KR101918551B1 - Open mask sheet for thin film deposition and method for manufacturing thereof - Google Patents

Open mask sheet for thin film deposition and method for manufacturing thereof Download PDF

Info

Publication number
KR101918551B1
KR101918551B1 KR1020180123696A KR20180123696A KR101918551B1 KR 101918551 B1 KR101918551 B1 KR 101918551B1 KR 1020180123696 A KR1020180123696 A KR 1020180123696A KR 20180123696 A KR20180123696 A KR 20180123696A KR 101918551 B1 KR101918551 B1 KR 101918551B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal sheet
depth
width
groove
thin film
Prior art date
Application number
KR1020180123696A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김영주
Original Assignee
주식회사 핌스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 핌스 filed Critical 주식회사 핌스
Priority to KR1020180123696A priority Critical patent/KR101918551B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101918551B1 publication Critical patent/KR101918551B1/en
Priority to CN201910480282.2A priority patent/CN111057997B/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H01L51/56—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G03F7/2063—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam for the production of exposure masks or reticles
    • H01L51/0011—
    • H01L51/0018—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching

Abstract

The present invention relates to an open mask sheet for a thin film process, and a manufacturing method thereof. The open mask sheet for a thin film process, comprises at least one opening (e) formed on a metal sheet (40) having a predetermined thickness. The opening (e) includes: a branched recess (e1) of a first width (d1) and a first depth (t1), etched to a lower side from an upper surface of the metal sheet; an upper groove (e2) of a second width (d2) narrower than the first width, and a second depth (t2), etched to a lower side from a surface of the branched recess (e1); and a lower groove (e3) of a third width (d3) and a third depth (t3), etched to an upper side from a lower surface of the metal sheet to communicate with the upper grove (e2). Herein, the branched recess (e1) is firstly formed by etching, and then the upper and lower grooves (e2, e3) are simultaneously etched to form through holes (e2, e3) between the surface of the branched recess (e1) and the lower surface of the metal sheet. According to the present invention, in the open mask sheet for a thin film process, a size determination line of the opening, through which a thin film material passes, is sufficiently separated from an edge of a thin film layer of a substrate in a horizontal direction, and also, has a vertical separation distance sufficiently small from a surface of the thin film layer of the substrate, and an appropriate taper angle is formed at a lower portion of the opening, thereby minimizing defect occurrence and a shadow phenomenon at an edge of the thin film layer.

Description

박막 공정용 오픈 마스크 시트 및 그 제조방법{OPEN MASK SHEET FOR THIN FILM DEPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF}[0001] OPEN MASK SHEET FOR THIN FILM PROCESS AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF [0002]

본 발명은 박막 공정용 오픈 마스크 시트에 관한 것으로서, 더 상세하게는 예컨대 박막 공정용 오픈 마스크 시트에서 개구부의 사이즈 결정라인이 기판 박막층 가장자리와 수평방향에서 이격되면서도 기판 박막층 표면과 충분히 작게 수직방향에서 이격되도록 함으로써, 오픈 마스크 시트 개구부에 의해 제조되는 기판 박막층 가장자리에서의 불량발생 및 새도우 현상을 최소화할 수 있도록 한 새로운 박막 공정용 오픈 마스크 시트 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an open mask sheet for thin film process, and more particularly, to an open mask sheet for thin film process, for example, in an open mask sheet for thin film process, the sizing line of the opening is spaced apart from the edge of the substrate thin film layer in the horizontal direction, And to minimize the occurrence of defects and the shadow phenomenon at the edge of the substrate thin film layer formed by the opening portion of the open mask sheet, and a manufacturing method thereof.

근래 널리 제조되고 있는 유기 발광 표시 장치(OLED, Organic Light-Emitting Diode)는, 텔레비젼, 퍼스널 컴퓨터(PC)용 모니터, 태블릿 PC, 스마트폰, 스마트워치 및 차량 계기판 등 디스플레이로서 널리 이용되고 있다. OLED는 빛을 내는 층이 유기 화합물로 이루어진 박막 발광 다이오드이다. OLED 제조시 전극층, 유기 발광층, 절연막 등의 박막층을 적층하고 패터닝하는 박막 공정이 필요하다. 박막 공정은 각각 대응하는 개구부 패턴이 구비된 마스크 조립체를 이용하게 되며, 예컨대 화학적 기상증착(CVD, chemical vapor deposition), 스퍼터링(sputtering), 이온 플레이팅(ion plating), 진공 증착(evaporation) 등이 포함된다.2. Description of the Related Art Organic light-emitting diodes (OLEDs), which have been widely manufactured and widely used in recent years, are widely used as displays for televisions, personal computer (PC) monitors, tablet PCs, smart phones, smart watches and vehicle instrument panels. OLEDs are thin-film light-emitting diodes whose light-emitting layers are organic compounds. A thin film process is required for laminating and patterning thin film layers such as an electrode layer, an organic light emitting layer, and an insulating film during OLED manufacturing. The thin film process uses a mask assembly having a corresponding opening pattern. For example, a chemical vapor deposition (CVD) process, a sputtering process, an ion plating process, a vacuum deposition process, .

일반적으로 도 1에 도시된 바와 같이 마스크 조립체(10)는 상대적으로 튼튼한 구조의 프레임(12) 상에 개구부(H)를 구비하는 얇은 마스크 시트(14)를 접합한 구조이다. 통상 OLED 제조 공정에서 사용되는 마스크 조립체에는 디스플레이의 RGB 픽셀을 제조하기 위한 아주 미세한 개구부 패턴을 가지는 파인 메탈 마스크 조립체(fine metal mask assembly) 및 디스플레이 면적 전체에 동일 재질의 박막층을 적응하기 위한 개구부 패턴을 가지는 오픈 마스크 조립체(open mask assembly)로 구분된다. 특히 오픈 마스크 시트는 약 50 ~ 200㎛ 정도의 두께를 가지는 인바합금(Invar-36 Alloy) 또는 스테인레스(SUS420)과 같은 재질의 박막 금속시트 상에, 예컨대 수십개 ~ 수백개의 개구부를 습식 에칭 방식으로 다수 형성한다. 일반적으로 개구부는 금속시트 양표면에서 금속시트 내부를 향하여 동시 습식 에칭하는 방식으로 제조한다.In general, as shown in FIG. 1, the mask assembly 10 is a structure in which a thin mask sheet 14 having an opening H is bonded on a frame 12 having a relatively strong structure. A mask assembly typically used in an OLED manufacturing process includes a fine metal mask assembly having a very fine opening pattern for producing RGB pixels of the display and an opening pattern for adapting a thin film layer of the same material over the entire display area The branch is divided into an open mask assembly. Particularly, the open-mask sheet is formed by forming, on a thin metal sheet made of Invar-36 Alloy or stainless steel (SUS420) having a thickness of about 50 to 200 mu m, for example, several tens to several hundreds of openings in a wet- . Generally, the openings are produced by a simultaneous wet etching from both surfaces of the metal sheet toward the inside of the metal sheet.

종래에 디스플레이 가장자리는 통상 베젤에 의해 감싸지므로, 디스플레이 가장자리에 대한 정밀도나 불량여부가 크게 문제되지 않았었다. 그러나 근래에는 예컨대 슬림 베젤 디스플레이와 같이 디스플레이 가장자리에 대한 정밀도가 더욱 요구되고 있고, 이에 따라 대응하는 오픈 마스크 개구부에 대해 점점 더 높은 정밀도가 요구되었다. 이러한 요구에 부응하기 위해, 종래 오픈 마스크 개구부는 기존 FMM 분야에서 널리 알려져 있는 것과 유사하게, 도 2에 예시된 바와 같이 상협하광(上狹下廣, up-narrow and down-wide) 형상으로 제조되었다.Conventionally, the display edges are usually wrapped by the bezel, so there has not been a significant problem of accuracy or poorness of the display edges. In recent years, however, more and more precision has been required with respect to the display margins, such as, for example, slim bezel displays, and thus higher and higher precision has been required for the corresponding open-mask openings. To address this need, conventional open-mask openings have been fabricated in an up-narrow and down-wide shape as illustrated in FIG. 2, similar to what is well known in the traditional FMM arts .

개구부 제조 과정을 살펴보면, 도 2의 (a)를 도시된 바와 같이 금속시트(20)의 상부면과 하부면에 포토레지스트층(21, 22)을 적층한다. 그 다음에 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 소정 포토마스크를 이용하여 패턴을 노광하고 현상하여 각 포토레지스트층(21, 22) 상에 대응하는 에칭용 개구 P1 및 P2를 형성한다. 이후 예컨대 염화제2철 용액과 같은 에칭액을 사용하여 양 표면에서 동시에 에칭함으로써, 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이, 금속시트(20)의 상부 포토레지스트층(21)의 에칭용 개구(P1)를 통해 상부홈(C1)이 만들어지고 및 대향하는 하부 포토레지스트층(22)의 에칭용 개구(P2)를 통해 하부홈(C2)이 만들어져 서로 연통되어 개구부(C)가 형성된다.As shown in FIG. 2 (a), photoresist layers 21 and 22 are laminated on the upper and lower surfaces of the metal sheet 20. Then, as shown in FIG. 2 (b), the pattern is exposed and developed using a predetermined photomask to form corresponding etching openings P1 and P2 on the photoresist layers 21 and 22, respectively. Thereafter, etching is simultaneously performed on both surfaces using an etching solution such as, for example, a ferric chloride solution to form an opening (not shown) for etching the upper photoresist layer 21 of the metal sheet 20 The upper trench C1 is formed through the lower photoresist layer 22 and the lower trench C2 is formed through the etching opening P2 of the lower photoresist layer 22 facing each other to communicate with each other to form the opening C.

통상 개구부의 사이즈 결정라인(즉, 박막층 사이즈를 결정하는 가장 작은 폭을 가지는 가장자리)은 습식 에칭 기술의 한계에 의해 에칭이 개시되는 위치에 만들게 되는데, 도시된 예에서는, 좁은 폭의 상부홈에 의해 한정된다. 따라서 상협하광 개구부(C) 형상에서, 개구부의 사이즈 결정라인은 좁은 폭 상부홈의 에칭 개시 부분, 즉 개구부의 상부 가장자리(20a)에 대응한다. 한편 넓은 폭 하부홈은 금속시트 하부면에서 제일 큰 폭을 가지고 금속시트 내부로 들어 갈수록 폭이 좁아지게 되며, 이에 의해 박막 형성 물질이 원활히 입사하도록 하는 테이퍼 각도(α)를 제공한다.Normally, the sizing line of the opening (i.e., the edge having the smallest width to determine the thin film layer size) is made at the position where the etching is started due to the limitation of the wet etching technique. In the illustrated example, Is limited. Therefore, in the shape of the vertically lower light opening portion C, the sizing line of the opening portion corresponds to the etching start portion of the narrow width upper groove, that is, the upper edge 20a of the opening portion. On the other hand, the wide bottom groove has the largest width at the lower surface of the metal sheet and becomes narrower as it enters the metal sheet, thereby providing a taper angle? For allowing the thin film forming material to smoothly enter.

