KR101912293B1 - 다중빔 반사광 각도 측정을 통한 시료 표면 굴곡 측정 장치 - Google Patents

다중빔 반사광 각도 측정을 통한 시료 표면 굴곡 측정 장치 Download PDF

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이익희
안창준
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한국영상기술(주)
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Abstract

일 실시 예에 따른 굴곡 측정 장치는, 빛을 방출하는 광원; 상기 광원으로부터 방출되는 빛을 복수개의 멀티 빔으로 분리 및 회절시키는 다중 빔 분기 장치; 상기 다중 빔 분기 장치를 통과한 멀티 빔을 상호 평행하게 만들어 주는 시준 렌즈; 상기 시준 렌즈를 통과하여 측정 시료에 반사된 멀티 빔을 측정하는 비전 센서; 및 상기 비전 센서 상에 조사되는 멀티 빔이 형성하는 스팟의 위치를 측정하여 상기 측정 시료의 굴곡을 계산하는 제어부를 포함할 수 있다.

Description

다중빔 반사광 각도 측정을 통한 시료 표면 굴곡 측정 장치{WARPAGE MEASURING APPARTUS BY MEASURING MULTI BEAM REFLECTING ANGLE}
이하의 설명은, 다중빔 반사광 각도 측정을 통한 시료 표면 굴곡 측정 장치에 관한 것이다.
표면 굴곡을 측정하는 방법에 있어서, 피사체에 격자무늬의 빛을 투과하고 물체의 형상에 따라서 변형된 격자 이미지를 주사를 한 격자와 동일한 피치를 가지는 기준 격자이미지에 겹침으로써 모아레 무늬를 얻는 영사식 모아레(Projection Moire)법 및 기준격자를 사용하지 않고 변형된 무늬만을 획득하여 표면 형상을 측정하는 퓨리에 변환 형상 측정법(Fourier Transform Profilometry) 등이 사용되어왔다.
영사식 모아레법은 격자를 일정량씩 이송시키면서 영상을 촬영해야 하기 때문에 별도의 이송 기구를 구비해야 한다는 번거로움이 존재하였고, 퓨리에 변환 형상 측정법은 기준격자를 사용하지 않지만 패스트 퓨리에 연산을 수행하여야 함에 따라 연산부하가 크고 신속하며 즉각적인 표면 검사가 용이하지 못한 문제점이 존재하였다.
따라서, 단순한 구조를 가지고, 격자를 이송시키지 않으면서 신속하고 빠른 계산을 통해서 피사체의 표면의 굴곡을 측정하는 장치 및 방법에 대한 필요성이 증대되어 왔다.
전술한 배경기술은 발명자가 본 발명의 도출과정에서 보유하거나 습득한 것으로서, 반드시 본 발명의 출원 전에 일반 공중에 공개된 공지기술이라고 할 수는 없다.
일 실시 예의 목적은, 굴곡 측정 장치 및 그 방법을 제공하는 것이다.
일 실시 예에 따른 굴곡 측정 장치는, 빛을 방출하는 광원; 상기 광원으로부터 방출되는 빛을 복수개의 멀티 빔으로 분리 및 회절시키는 다중 빔 분기 장치; 상기 다중 빔 분기 장치를 통과한 멀티 빔을 상호 평행하게 만들어 주는 시준 렌즈; 상기 시준 렌즈를 통과하여 측정 시료로부터 반사된 멀티 빔을 측정하는 비전 센서; 및 상기 비전 센서 상에 조사되는 멀티 빔이 형성하는 스팟의 위치를 측정하여 상기 측정 시료의 굴곡을 계산하는 제어부를 포함할 수 있다.
상기 다중 빔 분기 장치는, 상기 멀티 빔 중 인접한 빔 사이의 각도가 일정하도록 상기 빛을 분리 및 회절 시킬 수 있다.
상기 시준 렌즈를 통과한 멀티 빔은 가로 및 세로 간격이 일정한 격자 패턴일 수 있다.
상기 다중 빔 분기 장치 및 상기 시준 렌즈 사이의 간격은 상기 시준 렌즈의 초점거리와 같을 수 있다.
일 실시 예의 굴곡 측정 장치는, 빛의 진행 경로를 기준으로, 상기 시준 렌즈 및 상기 측정 시료 사이에 위치하고, 상기 시준 렌즈를 통과한 멀티 빔의 적어도 일부를 상기 측정 시료를 향하도록 굴절시킬 수 있고, 상기 측정 시료의 표면에서 반사되는 멀티 빔의 적어도 일부를 상기 비전 센서의 방향으로 반사시키는 빔 스플리터를 더 포함할 수 있다.
상기 광원, 상기 다중 빔 분기 장치, 상기 시준 렌즈 및 상기 측정 시료는 제 1 축을 따라서 배치되고, 상기 측정 시료에서 반사된 멀티 빔이 상기 빔 스플리터에서 상기 제 1 축과 다른 제 2 축을 따라서 반사되고, 상기 빔 스플리터 및 상기 비전 센서는 상기 제 2 축을 따라서 배치될 수 있다.
