KR101946701B1 - Substrate holding apparatus and substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate holding apparatus and substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR101946701B1
KR101946701B1 KR1020170015616A KR20170015616A KR101946701B1 KR 101946701 B1 KR101946701 B1 KR 101946701B1 KR 1020170015616 A KR1020170015616 A KR 1020170015616A KR 20170015616 A KR20170015616 A KR 20170015616A KR 101946701 B1 KR101946701 B1 KR 101946701B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
negative pressure
holding
exhaust pipe
holes
Prior art date
Application number
KR1020170015616A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20170108807A (en
Inventor
후미히코 이케다
Original Assignee
가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 filed Critical 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Publication of KR20170108807A publication Critical patent/KR20170108807A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101946701B1 publication Critical patent/KR101946701B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6734Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders specially adapted for supporting large square shaped substrates
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/48Protective coatings
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/002Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor using materials containing microcapsules; Preparing or processing such materials, e.g. by pressure; Devices or apparatus specially designed therefor
    • G03F7/0022Devices or apparatus
    • G03F7/0025Devices or apparatus characterised by means for coating the developer
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02343Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a liquid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Abstract

(과제) 기판을 균일한 상태에서 흡착 유지할 수 있는 기판 유지 장치를 제공한다.
(해결 수단) 기판 유지 장치는, 기판 (3) 이 재치되는 유지면 (41) 을 갖는 스테이지 (4) 와, 스테이지 (4) 에 형성된 복수의 흡착공 (42) 과, 유지면 (41) 에 대해 승강하는 복수의 리프트 핀 (7) 과, 리프트 핀 (7) 이 삽입 통과되는 핀 구멍 (43) 을 구비하고, 이 핀 구멍 (43) 내를, 제 2 배기 배관 (82) 을 통하여 배기하여 부압으로 함과 함께, 복수의 흡착공 (42) 내도 부압으로 하는 것에 의해, 흡착공 (42) 및 핀 구멍 (43) 에서 기판 (3) 을 유지면 (41) 에 흡착 유지한다.
A substrate holding apparatus capable of holding and holding a substrate in a uniform state.
The substrate holding apparatus includes a stage 4 having a holding surface 41 on which a substrate 3 is placed, a plurality of suction holes 42 formed in the stage 4, And a pin hole 43 through which the lift pin 7 is inserted. The inside of the pin hole 43 is exhausted through the second exhaust pipe 82 And the negative pressure is applied to the suction holes 42 and the pin holes 43 to hold the substrate 3 on the holding surface 41 by making negative pressure in the suction holes 42.

Description

기판 유지 장치 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE HOLDING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}[0001] SUBSTRATE HOLDING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS [0002]

본 발명은, 액정 표시 장치용 유리 기판, 반도체 웨이퍼, PDP 용 유리 기판, 포토마스크용 유리 기판, 컬러 필터용 기판, 기록 디스크용 기판, 태양 전지용 기판, 전자 페이퍼용 기판 등의 정밀 전자 장치용 기판 (이하, 간단히 「기판」이라고 칭한다) 을 유지하는 기판 유지 장치 및 당해 기판 유지 장치를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate for a precision electronic device such as a glass substrate for a liquid crystal display device, a semiconductor wafer, a glass substrate for a PDP, a glass substrate for a photomask, a substrate for a color filter, a substrate for a recording disk, (Hereinafter simply referred to as " substrate "), and a substrate processing apparatus provided with the substrate holding apparatus.

일반적으로, 슬릿 코터에 있어서 기판 유지 장치가 구비하는 흡착 스테이지에 유지된 각형 (角型) 의 유리 기판 등에 대하여, 도포액을 토출시키는 슬릿 노즐을 이동시켜 기판 상에 도막을 형성하는 기술이 알려져 있다.BACKGROUND ART [0002] In general, there is known a technique for forming a coating film on a substrate by moving a slit nozzle for discharging a coating liquid to a rectangular glass substrate or the like held on a suction stage of a substrate holding apparatus in a slit coater .

상기 흡착 스테이지는 예를 들어, 일본 공개특허공보 2006-73931호 (예를 들어 도 5, 도 6) 에 기재되어 있는데, 복수의 흡착공과 복수의 리프트 핀을 구비한다. 복수의 리프트 핀은 흡착 스테이지의 유지면에 형성된 복수의 핀 구멍을 통하여 유지면에 대해 승강하고, 지지한 기판을 유지면에 재치 (載置) 한다. 유지면에 재치된 기판은, 복수의 흡착공을 배기함으로써 기판과 유지면 사이에 발생하는 부압에 의해 유지면에 흡착 유지된다.The adsorption stage is described, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-73931 (for example, Figs. 5 and 6), and includes a plurality of adsorption holes and a plurality of lift pins. The plurality of lift pins are raised and lowered with respect to the holding surface through a plurality of pin holes formed in the holding surface of the attraction stage, and the supported substrate is placed on the holding surface. The substrate placed on the holding surface is attracted and held on the holding surface by the negative pressure generated between the substrate and the holding surface by exhausting the plurality of suction holes.

기판의 대형화나 박형화에 수반하여, 복수의 리프트 핀에 의해 기판을 지지하면서 승강할 때에 기판이 휘거나, 균열되거나 하는 것을 방지하기 위해서 리프트 핀의 개수를 늘릴 필요가 있다. 리프트 핀의 개수가 증가하면, 유지면 내에 있어서 복수의 핀 구멍이 차지하는 영역이 늘어난다.It is necessary to increase the number of lift pins in order to prevent the substrate from being warped or cracked when the substrate is lifted and lowered while supporting the substrate by the plurality of lift pins in accordance with enlargement and thinning of the substrate. As the number of lift pins increases, the area occupied by the plurality of pin holes increases in the holding surface.

상기 서술한 바와 같이 복수의 핀 구멍이 차지하는 영역이 늘어나면, 이 영역에 있어서는 유지면과 기판 사이에 충분히 부압을 발생시킬 수 없게 된다. 이 결과, 유지면과 기판의 이면 사이의 공간으로부터 분위기 (에어) 를, 흡착공을 통하여 충분히 흡인하지 못하여, 유지면과 기판 사이에 에어 고임이 발생한다.As described above, if the area occupied by the plurality of pin holes is increased, a sufficient negative pressure can not be generated between the holding surface and the substrate in this area. As a result, the atmosphere (air) can not be sucked sufficiently through the adsorption holes from the space between the holding surface and the back surface of the substrate, and air gush occurs between the holding surface and the substrate.

이와 같이 에어 고임이 발생한 상태에서 유지면에 유지된 기판의 표면은, 부분적으로 유지면으로부터 뜬 상태가 되어, 기판 표면의 높이 위치가 불균일한 상태에서 기판은 유지면에 유지된다. 유지면에 불균일한 상태에서 유지된 기판에 슬릿 코터에 의해 도포 처리를 실시하면, 기판의 표면에 형성된 도포막의 막 두께의 분포가 불균일해진다는 문제가 발생한다.In this way, the surface of the substrate held on the holding surface in the state where the air gush occurs is partly floated from the holding surface, and the substrate is held on the holding surface in a state where the height position of the substrate surface is uneven. If the slit coater performs the coating treatment on the substrate held in the uneven state on the holding surface, there arises a problem that the film thickness distribution of the coating film formed on the surface of the substrate becomes uneven.

본 발명의 목적은, 상기 서술한 바와 같은 점을 감안하여, 기판을 균일한 상태에서 흡착 유지할 수 있는 기판 유지 장치, 및 이 기판 유지 장치를 구비한 기판 처리 장치를 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate holding apparatus capable of holding and holding a substrate in a uniform state in view of the points described above, and a substrate processing apparatus provided with the substrate holding apparatus.

청구항 제 1 항에 관련된 제 1 발명 (기판 유지 장치) 은, 기판이 재치되는 유지면을 갖는 유지부와, 유지부에 형성된 복수의 흡착공과, 유지면에 대해 승강하는 복수의 리프트 핀과, 유지부에 형성되어, 복수의 리프트 핀이 각각 삽입 통과되는 복수의 핀 구멍과, 복수의 흡인공에 부압을 발생시키는 제 1 부압 발생부와, 복수의 핀 구멍 중, 1 이상의 핀 구멍에 부압을 발생시키는 제 2 부압 발생부를 구비한다.According to a first aspect of the present invention, there is provided a first aspect of the present invention (substrate holding apparatus) including: a holding portion having a holding surface on which a substrate is placed; a plurality of suction holes formed on the holding portion; A first negative pressure generating portion formed in the first hole portion and generating a negative pressure in the plurality of suction holes; and a second negative pressure generating portion formed in the first negative pressure generating portion, And a second negative pressure generating part for generating negative pressure.

청구항 제 2 항에 관련된 제 2 발명은, 제 1 발명에 있어서, 리프트 핀이 삽입 통과됨과 함께, 핀 구멍 내에서 상방 공간과 하방 공간 사이를 시일하는 시일 부재와, 시일 부재에 형성된 노치부를 추가로 구비하고, 상기 노치부에 의해 배기 유로가 형성된다.According to a second aspect of the present invention, there is provided a second invention according to claim 2, wherein, in the first invention, a seal member for sealing the space between the upper space and the lower space in the pin hole as the lift pin is inserted therethrough and the notch portion formed in the seal member And the exhaust passage is formed by the notch.

