KR101916030B1 - Light emitting module and light unit having the same - Google Patents

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Abstract

실시 예는 발광 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛에 관한 것이다.
실시 예에 따른 발광 모듈은, 바닥에 복수의 전극 패턴을 갖는 모듈 기판; 및 상기 모듈 기판 상에 탑재된 복수의 발광 다이오드를 포함하며, 상기 모듈 기판은 상기 전극 패턴이 배치된 제1배선층; 상기 제1배선층 상에 절연층; 및 상기 절연층 상에 상기 복수의 발광 다이오드가 탑재된 패드를 갖는 제2배선층을 포함한다.
The embodiment relates to a light emitting module and a light unit having the same.
A light emitting module according to an embodiment includes: a module substrate having a plurality of electrode patterns on a bottom; And a plurality of light emitting diodes mounted on the module substrate, wherein the module substrate comprises: a first wiring layer in which the electrode patterns are arranged; An insulating layer on the first wiring layer; And a second wiring layer having pads on which the plurality of light emitting diodes are mounted on the insulating layer.

Description

발광 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛{LIGHT EMITTING MODULE AND LIGHT UNIT HAVING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light emitting module,

실시 예는 발광 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting module and a light unit having the same.

정보처리 기술이 발달함에 따라서, LCD, PDP 및 AMOLED 등과 같은 표시장치들이 널리 사용되고 있다. 이러한 표시장치들 중 LCD는 영상을 표시하기 위해서, 광을 발생시킬 수 있는 백라이트 유닛을 필요로 한다.As information processing technology has developed, display devices such as LCD, PDP, and AMOLED have been widely used. Of these display devices, the LCD requires a backlight unit capable of generating light in order to display an image.

발광 모듈은 복수의 발광 다이오드를 기판 상에 탑재하고, 커넥터를 통해 외부 전원을 공급하여 상기 복수의 발광 다이오드의 구동을 제어하게 된다. The light emitting module mounts a plurality of light emitting diodes on a substrate, and supplies external power to the plurality of light emitting diodes through a connector.

실시 예는 새로운 발광 모듈을 제공한다.The embodiment provides a novel light emitting module.

실시 예는 모듈 기판의 배선 층을 바닥에 배치하여, 상기 모듈 기판 상의 발광 다이오드를 회로적으로 연결시켜 줄 수 있도록 한 발광 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛을 제공한다.Embodiments provide a light emitting module and a light unit including the light emitting module, in which a wiring layer of a module substrate is disposed on the bottom and circuit-connecting light emitting diodes on the module substrate.

실시 예에 따른 발광 모듈은, 바닥에 복수의 전극 패턴을 갖는 모듈 기판; 및 상기 모듈 기판 상에 탑재된 복수의 발광 다이오드를 포함하며, 상기 모듈 기판은 상기 전극 패턴이 배치된 제1배선층; 상기 제1배선층 상에 절연층; 및 상기 절연층 상에 상기 복수의 발광 다이오드가 탑재된 패드를 갖는 제2배선층을 포함한다. A light emitting module according to an embodiment includes: a module substrate having a plurality of electrode patterns on a bottom; And a plurality of light emitting diodes mounted on the module substrate, wherein the module substrate comprises: a first wiring layer in which the electrode patterns are arranged; An insulating layer on the first wiring layer; And a second wiring layer having pads on which the plurality of light emitting diodes are mounted on the insulating layer.

실시 예에 따른 라이트 유닛은, 바닥에 복수의 전극 패턴을 갖는 모듈 기판; 상기 모듈 기판 상에 탑재된 복수의 발광 다이오드; 상기 모듈 기판 아래에 금속 플레이트; 및 상기 모듈 기판과 상기 금속 플레이트 사이에 접착 부재를 포함하며, 상기 모듈 기판은 상기 복수의 전극 패턴이 배치된 제1배선층; 상기 제1배선층 상에 절연층; 및 상기 절연층 상에 상기 복수의 발광 다이오드가 탑재된 패드를 갖는 제2배선층을 포함한다. A light unit according to an embodiment includes: a module substrate having a plurality of electrode patterns on a bottom; A plurality of light emitting diodes mounted on the module substrate; A metal plate below the module substrate; And an adhesive member between the module substrate and the metal plate, wherein the module substrate has a first wiring layer in which the plurality of electrode patterns are disposed; An insulating layer on the first wiring layer; And a second wiring layer having pads on which the plurality of light emitting diodes are mounted on the insulating layer.

실시 예는 모듈 기판의 두께를 얇게 제공할 수 있다.Embodiments can provide a thin module substrate.

실시 예는 발광 모듈의 두께를 얇게 제공할 수 있다. The embodiment can provide a thin thickness of the light emitting module.

실시 예는 발광 다이오드를 갖는 발광 모듈 및 이를 구비한 표시 장치를 박형화할 수 있다. Embodiments can reduce the thickness of a light emitting module having a light emitting diode and a display device having the light emitting module.

도 1은 실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 발광 모듈을 상세하게 나타낸 사시도이다.
도 3은 실시 예에 있어서, 발광 모듈의 결합 측 단면도이다.
도 4는 도 2의 발광 모듈의 배면도이다.
도 5는 도 2의 발광 모듈의 다른 예를 나타낸 배면도이다.
도 6은 도 2의 발광 모듈의 또 다른 예를 나타낸 배면도이다.
1 is an exploded perspective view of a display device according to an embodiment.
2 is a perspective view illustrating the light emitting module of FIG. 1 in detail.
3 is a cross-sectional side view of the light emitting module on an engagement side in the embodiment;
4 is a rear view of the light emitting module of Fig.
5 is a rear view showing another example of the light emitting module of FIG.
Fig. 6 is a rear view showing another example of the light emitting module of Fig. 2;

실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
In the description of the embodiments, it is described that each substrate, frame, sheet, layer or pattern is formed "on" or "under" each substrate, frame, sheet, In this case, "on" and "under " all include being formed either directly or indirectly through another element. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