그런데 박막 공정이 진행됨에 따라, 하나의 오픈 마스크 조립체에는 수천개의 박막공정용 기판이 밀착되었다가 떼어지는 동작이 연속적으로 반복된다. 이 때, 각 개구부의 크기가 최종 제품의 디스플레이 크기에 대응하기 때문에, 도 2의 (d)에 도시된 바와 같이, 오픈 마스크 시트 즉 금속시트(20)의 개구부(C)의 사이즈 결정라인, 즉 개구부 상부 가장자리(20a)가 기판(B) 박막층(D) 가장자리와 밀착된다. 이는, 오픈 마스크 시트와 기판이 접촉될 뿐만 아니라 이에 더하여 예컨대 자력에 의해 완전히 밀착되도록 한 상태로 박막 공정이 진행되기 때문이다. 이에 따라, 개구부 사이즈 결정라인 즉 개구부 상부 가장자리(20a)와 박막층 가장자리가 맞닿아 함께 각진 오목부를 이루게 되어 이물질이 끼이기 쉬운 구조가 되고; 또한 개구부 상부 가장자리(20a)가 기판 밀착 또는 탈착시 박막층 가장자리와 간섭하여 스크레치를 발생시키게 되었고, 이로 인해 박막층 가장자리에 많은 불량이 발생하였다.However, as the thin film process proceeds, thousands of thin film processing substrates adhere to one open mask assembly, and the operation of peeling off is continuously repeated. 2 (d), since the size of each opening corresponds to the display size of the final product, the size determination line of the opening portion C of the open mask sheet or metal sheet 20, that is, The upper edge 20a of the opening portion is brought into close contact with the edge of the thin film layer (D) of the substrate (B). This is because not only the open mask sheet and the substrate are in contact with each other, but also the thin film process proceeds in a state in which the open mask sheet and the substrate are completely in close contact with each other, for example, by a magnetic force. Accordingly, the opening size determining line, that is, the upper edge 20a of the opening portion and the edge of the thin film layer abut against each other to form an angular concave portion together, so that the foreign matter is easily caught. Further, the upper edge 20a of the opening interferes with the edge of the thin film layer when the substrate is in close contact with or detached from the substrate, thereby generating scratches, which causes a lot of defects in the edge of the thin film layer.

따라서 종래에 이러한 박막층 가장자리의 불량 발생을 제거하기 위하여, 도 3에 예시된 바와 같이 기존 형상을 뒤집은 모양, 즉 상광하협(上廣下狹, up-wide and down-narrow) 형상의 개구부(C')를 형성한 오픈 마스크 시트 또는 금속시트(30)가 알려져 있다. 이는 포토레지스트층에 형성되는 에칭용 개구(P1, P2)(도 2 참조)의 폭을 상부에서 넓게 형성하고 하부에서 좁게 형성하는 방식으로 제조된다. 상광하협 개구부(30)의 경우, 개구부 상부홈(C1')이 넓은 폭을 가지는 반면 하부홈(C2')은 좁은 폭을 가진다. 도 3의 금속시트(30)에 의하면, 보다 좁은 폭의 하부홈(C2')의 사이즈 결정라인, 즉 하부 가장자리(30b)에 의해 기판(B)의 박막층(D)의 가장자리가 결정된다. 이에 따라 박막층 가장자리는 개구부(C')의 상부 가장자리(30a)와는 수평으로 이격되고, 수직으로도 금속시트 표면 즉 상부홈(C1')의 표면으로부터 이격되므로, 박막 공정이 진행되는 동안, 박막층(D)의 가장자리에 이물질이 끼이거나 스크레치가 발생하지 않아 불량발생이 현저히 감소될 수 있었다.Therefore, in order to eliminate the occurrence of defects in the edge of the thin film layer, a conventional method has been proposed in which an opening C 'having an upside-down and narrow- ) Are formed on the surface of the metal sheet 30. This is manufactured in such a manner that the widths of the etching openings P1 and P2 (see FIG. 2) formed in the photoresist layer are formed to be wide at the top and narrow at the bottom. In the case of the upper light blocking opening 30, the opening upper groove C1 'has a wide width while the lower groove C2' has a narrow width. According to the metal sheet 30 of Fig. 3, the edge of the thin film layer D of the substrate B is determined by the sizing line of the lower groove C2 'having a narrower width, that is, the lower edge 30b. The edge of the thin film layer is spaced horizontally from the upper edge 30a of the opening C 'and is vertically spaced from the surface of the metal sheet surface, that is, the surface of the upper groove C1', so that during the thin film process, D, or scratches do not occur, so that the occurrence of defects can be remarkably reduced.

그러나 도 3에 도시된 상광하협 개구부(C')를 형성한 금속시트(30)의 경우, 개구부 사이즈 결정라인은 좁은 폭 하부홈(C2')에 의해, 즉 개구부 하부 가장자리(30b)에 의해 한정된다는 문제가 있었다. 이런 형상에 따르면. 박막공정 중 개구부 사이즈 결정라인은, 금속시트의 두께(t)만큼 수직방향으로 이격된다. 이를 해소하기 위하여 하부홈(C2')을 두 번의 에칭 공정에 의해 생성함으로써 사이즈 결정라인이 금속시트 내부에 즉 하부홈(C2') 상부에 위치하도록 하는 예가 알려져 있다. 그러나, 그런 경우라 하더라도, 예컨대 오픈 마스크 시트의 두께가 약 50 ~ 200㎛ 정도일 경우, 개구부 사이즈 결정라인은 기판 표면에 대해 약 60 ~ 80㎛ 정도로 매우 큰 수직 방향 이격 거리를 가지게 될 뿐만 아니라, 좁은 폭의 하부홈(C2)에는 박막 형성 물질이 입사하는 테이퍼 각도가 거의 형성되지 않는다는 문제가 있었다. 이런 이유로 기판 박막층(D) 가장자리에 새도우 지역(S)이 예컨대 120 ~ 130㎛ 정도의 큰 폭으로 발생하고, 이 새도우 현상에 기인하여 디스플레이 가장자리의 정밀도가 감소하는 문제가 있었다. 근래에는 점점 더 슬림한 베젤 디스플레이가 요구되고 있을 뿐만 아니라 나아가 폴더블 디스플레이와 같이 디스플레이 가장자리의 정밀도가 더욱 요구되는 경우가 증가하고 있어, 이런 디스플레이 가장자리에서의 새도우 지역의 크기를 대략 20㎛ 이하로 감소시킬 수 있는 기술이 절실히 요구되고 있다.However, in the case of the metal sheet 30 having the light blocking opening C 'shown in FIG. 3, the opening size determination line is limited by the narrow width lower groove C2', that is, limited by the opening lower edge 30b . According to this form. During the thin-film process, the opening size-determining line is vertically spaced by the thickness t of the metal sheet. To solve this problem, it is known that the size determining line is formed inside the metal sheet, that is, above the lower groove C2 'by generating the lower groove C2' by two etching processes. However, even in such a case, for example, when the thickness of the open mask sheet is about 50 to 200 mu m, the opening size determination line not only has a very large vertical separation distance of about 60 to 80 mu m with respect to the substrate surface, There is a problem that the taper angle at which the thin film forming material is incident is hardly formed in the lower groove C2 of the width. For this reason, there is a problem that the shadow area S is formed on the edge of the substrate thin film layer D with a large width of, for example, about 120 to 130 탆 and the precision of the display edge is reduced due to this shadow phenomenon. In recent years, more and more slim bezel displays have been required, and in addition, the precision of the display edges, such as a foldable display, has been increasingly required, reducing the size of the shadow areas at such display edges to less than about 20 탆 A technology that can be used is urgently required.

대한민국 등록특허 제10-1786391호 (2017.10.10.)Korean Patent No. 10-1786391 (October 10, 2017) 대한민국 공개특허 제10-2015-0056754호 (2015.05.27.)Korean Patent Publication No. 10-2015-0056754 (May 27, 2015). 대한민국 공개특허 제10-2017-0096373호 (2017.08.24.)Korean Patent Publication No. 10-2017-0096373 (2017.08.24.) 대한민국 공개특허 제10-2016-0129639호 (2016.11.09.)Korean Patent Publication No. 10-2016-0129639 (Nov.

본 발명자는, 기판 박막층 가장자리의 새도우 지역의 크기를 감소시키기 위한 오픈 마스크 제조 기술을 찾는 과정에서, 특히 이물질 끼임이나 스크레치 문제 발생을 억제하기 위해서 금속시트에 형성된 개구부의 사이즈 결정라인은 기판 박막층 가장자리로부터 수평 및 수직 방향으로 이격되어야 하고, 동시에 수직방향으로는 기판 박막층 표면과 최대한 가깝게 형성되어야 할 필요가 있다는 점에 주목하였다.The present inventors have found that in the process of finding an open mask manufacturing technique for reducing the size of the shadow area at the edge of the substrate thin film layer, in particular, in order to suppress the occurrence of foreign matter or scratch problems, It must be spaced horizontally and vertically, and at the same time it needs to be formed as close as possible to the surface of the substrate thin film layer in the vertical direction.