청구항 제 3 항에 관련된 제 3 발명은, 제 1 발명 또는 제 2 발명에 있어서, 제 1 부압 발생부는, 복수의 흡착공과 부압원을 유로 접속하는 제 1 배기 배관과, 제 1 배기 배관과 압공원을 유로 접속하는 압공 배관과, 제 1 배기 배관이 부압원에 유로 접속하는 흡착 상태, 또는 제 1 배기 배관이 압공 배관에 유로 접속하는 흡착 해제 상태로 선택적으로 전환하는 제 1 전환 밸브를 갖고, 제 2 부압 발생부는, 핀 구멍과 부압원을 유로 접속하는 제 2 배기 배관과, 제 2 배기 배관을 대기에 개방하는 개방 배관과, 제 2 배기 배관이 부압원에 유로 접속하는 흡착 상태, 또는 제 2 배기 배관이 개방 배관에 유로 접속하는 흡착 해제 상태로 선택적으로 전환하는 제 2 전환 밸브를 갖는다.According to a third aspect of the invention according to claim 3, in the first invention or the second invention, the first negative pressure generating part includes: a first exhaust pipe for connecting the plurality of adsorption holes and the negative pressure source to each other; And a first switch valve for selectively switching the adsorption state in which the first exhaust pipe is connected to the negative pressure source or the adsorption state in which the first exhaust pipe is connected to the pressure pipe, The second negative pressure generating portion includes a second exhaust pipe for connecting the pin hole and the negative pressure source to each other, an open pipe for opening the second exhaust pipe to the atmosphere, and an adsorption state in which the second exhaust pipe is connected to the negative pressure source, And a second switching valve for selectively switching to an adsorption disengagement state in which the exhaust pipe is connected to the open pipe through a channel.

청구항 제 4 항에 관련된 제 4 발명은, 제 1 발명 내지 제 3 발명 중 어느 하나의 발명에 있어서, 제 2 부압 발생부는 복수의 핀 구멍 중의 일부의 핀 구멍에 대해서만 부압을 발생시킨다.According to a fourth aspect of the present invention, in any one of the first to third aspects of the present invention, the second negative pressure generating portion generates a negative pressure only for a part of the plurality of pin holes.

청구항 제 5 항에 관련된 제 5 발명은, 제 4 발명에 있어서, 제 2 부압 발생부는 복수의 핀 구멍 내의 유지면에 재치되는 기판의 중앙부에 대향하는 핀 구멍에 대해서만 부압을 발생시킨다.According to a fifth aspect of the present invention, in the fifth invention according to the fourth aspect of the invention, the second negative pressure generating portion generates negative pressure only for the pin hole facing the central portion of the substrate placed on the holding surface in the plurality of pin holes.

청구항 제 6 항에 관련된 제 6 발명 (기판 처리 장치) 은, 제 1 발명 내지 제 5 발명 중 어느 하나의 기판 유지 장치와, 기판 유지 장치의 유지부에 유지된 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리부를 구비한다.A sixth invention (substrate processing apparatus) according to claim 6 is the substrate holding apparatus according to any one of the first through fifth aspects of the present invention, and a processing section for performing a predetermined process on the substrate held by the holding section of the substrate holding apparatus Respectively.

청구항 제 7 항에 관련된 제 7 발명은, 제 6 발명에 있어서, 처리부가 기판 유지 장치의 유지부에 유지된 기판의 표면에 도포액을 도포하는 도포 처리부이다.A seventh aspect of the present invention according to claim 7 is the coating processing section according to the sixth aspect of the invention, wherein the processing section applies the coating liquid to the surface of the substrate held by the holding section of the substrate holding apparatus.

청구항 제 8 항에 관련된 제 8 발명은, 제 7 발명에 있어서, 도포 처리부가 슬릿상의 토출구로부터 도포액을 토출시키는 슬릿 노즐과, 토출구의 길이 방향과 직교하는 방향으로 슬릿 노즐을 이동시키는 슬릿 노즐 이동부를 갖는다.According to an eighth aspect of the invention according to claim 8, in the seventh aspect of the present invention, in the coating apparatus according to the seventh aspect, the slit nozzle for discharging the coating liquid from the discharge port on the slit- .

청구항 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 관련된 발명에 의하면, 기판을 균일한 상태에서 흡착 유지할 수 있다.According to the invention according to any one of claims 1 to 8, the substrate can be adsorbed and held in a uniform state.

도 1 은, 본 발명의 일 실시형태인 기판 처리 장치를 나타내는 개략 사시도이다.
도 2 는, 유지면을 나타내는 평면도이다.
도 3 은, 승강부를 나타내는 측면도이다.
도 4 는, 배관 계통을 설명하기 위한 도면이다.
도 5 는, 핀 구멍을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6 은, 제어부에 대한 각 부의 전기적인 접속 관계를 나타내는 블록도이다.
도 7 은, 기판 처리의 동작을 나타내는 플로도이다.
1 is a schematic perspective view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view showing the holding surface.
3 is a side view showing the elevating portion.
4 is a view for explaining a piping system.
5 is a cross-sectional view for explaining the pin hole.
Fig. 6 is a block diagram showing the electrical connection relationship of each part to the control unit. Fig.
7 is a flowchart showing the operation of the substrate processing.

이하, 본 발명의 실시형태에 대해 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 도 1 은 본 발명에 관련된 기판 처리 장치의 하나인 도포 장치의 일례를 모식적으로 나타내는 사시도이다. 또한, 도 1 및 이후의 각 도면에는 그것들의 방향 관계를 명확하게 하기 위해 Z 방향을 연직 방향으로 하고, XY 평면을 수평면으로 하는 XYZ 직교 좌표계를 적절히 부여하고 있다. 또, 이해를 용이하게 할 목적에서, 필요에 따라 각 부의 치수나 수를 과장하거나 또는 간략화하여 그리고 있다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. 1 is a perspective view schematically showing an example of a coating apparatus which is one of the substrate processing apparatuses according to the present invention. In Fig. 1 and subsequent drawings, an XYZ orthogonal coordinate system in which the Z direction is a vertical direction and the XY plane is a horizontal plane is appropriately added to clarify the directional relationship between them. Also, for the purpose of facilitating understanding, the dimensions and numbers of each part are exaggerated or simplified as necessary.

도포 장치 (1) 는, 슬릿 노즐 (2) 을 사용하여 기판 (3) 의 표면 (31) 에 도포액을 도포하는 슬릿 코터로 불리는 도포 장치이다. 이 도포 장치 (1) 는, 기판 (3) 을 수평 자세로 흡착 유지 가능한 스테이지 (4) 와, 스테이지 (4) 에 유지되는 기판 (3) 에 슬릿 노즐 (2) 을 사용하여 도포 처리를 실시하는 도포 처리부 (5) 와, 이들 각 부를 제어하는 제어부 (6) 를 구비한다.The coating apparatus 1 is a coating apparatus called a slit coater for applying a coating liquid to a surface 31 of a substrate 3 using a slit nozzle 2. [ This coating device 1 is provided with a stage 4 capable of holding a substrate 3 in a horizontal posture and a coating process using a slit nozzle 2 on a substrate 3 held on the stage 4 A coating processing section 5, and a control section 6 for controlling these sections.

도포 장치 (1) 는, 레지스트액, 컬러 필터 용액, 폴리이미드, 실리콘, 나노 메탈 잉크, 도전성 재료를 포함하는 슬러리 등, 여러 가지의 도포액을 사용하는 것이 가능하다. 또, 도포 대상이 되는 기판 (3) 에 대해서도, 사각형 유리 기판, 반도체 기판, 필름 액정용 플렉시블 기판, 포토마스크용 기판, 컬러 필터용 기판, 태양 전지용 기판, 유기 EL 용 기판 등의 다양한 기판을 사용하는 것이 가능하다. 또한, 본 명세서 중에서, 「기판 (3) 의 표면 (31)」이란 기판 (3) 의 양 주면 중 도포액이 도포되는 측의 주면을 의미한다.The application device 1 can use various coating liquids such as a resist solution, a color filter solution, a polyimide, a silicon, a nano metal ink, and a slurry containing a conductive material. In addition, various substrates such as a rectangular glass substrate, a semiconductor substrate, a flexible substrate for a film liquid crystal, a substrate for a photomask, a substrate for a color filter, a substrate for a solar cell, and an organic EL substrate are used for the substrate 3 to be coated It is possible to do. In the present specification, the "surface 31 of the substrate 3" means the main surface of the substrate 3 on the side to which the coating liquid is applied.

슬릿 노즐 (2) 은 X 방향으로 연장되는 장척상의 개구부인 토출구을 가지고 있고, 스테이지 (4) 에 유지된 기판 (3) 의 표면 (31) 을 향하여 토출구로부터 도포액을 토출 가능하다.The slit nozzle 2 has a discharge port which is an elongated opening extending in the X direction and is capable of discharging the coating liquid from the discharge port toward the surface 31 of the substrate 3 held by the stage 4. [

스테이지 (4) 는, 대략 직방체의 형상을 갖는 화강암 등의 석재로 구성되어 있고, 그 상면 (+Z 측) 중 -Y 측에는, 거의 수평한 평탄면으로 가공되어 기판 (3) 을 유지하는 유지면 (41) 을 갖는 유지부이다.The stage 4 is formed of a stone such as granite having a substantially rectangular parallelepiped shape and on the -Y side of its upper surface (+ Z side), a substantially horizontal flat surface is formed, 41).