도 1은 실시 예에 따른 표시 장치를 보여주는 분해 사시도이다.1 is an exploded perspective view showing a display device according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 표시 장치(100)는 영상이 디스플레이되는 표시 패널(10)과, 상기 표시 패널(10)에 광을 제공하는 백라이트 유닛(20)을 포함한다. 1, a display device 100 includes a display panel 10 on which an image is displayed, and a backlight unit 20 that provides light to the display panel 10. [

상기 백라이트 유닛(20)은 상기 표시 패널(10)에 면 광원을 제공하는 도광판(70)과, 누설 광을 반사하는 반사 시트(45)와, 상기 도광판(70)의 에지 영역에서 광을 제공하는 발광 모듈(30), 및 표시 장치(100)의 하측 외관을 형성하는 바텀 커버(40)를 포함한다. The backlight unit 20 includes a light guide plate 70 for providing a surface light source to the display panel 10, a reflective sheet 45 for reflecting the leaked light, A light emitting module 30, and a bottom cover 40 which forms a lower outer appearance of the display device 100. [

도시하지 않았으나, 상기 표시 장치(100)는 상기 표시 패널(10)을 하측에서 지지하는 패널 서포터와, 상기 표시 장치(100)의 테두리를 형성하며 상기 표시 패널(10)의 둘레를 감싸서 지지하는 탑 커버를 포함할 수 있다.Although not shown, the display device 100 includes a panel supporter that supports the display panel 10 from the lower side, a tower that forms a rim of the display device 100 and supports the periphery of the display panel 10 Cover.

상기 표시 패널(10)은 상세히 도시되지는 않았지만, 서로 대향하여 균일한 셀 갭이 유지되도록 결합된 하부 기판 및 상부 기판과, 상기 두 기판 사이에 개재된 액정층(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 하부 기판에는 다수의 게이트 라인과 상기 다수의 게이트 라인과 교차하는 다수의 데이터 라인이 형성되며, 상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차영역에 박막 트랜지스터(TFT: thin film transistor)가 형성될 수 있다. 상기 상부 기판에는 컬러필터들이 형성될 수 있다. 상기 표시 패널(10)의 구조는 이에 한정되지는 않으며, 상기 표시 패널(10)은 다양한 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 하부 기판은 박막 트랜지스터뿐만 아니라 컬러필터를 포함할 수도 있다. 또한, 상기 표시 패널(10)은 상기 액정층을 구동하는 방식에 따라 다양한 형태의 구조로 형성될 수 있다.Although not shown in detail, the display panel 10 may include a lower substrate and an upper substrate coupled to each other so as to maintain a uniform cell gap, and a liquid crystal layer (not shown) interposed between the two substrates . A plurality of gate lines and a plurality of data lines intersecting the plurality of gate lines may be formed on the lower substrate, and a thin film transistor (TFT) may be formed on the intersections of the gate lines and the data lines. Color filters may be formed on the upper substrate. The structure of the display panel 10 is not limited thereto, and the display panel 10 may have various structures. For example, the lower substrate may include a color filter as well as a thin film transistor. In addition, the display panel 10 may have various structures according to a method of driving the liquid crystal layer.

도시하지 않았으나, 상기 표시 패널(10)의 가장자리에는 게이트 라인에 스캔신호를 공급하는 게이트 구동 PCB(gate driving printed circuit board)와, 데이터 라인에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동 PCB(data driving printed circuit board)가 구비될 수 있다.Although not shown, a gate driving printed circuit board (PCB) for supplying a scan signal to a gate line is formed at an edge of the display panel 10, a data driving printed circuit board (PCB) May be provided.

상기 표시 패널(10)의 위 및 아래 중 적어도 한 곳에는 편광 필름(미도시)이 배치될 수도 있다. 상기 표시 패널(10)의 아래에는 광학 시트(60)가 배치되며, 상기 광학 시트(60)는 상기 백라이트 유닛(20)에 포함될 수 있으며, 적어도 한 장의 프리즘 시트 또는/및 확산 시트를 포함할 수 있다. 상기 광학 시트(60)는 제거될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A polarizing film (not shown) may be disposed on at least one of the upper side and the lower side of the display panel 10. An optical sheet 60 is disposed under the display panel 10 and the optical sheet 60 may be included in the backlight unit 20 and may include at least one prism sheet and / have. The optical sheet 60 may be removed, but is not limited thereto.

상기 확산 시트는 입사된 광을 고르게 확산시켜 주며, 상기 확산된 광은 프리즘 시트에 의해 표시 패널로 집광될 수 있다. 여기서, 상기 프리즘 시트는 수평 또는/및 수직 프리즘 시트, 한 장 이상의 조도 강화 시트 등을 이용하여 선택적으로 구성할 수 있다. 상기 광학 시트(60)의 종류나 개수 등은 실시 예의 기술적 범위 내에서 추가 또는 삭제될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The diffusing sheet diffuses the incident light evenly, and the diffused light can be converged on the display panel by the prism sheet. Here, the prism sheet may be selectively formed using a horizontal or vertical prism sheet, one or more roughness enhancing sheets, or the like. The types and the number of the optical sheets 60 may be added or deleted within the technical scope of the embodiments, but the invention is not limited thereto.

상기 발광모듈(30)은 바텀 커버(40)의 내측 중 적어도 한 측면에 배치될 수 있다. 상기 발광모듈(30)은 상기 바텀 커버(40)의 양 측면 또는 모든 측면에 배치될 수 있으며, 이에 한정하는 것은 아니다. 또한 상기 발광 모듈(30)은 바텀 커버(40)의 바닥에 배치되어, 직하 방식으로 광을 제공할 수 있으며, 이 경우 도광판이나 광학 시트와 같은 광학 부재의 구성이 달라질 수 있다.The light emitting module 30 may be disposed on at least one side of the inside of the bottom cover 40. The light emitting module 30 may be disposed on both sides or all sides of the bottom cover 40, but is not limited thereto. Further, the light emitting module 30 may be disposed at the bottom of the bottom cover 40 to provide light in a direct downward direction. In this case, the configuration of the optical member such as the light guide plate and the optical sheet may be changed.