일 실시 예의 굴곡 측정 장치는, 상기 측정 시료 및 상기 비전 센서 사이에서 멀티 빔의 진행 경로 상에 설치되고, 상기 측정 시료에서 반사된 멀티 빔을 확대 또는 축소시키는 배율 렌즈를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예의 굴곡 측정 장치는, 상기 광원 및 상기 다중 빔 분기 장치 사이에서 광축을 따라서 위치 조절이 가능하도록 배치되어, 상기 비전 센서 상에 조사되는 멀티 빔이 형성하는 스팟의 직경을 조절 가능한 초점 조절 렌즈를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 측정 시료의 굴곡을 측정하는 방법은, 광원에서 방출하는 빔을 다중 빔 분기 장치를 이용하여 일정한 패턴을 가진 복수개의 멀티 빔으로 형성하는 회절 단계; 멀티 빔을 시준 렌즈를 이용하여 평행하게 형성하는 시준 단계; 상기 시준 렌즈로부터 출력되는 평행한 멀티 빔이 측정 시료에 조사된 후, 반사되어 비전 센서 상에 입력되는 상기 멀티 빔이 형성하는 제 1 스팟을 측정하는 측정 시료 측정 단계; 및 상기 제 1 스팟의 위치에 기초하여 상기 측정 시료의 굴곡을 계산하는 굴곡 계산 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 측정 시료의 굴곡을 측정하는 방법은, 상기 시준 렌즈로부터 출력되는 평행한 멀티 빔이 굴곡이 없는 기준 시료에 조사된 후, 반사되어 상기 비전 센서에 입력되는 상기 멀티 빔이 형성하는 기준 스팟을 측정하는 기준 시료 측정 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 비전 센서 상에서 정의되는 좌표계의 2개의 축을 X축 및 Y축이라고 하고, 상기 측정 시료 상에서 정의되는 좌표계의 2개의 축을 x축 및 y축이라고 할 때, 상기 굴곡 계산 단계는, 상기 제 1 스팟의 X축 및 Y축의 위치와 상기 기준 스팟의 X축 및 Y축의 위치 사이의 변위를 계산하는 변위 계산 단계; 상기 계산된 변위를 기초로, 상기 측정 시료가 멀티 빔과 닿는 부분에서의 x축 및 y축 기울기를 구하는 기울기 계산 단계; 상기 x축 및 y축 기울기를 각각 적분하여, x축 상대 높이 및 y축 상대 높이를 구하는 적분 단계; 및 상기 x축 상대 높이 및 y축 상대 높이를 보정하고, 평균 연산을 통해 상기 시료의 굴곡 높이를 계산하는 정렬 단계를 포함할 수 있다.
상기 정렬 단계는, y축 상대 높이 간의 평균을 x축 상대 높이에 합산하여 x축 정렬 높이를 구하는 단계; x축 상대 높이 간의 평균을 y축 상대 높이에 합산하여 y축 정렬 높이를 구하는 단계; x축 정렬 높이 및 y축 정렬 높이의 평균을 계산하여 굴곡 높이를 구하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 측정 시료 측정 단계 이후에 수행되고, 상기 제 1 스팟의 위치 및 상기 기준 스팟의 위치 사이의 변위가 설정 거리를 초과하면, 상기 굴곡 계산 단계를 수행하지 않고 종료하는 측정 중단 단계를 더 포함하는 측정 시료의 굴곡을 측정하는 방법.
상기 설정 거리는, 복수 개의 기준 스팟 중 인접한 2개의 기준 스팟 사이의 거리보다 작거나 같을 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 측정 시료에 직접적으로 접촉하지 않고 빛의 조사를 통해 측정 시료의 굴곡의 근사치를 신속하게 측정할 수 있다.
도 1a은 일 실시 예에 따른 굴곡 측정 장치를 나타내는 도면이다.
도 1b는 일 실시 예에 따른 굴곡 측정 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 비전 센서에 형성된 기준 스팟을 나타내는 도면이다.
도 3은 측정 시료의 굴곡에 따른 반사각을 나타내는 도면이다.
도 4는 일 실시 예에 따른 굴곡 측정 장치의 측정 원리를 설명하기 위한 개념도이다.
도 5는 일 실시 예에 따른 비전 센서에 형성된 기준 스팟 및 제 1 스팟을 나타내는 도면이다.
도 6은 측정 시료의 x축 상대 높이 및 y축 적분 상수를 나타내는 도면이다.
도 7은 측정 시료의 y축 상대 높이 및 x축 적분 상수를 나타내는 도면이다.
도 8은 일 실시 예에 따른 측정 시료의 굴곡을 측정하는 방법을 나타내는 순서도이다.
도 9는 일 실시 예에 따른 굴곡 계산 단계를 나타내는 순서도이다.
도 10은 일 실시 예에 따른 정렬 단계를 나타내는 순서도이다.
이하, 실시 예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 실시 예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 실시 예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
어느 하나의 실시 예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시 예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시 예에 기재한 설명은 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
도 1a는 일 실시 예에 따른 굴곡 측정 장치를 나타내는 도면이고, 도 1b는 일 실시 예에 따른 굴곡 측정 장치를 나타낸 도면이고, 도 2는 일 실시 예에 따른 비전 센서에 형성된 기준 스팟을 나타내는 도면이다.
도 1a 및 도 2를 참조하면, 일 실시 예에 따른 굴곡 측정 장치(10)는 측정 대상인 측정 시료의 표면의 굴곡을 측정할 수 있다. 굴곡 측정 장치(10)는, 광원(1), 초점 조절 렌즈(2), 다중 빔 분기 장치(3), 시준 렌즈(4), 빔 스플리터(5), 베이스(8), 비전 센서(6) 및 제어부(9)를 포함할 수 있다.
광원(1)은, 직진성의 빛으로 이루어진 빔을 방출하는 광원 소스일수 있다. 예를 들어, 광원(1)은 레이저 빔을 방출하는 레이저 광원일 수 있다. 광원(1)에서 방출된 빔은 다중 빔 분기 장치(3)를 향해 조사될 수 있다.
