KR101947091B1 - Method for cutting wafer using mechanical cutting tool - Google Patents

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Abstract

기계식 절단 도구를 사용하여 웨이퍼를 절단하는 방법이 개시되고, 이러한 방법은 다음 단계들, 즉 1. 절단될 웨이퍼의 앞면 상에 절단 보호막의 층을 코팅하는 단계; 2. 상기 절단 보호막으로 코팅된 상기 웨이퍼를 상기 기계식 절단 도구를 사용하여 상기 웨이퍼를 절단하도록 웨이퍼 절단 기계에 놓는 단계; 및 3. 웨이퍼가 절단된 후 담김 또는 분무에 의해 상기 절단 보호막을 제거하는 단계를 포함한다. 레이저 절단에 비해, 전술한 방법을 사용하는 비용은 상당히 낮아지고, 만약 기계식 절단 도구에 의해 절단된다면 웨이퍼가 쉽게 손상될 수 있는 본래 문제점이 또한 회피된다. 게다가, 그러한 절단 보호막을 사용할 때에는, 간단하고 편리한, 직접적인 분무 또는 담김에 의해 막이 제거될 수 있고, 최초 웨이퍼 상의 칩들에 어떠한 손상도 일으키지 않게 된다.Disclosed is a method of cutting a wafer using a mechanical cutting tool, the method comprising the steps of: 1. coating a layer of cut protective film on the front side of the wafer to be cut; 2. placing the wafer coated with the cutting protective film on a wafer cutting machine to cut the wafer using the mechanical cutting tool; And 3. removing the cut protective film by filling or spraying after the wafer is cut. Compared to laser cutting, the cost of using the above-described method is considerably low and the inherent problem that the wafer can be easily damaged if cut by a mechanical cutting tool is also avoided. In addition, when such a cutting protective film is used, the film can be removed by simple and convenient direct spraying or dipping, and no damage is caused to the chips on the original wafer.

Description

기계식 절단 도구를 사용하여 웨이퍼를 절단하는 방법{METHOD FOR CUTTING WAFER USING MECHANICAL CUTTING TOOL}METHOD FOR CUTTING WAFER USING MECHANICAL CUTTING TOOL [0002]

본 발명은 마이크로일렉트로닉스 기술 분야에 관한 것으로, 더 구체적으로는 기계식 절단 도구를 사용하여 웨이퍼를 절단하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to the field of microelectronics and, more particularly, to a method of cutting a wafer using a mechanical cutting tool.

오늘날, 칩 패키징(chip packaging) 공정은 기능성 웨이퍼를 개별 칩들로 먼저 절단한 다음, 그 칩들을 반도체 구성 요소로 패키지화하는 것을 포함한다. 웨이퍼 절단 공정은 매우 중요하고, 종래 기술에서는 종종 2가지 상이한 방법으로 행해진다. 한 가지 방법은 웨이퍼를 기계적으로 절단하기 위한 절단 도구를 사용하는 것이다. 이러한 기계식 다이싱(dicing) 공정은 비용면에서 저렴하지만, 특히 웨이퍼가 얇고 부서지기 쉬울 때에는 웨이퍼 다이싱 스트리트(dicing street)를 조각내기가 쉽고, 웨이퍼 무결성(integrity)을 손상시킨다. 절단 후, 실리콘 먼지가 웨이퍼 표면을 오염시킬 수 있고, 웨이퍼 다이싱 스트리트를 따라 큰 크기의(large-sized) 깎아낸 부스러기가 발생할 수 있다. 다른 웨이퍼 다이싱 방법은 다이싱 라인들을 따라 웨이퍼를 제거하기 위해 레이저를 사용하는 것이다. 레이저 다이싱은 흔히 기계식 절단과 연관된 위 결점들을 감소시키지만 비용이 훨씬 더 많이 들어, 그것의 넓은 적용을 가로막는다.Today, chip packaging processes include first cutting a functional wafer into individual chips, and then packaging the chips into semiconductor components. The wafer cutting process is very important and is often done in the prior art in two different ways. One method is to use a cutting tool to mechanically cut the wafer. This mechanical dicing process is inexpensive, but is susceptible to fragmentation of the wafer dicing street and, in particular, to wafer integrity when the wafer is thin and fragile. After cutting, the silicon dust may contaminate the wafer surface and large-sized shavings may occur along the wafer dicing streets. Another wafer dicing method is to use lasers to remove wafers along dicing lines. Laser dicing often reduces the above drawbacks associated with mechanical cutting, but it costs much more and blocks its wide application.

