KR101949721B1 - 발광모듈 - Google Patents

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Abstract

발광모듈이 개시되며, 상기 발광모듈은 메탈 베이스층, 홀 영역을 포함하며, 상기 메탈 베이스층의 상부에 적층되어, 상기 홀 영역을 통해 상기 메탈 베이스층의 상부면을 노출시키는 비전도성 물질층, 상기 홀 영역에 수용되어 상기 메탈 베이스층의 상부면에 부착되는 슬러그, 상기 슬러그의 상부면에 부착되는 발광 칩, 상기 홀 영역의 하부에서 상기 비전도성 물질층의 상부면까지 연장 돌출되는 리드부를 포함할 수 있다.

Description

발광모듈{LIGHT EMITTING MODULE}
본원은 발광모듈에 관한 것으로, 방열 효율 및 입광 효율을 향상시킬 수 있는 발광모듈에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Device, 이하 "LED"라고 함)는 광전소자의 일종으로써, p-n 접합을 포함한 복수의 반도체층으로 이루어지는 발광구조물을 포함하여, 전기에너지를 광 에너지로 방출한다.
이러한 LED는, 기존의 전구 또는 형광등에 비해 소모 전력이 작고 수명이 길어, 백열 전구 및 형광등을 대체하여 일반 조명 용도로 그 사용 영역을 넓히고 있다.
LED는 회로기판상에 LED를 패키지 레벨 또는 칩 레벨로 실장하여 발광모듈을 구성하며, 이러한 발광모듈은 조명설비 또는 BLU(Back Light Unit) 등에 이용된다.
LED는 발광 동작 중 많은 열을 발생하여 발광모듈 제작시 방열 문제에 대한 충분한 고려가 필요하다. 발광모듈은 LED칩에서 발생한 열에 의해 발광 성능 및 수명에 직접적인 영향을 받는다. 그 이유는 LED 칩에서 발생되는 지속적인 열이 LED칩을 이루는 결정 구조에 전위(dislocation) 및 부정합(mismatch)을 일으키기 때문이다.
더욱이, 근래에는 고출력의 발광 모듈이 개발되고 있는데, 이러한 고출력 발광 모듈은 고전압 환경에서 동작하고 그러한 고전압으로 인해 LED칩에서 더욱 많은 열이 발생하게 되므로, 발생된 열을 효과적으로 방출시키기 위한 방안이 요구된다. 이러한 방안의 하나로 방열 성능이 좋은 금속기판을 포함하는 회로기판, 즉, 메탈 인쇄회로기판(Metal Printed Circuit Board; 이하 "MPCB"라고 함)을 이용하는 것이 있다.
종래의 발광모듈에서는 방열을 위해서 열 전달 특성이 좋은 메탈 인쇄회로기판(이하, "MPCB"라 함)을 많이 사용하고 있다.
도 1 은 종래 메탈 MPCB를 사용하는 발광모듈의 측면도로서, MPCB(20) 상부면에 LED 패키지(10)가 부착된 발광모듈을 개략적으로 도시하였다.
일반적으로, 발광모듈에 사용되는 MPCB(20)는 구리층(21), 절연층(22) 및 알루미늄층(23)을 포함하며, 구리층(21)의 상부면에는 LED 패키지(10)가 탑재된다. 구리층(21)에 전원이 인가되면, 구리층(21)에 전기적으로 연결되는 LED 패키지(10)의 전극에 전원이 인가되어 LED 패키지(10)가 구동된다.
이러한 전기적인 동작에 있어서, 구리층(21)과 알루미늄층(23)은 절연층(22)에 의해 절연 상태를 유지하는데, 절연층(22)은 열전도율이 취약하여 LED 패키지(10)에서 발생하는 열 방출을 저해하는 문제점이 있다.
또한, 이러한 절연층(22)의 열전도율 취약으로 인해 열 방출이 저해되면서 절연층(22)이 파괴되는 현상이 발생할 수 있다.
