KR101946242B1

KR101946242B1 - Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Info

Publication number: KR101946242B1
Application number: KR1020170083453A
Authority: KR
Inventors: 김경민; 정겨울
Original assignee: 주식회사 세미콘라이트
Priority date: 2017-06-30
Filing date: 2017-06-30
Publication date: 2019-05-09
Also published as: KR20190003893A

Abstract

본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 중앙영역이 오목한 상면을 갖는 본체부; 반도체 발광소자 칩이 배치되며 중앙영역에 대응되는 부분이 본체부의 하면으로 돌출된 바닥부; 그리고 본체부의 하면에 위치하며 바닥부와 중첩되지 않는 복수의 지지부;를 포함하고, 지지부는 금속 접합부를 포함하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present disclosure relates to a semiconductor light emitting device comprising: a body portion having a concave upper surface in a central region; A bottom portion in which a semiconductor light emitting device chip is disposed and a portion corresponding to a central region protrudes from a bottom surface of the main body; And a plurality of supporting portions located on a bottom surface of the main body portion and not overlapped with the bottom portion, wherein the supporting portion includes a metal bonding portion.

Description

Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the same,

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 발광효율을 높인 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to a semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a semiconductor light emitting device having a high light emitting efficiency and a method of manufacturing the same.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자 칩은 성장 기판(100; 예: 사파이어 기판), 성장 기판(100) 위에, 버퍼층(200), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400; 예; INGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 도전막(600)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(700)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(800; 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 버퍼층(200)은 생략될 수 있다.1 is a diagram showing an example of a conventional semiconductor light emitting device chip. The semiconductor light emitting device chip includes a growth substrate 100 (for example, a sapphire substrate), a growth substrate 100, a buffer layer 200, A first semiconductor layer 300 (e.g., an n-type GaN layer), an active layer 400 (e.g., INGaN / (In) GaN MQWs) that generates light through recombination of electrons and holes, a second conductivity different from the first conductivity A light emitting conductive film 600 for current diffusion and an electrode 700 serving as a bonding pad are formed on the second semiconductor layer 500 (e.g., a p-type GaN layer) An electrode 800 (e.g., a Cr / Ni / Au laminated metal pad) serving as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 300 exposed by etching. The buffer layer 200 may be omitted.

도 1과 같은 형태의 반도체 발광소자 칩을 특히 레터럴 칩(Lateral Chip)이라고 한다. 여기서, 성장 기판(100) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다.The semiconductor light-emitting device chip of the type shown in Fig. 1 is referred to as a lateral chip in particular. Here, when the growth substrate 100 side is electrically connected to the outside, it becomes a mounting surface.

도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 보여주는 도면으로서, 반도체 발광소자 칩은 성장 기판(100), 성장 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 성장 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 제1 전극막(901), 제2 전극막(902) 및 제3 전극막(903)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800)이 형성되어 있다.FIG. 2 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device chip disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436. The semiconductor light emitting device chip includes a growth substrate 100, a growth substrate 100, a first semiconductor An active layer 400 for generating light through recombination of electrons and holes and a second semiconductor layer 500 having a second conductivity different from the first conductivity are sequentially deposited on the substrate 300, The first electrode layer 901, the second electrode layer 902 and the third electrode layer 903 are formed in three layers for reflecting light toward the first semiconductor layer 300 An electrode 800 functioning as a bonding pad is formed on the substrate 800. [

제1 전극막(901)은 Ag 반사막, 제2 전극막(902)은 Ni 확산 방지막, 제3 전극막(903)은 Au 본딩층일 수 있다. 여기서, 제3 전극막(903) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다. 도 2와 같은 형태의 반도체 발광소자 칩을 특히 플립 칩(Flip Chip)이라고 한다. 도 2에 도시된 플립 칩의 경우 제1 반도체층(300) 위에 형성된 전극(800)이 제2 반도체층(500) 위에 형성된 전극막(901, 902, 903)보다 낮은 높이에 있지만, 동일한 높이에 형성될 수 있도록 할 수 도 있다. 여기서 높이의 기준은 성장 기판(100)으로부터의 높이일 수 있다.The first electrode film 901 may be an Ag reflective film, the second electrode film 902 may be an Ni diffusion prevention film, and the third electrode film 903 may be an Au bonding layer. Here, when the third electrode film 903 side is electrically connected to the outside, it becomes a mounting surface. The semiconductor light emitting device chip of the type shown in FIG. 2 is called a flip chip. 2, the electrode 800 formed on the first semiconductor layer 300 is lower in height than the electrode films 901, 902, and 903 formed on the second semiconductor layer 500, So that it can be formed. Here, the reference of the height may be a height from the growth substrate 100.

도 3은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다.3 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device.

반도체 발광소자(100)는 리드 프레임(110, 120), 몰드(130), 그리고 캐비티(140) 내에 수직형 반도체 발광소자 칩(150; Vertical Type Light Emitting Chip)이 구비되어 있고, 캐비티(140)는 파장 변환재(160)를 함유하는 봉지재(170)로 채워져 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(150)의 하면이 리드 프레임(110)에 전기적으로 직접 연결되고, 상면이 와이어(180)에 의해 리드 프레임(120)에 전기적으로 연결되어 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(150)에서 나온 광의 일부가 파장 변환재(160)를 여기 시켜 다른 색의 광을 만들어 두 개의 서로 다른 광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 예를 들어 반도체 발광소자 칩(150)은 청색광을 만들고 파장 변환재(160)에 여기 되어 만들어진 광은 황색광이며, 청색광과 황색광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 도 3은 수직형 반도체 발광소자 칩(150)을 사용한 반도체 발광소자를 보여주고 있지만, 도 1 및 도 2에 도시된 반도체 발광소자 칩을 사용하여 도 3과 같은 형태의 반도체 발광소자를 제조할 수도 있다.The semiconductor light emitting device 100 is provided with lead frames 110 and 120, a mold 130, and a vertical type light emitting chip 150 in a cavity 140. The cavity 140 is formed in the cavity 130, Is filled with an encapsulant 170 containing the wavelength conversion material 160. The lower surface of the vertical type semiconductor light emitting device chip 150 is electrically connected directly to the lead frame 110 and the upper surface thereof is electrically connected to the lead frame 120 by the wire 180. A part of the light emitted from the vertical type semiconductor light emitting device chip 150 excites the wavelength conversion material 160 to produce light of a different color, and two different lights may be mixed to form white light. For example, the semiconductor light emitting device chip 150 generates blue light, and the light generated by exciting the wavelength conversion material 160 is yellow light, and blue light and yellow light may be mixed to form white light. FIG. 3 shows a semiconductor light emitting device using the vertical semiconductor light emitting device chip 150, but it is also possible to manufacture the semiconductor light emitting device of FIG. 3 using the semiconductor light emitting device chip shown in FIGS. 1 and 2 have.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니 된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 중앙영역이 오목한 상면을 갖는 본체부; 반도체 발광소자 칩이 배치되며 중앙영역에 대응되는 부분이 본체부의 하면으로 돌출된 바닥부; 그리고 본체부의 하면에 위치하며 바닥부와 중첩되지 않는 복수의 지지부;를 포함하고, 지지부는 금속 접합부를 포함하는 반도체 발광소자 가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, there is provided a semiconductor light emitting device comprising: a body portion having a concave upper surface of a central region; A bottom portion in which a semiconductor light emitting device chip is disposed and a portion corresponding to a central region protrudes from a bottom surface of the main body; And a plurality of supporting portions located on a lower surface of the main body portion and not overlapping the bottom portion, wherein the supporting portion includes a metal bonding portion.

도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예(Lateral Chip)를 나타내는 도면,
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면,
도 3은 종래의 반도체 발광소자 칩의 또 다른 예(Vertical Chip)를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 칩에서 나오는 광의 다양한 반사 경로를 보여주는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자에서 지향각 조절에 따른 효과를 설명하는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조 방법의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 설명하기 위한 도면.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device chip (lateral chip)
FIG. 2 is a view showing another example (Flip Chip) of the semiconductor light emitting device chip disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436,
3 is a view showing still another example of a conventional semiconductor light emitting device chip (Vertical Chip)
4 is a view for explaining an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
5 is a view showing various reflection paths of light emitted from the semiconductor light emitting device chip according to the present disclosure,
6 is a view for explaining the effect of the orientation angle adjustment in the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
7 is a view for explaining an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
8 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
9 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
10 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
11 is a view for explaining another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
12 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 도면으로서, 도 4(a)는 사시도이고, 도 4(b)는 AA'에 따른 단면도이며, 도 4(c)는 BB'에 따른 단면도이고, 도 4(d)는 배면도이다.FIG. 4A is a perspective view, FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the line AA ', and FIG. 4C is a cross-sectional view taken along the line BB' And Fig. 4 (d) is a rear view.

도 4를 참조하면, 반도체 발광소자(1)는 반도체 발광소자 칩(10)이 배치된 몸체(100)를 포함한다. 본 개시에서 반도체 발광소자 칩(10)은 상면 및 측면이 봉지재에 의해 감싸서 형성되고, 플립 칩(flip chip)이 적합하지만, 레터럴 칩(lateral chip)이나 수직형 칩(vertical chip)을 배제하는 것은 아니다. 한편, 봉지재는 생략될 수 있다.Referring to FIG. 4, the semiconductor light emitting device 1 includes a body 100 on which the semiconductor light emitting device chip 10 is disposed. In the present disclosure, the semiconductor light emitting device chip 10 is formed by encapsulating the top and sides of the semiconductor light emitting device chip 10 with an encapsulating material, and a flip chip is suitable, but a lateral chip or a vertical chip is excluded It does not. On the other hand, the sealing material can be omitted.