본 발명에서 기술적 문제점은, 기계식 절단 도구를 사용하여 웨이퍼를 절단하는 방법을 제공하여 해결되고, 이는 종래 기술에서의 결점들을 극복한다. 이러한 방법은 웨이퍼를 절단하기 위한 저렴한 비용의 해결책을 제공하고, 이러한 해결책은 웨이퍼 다이싱 스트리트에 손상을 주지 않으며, 또한 웨이퍼 표면에서의 실리콘 먼지 오염을 방지한다.The technical problem in the present invention is solved by providing a method of cutting a wafer using a mechanical cutting tool, which overcomes the drawbacks of the prior art. This approach provides a low cost solution for cutting wafers, which solution does not damage the wafer dicing streets and also prevents silicon dust contamination on the wafer surface.

위의 기술적 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 기계식 절단 도구를 사용하여 웨이퍼를 절단하는 방법을 제안하고, 이러한 방법은 다음 단계들, 즉In order to solve the above technical problems, the present invention proposes a method of cutting a wafer using a mechanical cutting tool, the method comprising the following steps:

S1) 절단될 웨이퍼의 앞면 상에 절단 보호막의 층을 코팅하는 단계;S1) coating a layer of a cutting protective film on the front side of the wafer to be cut;

S2) 기계식 절단 도구에 의해 웨이퍼를 절단하도록, 코팅된 웨이퍼를 기계식 웨이퍼 절단 기계에 놓는 단계; 및S2) placing the coated wafer on a mechanical wafer cutting machine to cut the wafer by a mechanical cutting tool; And

S3) 절단 후 웨이퍼 앞면에 담김(soaking) 또는 분무(spraying)에 의해 절단 보호막을 제거하는 단계를 포함한다.S3) removing the cut protective film by soaking or spraying on the front face of the wafer after cutting.

이러한 절단 보호막은 투명하고, 방수가 되며, 수성(aqueous) 세정액에 녹을 수 있다. 단계 S3에서는, 수성 세정액을 웨이퍼 앞면을 수성 세정액에 담기게 하거나 웨이퍼 앞면에 수성 세정액을 분무하여 절단 보호막을 제거한다.Such a cutting protective film is transparent, waterproof, and can be dissolved in an aqueous cleaning liquid. In step S3, an aqueous cleaning solution is added to the front surface of the wafer in an aqueous cleaning solution, or an aqueous cleaning solution is sprayed on the front surface of the wafer to remove the protective film.

절단 보호막은 하기 중량 백분율의 재료, 즉The cutting protective film comprises the following weight percentages of material, i. E.

열경화제 1~5%Thermal curing agent 1 to 5%

실리카겔 30~55%Silica gel 30-55%

응고 충전재 화합물 30~70%The solidifying filler compound 30 to 70%

열적 커플링제 1~5%Thermal coupling agent 1 to 5%

로부터 만들어진다.Lt; / RTI >

상기 재료들의 중량 백분율의 합은 100%와 같다.The sum of the weight percentages of these materials is equal to 100%.

수성 세정액은 하기 중량 백분율의 재료, 즉The aqueous cleaning solution comprises the following weight percentages of material, i. E.

탈이온수 80~90%Deionized water 80 to 90%

계면 활성제 1~5%Surfactants 1 to 5%

박리제 5~10%Remover 5 ~ 10%

알칼리성(alkalescency) 액체 혼합물 3~5%Alkalescency liquid mixture 3-5%

로부터 만들어진다. 상기 재료들의 중량 백분율의 합은 100%와 같다.Lt; / RTI > The sum of the weight percentages of these materials is equal to 100%.

절단 보호막은 절단될 웨이퍼의 앞면 상에 액체 용액을 스핀 코팅 또는 형판(stencil) 프린팅한 다음, 그러한 액체를 웨이퍼의 앞면에 부착하는 막이 되게 구움으로써 형성될 수 있다.The cutting protective film can be formed by spin coating or stencil printing the liquid solution on the front surface of the wafer to be cut and then baking the liquid to a film adhering to the front surface of the wafer.