특히, 교류 고전압이 MPCB(20)로 직접 인가되는 경우에는 절연층(22)의 파괴 가능성이 높아진다.
본원은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 방열 효율 및입광 효율을 이용하여 이 향상된 발광모듈을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본원의 제1 측면에 따른 발광모듈은, 메탈 베이스층, 홀 영역을 포함하며, 상기 메탈 베이스층의 상부에 적층되어, 상기 홀 영역을 통해 상기 메탈 베이스층의 상부면을 노출시키는 비전도성 물질층, 상기 홀 영역에 수용되어 상기 메탈 베이스층의 상부면에 부착되는 슬러그, 상기 슬러그의 상부면에 부착되는 발광 칩, 상기 홀 영역의 하부에서 상기 비전도성 물질층의 상부면까지 연장 돌출되는 리드부를 포함할 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 리드부 중 상기 비전도성 물질층의 상부면으로 돌출된 돌출영역의 하부면은 상기 비전도성 물질층의 상부면에 부착될 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 리드부의 돌출영역의 상부면에 도광판 및 렌즈 중 어느 하나가 적층되어, 상기 도광판 및 렌즈 중 어느 하나와 상기 비전도성 물질층이 이격되도록 형성될 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 비전도성 물질층의 하부면과 상기 메탈 베이스층의 상부면 사이에 개재된 접착층을 더 포함할 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 접착층은 솔더 크림일 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 비전도성 물질층은 XPC, XXPC, XXXPC, FR1, FR2, FR3, FR4, G10, CEM1, CEM2, CEM3 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 리드부는 와이어에 의해 상기 발광 칩과 연결될 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 메탈 베이스층은 구리, 알루미늄, 마그네슘 및 철 중 어느 하나일 수 있다.
한편, 본원의 제2 측면에 따른 발광모듈은, 메탈 베이스층, 홀 영역을 포함하며, 상기 메탈 베이스층의 상부에 적층되어, 상기 홀 영역을 통해 상기 메탈 베이스층의 상부면을 노출시키는 비전도성 물질층, 상기 홀 영역에 수용되어 상기 메탈 베이스층의 상부면에 부착되는 슬러그, 상기 슬러그의 상부면에 부착되는 발광 칩, 상기 홀 영역의 하부에서 상기 비전도성 물질층의 상부까지 연장되는 리드부를 포함하되, 상기 홀 영역은 상기 비전도성 물질층을 관통하여 형성되는 제 1 홀 영역과, 상기 제 1 홀 영역으로부터 확장되며, 상기 비전도성 물질층의 상부면으로부터 오목하게 형성되는 제 2 홀 영역을 포함할 수 있다.
또한, 상기 리드부는 상기 비전도성 물질층의 상기 제1 홀 영역에 수용되는 제 1 리드 영역과 상기 제 2 홀 영역에 수용되는 제 2 리드 영역을 가질 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 제 2 홀 영역의 깊이는 상기 리드부의 상기 제 2 리드 영역의 두께 이상일 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 비전도성 물질층의 상부면에는 도광판 및 렌즈 중 어느 하나가 적층되어, 상기 도광판 및 렌즈 중 어느 하나와 상기 비전도성 물질층이 접합될 수 있다.
전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 발광 칩의 하부에 슬러그를 부착하고 슬러그를 메탈 베이스층의 상부면에 부착함으로써, 발광 칩에서 발생하는 열을 메탈 베이스층을 통해 방출하여 방열 효과를 높일 수 있다.
또한, 방열 효과가 높아짐에 따라 제품의 수명을 연장시킬 수 있다.
더하여, 리드부의 일부 영역을 비전도성 물질층의 상부면에 돌출 연장함으로써, 비전도성 물질층의 상부에 도광판 또는 렌즈가 부착될 때 리드부가 완충 작용을 할 수 있다.