다중 빔 분기 장치(3)는, 입사되는 빔을 회절시켜 특정한 회절 이미지를 형성할 수 있다. 다시 말하면, 다중 빔 분기 장치(3)는 입사되는 빔을 복수개의 빔, 즉, 멀티 빔으로 회절 및 분리시킬 수 있다. 예를 들어, 다중 빔 분기 장치(3)는 입사되는 빔의 공간 위상을 변조하여 소정의 회절 이미지를 형성하는 DOE(Diffractive Optical Element, 회절 광학 소자)일 수 있다. 예를 들어, 다중 빔 분기 장치(3)에서 생성된 멀티 빔은 다중 빔 분기 장치(3)의 설계에 따라 다양한 패턴을 형성할 수 있다. 예를 들어, 다중 빔 분기 장치(3)는 회절 격자, 프리즘, 스캔헤드, DLP 등의 장치로 대체되어도 무방할 수 있다.
멀티 빔이 형성하는 패턴은, 도 2와 같이, 가로 및 세로 간격이 일정하게 배열된 형태의 패턴일수 있고, 예를 들어 격자 형태로 형성될 수 있다. 다시 말하면, 멀티 빔이 형성하는 패턴은 임의의 숫자 n, m으로 형성된 (2n+1) X (2m+1) 행렬의 형태일 수 있다. 이 경우, 다중 빔 분기 장치(3)에서 방출되는 멀티 빔의 상호 인접한 빔 사이의 각도는 일정할 수 있다. 도 2는 n 및 m이 모두 1인 경우, 다시 말하면, 멀티 빔이 형성하는 패턴이 3 X 3 행렬의 형태인 경우를 예시적으로 도시한 것이다.
시준 렌즈(4)는, 다중 빔 분기 장치(3)에서 방출하는 멀티 빔을 평행한 빔으로 만들 수 있다. 다시 말하면, 시준 렌즈(4)는, 멀티 빔의 패턴을 일정한 크기의 상으로 형성하여 전달할 수 있다.
시준 렌즈(4)는, 다중 빔 분기 장치(3) 및 빔 스플리터(5) 사이에서 멀티 빔의 경로에 따라 위치가 조정될 수 있다. 상기 시준 렌즈(4)의 위치가 변화됨에 따라서 멀티 빔이 형성하는 패턴의 형상의 크기가 조절될 수 있다. 예를 들어, 시준 렌즈(4) 및 다중 빔 분기 장치(3) 사이의 거리는, 시준 렌즈(4)의 초점 거리와 같을 수 있다. 이 경우, 다중 빔 분기 장치(3)에 의하여 형성된 멀티 빔은 시준 렌즈(4)를 통과한 이후 서로 평행하게 진행할 수 있다.
빔 스플리터(5)는, 입사되는 빔의 일부를 일정한 각도로 반사시키고, 나머지 일부를 투과하는 광학 장치일 수 있다. 빔 스플리터(5)는 시준 렌즈(4)로부터 입사되는 멀티 빔의 일부를 베이스(8)를 향해 굴절시키고, 멀티 빔의 나머지 일부를 투과시킬 수 있다.
빔 스플리터(5)가 입사되는 멀티 빔을 반사시키는 각도는 도 1a와 같이 직각일 수 있다. 다만, 멀티 빔을 반사시키는 각도는 통상의 기술자가 빔 스플리터(5)를 설치함에 있어서, 임의로 설정하여도 무방할 수 있다.
베이스(8)는, 측정 대상인 측정 시료(90)가 놓이는 평평한 받침대일 수 있다. 예를 들어, 베이스(8)는, 도 1a와 같이 빔 스플리터(5)에서 투과되는 멀티 빔의 진행 방향과 수직하게 배치될 수 있다. 베이스(8)에는, 측정 대상인 측정 시료(90)가 올려지거나, 측정 시료와의 비교를 위한 기준 시료가 올려질 수도 있다.
기준 시료는 굴곡이 없는 평평한 표면을 가진 시료일 수 있으며 측정 시료(90)와의 비교를 위해 베이스(8)에 올려져서 측정될 수 있다.
시준 렌즈(4)로부터 출력되는 멀티 빔의 적어도 일부가 빔 스플리터(5)를 투과하여 베이스(8) 위의 기준 시료 또는 측정 시료(90)에 입사되면, 입사된 멀티 빔의 일부는 기준 시료 또는 측정 시료(90)의 표면에서 반사되어 다시 역방향으로 빔 스플리터(5)에 입사될 수 있다.
시료로부터 반사되어 빔 스플리터(5)에 입사된 멀티 빔의 일부는 계속 투과되지만, 나머지 일부는 빔 스플리터(5)에서반사되어 비전 센서(6)에 입사될 수 있다.
비전 센서(6)는, 입사되는 멀티 빔이 만들어 내는 패턴의 형상을 감지하는 이미지 센서일 수 있다. 비전 센서(6)로 입사되는 멀티 빔은 도 2 와 같이, 복수개의 점 형태의 패턴의 이미지를 형성할 수 있다. 비전 센서(6)는, 예를 들어, 베이스(8)와 평행하게 배치될 수 있다.
도 1b를 참조하면, 일 실시 예에 따른 굴곡 측정 장치(10)는, 광원(1), 초점 조절 렌즈(2), 다중 빔 분기 장치(3), 시준 렌즈(4), 빔 스플리터(5), 베이스(8), 배율 렌즈(7), 비전 센서(6) 및 제어부(9)를 포함할 수 있다.
도 1b의 굴곡 측정 장치(20)는 도 1a의 굴곡 측정 장치(10)에서 배율 렌즈(7)를 더 포함하는 구성일 수 있다.
배율 렌즈(7)는, 측정 시료 및 비전 센서 사이에서 멀티 빔의 진행 경로 상에 설치될 수 있고, 상기 측정 시료에서 반사된 멀티 빔의 상을 확대 또는 축소시킬 수 있다. 예를 들어, 배율 렌즈(7)는, 도 1b와 같이, 빔 스플리터(5) 및 비전 센서(6) 사이에 설치될 수 있다.
