KR101933190B1 - 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

발광다이오드 패키지 및 그의 제조방법을 제공한다. 상기 발광다이오드 패키지는 본딩 패드를 구비하는 패키지 기판을 갖는다. 상기 본딩 패드를 향해 위치한 범프를 구비하는 발광다이오드 칩이 상기 패키지 기판 상에 배치된다. 상기 본딩 패드와 상기 범프 사이에 접착제층이 위치하되, 상기 접착제층 내에 상기 본딩 패드와 상기 범프에 접속하는 도전성 입자가 구비된다. 상기 접착제층은 절연 수지를 더 포함하고, 상기 도전성 입자는 상기 절연 수지 내에 위치할 수 있다.

Description

발광다이오드 패키지 및 그 제조방법{Light Emitting Diode Package and Fabrication Method for the Same}
본 발명은 반도체 패키지에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 발광다이오드 패키지에 관한 것이다.
발광다이오드는 n형 반도체층, p형 반도체층, 및 상기 n형 및 p형 반도체층들 사이에 위치하는 활성층을 구비하는 소자이다. 상기 n형 및 p형 반도체층들에 각각 접속하는 n형 및 p형 전극들에 순방향 전계를 인가하면, 상기 활성층 내로 전자와 정공이 주입되고, 상기 활성층 내로 주입된 전자와 정공이 재결합하면서 광을 방출한다.
이러한 발광다이오드의 패키지를 제조함에 있어서, 상기 n형 및 p형 전극들을 패키지 기판의 본딩 패드들과 전기적으로 연결시키는데, 이 때 와이어 본딩을 사용하여 것이 일반적이다. 그러나, 발광다이오드로부터 방출되는 광은 와이어에 의해 내부로 다시 반사될 수 있어, 와이어로 인해 광출력 효율이 저하되는 것으로 알려져 있다. 또한, 와이어는 외부 충격에 의해 끊어질 위험이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 광출력 효율이 높고 외부 충격에 강한 발광다이오드 패키지 및 그의 제조방법을 제공함에 있다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 발광다이오드 패키지를 제공한다. 상기 발광다이오드 패키지는 본딩 패드를 구비하는 패키지 기판을 갖는다. 상기 본딩 패드를 향해 위치한 범프를 구비하는 발광다이오드 칩이 상기 패키지 기판 상에 배치된다. 상기 본딩 패드와 상기 범프 사이에 접착제층이 위치하되, 상기 접착제층 내에 상기 본딩 패드와 상기 범프에 접속하는 도전성 입자가 구비된다. 상기 접착제층은 절연 수지를 더 포함하고, 상기 도전성 입자는 상기 절연 수지 내에 위치할 수 있다.
상기 발광다이오드 칩 상에 봉지층이 위치할 수 있다. 상기 봉지층 내에 형광체가 분산되어 있을 수 있다.
상기 발광다이오드 칩은 소자 기판의 상부면 상에 차례로 적층된 제1 반도체층, 활성층, 및 제2 반도체층을 구비할 수 있다. 상기 범프는 상기 반도체층들 중 어느 하나에 접속될 수 있다. 나아가, 상기 발광다이오드 칩은 상기 제1 반도체층을 노출시키는 메사 식각 영역을 구비하고, 상기 범프는 상기 제1 반도체층에 접속하는 제1 범프와 상기 제2 반도체층에 접속하는 제2 범프를 구비할 수 있다. 상기 본딩 패드는 상기 제1 범프에 접속하는 제1 본딩 패드와 상기 제2 범프에 접속하는 제2 본딩 패드를 구비할 수 있다. 상기 소자 기판의 하부면 내에 기판 요철 구조가 형성될 수 있다. 상기 기판 요철 구조 상에 형광체층이 컨포말하게 형성될 수 있다. 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 상에 반사층이 위치할 수 있다.