몸체(100)는 본체부(110), 바닥부(120) 및 지지부(130)를 포함한다. 몸체(100)는 투명한 실리콘과 같은 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.The body 100 includes a body portion 110, a bottom portion 120, and a support portion 130. The body 100 is preferably made of a material such as transparent silicone.

본체부(110)는 중앙영역(p)이 위로 볼록한 상면(111)을 포함한다. 본체부(110)의 상면(111)의 지름(d1)은 본체부(110)의 외측 높이(h1)보다 길게 형성된다. 예를 들어, 본체부(110)의 상면(111)의 지름(d1)은 1mm 이상 10mm이하일 수 있으며, 본체부(110)의 외측 높이(h1)는 0.2mm 이상 5mm 이하일 수 있다.The body portion 110 includes an upper surface 111 having a central region p which is convex upward. The diameter d1 of the upper surface 111 of the main body 110 is longer than the outer height h1 of the main body 110. [ For example, the diameter d1 of the upper surface 111 of the main body 110 may be 1 mm or more and 10 mm or less, and the outside height h1 of the main body 110 may be 0.2 mm or more and 5 mm or less.

본체부(110)의 중앙영역(p)이 위치한 내측 높이(h2)는 본체부(110)의 외측 높이(h1)보다 작게 형성되는 것이 바람직하다. 외측 높이(h1)보다 내측 높이(h2)보다 낮게 형성됨으로써, 본체부(110)의 상면(111)이 중앙영역(p)을 중심으로 일정한 기울기를 갖도록 형성된다.The inner height h2 at which the central region p of the body 110 is located is preferably smaller than the outer height h1 of the body 110. [ The upper surface 111 of the main body 110 is formed to have a constant slope with respect to the central region p by being formed to be lower than the inner height h2 than the outer height h1.

본체부(110)의 상면(111)이 중앙영역(p)을 중심으로 일정한 기울기를 가짐으로써, 반도체 발광소자 칩(10)에서 나오는 빛을 도 5(a)에 도시된 반사 경로 ①과 같이 반사시켜 반도체 발광소자(1)의 측면으로 나가도록 하여 측면으로 추출되는 광 추출 효율 향상시킬 수 있다. 즉, 반도체 발광소자 칩(10)으로부터 나오는 빛이 본체부(110)의 상면(111)에서 반사되어 반도체 발광소자(10)의 측면으로 나간다.The upper surface 111 of the main body 110 has a constant inclination about the central region p so that the light emitted from the semiconductor light emitting device chip 10 is reflected by the reflective path 1 as shown in FIG. To the side of the semiconductor light emitting device 1, thereby improving the extraction efficiency of the side light. That is, light emitted from the semiconductor light emitting device chip 10 is reflected by the upper surface 111 of the main body 110, and is emitted to the side of the semiconductor light emitting device 10.

여기서, 본체부(110)의 상면(111)은 중앙영역(p)을 중심으로 직선 또는 오목한 모양, 볼록한 모양 등의 곡선으로 이루어질 수 있다. 곡선으로 이루어지는 경우 직선보다 반사되는 각도가 다양해져 광 추출 효율이 더욱 높아질 수 있다. 본 개시에서, 본체부(110)의 상면(111)은 중앙영역(p)을 중심으로 위로 볼록한 모양의 곡선을 갖는 것으로 도시하였지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 본체부(100)의 상면(111)이 위로 볼록한 정도에 따라 반도체 발광소자(1)의 측면으로 나가는 빛의 지향각을 조절하여 광 추출 효율이 더욱 높아질 수 있다. 지향각 조절에 대해서는 후술한다.Here, the upper surface 111 of the main body 110 may have a straight line, a concave shape, a convex shape, or the like around the central region p. In the case of a curved line, the angle of reflection from the straight line is varied, and the light extraction efficiency can be further increased. In the present disclosure, the upper surface 111 of the main body 110 has a curved shape convex upward about the central region p, but the present invention is not limited thereto. The light extracting efficiency can be further increased by adjusting the directivity angle of the light to the side of the semiconductor light emitting device 1 according to the degree of the convexity of the upper surface 111 of the body 100. The steering angle control will be described later.

바닥부(120)는 반도체 발광소자 칩(10)이 배치되며, 중앙영역(p)에 대응되는 부분이 본체부(110)의 하면(112)으로 돌출되어 형성된다. 여기서, 바닥부(120)의 높이(h3)는 복수의 지지부(130)의 높이(h4)와 동일하게 형성되는 것이 바람직하다.The bottom 120 is formed by the semiconductor light emitting device chip 10 and a portion corresponding to the central region p protruding from the bottom surface 112 of the main body 110. It is preferable that the height h3 of the bottom 120 is equal to the height h4 of the plurality of supports 130. [

바닥부(120)의 높이(h3)는 반도체 발광소자 칩(10)의 높이(h5)보다 높은 것이 바람직하다. 바닥부(120)의 높이(h3)가 반도체 발광소자 칩(10)의 높이(h5)보다 낮은 경우 반도체 발광소자 칩(10)의 측면에서 나오는 빛이 후술될 바닥부(120)의 측면(123)에 반사되지 않고 그대로 나감으로써, 반도체 발광소자(1)의 광 추출 효율이 떨어질 수 있기 때문이다. 이에 광 경로 등을 고려하여 바닥부(120)의 높이(h3)가 반도체 발광소자 칩(10)의 높이(h5)보다 높게 형성한다. 바닥부(120)의 높이(h3) 및 반도체 발광소자 칩(10)의 높이(h5)는 바닥부(212)의 하면(122)을 기준으로 측정할 수 있다. 발광소자 칩(10)의 높이(h5)는 0.05mm 이상 내지 0.5mm 이하 일 수 있고, 바닥부(120)의 높이(h3)는 0.2mm 이상 내지 1.5mm 이하 일 수 있다.The height h3 of the bottom portion 120 is preferably higher than the height h5 of the semiconductor light emitting device chip 10. [ When the height h3 of the bottom 120 is lower than the height h5 of the semiconductor light emitting device chip 10, the light emitted from the side surface of the semiconductor light emitting device chip 10 is reflected on the side surface 123 , The light extraction efficiency of the semiconductor light emitting element 1 may be lowered. The height h3 of the bottom portion 120 is formed to be higher than the height h5 of the semiconductor light emitting device chip 10 in consideration of the optical path or the like. The height h3 of the bottom part 120 and the height h5 of the semiconductor light emitting device chip 10 can be measured based on the bottom surface 122 of the bottom part 212. [ The height h5 of the light emitting device chip 10 may be 0.05 mm or more to 0.5 mm or less and the height h3 of the bottom portion 120 may be 0.2 mm or more to 1.5 mm or less.

바닥부(120)는 본체부(110)의 하면(112)에 접촉된 바닥부(120)의 상면(121)에서 반도체 발광소자 칩(10)이 배치된 바닥부(120)의 하면(122) 방향으로 경사진 기울기를 갖도록 형성된다. 여기서, 바닥부(120)의 상면(121)의 지름(d2)은 바닥부(120)의 하면(122)의 지름(d3)보다 크게 형성된다. 또한, 바닥부(120)의 상면(121)의 지름(d2) 및 바닥부(120)의 하면(122)의 지름(d3)은 본체부(110)의 상면(111)의 지름(d1)보다 작게 형성되는 것이 바람직하다.The bottom part 120 is formed on the bottom surface 122 of the bottom part 120 where the semiconductor light emitting device chip 10 is disposed on the top surface 121 of the bottom part 120 contacting the bottom surface 112 of the main body part 110, As shown in FIG. The diameter d2 of the upper surface 121 of the bottom part 120 is formed to be larger than the diameter d3 of the lower surface 122 of the bottom part 120. [ The diameter d2 of the upper surface 121 of the bottom part 120 and the diameter d3 of the lower surface 122 of the bottom part 120 are smaller than the diameter d1 of the upper surface 111 of the body part 110 It is preferable that it is formed small.

바닥부(120)의 하면(122)의 지름(d3)은 반도체 발광소자 칩(10)의 크기와 비슷하거나 반도체 발광소자 칩(10)의 1.5배가 바람직하다.The diameter d3 of the lower surface 122 of the bottom 120 is preferably equal to the size of the semiconductor light emitting device chip 10 or 1.5 times the size of the semiconductor light emitting device chip 10. [

이에 따라, 바닥부(120)의 측면(123)은 직선 또는 오목한 모양, 볼록한 모양 등의 곡선으로 이루어질 수 있다. 곡선으로 이루어지는 경우 직선보다 반사되는 각도가 다양해져 광 추출 효율이 더욱 높아질 수 있다.Accordingly, the side surface 123 of the bottom portion 120 may be formed of a straight line, a concave shape, a convex shape, or the like. In the case of a curved line, the angle of reflection from the straight line is varied, and the light extraction efficiency can be further increased.

본 개시에서, 바닥부(120)의 측면(123)은 아래로 볼록한 모양의 곡선을 갖는 것으로 도시하였지만, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present disclosure, the side surface 123 of the bottom portion 120 is shown to have a downward convex curve, but the present invention is not limited thereto.

