KR101924859B1 - 진공 공간 내부의 실시간 온도/습도 제어 장치 - Google Patents

진공 공간 내부의 실시간 온도/습도 제어 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 실시 형태는 진공 처리된 진공 챔버 내부에 위치하여 진공 챔버 내부의 온도 및 습도를 측정하여 외부로 전송하는 온도/습도 측정 센서; 및 상기 진공 챔버의 외부에 마련되어 상기 온도/습도 측정 센서를 통해 측정되는 진공 챔버 내부의 온도 및 습도를 수신하며, 상기 온도/습도 측정 센서를 통해 측정되는 진공 챔버 내부의 온도 및 습도에 따라서 진공 챔버 내부의 온도 및 습도를 제어하는 컨트롤러;를 포함할 수 있다.

Description

진공 공간 내부의 실시간 온도/습도 제어 장치{Apparatus for controlling temperature/humidity in vacuum space}
본 발명은 온도/습도 제어 장치로서, 진공 공간 내부의 실시간 온도/습도를 제어하는 진공 공간 내부의 실시간 온도/습도 제어 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 관련 공정에서 박막을 제조하기 위해 진공 가열 증착 장치(이하 진공 증착 장치라 함)를 통해 증발 물질을 기판에 증착시키는 방법을 사용하고 있다.
예를 들어, 화학 기상 증착 장치의 경우, 평판디스플레이 및 반도체 제조에 있어서 화학 기상 증착이라는 방법에 의해 (비)결정질 실리콘 또는 실리콘 화합물과 같은 절연층을 평판디스플레이 및 반도체 웨이퍼 상에 증착시키는 장치이다.
화학 기상 증착공정(Chemical Vapor Deposition Process)은, 반도체 기판 상에 집적 회로 디바이스 및 광전자 디바이스를 제조하기 위해 반도체 기판 상에 재료의 막을 증착하는데 사용된다. 예를 들어, 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD)이 반도체 웨이퍼와 같은 가열된기판 상에 재료를 증착하는 방법이다.
이 방법은 온도 제어 환경을 갖는 진공 챔버 내에 전구체 가스를 도입하는 단계를 포함한다. 도입된 전구체 가스는 일반적으로 가열된 기판의 주 평면형 표면에 수직이거나 평행인 방향으로 유도된다. 이들 전구체 가스는 또한 전구체 가스가 진공 챔버의 다른 부분 상에 증착되기보다는 가열된 기판의 주 평면형 표면 상에 재료를 증착하기 위해 화학 반응하도록 주 평면형 표면에 근접하게 그리고 서로 근접하게 도입된다.
예로서, 전구체 가스는 제 1 전구체 가스 및 제 2 전구체 가스를 포함한다. 제 1 전구체 가스는 갈륨(Ga)과 같은 III족 원소를 포함하고, 반면에 제 2 전구체 가스는 질소(N)와 같은 V족 원소를 포함한다. 이들 전구체 가스는 가열된 기판의 평면형 표면 상에 GaN과 같은 화합물 반도체를 증착하도록 반응한다.
질소(N2) 및 수소(H2)와 같은 캐리어 가스가 또한 진공 챔버 내의 원하지 않는 영역 상에 전구체 가스의 증착을 최소화하기 위해 가열된 기판을 향해 전구체 가스를 이동시키기 위해 진공 챔버 내에 도입된다. 이들 캐리어 가스는 또한 진공 챔버 외부로 이들 전구체 가스를 이동시키기 위한 퍼지 가스로서 작용한다. 이러한 캐리어 가스 및 퍼지 가스 등의 공정 가스는, 공정이 끝난 후 배기관(321)을 통해 외부로 배출된다.
한편, 반도체 공정이 이루어질 때 진공 챔버 내에서 온도 및 습도를 정확히 측정하는 것이 중요하며, 종래에는 진공 챔버 내의 온도 및 습도를 측정하기 위해 도 1에 도시한 바와 같이, 배기관에서 온도/습도 측정 센서와 컨트롤러를 구비한다.