위와 같은 방법으로, 본 발명은 다음과 같은 장점이 있다. 즉, 본 발명은 양호한 방수성과 수성 세정액에 녹을 수 있는 절단 보호막을 가지고, 이러한 절단 보호막은 웨이퍼 상의 기능성 다이(die)들을 덮는 웨이퍼의 앞면 상에 코팅되며, 절단 중인 웨이퍼가 향상된 강도를 가지도록 웨이퍼를 절단하고, 절단 후 웨이퍼의 절단면은 어떠한 먼지도 발생하지 않으면서 매우 매끄럽게 되어 있다. 절단 후, 웨이퍼는 수성 세정액 내에 직접 적셔질 수 있거나, 수성 세정액으로 뿌려질 수 있다. 이러한 수성 세정액은 웨이퍼의 앞면 상의 절단 보호막을 녹여서, 웨이퍼를 절단함으로써 완성된 제품(product)를 얻는다. 레이저 절단과 비교하여, 위 방법은 비용이 훨씬 덜 들고, 기계적 절단 도구에 의해 절단되면 웨이퍼가 쉽게 손상될 수 있는, 종래 기술과 연관된 문제점이 회피될 수 있다. 또한, 절단 보호막을 사용할 때에는, 그 막이 직접적인 분무나 담김에 의해 제거될 수 있고, 간단하며 편리하고, 최초 웨이퍼 상의 칩들에 어떠한 손상도 일으키지 않게 된다.In this way, the present invention has the following advantages. That is, the present invention has a cutting protective film which is capable of dissolving in an aqueous washing solution and an aqueous washing solution, which is coated on the front surface of the wafer covering the functional dies on the wafer, And the cut surface of the wafer after cutting is very smooth without generating any dust. After cutting, the wafer may be wetted directly into the aqueous cleaning solution, or may be sprayed with an aqueous cleaning solution. Such an aqueous cleaning solution dissolves the cut protective film on the front surface of the wafer and cuts the wafer to obtain a finished product. Compared to laser cutting, the above method is much less expensive and the problems associated with the prior art, which can be easily damaged by cutting by a mechanical cutting tool, can be avoided. In addition, when using the cutting protective film, the film can be removed by direct spraying or dipping, and it is simple and convenient, and does not cause any damage to the chips on the original wafer.

이제 전형적인 실시예와 함께 본 발명이 더 상세히 설명된다.The present invention will now be described in more detail with reference to exemplary embodiments.

본 발명은 기계식 절단 도구를 사용하여 웨이퍼를 절단하는 방법을 제공하고, 이러한 방법은 다음 단계, 즉The present invention provides a method of cutting a wafer using a mechanical cutting tool, the method comprising the steps of:

S1) 절단될 웨이퍼의 앞면 상에 절단 보호막의 층을 코팅하는 단계를 포함하고, 이 경우 절단 보호막은 방수이고, 수성 세정액에 녹을 수 있다.S1) coating a layer of a cutting protective film on the front side of the wafer to be cut, wherein the cutting protective film is waterproof and can be melted in an aqueous cleaning solution.

이러한 절단 보호막은 하기 중량 백분율의 재료, 즉Such a cut protective film comprises the following weight percentages of material, i. E.

열경화제 1~5%Thermal curing agent 1 to 5%

실리카겔 30~55%Silica gel 30-55%

응고 충전재 화합물 30~70%The solidifying filler compound 30 to 70%

열적 커플링제 1~5%Thermal coupling agent 1 to 5%

로부터 만들어진다.Lt; / RTI >

위 재료들의 중량 백분율의 합은 100%와 같다.The sum of the weight percentages of the above materials is equal to 100%.

