소칼륨, 수산화칼슘 및 수산화바륨으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종이상의 혼합물인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 수산화칼륨을 사용할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.The inorganic alkaline compound is preferably a mixture of one or two or more kinds selected from the group consisting of sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium hydrogencarbonate, potassium hydrogencarbonate, calcium hydroxide and barium hydroxide, Potassium hydroxide may be used, but is not limited thereto.
상기 유기 알칼리 화합물은 테트라메틸암모늄하이드록 사이드(tetramethyl ammonium hydroxide, (CH3)4NOH),테트라에틸암모늄하이드록사이드(tetraethyl ammonium hydroxide, (C2H5)4NOH),테트라프로필암모늄하이드록사이드(tetrapropyl ammonium hydroxide, (C3H7)4NOH),테트라부틸암모늄하이드록사이드(tetrabutyl ammonium hydroxide, (C4H9)4NOH), 탄산염, 인산염 및 암모니아 등으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있다.The organic alkaline compound may be selected from the group consisting of tetramethyl ammonium hydroxide (CH 3 ) 4 NOH, tetraethyl ammonium hydroxide (C 2 H 5 ) 4 NOH, tetrapropylammonium hydroxide side (tetrapropyl ammonium hydroxide, (C 3 H 7) 4 NOH), tetrabutylammonium hydroxide (tetrabutyl ammonium hydroxide, (C 4 H 9) 4 NOH), any one selected from the group consisting of carbonates, phosphates and ammonia, Or a mixture of two or more of them may be used.
상기 알칼리성 화합물의 함량은 1 내지 10 중량%가 바람직하며, 보다 바람직하게는 4 내지 9중량%로 포함될 수 있다. 상기 알칼리성 화합물의 함량이 1 중량% 미만이면 감방사선성 조성물을 구성하는 고분자 성분에 대한 용해력이 떨어져 감방사선성 조성물을 완전하게 제거하기 어렵고, 10 중량%를 초과하면 형성된 패턴에 대한 팽윤 현상만 심해지고 무기 알칼리 금속이 석출되면서 현상액의 조성을 변화시켜 일정 조성에서는 층분리가 발생하여 성능에 악영향을 미친다.The content of the alkaline compound is preferably 1 to 10% by weight, and more preferably 4 to 9% by weight. If the content of the alkaline compound is less than 1% by weight, the solubility of the polymer component constituting the radiation-sensitive composition is lowered, and it is difficult to completely remove the radiation-sensitive composition. If the content is more than 10% by weight, As the alkali metal is precipitated, the composition of the developer is changed and the layer separation occurs at a certain composition, which adversely affects the performance.
(c) 계면활성제(c) Surfactant
본 발명의 현상액 조성물에 있어서, (c) 계면활성제는 비이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제 및 음이온성 계면활성제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 비이온성 계면활성제와 음이온성 계면활성제를 혼합하여 사용하는 것이 바람직하며, 비이온성 계면활성제를 사용하는 것이 가장 바람직하다.In the developer composition of the present invention, the surfactant (c) is preferably one or more kinds selected from the group consisting of a nonionic surfactant, a cationic surfactant and an anionic surfactant, more preferably a nonionic It is preferable to use a mixture of a surfactant and an anionic surfactant, and it is most preferable to use a nonionic surfactant.