더하여, 리드부를 비전도성 물질층에 표면 실장함으로써, 비전도성 물질층의 상부에 도광판 또는 렌즈가 접합되어 제로갭을 실현할 수 있으며, 제로갭으로 인해 입광 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1 은 종래 메탈 PCB를 사용하는 발광모듈의 측면도이다.
도 2 는 본원의 제 1 실시예에 따른 발광모듈의 분해 사시도이다.
도 3 은 도 2 의 조립도이다.
도 4 는 도 3 의 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도이다.
도 5 는 도 4 의 발광모듈에 도광판이 부착된 도면이다.
도 6 은 도 4 의 발광모듈에 렌즈가 부착된 도면이다.
도 7 은 본원의 제 2 실시예에 따른 발광모듈의 분해 사시도이다.
도 8 은 도 7 의 조립도이다.
도 9 는 도 8 의 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도이다.
도 9 는 도 8 의 발광모듈에 도광판이 부착된 도면이다.
도 10 은 도 8 의 발광모듈에 렌즈가 부착된 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "~(하는) 단계" 또는 "~의 단계"는 "~ 를 위한 단계"를 의미하지 않는다.
본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 “이들의 조합”의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.
도 2 는 본원의 제 1 실시예에 따른 발광모듈의 분해 사시도이고, 도 3 은 도 2 의 조립도이고, 도 4 는 도 3 의 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도이다.
도2 내지 도 4 에 도시된 바와 같이, 본원의 제 1 실시예에 따른 발광모듈(200)은 발광 패키지(100), 메탈 베이스층(210), 접착층(230), 비전도성 물질층(250)을 포함한다. 발광 패키지(100)는 슬러그(120), 리드부(130) 및 하우징(140)을 포함한다.
메탈 베이스층(210)은 발광 패키지(100)의 하부에 연결되어 발광 칩(110)에서 발생되는 열을 방사하는 히트 싱크(heat sink) 기능을 수행하는 것으로, 바람직하게는 구리, 알루미늄, 마그네슘 및 철 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
메탈 베이스층(210)의 상부면에는 메탈 베이스층(210)의 단면적보다 작은 단면적을 가지는 슬러그(120)가 부착된다.
메탈 베이스층(210)의 상부면 중 슬러그(120)가 형성된 영역을 제외한 영역 중 일부 영역에 접착층(230)이 형성된다.
본원에서는 접착층(230)을 솔더크림(solder paste)과 같은 절연 성분이 없는 일반적인 접착층으로 사용할 수 있다.
접착층(230)은 메탈 베이스층(210)의 상부면 중 비전도성 물질층(250)이 부착되는 영역에만 도포될 수도 있다. 이때, 접착층(230)은 비전도성 물질층(250)의 접합면과 동일한 형상 및 크기로 도포될 수 있다.
본원에서는 비전도성 물질층(250)과 메탈 베이스층(210) 사이에 접착층(230)을 개재하여, 비전도성 물질층(250)과 메탈 베이스층(210)이 접착층(230)에 의해 보다 견고하게 연결될 수 있다.
솔더크림은 합금과 플럭스 성분이 혼합된 형태로서, 솔더크림의 플러스 성분은 메탈 베이스층(210)과 비전도성 물질층(250)이 결합되는 과정에서 열처리에 의해 제거되고, 합금 성분만 남게 된다. 따라서, 본원에서는 접착층(230)으로 솔더크림을 사용함으로서, 접착층(230)을 통해 열 방출이 가능하다.
비전도성 물질층(250)은 메탈 베이스층(210)의 상부에 접착층(230)에 의해 적층되며, 메탈 베이스층(210)의 상부면을 노출시킬 수 있는 홀 영역(251)을 포함한다. 또한, 비전도성 물질층(250) 내부 또는 외면에는 회로 패턴이 형성될 수 있다.
홀 영역(251)에 의해 노출되는 메탈 베이스층(210)의 상부면에는 슬러그(120)가 부착되고, 슬러그(120)의 상부면에는 발광 칩(110)이 부착된다.