도포 장치 (1) 에서는, 슬릿 노즐 (2) 을 상기 토출구와 직교하는 방향 (Y 방향) 으로 이동시키는 이동 기구가 도포 처리부 (5) 에 형성되어 있고, 유지면 (41) 의 상방에서 슬릿 노즐 (2) 을 Y 방향으로 왕복 이동시킬 수 있다. 그리고, 유지면 (41) 의 상방을 Y 방향으로 이동시키는 슬릿 노즐 (2) 로부터 토출된 도포액이, 유지면 (41) 상의 기판 (3) 의 표면 (31) 에 도포된다. 이와 같이, 도포 장치 (1) 에서는 Y 방향이 도포액을 도포하는 도포 방향으로 되어 있다.The coating device 1 is provided with a moving mechanism for moving the slit nozzle 2 in the direction orthogonal to the discharge port (Y direction) 2 can be reciprocated in the Y direction. The coating liquid discharged from the slit nozzle 2 for moving the holding surface 41 in the Y direction is applied to the surface 31 of the substrate 3 on the holding surface 41. [ Thus, in the coating device 1, the Y direction is the coating direction in which the coating liquid is applied.

도포 처리부 (5) 의 이동 기구는, 스테이지 (4) 의 상방을 X 방향으로 횡단하여 슬릿 노즐 (2) 을 지지하는 브릿지 구조의 노즐 지지체 (51) 와, 노즐 지지체 (51) 를 Y 방향으로 수평 이동시키는 슬릿 노즐 이동부 (52) 를 갖는다. 따라서, 노즐 지지체 (51) 에 지지된 슬릿 노즐 (2) 을 슬릿 노즐 이동부 (52) 에 의해 Y 방향으로 수평 이동시킬 수 있다.The movement mechanism of the coating processing section 5 includes a nozzle support body 51 having a bridge structure for supporting the slit nozzle 2 in the X direction across the stage 4 and a nozzle support body 51 for supporting the nozzle support body 51 horizontally And a slit nozzle moving part 52 for moving the slit nozzle. Therefore, the slit nozzle 2 supported by the nozzle support body 51 can be horizontally moved in the Y direction by the slit nozzle moving part 52. [

노즐 지지체 (51) 는, 슬릿 노즐 (2) 이 고정된 고정 부재 (51a) 와, 고정 부재 (51a) 를 지지하면서 승강시키는 2 개의 승강 기구 (51b) 를 가지고 있다. 고정 부재 (51a) 는, X 방향을 길이 방향으로 하는 단면이 사각형인 봉상 부재이며, 카본 파이버 보강 수지 등으로 구성된다. 2 개의 승강 기구 (51b) 는 고정 부재 (51a) 의 길이 방향의 양 단부에 연결되어 있고, 각각 AC 서보 모터 및 볼 나사 등을 갖는다. 이들 승강 기구 (51b) 에 의해, 고정 부재 (51a) 와 슬릿 노즐 (2) 이 일체적으로 연직 방향 (Z 방향) 으로 승강되어, 슬릿 노즐 (2) 의 토출구와 기판 (3) 의 표면 (31) 의 간격, 즉 기판 (3) 의 표면 (31) 에 대한 토출구의 상대적인 높이가 조정된다. 또한, 슬릿 노즐 (2) 의 Z 방향의 위치는, 리니어 인코더 (51c) (도 6) 에 의해 검출할 수 있다. 이 리니어 인코더 (51c) 는, 승강 기구 (51b) 의 측면에 형성된 도시 생략된 스케일부와, 당해 스케일부에 대향하여 슬릿 노즐 (2) 의 측면에 형성된 도시 생략된 검출 센서를 갖는다.The nozzle support 51 has a fixing member 51a to which the slit nozzle 2 is fixed and two lifting mechanisms 51b for lifting and lowering the fixing member 51a while supporting the fixing member 51a. The fixing member 51a is a rod-shaped member having a rectangular cross section whose longitudinal direction is the X direction, and is made of a carbon fiber reinforced resin or the like. The two lifting mechanisms 51b are connected to both end portions in the longitudinal direction of the fixing member 51a and have an AC servomotor and a ball screw, respectively. The fixing member 51a and the slit nozzle 2 are integrally lifted and raised in the vertical direction (Z direction) by these lifting mechanisms 51b so that the discharge port of the slit nozzle 2 and the surface 31 , That is, the relative height of the discharge port with respect to the surface 31 of the substrate 3 is adjusted. The position of the slit nozzle 2 in the Z direction can be detected by the linear encoder 51c (Fig. 6). The linear encoder 51c has a not shown skew portion formed on the side surface of the lifting mechanism 51b and a not shown detection sensor formed on the side surface of the slit nozzle 2 opposite to the scaled portion.

슬릿 노즐 이동부 (52) 는, 슬릿 노즐 (2) 의 이동을 Y 방향으로 안내하는 2 개의 가이드 레일 (53) 과, 구동원인 2 개의 리니어 모터 (54) 와, 슬릿 노즐 (2) 의 토출구의 위치를 검출하기 위한 2 개의 리니어 인코더 (55) 를 구비하고 있다.The slit nozzle moving part 52 includes two guide rails 53 for guiding the movement of the slit nozzle 2 in the Y direction, two linear motors 54 for driving the slit nozzle 2, And two linear encoders 55 for detecting the position.

2 개의 가이드 레일 (53) 은, 기판 (3) 의 재치 범위를 X 방향으로부터 사이에 두도록 스테이지 (4) 의 X 방향의 양 가장자리에 배치됨과 함께, 기판 (3) 의 재치 범위를 포함하도록 Y 방향으로 연장 형성되어 있다. 그리고, 2 개의 승강 기구 (51b) 의 하단부의 각각이 2 개의 가이드 레일 (53) 을 따라 안내됨으로써, 슬릿 노즐 (2) 이 스테이지 (4) 상에 유지되는 기판 (3) 의 상방을 Y 방향으로 이동시킨다.The two guide rails 53 are disposed on both edges in the X direction of the stage 4 so as to keep the placement range of the substrate 3 in the X direction and are arranged in the Y direction As shown in Fig. Each of the lower ends of the two lift mechanisms 51b is guided along the two guide rails 53 so that the slit nozzle 2 is moved upward in the Y direction from the substrate 3 held on the stage 4 .

2 개의 리니어 모터 (54) 의 각각은, 고정자 (54a) 와 이동자 (54b) 를 갖는 AC 코어리스 리니어 모터이다. 고정자 (54a) 는, 스테이지 (4) 의 X 방향의 양 측면에 Y 방향을 따라 형성되어 있다. 한편, 이동자 (54b) 는, 승강 기구 (51b) 의 외측에 대해 고정 설치되어 있다. 리니어 모터 (54) 는, 이들 고정자 (54a) 와 이동자 (54b) 사이에 발생하는 자력에 의해, 슬릿 노즐 이동부 (52) 의 구동원으로서 기능한다.Each of the two linear motors 54 is an AC coreless linear motor having a stator 54a and a mover 54b. The stator 54a is formed along the Y direction on both sides of the stage 4 in the X direction. On the other hand, the mover 54b is fixed to the outside of the lifting mechanism 51b. The linear motor 54 functions as a driving source for the slit nozzle moving section 52 by the magnetic force generated between the stator 54a and the slider 54b.

또, 2 개의 리니어 인코더 (55) 의 각각은, 스케일부 (55a) 와 검출부 (55b) 를 가지고 있다. 스케일부 (55a) 는 스테이지 (4) 에 고정 설치된 리니어 모터 (54) 의 고정자 (54a) 의 하부에 Y 방향을 따라 형성되어 있다. 한편, 검출부 (55b) 는, 승강 기구 (51b) 에 고정 설치된 리니어 모터 (54) 의 이동자 (54b) 의 더욱 외측에 고정 설치되어, 스케일부 (55a) 에 대향 배치된다. 리니어 인코더 (55) 는, 스케일부 (55a) 와 검출부 (55b) 의 상대적인 위치 관계에 기초하여, Y 방향에 있어서의 슬릿 노즐 (2) 의 토출구의 위치를 검출한다.Each of the two linear encoders 55 has a frame portion 55a and a detection portion 55b. The scale portion 55a is formed along the Y direction below the stator 54a of the linear motor 54 fixed to the stage 4. [ On the other hand, the detecting portion 55b is fixed on the outer side of the mover 54b of the linear motor 54 fixed to the elevating mechanism 51b and disposed opposite to the scale portion 55a. The linear encoder 55 detects the position of the discharge port of the slit nozzle 2 in the Y direction on the basis of the relative positional relationship between the scale portion 55a and the detection portion 55b.

이와 같이 도포 처리부 (5) 는, 승강 기구 (51b) 에 의해 슬릿 노즐 (2) 과 기판 (3) 의 간격을 Z 방향으로 조정하면서, 슬릿 노즐 이동부 (52) 에 의해 슬릿 노즐 (2) 을 기판 (3) 에 대해 Y 방향으로 상대 이동시킬 수 있다.As described above, the coating processing unit 5 adjusts the distance between the slit nozzle 2 and the substrate 3 in the Z direction by the lifting mechanism 51b, and the slit nozzle 2 is moved by the slit nozzle moving unit 52 It can move relative to the substrate 3 in the Y direction.

다음으로 도포 장치 (1) 에 형성된 기판 유지 장치 (9) 에 대해 설명한다. 기판 유지 장치 (9) 는 도 2 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 유지부인 상기 스테이지 (4) 및 승강부 (40) 를 구비한다.Next, the substrate holding device 9 formed in the coating device 1 will be described. As shown in Figs. 2 and 3, the substrate holding apparatus 9 includes the stage 4 and the elevating unit 40, which are holding units.

도 2 는 스테이지 (4) 의 유지면 (41) 을 나타내는 평면도이다. 복수의 흡착공 (42) 은 스테이지 (4) 에 형성되고, 그 복수의 개구는 유지면 (41) 에 예를 들어 격자상으로 분산되어 형성되어 있다. 이들 흡착공 (42) 에 의해 기판 (3) 이 흡착됨으로써, 도포 처리시에 기판 (3) 이 소정의 위치에 거의 수평하게 유지된다.2 is a plan view showing the holding surface 41 of the stage 4. Fig. A plurality of adsorption holes 42 are formed in the stage 4, and the plurality of openings are formed in the holding surface 41, for example, dispersed in a lattice pattern. The substrate 3 is adsorbed by these adsorption holes 42, so that the substrate 3 is held almost horizontally at a predetermined position during the coating process.