바닥부(120)의 측면(123)이 아래로 볼록한 정도에 따라 반도체 발광소자(1)의 측면으로 나가는 빛의 지향각을 조절하여 광 추출 효율이 더욱 높아질 수 있다. 지향각 조절에 대해서는 후술한다.The light extraction efficiency can be further increased by adjusting the directivity angle of the light to the side of the semiconductor light emitting device 1 according to the degree of the convexity of the side surface 123 of the bottom portion 120. The steering angle control will be described later.

앞서 살펴본 바와 같이, 바닥부(120)의 상면(121)에서 바닥부(120)의 하면(122) 방향으로 일정한 기울기를 가짐으로써, 반도체 발광소자 칩(10)에서 나오는 빛을 도 5(a)에 도시된 반사 경로 ②와 같이 반사시켜 반도체 발광소자(1)의 측면으로 나가도록 하여 측면으로 추출되는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 즉, 반도체 발광소자 칩(10)으로부터 나오는 빛 본체부(110)의 상면(111)에서 1차로 반사된 후, 바닥부(120)의 측면(123)에서 2차로 재반사된 후, 바닥부(120)의 측면(123)에서 반사된 빛이 본체부(110)의 상면(111)에서 3차로 재반사되어 반도체 발광소자(1)의 측면으로 나감으로써, 측면으로 추출되는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.5 (a), the light emitted from the semiconductor light emitting device chip 10 is reflected by the upper surface 121 of the bottom part 120 and the lower surface 122 of the bottom part 120, Reflection path 2 shown in FIG. 3B to be reflected to the side surface of the semiconductor light emitting device 1, thereby improving the light extraction efficiency extracted on the side surface. The light is firstly reflected from the upper surface 111 of the light main body 110 coming from the semiconductor light emitting device chip 10 and then reflected again by the side surface 123 of the bottom part 120, The light reflected from the side surface 123 of the semiconductor light emitting device 120 is reflected by the upper surface 111 of the main body 110 in a third order so as to be directed to the side surface of the semiconductor light emitting device 1, .

더욱이, 도 5(a)에 도시된 반사 경로 ③과 같이 반도체 발광소자 칩(10)의 측면에서 나오는 빛을 반도체 발광소자(1)의 측면으로 나가도록 하여 측면으로 추출되는 광 추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다. 즉, 반도체 발광소자 칩(10)의 측면에서 나오는 빛이 바닥부(120)의 측면(123)에서 1차로 반사된 후, 바닥부(120)의 측면(123)에서 반사된 빛이 본체부(110)의 상면(111)에서 2차로 재반사되어 반도체 발광소자(1)의 측면으로 나감으로써, 광의 발광효율을 더욱 향상시킬 수 있다.5 (a), the light emitted from the side surface of the semiconductor light emitting device chip 10 is directed to the side surface of the semiconductor light emitting device 1, thereby further improving the light extraction efficiency that is extracted laterally . That is, after the light emitted from the side surface of the semiconductor light emitting device chip 10 is firstly reflected from the side surface 123 of the bottom portion 120, the light reflected from the side surface 123 of the bottom portion 120 is reflected by the main body portion The light emitting efficiency of the light can be further improved by being reflected again on the upper surface 111 of the semiconductor light emitting element 1 by the second order.

이에 따라, 본 개시에서 반도체 발광소자(1)는 반도체 발광소자 칩(10)의 상면 및 측면으로부터 나오는 빛이 반도체 발광소자의 측면으로 나가도록 하는 4면 발광 반도체 소자를 포함할 수 있다.Accordingly, in the present disclosure, the semiconductor light emitting device 1 may include a four-sided light emitting semiconductor device that allows light emitted from the top and sides of the semiconductor light emitting device chip 10 to be directed to the side of the semiconductor light emitting device.

이와 달리, 바닥부의 구성을 포함하지 않는 반도체 발광소자는 도 5(b)에 도시된 반사 경로와 같이 반도체 발광소자 칩으로부터 나오는 빛이 본체부의 상면에 의해 반사되어 외부 기판(1000)에서 반도체 발광소자의 상면으로 나가는 빛의 양이 훨씬 많아 측면으로 추출되는 빛의 효율이 감소하는 문제점이 있었다. 더욱이, 외부 기판(1000)에 의해 빛이 재반사됨으로써 광의 반사경로에 변형 또는 왜곡 현상(B)이 발생하는 문제점이 있었다.5B, the light emitted from the semiconductor light emitting device chip is reflected by the upper surface of the main body portion, and the light emitted from the semiconductor light emitting device There is a problem that the efficiency of light extracted to the side decreases. Further, there is a problem that deformation or distortion phenomenon B occurs in the reflecting mirror of the light due to the reflection of light by the external substrate 1000.

하지만, 본 개시에서는 반도체 발광소자 칩(10)으로부터 나오는 빛이 바닥부(120)의 아래로 볼록한 곡선의 측면(123) 및 본체부(110)의 위로 볼록한 곡선의 상면(111)에 의해 반사되어 반도체 발광소자(1)의 측면 방향으로 나가도록 하여 광 추출 효율을 더욱 증가시킬 수 있다. 즉, 반도체 발광소자(1)의 측면으로 나오는 빛은 도 5(c)에 도시한 바와 같이, 바닥부를 포함하지 않는 경우 대부분 반도체 발광소자의 상측 방향 또는 하측 방향으로 빛이 나가지만, 바닥부를 포함하는 경우 반도체 발광소자의 측면 방향으로 빛이 나간다.However, in the present disclosure, light emitted from the semiconductor light emitting device chip 10 is reflected by the convex curved side surface 123 of the bottom portion 120 and the top surface 111 of the convex curved upper portion of the main body portion 110 It is possible to further increase the light extraction efficiency by leaving the semiconductor light emitting element 1 in the lateral direction. That is, as shown in FIG. 5 (c), light emitted from the side surface of the semiconductor light emitting device 1 is mostly emitted upward or downward of the semiconductor light emitting device when the bottom portion is not included, Light is emitted in the lateral direction of the semiconductor light emitting element.

이때, 바닥부(120)의 측면(123)의 아래로 볼록한 정도 및 본체부(110)의 상면(111)의 위로 볼록한 정도에 따라 반도체 발광소자 칩(10)으로부터 나오는 빛이 반도체 발광소자(1)로 나가는 지향각을 조절할 수 있다.Light emitted from the semiconductor light emitting device chip 10 is reflected by the semiconductor light emitting device 1 (see FIG. 1) depending on the degree of convexity of the side surface 123 of the bottom part 120 and the degree of convexity of the top surface 111 of the body part 110, ) Can be adjusted.

도 6(a)를 참조하면, 지향각 조절을 설명하기 위해 서로 다른 아래로 볼록한 정도를 갖는 1개의 바닥부(120)의 측면(1231, 1232, 1233)을 1개의 반도체 발광소자에 함께 표시하였고, 도 6(b)를 참조하면, 지향각 조절을 설명하기 위한 서로 다른 위로 볼록한 정도를 갖는 1개의 본체부(110)의 상면(1111, 1112, 1113)을 1개의 반도체 발광소자에 함께 표시하였다.6A, side surfaces 1231, 1232, and 1233 of one bottom portion 120 having different downward convex degrees are shown together in one semiconductor light emitting element to explain directing angle adjustment The upper surfaces 1111, 1112, and 1113 of one body 110 having different upward convexities for describing the directing angle adjustment are shown together in one semiconductor light emitting device .

구체적으로, 도 6(a)를 참조하면, 바닥부(120)의 아래로 볼록함이 가장 작은 제1 측면(1231)에 반사되어 나가는 빛(L11)의 지향각이 가장 작고, 바닥부(120)의 아래로 볼록함이 가장 큰 제3 측면(1233)에 반사되어 나가는 빛(L13)의 지향각이 가장 크다. 이때, 가상의 직선의 측면(1320)에서 상측 수직 방향으로 나가는 가상의 빛(L10)의 지향각을 90°로 하며 상측 수직 방향보다 기울어지는 경우 지향각이 커진다라고 한다. 이에 따라, 아래로 볼록함이 클수록 지향각이 180°에 가까워진다.6A, the light L11 reflected by the first side 1231 having the smallest convexity downward from the bottom 120 has the smallest directivity angle, and the bottom 120 And the light L13 reflected by the third side surface 1233 having the largest convexity is the largest. At this time, it is assumed that the directivity angle of the imaginary light L10 extending from the side 1320 of the virtual straight line to the upper vertical direction is 90 degrees and the directivity angle becomes larger when the imaginary light L10 is tilted from the upper side. Accordingly, the larger the downward convexity, the closer the directivity angle becomes to 180 degrees.

또한, 도 6(b)를 참조하면, 본체부(110)의 위로 볼록함이 가장 작은 제1 상면(1111)에 반사되어 나가는 빛(L21)의 지향각이 가장 작고, 본체부(110)의 위로 볼록함이 가장 큰 제3 상면(1113)에 반사되어 나가는 빛(L23)의 지향각이 가장 크다. 이때, 가상의 직선의 측면(1110)에서 상측 수직 방향으로 나가는 가상의 빛(L20)의 지향각을 90°로 하며 상측 수직 방향보다 기울어지는 경우 지향각이 커진다라고 한다. 이에 따라, 위로 볼록함이 클수록 지향각이 180°에 가까워진다.6 (b), the light L21 reflected by the first upper surface 1111 having the smallest convexity above the main body 110 has the smallest directivity angle, The light L23 reflected by the third upper surface 1113 having the largest convexity has the largest directivity angle. At this time, it is assumed that the directivity angle of the imaginary light L20 extending from the side 1110 of the imaginary straight line to the upper vertical direction is 90 degrees and the directivity angle becomes larger when the imaginary straight line L20 is inclined from the upper side. Accordingly, the larger the convexity is, the closer the directivity angle is to 180 degrees.