이에 본 발명자는, 만약 1차로 금속시트의 상부면에서 폭이 넓지만 깊이가 얕은 분지형 리세스를 에칭하고, 이후 분지형 리세스 표면과 금속시트 하부면 사이에서 상협하광 형태로 에칭하여 관통구멍을 생성한다면, 그 결과 관통구멍 위에 분지형 리세스가 결합된 형태의 개구부가 형성된다는 점; 이에 따라 개구부의 사이즈 결정라인은 2차 에칭에 의해 형성되는 관통구멍의 좁은 폭 상부홈의 에칭이 시작되는 곳 즉 분지형 리세스 표면에 위치한다는 점; 따라서 개구부 사이즈 결정라인은 기판 박막층 가장자리로부터 수평 및 수직방향으로 이격되며, 특히 수직방향에서 분지형 리세스의 얕은 깊이만큼만 이격된다는 점; 또한 특히 1차 에칭에 따라 생성되는 분지형 리세스의 깊이는 원하는 만큼 얕게 제조될 수 있다는 점; 나아가 2차 에칭에 의해 생성되는 상협하광 관통구멍의 하부홈에는 충분한 크기의 테이퍼 각도가 생성될 수 있다는 점; 그러므로 기판 박막층 가장자리의 불량문제와 새도우 현상을 동시에 제거할 수 있는 오픈 마스크 시트의 제조가 가능하다는 점을 깨달았다.The present inventors have found that if a branch-like recess is first widened on the upper surface of the metal sheet but is shallow in depth, and then etched in the form of a staggered light between the bifurcated recess surface and the lower surface of the metal sheet, So that an opening is formed in the form of a coupling of a bifurcated recess on the through hole; Whereby the sizing line of the opening is located at the beginning of the etching of the narrow top groove of the through hole formed by the secondary etching, that is, at the bifurcated recessed surface; Thus, the opening sizing lines are spaced horizontally and vertically from the edge of the substrate thin layer, and are spaced only as shallow depths of the bifurcated recesses, especially in the vertical direction; Also, the depth of the bifurcated recesses produced in particular by the primary etching can be made as shallow as desired; Furthermore, a sufficiently large taper angle can be generated in the bottom groove of the through-hole forming through-holes generated by the secondary etching; Therefore, it was realized that it is possible to manufacture an open mask sheet capable of simultaneously eliminating the defect of the edge of the substrate thin film layer and the shadow phenomenon.

본 발명은 상술한 발명자의 깨달음에 기초한 것으로서, 박막 공정용 오픈 마스크 시트에서 개구부의 사이즈 결정라인이 기판 박막층 가장자리와 수평방향에서 충분히 크게 이격되도록 하면서도, 충분히 작은 수직 이격거리를 가지게 하며, 또한 개구부 하부에 적절한 테이퍼 각도를 형성할 수 있도록 함으로써, 박막층 가장자리에서의 불량발생 및 새도우 현상을 최소화할 수 있는 새로운 박막 공정용 오픈 마스크 시트 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is based on the above-described inventor's realization, and it is an object of the present invention to provide an open mask sheet for a thin film process which has a sufficiently small vertical separation distance while allowing a sizing line of an opening portion to be sufficiently large in a horizontal direction, Which can minimize the occurrence of defects and the shadow phenomenon at the edge of the thin film layer, and a method for manufacturing the same.

이러한 목적은 본 발명에 따라 제공되는 박막 공정용 오픈 마스크 시트 및 그 제조방법에 의해 달성된다.This object is achieved by an open-mask sheet for thin-film processing provided according to the present invention and a method of manufacturing the same.

본 발명의 일 양상에 따라 제공되는 박막 공정용 오픈 마스크 시트는, 소정 두께의 금속시트 상에 형성된 적어도 하나의 개구부를 포함하는 오픈 마스크 시트로서, 상기 개구부는: 상기 금속시트의 상부면에서 하부측으로 에칭된 제1폭과 제1깊이의 분지형 리세스와; 상기 분지형 리세스의 표면에서 하부측으로 에칭된 상기 제1폭보다 좁은 제2폭과 제2깊이의 상부홈과; 상기 금속시트의 하부면에서 상부측으로 에칭되어 상기 상부홈(e2)과 서로 연통된 제3폭과 제3깊이의 하부홈를 포함하며, 여기서, 상기 분지형 리세스가 먼저 에칭에 의해 형성되고, 그 다음에 상기 상부홈 및 하부홈은 동시 에칭되어 상기 분지형 리세스의 표면 및 상기 금속시트 하부면 사이의 관통구멍을 형성한다.An open-mask sheet for thin-film processing provided according to an aspect of the present invention is an open-mask sheet comprising at least one opening formed on a metal sheet of a predetermined thickness, the opening comprising: A bifurcated recess of an etched first width and a first depth; An upper groove of a second width and a second depth narrower than the first width etched from the surface of the bifurcated recess to the lower side; And a lower groove of a third width and a third depth which are etched from the lower side of the metal sheet to the upper side and communicated with the upper groove e2, wherein the branching recess is formed first by etching, Next, the upper groove and the lower groove are simultaneously etched to form a through hole between the surface of the bifurcated recess and the lower surface of the metal sheet.

실시예에서, 상기 관통구멍에서 상기 제2폭은 상기 제3폭보다 더 작은 값을 가지는 상협하광 형태인 것이 바람직하다.In an embodiment, the second width in the through hole is preferably in the form of a convergent light having a smaller value than the third width.

실시예에서, 상기 금속시트의 두께는 50 ~ 200㎛이고, 상기 분지형 리세스의 제1깊이는 10 ~ 25㎛인 것이 바람직하다.In an embodiment, the thickness of the metal sheet is 50 to 200 mu m, and the first depth of the branched recess is preferably 10 to 25 mu m.

실시예에서, 상기 관통구멍이 형성된 이후 상기 분지형 리세스 표면의 잔여길이는 상기 분지형 리세스의 제1깊이의 3 ~ 20배의 길이를 가지는 것이 바람직하다.In an embodiment, the remaining length of the bifurcated recess surface after the through-hole is formed preferably has a length 3 to 20 times the first depth of the bifurcated recess.

실시예에서, 상기 하부홈의 측벽은 40°~ 45°의 테이퍼 각도(α)가 형성되도록 하는 것이 바람직하다.In an embodiment, the sidewall of the lower groove preferably has a taper angle? Of 40 to 45 degrees.

실시예에서 상기 금속시트는 인바합금(Invar-36 Alloy) 또는 스테인레스(SUS420) 재질로 이루어질 수 있다.In an embodiment, the metal sheet may be made of Invar-36 Alloy or stainless steel (SUS420).

본 발명의 다른 양상에 따라 제공되는 박막 공정용 오픈 마스크 시트 제조 방법은, 금속시트 상에 형성된 적어도 하나의 개구부를 포함하는 박막 공정용 오픈 마스크 시트 제조 방법으로서, 금속시트의 상부면에서 하부측으로 제1폭과 제1깊이의 분지형 리세스를 형성하는 제 1 에칭 단계; 한편으로 상기 분지형 리세스의 표면에서 하부측으로 상기 제1폭보다 좁은 제2폭과 제2깊이의 상부홈을 형성하고, 다른 한편으로 상기 금속시트의 하부면에서 상부측으로 상기 상부홈과 서로 연통되도록 제3폭과 제3깊이의 하부홈을 형성함으로써, 상기 상부홈 및 하부홈에 의해 이루어지는 관통구멍을 형성하는 제 2 에칭 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing an open-mask sheet for thin-film processing, including at least one opening formed on a metal sheet, comprising the steps of: A first etching step of forming a bifurcated recess of a first width and a first depth; On the one hand, an upper groove of a second width and a second depth narrower than the first width from the surface of the bifurcated recess to the lower side, and on the other hand, And a second etching step of forming a through hole formed by the upper groove and the lower groove by forming a lower groove having a third width and a third depth to the first etching step.

실시예에서 상기 제 1 에칭 단계는, 상기 금속시트 상부면 및 하부면에 각각 포토레지스트막을 형성하는 단계; 상기 금속시트 상부면의 포토레지스트막에 상기 분지형 리세스 에칭용 개구를 형성하는 단계; 상기 분지형 리세스 에칭용 개구를 통해 상기 제1폭(d1)과 제1깊이(t1)의 분지형 리세스(e1)를 형성하는 습식 에칭 단계; 및 상기 금속시트 상부면의 잔여 포토레지스트막을 제거하는 단계를 포함한다.In an embodiment, the first etching step may include: forming a photoresist film on the upper surface and the lower surface of the metal sheet, respectively; Forming an opening in the photoresist film on the upper surface of the metal sheet for the branch-type recess etching; A wet etching step of forming a bifurcated recess (e1) of the first width (d1) and the first depth (t1) through the opening for bifurcated recess etching; And removing the remaining photoresist film on the upper surface of the metal sheet.

실시예에서 상기 제 2 에칭 단계는, 상기 제 1 에칭 단계 이후의 상기 금속시트 상부면과 상기 분지형 리세스 표면에 포토레지스트막을 형성하는 단계; 상기 분지형 리세스 표면 및 상기 금속시트 하부면의 포토레지스트막에 각각 관통구멍 에칭용 개구를 형성하는 단계; 상기 분지형 리세스 표면 및 상기 금속시트 하부면에서 상기 관통구멍 에칭용 개구를 통해 상기 상부홈 및 하부홈을 에칭하여 관통구멍을 형성하는 습식 에칭 단계; 및 상기 금속시트에서 잔여 포토레지스트막을 제거하는 단계를 포함한다.In an embodiment, the second etching step comprises: forming a photoresist film on the metal sheet upper surface and the bifurcated recess surface after the first etching step; Forming through-hole etching openings in the photoresist film on the bifurcated recess surface and the lower surface of the metal sheet, respectively; A wet etching step of etching the upper groove and the lower groove through the through hole etching openings at the bottom surface of the bifurcated recess and the lower surface of the metal sheet to form through holes; And removing the remaining photoresist film from the metal sheet.

실시예에서, 상기 포토레지스트막을 형성하는 단계는 필름 형태의 포토레지스트 필름을 부착하는 방식 또는 액상의 포토레지스트를 도포하는 방식으로 수행될 수 있다.In an embodiment, the step of forming the photoresist film may be performed by attaching a photoresist film in a film form or by applying a liquid photoresist.

본 발명에 따르면, 박막 공정용 오픈 마스크 시트에서 박막물질이 통과하는 개구부의 사이즈 결정라인이 기판 박막층 가장자리와 수평방향에서 충분히 이격되도록 하면서도, 기판 박막층 표면과 충분히 작은 수직 이격거리를 가지게 하며, 또한 개구부의 하부에 적절한 테이퍼 각도를 형성할 수 있도록 함으로써, 박막층 가장자리에서의 불량발생 및 새도우 현상을 최소화할 수 있는 새로운 박막 공정용 오픈 마스크 시트 및 그 제조방법이 제공될 수 있다.According to the present invention, in the open mask sheet for thin film processing, the sizing line of the opening through which the thin film material passes is sufficiently spaced from the edge of the substrate thin film layer in the horizontal direction, and has a sufficiently small vertical separation distance from the surface of the substrate thin film layer, It is possible to provide an open mask sheet for a new thin film process and a manufacturing method thereof that can minimize the occurrence of defects and the shadow phenomenon at the edge of the thin film layer.