상기 본딩 패드는 그의 상부면 내에 패드 요철 구조를 가질 수 있다. 상기 패드 요철 구조의 철부들 사이의 거리는 상기 도전성 입자의 직경과 같거나 이보다 클 수 있다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 측면은 발광다이오드 패키지 제조방법을 제공한다. 상기 발광다이오드 패키지 제조방법은 본딩 패드를 구비하는 패키지 기판을 제공하는 것을 구비한다. 상기 본딩 패드 상에 도전성 입자를 구비하는 접착제층을 배치한다. 상기 접착제층 상에 상기 본딩 패드를 향해 위치하는 범프를 구비하는 발광다이오드 칩을 배치한다. 상기 발광다이오드 칩을 가압하여, 상기 도전성 입자가 상기 범프와 상기 본딩 패드를 전기적으로 연결한다.
본 발명에 따르면, 범프와 본딩 패드를 도전성 입자를 갖는 접착제층을 사용하여 전기적으로 연결함으로써, 본딩 와이어의 사용을 줄이거나 생략할 수 있어 광출력 효율 향상을 기대할 수 있다. 이와 더불어서, 상기 접착제층은 발광다이오드 칩을 패키지 기판 상에 접착 및 고정시킬 수 있어, 외부 충격에 의해 전기적 접속이 깨지는 것을 막을 수 있다.
본딩 패드의 상부면 내에 패드 요철 구조가 형성된 경우에는, 상기 도전성 입자와 상기 본딩 패드 사이의 접촉 면적이 증가될 수 있다. 따라서, 상기 범프와 상기 본딩 패드 사이의 전기적 연결은 강화될 수 있다. 이와 더불어서, 절연 수지와 본딩 패드 사이의 접촉면적 또한 증가될 수 있으므로, 접착력 또한 향상될 수 있다.
제1 반도체층과 제2 반도체층 상에 반사층이 위치하는 경우, 활성층에서 상기 반사층으로 진행된 광은 상기 반사층에서 반사되어 외부로 추출될 수 있다. 또한, 소자 기판의 하부면 내에 기판 요철 구조가 형성되어 있는 경우에는 상기 소자 기판을 통한 광추출 효율을 향상시킬 수 있다. 이에 더하여, 상기 기판 요철 구조 상에 형광체층이 컨포말하게 코팅되어 있는 경우, 상기 소자 기판을 통해 방출되는 광은 상기 형광체층 내에서 거의 동일한 거리를 진행할 수 있어, 형광체층 내에서 다른 거리를 진행하는 경우에 비해 색편차가 감소될 수 있다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드를 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광다이오드를 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광다이오드를 나타낸 단면도이다.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다.
본 명세서에서 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 또한, 본 명세서에서 위쪽, 상(부), 상면 등의 방향적인 표현은 아래쪽, 하(부), 하면 등의 의미로도 이해될 수 있다. 즉, 공간적인 방향의 표현은 상대적인 방향으로 이해되어야 하며, 절대적인 방향을 의미하는 것처럼 한정적으로 이해되어서는 안 된다. 이와 더불어서, 본 명세서에서 "제1" 또는 "제2"는 구성요소들에 어떠한 한정을 가하려는 것은 아니며, 다만 구성요소들을 구별하기 위한 용어로서 이해되어야 할 것이다.
또한, 본 명세서에서 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하여 위하여 과장된 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 1a을 참조하면, 소자 영역 및 주변 영역을 갖는 패키지 기판(21)을 제공한다. 상기 패키지 기판(21)은 실리콘 기판, 금속 기판, 세라믹 기판 또는 수지기판일 수 있다. 상기 패키지 기판(21) 자체가 전도성을 갖는 경우에는 상기 패키지 기판(21)의 외부면 상에 절연막이 코팅되어 있을 수 있다. 상기 소자 영역은 후술하는 발광다이오드 칩이 실장되는 영역이고, 상기 주변 영역은 그 외의 영역일 수 있다.