또, 복수의 핀 구멍 (43) 은 스테이지 (4) 에 형성되고, 그 복수의 개구는 유지면 (41) 에 예를 들어 격자상으로 분산되어 형성되어 있다. 또한, 도 2 에 있어서 이해를 용이하게 하기 위해서, 흡착공 (42) 을 백색 동그라미로 도시하고, 핀 구멍 (43) 을 흑색 동그라미로 도시하고 있다.A plurality of pin holes 43 are formed in the stage 4, and the plurality of openings are formed in the holding surface 41, for example, dispersed in a lattice pattern. 2, the suction holes 42 are shown as white circles and the pin holes 43 are shown as black circles to facilitate understanding.

도 3 은, 승강부 (40) 를 나타내는 측면도이며, 복수의 리프트 핀 (7) 이 하방 위치에 있어 기판 (3) 이 유지면 (41) 에 흡착 유지되어 있는 상태를 나타내고 있다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 복수의 핀 구멍 (43) 은 각각 스테이지 (4) 를 연직 방향을 따라 관통하고, 리프트 핀 (7) 이 삽입 통과되는 관통공이다.3 is a side view showing the elevating portion 40 and shows a state in which the plurality of lift pins 7 are in a downward position and the substrate 3 is attracted and held on the holding surface 41. Fig. 3, each of the plurality of pin holes 43 is a through hole through which the stage 4 penetrates along the vertical direction and into which the lift pins 7 are inserted.

승강부 (40) 는, 승강대 (44), 승강 구동부 (45) 및 구동축 (46) 을 구비한다. 연직 방향을 따라 연장되는 복수의 리프트 핀 (7) 의 하단은, 판상의 승강대 (44) 에 각각 고정되어 있다. 승강대 (44) 에는 구동축 (46) 을 개재하여 승강 구동부 (45) 가 형성되어 있다. 이 승강 구동부 (45) 가 구동축 (46) 을 연직 방향으로 상하 구동시키면, 승강대 (44) 및 복수의 리프트 핀 (7) 이 일체적으로 승강한다.The elevating portion 40 includes a platform 44, a lift driving portion 45, and a drive shaft 46. The lower ends of the plurality of lift pins 7 extending along the vertical direction are fixed to the plate-like platform 44, respectively. The elevating base 44 is provided with a lifting and lowering drive portion 45 via a drive shaft 46. [ When the elevating drive part 45 drives the drive shaft 46 up and down in the vertical direction, the platform 44 and the plurality of lift pins 7 integrally move up and down.

승강 구동부 (45) 는, 복수의 리프트 핀 (7) 의 상단이 스테이지 (4) 의 유지면 (41) 보다 상방으로 돌출되는 상방 위치와, 복수의 리프트 핀 (7) 의 상단이 스테이지 (4) 의 유지면 (41) 으로부터 하방으로 퇴출된 하방 위치 사이에서 복수의 리프트 핀 (7) 을 연직 방향으로 진퇴시켜, 유지면 (41) 에 대해 복수의 리프트 핀 (7) 을 승강시킨다. 또한, 하방 위치는 복수의 리프트 핀 (7) 의 선단의 높이 위치가 유지면 (41) 의 높이 위치와 동일해지는 위치여도 된다.The lifting and lowering drive unit 45 is provided with an upper position where the upper ends of the plurality of lift pins 7 protrude above the holding surface 41 of the stage 4 and an upper position where the upper ends of the plurality of lift pins 7 are located above the stage 4, The plurality of lift pins 7 are moved forward and backward in the vertical direction between the lower positions where the lift pins 7 are withdrawn downward from the holding surface 41 of the holding surface 41. The downward position may be a position where the height position of the tip end of the plurality of lift pins 7 becomes equal to the height position of the holding surface 41. [

또, 도 3 에 나타내는 바와 같이 복수의 흡착공 (42) 은 스테이지 (4) 를 연직 방향을 따라 관통하는 관통공이다. 또한, 흡착공 (42) 은 스테이지 (4) 를 관통하는 구성이 아니어도 되고, 후술하는 부압원 (85) 등과 유로 접속 가능한 구성이면 된다.As shown in Fig. 3, the plurality of suction holes 42 are through-holes penetrating the stage 4 along the vertical direction. The adsorption holes 42 do not have to pass through the stage 4, and can be connected to a negative pressure source 85 or the like which will be described later.

도 4 는, 배관 계통 (80) 을 설명하기 위한 도면이다. 도 4 에 나타내는 바와 같이 복수의 흡착공 (42) 에는 제 1 배기 배관 (81) 의 일방단이 각각 유로 접속되어 있다. 제 1 배기 배관 (81) 의 일방단측은 복수의 흡착공 (42) 에 대응하여 본관으로부터 분기된 복수의 지관 (支管) 이다. 제 1 배기 배관 (81) 의 본관의 타방단은 부압원 (85) 에 유로 접속되어 있다. 부압원 (85) 은 공장의 용력 (유틸리티) 이나 도포 장치 (1) 에 부설된 진공 펌프 등이다.Fig. 4 is a view for explaining the piping system 80. Fig. As shown in Fig. 4, one end of the first exhaust pipe 81 is connected to each of the plurality of adsorption holes 42 by a flow path. One end side of the first exhaust pipe 81 is a plurality of branch pipes branched from the main pipe corresponding to the plurality of suction holes 42. The other end of the main pipe of the first exhaust pipe (81) is connected to the negative pressure source (85) by a flow path. The negative pressure source 85 is a utility power of the factory or a vacuum pump attached to the application device 1. [

제 1 배기 배관 (81) 의 본관에는 제 1 전환 밸브 (83) 가 개재되어 설치되어 있다. 제 1 전환 밸브 (83) 는, 제 1 배기 배관 (81) 이 부압원 (85) 에 유로 접속하는 흡착 상태, 또는 제 1 배기 배관 (81) 이 후술하는 압공 배관 (87) 에 유로 접속하는 흡착 해제 상태로 선택적으로 전환하는 것이다.A first switching valve (83) is provided in the main pipe of the first exhaust pipe (81). The first switching valve 83 is connected to the negative pressure source 85 through the first exhaust pipe 81 in the adsorption state where the first exhaust pipe 81 is connected to the negative pressure source 85 or when the first exhaust pipe 81 is connected to the pressure- And selectively switches to the released state.

제 1 전환 밸브 (83) 에는 압공 배관 (87) 의 일방단이 유로 접속되어 있다. 압공 배관 (87) 의 타방단은 압공원 (86) 에 유로 접속되어 있다. 압공원 (86) 은 공장의 용력 (유틸리티) 등이며, 예를 들어 질소 가스 등의 불활성 가스를 소정의 압력으로 제 1 전환 밸브 (83) 를 향하여 공급한다.The first switching valve 83 is connected to one end of a pressure communication pipe 87 through a channel. And the other end of the pressurized pipe 87 is connected to the pressure park 86 through a channel. The pressurized area 86 is a facility utility or the like and supplies an inert gas such as nitrogen gas to the first switch valve 83 at a predetermined pressure.

제 1 전환 밸브 (83) 는 제 1 배기 배관 (81) 의 타방단이 부압원 (85) 에 유로 접속하는 배기 상태와, 이 배기 상태를 멈추고, 제 1 배기 배관 (81) 을, 압공 배관 (87) 을 통하여 압공원 (86) 과 유로 접속하는 흡착 해제 상태 사이에서 선택적으로 유로를 전환한다.The first switching valve 83 is switched between an exhaust state in which the other end of the first exhaust pipe 81 is connected to the negative pressure source 85 and an exhaust state in which the first exhaust pipe 81 is connected to the pressure pipe 87 to the adsorption disengagement state in which it is connected to the pressure-reduction valve 86 through the flow path.

제 1 전환 밸브 (83) 는 예를 들어 삼방 밸브이고, 상기 배기 상태, 흡착 해제 상태, 또는 제 1 배기 배관 (81) 을 부압원 (85) 및 압공원 (86) 의 어느 것에도 유로 접속시키지 않는 폐성 상태 중 어느 것으로 선택적으로 유로를 전환한다. 또한, 제 1 배기 배관 (81) 및 제 1 전환 밸브 (83) 등이 복수의 흡착공 (42) 에 부압을 발생시키는 본 발명의 제 1 부압 발생부에 상당한다.The first switching valve 83 is, for example, a three-way valve and is connected to both the negative pressure source 85 and the pressure reducing valve 86 in the exhaust state, the adsorption canceling state, or the first exhaust pipe 81 And selectively switches the flow path to any of the non-closed states. The first exhaust pipe 81 and the first switching valve 83 correspond to the first negative pressure generating portion of the present invention which generates negative pressure on the plurality of adsorption holes 42. [

또, 복수의 핀 구멍 (43) 에는 제 2 배기 배관 (82) 의 일방단이 각각 유로 접속되어 있다. 제 2 배기 배관 (82) 의 일방단측은 복수의 핀 구멍 (43) 에 대응하여 본관으로부터 분기된 복수의 지관이다. 제 2 배기 배관 (82) 의 본관의 타방단은 부압원 (85) 에 유로 접속되어 있다.Further, one end of the second exhaust pipe 82 is connected to each of the plurality of pin holes 43 by a flow path. One end side of the second exhaust pipe 82 is a plurality of branch pipes branched from the main pipe in correspondence with the plurality of pin holes 43. The other end of the main pipe of the second exhaust pipe (82) is connected to the negative pressure source (85).