따라서, 홀 영역(251)은 슬러그(120) 및 발광 칩(110)을 감싸도록 수용한다.
비전도성 물질층(250)은 전도성이 없는 재료로서, XPC, XXPC, XXXPC, FR1, FR2, FR3, FR4, G10, CEM1, CEM2, CEM3 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
발광 칩(110)은 슬러그(120)의 상부면에 부착되며, 와이어에 의해 리드부(130)와 전기적으로 연결되어 있다.
발광 칩(110)은 전류 인가에 의해 P-N 접합(P-N junction)에서 전자와 정공이 만나 빛을 방사하는 소자이다.
슬러그(120)의 상부면에는 발광 칩(110)이 부착되며, 슬러그(120)는 발광 칩(110)으로부터 발생되는 열을 메탈 베이스층(210)으로 방출하는 역할을 한다.
따라서, 슬러그(120)는 열전도도가 높은 알루미늄, 구리 등과 같은 금속물질로 이루어질 수 있다.
리드부(130)는 홀 영역(251)의 측면을 따라 홀 영역(251)의 하부에서 비전도성 물질층(250)의 상부면까지 연장 돌출된다. 본원의 제 1 실시예에서는 설명의 편의상 비전도성 물질층(250)의 상부면으로 돌출되는 리드부(130)의 일부를 "돌출영역"이라 한다. 돌출영역의 하부면은 비전도성 물질층(250)의 상부면에 부착된다.
여기서, 돌출영역의 상부면은 돌출영역의 상부에 부가되는 추가적인 부품과 발광 칩(110) 사이의 간섭이 없도록, 발광 칩(110)의 상부면보다 높게 형성될 수 있다.
리드부(130) 중 홀 영역(251)에 수용되는 영역은 슬러그(120)와 이격 설치되며, 리드부(130)는 비전도성 물질층(250)에 형성된 회로 패턴과 전기적으로 연결되어 있으며, 외부 전원과 연결된다.
하우징(140)은 홀 영역(251)에 수용되며, 리드부(130)를 지지하면서 발광 칩(110)을 보호한다. 리드부(130)는 하우징(140)에 의해 고정되며, 하우징(140)에 의해 발광 칩(110)과 리드부(130)는 이격 설치될 수 있다.
하우징(140)은 전기 또는 열을 전달하지 않는 소재로 형성된다.
홀 영역(251)에서 리드부(130), 발광 칩(110)이 실장된 영역을 제외한 영역에는 봉지재가 충진될 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 리드부(130)는 발광 칩(110)과 와이어(Wire)에 의해 연결되어 있으며, 발광 칩(110)은 리드부(130)를 통해 인가되는 전원에 의해 구동된다.
도 5 는 도 4 의 발광모듈에 도광판이 부착된 도면이고, 도 6 은 도 4 의 발광모듈에 렌즈가 부착된 도면이다.
도 5 및 도 6 에 도시된 바와 같이, 본원의 제 1 실시예에 따른 발광모듈에서는 리드부(130)의 돌출영역의 상부면에 도광판(400) 또는 렌즈(500)가 부착될 수 있다.
이때, 본원의 제 1 실시예에서는 리드부(130)의 일부(돌출영역)가 비전도성 물질층(250)의 상부면에 부착되고, 도광판 (400) 또는 렌즈(500)가 리드부(130)의 돌출영역에 부착됨으로써, 도광판(400) 또는 렌즈(500)는 비전도성 물질층(250)과 이격된다.
따라서, 본원의 제 1 실시예에서는 리드부(130)가 도광판(400) 또는 렌즈(500)와 비전도성 물질층(250) 사이에서 완충 작용을 할 수 있다.
도 2 내지 도 6 에서는 리드부(130)의 돌출영역이 비전도성 물질층(250)의 상부면 중 일부에 부착된 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않고 리드부(130)의 돌출영역은 연장되어 비전도성 물질층(250)의 상부면 전체를 덮을 수도 있다.