상기 패키지 기판(21)의 소자 영역 상에 서로 이격하는 제1 본딩 패드(23a) 및 제2 본딩 패드(23c)가 위치할 수 있다. 상기 패키지 기판(21)의 외부에는 상기 본딩 패드들(23a, 23c)에 각각 연결된 외부 연결단자들(미도시)이 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드들(23a, 23c) 및 상기 외부 연결단자들은 리드 프레임에 구비된 것들일 수 있다. 상기 본딩 패드들(23a, 23c)은 구리, 니켈, 또는 철 패드들일 수 있다.
상기 패키지 기판(21)의 하부면 상에 히트 싱크(27)가 배치될 수 있다. 상기 히트 싱크(27)의 재질은 금속일 수 있다.
상기 패키지 기판(21)의 주변 영역 상에 캐버티(25a)를 갖는 하우징(25)을 배치할 수 있다. 상기 캐버티(25a) 내에 상기 본딩 패드들(23a, 23c)의 일부들이 노출될 수 있다. 상기 하우징(25)은 실리콘, 금속, 세라믹 또는 수지로 형성될 수 있다. 상기 하우징(25) 자체가 전도성을 갖는 경우에는 상기 하우징(25)의 외부면 상에 절연막이 코팅되어 있을 수 있다. 또한, 상기 하우징(25)은 몰딩법에 의해 형성되거나, 상기 패키지 기판(21) 상에 하우징층을 형성한 후 패터닝하는 방법에 의해 형성될 수도 있다.
상기 패키지 기판(21)과 상기 하우징(25)은 서로 분리되지 않은 일체형일 수 있다. 이 경우에, 상기 패키지 기판(21)과 상기 하우징(25)은 상기 본딩 패드들(23a, 23c)을 사이에 두고 일체로 사출성형된 것일 수 있다.
상기 본딩 패드들(23a, 23c) 상에 상기 본딩 패드들(23a, 23c)의 상부 일부 영역을 노출시키는 개구부를 갖는 마스크층(24)이 배치될 수 있다. 상기 마스크층(24)에 의해 노출된 상기 본딩 패드들(23a, 23c)의 상부면 내에 패드 요철 구조(R)가 형성될 수 있다.
상기 캐버티(25a) 내에 노출된 본딩 패드들(23a, 23c) 상에 접착제층(30)을 형성한다. 상기 접착제층(30)은 절연 수지(33)와 상기 절연 수지(33) 내에 분산된 도전성 입자들(35)을 포함할 수 있다. 상기 도전성 입자(35)의 외부면 상에는 커플링제(미도시)가 코팅되어 있을 수 있다. 이 경우, 상기 도전성 입자(35)는 상기 절연 수지(33) 내에서 균일하게 분산될 수 있고 침전이 방지될 수 있다. 상기 도전성 입자(35)는 니켈, 금, 또는 은 입자일 수 있고, 직경은 1 ~ 10um, 일 예로서 3 ~ 5um일 수 있다. 상기 절연 수지(33)는 열경화성 또는 열가소성 수지, 일 예로서 에폭시 수지일 수 있다. 상기 접착제층(30)은 필름 형태의 접착제를 상기 본딩 패드들(23a, 23c) 상에 위치시킨 것일 수 있고, 이와는 달리 페이스트 형태의 접착제를 디스펜싱법 등을 사용하여 상기 본딩 패드들(23a, 23c) 상에 위치시킨 것일 수 있다.
도 1b를 참조하면, 발광다이오드 칩(10)을 제공한다. 상기 발광다이오드 칩(10)은 소자 기판(11)을 구비한다. 상기 소자 기판(11)은 사파이어(Al2O3), 실리콘 카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN), 질화인듐갈륨(InGaN), 질화알루미늄갈륨(AlGaN), 질화알루미늄(AlN), 갈륨 산화물(Ga2O3), 또는 실리콘 기판일 수 있다. 구체적으로, 상기 소자 기판(11)은 사파이어 기판일 수 있다. 상기 소자 기판(11)의 하부면 내에는 상기 소자 기판(11)을 통한 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 기판 요철 구조(11a)가 형성되어 있을 수 있다.