상기 비이온성 계면활성제로는 폴리옥시에틸에테르, 폴리옥시프로필에테르, 폴리옥시에틸옥틸페닐에테르, 폴리옥시프로필옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸프로필에테르, 폴리옥시에틸프로필옥틸페닐에테르 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있고, As the nonionic surfactant, polyoxyethyl ether, polyoxypropyl ether, polyoxyethyl octyl phenyl ether, polyoxypropyl octyl phenyl ether, polyoxyethyl propyl ether, polyoxyethyl propyl octyl phenyl ether or a mixture thereof may be used Can,
상기 양이온성 계면활성제로는 고급 알킬트리메틸암모늄 수산화물 또는 그의 암모늄염, 디알킬디메틸암모늄 수산화물 또는 그의 암모늄염(디알킬 중 적어도 하나는 고급 알킬임), 벤질이미다졸리늄 수산화물 또는 그의 이미다졸리늄염, 알킬벤질디메틸암모늄 수산화물 또는 그의 암모늄염, 벤질피리디늄 수산화물 또는 그의 피리디늄염, 벤질트리알킬암모늄 수산화물 또는 그의 암모늄염, 알킬피리디늄 수산화물 또는 그의 피리디늄염, 폴리옥시에틸렌알킬벤질암모늄 수산화물 또는 그의 암모늄염, 폴리옥시에틸렌알킬트리알킬암모늄 수산화물 또는 그의 암모늄염 등을 사용할 수 있으며,Examples of the cationic surfactant include high-alkyl trimethylammonium hydroxide or its ammonium salt, dialkyldimethylammonium hydroxide or its ammonium salt (at least one of the dialkyl is higher alkyl), benzylimidazolinium hydroxide or imidazolinium salt thereof, alkyl Benzyldimethylammonium hydroxide or its ammonium salt, benzylpyridinium hydroxide or its pyridinium salt, benzyltrialkylammonium hydroxide or its ammonium salt, alkylpyridinium hydroxide or its pyridinium salt, polyoxyethylene alkylbenzylammonium hydroxide or its ammonium salt, polyoxy Ethylene alkyltrialkylammonium hydroxide or an ammonium salt thereof, and the like,
상기 음이온성 계면활성제로는 소듐 라우레이트 설페이트 등의 알킬설페이트 나트륨을 사용할 수 있다. As the anionic surfactant, sodium alkylsulfate such as sodium laurate sulfate may be used.
상기 계면활성제는 단독 또는 2종이상 혼합하여 사용할 수 있다.The surfactants may be used alone or in combination of two or more.
상기 계면활성제의 함량은 조성물에 총 중량에 대하여 5 내지 20중량%인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 8내지 15 중량%로 포함될 수 있다. 상기 계면활성제의 함량이 5 중량% 미만인 경우에는 레지스트에 대한 현상액의 젖음성이 낮아 현상 성능이 떨어지며, 20 중량%를 초과하는 경우에는 현상액의 젖음성이 너무 커서 노광부의 레지스트 표면을 깎아 낼 수 있으며, 현상 후 깨끗이 세정되지 않고 기판에 잔류하는 문제점이 있다. The content of the surfactant is preferably 5 to 20% by weight, more preferably 8 to 15% by weight based on the total weight of the composition. If the content of the surfactant is less than 5% by weight, the developing performance of the developer is low due to low wettability with respect to the resist, and if it exceeds 20% by weight, the wettability of the developer is too large, There is a problem in that it remains on the substrate without being cleaned and cleaned.
(d) 물(d) Water
본 발명에서 사용되는 물은 조성물 총 중량이 100%가 되도록 잔량 포함된다. 상기 물은 탈이온 증류수인 것이 바람직하고, 상기 탈이온 증류수는 반도체 공정용을 사용하며, 바람직하게는 비저항값이 18㏁/㎝ 이상이다.Water used in the present invention is contained in such an amount that the total weight of the composition is 100%. The water is preferably deionized distilled water, and the deionized distilled water is used for a semiconductor process, and preferably has a resistivity value of 18 MΩ / cm or more.