도 2와 같이, 상기 발광모듈(30)은 모듈 기판(32)과, 상기 모듈 기판(32)의 일면에 배열된 복수의 발광 다이오드(34)를 포함한다.2, the light emitting module 30 includes a module substrate 32 and a plurality of light emitting diodes 34 arranged on one side of the module substrate 32. [

상기 복수의 발광 다이오드(34)는 소정 피치(Pitch)로 배열되며, 적어도 하나는 적어도 한 컬러 예컨대, 백색, 적색, 녹색, 및 청색 중 적어도 하나를 발광하게 된다. 실시 예는 적어도 한 컬러의 광을 발광하는 발광 다이오드를 이용하거나 복수의 컬러를 발광하는 발광 다이오드들을 조합하여 이용할 수 있다. The plurality of light emitting diodes 34 are arranged at a predetermined pitch and at least one of the light emitting diodes 34 emits at least one of at least one color such as white, red, green, and blue. The embodiment may use a light emitting diode that emits light of at least one color or a combination of light emitting diodes that emit a plurality of colors.

상기 발광 다이오드(34)는 Ⅲ족-V족 화합물 반도체를 이용한 LED 칩과 상기 LED 칩을 보호하는 몰딩 부재를 포함할 수 있다. 상기 몰딩 부재에는 적어도 한 종류의 형광체가 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 LED 칩은 가시 광선 대역의 파장을 발광하거나, 자외선 대역의 광을 발광할 수 있다.The light emitting diode 34 may include an LED chip using a Group III-V compound semiconductor and a molding member for protecting the LED chip. At least one type of fluorescent material may be added to the molding member, but the present invention is not limited thereto. The LED chip may emit a wavelength in a visible light band or emit light in an ultraviolet band.

상기 발광 다이오드(34)는 적어도 한 열로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 모듈 기판(32) 상에 탑재되는 발광 다이오드(34)들은 일정한 간격으로 배열될 수도 있고, 불규칙한 간격으로 배열될 수도 있다. The light emitting diodes 34 may be arranged in at least one row, but are not limited thereto. The light emitting diodes 34 mounted on the module substrate 32 may be arranged at regular intervals or may be arranged at irregular intervals.

상기 모듈 기판(32)은 상기 바텀 커버(40)의 바닥에 대해 수직한 방향으로 결합되거나, 상기 바텀 커버(40)의 바닥과 수평한 방향으로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 모듈 기판(32)의 전면(또는 상면)에는 상기 발광 다이오드(34)들이 배치된다.The module substrate 32 may be coupled to the bottom of the bottom cover 40 in a direction perpendicular to the bottom of the bottom cover 40 or in a direction parallel to the bottom of the bottom cover 40. The light emitting diodes 34 are disposed on a front surface (or an upper surface) of the module substrate 32.

상기 모듈 기판(32)은 상기 바텀 커버(40) 또는 방열 플레이트 상에 접착 부재(50)로 접착되며, 상기 접착 부재(50)는 절연성 테이프를 포함한다. The module substrate 32 is adhered to the bottom cover 40 or the heat radiation plate with an adhesive member 50, and the adhesive member 50 includes an insulating tape.

상기 도광판(70)의 적어도 한 측면에는 상기 복수의 발광 다이오드(34)가 대향되게 배치되며, 상기 복수의 발광 다이오드(34)로부터 발생된 광이 입사된다. 상기 도광판(70)은 면 광원이 발생되는 상면, 상면의 반대측 하면, 적어도 네 개의 측면들을 포함하는 다각형 형상으로 형성될 수 있다. 상기 도광판(70)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판(70)은 압출 성형법에 의해 형성될 수 있으며, 이에 대해 대해 한정하지는 않는다.The plurality of light emitting diodes 34 are opposed to each other on at least one side of the light guide plate 70, and light generated from the plurality of light emitting diodes 34 is incident. The light guide plate 70 may be formed in a polygonal shape including at least four side surfaces as viewed from the upper surface where the surface light source is generated and the upper surface. The light guide plate 70 is made of a transparent material and may include one of acrylic resin such as polymethyl methacrylate (PMMA), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), and polyethylene naphthalate . The light guide plate 70 may be formed by an extrusion molding method, but the invention is not limited thereto.

상기 도광판(70)의 상면 또는/및 하면에는 반사 패턴(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 반사 패턴은 소정의 패턴 예컨대, 반사 패턴 또는/및 프리즘 패턴으로 이루어져 입사되는 광을 반사 또는/및 난반사 시킴으로써, 광은 상기 도광판(70)의 전 표면을 통해 균일하게 조사될 수 있다. 상기 도광판(70)의 하면은 반사 패턴으로 형성될 수 있으며, 상기 상면은 프리즘 패턴으로 형성될 수 있다. 상기 도광판(70)의 내부에는 산란제가 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A reflection pattern (not shown) may be formed on the upper surface and / or the lower surface of the light guide plate 70. The reflection pattern may be uniformly irradiated through the entire surface of the light guide plate 70 by reflecting / / diffusing the incident light, which is made up of a predetermined pattern, for example, a reflection pattern or / and a prism pattern. The lower surface of the light guide plate 70 may be formed in a reflective pattern, and the upper surface may be formed in a prism pattern. A scattering agent may be added to the inside of the light guide plate 70, but the present invention is not limited thereto.