상기 소자 기판(11)의 상부면 상에 제1 반도체층(13a), 활성층(13b), 및 제2 반도체층(13c)이 배치될 수 있다. 상기 제1 반도체층(13a)의 일부 영역은 메사 식각 영역 내에 노출될 수 있다. 상기 제1 반도체층(13a)은 질화물계 반도체층으로서, n형 도펀트가 도핑된 층일 수 있다. 일 예로서, 상기 제1 반도체층(13a)은 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1)층에 n형 도펀드로서 Si가 도핑된 층일 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 반도체층(13a)은 Si가 도핑된 GaN층일 수 있다. 상기 활성층(13b)은 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)층일 수 있고, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(multi-quantum well; MQW)를 가질 수 있다. 일 예로서, 상기 활성층(13b)은 InGaN층 또는 AlGaN층의 단일 양자 우물 구조, 또는 InGaN/GaN, AlGaN/(In)GaN, 또는 InAlGaN/(In)GaN의 다층구조인 다중 양자 우물 구조를 가질 수 있다. 상기 활성층(13b) 내의 In 또는 Al의 조성을 조절함에 따라 상기 활성층(13b)으로부터 방출되는 파장이 조절될 수 있다. 구체적으로, 상기 활성층(13b)으로부터 가시광, 자외선광 또는 적외선광이 방출될 수 있고, 상기 가시광은 청색, 녹색, 황색 또는 적색일 수 있다. 상기 제2 반도체층(13c) 또한 질화물계 반도체층일 수 있고, p형 도펀트가 도핑된 층일 수 있다. 일 예로서, 상기 제2 반도체층(13c)은 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)층에 p형 도펀드로서 Mg 또는 Zn가 도핑된 층일 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 반도체층(13c)은 Mg가 도핑된 GaN층일 수 있다.
상기 메사 식각 영역 내에 노출된 제1 반도체층(13a)과 상기 제2 반도체층(13c) 상에 반사층(15)을 형성할 수 있다. 이 경우, 활성층(13b)에서 상기 반사층(15)으로 진행된 광은 상기 반사층(15)에서 반사되어 외부로 추출될 수 있다. 상기 반사층(15)은 반사 절연막 또는 반사 금속막일 수 있다. 상기 반사 절연막은 서로 굴절률이 다른 한 쌍의 절연막들이 교호 적층된 막인 DBR(Distributed Bragg Reflector)일 수 있다. 상기 DBR을 구성하는 절연막들 각각의 굴절률 및 광학두께는 상기 활성층(13b)에서 방출되는 광을 효과적으로 반사할 수 있도록 조절될 수 있다. 상기 DBR을 구성하는 절연막들은 SiO2(n=1.4), Al2O3(n=1.6), SiNx(0.5<x<1.8, n=2.05 ~ 2.25), 및 TiO2(n=2.1)로 이루어진 군에서 선택되는 한 쌍의 절연막들일 수 있다. 한편, 상기 반사 금속막은 반사도가 높은 은 또는 알루미늄막일 수 있다. 이와 같이, 상기 반사층(15)이 반사 금속막인 경우에는, 금속막의 전도성으로 인해 전류 스프레딩 또한 향상될 수 있다.
상기 제1 반도체층(13a)과 상기 제2 반도체층(13c)에 제1 범프(17a)와 제2 범프(17c)가 각각 접속할 수 있다. 상기 제1 범프(17a)와 제2 범프(17c)의 상부면은 실질적으로 동일한 레벨을 가질 수 있다.