본 발명에 따른 현상액이 적용되는 현상 방법은 특별히 한정되지 않으며, 침지 현상법, 요동 현상법, 샤워·스프레이 현상법, 퍼들 현상법 등의 방법에 적용될 수 있다. 본 발명의 현상액은 형성된 도막을 현상할 때 매우 유용한 것으로서, 현상 성능에 대한 시간 경과에 따른 안정성이 우수할 뿐만 아니라, 블랙 매트릭스, 포토 레지시트 와 같이 조사된 빛에 대한 투과율이 낮은 감광성 조성물을 이용하여 칼라 필터의 제조시에도 불필요한 미립자와 수지 성분을 충분히 분산, 용해시킬 수 있다. 또한, 현상 잔여물이 생기지 않으며 기판 위에 유기안료, 무기안료나 수지가 재부착되지 않을 뿐만 아니라, 픽셀이 누락되거나 막이 벗겨지는 등의 문제가 없는 기판과의 밀착이 매우 우수한 픽셀을 형성할 수 있다. The developing method to which the developer according to the present invention is applied is not particularly limited and can be applied to methods such as an immersion development method, a rocking development method, a shower spray development method, and a puddle development method. The developer of the present invention is very useful when developing a coated film, and is excellent in stability over time with respect to developing performance, and can also be used as a photosensitive composition having a low transmittance to light irradiated such as a black matrix and a photoresist sheet So that unnecessary fine particles and resin components can be sufficiently dispersed and dissolved even in the production of the color filter. In addition, it is possible to form a pixel which is very close to a substrate which does not cause development residue, does not re-adhere organic pigments, inorganic pigments or resins on the substrate, and does not cause problems such as missing pixels or peeling off the film .
또한, 본 발명은 본 발명의 감방사선성 조성물용 현상액 조성물을 이용한 액정 디스플레이 장치의 제조방법을 제공할 수 있다.In addition, the present invention can provide a method of manufacturing a liquid crystal display device using the developer composition for a radiation sensitive composition of the present invention.
상기 액정 디스플레이 장치의 제조방법은 일반적으로 현상공정을 포함할 수 있다. 상기 현상 공정은 당 업계에서 일반적인 방법이면 가능하나,The manufacturing method of the liquid crystal display device may generally include a developing process. The above-described development process can be carried out by a general method in the art,
(1) 도전성 물질이 노출되어 있는 기판에 감광성 조성물을 도포하여, 도막을 형성하는 도포 공정; (1) a coating step of applying a photosensitive composition to a substrate on which a conductive material is exposed to form a coating film;
(2) 상기 (1) 에서 얻어진 도막을 패턴 노광시키는 노광 공정; 및 (2) an exposure step of pattern-exposing the coating film obtained in (1) above; And
(3) 상기 (2) 에서 노광된 도막을, 본 발명에 따른 감방사선성 조성물용 현상액 조성물에 의해 현상하여, 기판 상에 패턴을 형성하는 현상 공정인 것이 바람직하다.(3) It is preferable that the coating film exposed in (2) above is developed with a developer composition for a radiation sensitive composition according to the present invention, and a pattern is formed on the substrate.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples. However, the following examples are intended to further illustrate the present invention, and the scope of the present invention is not limited by the following examples. The following examples can be appropriately modified and changed by those skilled in the art within the scope of the present invention.
실시예Example 1 One 내지5To 5 및 And 비교예Comparative Example 1 내지 5 1 to 5
하기 표 1에 기재된 성분을 해당 조성비로 혼합하여 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 5의 감방사선성 조성물용 현상액 조성물을 제조하였다.
The components shown in Table 1 were mixed in the composition ratios to prepare the developer compositions for the radiation sensitive compositions of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 5.
a) 1,4-부탄디올 a) 1,4-butanediol
b) 에틸렌글리콜b) Ethylene glycol
c) 트리메틸올에탄c) Trimethylol ethane
d) 화학식1 의 계면활성제 (Emulgen A-60)d) Surfactant of formula (1) (Emulgen A-60)
[화학식1] [Chemical Formula 1]
실험예Experimental Example 1. 기포성 평가 1. Foamability evaluation
상기 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 5로부터 제조된 현상액 조성물을 100배 희석하여 20ml 실린더에 버블링 후 기포가 완전히 사라질 때까지 걸리는 시간을 측정하였다.
The developer compositions prepared in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 5 were diluted 100 times and bubbled into a 20 ml cylinder, and the time taken until the bubbles completely disappeared was measured.
실험예Experimental Example 2. 경시 안정성 평가 2. Evaluation of stability over time
상기 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 5의 현상액 조성물의 원액을 상온 (23도/30일)과 고온 (40도/7일)에서 각각 보존한 후, 현상액 조성물 원액의 외관 성상을 육안으로 평가하여 제조한 약액의 색변화 또는 클라우딩 현상이나 상분리되는 현상이 나타나는 경우의 날짜를 측정하여 기록하였다.