상기 열경화제는 지방족 아민, 지방족 고리 아민 및 폴리아미드 등과 같은 하나 이상의 경화제를 포함한다. 상기 응고 충전재 화합물은 나노 SiO2 충진재(filler), 운모 분말, 석영 분말, 또는 실리카 분말 혼합물을 포함한다. 상기 열적 커플링제는 일반적으로 KH550, KH560, KH792 또는 DL171과 같은 실란 커플링제를 포함한다. 상기 실리카겔은 일반적으로, 예를 들면 20% 내지 40%의 실록산을 포함하는 개질된 실리콘 수지를 포함한다. 절단 보호 재료는 스핑 코팅이나 형판(stncil) 프린팅을 적용하고, 그 후 60℃ 내지 150℃의 온도에서 10 내지 30분간 뜨거운 플레이트(plate) 또는 오븐에서 굽는 것(baking)에 의해 웨이퍼 표면상에 적용될 수 있다. 구운 후, 재료는 역시 투명하고 방수가 되는, 점착성의(tacky) 자유막(free film)의 층으로 응고된다.The thermosetting agent includes one or more curing agents such as aliphatic amines, aliphatic cyclic amines, and polyamides. The coagulant filler compound includes a nano-SiO 2 filler, a mica powder, a quartz powder, or a silica powder mixture. The thermal coupling agent generally comprises a silane coupling agent such as KH550, KH560, KH792 or DL171. The silica gel generally comprises a modified silicone resin comprising, for example, from 20% to 40% siloxane. The cut protective material is applied on the wafer surface by applying a sphing coating or stencil printing and then baking in a hot plate or oven for 10 to 30 minutes at a temperature of 60 ° C to 150 ° C . After baking, the material is solidified into a layer of tacky free film which is also transparent and waterproof.

S2) 상기 웨이퍼를 절단하도록 절단 보호막으로 코팅된 웨이퍼를 웨이퍼 절단 기계에 놓는 단계로서, 절단(singulation) 및 구멍 뚫기(drilling)를 포함하여, 이러한 절단 도구는 웨이퍼를 절단하도록 웨이퍼의 앞면으로부터 잘라낸다.S2) placing a wafer coated with a cut-off protective film on the wafer cutting machine to cut the wafer, the cutting tool including singulation and drilling, cuts off the front face of the wafer to cut the wafer .

S3) 주사위 모양으로 절단된 웨이퍼 상의 보호막에 대해 수성 세정액에 적시거나 수성 세정액을 뿌림으로써, 절단 보호막을 제거하는 단계.S3) Step of removing the cut protective film by wetting or spraying the aqueous cleaning solution onto the protective film on the wafer cut into die form.

수성 세정액은 하기 중량 백분율의 재료, 즉The aqueous cleaning solution comprises the following weight percentages of material, i. E.

탈이온수 80~90%Deionized water 80 to 90%

계면 활성제 1~5%Surfactants 1 to 5%

박리제 5~10%Remover 5 ~ 10%

알칼리성 액체 혼합물 3~5%Alkaline liquid mixture 3-5%

로부터 만들어진다.Lt; / RTI >

위 재료들의 중량 백분율의 합은 100%와 같다.The sum of the weight percentages of the above materials is equal to 100%.

상기 계면 활성제는 지방족 술폰산염, 알킬-아릴-술폰산염, 및 알킬-나프틸-술폰산염 중 하나를 포함한다. NaOH 또는 KOH로 알칼리성 액체 혼합물이 마련된다. 상기 박리제는 개질된 유기 실란의 염기성 염을 포함한다. 개질된 유기 실란의 염기성 염은, 폴리에테르 개질된 유기 실란의 4차 암모늄의 염, 폴리에테르 개질된 폴리실록산 황산염의 염, 및 폴리에테르 개질된 폴리실록산 인산염의 염 중 하나 이상을 포함한다.The surfactant includes one of an aliphatic sulfonic acid salt, an alkyl-aryl-sulfonic acid salt, and an alkyl-naphthyl-sulfonic acid salt. An alkaline liquid mixture is provided with NaOH or KOH. The exfoliating agent comprises a basic salt of a modified organosilane. The basic salt of the modified organosilane comprises at least one of a salt of a quaternary ammonium salt of a polyether modified organosilane, a salt of a polyether modified polysiloxane sulfate, and a salt of a polyether modified polysiloxane phosphate.

상기 절단 보호막은 절단될 웨이퍼의 앞면으로 액체를 스핀-코팅 또는 형판-프린팅한 다음, 웨이퍼의 앞면에 부착된 막 안으로 상기 액체를 구움으로써 형성될 수 있다.The cut protective film may be formed by spin-coating or template-printing a liquid on the front side of the wafer to be cut, and then baking the liquid into a film attached to the front side of the wafer.