도 1c를 참조하면, 상기 접착제층(30) 상에 상기 범프들(17a, 17c)이 상기 마스크(24) 내에 노출된 상기 본딩 패드들(23a, 23c)을 바라보도록 상기 발광다이오드 칩(10)을 플립하여 배치한다. 이 후, 상기 발광다이오드 칩(10)을 가압하여 상기 범프들(17a, 17c)이 상기 본딩 패드들(23a, 23c)에 전기적으로 접속될 수 있도록 한다. 구체적으로, 상기 접착제층(30) 내의 도전성 입자들(35) 중 일부는 상기 범프들(17a, 17c)과 상기 본딩 패드들(23a, 23c) 사이에 위치하여 상기 범프들(17a, 17c)과 상기 본딩 패드들(23a, 23c)을 전기적으로 연결한다. 한편, 상기 접착제층(30) 내의 다른 영역에서는 도전성 입자들(35)이 서로 연결되지 않고 상기 절연 수지(33) 내에서 균일하게 분산될 수 있어 절연성을 나타낸다. 상기 발광다이오드 칩(10)을 가압하는 과정에서 열을 가할 수 있는데, 이 경우 상기 접착제층(30) 구체적으로, 상기 절연 수지(33)는 경화되면서 상기 발광다이오드 칩(10)을 고정시킬 수 있다.
이와 같이, 상기 범프(17a, 17c)와 상기 본딩 패드(23a, 23c)를 상기 도전성 입자들(35)을 갖는 접착제층(30)을 사용하여 전기적으로 연결함으로써, 본딩 와이어의 사용을 줄이거나 생략할 수 있어 광출력 효율 향상을 기대할 수 있다. 이와 더불어서, 상기 접착제층(30)은 상기 발광다이오드 칩(10)을 상기 패키지 기판(21) 상에 접착 및 고정시킬 수 있어, 외부 충격에 의해 전기적 접속이 깨지는 것을 막을 수 있다.
상기 본딩 패드들(23a, 23c)의 상부면 내에 패드 요철 구조(R)가 형성된 경우에, 상기 도전성 입자들(35)과 상기 본딩 패드들(23a, 23c)사이의 접촉면적이 증가될 수 있어 상기 범프들(17a, 17c)과 상기 본딩 패드들(23a, 23c) 사이의 전기적 연결은 강화될 수 있다. 이를 위해, 상기 패드 요철 구조(R)의 철부들 사이의 거리는 상기 도전성 입자들(35)의 직경과 같거나 이보다 클 수 있다. 이와 더불어서, 상기 절연 수지(33)와 상기 본딩 패드들(23a, 23c)사이의 접촉면적 또한 증가될 수 있으므로, 접착성 또한 향상될 수 있다.
이 후, 상기 발광다이오드 칩(10) 상에 봉지층(40)을 형성할 수 있다. 상기 봉지층(40)을 형성하는 것은 봉지 유체를 프린팅법 또는 디스펜싱법을 사용하여 도팅한 후, 상기 도팅된 봉지 유체를 경화시키는 것을 포함할 수 있다. 상기 봉지 유체는 상기 캐버티(25a)를 채울 수 있다. 상기 봉지 유체는 광투과성 수지일 수 있으며, 예를 들어 상기 광투과성 수지는 실리콘(silicone) 수지 또는 에폭시 수지일 수 있다.
상기 봉지 유체 즉, 상기 봉지층(40)은 형광체(phosphore; P)를 더 포함할 수 있다. 이로써, 상기 발광다이오드 칩(10)에서 발생된 광을 더 낮은 파장의 광으로 변환시켜 백색 소자를 구현할 수 있다. 일 예로서, 상기 발광다이오드 칩(10)이 자외선을 발생시키는 소자인 경우에, 상기 봉지층(40) 내에 적색 형광체, 녹색 형광체 및 청색 형광체를 구비시켜 백색 소자를 구현할 수 있고, 상기 발광다이오드 칩(10)이 청색을 발생시키는 소자인 경우에 상기 봉지층(40) 내에 황색 형광체를 구비시켜 백색 소자를 구현할 수 있다.