복수의 지지부(130)는 바닥부(120)를 중심으로 서로 이격되어 본체부(110)의 하면(112)에 위치하며 바닥부(120)와 중첩되지 않도록 형성된다.The plurality of supports 130 are spaced from each other about the bottom 120 and are positioned on the bottom surface 112 of the main body 110 and are not overlapped with the bottom 120.

복수의 지지부(130)의 높이(h4)는 바닥부(120)의 높이(h3)와 동일하게 형성되는 것이 바람직하다. 복수의 지지부(130)의 높이(h4)가 바닥부(120)의 높이(h3)보다 크게 형성될 수 있지만, 반도체 발광소자(1)가 전체적으로 균일한 무게 중심을 갖도록 높이(h3, h4)가 동일하게 형성되는 것이 바람직하다.It is preferable that the height h4 of the plurality of support portions 130 is formed to be the same as the height h3 of the bottom portion 120. [ The height h4 of the plurality of supports 130 may be greater than the height h3 of the bottom 120. The heights h3 and h4 may be set so that the semiconductor light emitting element 1 has a uniform center of gravity as a whole It is preferable that they are formed in the same manner.

여기서, 복수의 지지부(130)의 외측면이 본체부(110)의 외측면으로부터 연장되어 동일선상에 위치할 수 있지만, 이에 한정하지 않고 본체부(110)의 외측면에서 일정간격으로 이격되어 본체부(110)의 하면(112)에 위치할 수도 있다.Here, the outer surfaces of the plurality of supports 130 may extend from the outer surface of the main body 110 and be located on the same line. However, the outer surface of the main body 110 may be spaced apart from the outer surface of the main body 110, And may be located on the lower surface 112 of the portion 110.

도 4(d)를 참조하면, 바닥부(120)를 중심으로 서로 이격되어 위치하는 복수의 지지부(130)는 바닥부(120)까지의 거리(d4)가 서로 동일하게 형성되는 것이 바람직하다. 이에 따라 반도체 발광소자(1)가 전체적으로 균일한 무게 중심을 갖도록 하여 신뢰성이 향상될 수 있다.Referring to FIG. 4 (d), it is preferable that the plurality of supports 130 spaced apart from each other about the bottom 120 are formed to have the same distance d4 to the bottom 120. Accordingly, the semiconductor light emitting element 1 can have a uniform center of gravity as a whole, and reliability can be improved.

또한, 도 4(d)를 참조하면, 바닥부(120)를 중심으로 서로 이격되어 위치하는 복수의 지지부(130)는 각각 인접한 지지부(130)와의 거리(d5)가 서로 동일하게 형성되는 것이 바람직하다. 이에 따라 반도체 발광소자(1)가 전체적으로 균일한 무게 중심을 갖도록 하여 신뢰성이 향상될 수 있다.4D, it is preferable that the plurality of support portions 130 spaced apart from each other with respect to the bottom portion 120 are formed to have the same distance d5 from the adjacent support portions 130 Do. Accordingly, the semiconductor light emitting element 1 can have a uniform center of gravity as a whole, and reliability can be improved.

본 개시에서 복수의 지지부(130)의 개수를 4개로 도시하였지만, 이에 한정하지 않고 최소 3개 이상 또는 그 이상의 개수를 가질 수 있다.Although the number of the plurality of support portions 130 is shown as four in the present disclosure, the number of the plurality of support portions 130 is not limited to four, but may be three or more.

도7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자(1)의 제조방법의 일 예를 설명하기 위한 도면이다.7 is a view for explaining an example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device 1 according to the present disclosure.

본 개시에 따른 반도체 발광소자(1a)의 제조방법을 살펴보면, 먼저, 도 7(a)에 도시된 바와 같이 몸체(110a)의 형상을 갖는 제1 프레임(100a)이 고정된 베이스(11a)를 준비한다.7 (a), a base 11a to which a first frame 100a having a shape of a body 110a is fixed, and a base 11b Prepare.

제1 프레임(100a)은 몸체(110a)의 외형의 형상을 위한 제1 홀(111a)이 구비된 몸체 프레임(112a)과 반도체 발광소자 칩(10a)이 배치될 바닥부(120a)의 형상을 위한 제2 홀(121a)이 구비된 바닥 프레임(122a)을 포함한다.The first frame 100a includes a body frame 112a provided with a first hole 111a for the shape of the body 110a and a bottom 120a on which the semiconductor light emitting device chip 10a is to be disposed And a bottom frame 122a provided with a second hole 121a.

또한, 제1 프레임(100a)은 복수개의 몸체 프레임(112a) 및 바닥 프레임(122a)이 위치한 양쪽 끝단에 정렬 홈(113a)을 포함한다. 정렬 홈(113a)에 대해서는 후술한다.The first frame 100a includes alignment grooves 113a at both ends of the plurality of body frames 112a and the bottom frame 122a. The alignment groove 113a will be described later.

베이스(11a)는 플렉시블한 필름 또는 테이프이거나, 리지드(rigid)한 금속 판 또는 비금속 판일 수 있다. 필름 또는 테이프도 특별한 제한은 없으며, 점착성 또는 접착성을 가지며 내열성을 가지는 것이 바람직하다. 예를 들어, 내열성 테이프, 블루테이프 등이 사용될 수 있으며, 다양한 색상이나 광 반사율을 선택할 수 있다. 금속 판으로는 특별한 한정이 있는 것은 아니며, 예를 들어, Al, Cu, Ag, Cu-Al 합금, Cu-Ag 합금, Cu-Au 합금, SUS(스테인리스스틸) 등이 사용될 수 있으며, 도금된 판도 물론 사용 가능하다. 비금속 판으로는 플라스틱이 사용될 수 있으며, 다양한 색상이나 광 반사율을 선택할 수 있다.The base 11a may be a flexible film or tape, a rigid metal plate or a non-metal plate. There is no particular limitation on the film or the tape, and it is preferable that the film or tape has adhesiveness or adhesiveness and has heat resistance. For example, a heat-resistant tape, a blue tape, or the like can be used, and various colors and light reflectance can be selected. For example, Al, Cu, Ag, Cu-Al alloy, Cu-Ag alloy, Cu-Au alloy, SUS (stainless steel) and the like can be used as the metal plate, Of course, it can be used. Plastics can be used as non-metallic plates, and various colors and light reflectance can be selected.

이와 같이, 본 예에 의하면, 반도체 발광소자 칩(10a)이 배열되는 베이스(11a)가 반도체 기판이나 다른 고가의 기판이 아니라도 무방한 장점이 있다.As described above, according to the present embodiment, there is an advantage that the base 11a on which the semiconductor light-emitting device chips 10a are arranged may not be a semiconductor substrate or another expensive substrate.

또한, 제1 프레임(100a)이 반도체 발광소자 칩(10a) 배열의 가이드가 되므로 베이스(11a)에 추가적인 패턴 형성 공정이 필요 없다.In addition, since the first frame 100a serves as a guide for arranging the semiconductor light emitting device chips 10a, an additional pattern forming step is not required for the base 11a.

제1 프레임(100a)은 플라스틱, 금속, 또는, 표면이 도금된 부재일 수 있으며, 제1 프레임(100a)의 재질은 상기 베이스(11a)의 재질로 예시된 예들이 사용될 수 있지만, 제1 프레임(100a)의 형태 유지에 좋도록 어느 정도 딱딱한 재질이 바람직하고, 크랙이나 갈라짐 방지에 효과적인 재질로 선택하는 것이 바람직하다.The first frame 100a may be a plastic, a metal, or a member plated with a surface. The first frame 100a may be made of the material exemplified by the material of the base 11a, It is preferable to use a material which is somewhat hard enough to maintain the shape of the core 100a, and is preferably selected from a material effective for preventing cracks and cracks.

본 예에서, 베이스(11a)와 제1 프레임(100a)은 외력에 의해 가압되어 서로 접하거나, 접착물질을 이용하여 서로 접착할 수 있다. 예를 들어, 접착 물질은 도전성 페이스트, 절연성 페이스트, 폴리머 접착제 등 다양하게 선택가능하며, 특별히 제한되지는 않는다. 어느 온도 범위에서는 접착력을 상실하는 물질을 사용하면, 베이스(11a)와 제1 프레임(100a)의 분리 시에 상기 온도 범위에서 분리가 쉽게 될 수 있다.In this example, the base 11a and the first frame 100a may be pressed together by an external force and contacted with each other, or may be bonded to each other using an adhesive material. For example, the adhesive material may be variously selected from conductive paste, insulating paste, polymer adhesive, and the like, and is not particularly limited. When the material that loses the adhesive force in any temperature range is used, separation can be facilitated in the temperature range when the base 11a and the first frame 100a are separated.

