KR101917377B1 - 가스 분사 노즐 - Google Patents

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KR101917377B1
KR101917377B1 KR1020180094501A KR20180094501A KR101917377B1 KR 101917377 B1 KR101917377 B1 KR 101917377B1 KR 1020180094501 A KR1020180094501 A KR 1020180094501A KR 20180094501 A KR20180094501 A KR 20180094501A KR 101917377 B1 KR101917377 B1 KR 101917377B1
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김광민
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주식회사 제이엔디
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Abstract

본 발명은 가스 분사 노즐에 근접한 필터에 가해지는 가스의 분사 압력을 완화하는 가스 분사 노즐로서, 하부에서 유입된 가스를 상부로 배출하는 하부 가스 유입공이 형성된 노즐 몸체; 상기 노즐 몸체의 상부에서 연장 형성되며 상기 하부 가스 유입공에서 유입된 가스를 상부로 공급하는 상부 가스 유입공이 형성되는 연장 돌출부; 및 상기 연장 돌출부의 상부에서 연장 형성되며 상기 연장 돌출부 보다 일정 길이만큼 직경이 크게 형성되고, 상기 상부 가스 유입공을 통해 유입된 가스가 측면방향으로 배출되도록 하는 측면 배출공이 상기 상부 가스 유입공의 중심축 방향과 직각으로 형성되며, 일정 간격으로 복수 개가 형성되는 측면 배출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 분사 노즐을 제공한다.
본 발명에 따르면, 상부에 돌출 형성되는 측면 배출부에 고무 또는 실리콘 재질의 노즐캡을 끼워 여러 개의 측면 배출공에서 배출되는 가스가 노즐캡의 내측 공간을 통해 상승 후 노즐캡 상면 중앙의 상부 관통공을 통해 분사되도록 함으로써, 유입가스를 여러 갈래로 분산시킬 수 있을 뿐만 아니라, 노즐캡을 이용하여 가스의 이동 방향을 꺾어주면서 안내하는 효과가 있기 때문에 반도체 장비용 필터에 가해지는 압력의 세기를 현저히 낮추어 필터의 파손을 원천적으로 방지할 수가 있다.

Description

가스 분사 노즐{GAS INJECTION NOZZLE}
본 발명은 가스 분사 노즐에 관한 것으로, 보다 상세하게는 미세 먼지를 여과하여 청정한 가스만 통과시키는 반도체 장비용 필터에 가해지는 가스의 집중 압력으로 인한 필터의 파손을 방지할 수 있는 가스 분사 노즐에 관한 것이다.
반도체를 만드는 토대가 되는 웨이퍼는 웨이퍼 카세트에 보관이 되며 웨이퍼 카세트의 보관 및 이동을 위해 FOUP(Front Opening Unified Pod)에 보관이 된다. 이러한 FOUP은 웨이퍼를 외부 충격이나 오염으로부터 보호하는 역할을 한다.
FOUP의 내부는 오염되지 않은 깨끗한 상태를 유지해야 하며 내부에 가스 등이 차있는 경우 질소 가스를 주입하여 FOUP의 내부 가스를 밖으로 빼내게 된다. FOUP 내부로 질소 가스를 주입할 때 외부로부터 주입되는 질소 가스에 포함된 미세 먼지 및 기타 이물질을 여과한 후 정화된 질소 가스를 FOUP 내부로 주입하기 위해 필터(헤파필터 등)가 사용되는데, 질소 가스를 FOUP 내부로 분사하는 장치와 필터가 근접해 있어 필터에 집중 압력이 가해짐으로써 필터가 파손되는 문제가 있으며, 필터의 잦은 교체로 인해 유지 보수 비용이 증가하는 문제가 있다.
상기와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로 등록특허 제10-1368586호(가스의 분사각도를 완화하기 위한 가스 분사용 노즐 장치)가 있다.