구체적으로 본 발명에 따르면, 1차로 금속시트의 상부면에서 폭이 넓지만 깊이가 얕은 분지형 리세스를 에칭하고, 이후 분지형 리세스 표면과 금속시트 하부면 사이에서 상협하광 형태로 관통구멍을 에칭함으로써 오픈 마스크 개구부를 형성하며, 그 결과 관통구멍 위에 분지형 리세스가 결합된 형태의 개구부가 형성된다.More particularly, according to the present invention, a widened but shallow deep recess is firstly formed on the upper surface of the metal sheet, and then a through hole is formed in the form of a lowered light between the split bottom surface and the lower surface of the metal sheet Thereby forming an open-mask opening by etching, and as a result, an opening is formed in a shape in which a bifurcated recess is coupled on the through-hole.

이에 따라 박막공정용 기판 표면의 박막층의 치수를 한정하는 오픈 마스크 시트 개구부의 사이즈 결정라인는, 2차 에칭에 의해 형성되는 관통구멍의 좁은 폭 상부홈의 에칭이 시작되는 곳 즉 분지형 리세스 표면에 위치한다. 그러므로 개구부 사이즈 결정라인는 분지형 리세스의 폭과 깊이에 의해 박막층 가장자리로부터 수평 및 수직방향으로 이격될 수 있다.Accordingly, the size determination line of the open mask sheet opening portion for defining the size of the thin film layer on the surface of the substrate for the thin film processing can be formed by a method in which the opening of the narrow groove on the through hole formed by the secondary etching starts, Located. Therefore, the opening sizing line can be spaced horizontally and vertically from the edge of the thin film layer by the width and depth of the bifurcated recess.

특히 새도우 현상과 관련하여, 개구부 사이즈 결정라인와 박막층 표면 사이의 수직방향 이격 거리를 한정하는 분지형 리세스의 깊이는, 본 발명에 의해 예컨대 금속시트의 총 두께가 50 ~ 200㎛인 경우 대략 20㎛ 이하로 크게 감소될 수 있다는 현저한 효과가 제공된다. 이는 본 발명에 따른 개구부의 상부를 이루는 분지형 리세스는, 관통구멍의 에칭 공정과는 별도의 에칭 공정에 의해, 원하는 만큼 얕은 깊이로 형성하는 것이 용이하게 가능하기 때문이다. 나아가 본 발명에 따르면 개구부의 하부에는 상협하광 형태의 관통구멍이 형성되기 때문에, 박막 형성 물질이 입사하는 충분한 크기의 테이퍼 각도가 예컨대 약 40 ~ 45°정도로 생성될 수 있다는 장점이 제공된다. 그 결과 본 발명에 의해 예컨대 금속시트의 총 두께가 50 ~ 200㎛인 경우 단지 대략 15 ㎛ 이하의 폭을 가지는 매우 작은 새도우 지역만이 발생하게 되어 최종 디스플레이 제품의 가장자리 정밀도가 크게 향상될 수 있다.Regarding the shadow phenomenon in particular, the depth of the bifurcated recess, which defines the vertical separation distance between the opening sizing line and the surface of the thin film layer, is about 20 [micro] m when the total thickness of the metal sheet is, Or less. This is because the bifurcated recess forming the upper part of the opening according to the present invention can be easily formed to have a shallow depth as desired by an etching process different from the etching process of the through hole. Further, according to the present invention, since the through hole is formed in the lower part of the opening, a sufficient taper angle of the thin film forming material can be generated, for example, about 40 to 45 degrees. As a result, according to the present invention, for example, when the total thickness of the metal sheet is 50 to 200 mu m, only a very small shadow area having a width of approximately 15 mu m or less is generated, and the edge accuracy of the final display product can be greatly improved.

도 1은 종래 오픈 마스크 조립체를 설명하기 위한 개략적인 평면도.
도 2의 (a) 내지 (d)는 종래 오픈 마스크 시트의 상협하광 개구부를 설명하기 위한 개략적인 단면도들.
도 3은 종래 오픈 마스크 시트의 상광하협 개구부를 설명하기 위한 개략적인 단면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 오픈 마스크 시트의 개구부 구조를 보여주는 개략적인 단면도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 오픈 마스크 시트의 제조 방법의 단계들을 보여주는 개략적인 흐름도.
도 6은 도 5에 예시된 오픈 마스크 시트의 제조 방법의 단계들을 직관적으로 보여주는 개략적인 흐름도.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 오픈 마스크 시트 샘플을 종래 기술에 따른 샘플과 비교 설명하기 위한 금속시트 개구부 일측 단면의 현미경 사진들. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Figure 1 is a schematic plan view for describing a conventional open mask assembly.
FIGS. 2 (a) to 2 (d) are schematic cross-sectional views for explaining a downstream light opening of a conventional open mask sheet;
3 is a schematic cross-sectional view for explaining an upstream opening of a conventional open mask sheet;
4 is a schematic cross-sectional view showing an opening structure of an open mask sheet according to an embodiment of the present invention.
5 is a schematic flow chart showing steps of a method of manufacturing an open mask sheet according to an embodiment of the present invention;
FIG. 6 is a schematic flow chart showing intuitively the steps of the method of manufacturing an open-mask sheet illustrated in FIG. 5; FIG.
7 is a photomicrograph of one side section of a metal sheet opening to compare an open-mask sheet sample according to an embodiment of the present invention with a sample according to the prior art.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예들을 설명한다. 참고로 이하의 기재사항 및 도면은 본 발명의 이해를 돕기 위한 예시일 뿐 발명의 기술범위를 한정하는 것이 아니다. 다시 말해, 아래에서 설명되는 실시예들은 현장에서 구현할 때 다양한 변형이 가능하며, 이들 변형이 본 발명의 기술사상 내에 있다면 본 발명에 속한다고 해야 할 것인 바, 본 발명의 기술사상은 이하의 설명을 통해 해상 기술 분야의 지식을 가진 자에게 쉽게 이해될 것이다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The following description and drawings are only for illustrative purposes and are not intended to limit the scope of the invention. In other words, it is to be understood that the embodiments described below can be modified in various ways when they are implemented in the field, and if they are within the technical idea of the present invention, they should belong to the present invention. To be readily understood by those skilled in the art of marine technology.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 오픈 마스크 시트의 개구부 구조를 보여주는 개략적인 단면도이다.4 is a schematic cross-sectional view showing the structure of an opening of an open mask sheet according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명에 따라 제공되는 박막 공정용 오픈 마스크 시트 또는 금속시트(40)의 개구부(e)에 박막공정용 기판(B)의 표면이 접한 상태를 보여준다. 실제 오픈 마스크 시트에는 다수의 개구부(e)가 형성되고, 개구부(e)의 폭에 의해 결정되는 기판(B) 표면의 박막층(D)의 폭은 최종 디스플레이 제품의 폭에 대응되지만, 도면에서는 단지 개념적으로 용이하게 이해되도록 실제 축적과는 상관없이 개략적으로 도시되어 있음을 해당 기술분야의 지식을 가진 자라면 쉽게 이해할 것이다.Referring to FIG. 4, the openings e of the open mask sheet or metal sheet 40 provided for the thin film process according to the present invention are in contact with the surface of the substrate B for thin film process. A plurality of openings e are formed in the actual open mask sheet and the width of the thin film layer D on the surface of the substrate B determined by the width of the openings e corresponds to the width of the final display product, It will be easily understood by those skilled in the art that it is schematically shown to be conceptually easy to understand, irrespective of actual accumulation.

도시된 예에서 금속시트(40)의 개구부(e)는, 상부의 분지형 리세스(e1) 및 그 하부측으로 연통되는 관통구멍(e2 및 e3)으로 이루어진다.In the illustrated example, the opening e of the metal sheet 40 is composed of the upper bifurcated recess e1 and the through holes e2 and e3 communicating with the lower side thereof.

여기서 '상부'라 함은 기판(B)과 접하는 측을 지칭하고, '하부'라 함은 박막 형성 물질이 입사하는 측을 지칭하여 서로 쉽게 구별하기 위한 것이고, 절대적인 지리적 위치를 구별하기 위한 것이 아니라는 것은 해당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 쉽게 이해될 것이다.Herein, the term 'upper' refers to the side in contact with the substrate B, 'lower' refers to the side on which the thin film forming material is incident, and it is for discriminating easily from each other and not for distinguishing absolute geographical positions It will be readily understood by those of ordinary skill in the art.

분지형 리세스(e1)는 금속시트의 상부면에서 금속시트 내부를 향해 에칭되어 형성된다. 분지형 리세스(e1)의 폭(d1)은 기판 박막층(D)의 폭을 기준으로, 분지형 리세스(e1)의 상부 가장자리(40a)가 박막층(D)의 가장자리와 서로 간섭되지 않을 정도로 수평방향으로 충분히 이격되도록 하는 치수로 결정될 수 있다. 도시된 예에서 d1a으로 나타난 부분이 분지형 리세스(e1)의 상부 가장자리(40a)가 박막층(D)의 가장자리와 수평방향으로 서로 이격된 거리에 대응한다.The bifurcated recesses e1 are formed by etching from the upper surface of the metal sheet toward the inside of the metal sheet. The width d1 of the bifurcated recess e1 is set such that the upper edge 40a of the bifurcated recess e1 does not interfere with the edge of the thin film layer D on the basis of the width of the substrate thin film layer D It can be determined as a dimension to be sufficiently spaced in the horizontal direction. The portion indicated by d1a in the illustrated example corresponds to the distance that the upper edge 40a of the bifurcated recess e1 is spaced apart from each other in the horizontal direction with the edge of the thin film layer D. [

한편 분지형 리세스(e1)의 깊이(t1)는 특히 박막층(D)의 가장자리에 발생될 새도우 지역(S)의 크기를 줄이기 위하여 가능한 한 얕은 것이 바람직하다. 본 발명에 따른 실시예에서, 금속시트의 두께(t)가 50 ~ 200㎛인 경우, 분지형 리세스의 깊이(t1)는 대략 10 ~ 25㎛인 것이 바람직하며, 더 바람직하게는 대략 20㎛ 이하로 될 수 있다. 분지형 리세스의 깊이(t1)는 에칭액의 농도 또는 에칭 시간 등을 조절함으로써 원하는 크기를 가지도록 할 수 있다.On the other hand, it is preferable that the depth t1 of the bifurcated recess e1 is as shallow as possible in order to reduce the size of the shadow region S to be generated particularly at the edge of the thin film layer D. In the embodiment according to the present invention, when the thickness t of the metal sheet is 50 to 200 占 퐉, the depth t1 of the bifurcated recess is preferably approximately 10 to 25 占 퐉, more preferably approximately 20 占 퐉 Or less. The depth t1 of the bifurcated recess can be made to have a desired size by adjusting the concentration or the etching time of the etchant.