도 2는 베이스(8)에 표면이 평평한 기준 시료가 올려진 상태에서, 기준 시료에서 반사된 멀티 빔이 비전 센서(6) 상에서 형성하는 패턴의 이미지를 나타낸다.
비전 센서(6)에 입사되는 멀티 빔은, 예를 들어, (2n+1) X (2m+1) 행렬 형태의 패턴의 이미지로 관측될 수 있다. 멀티 빔의 하나의 빔은 비전 센서(6)에서 원형 모양의 스팟으로 관측 될 수 있고, 이를 기준 스팟(81)이라고 칭할 수 있다. 이와 마찬가지로 멀티 빔이 측정 시료(90)에 조사되었을 경우 비전 센서(6) 상에 형성되는 스팟을 제 1 스팟(91)이라고 칭할 수 있다.
예를 들어, 멀티 빔이 3 X 3 행렬의 패턴을 형성할 경우, 도 2와 같이, 비전 센서(6)에 3 X 3 행렬을 이루는 9개의 기준 스팟(81)의 이미지가 관측될 수 있다.
기준 시료는 표면이 평평하기 때문에, 기준 스팟(81)들의 가로 및 세로의 간격은 서로 일정하게 형성될 수 있다.
예를 들어, 비전 센서(6)에서 관측된 멀티 빔의 이미지는, 중앙 부분을 원점으로 하고, 원점을 교차하는 X축 및 Y축을 가진 좌표계를 통해 나타낼 수 있고, 상기 좌표계 상에서 기준 스팟(81)들은 각각의 좌표를 가질 수 있다. 예를 들면, 각각의 기준 스팟(81)의 좌표를 행렬의 행과 열 번호를 나타내는 i 및 j를 이용하여 (Xij,Yjj)로 표시할 수 있을 것이다.
제어부(9)는, 기준 시료 및 측정 시료(90)에서 반사된 멀티 빔의 스팟이 형성하는 패턴 이미지를 통해서, 측정 시료(90)의 표면 굴곡을 계산할 수 있다. 예를 들어, 제어부(9)는, 기준 시료로부터 반사된 멀티 빔에 의해 비전 센서(6)에 형성되는 기준 스팟(81)과 측정 시료(90)로부터 반사된 멀티 빔에 의해 비전 센서(6)에 형성되는 제 1 스팟(91)의 위치 차이를 계산하고, 그 위치 차이를 통해서 측정 시료(90)의 표면의 높이를 추정 및 계산할 수 있다.
초점 조절 렌즈(2)는 초점의 거리가 조절될 수 있는 렌즈 모듈일 수 있다. 예를 들어, 초점 조절 렌즈(2)는 광원(1) 및 다중 빔 분기 장치(3) 사이에 빛의 경로 상에 설치될 수 있다. 초점 조절 렌즈(2)의 초점 거리를 조절함으로써, 비전 센서(6) 상에서 관측되는 멀티빔의 스팟의 크기를 조절할 수 있다.
광원(1)에서 방출되는 빔의 방향을 제 1 축이라고 칭할 수 있다. 예를 들어, 광원(1), 초점 조절 렌즈(2), 다중 빔 분기 장치(3), 시준 렌즈(4), 베이스(8) 및 빔 스플리터(5)는 상기 제 1 축에 따라서 나란히 배치될 수 있다.
측정 시료(90)로부터 입사되는 멀티 빔이 빔 스플리터(5)에서 반사되는 방향을 제 2 축이라 칭할 수 있다. 예를 들어, 빔 스플리터(5) 및 비전 센서(6)는 상기 제 2 축을 따라서 나란히 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 2 축은 도 1a와 같이 제 1 축과 수직할 수 있다.
일 실시 예에 따른 굴곡 측정 장치(10)는 도 1a와 같이 빔 스플리터(5)를 통해서 멀티 빔을 시료에 조사시킬 수 있지만, 빔 스플리터(5)를 구비하지 않은 구성도 가능함은 물론이다. 이 경우, 멀티 빔은, 시료를 비스듬히 조사하여, 같은 각도로 반대쪽으로 반사될 수 있고, 반사되어 진행하는 방향으로 비전 센서(6)가 배치되어 시료에 반사된 멀티 빔은 비전 센서(6)에 입력될 수 있다.
도 3은 측정 시료의 굴곡에 따른 반사각을 나타내는 도면이다.
도 3을 참조하면, 측정 시료(90)에 멀티 빔이 조사되고 반사되는 모습을 확인 할 수 있다.
비전 센서(6) 상에서 정의되는 좌표계의 3개의 축을 X축, Y축 및 Z축이라고 하고(도 5 참조), 측정 시료(90) 상에서 정의되는 좌표계의 3개의 축을 x축, y축 및 z축이라고 할 수 있다. 예를 들어, 비전 센서(6) 상의 좌표계는 측정 시료(90)상의 좌표계와 서로 다를 수 있지만 도 1a와 같이, 측정 시료(90)와 비전 센서(6)가 평행하게 배치될 경우, 같은 축을 공유하는 것으로 이해하여도 무방할 수 있다.
측정 시료(90)의 평평한 표면 상에 입사되는 빔은 표면과 수직하게 입사되기 때문에, 반사되는 빔도 표면과 수직한 방향으로 반사된다. 반면, 멀티 빔이 측정 시료(90)의 경사진 표면 상에 입사될 경우, 반사되는 빔은 입사되는 빔과 일정 각도를 가지며 반사될 수 있다.