상기 도광판(70)의 하부에는 반사 시트(45)가 구비될 수 있다. 상기 반사 시트(45)는 상기 도광판(70)의 하부로 진행하는 광을 표시 패널 방향으로 반사시켜 주게 된다. 상기 반사 시트(45)는 상기 도광판(70)의 하부로 누설된 광을 상기 도광판(70)에 재 입사시켜 주므로 광 효율의 저하, 광 특성의 저하 및 암부 발생 등의 문제를 방지할 수 있다. 상기 반사 시트(45)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 시트(45)는 상기 바텀 커버(40)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A reflective sheet 45 may be provided under the light guide plate 70. The reflective sheet 45 reflects light traveling to the lower portion of the light guide plate 70 toward the display panel. The reflective sheet 45 allows the light that leaks to the lower portion of the light guide plate 70 to enter the light guide plate 70 again, thereby preventing problems such as a decrease in light efficiency, a decrease in optical characteristics, and a dark portion. The reflective sheet 45 may be formed of, for example, PET, PC, PVC resin or the like, but is not limited thereto. The reflective sheet 45 may be the upper surface of the bottom cover 40, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(40)는 상부가 개방된 수납부(41)를 포함하며, 상기 수납부(41)에는 발광 모듈(30), 광학 시트(60), 도광판(70) 및 반사 시트(45)가 수납될 수 있다. 상기 바텀 커버(40)는 방열 효율이 높은 금속 예컨대, 스테인레스 재질과 같은 물질로 형성될 수 있으며, 이러한 금속 물질로 한정하지는 않는다.The bottom cover 40 includes a receiving part 41 having an opened upper part and a light emitting module 30, an optical sheet 60, a light guide plate 70 and a reflecting sheet 45 Can be accommodated. The bottom cover 40 may be formed of a material having a high heat dissipation efficiency, such as a stainless steel material, and is not limited thereto.

상기 바텀 커버(40)의 수납부(41)에는 반사 시트(45), 도광판(70), 광학 시트(60)가 순차적으로 적층될 수 있고, 상기 발광 모듈(30)은 상기 바텀 커버(40)의 측면에서 상기 도광판(70)의 한 측면과 대응되게 배치된다. 상기 발광 모듈(30)은 상기 바텀 커버(40) 내에 적어도 하나가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The light emitting module 30 may include a reflective sheet 45, a light guide plate 70 and an optical sheet 60 sequentially stacked on the bottom portion 40 of the bottom cover 40, The light guide plate 70 is disposed on the side of the light guide plate 70 so as to correspond to one side of the light guide plate 70. At least one light emitting module 30 may be disposed in the bottom cover 40, but the present invention is not limited thereto.

도 2와 같이, 상기 모듈 기판(32)은 바(bar) 형태로 이루어질 수 있으며, 상기 발광 다이오드(34)는 상기 모듈 기판(32) 상에 1열 또는 2열로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 모듈 기판(32)은 수지 계열의 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판을 포함할 수 있다. 상기 모듈 기판(32)은 내부에 금속층을 갖는 인쇄회로기판을 포함할 수 있다.2, the module substrate 32 may be in the form of a bar, and the light emitting diodes 34 may be arranged in one or two rows on the module substrate 32, I do not. The module substrate 32 may include a resin-based printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, and an FR-4 substrate. The module substrate 32 may include a printed circuit board having a metal layer therein.

도 3 및 도 4를 참조하면, 모듈 기판(32)은 제1배선층(L1), 상기 제1배선층(L1) 상에 절연층(L2), 상기 절연층(L2) 상에 제2배선층(L3), 상기 제2배선층(L3) 상에 보호층(L4)을 포함한다.3 and 4, the module substrate 32 includes a first wiring layer L1, an insulating layer L2 on the first wiring layer L1, a second wiring layer L3 on the insulating layer L2, And a protective layer L4 on the second wiring layer L3.

상기 제1배선층(L1)은 Al, Cu, Fe 중 적어도 하나를 포함하며, 상기 모듈 기판(32)의 하면 전체에 회로 패턴으로 형성되고, 방열 플레이트로 기능한다. 상기 제1배선층(L1)은 예컨대, 방열 효율이 좋은 Al 플레이트를 사용할 수 있다. 상기 제1배선층(L1)은 복수의 전극 패턴(131,132,133) 및 상기 복수의 전극 패턴(131,132,133) 사이에 절연부(131A)를 포함한다. 상기 복수의 전극 패턴(131,132,133) 중 제1전극 패턴(131)은 복수의 발광 다이오드(34) 중 첫 번째 발광 다이오드에 연결되고, 상기 제2전극 패턴(132)은 인접한 발광 다이오드들 사이를 연결해 주며, 상기 제3전극 패턴(133)은 마지막 번째의 발광 다이오드에 연결된다. 상기 절연부(131A)는 복수의 전극 패턴(131,132,133) 사이를 절연시켜 주게 된다. The first wiring layer L1 includes at least one of Al, Cu, and Fe. The first wiring layer L1 is formed in a circuit pattern on the entire lower surface of the module substrate 32, and functions as a heat radiating plate. As the first wiring layer L1, for example, an Al plate having good heat radiation efficiency can be used. The first wiring layer L1 includes an insulating portion 131A between the plurality of electrode patterns 131, 132, and 133 and the plurality of electrode patterns 131, 132, and 133. The first electrode pattern 131 of the plurality of electrode patterns 131, 132 and 133 is connected to the first light emitting diode among the plurality of light emitting diodes 34 and the second electrode pattern 132 connects the adjacent light emitting diodes And the third electrode pattern 133 is connected to the last light emitting diode. The insulating portion 131A insulates the plurality of electrode patterns 131, 132, and 133 from each other.

상기 제1 및 제2전극 패턴(131,132)의 너비(T2,T3)는 상기 발광 다이오드(34)의 너비보다 더 넓게 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2전극 패턴(131,132)은 비아 홀(135,136)을 통해 발광 다이오드(34) 간을 서로 연결시켜 줄 수 있다. 상기 제1 및 제2전극 패턴(131,132)의 너비(T2,T3)가 상기 발광 다이오드(34)의 면적보다 더 넓게 배치됨으로써, 비아 홀(135,136)을 통해 전도되는 열을 효과적으로 방열할 수 있다. The widths T2 and T3 of the first and second electrode patterns 131 and 132 may be wider than the width of the light emitting diode. The first and second electrode patterns 131 and 132 may connect the light emitting diodes 34 to each other through the via holes 135 and 136. The widths T2 and T3 of the first and second electrode patterns 131 and 132 are wider than the area of the light emitting diode 34 so that the heat conducted through the via holes 135 and 136 can be effectively dissipated.