관통구멍(e2 및 e3)은 분지형 리세스(e1)의 표면과 금속시트(40) 하부면 사이에 형성된 구멍이며, 분지형 리세스(e1)의 표면에서 하부측으로 에칭된 상부홈(e2)과 금속시트(40)의 하부면에서 상부측으로 에칭된 하부홈(e3)이 서로 연통하여 이루어진다. 특히 본 발명에 따라 관통구멍(e2 및 e3)은 상협하광 형태로 형성되어, 상부홈(e2)의 폭(d2)이 하부홈(e3)의 폭(d3) 보다 작은 값을 가진다는 특징을 제공한다. 이 경우, 개구부(e)의 사이즈 결정라인은 좁은 폭 상부홈(e2)에 의해 결정되므로, 사이즈 결정라인이 가능한 한 상부측으로 위치하도록 할 수 있다.The through holes e2 and e3 are holes formed between the surface of the bifurcated recess e1 and the lower surface of the metal sheet 40 and the upper groove e2 etched downward from the surface of the bifurcated recess e1, And the lower grooves e3 etched from the lower surface of the metal sheet 40 toward the upper side. Particularly, according to the present invention, the through holes e2 and e3 are formed in the shape of a vertically downward light so that the width d2 of the upper groove e2 has a smaller value than the width d3 of the lower groove e3 do. In this case, since the sizing line of the opening (e) is determined by the narrow width upper groove (e2), the sizing line can be positioned as high as possible.

구체적인 실시예에서, 금속시트의 두께(t)는 50 ~ 200㎛이고, 분지형 리세스의 깊이(t1)는 10 ~ 25㎛인 것이 바람직하다. 이 경우, 개구부(e)에 의해 제조되는 박막층(D)의 가장자리에 만들어지는 새도우 지역(S)은 대략 20㎛ 이하로 감소될 수 있다. 또한, 관통구멍(e2 및 e3)이 형성된 이후 분지형 리세스(e1) 표면의 잔여길이(d1a)는 분지형 리세스(e1)의 깊이(t1)보다 3배 ~ 20배의 길이를 가지는 것이 바람직하다. 여기서 표면 잔여길이(d1a)는 상부홈(e2)과 분지형 리세스(e1)의 폭 차이에 해당하는데, 상부홈(e2)보다 큰 폭을 가지는 하부홈(e3)의 크기를 커버할 정도로 충분히 큰 크기를 가지도록 하는 것이 바람직하다. 본 발명에 따른 개구부(e)에서 관통구멍(e2 및 e3)은 상협하광 형태로 에칭되므로, 하부홈(e3)의 측벽은 40°~ 45°의 테이퍼 각도(α)를 형성하는 것이 용이하게 가능해진다.In a specific embodiment, the thickness t of the metal sheet is 50 to 200 micrometers and the depth t1 of the bifurcated recess is preferably 10 to 25 micrometers. In this case, the shadow region S made at the edge of the thin film layer D produced by the opening e can be reduced to approximately 20 mu m or less. The remaining length d1a of the surface of the bifurcated recess e1 after the formation of the through holes e2 and e3 is 3 to 20 times longer than the depth t1 of the bifurcated recess e1 desirable. The surface residual length d1a corresponds to the width difference between the upper groove e2 and the bifurcated recess e1 and is sufficiently large to cover the size of the lower groove e3 having a width larger than that of the upper groove e2 It is preferable to have a large size. The through holes e2 and e3 in the opening e according to the present invention are etched in the form of a convergent lower light so that the side walls of the lower trench e3 can easily form a taper angle alpha of 40 to 45 It becomes.

금속시트(40)의 재질은 인바합금(Invar-36 Alloy) 또는 스테인레스(SUS420) 재질로 이루어질 수 있다.The material of the metal sheet 40 may be made of Invar-36 Alloy or stainless steel (SUS420).

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 오픈 마스크 시트의 제조 방법의 단계들을 보여주는 개략적인 흐름도이다.5 is a schematic flow chart showing steps of a method of manufacturing an open mask sheet according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 금속시트 상에 형성된 적어도 하나의 개구부를 포함하는 박막 공정용 오픈 마스크 시트 제조 방법(500)의 공정들이 전체적으로 예시되며, 금속시트 준비단계(501), 제 1 에칭 단계(503-509) 및 제 2 에칭 단계(511-517)를 포함한다.5, the processes of the method 500 for manufacturing an open-mask sheet for thin-film processing including at least one opening formed on a metal sheet are entirely illustrated, and a metal sheet preparation step 501, a first etching step 503 -509) and second etching steps 511-517.

금속시트 준비단계(501)는, 하나 이상의 개구부를 형성하여 오픈 마스크 시트로서 사용될 박막의 금속시트를 준비하는 단계이다. 본 발명에 따라, 금속시트는 예컨대 인바합금(Invar-36 Alloy) 또는 스테인레스(SUS420) 재질로서 50 ~ 200㎛의 균일한 두께를 가지며, 가로 약 100cm이고 세로 약 200cm 정도의 크기로 재단한 후 표면에서 이물질을 세정하여 준비할 수 있다. 이렇게 준비된 금속시트에 예컨대 가로 약 10cm 이고 세로 약 20cm 정도의 사이즈를 가진 수십개의 개구부를 형성할 수 있다. 이들 개구부들은 제 1 에칭 단계(503-509) 및 제 2 에칭 단계(511-517)를 통해 형성된다.The metal sheet preparation step 501 is a step of preparing at least one opening to form a thin metal sheet to be used as an open-mask sheet. According to the present invention, the metal sheet has a uniform thickness of, for example, Invar-36 Alloy or stainless steel (SUS420) of 50 to 200 탆, is cut to a size of about 100 cm in width and about 200 cm in length, The foreign matter can be cleaned and prepared. For example, dozens of openings having a size of about 10 cm in width and about 20 cm in length can be formed on the prepared metal sheet. These openings are formed through the first etching step 503-509 and the second etching step 511-517.

제 1 에칭 단계(503-509)는 금속시트의 상부면에서 하부측으로 제1폭(d1)과 제1깊이(t1)의 분지형 리세스(e1)를 형성하는 단계이다. 이는 포토레지스트막 형성 단계(503), 에칭용 개구 형성 단계(505), 습식 에칭 단계(507) 및 잔여 포토레지스트막 제거 단계(509)를 포함한다.The first etching step 503-509 is a step of forming a bifurcated recess e1 of the first width d1 and the first depth t1 from the upper surface to the lower side of the metal sheet. This includes a photoresist film forming step 503, an etching opening forming step 505, a wet etching step 507, and a remaining photoresist film removing step 509.

포토레지스트막 형성 단계(503)는, 준비된 금속시트의 상부면과 하부면에 각각 필름 형태의 포토레지스트 필름을 부착하거나 또는 액상의 포토레지스트를 도포하여 수행될 수 있다. 에칭용 개구 형성 단계(505)는 금속시트 상부면의 포토레지스트막에 분지형 리세스 에칭용 개구를 형성하는 단계이다. 이를 위해 금속시트 상부면의 포토레지스트막에는 원하는 에칭 패턴을 가진 포토마스크를 이용하여 소정 패턴을 노광한 후 현상함으로써 분지형 리세스 에칭용 개구들이 형성된다. 이때, 금속시트 하부면의 포토레지스트막은 처음 형성된 그대로 유지된다. 습식 에칭 단계(507)는 예컨대 염화제2철 용액과 같은 에칭액을 이용하여 습식 에칭하는 단계이다. 에칭액은 분지형 리세스 에칭용 개구를 통해 금속시트의 상부면을 식각하게 되고, 그 결과 제1폭(d1)과 제1깊이(t1)의 분지형 리세스(e1)를 형성할 수 있다. 그 다음 잔여 포토레지스트막 제거 단계(509)는, 분지형 리세스 형성이 완료된 후 금속시트 상부면의 잔여 포토레지스트막을 제거하는 단계이다. 이렇게 제 1 에칭 단계에서 만들어지는 분지형 리세스는, 금속시트의 두께(t)가 50 ~ 200㎛인 경우, 그 깊이(t1)는 10 ~ 25㎛인 것이 바람직하다.The photoresist film forming step 503 may be performed by attaching a film-shaped photoresist film to the upper surface and the lower surface of the prepared metal sheet, respectively, or by applying a liquid photoresist. The etching opening forming step 505 is a step of forming an opening for bifurcated recess etching in the photoresist film on the upper surface of the metal sheet. For this purpose, the photoresist film on the upper surface of the metal sheet is exposed to a predetermined pattern using a photomask having a desired etching pattern and then developed to form openings for bifurcated recess etching. At this time, the photoresist film on the lower surface of the metal sheet is maintained as it is initially formed. The wet etching step 507 is a wet etching step using an etching solution such as a ferric chloride solution. The etchant will etch the top surface of the metal sheet through the opening for bifurcated recess etch so that the first width d1 and the first depth t1 can form a bifurcated recess e1. The remaining photoresist film removal step 509 is then the step of removing the remaining photoresist film on the top surface of the metal sheet after the bifurcated recess formation is complete. When the thickness t of the metal sheet is in the range of 50 to 200 mu m, the branch trenches formed in the first etching step preferably have a depth t1 of 10 to 25 mu m.

분지형 리세스(e1)가 만들어진 후, 제 2 에칭 단계(511-517)에서 관통구멍(e2 및 e3)이 만들어진다. 관통구멍은 금속시트 내부에서 서로 만나는 상부홈 및 하부홈을 금속시트 양 표면에서 동시에 식각하여 생성한다. 다시 말해서, 한편으로 분지형 리세스(e1)의 표면에서 하부측으로 분지형 리세스의 폭보다 좁은 제2폭(d2)과 제2깊이(t2)의 상부홈(e2)을 형성한다. 다른 한편으로 금속시트의 하부면에서 상부측으로 상부홈(e2)의 하부와 서로 연통되도록 제3폭(d3)과 제3깊이(t3)의 하부홈(e3)을 형성한다. 그 결과 상부홈(e2) 및 하부홈(e3)에 의해 이루어지는 관통구멍을 형성할 수 있다. After the bifurcated recesses e1 are made, through holes e2 and e3 are made in the second etching steps 511-517. The through holes are formed by simultaneously etching the upper grooves and the lower grooves that meet with each other in the metal sheet on both surfaces of the metal sheet. In other words, on the one hand, a second width d2 narrower than the width of the bifurcated recess from the surface of the bifurcated recess e1 to the lower side forms the upper groove e2 of the second depth t2. On the other hand, the lower groove e3 of the third width d3 and the third depth t3 is formed so as to communicate with the lower portion of the upper groove e2 from the lower surface of the metal sheet to the upper side. As a result, the through hole formed by the upper groove e2 and the lower groove e3 can be formed.