제 2 배기 배관 (82) 의 본관에는 제 2 전환 밸브 (84) 가 개재되어 설치되어 있다. 제 2 전환 밸브 (84) 는, 제 2 배기 배관 (82) 이, 부압원 (85) 에 유로 접속하는 흡착 상태, 또는 제 2 배기 배관 (82) 이 후술하는 개방 배관 (88) 에 유로 접속하는 흡착 해제 상태로 선택적으로 전환하는 것이다.A second switching valve (84) is provided in the main pipe of the second exhaust pipe (82). The second switching valve 84 is opened when the second exhaust pipe 82 is connected to the negative pressure source 85 in the adsorption state or when the second exhaust pipe 82 is connected to the open pipe 88 And selectively switches to the adsorption disengagement state.

제 2 전환 밸브 (84) 에는 개방 배관 (88) 의 일방단이 유로 접속되어 있다. 개방 배관 (88) 의 타방단은 대기에 개방되어 있다.One end of the open pipe 88 is connected to the second switching valve 84 through a flow path. The other end of the open pipe 88 is open to the atmosphere.

제 2 전환 밸브 (84) 는 제 2 배기 배관 (82) 의 타방단이 부압원 (85) 에 유로 접속하는 배기 상태와, 이 배기 상태를 멈추고, 제 2 배기 배관 (82) 을, 개방 배관 (88) 을 통하여 대기에 개방하는 흡착 해제 상태 사이에서 선택적으로 유로를 전환한다.The second switching valve 84 is switched between an exhaust state in which the other end of the second exhaust pipe 82 is connected to the negative pressure source 85 and an exhaust state in which the second exhaust pipe 82 is connected to the open pipe 88 to selectively open the adsorption state to the atmosphere.

제 2 전환 밸브 (84) 는 예를 들어 삼방 밸브이고, 상기 배기 상태, 흡착 해제 상태, 또는 제 2 배기 배관 (82) 을 부압원 (85) 및 개방 배관 (88) 의 어느 것에도 유로 접속시키지 않는 폐성 상태 중 어느 것으로 선택적으로 유로를 전환한다. 또한, 제 2 배기 배관 (82) 및 제 2 전환 밸브 (84) 등이 복수의 핀 구멍 (43) 에 부압을 발생시키는 본 발명의 제 2 부압 발생부에 상당한다.The second switching valve 84 is, for example, a three-way valve, and is connected to both the negative pressure source 85 and the open pipe 88 by the second exhaust pipe 82 in the exhaust state, And selectively switches the flow path to any of the non-closed states. The second exhaust pipe 82, the second switching valve 84 and the like correspond to the second negative pressure generating portion of the present invention which generates negative pressure in the plurality of pin holes 43.

도 5 는, 핀 구멍 (43) 을 설명하기 위한 단면도이다. 핀 구멍 (43) 은 각각 스테이지 (4) 를 연직 방향으로 관통하는 원통 형상의 관통공이지만, 그 유로 직경이 유지면 (41) 의 근방에서 단계적으로 작아지는 끝이 가느다란 형상으로 되어 있다.5 is a cross-sectional view for explaining the pin hole 43. Fig. Each of the pin holes 43 is a cylindrical through hole penetrating the stage 4 in the vertical direction. The pin hole 43 has a slender shape in which the channel diameter gradually decreases stepwise in the vicinity of the holding surface 41.

핀 구멍 (43) 의 내부에는 슬리브상의 통형상 부재 (72) 가 연직 방향을 따라 형성되어 있다. 통형상 부재 (72) 의 상단에는 시일 부재 (71) 가 배치된다. 시일 부재 (71) 는, 리프트 핀 (7) 이 삽입 통과 가능한 구멍을 가짐과 함께, 그 외주면의 대부분 (후술하는 노치부 (71a) 이외의 부분) 을 핀 구멍 (43) 의 내면에 맞닿게 하고 있다.A sleeve-shaped tubular member 72 is formed in the pin hole 43 along the vertical direction. A seal member 71 is disposed at the upper end of the tubular member 72. The seal member 71 has a hole through which the lift pin 7 can be inserted and allows the seal member 71 to abut most of the outer circumferential surface thereof (the portion other than the notch portion 71a described later) to the inner surface of the pin hole 43 have.

시일 부재 (71) 는 핀 구멍 (43) 내에서 상방 공간과 하방 공간 사이를 시일한다. 시일 부재 (71) 의 외주면의 일부에는 내부에 노치된 노치부 (71a) 가 형성되어 있다. 이 노치부 (71a) 는 배기 유로로서 기능한다.The seal member (71) seals between the upper space and the lower space in the pin hole (43). A notch 71a is formed in a portion of the outer circumferential surface of the seal member 71 so as to be notched therein. The notch 71a functions as an exhaust passage.

핀 구멍 (43) 의 하단은, 스테이지 (4) 의 이면에 고정된 덮개 부재 (73) 에 의해 폐색되어 있다. 덮개 부재 (73) 에는 리프트 핀 (7) 이 삽입 통과 가능한 구멍이 형성되어 있다. 또, 덮개 부재 (73) 에는 개구 (73a) 가 형성되고, 이 개구 (73a) 에 조인트 (74) 를 통하여 제 2 배기 배관 (82) 의 일방단이 유로 접속되어 있다.The lower end of the pin hole 43 is closed by a cover member 73 fixed to the back surface of the stage 4. [ The lid member (73) is formed with a hole through which the lift pin (7) can be inserted. An opening 73a is formed in the lid member 73 and one end of the second exhaust pipe 82 is connected to the opening 73a through a joint 74.

핀 구멍 (43) 의 내부에는, 상기 서술한 통형상 부재 (72), 시일 부재 (71)및 덮개 부재 (73) 에 의해 반밀폐 공간이 형성된다. 이와 같이 반밀폐 공간을 형성함으로써, 리프트 핀 (7) 의 승강에 수반하여 발생하는 파티클이 반밀폐 공간에서 밖으로 확산되는 것이 억제된다. 이 결과, 상기 파티클이 기판 (3) 에 부착되는 것을 억제할 수 있다.In the inside of the pin hole 43, a semi-closed space is formed by the above-described tubular member 72, the seal member 71 and the cover member 73. [ By forming the semi-closed space in this way, the particles generated along with the lifting and lowering of the lift pin 7 are prevented from diffusing out of the semi-closed space. As a result, adhesion of the particles to the substrate 3 can be suppressed.

리프트 핀 (7) 은 덮개 부재 (73), 통형상 부재 (72) 및 시일 부재 (71) 에 삽입 통과된 상태에서, 승강부 (40) 에 의해 승강된다. 또, 제 2 배기 배관 (82) 과 핀 구멍 (43) 의 상단인 유지면 (41) 에 형성된 개구는, 조인트 (74), 개구 (73a), 통형상 부재 (72) 와 핀 구멍 (43) 의 내면 사이에 형성된 유로 (43a), 및 노치부 (71a) 를 통하여 연통되어 있다.The lift pin 7 is lifted and lowered by the lift portion 40 in a state in which the lift pin 7 is inserted into the cover member 73, the tubular member 72 and the seal member 71. The opening formed in the second exhaust pipe 82 and the upper surface of the holding surface 41 which is the upper end of the pin hole 43 is formed by the joint 74, the opening 73a, the cylindrical member 72 and the pin hole 43, The flow path 43a formed between the inner surfaces of the notches 71a, and the notch 71a.

도 6 은, 제어부에 대한 각 부의 전기적인 접속 관계를 나타내는 블록도이다. 도포 장치 (1) 가 구비하는 제어부 (6) 는, CPU (Central Processing Unit) 나 RAM (Random Access Memory) 으로 구성된 컴퓨터이며, 슬릿 노즐 (2) 의 연직 이동, 수평 이동 및 도포액의 토출과 같은 각 동작을 제어한다. 요컨대, 제어부 (6) 는, 리니어 인코더 (51c) 에 의해 검출한 슬릿 노즐 (2) 의 높이에 기초하여 승강 기구 (51b) 를 제어함으로써, 슬릿 노즐 (2) 을 목표로 하는 높이로 조정한다. 이로써, 슬릿 노즐 (2) 과 기판 (3) 의 표면 (31) 의 Z 방향에 대한 간격인 노즐 갭 (G) 이 목표로 하는 간격으로 조정된다.Fig. 6 is a block diagram showing the electrical connection relationship of each part to the control unit. Fig. The control unit 6 provided in the application device 1 is a computer composed of a CPU (Central Processing Unit) or a RAM (Random Access Memory), and is used for the vertical movement, horizontal movement, And controls each operation. That is, the control unit 6 controls the lift mechanism 51b based on the height of the slit nozzle 2 detected by the linear encoder 51c to adjust the slit nozzle 2 to a target height. Thereby, the nozzle gap G, which is the gap between the slit nozzle 2 and the surface 31 of the substrate 3 in the Z direction, is adjusted to a desired gap.

또, 제어부 (6) 는, 리니어 인코더 (55) 에 의해 검출한 슬릿 노즐 (2) 의 Y 방향의 위치의 변화율에 기초하여 리니어 모터 (54) 를 제어함으로써, 슬릿 노즐 (2) 을 목표로 하는 도포 속도로 Y 방향으로 이동시킨다.The control unit 6 controls the linear motor 54 on the basis of the rate of change of the position of the slit nozzle 2 in the Y direction detected by the linear encoder 55 so that the slit nozzle 2 And is moved in the Y direction at the application speed.