또는 상기 제1 및 제2전극 패턴(131,132)의 너비(T2,T3)는 상기 제2배선층(L3)의 패드의 너비 보다 넓게 형성되어, 상기 발광 다이오드(34)로부터 발생된 열은 상기 제2배선층(L3)에 의한 방열 보다는 상기 제1 및 제2전극 패턴(131,132)에 의해 효과적으로 방열될 수 있다. 또한 상기 제1 및 제2전극 패턴(131,132)의 너비(T2,T3)는 상기 발광 다이오드 간의 간격(T1)보다 좁게 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2전극 패턴(131,132)의 너비(T2,T3)는 서로 다르거나 동일할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1전극 패턴(131)은 상기 모듈 기판(32)의 제1측면(S1)에 노출될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제2전극 패턴(132) 간의 간격(T4)은 상기 발광 다이오드(34) 간의 너비(T1)보다 더 좁은 간격으로 이격될 수 있으며, 이러한 간격(T4)은 비아 홀의 위치에 따라 달라질 수 있다.The widths T2 and T3 of the first and second electrode patterns 131 and 132 are wider than the width of the pad of the second wiring layer L3, The first and second electrode patterns 131 and 132 can effectively dissipate heat, rather than heat radiation by the wiring layer L3. In addition, the widths T2 and T3 of the first and second electrode patterns 131 and 132 may be narrower than the interval T1 between the LEDs. The widths T2 and T3 of the first and second electrode patterns 131 and 132 may be different from each other or may be the same. The first electrode pattern 131 may be exposed to the first side S1 of the module substrate 32, but the present invention is not limited thereto. The distance T4 between the second electrode patterns 132 may be smaller than the width T1 between the light emitting diodes 34. The distance T4 may vary depending on the positions of the via holes.

상기 제3전극 패턴(133)은 상기 모듈 기판(32)의 제2측면(S2)으로부터 이격되며, 일부(133A)는 상기 모듈 기판(32)의 제2측면(S2)보다는 제1측면(S1)에 더 가깝게 배치된다. 상기 제3전극 패턴(133)의 일부(133A)는 상기 모듈 기판(32)의 제1측면(S1)에 노출될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The third electrode pattern 133 is spaced apart from the second side S2 of the module substrate 32 and a portion 133A of the third electrode pattern 133 is spaced apart from the second side S2 of the module substrate 32 by a first side S1 As shown in FIG. A portion 133A of the third electrode pattern 133 may be exposed to the first side S1 of the module substrate 32 and is not limited thereto.

상기 모듈 기판(32)의 제1전극 패턴(131)과 제3전극 패턴(133)의 일부(133A)는 커넥터를 통해 전원을 공급받아, 복수의 발광 다이오드(34)에 전달하게 된다.The first electrode pattern 131 of the module substrate 32 and a part 133A of the third electrode pattern 133 receive power through the connector and transmit the power to the plurality of light emitting diodes 34.

상기 제1배선층(L1) 위에는 절연층(L2)이 배치되며, 상기 절연층(L2)은 프리 프레그(Preimpregnated Materials)를 포함하며, 에폭시 수지, 페놀 수지, 불포화 폴리에스터 수지 등을 포함할 수 있다. 상기 절연층(L2)과 상기 제1배선층(L1)의 절연부(131A)는 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The insulating layer L2 may be disposed on the first wiring layer L1 and the insulating layer L2 may include an epoxy resin, a phenol resin, and an unsaturated polyester resin. The insulating layer L2 may include pre- have. The insulating layer L2 and the insulating portion 131A of the first wiring layer L1 may be formed of the same material, but the present invention is not limited thereto.

상기 절연층(L2) 상에는 제2배선층(L3)이 배치되며, 상기 제2배선층(L3)은 회로 패턴을 포함하며, Cu, Au, Al, Ag 중 적어도 하나를 포함하며, 예컨대 Cu를 이용할 수 있다. A second wiring layer L3 is disposed on the insulating layer L2 and the second wiring layer L3 includes a circuit pattern and includes at least one of Cu, Au, Al and Ag. have.

상기 제2배선층(L3)은 복수의 패드(137,138)를 포함하며, 상기 복수의 패드(137,138)는 상기 발광 다이오드(34)의 영역 아래에 각각 대응되도록 배열된다. 상기 복수의 패드(137,138)는 상기 발광 다이오드(34)와 솔더로 본딩될 수 있다.The second wiring layer L3 includes a plurality of pads 137 and 138 and the plurality of pads 137 and 138 are arranged to correspond to regions below the light emitting diode 34, respectively. The plurality of pads 137 and 138 may be bonded to the light emitting diode 34 and the solder.

상기 제2배선층(L3)과 상기 제1배선층(L1)은 복수의 비아 홀(135,136)로 연결된다. 상기 복수의 비아 홀(135,136)은 상기 제2배선층(L3)부터 상기 제1배선층(L1)까지 관통되어 형성되며, 상기 제2배선층(L3)과 제1배선층(L1)을 선택적으로 연결시켜 줄 수 있다. 예컨대, 제1비아 홀(135)은 제2배선층(L3)의 제1패드(137)과 제1배선층(L1)의 제1전극 패턴(131) 또는 제2전극 패턴(132)을 서로 연결해 주며, 제2비아 홀(136)은 상기 제2배선층(L3)의 제2패드(138)과 제1배선층(L1)의 제2전극 패턴(132) 또는 제3전극 패턴(133)을 서로 연결해 준다. 마지막 번째의 발광 다이오드 아래에 배치된 제2패드(138)는 제1배선층(L1)의 제3전극 패턴(133)과 제2비아 홀(136)에 의해 서로 연결된다. The second wiring layer L3 and the first wiring layer L1 are connected to each other via a plurality of via holes 135 and 136. The plurality of via holes 135 and 136 are formed to penetrate from the second wiring layer L3 to the first wiring layer L1 and selectively connect the second wiring layer L3 and the first wiring layer L1 . For example, the first via hole 135 connects the first pad 137 of the second wiring layer L3 and the first electrode pattern 131 or the second electrode pattern 132 of the first wiring layer L1 to each other And the second via hole 136 connects the second pad 138 of the second wiring layer L3 with the second electrode pattern 132 or the third electrode pattern 133 of the first wiring layer L1 . The second pads 138 disposed under the last light emitting diode are connected to each other by the third electrode pattern 133 and the second via hole 136 of the first wiring layer L1.