그런데 기존의 경우 온도/습도를 측정하는 온도/습도 측정 센서 및 컨크롤러 문제로 인해 진공 공간에 존재할 수 없어서 진공 상태가 아닌 대기 상태에서 배기 중에만 측정할 수 있었고, 진공중이거나 진공 배기중에는 측정이 불가능한 문제가 있다.
한국공개특허 10-2009-0055431
본 발명의 기술적 과제는 진공 공간 내부의 온도/습도를 실시간으로 제어할 수 있는 실시간 온도/습도 제어 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 실시 형태는 진공 처리된 진공 챔버 내부에 위치하여 진공 챔버 내부의 온도 및 습도를 측정하여 외부로 전송하는 온도/습도 측정 센서; 및 상기 진공 챔버의 외부에 마련되어 상기 온도/습도 측정 센서를 통해 측정되는 진공 챔버 내부의 온도 및 습도를 수신하며, 상기 온도/습도 측정 센서를 통해 측정되는 진공 챔버 내부의 온도 및 습도에 따라서 진공 챔버 내부의 온도 및 습도를 제어하는 컨트롤러;를 포함할 수 있다.
상기 실시간 온도/습도 제어 장치는, 상기 진공 챔버의 내벽과 외벽을 관통하여 신호 라인을 가지는 통로관인 피드 스루;를 포함하며, 상기 온도/습도 측정 센서는, 측정한 온도 및 습도를 상기 피드 스루의 신호 라인을 통해 외부로 전송하며, 상기 컨트롤러는, 상기 온도/습도 측정 센서를 통해 측정되는 진공 챔버 내부의 온도 및 습도를 상기 피드 스루의 신호선을 통해 수신할 수 있다.
피드 스루의 둘레는, 밀폐 차단재에 의해 실링 처리됨을 특징으로 할 수 있다.
상기 피드 스루는, 적어도 두 개 이상의 신호 라인을 가지는 멀티핀 피드 스루임을 특징으로 할 수 있다.
상기 멀티핀 피드 스루는, 제1신호 라인과 제2신호 라인을 포함하며, 상기 온도/습도 측정 센서는, 측정되는 온도를 상기 제1신호 라인에 실으며, 측정되는 습도를 상기 제2신호 라인에 실음을 특징으로 할 수 있다.
상기 온도/습도 측정 센서는, 진공 챔버내의 가스가 외부로 배기되는 동안에 온도/습도의 변화를 실시간으로 상기 컨트롤러에 전송하며, 진공 챔버내의 가스가 외부로 배기되는 동안에는 진공 챔버의 외부로 가스가 배기되지 않을 때 보다 더 빠른 측정 주기로서 온도/습도를 측정할 수 있다.
상기 멀티핀 피드 스루는, 제1신호 라인과 제2신호 라인이외에 제3신호 라인을 포함하며, 상기 온도/습도 측정 센서는, 진공 챔버내의 가스가 외부로 배기되는 동안에 온도/습도의 측정 주기를 상기 제3신호 라인에 실어 전송함을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 실시 형태에 따르면 센서를 내부에 구비하고 컨트롤러를 외부에 구비하여, 진공 공간 내부의 온도 및 습도를 실시간으로 제어할 수 있다.
도 1은 기존의 진공 챔버 내에서 온도 및 습도 측정 장치를 도시한 그림.
도 2는 기판 처리 장치의 예시 그림.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 진공 공간 내부의 실시간 온도/습도 제어 장치의 구성 블록도.
도 4는 멀티핀 피드 스루를 도시한 사시도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따라서 두 개의 신호 라인을 가지는 피드 스루를 통하여 온도 및 습도를 송수신하는 모습을 도시한 그림.
도 6은 본 발명의 실시예에 따라서 세 개의 신호 라인을 가지는 피드 스루를 통하여 온도, 습도, 측정주기를 송수신하는 모습을 도시한 그림.