제1 프레임(100a)에 배열된 몸체 프레임(112a) 및 바닥 프레임(122a)은 복수개로 배열되어 있다. 본 개시에서 1행으로 3열로 배열되도록 도시하였지만, 복수의 행과 열로 배열될 수 있다. 끝단에 위치하는 정렬 홈(113a)에 따라 몸체 프레임(112a) 및 바닥 프레임(122a)의 개수 배열 방식은 필요에 따라 적절하게 변경할 수 있음은 물론이다.A plurality of body frames 112a and bottom frames 122a arranged in the first frame 100a are arranged. Although shown in the present disclosure as being arranged in three rows by one row, they may be arranged in a plurality of rows and columns. It is needless to say that the arrangement of the number of the body frame 112a and the bottom frame 122a according to the alignment groove 113a positioned at the end may be changed as necessary.

다음으로, 도 7(b)에 도시된 바와 같이 바닥 프레임(122a)의 제2 홀(121a)에 반도체 발광소자 칩(1)을 놓는다. 즉, 바닥 프레임(122a)의 제2 홀(121a)에 의해 노출된 베이스(11a) 위에 반도체 발광소자 칩(10a)을 위치시킨다.Next, as shown in Fig. 7 (b), the semiconductor light emitting device chip 1 is placed in the second hole 121a of the bottom frame 122a. That is, the semiconductor light emitting device chip 10a is positioned on the base 11a exposed by the second hole 121a of the bottom frame 122a.

본 예에서, 반도체 발광소자 칩(10a)은 상면 및 측면이 봉지재에 의해 감싸서 형성되고, 플립 칩(flip chip)이 적합하지만, 레터럴 칩(lateral chip)이나 수직형 칩(vertical chip)을 배제하는 것은 아니다. 한편, 봉지재는 생략될 수 있다.In this example, the semiconductor light emitting device chip 10a is formed by encapsulating the top and sides of the semiconductor light emitting device chip 10a with an encapsulating material, and a flip chip is suitable, but a lateral chip or a vertical chip It is not excluded. On the other hand, the sealing material can be omitted.

제1 프레임(100a)의 형상, 패턴, 또는 경계 등을 인식하여 소자가 놓일 위치 및 각도를 보정하는 제1 소자 이송 장치(12a)를 사용하여 반도체 발광소자 칩(10a)을 바닥 프레임(122a)의 제2 홀(121a) 내에 위치시킬 수 있다. 여기서, 제1 프레임(100a)은 제1 소자 이송 장치(12a)가 반도체 발광소자 칩(10a)을 놓을 위치나 각도를 보정하기 위한 패턴으로 인식될 수 있다.The semiconductor light emitting device chip 10a is mounted on the bottom frame 122a by using the first device transferring device 12a for recognizing the shape, pattern, or boundary of the first frame 100a, In the second hole 121a. Here, the first frame 100a can be recognized as a pattern for correcting the position or the angle at which the first element transfer device 12a places the semiconductor light emitting element chip 10a.

반도체 발광소자 칩(10a)은 2개의 전극이 베이스(11a)의 상면과 마주하도록 배치된다.The semiconductor light emitting element chip 10a is arranged such that the two electrodes face the upper surface of the base 11a.

다음으로, 도 7(c)에 도시된 바와 같이 몸체 프레임(112a)을 댐(dam)으로 하여 각각의 제1 홀(111a)에 봉지재(140a)를 투입한다. 몸체 프레임(112a)는 봉지재(140a)의 댐으로 기능한다.Next, as shown in Fig. 7 (c), the sealing material 140a is put into each first hole 111a with the body frame 112a as a dam. The body frame 112a functions as a dam of the sealing material 140a.

봉지재(140a)는 투입 장치(13a)를 사용하여 제1 홀(111a)에 투입될 수 있다. 이때, 봉지재(140a)의 투입양은 몸체 프레임(112a)의 높이보다 낮게 투입하는 것이 바람직하다. 여기서 봉지재(140a)는 액상으로 이루어진 물질, 예를 들어, 투명한 실리콘으로 이루어지는 것이 바람직하다.The encapsulant 140a may be introduced into the first hole 111a using the injector 13a. At this time, the amount of the sealing material 140a to be injected is preferably lower than the height of the body frame 112a. Here, the encapsulant 140a is preferably made of a liquid material, for example, transparent silicone.

다음으로, 도 6(d)에 도시된 바와 같이 제1 홀(111a)에 투입된 봉지재(140a)가 경화되기 전에 제2 프레임(150a)을 제1 프레임(100a) 위에 배치시킨다.Next, as shown in FIG. 6 (d), the second frame 150a is disposed on the first frame 100a before the encapsulant 140a charged in the first hole 111a is cured.

봉지재(140a)를 경화하기 위한 열처리 및/또는 건조는 120℃ 내지 170℃의 온도에서 대략 1시간 내지 5시간 동안 수행될 수 있다. 상술한 열처리 및/또는 건조 온도 및 시간은 제1 프레임(100a)과 제2 프레임(150a) 사이에 투입된 봉지재(140a)가 몸체(110a)로 안정적으로 형성될 수 있도록 한정된 것이나, 이에 한정되는 것은 아니다.The heat treatment and / or the drying for curing the sealing material 140a may be performed at a temperature of 120 캜 to 170 캜 for about 1 hour to 5 hours. The heat treatment and / or drying temperature and time are limited so that the encapsulant 140a injected between the first frame 100a and the second frame 150a can be stably formed by the body 110a, It is not.

제2 프레임(150a)은 중앙영역(p)이 오목한 본체부(210a)의 상면(211a)에 대응되는 돌출 부분(151a)을 구비하며, 양쪽 끝단에 위치하는 고정핀(152a)을 포함한다.The second frame 150a has a protruding portion 151a corresponding to the upper surface 211a of the body portion 210a having a concave central region p and includes fixing pins 152a positioned at both ends thereof.

돌출 부분(151a)이 중앙영역(p)에 대응하여 위치할 수 있도록 제2 프레임(150a)의 양쪽 끝단에 위치하는 고정핀(151a)은 제1 프레임(100a)의 양쪽 끝단에 위치하는 정렬 홈(113a)에 결합된다.The fixing pins 151a located at both ends of the second frame 150a are positioned at both ends of the first frame 100a so that the protruding portions 151a can be positioned corresponding to the central region p. (113a).

여기서, 제2 프레임(150a)은 제1 프레임(100a)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 제1 프레임(100a) 및 제2 프레임(150a)이 동일한 물질로 형성되는 경우, 열팽창 계수가 동일하여 제조 공정 중에 제1 프레임(100a)과 제2 프레임(150a) 사이의 틈에 따른 오차가 발생하지 않을 수 있다.Here, the second frame 150a may be formed of the same material as the first frame 100a. When the first frame 100a and the second frame 150a are formed of the same material, the thermal expansion coefficient is the same and an error occurs due to the gap between the first frame 100a and the second frame 150a during the manufacturing process I can not.

하지만, 이에 한정하지 않고 제1 프레임(100a)과 서로 다른 물질로 형성될 수 있다.However, the first frame 100a may be formed of a material different from that of the first frame 100a.

다음으로, 도 7(e)에 도시된 바와 같이 제2 프레임(150a)을 제1 프레임(100a)으로부터 분리한다.Next, the second frame 150a is separated from the first frame 100a as shown in Fig. 7 (e).

다음으로, 도 7(f)에 도시된 바와 같이 제1 프레임(100a) 내에 일체로 형성된 몸체(110a)를 베이스(11a)로부터 분리한다.Next, as shown in Fig. 7 (f), the body 110a integrally formed in the first frame 100a is separated from the base 11a.

다음으로, 도 7(g)에 도시된 바와 같이 몸체(110a)를 제1 프레임(100a)으로부터 분리한다.Next, the body 110a is separated from the first frame 100a as shown in Fig. 7 (g).

제2 소자 이송 장치(14a)는 몸체(110a)를 픽업(pick-up)하여 제1 프레임(100a)으로부터 분리한다. 여기서, 제2 소자 이송 장치(14a)는 제1 소자 이송 장치(12a)와 동일한 기능을 수행할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 소자 이송 장치(14a)의 일 예로, 다이본더와 유사하게, 패턴 또는 형상을 인식하며, 이송할 위치나 대상물의 각도를 보정할 수 있는 장치라면 그 명칭에 무관하게 사용 가능할 것이다.The second element transfer device 14a picks up the body 110a and separates it from the first frame 100a. Here, the second element transfer device 14a can perform the same function as the first element transfer device 12a, but is not limited thereto. As an example of the second element transfer device 14a, a device capable of recognizing a pattern or a shape similar to a die bonder and capable of correcting a position to be transferred or an angle of an object may be used irrespective of the name.

구체적으로, 반도체 발광소자 칩(10a)이 배치된 바닥부(220a)의 아래에서 핀 또는 봉이 일체로 형성된 몸체(110a)를 치면 제1 프레임(100a)으로부터 일체로 형성된 몸체(110a)가 떨어지며, 그 순간 제2 소자 이송 장치(14a)가 일체로 형성된 몸체(110a)를 전기적 흡착 또는 진공 흡착할 수 있다.Specifically, the body 110a formed integrally from the first frame 100a is separated from the body 110a formed by integrally forming the pin or the rod under the bottom 220a on which the semiconductor light emitting device chip 10a is disposed, The body 110a in which the second element transfer device 14a is integrally formed can be electrically or vacuum-adsorbed.

이와 다르게 도시하지 않았지만, 베이스(11a)를 분리하지 않고 제2 소자 이송 장치(14a)를 이용하여 제1 프레임(100a)으로부터 몸체(110a)를 분리할 수 있다.The body 110a can be separated from the first frame 100a by using the second element transfer device 14a without separating the base 11a.

도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 설명하기 위한 도면이다.8 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(2)는 본체부(210)의 상면(211) 또는 반도체 발광소자 칩(20)과 바닥부(220)의 측면(223) 사이에 반사 물질(260)을 포함한다. 반사 물질(260)을 제외하고는 도 4에 기재된 반도체 발광소자(1)와 동일한 특성을 갖는다.The semiconductor light emitting element 2 includes a reflective material 260 between the upper surface 211 of the body 210 or between the semiconductor light emitting device chip 20 and the side surface 223 of the bottom portion 220. Except for the reflective material 260, has the same characteristics as the semiconductor light-emitting device 1 described in Fig.

반사 물질(260)이 반도체 발광소자 칩(20)의 상면 방향 또는 측면 방향에 위치함으로써, 반도체 발광소자 칩(20)의 상면 및 측면에서 나오는 광을 반사시켜 반도체 발광소자(2)의 측면으로 추출되는 광 추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.The reflective material 260 is positioned on the upper surface or the side surface of the semiconductor light emitting device chip 20 so that the light emitted from the upper surface and the side surface of the semiconductor light emitting device chip 20 is reflected to the side surface of the semiconductor light emitting device 2 It is possible to further improve the light extraction efficiency.

반사 물질(260)은 백색 반사 물질이 바람직하다. 예를 들어 백색 실리콘 수지일 수 있다.Reflective material 260 is preferably a white reflective material. For example, a white silicone resin.

제2 프레임(150a)에 본체부(210)가 형성된 후, 도 8(a)에 도시된 바와 같이 반사 물질(260)이 본체부(210)의 상면(211) 위에 일정 두께로 형성되거나, 도 8(b)에 도시된 바와 같이 본체부(210)의 상면(211)이 수평이 되도록 중앙영역(p)에 반사 물질(260)이 채워져 형성될 수 있다.8A, after the body 210 is formed on the second frame 150a, the reflective material 260 may be formed on the upper surface 211 of the body 210 to have a predetermined thickness, A reflective material 260 may be filled in the central region p such that the upper surface 211 of the body 210 is horizontal as shown in FIG. 8 (b).

또한, 봉지재(140a)가 투입되기 전에 도 8(c)에 도시된 바와 같이 반사 물질(260)이 바닥부(220)의 측면(223)을 따라 일정 두께로 형성되거나, 도 8(d)에 도시된 바와 같이 반도체 발광소자 칩(20)과 바닥부(220)의 측면(223) 사이에 반사 물질(260)이 채워져 형성될 수 있다.8 (c), the reflective material 260 may be formed to have a predetermined thickness along the side surface 223 of the bottom 220 before the sealing material 140a is inserted, A reflective material 260 may be filled between the semiconductor light emitting device chip 20 and the side surface 223 of the bottom portion 220 as shown in FIG.

도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자(11)의 또 다른 일 예를 설명하기 위한 도면이다.9 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting element 11 according to the present disclosure.

반도체 발광소자(11)는 외부 기판(1000)과 전기적으로 연결된다. 외부 기판(1000)을 제외하고는 도 4에 기재된 반도체 발광소자(1)와 동일한 특성을 갖는다.The semiconductor light emitting element 11 is electrically connected to the external substrate 1000. Except for the external substrate 1000, has the same characteristics as the semiconductor light emitting element 1 described in Fig.

반도체 발광소자(11)의 전극(70, 80)은 제1 연결부(1100)를 통해 외부 기판(1000)의 외부 전극(1070, 1080)에 고정되고, 반도체 발광소자(11)의 지지부(130)는 제2 연결부(1200)를 통해 지지부(130)에 대응되는 외부 기판(1000)의 상면에 고정된다.The electrodes 70 and 80 of the semiconductor light emitting element 11 are fixed to the external electrodes 1070 and 1080 of the external substrate 1000 through the first connection part 1100 and are electrically connected to the supporting part 130 of the semiconductor light emitting element 11, Is fixed to the upper surface of the external substrate 1000 corresponding to the support portion 130 through the second connection portion 1200.

제1 연결부(1100)는 반도체 발광소자(11)의 전극(70, 80)과 외부 기판(1000)의 외부 전극(1070, 1080)의 사이에 위치한다. 제1 연결부(1100)는 외부 전극(1070, 1080) 위에 주석(Sn), 납(Pb), 금(Au) 등의 금속 물질로 이루어진 솔더 물질 도포한 후, 납땜(solding)하여 형성된다. 여기서, 솔더 물질은 반도체 발광소자(11)의 형상, 패턴 등에 따른 배열을 갖는 마스크(미도시)를 이용하여 외부 기판(1000) 위에 도포될 수 있다. 마스크는 금속 재질로 이루어질 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다. 도시하지 않았지만, 마스크가 반도체 발광소자(11)와 외부 기판(1000) 사이에 위치할 수 있다.The first connection part 1100 is located between the electrodes 70 and 80 of the semiconductor light emitting device 11 and the external electrodes 1070 and 1080 of the external substrate 1000. The first connection part 1100 is formed by applying a solder material made of a metallic material such as Sn, Pb and Au on the external electrodes 1070 and 1080 and then soldering it. Here, the solder material may be applied on the external substrate 1000 using a mask (not shown) having an arrangement according to the shape, pattern, or the like of the semiconductor light emitting element 11. The mask may be made of a metal material, but is not limited thereto. Although not shown, a mask may be located between the semiconductor light emitting element 11 and the external substrate 1000. [

이와 달리 반도체 발광소자(11)의 전극(70, 80)과 외부 기판(1000)의 외부 전극은 유텍틱 본딩 또는 와이어 본딩 등에 의해 고정될 수도 있다. 여기서, 외부 기판(1000)은 서브 마운트에 구비된 도통부, 패키지의 리드 프레임, PCB에 형성된 전기 패턴 등일 수 있으며, 반도체 발광소자와 독립적으로 구비된 도선이라면 그 형태에 특별한 제한이 있는 것은 아니다.The electrodes 70 and 80 of the semiconductor light emitting device 11 and the external electrodes of the external substrate 1000 may be fixed by eutectic bonding or wire bonding. Here, the external substrate 1000 may be a conductive part provided on the submount, a lead frame of the package, an electric pattern formed on the PCB, or the like, and there is no particular limitation on the shape of the lead wire provided independently of the semiconductor light emitting element.

제2 연결부(1200)는 반도체 발광소자(11)의 지지부(130)와 지지부(130)에 대응되는 외부 기판(1000)의 상면 사이에 위치하며, 접촉이 우수하며 전기 절연물질인 비금속성 물질 예를 들어, 절연성 페이스트, 폴리머 접착제 등을 포함할 수 있다.The second connection part 1200 is located between the support part 130 of the semiconductor light emitting device 11 and the upper surface of the external substrate 1000 corresponding to the support part 130 and is formed of a non- For example, an insulating paste, a polymer adhesive, and the like.

제1 연결부(1100) 및 제2 연결부(1200)에 의해 반도체 발광소자(11)와 외부 기판(1000)이 전기적 및 물리적으로 용이하게 연결됨으로써 반도체 발광소자(11)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 반도체 발광소자(11)의 광 추출 효율(extraction efficiency)을 향상시킬 수 있다.The reliability of the semiconductor light emitting device 11 can be improved by electrically and physically connecting the semiconductor light emitting device 11 and the external substrate 1000 by the first connection part 1100 and the second connection part 1200. Thus, the extraction efficiency of the semiconductor light emitting device 11 can be improved.

도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 설명하기 위한 도면으로서, 도 10(a)는 단면도이며, 도 10(b)는 배면도이다.FIG. 10 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, wherein FIG. 10 (a) is a sectional view and FIG. 10 (b) is a rear view.

도 10에 도시된 반도체 발광소자(3)는 금속 접합부(370)를 포함한다. 금속 접합부(370)를 제외하고는 도 4에 기재된 반도체 발광소자(1)와 동일한 특성을 갖는다.The semiconductor light emitting device 3 shown in FIG. 10 includes a metal bonding portion 370. Except for the metal bonding portion 370, has the same characteristics as the semiconductor light emitting element 1 described in Fig.

금속 접합부(370)는 지지부(330)의 하면(331)에 위치한다. 금속 접합부(370)로 인하여 반도체 발광소자(3)가 외부 기판과 접합될 때, 지지부(330)만으로 접합하는 경우보다 접합력이 향상될 수 있다.The metal bonding portion 370 is located on the lower surface 331 of the support portion 330. When the semiconductor light emitting device 3 is bonded to the external substrate due to the metal bonding portion 370, the bonding strength can be improved as compared with the case where only the supporting portion 330 is bonded.