이상에서, 플립칩 타입 발광다이오드 패키지를 제조하는 방법을 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 수직형 발광다이오드의 일측 범프를 패키지 기판의 본딩 패드와 상술한 접착제층에 의해 전기적으로 연결하고, 타측 범프는 와이어를 사용하여 연결할 수도 있다. 그러나, 이 경우에도 일측의 와이어 공정은 생략될 수 있어 양측 모두 와이어 공정을 사용하는 경우에 비해 광방출 효율이 높아질 수 있으며, 외부 충격에도 강할 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 나타낸 단면도이다. 본 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 후술하는 것을 제외하고는, 도 1a 내지 도 1c를 참조하여 설명한 발광다이오드 패키지와 유사하다.
도 2를 참조하면, 기판 요철 구조(11a) 상에 형광체층(PL)을 형성할 수 있다. 상기 형광체층(PL)은 상기 기판 요철 구조(11a) 상에 컨포말(conformal)하게 코팅될 수 있다. 이 경우, 기판(11)을 통해 방출되는 광은 상기 형광체층(PL) 내에서 거의 동일한 거리를 진행할 수 있어, 형광체층 내에서 다른 거리를 진행하는 경우에 비해 색편차가 감소될 수 있다. 상기 기판 요철 구조(11a) 상에 형광체층(PL)이 형성되므로, 봉지층(40)은 추가적인 형광체를 포함하지 않을 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 나타낸 단면도이다. 본 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 후술하는 것을 제외하고는, 도 1a 내지 도 1c를 참조하여 설명한 발광다이오드 패키지와 유사하다.
도 3을 참조하면, 돔 형태의 봉지층(40)이 형성될 수 있다. 이를 위해 하우징(도 1a의 25)을 형성하는 것을 생략할 수 있다. 상기 봉지층(40)을 형성하는 것은 봉지 유체를 프린팅법 또는 디스펜싱법을 사용하여 도팅한 후, 상기 도팅된 봉지 유체를 경화시키는 것을 포함할 수 있다. 상기 봉지 유체 즉, 상기 봉지층(40)은 형광체(phosphore; P)를 더 포함할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 나타낸 단면도이다. 본 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 후술하는 것을 제외하고는, 도 1a 내지 도 1c를 참조하여 설명한 발광다이오드 패키지와 유사하다.
도 4를 참조하면, 패키지 기판(21)은 인쇄회로기판일 수 있다. 또한, 상기 패키지 기판(21) 상에 다수 개의 발광다이오드 칩들(10)이 도 1c를 참조하여 설명한 방법을 사용하여 실장될 수 있다. 상기 다수 개의 발광다이오드 칩들(10)은 상기 패키지 기판(21) 내에 인쇄된 배선(미도시)에 의해 직렬 연결 및/또는 병렬 연결될 수 있다. 상기 발광다이오드 칩들(10)을 실장한 후, 상기 발광다이오드 칩들(10)이 실장된 영역의 주변 영역 상에 측벽(60)을 배치한 후, 상기 발광다이오드 칩들(10) 상에 봉지층(40)을 형성할 수 있다. 상기 봉지층(40)을 형성하는 것은 봉지 유체를 프린팅법 또는 디스펜싱법을 사용하여 도팅한 후, 상기 도팅된 봉지 유체를 경화시키는 것을 포함할 수 있다. 상기 봉지 유체는 상기 측벽(60)에 의해 정의된 영역을 채울 수 있다. 상기 봉지 유체 즉, 상기 봉지층(40)은 형광체(phosphore; P)를 더 포함할 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형 및 변경이 가능하다.