이하, 본 발명의 장점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은, 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것으로, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기술 등이 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있다고 판단되는 경우 그에 관한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
도 2는 기판 처리 장치의 예시 그림이다.
기판 처리 장치는 도 2에 도시한 바와 같이 기판을 처리하는 내부 공간이 마련된 진공 챔버(10), 진공 챔버(10)의 내부를 배기하는 배기 유닛을 포함한다. 실시예에 따른 진공 챔버(10)는 예컨데, 화학기상증착법(CVD)으로기판 상에 박막을 형성하는 증착용 진공 챔버(10)로써, 기판을 처리할 수 있는 소정의 반응 공간을 가지며, 내부에는 기판이 장착되는 기판 지지부(200) 및 기판 지지부(200)와 대향 배치되어, 기판 상에 박막을 형성하기 위한 소정의 공정 가스를 분사하는 가스 분사부(100)가 마련된다.
물론 이에 한정되지 않고, 스퍼터링 (Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 (Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법(L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy), 원자층장착법(ALD) 및 유기금속 화학 증착법(MOCVD) 중 어느 하나의 방법으로 기판 상에 박막을 형성하는 진공 챔버(10)를 이용할 수도 있다.
또한, 진공 챔버(10)는 기판 상에 박막을 형성하는 증착용 진공 챔버(10)에 한정되지 않고, 에칭, 세정 등의 다양한 공정을 실시하는 진공 챔버(10)를 이용할 수 있다.
진공 챔버(10) 내부를 펌핑하는 진공 펌프(310), 일단이 진공 챔버(10)에 연결되고 타단이 진공 펌프(310)에 연결된 펌프관(311)이 구비된다. 진공 챔버(10) 내에서 기판을 향해 공정 가스가 분사되면, 공정 가스의 일부는 반응하여 기판 상에 증착되나, 일부는 반응에 참여하지 못하는 미반응 가스가 된다. 또한, 진공 챔버(10) 내부에서는 공정 가스의 반응에 의한 파우더 형태의 반응 부산물이 발생될 수 있다. 한편, 진공 챔버(10) 내에서 기판 처리 공정이 이루어지는 동안 후술되는 배기 유닛은 진공 챔버(10) 내를 펌핑하는데, 이때 미반응 가스 및 반응 부산물이 진공 챔버(10)로부터 배출된다.
진공 챔버(10)의 내부에는 예컨대, 증착 공정 등 기판(S)에 대한 처리가 행해지는 공간부가 형성된다. 공간부는 일반적으로 진공 분위기로 형성되어야 하므로, 진공 챔버(10)의 소정 위치에는 공간부에 존재하는 가스의 배출을 위한 배기구가 형성되어 있고, 배기구는 외부에 구비되는 배기 펌프(320)에 연결된 배기관(321)과 연결된다. 또한, 본체의 바닥면에는 후술할 기판 지지부(200)의 회전축이 삽입되는 관통공이 형성되어 있다. 본체의 측벽에는 기판을 진공 챔버(10)의 내부로 반입하거나, 외부로 반출하기 위한 게이트(미도시)가 형성되어 있다.
기판 지지부(200)는 기판(S)을 지지하기 위한 구성으로서, 지지플레이트와 회전축을 구비한다. 지지플레이트는 원판 형상으로 진공 챔버(10)의 내부에 수평방향으로 구비되고, 회전축은 지지플레이트의 저면에 수직으로 연결된다. 회전축은 관통공을 통하여 외부의 모터 등의 구동수단(미도시)에 연결되어 지지플레이트를 승강 및 회전시킨다. 또한, 지지플레이트의 하측 또는 내부에는 히터(미도시)가 구비되어 기판(S)을 일정한 공정 온도로 가열할 수 있다. 예컨대, 80 내지 250도 범위로 가열하고 유지할 수 있다.