예를 들어, 도 3과 같이, 측정 시료(90)는, 멀티 빔이 조사되는 부분이 x 축으로부터 α만큼 상향 기울어져 형성될 수 있다. 이 경우, 해당 부분에 입사되는 빔은 θ만큼 이격되어 반사될 수 있다. 각각의 멀티 빔에 해당하는 측정 시료(90)의 x축 경사 각도 및 x축 반사 각도는 행렬로 표현할 수 있고, 각각을 α(Xi, Yj), θ(Xi, Yj)로 나타낼 수 있다.
빛이 표면에서 반사되는 경우, 표면에 수직한 법선을 기준으로 입사각과 반사각은 같으므로, θ는 α의 2배일 수 있고, 각각의 멀티 빔이 형성하는 θ는 다음 수학식 1과 같은 함수로 나타낼 수 있다.
Figure 112017050527056-pat00001
마찬가지로 측정 시료(90)의 표면이 y축으로부터 β만큼 상향 경사지게 형성될 수 있고, 이 경우, 해당 측정 시료(90)의 표면에 입사되는 멀티 빔과 반사되는 멀티 빔의 각도 차이는 φ일 수 있고, 각각의 멀티 빔에 해당하는 측정 시료(90)의 y축 경사 각도 및 y축 반사 각도는 행렬로 표현할 수 있고, 각각을 β(Xi, Yj), φ(Xi, Yj)로 나타낼 수 있다. 각각의 멀티 빔이 형성하는 φ는 다음 수학식 2와 같은 함수로 나타낼 수 있다.
Figure 112017050527056-pat00002
도 4는 일 실시 예에 따른 굴곡 측정 장치의 측정 원리를 설명하기 위한 개념도이고, 도 5는 일 실시 예에 따른 비전 센서에 형성된 기준 스팟(81) 및 제 1 스팟(91)을 나타내는 도면이다.
구체적으로 도 4는, 다중 빔 분기 장치(3)로부터 방출되는 멀티 빔이 시준 렌즈(4)를 통과하고, 측정 시료(90)에 반사되어 비전 센서(6)에 입력되는 경로를 이해의 편의상 일렬인 것으로 간략하게 도시한 개념도이다.
이하 다중 빔 분기 장치(3)와 시준 렌즈(4) 사이의 거리는 L1, 시준 렌즈(4) 및 측정 시료(90)의 표면까지의 거리는 L2, 측정 시료(90)의 표면 및 비전 센서(6)의 감지 표면 사이의 거리는 L3라고 한다.
예를 들어, 도 4와 같이 멀티 빔 중 하나의 빔이 측정 시료(90)의 표면에서 x축으로 θ도 만큼 이격되어 반사될 경우, 해당 빔이 비전 센서(6)상에 형성하는 제 1 스팟(91)의 위치는, 도 4의 점선으로 표시된 바와 같이 측정 시료(90)가 굴곡이 없이 평평할 경우의 스팟의 위치, 다시 말하면 표면이 평평한 기준 시료로부터 반사된 빔이 형성하는 기준 스팟(81)의 위치와 X축을 따라서 P만큼 차이 날 수 있다.
이 경우, 각각의 제 1 스팟(91)과 기준 스팟(81)의 X축에 따른 간격은 도 5와 같이 P(Xi, Yj)로 나타낼 수 있고, P(Xi, Yj) 및 L3의 값에 기초하여 다음 수학식 3과 같이 반사각 θ(Xi, Yj)를 구할 수 있다.
Figure 112017050527056-pat00003
마찬가지로, 멀티 빔 중 하나의 빔이 측정 시료(90)의 표면에서 y축으로 φ만큼 이격되어 반사될 경우, 제 1 스팟(91)의 위치는 기준 스팟의 위치로부터 Y축을 따라서 Q만큼 차이 날 수 있고, 각각의 제 1 스팟(91)과 기준 스팟(81)의 Y축에 따른 간격은 도 5와 같이 Q(Xi, Yj)로 나타낼 수 있다.
각각의 멀티 빔이 형성하는 φ를 구하는 함수는 θ를 구하는 방식과 유사할 수 있으며, 다음의 수학식 4와 같이 구해질 수 있다.
Figure 112017050527056-pat00004
일련의 계산 과정들을 제어부(9)에서 수행될 수 있고, 각각의 멀티 빔이 형성하는 제 1 스팟(91) 및 기준 스팟(81)의 위치 차이를 제어부(9)에서 측정될 수 있다. 이를 통해서 제어부(9)는, 각각의 멀티 빔이 반사되는 각도(θ, φ)를 계산할 수 있고, 또한, 각각의 멀티 빔이 조사되는 측정 시료(90)의 부분의 경사 각도α, β)를 계산할 수 있고, 해당 지점에서의 x축 기울기를 tan(α(Xi, Yj)), y축 기울기를 tan(β(Xi, Yj))라고 할 수 있다.
도 6은 측정 시료의 x축 상대 높이 및 y축 적분 상수를 나타내는 도면이고, 도 7은 측정 시료의 y축 상대 높이 및 x축 적분 상수를 나타내는 도면이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 멀티 빔이 (2n+1) X (2m+1) 행렬의 패턴을 형성할 경우, 제어부(9)에서 계산되는 x축 상대 높이 및 y 축 상대 높이 그리고 x축 적분 상수 및 y축 적분 상수를 측정 시료(90)의 x-y 좌표축에 대응하도록 도시할 수 있다.
측정 시료(90)의 굴곡, 즉 높낮이를 구하기 위해서, 수학식 1 내지 수학식 4를 통해서 구한 측정 시료(90)의 x축 및 y축 기울기인 tan(α(Xi, Yj)), tan(β(Xi, Yj))의 적분을 수행할 수 있다.
tan(α(Xi, Yj))를 X축에 따라서 하나의 행(i) 단위로 적분을 수행하면 각 행마다 측정 시료(90)의 x축에 따른 상대적인 높이인 Zx(Xi, Yj)를 계산할 수 있고, 이를 "x축 상대 높이"라 칭할 수 있다. x축 상대 높이는 다음의 수학식 5와 같이 제어부(9)에서 계산될 수 있다.