상기 복수의 비아 홀(135,136), 패드(137,138), 제1내지 제3전극 패턴(131,132,133)은 상기 복수의 발광 다이오드(34)를 직렬로 연결시켜 주게 된다. The plurality of via holes 135 and 136, the pads 137 and 138, and the first through third electrode patterns 131 and 132 and 133 connect the plurality of light emitting diodes 34 in series.

상기 제2배선층(L3) 상에는 보호층(L4)이 배치되며, 상기 보호층(L4)은 솔더 레지스트를 포함하며, 상기 보호층(L4)은 상기 모듈 기판(32)의 상면에 패드 이외의 영역을 보호하게 된다.A protection layer L4 is disposed on the second wiring layer L3 and a protection layer L4 includes a solder resist. The protection layer L4 is formed on the upper surface of the module substrate 32, .

상기 제1배선층(L1)의 두께는 방열 효율을 위해 다른 층보다 더 두껍게 형성되며, 예컨대 0.8~1.5mm의 두께로 형성되며, 상기 절연층(L2)은 85~100㎛의 두께로 형성될 수 있으며, 상기 제2배선층(L3)은 70㎛보다 얇은 두께 예컨대 15~60㎛의 두께로 형성될 수 있으며, 상기 보호층(L4)은 15~30㎛의 두께로 형성될 수 있다. 상기 비아 홀(135,136)의 직경은 0.3mm±0.1로 형성될 수 있다. For example, the thickness of the first wiring layer L1 may be greater than the thickness of the first wiring layer L1. For example, the thickness of the first wiring layer L1 may be 0.8-1.5 mm. The insulating layer L2 may have a thickness of 85-100 The second wiring layer L3 may have a thickness of less than 70 mu m, for example, 15 to 60 mu m, and the protective layer L4 may have a thickness of 15 to 30 mu m. The diameters of the via holes 135 and 136 may be 0.3 mm ± 0.1.

상기 제1배선층(L1)은 모듈 기판(32)의 휨을 방지하기 위한 두께로 형성될 수 있다. 상기 제2배선층(L3)은 비아 홀(135,136) 내의 도금을 위한 두께 정도로 형성되고, 패드(137138)의 기능은 상기 비아 홀(135,136)로 수행할 수 있다. 이러한 제2배선층(L3)은 회로 패턴이 아닌 발광 다이오드(34)가 비아 홀(135,136) 상에 솔더 본딩될 수 있는 두께로 얇게 형성될 수 있다. 상기 제1배선층(L1)은 상기 제2배선층(L3)의 두께보다 더 두꺼운 두께로 형성된다. The first wiring layer L1 may be formed to have a thickness for preventing the module substrate 32 from being warped. The second wiring layer L3 may be formed to have a thickness for plating in the via holes 135 and 136 and the function of the pad 137138 may be performed by the via holes 135 and 136. The second wiring layer L3 may be formed to have a thickness that allows the light emitting diode 34 to be solder-bonded onto the via holes 135 and 136, rather than a circuit pattern. The first wiring layer L1 is formed to be thicker than the second wiring layer L3.

상기 모듈 기판(32)은 전극 패턴을 바닥에 배치하고 회로와 방열 플레이트로 기능을 수행토록 함으로써, 배선층과 방열층을 별도로 배치한 모듈 기판에 비해 두께가 더 얇아질 수 있다. The module substrate 32 can be thinner than a module substrate in which the wiring layer and the heat dissipation layer are separately arranged by arranging the electrode pattern on the bottom and performing the functions of the circuit and the heat dissipation plate.

또한 모듈 기판(32)의 바닥의 전극 패턴(131,132,133)이 발광 다이오드(34)로부터 발생된 열을 직접 방열함으로써, 효과적으로 방열할 수 있다.Further, the electrode patterns 131, 132, and 133 at the bottom of the module substrate 32 can radiate heat effectively by directly radiating heat generated from the light emitting diodes 34.

상기 모듈 기판(32)의 제1배선층(L1)은 접착 부재(50)에 의해 바텀 커버(40)의 제1측면부(42) 즉, 금속 플레이트 상에 접착됨으로써, 복수의 발광 다이오드(34)에 전원을 공급하는 한편, 상기 복수의 발광 다이오드(34)로부터 발생된 열을 상기 바텀 커버(40)나 방열 플레이트와 같은 금속 플레이트를 통해 방열시켜 주게 된다.
The first wiring layer L1 of the module substrate 32 is adhered to the first side surface portion 42 of the bottom cover 40 or the metal plate by the adhesive member 50 so as to be bonded to the plurality of light emitting diodes 34 And the heat generated from the plurality of light emitting diodes 34 is dissipated through a metal plate such as the bottom cover 40 or a heat dissipation plate.

도 5는 도 2의 발광 모듈의 다른 예를 나타낸 배면도이다.5 is a rear view showing another example of the light emitting module of FIG.