가스 분사부(100)는 기판 지지부(200)의 상부에 이격되어 구비되며, 기판 지지부(200) 측으로 기상화된 원료물질, 캐리어 가스, 반응가스, 보조가스 등 공정가스를 분사한다. 가스 분사부(100)는 샤워헤드 타입으로 외부로부터 유입된 서로 다른 종류의 가스가 혼합되며, 이들 가스를 기판을 향하여 분사한다. 물론 가스 분사부(100)는 샤워헤드 타입 외에 인젝터나 노즐 등 다양한 방식의 분사기를 사용할 수도 있다.
일단이 진공 챔버(10)에 연결되고 타단이 배기 펌프(320)에 연결되어 파우더 및 가스를 정화한 후 대기로 배출시키는 배기관(321)을 포함할 수 있다. 이밖에 펌프관(311)에 마련된 펌프 밸브(312)와 배기관(321)에 마련된 배기 밸브(322)를 더 포함할 수 있다.
배기 펌프(320)는 진공 챔버(10) 내부를 펌핑하여 배기함으로써, 일정의 진공 압력으로 유지시킨다. 이때, 공정 챔버 내에 잔류하는 미반응 가스 및 반응 부산물이 진공 챔버(10)로부터 배기관(321)을 통해 배출된다. 미반응 가스가 저온의 배기관(321)으로 유입되면, 파우더 상태로 고형화 될 수 있다.
하기에서는 설명의 편의를 위하여 미반응 가스가 미립자로 고형화된 상태 및 반응 부산물을 '파우더'라 통칭한다. 따라서, 미반응 가스에 의한 파우더 및 파우더 형태의 반응 부산물이 배기 유닛으로 흐른다. 이때, 파우더 뿐만 아니라, 파우더화 되지 않은 가스가 함께 흐를 수 있다.
한편, 기존의 경우 진공챔버내의 온도/습도를 측정하는 센서 및 컨트롤러 문제로 인해 진공 공간에 존재할 수 없어서 진공 상태가 아닌 대기 상태에서 배기 중에만 측정할 수 있었고, 진공중이거나 진공 배기중에는 측정이 불가능하다. 이에 본 발명은, 온도/습도 측정 센서를 진공 공간에 위치시키고, 컨트롤러를 진공 공간 외부에 위치시킨다. 이하 도 3 내지 도 6과 함께 본 발명을 상술한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 진공 공간 내부의 실시간 온도/습도 제어 장치의 구성 블록도이며, 도 4는 멀티핀 피드 스루를 도시한 사시도이며, 도 5는 본 발명의 실시예에 따라서 두 개의 신호 라인을 가지는 피드 스루를 통하여 온도 및 습도를 송수신하는 모습을 도시한 그림이며, 도 6은 본 발명의 실시예에 따라서 세 개의 신호 라인을 가지는 피드 스루를 통하여 온도, 습도, 측정주기를 송수신하는 모습을 도시한 그림이다.
본 발명은, 별도의 피드 스루(530;Feed Through)를 이용하여 온도/습도 측정 센서(510)를 진공 공간에 위치시키고, 컨트롤러(520)를 진공 공간의 외부에 위치시킨다.
이 경우 컨트롤러(520)에 사용된 자재로 부터의 오염을 방지하고, 실시간으로 온도/습도를 측정할 수 있다. 진공중 실시간으로 온도/습도를 측정하고 진공 배기중에도 실시간으로 온도/습도의 변화를 측정하여, 진공 챔버(10) 및 내부 자재의 결로 등을 예방/제어 할 수 있다.
온도/습도 측정 센서(510)는, 진공 처리된 진공 챔버(10) 내부에 위치하여 진공 챔버(10) 내부의 온도 및 습도를 측정하여 외부로 전송하는 센서이다. 진공 챔버(10)에서 공정이 이루어지거나, 또는 공정 후 가스가 배기 유닛을 통해 외부로 배기되는 동안의 온도 및 습도를 측정하는 센서이다.