Figure 112017050527056-pat00005
도 6을 참조하면, 멀티 빔이 3 X 3 행렬의 패턴을 형성할 경우 각 행에 대해서 계산된 x축 상대 높이가 x-y좌표축에 대응하여 도시되어 있다.
마찬가지로, tan(β(Xi, Yj))를 Y축에 따라서 하나의 열(j) 단위로 적분을 수행하면 각 열마다 측정 시료(90)의 Y축에 따른 상대적인 높이인 Zy(Xi, Yj)를 계산할 수 있고, 이를 "y축 상대 높이"라 칭할 수 있다. y축 상대 높이는 다음의 수학식 6과 제어부(9)에서 같이 계산될 수 있다.
Figure 112017050527056-pat00006
도 7을 참조하면, 멀티 빔이 3 X 3 행렬의 패턴을 형성할 경우 각 열에 대해서 계산된 y축 상대 높이가 x-y좌표축에 대응하여 도시되어 있다.
수학식 5 및 6을 통해서 구한 x축 상대 높이 및 y축 상대 높이는, 적분 연산의 특성상, 멀티 빔 및 기준 스팟(81)이 이루고 있는 행 또는 열에 있어서의 상대적인 높이만을 나타내고 있으며, 측정 시료(90)의 높이를 결정하기 위해서는, 누락된 적분 상수의 값을 보정해 주어야 필요가 있다.
x축 상대 높이 및 y축 상대 높이의 각각을 보정하기 위해서, 제어부(9)는, 이하의 과정에 따라 x축 적분 상수 및 y축 적분 상수를 계산할 수 있고, 이를 각각 x축 상대 높이 및 y축 상대 높이에 더하여 x축 정렬 높이 및 y축 정렬 높이를 구할 수 있다.
x축 적분 상수는 cx(Yj), x축 정렬 높이는 Zcx(Xi, Yj), y축 적분 상수는 cy(Xi), y축 정렬 높이는 Zcy(Xi, Yj)라고 칭한다.
x축 정렬 높이는 x축 및 y축 상대 높이를 나타내는 행렬로부터 행 단위로 계산된 x축 적분 상수를 x축 상대 높이를 나타내는 행렬의 해당 행의 값들에 합산함으로써 구할 수 있다. 다시 말하면, y축 상대 높이의 행렬에서 i번 행의 모든 값들의 평균값과 x축 상대 높이의 행렬에서 i번 행의 모든 값들의 평균값의 차이를 계산하여 x축 상대 높이의 행렬의 i번 행의 모든 값에 더해줄 수 있고, 이 과정은 다음 수학식 7 및 8과 같이 계산될 수 있다.
Figure 112017050527056-pat00007
Figure 112017050527056-pat00008
y축 정렬 높이는 x축 및 y축 상대 높이를 나타내는 행렬로부터 열 단위로 계산된 y축 적분 상수를 y축 상대 높이를 나타내는 행렬의 해당 열의 값들에 합산함으로써 구할 수 있다. 다시 말하면, x축 상대 높이의 행렬에서 j번 열의 모든 값들의 평균값과 y축 상대 높이의 행렬에서 j번 열의 모든 값들의 평균값의 차이를 계산하여 y축 상대 높이의 행렬의 j번 열의 모든 값에 더해줄 수 있고, 이 과정은 다음 수학식 9 및 10과 같이 계산될 수 있다.
Figure 112017050527056-pat00009
Figure 112017050527056-pat00010
수학식 8 및 10에 의하면, x축 정렬 높이 및 y축 정렬 높이를 구할 수 있고, 이를 통해 제어부(9)는 최종적으로 측정 시료(90)의 굴곡 높이 Zαx(Xi, Yj)를 다음의 수학식 11과 같이 x축 높이 및 y축 보정 높이의 평균값으로 구할 수 있다.
Figure 112017050527056-pat00011
여기서 구해진 측정 시료(90)의 굴곡 높이는 근사적으로 구해진 값으로 실제 측정 시료(90)의 높이와 차이가 있을 수 있지만, 멀티 빔의 개수가 많고, 멀티 빔 사이의 간격이 좁을 수록, 즉, 행렬의 행 및 열의 개수가 많을수록 보다 더 정확한 결과를 계산할 수 있다.
도 8은 일 실시 예에 따른 측정 시료의 굴곡을 측정하는 방법을 나타내는 순서도이고, 도 9는일 실시 예에 따른 굴곡 계산 단계를 나타내는 순서도이고, 도 10은 일 실시 예에 따른 정렬 단계를 나타내는 순서도이다.
도 8 내지 도 10을 참조하면, 일 실시 예에 따른 측정 시료의 굴곡을 측정하는 방법은 광원을 포함하는 굴곡 측정 장치(10)를 이용하여 수행될 수 있다. 측정 시료의 굴곡을 측정하는 방법은 회절 단계(41), 시준 단계(42), 기준 시료 측정 단계(43), 측정 시료 측정 단계(44), 측정 중단 단계(45) 및 굴곡 계산 단계(46)를 포함할 수 있다.
회절 단계(41)는, 도 1a와 같이 광원(1)에서 나오는 빔이 다중 빔 분기 장치(3)를 통과하면서 소정의 패턴을 이루는 복수 개의 멀티 빔을 형성하는 단계일 수 있다.