위 방법을 가지고, 본 발명에는 다음과 같은 장점이 있다. 즉, 본 발명은 양호한 방수성과 수성 세정액에 녹을 수 있는 절단 보호막을 가지고, 이러한 절단 보호막은 웨이퍼 상의 기능성 장치들을 덮는 웨이퍼의 앞면 상에 코팅되며, 절단 중인 웨이퍼가 향상된 강도를 가지도록 웨이퍼를 절단하고, 절단 후 웨이퍼의 다이싱 스트리트는 어떠한 먼지도 발생하지 않으면서 매우 매끄럽게 되어 있다. 절단 후, 웨이퍼는 수성 세정액 내에 직접 적셔질 수 있거나, 수성 세정액으로 뿌려질 수 있다. 이러한 수성 세정액은 웨이퍼의 앞면 상의 절단 보호막을 녹인 다음, 웨이퍼 절단 후 결점(defect)들과 표면 오염 없이 완성된 제품이 얻어진다.With the above method, the present invention has the following advantages. That is, the present invention has a cutting protective film that is soluble in an aqueous washing solution and an aqueous cleaning solution, which is coated on the front side of the wafer covering the functional devices on the wafer, and the wafer is cut so that the wafer being cut has an enhanced strength , The dicing streets of the wafer after cutting are very smooth without generating any dust. After cutting, the wafer may be wetted directly into the aqueous cleaning solution, or may be sprayed with an aqueous cleaning solution. Such an aqueous cleaning solution dissolves the cut protective film on the front surface of the wafer, and after the wafer is cut, a finished product is obtained without defects and surface contamination.

이제 실험 데이터와 연계된 설명이 이루어진다. 즉, 표 1은 절단 보호막의 제1 실시예와 그것의 시험 데이터를 보여준다. 절단 보호막은 웨이퍼의 앞면에 스핀 코팅된 다음, 오븐에서 15분간 65℃의 온도로 구워져, 웨이퍼의 앞면에 부착된 투명한 막을 형성한다. 막의 방수성은 아래에 도시된 시간 기간 동안 90℃의 뜨거운 물에 담금으로써 테스트된다. 절단 보호막을 갖는 웨이퍼의 무게는 담그기 전후에 측정되어 다음의 데이터를 얻는다.Now the explanations associated with the experimental data are made. That is, Table 1 shows the first embodiment of the cutting protective film and its test data. The cut protective film is spin-coated on the front side of the wafer and then baked in an oven at 65 DEG C for 15 minutes to form a transparent film attached to the front side of the wafer. The water resistance of the membrane is tested by immersion in hot water at 90 DEG C for the time periods shown below. The weight of the wafer with the cut-off protective film is measured before and after immersion to obtain the following data.

절단 보호막의 제재 1Material of Cutting Shield 1 폴리아미드Polyamide 3.50%3.50%


개질된 실리콘Modified silicon 53%53% 나노 SiO2Nano SiO2 42%42% KH792KH792 1.50%1.50% 90℃의 뜨거운 물 담김 테스트Hot water filling test at 90 ℃ 웨이퍼의 무게(g)Weight of wafer (g) 담김 시간Free time 담기기 전Add to cart 담긴 후After 방수 효과Waterproof effect 5분5 minutes 24.980224.9802 24.980224.9802 OKOK 10분10 minutes 24.980224.9802 24.980224.9802 OKOK 15분15 minutes 24.980224.9802 24.980324.9803 OKOK 20분20 minutes 24.980224.9802 24.980324.9803 OKOK

20분 동안 90℃의 뜨거운 물에 담근 후, 웨이퍼의 무게는 변경되지 않음을 알 수 있고, 이는 절단 보호막이 물에 녹지 않는다는 점을 가리킨다.After immersing in hot water at 90 占 폚 for 20 minutes, the weight of the wafer is not changed, indicating that the cleavage protective film does not dissolve in water.

표 2는 절단 보호막의 제2 실시예와 그것의 시험 데이터를 보여준다. 절단 보호막은 웨이퍼의 앞면에 스핀 코팅된 다음, 오븐에서 10분간 100℃의 온도로 구워져, 웨이퍼의 앞면에 부착된 투명한 막을 형성한다. 막의 방수성은 아래에 도시된 시간 기간 동안 90℃의 뜨거운 물에 담금으로써 테스트된다. 절단 보호막을 갖는 웨이퍼의 무게는 담그기 전후에 측정되어 다음의 데이터를 얻는다.Table 2 shows the second embodiment of the cutting protection film and its test data. The cut protective film is spin-coated on the front surface of the wafer, and then baked in an oven at a temperature of 100 DEG C for 10 minutes to form a transparent film adhered to the front surface of the wafer. The water resistance of the membrane is tested by immersion in hot water at 90 DEG C for the time periods shown below. The weight of the wafer with the cut-off protective film is measured before and after immersion to obtain the following data.