컨트롤러(520)는, 진공 챔버(10)의 외부에 마련되어 온도/습도 측정 센서(510)를 통해 측정되는 진공 챔버(10) 내부의 온도 및 습도를 수신한다. 그리고 온도/습도 측정 센서(510)를 통해 측정되는 진공 챔버(10) 내부의 온도 및 습도에 따라서 진공 챔버(10) 내부의 온도 및 습도를 제어한다. 따라서 컨트롤러(520)는, 온도/습도 측정 센서(510)를 통해 측정되는 진공 챔버(10) 내부의 온도 및 습도에 따라서 히터 등을 제어하여 진공 챔버(10) 내부의 온도를 조절하여, 진공 챔버(10) 내부의 결로 등을 예방할 수 있게 된다.
본 발명은 온도/습도 측정 센서(510)와 컨트롤러(520)간에 온도 및 습도의 송수신을 위하여, 별도의 피드 스루(530;Feed Through)를 구비하도록 한다.
피드 스루(530)(Feed Through)는 판 관통체로서. 양면 간 접속(interface connection)이라고도 하며, 신호 전송에 사용될 수 있다. 즉, 피드 스루(530)는, 진공 챔버(10)의 내벽과 외벽을 관통하여 신호 라인을 가지는 통로관이다.
따라서 온도/습도 측정 센서(510)는, 측정한 온도 및 습도를 피드 스루(530)의 신호 라인을 통해 외부로 전송할 수 있다.
또한 컨트롤러(520)는, 온도/습도 측정 센서(510)를 통해 측정되는 진공 챔버(10) 내부의 온도 및 습도를 피드 스루(530)의 신호선을 통해 수신할 수 있게 된다.
나아가, 피드 스루(530)의 둘레는, 밀폐 차단재에 의해 실링 처리되도록 한다. 따라서 피드 스루(530)로 인해 진공 챔버(10)의 밀폐성이 손상되지 않도록 하며, 또한 외부 오염물로부터 진공 챔버(10)를 보호할 수 있다.
한편, 피드 스루(530)는 다양한 형태의 피드 스루(530)로서 구현될 수 있는데, 예를 들어, 도 4에 도시한 바와 같이 적어도 두 개 이상의 신호 라인을 가지는 멀티핀 피드 스루(530)로 구현될 수 있다.
피드 스루(530)가 복수개의 신호라인을 가지는 멀티핀 구조를 가짐으로써, 측정되는 온도와 습도를 개별적으로 송수신할 수 있게 된다.
따라서 멀티핀 피드 스루(530)가, 제1신호 라인(531)과 제2신호 라인(532)을 포함한다고 할 때, 도 5에 도시한 바와 같이 온도/습도 측정 센서(510)는, 측정되는 온도를 제1신호 라인(531)에 실으며, 측정되는 습도를 제2신호 라인(532)에 실어, 컨트롤러(520)로 전송할 수 있게 된다. 따라서 각각 별개의 신호 라인을 통해 전송됨으로써, 신호 송수신 오류가 발생되지 않도록 할 수 있다.
한편, 온도/습도 측정 센서(510)는, 진공 챔버(10)내의 가스가 외부로 배기되는 동안에 온도/습도의 변화를 실시간으로 컨트롤러(520)에 전송하며, 진공 챔버(10)내의 가스가 외부로 배기되는 동안에는 진공 챔버(10)의 외부로 가스가 배기되지 않을 때 보다 더 빠른 주기로서 온도/습도를 측정하도록 구현한다.
일반적으로 진공 상태에서 배기 상태로 변경될 때 내부 결로 등이 발생하기 쉽다. 이에 본 발명은 배기되는 동안에 실시간으로 진공 챔버(10) 내부의 온도 및 습도 변화를 지속적으로 측정해야 한다. 따라서 진공 챔버(10)내의 가스가 외부로 배기되는 동안에는 진공 챔버(10)의 외부로 가스가 배기되지 않을 때 보다 더 빠른 측정 주기로서 온도/습도를 측정하도록 구현한다.