제 2 에칭 단계는 포토레지스트막 형성 단계(511), 에칭용 개구 형성 단계(513), 습식 에칭 단계(515) 및 잔여 포토레지스트막 제거 단계(517)를 포함한다.The second etching step includes a photoresist film forming step 511, an etching opening forming step 513, a wet etching step 515, and a remaining photoresist film removing step 517.

포토레지스트막 형성 단계(511)는, 제 1 에칭 단계에 의해 분지형 리세스가 만들어진 다음의 금속시트 상부면과 이와 이어져 있는 분지형 리세스 표면을 모두 감싸도록 포토레지스트막을 형성하는 단계이다. 이때, 금속시트 상부면과 분지형 리세스의 측벽이 만나는 부분은 계단 형태의 단차 구조로서 돌출된 형태이다. 그렇지만 분지형 리세스의 깊이는 예컨대 20㎛ 이하로 매우 작은 반면 분지형 리세스의 표면 폭은 대략 50 ~ 200cm 정도로 매우 크며, 또한 관통구멍(e2 및 e3)이 형성된 이후 분지형 리세스(e1) 표면의 잔여길이(d1a)는 분지형 리세스(e1)의 깊이(t1)의 3 ~ 20배의 길이를 가진다. 그러므로, 금속시트 상부면과 분지형 리세스의 측벽이 만나는 부분, 즉 돌출된 형태의 개구부 상부 가장자리를 예컨대 필름 형태의 포토레지스트막을 사용하여 성막할 때 미세하게 들뜬 부분이 발생한다고 하더라도, 주변 지역에서 충분한 필름 부착 면적이 제공되므로 에칭 공정시 별다른 문제가 발생되지 않는다. 이때 포토레지스트막은 필름 형태의 포토레지스트 필름을 부착하거나 또는 액상의 포토레지스트를 도포하여 형성될 수 있다.The photoresist film forming step 511 is a step of forming a photoresist film so as to cover both the upper surface of the metal sheet on which the bifurcated recess is made by the first etching step and the bifurcated recessed surface connected thereto. At this time, the portion where the upper surface of the metal sheet meets the side wall of the bifurcated recess is protruded as a stepped stepped structure. However, the depth of the bifurcated recess is very small, for example, less than 20 μm, while the width of the surface of the bifurcated recess is very large, on the order of 50 to 200 cm, and the bifurcated recesses e1 after the through holes e2 and e3 are formed, The remaining length d1a of the surface has a length 3 to 20 times the depth t1 of the bifurcated recess e1. Therefore, even if a finely excited portion occurs when a portion where the upper surface of the metal sheet meets the sidewall of the bifurcated recess, that is, the upper edge of the protruding shape of the opening, for example, is formed using a film-shaped photoresist film, There is no problem in the etching process because a sufficient film adhesion area is provided. At this time, the photoresist film may be formed by attaching a photoresist film in a film form or applying a photoresist in a liquid state.

에칭용 개구 형성 단계(513)는, 관통구멍을 에칭하기 위한 에칭용 개구로서 상부홈을 위한 에칭용 개구와 하부홈을 위한 에칭용 개구를 형성한다. 다시 말해서 금속시트의 상부면과 이에 이어지는 분지형 리세스 표면에 형성되어 있는 포토레지스트막에는 관통구멍의 상부홈을 위한 에칭용 개구를 형성한다. 그리고 금속시트 하부면의 포토레지스트막에는 관통구멍의 하부홈을 위한 에칭용 개구를 형성한다.이는 상부와 하부 포토레지스트막 외측으로 원하는 에칭 패턴을 가진 포토마스크를 각각 정렬하여 소정 패턴을 노광한 후 현상함으로써 관통구멍 에칭용 개구들이 형성된다. 실시예에서, 관통구멍은 상협하광 형태가 바람직하므로, 상부홈 에칭용 개구의 폭은 하부홈 에칭용 개구의 폭보다 작도록 형성된다. 또한 관통구멍의 하부홈(e3)의 측벽은 40°~ 45°의 테이퍼 각도(α)를 형성하도록 설계된다.The etching opening forming step 513 forms an etching opening for the upper groove and an etching opening for the lower groove as etching openings for etching the through holes. In other words, the photoresist film formed on the upper surface of the metal sheet and the bifurcated recessed surface following it forms an etching opening for the upper groove of the through hole. In the photoresist film on the lower surface of the metal sheet, etching openings are formed for the lower grooves of the through holes. [0158] This is because the photoresist having the desired etching pattern is aligned outside the upper and lower photoresist films, By the development, apertures for through-hole etching are formed. In the embodiment, since the through hole is preferably in the form of a convergent lower light, the width of the upper groove etching opening is formed to be smaller than the width of the lower groove etching opening. And the sidewall of the bottom groove e3 of the through hole is designed to form a taper angle alpha of 40 DEG to 45 DEG.

습식 에칭 단계(515)는, 분지형 리세스 표면 및 금속시트 하부면에 형성된 관통구멍 에칭용 개구를 통해 제2폭(d2)과 제2깊이(t2)의 상부홈(e2) 및 제3폭(d3)과 제3깊이(t3)의 하부홈(e3)을 에칭하여 관통구멍을 형성하는 습식 에칭 단계이다. 그 다음 잔여 포토레지스트막 제거 단계(517)는 관통구멍이 형성된 후 금속시트에서 잔여 포토레지스트막을 제거하는 단계이다.The wet etching step 515 is a step of etching the upper groove d2 of the second depth d2 and the upper groove e2 of the second depth t2 and the third width d2 of the second depth t2 through the through- (d3) of the third depth (t3) and the lower groove (e3) of the third depth (t3) to form a through hole. The remaining photoresist film removing step 517 is a step of removing the remaining photoresist film from the metal sheet after the through hole is formed.

도 6은 도 5에 예시된 오픈 마스크 시트의 제조 방법의 단계들을 직관적으로 보여주는 개략적인 흐름도이다.6 is a schematic flow chart showing intuitively the steps of the method of manufacturing the open mask sheet illustrated in Fig.

도 6을 참조하면, 도 6의 (a)는 도 5의 단계(503)의 결과 금속시트(63)의 상부면과 하부면에 각각 포토레지스트막(61, 65)이 형성된 것을 보여준다. 도 6의 (b)는 도 5의 단계(505)의 결과 금속시트(63)의 상부 포토레지스트막(61)에 분지형 리세스 에칭용 개구(p1)가 형성된 모습을 보여준다. 도 6의 (c)는 도 5의 단계(507)의 결과 금속시트(63)의 상부에 넓은 폭을 가지며 얕은 깊이의 분지형 리세스(e1)가 에칭된 모습을 보여준다. 도 6의 (d)는 도 5의 단계(509) 및 단계(511)의 결과 금속시트(63)의 상부면 및 이에 이어져 있는 분지형 리세스 표면에 새로운 포토레지스트막(67)을 형성한 모습을 보여준다. 여기까지 금속시트(63)의 하부면에 형성되어 있는 하부 포토레지스트막(65)은 그대로 유지되는 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 6, FIG. 6 (a) shows the formation of the photoresist films 61 and 65 on the upper and lower surfaces of the metal sheet 63, respectively, as a result of the step 503 of FIG. 6B shows a state in which the opening p1 for the brittle recess etch is formed in the upper photoresist film 61 of the metal sheet 63 as a result of the step 505 in Fig. Fig. 6C shows a step of the step 507 of Fig. 5 where a branched width e1 of a shallow depth is etched at the top of the metal sheet 63. Fig. 6D shows a state in which a new photoresist film 67 is formed on the upper surface of the metal sheet 63 and the bifurcated recessed surface connected thereto as a result of the steps 509 and 511 of FIG. Lt; / RTI > The lower photoresist film 65 formed on the lower surface of the metal sheet 63 is maintained as it is.

이제 도 6의 (e)를 참조하면, 도 5의 단계(513)의 결과 금속시트(63)의 상부 포토레지스트막(67)과 하부 포토레지스트막(65)에 각각 상부홈 에칭용 개구(p2)와 하부홈 에칭용 개구(p3)가 형성된 모습을 보여준다. 마지막으로 도 6의 (f)를 참조하면, 도 5의 단계(515)의 결과 상부홈 에칭용 개구(p2)를 통해 분지형 리세스(e1) 표면에서 하부측으로 에칭된 상부홈(e2)과, 하부홈 에칭용 개구(p3)를 통해 금속시트(63)의 하부면에서 상부측으로 에칭된 하부홈(e3)에 의해 관통구멍(e2 및 e3)가 형성된 모습을 보여준다. 도시된 예에서와 같이, 상부홈(e2)의 폭과 깊이는 하부홈(e3)의 폭과 깊이보다 작고, 하부홈(e3)의 측벽은 40°~ 45°의 테이퍼 각도(α)를 형성한다.Referring now to FIG. 6E, the upper and lower photoresist films 67 and 65 of the metal sheet 63 of step 513 of FIG. 5 are provided with openings p2 And a bottom groove etching opening p3 are formed. Finally, referring to FIG. 6 (f), the result of step 515 of FIG. 5 is that the upper groove e2 etched downward from the surface of the bifurcated recess e1 through the upper groove etch opening p2 and Holes e2 and e3 are formed by the lower grooves e3 etched from the lower surface to the upper side of the metal sheet 63 through the lower groove etching openings p3. The width and depth of the upper groove e2 are smaller than the width and depth of the lower groove e3 and the side walls of the lower groove e3 form a taper angle alpha of 40 to 45 degrees, do.

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 오픈 마스크 시트 샘플을 종래 기술에 따른 샘플과 비교 설명하기 위한 현미경 사진들이다. FIG. 7 is a micrograph to compare an open-mask sheet sample according to an embodiment of the present invention with a sample according to the prior art.