또한, 제어부 (6) 는, 슬릿 노즐 (2) 에 도포액을 공급하는 펌프 (59) 를 제어함으로써, 슬릿 노즐 (2) 로부터 도포액을 목표로 하는 유량으로 토출시킨다. 그리고, 제어부 (6) 는, 슬릿 노즐 (2) 의 각 동작을 연동시킴으로써, 슬릿 노즐 (2) 과 기판 (3) 의 표면 (31) 의 간격을 조정하면서, 기판 (3) 의 표면 (31) 을 따른 방향 (Y 방향) 으로 슬릿 노즐 (2) 을 기판 (3) 에 대해 상대 이동시키면서 슬릿 노즐 (2) 로부터 도포액을 토출시킨다. 이로써, 기판 (3) 의 표면 (31) 에 도포액이 도포된다.The control unit 6 controls the pump 59 that supplies the coating liquid to the slit nozzle 2 to discharge the coating liquid from the slit nozzle 2 at a target flow rate. The control unit 6 controls the operation of the slit nozzle 2 so that the surface 31 of the substrate 3 can be moved in the vertical direction while adjusting the distance between the slit nozzle 2 and the surface 31 of the substrate 3. [ The slit nozzle 2 is discharged from the slit nozzle 2 while moving the slit nozzle 2 relative to the substrate 3 in the direction (Y direction) As a result, the coating liquid is applied to the surface 31 of the substrate 3.

또, 제어부 (6) 는, 승강 구동부 (45) 를 제어함으로써, 복수의 리프트 핀 (7) 을 상방 위치와 하방 위치 사이에서 승강시킨다.The control unit 6 controls the lifting and lowering drive unit 45 to lift and lift the plurality of lift pins 7 between the upper position and the lower position.

또, 제어부 (6) 는, 제 1 전환 밸브 (83) 를 제어하여 흡착공 (42) 에 의한 기판 (3) 의 유지 동작에 있어서 상기 배기 상태, 흡착 해제 상태 또는 폐성 상태로 선택적으로 전환한다. 또한, 제어부 (6) 는, 제 2 전환 밸브 (84) 를 제어하여 핀 구멍 (43) 에 의한 기판 (3) 의 유지 동작에 있어서 상기 배기 상태, 흡착 해제 상태 또는 폐성 상태로 선택적으로 전환한다.The control unit 6 controls the first switch valve 83 to selectively switch over to the exhaust state, the adsorbed state, or the closed state in the holding operation of the substrate 3 by the adsorption holes 42. [ The control unit 6 also controls the second switching valve 84 to selectively switch the exhaust state, the adsorbed state, or the closed state in the holding operation of the substrate 3 by the pin hole 43. [

다음으로 도 7 을 사용하여 기판 (3) 의 유지 동작을 포함하는 도포 처리 동작에 대해 설명한다. 도 7 은, 기판 처리의 동작을 나타내는 플로도이다.Next, the coating processing operation including the holding operation of the substrate 3 will be described with reference to Fig. 7 is a flowchart showing the operation of the substrate processing.

도 7 에 나타내는 스텝 S10 에서는, 상방 위치에 있는 복수의 리프트 핀 (7) 의 상단에 도시되지 않은 반송 로봇 등으로부터 기판 (3) 이 건네어져, 도포 장치 (1) 에 기판 (3) 이 반입된다 (반입 공정). 다음으로 스텝 S20 에서는, 기판 (3) 을 지지한 복수의 리프트 핀 (7) 은 하방 위치까지 하강하고, 기판 (3) 은 스테이지 (4) 의 유지면 (41) 에 재치된다.In step S10 shown in Fig. 7, the substrate 3 is transferred from a transport robot or the like (not shown) to the upper ends of a plurality of lift pins 7 in an upper position, and the substrate 3 is carried into the coating device 1 (Loading process). Next, in step S20, the plurality of lift pins 7 supporting the substrate 3 are lowered to the lower position, and the substrate 3 is placed on the holding surface 41 of the stage 4.

다음으로 스텝 S30 의 흡착 공정에서는, 폐성 상태에 있는 제 1 전환 밸브 (83) 를 배기 상태로 전환하고, 제 1 배기 배관 (81) 을 부압원 (85) 에 유로 접속한다. 이 결과, 복수의 흡착공 (42) 에 부압이 발생한다. 구체적으로는 복수의 흡착공 (42) 의 상부 개구가 유지면 (41) 에 재치된 기판 (3) 에 의해 폐색된 상태에서, 제 1 배기 배관 (81) 을 통하여 복수의 흡착공 (42) 내가 배기됨으로써 복수의 흡착공 (42) 에 부압이 발생한다.Next, in the adsorption step of step S30, the first switch valve 83 in the closed state is switched to the exhaust state, and the first exhaust pipe 81 is connected to the negative pressure source 85 through the oil line. As a result, a negative pressure is generated in the plurality of adsorption holes 42. Concretely, in a state in which the upper openings of the plurality of adsorption holes 42 are closed by the substrate 3 placed on the holding surface 41, a plurality of adsorption holes 42 are formed through the first exhaust pipe 81, A negative pressure is generated in the plurality of adsorption holes 42 by being exhausted.

복수의 흡착공 (42) 에 발생한 부압에 의해, 기판 (3) 의 이면과 유지면 (41) 사이에 잔류하는 분위기 (에어) 도 배기되고, 이 결과, 기판 (3) 이 유지면 (41) 에 흡착 유지된다.The atmosphere (air) remaining between the back surface of the substrate 3 and the holding surface 41 is also exhausted by the negative pressure generated in the plurality of suction holes 42. As a result, the substrate 3 is held on the holding surface 41, As shown in Fig.

또, 스텝 S30 (흡착 공정) 에서는, 폐성 상태에 있는 제 2 전환 밸브 (84) 를 배기 상태로 전환하고, 제 2 배기 배관 (82) 을 부압원 (85) 에 유로 접속한다. 이 결과, 복수의 핀 구멍 (43) 에 부압이 발생한다. 구체적으로는 복수의 핀 구멍 (43) 의 상부 개구가 유지면 (41) 에 재치된 기판 (3) 에 의해 폐색된 상태에서, 제 2 배기 배관 (82), 조인트 (74), 개구 (73a), 유로 (43a) 및 노치부 (71a) 를 통하여 복수의 핀 구멍 (43) 내가 배기됨으로써 복수의 핀 구멍 (43) 에 부압이 발생한다.In step S30 (adsorption step), the second switch valve 84 in the closed state is switched to the exhaust state, and the second exhaust pipe 82 is connected to the negative pressure source 85 in the flow path. As a result, a negative pressure is generated in the plurality of pin holes 43. Specifically, the second exhaust pipe 82, the joint 74, and the opening 73a are closed with the upper opening of the plurality of pin holes 43 being closed by the substrate 3 placed on the holding surface 41, A plurality of pin holes 43 are exhausted through the flow path 43a, the flow path 43a and the notch portion 71a.

복수의 핀 구멍 (43) 에 발생한 부압에 의해, 기판 (3) 의 이면과 유지면 (41) 사이에 잔류하는 분위기 (에어) 도 배기되고, 이 결과, 기판 (3) 이 유지면 (41) 에 흡착 유지된다. 이와 같이 흡착공 (42) 에 더하여 핀 구멍 (43) 에 의해서도 기판 (3) 을 흡착 유지하기 때문에, 기판 (3) 과 유지면 (41) 사이의 에어를 충분히 흡인할 수 있어, 유지면 (41) 과 기판 (3) 사이에 에어 고임이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 이 결과, 기판 (3) 을 균일한 상태에서 스테이지 (4) 에 의해 흡착 유지할 수 있다.The negative pressure generated in the plurality of pin holes 43 also exhausts the atmosphere (air) remaining between the back surface of the substrate 3 and the holding surface 41. As a result, the substrate 3 is held on the holding surface 41, As shown in Fig. The substrate 3 can be attracted and held by the pin holes 43 in addition to the suction holes 42 so that the air between the substrate 3 and the holding surface 41 can be sucked sufficiently and the holding surface 41 ) And the substrate (3) can be suppressed. As a result, the substrate 3 can be adsorbed and held by the stage 4 in a uniform state.

다음으로 스텝 S40 에서는, 스테이지 (4) 에 유지된 기판 (3) 의 표면 (31) 에, Y 방향으로 이동하는 슬릿 노즐 (2) 의 토출구로부터 토출된 도포액을 공급하며, 표면 (31) 의 둘레 가장자리를 제외하는 거의 전체면에 도포막을 형성한다 (도포 공정). 이 때, 상기 서술한 바와 같이 기판 (3) 이 균일한 상태에서 스테이지 (4) 에 의해 흡착 유지되어 있으므로, 기판 (3) 의 표면 (31) 에 형성된 도포막의 막 두께의 분포를 균일하게 할 수 있다.Next, in Step S40, the coating liquid discharged from the discharge port of the slit nozzle 2 moving in the Y direction is supplied to the surface 31 of the substrate 3 held on the stage 4, A coating film is formed on almost the entire surface excluding the peripheral edge (coating step). At this time, since the substrate 3 is adsorbed and held by the stage 4 in a uniform state as described above, the film thickness distribution of the coating film formed on the surface 31 of the substrate 3 can be made uniform have.