진공 상태일 때보다 배기가 이루어지는 구간에서는 더 빠른 측정 주기로서 온도 및 습도를 측정함으로써, 정확한 실시간 측정이 가능하게 된다.
이러한 측정 주기는, 컨트롤러(520)에 실시간으로 전송되어 진공 챔버(10) 내부의 결로 방지 제어에 활용되도록 한다.
이를 위하여, 멀티핀 피드 스루(530)는, 제1신호 라인(531)과 제2신호 라인(532)이외에 제3신호 라인(533)을 포함하도록 구현되며, 온도/습도 측정 센서(510)는, 도 6에 도시한 바와 같이 진공 챔버(10)내의 가스가 외부로 배기되는 동안에 온도/습도의 측정 주기를 제3신호 라인(533)에 실어 전송하도록 구현한다.
따라서 온도, 습도 이외에 측정 주기를 수신하는 컨트롤러(520)는, 측정 주기에 따른 온도 및 습도 변화를 파악하여 그에 맞는 제어를 수행할 수 있게 된다.
상술한 본 발명의 설명에서의 실시예는 여러가지 실시가능한 예중에서 당업자의 이해를 돕기 위하여 가장 바람직한 예를 선정하여 제시한 것으로, 이 발명의 기술적 사상이 반드시 이 실시예만 의해서 한정되거나 제한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 다양한 변화와 변경 및 균등한 타의 실시예가 가능한 것이다.
10:진공 챔버
311:펌프관
312;배기관
510:온도/습도 측정 센서
520:컨트롤러
530:피드 스루

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  7. 진공 처리되되, 기판을 처리할 수 있는 소정의 반응 공간을 가지며, 내부에는 기판이 장착되되, 원판 형상으로서 내부에 수평방향으로 구비되는 지지 플레이트가 구비되고, 상기 지지플레이트의 저면에 수직으로 연결되어 지지플레이트를 승강, 회전시키는 회전축이 구비되며, 상기 지지플레이트의 하측 또는 내부에 구비되어 상기 기판을 일정한 공정 온도로 가열하는 히터를 포함하는 기판 지지부가 구비되고, 상기 기판 지지부에 대향되게 배치되어 기판 상에 박막을 형성하기 위하여 기상화된 원료물질, 캐리어 가스, 반응가스, 보조가스 중 어느 하나 이상의 소정의 공정 가스를 분사하는 가스 분사부가 마련되며, 그 내부를 펌핑하는 진공 펌프가 구비되고, 상기 진공 펌프에 연결되는 펌프관이 구비되며, 소정 위치에는 가스를 배출하기 위한 배기구가 구비되고, 상기 배기구를 통하여 배출되는 파우더 및 가스를 대기로 배출하기 위하여 배기관이 구비되며, 상기 배기관에 연결되어 반응 공간 내부을 펌핑 및 배기하여 일정의 진공 압력을 유지시키는 배기 펌프를 포함하는 진공 챔버 내부에 위치하여 진공 챔버 내부의 온도 및 습도를 측정하여 외부로 전송하는 온도/습도 측정 센서; 및
    상기 진공 챔버의 외부에 마련되어 상기 온도/습도 측정 센서를 통해 측정되는 진공 챔버 내부의 온도 및 습도를 수신하며, 상기 온도/습도 측정 센서를 통해 측정되는 진공 챔버 내부의 온도 및 습도에 따라서 히터를 제어하여 진공 챔버 내부의 온도 및 습도를 제어하는 컨트롤러; 를 포함하고, 상기 진공 챔버의 내벽과 외벽을 관통하여 신호 라인을 가지는 통로관인 피드 스루;를 포함하며,
    상기 온도/습도 측정 센서는, 측정한 온도 및 습도를 상기 피드 스루의 신호 라인을 통해 외부로 전송하며,
    상기 컨트롤러는, 상기 온도/습도 측정 센서를 통해 측정되는 진공 챔버 내부의 온도 및 습도를 상기 피드 스루의 신호선을 통해 수신하며,
    상기 피드 스루의 둘레는,
    상기 진공 챔버의 밀폐성 및 외부 오염물의 침투 방지를 위하여 밀폐 차단재에 의해 실링 처리되고,
    상기 피드 스루는,
    상기 온도/습도 측정 센서에서 측정되는 온도와 습도를 컨트롤러에 개별적으로 송수신하도록 적어도 두 개 이상의 신호 라인을 가지는 멀티핀 피드 스루이며,
    상기 온도/습도 측정 센서는,
    진공 챔버내의 가스가 외부로 배기되는 동안에 온도/습도의 변화를 실시간으로 상기 컨트롤러에 전송하며, 진공 챔버내의 가스가 외부로 배기되는 동안에는 진공 챔버의 외부로 가스가 배기되지 않을 때 보다 더 빠른 측정 주기로서 온도/습도를 측정하되, 배기가 이루어지는 구간에서 보다 빠른 측정 주기로 온도/습도를 측정하고,