상기한 바와 같이, 본원의 제 1 실시예에 따른 발광모듈(200)에서는 발광 칩(110)의 하부에 슬러그(120)를 부착하고, 슬러그(120)를 메탈 베이스층(210)의 상부면에 직접 부착함으로써, 발광 칩(110)에서 발생하는 열을 메탈 베이스층(210)을 통해 방출하여 방열 효과 향상 및 제품의 수명 연장이 가능하다.
또한, 비전도성 물질층(250)의 상부면으로 돌출 연장된 리드부(250)의 돌출영역에 의해, 충격 흡수를 통한 내구성 향상이 가능하고, 발광 칩(110)과 도광판(400) 또는 렌즈(500) 사이의 간섭을 방지할 수 있다.
더하여, 본원의 제 1 실시예에서는 비전도성 물질층(250)의 홀 영역(251)에 발광 패키지(100)를 수용함으로써, 제로 갭을 실현하여 입광 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본원의 제 1 실시예에서는 방열 효과를 높여 제품의 수명을 연장시킬 수 있다.
도 7 은 본원의 제 2 실시예에 따른 발광모듈의 분해 사시도이고, 도 8 은 도 7 의 조립도이고, 도 9 는 도 8 의 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도이다.
도 7 내지 도 9 에 도시된 바와 같이, 본원의 제 2 실시예에 따른 발광모듈(300)은 발광 패키지(100), 메탈 베이스층(310), 접착층(330) 및 비전도성 물질층(350)을 포함한다. 발광 패키지(100)는 발광 칩(110), 슬러그(120), 리드부(130) 및 하우징(140)을 포함한다.
본원의 제 2 실시예에 따른 발광모듈(300)의 발광 칩(110), 메탈 베이스층(310), 접착층(330)은 본원의 제 1 실시예에 따른 발광모듈(200)의 구성과 동일하므로, 이에 대한 구체적인 설명은 생략하도록 한다.
비전도성 물질층(350)은 메탈 베이스층(310)의 상부에 접착층(330)에 의해 적층되며, 메탈 베이스층(310)의 상부면을 노출시킬 수 있는 제 1 홀 영역(351)과 제 1 홀 영역(351)으로부터 확장되며 비전도성 물질층(350)의 상부면으로부터 오목하게 형성되는 제 2 홀 영역(352)을 포함한다.
이때, 제 2 홀 영역(352)의 깊이(D2)는 제 1 홀 영역(351)의 깊이 (D1) 보다 작다.
슬러그(120)의 상부면에는 발광 칩(110)이 부착되므로, 제 1 홀 영역(351)의 깊이(D1)는 슬러그(120)의 두께 및 발광 칩(110)의 두께를 합친 것보다 커야 한다.
리드부(130)는 제1 홀 영역(351)에 수용되는 제 1 리드 영역(131)과 제 2 홀 영역(352)에 수용되는 제 2 리드 영역(132)으로 구분된다.
제 1 리드 영역(131)은 슬러그(120)와 이격 설치되어 있으며, 도 9와 같이 제 1 리드 영역(131)은 와이어(Wire)에 의해 발광 칩(110)과 연결된다.
도 9 에서는 제 2 홀 영역(352)이 제 2 리드 영역(132)을 정확하게 수용하는 것을 나타내기 위해서 제 2 홀 영역(352)의 깊이(D2)를 제 2 리드 영역(132)의 두께와 동일하게 도시하였으나, 이에 한정되지 않고 제 2 홀 영역(352)의 깊이(D2)는 제 2 리드 영역(132)을 수용할 수 있는 두께 이상일 수 있다.
도 9 는 도 8 의 발광모듈에 도광판이 부착된 도면이고, 도 10 은 도 8 의 발광모듈에 렌즈가 부착된 도면이다.