등록특허 제10-1368586호는 가스 노즐에 근접한 필터에 가해지는 가스의 분사각도를 완화하기 위한 가스 분사용 노즐 장치로서, 가스 분사구가 형성된 노즐 몸체; 및 상기 가스 분사구에 결합되어 상기 노즐 몸체의 내부로부터 상기 가스 분사구를 통해 상기 필터에 분사되는 가스에 와류를 형성시키면서 와류가 넓게 퍼져나가도록 하는 와류 형성부를 포함하되, 상기 와류 형성부는 상기 가스 분사구에 유입되는 가스에 제1 와류를 형성하는 제1 와류 형성부; 및 상기 제1 와류 형성부에 의해 와류가 형성되어 상기 필터에 분사되는 가스에 제2 와류를 형성하는 제2 와류 형성부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
등록특허 제10-1368586호는 와류 형성부를 통해 필터에 분사되는 가스에 와류를 형성시켜 가스가 넓게 퍼져나가도록 함으로써 필터에 가해지는 집중 압력으로 인한 파손을 어느 정도는 개선할 수가 있으나, 노즐 몸체로 유입되는 가스의 유입속도가 빨라지면 와류 자체도 빨라지게 되어 가스가 넓게 퍼지더라도 필터가 파손되는 경우가 종종 발생하는 문제가 있다.
등록특허 제10-1368586호
본 발명은 상기의 종래 기술의 문제를 해결하기 위한 것으로, 반도체 장비용 필터에 분사되는 가스를 단일 배출공을 통하여 직사 분사 방식의 고압으로 분사하는 것이 아니라, 유입 방향과 직각을 형성하는 복수 개의 측면 배출공을 통해 여러 갈래로 분산시켜 배출함으로써, 필터에 가해지는 집중 압력으로 인한 파손을 방지할 수 있는 가스 분사 노즐을 제공하고자 함에 발명의 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 가스 분사 노즐은 가스 분사 노즐에 근접한 필터에 가해지는 가스의 분사 압력을 완화하는 가스 분사 노즐로서, 하부에서 유입된 가스를 상부로 배출하는 하부 가스 유입공이 형성된 노즐 몸체; 상기 노즐 몸체의 상부에서 연장 형성되며 상기 하부 가스 유입공에서 유입된 가스를 상부로 공급하는 상부 가스 유입공이 형성되는 연장 돌출부; 및 상기 연장 돌출부의 상부에서 연장 형성되며 상기 연장 돌출부 보다 일정 길이만큼 직경이 크게 형성되고, 상기 상부 가스 유입공을 통해 유입된 가스가 측면방향으로 배출되도록 하는 측면 배출공이 상기 상부 가스 유입공의 중심축 방향과 직각으로 형성되며, 일정 간격으로 복수 개가 형성되는 측면 배출부를 포함한다.
그리고, 상기 연장 돌출부와 측면 배출부는 원기둥 모양을 형성하되, 측면 배출부의 직경이 연장 돌출부의 직경보다 일정 길이만큼 더 크게 형성되고, 상기 측면 배출부의 내측에는 연장 돌출부의 상부 가스 유입공과 내경이 동일한 가스배출 준비공간이 구비되고, 가스배출 준비공간으로 유입된 가스는 상기 측면 배출공을 통해 배출되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 노즐 몸체에 형성된 하부 가스 유입공의 직경은 상기 상부 가스 유입공의 직경보다 일정 길이만큼 더 크게 형성되고, 상기 하부 가스 유입공에서 상부 가스 유입공으로 이어지는 부분은 하부 가스 유입공에 유입된 가스가 상부 가스 유입공으로 원활하게 유입되도록 하기 위해 경사면을 구비하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 하면 중앙에 하부 관통공이 형성되고, 상면 중앙에 상부 관통공이 형성되어 상기 하부 관통공을 통해 상기 측면 배출부를 내측에 수용하도록 끼워지고, 상기 측면 배출공에서 배출된 가스가 상기 상부 관통공을 통하여 외부로 배출되도록 하는 고무 또는 실리콘 재질의 노즐캡을 더 구비하고, 상기 노즐캡은 원기둥 모양을 형성하며, 하부 관통공의 직경은 상기 연장 돌출부의 외경에 대응하도록 형성되고, 상기 측면 배출부의 외경보다 작게 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 노즐캡의 내경은 상기 측면 배출부의 외경보다 크게 형성되어 상기 측면 배출공에서 배출된 가스가 상부 관통공 측으로 이동할 수 있도록 노즐캡의 내부 둘레와 측면 배출부 사이에 측면 공간을 형성하고, 상기 노즐캡의 내부 상면에는 상부 관통공의 둘레를 따라 복수 개의 지지부가 일정 간격으로 구비되고, 상기 복수 개의 지지부는 상기 측면 배출부의 상면을 지지하여 상기 노즐캡의 내부 상면과 상기 측면 배출부의 상면 사이에 틈이 형성되도록 하며, 상기 틈을 통해서 상기 측면 배출공에서 배출된 가스가 상부 관통공 측으로 이동할 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 측면 배출부를 상기 노즐캡에 끼울 때 상기 하부 관통공 주변이 늘어나는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 하부 관통공이 형성되는 노즐캡의 하면 두께는 상기 노즐 몸체의 상면과 상기 측면 배출부의 하면 사이의 간격에 대응하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 가스 분사 노즐에 의하면, 다음과 같은 효과를 도모할 수가 있다.