절단 보호막의 제재 2Cutting Shield Material 2 폴리아미드Polyamide 4.50%4.50%


개질된 실리콘Modified silicon 55%55% 나노 SiO2Nano SiO2 38%38% KH792KH792 2.50%2.50% 90℃의 뜨거운 물 담김 테스트Hot water filling test at 90 ℃ 웨이퍼의 무게(g)Weight of wafer (g) 담김 시간Free time 담기기 전Add to cart 담긴 후After 방수 효과Waterproof effect 5분5 minutes 24.979924.9799 24.979924.9799 OKOK 10분10 minutes 24.979924.9799 24.9824.98 OKOK 15분15 minutes 24.979924.9799 24.980124.9801 OKOK 20분20 minutes 24.979924.9799 24.980124.9801 OKOK

20분 동안 90℃의 뜨거운 물에 담근 후, 웨이퍼의 무게는 변경되지 않음을 알 수 있고, 이는 절단 보호막이 물에 녹지 않고 양호한 방수성을 가지며, 웨이퍼 등을 절단하는 동안 기계식 절단 도구를 냉각시키기 위한 물뿌리기에 관한 필요성을 충족시킨다는 점을 가리킨다.After immersion in hot water at 90 占 폚 for 20 minutes, the weight of the wafer is not changed, which indicates that the cut-off protective film does not dissolve in water and has good waterproofness and is used for cooling the mechanical cutting tool It meets the need for watering.

수성 세정액의 제재 1은,The material 1 of the aqueous cleaning liquid,

탈이온수 83%Deionized water 83%

도데실 술폰산염 나트륨(SDS) 4%Sodium dodecylsulfonate (SDS) 4%

폴리에테르 개질된 폴리실록산 황산 나트륨 9%Polyether modified polysiloxane Sodium sulfate 9%

NaOH 4%NaOH 4%

를 포함한다..

테스트는 제1 실시예의 절단 보호막이 담김에 의해 완전히 제거될 수 있고, 제2 실시예의 절단 보호막은 분무에 의해 완전히 제거될 수 있음을 보여준다.The test shows that the cutting protective film of the first embodiment can be completely removed by dipping, and the cutting protective film of the second embodiment can be completely removed by spraying.

수성 세정액의 제재 2는,The material 2 of the aqueous cleaning liquid,

탈이온수 85%Deionized water 85%

도데실 술폰산염 칼륨 3%Potassium dodecylsulfonate 3%

폴리에테르 개질된 폴리실록산 황산 캄륨 7%Polyether modified polysiloxane Sulfuric acid potassium 7%

KOH 5%KOH 5%

를 포함한다..

테스트는 제1 실시예의 절단 보호막이 담김에 의해 완전히 제거될 수 있고, 제2 실시예의 절단 보호막은 분무에 의해 완전히 제거될 수 있음을 보여준다.The test shows that the cutting protective film of the first embodiment can be completely removed by dipping, and the cutting protective film of the second embodiment can be completely removed by spraying.

Claims (8)