도 7을 참조하면, 도 7의 (a) 및 (b)는 종래의 오픈 마스크용 금속시트 샘플에서, 개구부의 일측벽 부분을 보여주는 현미경 사진이다. 도시된 바와 같이 금속시트(71. 72)의 상부측 홈의 깊이가 매우 커서, 금속시트의 총 두께에 비하여 30 ~ 50% 정도의 길이를 가진다는 것을 알 수 있다. 또한 하부측 홈에는 거의 테이퍼 각도가 없다는 것을 볼 수 있다. 이에 비하여, 도 7의 (c)에 보여지는 본 발명에 따른 개구부의 경우, 금속시트(73)의 상부측 홈(즉, 분지형 리세스)의 깊이는 매우 작아서, 전체 금속시트(73)의 두께에 비하여 10% 정도에 불과하며, 하부측 홈에는 적절한 크기의 테이퍼 각도가 형성되어 있음을 알 수 있다.Referring to Fig. 7, Figs. 7 (a) and 7 (b) are microphotographs showing one side wall portion of the opening in the conventional metal sheet sample for an open mask. As shown in the figure, the depth of the groove on the upper side of the metal sheet 71 72 is very large, and it is understood that the groove has a length of about 30 to 50% of the total thickness of the metal sheet. It can also be seen that there is almost no taper angle in the bottom side groove. 7 (c), the depth of the upper side groove (i.e., the bifurcated recess) of the metal sheet 73 is so small that the depth of the entire metal sheet 73 It is only about 10% of the thickness, and a proper taper angle is formed in the lower side groove.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였으나, 본 발명은 전술한 실시예에 한정되지 않고 다양한 형태로 변형 또는 수정되어 실시될 수 있고, 변형 또는 수정된 실시예도 후술하는 청구범위에 개시된 본 발명의 기술적 사상을 포함한다면 본 발명의 권리범위에 속함은 물론이다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments.

Claims (15)

박막 공정용 오픈 마스크 시트로서,
소정 두께의 금속시트(40) 상에 형성된 적어도 하나의 개구부(e)를 포함하며, 상기 개구부(e)는:
상기 금속시트의 상부면에서 하부측으로 에칭된 제1폭(d1)과 제1깊이(t1)의 분지형 리세스(e1)와;
상기 분지형 리세스(e1)의 표면에서 하부측으로 에칭된 상기 제1폭보다 좁은 제2폭(d2)과 제2깊이(t2)의 상부홈(e2)과;
상기 금속시트의 하부면에서 상부측으로 에칭되어 상기 상부홈(e2)과 서로 연통된 제3폭(d3)과 제3깊이(t3)의 하부홈(e3)를 포함하며,
여기서, 상기 분지형 리세스(e1)가 먼저 에칭에 의해 형성되고, 그 다음에 상기 상부홈(e2) 및 하부홈(e3)은 동시 에칭되어 상기 분지형 리세스(e1)의 표면 및 상기 금속시트 하부면 사이의 관통구멍(e2 및 e3)을 형성하는
것을 특징으로 하는 박막 공정용 오픈 마스크 시트.
As an open mask sheet for a thin film process,
(E) formed on a metal sheet (40) of a predetermined thickness, said opening (e) comprising:
A bifurcated recess (e1) of a first depth (d1) and a first depth (t1) etched from the top surface to the bottom side of the metal sheet;
An upper groove (e2) of a second depth (d2) and a second depth (t2) narrower than said first width etched downward from the surface of said bifurcated recess (e1);
And a lower groove (e3) having a third width (d3) and a third depth (t3) that are etched from the lower surface of the metal sheet to the upper side to communicate with the upper groove (e2)
Herein, the bifurcated recess e1 is first formed by etching, and then the upper groove e2 and the lower groove e3 are simultaneously etched to form the surface of the bifurcated recess e1 and the metal And the through holes e2 and e3 between the seat lower surfaces
Wherein the open mask sheet is a thin film.
제 1 항에 있어서,
상기 관통구멍은 상기 상부홈 제2폭(d2)이 상기 하부홈 제3폭(d3)보다 더 작은 값을 가지는 상협하광 형태인 것을 특징으로 하는 박막 공정용 오픈 마스크 시트.
The method according to claim 1,
Wherein the through-hole is in the form of a vertically opaque light having a smaller second groove width (d2) than the lower groove third width (d3).
제 2 항에 있어서,
상기 금속시트의 두께(t)는 50 ~ 200㎛이고, 상기 분지형 리세스의 제1깊이(t1)는 10 ~ 25㎛인 것을 특징으로 하는 박막 공정용 오픈 마스크 시트.
3. The method of claim 2,
Wherein the thickness t of the metal sheet is in the range of 50 to 200 占 퐉 and the first depth t1 of the bifurcated recess is in the range of 10 to 25 占 퐉.
제 3 항에 있어서,
상기 관통구멍(e2 및 e3)이 형성된 이후 상기 분지형 리세스(e1) 표면의 잔여길이(d1a)는 상기 분지형 리세스(e1)의 제1깊이(t1)의 3 ~ 20배의 길이를 가지는 것을 특징으로 하는 박막 공정용 오픈 마스크 시트.
The method of claim 3,
The remaining length d1a of the surface of the bifurcated recess e1 after the formation of the through holes e2 and e3 is 3 to 20 times the length of the first depth t1 of the bifurcated recess e1 Wherein said open mask sheet has a thickness of at least 10 mm.
제 1 항에 있어서,
상기 하부홈(e3)의 측벽은 40°~ 45°의 테이퍼 각도(α)를 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 공정용 오픈 마스크 시트.
The method according to claim 1,
Characterized in that the side walls of the lower groove (e3) form a taper angle (alpha) of 40 [deg.] To 45 [deg.].
제 1 항에 있어서,
상기 금속시트(40)는 인바합금(Invar-36 Alloy) 또는 스테인레스(SUS420) 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 공정용 오픈 마스크 시트.
The method according to claim 1,
Characterized in that the metal sheet (40) is made of Invar-36 Alloy or stainless steel (SUS420) material.
금속시트(40) 상에 형성된 적어도 하나의 개구부(e)를 포함하는 박막 공정용 오픈 마스크 시트의 제조 방법으로서,
상기 금속시트의 상부면에서 하부측으로 제1폭(d1)과 제1깊이(t1)의 분지형 리세스(e1)를 형성하는 제 1 에칭 단계(503-509);
상기 분지형 리세스(e1)의 표면에서 하부측으로 상기 제1폭보다 좁은 제2폭(d2)과 제2깊이(t2)의 상부홈(e2)을 형성하고, 상기 금속시트의 하부면에서 상부측으로 상기 상부홈(e2)과 서로 연통되도록 제3폭(d3)과 제3깊이(t3)의 하부홈(e3)을 형성함으로써, 상기 상부홈(e2) 및 하부홈(e3)에 의해 이루어지는 관통구멍(e2 및 e3)을 형성하는 제 2 에칭 단계(511-517)를
포함하는 것을 특징으로 하는 박막 공정용 오픈 마스크 시트 제조 방법.
A method of manufacturing an open mask sheet for thin film processing, comprising at least one opening (e) formed on a metal sheet (40)
A first etching step (503-509) of forming a bifurcated recess (e1) of a first width (d1) and a first depth (t1) from a top surface to a bottom side of the metal sheet;
The upper groove (e2) of the second width (d2) and the second depth (t2) narrower than the first width from the surface of the bifurcated recess (e1) By forming the lower groove e3 of the third width d3 and the third depth t3 so as to communicate with the upper groove e2 by the upper groove e2 and the lower groove e3, Second etching steps 511-517, which form holes e2 and e3,
Wherein the open-circuit-forming step comprises the steps of:
제 7 항에 있어서,
상기 제 1 에칭 단계(503-509)는,
상기 금속시트 상부면 및 하부면에 각각 포토레지스트막을 형성하는 단계(503);
상기 금속시트 상부면의 포토레지스트막에 상기 분지형 리세스 에칭용 개구를 형성하는 단계(505);
상기 분지형 리세스 에칭용 개구를 통해 상기 제1폭(d1)과 제1깊이(t1)의 분지형 리세스(e1)를 형성하는 습식 에칭 단계(507); 및
상기 금속시트 상부면의 잔여 포토레지스트막을 제거하는 단계(509)를
포함하는 것을 특징으로 하는 박막 공정용 오픈 마스크 시트 제조 방법.
8. The method of claim 7,
The first etching step (503-509)
Forming (503) a photoresist film on the upper and lower surfaces of the metal sheet, respectively;
A step (505) of forming an opening for the branch-type recess etching in a photoresist film on the upper surface of the metal sheet;
A wet etching step (507) of forming a bifurcated recess (e1) of the first width (d1) and the first depth (t1) through the opening for bifurcated recess etch; And
Removing the remaining photoresist film on the upper surface of the metal sheet (509)
Wherein the open-circuit-forming step comprises the steps of:
제 8 항에 있어서,
상기 제 2 에칭 단계(511-517)는:
상기 제 1 에칭 단계 이후의 금속시트 상부면과 상기 분지형 리세스 표면에 포토레지스트막을 형성하는 단계(511);
상기 분지형 리세스 표면 및 상기 금속시트 하부면의 포토레지스트막에 각각 관통구멍 에칭용 개구를 형성하는 단계(513);
상기 분지형 리세스 표면 및 상기 금속시트 하부면에서 상기 관통구멍 에칭용 개구를 통해 상기 제2폭(d2)과 제2깊이(t2)의 상부홈(e2) 및 상기 제3폭(d3)과 제3깊이(t3)의 하부홈(e3)을 에칭하여 상기 관통구멍을 형성하는 습식 에칭 단계(515); 및
상기 금속시트에서 잔여 포토레지스트막을 제거하는 단계(517)를
포함하는 것을 특징으로 하는 박막 공정용 오픈 마스크 시트 제조 방법.
9. The method of claim 8,
The second etching step 511-517 comprises:
Forming a photoresist film on the top surface of the metal sheet and the bifurcated recess surface after the first etching step (511);
Forming (513) through-hole etching openings in the photoresist film on the bottom surface of the bifurcated recess and on the bottom surface of the metal sheet, respectively;
The upper groove (e2) and the third width (d3) of the second width (d2) and the second depth (t2) are formed in the lower surface of the bifurcated recess and the lower surface of the metal sheet through the through- A wet etching step (515) of etching the bottom groove (e3) of the third depth (t3) to form the through hole; And
Removing the remaining photoresist film from the metal sheet (517)
Wherein the open-circuit-forming step comprises the steps of:
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 포토레지스트막을 형성하는 단계(503 또는 511)는, 필름 형태의 포토레지스트 필름을 부착하거나 또는 액상의 포토레지스트를 도포하여 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 공정용 오픈 마스크 시트 제조 방법.
10. The method according to claim 8 or 9,
Wherein the step (503 or 511) of forming the photoresist film is performed by attaching a film-shaped photoresist film or applying a liquid photoresist.
제 7 항에 있어서,
상기 관통구멍(e2)은,상기 상부홈 제2폭(d2)이 상기 하부홈 제3폭(d3)보다 더 작은 값을 가지는 상협하광 형태인 것을 특징으로 하는 박막 공정용 오픈 마스크 시트 제조 방법.
8. The method of claim 7,
Wherein the through hole e2 is in the form of a convergent light having a smaller second groove width d2 than the lower groove third width d3.
제 7 항에 있어서,
상기 금속시트(40)의 두께(t)는 50 ~ 200㎛이고, 상기 분지형 리세스(e1)의 제1깊이(t1)는 10 ~ 25㎛인 것을 특징으로 하는 박막 공정용 오픈 마스크 시트 제조 방법.
8. The method of claim 7,
Characterized in that the thickness t of the metal sheet 40 is 50 to 200 μm and the first depth t 1 of the bifurcated recess e 1 is 10 to 25 μm. Way.
제 7 항에 있어서,
상기 관통구멍(e2 및 e3)이 형성된 이후 상기 분지형 리세스(e1) 표면의 잔여길이(d1a)는 상기 분지형 리세스(e1)의 제1깊이(t1)의 3 ~ 20배의 길이를 가지는 것을 특징으로 하는 박막 공정용 오픈 마스크 시트 제조 방법.
8. The method of claim 7,
The remaining length d1a of the surface of the bifurcated recess e1 after the formation of the through holes e2 and e3 is 3 to 20 times the length of the first depth t1 of the bifurcated recess e1 Wherein the open-circuit-forming step comprises the steps of:
제 7 항에 있어서,
상기 하부홈(e3)의 측벽은 40°~ 45°의 테이퍼 각도(α)를 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 공정용 오픈 마스크 시트 제조 방법.
8. The method of claim 7,
Wherein the side walls of the lower groove (e3) form a taper angle (alpha) of 40 DEG to 45 DEG.
제 7 항에 있어서,
상기 금속시트는 인바합금(Invar-36 Alloy) 또는 스테인레스(SUS420) 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 공정용 오픈 마스크 시트 제조 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the metal sheet is made of Invar-36 Alloy or stainless steel (SUS420).
KR1020180123696A 2018-10-17 2018-10-17 Open mask sheet for thin film deposition and method for manufacturing thereof KR101918551B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180123696A KR101918551B1 (en) 2018-10-17 2018-10-17 Open mask sheet for thin film deposition and method for manufacturing thereof
CN201910480282.2A CN111057997B (en) 2018-10-17 2019-06-04 Open mask sheet for thin film process and method for producing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180123696A KR101918551B1 (en) 2018-10-17 2018-10-17 Open mask sheet for thin film deposition and method for manufacturing thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101918551B1 true KR101918551B1 (en) 2019-02-08