After preserving the stock solutions of the developer compositions of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 5 at room temperature (23 degrees / 30 days) and high temperature (40 degrees / 7 days), the appearance of the developer composition solution was visually observed The date when color change, clouding phenomenon, or phase separation phenomenon of the chemical solution produced by evaluation was observed was measured and recorded.
실험예3Experimental Example 3 . 현상 평가. Evaluation
유리 기판 위에 스핀코터를 이용하여 레지스트를 최종 막두께 (2.2um)가 되도록 스핀 코팅한 후, 100도 오븐에서 3분간 프리베이크를 실시 하였다. 이어서 150mJ/cm2의 노광량으로 노광한 후 현상력 시험을 위한 시편을 제조하였다.The resist was spin-coated on the glass substrate to a final film thickness (2.2 μm) using a spin coater, and then pre-baked in a 100 ° C. oven for 3 minutes. Then, after exposure at an exposure dose of 150 mJ / cm < 2 >, a specimen for a developing force test was prepared.
상기 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 5의 현상액 조성물을 100배 희석하여 23도에서 80초 동안 현상 후 상기 시편을 꺼내어 초순수에 린스를 실시하였다. 질소가스로 건조시킨 후 230도 오븐에서 20분간 하드베이크를 실시 하였다.The developer compositions of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 5 were diluted 100-fold and developed at 23 ° C for 80 seconds. After that, the specimens were taken out and rinsed with ultrapure water. After drying with nitrogen gas, hard baking was carried out in a 230 degree oven for 20 minutes.
상기 현상된 시편을 전자현미경으로 검사하여 형성된 패턴 주변의 비노광부의 잔류 여부 및 레지스트의 패턴 에지를 평가하고 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다. 매우 양호는 ◎, 양호는 ○, 불량은 ×로 표시하였다. The developed specimens were inspected with an electron microscope to determine whether the unexposed portions around the formed pattern remained and the pattern edge of the resist. The results are shown in Table 2 below. Very good is indicated by?, Good is indicated by?, And defective is represented by 占.
상기 표 2에 기재된 바와 같이, 실시예의 현상액 조성물을 사용할 경우 비교예 현상액 조성물을 사용하는 것 보다 소포의 기능이 뛰어나며, 상온 및 고온에서 모두 시간에 따른 변화가 없어 안정성이 우수하고, 현상 성능이 우수하다.As shown in Table 2, when the developer composition of the Example was used, the function of the vesicle was superior to the use of the developer composition of the Comparative Example, and the stability was excellent due to no change with time at room temperature and high temperature, Do.
Claims (8)
(a) 다가 알코올류 화합물 1 내지 20 중량%;
(b) 무기 알칼리성 화합물 1 내지 10 중량%;
(c) 비이온성 계면활성제 5 내지 20 중량%; 및
(d) 물을 상기 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 포함하는 것을 특징으로 하는, 현상 성능이 우수한 감방사선성 조성물용 현상액 조성물.About the total weight of the composition
(a) 1 to 20% by weight of a polyhydric alcohol compound;
(b) 1 to 10% by weight of an inorganic alkaline compound;
(c) 5 to 20% by weight of a nonionic surfactant; And
(d) water, wherein the total weight of the composition is 100% by weight.
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3417432B2 (en) * | 1994-12-08 | 2003-06-16 | 東京応化工業株式会社 | Developer composition for resist |
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Family Cites Families (5)
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|---|---|---|---|---|
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3417432B2 (en) * | 1994-12-08 | 2003-06-16 | 東京応化工業株式会社 | Developer composition for resist |
| JP2005196143A (en) * | 2003-12-03 | 2005-07-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | Developing solution for photosensitive planographic printing plate |
| JP2011191734A (en) * | 2009-12-25 | 2011-09-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Developing solution for photolithography and method for forming resist pattern |
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