기계식 절단 도구를 사용하여 웨이퍼를 절단하는 방법으로서,
S1) 절단될 웨이퍼의 앞면 상에 절단 보호막의 층을 코팅하는 단계;
S2) 상기 절단 보호막으로 코팅된 상기 웨이퍼를 상기 기계식 절단 도구를 사용하여 상기 웨이퍼를 절단하도록 웨이퍼 절단 기계에 놓는 단계; 및
S3) 절단 후, 담김(soaking) 세정법 또는 분무(spraying) 세정법에 의해 상기 절단 보호막을 제거하는 단계를 포함하고,
상기 절단 보호막은 하기 중량 백분율의 재료로 만들어진 수성 세정액에 녹을 수 있고;
탈이온수 80~90%
계면 활성제 1~5%
박리제 5~10%
알칼리성 액체 혼합물 3~5%,
상기 재료들의 중량 백분율의 합은 100%인 것을 특징으로 하는 방법.A method of cutting a wafer using a mechanical cutting tool,
S1) coating a layer of a cutting protective film on the front side of the wafer to be cut;
S2) placing the wafer coated with the cutting protective film on a wafer cutting machine to cut the wafer using the mechanical cutting tool; And
S3), and removing the cut protective film by a soaking cleaning method or a spraying cleaning method,
The cut protective film may be dissolved in an aqueous cleaning solution made of the following weight percentage of the material;
Deionized water 80 to 90%
Surfactants 1 to 5%
Remover 5 ~ 10%
3 to 5% alkaline liquid mixture,
Wherein the sum of the weight percentages of the materials is 100%. 제1 항에 있어서,
상기 절단 보호막은 방수이고, 상기 절단 보호막은 상기 단계 S3의 상기 수성 세정액에 의해 담김 세척 또는 분무 세척에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 방법.The method according to claim 1,
Characterized in that said cutting protective film is waterproof and said cutting protective film is removed by said washing or spray washing with said aqueous washing liquid of said step S3. 제2 항에 있어서,
상기 절단 보호막은 하기 중량 백분율의 재료, 즉
열경화제 1~5%
실리카겔 30~55%
응고 충전재 화합물 35~68%
열적 커플링제 1~5%
로부터 만들어지고, 상기 재료들의 중량 백분율의 합은 100%인 것을 특징으로 하는 방법.3. The method of claim 2,
The cut protective film comprises the following weight percentages of material:
Thermal curing agent 1 to 5%
Silica gel 30-55%
The solidifying filler compound 35 to 68%
Thermal coupling agent 1 to 5%
Wherein the sum of the weight percentages of the materials is 100%. 제3 항에 있어서,
상기 열경화제는 지방족 아민, 지방족 고리 아민 및 폴리아미드와 같은 하나 이상의 경화제를 포함하고, 상기 응고 충전재 화합물은 SiO2 나노입자, 운모 분말, 석영 분말, 또는 실리카 분말을 포함하며, 상기 열적 커플링제는 실란 커플링제를 포함하고, 상기 실리카겔은 20% 내지 40%의 실록산을 포함하는 개질된 실리콘 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.The method of claim 3,
Wherein the thermosetting agent comprises one or more curing agents such as aliphatic amines, aliphatic cyclic amines and polyamides, wherein the coagulation filler compound comprises SiO 2 nanoparticles, mica powder, quartz powder, or silica powder, Wherein the silica gel comprises a modified silicone resin comprising from 20% to 40% siloxane. 제1 항에 있어서,
상기 계면 활성제는 지방족 술폰산염, 알킬-아릴-술폰산염, 및 알킬-나프틸-술폰산염 중 하나를 포함하고, NaOH 또는 KOH로 잿물이 마련되며, 상기 박리제는 개질된 유기 실란의 염기성 염을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.The method according to claim 1,
The surfactant comprises one of an aliphatic sulfonic acid salt, an alkyl-aryl sulfonic acid salt, and an alkyl-naphthyl sulfonic acid salt, and lye is provided with NaOH or KOH. The exfoliating agent includes a basic salt of a modified organosilane . ≪ / RTI > 제5 항에 있어서,
상기 개질된 유기 실란의 염기성 염은, 폴리에테르 개질된 유기 실란의 4차 암모늄 염, 폴리에테르 개질된 폴리실록산 황산염의 염, 및 폴리에테르 개질된 폴리실록산 인산염의 염 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.6. The method of claim 5,
Wherein the basic salt of the modified organosilane comprises at least one of a quaternary ammonium salt of a polyether modified organosilane, a salt of a polyether modified polysiloxane sulfate, and a salt of a polyether modified polysiloxane phosphate Way. 제1 항에 있어서,
상기 절단 보호막은 절단될 웨이퍼의 앞면 상에 액체를 스핀-코팅 또는 스크린-프린팅하는 단계 다음, 웨이퍼의 앞면에 부착된 막이 되게 상기 액체를 굽는 단계에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.The method according to claim 1,
Wherein the cutting protective film is formed by spin-coating or screen-printing a liquid on a front surface of a wafer to be cut, and then baking the liquid to a film attached to a front surface of the wafer. 삭제delete
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