다음으로 스텝 S50 의 흡착 해제 공정에서는, 배기 상태에 있는 제 1 전환 밸브 (83) 를 흡착 해제 상태로 전환하고, 제 1 배기 배관 (81) 을 압공원 (86) 에 유로 접속한다. 이 결과, 복수의 흡착공 (42) 에 정압이 발생한다. 구체적으로는 복수의 흡착공 (42) 의 상부 개구가 유지면 (41) 에 재치된 기판 (3) 에 의해 폐색된 상태에서, 제 1 배기 배관 (81) 을 통하여 복수의 흡착공 (42) 내에 질소 가스 등의 기체가 공급됨으로써 복수의 흡착공 (42) 에 정압이 발생한다.Next, in the adsorption cancellation step of step S50, the first switch valve 83 in the exhaust state is switched to the adsorption disconnection state, and the first exhaust pipe 81 is connected to the pressure park 86 through a channel. As a result, a positive pressure is generated in the plurality of adsorption holes 42. Specifically, in a state in which the upper openings of the plurality of adsorption holes 42 are closed by the substrate 3 placed on the holding surface 41, the plurality of adsorption holes 42 are formed in the plurality of adsorption holes 42 through the first exhaust pipe 81 A positive pressure is generated in the plurality of adsorption holes 42 by supplying a gas such as nitrogen gas.

복수의 흡착공 (42) 에 발생한 정압에 의해, 기판 (3) 의 이면과 유지면 (41) 사이에도 기체가 공급되고, 이 결과, 기판 (3) 과 유지면 (41) 의 흡착 상태가 해제된다. 그리고, 흡착 상태가 해제된 후, 제 1 전환 밸브 (83) 를 흡착 해제 상태로부터 폐성 상태로 전환한다.The gas is also supplied between the back surface of the substrate 3 and the holding surface 41 by the positive pressure generated in the plurality of suction holes 42. As a result, the adsorption state of the substrate 3 and the holding surface 41 is released do. Then, after the adsorption state is released, the first switching valve 83 is switched from the adsorption disengagement state to the shutoff state.

또, 스텝 S50 (흡착 해제 공정) 에서는, 배기 상태에 있는 제 2 전환 밸브 (84) 를 흡착 해제 상태로 전환하고, 제 2 배기 배관 (82) 을 대기에 개방한다. 이 결과, 복수의 핀 구멍 (43) 은 대기압 상태가 된다. 구체적으로는 복수의 핀 구멍 (43) 의 상부 개구가 유지면 (41) 에 재치된 기판 (3) 에 의해 폐색된 상태에서, 제 2 배기 배관 (82), 조인트 (74), 개구 (73a), 유로 (43a) 및 노치부 (71a) 를 통하여 복수의 핀 구멍 (43) 내가 대기에 개방됨으로써 복수의 핀 구멍 (43) 은 대기압 상태가 되고, 이 결과, 기판 (3) 과 유지면 (41) 의 흡착 상태가 해제된다.In step S50 (adsorption cancellation step), the second switch valve 84 in the exhaust state is switched to the adsorbed state and the second exhaust pipe 82 is opened to the atmosphere. As a result, the plurality of pin holes 43 are at atmospheric pressure. Specifically, the second exhaust pipe 82, the joint 74, and the opening 73a are closed with the upper opening of the plurality of pin holes 43 being closed by the substrate 3 placed on the holding surface 41, The plurality of pin holes 43 are opened to the atmosphere through the flow path 43a and the notch portion 71a so that the plurality of pin holes 43 are at atmospheric pressure. Is released.

핀 구멍 (43) 의 흡착 해제 동작을, 흡착공 (42) 의 흡착 해제 동작과 마찬가지로 기체 공급에 의한 정압 발생에 의해 실현해도 되지만, 파티클에 의한 기판 (3) 의 오염을 고려하면 대기 개방에 의한 흡착 해제 동작이 바람직하다. 즉, 핀 구멍 (43) 내에는 리프트 핀 (7) 의 승강 동작에 수반하여 파티클이 발생할 우려가 있다. 이 파티클이 공급된 기체와 함께 핀 구멍 (43) 으로부터 유지면 (41) 의 상방으로 분출시키는 것보다도, 핀 구멍 (43) 을 대기 개방하는 쪽이, 파티클이 유지면 (41) 의 상방에 이르는 것이 억제되어, 기판 (3) 이 오염되는 것이 억제된다.The adsorption releasing operation of the pin hole 43 may be realized by the generation of a static pressure by the gas supply similarly to the adsorption releasing operation of the adsorption hole 42. However, considering the contamination of the substrate 3 by the particles, The adsorption release operation is preferable. In other words, particles may be generated in the pin hole 43 along with the lifting operation of the lift pin 7. It is more preferable that the particles are discharged to the upper side of the holding surface 41 from the pin hole 43 together with the supplied particles, Is suppressed, and contamination of the substrate 3 is suppressed.

다음으로, 스텝 S60 에서는, 복수의 리프트 핀 (7) 을 상승시켜 흡착 해제된 기판 (3) 을 유지면 (41) 으로부터 상방 위치까지 밀어 올린다. 다음으로 스텝 S70 에서는, 상방 위치에 있는 복수의 리프트 핀 (7) 의 상단에 지지된 기판 (3) 을 도시되지 않은 반송 로봇 등이 받아, 도포 장치 (1) 로부터 도포막이 형성된 기판 (3) 을 반출한다 (반출 공정).Next, in step S60, the plurality of lift pins 7 are raised to push up the substrate 3 from the holding surface 41 to the upper position. Next, in Step S70, the substrate 3 supported by the upper ends of the plurality of lift pins 7 in the upper position is received by a transport robot or the like (not shown), and the substrate 3 on which the coating film is formed from the coating device 1 (Export process).

상기 서술한 실시형태에서는, 제 2 부압 발생부는 복수의 핀 구멍 (43) 의 전부에 대해 부압을 발생시키는 구성이었지만, 제 2 부압 발생부는 복수의 핀 구멍 (43) 내의 일부의 핀 구멍 (43) (1 이상의 핀 구멍 (43)) 에 대해서만 부압을 발생시켜도 된다. 예를 들어, 제 2 부압 발생부는 에어 고임이 발생할 가능성이 높은 지점에 대응하는 핀 구멍 (43) 에 대해서만 부압을 발생시켜도 된다.The second negative pressure generating portion is configured to generate a negative pressure with respect to all the pin holes 43 in the plurality of pin holes 43. In this case, (One or more pin holes 43). For example, the second negative pressure generating portion may generate a negative pressure only with respect to the pin hole 43 corresponding to the point where the air gushing is likely to occur.

또, 유지면 (41) 에 재치되는 기판 (3) 의 중앙부에는 기판 (3) 의 주위로부터 멀기 때문에, 주위를 통한 배기 유로가 형성되지 않으므로, 기판 (3) 의 이면의 중앙부에 에어 고임이 발생하는 경향이 있다. 그래서, 기판 (3) 의 이면의 중앙부에 에어 고임이 발생하는 것을 억제하기 위해서, 제 2 부압 발생부는 복수의 핀 구멍 (43) 내의 유지면 (41) 에 재치되는 기판 (3) 의 중앙부에 대향하는 핀 구멍 (43) 에 대해서만 부압을 발생시켜도 된다.Since the center of the substrate 3 placed on the holding surface 41 is distant from the periphery of the substrate 3 and no exhaust flow path is formed around the periphery of the substrate 3, air gush occurs in the central portion of the back surface of the substrate 3 . The second negative pressure generating portion is provided on the center portion of the substrate 3 placed on the holding surface 41 in the plurality of pin holes 43 so as to be opposed to the center portion of the back surface of the substrate 3, A negative pressure may be generated only with respect to the pin hole 43.

예를 들어, 도 2 에는 16 개의 핀 구멍 (43) 이 나타나지만, 이 중, 기판 (3) 의 중앙부에 대향하는 4 개의 핀 구멍 (43) 에 대해서만 부압을 발생시키고, 그 주위의 12 개의 핀 구멍 (43) 에는 부압을 발생시키지 않는 형태여도 된다.For example, 16 pin holes 43 are shown in Fig. 2, but negative pressure is generated only for the four pin holes 43 opposed to the central portion of the substrate 3, and the twelve pin holes 43 (43) may not generate a negative pressure.

상기 서술한 실시형태에서는, 처리부로서 기판 유지 장치 (9) 의 유지부 (스테이지 (4)) 에 유지된 기판 (3) 의 표면 (31) 에 도포액을 도포하는 도포 처리를 실시하는 도포 처리부에 대해 설명했지만, 처리부는, 균일하게 기판이 유지된 상태에서 처리할 필요가 있는, 도포 처리부 이외의 처리부여도 된다. 예를 들어, 유지부에 기판을 흡착 유지하면서, 기판을 가열 또는 냉각시키는 열 처리를 실시하는 열 처리부여도 된다. 또, 유지부에 기판을 흡착 유지하면서, 기판에 소정의 패턴의 광을 조사하는 노광 처리를 실시하는 노광 처리부여도 된다.In the embodiment described above, the coating processing section for applying the coating liquid to the surface 31 of the substrate 3 held on the holding section (stage 4) of the substrate holding apparatus 9 as the processing section The processing section may be subjected to processing other than the coating processing section which needs to be performed in a state in which the substrate is uniformly held. For example, the heat treatment may be performed by heat-treating the substrate while holding and holding the substrate on the holding portion. In addition, the exposure processing may be performed to perform exposure processing for irradiating the substrate with light of a predetermined pattern while holding the substrate by suction.