시준 단계(42)는, 다중 빔 분기 장치(3)를 통과한 멀티 빔이 평행하도록 만드는 단계일 수 있다. 이를 통해, 멀티 빔이 형성하는 패턴의 상의 크기는 일정한 크기로 유지 될 수 있다. 예를 들어, 시준 렌즈(4) 및 다중 빔 분기 장치(3) 사이의 간격(L1, 도 4 참조)의 크기에 따라서 시준 렌즈(4)로부터 형성되는 패턴의 형상의 크기가 조절될 수 있다.
기준 시료 측정 단계(43)는, 도 1a의 베이스(8) 상에 기준 시료를 올려놓고 시준 단계(42)에서 생성된 멀티 빔을 기준 시료에 조사하고 반사된 멀티 빔을 비전 센서(6)로 관측하는 단계일 수 있다.
기준 시료 측정 단계(43)에서 비전 센서(6)는 기준 시료에 반사된 멀티 빔이 비전 센서(6) 상에 형성하는 복수 개의 기준 스팟(81)을 감지할 수 있다. 예를 들어, 비전 센서(6)는 기준 스팟(81)이 형성하는 패턴의 이미지를 저장하여 제어부(9)에 전달 할 수 있다.
측정 시료 측정 단계(44)는, 베이스(8) 상에 측정 시료(90)를 올려놓고 시준 단계(42)에서 생성된 멀티 빔을 측정 시료에 조사하고 반사된 멀티 빔을 비전 센서(6)로 관측하는 단계일 수 있다.
측정 시료 측정 단계(44)에서 비전 센서(6)는 측정 시료(90)에 반사된 멀티 빔이 비전 센서(6) 상에 형성하는 복수 개의 제 1 스팟(91)을 감지할 수 있다. 예를 들어, 비전 센서(6)는 제 1 스팟(91)이 형성하는 패턴의 이미지를 저장하여 제어부(9)에 전달 할 수 있다.
측정 중단 단계(45)는, 제 1 스팟(91) 및 기준 스팟(81)의 간격을 측정하여 그 간격이 설정 거리를 초과하면, 굴곡 계산 단계(46)를 수행하지 않고 종료할 수 있다.
예를 들면, 측정 중단 단계(45)에서는 제어부(9)는 멀티 빔의 개별 빔마다 대응되는 제 1 스팟(91) 및 기준 스팟(81)의 위치를 각각 측정하여 제 1 스팟(91) 및 기준 스팟(81) 사이의 거리(P 또는 Q, 도 5 참조)가 인접한 기준 스팟(81) 사이의 간격보다 큰 경우 모든 과정을 중단할 수 있다.
실시 예에 따른 방법은 측정 시료의 높이 형상이 연속적이고 부드러운 곡면인 것을 전제로, 한정된 개수의 멀티 빔을 이용하여 측정된 기울기 값을 이용하여 측정 시료의 전체 높이를 추정하는 방법이므로, 이와 같은 전제를 벗어날 경우 굴곡 측정 값의 계산에 오류가 발생할 수 있기 때문에, 이를 사전에 인지하여 측정을 중단할 수 있다.
굴곡 계산 단계(46)는, 비전 센서(6) 상에 형성된 제 1 스팟(91)의 패턴 및 기준 스팟(81)의 패턴을 비교하여 측정 시료(90)의 굴곡을 계산하는 단계 일 수 있다. 다시 말하면, 제어부(9)를 통해 멀티 빔의 개별 빔마다 대응되는 제 1 스팟(91) 및 기준 스팟(81)의 위치 차이들을 계산하여 측정 시료(90)의 굴곡 높이를 측정하는 단계일 수 있다.
굴곡 계산 단계(46)는, 변위 계산 단계(461), 기울기 계산 단계(462), 적분 단계(463) 및 정렬 단계(464)를 포함할 수 있다.
변위 계산 단계(461)는, 비전 센서(6)에서 관측된 제 1 스팟(91)의 패턴 및 기준 스팟(81)의 패턴의 이미지를 통해서 제어부(9)가 각각의 빔에 대응하는 제 1 스팟(91) 및 기준 스팟(81)의 위치 차이를 계산하는 단계일 수 있다.
변위 계산 단계(461)는, 도 5와 같이 X-Y평면 상에 놓인 비전 센서(6)의 감지 표면 상에서 X축 및 Y축에 따른 위치 차이(P, Q)를 나누어서 계산할 수 있다.
기울기 계산 단계(462)는, 변위 계산 단계(461)에서 구한 위치 차이(P, Q)와 측정 시료(90)의 표면 및 비전 센서(6) 사이의 거리 L3를 사용하여 제어부(9)를 통해서 측정 시료(90)의 기울기를 계산하는 단계일 수 있고, 수학식 1 내지 수학식 4를 사용하여 각각의 멀티 빔이 조사되는 측정 시료(90)의 표면마다 x축 및 y축에 따른 기울기 값 tan(α(Xi, Yj)), tan(β(Xi, Yj))을 구하는 단계일 수 있다.
적분 단계(463)는, 제어부(9)를 통해서 수행될 수 있고, 기울기 계산 단계(462)에서 구한 기울기 값 tan(α(Xi, Yj)), tan(β(Xi, Yj))을 X축에 따라 하나의 행 단위로 및 Y축에 따라 하나의 열 단위로 적분하여 각각 x축 상대 높이 Zx(Xi, Yj) 및 y축 상대 높이 Zy(Xi, Yj)를 구하는 단계일 수 있고, 수학식 5 및 수학식 6을 통해서 계산될 수 있다.
정렬 단계(464)는, 적분 단계에서 구한 x축 상대 높이 및 y축 상대 높이를 제어부(9)를 통해서 정렬하고 합산하는 단계일 수 있고, 적분 상수를 구하는 단계일 수 있다.