우선, 본 발명은 하부의 가스 유입공을 통해 유입되는 가스를 직사 분사하는 것이 아니라, 측면의 배출공을 통해 직각으로 꺾어져 배출되도록 하고, 하나의 측면 배출공이 아닌 여러 개의 측면 배출공을 통해 배출되도록 함으로써, 반도체 장비용 필터에 가해지는 집중 압력으로 인한 파손을 방지할 수가 있다.
또한, 상부에 돌출 형성되는 측면 배출부에 고무 또는 실리콘 재질의 노즐캡을 끼워 여러 개의 측면 배출공에서 배출되는 가스가 노즐캡의 내측 공간을 통해 상승 후 노즐캡 상면 중앙의 상부 관통공을 통해 분사되도록 함으로써, 반도체 장비용 필터에 가해지는 압력의 세기를 현저히 낮추어 필터의 파손을 원천적으로 방지할 수가 있다.
도 1(a)는 본 발명의 실시예에 따른 가스 분사 노즐을 정면에서 바라본 모습이고, 도 1(b)는 본 발명의 실시예에 따른 가스 분사 노즐을 위에서 바라본 모습이고, 도 1(c)는 본 발명의 실시예에 따른 가스 분사 노즐을 좌측 또는 우측에서 바라본 모습이고, 도 1(d)는 본 발명의 실시예에 따른 가스 분사 노즐을 비스듬히 바라본 모습을 나타낸 도면이다.
도 2(a)는 도 1의 가스 분사 노즐에 장착되는 노즐캡을 정면에서 바라본 모습이고, 도 2(b)는 도 1의 가스 분사 노즐에 장착되는 노즐캡을 위에서 바라본 모습이고, 도 2(c)는 도 1의 가스 분사 노즐에 장착되는 노즐캡을 측면에서 바라본 모습이고, 도 2(d)는 도 1의 가스 분사 노즐에 장착되는 노즐캡을 비스듬히 바라본 모습을 나타낸 도면이다.
도 3(a)는 도 1의 가스 분사 노즐과 도 2의 노즐캡이 결합한 모습을 정면에서 바라본 모습이고, 도 3(b)는 도 1의 가스 분사 노즐과 도 2의 노즐캡이 결합한 모습을 위에서 바라본 모습이고, 도 3(c)는 도 1의 가스 분사 노즐과 도 2의 노즐캡이 결합한 모습을 좌측 또는 우측에서 바라본 모습이고, 도 3(d)는 도 1의 가스 분사 노즐과 도 2의 노즐캡이 결합한 모습을 비스듬히 바라본 모습을 나타낸 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다.
그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예로 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이다.
본 명세서에서 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
그리고 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 구성 요소, 잘 알려진 동작 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다.
또한, 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭하고, 본 명세서에서 사용된(언급된) 용어들은 실시예를 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.
본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함하며, '포함(또는, 구비)한다'로 언급된 구성 요소 및 동작은 하나 이상의 다른 구성요소 및 동작의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다.
또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명한다.
도 1 내지 3을 참조하면, 가스 분사 노즐(100)은 가스 분사 노즐(100)에 근접한 필터에 가해지는 가스의 분사 압력을 완화하는 장치로서, 노즐 몸체(10), 연장 돌출부(20) 및 측면 배출부(30)를 포함하며, 노즐캡(40)을 더 포함할 수 있다.
노즐 몸체(10), 연장 돌출부(20) 및 측면 배출부(30)는 일체로 형성되며 테프론 또는 SUS 재질로 형성된다. 노즐캡(40)은 형상 변형이 가능해야 하므로 고무 또는 실리콘 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
필터는 헤파필터 등을 사용하는 것이 바람직하며, 가스나 공기 중에 포함된 미세 먼지 등을 여과하는 기능을 담당한다.