21: 패키지 기판 23a, 23c: 본딩 패드
24: 마스크층 27: 히트 싱크
10: 발광다이오드 칩 11: 소자 기판
13a: 제1 반도체층 13b: 활성층
13c: 제2 반도체층 15: 반사층
17a, 17c: 범프 25: 하우징
40: 봉지층 P: 형광체
30: 접착제층 33: 절연 수지
35: 도전성 입자

Claims (22)

  1. 본딩 패드를 구비하는 패키지 기판;
    상기 본딩 패드를 향해 배치된 범프를 구비하는 발광다이오드 칩; 및
    상기 본딩 패드와 상기 범프 사이에 배치되고, 상기 본딩 패드와 상기 범프에 접속하는 도전성 입자를 구비하는 접착제층을 포함하고,
    상기 본딩 패드는 상부면에 패드 요철 구조를 가지며,
    상기 패드 요철 구조의 철부들 사이의 거리는 상기 도전성 입자가 상기 철부들 사이에 배치될 수 있도록 상기 도전성 입자의 직경과 같거나 큰 발광다이오드 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 접착제층은 절연 수지를 더 포함하고, 상기 도전성 입자는 상기 절연 수지 내에 위치하는 발광다이오드 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 발광다이오드 칩 상에 위치하는 봉지층을 더 포함하는 발광다이오드 패키지.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 봉지층 내에 분산된 형광체를 더 포함하는 발광다이오드 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 발광다이오드 칩은 소자 기판의 상부면 상에 차례로 적층된 제1 반도체층, 활성층, 및 제2 반도체층을 구비하고,
    상기 범프는 상기 반도체층들 중 어느 하나에 접속된 발광다이오드 패키지.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 발광다이오드 칩은 상기 제1 반도체층을 노출시키는 메사 식각 영역을 구비하고,
    상기 범프는 상기 제1 반도체층에 접속하는 제1 범프와 상기 제2 반도체층에 접속하는 제2 범프를 구비하며,
    상기 본딩 패드는 상기 제1 범프에 접속하는 제1 본딩 패드와 상기 제2 범프에 접속하는 제2 본딩 패드를 구비하는 발광다이오드 패키지.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 소자 기판의 하부면 내에 기판 요철 구조가 형성된 발광다이오드 패키지.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기판 요철 구조 상에 컨포말하게 형성된 형광체층을 더 포함하는 발광다이오드 패키지.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 상에 위치하는 반사층을 더 포함하는 발광다이오드 패키지.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 본딩 패드를 구비하는 패키지 기판을 제공하고,
    상기 본딩 패드 상에 도전성 입자를 구비하는 접착제층을 배치하고,
    상기 접착제층 상에 상기 본딩 패드를 향해 위치하는 범프를 구비하는 발광다이오드 칩을 배치하고,
    상기 발광다이오드 칩을 가압하여, 상기 도전성 입자가 상기 범프와 상기 본딩 패드를 전기적으로 연결하도록 하는 것을 포함하며,
    상기 본딩 패드는 상부면에 패드 요철 구조를 가지며,
    상기 패드 요철 구조의 철부들 사이의 거리는 상기 도전성 입자가 상기 철부들 사이에 배치될 수 있도록 상기 도전성 입자의 직경과 같거나 큰 발광다이오드 패키지 제조방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 접착제층은 절연 수지를 더 포함하고, 상기 도전성 입자는 상기 절연 수지 내에 위치하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 발광다이오드 칩 상에 봉지층을 형성하는 것을 더 포함하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 봉지층은 그 내부에 분산된 형광체를 포함하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 발광다이오드 칩은 소자 기판의 상부면 상에 차례로 적층된 제1 반도체층, 활성층, 및 제2 반도체층을 구비하고,
    상기 범프는 상기 반도체층들 중 어느 하나에 접속된 발광다이오드 패키지 제조방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 발광다이오드 칩은 상기 제1 반도체층을 노출시키는 메사 식각 영역을 구비하고,
    상기 범프는 상기 제1 반도체층에 접속하는 제1 범프와 상기 제2 반도체층에 접속하는 제2 범프를 구비하며,
    상기 본딩 패드는 상기 제1 범프에 접속하는 제1 본딩 패드와 상기 제2 범프에 접속하는 제2 본딩 패드를 구비하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 소자 기판의 하부면 내에 기판 요철 구조가 형성된 발광다이오드 패키지 제조방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 기판 요철 구조 상에 형광체층을 컨포말하게 형성하는 것을 더 포함하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 발광다이오드 칩은 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 상에 위치하는 반사층을 더 포함하는 발광다이오드 패키지 제조방법.
  21. 삭제
  22. 삭제
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