도 5를 참조하면, 모듈 기판(32)의 바닥에 배치된 배선층(L1)에는 돌출부(P1)를 갖는 제2전극 패턴(132)을 포함한다. 상기 제2전극 패턴(132)의 돌출부(P1)는 인접한 전극 패턴들 중 어느 한 쪽 방향에 배치된 전극 패턴의 일측부로 돌출될 수 있다. 이러한 제2전극 패턴(132)의 돌출부(P1)를 다른 전극 패턴의 일측부로 돌출시켜 줌으로써, 전극 패턴(131,132,133)들과 절연부(131A) 간의 접착력을 강화시켜 줄 수 있다. 또한 제2전극 패턴(132)의 돌출부(P1)의 길이(T31)는 인접한 제1전극 패턴(131) 및 제2전극 패턴(132)의 사이, 상기 제2전극 패턴(132) 간의 사이의 간격(T4)보다 더 길게 돌출될 수 있고, 발광 다이오드(34) 간의 간격(T1)보다는 짧게 돌출될 수 있다. Referring to FIG. 5, the wiring layer L 1 disposed at the bottom of the module substrate 32 includes a second electrode pattern 132 having a protrusion P 1. The protrusion P1 of the second electrode pattern 132 may protrude from one side of the electrode pattern disposed in one of the adjacent electrode patterns. The protruding portion P1 of the second electrode pattern 132 is protruded to one side of the other electrode pattern so that the adhesive force between the electrode patterns 131, 132, and 133 and the insulating portion 131A can be enhanced. The length T31 of the protruding portion P1 of the second electrode pattern 132 is set to be shorter than the interval between the adjacent first electrode patterns 131 and the second electrode patterns 132, (T4), and may protrude shorter than the interval T1 between the light emitting diodes 34. [0051]

또한 상기 제3전극 패턴(133)의 돌출부(P3)는 마지막 제2전극 패턴(132) 방향으로 연장되어, 상기 제3전극 패턴(133) 보다는 마지막 제2전극 패턴(132)에 더 가깝게 배치될 수 있다.
The protrusion P3 of the third electrode pattern 133 extends in the direction of the last second electrode pattern 132 and is disposed closer to the last second electrode pattern 132 than the third electrode pattern 133 .

도 6은 도 2의 발광 모듈의 또 다른 예를 나타낸 배면도이다. Fig. 6 is a rear view showing another example of the light emitting module of Fig. 2;

도 6을 참조하면, 모듈 기판(32)의 제2전극 패턴(132)은 서로 다른 크기를 갖고 교대로 배치된 제1패턴(132A)와 제2패턴(132B)을 포함한다. 상기 제1패턴(132A)은 제3측면(S3)보다 제4측면(S4)에 가까운 상측부의 너비(T32)가 하측부의 너비(T31)보다 더 넓은 구조로 형성된다. 상기 제1패턴(132A)의 상측부는 양측에 제1 및 제2돌출부(P1,P2)를 구비하여, 상기 제1돌출부(P1)와 상기 제2돌출부(P2)는 서로 반대측 방향에 배치된 전극 패턴의 일 측면부로 각각 돌출된다. 상기 제2패턴(132B)은 제3측면(S3)보다 제4측면(S4)에 가까운 상측부의 너비(T33)가 하측부의 너비(T31)보다 더 좁은 구조로 형성된다. 상기 발광 모듈(32)의 제2전극 패턴(132)은 제1패턴(132A)와 제2패턴(132B)의 크기를 다르게 함으로써, 배선층(L1) 내에서 절연부(131A)와의 결합력이 개선될 수 있다.실시 예는 제1 내지 제3전극 패턴 중 적어도 하나에 돌출부를 배치하여, 다른 전극 패턴의 일측부 또는 양측부로 돌출될 수 있다.
Referring to FIG. 6, the second electrode patterns 132 of the module substrate 32 include first patterns 132A and second patterns 132B having different sizes and alternately arranged. The first pattern 132A is formed such that the width T32 of the upper portion closer to the fourth side S4 than the width of the third portion S3 is wider than the width T31 of the lower portion. The upper portion of the first pattern 132A has first and second protrusions P1 and P2 on both sides thereof and the first protrusions P1 and the second protrusions P2 are disposed on opposite sides of the first protrusions P1, And protrudes to one side portion of the pattern. The second pattern 132B is formed such that the width T33 of the upper portion closer to the fourth side S4 than the width of the third side S3 is narrower than the width T31 of the lower portion. The second electrode pattern 132 of the light emitting module 32 has different sizes of the first pattern 132A and the second pattern 132B so that the bonding strength with the insulating portion 131A in the wiring layer L1 is improved The embodiment may be provided with protrusions on at least one of the first to third electrode patterns so as to protrude to one side or both sides of the other electrode pattern.

실시 예에 따른 발광 모듈은 휴대 단말기, 컴퓨터 등의 백라이트 유닛 뿐만 아니라, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판, 가로등 등의 조명 장치에 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 직하 타입의 발광 모듈에는 상기 도광판을 배치하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 발광 모듈 위에 렌즈 또는 유리와 같은 투광성 물질이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The light emitting module according to the embodiment can be applied not only to a backlight unit such as a portable terminal and a computer, but also to an illumination device such as an illumination light, a traffic light, a vehicle headlight, an electric signboard, a streetlight, and the like. Further, the light guide plate may not be disposed in the direct-type light emitting module, but the present invention is not limited thereto. Further, a light transmitting material such as a lens or glass may be disposed on the light emitting module, but the present invention is not limited thereto.

상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.The present invention is not limited to the above-described embodiment and the attached drawings, but is defined by the appended claims. It will be apparent to those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims, As will be described below.

100:표시장치, 10: 표시 패널, 20:백라이트 유닛, 30:발광 모듈, 32: 모듈 기판, 34: 발광 다이오드, 45: 반사 시트, 60:광학 시트, 70:도광판, 131,132,133: 전극 패턴, 135,136: 비아 홀, 137,138: 패드, L1: 제1배선층, L2: 절연층, L3: 제2배선층, L4: 보호층The present invention relates to a light emitting device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a light emitting diode (LED) L1 is a first wiring layer, L2 is an insulating layer, L3 is a second wiring layer, L4 is a protective layer,

Claims (15)