예를 들어, 정렬 단계(464)는, x축 정렬 높이를 구하는 단계(4641), y축 정렬 높이를 구하는 단계(4642) 및 굴곡 높이를 구하는 단계(4643)를 포함할 수 있다.
x축 정렬 높이를 구하는 단계(4641)는, 제어부(9)가 x축 상대 높이의 적분 상수를 정렬하기 위해서 수학식 7과 같이 x축 적분 상수를 구하고, 수학식 8과 같이 x축 적분 상수를 x축 상대 높이에 합산하는 단계일 수 있다.
y축 정렬 높이를 구하는 단계(4642)는, 제어부(9)가 y축 상대 높이의 적분 상수를 정렬하기 위해서 수학식 9과 같이 y축 적분 상수를 구하고, 수학식 10과 같이 y축 적분 상수를 y축 상대 높이에 합산하는 단계일 수 있다.
굴곡 높이를 구하는 단계(4643)는, 제어부(9)를 통해서 앞서서 계산한 x축 정렬 높이 및 y축 정렬 높이를 수학식 11과 같이 합산하고 평균을 계산하여 최종적으로, 측정 시료(90)의 굴곡 높이를 계산하는 단계일 수 있다.
이상과 같이 비록 한정된 도면에 의해 실시 예들이 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구조, 장치 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시 예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.

Claims (14)

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  9. 광원에서 방출하는 빔을 다중 빔 분기 장치를 이용하여 일정한 패턴을 가진 복수개의 멀티 빔으로 형성하는 회절 단계;
    멀티 빔을 시준 렌즈를 이용하여 평행하게 형성하는 시준 단계;
    상기 시준 렌즈로부터 출력되는 평행한 멀티 빔이 굴곡이 없는 기준 시료에 조사된 후, 반사되어 비전 센서에 입력되는 상기 멀티 빔이 형성하는 기준 스팟을 측정하는 기준 시료 측정 단계;
    상기 시준 렌즈로부터 출력되는 평행한 멀티 빔이 측정 시료에 조사된 후, 반사되어 상기 비전 센서 상에 입력되는 상기 멀티 빔이 형성하는 제 1 스팟을 측정하는 측정 시료 측정 단계; 및
    상기 제 1 스팟의 위치에 기초하여 상기 측정 시료의 굴곡을 계산하는 굴곡 계산 단계를 포함하고,
    상기 비전 센서 상에서 정의되는 좌표계의 2개의 축을 X축 및 Y축이라고 하고, 상기 측정 시료 상에서 정의되는 좌표계의 2개의 축을 x축 및 y축이라고 할 때,
    상기 굴곡 계산 단계는,
    상기 제 1 스팟의 X축 및 Y축의 위치와 상기 기준 스팟의 X축 및 Y축의 위치 사이의 변위를 계산하는 변위 계산 단계;
    상기 계산된 변위를 기초로, 상기 측정 시료가 멀티 빔과 닿는 부분에서의 x축 및 y축 기울기를 구하는 기울기 계산 단계;
    상기 x축 및 y축 기울기를 각각 적분하여, x축 상대 높이 및 y축 상대 높이를 구하는 적분 단계; 및
    상기 x축 상대 높이 및 y축 상대 높이를 보정하고, 평균 연산을 통해 상기 시료의 굴곡 높이를 계산하는 정렬 단계를 포함하는 측정 시료의 굴곡을 측정하는 방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 정렬 단계는,
    y축 상대 높이 간의 평균을 x축 상대 높이에 합산하여 x축 정렬 높이를 구하는 단계;
    x축 상대 높이 간의 평균을 y축 상대 높이에 합산하여 y축 정렬 높이를 구하는 단계; 및
    x축 정렬 높이 및 y축 정렬 높이의 평균을 계산하여 굴곡 높이를 구하는 단계를 포함하는 측정 시료의 굴곡을 측정하는 방법.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 측정 시료 측정 단계 이후에 수행되고, 상기 제 1 스팟의 위치 및 상기 기준 스팟의 위치 사이의 변위가 설정 거리를 초과하면, 상기 굴곡 계산 단계를 수행하지 않고 종료하는 측정 중단 단계를 더 포함하는 측정 시료의 굴곡을 측정하는 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 설정 거리는, 복수 개의 기준 스팟 중 인접한 2개의 기준 스팟 사이의 거리보다 작거나 같은 측정 시료의 굴곡을 측정하는 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11454497B2 (en) 2020-03-06 2022-09-27 Samsung Display Co., Ltd. Method of measuring a flatness of an object and apparatus for performing the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004163198A (ja) * 2002-11-12 2004-06-10 Lasertec Corp 欠陥検査装置、欠陥検査方法、光学式走査装置、半導体デバイス製造方法
JP2006105835A (ja) * 2004-10-07 2006-04-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 形状測定方法及び形状測定装置
KR100663323B1 (ko) * 2005-11-07 2007-01-02 (주) 인텍플러스 3차원 형상 측정 장치 및 그를 이용한 3차원 형상 측정방법
JP2007147388A (ja) * 2005-11-25 2007-06-14 Toshiba Corp 表面測定装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004163198A (ja) * 2002-11-12 2004-06-10 Lasertec Corp 欠陥検査装置、欠陥検査方法、光学式走査装置、半導体デバイス製造方法
JP2006105835A (ja) * 2004-10-07 2006-04-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 形状測定方法及び形状測定装置
KR100663323B1 (ko) * 2005-11-07 2007-01-02 (주) 인텍플러스 3차원 형상 측정 장치 및 그를 이용한 3차원 형상 측정방법
JP2007147388A (ja) * 2005-11-25 2007-06-14 Toshiba Corp 表面測定装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11454497B2 (en) 2020-03-06 2022-09-27 Samsung Display Co., Ltd. Method of measuring a flatness of an object and apparatus for performing the same

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