1 : 도포 장치 (기판 처리 장치)
2 : 슬릿 노즐
3 : 기판
4 : 스테이지 (유지부)
5 : 도포 처리부 (처리부)
6 : 제어부
7 : 리프트 핀
9 : 기판 유지 장치
40 : 승강부
41 : 유지면
42 : 흡착공
43 : 핀 구멍
45 : 승강 구동부
54 : 리니어 모터
71 : 시일 부재
71a : 노치부
80 : 배관 계통
81 : 제 1 배기 배관
82 : 제 2 배기 배관
83 : 제 1 전환 밸브
84 : 제 2 전환 밸브
85 : 부압원
86 : 압공원
87 : 압공 배관
88 : 개방 배관
1: Coating apparatus (substrate processing apparatus)
2: Slit nozzle
3: substrate
4: stage (holding part)
5: Coating processor (processor)
6:
7: Lift pin
9: Substrate holding device
40:
41:
42: adsorption ball
43: pin hole
45:
54: Linear motor
71: Seal member
71a:
80: Piping system
81: First exhaust pipe
82: Second exhaust pipe
83: First switching valve
84: Second switching valve
85: Negative pressure circle
86: Abak Park
87: Pressurized piping
88: Open piping

Claims (8)

기판이 재치되는 유지면을 갖는 유지부와,
유지부에 형성된 복수의 흡착공과,
유지면에 대해 승강하는 복수의 리프트 핀과,
유지부에 형성되어, 복수의 리프트 핀이 각각 삽입 통과되는 복수의 핀 구멍과,
복수의 흡착공에 부압을 발생시키는 제 1 부압 발생부와,
복수의 핀 구멍 중, 1 이상의 핀 구멍에 부압을 발생시키는 제 2 부압 발생부를 구비하고,
제 1 부압 발생부는,
복수의 흡착공과 부압원을 유로 접속하는 제 1 배기 배관과,
제 1 배기 배관과 압공원을 유로 접속하는 압공 배관과,
제 1 배기 배관이 부압원에 유로 접속하는 흡착 상태, 또는 제 1 배기 배관이 압공 배관에 유로 접속하는 흡착 해제 상태로 선택적으로 전환하는 제 1 전환 밸브를 갖고,
제 2 부압 발생부는,
핀 구멍과 부압원을 유로 접속하는 제 2 배기 배관과,
제 2 배기 배관을 대기에 개방하는 개방 배관과,
제 2 배기 배관이 부압원에 유로 접속하는 흡착 상태, 또는 제 2 배기 배관이 개방 배관에 유로 접속하는 흡착 해제 상태로 선택적으로 전환하는 제 2 전환 밸브를 갖는, 기판 유지 장치.
A holding portion having a holding surface on which the substrate is placed,
A plurality of suction holes formed in the holding portion,
A plurality of lift pins which move up and down with respect to the holding surface,
A plurality of pin holes formed in the holding portion, into which the plurality of lift pins are respectively inserted,
A first negative pressure generating part for generating negative pressure on the plurality of adsorption holes;
And a second negative pressure generating portion for generating negative pressure in at least one of the plurality of pin holes,
The first negative pressure-
A first exhaust pipe for connecting the plurality of adsorption holes and the negative pressure source to each other,
A pressure pipe for connecting the first exhaust pipe and the pressure park to each other,
The first exhaust pipe has a first switch valve for selectively switching to an adsorption state in which the first exhaust pipe is connected to the negative pressure source or an adsorption state in which the first exhaust pipe is connected to the pressure pipe,
The second negative pressure-
A second exhaust pipe for connecting the pin hole and the negative pressure source to each other,
An open pipe for opening the second exhaust pipe to the atmosphere,
And a second switching valve for selectively switching between an adsorption state in which the second exhaust pipe is connected to the negative pressure source or an adsorption state in which the second exhaust pipe is connected to the open pipe.
제 1 항에 있어서,
리프트 핀이 삽입 통과됨과 함께, 핀 구멍 내에서 상방 공간과 하방 공간 사이를 시일하는 시일 부재와,
시일 부재에 형성된 노치부를 추가로 구비하고,
상기 노치부에 의해 배기 유로가 형성되는, 기판 유지 장치.
The method according to claim 1,
A seal member which receives the lift pin inserted therein and seals the space between the upper space and the lower space in the pin hole,
Further comprising a notch portion formed in the seal member,
And the exhaust passage is formed by the notch.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
제 2 부압 발생부는 복수의 핀 구멍 중의 일부의 핀 구멍에 대해서만 부압을 발생시키는, 기판 유지 장치.
The method according to claim 1,
And the second negative pressure generating portion generates negative pressure only for a part of the pin holes of the plurality of pin holes.
제 4 항에 있어서,
제 2 부압 발생부는 복수의 핀 구멍 내의 유지면에 재치되는 기판의 중앙부에 대향하는 핀 구멍에 대해서만 부압을 발생시키는, 기판 유지 장치.
5. The method of claim 4,
And the second negative pressure generating portion generates negative pressure only for the pin hole opposed to the central portion of the substrate placed on the holding surface in the plurality of pin holes.
제 1 항, 제 2 항, 제 4 항 및 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 기판 유지 장치와,
기판 유지 장치의 유지부에 유지된 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리부를 구비하는, 기판 처리 장치.
A substrate holding apparatus according to any one of claims 1, 2, 4, and 5,
And a processing section for performing a predetermined process on the substrate held by the holding section of the substrate holding apparatus.
제 6 항에 있어서,
처리부가 기판 유지 장치의 유지부에 유지된 기판의 표면에 도포액을 도포하는 도포 처리부인, 기판 처리 장치.
The method according to claim 6,
Wherein the processing section is a coating processing section for applying a coating liquid to the surface of the substrate held by the holding section of the substrate holding apparatus.
제 7 항에 있어서,
도포 처리부가 슬릿상의 토출구로부터 도포액을 토출시키는 슬릿 노즐과, 토출구의 길이 방향과 직교하는 방향으로 슬릿 노즐을 이동시키는 슬릿 노즐 이동부를 갖는, 기판 처리 장치.
8. The method of claim 7,
And a slit nozzle moving unit for moving the slit nozzle in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the discharge port.
KR1020170015616A 2016-03-18 2017-02-03 Substrate holding apparatus and substrate processing apparatus KR101946701B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-056007 2016-03-18
JP2016056007A JP6596371B2 (en) 2016-03-18 2016-03-18 Substrate holding device and substrate processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170108807A KR20170108807A (en) 2017-09-27
KR101946701B1 true KR101946701B1 (en) 2019-02-11

Family

ID=59972207

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170015616A KR101946701B1 (en) 2016-03-18 2017-02-03 Substrate holding apparatus and substrate processing apparatus

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6596371B2 (en)
KR (1) KR101946701B1 (en)
TW (1) TWI625817B (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7130457B2 (en) * 2018-06-20 2022-09-05 キヤノン株式会社 Electronics
US20230197495A1 (en) * 2021-12-16 2023-06-22 Applied Materials, Inc. Substrate support gap pumping to prevent glow discharge and light-up

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000100895A (en) * 1998-09-18 2000-04-07 Nikon Corp Substrate transfer device, substrate holding device, and substrate processing device
JP4712614B2 (en) 2006-05-29 2011-06-29 株式会社アルバック Vacuum processing equipment

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0786247A (en) * 1993-09-16 1995-03-31 Hitachi Ltd Method and device for processing article to be processed in reduced pressure atmosphere
JP4410063B2 (en) * 2004-09-06 2010-02-03 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing equipment
JP2007258439A (en) * 2006-03-23 2007-10-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Heat treating plate
JP4707593B2 (en) * 2006-03-23 2011-06-22 大日本スクリーン製造株式会社 Heat treatment apparatus and substrate adsorption method
JP2008098575A (en) * 2006-10-16 2008-04-24 Ntn Corp Chuck stage and pattern modifying device using the same
KR101494924B1 (en) * 2009-10-16 2015-02-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Decompression Drying Apparatus and Decompression Drying Method
JP5708055B2 (en) * 2011-03-08 2015-04-30 三菱電機株式会社 Substrate processing method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000100895A (en) * 1998-09-18 2000-04-07 Nikon Corp Substrate transfer device, substrate holding device, and substrate processing device
JP4712614B2 (en) 2006-05-29 2011-06-29 株式会社アルバック Vacuum processing equipment

Also Published As

Publication number Publication date
TW201735228A (en) 2017-10-01
JP2017174855A (en) 2017-09-28
JP6596371B2 (en) 2019-10-23
KR20170108807A (en) 2017-09-27
TWI625817B (en) 2018-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4080401B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2014022570A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI653664B (en) Thermal processing device, substrate processing apparatus, thermal processing method and substrate processing method
CN110418691B (en) Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and semiconductor device manufacturing method
KR20130058596A (en) Bonding apparatus, bonding system, bonding method and computer-readable storage medium
JP2008124050A (en) Suction stage and substrate-treating apparatus
KR20170048787A (en) Apparatus and Method for treating a substrate
KR101946701B1 (en) Substrate holding apparatus and substrate processing apparatus
JP2009004545A (en) Substrate mounting apparatus and substrate treating equipment
KR101068384B1 (en) Glass support system and support pin structure
JP6595276B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101344926B1 (en) Support unit, apparatus for treating substrate with the same
JP2009032915A (en) Substrate holding device
KR101468664B1 (en) Substrate sucking device of exposure apparatus for printed circuit board
JP7368263B2 (en) Substrate processing equipment and substrate processing method
KR20110081494A (en) Apparatus for transferring a substrate
JP6855334B2 (en) Substrate processing equipment and substrate processing method
KR20170056224A (en) Bake apparatus and bake method
KR101007685B1 (en) Apparatus of coating photo resist composition in a Flat Panel Display manufacturing
JP2015195276A (en) Device and system for substrate processing
CN110634780A (en) Substrate carrier apparatus and method
WO2012060205A1 (en) Template processing method, computer storage medium, and template processing device
TWI837457B (en) Substrate processing device and substrate processing method
KR101884853B1 (en) Substrate support unit and apparatus to treat substrate including same
CN206293422U (en) Base plate keeping device and substrate board treatment

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant