KR101942318B1 - 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관 및 그를 구비한 실리콘 단결정 잉곳 성장장치 - Google Patents

실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관 및 그를 구비한 실리콘 단결정 잉곳 성장장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 실리콘 단결정 잉곳이 삽입되는 중공을 형성하는 내벽부; 상기 내벽부와 이격되며, 상기 내벽부를 외측에서 감싸는 외벽부; 상기 내벽부와 상기 외벽부가 이루는 공간부를 밀폐하는 상벽부 및 하벽부; 상기 공간부로 냉각수를 유입시키는 적어도 하나의 냉각수 유입관; 상기 공간부를 따라 이동한 냉각수를 배출시키는 적어도 하나의 냉각수 배출관; 및 상기 냉각수 유입관을 따라 유입된 냉각수를 상기 공간부의 하부 영역에서 상부 영역으로 유동시켜 상기 냉각수 배출관으로 배출시키기 위한 냉각수 유동부;를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관을 제공한다.

Description

실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관 및 그를 구비한 실리콘 단결정 잉곳 성장장치{Silicon Single Crystal Ingot Cooling Tube And Silicon Single Crystal Ingot Growth Apparatus Having The Same}
본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 기판의 재료가 되는 실리콘 단결정 잉곳을 성장하는 장치에 관한 것이다.
반도체 소자 제조용 재료로서 광범위하게 사용되고 있는 웨이퍼는 실리콘 단결정 잉곳(ingot)을 웨이퍼 형태로 얇게 절단하는 슬라이싱 공정, 원하는 두께로 연마하면서 평탄도를 개선하는 래핑 공정(lapping), 웨이퍼 내부의 손상층 제거를 위한 식각 공정(etching), 표면 경면화 및 평탄도를 향상시키기 위한 폴리싱 공정(polishing), 웨이퍼 표면의 오염물질을 제거하기 위한 세정 공정(cleaning) 등의 단계를 거쳐 웨이퍼로 생산된다.
실리콘 단결정 잉곳은 일반적으로 쵸크랄스키법(Czochralski method)에 따라 성장되어 제조된다. 이 방법은 챔버 내의 도가니에서 다결정 실리콘을 용융시키고, 용융된 실리콘에 단결정인 종자 결정(seed crystal)을 담근 후, 이를 서서히 상승시키면서 원하는 지름의 실리콘 단결정 잉곳으로 성장시키는 방법이다.
도 1은 일반적인 실리콘 단결정 잉곳 성장장치의 구성도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 실리콘 단결정 잉곳(IG)을 성장 시키기 위해서는 먼저 챔버(10) 내부에 설치된 석영 도가니(20)에 다결정 실리콘과 도펀트를 적층시키고 석영 도가니(20)의 측벽 주위에 설치된 히터(40)로 다결정 실리콘과 도펀트를 용융시켜 실리콘 융액(Silicon Melt, SM)을 형성한다. 이어서 실리콘 단결정 잉곳(IG)의 성장 소스인 종자 결정을 실리콘 융액(SM)의 표면에 침지시킨 후, 인상 수단(80)을 이용하여 종자 결정을 일정 방향으로 회전시키면서 서서히 상승시켜 실리콘 단결정 잉곳(IG)은 성장된다.
한편, 성장되는 고온의 실리콘 단결정 잉곳(IG)을 냉각시키기 위해 챔버(10)의 상부 영역에는 단결정 잉곳(IG)을 감싸는 형태로 단결정 잉곳 냉각용 수냉관(100)이 설치된다.
단결정 잉곳 냉각용 수냉관(100)은 냉각수가 유동되는 공간이 형성되도록 내부가 밀폐된 이중관 형태로 이루어진다.
도 2는 단결정 잉곳 냉각용 수냉관의 내부 공간 영역을 도시한 전개도이다.
도 2에 도시된 바와 같이 단결정 잉곳 냉각용 수냉관(100)은 내부의 냉각수 유동 공간이 내벽(120)에 의해 좌,우로 분할될 수 있으며, 유동 공간은 분할벽(130)에 의해 냉각수가 하강하는 공간과 상승하는 공간으로 다시 분할될 수 있다. 그리고 단결정 잉곳 냉각용 수냉관(100)은 내부 공간으로 냉각수를 유입시키는 유입구(140)와, 내부 공간에서 유동한 냉각수를 외부로 배출시키는 배출구(160)가 각각 형성된다.
따라서 냉각수 유입구(14)에 의해 유입된 냉각수는 유동 공간으로 유입되어 화살표처럼 상부에 하부로 하강하다가 다시 상승하도록 유동하면서 냉각수 배출구(160)로 배출될 수 있다.
그런데 단결정 잉곳 냉각용 수냉관의 내부에서 유동하는 냉각수는 단결정 잉곳에서 방출하는 열을 흡수하기 때문에 부위마다 온도가 달라지게 되므로 냉각 효율에 있어서 차이가 발생한다. 또한, 내부에서 유동하는 냉각수가 상부에서 하부로, 하부에서 상부로 진행 방향이 전환되는 경우, 기포를 발생시켜 냉각 효율에 악영향을 미칠 수 있다.
본 발명은 단결정 잉곳의 온도를 반경(Radial) 방향, 수직 방향으로 균일하게 냉각할 수 있고, 기포 발생에 의한 냉각 불균형을 해소할 수 있는 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관 및 그를 구비한 실리콘 단결정 잉곳 성장장치를 제공하고자 한다.
본 발명은 실리콘 단결정 잉곳이 삽입되는 중공을 형성하는 내벽부; 상기 내벽부와 이격되며, 상기 내벽부를 외측에서 감싸는 외벽부; 상기 내벽부와 상기 외벽부가 이루는 공간부를 밀폐하는 상벽부 및 하벽부; 상기 공간부로 냉각수를 유입시키는 적어도 하나의 냉각수 유입관; 상기 공간부를 따라 이동한 냉각수를 배출시키는 적어도 하나의 냉각수 배출관; 및 상기 냉각수 유입관을 따라 유입된 냉각수를 상기 공간부의 하부 영역에서 상부 영역으로 유동시켜 상기 냉각수 배출관으로 배출시키기 위한 냉각수 유동부;를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관을 제공한다.
상기 냉각수 유동부는 상기 냉각수 유입관으로 유입된 상기 냉각수를 상기 공간부의 하부로 안내하는 하강 가이드; 및 상기 하강 가이드로 유입된 상기 냉각수를 상기 공간부의 하부에서 상부를 향해 지그 재그로 이동시키는 상승 가이드;를 포함할 수 있다.
상기 하강 가이드는 상기 공간부를 수직 방향으로 구획하는 제1 수직벽; 상기 상승 가이드와 인접하도록 상기 제1 수직벽에 나란하게 배치되는 수직 구획벽; 및 상기 수직 구획벽에서 연장되며 상기 하벽부와 나란하게 배치되는 수평 구획벽을 통해 이루어질 수 있다.
상기 하강 가이드의 폭은 상기 냉각수 유입관의 폭과 동일한 크기를 가질 수 있다.
상기 상승 가이드는 상기 공간부를 수직 방향으로 구획하는 제2 수직벽; 상기 수직 구획벽의 길이 방향을 따라 수평 방향으로 각각 연장되는 다수의 제1 수평벽; 및 상기 제2 수직벽의 길이 방향을 따라 수평 방향으로 각각 연장되되, 상기 제1 수평벽들 사이에 배치되는 다수의 제2 수평벽을 통해 이루어질 수 있다.
인접한 상기 제1 수평벽들의 간격은 상부로 갈수록 점점 커지도록 배치될 수 있다.
상기 제1 수평벽들의 간격은 상부로 갈수록 10 내지 15%의 폭으로 증가될 수 있다.
상기 제1 수평벽들은 상기 제2 수직벽과 이격되고, 상기 제2 수평벽들은 상기 수직 구획벽과 이격될 수 있다.
상기 제1 수평벽들과 상기 제2 수평벽들은 동일한 길이를 갖거나 상기 제2 수평벽들의 길이가 상기 제1 수평벽들의 길이보다 짧을 수 있다.
상기 상승 가이드는 상기 수직 구획벽의 길이 방향을 따라 상기 수직 구획벽과 이격되도록 수평 방향으로 배치되되, 상기 제1 수평벽들 상부에 배치되는 다수의 제1 수평이격벽을 더 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 수직 구획벽과 인접한 상기 제1 수평이격벽의 단부는 아래로 절곡될 수 있다.
상기 상승 가이드는 상기 제2 수직벽의 길이 방향을 따라 상기 제2 수직벽과 이격되도록 수평 방향으로 배치되되, 상기 제1 수평이격벽들 상부에 배치되는 다수의 제2 수평 이격벽을 더 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 제2 수직벽과 인접한 상기 제2 수평이격벽의 단부는 아래로 절곡될 수 있다.
상기 냉각수 유동부는 상기 공간부에 다수개가 인접 배치될 수 있다.
상기 냉각수 유입관과 상기 냉각수 배출관은 상기 외벽부 상측에 결합될 수 있다.
한편, 본 발명은 중공을 형성하는 내벽부; 상기 내벽부와 이격되며, 상기 내벽부를 외측에서 감싸는 외벽부; 상기 내벽부와 상기 외벽부가 이루는 공간부를 밀폐하는 상벽부 및 하벽부; 상기 외벽부 상부에 위치하며, 상기 공간부로 냉각수를 유입시키는 적어도 하나의 냉각수 유입관; 상기 외벽부 상부에 위치하며 상기 공간부를 따라 이동한 냉각수를 배출시키는 적어도 하나의 냉각수 배출관; 상기 냉각수 유입관으로 유입된 상기 냉각수를 상기 공간부의 하부로 안내하는 유로를 형성하는 하강 가이드; 및 상기 하강 가이드로 유입된 상기 냉각수를 상기 공간부의 하부에서 상부를 향해 지그 재그로 이동시켜 상기 냉각수 배출관으로 배출시키기 위한 유로를 형성하는 상승 가이드;를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관을 제공한다.
상기 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관은, 상기 공간부를 수직 방향으로 구획하는 제1 수직벽; 상기 상승 가이드와 인접하도록 상기 제1 수직벽에 나란하게 배치되는 수직 구획벽; 및 상기 수직 구획벽에서 연장되며 상기 하벽부와 나란하게 배치되는 수평 구획벽을 더 포함할 수 있다.
상기 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관은, 상기 공간부를 수직 방향으로 구획하며 상기 제1 수직벽과 이격 배치되는 제2 수직벽; 상기 수직 구획벽의 길이 방향을 따라 수평 방향으로 각각 연장되는 다수의 제1 수평벽; 및 상기 제2 수직벽의 길이 방향을 따라 수평 방향으로 각각 연장되되, 상기 제1 수평벽들 사이에 배치되는 다수의 제2 수평벽을 더 포함할 수 있다.
상기 수직 구획벽의 길이 방향을 따라 상기 수직 구획벽과 이격되도록 수평 방향으로 배치되되, 상기 제1 수평벽들 상부에 배치되는 다수의 제1 수평이격벽을 더 포함할 수 있다.
상기 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관은, 상기 제2 수직벽의 길이 방향을 따라 상기 제2 수직벽과 이격되도록 수평 방향으로 배치되되, 상기 제1 수평이격벽들 상부에 배치되는 다수의 제2 수평 이격벽을 더 포함할 수 있다.
상기 하강 가이드와 상기 상승 가이드는 상기 공간부에 다수개가 인접 배치될 수 있다.
한편, 본 발명은 챔버; 상기 챔버의 내부에서 배치되며, 실리콘 용융액이 수용된 도가니; 및 상기 도가니로부터 성장하는 실리콘 단결정 잉곳의 냉각을 수행하는 전술한 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관을 포함하는 단결정 성장 장치를 제공한다.
본 발명의 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관 및 그를 구비한 실리콘 단결정 잉곳 성장장치는, 냉각수가 상부에서 하부로 유입된 후 지그 재그 형태로 상승하면서 유동하기 때문에 단결정 잉곳의 온도를 반경(Radial) 방향, 수직 방향으로 균일하게 냉각할 수 있고, 유속 조절과 좁은 유로를 통해 내부에서 발생하는 기포를 제거함으로써 기포 발생에 의한 냉각 불균형을 해소할 수 있다.
도 1은 일반적인 실리콘 단결정 잉곳 성장장치의 구성도이다.
도 2는 단결정 잉곳 냉각용 수냉관의 내부 공간 영역을 도시한 전개도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 단결정 잉곳 성장장치의 구성도이다.
도 4는 실시예의 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관의 사시도이다.
도 5 및 도 6은 도 4의 A-B 영역에 대한 내부 구조를 보여주는 전개도이다.
도 7은 다른 실시예의 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관의 전개도이다.
도 8은 또다른 실시예의 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관의 전개도이다.
도 9는 본 실시예의 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관의 수직, 반경 방향의 위치별 온도 분포를 보여주는 그래프이다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 단결정 잉곳 성장장치의 구성도이다.
도 3에 도시된 바와 같이 실시예에 따른 실리콘 단결정 성장 장치는 챔버(10), 도가니(20), 도가니 지지대(30), 히터(40), 단열 수단(50), 열차폐부(60), 도가니 회전 수단(70), 인상 수단(80) 및 수냉관(200)을 포함하여 구성될 수 있다.
챔버(10)는 실리콘 단결정 잉곳(IG)의 성장이 이루어지는 공간을 이룬다. 도가니(20)는 챔버(10)의 내부에 설치되며 고온으로 용융된 실리콘 융액(SM)을 수용한다.
도가니 지지대(30)는 도가니(20)의 외주면을 감싸면서 도가니(20)를 지지한다. 도가니 지지대(30)의 하단에는 도가니(20)와 도가니 지지대(30)를 회전시키면서 도가니(20)를 상승 또는 하강시키는 도가니 회전 수단(70)이 위치한다.
히터(40)는 도가니(20)의 측벽 주위에 설치되어 도가니(20)를 가열한다. 히터(40)의 외곽에는 히터(40)로부터 발생하는 열이 외부로 유출되는 것을 방지하는 단열 수단(50)이 배치된다.
열차폐부(60)는 도가니(20)의 상부에 위치하며, 실리콘 융액(SM)으로부터 성장되는 실리콘 단결정 잉곳(IG)으로 복사되는 열을 차단한다.
인상 수단(150)은 종자 결정을 이용하여 도가니(20)에 수용된 실리콘 융액(SM)으로부터 실리콘 단결정 잉곳(IG)을 일정 방향으로 회전시키면서 인상한다.
수냉관(200)은 도가니(20)에 수용된 실리콘 융액(SM)으로부터 인상 수단(150)에 의해 인상되어 성장하는 실리콘 단결정 잉곳(IG)이 수냉관(200)의 내부를 통과하면서 냉각되도록 챔버(110) 내의 핫존(hot zone)에 위치한다.
수냉관(200)은 실리콘 단결정 잉곳(IG)을 냉각시키기 위해 잉곳(IG)을 감싸도록 배치되며 내부에는 냉각수가 균형적으로 순환된다.
본 실시예의 수냉관(200)은 단결정 잉곳의 온도를 반경(Radial) 방향, 수직 방향으로 균일하게 냉각할 수 있고, 냉각수의 기포를 제거함으로써 기포 발생에 의한 냉각 불균형을 해소할 수 있다. 이하에서는 상술한 효과를 제공하는 실시예의 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관(200)에 대해서 좀 더 상세하게 설명하기로 한다.
도 4는 실시예의 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관의 사시도이다.
도 4에 도시된 바와 같이 실시예의 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관(200)은 내벽부(210), 외벽부(220), 상벽부(230), 하벽부(240)를 포함하는 내부가 밀폐된 이중관 형상으로 이루어질 수 있다.
내벽부(210)는 실리콘 단결정 잉곳(IG)이 삽입되는 중공을 형성할 수 있다. 예를 들어 내벽부(210)가 이루는 중공의 지름은 잉곳(IG)이 삽입되도록 잉곳(IG)의 지름보다 크게 이루어질 수 있다.
외벽부(220)는 내벽부(210)와 이격되며, 내벽부(210)를 외측에서 감싸는 형태로 배치된다. 예를 들어 외벽부(220)는 내벽부(210)와 중공축을 중심으로 동심원을 갖도록 일정 거리 만큼 떨어져서 내벽부(210)의 외측에 배치될 수 있다. 외벽부(220)와 내벽부(210)의 사이에는 이격된 거리만큼 공간부가 형성된다.
상벽부(230)와 하벽부(240)는 내벽부(210)와 외벽부(220)가 이루는 공간부를 밀폐한다. 즉, 상벽부(230)는 공간부의 상부 영역을 밀폐하고, 하벽부(240)는 공간부의 하부 영역을 밀폐한다.
상술한 수냉관(200)에는 냉각수 유입관(250, 260)과, 냉각수 배출관(270, 280)이 장착된다.
냉각수 유입관(250, 260)은 수냉관(200)의 공간부로 냉각수를 유입시킬 수 있다. 예를 들어 냉각수 유입관(250, 260)은 외벽부(220) 상부 영역에 적어도 하나가 설치될 수 있다. 실시예에서는 냉각수 유입관(250, 260)은 2개가 배치된 것을 도시하였으나 1개, 3개, 4개 이상으로 이루어질 수도 있으며 배치 간격, 배치 위치 등은 변형가능할 것이다.
냉각수 배출관(270, 280)은 수냉관(200)의 공간부를 따라 이동한 냉각수를 외부로 배출시킬 수 있다. 예를 들어 냉각수 배출관(270, 280)은 외벽부(220) 상부 영역에 적어도 하나가 설치될 수 있다. 마찬가지로 실시예에서는 냉각수 배출관(270, 280)은 2개의 냉각수 유입관(250, 260)과 교번적으로 2개가 배치된 것을 도시하였으나 1개, 3개, 4개 이상으로 이루어질 수도 있으며 냉각수 배출관(270, 280)들끼리 인접되거나 냉각수 유입관(250, 260)들끼리 인접배치되는 등 배치 간격, 배치 위치 등은 변형가능할 것이다.
도 5 및 도 6은 도 4의 A-B 영역에 대한 내부 구조를 보여주는 전개도이고, 도 7은 다른 실시예의 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관의 전개도이며, 도 8은 또다른 실시예의 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관의 전개도이다.
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이 실시예의 수냉관(200)은 냉각수 유입관(250, 260)을 따라 유입된 냉각수를 공간부의 하부 영역에서 상부 영역으로 유동시켜 상기 냉각수 배출관(270, 280)으로 배출시키기 위한 냉각수 유동부(300)를 포함할 수 있다.
냉각수 유동부(300)는 냉각수를 상부에서 하부로 하강시키는 하강 가이드(310)와, 하부에서 상부로 상승시키는 상승 가이드(320)를 포함할 수 있다.
하강 가이드(310)는 냉각수 유입관(250, 260)으로 유입된 냉각수를 공간부의 하부로 안내하는 유로를 형성할 수 있다. 예를 들어 하강 가이드(310)는 제1 수직벽(311), 수직 구획벽(312), 수평 구획벽(313)을 통해 공간부 내에서 유로를 형성할 수 있다.
제1 수직벽(311)은 공간부를 수직 방향으로 구획할 수 있다. 예를 들어 제1 수직벽(311)은 판상으로 이루어지면서, 내벽부(210)와 외벽부(220)를 연결시키고 상벽부(230)와 하벽부(240)를 연결시키도록 내벽부(210)와 외벽부(220)에 수직으로 배치될 수 있다.
수직 구획벽(312)은 하강 가이드(310)와 인접하도록 제1 수직벽(311)에 나란하게 배치될 수 있다. 예를 들어 수직 구획벽(312)은 판상으로 이루어져 제1 수직벽(311)과 일정 간격으로 이격되면서 내벽부(210)와 외벽부(220)를 연결시키고 상벽부(230)와 연결되도록 수직으로 배치될 수 있다. 수직 구획벽(312)은 하벽부(240)와 일정 거리 이격되도록 제1 수직벽(311) 보다 짧은 길이를 가질 수 있다.
수평 구획벽(313)은 수직 구획벽(312)에서 연장되며 하벽부(240)와 나란하게 배치될 수 있다. 예를 들어서 수평 구획벽(313)은 판상으로 이루어져서 수직 구획벽(312)의 단부에서 수평으로 연장되면서 내벽부(210)와 외벽부(220)를 연결시킬 수 있다.
상술한 하강 가이드(310)는 냉각수 유입관(250, 260)과 연통되며, 도 5에 도시된 바와 같이 냉각수 유입관(250, 260)으로 유입된 냉각수가 화살표와 같이 상부에서 하부로 이동하기 위한 유로를 형성함으로써 냉각수의 하강을 안내할 수 있다.
하강 가이드(310)의 유로의 폭은 냉각수의 유입 속도를 증가시켜 냉각 효율을 상승시킬 수 있도록 냉각수 유입관(250, 260)의 폭과 동일한 크기를 가질 수 있다.
상승 가이드(320)는 상술한 하강 가이드(310)로 유입된 냉각수를 공간부의 하부에서 상부를 향해 지그 재그(Zig Zag)로 이동시킬 수 있다. 여기서 지그 재그는 왼쪽 방향과 오른쪽 방향을 번갈아가면서 이동하는 모습을 의미할 수 있다. 이처럼 상승 가이드(320)는 냉각수가 지그 재그로 이동하면서 수냉관(200)의 반경 방향으로 고르게 냉각수를 유동시킨 후 상승할 수 있는 유로를 형성한다.
예를 들어 상승 가이드(320)는 제2 수직벽(325), 제1 수평벽(321), 제2 수평벽(324)을 통해 이루어질 수 있다.
제2 수직벽(325)은 공간부를 수직 방향으로 구획할 수 있다. 예를 들어 제2 수직벽(325)은 제1 수직벽(311)과 마찬가지로 판상으로 이루어지면서, 내벽부(210)와 외벽부(220)를 연결시키고 상벽부(230)와 하벽부(240)를 연결시키도록 내벽부(210)와 외벽부(220)에 수직으로 배치될 수 있다. 제2 수직벽(325)은 제1 수직벽(311)과 이격되어 배치되면서{본 실시예에서는 제1 수직벽(311)의 오른쪽에 위치), 상승 가이드(320)의 외벽을 형성한다.
제2 수직벽(325)은 다른 상승 가이드(320)와 인접 배치되면서 냉각수 유동부(300)는 다수개로 연결될 수 있다. 따라서 상승 가이드(320)와 연결되는 인접한 제1 수직벽(311)이 제2 수직벽(325) 역할을 할 수 있을 것이다.
제1 수평벽(321)은 상술한 하강 가이드(310)의 수직 구획벽(312)의 길이 방향을 따라 수평 방향으로 각각 연장되며 다수개로 이루어질 수 있다. 여기서 제1 수평벽(321)들은 제2 수직벽(325)과 이격되는 길이를 가질 수 있다. 따라서 제1 수평벽(321)들과 제2 수직벽(325) 사이에는 냉각수가 유동할 수 있다.
제2 수평벽(324)은 제2 수직벽(325)의 길이 방향을 따라 수평 방향으로 각각 연장되되, 제1 수평벽(321)들 사이에 다수개가 배치될 수 있다. 여기서 제2 수평벽(324)들은 하강 가이드(310)의 수직 구획벽(312)과 이격되는 길이를 가질 수 있다. 따라서 제2 수평벽(324)들과 수직 구획벽(312) 사이에는 냉각수가 유동할 수 있다.
이처럼 제1 수평벽(321)들과 제2 수평벽(324)들은 유로가 교차적으로 배치되도록 함으로써 냉각수가 지그 재그 형태(계단 형태)로 유동할 수 있는 통로를 형성할 수 있다.
여기서 제1 수평벽(321)들과 제2 수평벽(324)들은 동일한 길이를 갖거나 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이 제2 수평벽(324)들의 길이가 제1 수평벽(321)들의 길이보다 짧게 구성될 수 있다. 상술한 구성의 상승 가이드(320)를 포함하면서 제1 수평벽(321a)들과 제2 수평벽(324a)들의 길이가 동일한 형태는 도 8에 도시된 바와 같은 실시예를 구성할 수 있다.
한편, 도 6에 도시된 바와 같이 인접한 제1 수평벽(321)들의 간격은 상부로 갈수록 점점 커지도록 배치될 수 있다. 마찬가지로 인접한 제2 수평벽(324)들의 간격은 상부로 갈수록 점점 커지도록 배치된다.
이처럼 하강 가이드(310)는 상부로 갈수록 냉각수가 유동하는 통로가 점점 확장될 수 있다. 예를 들어 상술한 제1 수평벽(321)들의 간격은 상부로 갈수록 10 내지 15%의 폭(L1<L2<L3)이 증가될 수 있다. 이는, 냉각수의 유속이 상부로 갈수록 점점 느려지게 됨으로써 상부와 하부의 냉각수 온도 편차를 감소시키고{잉곳(IG)은 상부보다 하부의 온도가 높기 때문에}, 유속을 점점 느리게 함으로써 기포의 발생을 감소시킬 수 있다.
한편, 상승 가이드(320)는 다수의 제1 수평이격벽(322)들과, 다수의 제2 수평이격벽(323)들을 더 포함할 수 있다.
제1 수평이격벽(322)은 수직 구획벽(312)의 길이 방향을 따라 수직 구획벽(312)과 이격되도록 수평 방향으로 배치되되, 제1 수평벽(321)들 상부에 배치될 수 있다. 예를 들어 제1 수평이격벽(322)은 판상으로 이루어지면서 수평방향으로 내벽부(210)와 외벽부(220)를 연결시키도록 설치될 수 있다.
이때, 수직 구획벽(312)과 인접한 제1 수평이격벽(322)의 단부는 아래로 절곡될 수 있다. 제1 수평이격벽(322)의 단부가 아래로 절곡된 상태로 수직 구획벽(312)과 이격되므로 냉각수가 유동할 수 있는 작은 유로가 형성될 수 있다. 제1 수평이격벽(322)의 단부의 형상과 인접한 좁은 유로에 의해 상승 가이드(320) 내에서 냉각수가 좌측 방향으로 유동하면서 기포가 발생하더라도 도 7에 도시된 바와 같이 기포들이 작은 크기로 쪼깨지거나 제1 수평이격벽(322)의 단부에 부딪혀서 제거될 수 있다.
제2 수평이격벽(323)은 제2 수직벽(325)의 길이 방향을 따라 제2 수직벽(325)과 이격되도록 수평 방향으로 배치되되, 제1 수평이격벽(322)들 상부에 배치될 수 있다. 예를 들어 제2 수평이격벽(323)은 제1 수평이격벽(322)과 마찬가지로 판상으로 이루어지면서 수평방향으로 내벽부(210)와 외벽부(220)를 연결시키도록 설치될 수 있다.
또한, 제2 수직벽(325)과 인접한 제2 수평이격벽(323)의 단부는 아래로 절곡될 수 있다. 따라서 제2 수평이격벽(323)의 단부의 형상과 인접한 좁은 유로에 의해 상승 가이드(320) 내에서 냉각수가 우측 방향으로 유동하면서 기포가 발생하더라도 도 7에 도시된 바와 같이 기포들이 작은 크기로 쪼깨지거나 제1 수평이격벽(322)의 단부에 부딪혀서 제거될 수 있다.
상술한 구성들을 포함하는 상승 가이드(320)는 도 5에 도시된 바와 같이 지그 재그 형태로 이동하면서 상승하여 냉각수 배출구를 통해 외부로 배출되는 순환구조를 가질 수 있다.
이처럼 냉각수 유동부(300)는 하강 가이드(310)에 의해 냉각수가 상부에서 하부로 유입될 수 있으며, 상승 가이드(320)에 의해 지그 재그 형태로 상승하면서 유동하기 때문에 단결정 잉곳(IG)의 온도를 반경(Radial) 방향, 수직 방향으로 균일하게 냉각할 수 있고, 기포제거 유입공을 통해 기포를 제거함으로써 기포 발생에 의한 냉각 불균형을 해소할 수 있다.
상술한 냉각수 유동부(300)는 수냉관(200,200a,200b)의 공간부에 다수개가 인접 배치되도록 실시될 수 있다. 예를 들어 냉각수 유동부(300)는 수냉관(200, 200a, 200b)의 둘레(Radiral) 방향을 따라서 2개, 3개 이상으로 배치될 수 있을 것이다.
도 9는 본 실시예의 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관의 수직, 반경 방향의 위치별 온도 분포를 보여주는 그래프이다.
도 9는 도 4에 도시된 바와 같은 실시예의 수냉관에 대하여 임의의 4 부분을 정하여 종축 방향으로 온도를 측정한 실험 결과를 그래프로 표시한 것이다. 여기서 x축은 종축 방향의 위치(position)를 높이에 따라 mm 단위로 표시한 것이며, y축은 위치별 온도를 ℃로 측정한 것이다.
실시예의 수냉관은 하부에서 상부로 갈수록 온도가 낮아지며, 임의의 영역에서 온도 분포가 고르게 나타남을 알 수 있으며, 반경 방향의 온도 차이도 크지 않음을 실험 결과로도 이해할 수 있을 것이다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
200, 200a, 200b : 냉각용 수냉관 210 : 내벽부
220 : 외벽부 230 : 상벽부
240 : 하벽부 250, 260 : 냉각수 유입관
270, 280 : 냉각수 배출관 300 : 냉각수 유동부
310 : 하강 가이드 311 : 제1 수직벽
312 : 수직 구획벽 313 : 수평 구획벽
320 : 상승 가이드 321, 321a : 제1 수평벽
322 : 제1 수평이격벽 323 : 제2 수평이격벽
324, 324a : 제2 수평벽 325 : 제2 수직벽

Claims (22)

  1. 실리콘 단결정 잉곳이 삽입되는 중공을 형성하는 내벽부;
    상기 내벽부와 이격되며, 상기 내벽부를 외측에서 감싸는 외벽부;
    상기 내벽부와 상기 외벽부가 이루는 공간부를 밀폐하는 상벽부 및 하벽부;
    상기 외벽부의 상부에 위치하며, 상기 공간부로 냉각수를 유입시키는 적어도 하나의 냉각수 유입관;
    상기 외벽부의 상부에 위치하며, 상기 공간부와 연통되도록 배치되어, 상기 공간부를 따라 이동한 냉각수를 배출시키는 적어도 하나의 냉각수 배출관; 및
    상기 냉각수 유입관을 따라 유입된 냉각수를 상기 공간부의 하부 영역에서 상부 영역으로 유동시켜 상기 냉각수 배출관으로 배출시키기 위한 냉각수 유동부를 포함하며,
    상기 냉각수 유동부는,
    상기 공간부를 수직 방향으로 구획하는 제1 수직벽과, 상기 제1 수직벽에 나란하게 배치되는 수직 구획벽과, 상기 수직 구획벽에서 연장되여 상기 하벽부와 나란하게 배치되는 수평 구획벽을 가지며, 상기 냉각수 유입관으로 유입된 상기 냉각수를 상기 공간부의 하부로 안내하는 유로를 형성하는 하강 가이드; 및