금속 접합부(370)는 금속일 수 있다. 예를 들어 금속 접합부(370)는 은(Ag), 구리(Cu) 및 금(Au) 중 하나일 수 있다. 또한 금속 접합부(370)는 2개 이상의 금속의 조합일 수 있다. 예를 들어 니켈(Ni)과 구리 조합, 크롬(Cr)과 구리 조합, 티타늄(Ti)과 구리 조합 중 하나일 수 있다. 당업자가 용이하게 변경할 수 있는 범위에서 금속 접합부(370)는 다양한 조합이 가능하다.The metal joint 370 may be a metal. For example, the metal joint 370 may be one of silver (Ag), copper (Cu), and gold (Au). The metal joint 370 may also be a combination of two or more metals. For example, a combination of nickel (Ni) and copper, a combination of chromium (Cr) and copper, a combination of titanium (Ti) and copper. Various combinations of the metal joints 370 are possible within a range that can be easily changed by those skilled in the art.

도 11은 도 10에 도시된 반도체 발광소자(3)의 제조방법의 일 예를 설명하기 위한 도면이다.11 is a view for explaining an example of a manufacturing method of the semiconductor light emitting device 3 shown in FIG.

우선, 도 7을 참고하여 베이스(31a)에 고정된 제1 프레임(300a)의 제2 홀(321a) 내부에 반도체 발광소자(30a)를 배치한 후, 몸체 프레임(312a)과 바닥 프레임(322a) 사이에 금속 접합부(370a)를 배치시킨다.7, after the semiconductor light emitting element 30a is disposed in the second hole 321a of the first frame 300a fixed to the base 31a, the body frame 312a and the bottom frame 322a The metal joining portion 370a is disposed.

금속 접합부(370a)는 제3 소자 이송 장치(15a)를 사용하여 금속 접합부(370a)를 몸체 프레임(312a)과 바닥 프레임(322a) 사이에 위치시킬 수 있다. 여기서, 제3 소자 이송 장치(15a)는 제1 및 제2 소자 이송 장치(13a, 14a)와 동일한 기능을 수행할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.The metal bonding portion 370a can position the metal bonding portion 370a between the body frame 312a and the bottom frame 322a by using the third element transfer device 15a. Here, the third device feeding device 15a can perform the same function as the first and second device feeding devices 13a and 14a, but is not limited thereto.

금속 접합부(370a)의 크기는 몸체 프레임(312a)과 바닥 프레임(322a) 사이의 간격보다 작게 형성되는 것이 바람직하다.The size of the metal joint 370a is preferably smaller than the distance between the body frame 312a and the bottom frame 322a.

한편, 금속 접합부(370a)는 제1 프레임(300a)에 봉지재(140a)가 투입되기 전, 반도체 발광소자(30a)가 배치되기 전에 형성될 수도 있다.The metal bonding portion 370a may be formed before the encapsulant 140a is injected into the first frame 300a and before the semiconductor light emitting device 30a is disposed.

다음으로, 몸체 프레임(312a)과 바닥 프레임(322a) 사이에 금속 접합부(370a)가 형성된 다음, 도 7(c) 내지 도 7(g)와 동일한 공정을 수행하여 반도체 발광소자(3)를 형성할 수 있다.Next, a metal bonding portion 370a is formed between the body frame 312a and the bottom frame 322a. Then, the same processes as those of FIGS. 7 (c) to 7 (g) are performed to form the semiconductor light emitting element 3 can do.

도 12은 도 10에 도시된 반도체 발광소자(31)의 또 다른 일 예를 설명하기 위한 도면으로서, 12(a)는 단면도이며, 도 12(b)는 배면도이다.FIG. 12 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device 31 shown in FIG. 10, wherein 12 (a) is a sectional view and FIG. 12 (b) is a rear view.

반도체 발광소자(31)는 외부 기판(2000)과 전기적으로 연결된다. 외부 기판(2000)을 제외하고는 도 10에 기재된 반도체 발광소자(3)와 동일한 특성을 갖는다.The semiconductor light emitting element 31 is electrically connected to the external substrate 2000. Except for the external substrate 2000, has the same characteristics as those of the semiconductor light emitting element 3 described in Fig.

외부 기판(2000)은 반도체 발광소자(31)의 전극(70, 80)과 연결되는 외부 전극(2070, 2080) 및 반도체 발광소자(31)의 지지부(330)의 금속 접합부(370)와 연결되는 외부 접합부(2300)를 포함한다.The external substrate 2000 is connected to the external electrodes 2070 and 2080 connected to the electrodes 70 and 80 of the semiconductor light emitting element 31 and the metal bonding portion 370 of the support portion 330 of the semiconductor light emitting element 31 And an outer joint portion 2300.

반도체 발광소자(31)의 전극(70, 80)은 제1 연결부(2100)를 통해 외부 기판(1000)의 외부 전극(1070, 1080)에 고정되고, 반도체 발광소자(31)의 지지부(330)의 금속 접합부(370)는 제2 연결부(2200)를 통해 금속 접합부(370)에 대응되는 외부 기판(2000)의 외부 접합부(2300)에 고정된다.The electrodes 70 and 80 of the semiconductor light emitting element 31 are fixed to the external electrodes 1070 and 1080 of the external substrate 1000 through the first connection part 2100 and are electrically connected to the supporting parts 330 of the semiconductor light emitting element 31, The metal bonding portion 370 of the metal bonding portion 370 is fixed to the outer bonding portion 2300 of the external substrate 2000 corresponding to the metal bonding portion 370 through the second connecting portion 2200.

제1 연결부(2100)는 반도체 발광소자(31)의 전극(70, 80)과 외부 기판(2000)의 외부 전극(2070, 2080)의 사이에 위치한다. 제1 연결부(2100)는 외부 전극(2070, 2080) 위에 주석(Sn), 납(Pb), 금(Au) 등의 금속 물질로 이루어진 솔더 물질 도포한 후, 납땜(solding)하여 형성된다. 여기서, 솔더 물질은 반도체 발광소자(11)의 형상, 패턴 등에 따른 배열을 갖는 마스크(미도시)를 이용하여 외부 기판(2000) 위에 도포될 수 있다. 마스크는 금속 재질로 이루어질 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다. 도시하지 않았지만, 마스크가 반도체 발광소자(31)와 외부 기판(2000) 사이에 위치할 수 있다.The first connection part 2100 is located between the electrodes 70 and 80 of the semiconductor light emitting element 31 and the external electrodes 2070 and 2080 of the external substrate 2000. The first connection part 2100 is formed by applying a solder material made of a metal material such as Sn, Pb and Au on the external electrodes 2070 and 2080 and then soldering. Here, the solder material may be applied on the external substrate 2000 using a mask (not shown) having an arrangement according to the shape, pattern, or the like of the semiconductor light emitting element 11. The mask may be made of a metal material, but is not limited thereto. Although not shown, the mask may be located between the semiconductor light emitting element 31 and the external substrate 2000.

이와 달리 반도체 발광소자(31)의 전극(70, 80)과 외부 기판(2000)의 외부 전극은 유텍틱 본딩 또는 와이어 본딩 등에 의해 고정될 수도 있다. 여기서, 외부 기판(2000)은 서브 마운트에 구비된 도통부, 패키지의 리드 프레임, PCB에 형성된 전기 패턴 등일 수 있으며, 반도체 발광소자와 독립적으로 구비된 도선이라면 그 형태에 특별한 제한이 있는 것은 아니다.The electrodes 70 and 80 of the semiconductor light emitting device 31 and the external electrodes of the external substrate 2000 may be fixed by eutectic bonding or wire bonding. Here, the external substrate 2000 may be a conductive part provided on the submount, a lead frame of the package, an electric pattern formed on the PCB, or the like, and there is no particular limitation on the shape of the conductive wire if it is provided independently of the semiconductor light emitting element.

제2 연결부(1200)는 반도체 발광소자(31)의 지지부(330)의 금속 접합부(370)와 금속 접합부(370)에 대응되는 외부 기판(2000)의 외부 접합부(2300) 사이에 위치한다. 제2 연결부(2200)는 외부 전극(2070, 2080) 위에 주석(Sn), 납(Pb), 금(Au) 등의 금속 물질로 이루어진 솔더 물질 도포한 후, 납땜(solding)하여 형성된다. 여기서, 솔더 물질은 반도체 발광소자(31)의 형상, 패턴 등에 따른 배열을 갖는 마스크(미도시)를 이용하여 외부 기판(2000) 위에 도포될 수 있다. 마스크는 금속 재질로 이루어질 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다. 도시하지 않았지만, 마스크가 반도체 발광소자(31)와 외부 기판(2000) 사이에 위치할 수 있다.The second connection part 1200 is located between the metal bonding part 370 of the support part 330 of the semiconductor light emitting element 31 and the external bonding part 2300 of the external substrate 2000 corresponding to the metal bonding part 370. The second connection part 2200 is formed by applying a solder material made of a metal material such as Sn, Pb and Au on the external electrodes 2070 and 2080 and then soldering. Here, the solder material may be applied on the external substrate 2000 using a mask (not shown) having an arrangement according to the shape, pattern, etc. of the semiconductor light emitting element 31. The mask may be made of a metal material, but is not limited thereto. Although not shown, the mask may be located between the semiconductor light emitting element 31 and the external substrate 2000.