도 9 및 도 10 에 도시된 바와 같이, 본원의 제 2 실시예에 따른 발광모듈에서는 리드부(130)가 비전도성 물질층(350)에 표면 실장되어 있어, 도광판(400) 및 렌즈(500)는 비전도성 물질층(350)의 상부면과 접합될 수 있다.
이때, 본원의 제 2 실시예에서는 제 2 홀 영역(352)에 제 2 리드 영역(132)이 수용되어 도광판(400) 또는 렌즈(500)가 비전도성 물질층(350)의 상부에 바로 접합될 수 있다. 따라서, 본원의 제 2 실시예에서는 도광판(400) 또는 렌즈(500)와 발광 패키지(100) 사이의 거리를 최소화함으로써, 제로갭을 실현하여 입광 효율을 향상시킬 수 있다.
상기한 바와 같이, 본원의 제 2 실시예에 따른 발광모듈(300)에서는 발광 칩(110)의 하부에 슬러그(120)를 부착하고, 슬러그(120)를 메탈 베이스층(310)의 상부면에 직접 부착함으로써, 발광 칩(110)에서 발생하는 열을 메탈 베이스층(210)을 통해 방출하여 방열 효과 향상 및 제품의 수명 연장이 가능하다.
또한, 비전도성 물질층(350)의 상부면에 도광판(400) 또는 렌즈(500)를 접합하여, 제로갭을 실현할 수 있다.
본원에서는 제로갭을 실현함으로써, 입광 효율을 향상시킬 수 있다.
전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100: 발광 패키지
110: 발광 칩
120: 슬러그
130: 리드부
140: 하우징
200, 300: 발광모듈
210, 310: 메탈 베이스층
230, 330: 접착층
250, 350: 비전도성 물질층
400: 도광판
500: 렌즈

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  9. 발광모듈에 있어서,
    메탈 베이스층,
    홀 영역을 포함하며, 상기 메탈 베이스층의 상부에 적층되어, 상기 홀 영역을 통해 상기 메탈 베이스층의 상부면을 노출시키는 비전도성 물질층,
    상기 홀 영역에 수용되어 상기 메탈 베이스층의 상부면에 부착되는 슬러그,
    상기 슬러그의 상부면에 부착되는 발광 칩, 및
    상기 홀 영역의 하부에서 상기 비전도성 물질층의 상부까지 연장되는 리드부를 포함하되,
    상기 홀 영역은,
    상기 비전도성 물질층을 관통하여 형성되는 제 1 홀 영역, 및
    상기 제 1 홀 영역으로부터 확장되며, 상기 비전도성 물질층의 상부면으로부터 오목하게 형성되는 제 2 홀 영역을 포함하며,
    상기 리드부는,
    상기 비전도성 물질층의 상기 제1 홀 영역에 수용되는 제 1 리드 영역과 상기 제 2 홀 영역에 수용되는 제 2 리드 영역을 갖는 발광모듈.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제 2 홀 영역의 깊이는 상기 리드부의 상기 제 2 리드 영역의 두께 이상인 발광모듈.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 비전도성 물질층의 상부면에는 도광판 및 렌즈 중 어느 하나가 적층되어, 상기 도광판 및 렌즈 중 어느 하나와 상기 비전도성 물질층이 접합되도록 형성되는 발광모듈.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 비전도성 물질층의 하부면과 상기 메탈 베이스층의 상부면 사이에 개재된 접착층을 더 포함하는 발광모듈.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 접착층은 솔더크림으로 이루어진 발광모듈.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 비전도성 물질층은 XPC, XXPC, XXXPC, FR1, FR2, FR3, FR4, G10, CEM1, CEM2, CEM3 중 어느 하나로 이루어진 발광모듈.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 리드부의 제 1 리드 영역은 와이어에 의해 상기 발광 칩과 연결되는 발광모듈.
  16. 제9항에 있어서,
    상기 메탈 베이스층은 구리, 알루미늄, 마그네슘 및 철 중 어느 하나인 발광모듈.
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