    상기 멀티핀 피드 스루는, 제1신호 라인과 제2신호 라인을 포함하여 각각 별개의 신호 라인을 통해 전송되고,
    상기 온도/습도 측정 센서는, 측정되는 온도를 상기 제1신호 라인에 실으며, 측정되는 습도를 상기 제2신호 라인에 실으며,
    상기 멀티핀 피드 스루는, 제1신호 라인과 제2신호 라인이외에 제3신호 라인을 포함하며,
    상기 온도/습도 측정 센서는, 진공 챔버내의 가스가 외부로 배기되는 동안에 온도/습도의 측정 주기를 상기 제3신호 라인에 실어 전송함을 특징으로 하는 진공 공간 내부의 실시간 온도/습도 제어 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021178049A1 (en) * 2020-03-06 2021-09-10 Applied Materials, Inc. Capacitive sensors and capacitive sensing locations for plasma chamber condition monitoring
US11255899B2 (en) 2019-08-27 2022-02-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Test module including temperature controller, test handler including temperature controller, and method of testing semiconductor device using test chamber including temperature controller

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980039936U (ko) * 1996-12-20 1998-09-15 김광호 냉장고의 선반장치
KR20080009568A (ko) * 2006-07-24 2008-01-29 삼성전자주식회사 진공챔버 내부의 온도 및 습도 모니터링 시스템을 갖는반도체 장치, 및 상기 온도 및 습도 분석 방법.
KR20090055431A (ko) 2007-11-28 2009-06-02 한국원자력연구원 진공 시스템 및 그 운전방법
KR20140088961A (ko) * 2012-12-31 2014-07-14 한국기계연구원 습도 제어를 이용한 챔버 내부온도 제어 장치 및 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980039936U (ko) * 1996-12-20 1998-09-15 김광호 냉장고의 선반장치
KR20080009568A (ko) * 2006-07-24 2008-01-29 삼성전자주식회사 진공챔버 내부의 온도 및 습도 모니터링 시스템을 갖는반도체 장치, 및 상기 온도 및 습도 분석 방법.
KR20090055431A (ko) 2007-11-28 2009-06-02 한국원자력연구원 진공 시스템 및 그 운전방법
KR20140088961A (ko) * 2012-12-31 2014-07-14 한국기계연구원 습도 제어를 이용한 챔버 내부온도 제어 장치 및 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11255899B2 (en) 2019-08-27 2022-02-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Test module including temperature controller, test handler including temperature controller, and method of testing semiconductor device using test chamber including temperature controller
WO2021178049A1 (en) * 2020-03-06 2021-09-10 Applied Materials, Inc. Capacitive sensors and capacitive sensing locations for plasma chamber condition monitoring

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