제2 연결부(1200)는 제1 연결부(2100)와 동일한 높이 및 동일한 물질로 이루어지는 것이 바람직하지만, 이에 한정되지 않는다. 제2 연결부(1200)는 제1 연결부(2100)와 동일한 높이 및 동일한 물질로 이루어지는 경우, 제2 연결부(2200)는 외부 전극(2070, 2080) 및 외부 기판(2000)의 외부 접합부(2300) 위에 동시에 솔더 물질을 도포하여 납땜을 수행함으로써, 공정을 단순화시키면서 외부 기판(2000)에 반도체 발광소자(31)를 쉽게 고정할 수 있게 된다.The second connection portion 1200 is preferably made of the same material and the same material as the first connection portion 2100, but is not limited thereto. The second connection portion 2200 is connected to the external electrodes 2070 and 2080 and the external connection portion 2300 of the external substrate 2000 in the case where the second connection portion 1200 is made of the same height and the same material as the first connection portion 2100 Simultaneously, the semiconductor light emitting element 31 can be easily fixed to the external substrate 2000 by performing soldering while applying the solder material at the same time.

이에 따라 반도체 발광소자(31)와 외부 기판(2000) 사이의 접합력이 강해짐으로써, 제조 공정 중에 열에너지 또는 외부충격이 가해지는 경우 외부 충격에 의해 봉지재와 반도체 발광소자 칩이 서로 분리되어 손상 또는 훼손이 방지될 수 있다. 따라서, 반도체 발광소자(31)와 외부 기판(2000)와의 접착력이 유지되어 신뢰성이 향상될 수 있다.As a result, the bonding force between the semiconductor light emitting device 31 and the external substrate 2000 is strengthened, so that when the thermal energy or external impact is applied during the manufacturing process, the sealing material and the semiconductor light emitting device chip are separated from each other by external impact, Can be prevented. Accordingly, the adhesive strength between the semiconductor light emitting element 31 and the external substrate 2000 is maintained, and reliability can be improved.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 반도체 발광소자에 있어서, 중앙영역이 오목한 상면을 갖는 본체부; 반도체 발광소자 칩이 배치되며 중앙영역에 대응되는 부분이 본체부의 하면으로 돌출된 바닥부; 그리고 본체부의 하면에 위치하며 바닥부와 중첩되지 않는 복수의 지지부;를 포함하고, 지지부는 금속 접합부를 포함하는 반도체 발광소자.(1) A semiconductor light emitting device comprising: a body portion having a concave upper surface in a central region; A bottom portion in which a semiconductor light emitting device chip is disposed and a portion corresponding to a central region protrudes from a bottom surface of the main body; And a plurality of supporting portions located on a lower surface of the main body portion and not overlapping the bottom portion, wherein the supporting portion includes a metal bonding portion.

(2) 본체부의 상면의 지름은 본체부의 높이의 보다 긴 반도체 발광소자.(2) The diameter of the upper surface of the body portion is longer than the height of the body portion.

(3) 복수의 지지부의 높이는 바닥부의 높이와 동일한 반도체 발광소자.(3) The height of the plurality of supporting portions is equal to the height of the bottom portion.

(4) 금속 접합부의 지름은 지지부의 지름보다 작은 반도체 발광소자.(4) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (4), wherein the diameter of the metal bonding portion is smaller than the diameter of the supporting portion.

(5) 금속 접합부의 높이는 지지부의 높이보다 작은 반도체 발광소자.(5) The semiconductor light emitting device according to (5), wherein the height of the metal bonding portion is smaller than the height of the support portion.

(6) 복수의 지지부는 바닥부를 중심으로 서로 이격되어 본체부의 하면에 위치하며, 바닥부를 중심으로 복수의 지지부와 바닥부 사이의 거리가 서로 동일한 반도체 발광소자.(6) The semiconductor light emitting device according to (6), wherein the plurality of support portions are spaced apart from each other about the bottom portion and located at the lower surface of the main body portion, and the distance between the plurality of support portions and the bottom portion is equal to each other.

(7) 복수의 지지부는 바닥부를 중심으로 서로 이격되어 본체부의 하면에 위치하며, 복수의 지지부는 인접한 지지부 사이의 거리가 서로 동일한 반도체 발광소자.(7) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (4), wherein the plurality of support portions are spaced apart from each other about the bottom portion and located at the lower surface of the main body portion.

(8) 바닥부는 본체부의 하면에 접촉된 바닥부의 상면에서 반도체 발광소자 칩이 배치된 바닥부의 하면 방향으로 경사지고, 바닥부의 상면의 지름은 바닥부의 하면의 지름보다 큰 반도체 발광소자.(8) The bottom of the semiconductor light emitting device is inclined in the bottom direction of the bottom portion where the semiconductor light emitting device chip is disposed on the top surface of the bottom portion contacting the bottom surface of the main body, and the diameter of the top surface of the bottom portion is larger than the bottom surface.

(9) 바닥부의 측면은 곡선 또는 직선으로 이루어진 기울기를 갖는 반도체 발광소자.(9) The semiconductor light emitting device as claimed in claim 1, wherein the side surface of the bottom portion has a slope formed by a curved line or a straight line.

(10) 본체부의 상면은 중앙영역을 중심으로 곡선 또는 직선으로 이루어진 기울기를 갖는 반도체 발광소자.(10) The semiconductor light emitting device according to any one of the preceding claims, wherein the upper surface of the main body portion has a slope formed by a curved line or a straight line around a central region.

(11) 본체부의 상면 또는 반도체 발광소자 칩과 바닥부 사이에 위치하는 반사 물질을 포함하는 반도체 발광소자.(11) A semiconductor light emitting device comprising a reflective material located on an upper surface of a body portion or between a semiconductor light emitting device chip and a bottom portion.

(12) 반도체 발광소자와 연결되는 외부 기판; 외부 기판의 외부 전극과 반도체 발광소자의 전극 사이에 제1 연결부; 그리고 외부 기판의 외부 접합부와 반도체 발광소자의 금속 접합부 사이에 위치하는 제2 연결부;를 더 포함하고, 제2 연결부는 금속 물질로 이루어지는 반도체 발광소자.(12) an external substrate connected to the semiconductor light emitting device; A first connection part between the external electrode of the external substrate and the electrode of the semiconductor light emitting device; And a second connection part located between the external junction part of the external substrate and the metal junction part of the semiconductor light emitting device, and the second connection part is made of a metal material.

본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 프레임에 의해 지향각을 조절하여 반도체 발광소자 칩으로부터 나오는 빛이 반도체 발광소자의 측면으로 나가도록 하여 측면으로 추출되는 빛의 효율이 높은 반도체 발광소자를 얻을 수 있다. 이에 따라, 반도체 발광소자가 4면 발광하여 반도체 발광소자의 광 추출 효율(extraction efficiency)을 향상시킬 수 있다.According to one semiconductor light emitting device according to the present disclosure, the light emitted from the semiconductor light emitting device chip is directed to the side of the semiconductor light emitting device by adjusting the directivity angle by the frame, Can be obtained. Accordingly, the semiconductor light emitting device emits light in four planes, and the light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device can be improved.

본 개시에 따르면, 반도체 발광소자 칩이 배치된 반사 기능을 갖는 프레임의 하면에 금속 접합부를 구비함으로써, 외부 기판과 프레임 간의 접촉력을 유지하면서 반사율을 증가시키는 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.According to the present disclosure, by providing the metal bonding portion on the lower surface of the frame having the reflection function in which the semiconductor light emitting device chip is disposed, it is possible to obtain a semiconductor light emitting device that increases the reflectance while maintaining the contact force between the external substrate and the frame.

1, 11, 2, 21, 3, 31 : 반도체 발광소자 100 : 몸체
10, 20, 30 : 반도체 발광소자 칩 110, 210 : 본체부
120, 220 : 바닥부 130, 330 : 지지부
260 : 반사 물질 370 : 금속 접합부1, 11, 2, 21, 3, 31: semiconductor light emitting device 100: body
10, 20, 30: semiconductor light emitting device chip 110, 210:
120, 220: bottom part 130, 330: support part
260: reflective material 370: metal joint

Claims

In the semiconductor light emitting device,
A body portion having a concave upper surface with a central region, the body portion having a height gradually increasing toward the outer side in the central region and having the largest outer height;
A bottom portion of the semiconductor light emitting device chip, the bottom portion of which protrudes from the bottom surface of the main body portion, the bottom portion of which corresponds to the central region, the height of which is higher than the height of the semiconductor light emitting device chip; And
And a plurality of support portions located on a lower surface of the main body portion and not overlapping with the bottom portion,
The outer surface of the bottom portion is an exposed surface that is inclined in the bottom direction of the bottom portion where the semiconductor light emitting device chip is disposed on the top surface of the bottom portion contacting the bottom surface of the main body portion,
At least some of the light reflected from the upper surface of the body portion and at least some light coming from the semiconductor light emitting element chip are reflected through the same outer surface of the bottom portion,
An inner side surface of the bottom portion is in contact with the semiconductor light emitting device chip so that the bottom portion and the semiconductor light emitting device chip are integrated,
The light emitted to the side of the semiconductor light emitting element by the exposed upper and lower surfaces of the body portion is larger than the amount of light exiting the upper surface of the semiconductor light emitting element,
And the supporting portion includes a metal bonding portion.

delete

The method according to claim 1,
And the diameter of the metal bonding portion is smaller than the diameter of the supporting portion.

The method according to claim 1,
And the height of the metal junction is smaller than the height of the supporting portion.

delete

The method according to claim 1,
An external substrate connected to the semiconductor light emitting device;
A first connection part between the external electrode of the external substrate and the electrode of the semiconductor light emitting device; And
And a second connection part positioned between the external bonding part of the external substrate and the metal bonding part of the semiconductor light emitting device,
The second connection portion is a semiconductor light emitting element