노즐 몸체(10)는 하부에서 유입된 가스를 상부로 배출하는 하부 가스 유입공(11)이 형성된다. 노즐 몸체(10)의 양 측면에는 몸체를 반도체 장비에 고정시키기 위한 핀 구멍(12)이 각각 하나씩 구비된다.
노즐 몸체(10)는 길이가 32~36mm로 형성되며, 폭은 22~25mm로 형성되고, 노즐 몸체(10)의 높이는 10mm 내외로 형성되는 것이 바람직하다. 하부 가스 유입공(11)의 직경은 9mm 내외로 형성된다.
연장 돌출부(20)는 노즐 몸체(10)의 상부에서 연장 형성되며 하부 가스 유입공(11)에서 유입된 가스를 상부로 공급하는 상부 가스 유입공(21)이 형성된다.
연장 돌출부(20)는 노즐 몸체(10)의 상부에서 2mm 정도의 높이로 형성되고, 직경은 7mm 정도로 형성된다. 상부 가스 유입공(21)의 직경은 4~5mm 정도로 형성된다.
측면 배출부(30)는 연장 돌출부(20)의 상부에서 연장 형성되며 연장 돌출부(20) 보다 일정 길이만큼 직경이 크게 형성되고, 상부 가스 유입공(21)을 통해 유입된 가스가 측면방향으로 배출되도록 하는 측면 배출공(31)이 상부 가스 유입공(21)의 중심축(CL) 방향과 직각으로 형성되며, 일정 간격으로 복수 개가 형성된다.
도면에서는 측면 배출공(31)이 12시, 3시, 6시, 9시 방향에 각각 하나씩 총 네 개가 형성된 것을 보여주고 있으나, 반드시 이에 국한되지 않으며 두 개 이상이라면 어떻게 형성하여도 무방하다.
측면 배출부(30)의 높이는 3mm 정도로 형성되며, 직경은 12mm 정도로 형성된다. 측면 배출공(31)의 직경은 1mm 정도로 형성되는 것이 바람직하다.
연장 돌출부(20)와 측면 배출부(30)는 원기둥 모양을 형성하되, 측면 배출부(30)의 직경이 연장 돌출부(20)의 직경보다 일정 길이만큼 더 크게 형성된다.
측면 배출부(30)의 내측에는 연장 돌출부(20)의 상부 가스 유입공(21)과 내경이 동일한 가스배출 준비공간(PS)이 구비되고, 가스배출 준비공간(PS)으로 유입된 가스는 측면 배출공(31)을 통해 배출된다.
측면 배출부(30)의 하부는 뚫려 있으나, 상부는 막혀 있으며 가스배출 준비공간(PS)은 상부 가스 유입공(21)과 내경이 동일하게 4~5mm 정도로 형성된다. 측면 배출부(30)의 상부가 막혀 있기 때문에 하부에서 유입된 가스가 가스배출 준비공간(PS)을 지나서 측면 배출공(31)으로 배출되는 것이다.
노즐 몸체(10)에 형성된 하부 가스 유입공(11)의 직경(D11)은 상부 가스 유입공(21)의 직경(D21)보다 일정 길이만큼 더 크게 형성되고, 하부 가스 유입공(11)에서 상부 가스 유입공(21)으로 이어지는 부분은 하부 가스 유입공(11)에 유입된 가스가 상부 가스 유입공(21)으로 원활하게 유입되도록 하기 위해 경사면(I)을 구비한다.
노즐캡(40)은 하면 중앙에 하부 관통공(41)이 형성되고, 상면 중앙에 상부 관통공(42)이 형성되어 하부 관통공(41)을 통해 측면 배출부(30)를 내측에 수용하도록 끼워지고, 측면 배출공(31)에서 배출된 가스가 상부 관통공(42)을 통하여 외부로 배출되도록 하며 고무 또는 실리콘 재질로 구성된다.
노즐캡(40)은 원기둥 모양을 형성하며, 하부 관통공(41)의 직경(D41)은 연장 돌출부(20)의 외경에 대응하도록 형성되고, 측면 배출부(30)의 외경보다 작게 형성된다.
노즐캡(40)은 고무 또는 실리콘 재질로 구성되기 때문에 늘어날 수가 있어 하부 관통공(41)을 통해 측면 배출부(30)를 끼울 수가 있다.