    상기 제1 수직벽과 이격되어 배치되며 상기 공간부를 수직 방향으로 구획하는 제2 수직벽과, 상기 수직 구획벽의 길이 방향을 따라 수평 방향으로 각각 연장되는 다수의 제1 수평벽과, 상기 제2 수직벽의 길이 방향을 따라 수평 방향으로 각각 연장되되 상기 제1 수평벽들 사이에 배치되는 다수의 제2 수평벽과, 상기 수직 구획벽의 길이 방향을 따라 상기 수직 구획벽과 이격되도록 수평 방향으로 배치되되 상기 제1 수평벽들 상부에 배치되는 다수의 제1 수평이격벽과, 상기 제2 수직벽의 길이 방향을 따라 상기 제2 수직벽과 이격되도록 수평 방향으로 배치되되 상기 제1 수평이격벽들 상부에 배치되는 다수의 제2 수평이격벽을 가지며, 상기 하강 가이드로 유입된 상기 냉각수를 상기 공간부의 하부에서 상부를 향해 지그 재그로 이동시켜 상기 냉각수 배출관으로 이동시키는 상승 가이드;를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 하강 가이드의 폭은 상기 냉각수 유입관의 폭과 동일한 크기를 갖는 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    인접한 상기 제1 수평벽들의 간격은 상부로 갈수록 점점 커지도록 배치되는 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 수평벽들의 간격은 상부로 갈수록 10 내지 15%의 폭으로 증가되는 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 수평벽들은 상기 제2 수직벽과 이격되고,
    상기 제2 수평벽들은 상기 수직 구획벽과 이격되는 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 수평벽들과 상기 제2 수평벽들은 동일한 길이를 갖거나
    상기 제2 수평벽들의 길이가 상기 제1 수평벽들의 길이보다 짧은 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관.
  10. 삭제
  11. 제1항에 있어서,
    상기 수직 구획벽과 인접한 상기 제1 수평이격벽의 단부는 아래로 절곡된 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관.
  12. 삭제
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제2 수직벽과 인접한 상기 제2 수평이격벽의 단부는 아래로 절곡된 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 냉각수 유동부는 상기 공간부에 다수개가 인접 배치되는 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관.
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 챔버;
    상기 챔버의 내부에서 배치되며, 실리콘 용융액이 수용된 도가니; 및
    상기 도가니로부터 성장하는 실리콘 단결정 잉곳의 냉각을 수행하는 제1항, 제4항, 제6항 내지 제9항, 제11항, 제13항, 제14항 중 어느 한 항에 기재된 실리콘 단결정 잉곳 냉각용 수냉관을 포함하는 단결정 성장 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113461310A (zh) * 2021-06-21 2021-10-01 中国原子能科学研究院 冷却机构和测温装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001278697A (ja) * 2000-03-30 2001-10-10 Mitsubishi Materials Corp 単結晶製造装置
KR20020045765A (ko) * 2000-12-11 2002-06-20 이 창 세 단결정 잉곳의 제조장치
KR20130064246A (ko) * 2011-12-08 2013-06-18 주식회사 엘지실트론 실리콘 단결정 성장용 수냉관 및 이를 포함한 실리콘 단결정 성장 장치
KR20130079831A (ko) * 2012-01-03 2013-07-11 주식회사 엘지실트론 실리콘 단결정 냉각장치 및 이를 이용한 실리콘 단결정 성장 장치

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3952356B2 (ja) * 2001-02-28 2007-08-01 信越半導体株式会社 半導体単結晶製造装置及びそれを用いた半導体単結晶の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001278697A (ja) * 2000-03-30 2001-10-10 Mitsubishi Materials Corp 単結晶製造装置
KR20020045765A (ko) * 2000-12-11 2002-06-20 이 창 세 단결정 잉곳의 제조장치
KR20130064246A (ko) * 2011-12-08 2013-06-18 주식회사 엘지실트론 실리콘 단결정 성장용 수냉관 및 이를 포함한 실리콘 단결정 성장 장치
KR20130079831A (ko) * 2012-01-03 2013-07-11 주식회사 엘지실트론 실리콘 단결정 냉각장치 및 이를 이용한 실리콘 단결정 성장 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113461310A (zh) * 2021-06-21 2021-10-01 中国原子能科学研究院 冷却机构和测温装置

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