Family

ID=65365311

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180123696A KR101918551B1 (en) 2018-10-17 2018-10-17 Open mask sheet for thin film deposition and method for manufacturing thereof

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101918551B1 (en)
CN (1) CN111057997B (en)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110453173A (en) * 2019-07-29 2019-11-15 京东方科技集团股份有限公司 The production method of mask plate and preparation method thereof, oled display substrate
CN111090190A (en) * 2020-03-22 2020-05-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Mask plate, display panel and electronic equipment
KR102225335B1 (en) * 2020-02-12 2021-03-10 풍원정밀(주) Menufacturing method of metal mask sheet for oled
KR102235244B1 (en) * 2020-07-20 2021-04-02 (주)제이에스엠티 Open mask sheet for thin film deposition and method for manufacturing thereof
KR102269904B1 (en) * 2021-02-25 2021-06-28 (주)세우인코퍼레이션 Method for manufacturing open metal mask of large area for oled deposition
KR20220009599A (en) * 2020-07-16 2022-01-25 (주)제이에스엠티 Open mask sheet for thin film deposition and method for manufacturing thereof
KR102380239B1 (en) 2021-12-15 2022-03-29 주식회사 핌스 Method for fabricating open metal mask for Organic Light Emitting Display
KR102391292B1 (en) * 2021-12-15 2022-04-27 주식회사 핌스 Hybrid Mask for depositing thin layer and Mask assembly including the same
KR102405552B1 (en) * 2021-11-16 2022-06-07 (주)세우인코퍼레이션 Method for manufacturing open metal mask of large area for oled deposition
KR102427524B1 (en) * 2021-12-21 2022-08-01 주식회사 핌스 Large area mask sheet for OLED deposition, and the mask assembly comprising thereof
KR102439867B1 (en) * 2021-12-01 2022-09-02 주식회사 핌스 Mask sheet for OLED deposition with improved cell positioning accuracy, the mask assembly using thereof
CN115094419A (en) * 2022-05-30 2022-09-23 成都拓维高科光电科技有限公司 Manufacturing method of mask

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220041294A (en) * 2020-09-24 2022-04-01 삼성디스플레이 주식회사 Deposition mask, method of manufacturing the same, and method of manufacturing display panel
CN113737129B (en) * 2021-09-06 2023-10-20 常州高光半导体材料有限公司 Processing method of metal mask

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101786391B1 (en) 2016-10-06 2017-11-16 주식회사 포스코 Alloy metal foil for deposition mask, deposition mask using the alloy metal foil and method for preparing them, and method for preparing organic electroluminescent device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4092914B2 (en) * 2001-01-26 2008-05-28 セイコーエプソン株式会社 MASK MANUFACTURING METHOD, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE MANUFACTURING METHOD
KR100692839B1 (en) * 2004-02-04 2007-03-09 엘지전자 주식회사 Mask Of Electro Luminescence Device And Method Of Fabricating The Same
CN203021639U (en) * 2012-12-26 2013-06-26 唐军 Anti-scratch mask plate
JP6051876B2 (en) * 2013-01-11 2016-12-27 大日本印刷株式会社 Metal mask and metal mask manufacturing method
KR101942826B1 (en) * 2014-12-24 2019-01-28 엘지디스플레이 주식회사 Method for manufacturing shadow mask and method for manufacturing OLED device using the same
CN117821896A (en) * 2015-07-17 2024-04-05 凸版印刷株式会社 Metal mask for vapor deposition and method for manufacturing metal mask for vapor deposition

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101786391B1 (en) 2016-10-06 2017-11-16 주식회사 포스코 Alloy metal foil for deposition mask, deposition mask using the alloy metal foil and method for preparing them, and method for preparing organic electroluminescent device

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110453173A (en) * 2019-07-29 2019-11-15 京东方科技集团股份有限公司 The production method of mask plate and preparation method thereof, oled display substrate
KR102225335B1 (en) * 2020-02-12 2021-03-10 풍원정밀(주) Menufacturing method of metal mask sheet for oled
CN111090190A (en) * 2020-03-22 2020-05-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Mask plate, display panel and electronic equipment
CN111090190B (en) * 2020-03-22 2020-06-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Mask plate, display panel and electronic equipment
KR20220009599A (en) * 2020-07-16 2022-01-25 (주)제이에스엠티 Open mask sheet for thin film deposition and method for manufacturing thereof
KR102372426B1 (en) * 2020-07-16 2022-03-10 (주)제이에스엠티 Open mask sheet for thin film deposition and method for manufacturing thereof
KR102235244B1 (en) * 2020-07-20 2021-04-02 (주)제이에스엠티 Open mask sheet for thin film deposition and method for manufacturing thereof
KR102269904B1 (en) * 2021-02-25 2021-06-28 (주)세우인코퍼레이션 Method for manufacturing open metal mask of large area for oled deposition
KR102405552B1 (en) * 2021-11-16 2022-06-07 (주)세우인코퍼레이션 Method for manufacturing open metal mask of large area for oled deposition
KR102439867B1 (en) * 2021-12-01 2022-09-02 주식회사 핌스 Mask sheet for OLED deposition with improved cell positioning accuracy, the mask assembly using thereof
KR102380239B1 (en) 2021-12-15 2022-03-29 주식회사 핌스 Method for fabricating open metal mask for Organic Light Emitting Display
KR102391292B1 (en) * 2021-12-15 2022-04-27 주식회사 핌스 Hybrid Mask for depositing thin layer and Mask assembly including the same
KR102427524B1 (en) * 2021-12-21 2022-08-01 주식회사 핌스 Large area mask sheet for OLED deposition, and the mask assembly comprising thereof
CN115094419A (en) * 2022-05-30 2022-09-23 成都拓维高科光电科技有限公司 Manufacturing method of mask

Also Published As

Publication number Publication date
CN111057997B (en) 2021-03-19
CN111057997A (en) 2020-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101918551B1 (en) Open mask sheet for thin film deposition and method for manufacturing thereof
CN1834282B (en) Device and method of forming film
CN106086781A (en) Mask assembly and manufacture method, display device
WO2020228213A1 (en) Oled display panel and manufacturing method therefor
JP2014133938A (en) Method of producing vapor deposition mask, metal-mask-provided resin layer and method of producing organic semiconductor element
CN110752244A (en) Array substrate, display panel and manufacturing method of array substrate
CN103981486B (en) Metal mask manufacturing method and metal mask
US11450839B2 (en) Display device and manufacturing method thereof comprising patterning light-emitting layer in opening region
KR102235244B1 (en) Open mask sheet for thin film deposition and method for manufacturing thereof
JP2014135246A (en) Method of manufacturing vapor deposition mask, and method of manufacturing organic semiconductor element
JP6221585B2 (en) Vapor deposition mask and method of manufacturing vapor deposition mask
CN108546914B (en) Mask for vapor deposition and mask device
KR20070064906A (en) Mask apparatus for deposition
CN104988458A (en) Manufacturing method for mask plate with taper-angled opening
KR102225335B1 (en) Menufacturing method of metal mask sheet for oled
CN108051939A (en) Liquid crystal panel and preparation method thereof
CN108112175A (en) A kind of production method and PCB of ladder groove bottom graphical PCB
CN105353592B (en) A kind of photoetching process alignment methods
KR102372426B1 (en) Open mask sheet for thin film deposition and method for manufacturing thereof
CN105047536A (en) Alignment mark for silicon carbide device and preparation method of alignment mark
KR102186447B1 (en) Manufacturing method of open mask assembly
CN107422598B (en) Mask plate and manufacturing method thereof
CN113641078A (en) Manufacturing method of groove mask
CN107205311A (en) Without weld pad multilayer circuit board and preparation method thereof
KR102520174B1 (en) Manufacturing method of open mask assembly