노즐캡(40)의 내경은 측면 배출부(30)의 외경보다 크게 형성되어 측면 배출공(31)에서 배출된 가스가 상부 관통공(42) 측으로 이동할 수 있도록 노즐캡(40)의 내부 둘레와 측면 배출부(30) 사이에 측면 공간(SS)을 형성한다.
노즐캡(40)의 외경은 18mm 정도로 형성되고, 내경은 15mm 정도로 형성된다. 노즐캡(40)의 내경이 측면 배출부(30)의 외경보다 크게 형성되기 때문에 노즐캡(40)의 내부 둘레와 측면 배출부(30) 사이에 측면 공간(SS)이 형성되는 것이다.
노즐캡(40)의 내부 상면에는 상부 관통공(42)의 둘레를 따라 복수 개의 지지부(43)가 일정 간격으로 구비된다. 복수 개의 지지부(43)는 노즐캡(40)의 중심을 향하도록 가늘고 기다란 모양으로 형성된다.
복수 개의 지지부(43)는 측면 배출부(30)의 상면을 지지하여 노즐캡(40)의 내부 상면과 측면 배출부(30)의 상면 사이에 틈(G)이 형성되도록 하며, 틈(G)을 통해서 측면 배출공(31)에서 배출된 가스가 상부 관통공(42) 측으로 이동할 수 있도록 한다.
복수 개의 지지부(43)가 일정 간격으로 가늘고 기다란 모양으로 돌출 형성됨으로써, 노즐캡(40)의 상부에 필터를 장착한 반도체 장비 등이 안착되어도 지지부(43)와 지지부(43)의 사이에 형성된 틈(G), 즉 노즐캡(40)의 내부 상면과 측면 배출부(30)의 상면 사이의 공간으로 가스가 이동할 수 있다.
다시 말해서, 측면 배출공(31)에서 배출된 가스는 측면 공간(SS)을 통해 위쪽으로 이동하고 지지부(43)와 지지부(43)의 사이에 형성된 틈(G)을 통해서 상부 관통공(42) 측으로 이동 후 외부의 필터 방향으로 배출된다.
결국, 노즐 몸체(10)의 하부 가스 유입공(11)을 통해 유입된 가스는 여러 개의 측면 배출공(31)을 통해 분산된 후 노즐캡(40)의 내부에서 측면 공간(SS)과 틈(G)을 통해서 상부 관통공(42)으로 배출되기 때문에 유입가스를 분산시켜 분사 속도를 현저하게 줄일 수가 있고, 필터에 가해지는 인장력을 축소할 수가 있어 필터의 파손을 방지할 수가 있다.
측면 배출부(30)를 노즐캡(40)에 끼울 때 하부 관통공(41) 주변이 늘어난다.
하부 관통공(41)이 형성되는 노즐캡(40)의 하면 두께는 노즐 몸체(10)의 상면과 측면 배출부(30)의 하면 사이의 간격에 대응하도록 형성된다. 결국, 노즐캡(40)이 측면 배출부(30)에 끼워졌을 때 노즐캡(40)의 하면이 노즐 몸체(10)와 측면 배출부(30) 사이에서 밀착되어 흔들리지 않고 안정적으로 고정된 상태를 유지할 수가 있을 뿐만 아니라, 노즐캡(40)이 측면 배출부(30)로부터 쉽게 빠지는 것을 방지할 수가 있다.
본 발명에 의하면, 상부에 돌출 형성되는 측면 배출부에 고무 또는 실리콘 재질의 노즐캡을 끼워 여러 개의 측면 배출공에서 배출되는 가스가 노즐캡의 내측 공간을 통해 상승 후 노즐캡 상면 중앙의 상부 관통공을 통해 분사되도록 함으로써, 유입가스를 여러 갈래로 분산시킬 수 있을 뿐만 아니라, 노즐캡을 이용하여 가스의 이동 방향을 꺾어주면서 안내하는 효과가 있기 때문에 반도체 장비용 필터에 가해지는 압력의 세기를 현저히 낮추어 필터의 파손을 원천적으로 방지할 수가 있다.
본 발명은 상기한 특정의 바람직한 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 되는 것임은 자명하다.