바텀커버;
상기 바텀커버 상에 도광판;
상기 도광판의 한측면과 대응되어 배치되는 발광모듈을 포함하고,
상기 발광모듈은,
제1측면과 상기 제1측면에 대응되는 제2측면, 상기 제1측면 및 상기 제2측면과 인접한 제3측면과 상기 제3측면에 대응되는 제4측면을 포함하는 모듈기판;
상기 모듈기판 상에 이격되어 배열되는 복수의 발광 다이오드를 포함하고,
상기 모듈기판은,
제1전극패턴과 상기 제1전극패턴과 이격되어 배치되며 서로 이격되어 배치되는 복수의 제2전극패턴과 상기 복수의 제2전극패턴과 이격되어 배치되는 제3전극패턴을 포함하는 제1배선층;
상기 제1배선층 상에 절연층;
상기 절연층 상에 배치되며 상기 복수의 발광다이오드와 전기적으로 연결되는 복수의 패드를 포함하는 제2배선층을 포함하며;
상기 제1전극패턴은 상기 제1측면과 가장 인접한 상기 복수의 발광 다이오드와 전기적으로 연결되고,
상기 복수의 제2전극패턴은 상기 제1배선층 및 상기 제2배선층을 관통하는 복수의 비아홀에 의해 인접한 상기 복수의 발광다이오드 사이를 전기적으로 연결하며,
상기 제3전극패턴은 상기 제2측면과 가장 인접한 상기 발광 다이오드와 전기적으로 연결되는 백라이트 유닛.
Bottom cover;
A light guide plate on the bottom cover;
And a light emitting module disposed correspondingly to one side of the light guide plate,
The light emitting module includes:
A module substrate comprising a first side, a second side corresponding to the first side, a third side adjacent to the first side and the second side, and a fourth side corresponding to the third side;
And a plurality of light emitting diodes spaced apart on the module substrate,
Wherein the module substrate comprises:
A first wiring layer including a first electrode pattern and a plurality of second electrode patterns spaced apart from the first electrode pattern and spaced apart from each other and a third electrode pattern spaced apart from the plurality of second electrode patterns;
An insulating layer on the first wiring layer;
And a second wiring layer disposed on the insulating layer and including a plurality of pads electrically connected to the plurality of light emitting diodes;
Wherein the first electrode pattern is electrically connected to the plurality of light emitting diodes closest to the first side,
Wherein the plurality of second electrode patterns electrically connect adjacent ones of the plurality of light emitting diodes by a plurality of via holes passing through the first wiring layer and the second wiring layer,
And the third electrode pattern is electrically connected to the light emitting diode closest to the second side.
제1항에 있어서,
상기 복수의 비아홀 중 제1비아홀은 상기 제1전극패턴에 형성되고,
상기 제1비아홀에 의해 상기 복수의 패드 중 제1패드와 상기 제1전극 패턴 또는 상기 제2전극 패턴이 연결되며,
상기 복수의 비아홀 중 제2비아홀에 의해 상기 복수의 패드 중 제2패드와 상기 제2전극패턴 또는 상기 제3전극패턴을 연결하는 백라이트 유닛.
The method according to claim 1,
A first via hole of the plurality of via holes is formed in the first electrode pattern,
The first pad of the plurality of pads is connected to the first electrode pattern or the second electrode pattern by the first via hole,
And a second via hole of the plurality of via holes connects the second pad of the plurality of pads to the second electrode pattern or the third electrode pattern.
제2항에 있어서,
상기 제2배선층 상에 보호층을 포함하는 백라이트 유닛.
3. The method of claim 2,
And a protective layer on the second wiring layer.
제3항에 있어서,
상기 제1배선층은 상기 제1전극패턴 내지 상기 제3전극패턴 사이에 배치되어 상기 제1전극패턴 내지 상기 제3전극패턴 사이를 절연시키는 절연부를 포함하는 백라이트 유닛.
The method of claim 3,
And the first wiring layer includes an insulating portion disposed between the first electrode pattern and the third electrode pattern and insulating the first electrode pattern to the third electrode pattern.
제4항에 있어서,
상기 제3전극패턴은 상기 제2측면을 따라 형성되어 상기 제2측면과 상기 복수의 발광 다이오드 사이에 배치되는 백라이트 유닛.
5. The method of claim 4,
And the third electrode pattern is formed along the second side and disposed between the second side and the plurality of light emitting diodes.
제4항에 있어서,
상기 제2측면을 따라 형성된 상기 제3전극패턴이 상기 제3측면으로 절곡되어 상기 제3측면과 가장 인접한 상기 복수의 발광 다이오드와 상기 제3측면 사이에 배치되는 백라이트 유닛.
5. The method of claim 4,
And the third electrode pattern formed along the second side is bent to the third side and disposed between the third side and the plurality of light emitting diodes closest to the third side.
제4항에 있어서,
상기 제1전극패턴 내지 상기 제3전극패턴 중 적어도 하나는 다른 전극 패턴의 일측으로 돌출된 돌출부를 포함하는 백라이트 유닛.
5. The method of claim 4,
Wherein at least one of the first electrode pattern, the second electrode pattern, and the third electrode pattern includes a protrusion protruding to one side of the other electrode pattern.
제4항에 있어서,
상기 제2전극패턴은 교대로 배치된 제1패턴 및 제2패턴을 포함하고,
상기 제1패턴은 인접한 상기 제1전극패턴 및 상기 제2패턴 방향으로 각각 돌출된 제1돌출부와 제2돌출부를 포함하며,
상기 제2패턴은 상기 제4측면에 가까운 상측부의 너비가 상기 제3측면과 가까운 하측부의 너비보다 좁은 백라이트 유닛.
5. The method of claim 4,
Wherein the second electrode pattern includes a first pattern and a second pattern which are alternately arranged,
Wherein the first pattern includes a first protrusion and a second protrusion respectively protruding in the first electrode pattern and the second pattern adjacent to each other,
Wherein the second pattern is narrower in width than a width of an upper portion closer to the fourth side than a width of a lower portion closer to the third side.
제8항에 있어서,
상기 제2패턴의 상기 제4측면과 가까운 상측부는 상기 제1패턴의 돌출부 사이에 배치되는 백라이트 유닛.
9. The method of claim 8,
And an upper portion near the fourth side of the second pattern is disposed between the projections of the first pattern.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007141729A (en) 2005-11-21 2007-06-07 Minebea Co Ltd Planar lighting system
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