10: 노즐 몸체
11: 하부 가스 유입공
12: 핀 구멍
20: 연장 돌출부
21: 상부 가스 유입공
30: 측면 배출부
31: 측면 배출공
40: 노즐캡
41: 하부 관통공
42: 상부 관통공
43: 지지부
100: 가스 분사 노즐
CL: 중심축
D11, D21, D41: 직경
G: 틈
I: 경사면
PS: 가스배출 준비공간
SS: 측면 공간

Claims (7)

  1. 가스 분사 노즐에 근접한 필터에 가해지는 가스의 분사 압력을 완화하는 가스 분사 노즐로서,
    하부에서 유입된 가스를 상부로 배출하는 하부 가스 유입공이 형성된 노즐 몸체;
    상기 노즐 몸체의 상부에서 연장 형성되며 상기 하부 가스 유입공에서 유입된 가스를 상부로 공급하는 상부 가스 유입공이 형성되는 연장 돌출부; 및
    상기 연장 돌출부의 상부에서 연장 형성되며 상기 연장 돌출부 보다 일정 길이만큼 직경이 크게 형성되고, 상기 상부 가스 유입공을 통해 유입된 가스가 측면방향으로 배출되도록 하는 측면 배출공이 상기 상부 가스 유입공의 중심축 방향과 직각으로 형성되며, 일정 간격으로 복수 개가 형성되는 측면 배출부를 포함하되,
    하면 중앙에 하부 관통공이 형성되고, 상면 중앙에 상부 관통공이 형성되어 상기 하부 관통공을 통해 상기 측면 배출부를 내측에 수용하도록 끼워지고, 상기 측면 배출공에서 배출된 가스가 상기 상부 관통공을 통하여 외부로 배출되도록 하는 고무 또는 실리콘 재질의 노즐캡을 더 구비하고,
    상기 노즐캡은 원기둥 모양을 형성하며, 하부 관통공의 직경은 상기 연장 돌출부의 외경에 대응하도록 형성되고, 상기 측면 배출부의 외경보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 분사 노즐.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 연장 돌출부와 측면 배출부는 원기둥 모양을 형성하되, 측면 배출부의 직경이 연장 돌출부의 직경보다 일정 길이만큼 더 크게 형성되고,
    상기 측면 배출부의 내측에는 연장 돌출부의 상부 가스 유입공과 내경이 동일한 가스배출 준비공간이 구비되고, 가스배출 준비공간으로 유입된 가스는 상기 측면 배출공을 통해 배출되는 것을 특징으로 하는 가스 분사 노즐.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 노즐 몸체에 형성된 하부 가스 유입공의 직경은 상기 상부 가스 유입공의 직경보다 일정 길이만큼 더 크게 형성되고,
    상기 하부 가스 유입공에서 상부 가스 유입공으로 이어지는 부분은 하부 가스 유입공에 유입된 가스가 상부 가스 유입공으로 원활하게 유입되도록 하기 위해 경사면을 구비하는 것을 특징으로 하는 가스 분사 노즐.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 노즐캡의 내경은 상기 측면 배출부의 외경보다 크게 형성되어 상기 측면 배출공에서 배출된 가스가 상부 관통공 측으로 이동할 수 있도록 노즐캡의 내부 둘레와 측면 배출부 사이에 측면 공간을 형성하고,
    상기 노즐캡의 내부 상면에는 상부 관통공의 둘레를 따라 복수 개의 지지부가 일정 간격으로 구비되고, 상기 복수 개의 지지부는 상기 측면 배출부의 상면을 지지하여 상기 노즐캡의 내부 상면과 상기 측면 배출부의 상면 사이에 틈이 형성되도록 하며, 상기 틈을 통해서 상기 측면 배출공에서 배출된 가스가 상부 관통공 측으로 이동할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 가스 분사 노즐.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 측면 배출부를 상기 노즐캡에 끼울 때 상기 하부 관통공 주변이 늘어나는 것을 특징으로 하는 가스 분사 노즐.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 하부 관통공이 형성되는 노즐캡의 하면 두께는 상기 노즐 몸체의 상면과 상기 측면 배출부의 하면 사이의 간격에 대응하는 것을 특징으로 하는 가스 분사 노즐.
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KR101363021B1 (ko) * 2013-03-06 2014-02-14 이노비스 주식회사 분사 노즐

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101138611B1 (ko) 2007-12-26 2012-04-26 (주)에이디에스 인젝터를 포함한 기판처리장치
KR101363021B1 (ko) * 2013-03-06 2014-02-14 이노비스 주식회사 분사 노즐

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